KR102539935B1 - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102539935B1
KR102539935B1 KR1020180066779A KR20180066779A KR102539935B1 KR 102539935 B1 KR102539935 B1 KR 102539935B1 KR 1020180066779 A KR1020180066779 A KR 1020180066779A KR 20180066779 A KR20180066779 A KR 20180066779A KR 102539935 B1 KR102539935 B1 KR 102539935B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
column spacer
base
disposed
generation pattern
switching element
Prior art date
Application number
KR1020180066779A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190140544A (ko
Inventor
박새론
안정현
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180066779A priority Critical patent/KR102539935B1/ko
Priority to US16/214,134 priority patent/US10591781B2/en
Priority to CN201910271099.1A priority patent/CN110579910A/zh
Publication of KR20190140544A publication Critical patent/KR20190140544A/ko
Priority to US16/781,898 priority patent/US10884295B2/en
Priority to US17/140,624 priority patent/US11269223B2/en
Priority to US17/687,706 priority patent/US11598994B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102539935B1 publication Critical patent/KR102539935B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13396—Spacers having different sizes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13398—Spacer materials; Spacer properties
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/02—Materials and properties organic material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 제1 베이스, 제1 베이스 상에 배치된 스위칭 소자, 스위칭 소자 상에 스위칭 소자와 중첩하도록 배치된 섬 형상의 단차 생성 패턴, 단차 생성 패턴 상에 위치하고 단차 생성 패턴을 커버하는 컬러 필터층, 컬러 필터 상에 위치하고 단차 생성 패턴과 중첩하는 돌출부를 포함하는 유기층 및 유기층 상에 배치되고, 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 돌출부와 비중첩하는 화소 전극을 포함하는 제1 표시기판, 제1 베이스와 대향하는 제2 베이스를 포함하는 제2 표시기판, 제1 표시기판과 제2 표시기판 사이에 위치하는 액정층 및 제1 베이스를 향하는 제2 베이스의 일면과 유기층 사이에 위치하고 돌출부와 중첩하는 컬럼 스페이서를 포함한다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치 중 액정 표시 장치는 TV, 모니터, 노트북뿐만 아니라, 모바일폰, PDA, 스마트 폰 등 다양한 장치에 적용되고 있다. 일반적으로 액정 표시 장치는 하부 기판과 상부 기판 사이에 액정층을 개재하고, 액정의 배향 각도를 제어하여 투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다. 양 기판 사이에는 컬럼 스페이서가 배치되어 셀갭을 균일하게 유지하게 된다.
액정 표시 장치에 외부 힘이 가해지는 경우, 컬럼 스페이서가 측방향으로 이동할 수도 있으며, 이에 따라 양 기판 중 어느 하나에 손상이 발생될 수도 있다. 화소 경계 영역에서 손상이 발생되는 경우 인접 화소 영역으로 빛이 샐 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 양 기판 사이의 갭을 균일하게 유지할 수 있고, 외력에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 베이스, 상기 제1 베이스 상에 배치된 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자 상에 상기 스위칭 소자와 중첩하도록 배치된 섬 형상의 단차 생성 패턴, 상기 단차 생성 패턴 상에 위치하고 상기 단차 생성 패턴을 커버하는 컬러 필터층, 상기 컬러 필터층 상에 위치하고 상기 단차 생성 패턴과 중첩하는 돌출부를 포함하는 유기층 및 상기 유기층 상에 배치되고, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 상기 돌출부와 비중첩하는 화소 전극을 포함하는 제1 표시기판, 상기 제1 베이스와 대향하는 제2 베이스를 포함하는 제2 표시기판, 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 위치하는 액정층 및 상기 제1 베이스를 향하는 상기 제2 베이스의 일면과 상기 유기층 사이에 위치하고 상기 돌출부와 중첩하는 컬럼 스페이서를 포함한다.
상기 단차 생성 패턴은 제1색의 제1 안료를 포함하고, 상기 컬러 필터층은 상기 제1 색과 상이한 제2 색의 제2 안료를 포함할 수 있다.
상기 제1 색은 적색 또는 녹색이고, 상기 제2 색은 청색일 수 있다.
상기 스위칭 소자는 채널 영역을 포함하는 반도체층을 포함하고, 상기 단차 생성 패턴은 상기 채널 영역을 커버할 수 있다.
상기 컬럼 스페이서는 상기 제2 베이스 상에 고정 배치될 수 있다.
상기 컬럼 스페이서의 단부는 상기 돌출부와 대향할 수 있다.
상기 제1 표시기판은 상기 유기층 상의 제1 배향막을 포함하고, 상기 제2 표시기판은 상기 제2 베이스 상의 제2 배향막으로서, 상기 컬럼 스페이서를 덮는 제2 배향막을 포함할 수 있다.
상기 돌출부 상에 위치하는 상기 제1 배향막과 상기 컬럼 스페이서 상에 위치하는 상기 제2 배향막이 직접 접촉할 수 있다.
상기 단차 생성 패턴의 최대폭은 30㎛ 내지 45㎛일 수 있다.
상기 돌출부의 높이는 0.6㎛ 내지 0.8㎛일 수 있다.
상기 제2 베이스의 일면 상에 위치하는 차광부재를 더 포함하고, 상기 차광부재는 상기 스위칭 소자 및 상기 단차 생성 패턴과 중첩할 수 있다.
상기 컬럼 스페이서는 상기 차광 부재와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역을 포함하는 제1 베이스, 상기 제1 베이스 상에 배치되고 상기 제1 화소 영역에 배치된 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 화소 영역에 배치된 제2 스위칭 소자, 상기 제1 화소 영역의 상기 제1 스위칭 소자 상에 상기 제1 스위칭 소자와 중첩하도록 배치된 섬 형상의 단차 생성 패턴, 상기 제1 화소 영역의 상기 제1 스위칭 소자 및 상기 단차 생성 패턴 상에 위치하고 상기 단차 생성 패턴을 커버하는 제1 컬러 필터층, 상기 제2 화소 영역의 상기 제2 스위칭 소자 상에 위치하는 제2 컬러 필터층, 상기 제1 컬러 필터층과 상기 제2 컬러 필터층을 덮는 유기층으로서, 상기 단차 생성 패턴과 중첩하는 제1 돌출부를 포함하는 유기층, 상기 유기층 상의 상기 제1 화소 영역에 배치되고 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 돌출부와 비중첩하는 제1 화소 전극, 및 상기 유기층 상의 상기 제2 화소 영역에 배치되고 상기 제2 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 스위칭 소자와 비중첩하는 제2 화소 전극을 포함하는 제1 표시기판, 상기 제1 베이스와 대향하는 제2 베이스를 포함하는 제2 표시기판, 상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 위치하는 액정층 및 상기 제1 베이스를 향하는 상기 제2 베이스의 일면과 상기 유기층 사이에 위치하고 상기 제1 돌출부와 중첩하는 제1 컬럼 스페이서를 포함한다.
상기 제1 베이스를 향하는 상기 제2 베이스의 일면과 상기 유기층 사이에 위치하고, 상기 제2 스위칭 소자와 중첩하는 제2 컬럼 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 유기층은 상기 제2 스위칭 소자와 중첩하며 상기 제1 돌출부보다 높이가 작은 제2 돌출부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 돌출부의 높이가 상기 제2 돌출부의 높이보다 0.3㎛ 내지 0.5㎛ 클 수 있다.
