KR102522798B1 - Light emitting device package, light emitting module and display device having the same - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치에 관한 것이다.
실시예는 상호 이격된 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 기판과, 상기 제2 전극의 제1 영역 상에 배치되는 제1 발광소자와, 상기 기판 상의 상기 제1 발광소자 상에 배치되는 몰딩부 및 상기 몰딩부와 열팽창 특성이 동일한 재료로 이루어진 지지층과, 상기 지지층 내에 배치된 투광성 도전층을 포함하는 제1 투광성 연결전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극과 상기 제1 발광소자는 상기 제1 투광성 연결전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device.
The embodiment is a substrate having a first electrode and a second electrode spaced apart from each other, a first light emitting element disposed on a first region of the second electrode, and a molding disposed on the first light emitting element on the substrate. and a first light-transmitting connection electrode including a support layer made of a material having the same thermal expansion characteristics as the molding part, and a light-transmitting conductive layer disposed in the support layer. The first electrode and the first light emitting element may be electrically connected by the first light-transmitting connection electrode.

Description

발광소자 패키지, 발광모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}Light emitting device package, light emitting module and display device including the same

실시예는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, and a lighting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when a current is applied thereto. A light emitting diode can emit light with high efficiency at a low voltage and thus has an excellent energy saving effect. Recently, the luminance problem of light emitting diodes has been greatly improved, and they are applied to various devices such as backlight units of liquid crystal display devices, electronic signboards, displays, and home appliances.

한편 종래 디스플레이 장치는 액정표시장치(LCD)를 채용하고, 이러한 액정표시 장치는 발광다이오드가 실장 된 복수의 발광소자 패키지의 광원 및 액정의 투과율을 제어하여 컬러필터를 통과하는 빛으로 이미지 또는 영상을 표시한다.On the other hand, a conventional display device employs a liquid crystal display (LCD), and such a liquid crystal display device displays an image or video with light passing through a color filter by controlling the light sources of a plurality of light emitting device packages mounted with light emitting diodes and the transmittance of liquid crystals. display

구체적으로, 종래 액정표시장치는 광원모듈 및 광학 시트들을 포함하는 백라이트 유닛과, TFT 어레이 기판, 컬러필터 기판 및 액정층을 포함하는 액정표시패널을 포함한다. 일반적인 광원 모듈은 리드프레임 기판 상에 발광 칩이 실장된 복수의 발광소자 패키지와, 복수의 발광소자 패키지가 실장되는 인쇄회로기판을 포함하고, 광원 모듈 및 액정표시패널을 구동시키는 구동회로를 포함하는 구동 기판을 더 포함한다.Specifically, a conventional liquid crystal display device includes a backlight unit including a light source module and optical sheets, and a liquid crystal display panel including a TFT array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer. A general light source module includes a plurality of light emitting device packages on which light emitting chips are mounted on a lead frame substrate, a printed circuit board on which the plurality of light emitting device packages are mounted, and a driving circuit for driving the light source module and the liquid crystal display panel. It further includes a driving board.

최근에는 Full HD 이상의 고화질이면서 대면적 표시장치가 요구되고 있다. Full HD는 기존 LCD TV 또는 PDP TV에 기본 사양인 HD급보다 화질이 2배 이상 개선된 기술이며, 일반 TV 사양인 SD급보다는 6배 이상 화질을 개선한 기술로서, Full HD 디스플레이는 HD 디스플레이 또는 SD급 디스플레이보다 화면의 픽셀 수도 많고 픽셀 사이즈가 더 작다.Recently, a display device with a high resolution of Full HD or higher and a large area is required. Full HD is a technology that improves the picture quality more than twice as much as the HD level, which is the basic specification for existing LCD TVs or PDP TVs, and improves the picture quality more than six times compared to the SD level, which is a general TV specification. The number of pixels on the screen is larger and the pixel size is smaller than SD-class displays.

그런데, 종래 주로 사용되고 있는 복잡한 구성들을 갖는 액정표시장치(LCD)나 유기전계 표시장치는 수율이나 비용에 의해 Full HD급의 고화질이면서 100 인치 이상의 대면적 표시장치를 구현하기에 어려움이 있다.However, liquid crystal displays (LCDs) or organic light emitting diode displays (OLEDs) having complex configurations, which are mainly used in the related art, have difficulties in realizing a large-area display of 100 inches or more with Full HD-class high-definition due to yield or cost.

또한 종래기술의 LED를 이용한 디스플레이 장치가 있기는 하나, 종래 LED를 이용한 디스플레이 장치에서 청색(Blue) LED, 녹색(Green) LED 및 적색(RED) LED를 사용하게 되는데, 적색 LED의 경우 전도성 기판에 수직형 구조로 형성됨에 따라, 와이어(wire) 본딩 공정이 진행되게 된다. In addition, although there is a display device using a conventional LED, a blue LED, a green LED, and a red LED are used in a display device using a conventional LED. In the case of the red LED, the conductive substrate As the vertical structure is formed, a wire bonding process is performed.

그런데, 이러한 와이어 본딩 공정은 캐리어 주입을 위해 필요한 공정이기는 하나, 공정수율을 저하시킬 뿐만 아니라, 이후 진행되는 몰딩 물질과의 열팽창 계수 차이에 의해 몰딩부와 발광소자의 와이어 간의 전기적, 기계적 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.However, although this wire bonding process is a process necessary for carrier injection, it not only lowers the process yield, but also reduces the electrical and mechanical reliability between the molding part and the wire of the light emitting device due to the difference in thermal expansion coefficient from that of the subsequent molding material. there is a problem

또한 종래기술에 의하면, 와이어와 기판의 리드전극 간의 결합력 이슈로 인해 기계적, 전기적 신뢰성이 이슈가 있고, 와이어 단선의 우려가 있어 제품 불량까지 발생할 수 있는 문제가 있다.In addition, according to the prior art, there is an issue of mechanical and electrical reliability due to an issue of bonding force between the wire and the lead electrode of the substrate, and there is a concern about wire disconnection, which may cause product defects.

또한 종래기술에서 채용되는 와이어는 투광성이 낮아 광 차단이 생김으로써 광 출력이 저하되는 문제가 있다.In addition, the wire employed in the prior art has a problem in that light output is reduced due to light blocking due to low light transmittance.

또한 종래기술에 의하면 발광소자가 기판 상에 배치됨에 따라, 발광소자가 차지하는 공간이 커지고 이에 따라, 제품의 슬림화에 장벽이 되고 있으며, 발광다이오드와 기판의 리드전극 간의 결합력의 이슈에 의해 기계적, 전기적 신뢰성의 이슈도 있다.In addition, according to the prior art, as the light emitting element is disposed on the substrate, the space occupied by the light emitting element increases, thereby becoming a barrier to slimming the product, and mechanical and electrical There is also the issue of reliability.

또한, 종래기술에서 LED를 기판의 리드프레임에 실장하기 위해서는 솔더 페이스팅(pasting) 공정이 진행되는데, 와이어 공정과 마찬가지로 공정의 수율이 저하되고, 솔더 볼이 불필요하게 존재하는 경우 쇼트(short)의 문제 등이 발생할 수 있다.In addition, in the prior art, in order to mount the LED on the lead frame of the board, a solder pasting process is performed. As in the wire process, the yield of the process is lowered, and when solder balls are present unnecessarily, short circuits occur. problems may occur.

한편, 종래기술의 LED를 이용한 디스플레이 장치에서는 하나의 픽셀 내에 배치되는 복수의 발광다이오드 간의 광 혼합 및 불 균일한 휘도에 의해 볼륨 발광이 저하되는 문제가 있다.On the other hand, in the display device using the prior art LED, there is a problem in that volume light emission is lowered due to light mixing between a plurality of light emitting diodes disposed in one pixel and uneven luminance.

실시예는 대면적이면서도 Full HD 이상의 고화질 표시장치 기능을 제공할 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공하고자 한다.Embodiments are intended to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device capable of providing functions of a large-area yet high-definition display device equal to or greater than Full HD.

또한 실시예는 발광소자의 외부 연결전극과 몰딩부와 관계에서 기계적, 전기적 신뢰성 이슈가 최소화될 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공하고자 한다.In addition, embodiments are intended to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device that can minimize mechanical and electrical reliability issues in relation to an external connection electrode and a molding portion of the light emitting device.

또한 실시예는 발광소자의 외부 연결전극과 기판의 리드전극 간의 관계에서 기계적, 전기적 신뢰성 이슈가 최소화될 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공하고자 한다.In addition, embodiments are intended to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device capable of minimizing mechanical and electrical reliability issues in the relationship between the external connection electrode of the light emitting device and the lead electrode of the substrate. do.

또한 실시예는 발광소자의 외부 연결전극에 의해 광 흡수나 광 차단을 최소화하여 광출력(Po)을 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device that can improve light output Po by minimizing light absorption or light blocking by an external connection electrode of the light emitting device. want to provide

또한 실시예는 발광소자가 차지하는 공간을 최소화하여 슬림화에 유리하면서도 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공하고자 한다.In addition, embodiments are intended to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device having excellent mechanical and electrical reliability while minimizing the space occupied by the light emitting device and being advantageous for slimming.

또한 실시예는 수직형 발광소자에서 와이어 공정을 대체하거나 생략하여 패키징 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, embodiments are intended to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or a manufacturing method thereof that can significantly improve packaging process efficiency by replacing or omitting a wire process in a vertical light emitting device. do.

또한 실시예는 페이스팅 공정을 대체하거나 생략하여 패키징 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, embodiments are intended to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or a manufacturing method thereof capable of significantly improving packaging process efficiency by replacing or omitting a pasting process.

또한 실시예는 픽셀 내에 배치되는 복수의 발광다이오드 간의 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있고, 볼륨 발광이 가능한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment provides a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device capable of implementing uniform color and uniform luminance between a plurality of light emitting diodes disposed in a pixel and capable of volume light emission. want to do

실시예에 따른 발광소자는 상호 이격된 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 기판; 상기 제2 전극의 제1 영역 상에 배치되는 제1 발광소자; 상기 기판 상의 상기 제1 발광소자 상에 배치되는 몰딩부; 및 상기 몰딩부와 열팽창 특성이 동일한 재료로 이루어진 지지층과, 상기 지지층 내에 배치된 투광성 도전층을 포함하는 제1 투광성 연결전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극과 상기 제1 발광소자는 상기 제1 투광성 연결전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate having a first electrode and a second electrode spaced apart from each other; a first light emitting element disposed on the first region of the second electrode; a molding part disposed on the first light emitting element on the substrate; and a first light-transmitting connection electrode including a support layer made of a material having the same thermal expansion characteristics as the molding part and a light-transmitting conductive layer disposed in the support layer. The first electrode and the first light emitting element may be electrically connected by the first light-transmitting connection electrode.

또한 실시예에 따른 발광소자 패키지는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120); 상기 제2 전극의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151);를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment includes a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other; A first light emitting element 151 disposed on the first region 132I of the second electrode.

상기 제1 발광소자(151)는, 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제1 투광성 연결전극(181)을 포함하고, 상기 제1 투광성 연결전극(181)은 상기 제1 발광소자(151)의 외측으로 연장되어 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first light-emitting element 151 includes a first light-transmitting connection electrode 181 electrically connected to the first electrode 131, and the first light-transmitting connection electrode 181 is the first light-emitting element ( 151) and may be electrically connected to the first electrode 131.

또한 실시예에 따른 발광소자 패키지는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120); 상기 제2 전극(132)의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151);를 포함하고, 상기 제1 전극(131)은 상기 제2 전극(132)보다 높이 돌출된 제1 돌출전극(131d)을 포함하고, 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제2 투광성 연결전극(182)을 포함하고, 상기 제2 투광성 연결전극(182)은 상기 제1 발광소자(151) 외측으로 연장되어 상기 제1 돌출전극(131d)과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment includes a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other; and a first light emitting element 151 disposed on the first region 132I of the second electrode 132, wherein the first electrode 131 protrudes higher than the second electrode 132. 1 includes a protruding electrode 131d, and the first light emitting element 151 includes a second light-transmitting connection electrode 182 electrically connected to the first electrode 131, and the second light-transmitting connection electrode ( 182) may extend outside the first light emitting element 151 and be electrically connected to the first protruding electrode 131d.

또한 실시예에 따른 발광소자 패키지는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120); 상기 제2 전극(132)의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151);를 포함하고, 상기 제2 전극(132)은 상기 제1 발광소자(151)가 배치되는 제1 영역(132I)에 제2 리세스(R2)를 포함하고, 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제3 투광성 연결전극(183)을 포함하고, 상기 제3 투광성 연결전극(183)은 상기 제1 발광소자(151) 외측으로 연장되어 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment includes a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other; and a first light emitting element 151 disposed on the first region 132I of the second electrode 132, wherein the second electrode 132 has a first light emitting element 151 disposed thereon. The first region 132I includes a second recess R2, and the first light emitting element 151 includes a third light-transmitting connection electrode 183 electrically connected to the first electrode 131, The third light-transmitting connection electrode 183 may extend outside the first light emitting element 151 and be electrically connected to the first electrode 131 .

또한 실시예에 따른 발광소자 패키지는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120); 상기 제2 전극(132)의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151);를 포함하고, 상기 제2 전극(132)은 상기 제1 발광소자(151)가 배치되는 영역에 제2 리세스(R2)를 포함하고, 상기 제2 리세스(R2)에는 제1 투과홀(H1)을 구비하며, 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제4 투광성 연결전극(184)을 포함하고, 상기 제4 투광성 연결전극(184)은 상기 제1 발광소자(151) 외측으로 연장되어 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment includes a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other; and a first light emitting element 151 disposed on the first region 132I of the second electrode 132, wherein the second electrode 132 is the region where the first light emitting element 151 is disposed. A second recess R2 is provided in the second recess R2, a first transmission hole H1 is provided, and the first light emitting element 151 is electrically connected to the first electrode 131. and a fourth light-transmitting connection electrode 184 connected to, and the fourth light-transmitting connection electrode 184 extends outside the first light emitting element 151 and is electrically connected to the first electrode 131. .

또한 실시예의 발광모듈은 상기 발광소자 패키지 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting module of the embodiment may include any one or more of the light emitting device packages.

또한 실시예에 따른 디스플레이 장치는 상기 발광 모듈을 포함할 수 있다. Also, the display device according to the embodiment may include the light emitting module.

실시예는 발광소자를 구비한 디스플레이 장치 구현에 의해, 대면적이면서도 Full HD 이상의 고화질 표시장치 기능이 가능한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device capable of functioning as a high-definition display device having a large area and higher than Full HD by implementing a display device having a light emitting device. .

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 몰딩부의 물질과 열팽창 계수차이가 적은 물질을 채용함으로써 몰딩부와 관계에서 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment adopts a material having a small thermal expansion coefficient difference from the material of the molding part as the material of the connection electrode connecting the light emitting element and the electrode of the substrate, so that the light emitting element, semiconductor element, and light emitting element having excellent mechanical and electrical reliability in relation to the molding part A device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 유연한 물질(flexible material)을 채용함으로써 몰딩부와 관계에서 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment adopts a flexible material as the material of the connection electrode connecting the light emitting device and the electrode of the substrate, so that the light emitting device, semiconductor device, light emitting device package, light emitting device having excellent mechanical and electrical reliability in relation to the molding part A module, display device, or lighting device may be provided.

또한 실시예는 발광소자의 연결전극이 기판의 전극과 결합되는 위치에 결합홈을 구비함으로써 발광소자의 연결전극과 기판의 전극 간의 결합력이 향상되어 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a coupling groove at a position where the connecting electrode of the light emitting device is coupled to the electrode of the substrate, thereby improving the bonding strength between the connecting electrode of the light emitting device and the electrode of the substrate, thereby providing a light emitting device, semiconductor device, light emitting device having excellent mechanical and electrical reliability. A device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 투광성 전극을 채용함으로써 광 흡수나 광 차단을 최소화하여 광출력(Po)을 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment is a light emitting device, a semiconductor device, and a light emitting device capable of improving light output (Po) by minimizing light absorption or light blocking by employing a light-transmitting electrode as a material for a connection electrode connecting a light emitting device and an electrode of a substrate. A package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한, 실시예는 발광소자가 배치되는 기판의 전극 또는 기판에 리세스를 구비하여 발광소자가 돌출되는 공간의 최소화하면서도 발광소자와 기판의 전극 간의 결합력을 향상시켜 슬림화에 유리하면서도 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a recess on the substrate or electrode of the substrate on which the light emitting element is disposed to minimize the space in which the light emitting element protrudes and improve the bonding force between the light emitting element and the electrode of the substrate, which is advantageous for slimming and mechanical and electrical reliability. An excellent light emitting device, semiconductor device, light emitting device package, light emitting module, display device, or lighting device can be provided.

또한 실시예는 자성체를 이용한 실장공정을 통해 수직형 발광소자에서 와이어 공정을 생략하여 패키징 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment is a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or the like that can significantly improve packaging process efficiency by omitting a wire process in a vertical light emitting device through a mounting process using a magnetic material. A manufacturing method can be provided.

또한 실시예는 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 가능하도록 하는 자성체가 실장 공정 이후에는 방열구조로 기능할 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment is a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or the like that can function as a heat dissipation structure after the mounting process of a magnetic material enabling a self-mounting mounting process. A manufacturing method can be provided.

또한 실시예는 기판의 전극 상에 페이스층을 미리 형성함으로써 실장공정에서 별도의 페이스팅 공정생략(pasting less process)함으로써 와이어 공정을 생략한 공정과 더불어 셀프 마운팅(Self-mounting) 패키징 공정 효율을 비약적으로 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment significantly improves the efficiency of the self-mounting packaging process along with the process of omitting the wire process by omitting a separate pasting process in the mounting process by forming the face layer on the electrode of the substrate in advance. It is intended to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or a manufacturing method that can be improved.

또한, 실시예는 픽셀의 중심으로부터 일정한 곡률 범위 내에 발광소자들이 배치됨으로써 복수의 발광다이오드 간의 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있고, 볼륨 발광이 가능한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, in the embodiment, uniform color and uniform luminance among a plurality of light emitting diodes can be implemented by arranging light emitting devices within a certain curvature range from the center of a pixel, and a light emitting device capable of volume light emission, a semiconductor device, a light emitting device package, and a light emitting device. A module, display device, or lighting device may be provided.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 3a 내지 도 3c는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 4a는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 4b는 도 4a의 부분 확대도.
도 5는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 6은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 7은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 8는 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 9는 제7 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 10은 제8 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 11a 내지 도 11d는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정 단면도.
도 12는 실시예의 표시장치의 사시도.
도 13은 실시예의 표시장치의 평면도. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment;
2 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment;
3A to 3C are cross-sectional views of the light emitting device package according to the first embodiment.
4A is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment.
Figure 4b is a partial enlarged view of Figure 4a.
5 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment.
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a fourth embodiment.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a fifth embodiment.
8 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a sixth embodiment.
9 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a seventh embodiment.
10 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an eighth embodiment.
11A to 11D are cross-sectional views of a manufacturing process of a light emitting device package according to an embodiment.
Fig. 12 is a perspective view of a display device according to an embodiment;
Fig. 13 is a plan view of the display device of the embodiment;

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings.

(실시예)(Example)

실시예는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, and a lighting device.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 평면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package 100 according to an embodiment, and FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package 100 according to an embodiment.

도 1을 기초로 설명하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 발광모듈 또는 표시장치에서의 하나의 화소와 대응될 수 있으며, 기판(120), 적어도 하나의 전극(131, 132, 133, 134), 적어도 하나의 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the light emitting device package 100 according to the embodiment may correspond to one pixel in a light emitting module or a display device, and includes a substrate 120 and at least one electrode 131, 132, and 133 , 134), at least one of the light emitting elements 151, 152, and 153, and at least one of the molding part 170.

예를 들어, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 기판(120), 제1 내지 제4 전극(131, 132, 133, 134), 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the light emitting device package 100 according to the embodiment includes a substrate 120, first to fourth electrodes 131, 132, 133, and 134, and first to third light emitting devices 151, 152, and 153. And at least one of the molding part 170 may be included.

실시예에서 제1 발광소자(151)는 수직형 발광소자로 예시하고, 제2 발광소자(152)와 제3 발광소자(153)는 수평형 발광소자로서 플립칩 형태로 도시하고 있으나, 발명이 이에 한정되는 것이 아니며, 종래 와이어가 필요했던 모든 형태의 발광소자 칩에 실시예에 따른 기술적인 특징이 적용 가능하다.In the embodiment, the first light emitting device 151 is illustrated as a vertical light emitting device, and the second light emitting device 152 and the third light emitting device 153 are shown as horizontal light emitting devices in a flip chip form, but the present invention It is not limited thereto, and the technical features according to the embodiment can be applied to all types of light emitting device chips that required conventional wires.

예를 들어, 제1 발광소자(151)에 채용되는 투광성 연결전극(181)의 기술적 특징은 제2 발광소자(152) 또는 제3 발광소자(153)가 플립칩이 아닌 와이어를 이용한 통상의 실장방식으로 마운팅되었던 모든 형태의 발광소자 칩에 적용이 가능하다.For example, the technical feature of the light-transmitting connection electrode 181 employed in the first light emitting element 151 is that the second light emitting element 152 or the third light emitting element 153 is mounted in a normal manner using a wire rather than a flip chip. It can be applied to all types of light emitting device chips mounted in this way.

실시예에 의하면 발광소자를 구비한 디스플레이 장치 구현에 의해, 발광소자 패키지를 모듈 형태의 대면적 적용이 가능하므로, 대면적이면서도 Full HD 이상의 고화질 표시장치 기능이 가능한 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, since the light emitting device package can be applied to a large area in the form of a module by implementing a display device having a light emitting device, a light emitting device package, a light emitting module, and a display device capable of functioning as a high-definition display device having a large area and higher than Full HD. , or a lighting device may be provided.

상기 제1 전극(131)은 제1 하부전극(131c)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(132)은 제2 하부전극(132c)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제3 전극(133)은 제3 하부전극(133c)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제4 전극(134)은 제4 하부전극(134c)(도 3 참조)과 전기적으로 연결될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 131 may be electrically connected to the first lower electrode 131c, the second electrode 132 may be electrically connected to the second lower electrode 132c, and the third electrode 133 may be electrically connected to the second lower electrode 132c. It may be electrically connected to the third lower electrode 133c, and the fourth electrode 134 may be electrically connected to the fourth lower electrode 134c (see FIG. 3), but is not limited thereto.

실시예에서 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제1 투광성 연결전극(181)을 포함할 수 있다.In an embodiment, the first light emitting device 151 may include a first light-transmitting connection electrode 181 electrically connected to the first electrode 131 .

상기 제1 투광성 연결전극(181)은 광의 투과를 방해하지 않으면서 전기가 흐를 수 있도록 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 물질은 몰딩부의 물질과 유사한 열팽창 계수를 구비하는 물질을 포함할 수 있다. The first light-transmitting connection electrode 181 may include a transparent conductive material so that electricity can flow without interfering with light transmission. In addition, the material of the first light-transmitting connection electrode 181 may include a material having a thermal expansion coefficient similar to that of the molding part.

예를 들어, 상기 제1 투광성 연결전극(181)은 금속산화물, 예를 들어 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 중 적어도 하나 포함하여 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.For example, the first light-transmitting connection electrode 181 may be formed of a metal oxide such as indium tin oxide, indium zinc oxide, copper oxide, or tin oxide. ), zinc oxide, and titanium oxide, and may be formed as a single layer or a plurality of layers.

실시예에 의하면, 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 몰딩부의 물질과 열팽창 계수차이가 적은 물질을 채용함으로써 발광소자 작동 시 몰딩부와 투광성 연결전극이 유사한 열팽창 또는 열수축이 진행됨으로써 발광소자의 크랙이 발생이 낮아 기계적 신뢰성이 우수하고, 결함 발생이 낮아 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, by using a material having a small thermal expansion coefficient difference from the material of the molding part as the material of the connection electrode connecting the light emitting element and the electrode of the substrate, similar thermal expansion or contraction proceeds between the molding part and the light-transmitting connection electrode during the operation of the light emitting element. It is possible to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device having excellent mechanical reliability due to low occurrence of cracks in the light emitting device and excellent electrical reliability due to low occurrence of defects.

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 광 투광성 물질을 채용함으로써 투광성 연결전극에 의해 광 흡수나 광 차단을 최소화하여 광출력(Po)을 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment employs a light-transmitting material as the material of the connection electrode connecting the light-emitting element and the electrode of the substrate, thereby minimizing light absorption or light blocking by the light-transmitting connection electrode to improve the light output (Po). , a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

다음으로, 도 2를 기초로 설명하면, 실시예에서 제2 전극(132) 상에는 복수의 발광소자가 배치되는 복수의 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(132)은 제1 발광소자(151)가 배치되는 제1 영역(132I)과, 제2 발광소자(152)가 배치되는 제2 영역(132II)과 제3 발광소자(153)가 배치되는 제3 영역(132III)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 전극(132)에서 제1 영역(132I) 내지 제3 영역(132III)은 개념적으로 구분될 수 있는 영역이며, 물리적으로 분리 이격된 영역은 아닐 수 있다.Next, referring to FIG. 2 , in an embodiment, a plurality of regions in which a plurality of light emitting elements are disposed may be included on the second electrode 132 . For example, the second electrode 132 includes a first region 132I where the first light emitting element 151 is disposed, a second region 132II where the second light emitting element 152 is disposed, and a third light emitting element. The third region 132III in which 153 is disposed may be included, but is not limited thereto. In the second electrode 132, the first region 132I to the third region 132III are regions that can be conceptually distinguished, and may not be physically separated and separated regions.

상기 제1 발광소자(151)는 적색(Red) 발광소자일 수 있으며, 상기 제2 발광소자(152)는 청색(Blue) 발광소자일 수 있으며, 상기 제3 발광소자(153)는 녹색(Green) 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first light emitting device 151 may be a red light emitting device, the second light emitting device 152 may be a blue light emitting device, and the third light emitting device 153 may be a green light emitting device. ) may be a light emitting device, but is not limited thereto.

상기 기판(120)은 다각형 구조일 수 있다. 예컨대, 상기 기판(120)은 4개의 모서리 및 4개의 외측면을 포함할 수 있고, 상부면 및 하부면이 평평한 판 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The substrate 120 may have a polygonal structure. For example, the substrate 120 may include four corners and four outer surfaces, and may have a flat plate shape with upper and lower surfaces, but is not limited thereto.

상기 기판(120)은 평면도는 정사각형 구조일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 기판(120)의 평면도는 소정의 표시장치의 화소 구조와 대응될 수 있다. 예컨대 상기 기판(120)의 평면도는 직사각형, 다각형, 타원형, 원형 등 다양하게 변경될 수 있다. 실시예의 상기 기판(120)은 화소 1개의 크기에 대응되는 크기일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 화소 1개의 크기가 0.8mm 일 경우, 기판의 크기는 0.6mm X 0.6mm 일 수 있다.The substrate 120 may have a square structure in plan view, but is not limited thereto. A plan view of the substrate 120 may correspond to a pixel structure of a predetermined display device. For example, the plan view of the substrate 120 may be variously changed such as a rectangle, a polygon, an ellipse, and a circle. The substrate 120 of the embodiment may have a size corresponding to the size of one pixel, but is not limited thereto. For example, when the size of one pixel is 0.8 mm, the size of the substrate may be 0.6 mm X 0.6 mm.

상기 기판(120)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 중 어느 하나로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The substrate 120 may be formed in a single layer or multilayer with any one of a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. can

실시예에서 상기 제2 전극(132), 제3 전극(133) 또는 제4 전극(134)의 각각의 일단은 상기 기판(120)의 외측면과 제1 간격(D1)으로 이격됨으로써 몰딩부(170)와 기판(120) 간의 결합력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 상기 제2 전극(132), 제3 전극(133) 또는 제4 전극(134)의 각각의 일단과 상기 기판(120)의 외측면은 약 5㎛ 이상으로 이격됨으로써 몰딩부(170)와 기판(120)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 실시예의 제1 간격(D5)은 기판 너비의 0.8% 이상 이격될 수 있다.In the embodiment, each end of the second electrode 132, the third electrode 133, or the fourth electrode 134 is spaced apart from the outer surface of the substrate 120 by a first distance D1, so that the molding part ( 170) and the substrate 120 may improve bonding strength. For example, in the embodiment, one end of each of the second electrode 132, the third electrode 133, or the fourth electrode 134 is spaced apart from the outer surface of the substrate 120 by about 5 μm or more, thereby molding molding. The bonding force between the unit 170 and the substrate 120 may be improved. For example, the first interval D5 of the embodiment may be 0.8% or more of the width of the substrate.

실시예에서 상기 제1 전극(131), 제2 전극(132), 제3 전극(133) 또는 제4 전극(134) 상호간은 소정 간격 이상으로 이격되어 전기적인 단락을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(131)과 제2 전극(132)의 일단은 제2 간격(D2), 예를 들어 약 75㎛ 이상으로 이격될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, the first electrode 131, the second electrode 132, the third electrode 133, or the fourth electrode 134 are separated from each other by a predetermined interval or more to prevent an electrical short circuit. For example, one end of the first electrode 131 and the second electrode 132 may be separated by a second distance D2, for example, about 75 μm or more, but is not limited thereto.

상기 제1 전극(131), 제2 전극(132), 제3 전극(133) 또는 제4 전극(134)는 전도성 물질, 예를 들어 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있으며, 단일 층 또는 다중 층으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 131, the second electrode 132, the third electrode 133, or the fourth electrode 134 may be made of a conductive material such as copper (Cu), titanium (Ti), nickel (Ni), It may be formed of at least one of gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P) or a selective alloy thereof, and a single It may be formed as a layer or multiple layers, but is not limited thereto.

(제1 (No. 1 실시예Example ))

다음으로, 도 3a을 기준으로 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(101)를 설명하기로 한다. 도 3a는 도 2의 I-I'선을 따른 단면 개념도이다.Next, the light emitting device package 101 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 3A. FIG. 3A is a cross-sectional conceptual view taken along the line II′ of FIG. 2 .

제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(101)는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120)과, 상기 제2 전극의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151)와, 상기 기판(120) 상의 상기 제1 발광소자(151) 상에 배치되는 몰딩부(170) 및 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제1 투광성 연결전극(181)을 포함할 수 있다. The light emitting device package 101 according to the first embodiment includes a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other, and a first region 132I of the second electrode. A first light emitting element 151 disposed on the substrate 120, a molding part 170 disposed on the first light emitting element 151 on the substrate 120, and a first electrically connected to the first electrode 131. A light-transmitting connection electrode 181 may be included.

상기 제1 투광성 연결전극(181)에 의해 상기 제1 전극(131)과 상기 제1 발광소자(151)는 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 131 and the first light emitting element 151 may be electrically connected by the first light-transmitting connection electrode 181 .

제1 실시예는 상기 제1 발광소자(151)와 이격되면서, 상기 제2 전극의 제2 영역(132II) 상에 배치되는 제2 발광소자(152)를 포함할 수 있고, 상기 제2 발광소자(152)와 이격되면서 제2 전극의 제3 영역(132III)에 배치되는 제3 발광소자(153)를 포함할 수 있다.The first embodiment may include a second light emitting element 152 disposed on the second region 132II of the second electrode while being spaced apart from the first light emitting element 151. A third light emitting element 153 spaced apart from 152 and disposed in the third region 132III of the second electrode may be included.

상기 제1 전극(131)은 제1 상부전극(131a), 제1 관통전극(131b) 또는 제1 하부전극(131c) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(132)은 제1 상부전극(132a), 제2 관통전극(미도시) 또는 제2 하부전극(132c) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first electrode 131 may include at least one of a first upper electrode 131a, a first through electrode 131b, and a first lower electrode 131c. In addition, the second electrode 132 may include at least one of a first upper electrode 132a, a second through electrode (not shown), or a second lower electrode 132c.

또한 상기 제3 전극(133)은 제3 상부전극(133a), 제3 관통전극(133b) 또는 제3 하부전극(133c) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 제4 전극(134)은 제4 상부전극(134a), 제4 관통전극(134b) 또는 제4 하부전극(134c) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the third electrode 133 may include at least one of a third upper electrode 133a, a third through electrode 133b, and a third lower electrode 133c, and the fourth electrode 134 may include 4 may include at least one of an upper electrode 134a, a fourth through electrode 134b, and a fourth lower electrode 134c.

실시예에서 제1 발광소자(151)는 수직형 발광소자 일 수 있으며, 적색 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 발광소자(152) 및 상기 제3 발광소자(153)는 수평형 발광소자일 수 있다. 예를 상기 제2 발광소자(152)는 청색 발광소자일 수 있고, 상기 제3 발광소자(153)는 녹색 발광소자일 수 있고, 각각 플립칩 형태로 실장될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 발광소자(151)에 채용되는 투광성 연결전극(181)의 기술적 특징은 제2 발광소자(152) 또는 제3 발광소자(153)가 플립칩이 아닌 와이어를 이용한 통상의 실장방식으로 마운팅되었던 모든 형태의 발광소자 칩에 적용이 가능하다.In the embodiment, the first light emitting device 151 may be a vertical light emitting device or a red light emitting device, but is not limited thereto. The second light emitting device 152 and the third light emitting device 153 may be horizontal light emitting devices. For example, the second light emitting device 152 may be a blue light emitting device, and the third light emitting device 153 may be a green light emitting device, and each may be mounted in a flip chip form, but is not limited thereto. For example, the technical feature of the light-transmitting connection electrode 181 employed in the first light emitting element 151 is that the second light emitting element 152 or the third light emitting element 153 is mounted in a normal manner using a wire rather than a flip chip. It can be applied to all types of light emitting device chips mounted in this way.

예를 들어, 제1 발광소자(151)는 전도성 기판(151a), 제1 도전형 반도체층(151b), 활성층(151c) 및 제2 도전형 반도체층(151d)를 포함할 수 있다. For example, the first light emitting device 151 may include a conductive substrate 151a, a first conductivity-type semiconductor layer 151b, an active layer 151c, and a second conductivity-type semiconductor layer 151d.

예를 들어, 상기 전도성 기판(151a)은 GaAs, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 중 적어도 하나 이상을 포함하여 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the conductive substrate 151a may be formed of a single layer or a plurality of layers including at least one of GaAs, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, and SiC, but is not limited thereto.

상기 제1 발광소자(151)의 제1 도전형 반도체층(151b)은 InxAlyGa1 -x- yP (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1) 또는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있고, n형 반도체층인 경우, n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity type semiconductor layer 151b of the first light emitting device 151 is In x Al y Ga 1 -x- y P (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤ x+y≤≤1) or In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1) It may include a semiconductor material, and in the case of an n-type semiconductor layer, as an n-type dopant, Si, Ge, Sn, Se, and Te may be included, but is not limited thereto.

상기 제1 발광소자(151)의 활성층(115c)은 양자우물/양자벽 구조를 포함할 수 있으며, 예를 들어, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The active layer 115c of the first light emitting device 151 may include a quantum well/quantum wall structure, for example, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, It may be formed as a pair structure of one or more of GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, and InGaAs/AlGaAs, but is not limited thereto.

상기 제1 발광소자(151)의 제2 도전형 제2 반도체층(115d)은 InxAlyGa1 -x- yP (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1) 또는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 제2 반도체층(115d)이 p형 반도체층인 경우, p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity type second semiconductor layer 115d of the first light emitting device 151 is In x Al y Ga 1 -x- y P (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0 ≤≤x+y≤≤1) or In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1) It may include a semiconductor material having. When the second conductivity-type second semiconductor layer 115d is a p-type semiconductor layer, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like may be included as a p-type dopant.

상기 제2 발광소자(152)는 제2 기판(152a), 제2 발광구조물(152b) 및 제2 본딩패드(152c)를 포함할 수 있고, 상기 제3 발광소자(153)는 제3 기판(153a), 제3 발광구조물(153b) 및 제3 본딩패드(153c)를 포함할 수 있다.The second light emitting device 152 may include a second substrate 152a, a second light emitting structure 152b, and a second bonding pad 152c, and the third light emitting device 153 may include a third substrate ( 153a), a third light emitting structure 153b, and a third bonding pad 153c.

상기 제2 기판(152a) 또는 제3 기판(153a)은 투광성 기판일 수 있으며, 예를 들어 사파이어(Al2O3), ZnO, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second substrate 152a or the third substrate 153a may be a light-transmitting substrate, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), ZnO, Ga 2 0 3 At least one of them may be used, but is not limited thereto.

상기 제2 발광구조물(152b) 또는 제3 발광구조물(153b)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second light emitting structure 152b or the third light emitting structure 153b is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may include a semiconductor material having a compositional formula, but is not limited thereto.

상기 제2 본딩패드(152c) 또는 제3 본딩패드(153c)는 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.The second bonding pad 152c or the third bonding pad 153c is made of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), tungsten (W ) and molybdenum (Mo), and may be formed of a single layer or a plurality of layers.

제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(101)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제1 투광성 연결전극(181)을 포함하고, 상기 제1 투광성 연결전극(181)은 상기 제1 발광소자(151)의 외측으로 연장되어 상기 제1 상부전극(131a)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device package 101 according to the first embodiment includes a first light-transmitting connection electrode 181 electrically connected to the first electrode 131, and the first light-transmitting connection electrode 181 includes the first light-transmitting connection electrode 181. It extends to the outside of the light emitting element 151 and can be electrically connected to the first upper electrode 131a.

상기 제1 투광성 연결전극(181)은 광의 투과를 방해하지 않으면서 전기가 흐를 수 있도록 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 물질은 몰딩부의 물질과 유사한 열팽창 계수를 구비하는 물질을 포함할 수 있다. The first light-transmitting connection electrode 181 may include a transparent conductive material so that electricity can flow without interfering with light transmission. In addition, the material of the first light-transmitting connection electrode 181 may include a material having a thermal expansion coefficient similar to that of the molding part.

예를 들어, 상기 제1 투광성 연결전극(181)은 투광성 금속산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 투광성 연결전극(181)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 중 적어도 하나 포함하여 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.For example, the first light-transmitting connection electrode 181 may include a light-transmitting metal oxide. For example, the first light-transmitting connection electrode 181 may be made of indium tin oxide, indium zinc oxide, copper oxide, tin oxide, or zinc oxide. oxide) and titanium oxide, and may be formed as a single layer or a plurality of layers.

상기 제1 투광성 연결전극(181)은 상기 제1 발광소자의 제2 도전형 반도체층(151d)의 상면 일부와 접하는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며 제1 발광소자의 제2 도전형 반도체층(151d)의 상면 전부에 배치될 수도 있다.The first light-transmitting connection electrode 181 is shown as being in contact with a portion of the upper surface of the second conductivity-type semiconductor layer 151d of the first light-emitting device, but is not limited thereto and the second conductivity-type semiconductor layer of the first light-emitting device. It may be disposed on the entire upper surface of (151d).

실시예에서 몰딩부(170)는 고분자 에폭시 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시예의 몰딩부(170)는 에폭시 몰드합성물(Epoxy Mold Compound)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the molding part 170 may be formed of a polymeric epoxy resin. For example, the molding unit 170 of the embodiment may include an epoxy mold compound, but is not limited thereto.

실시예의 몰딩부(170)의 열팽창 계수 범위는 약 50 ppm/℃~80ppm/℃ 일수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The range of the thermal expansion coefficient of the molding part 170 of the embodiment may be about 50 ppm/°C to about 80 ppm/°C, but is not limited thereto.

실시예에 의하면, , 종래 와이어 금속전극에 비해 발광소자 작동 시 몰딩부와 투광성 연결전극간의 열팽창 또는 열수축의 정도가 적으므로, 몰딩부와 투광성 연결전극 사이에 크랙이 발생 가능성이 낮아 기계적 신뢰성이 우수하고, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, since the degree of thermal expansion or thermal contraction between the molding part and the light-transmitting connection electrode is less than that of the conventional wire metal electrode during operation of the light emitting element, the possibility of cracks between the molding part and the light-transmitting connection electrode is low, resulting in excellent mechanical reliability. And, it is possible to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device having excellent electrical reliability.

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 투광성 연결전극의 물질을 광 투광성 물질을 채용함으로써, 투광성 연결전극에 의해 광 흡수나 광 차단을 최소화하여 광추출 효율을 향상시킴으로써 광출력(Po)을 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment employs a light-transmitting material as the material of the light-transmitting connection electrode connecting the light emitting element and the electrode of the substrate, thereby minimizing light absorption or light blocking by the light-transmitting connection electrode and improving light extraction efficiency, thereby improving light output (Po ), it is possible to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device that can improve a light emitting device.

(제1 (No. 1 실시예의Example 추가 addition 실시예Example ))

다음으로, 도 3b는 제1 실시예의 추가 실시예이며, 도 3c는 도 3b의 A 부분의 확대도이다. 추가 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 추가 실시예의 기술적인 특징을 중심으로 설명하기로 한다.Next, FIG. 3B is a further embodiment of the first embodiment, and FIG. 3C is an enlarged view of part A in FIG. 3B. The additional embodiment may employ the technical features of the first embodiment, and the technical features of the additional embodiment will be mainly described below.

실시예에 따른 발광소자(101)는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120)과, 상기 제2 전극의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151)와, 상기 기판(120) 상의 상기 제1 발광소자(151) 상에 배치되는 몰딩부(170) 및 제1 투광성 도전층(181q)을 포함하는 제1 투광성 연결전극(181)을 포함할 수 있다.The light emitting device 101 according to the embodiment is disposed on a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other, and a first region 132I of the second electrode. A first light-transmitting connection electrode (including a first light-emitting device 151, a molding part 170 disposed on the first light-emitting device 151 on the substrate 120, and a first light-transmitting conductive layer 181q) ( 181) may be included.

상기 제1 투광성 연결전극(181)에 의해 상기 제1 전극(131)과 상기 제1 발광소자(151)는 전기적으로 연결될 수 있다. The first electrode 131 and the first light emitting element 151 may be electrically connected by the first light-transmitting connection electrode 181 .

실시예에 의하면, 상기 제1 투광성 연결전극(181)은 지지층(181p, 181r)과, 상기 지지층(181p, 181r) 내에 배치된 제1 투광성 도전층(181q)을 포함할 수 있다. 상기 지지층은 상기 제1 투광성 도전층(181q) 하측에 배치된 제1 지지층(181r)과 상기 투광성 도전층(181q) 상측에 배치된 제2 지지층(181p)을 포함할 수 있으며, 상기 몰딩부(170)의 열팽창 특성과 동일한 재료로 이루어질 수 있다. 열팽창 특성이 동일하다는 것은 상기 몰딩부(170)와 지지층의 열팽창계수의 차이가 약 10% 이하 범위를 의미한다.According to an embodiment, the first light-transmitting connection electrode 181 may include support layers 181p and 181r and a first light-transmitting conductive layer 181q disposed in the support layers 181p and 181r. The support layer may include a first support layer 181r disposed below the first light-transmitting conductive layer 181q and a second support layer 181p disposed above the light-transmitting conductive layer 181q, and the molding part ( 170) may be made of the same material as the thermal expansion property. The same thermal expansion characteristics mean that the difference between the thermal expansion coefficients of the molding part 170 and the supporting layer is about 10% or less.

상기 제1 지지층(181r)과 상기 제2 지지층(181p)은 같은 물질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first support layer 181r and the second support layer 181p may be made of the same material, but are not limited thereto.

실시예에서 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 제조는 준비된 제1 투광성 도전층(181q)을 제1 지지층(181r) 상에 전사하여 붙이고, 그 상면에 제2 지지층(181p)을 위치시킨 후 양면을 열 압착을 통해 형성될 수 있고, 이후 제작된 제1 투광성 연결전극(181)을 단위 소자별로 나뉘어 사용할 수 있다. In the embodiment, the first light-transmitting connection electrode 181 is manufactured by transferring and attaching the prepared first light-transmitting conductive layer 181q onto the first support layer 181r, and placing the second support layer 181p on the upper surface. Both sides may be formed through thermal compression, and then the manufactured first light-transmitting connection electrode 181 may be divided and used for each unit element.

실시예에서 몰딩부(170)는 고분자 에폭시 수지, 예를 들어, 에폭시 몰드합성물(Epoxy Mold Compound)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예의 몰딩부(170)의 열팽창 계수 범위는 약 50 ppm/℃~80ppm/℃ 일수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, the molding unit 170 may include a polymeric epoxy resin, for example, an epoxy mold compound, but is not limited thereto. The range of the thermal expansion coefficient of the molding part 170 of the embodiment may be about 50 ppm/°C to about 80 ppm/°C, but is not limited thereto.

실시예에서 상기 지지층은 폴리머 계열로 내열성과 연성, 접착력을 구비한 물질을 채용할 수 있다. 예를 들어, 지지층은 폴리머계 전도성 필름 또는 실리콘 베이스 전도성 필름 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 지지층은 PET (Polyethlene Terephthalate), PI(Polyimide), PES (Polyether sulfone) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 지지층의 열팽창 계수는 약 50 ppm/℃~80ppm/℃ 일수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the support layer may employ a polymer-based material having heat resistance, ductility, and adhesive strength. For example, the support layer may be a polymer-based conductive film or a silicon-based conductive film, but is not limited thereto. For example, the support layer may include at least one of polyethlene terephthalate (PET), polyimide (PI), and polyether sulfone (PES). The thermal expansion coefficient of the support layer may be about 50 ppm/°C to 80 ppm/°C, but is not limited thereto.

상기 지지층의 광투광도는 약 85% 이상, 예를 들어 약 90% 이상의 광투광도를 구비할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light transmittance of the support layer may be about 85% or more, for example about 90% or more, but is not limited thereto.

실시예에 의하면, 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 구성요소인 지지층의 물질을 몰딩부와 열팽창 계수 차이가 없거나 거의 유사한 범위의 물질의 지지층으로 보호함으로써 기계적 신뢰성이 우수하고, 전기적 신뢰성이 더욱 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, the material of the support layer, which is a component of the connection electrode connecting the light emitting element and the electrode of the substrate, is protected with a support layer of a material having no or almost similar thermal expansion coefficient to that of the molding part, so that mechanical reliability and electrical reliability are excellent. This more excellent light emitting device, semiconductor device, light emitting device package, light emitting module, display device, or lighting device can be provided.

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질 및 지지층의 물질을 광투광성 물질을 채용함으로써 광 흡수나 광 차단을 최소화하여 광출력(Po)을 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment employs a light-transmitting material for the material of the connection electrode connecting the light emitting element and the electrode of the substrate and the material of the support layer, thereby minimizing light absorption or light blocking to improve light output (Po) A light emitting element, A semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

상기 제1 투광성 도전층(181q)은 투광성 금속산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 투광성 도전층(181q)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 중 적어도 하나 포함하여 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.The first light-transmitting conductive layer 181q may include a light-transmitting metal oxide. For example, the first light-transmitting conductive layer 181q may include indium tin oxide, indium zinc oxide, copper oxide, tin oxide, or zinc oxide. oxide) and titanium oxide, and may be formed as a single layer or a plurality of layers.

상기 제1 투광성 도전층(181q)의 두께는 제1 전극(181)의 두께의 약 20% 이상으로 확보되어 전류확산의 효과를 얻을 수 있으나, 작동 전류가 낮으면 그 보다 얇게 설정될 수도 있다. The thickness of the first light-transmitting conductive layer 181q is secured to be about 20% or more of the thickness of the first electrode 181 to obtain a current spreading effect, but may be set smaller than that if the operating current is low.

상기 제1 지지층(181r) 또는 상기 제2 지지층(181p)의 두께는 상기 제1 투광성 도전층(181q)의 두께에 비해 얇게 설정되어 제1 투광성 도전층(181q)의 열적변화가 몰딩부(170)에 최소한으로 전달되도록 함으로써 기계적, 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The thickness of the first support layer 181r or the second support layer 181p is set to be smaller than the thickness of the first light-transmitting conductive layer 181q so that the thermal change of the first light-transmitting conductive layer 181q is reduced to the molding part 170. ), mechanical and electrical reliability can be improved.

도 3c를 참조하면, 실시예에서 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 일단에는 제1 돌출전극(181s)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3C , in an embodiment, a first protruding electrode 181s may be included at one end of the first light-transmitting connection electrode 181 .

또한 상기 제1 전극(131)은 상기 제1 투광성 연장전극(181)의 일단이 수용되는 제1 리세스(R1)를 구비함으로써 제1 리세스(R1)에 제1 투광성 연장전극(181)의 일단, 예를 들어 제1 돌출전극(181s)이 체결됨으로써 공정의 신속, 정확성을 높임과 아울러, 이후 공정이나 발광소자 작동시 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)에는 소정의 페이스트(미도시)가 구비되어 결합력을 향상시킬 수 있다.In addition, the first electrode 131 has a first recess R1 in which one end of the first light-transmitting extension electrode 181 is accommodated, so that the first light-transmitting extension electrode 181 is provided in the first recess R1. Once, for example, the fastening of the first protruding electrode 181s increases the speed and accuracy of the process, and mechanical and electrical reliability can be greatly improved during subsequent processes or operation of the light emitting device. A predetermined paste (not shown) may be provided in the first recess R1 to improve bonding strength.

(제2 (2nd 실시예Example ))

도 4a는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(102)의 단면도이고, 도 4b는 도 4a의 B 영역의 부분 확대도이다. 제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 기술적인 특징을 위주로 설명하기로 한다.4A is a cross-sectional view of the light emitting device package 102 according to the second embodiment, and FIG. 4B is a partially enlarged view of region B of FIG. 4A. The second embodiment may employ technical features of the first embodiment, and the technical features of the second embodiment will be mainly described below.

도 4a를 참조하면, 제2 실시예에서 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 내부에 제1 투광성 금속전극(181b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 투광성 연결전극(181)은 제2 투광성 도전층(181a)과 제3 투광성 도전층(181c) 사이에 상기 제1 투광성 금속전극(181b)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4A , in the second embodiment, a first light-transmitting metal electrode 181b may be included inside the first light-transmitting connection electrode 181 . For example, the first light-transmitting connection electrode 181 may include the first light-transmitting metal electrode 181b between the second light-transmitting conductive layer 181a and the third light-transmitting conductive layer 181c.

상기 제2 투광성 도전층(181a)과 제3 투광성 도전층(181c)은 금속산화물, 예를 들어 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 중 적어도 하나 포함하여 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.The second light-transmitting conductive layer 181a and the third light-transmitting conductive layer 181c may be made of a metal oxide such as indium tin oxide, indium zinc oxide, copper oxide, It may be formed as a single layer or a plurality of layers including at least one of tin oxide, zinc oxide, and titanium oxide.

제2 실시예에서 상기 제1 투광성 금속전극(181b)은 유연한 물질(flexible material)이면서 광 투광성 물질일 수 있다.In the second embodiment, the first light-transmitting metal electrode 181b may be a flexible material and a light-transmitting material.

예를 들어, 상기 제1 투광성 금속전극(181b)은 나노와이어, 감광성 나노와이어 필름, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 중 적어도 하나 포함하여 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다.For example, the first light-transmissive metal electrode 181b may be formed of a single layer or a plurality of layers including at least one of a nanowire, a photosensitive nanowire film, a carbon nanotube (CNT), and graphene.

또한 상기 제1 투광성 금속전극(181b)은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있고, 메쉬 형상(미도시)을 포함할 수 있다.In addition, the first light-transmitting metal electrode 181b is made of at least one metal selected from chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo), and alloys thereof. It may include, and may include a mesh shape (not shown).

예를 들어, 상기 제1 투광성 금속전극(181b)은 복수 개의 서브 전극들을 포함하고, 상기 서브 전극들은 개구부(미도시)를 포함하면서 소정의 선폭으로 메쉬 형상으로 서로 교차하면서 배치될 수 있다. 상기 제1 투광성 금속전극(181b)의 메쉬 선폭은 약 0.1㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다. 상기 제1 투광성 금속전극(181b)의 메쉬 자체의 폭이 약 10㎛를 초과하는 경우, 제1 투광성 금속전극(181b)이 외부에서 시인되어 시인성이 저하될 수 있고, 광 차단의 우려가 있을 수 있다. 또는, 제1 투광성 금속전극(181b)의 메쉬 선폭은 약 1㎛ 내지 약 5㎛일 수 있다. 또는, 제1 투광성 금속전극(181b)의 메쉬 선폭은 약 1.5㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. For example, the first light-transmissive metal electrode 181b may include a plurality of sub-electrodes, and the sub-electrodes may include openings (not shown) and may be disposed crossing each other in a mesh shape with a predetermined line width. The mesh line width of the first light-transmitting metal electrode 181b may be about 0.1 μm to about 10 μm. When the width of the mesh itself of the first light-transmitting metal electrode 181b exceeds about 10 μm, the first light-transmitting metal electrode 181b may be visually recognized from the outside, and visibility may be deteriorated, and light may be blocked. there is. Alternatively, the mesh line width of the first light-transmitting metal electrode 181b may be about 1 μm to about 5 μm. Alternatively, the mesh line width of the first light-transmitting metal electrode 181b may be about 1.5 μm to about 3 μm.

실시예에 의하면 투광전 연장 전극 내부에 투광성 금속전극을 채용함으로써 광투광성과 아울러 기계적, 전기적 신뢰성이 비약적으로 향상된 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device with significantly improved light transmittance and mechanical and electrical reliability can be provided by employing a light transmitting metal electrode inside the light transmitting extension electrode. can

아울러, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 유연한 물질(flexible material)을 채용함으로써 몰딩부와 관계에서 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment adopts a flexible material as the material of the connection electrode connecting the light emitting device and the electrode of the substrate, so that the light emitting device, semiconductor device, light emitting device package, A light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한 실시예에 의하면, 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 투광성 연결전극의 물질을 몰딩부의 물질과 열팽창 계수차이가 적으면서도 광투광성이 있는 물질을 채용함으로써 기계적 신뢰성이 우수하고, 결함 발생이 낮아 전기적 신뢰성이 우수하고, 투광성 연결전극에 의해 광 흡수나 광 차단을 최소화하여 광출력(Po)을 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, the material of the light-transmitting connection electrode connecting the light emitting element and the electrode of the substrate is used with a light-transmitting material with a small difference in thermal expansion coefficient from the material of the molding part, so that mechanical reliability is excellent and the occurrence of defects is low. To provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device that has excellent reliability and can improve light output (Po) by minimizing light absorption or light blocking by a light transmitting connection electrode. can

또한 실시예에서 상기 기판(120)은 상기 제1 발광소자(151) 하측에 배치된 제1 자성체(191b)를 구비할 수 있다. 상기 제1 자성체(191b)는 상기 제1 발광소자(151)와 상하간에 중첩되도록 배치될 수 있다. 상기 제1 자성체(191b)는 상기 제2 전극의 제1 영역(132I)과 이격되어 배치되거나 접하여 배치될 수 있다.Also, in the embodiment, the substrate 120 may include a first magnetic material 191b disposed under the first light emitting element 151 . The first magnetic material 191b may be disposed so as to overlap the first light emitting element 151 vertically. The first magnetic material 191b may be spaced apart from or disposed in contact with the first region 132I of the second electrode.

실시예에서 상기 제1 자성체(191b)는 외부에서 자계를 가하면 내부 원자들이 자기쌍극자를 이루며 정렬하는 물질인 자성 재료(Magnetic Material)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 자성체(191b)는 강자성체 (ferromagnetic) 또는 상자성체 (paramagnetic)를 포함할 수 있다.In an embodiment, the first magnetic material 191b may include a magnetic material, which is a material in which internal atoms form magnetic dipoles and align when a magnetic field is applied from the outside. For example, the first magnetic material 191b may include a ferromagnetic material or a paramagnetic material.

예를 들어, 제1 자성체(191b)는 외부에서 강한 자기장을 걸 때, 그 자기장의 방향으로 강하게 자화되고, 외부 자기장이 사라져도, 자화가 남게 되는 물질로서 페로 강자성체(Ferro-magnetic)나 페리 자성체(Ferri-magnetic)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 자성체(191b)는 Fe, Co, Ni 등의 페로 강자성체(Ferro-magnetic)나 자성 산화철 등의 페라이트(ferrite) 계열의 페리 자성체(Ferri-magnetic)를 포함할 수 있다.For example, the first magnetic material 191b is strongly magnetized in the direction of the magnetic field when a strong external magnetic field is applied, and remains magnetized even when the external magnetic field disappears. Ferri-magnetic) may be included. For example, the first magnetic material 191b may include a ferro-magnetic material such as Fe, Co, and Ni or a ferrite-based ferri-magnetic material such as magnetic iron oxide.

또한 제1 자성체(191b)는 외부 자기장이 있는 경우, 자기모멘트가 일부 방향을 갖고 자속밀도 약하게 증가하는 상자성체 (paramagnetic), 예를 들어 Al, Pt, Mg, W 등을 포함할 수 있다.In addition, the first magnetic material 191b may include a paramagnetic material having a partial direction of magnetic moment and weakly increasing magnetic flux density when an external magnetic field exists, for example, Al, Pt, Mg, W, or the like.

실시예에서 제1 자성체(191b)는 외부 자기장이 사라지는 경우, 잔류 자기(residual magnetism)가 없거나 약한 자성물질을 채용할 수 있다.In an embodiment, when the external magnetic field disappears, the first magnetic material 191b may use a magnetic material having no or weak residual magnetism.

실시예에 의하면, 제1 발광소자(151)가 금속계열의 강자성체 또는 상자성체를 포함하는 경우, 제1 자성체(191b)의 자체 자력 또는 외부 전자석(미도시)에 의해 유발됨에 따라 강화된 자력에 의해 제1 발광소자(151)가 제2 전극(132)의 제2 영역(132II) 상에 자동으로 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장공정이 진행됨으로써, 수직형 발광소자에서 와이어 공정을 생략하여 패키징 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.According to the embodiment, when the first light emitting element 151 includes a metal-based ferromagnetic material or a paramagnetic material, the magnetic force of the first magnetic material 191b is enhanced by its own magnetic force or an external electromagnet (not shown). A self-mounting mounting process of the first light emitting device 151 is automatically performed on the second region 132II of the second electrode 132, thereby omitting the wire process in the vertical type light emitting device and packaging process. It is possible to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or a manufacturing method capable of significantly improving efficiency.

또한 실시예는 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 가능하도록 하는 자성체가 실장 공정 이후에는 방열구조로 기능함으로써 전기적, 열적 신뢰성이 향상된 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment is a light emitting element, a semiconductor device, a light emitting element package, a light emitting module, A display device, a lighting device, or a manufacturing method thereof may be provided.

또한 실시예에서 전극 하측에 배치된 자성체에의해 전극이나 발광소자에서의 캐리어(전자 또는 홀)의 자력이 가해져 캐리어의 이동도가 향상됨에 따라, 캐리어 주입효율이 매우 향상됨에 따라 전기적 특성이 향상된 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, in the embodiment, as the magnetic force of the carriers (electrons or holes) in the electrode or the light emitting element is applied by the magnetic material disposed below the electrode, the mobility of the carrier is improved, and the carrier injection efficiency is greatly improved. Light emission with improved electrical characteristics A device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or a manufacturing method thereof may be provided.

또한 제1 자성체(191b)의 저면이 상기 기판(120)의 저면으로 노출될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 자성체(191b)가 마운팅 공정시 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting)과 더불어, 발광소자 작동시 제1 자성체(191b)가 방열구조로 기능함으로써 발광소자의 열적 스트레스를 완화하여 발광소자의 전기적, 열적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. Also, the bottom surface of the first magnetic material 191b may be exposed to the bottom surface of the substrate 120 . Accordingly, the first magnetic material 191b performs self-mounting by magnetic force during the mounting process and functions as a heat dissipation structure when the light emitting element operates, thereby alleviating the thermal stress of the light emitting element. Thus, the electrical and thermal reliability of the light emitting device can be improved.

계속하여 도 4b를 참조하여, 제2 실시예를 좀 더 상술하기로 한다.Continuing to refer to FIG. 4B, the second embodiment will be described in more detail.

상기 제1 전극(131)은 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 일단이 수용되는 제1 리세스(R1)를 구비함으로써 제1 리세스(R1)에 제1 투광성 연결전극(181)의 일단이 체결됨으로써 공정의 신속, 정확성을 높임과 아울러, 이후 공정이나 발광소자 작동시 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)에는 소정의 페이스트(미도시)가 구비되어 결합력을 향상시킬 수 있다.The first electrode 131 has a first recess R1 in which one end of the first light-transmitting connection electrode 181 is accommodated, so that one end of the first light-transmitting connection electrode 181 is provided in the first recess R1. By this fastening, speed and accuracy of the process can be increased, and mechanical and electrical reliability can be greatly improved during subsequent processes or when the light emitting device is operated. A predetermined paste (not shown) may be provided in the first recess R1 to improve bonding strength.

예를 들어, 실시예에서 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 일단에는 제1 금속전극(181d)을 포함할 수 있다. For example, in an embodiment, a first metal electrode 181d may be included at one end of the first light-transmitting connection electrode 181 .

또한 상기 기판(120)은 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 일단과 상하간에 중첩되는 영역에 제2 자성체(192)를 포함할 수 있다. 상기 제2 자성체(192)는 페로 강자성체(Ferro-magnetic), 페리 자성체(Ferri-magnetic) 또는 상자성체 (paramagnetic) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.In addition, the substrate 120 may include a second magnetic material 192 in a region overlapping one end of the first light-transmitting connection electrode 181 and upper and lower portions. The second magnetic material 192 may include at least one of a ferro-magnetic material, a ferri-magnetic material, and a paramagnetic material.

실시에에 의하면, 상기 제1 투광성 연결전극(181)의 일단과 상하간에 중첩되는 영역에 제2 자성체(192)를 포함함으로써 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 가능하도록 하고, 제2 자성체(192)가 실장 공정 이후에는 방열구조로 기능할 수 있으며, 캐리어의 이동도를 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.According to an embodiment, a self-mounting mounting process by magnetic force is possible by including the second magnetic material 192 in an area overlapping one end of the first light-transmitting connection electrode 181 and the top and bottom, 2 A light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or a manufacturing method thereof, which can function as a heat dissipation structure after the mounting process and can improve the mobility of a carrier. can provide

(제3, 제4 (3rd, 4th 실시예Example ))

도 5는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(103)의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a light emitting device package 103 according to a third embodiment.

제3 실시예는 제1 또는 제2 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제3 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The third embodiment may employ technical features of the first or second embodiment, and the main features of the third embodiment will be mainly described below.

제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(103)는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120)과, 상기 제2 전극(132)의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151)를 포함할 수 있다. The light emitting device package 103 according to the third embodiment includes a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other, and a first region of the second electrode 132 ( 132I) may include a first light emitting device 151 disposed on.

상기 제1 전극(131)은 상기 제2 전극(132)보다 높이 돌출된 제1 돌출전극(131d)을 포함하고, 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제2 투광성 연결전극(182)을 포함하고, 상기 제2 투광성 연결전극(182)은 상기 제1 발광소자(151) 외측으로 연장되어 상기 제1 돌출전극(131d)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 131 includes a first protruding electrode 131d protruding higher than the second electrode 132, and the first light emitting element 151 is electrically connected to the first electrode 131. and a second light-transmitting connection electrode 182 extending outside the first light emitting element 151 and electrically connected to the first protruding electrode 131d.

제3 실시예에서 제1 전극(131)이 제1 돌출전극(131d)을 포함함으로써 제2 투광성 연결전극(182)이 제1 발광소자(151)의 상면에서 수평방향으로 제1 돌출전극(131d)에 접할 수 있음으로써 전기적, 기계적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다.In the third embodiment, since the first electrode 131 includes the first protruding electrode 131d, the second light-transmitting connection electrode 182 extends from the upper surface of the first light emitting element 151 in a horizontal direction to the first protruding electrode 131d. ), electrical and mechanical reliability can be greatly improved.

또한 실시예에 의하면, 제2 투광성 연결전극(182)이 제1 발광소자(151)의 상면에서 수평방향으로 직선방향으로 연장됨으로써 멀티 마운팅(Multi Mounting)이 가능하여 제조 공정에서 생산성의 현저한 향상이 가능하며, 마운팅된 제품 측면에서도 투광성 연결전극의 간결한 구조에 의해 안정적인 본딩(Bonding)이 가능하므로, 기계적, 전기적 신뢰성이 현저히 개선될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the second light-transmitting connection electrode 182 extends in a straight line horizontally from the upper surface of the first light emitting element 151, so that multi-mounting is possible, thereby significantly improving productivity in the manufacturing process. In terms of mounted products, stable bonding is possible due to the simple structure of the light-transmitting connection electrode, so mechanical and electrical reliability can be remarkably improved.

또한 실시예에서 상기 기판(120)은 상기 제1 발광소자(151) 하측에 배치된 제1 자성체(191b)를 포함할 수 있고, 상기 제1 자성(191b)의 저면은 상기 기판(120)의 저면으로 노출됨에 따라, 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 가능하고, 제2 자성체(192)가 실장 공정 이후에는 방열구조로 기능할 수 있고, 캐리어의 이동효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, the substrate 120 may include a first magnetic material 191b disposed below the first light emitting element 151, and the bottom surface of the first magnetic material 191b is of the substrate 120. As it is exposed to the bottom surface, a self-mounting mounting process by magnetic force is possible, and the second magnetic material 192 can function as a heat dissipation structure after the mounting process, and can improve the moving efficiency of the carrier. .

도 6은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지(104)의 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device package 104 according to a fourth embodiment.

제4 실시예는 제1 내지 제3 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제4 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The fourth embodiment may employ technical features of the first to third embodiments, and the main features of the fourth embodiment will be mainly described below.

상기 제1 전극(131)은 상기 제2 투광성 연결전극(182)이 수용되는 제1 리세스(R1)를 구비함으로써 제1 리세스(R1)에 제1 투광성 연결전극(181)이 체결됨으로써 공정의 신속, 정확성을 높임과 아울러, 이후 공정이나 발광소자 작동시 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)에는 소정의 페이스트(미도시)가 구비되어 결합력을 향상시킬 수 있다.The first electrode 131 has a first recess R1 in which the second light-transmitting connection electrode 182 is accommodated, and the first light-transmitting connection electrode 181 is fastened to the first recess R1 to process the process. In addition to increasing the speed and accuracy of the light emitting device, mechanical and electrical reliability can be greatly improved during the subsequent process or operation of the light emitting device. A predetermined paste (not shown) may be provided in the first recess R1 to improve bonding strength.

(제5, 제6 (5th, 6th 실시예Example ))

도 7은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지(105)의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a light emitting device package 105 according to a fifth embodiment.

제5 실시예는 제1 내지 제4 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제5 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The fifth embodiment may adopt the technical features of the first to fourth embodiments, and the main features of the fifth embodiment will be mainly described below.

제5 실시예는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120)과, 상기 제2 전극(132)의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151)를 포함할 수 있다.In the fifth embodiment, a substrate 120 including first electrodes 131 and second electrodes 132 spaced apart from each other, and a first substrate 120 disposed on the first region 132I of the second electrode 132 A light emitting device 151 may be included.

상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제3 투광성 연결전극(183)을 포함하며, 상기 제3 투광성 연결전극(183)은 상기 제1 발광소자(151) 외측으로 연장되어 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first light emitting element 151 includes a third light-transmitting connection electrode 183 electrically connected to the first electrode 131, and the third light-transmitting connection electrode 183 is the first light-emitting element 151 ) and may be electrically connected to the first electrode 131 by extending outwardly.

상기 제2 전극(132)은 상기 제1 발광소자(151)가 배치되는 제1 영역(132I)에 제2 리세스(R2)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)는 펀치 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 132 may include a second recess R2 in the first region 132I where the first light emitting element 151 is disposed. The second recess R2 may be formed by a punch process or the like, but is not limited thereto.

실시예에 의하면, 상기 제2 전극(132)에 제1 발광소자(151)가 수용되는 제2 리세스(R2)를 구비되고, 제2 리세스(R2)에 제1 발광소자(151)가 실장 체결됨으로써 공정의 신속, 정확성을 높임과 아울러, 이후 공정이나 발광소자 작동시 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)에는 소정의 페이스트(미도시)가 구비되어 결합력을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, the second electrode 132 is provided with a second recess R2 accommodating the first light emitting element 151, and the first light emitting element 151 is provided in the second recess R2. By mounting and fastening, the speed and accuracy of the process can be increased, and mechanical and electrical reliability can be greatly improved during subsequent processes or operation of the light emitting device. A predetermined paste (not shown) may be provided in the second recess R2 to improve bonding strength.

실시예는 상기 제2 전극(132)의 제2 영역(132II)에 배치되는 제2 발광소자(152)를 포함하며, 상기 제1 발광소자(151)의 상측의 높이는 상기 제2 발광소자(152)의 상측의 높이보다 낮을 수 있다.The embodiment includes the second light emitting element 152 disposed in the second region 132II of the second electrode 132, and the height of the upper side of the first light emitting element 151 is the second light emitting element 152 ) may be lower than the upper side of the height.

이에 따라, 실시예에 의하면, 제2 리세스(R2)에 의해 발광소자가 돌출되는 공간을 최소화하면서도 발광소자와 기판의 전극 간의 결합력을 향상시켜 슬림화에 유리하면서도 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다. Accordingly, according to the embodiment, while minimizing the space in which the light emitting element protrudes by the second recess R2, the bonding force between the light emitting element and the electrode of the substrate is improved, which is advantageous for slimming and has excellent mechanical and electrical reliability. A semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한, 제1 발광소자(151)가 수직형 발광소자인 경우, 광의 수직성에 의해 광 추출 효율의 저하는 거의 없는 상태에서 발광소자 패키지의 슬림화에 기여할 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 상기 제1 발광소자(151)는 제1 도전형 반도체층(151b), 활성층(151c) 및 제2 도전형 반도체층(151d)을 포함할 수 있으며, 상기 활성층(151c)은 상기 제2 전극(132)의 상면보다 높게 배치됨으로써 활성층(151c)에서 발광된 빛이 외부로 추출됨에 지장이 없다.In addition, when the first light emitting device 151 is a vertical light emitting device, the light emitting device package can be slimmed down with almost no decrease in light extraction efficiency due to the verticality of light. For example, in an embodiment, the first light emitting device 151 may include a first conductivity-type semiconductor layer 151b, an active layer 151c, and a second conductivity-type semiconductor layer 151d, and the active layer 151c ) is disposed higher than the upper surface of the second electrode 132, so there is no problem in extracting the light emitted from the active layer 151c to the outside.

실시예에서 상기 제1 전극(131)은 상기 제2 전극(132)보다 높이 돌출된 제1 돌출전극(131d)을 포함할 수 있으며, 상기 제3 투광성 연결전극(183)은 상기 제1 발광소자(151) 외측으로 연장되어 상기 제1 돌출전극(131d)과 전기적으로 연결됨으로써, 제3 투광성 연결전극(183)이 제1 발광소자(151)의 상면에서 수평방향으로 제1 돌출전극(131d)에 접할 수 있음으로써 전기적, 기계적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다.In an embodiment, the first electrode 131 may include a first protruding electrode 131d protruding higher than the second electrode 132, and the third light-transmitting connection electrode 183 is the first light emitting element. (151) By extending outward and electrically connected to the first protruding electrode 131d, the third light-transmitting connection electrode 183 extends from the upper surface of the first light emitting element 151 in a horizontal direction to the first protruding electrode 131d. Electrical and mechanical reliability can be greatly improved by being in contact with.

상기 기판(120)은 상기 제1 발광소자(151) 하측에 배치된 제1 자성체(191b)를 포함할 수 있고, 상기 제1 자성체(191b)의 저면은 상기 기판(120)의 저면으로 노출될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 의하면, 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 가능하고, 제2 자성체(192)가 실장 공정 이후에는 방열구조로 기능할 수 있고, 캐리어의 이동도도 향상시킬 수 있다.The substrate 120 may include a first magnetic material 191b disposed below the first light emitting element 151, and the bottom surface of the first magnetic material 191b is exposed to the bottom surface of the substrate 120. can Accordingly, according to the embodiment, a self-mounting mounting process by magnetic force is possible, the second magnetic body 192 can function as a heat dissipation structure after the mounting process, and the mobility of the carrier can also be improved. can

도 8은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지(106)의 단면도이다. 8 is a cross-sectional view of a light emitting device package 106 according to a sixth embodiment.

제6 실시예는 제1 내지 제5 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제6 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The sixth embodiment may employ technical features of the first to fifth embodiments, and the main features of the sixth embodiment will be mainly described below.

상기 제1 전극(131)은 상기 제3 투광성 연결전극(183)의 일단이 수용되는 제1 리세스(R1)를 구비함으로써 제1 리세스(R1)에 제3 투광성 연결전극(183)이 체결됨으로써 공정의 신속, 정확성을 높임과 아울러, 이후 공정이나 발광소자 작동시 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)에는 소정의 페이스트(미도시)가 구비되어 결합력을 향상시킬 수 있다.The first electrode 131 has a first recess R1 in which one end of the third light-transmitting connection electrode 183 is accommodated, so that the third light-transmitting connection electrode 183 is fastened to the first recess R1. As a result, speed and accuracy of the process are increased, and mechanical and electrical reliability can be greatly improved during subsequent processes or operation of the light emitting device. A predetermined paste (not shown) may be provided in the first recess R1 to improve bonding strength.

(제7, 제8 (7th, 8th 실시예Example ))

도 9는 제7 실시예에 따른 발광소자 패키지(107)의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a light emitting device package 107 according to a seventh embodiment.

제7 실시예는 제1 내지 제6 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제7 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The seventh embodiment may employ technical features of the first to sixth embodiments, and the main features of the seventh embodiment will be mainly described below.

실시예는 상호 이격된 제1 전극(131)과 제2 전극(132)을 구비하는 기판(120)과, 상기 제2 전극(132)의 제1 영역(132I) 상에 배치되는 제1 발광소자(151)를 포함할 수 있다.The embodiment includes a substrate 120 having a first electrode 131 and a second electrode 132 spaced apart from each other, and a first light emitting element disposed on the first region 132I of the second electrode 132. (151).

상기 제1 발광소자(151)는 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결되는 제4 투광성 연결전극(184)을 포함하고, 상기 제4 투광성 연결전극(184)은 상기 제1 발광소자(151) 외측으로 연장되어 상기 제1 전극(131)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first light-emitting device 151 includes a fourth light-transmitting connection electrode 184 electrically connected to the first electrode 131, and the fourth light-transmitting connection electrode 184 is the first light-emitting device 151 ) and may be electrically connected to the first electrode 131 by extending outwardly.

우선, 실시예에서 상기 제1 발광소자(151)의 활성층(151c)이 상기 제2 전극(132)의 상면보다 높게 배치됨으로써 활성층(151c)에서 발광된 빛이 외부로 추출됨에 지장이 없이, 상기 제2 전극(132)에 제1 발광소자(151)가 수용되는 제2 리세스(R2)를 구비함으로써, 제2 리세스(R2)에 제1 발광소자(151)가 실장 체결됨으로써 공정의 신속, 정확성을 높임과 아울러, 이후 공정이나 발광소자 작동시 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)에는 소정의 페이스트(미도시)가 구비되어 결합력을 향상시킬 수 있다.First of all, in the embodiment, the active layer 151c of the first light emitting element 151 is disposed higher than the upper surface of the second electrode 132, so that the light emitted from the active layer 151c is extracted to the outside without any trouble. By providing the second recess R2 in which the first light emitting element 151 is accommodated in the second electrode 132, the first light emitting element 151 is mounted and fastened in the second recess R2, thereby speeding up the process. , In addition to increasing accuracy, mechanical and electrical reliability can be greatly improved during subsequent processes or operation of the light emitting device. A predetermined paste (not shown) may be provided in the second recess R2 to improve bonding strength.

이때, 실시예에 의하면, 상기 제2 전극(132)은 상기 제1 발광소자(151)가 배치되는 영역에 제2 리세스(R2)를 포함하고, 상기 제2 리세스(R2)에는 제1 투과홀(H1)을 구비함으로써 제1 자성체(191b)에 의한 자력이 제1 발광소자(151)에 높게 미침으로써 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 매우 효과적으로 진행될 수 있다.At this time, according to the embodiment, the second electrode 132 includes a second recess (R2) in the region where the first light emitting element 151 is disposed, and the second recess (R2) has a first Since the penetration hole H1 is provided, the magnetic force of the first magnetic material 191b reaches the first light emitting element 151 so that a self-mounting mounting process by the magnetic force can be performed very effectively.

또한, 실시예에 의하면 제1 발광소자(151), 제2 발광소자(152), 제3 발광소자(153)들이 소정의 척에 의해 실장 위치로 이동시, 자력에 의해 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장공정이 진행될 수 있는데, 이 때 페이스트(P)(도 11a 참조)는 제1 투과홀(H1)을 일부 메움으로써 발광소자와의 접촉면적이 넓어져 결합력을 증대시킬 수 있다. In addition, according to the embodiment, when the first light emitting element 151, the second light emitting element 152, and the third light emitting element 153 are moved to a mounting position by a predetermined chuck, self-mounting by magnetic force A mounting process may be performed. At this time, the paste P (see FIG. 11A ) partially fills the first transmission hole H1, thereby increasing the contact area with the light emitting device and increasing bonding strength.

또한 실시예에서 상기 기판(120)은 상기 제1 발광소자(151) 하측에 배치된 제1 자성체(191b)를 포함할 수 있고, 상기 제1 자성체(191b)의 저면은 상기 기판(120)의 저면으로 노출될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 의하면, 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 가능하고, 제2 자성체(192)가 실장 공정 이후에는 방열구조로 기능할 수 있고 캐리어 이동도를 높일 수 있다.In addition, in the embodiment, the substrate 120 may include a first magnetic body 191b disposed below the first light emitting element 151, and the lower surface of the first magnetic body 191b is the surface of the substrate 120. It can be exposed to the bottom. Accordingly, according to the embodiment, a self-mounting mounting process by magnetic force is possible, and the second magnetic material 192 can function as a heat dissipation structure after the mounting process, and carrier mobility can be increased.

실시예에서 상기 제1 전극(131)은 상기 제4 투광성 연결전극(184)의 일단이 수용되는 제1 리세스(R1)를 구비함으로써 실장공정의 신속, 정확성을 높임과 아울러, 이후 공정이나 발광소자 작동시 기계적, 전기적 신뢰성이 매우 향상될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)에는 소정의 페이스트(미도시)가 구비되어 결합력을 향상시킬 수 있다.In the embodiment, the first electrode 131 has a first recess R1 in which one end of the fourth light-transmitting connection electrode 184 is accommodated, thereby increasing the speed and accuracy of the mounting process, and subsequent processes or light emission. Mechanical and electrical reliability can be greatly improved during device operation. A predetermined paste (not shown) may be provided in the first recess R1 to improve bonding strength.

도 10은 제8 실시예에 따른 발광소자 패키지(108)의 단면도이다.10 is a cross-sectional view of a light emitting device package 108 according to an eighth embodiment.

제8 실시예는 제1 내지 제7 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제8 실시예의 주된 특징을 중심으로 설명하기로 한다.The eighth embodiment may employ technical features of the first to seventh embodiments, and the main features of the eighth embodiment will be mainly described below.

실시예는 제1 전극(131)의 하측에 제2 자성체(192)를 구비하고, 제1 전극(131)에 제2 투과홀(H2)을 구비할 수 있다. 이에 따라, 제2 자성체(192)에 의한 자력이 제4 투광성 연결전극(184)에 높게 미침으로써 자력에 의한 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 매우 효과적으로 진행될 수 있고, 방영기능이 향상될 수 있으며, 캐리어 주입효율이 향상될 수 있다.In the embodiment, the second magnetic material 192 may be provided under the first electrode 131, and the second transmission hole H2 may be provided in the first electrode 131. Accordingly, since the magnetic force of the second magnetic material 192 reaches the fourth light-transmissive connection electrode 184 highly, the self-mounting mounting process by the magnetic force can proceed very effectively and the broadcasting function can be improved. And, the carrier injection efficiency can be improved.

이때, 실시예에서 상기 기판(120)은 상기 제1 발광소자(151)가 배치되는 캐비티(C)를 포함하고, 상기 기판(120)의 캐비티(C)의 측벽에 반사층(137)을 포함할 수 있다. At this time, in the embodiment, the substrate 120 may include a cavity C in which the first light emitting element 151 is disposed, and may include a reflective layer 137 on a sidewall of the cavity C of the substrate 120. can

이를 통해 상기 제1 발광소자(151)가 제1 도전형 반도체층(151b), 활성층(151c) 및 제2 도전형 반도체층(151d)을 포함하는 경우, 상기 활성층(151c)이 상기 제1 전극(131)의 상면보다 낮게 배치되는 경우에도 반사층(137)에 의해 광추출이 됨으로써 광추출 효율의 저하 없이, 발광소자가 돌출되는 공간을 최소화하면서도 발광소자와 기판의 전극 간의 결합력을 향상시켜 슬림화에 유리하면서도 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다. Through this, when the first light emitting device 151 includes a first conductivity type semiconductor layer 151b, an active layer 151c, and a second conductivity type semiconductor layer 151d, the active layer 151c is the first electrode. Even when placed lower than the upper surface of (131), light is extracted by the reflective layer 137, thereby minimizing the space in which the light emitting element protrudes without reducing the light extraction efficiency and improving the bonding force between the light emitting element and the electrode of the substrate to slim down. It is possible to provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device having excellent mechanical and electrical reliability while being advantageous.

실시예에서 도 10의 도시와 달리, 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제2 발광소자(152)와 상기 제3 발광소자(153)의 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제1 발광소자(151)는 상기 제2 발광소자(152)와 상기 제3 발광소자(153)들 보다 낮게 배치됨에 따라, 볼륨 발광하는 수형평 발광소자들 사이에, 이들보다 낮은 위치에 수직형 제1 발광소자(151)가 배치됨으로써 최적의 발광분포를 구현할 수 있다.In the embodiment, unlike the illustration of FIG. 10, the first light emitting element 151 may be disposed between the second light emitting element 152 and the third light emitting element 153, and the first light emitting element ( 151) is positioned lower than the second light emitting element 152 and the third light emitting element 153, between horizontal and flat light emitting elements that emit volume light, and a vertical first light emitting element ( 151) is arranged, it is possible to implement an optimal light emission distribution.

도 11a 내지 도 11d는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 공정 단면도이며, 제8 실시예를 중심으로 설명하나 실시예의 제조방법이 이에 한정되는 것은 아니다.11A to 11D are cross-sectional views of a process of a light emitting device package according to an embodiment, and will be described based on an eighth embodiment, but the manufacturing method of the embodiment is not limited thereto.

우선, 도 11a와 같이, 제1 전극(131), 제2 전극(132), 제3 전극(133), 제4 전극(134)이 구비된 기판(120)이 준비된다.First, as shown in FIG. 11A , a substrate 120 provided with a first electrode 131 , a second electrode 132 , a third electrode 133 , and a fourth electrode 134 is prepared.

상기 제1 전극(131)과 제2 전극(132)에는 제2 투과홀(H2)과 제1 투과홀(H1)이 각각 구비될 수 있고, 상기 제1 전극(131)과 제2 전극(132) 하측에는 제2 자성체(192)와 제1 자성체(191b)가 각각 구비될 수 있다.A second transmission hole H2 and a first transmission hole H1 may be provided in the first electrode 131 and the second electrode 132, respectively, and the first electrode 131 and the second electrode 132 ) The second magnetic body 192 and the first magnetic body 191b may be respectively provided on the lower side.

이때, 제1 내지 제4 전극(134) 상에 소정의 페이스트(P)가 전극 상에 미리 구비될 수 있다.In this case, a predetermined paste P may be previously provided on the electrodes on the first to fourth electrodes 134 .

예를 들어, 도 11b와 같이, 제2 전극의 제1 영역(132I) 상에 전극 형성 공정시 페이스트(P)가 함께 미리 형성 후, 한번의 펀칭 공정에 의해 제1 투과홀(H1)이 구비된 페이스트(P)와 제1 전극의 제1 영역(132I) 공정이 진행될 수 있다. For example, as shown in FIG. 11B, after the paste P is formed in advance on the first region 132I of the second electrode during the electrode formation process, the first transmission hole H1 is provided by a single punching process. A process of the paste P and the first region 132I of the first electrode may be performed.

상기 페이스트(P)은 복사열, 자외선(UV), 적외선(Infrared), 레이저(Laser) 등에 의해 상변화가 가능한 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 페이스트(P)는 감광성 페이스트(Photosensitive Paste)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 페이스트(P)는 감광성 실버 페이스트 또는 감광성 구리 페이스트 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The paste P may be a material capable of phase change by radiant heat, ultraviolet (UV), infrared, or laser light. For example, the paste P may include a photosensitive paste, but is not limited thereto. For example, the paste P may be a photosensitive silver paste or a photosensitive copper paste, but is not limited thereto.

다음으로, 도 11c와 같이 페이스트(P) 영역에 대한 부분적 가열 또는 자외선(UV), 적외선(Infrared), 레이저(Laser) 등의 빛(L)의 조사에 의해 페이스트(P)가 유연한 상태가 될 수 있다. Next, as shown in FIG. 11C, the paste P is in a flexible state by partial heating or irradiation of light L such as ultraviolet (UV), infrared, or laser to the region of the paste (P). can

이후, 도 11d와 같이, 제1 발광소자(151), 제2 발광소자(152), 제3 발광소자(153)를 소정의 척에 의해 실장 위치로 이동시, 자력에 의해 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장공정이 진행될 수 있으며, 이 때 페이스트(P)는 제1 투과홀(H1), 제2 투과홀(H2)을 일부 메움으로써 발광소자와의 결합력을 증대시킬 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 11D, when the first light emitting device 151, the second light emitting device 152, and the third light emitting device 153 are moved to a mounting position by a predetermined chuck, self-mounting by magnetic force. ) The mounting process may proceed, and at this time, the paste P may partially fill the first transmission hole H1 and the second transmission hole H2, thereby increasing bonding strength with the light emitting element.

이때, 기판(120) 하측의 제1 발광소자(151) 영역에는 소정의 전자석(미도시)이 배치되어 자력을 강화시킬 수 있다. 실시예에서 자성체가 구비되지 않는 경우, 외부 전자석에 의한 자력에 의해 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장공정이 진행될 수 있다.At this time, a predetermined electromagnet (not shown) may be disposed in the region of the first light emitting device 151 below the substrate 120 to enhance magnetic force. In the embodiment, when a magnetic material is not provided, a self-mounting mounting process may be performed by magnetic force from an external electromagnet.

도 12는 실시예의 표시장치(1000)를 도시한 분해 사시도이고, 도 13은 실시예의 표시장치를 도시한 평면도이다.12 is an exploded perspective view showing a display device 1000 according to an embodiment, and FIG. 13 is a plan view showing the display device 1000 according to an embodiment.

도 12 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 실시예의 표시장치(1000)는 이미지 또는 영상을 디스플레이할 수 있으나, 이에 한정하지 않고, 조명 유닛, 백라이트 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 12 to 13, the display device 1000 of the embodiment may display an image or video, but is not limited thereto, and includes a lighting unit, a backlight unit, a pointing device, a lamp, a street light, a vehicle lighting device, It may be applied to a vehicle display device, a smart watch, etc., but is not limited thereto.

실시 예의 표시장치(1000)는 전광판과 같은 100인치 이상의 대형 표시장치를 일 예로 설명하도록 한다. 상기 표시장치(1000)는 다수의 발광소자 패키지(100), 블랙 매트릭스(BM) 및 구동기판(1010)을 포함할 수 있다.The display device 1000 of the embodiment will be described as an example of a large display device having a size of 100 inches or more, such as an electronic display board. The display device 1000 may include a plurality of light emitting device packages 100 , a black matrix BM, and a driving substrate 1010 .

상기 블랙 매트릭스(BM)는 빛 샘을 방지하고, 외관 품질을 개선하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 불투명한 유기물질일 수 있다. The black matrix BM may include a function of preventing light leakage and improving appearance quality. The black matrix BM may be an opaque organic material.

예컨대 상기 블랙 매트릭스(BM)는 블랙 레진을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 하나의 화소와 대응되는 개구부(1001)를 포함할 수 있다. 하나의 개구부(1001)는 하나의 화소와 대응되고, 하나의 발광소자 패키지(100)를 수용할 수 있다. For example, the black matrix BM may include black resin. The black matrix BM may include an opening 1001 corresponding to one pixel. One opening 1001 may correspond to one pixel and accommodate one light emitting device package 100 .

상기 블랙 매트릭스(BM)의 두께는 상기 발광소자 패키지(100)의 두께와 같을 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 다수의 발광소자 패키지(100)의 외측면을 모두 감싸는 매트릭스 구조일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 인접한 발광소자 패키지(100) 사이의 빛의 간섭을 차단하고, 표시장치(1000)의 구동 정지 시에 블랙 컬러의 화면을 제공함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.The thickness of the black matrix BM may be the same as the thickness of the light emitting device package 100, but is not limited thereto. The black matrix BM may have a matrix structure covering all outer surfaces of the plurality of light emitting device packages 100 . The black matrix BM blocks light interference between adjacent light emitting device packages 100 and provides a black screen when the driving of the display device 1000 is stopped, thereby improving the appearance quality.

상기 다수의 발광소자 패키지(100) 각각은 제1 실시예 내지 제8 실시예의 발광소자 패키지일 수 있다.Each of the plurality of light emitting device packages 100 may be the light emitting device packages of the first to eighth embodiments.

실시예에서 상기 구동기판(1010)은 상기 다수의 발광소자 패키지(100)와 전기적으로 연결되는 솔더 패드(SP)를 포함할 수 있다. 상기 솔더 패드(SP)는 상기 발광소자 패키지(100)의 제1 내지 제4 하부 전극과 1 대 1 대응될 수 있다. In an embodiment, the driving substrate 1010 may include solder pads SP electrically connected to the plurality of light emitting device packages 100 . The solder pads SP may correspond to the first to fourth lower electrodes of the light emitting device package 100 in a one-to-one correspondence.

실시예의 표시장치(1000)는 구동기판(1010)의 아래에 배치된 방열부재(미도시)를 더 포함할 수 있다.The display device 1000 of the embodiment may further include a heat dissipation member (not shown) disposed below the driving substrate 1010 .

도 13과 같이, 상기 발광소자 패키지(100)는 상기 개구부(1001)와 대응되는 화소의 중심(P)으로부터 일정한 곡률 범위(R) 내에 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 배치될 수 있다. As shown in FIG. 13 , the light emitting device package 100 has first to third light emitting devices 151, 152, and 153 within a predetermined curvature range R from the center P of a pixel corresponding to the opening 1001. can be placed.

실시예의 곡률 반경(R)은 0.6㎜ x 0.6㎜의 화소 사이즈 기준으로 약 25㎛일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 0.6㎜ x 0.6㎜의 화소 사이즈 기준으로 약 25㎛의 곡률 반경을 갖는 곡률 범위(R) 내에 상기 제1 발광소자(151)의 제1 중심부(151s), 제2 발광소자(152)의 제2 중심부(152s) 및 제3 발광소자(153)의 제3 중심부(153s)가 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 중심부(151s, 152s, 153s)가 곡률 범위(R)를 벗어나는 경우, 해당 화소의 광 혼합 및 불균일한 휘도에 의해 볼륨 발광이 저하될 수 있다.The radius of curvature R of the embodiment may be about 25 μm based on a pixel size of 0.6 mm x 0.6 mm, but is not limited thereto. For example, the first center portion 151s of the first light emitting device 151 and the second light emitting device 152 within a curvature range R having a radius of curvature of about 25 μm based on a pixel size of 0.6 mm x 0.6 mm. The second central part 152s of ) and the third central part 153s of the third light emitting element 153 may be disposed. When the first to third center portions 151s, 152s, and 153s are out of the curvature range R, volume light emission may decrease due to light mixing and non-uniform luminance of corresponding pixels.

실시예는 픽셀의 중심으로부터 일정한 곡률 범위 내에 발광소자들이 배치됨으로써 복수의 발광다이오드 간의 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있고, 볼륨 발광이 가능한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.The embodiment is a light emitting element capable of implementing uniform color and uniform luminance among a plurality of light emitting diodes by arranging light emitting elements within a certain curvature range from the center of a pixel, a semiconductor element, a light emitting element package, a light emitting module, A display device or a lighting device may be provided.

실시예는 발광소자를 구비한 디스플레이 장치 구현에 의해, 대면적이면서도 Full HD 이상의 고화질 표시장치 기능이 가능한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device capable of functioning as a high-definition display device having a large area and higher than Full HD by implementing a display device having a light emitting device. .

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 몰딩부의 물질과 열팽창 계수차이가 적은 물질을 채용함으로써 몰딩부와 관계에서 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment adopts a material having a small thermal expansion coefficient difference from the material of the molding part as the material of the connection electrode connecting the light emitting element and the electrode of the substrate, so that the light emitting element, semiconductor element, and light emitting element having excellent mechanical and electrical reliability in relation to the molding part A device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한 실시예에 의하면 투광전 연장 전극 내부에 투광성 금속전극을 채용함으로써 광투광성과 아울러 기계적, 전기적 신뢰성이 비약적으로 향상된 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device with significantly improved light transmittance and mechanical and electrical reliability is provided by employing a light transmitting metal electrode inside the extension electrode before light transmission. can do.

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 유연한 물질(flexible material)을 채용함으로써 몰딩부와 관계에서 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment adopts a flexible material as the material of the connection electrode connecting the light emitting device and the electrode of the substrate, so that the light emitting device, semiconductor device, light emitting device package, light emitting device having excellent mechanical and electrical reliability in relation to the molding part A module, display device, or lighting device may be provided.

또한 실시예는 발광소자의 연결전극이 기판의 전극과 결합되는 위치에 결합홈을 구비함으로써 발광소자의 연결전극과 기판의 전극 간의 결합력이 향상되어 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a coupling groove at a position where the connecting electrode of the light emitting device is coupled to the electrode of the substrate, thereby improving the bonding strength between the connecting electrode of the light emitting device and the electrode of the substrate, thereby providing a light emitting device, semiconductor device, light emitting device having excellent mechanical and electrical reliability. A device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한, 실시예는 발광소자와 기판의 전극을 연결하는 연결전극의 물질을 투광성 전극을 채용함으로써 광 흡수나 광 차단을 최소화하여 광출력(Po)을 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment is a light emitting device, a semiconductor device, and a light emitting device capable of improving light output (Po) by minimizing light absorption or light blocking by employing a light-transmitting electrode as a material for a connection electrode connecting a light emitting device and an electrode of a substrate. A package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한, 실시예는 발광소자가 배치되는 기판의 전극에 리세스를 구비하여 발광소자가 돌출되는 공간의 최소화하면서도 발광소자와 기판의 전극 간의 결합력을 향상시켜 슬림화에 유리하면서도 기계적, 전기적 신뢰성이 우수한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a recess in the electrode of the substrate on which the light emitting element is disposed, thereby minimizing the space in which the light emitting element protrudes and improving the bonding force between the light emitting element and the electrode of the substrate, which is advantageous for slimming and excellent mechanical and electrical reliability. A device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, or a lighting device may be provided.

또한 실시예는 자성체를 이용한 실장공정을 통해 수직형 발광소자에서 와이어 공정을 생략하여 패키징 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment is a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or the like that can significantly improve packaging process efficiency by omitting a wire process in a vertical light emitting device through a mounting process using a magnetic material. A manufacturing method can be provided.

또한 실시예는 셀프 마운팅(Self-mounting) 실장 공정이 가능하도록 하는 자성체가 실장 공정 이후에는 방열구조로 기능할 수 있는 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 조명장치 또는 그 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment is a light emitting device, a semiconductor device, a light emitting device package, a light emitting module, a display device, a lighting device, or the like that can function as a heat dissipation structure after the mounting process of a magnetic material enabling a self-mounting mounting process. A manufacturing method can be provided.

또한, 실시예는 픽셀의 중심으로부터 일정한 곡률 범위 내에 발광소자들이 배치됨으로써 복수의 발광다이오드 간의 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있고, 볼륨 발광이 가능한 발광소자, 반도체소자, 발광소자 패키지, 발광모듈, 디스플레이 장치, 또는 조명장치를 제공할 수 있다.In addition, in the embodiment, uniform color and uniform luminance among a plurality of light emitting diodes can be implemented by arranging light emitting devices within a certain curvature range from the center of a pixel, and a light emitting device capable of volume light emission, a semiconductor device, a light emitting device package, and a light emitting device. A module, display device, or lighting device may be provided.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, and effects illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described focusing on the embodiment, this is only an example and does not limit the embodiment, and those skilled in the art in the field to which the embodiment belongs may find various things not exemplified above to the extent that they do not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It will be appreciated that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

발광소자 패키지(100), 기판(120),
제1 내지 제4 전극(131, 132, 133, 134),
제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153), 몰딩부(170),A light emitting device package 100, a substrate 120,
first to fourth electrodes 131, 132, 133, 134;
The first to third light emitting elements 151, 152, 153, the molding part 170,

Claims (29)

상호 이격되는 제1 내지 제4 전극을 포함하는 기판;
상기 제2 전극의 제1 영역 상에 배치되는 제1 발광소자;
상기 제2 전극의 제2 영역 및 상기 제3 전극 상에 배치되는 제2 발광소자;
상기 제2 전극의 제3 영역 및 상기 제4 전극 상에 배치되는 제3 발광소자;
상기 기판 상의 상기 제1 내지 제3 발광소자 상에 배치되는 몰딩부; 및
상기 몰딩부와 열팽창 특성이 동일한 재료로 이루어진 지지층과, 상기 지지층 내에 배치된 투광성 도전층을 포함하는 제1 투광성 연결전극을 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 제1 발광소자는 상기 제1 투광성 연결전극에 의해 전기적으로 연결되고,
상기 제2 내지 제4 전극 각각의 일단은, 상기 기판의 외측면과 제1 간격으로 이격되는 발광소자 패키지.A substrate including first to fourth electrodes spaced apart from each other;
a first light emitting element disposed on the first region of the second electrode;
a second light emitting element disposed on the second region of the second electrode and the third electrode;
a third light emitting element disposed on the third region of the second electrode and the fourth electrode;
a molding unit disposed on the first to third light emitting devices on the substrate; and
A first light-transmitting connection electrode including a support layer made of a material having the same thermal expansion characteristics as the molding part and a light-transmitting conductive layer disposed in the support layer,
The first electrode and the first light emitting element are electrically connected by the first light-transmitting connection electrode,
One end of each of the second to fourth electrodes is spaced apart from the outer surface of the substrate by a first distance. 제1 항에 있어서,
상기 제1 간격은 상기 기판의 제1 방향 너비의 0.8% 이상이고,
상기 제1 및 제2 전극의 일단은 제2 간격으로 이격되고,
상기 제2 간격은 75㎛ 이상인 발광소자 패키지.According to claim 1,
The first spacing is 0.8% or more of the width of the substrate in the first direction,
One ends of the first and second electrodes are spaced apart at a second interval,
The second interval is 75㎛ or more light emitting device package. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 제1 투광성 연결전극은,
제1 및 제2 지지층; 및
상기 제1 및 제2 지지층 사이에 배치되는 제1 투광성 도전층을 포함하고,
상기 몰딩부와, 상기 제1 및 제2 지지층의 열팽창계수 차이는 10% 이하인 발광소자 패키지.According to claim 1 or 2,
The first light-transmitting connection electrode,
first and second support layers; and
A first light-transmitting conductive layer disposed between the first and second support layers;
A difference in coefficient of thermal expansion between the molding part and the first and second support layers is 10% or less. 제3 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제1 전극의 상면에서 하면 방향으로 오목한 형태를 가지는 제1 리세스를 포함하고,
상기 제1 투광성 도전층의 일단은 상기 제1 리세스 내에 수용되는 발광소자 패키지.According to claim 3,
The first electrode includes a first recess having a concave shape in a direction from the upper surface to the lower surface of the first electrode,
One end of the first light-transmitting conductive layer is accommodated in the first recess. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 제1 발광소자는 적색광을 방출하는 수직형 발광소자이고,
상기 제2 발광소자는 청색광을 방출하는 수평형 발광소자이고,
상기 제3 발광소자는 녹색광을 방출하는 수평형 발광소자인 발광소자 패키지.According to claim 1 or 2,
The first light emitting element is a vertical light emitting element emitting red light,
The second light emitting element is a horizontal light emitting element emitting blue light,
The third light emitting device is a light emitting device package that is a horizontal light emitting device emitting green light. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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