TWI690759B

TWI690759B - 感測顯示裝置

Info

Publication number: TWI690759B
Application number: TW107146277A
Authority: TW
Inventors: 曾淑雯; 羅諺樺; 李家圻; 黃呈翔
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-09-06
Filing date: 2018-12-20
Publication date: 2020-04-11
Also published as: TW202011098A

Abstract

一種感測顯示裝置包括畫素陣列基板、感測元件基板以及顯示介質層。感測元件基板面對畫素陣列基板，且包括第一基板、感測元件、第一~第三訊號線以及遮蔽層。感測元件包括電性連接至第一以及第二訊號線的第一開關元件、電性連接至第三訊號線的導電層、電性連接至第一開關元件的電極層以及位於電極層與導電層之間的光感測層。遮蔽層位於第一~第三訊號線與畫素陣列基板之間。感測顯示裝置具有多個透光區以及環繞透光區的遮光區。感測元件以及第一~第三訊號線位於遮光區中。顯示介質層位於畫素陣列基板與感測元件基板之間。

Description

感測顯示裝置

本發明是有關於一種感測顯示裝置，且特別是有關於一種具有遮蔽層的感測顯示裝置。

目前，為了提升產品使用上的便利性，許多廠商會於產品中裝設感測元件。舉例來說，現有的手機內時常附載有指紋辨識的感測元件。在現有的指紋辨識技術中，感測元件偵測手指指紋所反射之光線，指紋的高低起伏會有不同強度的反射光，因此不同的指紋樣貌會被感測裝置所分辨出來。

然而，於顯示裝置中裝設感測元件基板時，感測元件基板所產生之電場容易影響顯示裝置的顯示品質。舉例來說，液晶顯示裝置中的液晶可能會因為感測元件基板所產生之電場而轉動，進而導致漏光的情形產生。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。

本發明提供一種感測顯示裝置，可以改善感測元件基板所產生之電場影響顯示品質的問題。

本發明的至少一實施例提供一種感測顯示裝置包括畫素陣列基板、感測元件基板以及顯示介質層。感測元件基板面對畫素陣列基板，且包括第一基板、感測元件、第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線以及遮蔽層。感測元件位於第一基板上。第一訊號線、第二訊號線以及第三訊號線位於第一基板上。感測元件包括第一開關元件、導電層、電極層以及光感測層。第一開關元件電性連接至第一訊號線以及第二訊號線。導電層電性連接至第三訊號線。電極層電性連接至第一開關元件。光感測層位於電極層與導電層之間。遮蔽層位於第一訊號線與畫素陣列基板之間、第二訊號線與畫素陣列基板之間以及第三訊號線與畫素陣列基板之間。感測顯示裝置具有多個透光區以及環繞透光區的遮光區。感測元件、第一訊號線、第二訊號線以及第三訊號線位於遮光區中。顯示介質層位於畫素陣列基板與感測元件基板之間。

本發明的至少一實施例提供一種感測顯示裝置包括畫素陣列基板、感測元件基板以及顯示介質層。感測元件基板面對畫素陣列基板。顯示介質層位於畫素陣列基板與感測元件基板之間。感測元件基板包括第一基板、感測元件、第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線以及遮蔽層。感測元件位於第一基板上。第一訊號線、第二訊號線以及第三訊號線位於第一基板上。感測元件包括第一開關元件、導電層、電極層以及光感測層。第一開關元件電性連接至第一訊號線以及第二訊號線。導電層電性連接至第三訊號線。電極層電性連接至第一開關元件。光感測層位於電極層與導電層之間。遮蔽層位於第一訊號線與畫素陣列基板之間、第二訊號線與畫素陣列基板之間以及第三訊號線與畫素陣列基板之間。

基於上述，遮蔽層的設置可以改善感測元件基板所產生之電場影響顯示品質的問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。為了方便說明，圖1省略繪示了感測元件基板10以及畫素陣列基板20中的部分構件。圖2是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板10的仰視示意圖。為了方便說明，圖2省略繪示了感測元件基板10中的部分構件。圖3A是沿著圖2的剖面線AA’的剖面示意圖。圖3B是沿著圖2的剖面線BB’的剖面示意圖。圖3C是沿著圖2的剖面線CC’的剖面示意圖。

感測顯示裝置1具有透光區OR以及電路區CR，且包括感測元件基板10、畫素陣列基板20以及顯示介質層LC。在一些實施例中，電路區CR重疊於黑矩陣（未繪出），且電路區CR也可以稱為是遮光區。在一些實施例中，黑矩陣位於感測元件基板10中。在其他實施例中，黑矩陣位於畫素陣列基板20中。感測元件基板10面對畫素陣列基板20。顯示介質層LC位於畫素陣列基板20與感測元件基板10之間。在一些實施例中，顯示介質層LC包括負型液晶，但本發明不以此為限。

請同時參考圖1、圖2、圖3A、圖3B以及圖3C，感測元件基板10包括第一基板SB1、感測元件D、第一訊號線L1、第二訊號線L2、第三訊號線L3以及遮蔽層SM。

第一基板SB1之材質可為玻璃、石英或有機聚合物等等。感測元件D位於第一基板SB1上。感測元件D、第一訊號線L1、第二訊號線L2以及第三訊號線L3位於電路區CR中。第一訊號線L1、第二訊號線L2以及第三訊號線L3位於第一基板SB1上，且電性連接感測元件D。

感測元件D包括開關元件T1、導電層C1、光感測層R以及電極層C2。開關元件T1電性連接至第一訊號線L1以及第二訊號線L2。遮光層M1位於第一基板SB1與開關元件T1之間。遮光層M1的材質例如包括金屬、樹脂、石墨或其他可適用的材料。遮光層M1例如可以改善開關元件T1產生光漏電的問題。絕緣層I1覆蓋遮光層M1以及第一基板SB1，且遮光層M1位於絕緣層I1以及第一基板SB1之間。

在本實施例中，開關元件T1包括閘極G1、源極S1、汲極D1以及半導體通道層CH1。閘極G1與半導體通道層CH1重疊，且閘極G1與半導體通道層CH1之間夾有絕緣層I2。閘極G1與第一訊號線L1電性連接。在本實施例中，閘極G1、第一訊號線L1與第三訊號線L3屬於同一導電膜層，但本發明不以此為限。絕緣層I3位於絕緣層I2上且覆蓋閘極G1。源極S1以及汲極D1位於絕緣層I3的上方，且源極S1與第二訊號線L2電性連接。在本實施例中，源極S1、汲極D1以及第二訊號線L2屬於同一導電膜層，但本發明不以此為限。源極S1以及汲極D1分別透過開口H1、H2而電性連接至半導體通道層CH1，開口H1、H2例如位於絕緣層I3以及絕緣層I2中。上述之開關元件T1是以頂部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，上述之開關元件T1也可是以底部閘極型薄膜電晶體或其他適合之薄膜電晶體。

絕緣層B1覆蓋開關元件T1。導電層C1位於絕緣層B1上。導電層C1電性連接至第三訊號線L3。舉例來說，導電層C1透過開口O1而電性連接至第三訊號線L3，開口O1例如位於絕緣層B1以及絕緣層I3中。導電層C1的材質較佳為透明導電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或其他合適的氧化物或者是上述至少二者之堆疊層。

光感測層R覆蓋導電層C1的頂面C1t、導電層C1的第一側面C1a以及導電層的第二側面C1b。在本實施例中，導電層C1更具第三側面C1c，第三側面C1c連接第一側面C1a和第二側面C1b，且光感測層R覆蓋導電層C1的第三側面C1c。光感測層R的材質例如是富矽氧化物（Silicon-rich oxide, SRO）或其他合適的材料。在本實施例中，光感測層R垂直投影於基板SB1上的形狀為長方形，且光感測層R的長邊平行於第一訊號線L1以及第三訊號線L3，但本發明不以此為限。

電極層C2覆蓋光感測層R。光感測層R位於電極層C2與導電層C1之間。光感測層R位於導電層C1的頂面C1t與電極層C2之間。電極層C2相較於導電層C1更遠離第一基板SB1。電極層C2相較於導電層C1更靠近畫素陣列基板20。

電極層C2電性連接開關元件T1。舉例來說，電極層C2透過開口O2而電性連接至開關元件T1，開口O2例如位於絕緣層B1中。電極層C2的材質例如是鉬、鋁、鈦、銅、金、銀或其他導電材料或上述兩種以上之材料的堆疊。在一些實施例中，電極層C2可作為反射層使用，藉此增加光感測層R所能接收到的光線。

在一些實施例中，感測元件D可以包括兩個以上的開關元件。舉例來說，感測元件D包括兩個電性連接在一起的開關元件還有與該些開關元件電性連接的電極層C2、光感測層R以及導電層C1。

雖然在本實施例中，第三訊號線L3與導電層C1電性連接，但本發明不以此為限。在其他實施例中，與第一訊號線L1具有相同延伸方向的其他訊號線也可以作為與導電層C1電性連接的訊號線使用。在一些實施例中，感測元件D電性連接至三條以上的訊號線，且感測元件D與訊號線的連接方式並不限制於圖2所繪示的方式。

在本實施例中，第三訊號線L3以及第一訊號線L1屬於同一導電膜層，感測元件D位於第三訊號線L3以及第一訊號線L1之間，藉此可以提升透光區OR的面積。

遮蔽層SM位於第一訊號線L1與畫素陣列基板20之間、第二訊號線L2與畫素陣列基板20之間以及第三訊號線L3與畫素陣列基板20之間。在一些實施例中，遮蔽層SM與導電層C1為同一導電膜層。遮蔽層SM與導電層C1電性連接至不同的訊號源。

藉由遮蔽層SM來改善感測元件基板10所產生之電場影響顯示介質層LC中液晶分子的問題，能夠提升顯示裝置1的顯示品質。

請參考圖3B與圖3C，在本實施例中，遮蔽層SM自電路區CR延伸進透光區OR的寬度W1大於等於1.5微米。舉例來說，遮蔽層SM重疊於第一訊號線L1、第二訊號線L2以及第三訊號線L3，且自第一訊號線L1、第二訊號線L2以及第三訊號線L3上方往透光區OR延伸。遮蔽層SM重疊於第一訊號線L1以及第三訊號線L3的寬度W2大於等於1.5微米，且遮蔽層SM重疊於透光區OR的寬度W1大於等於1.5微米。在本實施例中，部份第一訊號線L1以及部份第三訊號線L3不與遮蔽層SM重疊，於一實施例中，不重疊的部分設置於較靠近導電層C1的一側。第一訊號線L1不重疊遮蔽層SM的部分較第一訊號線L1重疊遮蔽層SM的部分靠近導電層C1，第三訊號線L3不重疊遮蔽層SM的部分較第三訊號線L3重疊遮蔽層SM的部分靠近導電層C1。也可以說第一訊號線L1以及第三訊號線L3在第一基板SB1上的垂直投影偏移於遮蔽層SM在第一基板SB1上的垂直投影，因此，遮蔽層SM與導電層C1之間能有更充足的間距。在本實施例中，大於50%的透光區OR面積不與遮蔽層SM重疊。在本實施例中，於剖面線BB’處，遮蔽層SM完全重疊於第二訊號線L2，且和第二訊號線L2重疊之遮蔽層SM重疊於透光區OR的寬度W1大於等於1.5微米。

在本實施例中，感測元件基板10更包括鈍化層B2。鈍化層B2覆蓋導電層C1、電極層C2、遮蔽層SM以及絕緣層B1。鈍化層B2例如位於電極層C2與顯示介質層LC（繪示於圖1）之間。

圖4A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的畫素陣列基板的俯視示意圖。為了方便說明，圖4A省略繪示了畫素陣列基板20的部分構件。圖5是沿著圖4A的剖面線DD’的剖面示意圖。

請參考圖1與圖4A和圖5，畫素陣列基板20包括第二基板SB2、薄膜電晶體陣列AR、多個畫素電極PE以及共用電極CE。

薄膜電晶體陣列AR、畫素電極PE以及共用電極CE位於第二基板SB2上。薄膜電晶體陣列AR包括多個開關元件T2、多條掃描線SL與多條資料線DL。

開關元件T2例如位於絕緣層I1’上。在一些實施例中，開關元件T2與第二基板SB2之間夾有遮光層M2。開關元件T2包括閘極G2、源極S2、汲極D2以及半導體通道層CH2。半導體通道層CH2位於絕緣層I1’上。閘極G2與半導體通道層CH2重疊，且閘極G2與半導體通道層CH2之間夾有絕緣層I2’。閘極G2與掃描線SL電性連接。在本實施例中，閘極G2與掃描線SL屬於同一導電膜層，但本發明不以此為限。絕緣層I3’位於絕緣層I2’上並覆蓋閘極G2與掃描線SL。源極S2以及汲極D2位於絕緣層I3’的上方，且源極S2與資料線DL電性連接。在本實施例中，源極S2以及資料線DL屬於同一導電膜層，但本發明不以此為限。源極S2以及汲極D2透過開口H1’、H2’而電性連接至半導體通道層CH2，開口H1’、H2’例如位於絕緣層I3’以及絕緣層I2’中。絕緣層B1’位於源極S2以及汲極D2的上方。上述之薄膜電晶體T2是以頂部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，上述之薄膜電晶體T2也可是以底部閘極型薄膜電晶體。

請參考圖4B，在本實施例中，第二訊號線L2於垂直第一基板SB1的方向（也可以說是垂直第二基板SB2的方向）上重疊於資料線DL，藉此可以提升顯示裝置1的開口率。

在本實施例中，畫素陣列基板20還包括共用電極線CL。共用電極線CL位於絕緣層B1’上。在本實施例中，共用電極線CL與資料線DL的延伸方向相同。在一些實施例中，共用電極線CL於垂直第一基板SB1的方向（也可以說是垂直第二基板SB2的方向）上重疊於資料線DL，藉此可以提升顯示裝置1的開口率。

絕緣層I4覆蓋共用電極線CL。共用電極CE位於絕緣層I4上，且透過開口H3電性連接至共用電極線CL，開口H3位於絕緣層I4中。在一些實施例中，共用電極CE包括觸控電極。在一些實施例中，共用電極CE與第一基板SB1上的遮蔽層SM電性連接至相同訊號源。也可以說共用電極CE與遮蔽層SM上施有相同的訊號，藉此進一步改善感測元件基板20所產生之電場影響顯示品質的問題。

絕緣層I5位於共用電極CE上。畫素電極PE位於絕緣層I5上，畫素電極PE重疊於共用電極CE，畫素電極PE與共用電極CE分離。畫素電極PE透過開口O3而電性連接至薄膜電晶體T2的汲極D2。在本實施例中，開口O3穿過絕緣層B1’、絕緣層I4、絕緣層I5以及共用電極CE，但本發明不以此為限。在一些實施例中，畫素陣列基板20可以採用邊緣場切換（Fringe Field Switching，FFS）技術或橫向電場（In-Plane-Switching，IPS）技術驅動液晶。

接著請參考圖1，顯示裝置1還可以包括背光模組BL。背光模組BL設置於畫素陣列基板20下方，也可以說畫素陣列基板20位於背光模組BL與感測元件基板10之間。當手指F靠近感測元件基板10時，背光模組BL所發出的光線LR會被手指F反射至光感測層R。

圖6是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的畫素陣列基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖6，在本實施例中，畫素陣列基板20a的共用電極線CL位於絕緣層I3’上。在本實施例中，共用電極線CL與資料線DL屬於同一導電膜層，共用電極線CL與資料線DL的延伸方向相同。

絕緣層B1’覆蓋共用電極線CL、資料線DL、源極S2以及汲極D2。共用電極CE位於絕緣層B1’上，且透過開口H3電性連接至共用電極線CL，開口H3位於絕緣層B1’中。

藉由使用同一道製程形成共用電極線CL、資料線DL、源極S2以及汲極D2可以節省製造過程中所需要的光罩數目。

圖7是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖2~圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖7，在本實施例中，遮蔽層SM覆蓋整個透光區OR。藉由遮蔽層SM來改善感測元件基板10a所產生之電場影響顯示介質層LC中液晶分子的問題，能夠提升顯示裝置1的顯示品質。

在本實施例中，感測元件基板10a所對應之畫素陣列基板中的共用電極CE並非當作觸控電極使用，因此，不需要考量遮蔽層SM覆蓋整個透光區OR會影響觸控功能的問題。

圖8是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖9是沿著圖8的剖面線EE’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖8和圖9的實施例沿用圖2~圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖8和圖9，在本實施例中，光感測層R位於導電層C1的頂面C1t與電極層C2之間、導電層C1的第一側面C1a與電極層C2之間以及導電層C1的第二側面C1b與電極層C2之間。在本實施例中，光感測層R更位於導電層C1的第三側面C1c與電極層C2之間。電極層C2相較於導電層C1更遠離第一基板SB1。電極層C2相較於導電層C1更靠近畫素陣列基板20。

本實施例可以增加光感測層R的側面感光面積，藉此提升感測元件基板10b感測物體時光電流與暗電流的比，並改善感測元件基板10b敏銳度不足的問題。

圖10A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖10B是圖10A之感測元件基板的電路示意圖。

請參考圖10A與圖10B，感測元件基板10c的感測元件D包括開關元件T1、開關元件T1a、導電層C1、光感測層R以及電極層C2。

開關元件T1a包括閘極G1a、源極S1a、汲極D1a以及半導體通道層CH1a。在本實施例中，開關元件T1a與第一基板SB1之間還包括遮光層M1a，但本發明不以此為限。

閘極G1a與半導體通道層CH1a重疊。閘極G1a與開關元件T1以及電極層C2電性連接。舉例來說，開關元件T1的汲極D1透過開口H4而電性連接至閘極G1a，且電極層C2透過汲極D1而電性連接至閘極G1a。在本實施例中，閘極G1a、第一訊號線L1與第三訊號線L3屬於同一導電膜層，但本發明不以此為限。源極S1a與第四訊號線L4電性連接。在一些實施例中，第二訊號線L2電性連接至訊號VSS，而第四訊號線L4電性連接至訊號VDD。汲極D1a與第五訊號線L5電性連接。在本實施例中，源極S1a、汲極D1a、第二訊號線L2、第四訊號線L4以及第五訊號線L5屬於同一導電膜層，但本發明不以此為限。源極S1a以及汲極D1a透過開口H1a、H2a而電性連接至半導體通道層CH1a。藉此設計使訊號更佳。上述之開關元件T1a是以頂部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，上述之開關元件T1a也可是以底部閘極型薄膜電晶體或其他適合之薄膜電晶體。

在本實施例中，有部份遮蔽層SM往開關元件T1a的位置延伸，進一步改善感測元件基板10c所產生之電場影響顯示介質層LC中液晶分子的問題。

圖11A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖11B是沿著圖11A的剖面線FF’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖11A和圖11B的實施例沿用圖2~圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖11A和圖11B，在本實施例中，感測元件基板10d的導電層C1相較於電極層C2更靠近畫素陣列基板。

在本實施例中，電極層C2電性連接開關元件T1。電極層C2的材質較佳為透明導電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或其他合適的氧化物或者是上述至少二者之堆疊層。在本實施例中，遮蔽層SM與電極層C2為同一導電膜層。

導電層C1的材質例如是鉬、鋁、鈦、銅、金、銀或其他導電材料或上述兩種以上之材料的堆疊。在一些實施例中，導電層C1可作為反射層使用，藉此增加光感測層R所能接收到的光線。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1：感測顯示裝置 10、10a、10b、10c、10d：感測元件基板 20、20a：畫素陣列基板 AR：薄膜電晶體陣列 B1、B1’、I1、I1’、I2、I2’、I3、I3’、I4、I5：絕緣層 B2：鈍化層 BL：背光模組 C1：導電層 C1a：第一側面 C1b：第二側面 C1c：第三側面 C1t：頂面 C2：電極層 CE：共用電極 CH1、CH2、CH1a：半導體通道層 CL：共用電極線 CR：電路區 D：感測元件 D1、D2、D1a：汲極 DL：資料線 F：手指 G1、G2、G1a：閘極 H1、H2、H1’、H2’、H3、H4、O1、O2、O3：開口 L1：第一訊號線 L2：第二訊號線 L3：第三訊號線 L4：第四訊號線 L5：第五訊號線 LC：顯示介質層 LR：光線 M1、M2、M1a：遮光層 OR：透光區 PE：畫素電極 R：光感測層 S1、S2、S1a：源極 SB1：第一基板 SB2：第二基板 SL：掃描線 SM：遮蔽層 T1、T1a：開關元件 T2：薄膜電晶體 W1、W2：寬度

圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。圖2是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖3A是沿著圖2的剖面線AA’的剖面示意圖。圖3B是沿著圖2的剖面線BB’的剖面示意圖。圖3C是沿著圖2的剖面線CC’的剖面示意圖。圖4A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的畫素陣列基板的俯視示意圖。圖4B是依照本發明的一實施例的第二訊號線以及資料線的側視示意圖。圖5是沿著圖4A的剖面線DD’的剖面示意圖。圖6是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的畫素陣列基板的剖面示意圖。圖7是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖8是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖9是沿著圖8的剖面線EE’的剖面示意圖。圖10A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖10B是圖10A之感測元件基板的電路示意圖。圖11A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的感測元件基板的仰視示意圖。圖11B是沿著圖11A的剖面線FF’的剖面示意圖。

10：感測元件基板 C1：導電層 C1a：第一側面 C1b：第二側面 C1c：第三側面 C2：電極層 CH1：半導體通道層 CR：電路區 D：感測元件 D1：汲極 G1：閘極 H1、H2、O1、O2：開口 L1：第一訊號線 L2：第二訊號線 L3：第三訊號線 M1：遮光層 OR：透光區 R：感測層 S1：源極 SB1：第一基板 SM：遮蔽層 T1：開關元件

Claims

一種感測顯示裝置，包括：一畫素陣列基板；以及一感測元件基板，面對該畫素陣列基板，且包括：一第一基板；一感測元件，位於該第一基板上；一第一訊號線、一第二訊號線以及一第三訊號線，位於該第一基板上，其中該感測元件包括：一第一開關元件，電性連接至該第一訊號線以及該第二訊號線；一導電層，電性連接至該第三訊號線；一電極層，電性連接至該第一開關元件；一光感測層，位於該電極層與該導電層之間；以及一第二開關元件，該第二開關元件的一閘極電性連接至該第一開關元件的一汲極以及該電極層；以及一遮蔽層，位於該第一訊號線與該畫素陣列基板之間、該第二訊號線與該畫素陣列基板之間以及該第三訊號線與該畫素陣列基板之間，其中該感測顯示裝置具有多個透光區以及環繞該些透光區的一遮光區，該感測元件、該第一訊號線、該第二訊號線以及該第三訊號線位於該遮光區中；以及一顯示介質層，位於該畫素陣列基板與該感測元件基板之間。
如申請專利範圍第1項所述的感測顯示裝置，其中該顯示介質層包括負型液晶。
如申請專利範圍第1項所述的感測顯示裝置，其中該畫素陣列基板包括：一第二基板；一薄膜電晶體陣列，位於該第二基板上；多個畫素電極，電性連接該薄膜電晶體陣列；以及一共用電極，位於該第二基板上。
如申請專利範圍第3項所述的感測顯示裝置，其中該共用電極包括觸控電極。
如申請專利範圍第3項所述的感測顯示裝置，其中該共用電極與該遮蔽層電性連接至相同訊號源。
如申請專利範圍第1項所述的感測顯示裝置，其中該遮蔽層自該遮光區延伸進該透光區的寬度大於等於1.5微米。
如申請專利範圍第1項所述的感測顯示裝置，其中該遮蔽層覆蓋整個該透光區。
如申請專利範圍第1項所述的感測顯示裝置，其中：該光感測層覆蓋該導電層的一頂面、該導電層的一第一側面以及該導電層的一第二側面，且該電極層相較於該導電層更靠近該畫素陣列基板。
如申請專利範圍第8項所述的感測顯示裝置，其中該遮蔽層與該導電層為同一導電膜層。
如申請專利範圍第8項所述的感測顯示裝置，其中該光感測層位於該導電層的該頂面與該電極層之間、該導電層的該第一側面與該電極層之間以及該導電層的該第二側面與該電極層之間。
如申請專利範圍第1項所述的感測顯示裝置，其中該感測元件位於該第三訊號線以及該第一訊號線之間，部份該第一訊號線以及部份該第三訊號線不與該遮蔽層重疊，且該第一訊號線不重疊該遮蔽層的部分較該第一訊號線重疊該遮蔽層的部分靠近該導電層，該第三訊號線不重疊該遮蔽層的部分較該第三訊號線重疊該遮蔽層的部分靠近該導電層。
一種感測顯示裝置，包括：一畫素陣列基板；一感測元件基板，面對該畫素陣列基板；一顯示介質層，位於該畫素陣列基板與該感測元件基板之間，且該感測元件基板包括：一第一基板；一感測元件，位於該第一基板上；一第一訊號線、一第二訊號線以及一第三訊號線，位於該第一基板上，其中該感測元件包括：一第一開關元件，電性連接至該第一訊號線以及該第二訊號線；一導電層，電性連接至該第三訊號線；一電極層，電性連接至該第一開關元件；一光感測層，位於該電極層與該導電層之間；以及一第二開關元件，該第二開關元件的一閘極電性連接至該第一開關元件的一汲極以及該電極層；以及一遮蔽層，位於該第一訊號線與該畫素陣列基板之間、該第二訊號線與該畫素陣列基板之間以及該第三訊號線與該畫素陣列基板之間。