상기 제1 컬럼 스페이서와 상기 제2 컬럼 스페이서의 높이가 동일할 수 있다.
상기 제1 표시기판은 상기 유기층 상의 제1 배향막을 포함하고, 상기 제2 표시기판은 상기 제2 베이스 상에 배치되고, 상기 제1 컬럼 스페이서 및 상기 제2 컬럼 스페이서를 덮는 제2 배향막을 포함할 수 있다.
상기 제1 돌출부 상에 위치하는 상기 제1 배향막과 상기 제1 컬럼 스페이서 상에 위치하는 상기 제2 배향막이 직접 접촉할 수 있다.
상기 제1 컬럼 스페이서 및 상기 제2 컬럼 스페이서는 상기 제2 베이스 상에 고정 배치될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시장치에 의하면, 양 기판 사이의 갭을 균일하게 유지하면서도 외력에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있다.
또한 몇몇 실시예에 따른 표시장치에 의하면, 청색필터의 단파장 영역을 차광할 수 있고, 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소에 대한 예시적인 배치도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 돌출부의 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 4의 X부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 게이트선, 데이터선 및 돌출부 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 11의 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 도 11의 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 게이트선, 데이터선 및 돌출부 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소에 대한 예시적인 배치도, 도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 돌출부의 평면도, 도 4는 도 1에 도시된 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 표시 장치(1)는, 제1 표시기판(100), 제1 표시기판(100)과 대향하는 제2 표시기판(200), 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200) 사이에 위치하는 액정층(300)을 포함할 수 있다.
제1 표시기판(100)은 액정층(300)의 액정 분자들을 구동하기 위한 스위칭 소자, 예컨대 박막 트랜지스터들이 형성된 박막 트랜지스터 기판일 수 있다.
제2 표시기판(200)은 제1 표시기판(100)에 대향하는 기판일 수 있다.
제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200) 사이에는 이들 사이의 간격(셀갭)을 유지하는 복수의 제1 컬럼 스페이서(MCS)가 배치될 수 있다. 제1 컬럼 스페이서(MCS)는 두께 방향으로 액정층(300)을 가로지를 수 있다. 제1 컬럼 스페이서(MCS)는 제1 표시장치(100)와 제2 표시장치(200) 중 적어도 하나에 포함되어 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 컬럼 스페이서(MCS)가 제2 표시장치(200)에 구비된 경우를 예시한다.
표시 장치(1)는 상술한 부재 이외에 편광유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 편광유닛은 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200) 중 어느 하나에 포함될 수 있다. 또는 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200) 중 어느 하나와 별개의 구성으로 구비될 수도 있다.
이하, 제1 표시기판(100) 및 제2 표시기판(200)에 대하여 상세히 설명한다.
제1 표시기판(100)은 제1 절연기판(110)을 베이스로 포함한다. 제1 절연기판(110)은 투명할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다.
제1 절연기판(110)는 화소영역(PA)을 포함할 수 있다. 화소영역(PA)은 이미지를 표시하는 최소단위인 화소가 위치하는 영역일 수 있다. 화소영역(PA)은 투과영역(TA) 및 차광영역(BA)을 포함할 수 있다. 차광영역(BA)은 후술하는 제2 표시기판(200)의 차광부재(BM)와 중첩하는 영역일 수 있다. 화소영역(PA) 중 투과영역(TA) 상에는 후술할 화소전극(PE)이 위치할 수 있으며, 차광영역(BA) 상에는 후술할 스위칭 소자가 위치할 수 있다. 상기 스위칭 소자는, 예시적으로 박막 트랜지스터(TR)일 수 있다.
제1 절연기판(110) 위에는 게이트선(GL) 및 게이트 전극(GE)이 위치할 수 있다. 게이트선(GL)은 게이트 신호를 전달하며 주로 일 방향으로 연장될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 게이트선(GL)이 가로방향 또는 제1방향(D1 방향)으로 연장된 경우를 예시로 설명한다. 게이트 전극(GE)은 게이트선(GL)으로부터 돌출되며 게이트선(GL)과 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에서 게이트선(GL) 및 게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은합금 등 은계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다.
게이트선(GL) 및 게이트 전극(GE) 위에는 게이트 절연막(130)이 위치할 수 있다. 게이트 절연막(120)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 예시적으로 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(120)은 단일층 구조 또는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(120) 위에는 반도체층(130)이 위치할 수 있으며, 게이트 전극(GE)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다. 도면에서는 반도체층(130)이 라인 형상으로 이루어져서 게이트 전극(GE)뿐만 아니라 데이터 배선(DL, SE, DE)의 하부에까지 중첩 배치된 경우를 예시하고 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 반도체층(130)은 게이트 전극과 중첩하는 영역에만 섬형 형상으로 형성될 수도 있다.
반도체층(130)은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(130) 위에는 저항성 접촉 부재(140)가 위치할 수 있다. 저항성 접촉 부재(140)는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘 등으로 형성되거나 실리사이드(silicide)로 형성될 수 있다. 저항성 접촉 부재(140)는 쌍을 이루어 반도체층(130) 위에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 반도체층(130)이 산화물 반도체인 경우, 저항성 접촉 부재(140)는 생략될 수 있다.
게이트 절연막(120) 위에는 데이터선(DL)이 배치될 수 있다. 데이터선(DL)은 게이트 절연막(120)을 개재하여 게이트선(GL)과 절연되어 교차할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 데이터선(DL)이 세로방향 또는 제2방향(D2 방향)으로 뻗은 경우를 예시로 설명한다.
데이터선(DL)과 게이트선(GL)의 교차의 의해 정의된 영역은 각 화소영역(PA)에 대응할 수 있다. 데이터선(DL)과 게이트선(GL)은 차광영역(BA)에 배치되며, 투과영역(TA)은 데이터선(DL)과 게이트선(GL)의 교차의 의해 정의된 내부 영역에 배치될 수 있다.
소스 전극(SE)은 데이터선(DL)과 연결될 수 있으며, 게이트 전극(GL)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 소스 전극(SE)은 도 1에 도시된 바와 같이 데이터선(DL)으로부터 돌출되어 게이트 전극(GL)과 중첩할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 다른 실시예에서 소스 전극(SE)은 데이터선(DL)으로부터 돌출됨 없이 데이터선(DL)과 동일선 상에 위치할 수도 있다.
드레인 전극(DE)은 게이트 전극(GL) 위에서 소스 전극(SE)과 이격될 수 있으며, 소스 전극(SE)과 마주보도록 배치될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 화소 전극(PE)과 컨택하는 부위에서 폭이 확장된 확장부를 포함할 수 있다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 각각 저항성 접촉 부재(140) 상에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 상술한 데이터선(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 알루미늄, 구리, 은, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 반도체층(130)과 함께 스위칭 소자, 예컨대 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(TR)를 이룰 수 있다. 박막 트랜지스터(TR)는 화소영역(PA) 중 차광영역(BA) 상에 위치할 수 있다.
게이트 절연막(130), 반도체층(130), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 위에는 패시베이션층(150)이 위치할 수 있다. 패시베이션층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 패시베이션층(150)은 박막 트랜지스터(TR)를 보호하고, 후술할 컬러 필터층(170)에 포함된 물질이 반도체층(130)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
패시베이션층(150)에는 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 컨택홀(CNT)이 형성될 수 있다. 컨택홀(CNT)은 패시베이션층(150) 뿐만 아니라, 상부의 컬러 필터층(170) 및 유기층(ORG)을 함께 관통하도록 형성될 수 있다. 컨택홀(CNT)은 차광영역(BA)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
패시베이션층(150) 위에는 단차 생성 패턴(160)이 위치할 수 있다. 단차 생성 패턴(160)은 소정 두께를 가져 두께 방향으로 단차를 유발한다. 후술하는 바와 같이 단차 생성 패턴(160) 상부에는 컬러 필터층(170), 유기층(ORG), 배향막(PI) 등이 순차 배치되는데, 상부층의 단차 생성 패턴(160)과 중첩된 제1 영역(A1)은 단차 생성 패턴(160)의 주변부와 중첩된 제2 영역(A2)에 비해 높은 높이를 갖는다. 그에 따라 상기 상부층의 상기 제1 영역(A1)과 상기 제2 영역(A2) 사이에 단차가 정의될 수 있다.
단차 생성 패턴(160)은 차광영역(BA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 단차 생성 패턴(160)은 컨택홀(CNT)과 중첩하지 않을 수 있다.
평면 시점에서 바라볼 때, 단차 생성 패턴(160)은 제1방향(D1)을 따라 제1폭(WD1)을 가질 수 있고, 제2방향(D2)을 따라 제2폭(WD2)을 가질 수 있다.
평면 시점에서 바라볼 때, 단차 생성 패턴(160)은 도 2의 (a), (b)에 도시된 바와 같이 원형 또는 정사각형일 수 있다. 즉, 단차 생성 패턴(160)의 제1폭(WD1) 및 제2폭(WD2)은 동일할 수 있다. 단차 생성 패턴(160)의 제1폭(WD1) 및 제2폭(WD2)의 최대폭은 30마이크로미터 내지 40마이크로미터일 수 있다. 예를 들어, 제1폭(WD1) 및 제2폭(WD2)의 최대폭은 35마이크로미터일 수 있다.
제1폭(WD1)과 제2폭(WD2)간의 대소관계는 다양하게 변경될 수 있다. 평면 시점에서 바라볼 때, 단차 생성 패턴은 도 3의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 타원형 또는 직사각형일 수도 있다. 즉, 제1폭(WD1)은 제2폭(WD2)보다 클 수 있다. 구체적으로 단차 생성 패턴(160)의 제1폭(WD1)의 최대폭은 35마이크로미터 내지 45마이크로미터일 수 있고, 제2폭(WD2)의 최대폭은 30마이크로미터 내지 40마이크로미터일 수 있다. 일 실시예에서, 제1폭(WD1)의 최대폭은 45마이크로미터일 수 있고, 제2폭(WD2)의 최대폭은 35마이크로미터일 수 있다.
단차 생성 패턴(160)은 감광성 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 제1색 안료를 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 제1색 안료는 적색 안료, 녹색 안료 및 청색 안료 중 어느 하나일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 몇몇 다른 실시예에서 단차 생성 패턴(160)는 상기 제1색 안료로서 다른 기본색, 예를 들어 마젠타, 시안, 옐로우 등의 삼원색을 나타내는 안료를 포함할 수도 있다.
일 실시예에서, 단차 생성 패턴(160)은 해당하는 화소와 다른 컬러의 화소에 배치되는 컬러 필터층의 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 단차 생성 패턴(160)이 배치된 화소가 청색 화소인 경우, 단차 생성 패턴(160)은 적색 화소에 배치되는 적색 컬러 필터층 또는 녹색 화소에 배치되는 녹색 컬러 필터층과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 단차 생성 패턴(160)은 상기 다른 컬러 필터층을 형성할 때 동시에 형성될 수 있다. 이 경우, 단차 생성 패턴(160)의 높이(또는 두께) 또한 그와 동일한 물질로 이루어지는 다른 컬러 필터층의 높이(또는 두께)와 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 공정 조건의 선택에 따라서는 그 높이가 서로 상이할 수도 있다. 예를 들어, 단차 생성 패턴(160)과 컬러 필터층(170)을 형성할 때 하프톤 마스크를 이용하여 의도적으로 서로 다른 높이를 갖도록 형성하거나, 패턴 크기의 차이에 기인하여 다른 높이를 가질 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 단차 생성 패턴(160)은 박막 트랜지스터(TR)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 단차 생성 패턴(160)이 박막 트랜지스터(TR)와 중첩하는 경우 상부의 돌출부(PT1)의 높이는 단차 생성 패턴(160)의 두께뿐만 아니라 박막 트랜지스터(TR)의 두께에도 영향을 받을 수 있다.
단차 생성 패턴(160)은 적어도 박막 트랜지스터(TR)의 반도체층(130)의 채널 영역을 커버하도록 배치될 수 있다. 단차 생성 패턴(160)이 박막 트랜지스터(TR)와 중첩 배치됨으로써, 화소별 박막 트랜지스터(TR)의 문턱전압(Vth) 변화율을 균일하게 유지할 수 있다. 더욱 구체적으로 설명하면, 외광이나 백라이트 유닛으로부터 입사한 광의 반사광의 일부가 박막 트랜지스터(TR) 측으로 진입할 수 있다. 박막 트랜지스터(TR)의 채널 영역에 단파장인 청색의 빛이 입사되면 박막 트랜지스터(TR)의 문턱전압(Vth)이 달라질 수 있다. 박막 트랜지스터(TR)가 단파장의 빛에 많이 노출될수록 문턱전압(Vth) 변화율이 커질 수 있다. 박막 트랜지스터(TR)의 상부에는 컬러필터층(170)이 배치되는데, 적색이나 녹색 화소의 경우, 적색의 컬러필터층과 녹색의 컬러필터층이 박막 트랜지스터를 덮고 있어 청색광의 진입을 차단하지만, 청색 화소의 경우 청색의 컬러필터층(170)만으로는 청색의 빛을 차단하기 어렵다. 청색 화소의 박막 트랜지스터(TR)가 다른 색 화소의 박막 트랜지스터보다 문턱전압(Vth) 변화율이 높으면 청색 화소의 투과율이 다른 화소에 비해 줄어들어 표시 장치(1)가 전반적으로 옐로위쉬(yellowish)한 색상을 나타낼 수 있다. 상술한 바와 같이, 적색 또는 녹색의 안료를 포함하는 단차 생성 패턴(160)이 박막 트랜지스터(TR) 상에 중첩 배치되면, 그 위에 청색의 컬러필터층(170)이 배치되어 청색광이 컬러필터층(170)을 통과하더라도 단차 생성 패턴(160)에 의해 박막 트랜지스터(TR) 측으로 진입하는 것이 차단될 수 있다. 따라서, 화소의 색상별 박막 트랜지스터(TR)의 시간에 따른 문턱전압(Vth) 변화율 편차를 줄일 수 있다. 단차 생성 패턴(160)에 의한 청색광 차단 효과를 극대화하기 위해서는 단차 생성 패턴(160)을 적색 컬러필터층과 동일한 물질로 형성하는 것이 바람직할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 단차 생성 패턴(160)은 복수의 박막 트랜지스터(TR) 중 일부의 박막 트랜지스터(TR) 상에만 배치될 수 있다. 예를 들어, 단차 생성 패턴(160)은 청색 화소의 박막 트랜지스터(TR) 상에 배치되고, 적색 화소나 녹색 화소의 박막 트랜지스터(TR) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 단차 생성 패턴(160)은 제1 컬럼 스페이서(MCS)와 중첩하는 박막 트랜지스터(TR)의 상부에만 배치될 수 있다.
