KR101982095B1 - 씰 패턴을 구비한 액정표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 씰 패턴을 구비한 액정표시장치에 관한 것으로, 개시된 구성은 액티브 영역 및 비표시 영역을 가지며, 상기 액티브 영역에 박막트랜지스터가 형성된 하부기판 및 컬러필터가 형성된 상부기판; 상기 하부기판과 상부기판의 외부면에 부착된 하부편광판 및 상부편광판; 상기 상부기판과 하부기판을 접착시키며, 상기 비표시 영역에 상기 하부편광판 및 상부편광판과 떨어져 이격 거리를 갖는 씰 패턴;을 포함하여 구성된다.

Description

씰 패턴을 구비한 액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING SEAL PATTERN}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 씰 패턴 구조를 변경하여 패널의 휨을 개선한 씰 패턴을 구비한 액정표시장치에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 이 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)가 해상도, 컬러표시, 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터, TV 등에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로, 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
이러한 액정표시장치에서 문제점으로 제기되어왔던 빛샘의 주요 발생 원인은 편광판(polarizer)이 환경 변화에 의해 수축/팽창을 하고, 이로 인하여 패널의 형상이 컵(cup)이나 캡(cap) 형태로 변형이 발생하게 되며, 변형이 발생한 패널이 백라이트 또는 탑 케이스의 간섭으로 패널 내부에 외부 스트레스(stress)가 전달되게 된다.
이렇게 전달된 스트레스는 패널 내부의 액정층의 비틀어짐(distortion)을 가져 오게 되어, 블랙 상태(black state)에서 편광판(polarizer)과 액정층의 광축 틀어짐이 발생하여, 빛샘으로 인지되게 된다. 즉, 패널 휨 자체만으로 빛샘이 발생하지는 않지만, 빛샘의 주요 인자로 작용하기 때문에 편광판의 기재를 변경하거나 외부의 탑 케이스와의 이격 거리를 두어 패널 내에 전달되는 스트레스의 최소화하는 방향으로 기술 개발을 진행하고 있으나 지속적으로 빛샘 이슈(Issue)가 발생하고 있는 실정이다.
또한, 씰런트(sealant)는 기본적으로 패널 내부와의 셀 갭 유지 및 상하 유리의 부착을 유지하기 위한 목적으로 사용되고 있다.
이러한 씰런트를 사용한 종래의 액정표시장치에 대해 도 1 내지 4를 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술에 따른 씰 패턴이 배치된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 씰 패턴이 배치된 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
종래기술에 따른 액정표시장치는, 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 하부의 어레이 기판을 구성하는 하부기판(10)과 상부의 컬러필터 기판을 구성하는 상부기판 (20)을 포함하는데, 하부기판(10)과 상부기판(20) 상의 외곽에는 블랙매트릭스(21)와, 상기 블랙매트릭스(21) 상에 씰 패턴(40)이 형성되어 있으며, 두 기판(10, 20) 사이의 씰 패턴(40) 내에는 액정층(30)이 주입되어 있다.
테두리의 블랙매트릭스(21)에 의해 구분되는 액티브 영역(AA)은 화상이 표시되는 화소부로서, 다수의 게이트배선(미도시)과 데이터배선(미도시)이 교차하여 화소영역을 정의하고, 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 부분에는 박막트랜지스터 (미도시)가 위치한다.
또한, 상기 하부기판(10)의 좌측 및 상측 외곽에는 게이트배선 및 데이터배선과 각각 연결되는 게이트 및 데이터 패드가 형성되어 있어, 외부 회로인 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로와 연결된다. 액티브 영역(AA) 이외의 영역은 비표시 영역(NA)을 이룬다.
도 2에 도시된 바와 같이, 회상이 표현되는 액티브 영역(AA)과 상기 액티브 영역(AA)에 신호를 인가하기 위해 구동 회로와 연결되는 패드(미도시)가 위치하는 영역과 게이트 및 데이터 링크를 가리는 블랙매트릭스 영역을 포함하는 비표시영역 (NA)으로 나뉘어진다.
여기서, 상기 액티브 영역(AA)에서 하부기판(10) 상에 게이트전극(11)이 형성되어 있고, 그 위에 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(12)이 게이트 전극(11)을 덮고 있다.
상기 게이트전극(11) 상부의 게이트 절연막(12) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(13)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(14)이 형성되어 있다.
상기 오믹 콘택층(14) 상부에는 금속과 같은 도전물질로 이루어진 소스전극 (15a) 및 드레인전극(15b)은 게이트전극(11)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.
도면에 도시하지 않았지만, 상기 게이트전극(11)은 게이트 배선과 연결되어 있고, 상기 소스전극(15a)은 데이터 배선과 연결되어 있으며, 게이트 배선과 데이터 배선은 서로 직교하여 화소영역을 정의한다.
상기 소스전극(15a) 및 드레인전극(15b) 위에는 보호층(16)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(16)은 상기 드레인전극(15b)을 드러내는 콘택홀(16a)을 가지고 있다.
상기 보호층(16) 상부의 화소영역에는 화소전극(17)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(17)은 콘택홀(16a)을 통해 상기 드레인전극(15b)과 연결되어 있다.
한편, 상기 하부기판(10) 상부에는 상기 하부기판(10)이 일정 간격을 가지고 이격되어 있는 투명한 상부기판(20)이 배치되어 있고, 상기 상부기판(20)의 안쪽 면에는 블랙매트릭스(Black Matrix; BM이라 칭함, 21)가 박막트랜지스터(T)와 대응되는 위치에 형성되어 있다.
또한, 상부기판(20)의 비표시영역(NA)에는 게이트 및 데이터패드와 연결하는 링크를 가리도록 블랙매트릭스(21a)가 형성되어 있다. 액티브 영역(AA) 내의 블랙매트릭스(21)의 하부에는 컬러필터(22)가 형성되어 있는데, 컬러필터(22)는 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 반복되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소영역에 대응된다. 상기 컬러필터(22) 하부에는 투명한 도전물질로 이루어진 공통전극(23)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 하부기판(10) 및 상부기판(20) 사이에는 액정이 주입되어 액정층(30)을 이룬다.
더욱이, 상기 하부기판(10)과 상부기판(20)의 외부 면에는 하부 편광판(18)과 상부 편광판(28)이 각각 부착되어 있다.
여기서, 상기 하부기판(10) 상의 게이트 절연막(12)과 보호층(16)은 비표시영역(NA)까지 연장되어 있고, 상기 하부기판(10)의 비표시영역(NA)에는 액정 주입을 위한 갭을 형성하고, 주입된 액정의 누설을 방지하는 씰 패턴(seal pattern) (40)이 형성되어 있다.
상기 씰 패턴(40)은 상기 하부기판(10)과 상부기판(20)을 합착시키기 위해 형성되는데, 상기 씰 패턴(40)은 액정패널 전체의 비표시영역(NA) 사이에 위치하여 상기 비표시 영역(NA)을 둘러싸고 있는 블랙매트릭스 영역(21a) 위에 형성되어 상기 하부기판(10)과 상부기판(20)을 합착시키는 역할을 담당하게 된다.이때, 상기 씰 패턴(40)은 비표시영역(NA)에 사각형 형태로 형성되는데, 상기 씰 패턴(40)은 상기 하부 편광판(18)과 상부 편광판(28)의 가장자리부와 오버랩되어 일치하는 비표시영역(NA)의 위치에 배치된다.
그러나, 일반적으로 액정표시장치의 문제점 중의 하나인 빛샘의 주요 원인은 패널 휨에 의해 백라이트 유닛(Back light unit)이나 탑 케이스(Top Case)의 간섭이 발생하거나, 패널 내부에 외부의 스트레스(stress)가 전달되게 됨으로써 액정의 광축의 틀어짐을 유발하여 블랙(Black) 상태에서 빛샘으로 인지된다.
이렇게 패널의 휨은 기본적으로 액정표시장치의 필수 재료인 편광판 (polarizer)의 특성상 환경 변화에 따라 PVA의 수분의 유입 또는 출입으로 인해 수축 팽창하게 되고, 편광판과 접착제로 부착되어 있는 패널의 휨을 유발시킨다.
편광판 제작시에 PVA를 연신시켜 연신 방향으로 아이오딘(iodine) 분자를 배열하여 편광 특성을 나타내게 된다.
이러한 제조 공정을 통해 제작된 편광판은 환경 변화에 의해 연신 축인 흡수 축 방향으로 편광판의 수축 팽창이 발생하여 패널 휨이 발생하고, 휨이 액정표시모듈(LCM) 상태에서 패널의 스트레스를 유발시켜 빛샘이 발생하게 된다.
도 3은 종래기술에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 상하부에 배치되는 상하 편광판의 휨 상태를 개략적으로 나타낸 개략도이다.
종래기술에 따른 액정표시장치에 있어서의 패널(50) 내의 수축에 의한 면내 스트레스 분포를 살펴 보면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상부 편광판(28)은 흡수축이 0도이므로 상부 편광판(28)의 수축에 의한 스트레스는 장변 방향에서 중앙부분으로 갈수록 큰 수축력이 발생하게 되며, 하부 편광판(18)은 흡수축이 90도이므로 단변 방향에서 중앙부분으로 갈수록 수축력이 큰 형태는 지닌다.
도 4는 종래기술에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 있어서, 씰 패턴의 배치 위치에 따른 편광판의 수축력과 반발력의 개략적인 모식도이다.
종래기술에 따른 액정표시장치의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 씰 패턴 (40)의 끝 단과 상, 하부 편광판(28, 18)의 끝 단이 오버랩되어 일치하도록 배치되므로 인해 나타나는 패널의 휨(M1) 정도는 아래의 식 (1)에 의해 구해질 수 있다.
M1 = f1x -f2y1 ----------------- (1)
여기서, x는 패널 중앙부 ∼ 편광판 수축력 중앙까지의 거리이며, y1, y2는 패널 중앙부 ∼ 씰 패턴 끝단까지의 거리이며, f1는 편광판 수축력이며, f2는 박막트랜지스터 하부기판의 반발력을 나타낸다.
종래기술에 따른 액정표시장치의 경우에, 패널 중앙부에서 편광판 수축력 중앙까지의 거리(x)와 편광판 수축력(f1)의 곱이 패널 중앙부에서 씰 패턴 끝단까지의 거리(y1)와 박막트랜지스터 어레이기판의 반발력(f2)의 곱보다 크기 때문에 그 만큼 패널의 휨 정도가 크게 발생한다고 볼 수 있다.
따라서, 종래기술에 따른 액정표시장치는, 상, 하부 편광판(28, 18)의 수축에 따라 씰 패턴(40)과의 거리가 위치에 따라 달라지게 되고, 각 부분에서의 스트레스 분포가 달라지는 문제점이 있다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 패널 내의 씰 패턴 구조를 변경하여 패널 휨을 감소시키고 그로 인해 빛샘 수준을 저감시킬 수 있는 씰 패턴을 구비한 액정표시장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 씰 패턴을 구비한 액정표시장치는, 액티브 영역 및 비표시 영역을 가지며, 상기 액티브 영역에 박막트랜지스터가 형성된 하부기판과; 컬러필터가 형성된 상부기판과; 상기 상부기판과 하부기판을 접착시키며, 상기 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되며, 하부기판의 단변 및 장변의 중앙부로 갈수록 하부기판의 가장자리부에 가깝게 형성된 구조로 이루어진 씰 패턴; 및 상기 하부기판과 상부기판의 외부면에 부착된 하부편광판 및 상부편광판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 씰 패턴을 구비한 액정표시장치에 따르면, 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되는 씰 패턴을 하부기판의 단변 및 장변의 중앙부로 갈수록 하부기판의 가장자리부에 가깝도록 일정 거리만큼 이동시켜 형성된 구조로 변경함으로써, 패널 휨을 감소시키고, 이로 인해 백라이트 유닛 및 상부 케이스와의 간섭을 최소화시켜 빛샘을 저감시킬 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 씰 패턴이 배치된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 씰 패턴이 배치된 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 종래기술에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 상, 하부에 배치되는 상하 편광판의 휨 상태를 개략적으로 나타낸 개략도이다.
도 4는 종래기술에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 있어서, 씰 패턴의 배치 위치에 따른 편광판의 수축력과 반발력의 개략적인 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 1의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도로서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 있어서, 씰 패턴의 배치 위치에 따른 편광판의 수축력과 반발력의 개략적인 모식도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ선에 따른 단면도로서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 있어서의 변경된 씰 패턴을 부착한 경우의 편광판 휨 정도를 종래기술과 비교한 그래프이다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 1의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도로서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 일 실시 예에 액정표시장치는, 도 5 및 6에 도시된 바와 같이, 하부의 어레이 기판(미도시)을 구성하는 하부기판(110)과 상부의 컬러필터 기판(미도시)를 구성하는 상부기판(120)을 포함하는데, 두 기판(110, 120) 상의 외곽에는 블랙매트릭스(121a)와, 상기 블랙매트릭스(121a) 상에 씰 패턴(140)이 형성되어 있으며, 두 기판(110, 120) 사이의 씰 패턴(140) 내에는 액정층(130)이 주입되어 있다.
테두리의 블랙매트릭스(121)에 의해 구분되는 액티브 영역(AA)은 화상이 표시되는 화소부로서, 다수의 게이트배선(미도시)과 데이터배선(미도시)이 교차하여 화소영역을 정의하고, 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 부분에는 박막트랜지스터(T)가 위치한다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레이 기판(110)의 좌측 및 상측 외곽에는 게이트배선 및 데이터배선과 각각 연결되는 게이트패드(미도시) 및 데이터 패드(미도시)가 형성되어 있어, 외부 회로인 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로와 연결된다. 액티브 영역(AA) 이외의 영역은 비표시 영역(NA)을 이룬다.
도 6에 도시된 바와 같이, 회상이 표현되는 액티브 영역(AA)과 상기 액티브 영역(AA)에 신호를 인가하기 위해 구동 회로와 연결되는 패드(미도시)가 위치하는 영역과 게이트 및 데이터 링크를 가리는 블랙매트릭스 영역을 포함하는 비표시영역 (NA)으로 구분된다.
여기서, 상기 액티브 영역(AA)에서 하부의 어레이 기판(110) 상에 게이트전극(111)이 형성되어 있고, 그 위에 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막 (112)이 게이트 전극(111)을 덮고 있다.
이때, 상기 게이트전극(111)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), Cu 합금, 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐 (MoW), 몰리티타늄 (MoTi), 구리/몰리티타늄 (Cu/MoTi)을 포함하는 도전성 금속 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합 또는 다른 적절한 물질을 포함할 수도 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(112)은 실리콘(Si) 계열의 산화막, 질화막, 또는 이를 포함하는 화합물과, Al2O3를 포함하는 금속산화막(metal oxide), 유기절연막, 낮은 유전 상수(low-k) 값을 갖는 재료를 포함한다. 예를 들어, 상기 게이트절연막 (107)으로는, 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 산화지르코늄(ZrO2), 산화하프늄(HfO2), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 바륨-스트론튬-티타늄-산소화합물 (Ba-Sr-Ti-O) 및 비스머스-아연-니오븀-산소 화합물(Bi-Zn-Nb-O)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합 또는 다른 적절한 물질을 포함할 수도 있다.
그리고, 상기 게이트전극(111) 상부의 게이트 절연막(112) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(113)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(114)이 형성되어 있다.
이때, 상기 액티브층(113)은 소스전극(115a)과 드레인전극(115b) 사이에 전자가 이동하는 채널을 형성하기 위한 층으로서, 저온 다결정 실리콘(Low Temperature Poly Silicon; 이하 LTPS라 함) 또는 비정질 실리콘(a-Si)이나 실리콘(Si) 계열의 반도체 막, IGZO 계열의 산화물 반도체막, 화합물 반도체, 카본 나노 튜브(Carbon nano tube), 그라핀(graphene)도 사용할 수 있다.
또한, 상기 오믹 콘택층(114)으로는 불순물이 도핑된 비정질 실리콘이나 불순물이 도핑된 실리콘(Si) 계열의 반도체 막으로 사용할 수 있다.
그리고, 상기 오믹 콘택층(114) 상부에는 형성되고, 금속과 같은 도전물질로 이루어진 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)은 게이트전극(111)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다. 이때, 상기 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)을 형성하는 물질로는, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), Cu 합금, 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐 (MoW), 몰리티타늄 (MoTi), 구리/몰리티타늄 (Cu/MoTi)을 포함하는 도전성 금속 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합 또는 다른 적절한 물질을 포함할 수도 있다.
도면에 도시하지 않았지만, 상기 게이트전극(111)은 게이트 배선과 연결되어 있고, 상기 소스전극(115a)은 데이터 배선과 연결되어 있으며, 게이트 배선과 데이터 배선은 서로 직교하여 화소영역을 정의한다.
상기 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b) 위에는 보호층(116)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(116)은 상기 드레인전극(115b)을 드러내는 콘택홀(116a)을 가지고 있다. 이때, 상기 보호층(116)은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 또는 유기물질으로 형성한다.
또한, 상기 보호층(116) 상부의 화소영역에는 화소전극(117)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(117)은 콘택홀(116a)을 통해 상기 드레인전극(115b)과 연결되어 있다.
한편, 상기 하부기판(110) 상부에는 상기 하부기판(110)와 일정 간격을 가지고 이격되어 있으면서 컬러필터기판을 구성하는 상부기판(120)이 배치되어 있고, 상기 상부기판(120)의 안쪽 면에는 블랙매트릭스(Black Matrix; BM이라 칭함, 121)가 박막트랜지스터(T)와 대응되는 위치에 형성되어 있다.
또한, 상기 상부기판(120)의 비표시영역(NA)에는 게이트 및 데이터패드와 연결하는 링크를 가리도록 블랙매트릭스(121a)가 형성되어 있다. 액티브 영역(AA) 내의 블랙매트릭스(121)의 하부에는 컬러필터(122)가 형성되어 있는데, 컬러필터 (122)는 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 반복되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소영역에 대응된다. 상기 컬러필터(122) 하부에는 투명한 도전물질, 예를 들어 ITO 또는 IZO로 이루어진 공통전극(123)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극(123)은 액정표시장치의 구동 방식에 따라 상기 상부기판(120) 대신에 하부기판(110)에 형성될 수도 있다.
그리고, 상기 하부기판(110)과 상부기판(110, 120) 사이에는 액정이 주입되어 액정층(130)을 이룬다.
더욱이, 상기 하부기판(110)과 상부기판(120)의 외부 면에는 하부편광판 (118)과 상부 편광판(128)이 각각 부착되어 있다.
여기서, 상기 하부기판(110) 상의 게이트 절연막(112)과 보호층(116)은 비표시영역(NA)까지 연장되어 있고, 상기 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이의 비표시영역(NA) 사이에는 액정 주입을 위한 갭을 형성하고, 주입된 액정의 누설을 방지하는 씰 패턴(seal pattern)(140)이 형성되어 있다. 상기 씰 패턴(140)의 재료로는 열경화성 및 광 경화성에 무관하게 하부기판(110)과 상부기판(120)의 합착을 목적으로 하는 모든 씰(seal) 재료를 포함한다.
이때, 상기 씰 패턴(140)은 상기 어레이기판(110)과 컬러필터 기판(120)을 합착시키기 위해 형성되는데, 상기 씰 패턴(140)은 액정패널 전체의 비표시영역 (NA)에 위치하여 상기 비표시 영역(NA)을 둘러싸고 있는 블랙매트릭스 영역(121a) 위에 형성되어 상기 하부기판(110)과 상부기판(120)을 합착시키는 역할을 담당하게 된다.
상기 씰 패턴(140)은 하부기판(110)과 상부기판(120)의 비표시영역(NA)의 둘레에 팔각형 형태로 배치되는데, 상기 씰 패턴(140)은 상기 하부기판(110)의 장변 (110a) 및 단변(110b)의 중앙부 쪽으로 갈수록 하부기판(110)의 가장자리부에 가깝게 일정한 이격 거리(d1), 예를 들어 0.5 ∼ 3 mm 정도 외곽부 쪽으로 이동된 구조로 구성되어 있다. 즉, 상기 씰 패턴(140)과 편광판(118, 128) 간의 이격 거리 (d1)는 하부기판(110)의 장변(110a)과 단변(110b)의 중앙부 쪽으로 갈수록 멀게 형성한다. 이는 하부기판(110)의 장변(110a)과 단변(110b)의 중앙부에 대응하는 상기 씰 패턴(140)의 중앙부에 일정 각도를 유지하는 것을 의미한다.
또한, 경우에 따라, 상기 씰패턴(140)의 이격 거리(d1)는 장변(110a) 또는 단변(110b)의 중앙부 어느 한쪽으로 갈수록 편광판(118, 128)과 멀게 형성하거나, 또는 두 장변(110a) 중 한 장변의 중앙부 및 두 단변(110b) 중 한 단변의 중앙부 쪽으로 갈수록 편광판(118, 128)과 멀게 형성할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 있어서, 씰 패턴의 배치 위치에 따른 편광판의 수축력과 반발력의 개략적인 모식도이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 경우, 도 7에 도시된 바와 같이, 씰 패턴(140)은 상, 하부 편광판(128, 118)의 끝 단과 오버랩되지 않은 위치에배치되며, 이 경우에 나타나는 패널의 휨(M1) 정도는 아래의 식 (2)에 의해 구해질 수 있다.
M1 = f1x -f2y1 ----------------- (2)
여기서, x는 패널 중앙부 ∼ 편광판 수축력 중앙까지의 거리이며, y1, y2는 패널 중앙부 ∼ 씰 패턴 끝단까지의 거리이며, f1는 편광판 수축력이며, f2는 박막트랜지스터 하부기판의 반발력을 나타낸다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 액정표시장치의 경우에, 패널 중앙부에서 편광판 수축력 중앙까지의 거리(x)와 편광판 수축력(f1)의 곱이 패널 중앙부에서 씰 패턴 끝단까지의 거리(y1)와 박막트랜지스터 어레이기판의 반발력(f2)의 곱보다 작기 때문에 그 만큼 패널의 휨 정도가 작게 발생한다고 볼 수 있다. 즉, 씰 패턴(140)의 중앙부의 위치를 기존보다 패널의 외곽부 쪽에 근접하도록 이동시켜 형성함으로써, 패널 중앙부에서 씰 패턴 끝단까지의 거리(y2)가 기존의 경우(즉, y1)보다 길어지게 되어 그만큼 패널의 휨 정도가 작게 발생한다고 볼 수 있다.
특히, 본 발명의 경우에 씰 패턴의 영역을 편광판(118, 128)의 끝 단에서 최대한 멀게 설계하여 편광판 수축시 발생하는 운동(moment)의 반발력을 증가시켜 패널 휨을 감소시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴을 구비한 액정표시장치는, 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되는 씰 패턴을 하부기판의 단변 및 장변의 중앙부로 갈수록 하부기판의 가장자리부에 가깝도록 일정한 이격 거리만큼 이동시켜 형성된 구조로 변경함으로써, 패널 휨을 감소시키고, 이로 인해 백라이트 유닛 및 상부 케이스와의 간섭을 최소화시켜 빛샘을 저감시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 대해 도 8 및 9를 참조하여 상세히 설명한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ선에 따른 단면도로서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 다른 실시 예에 액정표시장치는, 도 8 및 9에 도시된 바와 같이, 하부의 어레이 기판(미도시)을 구성하는 하부기판(210)과 상부의 컬러필터 기판(미도시)를 구성하는 상부기판(220)을 포함하는데, 두 기판(210, 220) 상의 외곽에는 블랙매트릭스(221a)와, 상기 블랙매트릭스(221a) 상에 씰 패턴(240)이 형성되어 있으며, 두 기판(210, 220) 사이의 씰 패턴(240) 내에는 액정층(230)이 주입되어 있다.
테두리의 블랙매트릭스(221)에 의해 구분되는 액티브 영역(AA)은 화상이 표시되는 화소부로서, 다수의 게이트배선(미도시)과 데이터배선(미도시)이 교차하여 화소영역을 정의하고, 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 부분에는 박막트랜지스터(T)가 위치한다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 어레이 기판(210)의 좌측 및 상측 외곽에는 게이트배선 및 데이터배선과 각각 연결되는 게이트패드(미도시) 및 데이터 패드(미도시)가 형성되어 있어, 외부 회로인 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로와 연결된다. 액티브 영역(AA) 이외의 영역은 비표시 영역(NA)을 이룬다.
도 9에 도시된 바와 같이, 회상이 표현되는 액티브 영역(AA)과 상기 액티브 영역(AA)에 신호를 인가하기 위해 구동 회로와 연결되는 패드(미도시)가 위치하는 영역과 게이트 및 데이터 링크를 가리는 블랙매트릭스 영역을 포함하는 비표시영역 (NA)으로 구분된다.
여기서, 상기 액티브 영역(AA)에서 하부기판(210) 상에 게이트전극(211)이 형성되어 있고, 그 위에 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(212)이 게이트 전극(211)을 덮고 있다.
이때, 상기 게이트전극(211)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), Cu 합금, 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐 (MoW), 몰리티타늄 (MoTi), 구리/몰리티타늄 (Cu/MoTi)을 포함하는 도전성 금속 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합 또는 다른 적절한 물질을 포함할 수도 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(212)은 실리콘(Si) 계열의 산화막, 질화막, 또는 이를 포함하는 화합물과, Al2O3를 포함하는 금속산화막(metal oxide), 유기절연막, 낮은 유전 상수(low-k) 값을 갖는 재료를 포함한다. 예를 들어, 상기 게이트절연막 (107)으로는, 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 산화지르코늄(ZrO2), 산화하프늄(HfO2), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 바륨-스트론튬-티타늄-산소화합물 (Ba-Sr-Ti-O) 및 비스머스-아연-니오븀-산소 화합물(Bi-Zn-Nb-O)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합 또는 다른 적절한 물질을 포함할 수도 있다.
그리고, 상기 게이트전극(211) 상부의 게이트 절연막(212) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(213)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(214)이 형성되어 있다.
이때, 상기 액티브층(213)은 소스전극(215a)과 드레인전극(215b) 사이에 전자가 이동하는 채널을 형성하기 위한 층으로서, 저온 다결정 실리콘(Low Temperature Poly Silicon; 이하 LTPS라 함) 또는 비정질 실리콘(a-Si)이나 실리콘(Si) 계열의 반도체 막, IGZO 계열의 산화물 반도체막, 화합물 반도체, 카본 나노 튜브(Carbon nano tube), 그라핀(graphene)도 사용할 수 있다.
또한, 상기 오믹 콘택층(214)으로는 불순물이 도핑된 비정질 실리콘이나 불순물이 도핑된 실리콘(Si) 계열의 반도체 막으로 사용할 수 있다.
그리고, 상기 오믹 콘택층(214) 상부에는 형성되고, 금속과 같은 도전물질로 이루어진 소스전극(215a) 및 드레인전극(215b)은 게이트전극(11)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다. 이때, 상기 소스전극(215a) 및 드레인전극(215b)을 형성하는 물질로는, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), Cu 합금, 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 금 합금(Au alloy), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 티타늄 합금(Ti alloy), 몰리텅스텐 (MoW), 몰리티타늄 (MoTi), 구리/몰리티타늄 (Cu/MoTi)을 포함하는 도전성 금속 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합 또는 다른 적절한 물질을 포함할 수도 있다.
도면에 도시하지 않았지만, 상기 게이트전극(211)은 게이트 배선과 연결되어 있고, 상기 소스전극(215a)은 데이터 배선과 연결되어 있으며, 게이트 배선과 데이터 배선은 서로 직교하여 화소영역을 정의한다.
상기 소스전극(215a) 및 드레인전극(215b) 위에는 보호층(216)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(216)은 상기 드레인전극(215b)을 드러내는 콘택홀(216a)을 가지고 있다. 이때, 상기 보호층(216)은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 또는 유기물질으로 형성한다.
또한, 상기 보호층(216) 상부의 화소영역에는 화소전극(217)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(217)은 콘택홀(216a)을 통해 상기 드레인전극(215b)과 연결되어 있다.
한편, 상기 하부기판(210) 상부에는 상기 하부기판(210)과 일정 간격을 가지고 이격되어 있으면서 컬러필터기판을 구성하는 상부기판(220)이 배치되어 있고, 상기 상부기판(220)의 안쪽 면에는 블랙매트릭스(Black Matrix; BM이라 칭함, 121)가 박막트랜지스터(T)와 대응되는 위치에 형성되어 있다.
또한, 상기 상부기판(220)의 비표시영역(NA)에는 게이트 및 데이터패드와 연결하는 링크를 가리도록 블랙매트릭스(221a)가 형성되어 있다. 액티브 영역(AA) 내의 블랙매트릭스(221)의 하부에는 컬러필터(222)가 형성되어 있는데, 컬러필터 (222)는 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 반복되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소영역에 대응된다. 상기 컬러필터(222) 하부에는 투명한 도전물질, 예를 들어 ITO 또는 IZO로 이루어진 공통전극(223)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극(223)은 액정표시장치의 구동 방식에 따라 상기 상부기판(220) 대신에 하부기판(210)에 형성될 수도 있다.
그리고, 상기 하부기판(210)과 상부기판(210, 220) 사이에는 액정이 주입되어 액정층(230)을 이룬다.
더욱이, 상기 하부기판(210)과 상부기판(220)의 외부 면에는 하부편광판 (218)과 상부 편광판(228)이 각각 부착되어 있다.
여기서, 상기 하부기판(210) 상의 게이트 절연막(212)과 보호층(216)은 비표시영역(NA)까지 연장되어 있고, 상기 하부기판(210)과 상부기판(220) 사이의 비표시영역(NA)에는 액정 주입을 위한 갭을 형성하고, 주입된 액정의 누설을 방지하는 이중의 제1, 2 씰 패턴(seal pattern)(240, 241)이 형성되어 있다. 상기 제1, 2 씰 패턴(240, 241)의 재료로는 열경화성 및 광 경화성에 무관하게 하부기판(210)과 상부기판(220)의 합착을 목적으로 하는 모든 씰(seal) 재료를 포함한다.
이때, 상기 이중의 제1, 2 씰 패턴(240, 241)은 상기 하부기판(210)과 상부기판 (220)을 합착시키기 위해 형성되는데, 상기 씰 패턴(240)은 액정패널 전체의 비표시영역(NA)에 위치하여 상기 비표시 영역(NA)을 둘러싸고 있는 블랙매트릭스 (221a) 위에 형성되어 상기 하부기판(210)과 상부기판(220)을 합착시키는 역할을 담당하게 된다. 상기 이중의 제1, 2 씰 패턴(240, 241) 간의 간격(d3)은 약 10 μm 이상의 범위로 유지할 수 있다.
상기 이중의 제1, 2 씰 패턴(240, 241)은 하부기판(210)과 상부기판(220)의 비표시영역(NA)의 둘레에 팔각형 형태로 배치되는데, 상기 제1, 2 씰 패턴(240, 241)은 상기 하부기판(210)의 장변(210a) 및 단변(210b)의 중앙부 쪽으로 갈수록 하부기판 (210)의 가장자리부에 가깝게 일정한 이격 거리(d2), 예를 들어 0.5 ∼ 3 mm 정도 외곽부 쪽으로 이동된 구조로 구성되어 있다. 즉, 상기 이중의 제1, 2 씰 패턴(240, 241)과 편광판(218, 228) 간의 이격 거리(d2)는 하부기판(210)의 장변 (210a)과 단변 (210b)의 중앙부 쪽으로 갈수록 멀게 형성한다. 이는 상기 하부기판 (210)의 장변 (210a)과 단변(210b)의 중앙부에 대응하는 상기 제1, 2 씰 패턴 (240, 241)의 중앙부에 일정 각도를 유지하는 것을 의미한다.
또한, 경우에 따라, 상기 편광판(218, 228)과 제1, 2 씰패턴(240) 간 이격 거리(d2)는 장변(210a) 또는 단변(210b)의 중앙부 어느 한쪽으로 갈수록 편광판 (218, 228)과 멀게 형성하거나, 또는 두 장변(210a) 중 한 장변의 중앙부 및 두 단변(210b) 중 한 단변의 중앙부 쪽으로 갈수록 편광판(218, 228)과 멀게 형성할 수도 있다. 즉, 이중의 제1, 2 씰 패턴(240, 241)의 중앙부의 위치를 기존보다 패널의 외곽부 쪽에 근접하도록 일정한 이격 거리(de2)만큼 이동시켜 형성함으로써, 패널 중앙부에서 씰 패턴 끝단까지의 거리가 기존의 경우(즉, y1)보다 길어지게 되어 그만큼 패널의 휨 정도가 작게 발생한다고 볼 수 있다.
따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 씰 패턴을 구비한 액정표시장치는, 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되는 이중의 제1, 2 씰 패턴을 하부기판의 단변 및 장변의 중앙부로 갈수록 하부기판의 가장자리부에 가깝거나 편광판으로부터 멀게 일정한 이격 거리만큼 이동시켜 형성된 구조로 변경함으로써, 패널 휨을 감소시키고 이로 인해 백라이트 유닛 및 상부 케이스와의 간섭을 최소화시켜 빛샘을 저감시킬 수 있다.
또 한편, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 씰 패턴을 구비한 액정표시장치에 대해 도 10을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 액정표시장치의 구성 요소들은 본 발명의 일 실시 예와 동일하므로, 이들 구성요소들에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 하부기판(310)과 상부기판(미도시) 사이에는 액정이 주입되어 액정층(미도시)을 이룬다.
상기 하부기판(310)과 상부기판(미도시)의 외부 면에는 하부편광판(318) 및 상부 편광판(미도시)이 각각 부착되어 있다.
상기 하부기판(310)과 상부기판(320) 사이의 비표시영역(NA)에는 액정 주입을 위한 갭을 형성하고, 주입된 액정의 누설을 방지하는 씰 패턴(seal pattern) (340)이 형성되어 있다. 상기 씰 패턴(340)의 재료로는 열경화성 및 광 경화성에 무관하게 하부기판(310)과 상부기판(미도시)의 합착을 목적으로 하는 모든 씰(seal) 재료를 포함한다.
이때, 상기 씰 패턴(340)은 상기 하부기판(310)과 상부기판(미도시)을 합착시키기 위해 형성되는데, 상기 씰 패턴(340)은 액정패널 전체의 비표시영역(NA)에 위치하여 상기 비표시 영역(NA)을 둘러싸고 있는 블랙매트릭스(미도시) 위에 형성되어 상기 하부기판(310)과 상부기판(320)을 합착시키는 역할을 담당하게 된다.
상기 씰 패턴(340)은 하부기판(310)과 상부기판(미도시)의 비표시영역(NA)의 둘레에 사각형 형태로 배치되는데, 상기 씰 패턴(340)은 상기 하부기판(310)의 최외곽부에 위치한다. 즉, 상기 씰 패턴(340)은 상기 하부편광판(318) 및 상부 편광판(미도시)과는 최대한 먼 상기 하부기판(310)의 최외곽부에 배치되는 구조로 형성한다. 이때, 상기 하부편광판(318) 및 상부 편광판(미도시)과 씰 패턴(340)의 이격 거리(d4)는 약 0.5 ∼ 3 mm 정도로 유지하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 씰 패턴을 구비한 액정표시장치는, 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되는 씰 패턴을 편광판으로부터 최대한 멀게 일정한 이격 거리만큼 이동시켜 형성된 구조로 변경함으로써, 패널 휨을 감소시키고 이로 인해 백라이트 유닛 및 상부 케이스와의 간섭을 최소화시켜 빛샘을 저감시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치에 있어서의 변경된 씰 패턴을 부착한 경우의 편광판 휨 정도를 종래기술과 비교한 그래프이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 씰 패턴이 구비된 액정표시장치의 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되는 씰 패턴을 편광판으로부터 하부기판의 중앙부 쪽으로 갈수록 최대한 멀게 일정한 이격 거리만큼 이동시켜 형성된 구조로 변경함으로써, 편광판의 부착 변위량, 즉 편광판의 휨 정도가 종래기술보다 작게 나타남을 알 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 씰 패턴을 구비한 액정표시장치에 따르면, 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되는 씰 패턴 또는 이중의 씰 패턴을 하부기판의 단변 및 장변의 중앙부로 갈수록 하부기판의 가장자리부에 가깝도록 일정 거리만큼 이동시켜 형성된 구조로 변경하거나, 편광판으로부터 최대한 멀게 일정한 이격 거리만큼 이동시켜 형성된 구조로 변경함으로써, 패널 휨을 감소시키고, 이로 인해 백라이트 유닛 및 상부 케이스와의 간섭을 최소화시켜 빛샘을 저감시킬 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시 예의 예시로서 해석되어야 한다. 예를 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 박막트랜지스터의 구성 요소는 다양화할 수 있을 것이고, 구조 또한 다양한 형태로 변형할 수 있을 것이다.
본 발명의 산화물 박막 트랜지스터는 액정표시장치나 유기발광표시장치뿐만 아니라 메모리소자 및 논리 소자 분야에도 적용될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
110: 하부기판 111: 게이트전극
112: 게이트 절연막 113: 액티브층
114: 오믹 콘택층 115a: 소스전극 115b: 드레인전극 116: 보호층
116a: 콘택홀 117: 화소전극

Claims (13)

  1. 액티브 영역 및 비표시 영역을 가지며, 상기 액티브 영역에 박막트랜지스터가 형성된 하부기판;
    컬러필터가 형성된 상부기판;
    상기 하부기판과 상기 상부기판의 외부면에 부착된 하부편광판 및 상부편광판;
    상기 상부기판과 상기 하부기판을 접착시키며, 상기 비표시 영역에 상기 하부편광판 및 상부편광판과 떨어져 이격 거리를 갖는 씰 패턴;을 포함하여 구성되며,
    상기 씰 패턴은 상기 하부기판 또는 상기 상부기판의 장변 및 단변의 중앙부 쪽으로 갈수록 상기 하부편광판 및 상부편광판과 먼 이격 거리를 갖거나, 장변들 중 하나 및 단변들 중 하나의 중앙부 쪽으로 갈수록 상기 하부편광판 및 상부편광판과 먼 이격 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서, 상기 이격 거리는 0.5 ∼3 mm 인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 씰 패턴은 상기 하부기판 또는 상기 상부기판의 장변 및 단변의 중앙부와 대응하는 부분에 일정한 각도를 유지하는 팔각형 형태의 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 씰 패턴은 이중의 씰 패턴들로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 이중의 씰 패턴들 간 이격 거리는 10 μm 이상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 씰 패턴은 상기 하부편광판 및 상부편광판과 오버랩되지 않은 비표시 영역의 최외곽부에 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 액티브 영역 및 비표시 영역을 가지며, 상기 액티브 영역에 박막트랜지스터가 형성된 하부기판;
    컬러필터가 형성된 상부기판;
    상기 하부기판과 상기 상부기판의 외부면에 부착된 하부편광판 및 상부편광판;
    상기 상부기판과 상기 하부기판을 접착시키며, 상기 비표시 영역에 상기 하부편광판 및 상부편광판과 떨어져 이격 거리를 갖는 씰 패턴;을 포함하여 구성되며,
    상기 씰 패턴은 상기 하부기판 또는 상기 상부기판의 장변 및 단변의 중앙부와 대응하는 부분에 일정한 각도를 유지하는 팔각형 형태의 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 이격 거리는 0.5 ∼3 mm 인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 씰 패턴은 이중의 씰 패턴들로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 이중의 씰 패턴들 간 이격 거리는 10 μm 이상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  12. 제8 항에 있어서, 상기 씰 패턴은 상기 하부편광판 및 상부편광판과 오버랩되지 않은 비표시 영역의 최외곽부에 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  13. 액티브 영역 및 비표시 영역을 가지며, 상기 액티브 영역에 박막트랜지스터가 형성된 하부기판;
    컬러필터가 형성된 상부기판; 및
    상기 상부기판과 상기 하부기판을 접착시키며, 상기 하부기판의 비표시 영역의 둘레에 배치되고, 상기 하부기판의 단변 및 장변의 중앙부로 갈수록 상기 하부기판의 가장자리부에 가깝게 형성된 구조로 이루어진 씰 패턴;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102172900B1 (ko) * 2014-07-09 2020-11-03 엘지디스플레이 주식회사 곡면 액정표시장치
KR102119698B1 (ko) * 2014-09-05 2020-06-05 엘지디스플레이 주식회사 곡면 액정표시장치
KR20190083027A (ko) 2018-01-02 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003167258A (ja) 2001-12-03 2003-06-13 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2006018275A (ja) * 2004-06-29 2006-01-19 Lg Phillips Lcd Co Ltd 画素領域外郭部の光漏れを防止するｃｏｔ構造液晶表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030089571A (ko) * 2002-05-16 2003-11-22 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003167258A (ja) 2001-12-03 2003-06-13 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2006018275A (ja) * 2004-06-29 2006-01-19 Lg Phillips Lcd Co Ltd 画素領域外郭部の光漏れを防止するｃｏｔ構造液晶表示装置及びその製造方法

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