KR102519769B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

[과제] 기판에 대한 기판 처리의 불균일을 억제하면서, 생성물의 퇴적을 억제하는 것.
[해결 수단] 탑재대는 처리 용기 내에 배치되고, 기판을 탑재하는 탑재 영역이 획정된다. 정류벽은 상기 탑재대의 탑재 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에, 탑재 영역측으로부터 탑재대의 외주측으로 관통하는 간극을 마련하여 탑재 영역을 둘러싸도록 배치된다.[Problem] To suppress product deposition while suppressing non-uniformity in substrate processing with respect to the substrate.
[Solution] A mount table is placed in a processing container, and a mount area for mounting a substrate is defined. The rectifying wall is disposed on the peripheral area surrounding the mounting area of the mounting table so as to surround the mounting area by providing a gap penetrating from the mounting area side to the outer circumferential side of the mounting table.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

특허문헌 1은 기판이 탑재되는 탑재대 상에 기판을 둘러싸도록 정류벽을 마련하여, 기판의 노출 표면 상에 있어서 에칭 가스를 체류시키는 기술이 개시되어 있다.Patent Literature 1 discloses a technique in which a rectifying wall is provided on a mounting table on which a substrate is mounted so as to surround the substrate, and an etching gas is retained on the exposed surface of the substrate.

일본 특허 공개 제 2013-243184 호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-243184

본 개시는 기판에 대한 기판 처리의 불균일을 억제하면서, 생성물의 퇴적을 억제하는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for suppressing product deposition while suppressing non-uniformity in processing substrate to substrate.

본 개시의 일 태양에 의한 기판 처리 장치는 처리 용기와, 탑재대와, 정류벽을 갖는다. 탑재대는 처리 용기 내에 배치되고, 기판을 탑재하는 탑재 영역이 획정된다. 정류벽은 탑재대의 탑재 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에, 탑재 영역측으로부터 탑재대의 외주측에 관통하는 간극을 마련하여 탑재 영역을 둘러싸도록 배치된다.A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a processing container, a mounting table, and a rectifying wall. The mount table is placed in the processing container, and a mount area for mounting the substrate is defined. The rectifying wall is disposed on the peripheral area surrounding the mounting area of the mounting table so as to surround the mounting area with a gap penetrating from the mounting area side to the outer circumferential side of the mounting table.

본 개시에 의하면, 기판에 대한 기판 처리의 불균일을 억제하면서, 생성물의 퇴적을 억제할 수 있다.According to the present disclosure, product deposition can be suppressed while suppressing non-uniformity in substrate processing with respect to the substrate.

도 1은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성의 일례를 도시하는 수직 단면도이다.
도 2는 실시형태에 따른 탑재대의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 실시형태에 따른 탑재의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 확대도이다.
도 4a는 비교예 1의 구성의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4b는 비교예 1의 구성에서의 처리 특성의 변화의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5a는 비교예 2의 구성의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5b는 비교예 2의 구성에서의 처리 특성의 변화의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6a는 본 실시형태의 구성의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6b는 본 실시형태의 구성에서의 처리 특성의 변화의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 실시형태에 따른 정류벽의 치수나 배치 위치를 설명하는 도면이다.
도 8은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 기판을 반송하는 흐름을 도시하는 도면이다.1 is a vertical cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment.
2 is a diagram showing an example of the configuration of a mounting table according to the embodiment.
3 is an enlarged view schematically showing an example of a configuration of a mount according to an embodiment.
4A is a diagram schematically showing an example of a configuration of Comparative Example 1;
FIG. 4B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics in the configuration of Comparative Example 1. FIG.
5A is a diagram schematically showing an example of a configuration of Comparative Example 2.
5B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics in the configuration of Comparative Example 2.
6A is a diagram schematically showing an example of the configuration of this embodiment.
6B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics in the configuration of this embodiment.
Fig. 7 is a diagram explaining the dimensions and arrangement position of the rectifying wall according to the present embodiment.
8 is a diagram showing a flow of conveying a substrate to the plasma processing apparatus according to the embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본원의 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시형태에 의해, 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the disclosed substrate processing apparatus and substrate processing method are not limited by this embodiment.

액정 패널이나 반도체 장치의 제조에서는, 플라즈마 에칭 등의 기판 처리가 실시된다. 예를 들어, 플라즈마 에칭으로는, 플라즈마를 이용하여 기판이나 기판 상에 형성된 박막 등의 식각을 실행한다.In the manufacture of liquid crystal panels and semiconductor devices, substrate processing such as plasma etching is performed. For example, in plasma etching, a substrate or a thin film formed on the substrate is etched using plasma.

그런데, 기판 처리에서는, 기판의 중앙 부근과 외연부 부근에서 기판 처리의 불균일이 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 플라즈마 에칭에서는, 로딩 효과에 의해, 기판의 주변 영역에서 중앙 부근보다 에칭 레이트가 높아진다. 그래서, 특허문헌 1의 기술을 이용하여, 기판이 탑재되는 탑재대 상에 기판을 둘러싸도록 정류벽을 마련하여, 기판의 노출 표면 상에 있어서 처리실 내의 가스를 체류시킴으로써, 에칭 레이트를 균일화할 수 있다.However, in substrate processing, unevenness in substrate processing may occur in the vicinity of the center and the periphery of the substrate. For example, in plasma etching, the etching rate is higher in the peripheral region of the substrate than in the central region due to the loading effect. Therefore, using the technique of Patent Literature 1, a rectifying wall is provided on a mounting table on which a substrate is mounted so as to surround the substrate, and the gas in the processing chamber is retained on the exposed surface of the substrate, thereby making it possible to uniformize the etching rate. .

그러나, 탑재대 상에 기판을 둘러싸도록 정류벽을 마련한 경우, 정류벽에 에칭 처리에 의해 발생한 생성물이 부착하여 서서히 퇴적되고, 퇴적된 생성물이 파티클의 원인이 되는 경우가 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치는 퇴적된 생성물을 제거하는 메인터넌스가 정기적으로 필요하게 된다. 기판 처리 장치는 정류벽으로의 생성물의 퇴적 속도가 빠른 경우, 메인터넌스의 주기가 짧아져서, 생산성이 저하한다. 그래서, 기판에 대한 에칭 등의 기판 처리의 불균일을 억제하면서, 생성물의 퇴적을 억제하는 것이 기대되고 있다.However, when a rectifying wall is provided on a mounting table so as to surround a substrate, a product generated by the etching process adheres to the rectifying wall and is gradually deposited, and the deposited product sometimes causes particles. For this reason, the substrate processing apparatus regularly requires maintenance to remove the deposited product. In the substrate processing apparatus, when the product is deposited on the rectifying wall at a high speed, the maintenance cycle is shortened, resulting in a decrease in productivity. Therefore, it is expected to suppress product deposition while suppressing non-uniformity in substrate processing such as etching to the substrate.

[장치의 구성][Configuration of device]

실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 이하에서는, 기판 처리 장치를 플라즈마 처리 장치(10)로 하고, 기판 처리로서 플라즈마 에칭 등의 플라즈마 처리를 실시하는 경우를 주된 예에 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)의 개략 구성의 일례를 도시하는 수직 단면도이다. 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 유도 결합 플라즈마를 생성하여, 예를 들면, FPD용 유리 기판과 같은 직사각형의 기판에 대해 에칭 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치로서 구성된다.A substrate processing apparatus according to an embodiment will be described. Hereinafter, a case where the substrate processing device is the plasma processing device 10 and a plasma processing such as plasma etching is performed as a substrate processing will be described as a main example. 1 is a vertical sectional view showing an example of a schematic configuration of a plasma processing apparatus 10 according to an embodiment. The plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment is a plasma processing apparatus that generates inductively coupled plasma and performs plasma processing such as an etching process or an ashing process on a rectangular substrate such as, for example, a glass substrate for FPD. It consists of

플라즈마 처리 장치(10)는 도전성 재료, 예를 들면, 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상의 기밀한 본체 용기(1)를 갖는다. 본체 용기(1)는 분해 가능하게 조립할 수 있고, 접지선(1a)에 의해 접지되어 있다. 본체 용기(1)는 유전체벽(2)에 의해 상하로 안테나실(3) 및 처리실(4)로 구획되어 있다. 유전체벽(2)은 처리실(4)의 천정벽을 구성하고 있다. 유전체벽(2)은 Al2O3 등의 세라믹스, 석영 등으로 구성되어 있다.The plasma processing apparatus 10 has an airtight container 1 in the shape of a rectangular cylinder made of a conductive material, for example, aluminum whose inner wall surface is anodized. The body container 1 can be assembled so as to be disassembled, and is grounded by a ground wire 1a. The body container 1 is partitioned into an antenna chamber 3 and a processing chamber 4 vertically by dielectric walls 2. The dielectric wall 2 constitutes a ceiling wall of the processing chamber 4 . The dielectric wall 2 is made of ceramics such as Al 2 O 3 , quartz or the like.

본체 용기(1)에 있어서의 안테나실(3)의 측벽(3a)과 처리실(4)의 측벽(4a) 사이에는 내측으로 돌출하는 지지 선반(5)이 마련되어 있다. 지지 선반(5) 위에는, 유전체벽(2)이 탑재된다.In the body container 1, between the side wall 3a of the antenna chamber 3 and the side wall 4a of the processing chamber 4, a support shelf 5 protruding inward is provided. Above the support shelf 5, a dielectric wall 2 is mounted.

유전체벽(2)의 하측 부분에는, 처리 가스 공급용의 샤워 하우징(11)이 끼워넣어져 있다. 샤워 하우징(11)은 십자 형상으로 마련되어 있고, 유전체벽(2)을 아래로부터 지지하는 구조, 예를 들면, 비임 구조로 되어 있다. 또한, 상기 유전체벽(2)을 지지하는 샤워 하우징(11)은 복수개의 서스펜더(도시되지 않음)에 의해 본체 용기(1)의 천정에 매달린 상태로 되어 있다. 지지 선반(5) 및 샤워 하우징(11)은 유전체 부재로 피복되어 있어도 좋다.In the lower part of the dielectric wall 2, a shower housing 11 for supplying processing gas is fitted. The shower housing 11 is provided in a cross shape and has a structure supporting the dielectric wall 2 from below, for example, a beam structure. In addition, the shower housing 11 supporting the dielectric wall 2 is suspended from the ceiling of the body container 1 by a plurality of suspenders (not shown). The support shelf 5 and the shower housing 11 may be covered with a dielectric member.

샤워 하우징(11)은 도전성 재료, 바람직하게는 금속, 예를 들면, 오염물이 발생하지 않도록 내면 또는 외면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 샤워 하우징(11)에는, 수평으로 신장되는 가스 유로(12)가 형성되어 있다. 가스 유로(12)에는, 하방을 향해 연장되는 복수의 가스 토출 구멍(12a)이 연통하여 있다. 한편, 유전체벽(2)의 상면 중앙에는, 가스 유로(12)에 연통하도록 가스 공급관(20a)이 마련되어 있다. 가스 공급관(20a)은 본체 용기(1)의 천정으로부터 외측으로 관통하고, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급계(20)에 접속되어 있다. 따라서, 플라즈마 처리에 있어서, 처리 가스 공급계(20)로부터 공급된 처리 가스는 가스 공급관(20a)을 거쳐서 샤워 하우징(11)의 가스 유로(12)에 공급되고, 샤워 하우징(11)의 하면에 형성된 가스 토출 구멍(12a)으로부터 처리실(4) 내로 토출된다.The shower housing 11 is made of a conductive material, preferably a metal, for example, aluminum whose inner or outer surface is anodized to prevent contamination. A gas flow path 12 extending horizontally is formed in the shower housing 11 . A plurality of gas discharge holes 12a extending downward communicate with the gas passage 12 . On the other hand, at the center of the upper surface of the dielectric wall 2, a gas supply pipe 20a is provided so as to communicate with the gas flow path 12. The gas supply pipe 20a penetrates outward from the ceiling of the body container 1 and is connected to a process gas supply system 20 including a process gas supply source and a valve system. Therefore, in the plasma treatment, the processing gas supplied from the processing gas supply system 20 is supplied to the gas flow path 12 of the shower housing 11 via the gas supply pipe 20a, and is deposited on the lower surface of the shower housing 11. Gas is discharged into the processing chamber 4 through the formed gas discharge hole 12a.

안테나실(3) 내에는, 고주파(RF) 안테나(13)가 배치되어 있다. 고주파 안테나(13)는 구리나 알루미늄 등의 양(良) 도전성의 금속으로 이루어지는 안테나선(13a)을 환 형상이나 와권 형상 등의 종래 이용되는 임의의 형상으로 배치하여 구성된다. 고주파 안테나(13)는 복수의 안테나부를 갖는 다중 안테나여도 좋다.In the antenna chamber 3, a radio frequency (RF) antenna 13 is disposed. The high frequency antenna 13 is constituted by arranging an antenna wire 13a made of positively conductive metal such as copper or aluminum in an arbitrary shape conventionally used such as an annular shape or a spiral wound shape. The high frequency antenna 13 may be a multiple antenna having a plurality of antenna units.

안테나선(13a)의 단자(13b)에는, 안테나실(3)의 상방으로 연장되는 급전 부재(16)가 접속되어 있다. 급전 부재(16)의 상단에는, 급전선(19)에서 고주파 전원(15)이 접속되어 있다. 또한, 급전선(19)에는, 정합기(14)가 마련되어 있다. 게다가, 고주파 안테나(13)는 절연 부재로 이루어지는 스페이서(17)에 의해 유전체벽(2)으로부터 이격되어 있다. 플라즈마 처리시, 고주파 안테나(13)에는, 고주파 전원(15)으로부터, 예를 들면, 주파수가 13.56㎒의 고주파 전력이 공급된다. 이에 의해, 처리실(4) 내에는, 유도 전계가 형성되고, 유도 전계에 의해 샤워 하우징(11)으로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화되어서, 유도 결합 플라즈마가 생성된다.A power supply member 16 extending upward of the antenna chamber 3 is connected to the terminal 13b of the antenna wire 13a. A high frequency power supply 15 is connected to the upper end of the power supply member 16 through a power supply line 19 . In addition, a matching device 14 is provided in the power supply line 19 . In addition, the high frequency antenna 13 is separated from the dielectric wall 2 by a spacer 17 made of an insulating member. During the plasma processing, the high frequency antenna 13 is supplied with high frequency power having a frequency of, for example, 13.56 MHz from the high frequency power supply 15 . As a result, an induction electric field is formed in the processing chamber 4, and the processing gas supplied from the shower housing 11 is converted into plasma by the induction field, thereby generating inductively coupled plasma.

처리실(4) 내의 바닥벽(4b) 상에는, 유전체벽(2)을 사이에 두고 고주파 안테나(13)와 대향하도록, 탑재대(23)가 마련되어 있다. 탑재대(23)는 직사각형상의 기판(G)을 탑재하기 위한 탑재면(23a)을 상면에 갖는다. 탑재대(23)는 도전성 부재(22)와 절연체 부재(24)를 갖는다. 도전성 부재(22)는 도전성 재료, 예를 들면, 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되고, 평판 형상으로 형성되어 있다. 절연체 부재(24)는 도전성 부재(22)의 측면으로부터 하면의 주변 부분을 덮도록 형성되어 있다. 탑재대(23)는 절연체 부재(24)를 거쳐서 도전성 부재(22)가 처리실(4) 내에 고정되어 있다. 탑재대(23)에 탑재된 기판(G)은 정전 척(도시되지 않음)에 의해 흡착 보지된다.On the bottom wall 4b in the processing chamber 4, a mount table 23 is provided so as to face the high frequency antenna 13 with the dielectric wall 2 interposed therebetween. The mounting table 23 has a mounting surface 23a on its upper surface for mounting the rectangular substrate G. The mounting table 23 has a conductive member 22 and an insulator member 24 . The conductive member 22 is made of a conductive material, for example, aluminum whose surface is anodized, and is formed in a flat plate shape. The insulator member 24 is formed so as to cover the peripheral portion of the lower surface from the side surface of the conductive member 22 . In the mounting table 23 , a conductive member 22 is fixed within the processing chamber 4 via an insulator member 24 . The substrate G mounted on the mount table 23 is adsorbed and held by an electrostatic chuck (not shown).

탑재대(23)는 탑재면(23a)에 기판(G)을 둘러싸도록 정류벽(60)이 배치되어 있다. 정류벽(60)은 간격을 두고 탑재면(23a)에 마련된 후술하는 복수의 지지 부재(61)(도 2 참조)에 의해 지지되어 있고, 탑재면(23a)과의 사이에 간극(62)을 마련하여 배치되어 있다.In the mounting table 23, a rectifying wall 60 is disposed on the mounting surface 23a so as to surround the substrate G. The rectifying wall 60 is supported by a plurality of support members 61 (refer to FIG. 2) described later provided on the mounting surface 23a at intervals, and a gap 62 is formed between the mounting surface 23a and the mounting surface 23a. prepared and placed.

탑재대(23)는 기판(G)의 반입출을 위한 후술하는 리프터 핀(50)(도 8 참조)이 본체 용기(1)의 바닥벽(4b), 절연체 부재(24)를 거쳐서 관통 삽입되어 있다. 리프터 핀(50)은 본체 용기(1) 밖에 마련된 승강 기구(도시되지 않음)에 의해 승강 구동하여 기판(G)의 반입출을 실행하도록 되어 있다. 또한, 탑재대(23)는 승강 기구에 의해 승강 가능한 구조로 해도 좋다.In the mounting table 23, a lifter pin 50 (see FIG. 8) described later for carrying in and out of the substrate G is inserted through the bottom wall 4b of the body container 1 and the insulator member 24, there is. The lifter pin 50 is lifted and driven by a lifting mechanism (not shown) provided outside the body container 1 to carry in and take out the substrate G. In addition, the mounting table 23 may have a structure capable of being moved up and down by an up and down mechanism.

탑재대(23)에는, 급전선(25)에 의해, 정합기(26)를 거쳐서 바이어스용의 고주파 전원(27)이 접속되어 있다. 고주파 전원(27)은 플라즈마 처리 중에, 고주파 바이어스(바이어스용 고주파 전력)를 탑재대에 인가한다. 고주파 바이어스의 주파수는 예를 들면 3.2㎒이다. 처리실(4) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온은, 바이어스용의 고주파 전력에 의해, 효과적으로 기판(G)에 인입된다.A high-frequency power supply 27 for bias is connected to the mounting table 23 via a power supply line 25 via a matching device 26 . The high frequency power supply 27 applies a high frequency bias (high frequency power for bias) to the mounting table during plasma processing. The frequency of the high-frequency bias is, for example, 3.2 MHz. Ions in the plasma generated in the processing chamber 4 are effectively drawn into the substrate G by the high-frequency power for biasing.

또한, 탑재대(23) 내에는, 기판(G)의 온도를 제어하기 위해, 세라믹 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등으로 이루어지는 온도 제어 기구와, 온도 감지기가 마련되어 있다(모두 도시되지 않음).Further, in the mount table 23, a temperature control mechanism including a heating means such as a ceramic heater or a refrigerant passage, and a temperature sensor are provided to control the temperature of the substrate G (both not shown).

게다가, 탑재대(23)는 기판(G)이 탑재되었을 때에, 기판(G)의 이면측에 냉각 공간(도시되지 않음)이 형성된다. 냉각 공간에는, 예를 들면, He나 N2 등의 열전달용 가스를 소정의 압력으로 공급하기 위한 가스 유로(28)가 접속되어 있다. 이와 같이, 기판(G)의 이면측에 열전달용 가스를 공급하는 것에 의해, 진공 하에 있어서 기판(G)의 온도 제어성을 양호하게 할 수 있다.In addition, in the mounting table 23, when the substrate G is mounted, a cooling space (not shown) is formed on the back side of the substrate G. The cooling space is connected to a gas flow path 28 for supplying a heat transfer gas such as He or N 2 at a predetermined pressure. In this way, by supplying the gas for heat transfer to the back side of the substrate G, the temperature controllability of the substrate G can be improved in a vacuum.

처리실(4)의 바닥벽(4b)의 바닥부 중앙에는, 개구부(4c)가 형성되어 있다. 급전선(25), 가스 유로(28), 및 온도 제어 기구의 배관이나 배선은, 개구부(4c)를 통해서 본체 용기(1) 밖으로 도출된다.An opening 4c is formed in the center of the bottom of the bottom wall 4b of the processing chamber 4 . Piping and wiring of the power supply line 25, the gas flow path 28, and the temperature control mechanism are led out of the body container 1 through the opening 4c.

처리실(4)의 네 개의 측벽(4a) 중 1개에는, 기판(G)을 반입출하기 위한 반입출구(29a) 및 이를 개폐하는 게이트 밸브(29)가 마련되어 있다.One of the four side walls 4a of the processing chamber 4 is provided with a loading/unloading port 29a for loading/unloading the substrate G and a gate valve 29 for opening/closing the loading/unloading port 29a.

처리실(4)의 탑재대(23)의 주위에는, 배기구(30)가 마련되어 있다. 예를 들어, 처리실(4)의 바닥벽(4b)에는, 탑재대(23)의 측면을 따라서 배기구(30)가 마련되어 있다. 배기구(30)는 탑재대(23)의 탑재면(23a)보다 낮은 위치가 되도록, 바닥벽(4b)에 마련되어 있다. 배기구(30)에는, 개구 배플판(30a)이 마련되어 있다. 개구 배플판(30a)은 다수의 슬릿이 형성된 부재나, 메쉬 부재, 다수의 펀칭 구멍을 갖는 부재에 의해 형성되어 있고, 배기가 통과 가능하게 되는 동시에 플라즈마가 통과하는 것을 억제하고 있다.An exhaust port 30 is provided around the mounting table 23 of the processing chamber 4 . For example, an exhaust port 30 is provided along the side surface of the mounting table 23 in the bottom wall 4b of the processing chamber 4 . The exhaust port 30 is provided on the bottom wall 4b so as to be positioned lower than the mounting surface 23a of the mounting table 23 . The exhaust port 30 is provided with an opening baffle plate 30a. The opening baffle plate 30a is formed of a member having a plurality of slits, a mesh member, or a member having a plurality of punched holes, and allows exhaust gas to pass through while suppressing the passage of plasma.

배기구(30)에는, 배기부(40)가 접속되어 있다. 배기부(40)는 배기구(30)에 접속된 배기 배관(31)과, 배기 배관(31)의 개방도를 조정하는 것에 의해 처리실(4) 내의 압력을 제어하는 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)와, 배기 배관(31)을 거쳐서 처리실(4) 내를 배기하는 진공 펌프(33)를 갖고 있다. 그리고, 진공 펌프(33)에 의해 처리실(4) 내가 배기되고, 플라즈마 처리 중, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)의 개방도를 조정하여 처리실(4) 내를 소정의 진공 분위기로 설정, 유지된다.An exhaust unit 40 is connected to the exhaust port 30 . The exhaust unit 40 includes an exhaust pipe 31 connected to the exhaust port 30 and an automatic pressure control valve (APC) ( 32) and a vacuum pump 33 for exhausting the inside of the processing chamber 4 via the exhaust pipe 31. Then, the inside of the processing chamber 4 is exhausted by the vacuum pump 33, and during the plasma processing, the opening of the automatic pressure control valve (APC) 32 is adjusted to set the inside of the processing chamber 4 to a predetermined vacuum atmosphere, maintain.

실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 제어부(100), 유저 인터페이스(101), 기억부(102)를 갖고 있다. 제어부(100)는 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부, 예를 들면, 밸브, 고주파 전원(15), 고주파 전원(27), 진공 펌프(33) 등에 지령을 보내서, 이들을 제어한다. 또한, 유저 인터페이스(101)는 오퍼레이터에 의한 플라즈마 처리 장치(10)를 관리하기 위한 커멘드 입력 등의 입력 조작을 실행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 갖는다. 유저 인터페이스(101)는 제어부(100)에 접속되어 있다. 기억부(102)는 플라즈마 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 제어부(100)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉, 처리 레시피가 격납되어 있다. 기억부(102)는 제어부(100)에 접속되어 있다. 처리 레시피는 기억부(102) 중의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는 컴퓨터에 내장된 하드 디스크나 반도체 메모리여도 좋고, CDROM, DVD, 플러시 메모리 등의 가반성의 것이어도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들면, 전용 회선을 거쳐서 레시피를 적절하게 전송시키도록 해도 좋다. 그리고, 필요에 따라, 유저 인터페이스(101)로부터의 지시 등으로 임의의 처리 레시피를 기억부(102)로부터 호출하여 제어부(100)에 실행시킴으로써, 제어부(100)의 제어 하에서, 플라즈마 처리 장치(10)에서의 소망한 처리가 실행된다.A plasma processing apparatus 10 according to an embodiment includes a control unit 100 composed of a microprocessor (computer), a user interface 101, and a storage unit 102. The control unit 100 sends commands to each component of the plasma processing apparatus 10, such as a valve, a high frequency power supply 15, a high frequency power supply 27, and a vacuum pump 33, and controls them. In addition, the user interface 101 includes a keyboard for executing input operations such as command input for managing the plasma processing device 10 by an operator, a display for visualizing and displaying the operation status of the plasma processing device 10, and the like. have The user interface 101 is connected to the control unit 100 . The storage unit 102 executes processing in each component of the plasma processing apparatus 10 according to a control program for realizing various processes executed in the plasma processing apparatus 10 under the control of the control unit 100 and processing conditions. A program for doing so, that is, a processing recipe is stored. The storage unit 102 is connected to the control unit 100 . A processing recipe is stored in a storage medium in the storage unit 102 . The storage medium may be a hard disk or semiconductor memory incorporated in a computer, or may be a portable medium such as a CDROM, DVD, or flash memory. Further, the recipe may be appropriately transmitted from another device via, for example, a dedicated line. Then, if necessary, an arbitrary processing recipe is called from the storage unit 102 by instructions from the user interface 101 or the like and is executed by the control unit 100, under the control of the control unit 100, the plasma processing device 10 ) is executed.

다음에, 실시형태에 따른 정류벽(60)의 상세에 대해서 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 탑재대(23)의 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 도 2에는, 탑재대(23)를 상방(샤워 하우징(11)측)에서 바라본 도면이 도시되어 있다. 탑재대(23)는 탑재면(23a)의 중앙 부근에 기판(G)을 탑재하는 탑재 영역(23aa)이 획정되어 있다. 기판(G)은 액정 패널의 제조에 이용되는 경우, 장방형으로 형성된다. 탑재대(23)는 기판(G)에 대응하여 탑재면(23a)이 단변 및 장변을 갖는 직사각형상으로 형성되어 있다. 탑재 영역(23aa)은 기판(G)과 같이 단변 및 장변을 갖는 직사각형상으로 되어 있다.Next, details of the rectifying wall 60 according to the embodiment will be described. Fig. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the mount table 23 according to the embodiment. FIG. 2 shows a view of the mount table 23 viewed from above (shower housing 11 side). In the mounting table 23, a mounting area 23aa for mounting the substrate G is defined near the center of the mounting surface 23a. The substrate G is formed in a rectangular shape when used for manufacturing a liquid crystal panel. The mounting table 23 is formed in a rectangular shape with a mounting surface 23a corresponding to the substrate G and having a short side and a long side. Like the substrate G, the mounting area 23aa has a rectangular shape having a short side and a long side.

탑재대(23)는 탑재면(23a)의 탑재 영역(23aa)을 둘러싸는 주변 영역(23ab) 상에, 탑재 영역(23aa)을 둘러싸도록 정류벽(60)이 배치된다. 본 실시형태에서는, 정류벽(60)이 탑재 영역(23aa)의 단변을 따라서 배치된 2개의 단변 벽부(70)와, 탑재 영역(23aa)의 장변을 따라서 배치된 2개의 장변 벽부(71)와, 탑재 영역(23aa)의 모서리 부분에 대응하여 배치된 4개의 모서리 벽부(73)에 의해 구성되어 있다. 단변 벽부(70), 장변 벽부(71) 및 모서리 벽부(73)는 원주 형상의 복수의 지지 부재(61)에 의해 지지되어서 주변 영역(23ab)으로부터 이격하여 배치되어 있다. 지지 부재(61)는 반드시 수평 단면이 원형인 것에 한정되지 않지만, 적어도, 통과하는 가스 흐름이 정체되는 것을 피하기 위해 모서리부를 갖지 않는 형상인 것이 필요하며, 원형 외는 예를 들면, 타원형 등 오목부를 갖지 않는 곡선에 의해 구성된 형상인 것이 바람직하다.In the mounting table 23, on the peripheral area 23ab surrounding the mounting area 23aa of the mounting surface 23a, the rectifying wall 60 is disposed so as to surround the mounting area 23aa. In this embodiment, the rectifying wall 60 includes two short side wall portions 70 disposed along the short side of the mounting area 23aa and two long side wall portions 71 disposed along the long side of the mounting area 23aa. , It is constituted by four corner wall portions 73 disposed corresponding to the corner portions of the mounting area 23aa. The short side wall portion 70, the long side wall portion 71, and the corner wall portion 73 are supported by a plurality of columnar support members 61 and are spaced apart from the peripheral region 23ab. The support member 61 is not necessarily limited to having a circular horizontal cross section, but at least needs to have a shape without a corner portion in order to avoid stagnation of the passing gas flow, and a shape other than the circular one does not have a concave portion, such as an ellipse, for example. It is preferable that it is a shape composed of curved lines.

도 3은 실시형태에 따른 탑재대(23)의 구성의 일례를 모식적으로 도시한 확대도이다. 탑재대(23)의 탑재면(23a)은 탑재 영역(23aa)이 마련되고, 탑재 영역(23aa)의 외측에 주변 영역(23ab)이 마련되어 있다. 탑재대(23)의 탑재면(23a)은 평탄한 평면으로 되어 있고, 탑재 영역(23aa)과 주변 영역(23ab)이 연속한 평면을 구성한다.Fig. 3 is an enlarged view schematically showing an example of the configuration of the mounting table 23 according to the embodiment. The mounting surface 23a of the mounting table 23 is provided with a mounting area 23aa, and a peripheral area 23ab is provided outside the mounting area 23aa. The mounting surface 23a of the mounting table 23 is a flat plane, and the mounting area 23aa and the peripheral area 23ab form a continuous plane.

탑재대(23)의 주변 영역(23ab) 상에는, 정류벽(60)이 배치된다. 정류벽(60)은 단면 형상이 직사각형으로 되어 있고, 상면(60a), 2개의 측면(60b, 60c), 하면(60d)이 각각 대략 평탄하게 형성되어 있다. 정류벽(60)은 지지 부재(61)에 의해 주변 영역(23ab)과 이격시켜서 배치되어 있다. 정류벽(60)을 주변 영역(23ab)으로부터 이격시키고 있음으로써, 주변 영역(23ab)과 정류벽(60) 사이에는, 탑재 영역(23aa)측으로부터 탑재대(23)의 외주측으로 관통하는 간극(62)이 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 주변 영역(23ab)의 전체 둘레에 간극(62)을 마련하는 경우를 예로 설명하지만, 반드시 주변 영역(23ab)의 전체 둘레에 간극(62)을 마련할 필요는 없다. 예를 들어, 다른 부품의 배치 영역을 확보하기 위해, 주변 영역(23ab)의 일부에서 간극(62)이 없어도 좋다.On the peripheral area 23ab of the mounting table 23, a rectifying wall 60 is disposed. The rectifying wall 60 has a rectangular cross-section, and an upper surface 60a, two side surfaces 60b and 60c, and a lower surface 60d are each formed substantially flat. The rectifying wall 60 is spaced apart from the peripheral area 23ab by the supporting member 61 and is arranged. By separating the rectifying wall 60 from the peripheral region 23ab, a gap ( 62) is provided. In this embodiment, a case where the gap 62 is provided around the entire periphery of the peripheral region 23ab is explained as an example, but it is not necessary to provide the gap 62 around the entire circumference of the peripheral region 23ab. For example, the gap 62 may not be present in a part of the peripheral area 23ab in order to secure an area for arranging other components.

다음에, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리, 예를 들면, 플라즈마 에칭을 실시할 때의 처리 동작에 대해서 설명한다.Next, a processing operation when plasma processing, eg, plasma etching, is performed on the substrate G using the plasma processing apparatus 10 configured as described above will be described.

우선, 플라즈마 처리 장치(10)는 게이트 밸브(29)를 개방으로 한 상태로 한다. 기판(G)은 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 반입출구(29a)로부터 처리실(4) 내에 반입되고, 탑재대(23)의 탑재면(23a)에 탑재된다. 플라즈마 처리 장치(10)는 정전 척(도시되지 않음)에 의해 기판(G)을 탑재대(23) 상에 고정한다. 다음에, 플라즈마 처리 장치(10)는 처리 가스 공급계(20)로부터 샤워 하우징(11)의 가스 토출 구멍(12a)을 거쳐서 처리 가스를 처리실(4) 내에 공급한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)에 의해 압력을 제어하면서 배기구(30)로부터 배기 배관(31)을 거쳐서 진공 펌프(33)에 의해 처리실(4) 내를 진공 배기하는 것에 의해, 처리실 내를 예를 들면 0.66㎩ 내지 26.6㎩ 정도의 압력 분위기로 유지한다.First, the plasma processing apparatus 10 sets the gate valve 29 to an open state. The substrate G is carried into the processing chamber 4 from the loading/unloading port 29a by a conveying mechanism (not shown), and is placed on the mounting surface 23a of the mounting table 23 . The plasma processing apparatus 10 fixes the substrate G on the mounting table 23 by means of an electrostatic chuck (not shown). Next, the plasma processing apparatus 10 supplies the processing gas into the processing chamber 4 from the processing gas supply system 20 via the gas discharge hole 12a of the shower housing 11 . In addition, the plasma processing apparatus 10 moves the inside of the processing chamber 4 by the vacuum pump 33 from the exhaust port 30 via the exhaust pipe 31 while controlling the pressure by the automatic pressure control valve (APC) 32. By vacuum exhausting, the inside of the processing chamber is maintained in a pressure atmosphere of, for example, about 0.66 Pa to 26.6 Pa.

또한, 이때, 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(G)의 온도 상승이나 온도 변화를 회피하기 위해서, 가스 유로(28)를 거쳐서, 기판(G)의 이면측의 냉각 공간에 열전달용 가스를 공급한다.In addition, at this time, the plasma processing apparatus 10 supplies a heat transfer gas to the cooling space on the back side of the substrate G via the gas flow path 28 in order to avoid a temperature rise or temperature change of the substrate G. do.

그 다음에, 플라즈마 처리 장치(10)는 고주파 전원(15)으로부터, 예를 들면, 13.56㎒의 고주파를 고주파 안테나(13)에 인가하고, 이에 의해 유전체벽(2)을 거쳐서 처리실(4) 내에 균일한 유도 전계를 형성한다. 이와 같이 하여 형성된 유도 전계에 의해, 처리실(4) 내에서 처리 가스가 플라즈마화하고, 고밀도의 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 본 플라즈마에 의해, 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리, 예를 들면, 기판(G)의 소정의 막에 대해 플라즈마 에칭이 실행된다. 이때 동시에, 플라즈마 처리 장치(10)는 고주파 전원(27)으로부터 고주파 바이어스로서, 예를 들면, 주파수가 3.2㎒의 고주파 전력을 탑재대(23)에 인가하여, 처리실(4) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온이 효과적으로 기판(G)에 인입되도록 한다.Next, the plasma processing apparatus 10 applies a high frequency of, for example, 13.56 MHz from the high frequency power supply 15 to the high frequency antenna 13, thereby passing through the dielectric wall 2 into the processing chamber 4. form a uniform induced electric field. The processing gas is converted into plasma in the processing chamber 4 by the induction electric field formed in this way, and high-density inductively coupled plasma is generated. By this plasma, plasma processing is performed on the substrate G, for example, plasma etching is performed on a predetermined film of the substrate G. Simultaneously at this time, the plasma processing apparatus 10 applies high-frequency power of, for example, a frequency of 3.2 MHz as a high-frequency bias from the high-frequency power supply 27 to the mounting table 23, and the plasma generated in the processing chamber 4 Ions are effectively drawn into the substrate G.

본 명세서에서, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 탑재대(23)의 주변 영역(23ab)에 정류벽(60)을 마련하고 있다. 이 정류벽(60)이 없는 경우, 플라즈마 처리 장치(10)는 로딩 효과에 의해, 기판(G)의 주변 영역에서 중앙 부근보다 에칭 레이트가 높아진다. 도 4a는 비교예 1의 구성의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 4a는 비교예 1로서, 탑재대(23)의 주변 영역(23ab)에 정류벽(60)을 배치하고 있지 않은 경우를 도시하고 있다. 비교예 1의 구성으로 한 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재면(23a)에 탑재된 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리를 실시했을 경우, 기판(G)의 주변 영역에서 플라즈마 처리의 처리 특성이 변화하는 경우가 있다. 예를 들어, 비교예 1의 플라즈마 처리 장치(10)는 탑재면(23a)에 탑재된 기판(G)에 대해서, 플라즈마 에칭을 실시했을 경우, 기판(G)의 주변 영역에서는 중심 영역에 대해서 처리실(4)의 내부의 처리실내 가스의 배기 속도가 높고 반응 생성물 등이 기판(G)의 근방으로부터 신속하게 제거되기 때문에, 플라즈마 중의 미반응의 반응종(반응에 기여하는 라디칼이나 이온 등)의 비율이 높아진다. 그 때문에, 로딩 효과에 의해, 기판(G)의 주변 영역에서 에칭 레이트가 높아져서, 기판(G)의 면내의 에칭의 균일성이 저하(불균일한 비율이 증가)한다. 도 4b는 비교예 1의 구성에서의 처리 특성의 변화의 일례를 도시하는 도면이다. 도 4b에는, 처리 특성으로서, 기판(G)에 대한 플라즈마 에칭의 에칭 레이트(E/R)의 변화를 나타내는 곡선(L1)이 나타나 있다. 곡선(L1)으로 나타내는 바와 같이, 에칭 레이트는 기판(G)의 주변 영역에서 중앙 부근보다 높아진다.In this specification, in the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the rectifying wall 60 is provided in the peripheral area 23ab of the mounting table 23 . In the absence of the rectifying wall 60, the plasma processing apparatus 10 has a higher etching rate in the peripheral region of the substrate G than in the central region due to the loading effect. 4A is a diagram schematically showing an example of a configuration of Comparative Example 1; FIG. 4A shows a case in which the rectifying wall 60 is not disposed in the peripheral area 23ab of the mounting table 23 as Comparative Example 1. FIG. In the plasma processing apparatus 10 having the configuration of Comparative Example 1, when plasma processing is performed on the substrate G mounted on the mounting surface 23a, the processing characteristics of the plasma processing in the peripheral area of the substrate G are improved. There are times when it changes. For example, in the plasma processing apparatus 10 of Comparative Example 1, when plasma etching is performed on the substrate G mounted on the mounting surface 23a, the processing chamber is applied to the central area in the peripheral area of the substrate G. (4) The rate of unreacted reactive species (radicals, ions contributing to the reaction, etc.) it rises Therefore, due to the loading effect, the etching rate in the peripheral region of the substrate G is increased, and the uniformity of etching in the surface of the substrate G is lowered (the non-uniform ratio is increased). FIG. 4B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics in the configuration of Comparative Example 1. FIG. FIG. 4B shows a curve L1 representing a change in the etching rate (E/R) of the plasma etching for the substrate G as a processing characteristic. As indicated by the curve L1, the etching rate becomes higher in the peripheral region of the substrate G than near the center.

기판(G)에 대한 기판 처리의 처리 특성이 중앙 부근과 외연부 부근에서 상이한 경우, 기판(G) 위에 형성되는 TFT(Thin Film Transistor) 소자 등의 특성이 중앙 부근과 외연부 부근에서 변화해버린다. 기판 처리는 기판(G)에 대한 처리의 균일성이 높은 것이 바람직하다. 예를 들어, 고정밀한 액정 패널용으로, 기판(G) 상의 TAT(티타늄·알루미늄·티타늄)막을 가공하여 SD(소스·드레인)를 형성하는 프로세스의 플라즈마 에칭에서는, 높은 균일성이 요구된다. 그러나, TAT막의 플라즈마 에칭에서는, 외주부가 로딩 효과에 의해 주변 영역에서 중앙 부근보다 에칭 레이트가 높아진다.When the processing characteristics of the substrate processing for the substrate G are different in the vicinity of the center and the vicinity of the outer edge, the characteristics of a TFT (Thin Film Transistor) element or the like formed on the substrate G change near the center and near the outer edge . In the substrate treatment, it is preferable that the uniformity of the treatment of the substrate G is high. For example, high uniformity is required in plasma etching of a process for forming SD (source/drain) by processing a TAT (titanium/aluminum/titanium) film on the substrate G for a high-precision liquid crystal panel. However, in the plasma etching of the TAT film, the etching rate in the peripheral region is higher than that in the central region due to the loading effect.

그래서, 예를 들어, 특허문헌 1과 같이, 기판이 탑재되는 탑재대 상에 기판을 둘러싸도록 정류벽을 마련하는 것이 고려된다. 도 5a는 비교예 2의 구성의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 5a는 비교예 2로서, 탑재대(23)의 주변 영역(23ab)에 정류벽(60)을 배치했을 경우를 도시하고 있다. 비교예 2에서는, 주변 영역(23ab)에 간극(62)을 마련하지 않고, 정류벽(60)을 직접 배치하고 있다. 비교예 2의 구성으로 한 플라즈마 처리 장치(10)는, 정류벽(60)에 의해서 기판(G)의 노출 표면 상에 있어서 처리실내 가스를 체류시킴으로써, 에칭 레이트를 균일화할 수 있다. 도 5b는 비교예 2의 구성에서의 처리 특성의 변화의 일례를 도시하는 도면이다. 도 5b에는, 처리 특성으로서, 기판(G)에 대한 플라즈마 에칭의 에칭 레이트(E/R)의 변화를 나타내는 곡선(L2)이 나타나 있다. 곡선(L2)으로 나타내는 바와 같이, 에칭 레이트는 도 4b에 도시한 비교예 1과 비교하여, 기판(G)의 주변 영역과 중앙 부근에서 균일화된다.Then, for example, as in Patent Literature 1, it is considered to provide a rectifying wall so as to surround the substrate on a mounting table on which the substrate is mounted. 5A is a diagram schematically showing an example of a configuration of Comparative Example 2. FIG. 5A shows a case in which the rectifying wall 60 is disposed in the peripheral area 23ab of the mounting table 23 as Comparative Example 2. FIG. In Comparative Example 2, the rectifying wall 60 is directly arranged without providing the gap 62 in the peripheral region 23ab. In the plasma processing apparatus 10 having the configuration of Comparative Example 2, the etching rate can be made uniform by retaining the gas in the processing chamber on the exposed surface of the substrate G by the rectifying wall 60. 5B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics in the configuration of Comparative Example 2. FIG. 5B shows a curve L2 representing a change in the etching rate (E/R) of plasma etching for the substrate G as a processing characteristic. As indicated by the curve L2, the etching rate is uniform in the vicinity of the center and the peripheral region of the substrate G compared to Comparative Example 1 shown in FIG. 4B.

그러나, 비교예 2와 같이 간극(62)을 마련하지 않고 정류벽(60)을 주변 영역(23ab)에 직접 배치했을 경우, 정류벽(60)에 생성물이 부착하여 서서히 퇴적되고, 퇴적된 생성물이 파티클의 원인이 되는 경우가 있다. 예를 들어, 정류벽(60)은 처리실내 가스를 체류시킴으로써, 기판(G)측의 측면(60c)이나 상면(60a)에 생성물이 퇴적된다. 이 때문에, 플라즈마 처리 장치(10)는 정기적으로 퇴적된 생성물을 제거하는 메인터넌스가 필요하다. 플라즈마 처리 장치(10)는 정류벽(60)으로의 생성물의 퇴적 속도가 빠른 경우, 메인터넌스의 주기가 짧아져서, 생산성이 저하한다.However, when the rectifying wall 60 is directly disposed in the peripheral area 23ab without providing the gap 62 as in Comparative Example 2, the product adheres to the rectifying wall 60 and is gradually deposited, and the deposited product It may be the cause of particles. For example, the rectifying wall 60 retains gas in the processing chamber, so that products are deposited on the side surface 60c or upper surface 60a on the substrate G side. For this reason, the plasma processing apparatus 10 requires maintenance to remove the deposited products on a regular basis. In the plasma processing apparatus 10, when the product is deposited on the rectifying wall 60 at a high speed, the maintenance cycle is shortened, resulting in a decrease in productivity.

그래서, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 탑재대(23)의 주변 영역(23ab) 상에, 탑재 영역(23aa)측으로부터 탑재대(23)의 외주측으로 관통하는 간극(62)을 마련하여 정류벽(60)을 배치한다. 도 6a는 본 실시형태의 구성의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다. 주변 영역(23ab) 상에 정류벽(60)을 배치했을 경우, 정류벽(60)에 의해서 기판(G)의 노출 표면 상에 있어서 처리실내 가스가 일시적으로 체류됨으로써, 에칭 레이트를 균일화할 수 있다. 도 6b는 본 실시형태의 구성에서의 처리 특성의 변화의 일례를 도시하는 도면이다. 도 6b에는, 처리 특성으로서, 기판(G)에 대한 플라즈마 에칭의 에칭 레이트(E/R)의 변화를 나타내는 곡선(L3)이 나타나 있다. 곡선(L3)으로 나타내는 바와 같이, 에칭 레이트는 도 4b에 나타낸 비교예 1과 비교하여, 기판(G)의 주변 영역과 중앙 부근의 에칭 레이트가 균일화된다.Therefore, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment forms a gap 62 passing from the mounting area 23aa side to the outer circumferential side of the mounting table 23 on the peripheral area 23ab of the mounting table 23. Provided and arrange the rectifying wall (60). 6A is a diagram schematically showing an example of the configuration of this embodiment. When the rectifying wall 60 is disposed on the peripheral region 23ab, the gas in the processing chamber is temporarily retained on the exposed surface of the substrate G by the rectifying wall 60, so that the etching rate can be made uniform. . 6B is a diagram showing an example of a change in processing characteristics in the configuration of this embodiment. FIG. 6B shows a curve L3 representing a change in the etching rate (E/R) of the plasma etching for the substrate G as a processing characteristic. As indicated by the curve L3, the etching rate in the vicinity of the peripheral region and the center of the substrate G is uniform compared to Comparative Example 1 shown in FIG. 4B.

또한, 본 실시형태의 구성의 경우, 도 6a에 도시되는 바와 같이, 일시적으로 체류한 처리실내 가스는 간극(62)을 통해, 탑재대(23)의 외측에 배기된다. 이에 의해, 정류벽(60)으로의 생성물의 퇴적이 억제되어서, 정류벽(60)의 측면(60c)이나 상면(60a)의 생성물의 퇴적 속도가 저하한다. 이에 의해, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 퇴적된 생성물을 제거하는 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있어서, 생산성의 저하를 억제할 수 있다.Further, in the case of the configuration of this embodiment, as shown in FIG. 6A , the temporarily stored gas in the processing chamber is exhausted to the outside of the mounting table 23 through the gap 62 . As a result, product deposition on the rectifying wall 60 is suppressed, and the product deposition rate on the side surface 60c or upper surface 60a of the rectifying wall 60 is reduced. As a result, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment can lengthen the maintenance cycle for removing the deposited product, and can suppress a decrease in productivity.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(G)에 대한 기판 처리의 불균일을 억제하면서, 생성물의 퇴적을 억제할 수 있다.In this way, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment can suppress the deposition of products while suppressing non-uniformity of substrate processing with respect to the substrate G.

정류벽(60)의 치수나 배치 위치는 기판(G)의 주변 영역에서의 에칭 레이트의 상황이나 생성물의 퇴적의 상황에 따라, 적절하게 결정하면 좋다. 도 7은 본 실시형태에 따른 정류벽(60)의 치수나 배치 위치를 설명하는 도면이다. 도 7에는, 정류벽(60)의 기판(G)측의 측면(60c)과 기판(G)을 탑재하는 탑재 영역(23aa)의 간격이 간격(A)으로 나타나 있다. 또한, 정류벽(60)의 상면(60a)의 탑재대(23)의 탑재면(23a)으로부터 높이가 전체 높이(B)로 나타나 있다. 정류벽(60)의 하면(60d)과 주변 영역(23ab)의 간극(62)의 거리가 간격(C)으로 나타나 있다. 정류벽(60)의 폭이 폭(D)으로 나타나 있다.The size and position of the rectifying wall 60 may be appropriately determined according to the condition of the etching rate in the peripheral region of the substrate G or the condition of product deposition. Fig. 7 is a diagram explaining the dimensions and arrangement position of the rectifying wall 60 according to the present embodiment. In Fig. 7, the distance between the side surface 60c on the side of the substrate G of the rectifying wall 60 and the mounting area 23aa on which the substrate G is mounted is indicated by an interval A. Further, the height of the upper surface 60a of the rectifying wall 60 from the mounting surface 23a of the mounting table 23 is indicated by the total height B. The distance between the lower surface 60d of the rectifying wall 60 and the gap 62 in the peripheral area 23ab is indicated by a gap C. The width of the rectifying wall 60 is indicated by the width D.

예를 들어, 정류벽(60)은 간격(A)이 5㎜ 내지 15㎜로 배치된다. 또한, 정류벽(60)은 간격(C)이 1㎜ 내지 10㎜가 되고, 전체 높이(B)가 20㎜ 내지 50㎜가 되도록 형성된다. 또한, 정류벽(60)은 폭(D)이 8㎜ 이상으로 형성된다. 또한, 정류벽(60)은 도 7에 도시되는 바와 같이, 탑재대(23)에 배치했을 경우에 외측의 측면(60b)과 탑재대(23)의 측면(23b)에 단차가 없는 플랫한 상태가 되는 폭으로 형성하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서, 예를 들면, 탑재대(23)의 측면(60b)을 탑재대(23)의 측면(23b)보다 기판(G)측에 배치하여, 측면(60b)과 측면(23b)에 단차를 마련했을 경우, 에칭 가스가 정류벽(60)을 넘어서 배기구(30)에 배기될 때에, 배기의 흐름이 측면(60b)과 측면(23b)의 단차에서 굴곡한다. 본 경우, 단차가 되는 탑재대(23)의 탑재면(23a)의 외연부에 생성물이 퇴적된다. 플라즈마 처리 장치(10)는 탑재대(23)의 측면(60b)과 탑재대(23)의 측면(23b)을 단차가 없는 플랫한 상태로 하면, 배기의 흐름이 굴곡하지 않고 매끄럽게 되기 때문에, 탑재대(23)의 탑재면(23a)의 외연부에서의 생성물의 퇴적을 억제할 수 있다.For example, the rectifying wall 60 is disposed at an interval A of 5 mm to 15 mm. In addition, the rectifying wall 60 is formed such that the interval C is 1 mm to 10 mm and the overall height B is 20 mm to 50 mm. In addition, the rectifying wall 60 has a width D of 8 mm or more. Further, as shown in FIG. 7 , the rectifying wall 60 is in a flat state with no step between the outer side surface 60b and the side surface 23b of the mounting table 23 when placed on the mounting table 23. It is preferable to form with a width that becomes . In this specification, for example, the side surface 60b of the mounting table 23 is disposed closer to the substrate G than the side surface 23b of the mounting table 23, and there is a step difference between the side surface 60b and the side surface 23b. is provided, when the etching gas is exhausted to the exhaust port 30 beyond the rectifying wall 60, the flow of the exhaust is bent at the level difference between the side surface 60b and the side surface 23b. In this case, the product is deposited on the outer edge of the mounting surface 23a of the mounting table 23, which becomes a step. In the plasma processing device 10, when the side surface 60b of the mounting table 23 and the side surface 23b of the mounting table 23 are flat without a step, the flow of the exhaust gas is smooth without bending. Deposition of products on the outer edge of the mounting surface 23a of the table 23 can be suppressed.

간격(A), 전체 높이(B), 간격(C) 및 폭(D)은 기판(G)의 사이즈 등에 따라 적절한 값으로 설계된다. 예를 들어, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(G)의 사이즈를 제 6 세대의 사이즈(예를 들면, 1500㎜×1850㎜)로 했을 경우, 간격(A)을 8㎜로 하고, 전체 높이(B)를 30㎜로 하고, 간격(C)을 10㎜로 한다.The spacing (A), overall height (B), spacing (C), and width (D) are designed to appropriate values depending on the size of the substrate (G). For example, in the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment, when the size of the substrate G is the size of the sixth generation (eg, 1500 mm × 1850 mm), the interval A is set to 8 mm. , the overall height (B) is 30 mm, and the interval (C) is 10 mm.

본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)의 주변 영역(23ab)에 간극(62)을 마련하여 정류벽(60)을 고정 배치한다. 정류벽(60)은 다른 부재와 간섭하지 않도록 배치하는 것이 필요하다. 예를 들어, 처리실(4)은 기판(G)을 반입출하는 반입출구(29a)가 적어도 1개의 측벽(4a)에 마련된다. 정류벽(60)은 기판(G)이나 기판(G)을 반송하는 아암 등의 반송 기구와 간섭하지 않도록 상면(60a)이 반입출구(29a)보다 낮은 위치가 되도록 한다. 도 8은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에 기판(G)을 반송하는 흐름을 도시하는 도면이다. 기판(G)은 아암(90)에 의해 반입출구(29a)로부터 처리실(4) 내에 반입된다(도 8의 (A)). 플라즈마 처리 장치(10)는 탑재대(23)의 리프터 핀(50)을 상승시켜서 아암(90)으로부터 기판(G)을 수취한다(도 8의 (B)). 아암(90)이 반입출구(29a)로부터 퇴출된 후, 플라즈마 처리 장치(10)는 리프터 핀(50)을 하강시켜서 기판(G)이 탑재대(23)에 탑재된다. 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)는 정류벽(60)을 상면(60a)이 반입출구(29a)보다 낮은 위치가 되도록 형성 및 배치함으로써, 기판(G)을 반입출할 때에 정류벽(60)과 기판(G)이나 아암(90)의 간섭을 방지할 수 있다. 보다 상세하게는, 적어도, 정류벽(60)의 상면(60a)은 반입출구(29a)의 상단보다는 낮은 위치에 있는 것이 필요하지만, 아암(90)의 동작 경로에 간섭하지 않는 위치이면 반입출구(29a)의 하단보다 높은 위치여도 좋다.In the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the rectifying wall 60 is fixedly disposed by providing a gap 62 in the peripheral area 23ab of the mounting table 23 . The rectifying wall 60 needs to be arranged so as not to interfere with other members. For example, in the processing chamber 4, at least one side wall 4a is provided with a loading/unloading port 29a through which the substrate G is loaded and unloaded. The rectifying wall 60 has its upper surface 60a at a lower position than the loading/unloading port 29a so as not to interfere with the substrate G or a transport mechanism such as an arm for transporting the substrate G. 8 is a diagram showing a flow of conveying the substrate G to the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment. The substrate G is carried into the processing chamber 4 from the loading/unloading port 29a by the arm 90 (FIG. 8(A)). The plasma processing apparatus 10 raises the lifter pin 50 of the mounting table 23 to receive the substrate G from the arm 90 (FIG. 8(B)). After the arm 90 is withdrawn from the loading/unloading port 29a, the plasma processing apparatus 10 lowers the lifter pin 50 so that the substrate G is mounted on the mounting table 23. In the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the rectifying wall 60 is formed and arranged so that the upper surface 60a is lower than the loading/unloading port 29a, so that when the substrate G is loaded or unloaded, the rectifying wall 60 ) and the substrate G or the arm 90 can be prevented from interfering. More specifically, at least the upper surface 60a of the rectifying wall 60 needs to be at a lower position than the upper end of the loading/unloading port 29a. A position higher than the lower end of 29a) may be used.

본 명세서에서, 정류벽(60)과 다른 부재와 간섭을 방지하려고 했을 경우, 정류벽(60)을 이동시키는 이동 기구를 마련하여 간섭이 발생할 때에 정류벽(60)을 이동시키는 구성이 고려될 수 있다. 예를 들어, 기판(G)을 반송할 때에, 정류벽(60)을 승강하는 이동 기구를 마련하여, 기판(G)이나 아암(90)과 간섭하지 않는 위치까지 정류벽(60)을 상승시키는 것이 고려될 수 있다. 그러나, 이동 기구는 파티클의 발생원이 될 우려가 있고, 처리실(4) 내에 마련하는 것이 바람직하지 않다.In the present specification, when trying to prevent interference with the rectifying wall 60 and other members, a configuration for moving the rectifying wall 60 when interference occurs by providing a moving mechanism for moving the rectifying wall 60 can be considered there is. For example, when conveying the board|substrate G, providing the moving mechanism which raises and lowers the rectifying wall 60 raises the rectifying wall 60 to the position which does not interfere with the board|substrate G and the arm 90. that can be considered. However, there is a possibility that the moving mechanism may become a particle generation source, and it is not preferable to provide it in the processing chamber 4 .

한편, 본 실시형태에서는, 탑재대(23)에 간극(62)을 마련하여 정류벽(60)을 고정 배치함으로써, 처리실(4) 내에 승강 기구를 마련할 필요가 없기 때문에, 파티클의 발생을 억제할 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, by providing a gap 62 in the mounting table 23 and fixing the rectifying wall 60, there is no need to provide an elevating mechanism in the processing chamber 4, so the generation of particles is suppressed. can do.

또한, 상기 실시형태에서는, 기판 처리 장치를 플라즈마 처리 장치(10)로 하고, 기판 처리로서 플라즈마 에칭 등의 플라즈마 처리를 실시하는 경우를 예로 설명했다. 그러나, 개시의 기술은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하는 성막이나 개질 등 각종의 기판 처리에 적용할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 성막을 실행하는 성막 장치나, 개질 장치 등이어도 좋다. 또한, 상기의 실시형태에서는, 안테나실(3)과 처리실(4) 사이에 유전체에 의한 유전체벽(2)을 마련했지만, 유전체 대신에 금속벽을 마련한 유도 결합 플라즈마 장치여도 좋다.In the above embodiment, the substrate processing apparatus is the plasma processing apparatus 10, and the case where plasma processing such as plasma etching is performed as the substrate processing has been described as an example. However, the disclosed technology is not limited to this, and can be applied to various types of substrate processing such as film formation and modification using plasma. That is, the substrate processing device may be a film forming device that performs film formation using plasma, a reforming device, or the like. Further, in the above embodiment, the dielectric wall 2 made of a dielectric material is provided between the antenna chamber 3 and the processing chamber 4, but an inductively coupled plasma device may be used in which a metal wall is provided instead of the dielectric material.

또한, 상기 실시형태에서는, 기판(G)으로서 FPD용의 직사각형 기판을 이용한 예를 나타냈지만, 다른 직사각형 기판을 처리하는 경우에도 적용 가능하다. 또한, 기판(G)은 직사각형에 한정되지 않고, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 등의 원형의 기판에도 적용 가능하다.Moreover, in the said embodiment, although the example which used the rectangular board|substrate for FPD as the board|substrate G was shown, it is applicable also when processing another rectangular board|substrate. In addition, the board|substrate G is not limited to a rectangular shape, For example, it is applicable also to circular board|substrates, such as a semiconductor wafer.

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(10)(기판 처리 장치)는 처리실(4)(처리 용기)과, 탑재대(23)와, 정류벽(60)을 갖는다. 탑재대(23)는 처리실(4) 내에 배치되고, 기판(G)을 탑재하는 탑재 영역(23aa)이 획정된다. 정류벽(60)은 탑재대(23)의 탑재 영역(23aa)을 둘러싸는 주변 영역(23ab) 상에, 탑재 영역(23aa)측으로부터 탑재대(23)의 외주측으로 관통하는 간극(62)을 마련하여 탑재 영역(23aa)을 둘러싸도록 배치된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(G)에 대한 기판 처리의 불균일을 억제하면서, 생성물의 퇴적을 억제할 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus 10 (substrate processing apparatus) according to the present embodiment includes a processing chamber 4 (processing container), a mounting table 23, and a rectifying wall 60. The mounting table 23 is disposed in the processing chamber 4, and a mounting area 23aa for mounting the substrate G is defined. The rectifying wall 60 forms a gap 62 penetrating from the mounting area 23aa side to the outer peripheral side of the mounting table 23 on the peripheral area 23ab surrounding the mounting area 23aa of the mounting table 23. It is provided and arranged so as to surround the mounting area 23aa. As a result, the plasma processing apparatus 10 can suppress product deposition while suppressing non-uniformity of substrate processing with respect to the substrate G.

또한, 정류벽(60)은 주변 영역(23ab)과 정류벽(60) 사이에 마련된 지지 부재(61)에 의해 지지됨으로써 간극(62)이 마련되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는 탑재대(23)의 주변 영역(23ab)과의 사이에 간극(62)을 마련하여 정류벽(60)을 안정하여 배치할 수 있다.Further, the rectifying wall 60 is supported by a support member 61 provided between the peripheral area 23ab and the rectifying wall 60, so that a gap 62 is provided. Accordingly, the plasma processing apparatus 10 can stably dispose the rectifying wall 60 by providing the gap 62 between the mounting table 23 and the peripheral area 23ab.

또한, 탑재대(23)는 탑재 영역(23aa)과 주변 영역(23ab)이 연속한 평면을 구성한다. 정류벽(60)은 하면(60d)이 평탄하게 되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는 주변 영역(23ab)에 평행한 간극(62)을 탑재 영역(23aa)으로부터 직선적으로 형성할 수 있어서, 처리실내 가스가 간극(62)을 매끄럽게 통과하기 때문에, 생성물의 퇴적을 억제할 수 있다.In addition, the mounting table 23 constitutes a plane in which the mounting area 23aa and the peripheral area 23ab are continuous. The lower surface 60d of the rectifying wall 60 is flat. As a result, the plasma processing apparatus 10 can form the gap 62 parallel to the peripheral region 23ab linearly from the mounting region 23aa, and the gas in the processing chamber smoothly passes through the gap 62. Deposition of the product can be inhibited.

또한, 정류벽(60)은 상면(60a)의 주변 영역(23ab)으로부터의 높이가 20㎜ 이상이며, 간극(62)의 간격이 1㎜ 이상 10㎜ 이하이다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(G)에 대한 기판 처리의 불균일을 억제하면서, 생성물의 퇴적을 억제할 수 있다.In addition, the height of the rectifying wall 60 from the peripheral region 23ab of the upper surface 60a is 20 mm or more, and the interval between the gaps 62 is 1 mm or more and 10 mm or less. As a result, the plasma processing apparatus 10 can suppress product deposition while suppressing non-uniformity of substrate processing with respect to the substrate G.

또한, 처리실(4)은 기판(G)을 반입출하는 반입출구(29a)가 적어도 1개의 측벽(4a)에 마련되어 있다. 정류벽(60)은 상면(60a)이 반입출구(29a)보다 낮은 위치로 되어 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는 반입출구(29a)로부터 기판(G)을 반입출할 때에 정류벽(60)과 기판(G)이나 기판(G)을 반송하는 아암(90)의 간섭을 방지할 수 있다.Further, in the processing chamber 4, a carrying in/out port 29a for carrying in/out of the substrate G is provided on at least one side wall 4a. In the rectifying wall 60, the upper surface 60a is positioned lower than the carry-in/outlet 29a. In this way, the plasma processing apparatus 10 prevents interference between the rectifying wall 60 and the substrate G or the arm 90 carrying the substrate G when the substrate G is loaded and unloaded from the loading/unloading port 29a. can do.

이상, 실시형태에 대해서 설명해왔지만, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.As mentioned above, although embodiment has been described, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration in all points, and is not restrictive. In practice, the above embodiment can be implemented in various forms. In addition, the above embodiment may be omitted, substituted, or changed in various forms without departing from the scope of the claims and the gist thereof.

예를 들어, 상기 실시형태에서는, 주변 영역(23ab)과 정류벽(60) 사이에 마련된 지지 부재(61)에 의해 간극(62)을 마련하여 정류벽(60)을 지지하는 경우를 예로 설명하였다. 그러나, 개시의 기술은 이에 한정되지 않는다. 정류벽(60)은 처리실(4)의 측벽(4a)과 정류벽(60) 사이에 지지 부재에 의해 간극(62)이 마련되어 지지되어도 좋다. 예를 들어, 정류벽(60)은 처리실(4)의 측벽(4a)에 지지 부재를 마련하여, 측벽(4a)으로부터 지지 부재에 의해, 간극(62)을 마련하여 정류벽(60)을 지지해도 좋다.For example, in the above embodiment, the case where the rectifying wall 60 is supported by providing the gap 62 by the support member 61 provided between the peripheral area 23ab and the rectifying wall 60 has been described as an example. . However, the disclosed technology is not limited thereto. The rectifying wall 60 may be supported by providing a gap 62 between the side wall 4a of the processing chamber 4 and the rectifying wall 60 by a support member. For example, the rectifying wall 60 supports the rectifying wall 60 by providing a support member on the side wall 4a of the processing chamber 4 and providing a gap 62 by the support member from the side wall 4a. You can do it.

또한, 상기 실시형태에서는, 간극(62)을 주변 영역(23ab)의 전체 둘레에 마련하는 경우를 예로 설명하였다. 그러나, 개시의 기술은 이에 한정되지 않는다. 간극(62)은 탑재면(23a)의 주변 영역(23ab)에 부분적으로 마련해도 좋다. 간극(62)은 생성물의 퇴적이 많은 부분에 적어도 마련하면 좋다. 예를 들어, 간극(62)은 탑재면(23a)의 주변 영역(23ab)의 단변, 장변, 모서리 부분 중 어느 하나에 생성물의 퇴적이 많은 경우, 단변, 장변, 모서리 부분 중 어느 하나에 마련해도 좋다. 예를 들어, 단변 벽부(70)만을 지지 부재(61)에 의해 간극(62)을 마련하여 지지시킴으로써 단변에만 간극(62)을 마련할 수 있다. 또한, 장변 벽부(71)만을 지지 부재(61)에 의해 간극(62)을 마련하여 지지시킴으로써 장변에만 간극(62)을 마련할 수 있다. 또한, 모서리 벽부(73)만을 지지 부재(61)에 의해 간극(62)을 마련하여 지지시킴으로써 모서리 부분에만 간극(62)을 마련할 수 있다. 또한, 간극(62)을 부분적으로 마련하는 벽부가 경량인 경우는 간극(62)을 마련하는 벽부를 인접하는 벽부에 의해 지지하는 것도 고려되지만, 간극(62)을 부분적으로 마련하는 벽부가 경량이 아닌 경우에는 지지 부재(61)에 의해 벽부를 지지하여 간극(62)을 마련하는 것이 바람직하다.In the above embodiment, the case where the gap 62 is provided around the entire periphery of the peripheral region 23ab has been described as an example. However, the disclosed technology is not limited thereto. The gap 62 may be partially provided in the peripheral area 23ab of the mounting surface 23a. The gap 62 may be provided at least in a portion where a product is deposited a lot. For example, the gap 62 may be provided on any one of the short side, the long side, and the corner portion when a large amount of product is deposited on any one of the short side, long side, and corner portion of the peripheral region 23ab of the mounting surface 23a. good night. For example, the gap 62 can be provided only on the short side by providing the gap 62 by the supporting member 61 and supporting only the short side wall portion 70 . In addition, by providing the gap 62 by the support member 61 and supporting only the long side wall portion 71, the gap 62 can be provided only on the long side. In addition, by providing and supporting the gap 62 by the support member 61 only the corner wall portion 73, the gap 62 can be provided only at the corner portion. Further, in the case where the wall part partially providing the gap 62 is lightweight, it is conceivable that the wall part providing the gap 62 is supported by the adjacent wall part, but the wall part partially providing the gap 62 is lightweight. If not, it is preferable to provide the gap 62 by supporting the wall portion by the supporting member 61.

또한, 상기 실시형태에서는, 간극(62)의 간격(C)을 탑재 영역(23aa)측으로부터 탑재대(23)의 외주측으로 일정하게 했을 경우를 예로 설명했다. 그러나, 개시의 기술은 이에 한정되지 않는다. 간극(62)의 간격(C)이 1㎜ 내지 10㎜이면, 간격(C)이 반드시 일정하지 않아도 좋다. 예를 들어, 간극(62)은 간격(C)이 탑재 영역(23aa)측으로부터 탑재대(23)의 외주측으로 서서히 좁아지도록 해도 좋다. 예를 들어, 정류벽(60)의 하면(60d)을 탑재대(23)의 외주측으로 경사지도록 형성하여, 간극(62)의 형상을 간격(C)이 탑재대(23)의 외주측으로 서서히 좁아지는 테이퍼 형상으로 해도 좋다. 이러한 구성의 경우, 간극(62)에 생성물이 약간 퇴적하기 쉬워지지만, 간격(C)이 좁아지는 외주측에 생성물이 주로 퇴적하기 때문에, 파티클이 되는 생성물의 퇴적 위치를 기판(G)으로부터 떨어트릴 수 있다. 이 때문에, 이러한 구성의 경우에서도, 플라즈마 처리 장치(10)는 퇴적된 생성물을 제거하는 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있어서, 생산성의 저하를 억제할 수 있다.In the above embodiment, the case where the interval C of the gap 62 is made constant from the mounting area 23aa side to the outer circumferential side of the mounting table 23 has been described as an example. However, the disclosed technology is not limited thereto. As long as the interval C of the gap 62 is 1 mm to 10 mm, the interval C does not necessarily have to be constant. For example, the gap 62 may be such that the gap C gradually narrows from the side of the mounting area 23aa toward the outer circumferential side of the mounting table 23 . For example, the lower surface 60d of the rectifying wall 60 is formed so as to be inclined toward the outer circumferential side of the mounting table 23, and the shape of the gap 62 is changed so that the gap C gradually narrows toward the outer circumferential side of the mounting table 23. It is good also as a tapered shape. In the case of this configuration, although the product is slightly easier to deposit in the gap 62, since the product is mainly deposited on the outer circumferential side where the gap C is narrowed, the deposition position of the product as particles can be moved away from the substrate G. can For this reason, even in the case of such a configuration, the plasma processing apparatus 10 can lengthen the maintenance cycle for removing the deposited product, and can suppress a decrease in productivity.

또한, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는 첨부의 특허청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration in all points, and is not restrictive. In practice, the above embodiment can be implemented in various forms. In addition, the said embodiment may be abbreviate|omitted, substituted, and changed in various forms, without deviating from the attached claim and its meaning.

10 : 플라즈마 처리 장치
4 : 처리실
4a : 측벽
23 : 탑재대
23a : 탑재면
23aa : 탑재 영역
23ab : 주변 영역
29a : 반입출구
60 : 정류벽
60a : 상면
60b, 60c : 측면
60d : 하면
61 : 지지 부재
62 : 간극
70 : 단변 벽부
71 : 장변 벽부
73 : 모서리 벽부
90 : 아암
G : 기판10: plasma processing device
4: processing room
4a: side wall
23: mount
23a: mounting surface
23aa: mounting area
23ab: peripheral area
29a: entry and exit
60: rectifying wall
60a: upper surface
60b, 60c: side
60d: if
61: support member
62: gap
70: short side wall
71: long side wall
73: corner wall
90: arm
G: Substrate

Claims (7)

처리 용기와,
상기 처리 용기 내에 배치되고, 기판을 탑재하는 탑재 영역이 획정된 탑재대와,
상기 처리 용기 내의 바닥벽에 있어서, 상기 탑재대의 측면을 따라 배치되는 배기구와,
상기 탑재대의 상기 탑재 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에, 상기 탑재 영역측으로부터 상기 탑재대의 외주측으로 관통하는 간극을 마련하여 상기 탑재 영역을 둘러싸도록 배치된 정류벽을 갖는
기판 처리 장치.a processing container;
a mounting table disposed in the processing container and defining a mounting area for mounting a substrate thereon;
an exhaust port disposed along a side surface of the mounting table in a bottom wall of the processing container;
a rectifying wall disposed so as to surround the mounting area by providing a gap penetrating from the mounting area side to the outer circumferential side of the mounting table on a peripheral area surrounding the mounting area of the mounting table;
Substrate processing device. 제 1 항에 있어서,
상기 정류벽은 상기 주변 영역과 상기 정류벽 사이에 마련된 지지 부재에 의해 지지됨으로써 상기 간극이 마련된
기판 처리 장치.According to claim 1,
The rectifying wall is supported by a support member provided between the peripheral region and the rectifying wall, so that the gap is provided.
Substrate processing device. 제 1 항에 있어서,
상기 정류벽은 상기 처리 용기의 측벽과 상기 정류벽 사이에 마련된 지지 부재에 의해 지지됨으로써 상기 간극이 마련된
기판 처리 장치.According to claim 1,
The rectifying wall is supported by a support member provided between the side wall of the processing container and the rectifying wall, so that the gap is formed.
Substrate processing device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탑재대는 상기 탑재 영역과 상기 주변 영역이 연속한 평면을 구성하고,
상기 정류벽은 하면이 평탄하게 된
기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 3,
The mount table constitutes a plane in which the mount area and the peripheral area are continuous;
The lower surface of the rectifying wall is flat
Substrate processing device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정류벽은 상면의 상기 주변 영역으로부터의 높이가 20㎜ 이상이며, 상기 간극의 간격이 1㎜ 이상 10㎜ 이하인
기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 3,
The height of the upper surface of the rectifying wall from the peripheral region is 20 mm or more, and the interval between the gaps is 1 mm or more and 10 mm or less.
Substrate processing device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 용기는 상기 기판을 반입출하는 반입출구가 적어도 1개의 측벽에 마련되고,
상기 정류벽은 상면이 상기 반입출구보다 낮은 위치로 된
기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 3,
The processing container has a carrying in/out port for carrying in/out of the substrate, provided on at least one sidewall;
The rectifying wall has an upper surface positioned lower than the inlet and outlet.
Substrate processing device. 기판을 탑재하는 탑재 영역이 획정된 탑재대가 내부에 배치된 처리 용기를 갖는 기판 처리 장치에 의해 상기 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 처리 용기 내의 바닥벽에 있어서, 상기 탑재대의 측면을 따라 배기구가 배치되고,
상기 탑재대의 상기 탑재 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에, 상기 탑재 영역측으로부터 상기 탑재대의 외주측으로 관통하는 간극을 마련하여 상기 탑재 영역을 둘러싸도록 정류벽을 배치하고,
상기 기판을 처리하는 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 도입함과 함께, 상기 배기구로부터 상기 처리 가스를 배기하는
기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate by a substrate processing apparatus having a processing container in which a mounting table in which a mounting area for mounting a substrate is defined is disposed,
In a bottom wall in the processing container, an exhaust port is disposed along a side surface of the mount table;
on a peripheral area surrounding the mounting area of the mounting table, a rectifying wall is disposed so as to surround the mounting area by providing a gap penetrating from the mounting area side to the outer circumferential side of the mounting table;
introducing a processing gas for processing the substrate into the processing chamber and exhausting the processing gas through the exhaust port;
Substrate processing method.
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