단차 생성 패턴(160) 및 패시베이션층(150) 위에는 컬러 필터층(170)이 위치할 수 있다. 컬러 필터층(170)은 투과영역(TA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 컬러 필터층(170)은 차광영역(BA)과는 중첩하지 않거나 가장자리 일부분만이 중첩할 수 있다. 컬러 필터층(170)은 하부의 단차 생성 패턴(160)과 중첩하며, 이를 덮도록 배치될 수 있다.
컬러 필터층(170)은 감광성 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 하부의 단차 생성 패턴(160)과는 다른 색의 안료인 제2색 안료를 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 제2색 안료는 삼원색을 나타낼 수 있는 적색 안료, 녹색 안료 및 청색 안료 중 어느 하나일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니고 다른 기본색, 예를 들어 마젠타, 시안, 옐로우 등의 삼원색을 나타내는 안료를 포함할 수도 있다.
컬러 필터층(170)에 적색 안료, 녹색 안료 및 청색 안료가 포함되는 경우, 각각 적색필터(R), 녹색필터(G) 및 청색필터(B)로 기능할 수 있다.
한편, 단차 생성 패턴(160) 상부의 컬러 필터층(170)의 상면은 하부의 단차 생성 패턴(160)의 형상을 일부 반영할 수 있다. 즉, 컬러 필터층(170)에서 단차 생성 패턴(160)과 중첩하는 영역은 다른 영역에 비해 상측으로 돌출될 수 있다. 일 실시예에서, 컬러 필터층(170)의 상기 돌출된 영역의 높이는 단차 생성 패턴(160)의 높이보다 작을 수 있다. 즉, 컬러 필터층(170)의 단차 구간은 하부의 단차 생성 패턴(160)의 형상을 완화하여 반영한 것일 수 있다. 컬러 필터층(170)의 돌출된 부분의 폭(다시 말하면 단차 구간의 폭)은 단차 생성 패턴(160)의 폭보다 클 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
컬러 필터층(170) 위에는 유기층(ORG)이 위치할 수 있다. 유기층(ORG)은 감광성 유기절연물질로 이루어질 수 있다. 유기층(ORG)은 컬러 필터층(170)을 보호하는 역할을 할 수 있다.
유기층(ORG)은 돌출부(PT)를 포함할 수 있다. 돌출부(PT)는 차광영역(BA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 돌출부(PT)는 박막 트랜지스터(TR)와 중첩할 수 있다. 돌출부(PT)는 패턴(160)이 배치된 화소 내에 배치되어 박막 트랜지스터(TR) 및 단차 생성 패턴(160)의 두께가 반영된 제1 돌출부(PT1) 및 단차 생성 패턴(160) 없는 화소에서 박막 트랜지스터(TR)만의 두께가 반영된 제2 돌출부(PT2)를 포함할 수 있다. 제2 돌출부(PT2)의 높이는 제1 돌출부(PT1)의 높이보다 작을 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
유기층(ORG) 위에는 화소 전극(PE)이 위치할 수 있다. 화소 전극(PE)은 화소영역(PA) 중 투과영역(TA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 화소 전극(PE)은 유기층(ORG)의 돌출부(PT)와는 비중첩할 수 있다. 화소 전극(PE)의 일부분은 차광 영역(BA)과 중첩하도록 연장되어 컨택홀(CNT)을 통해 드레인 전극(DE)과 물리적 전기적으로 연결될 수 있으며, 화소 전극(PE)은 드레인 전극(DE)으로부터 전압을 인가 받을 수 있다. 화소 전극(PE)은 ITO, IZO, ITZO, AZO 등의 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극(PE)은 줄기부(PEa), 줄기부(PEa)로부터 바깥쪽으로 뻗는 복수의 가지부(PEb) 및 돌출부(PEc)를 포함할 수 있다. 화소 전극(PE)는 가지부(PEb)의 적어도 일부의 끝 부분을 연결하는 가지 연결부(CNz)를 더 포함할 수 있다.
줄기부(PEa)는 주로 가로 방향으로 연장된 가로 줄기부(PEah) 및 주로 세로 방향으로 연장된 세로 줄기부(PEav)를 포함할 수 있으며, 줄기부(PEa)는 화소 전극(PE)을 복수의 부영역, 예컨대 복수의 도메인으로 나눌 수 있다. 몇몇 예시적인 실시예에서 가로 줄기부(PEah)와 세로 줄기부(PEav)는 서로 교차할 수 있으며, 이에 따라 줄기부(PEa)는 십자 형상으로 제공될 수 있다. 이 경우 화소 전극(PE)은 줄기부(PEa)에 의해 4개의 부영역, 즉 4개의 도메인으로 나뉠 수 있다. 각 부영역에 위치하는 복수의 가지부(PEb)는 서로 연장된 방향이 다를 수 있다. 예컨대, 도 1을 기준으로 우상방향의 부영역에 위치하는 복수의 가지부(PEb)는 줄기부(PEa)로부터 우상 방향으로 비스듬하게 연장되고, 우하방향의 부영역에 위치하는 복수의 가지부(PEb)는 줄기부(PEa)로부터 우하 방향으로 비스듬하게 연장될 수 있다. 또한 좌상방향의 부영역에 위치하는 복수의 가지부(PEb)는 줄기부(PEa)로부터 좌상 방향으로 비스듬하게 연장되고, 좌하방향의 부영역에 위치하는 복수의 가지부(PEb)는 줄기부(PEa)로부터 좌하 방향으로 비스듬하게 연장될 수 있다. 게이트선(GL)의 연장 방향과 가지부(PEb)가 이루는 각도, 또는 가로 줄기부(PEah)와 가지부(PEb)가 이루는 각도 또는 세로 줄기부(PEav)와 가지부(PEb)가 이루는 각도는 대략 45도일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
줄기부(PEa)는 도시된 예와 다른 다양한 형상을 가질 수도 있다. 예를 들어, 화소 전극(PE)은 줄기부(PEa)의 형상 변경에 따라 1개의 부영역, 2개의 부영역 또는 3개의 부영역으로 나뉠 수도 있다.
유기층(ORG) 및 화소 전극(PE) 상에는 제1 배향막(PI1)이 배치될 수 있다. 제1 배향막(PI1) 또한 하부의 제1 돌출부(PT1)의 단차를 반영할 수 있다. 제1 배향막(PI1)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 유기물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 배향막(PI1)은 수직 배향막 또는 수평 배향막일 수 있다.
제2 표시기판은 제2 절연기판(210), 공통전극(CE), 차광부재(Black Matrix, BM) 및 제1 컬럼 스페이서(MCS)를 포함할 수 있다.
제2 표시기판(200)은 제2 절연기판(210)을 베이스로 포함한다.
제2 절연기판(210)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다.
제2 절연기판(210) 상에는 차광부재(BM)가 배치될 수 있다. 차광부재(BM)는 차광영역(BA)과 중첩할 수 있다. 차광부재(BM)는 게이트전극(GE), 반도체층(130), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함하는 박막 트랜지스터(TR), 컨택홀(CNT), 게이트선(GL) 및 데이터선(DL)과 중첩할 수 있다. 차광부재(BM)는 블랙 카본(black carbon) 등의 차광성 안료를 포함할 수 있으며, 감광성의 유기 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연기판(210) 위에는 공통전극(CE)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 공통전극(CE)은 면형으로서 제2 절연기판(210) 상부에 통판으로 형성될 수 있으며, 일정한 크기의 공통 전압을 전달받을 수 있다. 공통전극(CE)은 예를 들어 ITO, IZO, ITZO, AZO 등과 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
제1 공통전극(CE) 상에는 제1 컬럼 스페이서(MCS)가 배치된다. 제1 컬럼 스페이서(MCS)는 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200)의 간격을 유지시키는 역할을 메인 컬럼 스페이서일 수 있다.
제1 컬럼 스페이서(MCS)는 제1 표시기판(100)의 제1 돌출부(PT1)와 중첩할 수 있다. 제1 컬럼 스페이서(MCS)의 단부는 제1 돌출부(PT1)에 대향할 수 있다. 제1 컬럼 스페이서(MCS)는 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 감광성을 가질 수도 있다.
제1 컬럼 스페이서(MCS) 및 공통 전극(CE) 상에는 제2 배향막(PI2)이 배치된다. 제2 배향막(PI2)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 유기물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 배향막(PI2)은 수직 배향막 또는 수평 배향막일 수 있다.
유기층(ORG)의 제1 돌출부(PT1)를 덮는 제1 배향막(PI1)은 제1 컬럼 스페이서(MCS) 단부 상의 제2 배향막(PI2)과 직접 접촉할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 배향막(PI1)과 제2 배향막(PI2) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다. 이 경우, 제1 돌출부(PT1)와 제1 컬럼 스페이서(MCS) 사이에서 상호 접촉하는 물질이 달라질 것임은 자명하다. 예를 들어, 제1 배향막(PI1)과 제2 배향막(PI2)이 모두 생략된 경우, 제1 돌출부(PT1)과 제1 컬럼 스페이서(MCS)의 단부가 직접 맞닿을 수 있다.
돌출부(PT1) 상의 제1 배향막(PI1)은 다른 영역에 비해 상대적으로 높게 돌출되어 있는데, 이처럼 제1 컬럼 스페이서(MCS)의 단부와 대향하는 제1 표시기판(100)의 제1 배향막(PI1) 영역이 주변과 충분한 높이 차이를 가지며 돌출되어 있으면 제1 배향막(PI1)의 손상을 억제할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명을 위해 도 5가 참조된다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 가압 전후의 변화를 설명하기 위한 부분 단면도이다. 도 5의 (a)는 제1 돌출부(PT1)와 스페이서(CS)가 중첩된 영역으로 도 4의 X부분에 해당하는 영역을 도시한다. 도 5의 (b)는 제2 돌출부(PT1)가 배치된 영역의 단면을 나타낸다.
도 5의 (a)를 참조하면, 단차 생성 패턴(160)이 배치된 영역의 경우, 유기층(ORG) 중 단차 생성 패턴(160)의 주변부와 중첩된 영역의 상면(ORG-1)과 제1 돌출부(PT1)의 상면(PT1-1) 간의 높이 차, 다시 말해, 제1 돌출부(PT1)의 높이(TH1)는 0.6마이크로미터 내지 0.8마이크로미터일 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(PT1)의 높이(TH1)는 약 0.7마이크로미터일 수 있다.
한편, 도 5의 (b)의 경우에는 하부의 박막 트랜지스터(TR)의 두께에 의해 유기층(ORG)에 제2 돌출부(PT2)가 배치되긴 하지만, 도 5의 (a)와는 달리 단차 생성 패턴(160)이 생략되어 있기 때문에, 그 높이가 제1 돌출부(PT2)의 높이보다 작다. 예를 들어, 제2 돌출부(PT2)의 높이는 약 0.3마이크로미터일 수 있다.
표시 장치에 외부의 힘이 가해지는 경우, 제1 컬럼 스페이서(MCS)는 외부의 힘(F)의 일부를 흡수하여 압축될 수 있다. 또한, 그와 동시에 외부의 힘(F)에 의해 제1 컬럼 스페이서(MCS)에는 좌우방향으로 이동하려는 힘, 즉 수평이동력(F1)이 작용할 수 있다. 제1 컬럼 스페이서(MCS)가 수평이동력(F1)에 의해 좌우방향으로 이동하는 경우, 제1 컬럼 스페이서(MCS)의 단부(또는 그 단부 상의 제2 배향막(PI2)는 제1 표시기판(100)의 표면(도면에서 제1 배향막(PI1)과 직접 접촉하여 제1 표시가판(100)의 표면을 손상시킬 수 있다.
도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 제1 컬럼 스페이서(MCS) 하부에 일정 높이(TH1)를 갖는 제1 돌출부(PT1)와 중첩하는 영역(A1)의 제1 컬럼 스페이서(MCS)에는 수평이동력(F1) 뿐만 아니라 수직항력(F2)도 발생한다. 제1 컬럼 스페이서(MCS)가 외부 힘(F)에 의해 측방향으로 이동하여 제1 돌출부(PT1)와 중첩되지 않게 되는 경우, 수직항력(F2)에 의해 줄어들었던 제1 컬럼 스페이서(MCS)의 높이를 회복하여 그 높이가 다시 증가할 수 있다. 이렇게 높이가 증가한 제1 컬럼 스페이서(MCS)의 단부는 A2 부분에서 제1 표시기판(100)의 표면(즉, 제1 배향막(PI1)의 표면)과 근접하게 되는데, 제1 돌출부(PT1)가 상술한 바와 같이 충분한 높이를 가짐으로써, 수평 이동한 제1 컬럼 스페이서(MCS)의 단부와 제1 표시기판(100)의 표면이 서로 맞닿을 확률을 낮출 수 있다. 이것은 도 5의 (b)에 도시된 단차 생성 패턴(160)이 생략되어 0.3um 내외의 높이를 갖는 제2 돌출부(PT2)와 대비된다. 즉, 단차 생성 패턴(160)에 의해 증가된 높이를 갖는 제1 돌출부(PT1)로 인해 제1 표시기판(100)의 표면 손상 가능성이 줄어들 수 있다. 그에 따라, 배향막(PI1)의 A2부분이 손상되지 않을 수 있으므로, 인접 화소영역으로 빛이 새는 현상을 방지할 수 있다.
이하에서는 앞에서 설명한 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. 또한 중복되는 설명은 생략하며 차이점을 중심으로 설명한다.
도 6은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 차광 부재와 제1 컬럼 스페이서가 동일한 물질로 일체화되어 있고, 공통 전극이 차광 부재 및 제1 컬럼 스페이서 상에 배치된 점에서 도 4의 실시예와 상이하다.
구체적으로 설명하면, 제2 절연기판(210) 상에 일체형 BM 컬럼 스페이서(BCS)가 배치되는데, BM 컬럼 스페이서(BCS)는 블랙 매트릭스부 및 블랙 매트릭스부 상에 배치된 블랙 컬럼 스페이서부를 포함한다. 블랙 매트릭스부와 블랙 컬럼 스페이서부는 동일한 물질로 일체형으로 이루어진다. 블랙 매트릭스부는 상술한 도 4의 차광 부재와 실질적으로 동일한 평면 배치를 가질 수 있다. 블랙 컬럼 스페이서부는 도 4의 제1 컬럼 스페이서(MCS)와 실질적으로 동일한 평면 배치를 가질 수 있다.
BM 컬럼 스페이서(BCS) 상에는 공통 전극(CE)이 배치된다. 공통 전극(CE)은 BM 컬럼 스페이서(BCS)의 블랙 매트릭스부뿐만 아니라, 블랙 컬럼 스페이서부 상에도 배치될 수 있다. 제2 배향막(PI2)은 공통 전극(CE) 상에 배치된다. 본 실시예의 경우, 제2 배향막(PI2)과 BM 컬럼 스페이서(BCS)의 블랙 컬럼 스페이서부 사이에 공통 전극(CE)이 개재된다.
본 실시예의 경우에도, 제1 표시기판(100)의 단차 생성 패턴(160)이 BM 컬럼 스페이서(BCS)의 블랙 컬럼 스페이서부 단부에 대향하도록 배치된다. 따라서, 도 5에서 설명한 바와 같이, 상기 대향 영역에서 제1 돌출부(PT1)에 의한 충분한 높이가 확보되어 제1 표시기판(100)의 표면 손상이 방지될 수 있다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2-1)는 BM 컬럼 스페이서(BCS)와 공통 전극(CE)의 적층 순서가 도 6의 실시예와 상이하다.
구체적으로 설명하면, 제2 절연기판(210) 상에 공통전극(CE)이 배치되고, 그 위에 BM 컬럼 스페이서(BCS)가 배치된다. 제2 배향막(PI2)은 BM 컬럼 스페이서(BCS)에 배치된다.
본 실시예의 경우에도 제1 표시기판(100)의 단차 생성 패턴(160)이 BM 컬럼 스페이서(BCS)의 블랙 컬럼 스페이서부 단부에 대향하도록 배치된다. 따라서, 도 5에서 설명한 바와 같이, 상기 대향 영역에서 제1 돌출부(PT1)에 의한 충분한 높이가 확보되어 제1 표시기판(100)의 표면 손상이 방지될 수 있다.
도 8은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1-1)는 제1 표시기판(100) 상에서 단차 생성 패턴(160)이 생략되었다는 점에서, 도 4의 실시예와 상이하다.
구체적으로 설명하면, 제1 절연기판(110) 상에 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(120), 반도체층(130), 저항성 접촉 부재(140), 소스 전극(SE) 드레인 전극(DE) 및 패시베이션층(150)이 배치되고, 그 위에 컬러 필터층(170) 및 돌출부(PT2)를 형성하는 유기층(ORG)이 배치될 수 있다. 유기층(ORG) 상에 제1 배향막(PI1)을 더 포함할 수 있다.
제2 표시기판(200)은 도 4의 설명에서 상술한 제2 표시기판과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 9는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예 따른 표시 장치(3)의 제1 컬럼 스페이서(MCS)가 유기층(ORG)의 돌출부(PT1) 바로 위에 위치한다는 점에서 도 4의 실시예와 상이하다.
구체적으로 설명하면, 제1 절연기판(110) 상에 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(120), 반도체층(130), 저항성 접촉 부재(140), 소스 전극(SE) 드레인 전극(DE), 패시베이션층(150), 단차 생성 패턴(160), 컬러 필터층(170), 돌출부(PT1)를 형성하는 유기층(ORG)이 배치되고, 제1 컬럼 스페이서(MCS)는 도 4에서 상술한 바와는 달리, 유기층(ORG)의 돌출부(PT1) 바로 위에 위치할 수 있다. 제1 컬럼 스페이서(MCS) 상에 제1 배향막(PI1)을 더 포함할 수 있다.
제2 표시기판(200)은 제2 절연기판(210), 차광부재(BM) 및 공통전극(CE)을 포함할 수 있고, 제2 배향막(PI2)을 더 포함할 수 있다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3-1)는 제1 표시기판(100) 상에서 단차 생성 패턴(160)이 생략되었다는 점에서, 도 9의 실시예와 상이하다.
구체적으로 설명하면, 제1 절연기판(110) 상에 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(120), 반도체층(130), 저항성 접촉 부재(140), 소스 전극(SE) 드레인 전극(DE) 및 패시베이션층(150)이 배치되고, 그 위에 컬러 필터층(170) 및 돌출부(PT2)를 형성하는 유기층(ORG)이 배치될 수 있다. 제2 컬럼 스페이서(SCS)는 유기층(ORG)의 돌출부(PT2) 상에 배치될 수 있다. 제2 컬럼 스페이서(SCS) 상에 제1 배향막(PI1)을 더 포함할 수 있다.
제2 표시기판(200)은 도 9의 설명에서 상술한 제2 표시기판과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 게이트선(GL), 데이터선(DL) 및 돌출부(PT1, PT2) 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(10)는 제1 화소 영역(PA1)의 제1 차광 영역(BA1)에 제1 돌출부(PT1)를 포함하고, 제3 화소 영역(PA3)의 제3 차광 영역(BA3)에 제2 돌출부(PT2)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에 따르면, 제1 돌출부(PT1)의 높이(TH1)는 제2 돌출부(PT2)의 높이(TH2)보다 클 수 있다. 따라서, 제1 돌출부(PT1) 및 제2 돌출부(PT2)의 높이차로 인하여 동일한 높이를 갖는 컬럼 스페이서(CS)를 제1 돌출부(PT1)와 중첩하도록 배치하는 경우 메인 컬럼 스페이서(MCS)가 될 수 있고, 제2 돌출부(PT2)와 중첩하도록 배치하는 경우 서브 컬럼 스페이서(SCS)가 될 수 있다. 즉, 14에 도시된 픽셀(pixel) 구조는 1개의 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 1개의 서브 컬럼 스페이서(SCS)가 배치된 구조일 수 있다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치(10-1)에서, 도 11의 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4, 도 8, 도 11 및 도 12를 참조하면, 도 4의 단면도는 도 12에 도시된 제1 화소 영역(PA1)의 단면도일 수 있고, 도 8의 단면도는 도 12에 도시된 제3 화소 영역(PA3)의 단면도일 수 있다.
제3 화소 영역(PA3)은 제1 화소 영역(PA1)과 비교하여, 컬러 필터층(170)에 단차 생성 패턴(160)이 삽입되지 않았다는 점에서 차이가 있다. 제1 화소 영역(PA1)의 메인 컬럼 스페이서(MCS)의 높이(HT1)와 제3 화소 영역(PA3)의 서브 컬럼 스페이서(SCS)의 높이(HT1-1)가 동일할 수 있고, 제1 화소 영역(PA1) 돌출부(PT1)의 높이(TH1)가 제3 화소 영역(PA3)의 돌출부(PT2)의 높이(TH2)보다 클 수 있다. 즉, 도 12에 도시된 바와 같이, 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 제1 표시기판(100) 사이에 이격이 발생하지 않는 경우, 서브 컬럼 스페이서(SCS)와 제1 표시기판(100) 사이에 이격이 발생할 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(MCS)의 높이(HT1)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)의 높이(HT1-1)가 동일하므로, 하프톤 마스크 등과 같은 멀티톤 마스크를 사용하지 않고, 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)를 동시에 형성할 수 있는 바, 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 존재한다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(10-2)에서, 도 11의 B-B'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9 내지 도 13을 참조하면, 도 9의 단면도는 도 13에 도시된 제1 화소 영역(PA1)의 단면도일 수 있고, 도 10의 단면도는 도 13에 도시된 제3 화소 영역(PA3)의 단면도일 수 있다.
제3 화소 영역(PA3)은 제1 화소 영역(PA1)과 비교하여, 컬러 필터층(170)에 단차 생성 패턴(160)이 삽입되지 않았다는 점에서 차이가 있다. 제1 화소 영역(PA1)의 메인 컬럼 스페이서(MCS)의 높이(HT1)와 제3 화소 영역(PA3)의 서브 컬럼 스페이서(SCS)의 높이(HT1-1)가 동일할 수 있고, 제1 화소 영역(PA1)의 돌출부(PT1)의 높이(TH1)가 제3 화소 영역(PA3)의 돌출부(PT2)의 높이(TH2)보다 클 수 있다. 즉, 도 13에 도시된 바와 같이, 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 제2 표시기판(200) 사이에 이격이 발생하지 않는 경우, 서브 컬럼 스페이서(SCS)와 제2 표시기판(100) 사이에 이격이 발생할 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(MCS)의 높이(HT1)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)의 높이(HT1-1)가 동일하므로, 하프톤 마스크 등과 같은 멀티톤 마스크를 사용하지 않고, 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)를 동시에 형성할 수 있는 바, 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 존재한다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 게이트선(GL), 데이터선(DL) 및 돌출부(PT1, PT2) 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(20)는 제1 화소 영역(PA1)의 제1 차광 영역(BA1)에 제1 돌출부(PT1)를 포함하고, 제2 화소 영역(PA3)의 제2 차광 영역(BA2)에 제2 돌출부(PT2)를 포함하고 제3 화소 영역(PA3)의 제3 차광 영역(BA3)에 제2 돌출부(PT2)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에 따르면, 제1 돌출부(PT1)의 높이(TH1)는 제2 돌출부(PT2)의 높이(TH2)보다 클 수 있다. 따라서, 제1 돌출부(PT1) 및 제2 돌출부(PT2)의 높이차로 인하여 동일한 높이를 갖는 컬럼 스페이서(CS)를 제1 돌출부(PT1)와 중첩하도록 배치하는 경우 메인 컬럼 스페이서(MCS)가 될 수 있고, 제2 돌출부(PT2)와 중첩하도록 배치하는 경우 서브 컬럼 스페이서(SCS)가 될 수 있다. 즉, 도 17에 도시된 픽셀(pixel) 구조는 1개의 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 2개의 서브 컬럼 스페이서(SCS)가 배치된 구조일 수 있다.
또한, 도 11과 비교하여, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 확장 방향이 반대로 배치되었다는 점에서 차이점이 존재한다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1: 표시 장치 100: 제1 표시기판
160: 단차 생성 패턴 200: 제2 표시기판
MCS: 제1 컬럼 스페이서 PT: 돌출부
ORG: 유기층

Claims (20)

  1. 제1 베이스,
    상기 제1 베이스 상에 배치된 스위칭 소자,
    상기 스위칭 소자 상에 상기 스위칭 소자와 중첩하도록 배치된 섬 형상의 단차 생성 패턴,
    상기 단차 생성 패턴 상에 위치하고 상기 단차 생성 패턴을 커버하는 컬러 필터층,
    상기 컬러 필터층 상에 위치하고 상기 단차 생성 패턴과 중첩하는 돌출부를 포함하는 유기층 및
    상기 유기층 상에 배치되고, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 상기 돌출부와 비중첩하는 화소 전극을 포함하는 제1 표시기판;
    상기 유기층 상에 위치하고 상기 돌출부와 중첩하는 컬럼 스페이서를 포함하고,
    상기 컬러 필터층은 상기 단차 생성 패턴의 상면, 상기 단차 생성 패턴의 제1측면 및 상기 제1측면의 반대면인 상기 단차 생성 패턴의 제2측면을 완전히 커버하고,
    상기 단차 생성 패턴은 제1 색의 제1 안료를 포함하고,
    상기 컬러 필터층 중 상기 단차 생성 패턴의 상면을 커버하는 부분, 상기 단차 생성 패턴의 제1측면을 커버하는 부분 및 상기 단차 생성 패턴의 제2측면을 커버하는 부분은 상기 제1 색과 상이한 제2 색의 제2 안료를 포함하는 표시장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색은 적색 또는 녹색이고, 상기 제2 색은 청색인 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 채널 영역을 포함하는 반도체층을 포함하고, 상기 단차 생성 패턴은 상기 채널 영역을 커버하는 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 베이스와 대향하는 제2 베이스를 포함하는 제2 표시기판; 및
    상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 위치하는 액정층; 을 더 포함하고,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 제2 베이스 상에 고정 배치되는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 컬럼 스페이서의 단부는 상기 돌출부와 대향하는 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 베이스와 대향하는 제2 베이스를 포함하는 제2 표시기판; 및
    상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 위치하는 액정층; 을 더 포함하고,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 제1 베이스를 향하는 상기 제2 베이스의 일면과 상기 유기층 사이에 위치하고,
    상기 제1 표시기판은 상기 유기층 상의 제1 배향막을 포함하고, 상기 제2 표시기판은 상기 제2 베이스 상의 제2 배향막으로서, 상기 컬럼 스페이서를 덮는 제2 배향막을 포함하는 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 돌출부 상에 위치하는 상기 제1 배향막과 상기 컬럼 스페이서 상에 위치하는 상기 제2 배향막이 직접 접촉하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 단차 생성 패턴의 최대폭은 30㎛ 내지 45㎛인 표시장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 돌출부의 높이는 0.6㎛ 내지 0.8㎛인 표시장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 베이스와 대향하는 제2 베이스를 포함하는 제2 표시기판;
    상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 위치하는 액정층; 및
    상기 제1 베이스를 향하는 상기 제2 베이스의 일면 상에 위치하는 차광부재를 더 포함하고,
    상기 차광부재는 상기 스위칭 소자 및 상기 단차 생성 패턴과 중첩하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 차광 부재와 동일한 물질로 이루어진 표시 장치.
  13. 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역을 포함하는 제1 베이스,
    상기 제1 베이스 상에 배치되고 상기 제1 화소 영역에 배치된 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 화소 영역에 배치된 제2 스위칭 소자,
    상기 제1 화소 영역의 상기 제1 스위칭 소자 상에 상기 제1 스위칭 소자와 중첩하도록 배치된 섬 형상의 단차 생성 패턴,
    상기 제1 화소 영역의 상기 제1 스위칭 소자 및 상기 단차 생성 패턴 상에 위치하고 상기 단차 생성 패턴을 커버하는 제1 컬러 필터층,
    상기 제2 화소 영역의 상기 제2 스위칭 소자 상에 위치하는 제2 컬러 필터층,
    상기 제1 컬러 필터층과 상기 제2 컬러 필터층을 덮는 유기층으로서, 상기 단차 생성 패턴과 중첩하는 제1 돌출부를 포함하는 유기층,
    상기 유기층 상의 상기 제1 화소 영역에 배치되고 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 돌출부와 비중첩하는 제1 화소 전극, 및
    상기 유기층 상의 상기 제2 화소 영역에 배치되고 상기 제2 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 스위칭 소자와 비중첩하는 제2 화소 전극을 포함하는 제1 표시기판;
    상기 유기층 상에 위치하고 상기 제1 돌출부와 중첩하는 제1 컬럼 스페이서를 포함하고,
    상기 제1 컬러 필터층은 상기 단차 생성 패턴의 상면, 상기 단차 생성 패턴의 제1측면 및 상기 제1측면의 반대면인 상기 단차 생성 패턴의 제2측면을 완전히 커버하고,
    상기 단차 생성 패턴은 제1색의 제1 안료를 포함하고,
    상기 제1 컬러 필터층 중 상기 단차 생성 패턴의 상면을 커버하는 부분, 상기 단차 생성 패턴의 제1측면을 커버하는 부분 및 상기 단차 생성 패턴의 제2측면을 커버하는 부분은 상기 제1 색과 상이한 제2 색의 제2 안료를 포함하는 표시장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 베이스와 대향하는 제2 베이스를 포함하는 제2 표시기판;
    상기 제1 표시기판과 상기 제2 표시기판 사이에 위치하는 액정층; 및
    상기 제1 베이스를 향하는 상기 제2 베이스의 일면과 상기 유기층 사이에 위치하고, 상기 제2 스위칭 소자와 중첩하는 제2 컬럼 스페이서를 더 포함하는 표시장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 유기층은 상기 제2 스위칭 소자와 중첩하며 상기 제1 돌출부보다 높이가 작은 제2 돌출부를 더 포함하는 표시장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부의 높이가 상기 제2 돌출부의 높이보다 0.3㎛ 내지 0.5㎛ 큰 표시 장치.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 컬럼 스페이서와 상기 제2 컬럼 스페이서의 높이가 동일한 표시 장치.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 표시기판은 상기 유기층 상의 제1 배향막을 포함하고, 상기 제2 표시기판은 상기 제2 베이스 상에 배치되고, 상기 제1 컬럼 스페이서 및 상기 제2 컬럼 스페이서를 덮는 제2 배향막을 포함하는 표시장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부 상에 위치하는 상기 제1 배향막과 상기 제1 컬럼 스페이서 상에 위치하는 상기 제2 배향막이 직접 접촉하는 표시 장치.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 컬럼 스페이서 및 상기 제2 컬럼 스페이서는 상기 제2 베이스 상에 고정 배치되는 표시장치.
KR1020180066779A 2018-06-11 2018-06-11 표시 장치 KR102539935B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180066779A KR102539935B1 (ko) 2018-06-11 2018-06-11 표시 장치
US16/214,134 US10591781B2 (en) 2018-06-11 2018-12-10 Display device
CN201910271099.1A CN110579910A (zh) 2018-06-11 2019-04-04 显示设备
US16/781,898 US10884295B2 (en) 2018-06-11 2020-02-04 Display device
US17/140,624 US11269223B2 (en) 2018-06-11 2021-01-04 Display device
US17/687,706 US11598994B2 (en) 2018-06-11 2022-03-07 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180066779A KR102539935B1 (ko) 2018-06-11 2018-06-11 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190140544A KR20190140544A (ko) 2019-12-20
KR102539935B1 true KR102539935B1 (ko) 2023-06-05

Family

ID=68764909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180066779A KR102539935B1 (ko) 2018-06-11 2018-06-11 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (4) US10591781B2 (ko)
KR (1) KR102539935B1 (ko)
CN (1) CN110579910A (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102539935B1 (ko) 2018-06-11 2023-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN208999729U (zh) * 2018-09-12 2019-06-18 重庆惠科金渝光电科技有限公司 一种显示面板和显示装置
CN113156715A (zh) * 2020-01-23 2021-07-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示面板
CN114296282A (zh) * 2022-01-06 2022-04-08 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101016740B1 (ko) * 2003-12-30 2011-02-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101490473B1 (ko) 2008-07-01 2015-02-06 삼성디스플레이 주식회사 색필터를 포함하는 액정 표시 장치
KR101270940B1 (ko) 2011-07-08 2013-06-11 주식회사 성우하이텍 차량용 크래쉬 박스 및 그 조립 방법
KR101835545B1 (ko) 2011-07-27 2018-03-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101997090B1 (ko) * 2013-03-29 2019-07-08 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치
KR101945564B1 (ko) * 2014-09-11 2019-02-07 (주)엘지하우시스 리얼우드 제품의 제조방법
KR102415510B1 (ko) * 2015-10-12 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20170082696A (ko) * 2016-01-06 2017-07-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR20180027701A (ko) 2016-09-06 2018-03-15 엘지디스플레이 주식회사 표시패널
US10459277B2 (en) * 2016-09-29 2019-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102539935B1 (ko) * 2018-06-11 2023-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11598994B2 (en) 2023-03-07
US20210124201A1 (en) 2021-04-29
US10884295B2 (en) 2021-01-05
US10591781B2 (en) 2020-03-17
US20200174302A1 (en) 2020-06-04
KR20190140544A (ko) 2019-12-20
US11269223B2 (en) 2022-03-08
US20190377214A1 (en) 2019-12-12
US20220187648A1 (en) 2022-06-16
CN110579910A (zh) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102539935B1 (ko) 표시 장치
TWI533065B (zh) 顯示面板
KR102363676B1 (ko) 표시장치 및 그 제조방법
US10295873B2 (en) Array substrate, and liquid crystal display device
US6912024B2 (en) Array substrate of liquid crystal display device having thin film transistor on color filter structure and method of fabricating the same
US8553194B2 (en) Liquid crystal display device, liquid crystal display device manufacturing method, and electronic device
US10067375B2 (en) Liquid crystal display device
TWI581038B (zh) 液晶顯示面板
CN105988256B (zh) 显示装置、光掩模以及使用该光掩模制造显示装置的方法
US20150092132A1 (en) Thin film transistor array panel, liquid crystal display and manufacturing method of thin film transistor array panel
KR20110133836A (ko) 색필터 표시판 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
JP2007249100A (ja) アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置並びにその製造方法
KR20080072291A (ko) 표시기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
WO2017035911A1 (zh) Boa型液晶面板
TWI690759B (zh) 感測顯示裝置
US11314116B2 (en) Sensing display apparatus
US8477278B1 (en) Liquid crystal display panel
US20190155098A1 (en) Display device
TWI635342B (zh) 顯示面板
JP2008216607A (ja) 液晶表示装置
JP2009069443A (ja) 液晶表示装置
KR101982095B1 (ko) 씰 패턴을 구비한 액정표시장치
JP4131520B2 (ja) 液晶表示装置
JP2008116528A (ja) 液晶表示パネル
JP2016095336A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant