KR102512243B1 - Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography - Google Patents

Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography Download PDF

Info

Publication number
KR102512243B1
KR102512243B1 KR1020200176140A KR20200176140A KR102512243B1 KR 102512243 B1 KR102512243 B1 KR 102512243B1 KR 1020200176140 A KR1020200176140 A KR 1020200176140A KR 20200176140 A KR20200176140 A KR 20200176140A KR 102512243 B1 KR102512243 B1 KR 102512243B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
frame
pores
extreme ultraviolet
pellicle
average diameter
Prior art date
Application number
KR1020200176140A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20220086040A (en
Inventor
김청
우란
조상진
김경수
이소윤
서경원
문성용
최재혁
김지강
Original Assignee
주식회사 에프에스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에프에스티 filed Critical 주식회사 에프에스티
Priority to KR1020200176140A priority Critical patent/KR102512243B1/en
Publication of KR20220086040A publication Critical patent/KR20220086040A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102512243B1 publication Critical patent/KR102512243B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임에 관한 것이다. 본 발명은 펠리클 막을 지지하기 위한 중공의 통 형상의 펠리클 프레임으로서; 제1 내측 면과 제1 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제1 내측 면과 상기 제1 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제1 기공들이 형성된 제1 프레임과; 상기 제1 프레임을 둘러싸는 제2 프레임으로서, 상기 제1 외측 면과 접하는 제2 내측 면과 제2 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제2 내측 면과 상기 제2 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제2 기공들이 형성된 제2 프레임을 포함하며; 상기 제2 기공들은 상기 제1 기공들에 비해서 평균 지름이 큰 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공한다. 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임은 통기성을 확보하면서도, 파티클의 유입을 방지할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 비표적이 넓기 때문에 극자외선 포토리소그라피 공정에서 발생하는 열을 외부로 방출하기 용이하다는 장점도 있다.The present invention relates to a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography. More specifically, it relates to a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography. The present invention is a hollow tubular pellicle frame for supporting a pellicle film; a first frame having a first inner surface and a first outer surface, and having a plurality of first pores formed so that gas can pass through the first inner surface and the first outer surface and a section therebetween; A second frame surrounding the first frame, including a second inner surface and a second outer surface in contact with the first outer surface, wherein gas passes through the second inner surface and the second outer surface and the interval therebetween. It includes a second frame in which a plurality of second pores are formed so as to pass therethrough; The second pores provide a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the average diameter is larger than that of the first pores. The porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to the present invention has the advantage of preventing the inflow of particles while ensuring air permeability. In addition, since the non-target is wide, there is an advantage in that it is easy to dissipate heat generated in the extreme ultraviolet photolithography process to the outside.

Description

극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임{Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography}Porous Pellicle Frame for EUV (extreme ultraviolet) Lithography}

본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography. More specifically, it relates to a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography.

반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에서 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 패터닝을 하는 경우에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다. 이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다는 문제가 발생한다. 따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In the case of patterning a semiconductor wafer or a substrate for liquid crystal in the manufacture of a semiconductor device or a liquid crystal display panel, a method called photolithography is used. In photolithography, a mask is used as a patterning plate, and the pattern on the mask is transferred to a wafer or liquid crystal substrate. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected due to the dust, so the transferred pattern is damaged, resulting in a decrease in performance or yield of a semiconductor device or liquid crystal display panel. Therefore, these operations are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is being performed to prevent dust from adhering to the mask surface. In this case, the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film, and during lithography, since the focus is aligned on the pattern of the mask, the dust on the pellicle is out of focus and does not transfer to the pattern.

점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436), I선(365), KrF 엑시머 레이저(248), ArF 엑시머 레이저(193)에서 극자외선(EUV, extreme UltraViolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다. 이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.The required resolution of an exposure apparatus for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and the wavelength of a light source is getting shorter and shorter in order to realize the resolution. Specifically, the UV light source is an ultraviolet light g-ray 436, an I-ray 365, a KrF excimer laser 248, and an ArF excimer laser 193 to extreme ultraviolet (EUV, extreme UltraViolet, 13.5 nm), with gradually shorter wavelengths. are losing In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, it is indispensable to develop new light sources, resists, masks, and pellicles. That is, since the physical properties of the conventional organic pellicle film are changed by an exposure light source having high energy and have a short lifespan, it is difficult to use the pellicle for extreme ultraviolet rays. Various attempts are being made to solve this problem.

예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.

그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판은 60% 이상의 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. And Patent Publication No. 2009-0122114 discloses a pellicle for extreme ultraviolet rays, which includes a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, and the base substrate forms an opening of 60% or more. .

공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.The pellicle for extreme ultraviolet rays disclosed in Patent Publication No. 2009-0122114 needs to form a silicon single crystal film as a thin film in order to transmit extreme ultraviolet rays. Since this silicon single crystal thin film can be easily damaged even by a small impact, a base substrate is used to support it. There is a problem that the reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and the pattern is transferred to the substrate in a lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.

극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Since extreme ultraviolet rays have a short wavelength, the energy is very high, and since transmittance is low, a considerable amount of energy is absorbed by the pellicle film and the base substrate, so that the pellicle film and the base substrate may be heated. Therefore, when the materials of the pellicle film and the base substrate are different from each other, there is also a problem that deformation may occur due to a difference in thermal expansion due to heat generated in the lithography process.

펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.A method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate for reinforcing the pellicle film is also disclosed.

예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Patent Registration No. 1552940 filed and registered by the present applicant discloses a method of obtaining a graphite thin film by forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil using an iron chloride-containing aqueous solution.

또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, in Registered Patent Nos. 1303795 and 1940791 filed and registered by the present applicant, after forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, the organic substrate is removed as a solvent. A method of obtaining a pellicle membrane by dissolving using a is disclosed.

또한, 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하고, 실리콘 기판의 윗면의 질화규소 층 위에 극자외선의 투과율이 높은 코어 층인 단결정 또는 다결정 실리콘 층, 질화규소 층, 캐핑 층을 순차적으로 형성한 후, 실리콘 기판의 아랫면에 형성된 질화규소 층에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하고, 질화규소 층의 중심부를 건식에칭으로 제거하고, 실리콘 기판의 중심부를 습식에칭으로 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 펠리클을 제조하는 방법도 사용되고 있다.In addition, after forming a silicon nitride layer on both sides of the silicon substrate, and sequentially forming a single crystal or polycrystalline silicon layer, which is a core layer having high extreme ultraviolet transmittance, a silicon nitride layer, and a capping layer on the silicon nitride layer on the upper surface of the silicon substrate, A method of manufacturing a pellicle by applying photoresist to the silicon nitride layer formed on the lower surface, then patterning, removing the center of the silicon nitride layer by dry etching, and removing the center of the silicon substrate by wet etching to form a window through which extreme ultraviolet rays are transmitted. is also being used.

또한, 펠리클 막을 지지하는 펠리클 프레임으로 종래에는 강성과 가공성만을 고려하여 알루미늄, 스테인리스, 폴리에틸렌 등을 사용하고 있었다. 그러나 고에너지의 극자외선을 이용한 노광시에는 광 에너지에 의한 온도 상승에 의한 펠리클 프레임의 수축과 팽창에 의해 펠리클 막에 주름이 발생하거나 파손될 수 있다는 문제가 있다.In addition, conventionally, aluminum, stainless steel, polyethylene, etc. have been used as a pellicle frame for supporting a pellicle film in consideration of only rigidity and workability. However, when exposed to high-energy extreme ultraviolet rays, there is a problem in that the pellicle film may be wrinkled or damaged due to contraction and expansion of the pellicle frame due to a temperature rise due to light energy.

따라서 펠리클 프레임의 재료로 열팽창 계수가 낮은 Si, SiC, SiN 등의 재료를 사용하는 방법이 연구되고 있다. 그러나 이러한 재료는 펠리클 내부와 외부의 압력차를 완화하기 위한 통기구를 가공하기 어렵다는 문제가 있었다. 통상 펠리클 프레임의 측면에는 펠리클을 포토 마스크에 부착하거나 박리할 때 압력차에 의해서 펠리클 막이 손상되는 것을 방지하기 위한 통기구가 형성된다.Therefore, a method of using a material such as Si, SiC, or SiN having a low coefficient of thermal expansion as a material for a pellicle frame is being studied. However, this material has a problem in that it is difficult to process a ventilation hole for relieving the pressure difference between the inside and outside of the pellicle. Normally, a ventilation hole is formed on the side of the pellicle frame to prevent damage to the pellicle film due to a pressure difference when the pellicle is attached to or detached from the photo mask.

또한, 고에너지의 극자외선을 이용한 노광시에 발생하는 열의 펠리클 외부로의 방출이 필요하다는 요구도 있었다.In addition, there has also been a need to release heat generated during exposure using high-energy extreme ultraviolet rays to the outside of the pellicle.

이러한 문제점을 개선하기 위한 방법으로서, 공개특허 제2008-0099920호와, 등록특허 제1866017호에는 다공성 펠리클 프레임을 사용하는 방법이 개시되어 있다. 그러나 통기를 위한 기공의 크기 조건과 파티클의 유입 방지를 위한 기공의 크기 조건을 동시에 만족하기 어렵다는 문제가 있었다.As a method for improving these problems, Patent Publication No. 2008-0099920 and Patent Registration No. 1866017 disclose a method using a porous pellicle frame. However, there is a problem in that it is difficult to simultaneously satisfy the pore size condition for ventilation and the pore size condition for preventing particle inflow.

즉, 통기를 위해서 기공의 크기를 키우면, 레티클과 펠리클에 의해 둘러싸인 내부 공간으로 파티클이 유입될 수 있어서, 레티클이 오염될 수 있으며, 반대로 파티클의 유입을 방지하기 위해 기공의 크기를 줄이며, 통기성이 확보되지 않는다는 문제가 있었다.That is, if the size of the pores is increased for ventilation, particles may flow into the inner space surrounded by the reticle and the pellicle, and the reticle may be contaminated. There was a problem with not being secured.

공개특허 제2009-0088396호Patent Publication No. 2009-0088396 공개특허 제2009-0122114호Patent Publication No. 2009-0122114 등록특허 제1552940호Registered Patent No. 1552940 등록특허 제1303795호Registered Patent No. 1303795 등록특허 제1940791호Registered Patent No. 1940791 공개특허 제2016-0086024호Patent Publication No. 2016-0086024 공개특허 제2019-0005911호Patent Publication No. 2019-0005911 공개특허 제2019-0107603호Patent Publication No. 2019-0107603 공개특허 제2017-0088379호Patent Publication No. 2017-0088379 공개특허 제2017-0085118호Patent Publication No. 2017-0085118 공개특허 제2008-0099920호Patent Publication No. 2008-0099920 등록특허 제1866017호Registered Patent No. 1866017

본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 통기 및 열 방출이 용이하며, 파티클의 유입도 방지할 수 있는 새로운 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a new porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, which is capable of ventilation and heat dissipation, and which can prevent the inflow of particles.

상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 펠리클 막을 지지하기 위한 중공의 통 형상의 펠리클 프레임으로서; 제1 내측 면과 제1 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제1 내측 면과 상기 제1 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제1 기공들이 형성된 제1 프레임과; 상기 제1 프레임을 둘러싸는 제2 프레임으로서, 상기 제1 외측 면과 접하는 제2 내측 면과 제2 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제2 내측 면과 상기 제2 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제2 기공들이 형성된 제2 프레임을 포함하며; 상기 제2 기공들은 상기 제1 기공들에 비해서 평균 지름이 큰 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a hollow cylindrical pellicle frame for supporting a pellicle film; a first frame having a first inner surface and a first outer surface, and having a plurality of first pores formed so that gas can pass through the first inner surface and the first outer surface and a section therebetween; A second frame surrounding the first frame, including a second inner surface and a second outer surface in contact with the first outer surface, wherein gas passes through the second inner surface and the second outer surface and the interval therebetween. It includes a second frame in which a plurality of second pores are formed so as to pass therethrough; The second pores provide a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the average diameter is larger than that of the first pores.

또한, 상기 제1 기공들의 평균 지름은 0.1 내지 0.5㎛이며, 상기 제2 기공들의 평균 지름은 0.5 내지 5㎛이며, 상기 제1 프레임의 기공률은 5 내지 50%이며, 상기 제2 프레임의 기공률은 30 내지 70%인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공한다.In addition, the average diameter of the first pores is 0.1 to 0.5 μm, the average diameter of the second pores is 0.5 to 5 μm, the porosity of the first frame is 5 to 50%, and the porosity of the second frame is It provides a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that 30 to 70%.

또한, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임은, 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화붕소(BN), 규소(Si), 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 이산화규소(SiO2), 탄소(C), 그라핀(Graphene), 그라파이트(Graphite), 탄소나노튜브(CNT) 중 하나로 이루어지거나 이들 중 적어도 하나를 포함한 복합재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공한다.In addition, the first frame and the second frame may include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), yttria (Y 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), boron nitride (BN), and silicon. (Si), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), silicon dioxide (SiO 2 ), carbon (C), graphene (Graphene), graphite (Graphite), made of one of carbon nanotubes (CNT), or among them It provides a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it is made of a composite material including at least one.

또한, 상기 제2 프레임을 둘러싸는 제3 프레임으로서, 상기 제2 외측 면과 접하는 제3 내측 면과 제3 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제3 내측 면과 상기 제3 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제3 기공들이 형성된 제3 프레임을 포함하며, 상기 제3 기공들은 상기 제2 기공들에 비해서 평균 지름이 큰 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공한다.In addition, as a third frame surrounding the second frame, it has a third inner surface and a third outer surface in contact with the second outer surface, and gas is applied between the third inner surface and the third outer surface and therebetween. Provides a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it includes a third frame in which a plurality of third pores are formed so as to pass through the section, and the third pores have a larger average diameter than the second pores. do.

또한, 상기 제1 기공들의 평균 지름은 0.1 내지 0.5㎛이며, 상기 제2 기공들의 평균 지름은 0.5 내지 5㎛이며, 상기 제3 기공들의 평균 지름은 5 내지 20㎛이며, 상기 제1 프레임의 기공률은 5 내지 50%이며, 상기 제2 프레임의 기공률은 30 내지 70%이며, 상기 제3 프레임의 기공률은 50 내지 70%인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공한다.In addition, the average diameter of the first pores is 0.1 to 0.5㎛, the average diameter of the second pores is 0.5 to 5㎛, the average diameter of the third pores is 5 to 20㎛, the porosity of the first frame is 5 to 50%, the porosity of the second frame is 30 to 70%, and the porosity of the third frame is 50 to 70%.

또한, 상기 제1 프레임은 외측 모서리 부분이 원형 또는 다각형으로 확장된 사각 통 형태이며, 상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임이 끼워질 수 있도록 내측 모서리 부분이 원형 또는 다각형으로 확장된 사각 통 형태인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임을 제공한다.In addition, the first frame is in the form of a quadrangular cylinder with an outer edge portion extending in a circular or polygonal shape, and the second frame is in the shape of a quadrangular cylinder in which an inner edge portion is extended in a circular or polygonal shape so that the first frame can be inserted therein. It provides a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that.

본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임은 통기성을 확보하면서도, 파티클의 유입을 방지할 수 있다는 장점이 있다.The porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to the present invention has the advantage of preventing the inflow of particles while ensuring air permeability.

또한, 비표적이 넓기 때문에 극자외선 포토리소그라피 공정에서 발생하는 열을 외부로 방출하기 용이하다는 장점도 있다.In addition, since the non-target is wide, there is an advantage in that it is easy to dissipate heat generated in the extreme ultraviolet photolithography process to the outside.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 평면도이다.1 is a plan view of a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining the operation of the pellicle frame for extreme ultraviolet lithography shown in FIG. 1 .
3 is a plan view of a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numbers indicate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 평면도이며, 도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 작용을 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view of a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining the operation of the pellicle frame for extreme ultraviolet lithography shown in FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임(10)은 대체로 중공의 직사각형 통 형상이다.As shown in FIG. 1 , the pellicle frame 10 for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention has a substantially hollow rectangular tubular shape.

도 2에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임(10)의 일면에는 펠리클 막(9)이 부착된다. 펠리클 프레임(10)의 반대 면은 레티클(R)에 부착된다.As shown in FIG. 2, a pellicle film 9 is attached to one surface of the pellicle frame 10. The opposite side of the pellicle frame 10 is attached to the reticle R.

본 발명에 따른 펠리클 프레임(10)은 가스(G)가 통과하여 외부로 배출되는 것은 허용하고, 파티클들(P1, P2)이 통과하여 레티클(R)을 오염시키는 것은 방지한다.The pellicle frame 10 according to the present invention allows gas G to pass through and be discharged to the outside, and prevents particles P 1 and P 2 from passing through and contaminating the reticle R.

본 실시예의 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임(10)은 다공성인 제1 프레임(1)과 제2 프레임(5)을 포함한다.The pellicle frame 10 for extreme ultraviolet lithography of this embodiment includes a porous first frame 1 and a second frame 5 .

제1 프레임(1)은 대체로 중공의 직사각형 통 형상이다. 제1 프레임(1)은 제1 내측 면(2)과 제1 외측 면(4)을 구비한다. 그리고 제1 프레임(1)에는 복수의 제1 기공(3)들이 형성된다. 제1 기공(3)들은 서로 연결되어 있어서, 가스(G)는 제1 내측 면(2)과 제1 외측 면(4) 및 그 사이 구간을 통과할 수 있다.The first frame 1 has a substantially hollow rectangular tubular shape. The first frame 1 has a first inner face 2 and a first outer face 4 . And a plurality of first pores (3) are formed in the first frame (1). Since the first pores 3 are connected to each other, the gas G can pass through the first inner surface 2 and the first outer surface 4 and the interval therebetween.

제1 프레임(1)은 제2 프레임(5)에서 걸러지지 않고, 제2 프레임(5)을 통과한 작은 파티클(P2)이 레티클(R)과 펠리클 사이의 공간으로 유입되는 것을 최종적으로 차단하는 역할을 한다.The first frame 1 is not filtered by the second frame 5 and finally blocks small particles P 2 passing through the second frame 5 from entering the space between the reticle R and the pellicle. play a role

제1 프레임(1)의 제1 기공(3)들의 평균 지름은 0.1 내지 0.5㎛이며, 제1 프레임(1)의 기공률은 5 내지 50%인 것이 바람직하다.The average diameter of the first pores 3 of the first frame 1 is 0.1 to 0.5 μm, and the porosity of the first frame 1 is preferably 5 to 50%.

제1 프레임(1)은 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화붕소(BN), 규소(Si), 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 이산화규소(SiO2), 탄소(C), 그라핀(Graphene), 그라파이트(Graphite), 탄소나노튜브(CNT) 중 하나로 이루어지거나 이들 중 적어도 하나를 포함한 복합재료로 이루어질 수 있다.The first frame 1 is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), yttria (Y 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), boron nitride (BN), silicon (Si), and silicon carbide. (SiC), silicon nitride (SiN), silicon dioxide (SiO 2 ), carbon (C), graphene, graphite, carbon nanotube (CNT), or a composite material containing at least one of these can be made with

제1 프레임(1)은 복제 템플릿(replica template) 법, 부분 소결법(partial sintering), 희생 템플릿(sacrificial template) 법, 직접 기공형성법(direct foaming) 등을 이용하여 다공질로 형성할 수 있다.The first frame 1 may be formed of a porous material using a replica template method, a partial sintering method, a sacrificial template method, a direct foaming method, or the like.

복제 템플릿 법은 원하는 재료를 포함하는 슬러리에 고분자 템플릿, 예를 들어, 폴리우레탄 폼의 템플릿을 함침(dipping)한 후,　슬러리가 코팅되어 있는 고분자 템플릿을　건조 및 소결 공정을 거쳐 열 분해를 시켜 다공질 구조를 제조하는　공정이다.In the replication template method, a polymer template, for example, a polyurethane foam template, is impregnated with a slurry containing a desired material, and then the polymer template coated with the slurry is thermally decomposed through a drying and sintering process to form a porous material. It is the process of manufacturing a structure.

부분 소결법(partial sintering)은 원하는 재료의 성형체를 최적의 소결조건에서 벗어난 조건에서 소결함으로써,　소결체 내에 인위적인 기공을 남겨　다공질 구조를 형성하는 공정이다.Partial sintering is This is a process of forming a porous structure by leaving artificial pores in the sintered body by sintering the molded body of the desired material under conditions that are out of optimal sintering conditions.

희생 템플릿 법은 기공 형성을 위한 템플릿 물질을 원하는 재료와 혼합하여 성형체를 제조한 후,　소결 공정 중에 템플릿 물질만 분해 또는 연소시켜 해당 위치에 기공을 형성하여 다공질 구조를 제조하는 공정이다.The Sacrifice Template Act This is a process of manufacturing a porous structure by mixing a template material for forming pores with a desired material to prepare a molded body, and then decomposing or burning only the template material during the sintering process to form pores at corresponding positions.

직접 기공형성법은 원하는 재료의 현탁액(suspension)이나 전구체에 기체 또는 기체를 발생시킬 수 있는 발포제를 혼합하여 응고시킨 후, 건조 및 소결을 통해 기공을 형성하여 다공질 구조를 제조하는 공정이다.The direct pore forming method is a process of preparing a porous structure by mixing a gas or a blowing agent capable of generating a gas with a suspension or precursor of a desired material, solidifying it, forming pores through drying and sintering.

제2 프레임(5)은 제1 프레임(1)을 둘러싼다. 제2 프레임(5)은 제1 외측 면(4)과 접하는 제2 내측 면(6)과 제2 외측 면(8)을 구비한다. 그리고 제2 프레임(5)에는 복수의 제2 기공(7)들이 형성된다. 제2 기공(7)들은 서로 연결되어 있어서, 가스(G)는 제2 내측 면(6)과 제2 외측 면(8) 및 그 사이 구간을 통과할 수 있다.The second frame 5 surrounds the first frame 1 . The second frame 5 has a second inner face 6 and a second outer face 8 that abut the first outer face 4 . Also, a plurality of second pores 7 are formed in the second frame 5 . Since the second pores 7 are connected to each other, the gas G can pass through the second inner surface 6 and the second outer surface 8 and the interval therebetween.

제2 프레임(5)은 크기가 비교적 큰 파티클(P1)을 일차적으로 걸러내는 역할을 한다. 대부분의 파티클(P1)들은 제2 프레임(5)에 의해서 걸러지며, 제2 프레임(5)의 제2 기공(7)을 통과한 소수의 미세한 파티클(P2)들은 제1 프레임(1)에 의해서 차단된다. The second frame 5 serves to primarily filter out relatively large particles P 1 . Most of the particles (P 1 ) are filtered by the second frame (5), and a small number of fine particles (P 2 ) passing through the second pores (7) of the second frame (5) are filtered by the first frame (1). blocked by

제2 기공(7)들은 제1 기공(3)들에 비해서 평균 지름이 크다. 제2 프레임(5)의 제2 기공(7)들의 평균 지름은 0.5 내지 5㎛이며, 제2 프레임(5)의 기공률은 30 내지 70%인 것이 바람직하다.The second pores 7 have a larger average diameter than the first pores 3 . The average diameter of the second pores 7 of the second frame 5 is 0.5 to 5 μm, and the porosity of the second frame 5 is preferably 30 to 70%.

제2 프레임(5)은 제1 프레임과 마찬가지로 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화붕소(BN), 규소(Si), 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 이산화규소(SiO2), 탄소(C), 그라핀(Graphene), 그라파이트(Graphite), 탄소나노튜브(CNT) 중 하나로 이루어지거나 이들 중 적어도 하나를 포함한 복합재료로 이루어질 수 있다.Like the first frame, the second frame 5 is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), yttria (Y 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), boron nitride (BN), silicon ( made of one of Si), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), silicon dioxide (SiO 2 ), carbon (C), graphene, graphite, and carbon nanotubes (CNT), or at least one of them It may be made of a composite material including one.

제2 프레임(5)은 제1 프레임(1)과 동일한 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 극자외선에 의해서 펠리클 프레임(10)이 가열될 때 열팽창률 차이에 의해서 제1 프레임(1)과 제2 프레임(5)이 분리될 수 있기 때문이다.The second frame 5 is preferably made of the same material as the first frame 1 . This is because when the pellicle frame 10 is heated by extreme ultraviolet rays, the first frame 1 and the second frame 5 may be separated by a difference in thermal expansion coefficient.

제2 프레임(5)은 제1 프레임(1)과 마찬가지로 복제 템플릿 법, 부분 소결법, 희생 템플릿 법, 직접 기공형성법 등을 이용하여 다공질로 형성할 수 있다.Like the first frame 1, the second frame 5 may be formed of a porous material by using a replica template method, a partial sintering method, a sacrificial template method, a direct pore forming method, or the like.

제1 프레임(1)과 제2 프레임(5)은 접착제를 이용하여 결합할 수 있다. 접착제에 의해서 기공이 막힐 수 있으므로, 접착제로는 점도가 높아서, 제1 프레임(1)과 제2 프레임(5)의 기공으로 침투하기 어려운 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 접착제는 제1 프레임(1)의 모서리 부분과 장변과 단변의 중심부 등 일부 구간에만 도포할 수 있다.The first frame 1 and the second frame 5 may be coupled using an adhesive. Since the pores may be blocked by the adhesive, it is preferable to use an adhesive that has high viscosity and is difficult to penetrate into the pores of the first frame 1 and the second frame 5. The adhesive may be applied only to some sections, such as the corners of the first frame 1 and the center of the long and short sides.

이와 같이, 펠리클 프레임(10)의 내측 일부인 제1 프레임(1)의 제1 기공(3)의 지름만을 미세한 파티클(P2)도 통과할 수 없는 안전한 수준으로 줄이고, 나머지 부분인 제2 프레임(5)의 제2 기공(7)의 지름을 어느 정도 키움으로써, 통기성을 확보함과 동시에 파티클(P1, P2)의 유입을 방지할 수 있다.In this way, only the diameter of the first pores 3 of the first frame 1, which is an inner part of the pellicle frame 10, is reduced to a safe level that even fine particles P 2 cannot pass through, and the remaining part, the second frame ( By increasing the diameter of the second pores 7 of 5) to some extent, it is possible to secure air permeability and at the same time prevent the inflow of particles P 1 and P 2 .

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 평면도이다.3 is a plan view of a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임(20)은 대체로 중공의 직사각형 통 형상이다.As shown in FIG. 3 , the pellicle frame 20 for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention has a substantially hollow rectangular tubular shape.

본 실시예의 펠리클 프레임(20)은 제1 프레임(11), 제2 프레임(21) 및 제3 프레임(31)을 포함한다.The pellicle frame 20 of this embodiment includes a first frame 11, a second frame 21 and a third frame 31.

제1 프레임(11), 제2 프레임(21) 및 제3 프레임(31)은 도 1에 도시된 실시예와 마찬가지로, 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화붕소(BN), 규소(Si), 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 이산화규소(SiO2), 탄소(C), 그라핀(Graphene), 그라파이트(Graphite), 탄소나노튜브(CNT) 중 하나로 이루어지거나 이들 중 적어도 하나를 포함한 복합재료로 이루어질 수 있다.Like the embodiment shown in FIG. 1, the first frame 11, the second frame 21, and the third frame 31 are made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), yttria (Y 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), boron nitride (BN), silicon (Si), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), silicon dioxide (SiO 2 ), carbon (C), graphene , Graphite (Graphite), carbon nanotubes (CNT), or may be made of a composite material including at least one of these.

제1 프레임(11)의 제1 기공(13)들의 평균 지름은 0.1 내지 0.5㎛이며, 제2 프레임(21)의 제2 기공(23)들의 평균 지름은 0.5 내지 5㎛이며, 제3 프레임(31)의 제3 기공(33)들의 평균 지름은 5 내지 20㎛인 것이 바람직하다. 즉, 외측 프레임일수록 기공의 평균 지름이 커진다.The average diameter of the first pores 13 of the first frame 11 is 0.1 to 0.5 μm, the average diameter of the second pores 23 of the second frame 21 is 0.5 to 5 μm, and the third frame ( The average diameter of the third pores 33 of 31) is preferably 5 to 20 μm. That is, the average diameter of pores increases as the outer frame increases.

그리고 제1 프레임(11)의 기공률은 5 내지 50%이며, 제2 프레임(21)의 기공률은 30 내지 70%이며, 제3 프레임(31)의 기공률은 50 내지 70%인 것이 바람직하다.Also, the porosity of the first frame 11 is 5 to 50%, the porosity of the second frame 21 is 30 to 70%, and the porosity of the third frame 31 is preferably 50 to 70%.

본 실시예는 도 1에 도시된 실시예와 달리, 끼워 맞춤 방법으로 프레임들(11, 21, 31)을 결합한다. 이를 위해서 본 실시예에서 제1 프레임(11)과 제2 프레임(21)은 외측 모서리 부분(15, 25)이 원형으로 확장된다. 그리고 제2 프레임(21)과 제3 프레임(31)은 각각 제1 프레임(11)과 제2 프레임(21)이 끼워질 수 있도록 내측 모서리 부분(27, 37)이 원형으로 확장된다.Unlike the embodiment shown in FIG. 1, the present embodiment combines the frames 11, 21, and 31 by a fitting method. To this end, in the present embodiment, the outer corner portions 15 and 25 of the first frame 11 and the second frame 21 are circularly extended. In addition, inner corner portions 27 and 37 of the second frame 21 and the third frame 31 are circularly extended so that the first frame 11 and the second frame 21 can be fitted.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임의 평면도이다.4 is a plan view of a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 프레임(111)과 제2 프레임(121)의 외측 모서리 부분(115, 125)은 사각형으로 확장될 수 있으며, 이에 따라서 제2 프레임(121)과 제3 프레임(131)의 내측 모서리 부분(127, 137)도 사각형으로 확장될 수 있다.As shown in FIG. 4 , the outer edge portions 115 and 125 of the first frame 111 and the second frame 121 may be extended in a quadrangular shape, and thus the second frame 121 and the third frame The inner corner portions 127 and 137 of 131 may also be expanded into a quadrangle.

도 4에서는 외측 모서리 부분(115, 125)과 내측 모서리 부분(127, 137)이 4각형으로 확장되는 것으로 도시되어 있으나, 5각형 이상의 다각형으로 확장될 수도 있다.In FIG. 4 , the outer corner portions 115 and 125 and the inner corner portions 127 and 137 are illustrated as being expanded into a quadrangular shape, but may be expanded into a pentagonal or larger polygonal shape.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.

예를 들어, 도 1과 2에 도시된 실시예에서는 각각 두 개와 세 개의 프레임을 포함하는 것으로 개시되어 있으나, 순차적으로 기공의 크기가 커지는 네 개 이상의 프레임을 포함할 수도 있다.For example, although the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 are disclosed as including two and three frames, respectively, four or more frames in which the size of pores sequentially increases may be included.

또한, 도 3에 도시된 실시예에서는 끼워 맞춤 방법으로 프레임들을 결합하는 것으로 설명하였으나, 도 3에 도시된 실시예에서도 필요한 경우에는 부가적으로 접착제를 이용하여 프레임들을 결합할 수 있다.In addition, in the embodiment shown in FIG. 3, it has been described that the frames are coupled by a fitting method, but in the embodiment shown in FIG. 3, if necessary, the frames may be additionally coupled using an adhesive.

10, 20, 120: 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임
1, 11, 111: 제1 프레임
3, 13, 113: 제1 기공
5, 21, 121: 제2 프레임
7, 23, 123: 제2 기공
31, 131: 제3 프레임
33, 133: 제3 기공10, 20, 120: porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography
1, 11, 111: first frame
3, 13, 113: first stomata
5, 21, 121: second frame
7, 23, 123: second stomata
31, 131: third frame
33, 133: third pore

Claims (6)

펠리클 막을 지지하기 위한 중공의 통 형상의 펠리클 프레임으로서,
제1 내측 면과 제1 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제1 내측 면과 상기 제1 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제1 기공들이 형성된 제1 프레임과,
상기 제1 프레임을 둘러싸는 제2 프레임으로서, 상기 제1 외측 면과 접하는 제2 내측 면과 제2 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제2 내측 면과 상기 제2 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제2 기공들이 형성된 제2 프레임을 포함하며,
상기 제2 기공들은 상기 제1 기공들에 비해서 평균 지름이 큰 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임.A hollow cylindrical pellicle frame for supporting a pellicle film,
A first frame having a first inner surface and a first outer surface, in which a plurality of first pores are formed so that gas can pass through the first inner surface and the first outer surface and a section therebetween;
A second frame surrounding the first frame, including a second inner surface and a second outer surface in contact with the first outer surface, wherein gas passes through the second inner surface and the second outer surface and the interval therebetween. It includes a second frame in which a plurality of second pores are formed so as to pass through,
The second pores are porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the average diameter is larger than the first pores. 제1항에 있어서,
상기 제1 기공들의 평균 지름은 0.1 내지 0.5㎛이며, 상기 제2 기공들의 평균 지름은 0.5 내지 5㎛이며,
상기 제1 프레임의 기공률은 5 내지 50%이며, 상기 제2 프레임의 기공률은 30 내지 70%인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임.According to claim 1,
The average diameter of the first pores is 0.1 to 0.5㎛, the average diameter of the second pores is 0.5 to 5㎛,
The porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the porosity of the first frame is 5 to 50%, and the porosity of the second frame is 30 to 70%. 제1항에 있어서,
상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임은,
산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화붕소(BN), 규소(Si), 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 이산화규소(SiO2), 탄소(C), 그라핀(Graphene), 그라파이트(Graphite), 탄소나노튜브(CNT) 중 하나로 이루어지거나 이들 중 적어도 하나를 포함한 복합재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임.According to claim 1,
The first frame and the second frame,
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), yttria (Y 2 O 3 ), zirconia (ZrO 2 ), boron nitride (BN), silicon (Si), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN) ), silicon dioxide (SiO 2 ), carbon (C), graphene (Graphene), graphite (Graphite), made of one of carbon nanotubes (CNT), or made of a composite material containing at least one of these poles, characterized in that Porous pellicle frame for UV lithography. 제1항에 있어서,
상기 제2 프레임을 둘러싸는 제3 프레임으로서, 상기 제2 외측 면과 접하는 제3 내측 면과 제3 외측 면을 구비하며, 가스가 상기 제3 내측 면과 상기 제3 외측 면 및 그 사이 구간을 통과할 수 있도록, 복수의 제3 기공들이 형성된 제3 프레임을 포함하며,
상기 제3 기공들은 상기 제2 기공들에 비해서 평균 지름이 큰 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임.According to claim 1,
A third frame surrounding the second frame, including a third inner surface and a third outer surface in contact with the second outer surface, wherein gas passes through the third inner surface and the third outer surface and a section therebetween. It includes a third frame in which a plurality of third pores are formed so as to pass through,
The porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the third pores have a larger average diameter than the second pores. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈Claim 5 was abandoned when the registration fee was paid.◈ 제4항에 있어서,
상기 제1 기공들의 평균 지름은 0.1 내지 0.5㎛이며, 상기 제2 기공들의 평균 지름은 0.5 내지 5㎛이며, 상기 제3 기공들의 평균 지름은 5 내지 20㎛이며,
상기 제1 프레임의 기공률은 5 내지 50%이며, 상기 제2 프레임의 기공률은 30 내지 70%이며, 상기 제3 프레임의 기공률은 50 내지 70%인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임.According to claim 4,
The average diameter of the first pores is 0.1 to 0.5㎛, the average diameter of the second pores is 0.5 to 5㎛, the average diameter of the third pores is 5 to 20㎛,
Porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the porosity of the first frame is 5 to 50%, the porosity of the second frame is 30 to 70%, and the porosity of the third frame is 50 to 70%. 제1항에 있어서,
상기 제1 프레임은 외측 모서리 부분이 원형 또는 다각형으로 확장된 사각 통 형태이며,
상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임이 끼워질 수 있도록 내측 모서리 부분이 원형 또는 다각형으로 확장된 사각 통 형태인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 다공성 펠리클 프레임.According to claim 1,
The first frame is in the form of a quadrangular cylinder with outer corners extending in a circular or polygonal shape,
The second frame is a porous pellicle frame for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the inner corner portion is in the form of a quadrangular cylinder in which the inner corner portion is extended in a circular or polygonal shape so that the first frame can be fitted.
KR1020200176140A 2020-12-16 2020-12-16 Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography KR102512243B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200176140A KR102512243B1 (en) 2020-12-16 2020-12-16 Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200176140A KR102512243B1 (en) 2020-12-16 2020-12-16 Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220086040A KR20220086040A (en) 2022-06-23
KR102512243B1 true KR102512243B1 (en) 2023-03-21

Family

ID=82221565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200176140A KR102512243B1 (en) 2020-12-16 2020-12-16 Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102512243B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246234A1 (en) 2005-04-20 2006-11-02 Yazaki Corporation Photomask assembly incorporating a metal/scavenger pellicle frame

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6912043B2 (en) * 2003-01-09 2005-06-28 Asml Holding, N.V. Removable reticle window and support frame using magnetic force
KR20050068474A (en) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 Pellicle with chemical filter for manufacturing semiconductor
US7723704B2 (en) 2006-11-10 2010-05-25 Globalfoundries Inc. EUV pellicle with increased EUV light transmittance
KR20080099920A (en) 2007-05-11 2008-11-14 주식회사 하이닉스반도체 Photomask with suppressing haze
JP4934099B2 (en) 2008-05-22 2012-05-16 信越化学工業株式会社 Pellicle and method for manufacturing pellicle
KR20100137819A (en) * 2009-06-23 2010-12-31 한양대학교 산학협력단 Pellicle frame and pellicle assembly for mask
KR101303795B1 (en) 2011-12-26 2013-09-04 주식회사 에프에스티 EUV pellicle and manufacturing method of the same
KR101552940B1 (en) 2013-12-17 2015-09-14 삼성전자주식회사 Pellicle film for extreme ultraviolet lithography including graphite-containing thin film
US10558129B2 (en) 2014-11-17 2020-02-11 Asml Netherlands B.V. Mask assembly
KR102251999B1 (en) 2015-01-09 2021-05-17 삼성전자주식회사 Pellicle and method of manufacturing the same
US9759997B2 (en) * 2015-12-17 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle assembly and method for advanced lithography
KR101762059B1 (en) * 2016-01-13 2017-07-31 한양대학교 산학협력단 EUV pellicle structure, and method for manufacturing same
KR102189172B1 (en) 2016-06-28 2020-12-09 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 Pellicle membrane, pellicle frame, pellicle and manufacturing method thereof
KR101940791B1 (en) 2017-05-19 2019-01-21 주식회사 에프에스티 Manufacturing method of EUV pellicle using organic sacrifice substrate
KR20190107603A (en) 2019-04-22 2019-09-20 주식회사 에스앤에스텍 Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246234A1 (en) 2005-04-20 2006-11-02 Yazaki Corporation Photomask assembly incorporating a metal/scavenger pellicle frame

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220086040A (en) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101900720B1 (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same
KR101303795B1 (en) EUV pellicle and manufacturing method of the same
KR101981950B1 (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet Lithography
KR102015437B1 (en) Pellicle for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating the same
KR20130088565A (en) Euv pellicle uging graphene and manufacturing method of the same
JP2006504996A (en) Photomask assembly and method for protecting it from contaminants generated during a lithography process
KR20190053766A (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same
KR20170126265A (en) Pellicle for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating the same
KR102512243B1 (en) Porous Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography
JP2005316492A (en) Monolithic hard pellicle
KR102581084B1 (en) Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography
KR102008057B1 (en) Method for manufacturing pellicle
TWI776625B (en) Pellicle assembly and method for forming reticle assembly and increasing lifetime of pellicle membrane
KR102207851B1 (en) Fine metal mask and method of manufacturing pellicle for EUV lithography using the same
KR102581086B1 (en) Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography
KR102668456B1 (en) Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography
KR20230039294A (en) Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography and Manufacturing Method of the Same
KR102624936B1 (en) Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography and Sealing Material for Pellicle Frame for EUV(extreme ultraviolet) Lithography
KR20240054318A (en) Exposure pellicle capable of high-speed air pressure adjustment
KR102662986B1 (en) Method for Fabricating Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography
WO2023013660A1 (en) Exposure pellicle facilitating atomspheric pressure adjustment
KR102514745B1 (en) Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same
KR20100076691A (en) Photomask having pellicle
KR20240092300A (en) Method for manufacturing EUV pellicle membrane
KR20240082109A (en) Pellicle frame having an elastic body having a three-dimensional through-hole structure, Pellicle including the same, and EUV photolithography apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant