KR102310388B1 - Plasma processing apparatus - Google Patents

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KR102310388B1 KR1020200002844A KR20200002844A KR102310388B1 KR 102310388 B1 KR102310388 B1 KR 102310388B1 KR 1020200002844 A KR1020200002844 A KR 1020200002844A KR 20200002844 A KR20200002844 A KR 20200002844A KR 102310388 B1 KR102310388 B1 KR 102310388B1
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것.
(해결 수단) 처리실은, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시된다. 배기구는, 탑재대의 주위의, 탑재대의 기판이 탑재되는 탑재면보다 낮은 위치에 마련되고, 처리실 내를 배기한다. 복수의 배플 플레이트는, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 각각 접속되고, 배기구로의 배기의 흐름에 대하여 배기구보다 상류 쪽에 마련되고, 탑재대의 측면 쪽과 처리실의 측면 쪽으로부터 교대로 돌출하고, 그 돌출시킨 선단 부분이 간격을 두고 중복된다.(Task) To provide a technique for suppressing unstable discharge.
(Solution) In the processing chamber, a mounting table on which a substrate is mounted is provided inside, and plasma processing is performed on the substrate. The exhaust port is provided around the mounting table at a position lower than the mounting surface on which the substrate of the mounting table is mounted, and exhausts the inside of the processing chamber. The plurality of baffle plates are made of a conductive material, are respectively connected to a ground potential, are provided upstream from the exhaust port with respect to the flow of exhaust to the exhaust port, and protrude alternately from the side of the mounting table and the side of the processing chamber, and the The protruding tip portion overlaps at intervals.

Figure 112020002312611-pat00001
Figure 112020002312611-pat00001

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}Plasma processing apparatus {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 개시는, 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a plasma processing apparatus.

특허문헌 1에는, 기판이 탑재되는 탑재대의 주위에, 플라즈마 처리를 행하는 처리 영역과 배기계에 연결되는 배기 영역으로 나누도록, 도전성 재료로 이루어져 접지 전위가 된 복수의 칸막이 부재를 마련한 플라즈마 처리 장치가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a plasma processing apparatus in which a plurality of partition members made of a conductive material and set to a ground potential are provided around a mounting table on which a substrate is mounted, so as to be divided into a processing region for performing plasma processing and an exhaust region connected to an exhaust system. has been

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 2015-216260호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2015-216260

본 개시는, 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for suppressing unstable discharge.

본 개시의 일 태양에 의한 플라즈마 처리 장치는, 처리실과, 배기구와, 복수의 배플 플레이트를 갖는다. 처리실은, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시된다. 배기구는, 탑재대의 주위의, 탑재대의 기판이 탑재되는 탑재면보다 낮은 위치에 마련되고, 처리실 내를 배기한다. 복수의 배플 플레이트는, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 각각 접속되고, 배기구로의 배기의 흐름에 대하여 배기구보다 상류 쪽에 마련되고, 탑재대의 측면 쪽과 처리실의 측면 쪽으로부터 교대로 돌출하고, 그 돌출시킨 선단 부분이 간격을 두고 중복된다.A plasma processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a processing chamber, an exhaust port, and a plurality of baffle plates. In the processing chamber, a mounting table on which the substrate is mounted is provided therein, and plasma processing is performed on the substrate. The exhaust port is provided around the mounting table at a position lower than the mounting surface on which the substrate of the mounting table is mounted, and exhausts the inside of the processing chamber. The plurality of baffle plates are made of a conductive material, are respectively connected to a ground potential, are provided upstream from the exhaust port with respect to the flow of exhaust to the exhaust port, and protrude alternately from the side of the mounting table and the side of the processing chamber, and the The protruding tip portion overlaps at intervals.

본 개시에 따르면, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.According to the present disclosure, unstable discharge can be suppressed.

도 1은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 수직 단면도이다.
도 2(a)는 실시형태와 관련되는 처리실 내의 구성의 일례를 나타내는 수평 단면도이다.
도 2(b)는 실시형태와 관련되는 처리실 내의 구성의 다른 일례를 나타내는 수평 단면도이다.
도 3은 실시형태와 관련되는 배기구로의 배기의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 실시형태와 관련되는 플라즈마화한 가스의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 비교예와 관련되는 플라즈마화한 가스의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 실시형태와 관련되는 배기부로부터의 파티클의 반도(反跳)의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12는 실시형태와 관련되는 에칭의 변화의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다.1 is a vertical cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment.
Fig. 2(a) is a horizontal cross-sectional view showing an example of a configuration in a processing chamber according to the embodiment.
Fig. 2(b) is a horizontal cross-sectional view showing another example of the configuration in the processing chamber according to the embodiment.
It is a figure which shows an example of the flow of exhaust_gas|exhaustion to the exhaust port which concerns on embodiment.
It is a figure which shows an example of the flow of the gas converted into plasma which concerns on embodiment.
5 is a diagram showing an example of a flow of a plasma-ized gas according to a comparative example.
Fig. 6 is a diagram showing an example of the reversal of particles from an exhaust unit according to the embodiment.
7 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment.
8 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment.
9 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment.
10 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment.
11 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment.
It is a figure which shows an example of the change of the etching which concerns on embodiment.
13 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본원이 개시하는 플라즈마 처리 장치의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또, 본 실시형태에 의해, 개시하는 플라즈마 처리 장치가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, with reference to drawings, embodiment of the plasma processing apparatus disclosed by this application is described in detail. In addition, the disclosed plasma processing apparatus is not limited by this embodiment.

플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 공정에서는, 유리 기판 등의 기판에 대하여 플라즈마 에칭이나 성막 처리 등의 플라즈마 처리를 행하는 공정이 존재한다. 플라즈마 처리에는, 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 성막 장치 등의 다양한 플라즈마 처리 장치가 이용된다.In the manufacturing process of a flat panel display (FPD), there exists a process of performing plasma processing, such as a plasma etching and a film-forming process, with respect to board|substrates, such as a glass substrate. Various plasma processing apparatuses, such as a plasma etching apparatus and a plasma CVD film-forming apparatus, are used for plasma processing.

그러나, 플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마가 배기계에 흐르고, 배기계에 있어서, 불안정한 방전이 발생하는 경우가 있다. 그래서, 불안정한 방전을 억제하는 것이 기대되고 있다.However, in a plasma processing apparatus, plasma flows in an exhaust system, and unstable discharge may generate|occur|produce in an exhaust system. Therefore, suppression of unstable discharge is expected.

[플라즈마 처리 장치의 구성][Configuration of plasma processing device]

먼저, 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 수직 단면도이다. 본 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)는, 유도 결합 플라즈마를 생성하여, 예컨대, FPD용 유리 기판과 같은 직사각형의 기판에 대하여 에칭 처리나 애싱 처리 등의 유도 결합 플라즈마 처리를 행하는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치로서 구성된다.First, the configuration of the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment will be described. 1 is a vertical cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment. The plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment is an inductively coupled plasma that generates an inductively coupled plasma and performs an inductively coupled plasma treatment such as an etching treatment or an ashing treatment on, for example, a rectangular substrate such as a glass substrate for FPD. It is configured as a plasma processing device of

플라즈마 처리 장치(10)는, 도전성 재료, 예컨대, 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지는 각기둥 형상의 기밀의 본체 용기(1)를 갖는다. 본체 용기(1)는, 분해 가능하게 조립되어 있고, 접지선(1a)에 의해 접지되어 있다. 본체 용기(1)는, 유전체벽(2)에 의해 상하로 안테나실(3) 및 처리실(4)로 구획되어 있다. 유전체벽(2)은, 처리실(4)의 천정벽을 구성하고 있다. 유전체벽(2)은, Al2O3 등의 세라믹스, 석영 등으로 구성되어 있다.The plasma processing apparatus 10 has the airtight main body container 1 of a prismatic shape which consists of an electroconductive material, for example, the inner wall surface anodized-treated aluminum. The main body container 1 is assembled so that it can be disassembled and is grounded by a grounding wire 1a. The main body container 1 is divided into an antenna chamber 3 and a processing chamber 4 vertically by a dielectric wall 2 . The dielectric wall 2 constitutes a ceiling wall of the processing chamber 4 . The dielectric wall 2 is made of ceramics such as Al 2 O 3 , quartz, or the like.

본체 용기(1)에 있어서의 안테나실(3)의 측벽(3a)과 처리실(4)의 측벽(4a)의 사이에는 안쪽으로 돌출하는 지지 선반(5)이 마련되어 있다. 지지 선반(5)의 위에는, 유전체벽(2)이 탑재된다.In the main body container 1, between the side wall 3a of the antenna chamber 3 and the side wall 4a of the processing chamber 4, a support shelf 5 protruding inward is provided. A dielectric wall 2 is mounted on the support shelf 5 .

유전체벽(2)의 아래쪽 부분에는, 처리 가스 공급용의 샤워 하우징(11)이 끼워져 있다. 샤워 하우징(11)은, 십자 형상으로 마련되어 있고, 유전체벽(2)을 아래로부터 지지하는 구조, 예컨대, 빔 구조로 되어 있다. 또, 상기 유전체벽(2)을 지지하는 샤워 하우징(11)은, 복수 개의 서스펜더(도시하지 않음)에 의해 본체 용기(1)의 천정에 매달린 상태로 되어 있다. 지지 선반(5) 및 샤워 하우징(11)은, 유전체 부재로 피복되어 있더라도 좋다.A shower housing 11 for supplying processing gas is fitted in a lower portion of the dielectric wall 2 . The shower housing 11 is provided in a cross shape and has a structure that supports the dielectric wall 2 from below, for example, a beam structure. Further, the shower housing 11 supporting the dielectric wall 2 is suspended from the ceiling of the main body container 1 by a plurality of suspenders (not shown). The support shelf 5 and the shower housing 11 may be covered with a dielectric member.

샤워 하우징(11)은, 도전성 재료, 바람직하게는 금속, 예컨대 오염물이 발생하지 않도록 내면 또는 외면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 샤워 하우징(11)에는, 수평으로 연장되는 가스 유로(12)가 형성되어 있다. 가스 유로(12)에는, 아래쪽으로 향해 연장되는 복수의 가스 토출 구멍(12a)이 연통하고 있다. 한편, 유전체벽(2)의 상면 중앙에는, 가스 유로(12)에 연통하도록 가스 공급관(20a)이 마련되어 있다. 가스 공급관(20a)은, 본체 용기(1)의 천정으로부터 바깥쪽으로 관통하고, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급계(20)에 접속되어 있다. 따라서, 플라즈마 처리에 있어서, 처리 가스 공급계(20)로부터 공급된 처리 가스는, 가스 공급관(20a)을 거쳐서 샤워 하우징(11)의 가스 유로(12)에 공급되고, 샤워 하우징(11)의 하면에 형성된 가스 토출 구멍(12a)으로부터 처리실(4) 내에 토출된다.The shower housing 11 is made of a conductive material, preferably a metal, for example, aluminum whose inner surface or outer surface is anodized so as not to generate contaminants. In the shower housing 11 , a gas flow path 12 extending horizontally is formed. A plurality of gas discharge holes 12a extending downward communicate with the gas flow passage 12 . On the other hand, in the center of the upper surface of the dielectric wall 2 , a gas supply pipe 20a is provided so as to communicate with the gas flow passage 12 . The gas supply pipe 20a penetrates outward from the ceiling of the main body container 1 and is connected to a processing gas supply system 20 including a processing gas supply source, a valve system, and the like. Accordingly, in the plasma processing, the processing gas supplied from the processing gas supply system 20 is supplied to the gas flow path 12 of the shower housing 11 via the gas supply pipe 20a, and the lower surface of the shower housing 11 . It is discharged into the processing chamber 4 through the gas discharge hole 12a formed in the .

안테나실(3) 내에는, 고주파(RF) 안테나(13)가 배치되어 있다. 고주파 안테나(13)는, 구리나 알루미늄 등의 도전성이 좋은 금속으로 이루어지는 안테나선(13a)을 고리 형상이나 소용돌이 형상 등의 종래 이용되는 임의의 형상으로 배치하여 구성된다. 고주파 안테나(13)는, 복수의 안테나부를 갖는 다중 안테나이더라도 좋다.In the antenna chamber 3 , a high frequency (RF) antenna 13 is disposed. The high frequency antenna 13 is constituted by disposing antenna wires 13a made of a metal having good conductivity such as copper or aluminum in any conventionally used shape such as a ring shape or a spiral shape. The high-frequency antenna 13 may be a multi-antenna having a plurality of antenna units.

안테나선(13a)의 단자(22)에는, 안테나실(3)의 위쪽으로 연장되는 급전 부재(16)가 접속되어 있다. 급전 부재(16)의 상단에는, 급전선(19)으로 고주파 전원(15)이 접속되어 있다. 또한, 급전선(19)에는, 정합기(14)가 마련되어 있다. 또한, 고주파 안테나(13)는, 절연 부재로 이루어지는 스페이서(17)에 의해 유전체벽(2)으로부터 이간하고 있다. 플라즈마 처리 때, 고주파 안테나(13)에는, 고주파 전원(15)으로부터, 예컨대, 주파수가 13.56㎒인 고주파 전력이 공급된다. 이것에 의해, 처리실(4) 내에는, 유도 전계가 형성되고, 유도 전계에 의해 샤워 하우징(11)으로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화하여, 유도 결합 플라즈마가 생성된다.A power feeding member 16 extending above the antenna chamber 3 is connected to the terminal 22 of the antenna wire 13a. A high frequency power supply 15 is connected to the upper end of the power feeding member 16 by a power feeding line 19 . In addition, the power supply line 19 is provided with a matching device 14 . Further, the high-frequency antenna 13 is spaced apart from the dielectric wall 2 by a spacer 17 made of an insulating member. At the time of plasma processing, high-frequency power having a frequency of, for example, 13.56 MHz is supplied to the high-frequency antenna 13 from the high-frequency power supply 15 . As a result, an induced electric field is formed in the processing chamber 4 , and the processing gas supplied from the shower housing 11 is converted into plasma by the induced electric field, thereby generating an inductively coupled plasma.

처리실(4) 내의 저벽(4b) 상에는, 유전체벽(2)을 사이에 두고 고주파 안테나(13)와 대향하도록, 탑재대(23)가 마련되어 있다. 탑재대(23)는, 직사각형 형상의 기판 G를 탑재하기 위한 탑재면(23a)을 상면에 갖는다. 탑재대(23)는, 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 탑재대(23)는, 절연체 부재(24)를 통해서 고정되어 있다. 절연체 부재(24)는, 탑재대(23)의 측면으로부터 하면의 주변 부분을 덮도록 형성되어 있다. 탑재대(23)에 탑재된 기판 G는, 정전 척(도시하지 않음)에 의해 흡착 유지된다.A mounting table 23 is provided on the bottom wall 4b in the processing chamber 4 so as to face the high frequency antenna 13 with the dielectric wall 2 interposed therebetween. The mounting table 23 has a mounting surface 23a for mounting the rectangular substrate G on its upper surface. The mounting table 23 is made of a conductive material, for example, aluminum whose surface is anodized. The mounting table 23 is fixed via an insulator member 24 . The insulator member 24 is formed so as to cover the peripheral portion of the lower surface from the side surface of the mounting table 23 . The substrate G mounted on the mounting table 23 is sucked and held by an electrostatic chuck (not shown).

탑재대(23)에는, 기판 G의 반입출을 위한 리프터 핀(도시하지 않음)이, 본체 용기(1)의 저벽(4b), 절연체 부재(24)를 거쳐서 삽입되어 있다. 리프터 핀은, 본체 용기(1) 밖에 마련된 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 구동하여 기판 G의 반입출을 행하게 되어 있다. 또, 탑재대(23)는, 승강 기구에 의해 승강 가능한 구조로 하더라도 좋다.Lifter pins (not shown) for loading and unloading the substrate G are inserted into the mounting table 23 via the bottom wall 4b of the main body container 1 and the insulator member 24 . The lifter pin is driven up and down by a lift mechanism (not shown) provided outside the main body container 1 to carry in/out the substrate G. In addition, the mounting table 23 may have a structure that can be raised and lowered by an elevating mechanism.

탑재대(23)에는, 급전선(25)에 의해, 정합기(26)를 거쳐서 바이어스용의 고주파 전원(27)이 접속되어 있다. 고주파 전원(27)은, 플라즈마 처리 중에, 고주파 바이어스(바이어스용 고주파 전력)를 탑재대에 인가한다. 고주파 바이어스의 주파수는, 예컨대 6㎒이다. 처리실(4) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온은, 바이어스용의 고주파 전력에 의해, 효과적으로 기판 G로 끌어들여진다.A high frequency power supply 27 for bias is connected to the mounting table 23 via a power supply line 25 via a matching device 26 . The high frequency power supply 27 applies a high frequency bias (high frequency power for bias) to the mounting table during plasma processing. The frequency of the high frequency bias is, for example, 6 MHz. Ions in the plasma generated in the processing chamber 4 are effectively attracted to the substrate G by the high frequency power for bias.

또한, 탑재대(23) 내에는, 기판 G의 온도를 제어하기 위해, 세라믹 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등으로 이루어지는 온도 제어 기구와, 온도 센서가 마련되어 있다(모두 도시하지 않음).Further, in order to control the temperature of the substrate G, a temperature control mechanism including heating means such as a ceramic heater or a refrigerant flow path and a temperature sensor are provided in the mounting table 23 (both not shown).

또한, 탑재대(23)는, 기판 G가 탑재되었을 때에, 기판 G의 이면 쪽에 냉각 공간(도시하지 않음)이 형성된다. 냉각 공간에는, 열 전달용 가스로서의 He 가스를 소정의 압력으로 공급하기 위한 He 가스 유로(28)가 접속되어 있다. 이와 같이, 기판 G의 이면 쪽에 열 전달용 가스를 공급하는 것에 의해, 진공 하에 있어서 기판 G의 온도 제어성을 양호하게 할 수 있다.Further, in the mounting table 23, a cooling space (not shown) is formed on the back side of the substrate G when the substrate G is mounted. A He gas flow path 28 for supplying He gas as a heat transfer gas at a predetermined pressure is connected to the cooling space. Thus, by supplying the gas for heat transfer to the back surface side of the board|substrate G, the temperature controllability of the board|substrate G under vacuum can be made favorable.

처리실(4)의 저벽(4b)의 저부 중앙에는, 개구부(4c)가 형성되어 있다. 급전선(25), He 가스 유로(28), 및 온도 제어 기구의 배관이나 배선은, 개구부(4c)를 통해서 본체 용기(1) 밖으로 도출된다.An opening 4c is formed in the center of the bottom of the bottom wall 4b of the processing chamber 4 . The power supply line 25 , the He gas flow path 28 , and piping and wiring of the temperature control mechanism are led out of the body container 1 through the opening 4c .

처리실(4)의 4개의 측벽(4a) 중 1개에는, 기판 G를 반입출하기 위한 반입출구(29a) 및 그것을 개폐하는 게이트 밸브(29)가 마련되어 있다.One of the four sidewalls 4a of the processing chamber 4 is provided with a carry-in/outlet 29a for carrying in/out of the substrate G and a gate valve 29 for opening and closing it.

처리실(4)의 탑재대(23)의 주위에는, 배기구(30)가 마련되어 있다. 예컨대, 처리실(4)의 저벽(4b)에는, 탑재대(23)의 측면을 따라 배기구(30)가 마련되어 있다. 배기구(30)는, 탑재대(23)의 탑재면(23a)보다 낮은 위치가 되도록, 저벽(4b)에 마련되어 있다. 배기구(30)에는, 개구 배플판(30a)이 마련되어 있다. 개구 배플판(30a)은, 다수의 슬릿이 형성된 부재나, 메시 부재, 다수의 펀칭 구멍을 갖는 부재에 의해 형성되어 있고, 배기가 통과 가능하게 되어 있다.An exhaust port 30 is provided around the mounting table 23 of the processing chamber 4 . For example, the exhaust port 30 is provided on the bottom wall 4b of the processing chamber 4 along the side surface of the mounting table 23 . The exhaust port 30 is provided in the bottom wall 4b so as to be at a position lower than the mounting surface 23a of the mounting table 23 . The exhaust port 30 is provided with an opening baffle plate 30a. The opening baffle plate 30a is formed of a member having a large number of slits, a mesh member, and a member having a large number of punched holes, and allows exhaust to pass therethrough.

배기구(30)에는, 배기부(40)가 접속되어 있다. 배기부(40)는, 배기구(30)에 접속된 배기 배관(31)과, 배기 배관(31)의 개방도를 조정하는 것에 의해 처리실(4) 내의 압력을 제어하는 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)와, 배기 배관(31)을 거쳐서 처리실(4) 내를 배기하는 진공 펌프(33)를 갖고 있다. 그리고, 진공 펌프(33)에 의해 처리실(4) 내가 배기되고, 플라즈마 처리 중, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)의 개방도를 조정하여 처리실(4) 내를 소정의 진공 분위기로 설정, 유지한다.An exhaust portion 40 is connected to the exhaust port 30 . The exhaust unit 40 includes an exhaust pipe 31 connected to the exhaust port 30 and an automatic pressure control valve (APC) that controls the pressure in the processing chamber 4 by adjusting the opening degree of the exhaust pipe 31 . It has 32 and a vacuum pump 33 which exhausts the inside of the process chamber 4 via the exhaust pipe 31 . Then, the inside of the processing chamber 4 is exhausted by the vacuum pump 33, and during plasma processing, the opening degree of the automatic pressure control valve (APC) 32 is adjusted to set the inside of the processing chamber 4 to a predetermined vacuum atmosphere; keep

배기구(30)로의 배기의 흐름에 대하여 배기구(30)보다 상류 쪽에는, 복수의 배플 플레이트(50)가 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 배기구(30)보다 상류 쪽이 되는 처리실(4)의 내벽(측벽(4a)의 안쪽 부분)과 탑재대(23)의 사이에, 2개의 배플 플레이트(50a, 50b)가 마련되어 있다. 배플 플레이트(50)는, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지고, 판재에 형성되어 있다. 배플 플레이트(50)는, 본체 용기(1)의 높이 방향에 대하여 탑재대(23)의 측면 쪽과 처리실(4)의 측면 쪽으로부터 교대로 돌출하도록 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 배플 플레이트(50a)가 탑재대(23)의 측면으로부터 돌출하도록 위쪽에 마련되고, 배플 플레이트(50b)가, 배플 플레이트(50a)의 아래쪽으로 소정의 간격을 두고 처리실(4)의 측면(측벽(4a))으로부터 돌출하도록 마련되어 있다. 배플 플레이트(50a)와 배플 플레이트(50b)는, 돌출시킨 선단 부분(51a, 51b)까지의 길이의 합계가, 처리실(4)의 내벽과 탑재대(23)의 사이의 폭보다 길게 되도록 형성되어 있다. 배플 플레이트(50a)와 배플 플레이트(50b)는, 본체 용기(1)의 높이 방향으로 소정의 간격을 두고 교대로 돌출하도록 마련한 것에 의해, 선단 부분(51a, 51b)이 간격을 두고 중복된다. 즉, 배플 플레이트(50a, 50b)는, 선단 부분(51a, 51b)이 본체 용기(1)의 높이 방향으로 간격을 두고 오버랩하고 있고, 미로 구조를 형성하고 있다. 처리실(4) 내의 가스는, 배플 플레이트(50a, 50b)의 사이의 굴곡한 배기 경로를 통과하여, 배플 플레이트(50a, 50b)의 하부의 배기 영역(54)에 흐르고, 배기구(30)로부터 배기된다. 배플 플레이트(50a, 50b)의 간격은, 50~100㎜로 하는 것이 바람직하다. 또한, 배플 플레이트(50a, 50b)의 선단 부분(51a, 51b)의 중복의 폭은, 20~100㎜로 하는 것이 바람직하다.A plurality of baffle plates 50 are provided on the upstream side from the exhaust port 30 with respect to the flow of exhaust to the exhaust port 30 . In the present embodiment, two baffle plates 50a and 50b are provided between the inner wall (the inner part of the sidewall 4a) of the processing chamber 4 that is on the upstream side of the exhaust port 30 and the mounting table 23 . have. The baffle plate 50 is made of a conductive material such as metal, and is formed on a plate material. The baffle plate 50 is provided so as to protrude alternately from the side surface side of the mounting table 23 and the side surface side of the processing chamber 4 with respect to the height direction of the main body container 1 . In the present embodiment, the baffle plate 50a is provided at the upper side so as to protrude from the side surface of the mounting table 23, and the baffle plate 50b is disposed below the baffle plate 50a at a predetermined distance from the processing chamber 4 . It is provided so that it may protrude from the side surface (side wall 4a) of. The baffle plate 50a and the baffle plate 50b are formed so that the sum of the lengths to the protruding tip portions 51a and 51b is longer than the width between the inner wall of the processing chamber 4 and the mounting table 23, have. The baffle plate 50a and the baffle plate 50b are provided so as to protrude alternately in the height direction of the main body container 1 with a predetermined distance therebetween, so that the tip portions 51a and 51b overlap at intervals. That is, in the baffle plates 50a and 50b, the tip portions 51a and 51b overlap at intervals in the height direction of the main body container 1 to form a labyrinth structure. The gas in the processing chamber 4 passes through the bent exhaust path between the baffle plates 50a and 50b, flows into the exhaust region 54 below the baffle plates 50a, 50b, and is exhausted from the exhaust port 30 . do. The spacing between the baffle plates 50a and 50b is preferably 50 to 100 mm. In addition, it is preferable that the overlapping width|variety of the front-end|tip parts 51a, 51b of the baffle plates 50a, 50b sets it as 20-100 mm.

각 배플 플레이트(50)는, 접지 전위에 각각 접속되어 있다. 예컨대, 본체 용기(1)가 접지선(1a)에 의해 접지되어 있는 것에 의해, 처리실(4)의 측벽(4a) 및 저벽(4b)은, 접지 전위로 되어 있다. 배플 플레이트(50b)는, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위로 된 처리실(4)의 측벽(4a)에 전기적으로 접속되어 있다. 배플 플레이트(50a)는, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지고, 탑재대(23)의 측면을 덮는 도전성의 커버부(55)를 통해서, 접지 전위로 된 처리실(4)의 저벽(4b)에 전기적으로 접속되어 있다. 또, 각 배플 플레이트(50)는, 각각 접지선을 마련하여, 접지선에 의해 접지 전위에 접속되더라도 좋다.Each baffle plate 50 is respectively connected to a ground potential. For example, since the main body container 1 is grounded by the ground wire 1a, the side wall 4a and the bottom wall 4b of the processing chamber 4 are at ground potential. The baffle plate 50b is made of a conductive material such as metal and is electrically connected to the sidewall 4a of the processing chamber 4 at the ground potential. The baffle plate 50a is made of a conductive material such as metal, and is electrically connected to the bottom wall 4b of the processing chamber 4 at ground potential through a conductive cover portion 55 covering the side surface of the mounting table 23 . is connected to In addition, each baffle plate 50 may be provided with a ground line, respectively, and may be connected to the ground potential by the ground line.

도 2(a)는 실시형태와 관련되는 처리실 내의 구성의 일례를 나타내는 수평 단면도이다. 도 2(a)에는 처리실(4) 내의 탑재대(23) 부근을 위쪽으로부터 본 단면도가 나타나 있다. 처리실(4) 내에는, 중앙에 탑재대(23)가 배치되어 있다. 탑재대(23)의 탑재면(23a)은, 직사각형 형상의 기판 G를 탑재하기 위해, 직사각형 형상으로 형성되어 있다. 도 2(a)의 예에서는, 처리실(4)의 네 코너에 배기구(30)가 각각 마련되어 있다. 또, 배기구(30)의 수나 위치는, 플라즈마 처리 장치(10)의 크기에 따라 적당히 변경하더라도 좋다. 도 2(b)는 실시형태와 관련되는 처리실 내의 구성의 다른 일례를 나타내는 수평 단면도이다. 도 2(b)에서는, 직사각형 형상의 탑재대(23)의 각 변의 양단 부근에 배기구(30)가 각각 마련되어 있다.Fig. 2(a) is a horizontal cross-sectional view showing an example of a configuration in a processing chamber according to the embodiment. FIG. 2A is a cross-sectional view of the vicinity of the mounting table 23 in the processing chamber 4 as viewed from above. In the processing chamber 4 , a mounting table 23 is disposed at the center. The mounting surface 23a of the mounting table 23 is formed in a rectangular shape in order to mount the rectangular substrate G. As shown in FIG. In the example of FIG. 2( a ), exhaust ports 30 are respectively provided at the four corners of the processing chamber 4 . In addition, the number and position of the exhaust ports 30 may be suitably changed according to the size of the plasma processing apparatus 10 . Fig. 2(b) is a horizontal cross-sectional view showing another example of the configuration in the processing chamber according to the embodiment. In Fig. 2(b) , exhaust ports 30 are provided in the vicinity of both ends of each side of the rectangular mounting table 23, respectively.

본 실시형태에서는, 배플 플레이트(50a)는, 탑재대(23)의 측면의 전체 둘레에 마련되어 있다. 배플 플레이트(50b)는, 탑재대(23)의 측면과 대향하는 처리실(4)의 측벽(4a)의 전체 둘레에 마련되어 있다. 배플 플레이트(50a, 50b)는, 선단 부분(51a, 51b)이 중복되어 있다. 바꾸어 말하면, 탑재대(23)의 측면으로부터 돌출하는 배플 플레이트(50a)의 선단 부분(51a)과 처리실(4)의 측면으로부터 돌출하는 배플 플레이트(50b)의 선단 부분(51b)이 서로 상대의 선단 부분보다 연신하고, 탑재대(23) 부근을 위쪽으로부터 본 경우에, 중복되는 영역을 갖고 있다. 도 2(a) 및 도 2(b)에서는, 배플 플레이트(50b)의 선단 부분(51b) 쪽의 배플 플레이트(50a)와 중복되는 영역의 패턴을 파선으로 바꾸어 나타내고 있다. 또, 배플 플레이트(50a, 50b)는, 탑재대(23)의 주위의 전체 둘레에 반드시 마련할 필요는 없고, 예컨대, 다른 부품의 배치 영역을 확보하기 위해, 탑재대(23)의 주위의 일부에서 배치되어 있지 않더라도 좋다.In the present embodiment, the baffle plate 50a is provided on the entire periphery of the side surface of the mounting table 23 . The baffle plate 50b is provided around the entire periphery of the side wall 4a of the processing chamber 4 opposite to the side surface of the mounting table 23 . The baffle plates 50a and 50b have the tip portions 51a and 51b overlapping each other. In other words, the tip portion 51a of the baffle plate 50a protruding from the side surface of the mounting table 23 and the tip portion 51b of the baffle plate 50b projecting from the side surface of the processing chamber 4 are opposite to each other. It extends from the portion and has overlapping regions when the vicinity of the mounting table 23 is viewed from above. In Figs. 2(a) and 2(b), the pattern of the region overlapping with the baffle plate 50a on the tip portion 51b side of the baffle plate 50b is shown by replacing it with a broken line. In addition, the baffle plates 50a and 50b do not necessarily need to be provided around the entire periphery of the mounting table 23 , and for example, a part of the periphery of the mounting table 23 to secure an arrangement area for other components. It is good even if it is not placed in

도 1로 돌아간다. 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)는, 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 제어부(100), 유저 인터페이스(101), 기억부(102)를 갖고 있다. 제어부(100)는, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부, 예컨대, 밸브, 고주파 전원(15), 고주파 전원(27), 진공 펌프(33) 등에 지령을 보내고, 이들을 제어한다. 또한, 유저 인터페이스(101)는, 오퍼레이터에 의한 플라즈마 처리 장치(10)를 관리하기 위한 커맨드 입력 등의 입력 조작을 행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 갖는다. 유저 인터페이스(101)는, 제어부(100)에 접속되어 있다. 기억부(102)에는, 플라즈마 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 제어부(100)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장되어 있다. 기억부(102)는, 제어부(100)에 접속되어 있다. 처리 레시피는, 기억부(102)의 안의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는, 컴퓨터에 내장된 하드디스크나 반도체 메모리이더라도 좋고, CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대할 수 있는 것이더라도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 거쳐서 레시피를 적당히 전송시키도록 하더라도 좋다. 그리고, 필요에 따라, 유저 인터페이스(101)로부터의 지시 등으로 임의의 처리 레시피를 기억부(102)로부터 불러내어 제어부(100)에 실행시킴으로써, 제어부(100)의 제어 하에서, 플라즈마 처리 장치(10)에서의 소망하는 처리가 행하여진다.Return to FIG. 1 . A plasma processing apparatus 10 according to the embodiment includes a control unit 100 composed of a microprocessor (computer), a user interface 101 , and a storage unit 102 . The control unit 100 sends a command to each component of the plasma processing apparatus 10 , for example, a valve, a high frequency power supply 15 , a high frequency power supply 27 , a vacuum pump 33 , and the like, and controls them. In addition, the user interface 101 includes a keyboard through which an operator performs input operations such as command input for managing the plasma processing apparatus 10 , a display that visualizes and displays the operating status of the plasma processing apparatus 10 , and the like. have The user interface 101 is connected to the control unit 100 . In the storage unit 102 , a control program for realizing various processes executed in the plasma processing apparatus 10 under the control of the control unit 100 , and processing to each component of the plasma processing apparatus 10 according to processing conditions are stored in the storage unit 102 . A program to be executed, that is, a processing recipe is stored. The storage unit 102 is connected to the control unit 100 . The processing recipe is stored in a storage medium in the storage unit 102 . The storage medium may be a hard disk or semiconductor memory incorporated in a computer, or may be a portable one such as a CDROM, DVD, or flash memory. Alternatively, the recipe may be appropriately transmitted from another device, for example, via a dedicated line. Then, if necessary, an arbitrary processing recipe is called from the storage unit 102 by an instruction from the user interface 101 or the like, and the control unit 100 executes it, so that the plasma processing apparatus 10 is controlled by the control unit 100 . ), the desired processing is performed.

다음으로, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 기판 G에 대하여 플라즈마 처리, 예컨대 플라즈마 에칭이나 플라즈마 애싱을 실시할 때의 처리 동작에 대하여 설명한다.Next, the processing operation when plasma processing, for example, plasma etching or plasma ashing, is performed with respect to the board|substrate G using the plasma processing apparatus 10 comprised as mentioned above is demonstrated.

우선, 플라즈마 처리 장치(10)는, 게이트 밸브(29)를 연 상태로 한다. 기판 G는, 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 반입출구(29a)로부터 처리실(4) 내에 반입되고, 탑재대(23)의 탑재면(23a)에 탑재된다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 정전 척(도시하지 않음)에 의해 기판 G를 탑재대(23) 상에 고정한다. 다음으로, 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 가스 공급계(20)로부터 샤워 하우징(11)의 가스 토출 구멍(12a)을 거쳐서 처리 가스를 처리실(4) 내에 공급한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 자동 압력 제어 밸브(APC)(32)에 의해 압력을 제어하면서 배기구(30)로부터 배기 배관(31)을 거쳐서 진공 펌프(33)에 의해 처리실(4) 내를 진공 배기하는 것에 의해, 처리실 내를 예컨대 0.66~26.6㎩ 정도의 압력 분위기로 유지한다.First, in the plasma processing apparatus 10 , the gate valve 29 is opened. The substrate G is loaded into the processing chamber 4 from the loading/unloading port 29a by a transport mechanism (not shown), and is mounted on the mounting surface 23a of the mounting table 23 . The plasma processing apparatus 10 fixes the substrate G on the mounting table 23 with an electrostatic chuck (not shown). Next, the plasma processing apparatus 10 supplies the processing gas from the processing gas supply system 20 to the processing chamber 4 through the gas discharge hole 12a of the shower housing 11 . In addition, in the plasma processing apparatus 10 , the pressure is controlled by an automatic pressure control valve (APC) 32 from the exhaust port 30 , through the exhaust pipe 31 , into the processing chamber 4 by the vacuum pump 33 . The inside of the processing chamber is maintained at, for example, a pressure atmosphere of about 0.66 to 26.6 Pa by evacuating the .

또한, 이때, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판 G의 온도 상승이나 온도 변화를 회피하기 위해, He 가스 유로(28)를 거쳐서, 기판 G의 이면 쪽의 냉각 공간에 열 전달용 가스로서의 He 가스를 공급한다.In addition, at this time, in order to avoid the temperature rise or temperature change of the substrate G, the plasma processing apparatus 10 sends He gas as a heat transfer gas to the cooling space on the back surface side of the substrate G via the He gas flow path 28 . to supply

그 다음에, 플라즈마 처리 장치(10)는, 고주파 전원(15)으로부터, 예컨대, 13.56㎒의 고주파를 고주파 안테나(13)에 인가하고, 이것에 의해 유전체벽(2)을 거쳐서 처리실(4) 내에 균일한 유도 전계를 형성한다. 이와 같이 하여 형성된 유도 전계에 의해, 처리실(4) 내에서 처리 가스가 플라즈마화하고, 고밀도의 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 이 플라즈마에 의해, 기판 G에 대하여 플라즈마 처리, 예컨대 기판 G의 소정의 막에 대하여 플라즈마 에칭이나 플라즈마 애싱이 행하여진다. 이때 동시에, 플라즈마 처리 장치(10)는, 고주파 전원(27)으로부터 고주파 바이어스로서, 예컨대 주파수가 6㎒인 고주파 전력을 탑재대(23)에 인가하여, 처리실(4) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온이 효과적으로 기판 G로 끌어들여지도록 한다.Then, the plasma processing apparatus 10 applies a high frequency of, for example, 13.56 MHz from the high frequency power supply 15 to the high frequency antenna 13 , thereby passing through the dielectric wall 2 into the processing chamber 4 . to form a uniform induced electric field. By the induced electric field formed in this way, the processing gas is turned into plasma in the processing chamber 4, and a high-density inductively coupled plasma is generated. With this plasma, plasma processing is performed on the substrate G, for example, plasma etching or plasma ashing of a predetermined film on the substrate G. At this time, at the same time, the plasma processing apparatus 10 applies, as a high-frequency bias from the high-frequency power supply 27 , to the mounting table 23 , for example, high-frequency power having a frequency of 6 MHz, so that ions in the plasma generated in the processing chamber 4 are removed. It is effectively attracted to the substrate G.

처리실(4) 내에 공급된 처리 가스는, 플라즈마화하여 플라즈마 처리에 제공된 후, 진공 펌프(33)에 의해 흡인되는 것에 의해, 배기 영역(54)을 거쳐서 배기구(30)에 도달하고, 배기구(30)로부터 배기 배관(31)을 거쳐 배기된다. 도 3은 실시형태와 관련되는 배기구로의 배기의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 도 3에는, 배기의 흐름의 일례를 실선의 화살표로 모식적으로 나타내고 있다. 플라즈마화한 가스는, 배플 플레이트(50a, 50b)의 사이의 S자 형상으로 굴곡한 배기 경로를 통과하여 배기 영역(54)에 흐른다. 배기 영역(54)은, 탑재대(23)의 주위 전체 둘레에 형성되어 있고, 각 배기구(30)에 통하고 있다. 배기 영역(54)에 흐른 가스는, 배기구(30)에 도달하고, 배기구(30)로부터 배기 배관(31)을 거쳐 배기된다.The processing gas supplied into the processing chamber 4 is converted into plasma and provided for plasma processing, and then is sucked by the vacuum pump 33 to reach the exhaust port 30 through the exhaust region 54 , and the exhaust port 30 . ) through the exhaust pipe 31 is exhausted. It is a figure which shows an example of the flow of exhaust_gas|exhaustion to the exhaust port which concerns on embodiment. In FIG. 3, an example of the flow of exhaust gas is schematically shown by the arrow of a solid line. The gas converted into plasma flows into the exhaust region 54 through the exhaust path bent in an S-shape between the baffle plates 50a and 50b. The exhaust region 54 is formed around the entire periphery of the mounting table 23 , and communicates with each exhaust port 30 . The gas flowing into the exhaust region 54 reaches the exhaust port 30 , and is exhausted from the exhaust port 30 through the exhaust pipe 31 .

본 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 배플 플레이트(50a, 50b)를 탑재대(23)의 주위의 전체 둘레에 마련하고 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기 특성의 불균등을 작게 할 수 있다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치(10)는, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 처리실(4)의 네 코너에 배기구(30)를 마련한 경우, 처리실(4)의 네 코너 부근의 배기 특성이 높아진다. 그러나, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50a, 50b)를 마련함으로써 배기 저항이 늘어나고, 탑재대(23)의 주위 전체로부터 배기되게 된다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)의 주위의 배기 특성의 불균등을 작게 할 수 있다. 즉, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50a, 50b)를 탑재대(23)의 주위의 전체 둘레에 마련함으로써, 탑재대(23)의 주위의 배기 특성을 균일화할 수 있다.In the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the baffle plates 50a and 50b are provided around the entire periphery of the mounting table 23 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can reduce the unevenness of exhaust characteristics. For example, in the plasma processing apparatus 10 , when the exhaust ports 30 are provided at four corners of the processing chamber 4 as shown in FIG. 2A , exhaust characteristics near the four corners of the processing chamber 4 are increased. However, in the plasma processing apparatus 10, the exhaust resistance is increased by providing the baffle plates 50a and 50b, and exhaust is exhausted from the entire periphery of the mounting table 23 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can reduce the unevenness of the exhaust characteristics around the mounting table 23 . That is, in the plasma processing apparatus 10 , by providing the baffle plates 50a and 50b around the periphery of the mounting table 23 , the exhaust characteristics of the periphery of the mounting table 23 can be equalized.

또한, 본 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기구(30)보다 상류 쪽에, 선단 부분(51a, 51b)이 간격을 두고 중복되도록 배플 플레이트(50a, 50b)를 마련하고 있다. 이것에 의해, 플라즈마화한 가스는, 배플 플레이트(50a, 50b)의 사이를 통과할 때에, 배플 플레이트(50a, 50b)에 접촉하여 불활성화한다. 이것에 의해, 플라즈마화한 가스가 그대로 배기구(30)에 흐르지 않게 되기 때문에, 배기구(30)나 배기부(40)에 있어서, 불안정한 방전이 발생하는 것이 억제된다. 도 4는 실시형태와 관련되는 플라즈마화한 가스의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 처리실(4) 내에 공급된 처리 가스는, 샤워 하우징(11)과 탑재대(23)의 사이의 처리 영역에서 플라즈마화된다. 이 플라즈마화한 가스는, 진공 펌프(33)에 의해 흡인되는 것에 의해, 배기 영역(54)을 거쳐서 배기구(30)에 흡인되지만, 배플 플레이트(50a, 50b)에 접촉하여 비활성화하기 때문에, 그대로 배기구(30)에 도달하지 않는다.Further, in the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the baffle plates 50a and 50b are provided upstream from the exhaust port 30 so that the tip portions 51a and 51b overlap at intervals. Thereby, when the gas converted into plasma passes between the baffle plates 50a and 50b, it contacts and inactivates the baffle plates 50a and 50b. Thereby, since the gas converted into plasma does not flow through the exhaust port 30 as it is, unstable discharge is suppressed from occurring in the exhaust port 30 or the exhaust unit 40 . It is a figure which shows an example of the flow of the gas converted into plasma which concerns on embodiment. The processing gas supplied into the processing chamber 4 is converted into plasma in the processing region between the shower housing 11 and the mounting table 23 . This plasma-formed gas is sucked by the vacuum pump 33 and is sucked into the exhaust port 30 through the exhaust region 54, but is inactivated by contacting the baffle plates 50a and 50b, so it is directly exhausted. (30) is not reached.

여기서, 비교예로서, 배플 플레이트(50a, 50b)가 없는 경우의 플라즈마의 흐름의 일례를 설명한다. 도 5는 비교예와 관련되는 플라즈마화한 가스의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 비교예에서는, 배플 플레이트(50a, 50b)가 마련되어 있지 않다. 플라즈마화한 가스는, 진공 펌프(33)에 의해 흡인되는 것에 의해, 배기구(30)로부터 배기부(40)에 흐른다. 이 경우, 배기구(30)나 배기부(40)에 있어서, 불안정한 방전이 발생하는 경우가 있다.Here, as a comparative example, an example of the flow of plasma in the case where there are no baffle plates 50a and 50b will be described. 5 is a diagram showing an example of a flow of a plasma-ized gas according to a comparative example. In the comparative example, the baffle plates 50a and 50b are not provided. The gas converted into plasma flows from the exhaust port 30 to the exhaust unit 40 by being sucked by the vacuum pump 33 . In this case, unstable discharge may occur in the exhaust port 30 or the exhaust unit 40 .

한편, 본 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 플라즈마화한 가스가 비활성화하여 배기구(30)에 흐르기 때문에, 배기구(30)나 배기부(40)에 있어서, 불안정한 방전이 발생하는 것을 억제할 수 있다.On the other hand, in the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, as shown in FIG. 4 , the gas converted into plasma is deactivated and flows through the exhaust port 30 , so that in the exhaust port 30 or the exhaust unit 40 , , it is possible to suppress the occurrence of unstable discharge.

또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50a, 50b)의 선단 부분(51a, 51b)을 간격을 두고 중복되도록 배치하고 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기부(40)로부터 반도한 파티클이 배플 플레이트(50a, 50b)의 상부로 튀어나가는 것을 억제할 수 있다. 도 6은 실시형태와 관련되는 배기부로부터의 파티클의 반도의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6에는, 파티클의 반도의 일례를 실선의 화살표로 모식적으로 나타내고 있다. 배기부(40)에서는, 진공 펌프(33) 등에서 파티클(60)이 배기구(30) 쪽으로 반도하는 경우가 있다. 그러나, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50a, 50b)의 선단 부분(51a, 51b)을 오버랩시키고 있기 때문에, 배기부(40)에서 반도한 파티클(60)이, 배플 플레이트(50a, 50b)의 상부로 튀어나가는 것을 억제할 수 있다. 특히, 본 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 배플 플레이트(50a, 50b) 중, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)를, 탑재대(23)의 측면으로부터 돌출하도록 마련하고 있다. 이것에 의해, 배플 플레이트(50a)는, 처리실(4)의 측면 쪽이 개구가 되고, 탑재대(23) 쪽을 덮기 때문에, 반도한 파티클(60)이 배플 플레이트(50a, 50b)의 극간을 통과한 경우에도, 파티클(60)이 탑재대(23) 쪽으로 비상하는 것을 억제할 수 있다.In addition, in the plasma processing apparatus 10, the front-end|tip parts 51a, 51b of the baffle plates 50a, 50b are arrange|positioned so that they may overlap with a space|interval. In this way, the plasma processing apparatus 10 can suppress the particles that have returned from the exhaust unit 40 from jumping out to the upper portions of the baffle plates 50a and 50b. 6 is a diagram showing an example of a peninsula of particles from an exhaust unit according to the embodiment. In Fig. 6, an example of a particle peninsula is schematically shown by a solid arrow. In the exhaust unit 40 , the particles 60 may return toward the exhaust port 30 in the vacuum pump 33 or the like. However, in the plasma processing apparatus 10, since the tip portions 51a and 51b of the baffle plates 50a and 50b are overlapped, the particles 60 reflected by the exhaust unit 40 are separated from the baffle plates 50a and 50b. 50b) can be suppressed from protruding to the top. In particular, in the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the uppermost baffle plate 50a among the baffle plates 50a and 50b is provided so as to protrude from the side surface of the mounting table 23 . As a result, in the baffle plate 50a, the side surface of the processing chamber 4 becomes an opening and covers the mounting table 23 side. Even when passing through, it is possible to suppress the particles 60 from flying toward the mounting table 23 .

그런데, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판 G의 가까이에서 고밀도의 플라즈마를 생성하기 위해, 처리실(4)의 높이가 낮게 설계된다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)와 샤워 하우징(11)의 거리가 300㎜ 이하로 되어 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 대향 전극으로서 기능하는 처리실(4)의 내벽(측벽(4a)의 안쪽 부분)의 면적이 작게 되어 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 가능한 기판 G의 사이즈가 커질수록, 기판 G를 탑재하는 탑재대(23)의 면적에 대하여, 처리실(4)의 내벽(측벽(4a)의 안쪽 부분)의 면적의 비율이 저하한다. 한편, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판 G가 대형화할수록, 탑재대(23)에 높은 파워의 고주파 전력을 인가할 필요가 있다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판 G의 사이즈가 제 8 세대의 사이즈(2160㎜×2460㎜) 이상의 사이즈가 되면, 보다 높은 파워의 고주파 전력을 탑재대(23)에 인가할 필요가 있다. 이 결과, 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 가능한 기판 G의 사이즈가 커질수록, 대향 전극에 대한 리턴 전류 밀도가 증가하고, 아킹(arcing)을 일으키기 쉬워지는 등, 전기적으로 불안정해진다.However, in the plasma processing apparatus 10 , the height of the processing chamber 4 is designed to be low in order to generate high-density plasma near the substrate G. For example, in the plasma processing apparatus 10 , the distance between the mounting table 23 and the shower housing 11 is 300 mm or less. As a result, in the plasma processing apparatus 10 , the area of the inner wall (the inner part of the side wall 4a) of the processing chamber 4 functioning as the counter electrode is reduced. In addition, in the plasma processing apparatus 10, as the size of the substrate G that can be processed increases, the inner wall of the processing chamber 4 (the inner part of the side wall 4a) with respect to the area of the mounting table 23 on which the substrate G is mounted. the ratio of the area of On the other hand, in the plasma processing apparatus 10 , as the substrate G becomes larger, it is necessary to apply high-frequency power to the mounting table 23 . For example, in the plasma processing apparatus 10 , when the size of the substrate G is equal to or larger than the size of the 8th generation (2160 mm × 2460 mm), it is necessary to apply high-frequency power of higher power to the mounting table 23 . . As a result, the plasma processing apparatus 10 becomes electrically unstable as the size of the substrate G that can be processed increases, the return current density to the counter electrode increases and arcing tends to occur.

그래서, 본 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 접지 전위로 한 배플 플레이트(50a, 50b)를 마련하고 있다. 배플 플레이트(50a, 50b)는, 접지 전위로 한 것에 의해, 고주파 바이어스가 인가되는 탑재대(23)에 대한 대향 전극으로서 기능한다. 즉, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50a, 50b)를 마련한 것에 의해, 대향 전극의 면적을 확대하고 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판 G의 대형화에 따라 탑재대(23)를 대형화한 경우에도, 전기적 안정성을 확보할 수 있고, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.Therefore, in the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment, the baffle plates 50a and 50b set to the ground potential are provided. The baffle plates 50a and 50b serve as counter electrodes to the mounting table 23 to which the high frequency bias is applied by setting the ground potential. That is, in the plasma processing apparatus 10, the area of the counter electrode is enlarged by providing the baffle plates 50a and 50b. As a result, the plasma processing apparatus 10 can ensure electrical stability and suppress unstable discharge even when the mounting table 23 is enlarged in accordance with the increase in the size of the substrate G.

또, 본 실시형태에서는, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)를 탑재대(23)의 측면 쪽으로부터 돌출하도록 마련한 경우에 대하여 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)를 처리실(4)의 측면 쪽으로부터 돌출하도록 마련하더라도 좋다. 도 7은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7에는, 배기의 흐름의 일례를 실선의 화살표로 모식적으로 나타내고 있다. 도 7에서는, 위쪽의 배플 플레이트(50a)가 처리실(4)의 측벽(4a)으로부터 돌출하도록 마련되고, 아래쪽의 배플 플레이트(50b)가 탑재대(23)의 측면으로부터 돌출하도록 마련되어 있다. 배플 플레이트(50a, 50b)는, 각각의 선단 부분(51a, 51b)이 간격을 두고 중복되도록 배치되어 있다. 도 7의 경우, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)는, 탑재대(23) 쪽이 개구가 된다. 이것에 의해, 배기 경로가 크게 굴곡하지 않고 순조롭게 배플 플레이트(50a, 50b)의 사이에 배기가 흘러들기 때문에, 배기 특성이 향상된다. 여기서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)를 탑재대(23)의 측면 쪽으로부터 돌출하도록 마련한 경우, 배플 플레이트(50a)의 상부에 배기가 많이 흐르기 때문에, 처리 가스에 따라서는 배플 플레이트(50a)의 상면에 부생성물 등이 많이 퇴적된다. 한편, 도 7에 나타내는 바와 같이, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)를 처리실(4)의 측면 쪽으로부터 돌출하도록 마련한 경우, 배플 플레이트(50a)의 상부에 흐르는 배기가 적고, 배기가 순조롭게 흐르기 때문에, 부생성물 등의 퇴적을 적게 할 수 있다.In addition, in this embodiment, although the case where the uppermost baffle plate 50a was provided so that it may protrude from the side surface side of the mounting table 23 was shown, it is not limited to this. For example, the uppermost baffle plate 50a may be provided so as to protrude from the side surface of the processing chamber 4 . 7 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment. In FIG. 7, an example of the flow of exhaust gas is schematically shown by the arrow of a solid line. In FIG. 7 , the upper baffle plate 50a is provided to protrude from the sidewall 4a of the processing chamber 4 , and the lower baffle plate 50b is provided to protrude from the side surface of the mounting table 23 . The baffle plates 50a and 50b are arranged so that the respective tip portions 51a and 51b overlap each other at intervals. In the case of FIG. 7 , the uppermost baffle plate 50a has an opening on the mounting table 23 side. Thereby, since the exhaust gas flows smoothly between the baffle plates 50a and 50b without greatly bending the exhaust path, the exhaust characteristics are improved. Here, as shown in FIG. 3 , when the uppermost baffle plate 50a is provided so as to protrude from the side surface of the mounting table 23 , a large amount of exhaust flows through the upper portion of the baffle plate 50a, so depending on the process gas A large amount of by-products and the like are deposited on the upper surface of the baffle plate 50a. On the other hand, as shown in Fig. 7, when the uppermost baffle plate 50a is provided so as to protrude from the side surface of the processing chamber 4, there is little exhaust gas flowing over the baffle plate 50a, and the exhaust gas flows smoothly. The deposition of by-products and the like can be reduced.

또한, 커버부(55)는, 탑재대(23)의 측면을 상단까지 덮도록 형성하더라도 좋다. 도 8은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 커버부(55)는, 탑재대(23)의 측면을 상단까지 덮도록 형성되어 있다. 커버부(55)는, 접지 전위로 된 처리실(4)의 저벽(4b)에 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 커버부(55)는, 고주파 바이어스가 인가되는 탑재대(23)에 대한 대향 전극으로서 기능한다. 즉, 플라즈마 처리 장치(10)는, 커버부(55)가 탑재대(23)의 측면을 상단까지 덮도록 형성된 것에 의해, 대향 전극의 면적을 확대하고 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판 G의 대형화에 따라 탑재대(23)를 대형화한 경우에도, 전기적 안정성을 확보할 수 있고, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.In addition, the cover part 55 may be formed so that the side surface of the mounting table 23 may be covered up to the upper end. 8 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment. The cover part 55 is formed so that the side surface of the mounting table 23 may be covered up to an upper end. The cover part 55 is electrically connected to the bottom wall 4b of the processing chamber 4 which has a ground potential. For this reason, the cover part 55 functions as a counter electrode with respect to the mounting table 23 to which a high frequency bias is applied. That is, in the plasma processing apparatus 10 , the area of the counter electrode is enlarged by the cover part 55 being formed so as to cover the side surface of the mounting table 23 to the upper end. As a result, the plasma processing apparatus 10 can ensure electrical stability and suppress unstable discharge even when the mounting table 23 is enlarged in accordance with the increase in the size of the substrate G.

또한, 본 실시형태에서는, 배기구(30)보다 상류 쪽에 배플 플레이트(50)를 2개 마련한 경우에 대하여 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 배플 플레이트(50)의 수는, 2개 이상이면, 몇 개이더라도 좋다. 도 9는 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 배기구(30)보다 상류 쪽에 3개의 배플 플레이트(50a~50c)를 마련한 경우를 나타내고 있다. 도 10은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 배기구(30)보다 상류 쪽에 4개의 배플 플레이트(50a~50d)를 마련한 경우를 나타내고 있다. 도 9 및 도 10에서는, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)를 탑재대(23)의 측면 쪽으로부터 돌출하도록 마련한 경우를 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 가장 상부의 배플 플레이트(50a)는, 처리실(4)의 측면 쪽으로부터 돌출하도록 마련하더라도 좋다.In addition, in this embodiment, although it demonstrated about the case where two baffle plates 50 were provided on the upstream side of the exhaust port 30, it is not limited to this. The number of baffle plates 50 may be any as long as it is two or more. 9 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment. A case in which three baffle plates 50a to 50c are provided on the upstream side of the exhaust port 30 is shown. 10 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment. A case in which four baffle plates 50a to 50d are provided on the upstream side of the exhaust port 30 is shown. 9 and 10 illustrate a case in which the uppermost baffle plate 50a is provided so as to protrude from the side surface of the mounting table 23, but the present invention is not limited thereto. The uppermost baffle plate 50a may be provided so as to protrude from the side surface of the processing chamber 4 .

또한, 본 실시형태에서는, 탑재대(23)의 기판 G가 탑재되는 탑재면(23a)을 평탄하게 한 경우에 대하여 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 탑재대(23)는, 탑재면(23a)의 가장자리를 따라 돌출하는 돌출부(80)를 마련하더라도 좋다. 도 11은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재면(23a)의 가장자리를 따라 돌출부(80)가 마련되어 있다. 돌출부(80)는, 소정의 높이로 기판 G의 외주를 둘러싸도록 형성되어 있다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재면(23a)에 탑재된 기판 G에 대하여 플라즈마 처리를 실시한 경우, 기판 G의 주변 영역에서 플라즈마 처리의 처리 특성이 변화하는 경우가 있다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재면(23a)에 탑재된 기판 G에 대하여, 플라즈마 에칭을 실시한 경우, 기판 G의 주변 영역에서는 중심 영역에 비하여 반응하지 않는 플라즈마 가스의 비율이 많아진다. 그 때문에, 로딩 효과에 의해, 기판 G의 주변 영역에서 에칭 레이트가 높아지고, 기판 G의 면 내의 에칭의 균일성이 저하한다. 그래서, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재면(23a)의 가장자리를 따라 돌출부(80)를 마련하여, 플라즈마화한 가스가 바깥쪽으로 흐르는 것을 저해하여 주변 영역의 가스의 유속을 저하시키고, 로딩 효과에 의해 기판 G의 주변 영역에서 에칭 레이트가 높아지는 것을 억제한다. 돌출부(80)의 폭 및 높이는, 로딩 효과에 의한 기판 G의 주변 영역에서의 에칭 레이트의 상황에 따라, 적당히 정하면 된다. 돌출부(80)를 넘어 배기되는 가스를 배플 플레이트(50)에서 비활성화시키기 위해서는, 돌출부(80)의 상단으로부터 배플 플레이트(50a)까지의 높이보다 배플 플레이트(50a)의 기단으로부터 선단 부분(51a)까지의 길이가 길게 되도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, in this embodiment, although demonstrated about the case where the mounting surface 23a on which the board|substrate G of the mounting table 23 is mounted was flattened, it is not limited to this. The mounting table 23 may be provided with a protrusion 80 protruding along the edge of the mounting surface 23a. 11 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment. The plasma processing apparatus 10 is provided with a protrusion 80 along the edge of the mounting surface 23a. The protrusion 80 is formed so as to surround the outer periphery of the substrate G at a predetermined height. In the plasma processing apparatus 10, when plasma processing is performed on the substrate G mounted on the mounting surface 23a, the processing characteristics of the plasma processing may change in the peripheral region of the substrate G. For example, in the plasma processing apparatus 10, when plasma etching is performed on the substrate G mounted on the mounting surface 23a, the proportion of non-reactive plasma gas increases in the peripheral region of the substrate G compared to the central region. Therefore, due to the loading effect, the etching rate in the peripheral region of the substrate G is increased, and the uniformity of etching in the surface of the substrate G is lowered. Therefore, the plasma processing apparatus 10 provides the protrusion 80 along the edge of the mounting surface 23a to prevent the gas converted into plasma from flowing outward, thereby lowering the flow rate of the gas in the peripheral region, thereby reducing the loading effect. This suppresses an increase in the etching rate in the peripheral region of the substrate G. The width and height of the protrusion 80 may be appropriately determined according to the situation of the etching rate in the peripheral region of the substrate G due to the loading effect. In order to deactivate the gas exhausted beyond the protrusion 80 in the baffle plate 50, the height from the proximal end of the baffle plate 50a to the leading end portion 51a is higher than the height from the top of the protrusion 80 to the baffle plate 50a. It is preferable to configure so that the length of the is long.

도 12는 실시형태와 관련되는 에칭의 변화의 일례를 나타내는 도면이다. 도 12에는, 기판 G의 중심으로부터 위치마다의 에칭 레이트(E/R)의 변화가 나타나 있다. 에칭 레이트는, 기판 G의 소정의 위치의 에칭 레이트를 기준으로 하여, 규격화하여 나타내고 있다. 도 12에는, 배플 플레이트(50)를 마련하고 있지 않은 경우의 에칭 레이트의 변화가 "배플 없음"으로서 나타나 있다. 또한, 배플 플레이트(50a, 50b)를 마련한 경우의 에칭 레이트의 변화가 "배플 있음"으로서 나타나 있다. 또한, 배플 플레이트(50a, 50b)와 돌출부(80)를 마련한 경우의 에칭 레이트의 변화가 "배플, 돌출부 있음"으로서 나타나 있다. 돌출부(80)는 폭 30㎜로 했다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 배플 플레이트(50)를 마련하고 있지 않은 경우와 비교하여, 배플 플레이트(50a, 50b)를 마련한 경우는, 기판 G의 주변의 에칭 레이트가 낮아지고, 기판 G의 면 내에서의 에칭의 균일성이 향상되고 있다. 또한, 배플 플레이트(50a, 50b)와 돌출부(80)를 마련한 경우는, 기판 G의 주변의 에칭 레이트가 더 낮아지고, 기판 G의 면 내에서의 에칭의 균일성이 더 향상되고 있다. 이와 같이, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50)를 마련함으로써, 기판 G의 면 내의 플라즈마 처리의 처리 특성의 균일성이 향상된다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50)와 돌출부(80)를 마련함으로써, 기판 G의 면 내의 플라즈마 처리의 처리 특성의 균일성이 더 향상된다.It is a figure which shows an example of the change of the etching which concerns on embodiment. In FIG. 12, the change of the etching rate E/R for each position from the center of the board|substrate G is shown. The etching rate is normalized and shown on the basis of the etching rate at a predetermined position on the substrate G. In Fig. 12, the change in the etching rate in the case where the baffle plate 50 is not provided is shown as "no baffle". In addition, the change in the etching rate when the baffle plates 50a and 50b are provided is indicated as "with baffles". In addition, the change of the etching rate in the case where the baffle plates 50a and 50b and the protrusion 80 are provided is shown as "baffle, with protrusion". The protrusion part 80 was set to 30 mm in width. As shown in FIG. 12 , compared with the case where the baffle plate 50 is not provided, when the baffle plates 50a and 50b are provided, the etching rate around the substrate G is lowered, and the in-plane surface of the substrate G is lowered. The uniformity of etching is improved. In addition, when the baffle plates 50a and 50b and the protrusion 80 are provided, the etching rate around the substrate G becomes lower, and the uniformity of etching within the surface of the substrate G is further improved. In this way, in the plasma processing apparatus 10, by providing the baffle plate 50, the uniformity of the processing characteristics of the plasma processing in the surface of the substrate G is improved. Further, in the plasma processing apparatus 10 , by providing the baffle plate 50 and the protrusion 80 , the uniformity of the processing characteristics of the plasma processing in the surface of the substrate G is further improved.

또한, 배플 플레이트(50)는, 상면에 용사막이 마련되더라도 좋다. 도 13은 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)의 측면 쪽과 처리실(4)의 측면 쪽으로부터 교대로 2개의 배플 플레이트(50a, 50b)가 마련되어 있다. 배플 플레이트(50a, 50b)는, 알루미나(Al2O3)나 이트리아(Y2O3) 등의 용사막(90)이 상면에 마련되어 있다. 용사막(90)은, 표면이 거칠기 때문에, 부생성물 등이 부착되기 쉽다. 따라서, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50a, 50b)에 용사막(90)을 마련함으로써, 플라즈마 처리에서 발생한 부생성물 등을 용사막(90)으로 붙잡을 수 있다. 한편, 용사막(90)을 마련하지 않는 경우에도, 배플 플레이트(50a, 50b)의 표면을 블래스트 처리하여 표면 거칠기를 크게 함으로써, 부생성물을 부착시킬 수 있다. 또한, 용사막(90)은, 부식성 가스로부터 배플 플레이트를 보호하기 위해 마련되는 경우가 있다. 이 경우, 용사막(90)은, 배플 플레이트 전면에 마련된다.In addition, the baffle plate 50 may be provided with a thermal spraying film on the upper surface. 13 is a diagram showing an example of another configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment. In the plasma processing apparatus 10 , two baffle plates 50a and 50b are alternately provided from the side surface of the mounting table 23 and the side surface of the processing chamber 4 . The baffle plates 50a and 50b are provided with a thermal sprayed coating 90 made of alumina (Al 2 O 3 ) or yttria (Y 2 O 3 ) on their upper surfaces. Since the thermal sprayed coating 90 has a rough surface, by-products and the like are likely to adhere. Accordingly, in the plasma processing apparatus 10 , by providing the thermal sprayed film 90 on the baffle plates 50a and 50b , a by-product generated in the plasma processing or the like can be captured by the thermal sprayed film 90 . On the other hand, even when the thermal sprayed film 90 is not provided, by-products can be attached by blasting the surfaces of the baffle plates 50a and 50b to increase the surface roughness. In addition, the thermal sprayed film 90 may be provided in order to protect a baffle plate from a corrosive gas. In this case, the thermal sprayed coating 90 is provided on the entire surface of the baffle plate.

이상과 같이, 본 실시형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리실(4)과, 배기구(30)와, 복수의 배플 플레이트(50)를 갖는다. 처리실(4)은, 기판 G가 탑재되는 탑재대(23)가 내부에 마련되고, 기판 G에 대한 플라즈마 처리가 실시된다. 배기구(30)는, 탑재대(23)의 주위의, 탑재대(23)의 기판 G가 탑재되는 탑재면(23a)보다 낮은 위치에 마련되고, 처리실(4) 내를 배기한다. 복수의 배플 플레이트(50)는, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 각각 접속되고, 배기구(30)로의 배기의 흐름에 대하여 배기구(30)보다 상류 쪽에 마련되어 있다. 복수의 배플 플레이트(50)는, 탑재대(23)의 측면 쪽과 처리실(4)의 측면 쪽으로부터 교대로 돌출하고, 그 돌출시킨 선단 부분이 간격을 두고 중복된다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 플라즈마화한 가스가 배기구(30)에 흐를 때에 배플 플레이트(50)에서 비활성화시킬 수 있어, 플라즈마화한 가스가 배기구(30)에 흐르는 것을 억제할 수 있기 때문에, 불안정한 방전을 억제할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배플 플레이트(50a, 50b)를 마련한 것에 의해, 대향 전극의 면적을 확대하기 때문에, 전기적 안정성을 확보할 수 있어, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a processing chamber 4 , an exhaust port 30 , and a plurality of baffle plates 50 . In the processing chamber 4, a mounting table 23 on which the substrate G is mounted is provided therein, and plasma processing is performed on the substrate G. The exhaust port 30 is provided around the mounting table 23 at a position lower than the mounting surface 23a on which the substrate G of the mounting table 23 is mounted, and exhausts the inside of the processing chamber 4 . The plurality of baffle plates 50 are made of a conductive material, are respectively connected to the ground potential, and are provided on the upstream side of the exhaust port 30 with respect to the flow of the exhaust gas to the exhaust port 30 . The plurality of baffle plates 50 alternately protrude from the side surface side of the mounting table 23 and the side surface side of the processing chamber 4, and the protruding tip portions overlap each other at intervals. Thereby, the plasma processing apparatus 10 can be deactivated by the baffle plate 50 when the plasma-ized gas flows into the exhaust port 30 , and the plasma-ized gas can be suppressed from flowing into the exhaust port 30 . Therefore, unstable discharge can be suppressed. In addition, in the plasma processing apparatus 10, since the area of the counter electrode is enlarged by providing the baffle plates 50a and 50b, electrical stability can be ensured and unstable discharge can be suppressed.

또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 복수의 배플 플레이트(50) 중, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)가, 탑재대(23)의 측면 쪽으로부터 돌출한다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 배기부(40)로부터 반도한 파티클(60)이 탑재대(23) 쪽으로 비상하는 것을 억제할 수 있다.In the plasma processing apparatus 10 , the uppermost baffle plate 50a among the plurality of baffle plates 50 protrudes from the side surface of the mounting table 23 . As a result, the plasma processing apparatus 10 can suppress the particles 60 that have returned from the exhaust unit 40 from flying toward the mounting table 23 .

또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 복수의 배플 플레이트(50) 중, 가장 상부의 배플 플레이트(50a)가, 처리실(4)의 측면 쪽으로부터 돌출한다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23) 쪽이 개구가 되고, 배기 경로가 크게 굴곡하지 않고 순조롭게 배플 플레이트(50)의 사이에 배기가 흘러들기 때문에, 배기 특성이 향상된다.In the plasma processing apparatus 10 , the uppermost baffle plate 50a among the plurality of baffle plates 50 protrudes from the side surface of the processing chamber 4 . As a result, in the plasma processing apparatus 10, the mounting table 23 becomes an opening, and the exhaust path smoothly flows between the baffle plates 50 without greatly bending the exhaust path, so that the exhaust characteristics are improved. .

또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 복수의 배플 플레이트(50)가, 탑재대(23)의 주위의 전체 둘레에 마련되어 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 대향 전극의 면적이 보다 확대되기 때문에, 전기적 안정성을 확보할 수 있어, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.In addition, in the plasma processing apparatus 10 , a plurality of baffle plates 50 are provided around the periphery of the mounting table 23 . As a result, in the plasma processing apparatus 10 , since the area of the counter electrode is further enlarged, electrical stability can be ensured and unstable discharge can be suppressed.

또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)의 측면을 탑재대(23)의 상단까지 덮는 도전성의 커버부(55)를 갖는다. 복수의 배플 플레이트(50) 중, 탑재대(23)의 측면 쪽으로부터 돌출하는 배플 플레이트(50)는, 커버부(55)에 마련되어 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 대향 전극의 면적이 보다 확대되기 때문에, 전기적 안정성을 확보할 수 있어, 불안정한 방전을 억제할 수 있다.In addition, the plasma processing apparatus 10 has a conductive cover portion 55 that covers the side surface of the mounting table 23 up to the upper end of the mounting table 23 . Among the plurality of baffle plates 50 , the baffle plate 50 protruding from the side surface of the mounting table 23 is provided in the cover portion 55 . As a result, in the plasma processing apparatus 10 , since the area of the counter electrode is further enlarged, electrical stability can be ensured and unstable discharge can be suppressed.

또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 복수의 배플 플레이트(50) 중, 탑재대(23)의 측면 쪽 및 처리실(4)의 측면 쪽의 가장 상부의 배플 플레이트(50)의 상면에 용사막(90)이 마련되어 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 플라즈마 처리에서 발생한 부생성물 등을 용사막(90)으로 붙잡을 수 있다.In addition, the plasma processing apparatus 10 is provided on the upper surface of the uppermost baffle plate 50 on the side surface side of the mounting table 23 and on the side surface side of the processing chamber 4 among the plurality of baffle plates 50 . 90) is provided. Thereby, the plasma processing apparatus 10 can capture the by-product etc. which generate|occur|produced in the plasma processing with the thermal spraying film 90. As shown in FIG.

또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)의 기판이 탑재되는 탑재면(23a)의 가장자리를 따라 돌출하는 돌출부(80)가 마련되어 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)는, 기판 G의 면 내의 플라즈마 처리의 처리 특성의 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, the plasma processing apparatus 10 is provided with a protrusion 80 protruding along the edge of the mounting surface 23a on which the substrate of the mounting table 23 is mounted. Thereby, the plasma processing apparatus 10 can improve the uniformity of the processing characteristic of the plasma processing in the surface of the board|substrate G. As shown in FIG.

이상, 실시형태에 대하여 설명했지만, 이번 개시된 실시형태는, 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는, 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는, 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되더라도 좋다.As mentioned above, although embodiment was described, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and is not restrictive in every point. In fact, the above-described embodiment may be implemented in various forms. In addition, the above-mentioned embodiment may be abbreviate|omitted, substituted, and changed in various forms, without deviating from a claim and the meaning.

예컨대, 상기 실시형태에서는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치(10)로서 처리실(4)의 상부에 유전체창(유전체벽(2))을 사이에 두고 고주파 안테나가 마련된 경우에 대하여 나타냈지만, 유전체창이 아닌 금속창을 사이에 두고 고주파 안테나가 마련된 경우에 대해서도 적용할 수 있다. 이 경우, 처리 가스의 공급은, 빔 구조 등의 십자 형상의 샤워 하우징(11)으로부터가 아닌 금속창에 가스 샤워를 마련하여 공급하더라도 좋다. 또한, 상기 실시의 형태에서는, 플라즈마 처리 장치(10)로서 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치를 채택했지만, 이것에 한하지 않고, 플라즈마 처리 장치(10)는, 탑재대(23)가 하부 전극이 되도록 상부 전극을 마련하여 이들 사이에 용량 결합 플라즈마를 형성하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치이더라도 좋다.For example, in the above embodiment, as the inductively coupled plasma processing apparatus 10, a case is shown in which a high frequency antenna is provided on the upper portion of the processing chamber 4 with a dielectric window (dielectric wall 2) interposed therebetween. It can also be applied to a case where a high-frequency antenna is provided with a metal window interposed therebetween. In this case, the processing gas may be supplied by providing a gas shower to the metal window instead of from the shower housing 11 having a cross shape such as a beam structure. In addition, in the above embodiment, an inductively coupled plasma processing apparatus is employed as the plasma processing apparatus 10 , but the present invention is not limited thereto. It may be a capacitively coupled plasma processing apparatus in which an upper electrode is provided to form a capacitively coupled plasma therebetween.

또한, 상기 실시형태는, 플라즈마 에칭이나 플라즈마 애싱을 행하는 장치로서 설명했지만, CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치(10)에 적용할 수 있다. 또한, 상기 실시형태에서는, 기판으로서 FPD용의 직사각형 기판을 이용한 예를 나타냈지만, 다른 직사각형 기판을 처리하는 경우에도 적용 가능하고, 직사각형에 한하지 않고 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 원형의 기판에도 적용 가능하다.In addition, although the said embodiment was demonstrated as an apparatus which performs plasma etching and plasma ashing, it is applicable to the other plasma processing apparatus 10, such as CVD film formation. In addition, in the above embodiment, an example of using a rectangular substrate for FPD as the substrate is shown, but it is applicable even when processing other rectangular substrates, and is not limited to a rectangle, for example, it is applicable to a circular substrate such as a semiconductor wafer. .

1 : 본체 용기
4 : 처리실
23 : 탑재대
23a : 탑재면
30 : 배기구
31 : 배기 배관
32 : 자동 압력 제어 밸브(APC)
33 : 진공 펌프
40 : 배기부
50, 50a~50d : 배플 플레이트
51a, 51b : 선단 부분
54 : 배기 영역
55 : 커버부
80 : 돌출부
90 : 용사막
100 : 제어부
G : 기판1: body container
4: processing room
23 : mount
23a: mounting surface
30: exhaust port
31: exhaust pipe
32: automatic pressure control valve (APC)
33: vacuum pump
40: exhaust part
50, 50a~50d : Baffle plate
51a, 51b: tip part
54: exhaust area
55: cover part
80: protrusion
90 : warrior desert
100: control unit
G: substrate

Claims (7)

기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과,
상기 탑재대의 주위의, 상기 탑재대의 기판이 탑재되는 탑재면보다 낮은 위치에 마련되고, 상기 처리실 내를 배기하는 배기구와,
도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 각각 접속되고, 상기 배기구로의 배기의 흐름에 대하여 상기 배기구보다 상류 쪽에 마련되고, 상기 탑재대의 측면 쪽과 상기 처리실의 측면 쪽으로부터 교대로 돌출하고, 그 돌출시킨 선단 부분이 간격을 두고 중복되는 복수의 배플 플레이트와,
상기 탑재대의 측면을 상기 탑재대의 상단까지 덮는 도전성의 커버부를 구비하고,
상기 복수의 배플 플레이트 중, 상기 탑재대의 측면 쪽으로부터 돌출하는 배플 플레이트는, 상기 커버부에 마련되어, 상기 커버부를 통하여 접지 전위로 된 상기 처리실의 저벽에 전기적으로 접속하고,
상기 복수의 배플 플레이트 중, 가장 상부의 배플 플레이트는, 상기 처리실의 측면 쪽으로부터 돌출하는 것을 특징으로 하는
플라즈마 처리 장치.
a processing chamber in which a mounting table on which the substrate is mounted is provided and plasma processing is performed on the substrate;
an exhaust port provided in a periphery of the mounting table at a position lower than a mounting surface on which the substrate of the mounting table is mounted to exhaust the inside of the processing chamber;
made of a conductive material, each connected to a ground potential, provided on an upstream side of the exhaust port with respect to the flow of exhaust to the exhaust port, and alternately projecting from the side of the mounting table and the side of the processing chamber, and the A plurality of baffle plates having a tip portion overlapping with an interval, and
and a conductive cover part covering the side surface of the mount table to the upper end of the mount table;
of the plurality of baffle plates, a baffle plate protruding from a side surface of the mounting table is provided in the cover portion and electrically connected to a bottom wall of the processing chamber at ground potential through the cover portion;
Among the plurality of baffle plates, an uppermost baffle plate protrudes from a side surface of the processing chamber.
Plasma processing device.
 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 배플 플레이트는, 상기 탑재대의 주위의 전체 둘레에 마련된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 1,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of baffle plates are provided around the periphery of the mounting table.
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 배플 플레이트 중, 상기 탑재대의 측면 쪽 및 상기 처리실의 측면 쪽의 가장 상부의 배플 플레이트는, 상면에 용사막이 마련된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 1,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein, among the plurality of baffle plates, a thermal sprayed coating is provided on the uppermost baffle plate on the side of the mounting table and on the side of the processing chamber.
 제 1 항에 있어서,
상기 탑재대는, 상기 기판이 탑재되는 탑재면의 가장자리를 따라 돌출하는 돌출부가 마련된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The method of claim 1,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the mounting table is provided with a protrusion protruding along an edge of a mounting surface on which the substrate is mounted.
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