KR102524818B1 - 접착제용 조성물, 필름상 접착제 및 그의 제조 방법과, 필름상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 - Google Patents

접착제용 조성물, 필름상 접착제 및 그의 제조 방법과, 필름상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 Download PDF

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미노루 모리타
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29439—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29455—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
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Abstract

에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 고분자 성분(C) 및 무기 충전재(D)를 함유하는 접착제용 조성물로서, 상기 무기 충전재(D)가, 하기 (1) 및 (2)의 조건을 만족시키고, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전재(D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 상기 무기 충전재(D)의 비율이, 20∼70부피%인 것을 특징으로 하는 접착제용 조성물, 필름상 접착제 및 그의 제조 방법과, 반도체 패키지 및 그의 제조 방법.　조건 (1) 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛이다.　조건 (2) 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비가 5.0 이하이다.

Description

접착제용 조성물, 필름상 접착제 및 그의 제조 방법과, 필름상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
본 발명은, 접착제용 조성물, 필름상(狀) 접착제 및 그의 제조 방법과, 필름상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
근래, 전자 기기의 소형화 및 고기능화, 다기능화가 진행되는 가운데, 그의 내부에 탑재되는 반도체 패키지에 있어서도 고기능화, 다기능화가 진행되고 있으며, 반도체 웨이퍼 배선 룰의 미세화가 진행되고 있다. 고기능화, 다기능화에 수반하여, 반도체 칩을 다단으로 적층한 스택 MCP(Multi　Chip　Package)가 보급되고 있으며, 휴대 전화, 휴대 오디오 기기용의 메모리 패키지 등에 탑재되고 있다. 또한, 휴대 전화 등의 다기능화에 수반하여, 패키지의 고밀도화, 고집적화도 추진되고 있다. 이것에 수반하여, 반도체 칩의 다단 적층화가 더욱더 진행되고 있다.
이와 같은 메모리 패키지의 제조 과정에 있어서 배선 기판과 반도체 칩과의 접착, 또한, 반도체 칩 사이의 접착(이른바, 다이 어태치(die attach))에는, 필름상 접착제(다이 어태치 필름)가 사용되고, 이 다이 어태치 필름에는, 충분한 접착성이 요구된다. 칩의 다단 적층화에 수반하여, 다이 어태치 필름의 박막화도 요구되고 있다. 또한, 근래에 웨이퍼 배선 룰의 미세화가 진행되고 있으며, 반도체 소자 표면에는 열이 한층 더 발생하기 쉬워지기 때문에, 열을 패키지 외부로 방출하기 쉽게 하기 위해서, 이들 다이 어태치 필름에는 고열전도성의 요구가 높아지고 있다.
박형 열전도성 다이 어태치 필름으로서는, 일반적으로 입경이 작은 열전도성 필러를 이용한 필름이 설계되고 있다. 그러나, 입경이 작으면 비표면적이 커지기 때문에 필러끼리의 상호작용이 강해지고, 수지와의 혼합에 의해 필러의 응집이 발생하는 경향이 있다. 또한, 입경이 작으면, 일반적으로, 필름상 접착제의 유동성이 저하, 즉 용융 점도가 상승하는 경향이 있다. 그 결과, 박형 열전도성 다이 어태치 필름은, 피착체(被着體)가 되는 반도체 칩 이면이나 배선 기판에 보이드를 말려들어가게 하기 쉬워지고, 또한, 배선 기판의 요철부에 충분히 매립할 수 없는 결과, 이른바 앵커 효과가 발휘되지 않아, 접착력의 저하, 방열성의 저하 등과 같은 문제가 발생하기 쉽다.
열전도성 다이 어태치 필름으로서 이용할 수 있는 재료로서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 있어서, 평균 입경 2∼9㎛이고 비표면적이 0.8∼8.0㎡/g인 구상(球狀) 알루미나 필러와, 특정의 중량 함유 비율로 고분자량 성분 및 저분자량 성분을 함유한 수지 성분을 포함하는 접착 시트로서, 접착 시트중의 구상 알루미나 필러 함유량을 특정량으로 하는 접착 시트가 기재되어 있다. 이 접착 시트에 의해서, 피착체의 요철부에 매립성이 높아져, 보이드의 발생을 억제할 수 있는 것으로 기재되어 있다.
또한, 특허문헌 2에 있어서는, 평균 입경이 0.1∼5㎛인 필러와, 폴리머와, 에폭시 수지 또는 옥세탄 수지와, 경화제를 포함하고, 표면의 산술 평균 거칠기(조도) Ra가 0.1∼3㎛인 절연 시트로서, 절연 시트중의 필러 함유량을 특정량으로 하는 절연 시트가 기재되어 있다. 이 절연 시트에 의해서, 도체층과 경화 후의 절연 시트와의 접착 강도를 높일 수 있었던 것으로 기재되어 있다.
일본특허공보 특허 제6366228호 일본공개특허공보 특개2010－218975호
최근에는, 열전도성 다이 어태치 필름에 대해서 더 높은 박형화가 요구되고 있다. 그러나, 필름의 두께를 10㎛ 미만으로 보다 얇게 하는 경우에는, 피착체가 되는 반도체 칩 이면이나 배선 기판과의 사이에서 보이드가 보다 발생하기 쉬워진다.
상기 특허문헌 1 및 2에 기재된 시트에서는, 두께 10㎛ 미만과 같은 보다 얇은 박형 필름을 제작한 경우에는, 필름중에서, 필러의 입자 지름이 작음으로써 야기되는 필러 응집물이나 조대(粗大) 입자의 존재를 무시할 수 없게 되는 것으로 생각된다. 그 결과, 상기 특허문헌 1에 기재된 접착 시트에서는, 보이드의 발생을 충분히 억제할 수 없고, 또한, 상기 특허문헌 2에 기재된 절연 시트에서는, 특허문헌 2에서 규정하는, 표면의 산술 평균 거칠기 Ra 0.1∼3㎛를 달성할 수 없어, 충분한 접착력이 얻어지지 않는다.
또한, 두께 10㎛ 미만과 같은 박형 필름에서는, 보이드의 발생을 억제할 수 있다고 해도, 앵커 효과가 효과적으로 발휘되지 않아, 피착체와의 사이에서 충분한 접착력이 얻어지지 않는 경우가 있다는 것도 알 수 있게 되었다.
본 발명은, 상기 종래 기술이 가지는 문제를 감안해서 이루어진 것으로, 박형 필름의 형태에 있어서도, 다이 어태치 공정 후의 보이드의 발생을 고도의 레벨로 억제할 수 있고, 게다가, 피착체와의 사이에서 높은 접착력을 나타낼 수 있고, 우수한 열전도성을 발휘하는 필름상 접착제를 얻는 것이 가능한 접착제용 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 우수한 특성을 가지는 필름상 접착제 및 그의 제조 방법, 이 필름상 접착제를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 하기 구성에 의해 달성된다는 것을 알 수 있었다.
(1)
에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 고분자 성분(C) 및 무기 충전재(D)를 함유하는 접착제용 조성물로서,
상기 무기 충전재(D)가, 하기 (1) 및 (2)의 조건을 만족시키고,
상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전재(D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 상기 무기 충전재(D)의 비율이, 20∼70부피%인 것을 특징으로 하는 접착제용 조성물.
조건 (1) 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛이다.
조건 (2) 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비가 5.0 이하이다.
(2)
상기 접착제용 조성물에 의해 얻어진 필름상 접착제를 25℃로부터 5℃/분의 승온 속도로 승온했을 때, 70℃에서 용융 점도가 6000∼50000Pa·s인 범위에 도달하고, 120℃에서 용융 점도가 500∼10000Pa·s인 범위에 도달하고,
열경화 후에 열전도율 1.0W/m·K 이상의 경화체(硬化體)를 부여하는 것을 특징으로 하는, (1)에 기재된 접착제용 조성물.
(3)
상기 고분자 성분(C)이 페녹시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는, (1) 또는 (2)에 기재된 접착제용 조성물.
(4)
상기 무기 충전재(D)가, 열전도성 재료로 이루어지는 입자 또는 그 열전도성 재료로 표면 피복되어 이루어지는 입자로서, 상기 열전도성 재료의 열전도율이 12W/m·K 이상인 것을 특징으로 하는, (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 접착제용 조성물.
(5)
(1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 접착제용 조성물에 의해 수득되는 필름상 접착제로서,
그 필름상 접착제의 적어도 한쪽 표면의 산술 평균 거칠기 Ra가 3.0㎛ 이하이고, 그 필름상 접착제의 두께가 1㎛ 이상 10㎛ 미만의 범위인 것을 특징으로 하는, 필름상 접착제.
(6)
(1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 접착제용 조성물을 이형(離型) 처리된 기재 필름 위에 도공 및 건조해서 제조하는 것을 특징으로 하는, 필름상 접착제의 제조 방법.
(7)
표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, (5)에 기재된 필름상 접착제를 열압착해서 접착제 층을 마련하고, 이 접착제 층을 거쳐서 다이싱 테이프(3)를 마련하는 제1의 공정과,
상기 반도체 웨이퍼와 상기 접착제 층을 동시에 다이싱하는 것에 의해, 다이싱 테이프 위에, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 접착제 층을 구비하는 접착제 층 딸린 반도체 칩을 얻는 제2의 공정과,
상기 접착제 층으로부터 상기 다이싱 테이프를 없애고, 상기 접착제 층 딸린 반도체 칩과 배선 기판을 상기 접착제 층을 거쳐서 열압착하는 제3의 공정과,
상기 접착제 층을 열경화하는 제4의 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
(8)
반도체 칩과 배선 기판, 또는, 반도체 칩 사이가, (5)에 기재된 필름상 접착제의 열경화체에 의해 접착되어 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지.
본 발명에 있어서 「∼」를 이용하여 나타낸 수치 범위는, 「∼」 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 범위를 의미한다.
본 발명에 있어서, (메타)아크릴이란, 아크릴 및 메타크릴의 한쪽 또는 양쪽(둘 다)을 의미한다. (메타)아크릴레이트에 대해서도 마찬가지이다.
본 발명의 접착제용 조성물은, 박형 필름의 형태에서도, 다이 어태치 공정 후의 보이드의 발생이 억제되고, 게다가, 피착체와의 사이에서 높은 접착력을 나타낼 수 있고, 우수한 열전도성을 발휘하는 필름상 접착제를 얻는데 바람직한 조성물이다.
또한, 본 발명의 필름상 접착제는, 상기한 바와 같은 우수한 특성을 가진다.
또한, 본 발명의 반도체 패키지는, 상기한 바와 같은 우수한 특성을 가지는 필름상 접착제를 가진다.
본 발명의 제조 방법은, 상기한 바와 같은 우수한 특성을 가지는 필름상 접착제 및 반도체 패키지를 제조할 수가 있다.
도 1은, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제1의 공정의 바람직한 1실시형태를 도시하는 개략 종단면도이다.
도 2는, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제2의 공정의 바람직한 1실시형태를 도시하는 개략 종단면도이다.
도 3은, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제3의 공정의 바람직한 1실시형태를 도시하는 개략 종단면도이다.
도 4는, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 본딩 와이어를 접속하는 공정의 바람직한 1실시형태를 도시하는 개략 종단면도이다.
도 5는, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 다단 적층 실시형태 예를 도시하는 개략 종단면도이다.
도 6은, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 다른 다단 적층 실시형태 예를 도시하는 개략 종단면도이다.
도 7은, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 제조되는 반도체 패키지의 바람직한 1실시형태를 도시하는 개략 종단면도이다.
＜＜접착제용 조성물＞＞
본 발명의 접착제용 조성물(이후, 열전도성 접착제용 조성물이라고도 칭한다)은, 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 고분자 성분(C) 및 무기 충전재(D)를 함유하고 있고,
상기 무기 충전재(D)가, 하기 (1) 및 (2)의 조건을 만족시키고,
상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전재(D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 상기 무기 충전재(D)의 비율이, 20∼70부피%이다.
조건 (1) 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛이다.
조건 (2) 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비인 d90/d50이 5.0 이하이다.
본 발명에 있어서, 상기 평균 입경(d50)이란, 이른바 중간 지름이고, 레이저 회절·산란법에 의해 입도 분포를 측정하고, 누적 분포에 있어서 입자의 전(全)체적을 100%로 했을 경우 50% 누적으로 될 때의 입경을 의미한다. 또한, 상기의 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)이란, 상기 평균 입경(d50)과 마찬가지로, 누적 분포에서 입자의 전체적을 100%로 했을 경우 90% 누적으로 될 때의 입경을 의미한다. 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정되는 값이다.
또한, 열전도성 접착제용 조성물에 함유되는 무기 충전제(D)의 평균 입경을 측정하는 경우에는, 접착제용 조성물을 300℃ 이상의 열처리에 의해 유기물 성분을 탄화(炭化)시키고 세정 제거하는 방법 등에 의해 조성물중의 그밖의 성분으로부터 분리한 무기 충전제(D)에 대해서, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정한다. 본 발명의 열전도성 접착제용 조성물로부터 얻어지는 접착제(예를 들면, 후기하는 필름상 접착제)에 함유되는 무기 충전제(D)의 평균 입경에 대해서도, 열전도성 접착제용 조성물에 함유되는 무기 충전제(D)의 평균 입경과 마찬가지로 해서 측정할 수가 있다.
여기서, 본 발명의 열전도성 접착제용 조성물은, 그 조성물의 조제(調製)시에 무기 충전제(D)를 조성물중에 분산시켜 두는 것에 의해, 무기 충전제(D)의 응집을 억제할 수가 있다. 그 때문에, 조성물의 조제 후에 일정 기간 보존한 경우에도, 재분산시키는 것이 가능하다.
본 발명의 열전도성 접착제용 조성물은, 25℃의 조건 하에서, 1개월 이상 안정하게 보존하는 것이 가능하다. 다만, 에폭시 수지(A) 및 에폭시 수지 경화제(B)의 반응성을 고려하면, 10℃ 이하에서 냉장 보존하는 것이 바람직하다. 후기하는 본 발명의 필름상 접착제에 대해서도, 마찬가지 조건 하에서 보존하는 것이 가능하다.
본 발명의 열전도성 접착제용 조성물은, 상기 (1)에서 규정하는 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛로 작고, 상기 (2)에서 규정하는 바와 같이, d90/d50이 5.0 이하인 입도 분포를 만족시키는 무기 충전제(D)를 함유한다. 이것에 의해, 평균 입경이 작은 무기 충전제라도, 에폭시 수지(A) 및 고분자 성분(C)을 포함하는 수지 성분과의 혼합에 의한, 무기 충전제의 응집이나 조대 입자의 함유를 억제할 수 있고, 게다가, 필름상 접착제로 한 경우에도, 마찬가지로, 무기 충전제의 응집이나 조대 입자의 함유를 억제할 수가 있다. 이 이유는 확실하지 않지만, 조대 입자에 더하여, 수지 성분과의 혼합에 있어서 응집 성장의 핵이 되는 무기 충전제(D)에 본래 함유되는 응집물이 입도 분포 조정 공정에서 제거되기 때문이라고 추정된다. 이 결과, 본 발명의 열전도성 접착제용 조성물로부터 얻어지는 필름상 접착제 등의 접착제는, 용융 점도의 상승을 억제할 수 있고, 다이 어태치 공정 후에 있어서의 보이드의 발생을 억제할 수 있고, 게다가, 필름상으로 성형한 경우에는, 접착제 표면이 평활하게 됨으로써 보이드로서 검출되지 않는 약간의(다소의) 접착제 층(필름상 접착제)과 피착체 사이의 빈틈(隙間)도 배제할 수 있어, 피착체와의 사이에서 우수한 접착력을 나타낼 수 있다고 생각된다.
상기 d50은 0.2∼3.3이 바람직하다. 또한, 상기 d90/d50은 4.5 이하가 바람직하고, 4.2 이하가 보다 바람직하고, 4.0 이하가 더욱더 바람직하다.
이후, 본 명세서에 있어서, 에폭시 수지(A)를 성분(A), 에폭시 수지 경화제(B)를 성분(B), 고분자 성분(C)을 성분(C), 무기 충전재(D)를 성분(D)라 칭하는 경우도 있다.
＜필름상 접착제의 특성＞
(용융 점도)
본 발명의 열전도성 접착제용 조성물을 이용하여 얻어진 필름상 접착제(이후, 열전도성 필름상 접착제라고도 칭한다)를 25℃로부터 5℃/분의 승온 속도로 승온했을 때, 70℃서 용융 점도가 6000∼50000Pa·s의 범위에 도달하는 것이 바람직하다. 이 70℃에서 용융 점도는, 6000∼45000Pa·s의 범위가 보다 바람직하고, 6000∼40000Pa·s의 범위가 더욱더 바람직하다. 70℃에서 용융 점도가 상기 바람직한 범위 내에 있음으로써, 반도체 웨이퍼에 필름상 접착제를 접착할 때, 반도체 웨이퍼와 필름상 접착제 사이에서 보이드의 발생 및 필름상 접착제의 밀려나옴 불량의 발생을, 저감할 수가 있다.
또한, 본 발명의 열전도성 필름상 접착제를 25℃로부터 5℃/분의 승온 속도로 승온했을 때, 120℃에서 용융 점도가 500∼10000Pa·s의 범위에 도달하는 것이 바람직하다. 이 120℃에서 용융 점도는, 800∼9000Pa·s의 범위가 보다 바람직하고, 1000∼8000Pa·s의 범위가 더욱더 바람직하다. 120℃에서 용융 점도가 상기 바람직한 범위 내에 있음으로써, 필름상 접착제를 마련한 반도체 칩을 배선 기판 위에 열압착할 때 배선 기판 요철부 사이에서 보이드의 발생 및 필름상 접착제의 밀려나옴 불량의 발생을, 저감할 수가 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기의 용융 점도는, 열경화 전의 열전도성 필름상 접착제에 대해서, 레오미터(상품명： RS6000, Haake사제)를 이용하고, 온도 범위 25∼200℃에서, 25℃로부터 승온 속도 5℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정하고, 얻어진 온도－점성 저항 곡선으로부터, 70℃ 및 120℃에서의 용융 점도를 산출한다. 구체적으로는, 실시예에 기재된 측정 방법을 참조할 수가 있다.
여기서, 용융 점도의 측정에 있어서 열경화 전의 열전도성 필름상 접착제란, 25℃ 이상의 온도 조건 하에서 1개월 이상 노출되어 있지 않은 열전도성 필름상 접착제를 의미한다.
용융 점도를 상기 범위로 하려면, 무기 충전제(D)의 함유량, 나아가서는, 무기 충전제(D)의 종류에 더하여, 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B) 및 고분자 성분(C) 등의 공존하는 화합물 혹은 수지의 종류나 이들의 함유량에 따라 조정할 수 있다.
(열전도율)
본 발명의 열전도성 필름상 접착제는, 열경화 후에, 열전도율이 1.0W/m·K 이상인 것이 바람직하다. 열전도율은, 1.5W/m·K 이상이 보다 바람직하다. 열전도율이 상기 바람직한 하한치 미만이면, 발생한 열을 패키지 외부로 방출하기 어려워지는 경향이 있다. 본 발명의 열전도성 필름상 접착제는 열경화 후에 이와 같은 우수한 열전도율을 발휘하는 것에 의해, 본 발명의 열전도성 필름상 접착제를 반도체 웨이퍼나 배선 기판 등의 피착체에 밀착시켜, 열경화하는 것에 의해서, 반도체 패키지 외부로의 방열 효율이 향상된 반도체 패키지를 얻을 수가 있다.
열전도율의 상한은, 특별히 한정되어 있지는 않지만, 현실적으로는 7.0W/m·K 이하이고, 6.5W/m·K 이하가 보다 바람직하고, 5.0W/m·K 이하로 하는 것도 바람직하다.
여기서, 열전도율의 측정에 있어서의 열경화 후란, 열경화성 수지의 경화가 완료한 상태를 의미한다. 구체적으로는, 승온 속도 10℃/분에서 DSC(시차 주사 열량계) 측정을 행했을 때 반응열 피크가 보이지 않게되는 상태를 말한다.
또한, 본 발명에 있어서, 이와 같은 열경화 후의 필름상 접착제의 열전도율이란, 열전도율 측정 장치(상품명： HC－110, 에코 세이키(英弘精機)(주)제)를 이용하여, 열류계법(JIS－A1412에 준거)에 의해 열전도율을 측정한 값을 말한다. 구체적으로는, 실시예에 기재된 측정 방법을 참조할 수가 있다.
열전도율을 상기 범위로 하려면, 무기 충전제(D)의 함유량, 나아가서는, 무기 충전제(D)의 종류에 더하여, 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B) 및 고분자 성분(C) 등의 공존하는 화합물 혹은 수지의 종류나 이들의 함유량에 따라 조정할 수 있다.
또한, 본 발명의 열전도성 필름상 접착제는, 절연성도 특성으로서 구비한다.
＜에폭시 수지(A)＞
상기 에폭시 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 열경화형의 수지인 한(이상), 특별히 제한없이 이용할 수 있고, 액체, 고체 또는 반고체의 어느것이더라도 좋다. 본 발명에 있어서 액체란, 연화점이 25℃ 미만인 것을 말하고, 고체란, 연화점이 60℃ 이상인 것을 말하고, 반고체란, 연화점이 상기 액체의 연화점과 고체의 연화점 사이(25℃ 이상 60℃ 미만)에 있는 것을 말한다. 본 발명에서 사용하는 에폭시 수지(A)로서는, 바람직한 온도 범위(예를 들면, 60∼120℃)에서 저용융 점도에 도달할 수 있는 필름상 접착제를 얻을 수 있다는 관점에서, 연화점이 100℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 연화점이란, 연화점 시험(환구식(環球式))법(측정 조건： JIS－2817에 준거)에 의해 측정한 값이다.
본 발명에서 사용하는 에폭시 수지(A)에 있어서, 경화체의 가교 밀도가 높아지고, 결과로서, 배합되는 무기 충전제(D)끼리의 접촉 확률이 높고 접촉 면적이 넓어짐으로써 보다 높은 열전도율이 얻어진다는 관점에서, 에폭시 당량은 500g/eq 이하인 것이 바람직하고, 150∼450g/eq인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 에폭시 당량(當量)이란, 1그램 당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 그램수(g/eq)를 말한다.
에폭시 수지(A)의 질량 평균 분자량은, 통상, 10,000 미만이 바람직하고, 5,000 이하가 보다 바람직하다. 하한치에 특별히 제한은 없지만, 300 이상이 실제적이다.
질량 평균 분자량은, GPC(Gel　Permeation　Chromatography) 분석에 의한 값이다.
에폭시 수지(A)의 골격으로는, 페놀 노볼락형, 오르소크레졸 노볼락형, 크레졸 노볼락형, 다이사이클로펜타다이엔형, 비페닐형, 플루오렌 비스페놀형, 트라이아진형, 나프톨형, 나프탈렌 다이올형, 트라이페닐 메테인형, 테트라페닐형, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 AD형, 비스페놀 S형, 트라이메틸올 메테인형 등을 들 수 있다. 이 중, 수지의 결정성이 낮고, 양호한 외관을 가지는 필름상 접착제를 얻을 수 있다는 관점에서, 트라이페닐 메테인형, 비스페놀 A형, 크레졸 노볼락형, 오르소크레졸 노볼락형이 바람직하다.
에폭시 수지(A)의 함유량은, 본 발명의 열전도성 접착제용 조성물 중, 필름상 접착제를 구성하는 성분(구체적으로는, 용매 이외의 성분)의 총함유량 100질량부중, 3∼30질량부가 바람직하고, 5∼30질량부가 보다 바람직하다. 함유량을 상기 바람직한 하한치 이상으로 함으로써, 필름상 접착제의 열전도율을 향상시킬 수가 있다. 한편, 상기 바람직한 상한치 이하로 함으로써, 올리고머 성분의 생성을 억제하고, 약간의 온도 변화에서는 필름 상태(필름 택성(tackiness) 등)의 변화가 생기기 어렵게 할 수가 있다.
＜에폭시 수지 경화제(B)＞
상기 에폭시 수지 경화제(B)로서는, 아민류, 산 무수물류, 다가 페놀류 등의 임의의 경화제를 이용할 수가 있다. 본 발명에서는, 상기 에폭시 수지(A) 및 후기하는 고분자 성분(C)이 저용융 점도로 되고, 또한 어떤 온도를 넘는 고온에서 경화성을 발휘하고, 빠른 경화성을 가지고, 또한, 실온에서의 장기 보존이 가능한 보존 안정성이 높은 열전도성 접착제용 조성물이 얻어진다는 관점에서, 잠재성 경화제를 이용하는 것이 바람직하다.
잠재성 경화제로는, 다이시안다이아마이드류, 이미다졸류, 경화 촉매 복합계 다가 페놀류, 하이드라지드류, 삼플루오르화(三弗化) 붕소－아민 착체, 아민이미드류, 폴리아민염, 및 이들의 변성물이나 마이크로캡슐형의 것을 들 수 있다. 본 발명에서는, 열전도성 필름상 접착제의 70℃에서의 용융 점도 및 120℃에서의 용융 점도를, 상술한 바람직한 범위를 만족시키도록 조정하는 관점에서, 이미다졸류를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
이들은 1종을 단독으로 이용해도, 혹은 2종 이상을 조합해서 이용해도 좋다.
상기 에폭시 수지(A) 100질량부에 대한 에폭시 수지 경화제(B)의 함유량은, 0.5∼100질량부가 바람직하고, 1∼80질량부가 보다 바람직하다. 함유량을 상기 바람직한 하한치 이상으로 하는 것에 의해 경화 시간을 짧게 할 수 있고, 다른 한편, 상기 바람직한 상한치 이하로 하는 것에 의해, 과잉의 경화제가 필름상 접착제중에 남고, 잔류 경화제가 수분을 흡착하는 것에 의한 필름상 접착제를 반도체에 끼워넣은 후의 신뢰성 시험에서의 불량을 저감할 수가 있다.
＜고분자 성분(C)＞
상기 고분자 성분(C)으로는, 필름상 접착제를 형성했을 때에, 상온(25℃)에서의 필름 택성(약간의 온도 변화에서도 필름 상태가 변화하기 쉬운 성질)을 억제하고, 충분한 접착성 및 조막성(造膜性)(필름 형성성)을 부여하는 성분이면 좋다. 천연 고무, 부틸 고무, 아이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌－아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌－(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌－(메타)아크릴산 에스터 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6－나일론이나 6, 6－나일론 등의 폴리아마이드 수지, 페녹시 수지, (메타)아크릴 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리부틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스터 수지, 폴리아마이드이미드 수지 또는 플루오린(불소) 수지 등을 들 수 있다. 이들 고분자 성분(C)은 단독으로 이용해도 좋고, 또 2종 이상을 조합해서 이용해도 좋다.
고분자 성분(C)의 질량 평균 분자량은, 10,000 이상이다. 상한치에 특별히 제한은 없지만, 5,000,000 이하가 실제적이다.
상기 고분자 성분(C)의 질량 평균 분자량은, GPC[겔 침투 크로마토그래피(Gel　Permeation　Chromatography)]에 의한 폴리스타이렌 환산으로 구한 값이다. 이후, 구체적인 고분자 성분(C)의 질량 평균 분자량의 값도 같은 의미이다.
또한, 상기 고분자 성분(C)의 유리 전이 온도(Tg)는, 100℃ 미만이 바람직하고, 90℃ 미만이 보다 바람직하다. 하한은, 0℃ 이상이 바람직하고, 10℃ 이상이 보다 바람직하다.
상기 고분자 성분(C)의 유리 전이 온도는, 승온 속도 0.1℃/분에서 DSC에 의해 측정된 유리 전이 온도이다. 이후, 구체적인 고분자 성분(C)의 유리 전이 온도의 값도 같은 의미이다.
또한, 본 발명에 있어서 에폭시 수지(A)와 고분자 성분(C) 중 페녹시 수지 등의 에폭시기를 가질 수 있는 수지란, 에폭시 당량이 500g/eq 이하인 수지가 에폭시 수지(A)에 해당하지 않는 것이 성분(C)로, 각각 분류된다.
본 발명에서는, 이들 고분자 성분(C) 중, 적어도 1종의 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 페녹시 수지는, 에폭시 수지(A)와 구조가 유사한 것으로 인해 상용성이 좋고, 수지 용융 점도도 낮고, 접착성도 우수한 효과를 발휘할 수가 있다. 또한, 페녹시 수지는 내열성이 높고, 포화 흡수율이 작아, 반도체 패키지의 신뢰성을 확보하는 관점에서도 바람직하다. 나아가서는, 상온에서의 택성, 취성(취약성) 등을 해소하는 점에서도 바람직하다.
페녹시 수지는, 비스페놀 혹은 비페놀 화합물과 에피클로로하이드린과 같은 에피할로하이드린과의 반응, 액상 에폭시 수지와 비스페놀 혹은 비페놀 화합물과의 반응으로 얻을 수가 있다.
어떠한 반응에서도, 비스페놀 혹은 비페놀 화합물로는, 하기 일반식(A)로 나타낸 화합물이 바람직하다.
[화(化) 1]
Figure 112021064737374-pct00001
일반식(A)에서, La는, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, Ra1 및 Ra2는, 각각 독립적으로 치환기를 나타낸다. ma 및 na는 각각 독립적으로, 0∼4의 정수를 나타낸다.
La에서, 2가의 연결기는, 알킬렌기, 페닐렌기, －O－, －S－, －SO－, －SO2－ 또는 알킬렌기와 페닐렌기가 조합된 기가 바람직하다.
알킬렌기는, 탄소수가 1∼10이 바람직하고, 1∼6이 보다 바람직하고, 1∼3이 더욱더 바람직하고, 1 또는 2가 특히 바람직하고, 1이 가장 바람직하다.
알킬렌기는, －C(Rα)(Rβ)－가 바람직하고, 여기서, Rα및 Rβ는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기를 나타낸다. Rα와 Rβ가 서로 결합해서, 고리(環)를 형성해도 좋다. Rα 및 Rβ는, 수소 원자 또는 알킬기(예를 들면, 메틸, 에틸, 아이소프로필, n－프로필, n－부틸, 아이소부틸, 헥실, 옥틸, 2－에틸헥실)가 바람직하다. 알킬렌기는, 그 중에서도 －CH2－, －CH(CH3)－, －C(CH3)2－가 바람직하고, －CH2－, －CH(CH3)－가 보다 바람직하고, －CH2－가 더욱더 바람직하다.
페닐렌기는, 탄소수가 6∼12가 바람직하고, 6∼8이 보다 바람직하고, 6이 더욱더 바람직하다. 페닐렌기는, 예를 들면, p－페닐렌, m－페닐렌, o－페닐렌을 들 수 있고, p－페닐렌, m－페닐렌이 바람직하다.
알킬렌기와 페닐렌기가 조합된 기로서는, 알킬렌－페닐렌－알킬렌기가 바람직하고, －C(Rα)(Rβ)－페닐렌－C(Rα)(Rβ)－가 보다 바람직하다.
Rα와 Rβ가 결합해서 형성하는 고리는, 5 또는 6원 고리가 바람직하고, 사이클로펜탄 고리, 사이클로헥세인 고리가 보다 바람직하고, 사이클로헥세인 고리가 더욱더 바람직하다.
La는, 단결합 또는 알킬렌기, －O－, －SO2－가 바람직하고, 알킬렌기가 보다 바람직하다.
Ra1 및 Ra2에 있어서, 치환기는, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알킬티오기, 할로겐 원자가 바람직하고, 알킬기, 아릴기, 할로겐 원자가 보다 바람직하고, 알킬기가 더욱더 바람직하다.
ma 및 na는, 0∼2가 바람직하고, 0 또는 1이 보다 바람직하고, 0이 더욱더 바람직하다.
비스페놀 혹은 비페놀 화합물은, 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 AD, 비스페놀 AP, 비스페놀 AF, 비스페놀 B, 비스페놀 BP, 비스페놀 C, 비스페놀 E, 비스페놀 F, 비스페놀 G, 비스페놀 M, 비스페놀 S, 비스페놀 P, 비스페놀 PH, 비스페놀 TMC, 비스페놀 Z나, 4, 4＇－비페놀, 2, 2＇－다이메틸－4, 4＇－비페놀, 2, 2＇, 6, 6＇－테트라메틸－4, 4＇－비페놀, 카르도 골격형 비스페놀 등을 들 수 있고, 비스페놀 A, 비스페놀 AD, 비스페놀 C, 비스페놀 E, 비스페놀 F, 4, 4＇－비페놀이 바람직하고, 비스페놀 A, 비스페놀 E, 비스페놀 F가 보다 바람직하고, 비스페놀 A가 특히 바람직하다.
한편, 액상 에폭시 수지로서는, 지방족 다이올 화합물의 다이글라이시딜 에터가 바람직하고, 하기 일반식(B)로 나타내지는 화합물이 보다 바람직하다.
[화 2]
Figure 112021064737374-pct00002
일반식(B)에서, X는 알킬렌기를 나타내고, nb는 1∼10의 정수를 나타낸다.
알킬렌기는, 탄소수가 2∼10이 바람직하고, 2∼8이 보다 바람직하고, 3∼8이 더욱더 바람직하고, 4∼6이 특히 바람직하고, 6이 가장 바람직하다.
예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 옥틸렌을 들 수 있고, 에틸렌, 트라이메틸, 테트라메틸렌, 펜타메틸렌, 헵타메틸렌, 헥사메틸렌, 옥타메틸렌이 바람직하다.
nb는 1∼6이 바람직하고, 1∼3이 보다 바람직하고, 1이 더욱더 바람직하다.
여기서, nb가 2∼10인 경우, X는 에틸렌 또는 프로필렌이 바람직하고, 에틸렌이 더욱더 바람직하다.
다이글라이시딜 에터에 있어서의 지방족 다이올 화합물로서는, 에틸렌 글라이콜, 프로필렌 글라이콜, 다이에틸렌 글라이콜, 트라이에틸렌 글라이콜, 폴리에틸렌 글라이콜, 1, 3－프로판다이올, 1, 4－뷰테인다이올, 1,5－헵탄다이올, 1, 6－헥산다이올, 1, 7－펜탄다이올, 1, 8－옥탄다이올을 들 수 있다.
상기 반응에 있어서, 비스페놀 혹은 비페놀 화합물이나 지방족 다이올 화합물은 각각에 있어서, 단독으로 반응해서 얻어진 페녹시 수지라도 좋고, 2종 이상 혼합하여 반응해서 얻어진 페녹시 수지라도 상관없다. 예를 들면, 1, 6－헥산다이올의 다이글라이시딜 에터와 비스페놀 A와 비스페놀 F의 혼합물과의 반응을 들 수 있다.
페녹시 수지는, 본 발명에서는, 액상 에폭시 수지와 비스페놀 혹은 비페놀 화합물과의 반응으로 얻어진 페녹시 수지가 바람직하고, 하기 일반식(I)로 나타내지는 반복 단위의 페녹시 수지가 보다 바람직하다.
[화 3]
Figure 112021064737374-pct00003
일반식(I)에 있어서, La, Ra1, Ra2, ma 및 na는, 일반식(A)에서의 La, Ra1, Ra2, ma 및 na와 같은 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다. X 및 nb는, 일반식(B)에서의 X 및 nb와 같은 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.
본 발명에서는, 이들 중에서도, 비스페놀 A와 1, 6－헥산다이올의 다이글라이시딜 에터와의 중합체가 바람직하다.
페녹시 수지의 질량 평균 분자량은, 10,000 이상이 바람직하고, 10,000∼100,000이 보다 바람직하다.
또한, 페녹시 수지중에 약간(조금) 잔존하는 에폭시기의 양은, 에폭시 당량으로, 5,000g/eq 이상이 바람직하다.
페녹시 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, 100℃ 미만이 바람직하고, 90℃ 미만이 보다 바람직하다. 하한은, 0℃ 이상이 바람직하고, 10℃ 이상이 보다 바람직하다.
페녹시 수지는, 상기와 같은 방법으로 합성해도 좋고, 또 시판품을 사용해도 상관없다. 시판품으로서는, 예를 들면, YX7180(상품명： 비스페놀 F+1, 6－헥산다이올다이글라이시딜 에터형 페녹시 수지, 미츠비시 카가쿠(三菱化學)(주)제), 1256(상품명： 비스페놀 A형 페녹시 수지, 미츠비시 카가쿠(주)제), YP－50(상품명： 비스페놀 A형 페녹시 수지, 신닛카(新日化) 에폭시 세이조(製造)(주)제), YP－70(상품명： 비스페놀 A/F형 페녹시 수지, 신닛카 에폭시 세이조(주)제), FX－316(상품명： 비스페놀 F형 페녹시 수지, 신닛카 에폭시 세이조(주)제), 및, FX－280S(상품명： 카르도 골격형 페녹시 수지, 신닛카 에폭시 세이조(주)제), 4250(상품명： 비스페놀 A형/F형 페녹시 수지, 미츠비시 카가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.
(메타)아크릴 수지로서는, 종래부터 공지된 (메타)아크릴 공중합체로 이루어지는 수지가 이용된다.
(메타)아크릴 공중합체의 질량 평균 분자량은 10,000∼2,000,000인 것이 바람직하고, 100,000∼1,500,000인 것이 보다 바람직하다. 상기 질량 평균 분자량을 상기 바람직한 범위 내로 하는 것에 의해, 택성을 저감할 수 있고, 용융 점도의 상승도 억제할 수가 있다.
(메타)아크릴 공중합체의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -10℃∼50℃, 보다 바람직하게는 0℃∼40℃, 더욱더 바람직하게는 0℃∼30℃의 범위에 있다. 상기 유리 전이 온도를 상기 바람직한 범위 내로 하는 것에 의해, 택성을 저감할 수 있고, 반도체 웨이퍼와 필름상 접착제 사이 등에 있어서의 보이드의 발생을 억제할 수가 있다.
상기 (메타)아크릴 수지로서는, 폴리(메타)아크릴산 에스터계 혹은 그의 유도체를 들 수 있다. 예를 들면, 2－하이드록시에틸 아크릴레이트, 2－하이드록시에틸 메타크릴레이트, 2－하이드록시프로필 아크릴레이트, 2－하이드록시프로필 메타크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 글라이시딜 메타크릴레이트, 글라이시딜 아크릴레이트 등을 모노머 성분으로 하는 공중합체를 들 수 있다. 또한, 고리모양(環狀) 골격을 가지는 (메타)아크릴산 에스터： 예를 들면, (메타)아크릴산 사이클로알킬 에스터, (메타)아크릴산 벤질에스터, 아이소보닐 (메타)아크릴레이트, 다이사이클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 다이사이클로펜테닐 (메타)아크릴레이트 및 다이사이클로펜테닐옥시에틸 (메타)아크릴레이트, 이미드 (메타)아크릴레이트, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 (메타)아크릴산 알킬에스터： 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필 및 (메타)아크릴산 부틸 등도 모노머 성분으로서 이용된다. 또한, 아세트산 비닐, (메타)아크릴로나이트릴, 스타이렌 등과 공중합되어 있어도 좋다. 또한, 수산기를 가지고 있는 쪽이, 에폭시 수지와의 상용성이 좋기 때문에 바람직하다.
에폭시 수지(A) 100질량부에 대한 고분자 성분(C)의 함유량은, 1∼40질량부가 바람직하고, 5∼35질량부가 보다 바람직하고, 10∼30질량부가 더욱더 바람직하다. 함유량을 이와 같은 범위로 함으로써, 경화 전의 열전도성 필름상 접착제의 강성과 유연성을 조정할 수가 있다. 필름 상태가 양호(필름 택성이 저감)하게 되고, 필름 취약성도 억제할 수가 있다.
＜무기 충전제(D)＞
상기 무기 충전제(D)는, 전술한 (1)의 평균 입경(d50) 및 (2)의 d90/d50의 규정을 만족시키는, 열전도성을 가지는 무기 충전제인 한 특별히 제한되지 않지만, 본 발명에서는 필름상 접착제로의 열전도성의 부여에 기여한다.
전술한 (1)의 평균 입경(d50) 및 (2)의 d90/d50의 규정을 만족시키는 무기 충전제(D)는, 예를 들면, 임의의 무기 충전제에 대해서, 적절한 지름의 메시 필터를 이용하여 여과하는 것에 의해, 조제할 수가 있다.
상기 열전도성을 가지는 무기 충전제로서는, 열전도성 재료로 이루어지는 입자 또는 그 열전도성 재료로 표면 피복되어 이루어지는 입자로서, 이들 열전도성 재료의 열전도율이 12W/m·K 이상인 것이 바람직하고, 30W/m·K 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 열전도성 재료의 열전도율이 상기 바람직한 하한치 이상이면, 목적의 열전도율을 얻기 위해서 배합하는 무기 충전제(D)의 양을 저감할 수 있고, 그 결과, 접착 필름의 용융 점도의 상승을 억제하여, 기판에 압착할 때 기판의 요철부에의 매립성을 향상시키고, 보이드의 발생을 억제할 수가 있다.
본 발명에 있어서, 상기 열전도성 재료의 열전도율은, 25℃에서의 열전도율을 의미하고, 각 재료의 문헌치(文獻値)를 이용할 수가 있다. 문헌에 기재가 없는 경우에도, 예를 들면, 세라믹스이면 JIS　R　1611에 의해 측정되는 값, 금속이면, JIS　H　7801에 의해 측정되는 값을 대용할 수가 있다.
무기 충전제(D)로서는, 예를 들면, 열전도성의 세라믹스를 들 수 있고, 알루미나 입자(열전도율： 36W/m·K), 질화 알루미늄 입자(열전도율： 150∼290W/m·K), 질화 붕소 입자(열전도율： 60W/m·K), 산화 아연 입자(열전도율： 54W/m·K), 질화 규소 필러(열전도율： 27W/m·K), 탄화 규소 입자(열전도율：200W/m·K) 및 산화 마그네슘 입자(열전도율： 59W/m·K)를 바람직하게 들 수 있다.
특히 알루미나 입자는 고열전도율을 가지고, 분산성, 입수 용이성의 점에서 바람직하다. 또한, 질화 알루미늄 입자나 질화 붕소 입자는, 알루미나 입자보다도 더욱더 높은 열전도율을 가지는 관점에서 바람직하다. 본 발명에서는, 그 중에서도 알루미나 입자와 질화 알루미늄 입자가 바람직하다.
또한, 열전도성을 가지는 금속으로 표면 피복된 입자도 들 수 있다. 예를 들면, 은(열전도율： 429W/m·K), 니켈(열전도율： 91W/m·K) 및 금(열전도율： 329W/m·K) 등의 금속으로 표면 피복된, 실리콘 수지 입자 및 아크릴 수지 입자 등을 바람직하게 들 수 있다.
특히, 은으로 표면 피복된 실리콘 수지 입자는, 응력 완화성 및 고내열성의 관점에서 바람직하다.
무기 충전제(D)는, 표면 처리나 표면 개질되어 있어도 좋고, 이와 같은 표면 처리나 표면 개질로서는, 실란 커플링제나 인산 혹은 인산 화합물, 계면활성제를 들 수 있고, 본 명세서에서 기재하는 사항 이외는, 예를 들면, 국제 공개 제2018/203527호에서의 열전도 필러의 청구항 또는 국제 공개 제2017/158994호의 질화 알루미늄 충전제의 청구항에 있어서의, 실란 커플링제, 인산 혹은 인산 화합물 및 계면활성제의 기재를 적용할 수가 있다.
무기 충전제(D)를 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B) 및 고분자 성분(C) 등의 수지 성분에 배합하는 방법으로서는, 분체상(粉體狀)의 무기 충전제와 필요에 따라서 실란 커플링제, 인산 혹은 인산 화합물이나 계면활성제를 직접 배합하는 방법(인테그랄 블렌드법), 혹은 실란 커플링제, 인산 혹은 인산 화합물이나 계면활성제 등의 표면 처리제로 처리된 무기 충전제를 유기 용제에 분산시킨 슬러리상(狀) 무기 충전제를 배합하는 방법을 사용할 수가 있다.
또한, 실란 커플링제에 의해 무기 충전제(D)를 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 용매중에서 무기 충전제(D)와 실란 커플링제를 혼합하는 습식법, 기상중에서 무기 충전제(D)와 실란 커플링제를 처리시키는 건식법, 상기 인테그랄 블렌드법 등을 들 수 있다.
특히, 질화 알루미늄 입자는, 고열전도화에 공헌하지만, 가수분해에 의해 암모늄 이온을 생성하기 쉽기 때문에, 흡습율이 작은 페놀 수지와 병용하거나, 표면 개질에 의해 가수분해가 억제되는 것이 바람직하다. 질화 알루미늄의 표면 개질 방법으로서는, 표면층에 산화 알루미늄의 산화물층을 마련하여 내수성을 향상시키고, 인산 혹은 인산 화합물에 의한 표면 처리를 행하여 수지와의 친화성을 향상시키는 방법이 특히 바람직하다.
무기 충전제(D)의 표면을 실란 커플링제로 표면 처리하는 것도 바람직하다.
게다가, 이온 트랩제를 더욱 병용하는 것도 바람직하다.
실란 커플링제는, 규소 원자에 알콕시기, 아릴 옥시기와 같은 가수분해성 기가 적어도 1개 결합한 것이고, 이것에 더하여, 알킬기, 알케닐기, 아릴기가 결합해도 좋다. 알킬기는, 아미노기, 알콕시기, 에폭시기, (메타)아크릴로일 옥시기가 치환된 것이 바람직하고, 아미노기(바람직하게는 페닐 아미노기), 알콕시기(바람직하게는 글라이시딜 옥시기), (메타)아크릴로일 옥시기가 치환된 것이 보다 바람직하다.
실란 커플링제는, 예를 들면, 2－(3, 4－에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실란, 3－글라이시딜옥시프로필트라이메톡시실란, 3－글라이시딜옥시프로필트라이에톡시실란, 3－글라이시딜옥시프로필메틸다이메톡시실란, 3－글라이시딜옥시프로필메틸다이에톡시실란, 다이메틸다이메톡시실란, 다이메틸다이에톡시실란, 메틸트라이메톡시실란, 메틸트라이에톡시실란, 페닐트라이메톡시실란, 페닐트라이에톡시실란, N－페닐－3－아미노프로필트라이메톡시실란, 3－메타크릴로일옥시프로필메틸다이메톡시실란, 3－메타크릴로일옥시프로필트라이메톡시실란, 3－메타크릴로일옥시프로필메틸다이에톡시실란, 3－메타크릴로일옥시프로필트라이에톡시실란 등을 들 수 있다.
실란 커플링제나 계면활성제는, 무기 충전제(D) 100질량부에 대해, 0.1∼2.0질량부 함유시키는 것이 바람직하다.
실란 커플링제나 계면활성제의 함유량을 상기 바람직한 범위로 하는 것에 의해, 무기 충전제(D)의 응집을 억제하면서, 과잉 실란 커플링제나 계면활성제의 반도체 조립 가열 공정(예를 들면 리플로우 공정)에 있어서의 휘발에 의한 접착 계면에서의 박리를 억제할 수 있고, 보이드의 발생이 억제되어, 접착성을 향상시킬 수가 있다.
무기 충전제(D)의 형상은, 전술한 (1)에서 규정하는 평균 입경(d50) 및 (2)에서 규정하는 입도 분포를 만족시키는 한 한정되지 않고, 예를 들면, 플레이크상, 침상, 필라멘트상, 구상(球狀), 인편상(鱗片狀)의 것을 들 수 있지만, 고충전화 및 유동성의 관점에서 구상 입자가 바람직하다.
본 발명에서는, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 그 무기 충전제(D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 상기 무기 충전제(D)의 비율이, 20∼70부피%이다. 상기 무기 충전제(D)의 함유 비율이 상기 하한치 이상이면, 필름상 접착제에 소망으로 하는(원하는) 열전도율 및 용융 점도를 부여할 수 있고, 반도체 패키지로부터의 방열 효과가 얻어지고, 필름상 접착제의 밀려나옴 불량도 억제할 수가 있다. 또한, 상기 상한치 이하이면, 필름상 접착제에 소망으로 하는 용융 점도를 부여할 수 있고, 보이드의 발생을 억제할 수가 있다. 또한, 열변화시에 반도체 패키지에 생기는 내부 응력을 완화할 수도 있고, 접착력도 향상시킬 수가 있다.
성분(A)∼(D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 상기 무기 충전제(D)의 비율은, 25∼70부피%가 바람직하고, 30∼70부피%가 보다 바람직하고, 30∼60부피%가 더욱더 바람직하고, 30∼50부피%가 더욱더 바람직하다.
상기 무기 충전제(D)의 함유량(부피%)은, 각 성분(A)∼(D)의 함유 질량과 비중으로부터 산출할 수가 있다.
＜그밖의 첨가물＞
본 발명의 접착제용 조성물로서는, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전제(D) 외에, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 유기 용매(MEK 등), 이온 트랩제(이온 포착제), 경화 촉매, 점도 조정제, 산화 방지제, 난연제, 착색제, 부타디엔계 고무나 실리콘 고무 등의 응력 완화제 등의 첨가제를 더 함유하고 있어도 좋다. 예를 들면, 국제 공개 제2017/158994호의 그밖의 첨가물의 기재를 적용할 수가 있다.
본 발명의 접착제용 조성물중에서 차지하는, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전제(D)의 함유량의 합계의 비율은, 본 발명의 필름상 접착제를 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 60∼95질량%로 할 수 있고, 70∼90질량%가 바람직하다.
본 발명의 접착제용 조성물은, 본 발명의 필름상 접착제를 얻기 위해서 바람직하게 이용할 수가 있다. 다만, 필름상의 접착제에 한정되지 않고, 액상의 접착제에도 바람직하게 이용할 수도 있다.
＜＜필름상 접착제 및 그의 제조 방법＞＞
본 발명의 필름상 접착제는, 본 발명의 접착제용 조성물에 의해 수득되어 이루어지는 필름상의 접착제로서, 상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전제(D)를 함유하는 것으로 이루어진다. 그밖에, 본 발명의 열전도성 접착제용 조성물에 있어서 그밖의 첨가물로서 기재하는 첨가물 중, 유기 용매 이외의 첨가물을 함유하고 있어도 좋다.
여기서, 필름이란, 두께 200㎛ 이하의 박막을 의미한다. 형상, 크기 등은, 특별히 제한되지 않고, 사용 양태에 맞추어 적당히 조정할 수가 있다.
본 발명의 필름상 접착제는, 본 발명의 필름상 접착제 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 적어도 한쪽 면에 하기의 이형 처리된 기재 필름이 붙여맞춰져서(첩합되어) 이루어지는 형태이더라도 좋다. 또한, 본 발명의 필름상 접착제는, 필름을 적당한 크기로 잘라낸 형태라도 좋고, 필름을 롤모양으로 감아서 이루어진 형태라도 좋다.
본 발명의 필름상 접착제의 제조 방법의 바람직한 1실시형태로서는, 본 발명의 열전도성 접착제용 조성물을 이형 처리된 기재 필름의 한쪽 면 위에 도공하고, 가열 건조를 실시하는 방법을 들 수 있지만, 이 방법에 특별히 제한되는 것은 아니다. 상기 가열 건조는, 용매를 제거해서 필름상 접착제를 형성할 목적으로 행해진다.
이형 처리된 기재 필름으로서는, 얻어지는 필름상 접착제의 커버 필름으로서 기능하는 것이면 좋고, 공지의 것을 적당히 채용할 수가 있다. 예를 들면, 이형 처리된 폴리프로필렌(PP), 이형 처리된 폴리에틸렌(PE), 이형 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 들 수 있다. 도공 방법으로서는, 공지의 방법을 적당히 채용할 수 있고, 예를 들면, 롤 나이프 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등을 이용한 방법을 들 수 있다.
이와 같이 얻어진 본 발명의 필름상 접착제로서는, 두께에 특별히 제한은 없지만, 1∼200㎛가 바람직하고, 배선 기판, 반도체 칩 표면의 요철부에 보다 충분히 매립할 수 있다는 관점에서, 1∼40㎛가 보다 바람직하다. 두께가 상기 바람직한 하한치 미만이면 배선 기판, 반도체 칩 표면의 요철부에 충분히 매립할 수 없어, 충분한 접착성을 담보할 수 없게 되는 경향이 있다. 다른 한편으로, 상기 바람직한 상한치를 넘으면 제조시에 있어서 유기 용매를 제거하는 것이 곤란하게 되기 때문에, 잔존 용매량이 많아져, 필름 택성이 강해지는 경향이 있다. 박형 열전도성 필름상 접착제로서, 우수한 열전도성, 보이드의 발생 억제 및 우수한 접착력을 나타낸다고 하는, 본 발명의 효과를 보다 발현할 수 있는 점에서, 필름상 접착제의 두께는 1㎛ 이상 10㎛ 미만이 더욱더 바람직하다.
필름상 접착제의 두께는, 접촉·리니어 게이지 방식(탁상형 접촉식 두께 계측 장치)에 의해 측정되는 값이다.
본 발명의 열전도성 필름상 접착제는, 적어도 한쪽 표면(즉, 피착체와 붙여맞추는 적어도 한쪽 면)의 산술 평균 거칠기 Ra가 3.0㎛ 이하인 것이 바람직하고, 피착체와 붙여맞추는 어느 측의 표면의 산술 평균 거칠기 Ra도 3.0㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기의 산술 평균 거칠기 Ra는, 2.0㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.5㎛ 이하인 것이 더욱더 바람직하다. 하한치는 특별히 제한은 없지만, 0.1㎛ 이상인 것이 실제적이다.
상술한 필름상 접착제의 제조 방법에 의하면, 표면의 산술 평균 거칠기 Ra가 상기 바람직한 범위를 만족시키는 필름상 접착제를 제작할 수가 있다. 예를 들면, 본 발명의 열전도성 접착제용 조성물을 이형 처리된 기재 필름의 한쪽 면 위에 도공하고, 가열 건조를 실시하는 방법에 의하면, 얻어지는 필름상 접착제 중, 이형 처리된 기재 필름과 접하는 면측의 산술 평균 거칠기 Ra 쪽이, 노출된 필름상 접착제 면측의 산술 평균 거칠기 Ra보다도, 통상 작아진다.
본 발명의 필름상 접착제는, 특히 필름의 두께가 10㎛ 미만과 같은 박형 필름인 경우에도, 상기 무기 충전제(D)를 사용하는 것에 의해, 상기 산술 평균 거칠기 Ra를 만족시킬 수 있다고 생각된다. 이 결과, 배선 기판, 반도체 칩 표면의 요철부와의 사이에서 보이드의 발생이 억제된 접착 상태로 할 수 있고, 게다가, 우수한 접착성을 나타낼 수가 있다.
상기 산술 평균 거칠기 Ra는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된다.
＜＜반도체 패키지 및 그의 제조 방법＞＞
다음으로, 도면을 참조하면서 본 발명의 반도체 패키지 및 그의 제조 방법의 바람직한 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명 및 도면 중, 동일 또는 상당하는 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 도 1∼도 7은, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 각 공정의 바람직한 1실시형태를 도시하는 개략 종단면도이다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는, 우선, 제1의 공정으로서, 도 1에 도시하는 바와 같이, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(1)의 이면(즉, 반도체 웨이퍼(1)의 반도체 회로가 형성되어 있지 않은 면)에, 상기 본 발명의 필름상 접착제를 열압착해서 접착제 층(2)을 마련하고, 그 다음에, 반도체 웨이퍼(1)와 다이싱 테이프(3)를 접착제 층(2)을 거쳐서 마련한다. 이 때, 접착제 층(2)과 다이싱 테이프(3)가 일체로 된 제품을 한번에 열압착해도 좋다. 열압착의 조건은, 에폭시 수지(A)가 열경화되어서, 본 발명의 효과를 해치지 않는 한 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 70℃, 압력 0.3MPa의 조건을 들 수 있다.
반도체 웨이퍼(1)로서는, 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 적당히 이용할 수 있고, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaS 웨이퍼를 들 수 있다. 접착제 층(2)으로서는, 본 발명의 열전도성 필름상 접착제를 1층으로 단독으로 이용해도 좋고 2층 이상을 적층해서 이용해도 좋다. 이와 같은 접착제 층(2)을 웨이퍼(1)의 이면에 마련하는 방법으로서는, 상기 필름상 접착제를 반도체 웨이퍼(1)의 이면에 적층시키는 것이 가능한 방법을 적당히 채용할 수 있고, 반도체 웨이퍼(1)의 이면에 상기 필름상 접착제를 붙여맞춘(첩합한) 후, 2층 이상을 적층하는 경우에는 원하는 두께로 될 때까지 순차적으로 필름상 접착제를 적층시키는 방법이나, 필름상 접착제를 미리 목적의 두께로 적층한 후에 반도체 웨이퍼(1)의 이면에 붙여맞추는 방법 등을 들 수가 있다. 또한, 이와 같은 접착제 층(2)을 반도체 웨이퍼(1)의 이면에 마련할 때에 이용하는 장치로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 롤 라미네이터, 수동(manual) 라미네이터와 같은 공지의 장치를 적당히 이용할 수가 있다.
그 다음, 제2의 공정으로서, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(1)와 접착제 층(2)을 동시에 다이싱하는 것에 의해, 다이싱 테이프(3) 위에, 반도체 웨이퍼(1)와 접착제 층(2)을 구비하는 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)을 얻는다. 다이싱 테이프(3)로서는 특별히 제한되지 않고, 적당히 공지의 다이싱 테이프를 이용할 수가 있다. 또한, 다이싱에 이용하는 장치도 특별히 제한되지 않고, 적당히 공지의 다이싱 장치를 이용할 수가 있다.
그 다음, 제3의 공정으로서, 도 3에 도시하는 바와 같이, 접착제 층(2)으로부터 다이싱 테이프(3)를 없애고(제거하고), 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)과 배선 기판(6)을 접착제 층(2)을 거쳐서 열압착하고, 배선 기판(6)에 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)을 실장한다. 배선 기판(6)으로서는, 표면에 반도체 회로가 형성된 기판을 적당히 이용할 수 있고, 예를 들면, 프린트 회로 기판(PCB), 각종 리드 프레임, 및, 기판 표면에 저항 소자나 콘덴서 등의 전자 부품이 탑재된 기판을 들 수 있다.
이와 같은 배선 기판(6)에 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)을 실장하는 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 접착제 층(2)을 이용하여 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)을 배선 기판(6) 또는 배선 기판(6)의 표면 위에 탑재된 전자 부품에 접착시키는 것이 가능한 종래의 방법을 적당히 채용할 수가 있다. 이와 같은 실장 방법으로서는, 상부로부터의 가열 기능을 가지는 플립칩 본더(flip chip bonder)를 이용한 실장 기술을 이용하는 방법, 하부로부터만의 가열 기능을 가지는 다이 본더(die bonder)를 이용하는 방법, 라미네이터를 이용하는 방법 등의 종래 공지의 가열, 가압 방법을 들 수가 있다.
이와 같이, 본 발명의 필름상 접착제로 이루어지는 접착제 층(2)을 거쳐서 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)을 배선 기판(6) 위에 실장함으로써, 전자 부품에 의해 생기는 배선 기판(6) 위의 요철부에 상기 필름상 접착제를 추종시킬 수 있기 때문에, 반도체 칩(4)과 배선 기판(6)을 밀착시켜서 고정하는 것이 가능해진다.
그 다음, 제4의 공정으로서, 본 발명의 필름상 접착제를 열경화시킨다. 열경화의 온도로서는, 본 발명의 필름상 접착제의 열경화 개시 온도 이상이면 특별히 제한이 없고, 사용하는 에폭시 수지(A), 고분자 성분(C) 및 에폭시 경화제(B)의 종류에 따라 다른 것이고, 일률적으로 말할 수 있는 것은 아니지만, 예를 들면, 100∼180℃가 바람직하고, 보다 고온에서 경화한 쪽이 단시간에 경화가능하다는 관점에서, 140∼180℃가 보다 바람직하다. 온도가 열경화 개시 온도 미만이면, 열경화가 충분히 진행되지 않아, 접착제 층(2)의 강도가 저하하는 경향이 있고, 다른 한편, 상기 상한을 넘으면 경화 과정중에 필름상 접착제중의 에폭시 수지, 경화제나 첨가제 등이 휘발해서 발포하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 경화 처리의 시간은, 예를 들면, 10∼120분간이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 고온으로 필름상 접착제를 열경화시키는 것에 의해, 고온 온도로 경화해도 보이드가 발생하는 일 없이, 배선 기판(6)과 반도체 칩(4)이 강고하게 접착된 반도체 패키지를 얻을 수가 있다.
그 다음, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 배선 기판(6)과 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)을 본딩 와이어(7)를 거쳐서 접속하는 것이 바람직하다. 이와 같은 접속 방법으로서는 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 방법, 예를 들면, 와이어본딩 방식의 방법, TAB(Tape　Automated Bonding) 방식의 방법 등을 적당히 채용할 수가 있다.
또한, 탑재된 반도체 칩(4)의 표면에, 다른 반도체 칩(4)을 열압착, 열경화하고, 다시 와이어본딩 방식에 의해 배선 기판(6)과 접속하는 것에 의해, 복수개 적층할 수도 있다. 예를 들면, 도 5에 도시하는 바와 같이 반도체 칩을 어긋나게 (겹치지 않도록 비켜 놓고) 적층하는 방법, 혹은 도 6에 도시하는 바와 같이 2층째 이후의 접착제 층(2)을 두껍게함으로써, 본딩 와이어(7)를 매립하면서 적층하는 방법 등이 있다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 봉지 수지(8)에 의해 배선 기판(6)과 접착제 층 딸린 반도체 칩(5)을 봉지하는 것이 바람직하고, 이와 같이 해서 반도체 패키지(9)를 얻을 수가 있다. 봉지 수지(8)로서는 특별히 제한되지 않고, 반도체 패키지의 제조에 이용할 수 있는 공지의 봉지 수지를 적당히 이용할 수가 있다. 또한, 봉지 수지(8)에 의한 봉지 방법으로서도 특별히 제한되지 않고, 적당히 공지의 방법을 채용하는 것이 가능하다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해서, 박형 필름의 형태이더라도, 다이 어태치 공정 후의 보이드의 발생이 억제되고, 게다가, 피착체와의 사이에서 높은 접착력을 나타낼 수 있는 접착제 층(2)을 제공할 수가 있다. 또한, 열경화 후에 우수한 열전도성을 발휘함으로써, 반도체 칩(4)의 표면에서 발생하는 열을 효율좋게 반도체 패키지(9) 외부로 방출하는 것이 가능해진다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하겠지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서, 산술 평균 거칠기 Ra, 용융 점도, 열전도율, 웨이퍼 라미네이트성 평가, 다이 어태치성 평가, 및, 접착력 평가는, 각각 이하에 나타내는 방법에 의해 실시했다.
또한, 실온이란 25℃를 의미하고, MEK는 메틸에틸케톤, PET는 폴리에틸렌테 레프탈레이트이다.
＜평균 입경(d50), 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)/평균 입경(d50)의 비의 측정＞
각 실시예 및 비교예에 이용한 각 무기 충전제 0.1g과 MEK 9.9g을 칭량하고, 이들 혼합물에 초음파 분산 처리를 5분 행하고, 측정용 시료를 조제했다. 이 측정용 시료에 대해서, 레이저 회절·산란법(형식： LMS－2000e, (주)세이신 키교(企業)제)에 의해 측정한 입도 분포의 입경의 체적 분율의 누적 곡선으로부터, 평균 입경(d50)과 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)을 구했다. 이들 값으로부터, 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비, 즉, d90/d50을 산출했다.
＜산술 평균 거칠기 Ra＞
표면 거칠기(조도) 측정기(형식： SV3000∼CNC, (주)미츠토요제)를 이용하여, 필름상 접착제의 산술 평균 거칠기 Ra를 측정했다. 측정 조건은 하기와 같이 했다. 어느 필름상 접착제에 있어서도, 필름상 접착제의 표면 중, 박리 필름과 접해 있지 않은 측의 면 쪽이, 박리 필름과 접해 있던 측의 면에 비해, 보다 큰 산술 평균 거칠기 Ra를 나타냈다. 후기하는 표중에는, 박리 필름과 접해 있지 않은 측의 표면의 산술 평균 거칠기 Ra를 기재한다.
컷오프값： 0.8mm
평가 길이： 4mm
측정 속도： 0.3mm/s
촉침 선단 반경(R)： 2㎛
＜용융 점도의 측정＞
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 박리 필름 딸린 필름상 접착제로부터 세로 5.0㎝×가로 5.0㎝ 사이즈의 정방형을 절취하고, 박리 필름을 박리한 상태에서 절취한 시료를 적층하고, 스테이지 70℃의 열판 위에서, 핸드 롤러로 붙여맞춰서(첩합해서), 두께가 약 1.0㎜인 시험편(試驗片)을 얻었다. 이 시험편에 대해서, 레오미터(RS6000, Haake사제)를 이용하여, 온도 범위 20∼250℃, 승온 속도 5℃/min에서의 점성 저항의 변화를 측정했다. 얻어진 온도－점성 저항 곡선으로부터, 70℃ 및 120℃에 있어서의 용융 점도(Pa·s)를 각각 산출했다.
＜열전도율＞
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 박리 필름 딸린 필름상 접착제로부터 한 변 50㎜ 이상의 사각편(四角片)을 절취하고, 두께가 5㎜ 이상으로 되도록, 박리 필름을 박리한 상태에서 절취한 시료를 겹쳐맞추었다(중합했다). 이 시료를, 직경 50㎜, 두께 5㎜의 원반모양(圓盤狀) 금형 위에 두고, 압축 프레스 성형기를 이용하여 온도 150℃, 압력 2MPa에서 10분간 가열해서 꺼낸 후, 또 건조기중에 있어서 온도 180℃로 1시간 가열하는 것에 의해 필름상 접착제를 열경화시키고, 직경 50㎜, 두께 5㎜의 원반모양 시험편을 얻었다. 이 시험편에 대해서, 열전도율 측정 장치(상품명： HC－110, 에코 세이키(주)제)를 이용하여, 열류계법(JIS－A1412에 준거)에 의해 열전도율(W/(m·K))을 측정했다.
＜웨이퍼 라미네이트 평가＞
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 박리 필름 딸린 필름상 접착제를, 우선, 수동 라미네이터(상품명： FM－114, 테크노비전사제)를 이용하여 온도 70℃, 압력 0.3MPa에서 더미 실리콘 웨이퍼(8inch 사이즈, 두께 100㎛)의 한쪽 면과 필름상 접착제가 접하도록 접착시켰다. 접착 후의 필름상 접착제와 웨이퍼와의 계면에 있어서의 보이드 유무를, 필름상 접착제측으로부터 육안감시(目視)로 관찰하고, 하기 평가 기준에 기초하여, 웨이퍼 라미네이트성 평가를 행했다. 본 시험에 있어서, 평가 랭크 「A」가 실용상 요구되는 레벨이다.
－　평가 기준　－
A： 보이드가 전혀 관찰되지 않는다.
B： 보이드가 관찰된다.
＜다이 어태치성 평가＞
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 박리 필름 딸린 필름상 접착제를, 우선, 수동 라미네이터(상품명： FM－114, 테크노비전사제)를 이용하여 온도 70℃, 압력 0.3MPa에 있어서 더미 실리콘 웨이퍼(8inch 사이즈, 두께 100㎛)의 한쪽 면에 접착시켰다. 그 후, 필름상 접착제로부터 박리 필름을 박리한 후, 같은 수동 라미네이터를 이용하여 실온, 압력 0.3MPa에 있어서 필름상 접착제의 상기 더미 실리콘 웨이퍼와는 반대측 면 위에 다이싱 테이프(상품명： K－13, 후루카와 덴키 고교(古河電氣工業)(주)제) 및 다이싱 프레임(상품명： DTF2－8－1H001, DISCO사제)을 접착시켰다. 그 다음에, 2축의 다이싱 블레이드(Z1： NBC－ZH2050(27HEDD), DISCO사제/Z2： NBC－ZH127F－SE(BC), DISCO사제)가 설치된 다이싱 장치(상품명： DFD－6340, DISCO사제)를 이용하여 10㎜×10㎜ 사이즈로 되도록 더미 실리콘 웨이퍼측으로부터 다이싱을 실시해서, 더미 칩을 얻었다.
그 다음, 다이 본더(상품명： DB－800, (주)히타치(日立) 하이테크놀로지즈제)로, 상기 필름상 접착제 딸린(접착제를 구비하는) 더미 칩을 다이싱 테이프로부터 픽업하고, 120℃, 압력 0.1MPa(하중 400gf), 시간 1.0초의 조건에서, 상기 필름상 접착제 딸린 더미 칩의 필름상 접착제측과, 리드 프레임 기판(42Alloy계, 톳판 인사츠(凸版印刷)(주)제)의 실장면측을 붙여맞추도록, 열압착했다. 여기서, 상기 리드 프레임 기판의 실장면은, 약간의 표면 거칠기를 갖는 금속면이다.
기판 위에 열압착한 필름상 접착제 딸린 더미 칩에 대해서, 초음파 탐상(探傷) 장치(SAT)(히타치 파워솔루션즈제　FS300Ⅲ)를 이용하여, 필름상 접착제와 리드 프레임 기판 실장면과의 계면에 있어서의 보이드 유무를 관찰하고, 하기 평가 기준에 기초하여, 다이 어태치성 평가를 행했다. 본 시험에 있어서, 평가 랭크 「A」가 합격 레벨이다.
－　평가 기준　－
A：실장한 24개의 반도체 칩 모두에 있어서 보이드가 관찰되지 않는다.
B： 실장한 24개의 반도체 칩 중 적어도 어느 1개에 있어서 보이드가 관찰된다.
＜접착력 평가＞
각 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 박리 필름 딸린 필름상 접착제를, 우선, 수동 라미네이터(상품명： FM－114, 테크노비전사제)를 이용하여 온도 70℃, 압력 0.3MPa에 있어서 더미 실리콘 웨이퍼(8inch 사이즈, 두께 350㎛)의 한쪽 면에 접착시켰다. 그 후, 필름상 접착제로부터 박리 필름을 박리한 후, 같은 수동 라미네이터를 이용하여 실온, 압력 0.3MPa에 있어서 필름상 접착제의 상기 더미 실리콘 웨이퍼와는 반대측 면 위에 다이싱 테이프(상품명： K－13, 후루카와 덴키 고교(주)제) 및 다이싱 프레임(상품명： DTF2－8－1H001, DISCO사제)을 접착시켰다. 그 다음에, 2축의 다이싱 블레이드(Z1： NBC－ZH2050(27HEDD), DISCO사제/Z2： NBC－ZH127F－SE(BC), DISCO사제)가 설치된 다이싱 장치(상품명： DFD－6340, DISCO사제)를 이용하여 2㎜×2㎜ 사이즈로 되도록 더미 실리콘 웨이퍼측으로부터 다이싱을 실시해서, 더미 칩을 얻었다.
그 다음, 다이 본더(상품명： DB－800, (주)히타치 하이테크놀로지즈제)로 상기 필름상 접착제 딸린 더미 칩을 다이싱 테이프로부터 픽업하고, 120℃, 압력 0.1MPa(하중 400gf), 시간 1.0초의 조건에 있어서 상기 필름상 접착제 딸린 더미 칩의 필름상 접착제측과, 리드 프레임 기판(42Alloy계, 톳판 인사츠(주)제)의 실장면측을 붙여맞추도록, 열압착하고, 또 건조기중에 있어서 온도 125℃로 1시간 가열하는 것에 의해, 필름상 접착제를 열경화시켰다.
기판 위에 접착한 필름상 접착제 딸린 더미 칩에 대해서, 만능형(萬能型) 본드 테스터(상품명： 시리즈 4000PXY, 노드슨(Nordson) 어드반스트 테크놀로지(주))를 이용하여, 접착한 칩의 리드 프레임 기판에 대한 전단(剪斷) 박리력(접착력)을 측정하고, 이하의 기준에 따라서 평가했다. 본 시험에 있어서, 평가 랭크 「A」가 합격 레벨이다.
－　평가 기준　－
A： 접착력 40MPa 이상
B： 접착력 10MPa 이상 40MPa 미만
C： 접착력 10MPa 미만
[무기 충전제의 입도 분포의 조제]
각 무기 충전제에 대해서, 조제법 A 또는 B에 의한 입도 분포의 조제를 행하고, 이후의 실시예에서 이용했다.
(무기 충전제)
AO－502： 상품명, 애드마텍스사(ADMATECHS CO., LTD.)제, 알루미나 필러, 알루미나의 열전도율： 36W/m·K
ASFP－20： 상품명, 덴카사(Denka Company Limited)제, 알루미나 필러, 알루미나의 열전도율： 36W/m·K
DAW－03： 상품명, 덴카사제, 알루미나 필러, 알루미나의 열전도율： 36W/m·K
SC0280－SF： 상품명, 미츠비시 머티리얼사(Mitsubishi Materials Corporation)제, 은(銀)피복 실리콘 수지 필러, 은의 열전도율： 429W/m·K
(조제법)
조제법 A： 무기 충전제에 대해서, 1.3㎛메시 필터를 이용하여 입도 분포를 조제했다.
조제법 B： 무기 충전제에 대해서, 캡슐 필터 카트리지(상품명： CCPD－10, 형번(型番) C1, 10㎛메시 필터)를 이용하여 입도 분포를 조제했다.
입도 분포 조제 전 및 조제 후에 있어서의, 평균 입경(d50), 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90), 및, 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비(d90/d50)를, 하기 표에 정리해서 나타낸다.
[표 1]
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[접착제용 조성물 및 필름상 접착제의 조제]
(실시예 1)
트라이페닐 메테인형 에폭시 수지(상품명： EPPN－501H, 질량 평균 분자량： 1000, 연화점： 55℃, 반고체, 에폭시 당량： 167g/eq, 닛폰 카야쿠(日本火藥)(주)제) 56질량부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명： YD－128, 질량 평균 분자량： 400, 연화점： 25℃ 이하, 액체, 에폭시 당량： 190g/eq, 신닛카 에폭시 세이조(주)제) 49질량부, 비스페놀 A형 페녹시 수지(상품명： YP－50, 질량 평균 분자량： 70000, Tg： 84℃, 신닛카 에폭시 세이조(주)제) 30질량부 및 MEK 67질량부를 1000ml의 분리형 플라스크(separable flask) 속에 넣고 온도 110℃로 2시간 가열 교반하여, 수지 바니시를 얻었다.
그 다음, 이 수지 바니시를 800ml의 플래너터리(planetary) 믹서로 옮기고, 입도 분포를 조제한 No.1B의 무기 충전제 205질량부를 첨가해서, 이미다졸형 경화제(상품명： 2PHZ－PW, 시코쿠 카세이(四國化成)(주)제) 8.5질량부, 실란 커플링제(상품명： 사일라에이스(Sila-Ace) S－510, JNC 주식회사제) 3.0질량부를 더해 실온에서 1시간 교반 혼합 후, 진공 탈포(脫泡)해서 혼합 바니시를 얻었다.
그 다음, 얻어진 혼합 바니시를 두께 38㎛의 이형 처리된 PET 필름(박리 필름) 위에 도포해서, 130℃로 10분간 가열 건조하고, 세로 300㎜, 가로 200㎜, 두께가 8㎛인, 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 2)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.1B의 무기 충전제 313질량부, MEK　103질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 2의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 3)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.1B의 무기 충전제 475질량부, MEK　158질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 3의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 4)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.2B의 무기 충전제 205질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 4의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 5)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.2B의 무기 충전제 313질량부, MEK　103질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 5의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 6)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.2B의 무기 충전제 475질량부, MEK　158질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 6의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 7)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.3B의 무기 충전제 205질량부, 캡슐 필터 카트리지(상품명： CCPD－10, 형번 C1, 10㎛메시 필터)를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 7의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 8)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.3B의 무기 충전제 313질량부, MEK　103질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 8의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 9)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.3B의 무기 충전제 475질량부, MEK　158질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 9의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 10)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.4B의 무기 충전제 350질량부, MEK　88질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 10의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 11)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.4B의 무기 충전제 220질량부, MEK　88질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 11의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 12)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.4B의 무기 충전제 170질량부, MEK　88질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 12의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(실시예 13)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제한 No.4B의 무기 충전제 127질량부, MEK　88질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 실시예 13의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(비교예 1)
실시예 1에 있어서, 입도 분포를 조제하고 있지 않는 No.1A의 무기 충전제 313질량부, MEK　103질량부를 이용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 비교예 1의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(비교예 2)
비교예 1에 있어서, 입도 분포를 조제하고 있지 않는 No.2A의 무기 충전제 313질량부를 이용한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서, 비교예 2의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(비교예 3)
비교예 1에 있어서, 입도 분포를 조제하고 있지 않는 No.3A의 무기 충전제 313질량부를 이용한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서, 비교예 3의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(비교예 4)
비교예 1에 있어서, 입도 분포를 조제하고 있지 않는 No.4A의 무기 충전제 350질량부를 이용한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서, 비교예 4의 접착제용 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제를 얻었다.
(비교예 5)
비교예 5의 필름상 접착제 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제는, 비교예 1의 필름상 접착제 조성물 및 박리 필름 딸린 필름상 접착제와 동일하다.
웨이퍼 라미네이트 평가, 다이 어태치성 평가 및 접착력 평가에 있어서, 웨이퍼에의 접착 온도를 70℃로부터 100℃로, 리드 프레임 기판에의 열압착 온도를 120℃로부터 150℃로 변경하고, 평가를 행했다.
얻어진 박리 필름 딸린 필름상 접착제에 대해서, 상술한 대로, 표면 거칠기, 용융 점도, 열전도율, 웨이퍼 라미네이트 평가, 다이 어태치성 평가, 및, 접착력 평가를 행했다.
얻어진 결과를 접착제용 조성물 및 필름상 접착제의 조성과 함께, 하기 표 2에 정리해서 나타낸다.
[표 2－1]
Figure 112021064737374-pct00005
[표 2－2]
Figure 112021064737374-pct00006
[표 2－3]
Figure 112021064737374-pct00007
[표 2－4]
Figure 112021064737374-pct00008
＜표의 주(注)＞
무기 충전제의 란에서 「－」는, 그 성분을 함유하고 있지 않는 것을 의미한다.
비교예 5의 웨이퍼 라미네이트 평가, 다이 어태치 평가 및 접착력 평가에서「*」는, 웨이퍼에의 접착 온도를 70℃로부터 100℃로, 리드 프레임 기판에의 열압착 온도를 120℃로부터 150℃로 변경해서, 각각의 평가를 행한 것을 의미한다.
「무기 충전 재료[vol%]」는, 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 고분자 성분(C) 및 무기 충전재(D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 무기 충전재(D)의 비율(부피%)이다.
상기 표 2로부터, 이하의 것을 알 수 있다.
실시예 1∼13의 필름상 접착제는, 에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 고분자 성분(C) 및 무기 충전재(D)를 함유하고, 이들 성분(A)∼(D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 무기 충전제(D)의 비율이 30∼70부피%이고, 무기 충전제(D)는 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛로서, 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비가 5.0 이하인, 본 발명의 접착제용 조성물로부터 얻어진다. 이들 실시예 1∼10의 필름상 접착제는, 열전도성을 가지면서, 게다가, 두께 8㎛로 박형 필름이면서, 다이 어태치성 평가에서는 보이드의 발생이 관찰한 모든 반도체 칩에 있어서 관찰되지 않고, 또한, 높은 접착력도 나타내고(보이고), 접착성도 우수했다.
이에 반해, 비교예 1∼4는, 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛의 범위에 있지만, 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비가 5.0을 넘는 점에서, 본 발명에서 규정하는 접착제용 조성물로부터 얻어지는 필름상 접착제는 아니다. 비교예 1에서는 다이 어태치성 평가에 있어서 보이드의 발생이 4개의 반도체 칩에서 관찰되고, 비교예 2에서는 다이 어태치성 평가에 있어서 보이드의 발생이 8개의 반도체 칩에서 관찰되고, 게다가, 이들 비교예 1 및 2에서는, 접착력은 10MPa 미만으로 낮고, 접착성이 뒤떨어져 있었다. 비교예 3에서는, 다이 어태치성 평가에 있어서 보이드의 발생이 10개의 반도체 칩에서 관찰되고, 게다가, 접착력은 40MPa 미만으로 낮고, 접착성이 뒤떨어져 있었다. 비교예 4에서는, 다이 어태치성 평가에 있어서 보이드의 발생이 3개의 반도체 칩에서 관찰되고, 보이드의 발생 억제의 점에서, 뒤떨어져 있었다.
한편, 비교예 5는, 비교예 1과 동일한 필름상 접착제를 사용하고, 웨이퍼에의 접착 온도를 70℃로부터 100℃로, 리드 프레임 기판에의 열압착 온도를 120℃로부터 150℃로 변경한 예이다. 이 비교예 5에서는, 웨이퍼에의 접착 온도 및 리드 프레임 기판에의 열압착 온도를 조정하는 것에 의해, 다이 어태치성 평가에 있어서 보이드의 발생이 전혀 관찰되지 않았지만, 접착력은 10MPa 미만으로 낮고, 접착성이 뒤떨어져 있었다. 다시 말해, 두께 10㎛ 미만의, 박형 필름상 접착제의 형태에 있어서는, 보이드의 발생 유무와 접착력 사이에는 반드시 상관관계가 없고, 본 발명의 접착제용 조성물로부터 얻어지는 필름상 접착제를 이용하는 것에 의해, 보이드 발생의 억제와 우수한 접착성을 양립할 수 있다는 것을 알 수 있었다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부(細部)에 있어서도 한정하려고 하는 것은 아니고, 첨부하는 청구범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되어야 할 것이라 생각한다.
본원은, 2019년 8월 22일에 일본에서 특허 출원된 특원2019－152371에 기초하는 우선권을 주장하는 것이고, 이것은 여기에 참조해서 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 내포한다(포함시킨다).
1: 반도체 웨이퍼
2: 필름상 접착제 층
3: 다이싱 테이프
4: 반도체 칩
5: 필름상 접착제 딸린 반도체 칩
6: 배선 기판
7: 본딩 와이어
8: 봉지 수지
9: 반도체 패키지

Claims (8)

  1. 하기 접착제용 조성물에 의해 얻어진 필름상(狀) 접착제로서,
    상기 필름상 접착제의 표면의 산술 평균 조도 Ra가 3.0㎛ 이하이고,
    상기 필름상 접착제의 두께가 1㎛ 이상 10㎛ 미만의 범위인 것을 특징으로 하는, 필름상 접착제.
    <접착제용 조성물>
    에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 고분자 성분(C) 및 무기 충전재(D)를 함유하고,
    상기 고분자 성분(C)이 페녹시 수지를 포함하고,
    상기 무기 충전재(D)가, 하기 (1) 및 (2)의 조건을 만족하고,
    상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전재 (D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 상기 무기 충전재(D)의 비율이 20∼70부피%인 접착제용 조성물.
    (1) 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛이다.
    (2) 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비가 5.0 이하이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 필름상 접착제를 25℃로부터 5℃/분의 승온 속도로 승온했을 때, 70℃에서 용융 점도가 6000∼50000Pa·s의 범위에 도달하고, 120℃에서 용융 점도가 500∼10000Pa·s의 범위에 도달하고,
    열경화 후에 열전도율 1.0W/m·K 이상의 경화체(硬化體)를 부여하는 것을 특징으로 하는, 필름상 접착제.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 무기 충전재(D)의 평균 입경(d50)보다 상기 필름상 접착제의 두께가 두꺼운 것을 특징으로, 필름상 접착제.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 무기 충전재(D)의 평균 입경(d50)보다 상기 필름상 접착제의 두께가 4.8㎛ 이상 두꺼운 것을 특징으로 하는, 필름상 접착제.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 무기 충전재(D)가, 열전도성 재료로 이루어지는 입자 또는 그 열전도성 재료로 표면 피복되어 이루어지는 입자로서, 상기 열전도성 재료의 열전도율이 12W/m·K 이상인 것을 특징으로 하는, 필름상 접착제.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 필름상 접착제의 제조 방법으로서,
    하기 접착제 조성물을 이형 처리된 기재 필름 상에 도공 및 건조하여 제조하는 것을 특징으로 하는, 필름상 접착제의 제조 방법.
    <접착제용 조성물>
    에폭시 수지(A), 에폭시 수지 경화제(B), 고분자 성분(C) 및 무기 충전재(D)를 함유하고,
    상기 고분자 성분(C)이 페녹시 수지를 포함하고,
    상기 무기 충전재(D)가, 하기 (1) 및 (2)의 조건을 만족하고,
    상기 에폭시 수지(A), 상기 에폭시 수지 경화제(B), 상기 고분자 성분(C) 및 상기 무기 충전재 (D)의 각 함유량의 합계에서 차지하는 상기 무기 충전재(D)의 비율이 20∼70부피%인 접착제용 조성물.
    (1) 평균 입경(d50)이 0.1∼3.5㎛이다.
    (2) 평균 입경(d50)에 대한 누적 분포 빈도 90%시의 입경(d90)의 비가 5.0 이하이다.
  7. 표면에 적어도 1개의 반도체 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 필름상 접착제를 열압착해서 접착제 층을 마련하고, 이 접착제 층을 거쳐서 다이싱 테이프를 마련하는 제1의 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼와 상기 접착제 층을 동시에 다이싱하는 것에 의해, 다이싱 테이프 위에, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 접착제 층을 구비하는 접착제 층 딸린 반도체 칩을 얻는 제2의 공정과,
    상기 접착제 층으로부터 상기 다이싱 테이프를 제거하고, 상기 접착제 층 딸린 반도체 칩과 배선 기판을 상기 접착제 층을 거쳐서 열압착하는 제3의 공정과,
    상기 접착제 층을 열경화하는 제4의 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지의 제조 방법.
  8. 반도체 칩과 배선 기판, 또는, 반도체 칩 사이가, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 필름상 접착제의 열경화체에 의해 접착되어 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6902641B1 (ja) * 2020-03-13 2021-07-14 古河電気工業株式会社 ダイシングダイアタッチフィルム、並びに、ダイシングダイアタッチフィルムを用いた半導体パッケージ及びその製造方法
JP6935605B1 (ja) * 2021-03-26 2021-09-15 古河電気工業株式会社 ダイシングダイアタッチフィルム及びその製造方法、並びに半導体パッケージ及びその製造方法
JP6989721B1 (ja) * 2021-03-26 2022-01-05 古河電気工業株式会社 ダイシングダイアタッチフィルム及びその製造方法、並びに半導体パッケージ及びその製造方法
CN113307541A (zh) * 2021-06-03 2021-08-27 中国振华集团云科电子有限公司 一种碳氢树脂陶瓷粘结片及其批量化生产工艺
WO2023286389A1 (ja) * 2021-07-13 2023-01-19 古河電気工業株式会社 熱伝導性フィルム状接着剤、半導体パッケージ及びその製造方法
JP7178529B1 (ja) * 2021-07-13 2022-11-25 古河電気工業株式会社 熱伝導性フィルム状接着剤、半導体パッケージ及びその製造方法
JP7223090B1 (ja) 2021-09-28 2023-02-15 古河電気工業株式会社 接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
CN116670829A (zh) 2021-12-27 2023-08-29 古河电气工业株式会社 粘接剂用组合物和膜状粘接剂、以及使用了膜状粘接剂的半导体封装及其制造方法
WO2023178472A1 (en) * 2022-03-21 2023-09-28 Wacker Chemie Ag A composition
JP7383206B1 (ja) 2022-03-30 2023-11-17 古河電気工業株式会社 熱伝導性フィルム状接着剤用組成物及び熱伝導性フィルム状接着剤、並びに、熱伝導性フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
DE102022120396A1 (de) 2022-08-12 2024-02-15 Delo Industrie Klebstoffe Gmbh & Co. Kgaa Verwendung einer härtbaren und wiederlösbaren Masse zur Herstellung eines Bauteils, und Masse dafür

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009179488A (ja) 2008-01-29 2009-08-13 Tokuyama Corp 射出成形用窒化アルミニウム組成物、窒化アルミニウム焼結体および窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2009231494A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Sekisui Chem Co Ltd ダイボンディングフィルム、接着シート及び半導体チップの製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58173591A (ja) 1982-04-02 1983-10-12 松下電器産業株式会社 ミシン速度設定装置
JP5134747B2 (ja) * 2000-11-28 2013-01-30 日立化成工業株式会社 接着フィルム及び半導体装置
JP2010218975A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁シート、積層板及び多層積層板
JP5742375B2 (ja) * 2010-03-31 2015-07-01 東レ株式会社 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート
JP5354753B2 (ja) * 2011-01-13 2013-11-27 信越化学工業株式会社 アンダーフィル材及び半導体装置
JP5871428B2 (ja) * 2011-03-16 2016-03-01 古河電気工業株式会社 高熱伝導性フィルム状接着剤用組成物、高熱伝導性フィルム状接着剤、並びに、それを用いた半導体パッケージとその製造方法
JP5834450B2 (ja) * 2011-03-31 2015-12-24 大日本印刷株式会社 無機ナノ粒子分散液を含む樹脂組成物及び硬化物
JP2012228771A (ja) * 2011-04-13 2012-11-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 樹脂製保護層を有するワイヤソー、ワイヤソーを用いた切断方法
JP6366228B2 (ja) 2013-06-04 2018-08-01 日東電工株式会社 接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルム
US9153513B2 (en) * 2013-07-19 2015-10-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Epoxy resin composition and semiconductor apparatus prepared using the same
JP2015129226A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6619628B2 (ja) * 2015-11-20 2019-12-11 旭化成株式会社 接着フィルム用エポキシ樹脂組成物。
CN107406742B (zh) * 2016-03-15 2020-12-29 古河电气工业株式会社 膜状接合剂用组合物、膜状接合剂及制造方法、使用膜状接合剂的半导体封装及制造方法
WO2017220137A1 (en) 2016-06-22 2017-12-28 Evonik Degussa Gmbh Curable liquid epoxy resin compositions useful as underfill material for semiconductor devices
KR102040529B1 (ko) * 2016-08-19 2019-11-06 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 다이 어태치 페이스트 및 반도체 장치
JP2018168234A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 東レ株式会社 電子部品保護用接着剤シート
JP6615150B2 (ja) * 2017-05-01 2019-12-04 古河電気工業株式会社 接着フィルム、半導体ウェハ加工用テープ、半導体パッケージおよびその製造方法
JP6800129B2 (ja) * 2017-11-07 2020-12-16 古河電気工業株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージの製造方法
JP7401961B2 (ja) * 2017-11-10 2023-12-20 住友ベークライト株式会社 熱硬化性樹脂組成物、回路基板、及び、回路基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009179488A (ja) 2008-01-29 2009-08-13 Tokuyama Corp 射出成形用窒化アルミニウム組成物、窒化アルミニウム焼結体および窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2009231494A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Sekisui Chem Co Ltd ダイボンディングフィルム、接着シート及び半導体チップの製造方法

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