KR102509604B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 화소부, 주사 구동부, 데이터 구동부, 제어선 구동부, 센싱부, 스위칭부 및 타이밍 제어부를 포함한다. 상기 센싱부는 센싱 기간 동안 상기 복수의 데이터선들로부터 센싱 전압을 수신한다. 상기 스위칭부는 상기 복수의 데이터선들을 상기 주사 구동부와 상기 센싱부에 선택적으로 연결한다. 상기 타이밍 제어부는 외부에서 입력되는 제 1 데이터에 기초하여 상기 복수의 제어선들 중 적어도 하나의 제어선에 제어 신호가 공급되도록 상기 제어선 구동부를 제어한다. 상기 상기 센싱부는 상기 타이밍 제어부의 제어에 따라 상기 복수의 화소들 중 상기 제어 신호가 공급되는 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행한다. 따라서, 표시 장치는 전류 센싱 동안에 유기 발광 다이오드의 시인성을 감소시킬 수 있다.

Description

표시 장치 {DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Device) 및 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등이 있다.
이 중 유기 전계 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하는 것으로, 이는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 선명한 영상을 표시할 수 있다는 장점이 있다.
하지만, 이와 같은 유기 전계 발광 표시 장치는 장시간 사용하는 경우 화소가 열화(deterioration)됨으로써, 원하는 휘도의 영상을 표시하지 못하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 극복하기 위하여, 화소의 열화 정도를 측정하는 전류 센싱 회로를 구비하고, 이를 통해 화소의 열화를 보상하는 방법이 사용되고 있다.
화소 내 유기 발광 다이오드의 열화 정도를 측정하기 위해 전류 센싱을 수행할 때, 센싱 전류의 신호 대 잡음비(Signal to Noise Ratio; SNR)를 증가시키면 보다 정확한 전류 센싱이 가능하다. 그러나, 전류 센싱 동안에 유기 발광 다이오드에 전류가 흐르므로, SNR을 높이기 위해 전압을 증가 시키는 경우, 해당 유기 발광 다이오드가 발광한다. 따라서 의도하지 않은 시인성 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예는 전류 센싱 동작 시 유기 발광 다이오드의 시인성을 감소시킬 수 있는 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 화소부, 주사 구동부, 데이터 구동부, 센싱부, 스위칭부 및 타이밍 제어부를 포함한다. 상기 화소부는 복수의 화소들을 포함한다. 상기 주사 구동부는 상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 주사선들에 주사 신호를 공급한다. 상기 데이터 구동부는 상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 데이터선들에 데이터 신호를 공급한다. 상기 제어선 구동부는 상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 제어선들에 제어 신호를 공급한다. 상기 센싱부는 센싱 기간 동안 상기 복수의 데이터선들로부터 센싱 전압을 수신한다. 상기 스위칭부는 상기 복수의 데이터선들을 상기 주사 구동부와 상기 센싱부에 선택적으로 연결한다. 상기 타이밍 제어부는 상기 주사 구동부, 데이터 구동부, 제어선 구동부, 센싱부 및 스위칭부의 동작을 제어한다. 또한, 상기 타이밍 제어부는 외부에서 입력되는 제 1 데이터에 기초하여 상기 복수의 제어선들 중 적어도 하나의 제어선에 제어 신호가 공급되도록 상기 제어선 구동부를 제어한다. 상기 센싱부는 상기 타이밍 제어부의 제어에 따라 상기 복수의 화소들 중 상기 제어 신호가 공급되는 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행한다.
일 실시예에서, 상기 타이밍 제어부는 프레임 메모리, 레지스터부 및 센싱 라인 결정부를 포함할 수 있다. 상기 프레임 메모리는 상기 제 1 데이터를 임시 저장할 수 있다. 상기 레지스터부는 전류 센싱을 수행할 화소들을 결정하는 기준이 되는 제 1 기준값을 저장할 수 있다. 상기 센싱 라인 결정부는 상기 제 1 데이터에 기초하여, 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 대표값을 계산하고, 상기 대표값과 상기 제 1 기준값을 비교할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱 라인 결정부는 상기 대표값이 상기 제 1 기준값보다 큰 경우, 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하도록 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제어선 구동부는 상기 전류 센싱을 수행하도록 한 결정에 대응하여, 상기 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 연결된 제어선으로 제어 신호를 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 행에 대응하는 1 수평기간 동안, 상기 복수의 데이터선들을 상기 센싱부에 연결할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱 라인 결정부는 상기 대표값이 상기 제 1 기준값과 같거나 그보다 작은 경우, 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하지 않도록 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제어선 구동부는 상기 전류 센싱을 수행하지 않도록 한 결정에 대응하여, 상기 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 연결된 제어선으로 제어 신호를 공급하지 않을 수 있다.는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
일 실시예에서, 상기 주사 구동부는 상기 전류 센싱을 수행하지 않도록 한 결정에 대응하여, 상기 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 연결된 주사선으로 주사 신호를 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 행에 대응하는 1 수평 기간 동안, 상기 복수의 데이터선들을 상기 데이터 구동부에 연결할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 대응하는 행에 위치한 화소들은 상기 복수의 데이터선을 통해 상기 데이터 구동부로부터 데이터 신호를 전달받을 수 있다. 또한, 각각의 화소에 포함된 유기 발광 다이오드는 상기 전달받은 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱부는 상기 전류 센싱 결과에 기초하여 상기 제어 신호가 공급되는 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱부는 센싱 회로 및 아날로그 디지털 변환부를 포함할 수 있다. 상기 센싱 회로는 상기 전류 센싱의 결과 상기 복수의 데이터선에 생성되는 전압을 감지할 수 있다. 상기 아날로그 디지털 변환부는 상기 감지된 전압을 디지털 값으로 변환하여, 상기 변환된 디지털 값을 상기 유기 발광 다이오드의 열화 정보로서 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱 회로는 센싱 전류원 및 전압 감지부를 포함할 수 있다. 상기 센싱 전류원은 상기 복수의 데이터선에 센싱 전류를 인가할 수 있다. 상기 전압 감지부는 상기 센싱 전류를 인가하는 동안 상기 복수의 데이터선에 생성되는 전압을 감지할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱 전류원은 고정 전류원으로 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱 전류원은 가변 전류원으로 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 센싱부에 의해 생성되는 상기 열화 정보를 저장하는 제어 블록을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 타이밍 제어부는 상기 제어 블록으로부터 상기 열화 정보를 수신하고, 상기 열화 정보에 기초하여 상기 제 1 데이터를 상기 화소들의 유기 발광 다이오드의 열화(deterioration)를 보상한 제 2 데이터로 변환할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 대표값은 상기 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 평균값(mean)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 대표값은 상기 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 중간값(median)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 대표값은 상기 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 최빈값(mode)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 타이밍 제어부는 발광 정보 저장부, 영역 검출부 및 센싱 라인 결정부를 포함할 수 있다. 상기 발광 정보 저장부는 상기 외부에서 입력되는 제 1 데이터를 누적하여 저장할 수 있다. 상기 영역 검출부는 상기 발광 정보 저장부에 누적하여 저장된 상기 제 1 데이터에 기초하여, 상기 복수의 화소들 중 제 1 발광 영역에 속하는 화소들을 검출할 수 있다. 상기 센싱 라인 결정부는 상기 제 1 발광 영역에 기초하여, 전류 센싱을 수행할 센싱 라인을 결정할 수 있다. 상기 제 1 발광 영역은 소정 시간 동안 소정 휘도 이상으로 발광하는 영역으로 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 영역 검출부는 레지스터부, 화소 검출부 및 발광 영역 결정부를 포함할 수 있다. 상기 레지스터부는 제 2 기준값 및 제 1 임계값을 저장할 수 있다. 상기 화소 검출부는 상기 제 2 기준 계조값보다 높은 계조 데이터를 상기 제 1 임계값을 초과하는 횟수로 연속하여 입력받는 화소들을 검출할 수 있다. 상기 발광 영역 결정부는 상기 화소 검출부에 의해 검출된 화소들에 기초하여 상기 제 1 발광 영역을 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 화소들 각각은 유기 발광 다이오드 및 화소 회로를 포함할 수 있다. 상기 화소 회로는 상기 주사선들 중 하나, 상기 데이터선들 중 하나, 상기 제어선들 중 하나 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 연결되고, 상기 유기 발광 다이오드로 공급되는 전류를 제어하며, 전류 센싱 동작 기간 동안 상기 유기 발광 다이오드에 센싱 전류를 전달할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화소 회로는 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 상기 데이터선 사이에 연결되는 센싱 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 센싱 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제어선들 중 하나와 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 화소부, 제어선 구동부, 센싱부 및 타이밍 제어부를 포함한다. 상기 화소부는 복수의 주사선들, 데이터선들 및 제어선들에 연결되고, 복수의 화소들을 포함한다. 상기 제어선 구동부는 상기 복수의 화소들에 입력되는 데이터에 기초하여, 상기 제어선들 중 적어도 하나의 제어선에 제어 신호를 공급한다. 상기 센싱부는 상기 제어 신호를 공급받는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행한다. 상기 타이밍 제어부는 상기 제어선 구동부 및 상기 센싱부의 동작을 제어한다.
일 실시예에서, 상기 복수의 화소들은 n×m 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 상기 타이밍 제어부는 상기 복수의 화소들에 입력되는 데이터에 기초하여, 상기 n 개의 행(row) 중 일부 행을 전류 센싱을 수행할 행으로서 결정할 수 있다. 상기 제어선 구동부는 상기 타이밍 제어부의 결정에 기초하여 n 개의 제어선들 중 결정된 행에 대응하는 제어선에 제어 신호를 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 타이밍 제어부는 프레임 메모리, 레지스터부 및 센싱 라인 결정부를 포함할 수 있다. 상기 프레임 메모리는 상기 복수의 화소들에 입력되는 데이터를 임시 저장할 수 있다. 상기 레지스터부는 전류 센싱을 수행할 화소들을 결정하는 기준이 되는 제 1 기준값을 저장할 수 있다. 상기 센싱 라인 결정부는 상기 프레임 메모리에 저장된 데이터에 기초하여, i 번째 행(i는 1 보다 크거나 같고 n 보다 작거나 같은 자연수)에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 대표값을 계산하고, 상기 대표값과 상기 제 1 기준값을 비교할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱 라인 결정부는 상기 대표값이 상기 제 1 기준값보다 큰 경우, 상기 i 번째 행에 위치한 상기 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하도록 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 대표값은 상기 i 번째 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 평균값(mean)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 타이밍 제어부는 발광 정보 저장부, 영역 검출부 및 센싱 라인 결정부를 포함할 수 있다. 상기 발광 정보 저장부는 상기 복수의 화소들에 입력되는 데이터를 누적하여 저장할 수 있다. 상기 영역 검출부는 상기 발광 정보 저장부에 누적하여 저장된 상기 데이터에 기초하여, 상기 복수의 화소들 중 제 1 발광 영역에 속하는 화소들을 검출할 수 있다. 상기 센싱 라인 결정부는 상기 제 1 발광 영역에 기초하여, 전류 센싱을 수행할 센싱 라인을 결정할 수 있다. 상기 제 1 발광 영역은 소정 시간 동안 소정 휘도 이상으로 발광하는 영역으로 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 영역 검출부는 레지스터부, 화소 검출부 및 발광 영역 결정부를 포함할 수 있다. 상기 레지스터부는 제 2 기준값 및 제 1 임계값을 저장할 수 있다. 상기 화소 검출부는 상기 제 2 기준 계조값보다 높은 계조 데이터를 상기 제 1 임계값을 초과하는 횟수로 연속하여 입력받는 화소들을 검출할 수 있다. 상기 발광 영역 결정부는 상기 화소 검출부에 의해 검출된 화소들에 기초하여 상기 제 1 발광 영역을 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 장치는 데이터 구동부, 주사 구동부 및 스위칭부를 더 포함할 수 있다. 상기 데이터 구동부는 상기 복수의 데이터선들에 데이터 신호를 공급할 수 있다. 상기 주사 구동부는 상기 복수의 주사선들에 주사 신호를 공급할 수 있다. 상기 스위칭부는 상기 복수의 데이터선들을 상기 데이터 구동부 및 상기 센싱부 중 어느 하나와 선택적으로 연결할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 데이터 구동부로부터 출력되는 상기 데이터 신호를 디먹싱(Demuxing)하여 상기 복수의 데이터선들에 공급하는 복수의 디멀티플렉서(Demultiplexer)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱부는 초기화 전압원 및 센싱 전류원을 더 포함할 수 있다. 상기 초기화 전압원은 센싱 기간 동안에 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나에 나타나는 전압을 초기화할 수 있다. 상기 센싱 전류원은 상기 초기화 전압원이 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나에 나타나는 전압을 초기화한 이후에, 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나에 센싱 전류를 전달할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱부는 상기 초기화 전압원 및 상기 센싱 전류원 중 어느 하나를 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나와 선택적으로 연결하기 위한 적어도 하나의 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 화소들은 n×m 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 또한 상기 센싱부는 센싱 전류원 및 차분 회로를 포함할 수 있다. 상기 센싱 전류원은 상기 복수의 데이터선들 중 j 번째 데이터선(j는 1 보다 크거나 같고 m 보다 작거나 같은 자연수)에 센싱 전류를 공급하도록 구성될 수 있다. 상기 차분 회로는 상기 센싱 전류원이 센싱 전류를 상기 j 번째 데이터선에 공급하는 동안에, 상기 j 번째 데이터선에 나타나는 전압과 상기 j 번째 데이터선과 인접하여 위치한 데이터선에 나타나는 전압을 차분하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱부는 상기 센싱 전류원을 상기 j 번째 데이터선과 선택적으로 연결하기 위한 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 전류 센싱 동안에 유기 발광 다이오드의 시인성을 감소시킬 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 화소부에 포함된 화소의 예시적인 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 스위칭부, 센싱부 및 제어 블록을 상세히 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 블록도이다.
도 5는 도 4에 도시된 타이밍 제어부의 보다 구체적인 구성을 예시적으로 나타내는 블록도이다.
도 6은 표시 장치의 화소부 내 전체 화소들에 대해 순차적으로 전류 센싱을 수행하는 경우의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따러, 표시 장치의 화소부 내 전체 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱을 수행하는 경우의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8a는 도 3의 센싱 회로에 포함되는 센싱 전류원의 예시적인 실시예를 나타내는 도면이다.
도 8b는 도 3의 센싱 회로에 포함되는 센싱 전류원의 또다른 예시적인 실시예를 나타내는 도면이다.
도 9는 도 4에 도시된 타이밍 제어부의 보다 구체적인 구성을 예시적으로 나타내는 또다른 블록도이다.
도 10은 도 9에 도시된 영역 검출부의 예시적인 실시예를 나타내는 블록도이다.
도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 타이밍 제어부에 의해 복수의 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱하는 단계의 예시적인 실시예를 설명하기 위한 화면을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 9 내지 도 11을 참조하여 설명한 방법에 따라 복수의 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱하는 방법의 예시적인 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 13은 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명한 실시예에 따라 복수의 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱하는 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 15는 도 14에 도시된 화소의 일 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 16은 도 14에 도시된 스위칭부의 내부 회로도의 일부분을 나타내는 도면이다.
도 17은 도 14에 도시된 스위칭부, 센싱부 및 제어 블록을 상세히 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따라, 표시 장치의 화소부 내 전체 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱을 수행하는 경우의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소에 대한 전류 센싱 경로를 나타내는 블록도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소에 대한 전류 센싱 경로를 나타내는 또다른 블록도이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 동작을 설명하기 위한 또다른 타이밍도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 하기의 설명에서는 본 발명에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않도록 하기 위해 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다. 또한 본 발명은 여기에서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기에서 설명되는 실시 예은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)과 접속되는 화소들(140)을 포함하는 화소부(130)와, 주사선들(S1 내지 Sn) 및 발광 제어선들(E1 내지 En)을 구동하기 위한 주사 구동부(110)와, 제어선들(CL1 내지 CLn)을 구동하기 위한 제어선 구동부(160)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(120)와, 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120) 및 제어선 구동부(160)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다.
또한, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치는 화소(140)들 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 추출하기 위한 센싱부(180)와, 센싱부(180) 및 데이터 구동부(120)를 선택적으로 데이터선들(D1 내지 Dm)에 접속시키기 위한 스위칭부(170)와, 센싱부(180)에서 센싱된 정보를 저장하기 위한 제어 블록(190)을 더 구비한다.
화소부(130)는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차부에 위치되는 복수의 화소(140)들을 구비한다. 예를 들어, 화소(140)들은 n×m 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 화소들(140)은 외부로부터 제 1 전원(ELVDD) 및 제 2 전원(ELVSS)을 공급받는다. 이와 같은 화소들(140)은 데이터신호에 대응하여 제 1 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드를 경유하여 제 2 전원(ELVSS)으로 공급되는 전류량을 제어한다. 그러면, 유기 발광 다이오드에서 소정 휘도의 빛이 생성된다.
주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의하여 주사선들(S1 내지 Sn)로 주사신호를 순차적으로 공급한다. 또한, 주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의하여 발광 제어선들(E1 내지 En)로 발광 제어 신호를 공급한다.
제어선 구동부(160)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의하여 제어선들(CL1 내지 CLn)로 제어 신호를 순차적으로 공급한다. 각 화소(140)들로 전달되는 상기 제어 신호는 화소 내 유기 발광 다이오드의 열화 정도를 센싱하기 위한 신호일 수 있다. 각 화소(140) 내 에서 제어 신호의 인가에 의해 유기 발광 다이오드의 열화 정도가 센싱되는 과정에 대해서는 도 2를 참조하여 후술하기로 한다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 의해 데이터 신호를 생성하고, 생성된 데이터 신호를 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)로부터 공급된 제 2 데이터(Data2)에 대응하는 데이터 신호를 생성하고, 생성된 데이터 신호를 데이터선들(D1 내지 Dm)을 통해 각 화소(140)들로 공급할 수 있다. 따라서, 각 화소(140)들은 제 2 데이터(Data2) 에 대응되는 휘도로 발광할 수 있다.
스위칭부(170)는 센싱부(180)와 데이터 구동부(120)를 선택적으로 데이터선들(D1 내지 Dm)에 접속한다. 이를 위하여 스위칭부(170)는 데이터선들(D1 내지 Dm) 각각과 접속되는(즉, 각각의 채널마다) 적어도 하나 이상의 스위칭 소자를 구비한다.
센싱부(180)는 화소(140)들 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 추출하고, 추출된 열화 정보를 제어 블록(190)으로 공급한다. 이를 위해, 센싱부(180)는 데이터선들(D1 내지 Dm) 각각과 접속되는(즉, 각각의 채널마다) 센싱 회로를 구비한다.
제어 블록(190)은 센싱부(180)로부터 공급되는 열화 정보를 저장한다. 실제로, 제어 블록(190)은 모든 화소들에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 저장한다. 이를 위하여, 제어 블록(190)은 메모리 및 메모리에 저장된 정보를 타이밍 제어부(150)로 전달하기 위한 제어부를 구비한다.
타이밍 제어부(150)는 데이터 구동부(120), 주사 구동부(110) 및 제어선 구동부(160)를 제어한다. 또한, 타이밍 제어부(150)는 제어 블록(190)으로부터 공급되는 정보에 대응하여 외부로부터 입력되는 제 1 데이터(Data1)의 비트 값을 변환하여 제 2 데이터(Data2)를 생성한다. 여기서, 제 1 데이터(Data1)는 i(i는 자연수)비트로 설정되고, 제 2 데이터(Data2)는 j(j는 i이상의 자연수)비트로 설정될 수 있다. 제어 블록(190)으로부터 공급되는 정보는 화소부(130) 내 각 화소(140)들의 유기 발광 다이오드의 열화 정도를 반영한 정보일 수 있다. 따라서, 제 2 데이터(Data2)는 상기 각 유기 발광 다이오드의 열화(deterioration)를 보상한 데이터일 수 있다.
타이밍 제어부(150)에서 생성된 제 2 데이터(Data2)는 데이터 구동부(120)로 공급된다. 그러면, 데이터 구동부(120)는 제 2 데이터(Data2)를 이용하여 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 화소들(140)로 공급한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 센싱부(180)는 복수의 화소(140)들에 대응하는 화소 데이터에 기초하여 복수의 화소(140)들 중 일부 화소에 대해 유기 발광 다이오드의 전류 센싱을 수행할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 주사선들(S1, S2, …, Sn) 및 제어선들(CL1, CL2, …, CLn)은 행(row) 방향을 따라 복수의 화소(140)들과 연결될 수 있다. 또한, 데이터선들(D1, D2, …, Dm)은 열(column) 방향을 따라 복수의 화소(140)들과 연결될 수 있다. 센싱부(180)는 타이밍 제어부(150)의 제어에 따라, 화소부(130) 내 전체 화소(140)들 중, 일부의 행(row)에 대응하는 화소들에 대해 유기 발광 다이오드의 전류 센싱을 수행할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(150)는 제 1 데이터(Data1)를 입력받고, 입력받은 제 1 데이터(Data1)를 행(row) 단위로 분석할 수 있다. 예시적으로, 타이밍 제어부(150)는 제 1 데이터(Data1)에 포함된 각 화소의 계조값들의 평균값을 각각의 행(row)에 대해 계산할 수 있다. 즉, 제 1 행에 대응하는 m개의 화소들에 입력되는 계조 데이터의 평균값을 계산할 수 있다. 계산된 계조 데이터의 평균값이 기준값보다 큰 경우, 타이밍 제어부(150)는 제 1 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행할 것으로 결정할 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부(150)는 스위칭부(170) 및 제어선 구동부(160)를 제어하여 제 1 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하도록 할 수 있다. 한편, 계산된 계조 데이터의 평균값이 기준값보다 작거나 같은 경우 타이밍 제어부(150)는 제 1 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하지 않도록 결정할 수도 있다.
상술한 동작은 제 2 행 내지 제 n 행에 대해 반복하여 수행될 수 있다. 결과적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 전체 n 행에 대응하는 화소들 중, 일부 행에 대응하는 화소들에 대해 유기 발광 다이오드의 전류 센싱을 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 타이밍 제어부(150)는 입력되는 데이터에 기초하여 복수의 화소(140)들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 타이밍 제어부(150)는 표시하는 계조값이 높은 행들에 위치한 화소들에 대해 선택적으로 유기 발광 다이오드의 전류 센싱을 수행하도록 동작할 수 있다. 따라서, 표시 장치가 구동하는 동안에, 전류 센싱으로 인해 해당 화소의 유기 발광 다이오드가 발광하더라도, 사용자에게 인식되는 시인성을 낮출 수 있다. 따라서, 표시 장치의 화질이 개선된다.
도 2는 도 1의 화소부에 포함된 화소의 예시적인 실시예를 나타내는 회로도이다. 설명의 편의를 위하여 제 m데이터선(Dm) 및 제 n주사선(Sn)에 접속된 화소를 도시하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 의한 화소(140)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소 회로(141)를 구비한다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소 회로(141)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2 전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소 회로(141)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.
화소 회로(141)는 주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호를 공급받는다. 또한, 화소 회로(141)는 제어선(CLn)으로 제어 신호가 공급될 때 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 센싱부(180)에 제공할 수 있다. 이를 위해, 화소 회로(141)는 4개의 트랜지스터(M1 내지 M4) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.
제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 주사선(Sn)에 접속되고, 제 1 전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 제 2 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 단자에 접속된다. 이와 같은 제 1 트랜지스터(M1)는 주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다.
제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 단자에 접속되고, 제 1 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2 단자 및 제 1 전원(ELVDD)에 접속된다. 이와 같은 제 2 트랜지스터(M2)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제 1 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 2 트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성한다.
제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 발광 제어선(En)에 접속되고, 제 1 전극은 제 2 트랜지스터(M2)의 제 2 전극에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 제 2 전극은 유기 발광 다이오드(OLED)에 접속된다. 이와 같은 제 3 트랜지스터(M3)는 발광 제어선(En)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어 신호가 공급되지 않을 때 턴-온 된다. 여기서, 발광 제어 신호는 스토리지 커패시터(Cst)에 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 기간 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보가 센싱되는 기간 동안 공급된다.
제 4 트랜지스터(M4)는 센싱 트랜지스터로서, 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류 센싱 동작 기간 동안 턴-온 될 수 있다. 구체적으로, 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 제어선(CLn)에 접속되고, 제 1 전극은 제 3 트랜지스터(M3)의 제 2 전극에 접속된다. 또한, 제 4 트랜지스터(M4)의 제 2 전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 이와 같은 제 4 트랜지스터(M4)는 제어선(CLn)으로 제어 신호가 공급될 때 턴-온되고, 그 외의 경우에 턴-오프된다. 여기서, 제어 신호는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보가 센싱되는 기간 동안 공급된다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 타이밍 제어부(150)는 표시부(130) 내 각 화소(140)들에 대응하는 데이터(Data1)에 기초하여, 전류 센싱을 수행할 화소들을 결정할 수 있다. 보다 구체적으로, 타이밍 제어부(150)는 입력되는 데이터(Data1)에 기초하여, 전류 센싱을 수행할 행(row)을 결정할 수 있다. 상기 결정 결과는 제어선 구동부(160)로 전달되고, 제어선 구동부(160)는 제 1 내지 제 n 제어선(CL1~ CLn) 중 전류 센싱을 수행할 행에 대응하는 적어도 하나의 제어선들에 선택적으로 제어 신호를 공급할 수 있다.
예를 들어, n번째 행(row)에 포함되는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행할 것으로 결정되는 경우, 타이밍 제어부(150)로부터의 신호에 응답하여 제어선 구동부(160)는 제 n 제어선(CLn)으로 제어 신호를 공급할 수 있다. 이 경우 제 4 트랜지스터(M4)가 턴-온되고, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 데이터선(예를 들어, Dm)에도 흐르게 된다.
제어선 구동부(160)에 의해 n번째 행에 포함되는 화소들에 대해 전류 센싱이 수행되는 동안, 스위칭부(170)는 제 1 내지 제 m 데이터선들(D1~Dm)을 센싱부(180)에 접속한다. 따라서, 데이터선에 흐르는 전류는 센싱부(180)에도 흐르게 되며, 데이터선에서 측정되는 전압을 통해 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 얻을 수 있다.
도 2에서는 4 개의 트랜지스터(M1 내지 M4) 및 1 개의 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소 회로(140)가 도시되어 있으나, 본 발명에 따른 표시 장치의 화소들은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 15에 도시된 것과 같이 8 개의 트랜지스터(T1 내지 T8) 및 1개의 스토리지 커패시터(CSTG)를 포함하는 화소 또한 이용될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 스위칭부, 센싱부 및 제어 블록을 상세히 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위하여, 제 m 데이터선(Dm)과 접속되는 구성을 도시하기로 한다.
도 3을 참조하면, 스위칭부(350)의 각각의 채널에는 2개의 스위칭 소자(351, 352)가 구비될 수 있다. 그리고, 센싱부의 각각의 채널에는 센싱 회로(340) 및 아날로그 디지털 변환부(Analog-Digital Converter: 이하 "ADC"라 함)(330)가 구비될 수 있다(여기서, ADC는 다수의 채널당 하나가 채용될 수도 있고, 또는 모든 채널이 하나의 ADC를 공유하여 사용할 수 있다). 또한, 제어 블록(320)은 메모리(323) 및 제어부(321)를 구비한다.
제 2 스위칭 소자(352)는 데이터 구동부(370)와 데이터선(Dm) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 2 스위칭 소자(352)는 데이터 구동부(370)에서 데이터 신호가 공급될 때 턴-온된다. 즉, 제 2 스위칭 소자(352)는 표시 장치가 소정의 영상을 표시하는 기간 동안 턴-온 상태를 유지할 수 있다. 한편, 제 2 스위칭 소자(352)가 턴-온되는 기간동안 제 1 스위칭 소자(351)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
센싱 회로(340)는 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 전류원을 포함할 수 있다. 센싱 회로(340)에 포함되는 전류원은 제 1 스위칭 소자(351)가 턴-온되었을 때 화소(360)로 소정의 전류를 공급하고, 상기 전류가 공급될 때 데이터선(Dm)에 생성되는 소정의 전압을 ADC(330)로 전달한다. 여기서, 상기 소정의 전류는 화소(360)에 포함되는 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 공급된다. 따라서, 센싱 회로(340) 내 전류원으로부터 생성된 전류에 의하여 측정되는 전압은 화소(360) 내 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 가질 수 있다. 즉, 화소(360)의 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 센싱하는 동안, 제 1 스위칭 소자(351)는 턴-온되고, 제 2 스위칭 소자(352)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
한편, 도 3, 도 8a 및 도 8b에는 도시되지 않았으나, 센싱 회로(340)는 센싱 전류 인가 시 각 데이터선들(D1 내지 Dm)에 생성되는 전압을 감지하기 위한 전압 감지부를 더 포함할 수 있다. 상기 전압 감지부는 각 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 센싱 전류가 흐를 때 각 데이터선들(D1 내지 Dm)에 생성되는 전압을 감지할 수 있다. 감지된 전압은 각 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 반영한 값이다.
이를 상세히 설명하면, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 유기 발광 다이오드(OLED)의 저항값이 변화된다. 따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화에 대응하여 센싱 전류가 흐를 때 데이터선에 나타나는 전압값이 변화되고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 추출할 수 있다. 한편, 센싱 회로(340) 내 전류원으로부터 공급되는 상기 소정의 전류값은 실험적으로 결정될 수 있다.
ADC(330)는 센싱 회로(340)로부터 공급되는 전압값을 디지털 값으로 변환한다.
제어 블록(320)은 메모리(323) 및 제어부(321)를 구비한다.
메모리(323)는 ADC(330)로부터 공급되는 디지털 값을 저장한다. 실제로, 메모리(323)는 도 1에 도시된 화소부(130)에 포함되는 모든 화소(140)들 각각에 포함된 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 저장할 수 있다.
제어부(321)는 메모리(323)에 저장된 디지털 값을 타이밍 제어부(310)로 전달한다. 여기서, 제어부(321)는 현재 타이밍 제어부(310)로 입력되는 제 1데이터(Data1)가 공급될 화소(360)로부터 추출된 디지털 값을 타이밍 제어부(310)로 전달한다.
타이밍 제어부(310)는 외부로부터 제 1 데이터(Data1)와, 제어부(321)로부터 상기 디지털 값을 공급받는다. 상기 디지털 값을 공급받은 타이밍 제어부(310)는 균일한 휘도의 영상이 표시될 수 있도록 제 1 데이터(Data1)의 비트 값을 변경하여 제 2 데이터(Data2)를 생성한다.
예를 들어, 타이밍 제어부(310)는 상기 디지털 값을 참조하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 심화될수록 제 1 데이터(Data1)의 비트 값을 증가시켜 제 2 데이터(Data2)를 생성할 수 있다. 그러면, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보가 반영되는 제 2데이터(Data2)가 생성되고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화 될수록 낮은 휘도의 빛이 생성되는 것을 방지한다.
데이터 구동부(370)는 제 2 데이터(Data2)를 이용하여 데이터 신호를 생성하고, 생성된 데이터 신호를 화소(360)로 공급한다. 상기 데이터 구동부(370)에 의해 생성된 데이터 신호는 제 2 스위칭 소자(352)를 경유하여 화소(360)로 전달된다. 즉, 데이터 구동부(370)로부터 데이터 신호가 화소(360)로 전달되는 기간에는 제 2 스위칭 소자(352)가 턴-온되고, 제 1 스위칭 소자는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 블록도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 타이밍 제어부(410), 스위칭부(430) 및 제어선 구동부(450)를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 타이밍 제어부(430), 스위칭부(430) 및 제어선 구동부(450)는 도 1에 도시된 타이밍 제어부(150), 스위칭부(170) 및 제어선 구동부(160)와 각각 동일한 구성 요소일 수 있다. 도 4에서는 본 발명에 따른 표시 장치의 센싱 동작을 설명하기 위하여, 표시 장치의 일부 구성 요소만이 도시되었다.
타이밍 제어부(410)는 입력되는 데이터에 기초하여 스위칭부(430) 및 제어선 구동부(450)를 제어할 수 있다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 입력되는 데이터에 따라 화소부의 전체 화소들 중, 일부 행(row)에 위치하는 화소들에 대해 선택적으로 전류 센싱을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 타이밍 제어부(410)는 입력되는 데이터에 기초하여, 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류 센싱을 수행할 행(row)을 선택할 수 있다.
타이밍 제어부(410)는 선택된 행(row)에 관한 정보를 스위칭부(430) 및 제어선 구동부(450)로 전달할 수 있다. 스위칭부(430) 및 제어선 구동부(450)는 제공된 상기 정보에 기초하여 동작할 수 있다. 스위칭부(430)는 제공된 상기 정보에 기초하여 센싱부와 데이터 구동부를 선택적으로 데이터선들에 접속시킬 수 있다. 제어선 구동부(450)는 제공된 상기 정보에 기초하여, 선택된 행(row)에 대한 제어 신호를 활성화 할 수 있다.
예를 들어, 타이밍 제어부(410)가 i 번째 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하기로 결정하는 경우, 상기 정보를 스위칭부(430) 및 제어선 구동부(450)에 전달할 수 있다. 제어선 구동부(450)는 상기 정보에 기초하여, 제 i 제어선(CLi)에 인가되는 제어 신호를 활성화할 수 있다. 한편, 스위칭부(430)는 상기 정보에 기초하여, 제 i 제어선(CLi)에 인가되는 제어 신호가 활성화 상태를 유지하는 동안 제 1 내지 제 m 데이터선(Di ~ Dm)을 센싱부(180)에 연결시킨다. 따라서, i번째 행에 위치한 화소들은 상기 기간 동안 데이터 구동부(120)와 연결되지 않고 센싱부(180)와 연결된다. 센싱부(180)는 제 1 내지 제 m 데이터선(Di ~ Dm)에 센싱 전류를 인가하며, 이에 따라 i 번째 행에 위치한 m 개의 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 센싱하게 된다.
한편, 도 4에는 도시되지 않았으나, 타이밍 제어부(410)는 스위칭부(430), 제어선 구동부(450) 이외에도 주사 구동부(미도시)의 동작 또한 제어할 수 있다. 즉 i 번째 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱이 수행되는 동안에, 제 i 주사 신호(Si)가 활성화 되지 않도록 주사 구동부를 제어할 수 있다. 도 4와 도 2를 함께 참조하면, 화소 회로 내에서 i 번째 행들에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드(OLED)에 대해 전류 센싱을 수행하는 기간 동안, 제 4 트랜지스터(M4)는 턴-온 상태를 유지하고 제 1 트랜지스터(M1)는 턴-오프 상태를 유지할 필요가 있다. 따라서, i 번째 행들에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드(OLED)에 대해 전류 센싱을 수행하는 기간 동안 제 i 제어선(CLi)에 입력되는 제어 신호는 활성화 상태를 유지하고, 제 i 주사선(Si)에 입력되는 주사 신호는 비활성화 상태를 유지하게 된다.
도 5는 도 4에 도시된 타이밍 제어부의 보다 구체적인 구성을 예시적으로 나타내는 블록도이다.
도 5를 참조하면, 타이밍 제어부(510)는 프레임 메모리(511), 레지스터부(513) 및 센싱 라인 결정부(515)를 포함할 수 있다. 프레임 메모리(511)는 하나의 영상 프레임에 대응하는 제 1 데이터(Data1)를 저장할 수 있다. 센싱 라인 결정부(515)는 프레임 메모리(511)에 저장된 제 1 데이터(Data1)에 기초하여, 각각의 행(row)에 위치한 화소들의 대표값을 계산할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 대표값은 각각의 행에 위치한 화소들에 대응하는 계조 데이터에 대한 평균값(mean)일 수 있다. 이 경우, 센싱 라인 결정부(515)는 제 1 데이터(Data1)에 기초하여, 프레임 내 화소들에 대한 평균 계조값을 각 행(row)마다 계산할 수 있다. 각 화소들에 대응하는 계조 데이터가 8비트로서 256단계의 계조값을 갖는 경우, 평균 계조값 또한 0 내지 255 사이의 값을 가질 수 있다.
레지스터부(513)는 상기 대표값과 비교하기 위한 제 1 기준값(RD1)을 저장할 수 있다. 상기 제 1 기준값(RD1)은 미리 결정된 임의의 값일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제 1 기준값(RD1)은 200의 값을 가질 수 있다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 계조 데이터가 8 비트 형식의 데이터인 경우 제 1 기준값(RD1) 또한 0 내지 255 사이의 값 중 필요에 따라 선택된 값으로서 레지스터부(513)에 저장될 수 있다. 이하에서는 도 1 및 도 5를 함께 참조하여 본 발명에 따른 표시 장치의 동작을 설명하기로 한다.
센싱 라인 결정부(515)는 계산된 상기 대표값과 제 1 기준값(RD1)을 비교하여, 해당 행(row)에 위치한 화소들에 대해 전류 센싱을 수행할 것인지 결정할 수 있다. 예를 들어, 제 1 기준값(RD1)이 200이고, 계산된 i 번째 행(row)의 데이터의 평균 계조값이 200보다 큰 경우, 센싱 라인 결정부(515)는 i 번째 행에 위치하는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행할 것을 결정할 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부의 제어에 기초하여, 스위칭부, 제어선 구동부 및 주사 구동부는 i 번째 행에 위치하는 화소들의 유기 발광 다이오드를 전류 센싱하도록 동작할 수 있다. 즉, 제어선 구동부(160)는 제 i 제어선(CLi)을 통해 각 화소 내 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극에 입력되는 제어 신호를 활성화할 수 있다. 또한, 주사 구동부(110)는 제 i 주사선(Si)을 통해 각 화소 내 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 입력되는 주사 신호를 비활성화할 수 있다. 한편, 스위칭부(170)는 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 센싱부(180)에 연결시킬 수 있다. 상기 기간 동안 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 데이터 구동부(120)와 연결되지 않는다. 따라서 i 번째 행들에 위치하는 화소들의 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류 센싱을 수행하는 동안, 데이터 구동부(120)로부터 생성된 데이터 신호는 상기 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)에 전달되지 않는다.
반대로, 제 1 기준값(RD1)이 200이고, 센싱 라인 결정부(515)에 의해 계산된 i번째 행(row)의 데이터들의 평균 계조값이 200과 같거나 그보다 작은 경우, 센싱 라인 결정부(515)는 i번째 행에 위치하는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하지 않을 것을 결정할 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부의 제어에 기초하여, 스위칭부, 제어선 구동부 및 주사 구동부는 i 번째 행에 위치하는 화소들의 유기 발광 다이오드가 제 2 데이터(Data2)에 따라 발광되도록 동작할 수 있다. 즉, 제어선 구동부(160)는 제 i 제어선(CLi)을 통해 각 화소 내 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극에 입력되는 제어 신호를 비활성화할 수 있다. 또한, 주사 구동부(110)는 제 i 주사선(Si)을 통해 각 화소 내 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 입력되는 주사 신호를 활성화할 수 있다. 한편, 스위칭부(170)는 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 데이터 구동부(120) 에 연결시킬 수 있다. 상기 기간 동안 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 센싱부(180) 와 연결되지 않는다. 따라서 상기 기간 동안 i 번째 행들에 위치하는 화소들의 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 통해 전달되는 데이터(Data2)에 기초하여 발광하게 된다. 상기 기간 동안 센싱부(180)로부터 생성되는 센싱 전류는 상기 i 번째 행들에 위치하는 화소 내 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달되지 않는다.
i 번째 행에 위치하는 화소들의 데이터의 평균 계조값이 미리 결정된 제 1 기준값(RD1)보다 큰 경우, 발광 기간에 해당 화소들에 포함된 발광 소자에 흐르는 발광 전류값 또한 평균적으로 크다. 따라서 해당 i 번째 행에 위치하는 화소들에 대해, 영상 데이터에 따라 유기 발광 다이오드를 발광하도록 하는 대신에 전류 센싱을 수행하더라도 상기 전류 센싱을 사용자가 시인하기가 어렵다. 즉, 해당 화소들의 유기 발광 다이오드로부터 발생하는 빛이 영상 데이터에 기초하여 화소 회로의 동작에 따라 발생하는 빛인지, 또는 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 센싱하기 위해 센싱 전류를 공급함에 따라 발생하는 빛인지 사용자가 구분하기가 어렵다. 따라서 유기 발광 다이오드의 전류 센싱 기간 동안 의도하지 않은 시인성 문제가 개선될 수 있으며, 이에 따라 표시 장치의 화질이 향상될 수 있다.
상술한 실시예에서 센싱 라인 결정부(515)는 영상 데이터 내 i번째 행의 데이터들의 평균 계조값을 구하는 것으로 설명되었으나, 실시예에 따라 다양한 통계값들을 계산하여 대표값으로서 생성할 수 있다. 예를 들어, 다른 실시예에서, 센싱 라인 결정부(515)는 i 번째 행에 위치한 화소들에 인가되는 계조 데이터들의 중간값(median)을 계산하여 제 1 기준값(RD1)과 비교할 수 있다. 또다른 실시예에서, 센싱 라인 결정부(515)는 i 번째 행에 위치한 화소들에 인가되는 계조 데이터들 중의 최빈값(mode)을 계산하여 제 1 기준값(RD1)과 비교할 수 있다. 또다른 실시예에서, 센싱 라인 결정부(515)는 i 번째 행에 위치한 화소들에 인가되는 계조 데이터들 중의 최소값(min)을 결정하여 제 1 기준값(RD1)과 비교할 수 있다. 즉, 필요에 따라 전류 센싱 기간 동안 의도하지 않은 시인성 문제를 줄이기 위해 선택되는 다양한 통계값이 대표값(AD)으로서 계산되어 제 1 기준값(RD1)과 비교될 수 있다.
위와 같은 방식으로, 센싱 라인 선택부(515)는 첫 번째 행(row)부터 n 번째 행에 대해 순차적으로 해당 행에 위치한 화소(140)들에 대해 전류 센싱을 수행할 것인지 결정할 수 있다. 이에 따라 전류 센싱을 수행할 것으로 결정된 행에 위치한 화소들에 대해서는 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류 센싱을 수행하고, 그 이외의 화소들에 대해서는 제 2 데이터(Data2)에 기초하여 유기 발광 다이오드(OLED)를 발광시키도록 할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 각 행에 위치하는 화소들에 인가되는 데이터의 대표값을 계산하고, 계산된 대표값을 제 1 기준값(RD1)과 비교하여 전류 센싱 여부를 결정한다. 따라서, 상대적으로 높은 계조값을 갖는 행에 대하여 전류 센싱을 수행하고, 상대적으로 낮은 계조값을 갖는 행에 대해서는 전류 센싱 대신 영상 데이터에 따라 유기 발광 다이오드를 발광시키도록 한다. 따라서 센싱 전류의 SNR을 높이더라도 전류 센싱을 수행하는 화소들에 대한 의도되지 않은 시인성 문제를 줄일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 1 프레임 기간 동안의 전류 센싱 동작을 설명하면 다음과 같다. 센싱 라인 결정부(515)는 첫 번째 행에 위치하는 화소들에 대한 대표값(예를 들어, 평균 계조값)을 계산한다. 센싱 라인 결정부(515)는 이어 계산된 대표값을 제 1 기준값(RD1)과 비교한다.
대표값이 제 1 기준값(RD1)보다 큰 경우, 센싱 라인 결정부(515)는 첫 번째 행에 위치하는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행할 것을 결정하고, 이를 제 1 센싱 라인 선택 신호로서 출력한다. 출력된 제 1 센싱 라인 선택 신호는 스위칭부(170), 제어선 구동부(160) 및 주사 구동부(110)로 전달된다. 상기 제 1 센싱 라인 선택 신호에 응답하여, 스위칭부(170)는 센싱부(180)를 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)과 연결한다. 제어선 구동부(160)는 제 1 제어선(CL1)을 통해 전달되는 제어 신호를 활성화한다. 주사 구동부(110)는 제 1 주사선(S1)을 통해 전달되는 주사 신호를 비활성화한다. 따라서, 센싱 전류가 첫 번째 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드(OLED)로 인가되어 각 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도에 대응하는 전압이 센싱된다.
대표값이 제 1 기준값(RD1)과 같거나 그보다 작은 경우, 센싱 라인 결정부(515)는 첫 번째 행에 위치하는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하지 않을 것을 결정하고, 이를 제 2 센싱 라인 선택 신호로서 출력한다. 출력된 제 2 센싱 라인 선택 신호는 스위칭부(170), 제어선 구동부(160) 및 주사 구동부(110)로 전달된다. 상기 제 2 센싱 라인 선택 신호에 응답하여, 스위칭부(170)는 데이터 구동부(120)를 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)과 연결한다. 제어선 구동부(160)는 제 1 제어선(CL1)을 통해 전달되는 제어 신호를 비활성화한다. 주사 구동부(110)는 제 1 주사선(S1)을 통해 전달되는 주사 신호를 활성화한다. 따라서, 데이터 구동부(120)로부터 출력되는 데이터가 첫 번째 행에 위치한 화소들의 화소 회로에 각각 전달되어, 유기 발광 다이오드(OLED)는 인가되는 데이터에 대응하는 휘도로 발광하게 된다.
위 과정을 수행한 이후에, 두 번째 행에 위치하는 화소들에 대해 동일한 과정이 수행된다. n 번째 행까지 같은 과정이 반복된다.
위 과정에 따라, n 개의 행에 위치하는 화소들 중, 대표값이 제 1 기준값(RD1)보다 큰 행에 위치하는 화소들에 대하여만 전류 센싱이 수행된다. 이에 따라 SNR을 높이기 위해 높은 센싱 전압을 인가하는 경우에도 의도하지 않은 시인성 문제를 줄일 수 있다. 결과적으로, 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드의 열화 정도를 정확히 보상하면서도 시인성 문제를 낮출 수 있어 표시 장치의 화질이 개선된다.
도 6은 표시 장치의 화소부 내 전체 화소들에 대해 순차적으로 전류 센싱을 수행하는 경우의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 6 도 1을 함께 참조하면, 표시 장치의 화소부(130) 내 전체 화소(140)들에 대해 순차적으로 전류 센싱을 수행하는 경우, 제어선 구동부(160)는 전체 제어선들(CL1 내지 CLn)에 인가되는 제어 신호를 순차적으로 활성화할 수 있다. 따라서, 이 경우 첫 번째 행(row)에 위치하는 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱이 수행되고, 그 다음으로 두 번째 행에 위치하는 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱이 수행되며, 이와 같은 방식으로 n 번째 행에 위치하는 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱이 수행된다. 위와 같이 제 1 내지 제 n 제어선들(CL1 내지 CLn)에 인가되는 제어 신호가 순차적으로 활성화 되는 동안, 제 1 내지 제 n 주사선들(S1 내지 Sn)에 인가되는 주사 신호는 비활성 상태를 유지할 수 있다. 또한, 위와 같이 제 1 내지 제 n 제어선들(CL1 내지 CLn)에 인가되는 제어 신호가 순차적으로 활성화 되는 동안, 스위칭부(170)는 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 센싱부(180)에 연결할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라, 표시 장치의 화소부 내 전체 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱을 수행하는 경우의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7 및 도 1을 함께 참조하면, 표시 장치의 화소부(130) 내 전체 화소(140)들 중 일부 화소들에 대해 전류 센싱이 수행된다. 예를 들어, 첫 번째 행에 위치하는 화소들에 인가되는 데이터의 평균 계조값이 제 1 기준값(RD1)보다 큰 경우, 도 7에 도시된 바와 같이 제어선 구동부(160)는 상기 제 1 센싱 라인 선택 신호에 기초하여 제 1 제어선(CL1)에 인가되는 제어 신호를 활성화한다. 이 경우 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 센싱부(180)에 연결되고, 주사 구동부(110)는 제 1 주사선(S1)에 인가되는 주사 신호를 비활성화한다.
두 번째 행에 위치하는 화소들에 인가되는 데이터의 평균 계조값이 제 1 기준값(RD1)과 같거나 그보다 작은 경우, 제어선 구동부(160)는 상기 제 2 센싱 라인 선택 신호에 기초하여 제 2 제어선(CL2)에 인가되는 제어 신호를 비활성 상태로 유지한다. 이 경우 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 데이터 구동부(120)에 연결되고, 주사 구동부(110)는 제 2 주사선(S2)에 인가되는 주사 신호를 활성화한다.
세 번째 행에 위치하는 화소들에 인가되는 데이터의 평균 계조값이 제 1 기준값(RD1)보다 큰 경우, 제어선 구동부(160)는 상기 제 1 센싱 라인 선택 신호에 기초하여 제 3 제어선(CL3)에 인가되는 제어 신호를 활성화한다. 이 경우 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 센싱부(180)에 연결되고, 주사 구동부(110)는 제 3 주사선(S3)에 인가되는 주사 신호를 비활성화한다.
네 번째 행에 위치하는 화소들에 인가되는 데이터의 평균 계조값이 제 1 기준값(RD1)보다 큰 경우, 제어선 구동부(160)는 상기 제 1 센싱 라인 선택 신호에 기초하여 제 4 제어선(CL4)에 인가되는 제어 신호를 활성화한다. 이 경우 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 센싱부(180)에 연결되고, 주사 구동부(110)는 제 4 주사선(S4)에 인가되는 주사 신호를 비활성화한다.
다섯 번째 행에 위치하는 화소들에 인가되는 데이터의 평균 계조값이 제 1 기준값(RD1)과 같거나 그보다 작은 경우, 제어선 구동부(160)는 상기 제 2 센싱 라인 선택 신호에 기초하여 제 5 제어선(CL5)에 인가되는 제어 신호를 비활성 상태로 유지한다. 이 경우 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 데이터 구동부(120)에 연결되고, 주사 구동부(110)는 제 5 주사선(S5)에 인가되는 주사 신호를 활성화한다.
여섯 번째 행에 위치하는 화소들에 인가되는 데이터의 평균 계조값이 제 1 기준값(RD1)과 같거나 그보다 작은 경우, 제어선 구동부(160)는 상기 제 2 센싱 라인 선택 신호에 기초하여 제 6 제어선(CL6)에 인가되는 제어 신호를 비활성 상태로 유지한다. 이 경우 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 데이터 구동부(120)에 연결되고, 주사 구동부(110)는 제 6 주사선(S6)에 인가되는 주사 신호를 활성화한다. 이와 같은 방식으로, n 번째 행까지 전류 센싱 여부를 결정할 수 있다. 전류 센싱을 수행할 것으로 결정된 행에 대하여, 대응하는 주사 신호의 비활성화 및 제어 신호의 활성화에 따라 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱이 수행된다. 전류 센싱을 수행하지 않을 것으로 결정된 행에 대하여, 대응하는 주사 신호의 활성화 및 제어 신호의 비활성화에 따라 화소들에 인가되는 데이터에 기초하여 유기 발광 다이오드가 발광한다.
도 8a는 도 3의 센싱 회로에 포함되는 센싱 전류원의 예시적인 실시예를 나타내는 도면이다. 도 8b는 도 3의 센싱 회로에 포함되는 센싱 전류원의 또다른 예시적인 실시예를 나타내는 도면이다.
도 8a를 참조하면, 도 3의 센싱 회로(340)에 포함되는 센싱 전류원(810)은 하나의 전류원(811)으로 구성될 수 있다. 이 경우, 센싱 전류원(810)은 고정 전류원으로서 동작할 수 있다. 다른 실시예에서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 도 3의 센싱 회로(340)에 포함되는 센싱 전류원(830)은 복수의 전류원들(831a, 831b, ... , 831n) 및 복수의 스위칭 소자들(832a, 832b, ... , 832n)로 구성될 수 있다. 도 8b와 같이 센싱 전류원(830)은 복수의 전류원들(831a, 831b, ... , 831n) 및 복수의 스위칭 소자들(832a, 832b, ... , 832n)로 구성하는 경우, 필요에 따라 각 화소 내 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 센싱하기 위한 센싱 전류를 변경할 수 있다. 이 경우, 센싱 전류원(830)은 가변 전류원으로서 동작할 수 있다. 예를 들어, 센싱 전압의 SNR을 높이고자 하는 경우 센싱 전류원(830)으로부터 출력되는 전류량을 늘릴 수 있다. 다른 경우에, 유기 발광 다이오드의 전류 센싱 시 시인성을 낮추기 위해 센싱 전류원(830)으로부터 출력되는 전류량을 줄일 수 있다. 이 경우 전류 센싱 시 유기 발광 다이오드로부터 발생하는 빛의 휘도가 낮아질 수 있다.
도 9는 도 4에 도시된 타이밍 제어부의 보다 구체적인 구성을 예시적으로 나타내는 또다른 블록도이다.
도 9를 참조하면, 타이밍 제어부(900)는 발광 정보 저장부(910), 영역 검출부(930) 및 센싱 라인 결정부(950)를 포함한다. 발광 정보 저장부(910)는 복수의 화소들에 입력되는 데이터(Data1)를 누적하여 저장한다. 예를 들어, 발광 정보 저장부(910)는 과거 수 프레임 동안 복수의 화소들 각각에 입력되는 데이터들을 저장할 수 있다. 발광 정보 저장부(910)는 저장된 누적 데이터(ACD)를 영역 검출부(930)로 전달할 수 있다.
영역 검출부(930)는 발광 정보 저장부(910)로부터 수신한 누적 데이터(ACD)에 기초하여 제 1 발광 영역(RP)을 검출할 수 있다. 제 1 발광 영역(RP)은, 일정 시간동안 높은 휘도로 발광하는 영역으로서 정의될 수 있다. 예를 들어, TV 화면에서 방송사 로고를 표시하는 영역이 제 1 발광 영역(RP)으로서 정의될 수 있다. 제 1 발광 영역(RP)에 대한 자세한 설명은 도 11을 참조하여 후술하기로 한다. 한편, 영역 검출부(930)의 구체적 구성 및 동작에 대한 자세한 설명은 도 10을 참조하여 후술하기로 한다.
센싱 라인 결정부(950)는 영역 검출부(930)에 의해 검출된 제 1 발광 영역(RP)에 기초하여 전류 센싱을 수행할 센싱 라인을 결정할 수 있다. 구체적으로, 센싱 라인 결정부(950)는 제 1 발광 영역(RP)에 대응하는 모든 행(row)들에 위치하는 화소들에 대해 유기 발광 다이오드의 전류 센싱을 수행할 것을 결정할 수 있다.
도 10은 도 9에 도시된 영역 검출부의 예시적인 실시예를 나타내는 블록도이다.
도 10을 참조하면, 영역 검출부(1000)는 레지스터부(1010), 화소 검출부(1030) 및 발광 영역 결정부(1050)를 포함할 수 있다. 레지스터부(1010)는 제 2 기준값(RD2) 및 제 1 임계값(RT)을 저장할 수 있다. 상기 제 2 기준값(RD2) 및 제 1 임계값(RT)은 특정 화소가 일정 시간 동안 일정 휘도 이상으로 연속하여 발광하였는지 판별하기 위한 기준값일 수 있다.
화소 검출부(1030)는 발광 정보 저장부(910)로부터 누적 데이터(ACD)를 입력받고, 레지스터부(1010)로부터 제 2 기준값(RD2)및 제 1 임계값(RT)을 입력받는다. 화소 검출부(130)는 누적 데이터(ACD), 제 2 기준값(RD2)및 제 1 임계값(RT)에 기초하여, 일정 시간 동안 일정 휘도 이상으로 연속하여 발광한 화소들을 검출할 수 있다. 예를 들어, 누적 데이터(ACD)에 포함되는 특정 화소 데이터를 참조하여, 해당 화소 데이터에서 제 2 기준값(RD2)을 초과하는 계조 데이터가 연속하여 제 1 임계값(RT)만큼 존재하는지 여부를 판별할 수 있다. 이 경우, 제 2 기준값(RD2)은 해당 화소가 미리 결정된 특정 계조값 이상으로 발광하였는지에 대한 판별 기준이 될 수 있고, 제 1 임계값(RT)은 해당 화소가 미리 결정된 특정 시간 동안 해당 계조값 이상으로 발광하였는지에 대한 판별 기준이 될 수 있다. 예를 들어, 제 2 기준값(RD2)이 230이고, 제 1 임계값(RT)이 nmb인 경우, 화소 검출부(1030)는 nmb/freq (sec) 동안 연속하여 230 이상의 계조값으로 발광한 화소를 검출할 수 있다(여기에서, freq는 1초당 화소의 발광 횟수를 의미할 수 있다). 화소 검출부(1030)는 검출된 화소들의 정보(DP)를 발광 영역 결정부(1050)로 전달할 수 있다.
발광 영역 결정부(1050)는 화소 검출부(1030)로부터 전달된 검출 화소들의 정보(DP)에 기초하여 제 1 발광 영역(RP)을 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 발광 영역 결정부(1050)는 정보(DP)에 속하는 전체 화소들에 대응하는 영역을 제 1 발광 영역(RP)으로서 결정할 수 있다. 다른 실시예에서, 발광 영역 결정부(650)는 미리 결정된 제 1 방향으로 k개(k는 2 이상의 자연수) 이상의 연속하여 배치된 화소들이 정의하는 영역을 제 1 발광 영역으로 결정할 수도 있다. 이 경우, 상기 제 1 방향은 행(row) 방향일 수도 있고, 열(column) 방향일 수도 있다. 또다른 실시예에서, 발광 영역 결정부(1050)는 미리 결정된 제 1 방향으로 k개(k는 2 이상의 자연수) 및 제 2 방향으로 l개(l은 2 이상의 자연수) 이상의 연속하여 배치된 화소들이 정의하는 영역을 제 1 발광 영역으로 결정할 수도 있다. 위 실시예에 의하면, 표시 장치의 패널 내에서 일정 면적 이하로 모여 있는 화소들은 제 1 발광 영역이 되지 못한다. 일정 면적 이상을 구성하는 화소들을 제 1 발광 영역으로 정의함으로써, 해당 제 1 발광 영역에 속하는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하는 경우 원하지 않는 시인성 문제를 감소시킬 수 있다.
도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 타이밍 제어부에 의해 복수의 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱하는 단계의 예시적인 실시예를 설명하기 위한 화면을 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치에 의해 표시되는 화면(1100)이 도시되어 있다. 전술한 바와 같이 TV 방송의 경우, 방송국의 로고 또는 이니셜(예: ABC)이 고휘도로 특정시간 동안 계속하여 표시될 수 있다. 따라서 방송국의 로고 또는 이니셜(예: ABC)이 표시되는 영역, 즉 도 9 및 도 10을 참조하여 전술한 제 1 발광 영역(1110)을 검출하고, 상기 제 1 발광 영역(1110)에 속하는 화소들을 포함하는 행들(1120)에 대해 전류 센싱을 수행할 수 있다.
예를 들어, 방송국의 로고가 ABC 인 경우, A(1111), B(1112), C(1113)를 표시하는 영역은 상대적으로 높은 휘도의 계조가 연속하여 표시된다. 따라서 A(1111), B(1112), C(1113)가 표시되는 부분에 속하는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하더라도 상대적으로 시인성이 낮아 사용자가 인식하기 어렵다. 따라서 제 1 발광 영역(1110)에 해당하는 센싱 라인들에 대해 보다 높은 빈도로 전류 센싱을 수행하는 경우, 발광 소자의 열화 정보를 더욱 정확히 보상할 수 있는 한편 전류 센싱에 따른 의도하지 않은 시인성 문제를 개선할 수 있다.
도 12는 도 9 내지 도 11을 참조하여 설명한 방법에 따라 복수의 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱하는 방법의 예시적인 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 12를 참조하면, 복수의 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱하는 방법은, 누적된 발광 정보를 수신하는 단계(S110), 상기 누적된 발광 정보에 기초하여 상기 복수의 화소들 중 일부의 화소들을 포함하는 제 1 발광 영역을 결정하는 단계(S130), 상기 제 1 발광 영역에 속하는 화소들과 연결된 센싱 라인들을 결정하는 단계(S150) 및 상기 결정된 센싱 라인들에 대해 전류 센싱을 수행하는 단계(S170)를 포함한다.
도 9 내지 도 11을 참조하여 전술한 바와 같이, 단계(S110)에서는 발광 정보 저장부(910)에 저장된 누적 데이터(ACD)가 수신될 수 있다. 이에 기초하여, 단계(S130)에서는 누적 데이터(ACD), 제 2 기준값(RD2) 및 제 1 임계값(RT)에 기초하여, 일정 시간 동안 일정 휘도 이상으로 연속하여 발광한 화소들을 검출할 수 있다. 또한 상기 검출된 화소들이 정의하는 영역을 바로 제 1 발광 영역으로 결정할 수도 있고, 미리 결정된 제 1 방향으로 k개(k는 2 이상의 자연수) 이상의 연속하여 배치된 화소들이 정의하는 영역을 제 1 발광 영역으로 결정할 수도 있다. 도 12와 도 11을 함께 참조하면, 제 1 발광 영역을 결정하는 단계(S130)에서는 A(1111), B(1112), C(1113)를 포함하는 영역이 제 1 발광 영역(1110)으로 결정될 수 있다.
단계(S150)에서는 결정된 제 1 발광 영역(1110) 내 화소들과 연결된 센싱 라인들이 결정될 수 있다. 도 11의 예시에서, 상기 결정된 센싱 라인은 행들(1120)에 대응하는 센싱 라인들일 수 있다. 단계(S170)에서는 결정된 센싱 라인들과 연결된 화소들에 대해 전류 센싱을 수행할 수 있다.
도 13은 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명한 실시예에 따라 복수의 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱하는 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 13 및 도 12를 함께 참조하면, 행들(1120)에 대응하는 센싱 라인들에 대해 전류 센싱이 수행된다. 도 13에서 제 i 번째 행 내지 제 i+7 번째 행들이 도 12의 행들(1120)에 대응된다.
따라서, 도 12의 행들(1120)에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 하기 위해, 제 i 내지 제 i+7 제어선(CLi 내지 CLi+7)들에 인가되는 제어 신호가 순차적으로 활성화된다.
제 i 내지 제 i+7 제어선(CLi 내지 CLi+7)들에 인가되는 제어 신호가 순차적으로 활성화되기 이전에, 제 1 내지 제 i-1 번째 제어선(CL1 내지 CLi-1)들에 인가되는 제어 신호는 비활성 상태를 유지할 수 있다. 또한, 상기 기간 동안 스위칭부는 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 데이터 구동부에 연결한다. 한편, 도 13에 도시되지는 않았으나, 제 1 내지 제 i-1 번째 주사선(S1 내지 Si-1)들에 인가되는 주사 신호는 순차적으로 활성화 된다. 이에 따라 데이터 구동부로부터 인가되는 데이터 신호에 기초하여 제 1 내지 제 i-1 번째 행들에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드가 발광할 수 있다.
제 i 내지 제 i+7 제어선(CLi 내지 CLi+7)들에 인가되는 제어 신호가 순차적으로 활성화되는 동안에, 제 i 내지 제 i+7 주사선(Si 내지 Si+7)들에 인가되는 주사 신호는 비활성화 상태를 유지한다. 또한, 상기 기간 동안 스위칭부는 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 센싱부에 연결한다. 따라서 제 i 번째 행 내지 제 i+7 번째 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱이 수행될 수 있다.
제 i 내지 제 i+7 제어선(CLi 내지 CLi+7)들에 인가되는 제어 신호가 순차적으로 활성화된 이후에, 제 i+8 제어선 내지 제 n 제어선(CLi+8 내지 CLn)들에 인가되는 제어 신호는 비활성화 상태를 유지한다. 또한, 상기 기간 동안 스위칭부는 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 데이터 구동부에 연결한다. 한편, 도 13에 도시되지는 않았으나, 제 i+8 내지 제 n 번째 주사선(Si+8 내지 Sn)들에 인가되는 주사 신호는 순차적으로 활성화 된다. 이에 따라 데이터 구동부로부터 인가되는 데이터 신호에 기초하여 제 i+8 내지 제 n 번째 행들에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드가 발광할 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)과 접속되는 화소들(1490)을 포함하는 화소부(1480)와, 주사선들(S1 내지 Sn) 및 발광 제어선들(E1 내지 En)을 구동하기 위한 주사 구동부(1470)와, 제어선들(CL1 내지 CLn)을 구동하기 위한 제어선 구동부(1460)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(1420)와, 주사 구동부(1470), 데이터 구동부(1420) 및 제어선 구동부(1460)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다.
또한, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치는 화소들(1490) 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 추출하기 위한 센싱부(1430)와, 센싱부(1430) 및 데이터 구동부(1420)를 선택적으로 데이터선들(D1 내지 Dm)에 접속시키기 위한 스위칭부(1450)를 더 구비한다. 한편 도 14에 도시되지는 않았으나, 표시 장치는 센싱부(1430)에서 센싱된 정보를 저장하기 위한 제어 블록(미도시)을 더 구비할 수 있다.
화소부(1480)는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)에 의해 구획된 영역에 위치되는 다수의 화소들(1490)을 구비할 수 있다. 화소들(1490) 각각은 데이터선(D)으로부터 자신에게 공급되는 데이터신호에 대응하는 빛을 발생한다. 여기서, 화소들(1490)은 적색 빛을 발생하는 적색 화소(R), 녹색 빛을 발생하는 녹색 화소(G) 및 청색 빛을 발생하는 청색 화소(B)로 나뉘어진다. 상기 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)의 세 화소(서브 화소)는 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 그러나, 도 14에 도시된 적색-녹색-청색(R-G-B) 배열의 화소부(1480)는 예시적인 것이며, 적색-녹색-청색-녹색(R-G-B-G) 또는 적색-녹색-청색-백색(R-G-B-W) 배열의 화소부(1480) 또한 사용될 수 있다.
주사 구동부(1470)는 타이밍 제어부(1410)의 제어에 따라 주사 신호를 생성하고, 생성된 주사 신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급할 수 있다. 여기서, 주사 구동부(1470)는 도 18에 도시된 바와 같이 주사 신호를 1 수평 기간(1H) 중 일부 기간 동안에만 공급할 수 있다.
이를 상세히 설명하면, 본 발명의 일 실시예에서 1 수평 기간(1H)은 주사 기간(제 1 기간) 및 데이터 기간(제 2 기간)으로 분할될 수 있다. 주사 구동부(1470)는 1 수평 기간(1H) 중 주사 기간 동안 주사선(S1 내지 Sn)으로 주사 신호를 공급한다. 그리고, 주사 구동부(1470)는 1 수평 기간 중 데이터 기간 동안에는 주사 신호를 공급하지 않는다. 한편, 주사 구동부(1470)는 타이밍 제어부(1410)의 제어에 따라 발광 제어 신호를 생성하고, 생성된 발광 제어 신호를 발광 제어선들(E1 내지 En)로 순차적으로 공급할 수 있다.
데이터 구동부(1420)는 타이밍 제어부(1410)의 제어에 따라 다중화-데이터 신호들을 생성하고, 생성된 다중화-데이터 신호들(MD1 내지 MDp)을 다중화-데이터선들(MD1 내지 MDp)로 공급한다. 여기서, 데이터 구동부(1420)는 도 18에 도시된 바와 같이 다중화-데이터선들(MD1 내지 MDp)로 3 개의 데이터 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
이를 상세히 설명하면, 데이터 구동부(1420)는 1 수평 기간(1H) 중 데이터 기간 동안 실제 화소로 공급될 3 개의 데이터신호(R, G, B)를 순차적으로 공급한다. 여기서, 실제 화소로 공급될 데이터신호(R, G, B)가 데이터 기간에만 공급되기 때문에 실제 화소로 공급될 데이터신호(R, G, B)와 주사 신호의 공급 시간이 중첩되지 않는다.
타이밍 제어부(1410)는 외부로부터 공급되는 동기 신호들에 대응하여 데이터 구동 제어 신호들 및 주사 구동 제어 신호들을 생성한다. 타이밍 제어부(1410)에서 생성된 상기 데이터 구동 제어 신호들은 데이터 구동부(1420)로 공급되고, 주사 구동 제어 신호들은 주사 구동부(1470)로 공급되어, 데이터 구동부(1420) 및 주사 구동부(1470)를 각각 제어할 수 있다.
스위칭부(1450)는 m/3 개의 디멀티플렉서(1451, 1452, ... , 1459)를 구비한다. 다시 말하여, 스위칭부(1450)는 다중화-데이터선들(MD1 내지 MDp)과 동일한 수의 디멀티플렉서(1451, 1452, ... , 1459)를 구비하고, 각각의 디멀티플렉서(1451, 1452, ... , 1459)는 다중화-데이터선들(MD1 내지 MDp) 중 어느 하나와 각각 접속된다. 그리고, 디멀티플렉서(1451, 1452, ... , 1459) 각각은 3 개의 데이터선들(D)과 접속된다. 이와 같은 디멀티플렉서(1451, 1452, ... , 1459) 각각은 데이터 기간 동안 대응하는 다중화-데이터선(MD1 내지 MDp)으로 공급되는 3 개의 데이터 신호를 디먹싱(Demuxing)하여 3 개의 데이터선들(D)로 공급한다.
이와 같이 하나의 다중화-데이터선(MD)으로 공급되는 데이터 신호를 3 개의 데이터선들(D)로 공급하게 되면 데이터 구동부(1420)에 포함된 출력선 수를 줄일 수 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 데이터 구동부(1420)에 포함된 출력선 수는 1/3 수준으로 감소되고, 이에 따라 데이터 구동부(1420) 내부에 포함된 데이터 집적 회로의 수도 감소되게 된다. 즉, 본 발명에서는 디멀티플렉서(1451, 1452, ... , 1459)를 이용하여 하나의 다중화-데이터선(MD)으로 공급되는 데이터 신호를 3 개의 데이터선들(D)로 공급함으로써 제조 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.
타이밍 제어부(1410)는 다중화-데이터선(MD)으로 공급되는 3 개의 데이터 신호가 3 개의 데이터선들(D)으로 분할되어 공급될 수 있도록 1 수평 기간 중 데이터 기간 동안 3 개의 제어 신호를 디멀티플렉서(1451, 1452, ... , 1459) 각각으로 공급한다. 여기서, 타이밍 제어부(1410)에서 공급되는 3 개의 제어신호는 도 18에 도시된 바와 같이 데이터 기간 동안 서로 중첩되지 않도록 순차적으로 공급된다. 데이터 커패시터들(Cdata)은 데이터선(D)마다 설치된다. 이와 같은 데이터 커패시터들(Cdata)은 데이터선(D)으로 공급되는 데이터 신호를 임시 저장하고, 저장된 데이터 신호를 화소(1490)로 공급한다. 여기서, 데이터 커패시터(Cdata)는 데이터선(D)에 등가적으로 형성되는 기생 커패시터로 이용된다. 실제로, 데이터선(D)에 등가적으로 형성되는 기생 커패시터는 도 15와 같이 각각의 화소(1500)마다 포함되는 스토리지 커패시터(CSTG)의 용량보다 크게 설정되기 때문에 데이터 신호를 안정적으로 저장할 수 있다.
도 15는 도 14에 도시된 화소의 일 실시예를 나타내는 회로도이다. 구체적으로, 도 15에 도시된 화소는 도 14에 도시된 화소들 중 j번째 열(column) 및 i번째 행(row)에 위치한 화소이다.
도 15를 참조하면, 화소(1500)는 데이터선(Dj), 제 i 주사선(Sj), 제 i-1 주사선(Si-1), 제 i 발광 제어선(Ei) 및 이들과 연결된 제 1 내지 제 8 트랜지스터(T1 내지 T8), 스토리지 커패시터(CSTG) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 한편 화소(1500)는 제 1 전원(ELVDD), 제 2 전원(ELVSS) 및 초기화 전원(VINT)과 연결될 수 있다.
제 8 트랜지스터(T8)는 센싱 트랜지스터로서, 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류 센싱 동작 기간 동안 턴-온 될 수 있다. 구체적으로, 제 8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 제 i 제어선(CLi)과 연결된다. 한편, 제 1 내지 제 7 트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(CSTG)를 포함하는 화소 회로는 제 j 데이터선 (Dj)으로부터 입력되는 데이터에 기초하여 유기 발광 다이오드(OLED) 에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. 즉, 제 1 내지 제 7 트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(CSTG)를 포함하는 화소 회로는 제 j 데이터선(Dj), 제 i 주사선(Si) 및 유기 발광 다이오드(OLED) 의 애노드 전극 사이에 위치한다. 또한 제 1 내지 제 7 트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(CSTG)를 포함하는 화소 회로는 제 j 데이터선(Dj)을 통해 전달받은 데이터에 기초하여 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 결정한다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 결정된 상기 전류의 크기에 기초하여 발광한다. 따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 j 데이터선(Dj)을 통해 전달되는 데이터에 상응하는 휘도로 발광하게 된다.
제 j 데이터선(Dj)을 통해 전달되는 데이터에 기초하여 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 기간 동안에, 제 8 트랜지스터(T8)는 턴-오프 된다. 이에 따라, 발광 기간에 제 1 내지 제 7 트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(CSTG)를 포함하는 회로의 동작에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광한다. 한편, 유기 발광 다이오드(OLED)에 대해 전류 센싱을 수행하는 동안에, 제 8 트랜지스터(T8)는 턴-온 되고 제 1 내지 제 7 트랜지스터((T1 내지 T7)는 턴-오프 될 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 센싱하는 동안 제 i 제어선(CLi)을 통해 인가되는 제어 신호에 따라 제 8 트랜지스터(T8)가 턴-온 되고, 제 j 데이터선(Dj)을 통해 센싱 전류가 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 공급된다. 센싱 전류가 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 동안 제 j 데이터선(Dj)에는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도에 대응하는 소정의 전압이 생성된다. 상기 전압값은 도 14의 센싱부(1430)에 의해 센싱되고, 각 화소의 유기 발광 다이오드(OLED)에 대한 열화 정보로 변환되어 타이밍 제어부(1410)로 전달된다. 따라서, 도 14의 타이밍 제어부(1410)는 전달받은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보에 기초하여 제 1 데이터(Data1)를 제 2 데이터(Data2)로 변환하여 데이터 구동부(1420)로 전달할 수 있다. 도 15에 도시된 화소는 예시적인 것으로서, 다른 다양한 형태의 화소가 본 발명의 도 14에 도시된 화소(1490)로서 구성될 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도를 측정하기 위해, 제 8 트랜지스터(T8)를 통해 센싱 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급하는 경우 센싱 전류의 크기에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광할 수 있다. 즉, 이 경우 제 j 데이터선(Dj)을 통해 인가되는 데이터에 기초하여 발광하는 것이 아니라, 센싱 전류에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하게 되며, 이를 사용자가 시인할 수가 있다. 센싱 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED)를 사용자가 시인하는 것은 의도된 것이 아니며, 표시 장치의 화질에 악영향을 미칠 수 있다. 한편, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도에 대한 보다 정확한 센싱을 위해 보다 큰 센싱 전류를 공급하면 센싱 전압 또한 증가하여 신호 대 잡음비(signal to noise ratio; SNR)을 향상시킬 수 있으나, 이 경우 유기 발광 다이오드(OLED)가 더 높은 휘도로 발광하여 사용자가 인식할 수 있다는 문제가 있다. 즉, 화소 내 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 센싱하는 기간에 센싱 전압의 SNR을 높이기 위해 센싱 전류를 증가 시키면 불필요한 시인성 문제가 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 화소들에 인가되는 데이터에 기초하여 전류 센싱을 수행할 화소들을 선택하므로, 시인성 문제를 개선할 수 있고 결과적으로 표시 장치의 화질이 개선된다.
도 15에는 8 개의 트랜지스터(T1 내지 T8) 및 1 개의 스토리지 커패시터(CSTG)를 포함하는 화소(1500)가 도시되어 있으나, 본 발명에 따른 표시 장치의 화소는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 2에 도시된 것과 같이 4 개의 트랜지스터(M1 내지 M4) 및 1 개의 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소(140)가 사용될 수도 있으며, 그 이외에 다양한 형태의 화소 회로가 본 발명에 따른 표시 장치에 이용될 수 있다.
도 16은 도 14에 도시된 스위칭부의 내부 회로도의 일부분을 나타내는 도면이다. 도 16에서는 도 14에 도시된 스위칭부(1450)의 디멀티플렉서들(1451, 1452, ... , 1459) 중 제 1 및 제 2 디멀티플렉서(1451, 1452)만이 도시되었다. 즉, 도 16의 제 1 및 제 2 디멀티플렉서(1651, 1652)는 도 14의 제 1 및 제 2 디멀티플렉서(1451, 1452)와 각각 동일한 구성요소일 수 있다.
도 16을 참조하면, 제 1 디멀티플렉서(1651)는 제 1 내지 제 3 제어 트랜지스터들(CTR1 내지 CTR3), 그리고 제 1 내지 제 3 스위칭 트랜지스터들(STR1 내지 STR3)을 포함한다. 이와 유사하게, 제 2 디멀티플렉서(1652)는 제 4 내지 제 6 제어 트랜지스터들(CTR4 내지 CTR6), 그리고 제 4 내지 제 6 스위칭 트랜지스터들(STR4 내지 STR6)을 포함한다.
제 1 제어 트랜지스터(CTR1)는 제 1 다중화-데이터선(MD1)과 제 1 데이터선(D1) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 1 제어 트랜지스터(CTR1)는 타이밍 제어부(1410)로부터 제 1 디먹스-제어 신호(CS1)가 공급될 때 턴-온 되어 제 1 다중화-데이터선(MD1)으로 공급되는 데이터 신호를 제 1 데이터선(D1)으로 공급한다. 제 1 데이터선(D1)으로 공급된 데이터 신호는 제 1 데이터 커패시터(C1)에 임시 저장된다.
제 2 제어 트랜지스터(CTR2)는 제 1 다중화-데이터선(MD1)과 제 2 데이터선(D2) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 2 제어 트랜지스터(CTR2)는 타이밍 제어부(1410)로부터 제 2 디먹스-제어 신호(CS2)가 공급될 때 턴-온 되어 제 1 다중화-데이터선(MD1)으로 공급되는 데이터 신호를 제 2 데이터선(D2)으로 공급한다. 제 2 데이터선(D2)으로 공급된 데이터 신호는 제 2 데이터 커패시터(C2)에 임시 저장된다.
제 3 제어 트랜지스터(CTR3)는 제 1 다중화-데이터선(MD1)과 제 3 데이터선(D3) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 3 제어 트랜지스터(CTR3)는 타이밍 제어부(1410)로부터 제 3 디먹스-제어 신호(CS3)가 공급될 때 턴-온 되어 제 1 다중화-데이터선(MD1)으로 공급되는 데이터 신호를 제 3 데이터선(D3)으로 공급한다. 제 3 데이터선(D3)으로 공급된 데이터 신호는 제 3 데이터 커패시터(C3)에 임시 저장된다.
상술한 바와 같이, 제 1 내지 제 3 제어 트랜지스터(CTR1 내지 CTR3)는 데이터 기간 동안 순차적으로 턴-온 되어 제 1 다중화-데이터선(MD1)으로부터 전달되는 데이터를 제 1 내지 제 3 데이터선(D1 내지 D3)으로 전달할 수 있다. 이 경우에, 제 1 내지 제 m 스위칭 트랜지스터(STR1 내지 STRm)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
제 1 스위칭 트랜지스터(STR1)는 제 1 데이터선(D1)과 제 1 센싱선(SL1) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 1 스위칭 트랜지스터(STR1)는 스위칭선(SW)으로부터 스위칭 신호가 공급될 때 턴-온 되어 제 1 센싱선(SL1)과 제 1 데이터선(D1)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제 2 스위칭 트랜지스터(STR2)는 제 2 데이터선(D2)과 제 2 센싱선(SL2) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 2 스위칭 트랜지스터(STR2)는 스위칭선(SW)으로부터 스위칭 신호가 공급될 때 턴-온 되어 제 2 센싱선(SL2)과 제 2 데이터선(D2)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제 3 스위칭 트랜지스터(STR3)는 제 3 데이터선(D3)과 제 3 센싱선(SL3) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 3 스위칭 트랜지스터(STR3)는 스위칭선(SW)으로부터 스위칭 신호가 공급될 때 턴-온 되어 제 3 센싱선(SL3)과 제 3 데이터선(D3)을 전기적으로 연결할 수 있다. 이상 제 1 멀티플렉서(1651)의 동작에 대해 설명하였으며, 제 2 멀티플렉서(1652) 또한 이와 유사하게 동작할 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 스위칭선(SW)은 제 1 내지 m 스위칭 트랜지스터(STR1 내지 STRm)의 게이트 전극에 공통적으로 연결될 수 있다. 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)을 통해 i 번째 행(row)에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하는 경우, 스위칭선(SW)으로부터 스위칭 신호가 공급되어 제 1 내지 제 m 스위칭 트랜지스터(STR1 내지 STRm)가 동시에 턴-온 될 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 제 1 내지 제 m 센싱선(SL1 내지 SLm)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제 1 내지 제 m 센싱선(SL1 내지 SLm)은 도 14의 센싱부(1430)과 연결된다. 따라서, 스위칭선(SW)으로부터 스위칭 신호가 공급되는 동안, i 번째 행(row)에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드를 경유하여 센싱 전류가 흐르고, 이에 따라 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)에 나타나는 센싱 전압은 센싱부로 전달될 수 있다.
따라서, 스위칭선(SW)으로부터 스위칭 신호가 공급되는 동안에는 제 1 내지 제 m 디먹스 제어 신호(CS1 내지 CSm)는 공급되지 않고, 이에 따라 제 1 내지 제 m 제어 트랜지스터(CTR1 내지 CTRm)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 이 경우 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)은 제 1 내지 제 p 다중화-데이터선(MD1 내지 MDp)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
도 17은 도 14에 도시된 스위칭부, 센싱부 및 제어 블록을 상세히 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위하여, 제 m 데이터선(Dm)과 접속되는 구성을 도시하기로 한다.
도 17을 참조하면, 스위칭부(1750)의 각각의 채널에는 2개의 스위칭 소자(1751, 1752)가 구비될 수 있다. 그리고, 센싱부의 각각의 채널에는 센싱 회로(1740) 및 ADC(1730)가 구비될 수 있다(여기서, ADC는 다수의 채널당 하나가 채용될 수도 있고, 또는 모든 채널이 하나의 ADC를 공유하여 사용할 수 있다). 또한, 제어 블록(1720)은 메모리(1723) 및 제어부(1721)를 구비한다.
제 2 스위칭 소자(1752)는 데이터 구동부(1770)와 데이터선(Dm) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 2 스위칭 소자(1752)는 도 16을 참조하여 설명한 제 m 제어 트랜지스터(CTRm)에 대응될 수 있다. 제 2 스위칭 소자(1752)는 데이터 구동부(1420)에서 데이터 신호가 공급될 때 턴-온된다. 즉, 제 2 스위칭 소자(1752)는 표시 장치가 소정의 영상을 표시하는 기간 동안 턴-온 상태를 유지할 수 있다. 한편, 제 2 스위칭 소자(1752)가 턴-온되는 기간동안 제 1 스위칭 소자(1751)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
센싱 회로(1740)는 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 전류원을 포함할 수 있다. 센싱 회로(1740)에 포함되는 전류원은 제 1 스위칭 소자(1751)가 턴-온되었을 때 화소(1760)로 소정의 전류를 공급하고, 상기 전류가 공급될 때 데이터라인(Dm)에 생성되는 소정의 전압을 ADC(1730)로 전달한다. 여기서, 상기 소정의 전류는 화소(1760)에 포함되는 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 공급된다. 따라서, 센싱 회로(1740) 내 전류원으로부터 생성된 전류에 의하여 측정되는 전압은 화소(1760) 내 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 가질 수 있다. 즉, 화소(1760)의 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 센싱하는 동안, 제 1 스위칭 소자(1751)는 턴-온되고, 제 2 스위칭 소자(1752)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 제 1 스위칭 소자(1751)는 도 16을 참조하여 설명한 제 m 스위칭 트랜지스터(STRm)에 대응될 수 있다.
이를 상세히 설명하면, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 유기 발광 다이오드(OLED)의 저항값이 변화된다. 따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화에 대응하여 소정 전압의 전압값이 변화되고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 추출할 수 있다. 한편, 센싱 회로(1740) 내 전류원으로부터 공급되는 상기 소정의 전류값은 실험적으로 결정될 수 있다.
ADC(1730)는 센싱 회로(1740)로부터 공급되는 전압값을 디지털 값으로 변환한다.
제어 블록(1720)은 메모리(1723) 및 제어부(1721)를 구비한다.
메모리(1723)는 ADC(1730)로부터 공급되는 디지털 값을 저장한다. 실제로, 메모리(1723)는 도 14에 도시된 화소부(1480)에 포함되는 모든 화소(1490)들 각각에 포함된 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보를 저장할 수 있다.
제어부(1721)는 메모리(1723)에 저장된 디지털 값을 타이밍 제어부(1710)로 전달한다. 여기서, 제어부(1721)는 현재 타이밍 제어부(1710)로 입력되는 제 1 데이터(Data1)가 공급될 화소(1760)로부터 추출된 디지털 값을 타이밍 제어부(1710)로 전달한다.
타이밍 제어부(1710)는 외부로부터 제 1 데이터(Data1)와, 제어부(1721)로부터 상기 디지털 값을 공급받는다. 상기 디지털 값을 공급받은 타이밍 제어부(1710)는 균일한 휘도의 영상이 표시될 수 있도록 제 1 데이터(Data1)의 비트 값을 변경하여 제 2 데이터(Data2)를 생성한다.
예를 들어, 타이밍 제어부(1710)는 상기 디지털 값을 참조하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 심화될수록 제 1 데이터(Data1)의 비트 값을 증가시켜 제 2 데이터(Data2)를 생성할 수 있다. 그러면, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보가 반영되는 제 2 데이터(Data2)가 생성되고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화 될수록 낮은 휘도의 빛이 생성되는 것을 방지한다.
데이터 구동부(1770)는 제 2 데이터(Data2)를 이용하여 데이터 신호를 생성하고, 생성된 데이터 신호를 디멀티플렉서(1765)로 공급한다. 디멀티플렉서(1765)는 데이터 신호를 디먹싱하여 제 m 데이터선(Dm)과 연결된 화소(1760)로 공급한다. 상기 데이터 구동부(370)에 의해 생성된 데이터 신호는 제 2 스위칭 소자(352)를 경유하여 화소(360)로 전달된다. 즉, 데이터 구동부(370)로부터 데이터 신호가 화소(360)로 전달되는 기간에는 제 2 스위칭 소자(352)가 턴-온되고, 제 1 스위칭 소자는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따라, 표시 장치의 화소부 내 전체 화소들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱을 수행하는 경우의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 타이밍도이다. 즉, 도 14의 타이밍 제어부(1410)가 제 1 데이터(Data1)를 분석하여, i번째 행(row)에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하는 경우의 동작이 도 18에 도시되어 있다.
도 14, 도 15, 도 16 및 도 18을 함께 참조하면, 표시 장치의 화소부(1480) 내 전체 화소(1490)들 중 일부의 화소에 대해 전류 센싱이 수행된다. 구체적으로, 도 18에는 첫 번째 행 내지 n 번째 행들에 위치한 화소들 중, i 번째 행에 위치한 화소들에 대하여 전류 센싱을 수행하는 동작이 예시적으로 도시되어 있다.
먼저 첫 번째 1 수평 기간(t1~t2) 중 주사 기간(t1) 동안 제 i-2 주사선(Si-2)으로 주사신호가 공급된다. 제 i-2 주사선(Si-2)으로 주사 신호가 공급되면 i-1 번째 행에 위치한 화소들 각각에 포함된 제 4 트랜지스터(T4) 및 제 7 트랜지스터(T7)가 턴-온 된다. i-1 번째 행에 위치한 화소들의 제 4 트랜지스터(T4)는 제 i-2 주사선(Si-2)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온 되어 제 1 트렌지스터(T1)의 게이트 전극이 연결된 노드로 초기화 전원(VINT)의 전압을 공급한다. 제 7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원(VINT)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된다. 그리고, 제 7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 제 i-2 주사선(Si-2)에 접속된다. 이와 같은 제 7 트랜지스터(T7)는 제 i-2 주사선(Si-2)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(VINT)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 공급한다.
제 i-2 주사선(Si-2)으로 주사 신호가 공급되는 기간(t1) 동안 제 i-1 주사선(Si-1)과 접속된 제 2 트랜지스터(T2)는 턴-오프 상태를 유지한다.
이후, 첫 번째 데이터 기간(t2) 동안 순차적으로 공급되는 제 1 내지 제 3 디먹스 제어 신호(CS1 내지 CS3)에 의하여 i - 1 번째 행에 위치한 화소들의 제 1 내지 제 3 제어 트랜지스터(CTR1 내지 CTR3)가 순차적으로 턴-온 된다. 제 1 디먹스 제어 신호 (CS1)에 의하여 제 1 제어 트랜지스터(CTR1)가 턴-온 되면 다중화-데이터선(MD)들로 공급된 데이터가 i-1 번째 행에 위치한 화소들 중 적색 화소(R)들과 연결된 데이터선(D)으로 공급된다. 이때, 적색 화소들(R)과 연결된 데이터선들(D1, D4, D7, ...)들에 연결된 데이터 커패시터들(C1, C4, C7, ...)에는 공급된 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전된다.
제 2 디먹스 제어 신호 (CS2)에 의하여 제 2 제어 트랜지스터(CTR2)가 턴-온되면 다중화-데이터선(MD)들로 공급된 데이터가 i-1 번째 행에 위치한 화소들 중 녹색 화소(G)들과 연결된 데이터선(D)으로 공급된다. 이때, 녹색 화소들(G)과 연결된 데이터선들(D2, D5, D8, ...)들에 연결된 데이터 커패시터들(C2, C5, C8, ...)에는 공급된 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전된다.
제 3 디먹스 제어 신호 (CS3)에 의하여 제 3 제어 트랜지스터(CTR3)가 턴-온 되면 다중화-데이터선(MD)들로 공급된 데이터가 i-1 번째 행에 위치한 화소들 중 청색 화소(B)들과 연결된 데이터선(D)으로 공급된다. 이때, 청색 화소들(B)과 연결된 데이터선들(D3, D6, D9, ...)들에 연결된 데이터 커패시터들(C3, C6, C9, ...)에는 공급된 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전된다.
한편, 데이터 기간(t2) 동안에는 주사 신호가 공급되지 않기 때문에 i-1 번째 행에 위치한 화소들의 화소 회로 내부로는 데이터 신호가 공급되지 않는다.
이후, 데이터 기간(t2)에 이은 두 번째 주사 기간(t3) 동안 제 i-1 주사선(Si-1)으로 주사 신호가 공급된다. 제 i-1 주사선(Si-1)으로 주사 신호가 공급되면 i-1 번째 행에 위치한 화소들 각각에 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-온된다. 따라서, i-1번째 행에 위치한 화소들에 포함된 제 2 트랜지스터(T2)는 제 i-1 주사선(Si-1)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온 되어 데이터선(Dj)과 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 전극을 전기적으로 접속시킨다.
즉, 기간(t2) 동안 i-1번째 행들에 위치한 화소들에 대응하는 데이터 전압이 각 데이터선들(D1 내지 Dm)에 충전되고, 기간(t3) 동안 각 데이터선들(D1 내지 Dm)에 충전되었던 전압들이 i-1 번째 행들에 위치한 화소 내 스토리지 커패시터에 각각 저장된다. 이후 제 i-1 발광 제어 신호(Ei-1)에 의해 i-1 번째 행에 위치한 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드는 각각의 데이터 전압에 대응하는 휘도로 발광한다.
기간(t1 ~ t2)동안에, 스위칭선(SW)으로 스위칭 신호가 공급되지 않으며, 제 1 내지 제 n 제어선(CL1 내지 CLn)으로 제어 신호가 공급되지 않는다.
기간(t3) 동안 스위칭선(SW)을 통해 스위칭 신호가 공급된다. 또한 기간(t3)동안 제 i 제어선(CLi)을 통해 제어 신호가 공급된다. 도 18을 참조하면, 상기 스위칭 신호 및 상기 제어 신호는 기간(t3 ~ t5)동안 공급되는 것으로 도시되어 있다. 상기 기간(t3 ~ t5) 동안, 스위칭 신호가 공급되어 제 1 내지 제 m 스위칭 트랜지스터(STR1 내지 STRm)가 턴-온 된다. 따라서 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)에 나타나는 전압은 스위칭부로 전달될 수 있다. 또한, 상기 기간(t3 ~ t5) 동안, 제 i 제어선(CLi)을 통해 제어 신호가 공급되어, i 번째 행들에 위치한 화소들 내 제 8 트랜지스터(T8)가 턴-온 된다. 즉, 상기 기간(t3 ~ t5)은 센싱 기간으로서, 센싱 전류가 i 번째 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드를 경유하여 흐르고, 대응하는 센싱 전압이 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)에 발생하게 된다. 상기 센싱 전압은 제 1 내지 제 m 스위칭 트랜지스터들(STR1 내지 STRm)을 통해 센싱부로 전달된다. 따라서, 상기 기간(t3 ~ t5) 동안 i 번째 행들에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대한 열화 정보가 센싱부에 전달될 수 있다.
한편, 기간(t4)에서는 제 1 내지 제 3 디먹스-제어 신호(CS1 내지 CS3)가 공급되지 않는다.
도 18에서는 기간(t3 ~ t5) 동안 i 번째 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대하여 전류 센싱을 수행하는 실시예가 도시되어 있다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 기간(t3 ~ t5) 중 일부 기간 동안 i 번째 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대하여 전류 센싱을 수행할 수 있다. 즉, i 번째 행에 대한 전류 센싱 기간은 도 18에 도시된 것과 같이 기간(t3 ~ t5) 전체 동안 수행될 수도 있으나, 기간(t3) 동안에만 수행될 수도 있고, 기간(t4) 동안에만 수행될 수도 있으며, 기간(t5) 동안에만 수행될 수도 있다. i 번째 행에 대한 센싱 기간은 이에만 한정되는 것이 아니며, 실시예에 따라 기간(t3 ~ t5) 중 임의의 일부 기간 동안에 수행될 수 있다.
기간(t5) 동안 제 i 주사선(Si)을 통해 주사 신호가 공급된다. 제 i 주사선(Si)으로 주사 신호가 공급되면 i+1 번째 행에 위치한 화소들 각각에 포함된 제 4 트랜지스터(T4) 및 제 7 트랜지스터(T7)가 턴-온 된다. i+1 번째 행에 위치한 화소들의 제 4 트랜지스터(T4)는 제 i 주사선(Si-2)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온 되어 제 1 트렌지스터(T1)의 게이트 전극이 연결된 노드로 초기화 전원(VINT)의 전압을 공급한다. 제 7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원(VINT)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속된다. 그리고, 제 7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 제 i 주사선(Si)에 접속된다. 이와 같은 제 7 트랜지스터(T7)는 제 i 주사선(Si)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(VINT)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 공급한다. 이후, 기간(t6) 동안에는 기간(t2)와 유사하게, 다중화-데이터선(MD)들을 통해 공급된 데이터 신호에 대응하는 전압이 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)에 충전된다. 한편, 기간(t7) 동안에는 제 i+1 주사선(Si+1)을 통해 주사 신호가 공급되고, 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)에 충전되어 있던 전압이 i+1 번째 행들에 위치한 화소들의 스토리지 커패시터(CSTG)에 저장된다. 다음으로, 기간(t7) 이후에, 제 i+1 발광 제어 신호(Ei+1)에 의해 i+1 번째 행에 위치한 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드는 각각의 데이터 전압에 대응하는 휘도로 발광한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 화소부 내 전체 화소들 중 일부 화소에 대해 전류 센싱을 수행할 수 있다. 구체적으로, 표시 장치의 타이밍 제어부(1410)는 도 4, 도 5, 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명한 것과 같이 센싱할 화소들이 위치한 행(row)을 결정할 수 있다. 이후에, 타이밍 제어부(1410)의 제어에 따라, 도 18을 참조하여 설명한 것과 같이 화소부 내 일부 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해서는 전류 센싱을 수행할 수 있다. 또한, 나머지 행에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드는 데이터 구동부를 통해 전달받은 데이터 전압에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소에 대한 전류 센싱 경로를 나타내는 블록도이다. 도 19를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성 요소들이 도시되어 있다. 특히 도 19에는 제 2 데이터선(D2)에 연결된 화소의 전류 센싱 경로가 도시되어 있다.
도 19에 도시된 제 2 데이터선(D2)에는 화소(1930)가 연결되어 있다. 상기 화소(1930)는 타이밍 제어부에 의해 전류 센싱을 수행할 것으로 결정된 행(row)에 위치한 화소이다. 한편, 스위칭부에 포함되는 제 2 제어 트랜지스터(CTR2) 및 제 2 스위칭 트랜지스터(STR2) 또한 제 2 데이터선(D2)에 연결된다. 제 2 제어 트랜지스터(CTR2)는 데이터 구동부(1910)에 연결된다. 전술한 바와 같이, 제 2 제어 트랜지스터(CTR2)는 게이트 전극으로 입력되는 제 2 디먹스-제어 신호에 의해 턴-온 되어 데이터 구동부(1910)로부터 제공되는 데이터 전압을 제 2 데이터선(D2)에 전달할 수 있다. 상기 데이터 전압은 제 2 데이터선(D2)에 연결된 제 2 데이터 커패시터(C2)에 임시 저장될 수 있다. 또한, 제 2 스위칭 트랜지스터(STR2)는 스위칭선(SW)으로부터 공급되는 스위칭 제어 신호에 의해 턴-온 되어 제 2 데이터선(D2)을 제 2 센싱선(SL2)과 전기적으로 연결할 수 있다.
한편, 제 2 데이터 커패시터(C2)에는 이전 행(row) 데이터 전압이 저장되어 있을 수 있다. 즉, 도 19의 화소(1930)가 i 번째 행에 위치한 화소인 경우에, 전류 센싱 직전에 제 2 데이터 커패시터(C2)에는 i-1 번째 행 및 2번째 열에 위치하는 화소의 데이터 전압이 저장되어 있을 수 있다. 따라서, 화소(1930) 내 유기 발광 다이오드(OLED)의 전류 센싱 시, 센싱 전압이 제 2 데이터 커패시터(C2)에 저장된 데이터 전압에 의해 영향을 받을 수 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 센싱 기간에 제 2 데이터선(D2)의 제 2 데이터 커패시터(C2)에 저장된 전압을 초기화한 이후에 화소(1930)의 유기 발광 다이오드의 전류 센싱을 수행할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 센싱부(1950)는 초기화 전압원(1951), 센싱 전류원(1952), 초기화 스위칭 소자(1953) 및 센싱 스위칭 소자(1954)를 포함할 수 있다. 센싱 기간 초기에, 초기화 스위칭 소자(1953)는 닫힌(closed) 상태를 유지하여 초기화 전압원(1951)과 제 2 데이터선(D2)을 전기적으로 연결할 수 있다. 또한 상기 기간 동안, 센싱 스위칭 소자(1954)는 열린(open) 상태를 유지하여 센싱 전류원(1952)을 제 2 데이터선(D2)과 전기적으로 분리할 수 있다. 일 실시예에서, 초기화 전압원(1951)은 정전압원일 수 있다. 따라서, 초기화 스위칭 소자(1953)에 의해 제 2 데이터선(D2)과 연결된 초기화 전압원(1951)은 제 2 데이터 커패시터(C2)의 전압을 초기화할 수 있다.
제 2 커패시터(C2)의 전압이 초기화된 이후에, 초기화 스위칭 소자(1953)는 열린(open) 상태로 변경되고, 센싱 스위칭 소자(1954)는 닫힌(close) 상태로 변경될 수 있다. 따라서, 센싱 전류원(1952)이 센싱 스위칭 소자(1954)에 의해 제 2 데이터선(D2)과 연결되어 화소(1930)에 포함된 유기 발광 다이오드의 전류 센싱이 수행될 수 있다.
도 19에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 센싱 기간의 초반에 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)의 데이터 커패시터(C1 내지 Cm)에 저장된 전압을 초기화하고, 이후에 제 1 내지 제 m 데이터선(D1 내지 Dm)과 연결된 화소들의 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하므로, 센싱 정확도를 향상시킬 수 있다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소에 대한 전류 센싱 경로를 나타내는 또다른 블록도이다.
도 20을 참조하면, 제 1 및 제 2 데이터선(D1, D2)과, 각 데이터선 D1, D2에 연결된 화소(2020, 2030)가 도시되어 있다. 또한, 각각의 데이터선 D1, D2에 연결된 제 1 및 제 2 제어 트랜지스터(CTR, CTR2), 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터(STR1, STR2), 제 1 및 제 2 데이터 커패시터(C1, C2)가 도시되어 있다. 한편, 제 1 및 제 2 제어 트랜지스터(CTR, CTR2)는 데이터 구동부(2010)에 연결된다.
한편, 제 2 데이터선(D2)은 센싱 스위칭 소자(2054)에 의해 센싱 전류원(2052)과 선택적으로 연결될 수 있다. 또한, 차분 회로(2051)는 제 1 데이터선(D1) 및 제 2 데이터선(D2)과 연결된다.
센싱 기간이 시작되면, 센싱 스위칭 소자(2054)의 상태는 닫힌(closed) 상태로 변경되고, 센싱 전류원(2052)으로부터 센싱 전류가 화소(2030)로 전달된다. 한편 제 2 데이터 커패시터(C2)는 이전 행의 화소 데이터에 대응하는 전압이 저장되어 있다. 다시 말하면, 화소들(2020, 2030)이 i 번째 행에 위치한 화소인 경우, 제 2 데이터 커패시터(C2)에는 i-1 번째 행 및 두 번째 열(이하, (i-1, 2)로 표시)에 위치한 화소의 데이터에 대응하는 전압이 저장되어 있을 수 있다. 센싱 전류가 화소(2030) 내 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 흐르는 경우, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도에 대응하는 전압 변화가 제 2 데이터선(D2)에 발생하게 된다. 차분 회로(2051)는 센싱 전류를 인가함으로써 변화한 제 2 데이터선(D2)의 전압과 제 1 데이터선(D1)의 전압을 차분한다. 제 1 데이터선(D1)에 연결된 제 1 데이터 커패시터에는 이전 행에 위치한 화소의 데이터에 대응하는 전압이 저장되어 있다. 구체적으로, 화소들(2020, 2030)이 i 번째 행에 위치한 화소인 경우, 제 1 데이터 커패시터(C2)에는 i-1 번째 행 및 첫 번째 열(이하, (i-1, 1)로 표시)에 위치한 화소의 데이터에 대응하는 전압이 저장되어 있을 수 있다.
확률적으로, (i-1, 2)에 위치한 화소의 데이터와 (i-1, 1)에 위치한 화소의 데이터는 유사할 가능성이 높다. 따라서, 제 2 데이터선(D2)에 센싱 전류를 인가한 후 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정도에 따라 변화한 제 2 데이터선(D2)의 전압에서 제 1 데이터선(D1)의 전압을 차분하여, 센싱 전류에 따라 나타나는 센싱 전압을 근사적으로 구할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는, 데이터선에 센싱 전류를 인가한 후에 나타나는 전압에서 인접한 데이터선에 나타나는 전압을 차분함으로써 유기 발광 다이오드의 열화 정도를 나타내는 센싱 전압을 생성할 수 있다. 차분 회로(2051)에 의해 차분된 전압은 센싱부 내 센싱 회로에 전달될 수 있다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 21을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 각 프레임 기간(Fk, Fk+1)마다, 일부 화소들은 대응하는 데이터 전압에 따라 발광하고 일부 화소들에 대하여는 전류 센싱 동작을 수행하도록 한다.
k번째 프레임 기간(Fk)을 참조하면 주사 신호가 순차적으로 공급되다가 제 i+1 주사선(Si+1)에는 공급되지 않는다. 도 21에는 도시되지 않았으나 이 경우 제 i+1 제어선(CSi+1)에 제어 신호가 공급될 수 있다. 따라서, k 번째 프레임 기간(Fk)에서, i+1 번째 행에 위치한 화소들에 대하여는 전류 센싱이 수행된다. 또한 k 번째 프레임 기간(Fk)에서, i+1번째 행을 제외한 나머지 행들에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드는 공급되는 데이터 전압에 기초하여 발광한다.
한편, k+1 번째 프레임 기간(Fk+1)에서, i-2 번째 행에 위치한 화소들에 대하여는 전류 센싱이 수행된다. 또한 k+1 번째 프레임 기간(Fk+1)에서, i-2번째 행을 제외한 나머지 행들에 위치한 화소들의 유기 발광 다이오드는 공급되는 데이터 전압에 기초하여 발광할 수 있다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 동작을 설명하기 위한 또다른 타이밍도이다. 도 22를 참조하면, k 번째 프레임 기간(Fk)에서는 화소 내 유기 발광 다이오드의 전류 센싱이 수행되지 않는다. 즉, k 번째 프레임 기간(Fk)에서는 전류 센싱 없이, 전체 화소들의 유기 발광 다이오드가 데이터 전압에 대응하는 휘도로 각각 발광한다.
한편, k+1번째 프레임 기간(Fk+1)에서 타이밍 제어부에 의해 선택된 일부 행에 위치한 화소들에 대해 전류 센싱을 수행한다. k+1 번째 프레임 기간(Fk+1)에서, 제 1 내지 제 n 주사선(Si 내지 Sn)을 통해 주사 신호가 공급되지 않을 수 있다. 한편 k+1 번째 프레임 기간(Fk+1)에서, 전류 센싱이 수행되지 않는 화소들은 k 번째 프레임 기간(Fk)의 데이터에 기초하여 발광할 수 있다. 다른 실시예에서, k+1 번째 프레임 기간(Fk+1)에서, 전류 센싱이 수행되지 않는 화소들은 비발광 상태를 유지할 수 있다. 이 경우, 전류 센싱을 위해 선택된 행을 제외한 행들에 대응하는 발광 제어선(E)에 발광 신호를 인가하는지 여부에 따라, 전류 센싱이 수행되지 않는 화소들의 발광 또는 비발광 여부가 결정될 수 있다.
이 때, 처리 흐름도 도면들의 각 블록과 흐름도 도면들의 조합들은 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들에 의해 수행될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 이들 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은 범용 컴퓨터, 특수용 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비의 프로세서에 탑재될 수 있으므로, 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비의 프로세서를 통해 수행되는 그 인스트럭션들이 흐름도 블록(들)에서 설명된 기능들을 수행하는 수단을 생성하게 된다. 이들 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은 특정 방식으로 기능을 구현하기 위해 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비를 지향할 수 있는 컴퓨터를 이용하거나 또는 컴퓨터 판독 가능 메모리에 저장되는 것도 가능하므로, 그 컴퓨터를 이용하거나 컴퓨터 판독 가능 메모리에 저장된 인스트럭션들은 흐름도 블록(들)에서 설명된 기능을 수행하는 인스트럭션 수단을 내포하는 제조 품목을 생산하는 것도 가능하다. 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비 상에 탑재되는 것도 가능하므로, 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비 상에서 일련의 동작 단계들이 수행되어 컴퓨터로 실행되는 프로세스를 생성해서 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비를 수행하는 인스트럭션들은 흐름도 블록(들)에서 설명된 기능들을 실행하기 위한 단계들을 제공하는 것도 가능하다.
또한, 각 블록은 특정된 논리적 기능(들)을 실행하기 위한 하나 이상의 실행 가능한 인스트럭션들을 포함하는 모듈, 세그먼트 또는 코드의 일부를 나타낼 수 있다. 또, 몇 가지 대체 실행 예들에서는 블록들에서 언급된 기능들이 순서를 벗어나서 발생하는 것도 가능함을 주목해야 한다. 예컨대, 잇달아 도시되어 있는 두 개의 블록들은 사실 실질적으로 동시에 수행되는 것도 가능하고 또는 그 블록들이 때때로 해당하는 기능에 따라 역순으로 수행되는 것도 가능하다.
이 때, 본 실시예에서 사용되는 '~부'라는 용어는 소프트웨어 또는 FPGA또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미하며, '~부'는 어떤 역할들을 수행한다. 그렇지만 '~부'는 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. 따라서, 일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들, 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부'들로 더 분리될 수 있다. 뿐만 아니라, 구성요소들 및 '~부'들은 디바이스 또는 보안 멀티미디어카드 내의 하나 또는 그 이상의 CPU들을 재생시키도록 구현될 수도 있다.
본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
110: 주사 구동부 120: 데이터 구동부
130: 화소부 140: 화소
150: 타이밍 제어부 160: 제어선 구동부
170: 스위칭부 180: 센싱부
190: 제어 블록

Claims (37)

  1. 복수의 화소들을 포함하는 화소부;
    상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 주사선들에 주사 신호를 공급하는 주사 구동부;
    상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 데이터선들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부;
    상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 제어선들에 제어 신호를 공급하는 제어선 구동부;
    센싱 기간 동안 상기 복수의 데이터선들로부터 센싱 전압을 수신하는 센싱부;
    상기 복수의 데이터선들을 상기 데이터 구동부와 상기 센싱부에 선택적으로 연결하는 스위칭부; 및
    상기 주사 구동부, 데이터 구동부, 제어선 구동부, 센싱부 및 스위칭부의 동작을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하고,
    상기 타이밍 제어부는 상기 화소부의 제1 그룹에 대응되는 계조 데이터의 대표값을 계산하고, 상기 대표값에 대응하여 상기 복수의 제어선들 중 적어도 하나의 제어선에 제어 신호가 공급되도록 상기 제어선 구동부를 제어하되, 상기 대표값이 제1 기준값보다 클 때 상기 화소부의 상기 제1 그룹에 대한 전류 센싱을 수행하도록 결정하고,
    상기 센싱부는 상기 타이밍 제어부의 제어에 따라 상기 복수의 화소들 중 상기 제어 신호가 공급되는 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 복수의 화소들을 포함하는 화소부;
    상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 주사선들에 주사 신호를 공급하는 주사 구동부;
    상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 데이터선들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부;
    상기 복수의 화소들에 연결된 복수의 제어선들에 제어 신호를 공급하는 제어선 구동부;
    센싱 기간 동안 상기 복수의 데이터선들로부터 센싱 전압을 수신하는 센싱부;
    상기 복수의 데이터선들을 상기 데이터 구동부와 상기 센싱부에 선택적으로 연결하는 스위칭부; 및
    상기 주사 구동부, 데이터 구동부, 제어선 구동부, 센싱부 및 스위칭부의 동작을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하고,
    상기 타이밍 제어부는 외부에서 입력되는 제 1 데이터에 기초하여 상기 복수의 제어선들 중 적어도 하나의 제어선에 제어 신호가 공급되도록 상기 제어선 구동부를 제어하고,
    상기 센싱부는 상기 타이밍 제어부의 제어에 따라 상기 복수의 화소들 중 상기 제어 신호가 공급되는 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드에 대해 전류 센싱을 수행하되,
    상기 타이밍 제어부는:
    상기 제 1 데이터를 임시 저장하는 프레임 메모리;
    전류 센싱을 수행할 화소들을 결정하는 기준이 되는 제 1 기준값을 저장하는 레지스터부; 및
    상기 제 1 데이터에 기초하여, 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 대표값을 계산하고, 상기 대표값과 상기 제 1 기준값을 비교하는 센싱 라인 결정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 센싱 라인 결정부는,
    상기 대표값이 상기 제 1 기준값보다 큰 경우, 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하도록 결정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제어선 구동부는,
    상기 전류 센싱을 수행하도록 한 결정에 대응하여, 상기 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 연결된 제어선으로 제어 신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 스위칭부는,
    상기 행에 대응하는 1 수평기간 동안, 상기 복수의 데이터선들을 상기 센싱부에 연결하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 센싱 라인 결정부는,
    상기 대표값이 상기 제 1 기준값과 같거나 그보다 작은 경우, 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하지 않도록 결정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제어선 구동부는,
    상기 전류 센싱을 수행하지 않도록 한 결정에 대응하여, 상기 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 연결된 제어선으로 제어 신호를 공급하지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 주사 구동부는,
    상기 전류 센싱을 수행하지 않도록 한 결정에 대응하여, 상기 대응하는 행에 위치한 상기 화소들에 연결된 주사선으로 주사 신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 스위칭부는,
    상기 행에 대응하는 1 수평 기간 동안, 상기 복수의 데이터선들을 상기 데이터 구동부에 연결하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 대응하는 행에 위치한 화소들은,
    상기 복수의 데이터선을 통해 상기 데이터 구동부로부터 데이터 신호를 전달받고,
    각각의 화소에 포함된 유기 발광 다이오드는 상기 전달받은 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 센싱부는,
    전류 센싱 결과에 기초하여 상기 제어 신호가 공급되는 화소들에 포함된 유기 발광 다이오드의 열화 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 센싱부는:
    상기 전류 센싱의 결과 상기 복수의 데이터선에 생성되는 전압을 감지하는 센싱 회로; 및
    상기 감지된 전압을 디지털 값으로 변환하여, 상기 변환된 디지털 값을 상기 유기 발광 다이오드의 열화 정보로서 생성하는 아날로그 디지털 변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 센싱 회로는:
    상기 복수의 데이터선에 센싱 전류를 인가하는 센싱 전류원; 및
    상기 센싱 전류를 인가하는 동안 상기 복수의 데이터선에 생성되는 전압을 감지하는 전압 감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 센싱 전류원은,
    고정 전류원으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 센싱 전류원은,
    가변 전류원으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 센싱부에 의해 생성되는 상기 열화 정보를 저장하는 제어 블록을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 타이밍 제어부는,
    상기 제어 블록으로부터 상기 열화 정보를 수신하고, 상기 열화 정보에 기초하여 외부에서 입력되는 제 1 데이터를 상기 화소들의 유기 발광 다이오드의 열화(deterioration)를 보상한 제 2 데이터로 변환하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제 2 항에 있어서,
    상기 대표값은 상기 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 평균값(mean)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제 2 항에 있어서,
    상기 대표값은 상기 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 중간값(median)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제 2 항에 있어서,
    상기 대표값은 상기 각 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 최빈값(mode)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  21. 제 1 항에 있어서, 상기 타이밍 제어부는,
    외부에서 입력되는 제 1 데이터를 누적하여 저장하는 발광 정보 저장부;
    상기 발광 정보 저장부에 누적하여 저장된 상기 제 1 데이터에 기초하여, 상기 복수의 화소들 중 제 1 발광 영역에 속하는 화소들을 검출하는 영역 검출부; 및
    상기 제 1 발광 영역에 기초하여, 전류 센싱을 수행할 센싱 라인을 결정하는 센싱 라인 결정부를 포함하고,
    상기 제 1 발광 영역은 소정 시간 동안 소정 휘도 이상으로 발광하는 영역으로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 영역 검출부는,
    제 2 기준값 및 제 1 임계값을 저장하는 레지스터부;
    상기 제 2 기준값보다 높은 계조 데이터를 상기 제 1 임계값을 초과하는 횟수로 연속하여 입력받는 화소들을 검출하는 화소 검출부; 및
    상기 화소 검출부에 의해 검출된 화소들에 기초하여 상기 제 1 발광 영역을 결정하는 발광 영역 결정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  23. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은,
    유기 발광 다이오드; 및
    상기 주사선들 중 하나, 상기 데이터선들 중 하나, 상기 제어선들 중 하나 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 연결되고, 상기 유기 발광 다이오드로 공급되는 전류를 제어하며, 전류 센싱 동작 기간 동안 상기 유기 발광 다이오드에 센싱 전류를 전달하는 화소 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 화소 회로는
    상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 데이터선 사이에 연결되는 센싱 트랜지스터를 포함하고,
    상기 센싱 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제어선들 중 하나와 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  25. 복수의 주사선들, 데이터선들 및 제어선들에 연결되고, 복수의 화소들을 포함하는 화소부;
    상기 복수의 화소들에 대응되는 계조 데이터에 기초하여, 상기 제어선들 중 적어도 하나의 제어선에 제어 신호를 공급하는 제어선 구동부; 및
    상기 제어 신호를 공급받는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하는 센싱부; 및
    상기 제어선 구동부 및 상기 센싱부의 동작을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하되,
    상기 복수의 화소들은 n×m 매트릭스 형태로 배치되고,
    상기 복수의 제어선들은 n 개의 제어선들을 포함하고,
    상기 타이밍 제어부는,
    상기 계조 데이터에 기초하여, 상기 전류 센싱을 수행할 상기 n 개의 제어선들 중 적어도 하나를 결정하고,
    상기 제어선 구동부는 상기 타이밍 제어부의 결정에 의해 결정된 상기 n 개의 제어선들 중 적어도 하나의 제어라인에 상기 제어 신호를 공급하고,
    상기 타이밍 제어부는:
    상기 복수의 화소들에 대응하는 상기 계조 데이터를 임시 저장하는 프레임 메모리;
    전류 센싱을 수행할 화소들을 결정하는 기준이 되는 제 1 기준값을 저장하는 레지스터부; 및
    상기 프레임 메모리에 저장된 상기 계조 데이터에 기초하여, i 번째 행(i는 1 보다 크거나 같고 n 보다 작거나 같은 자연수)에 위치한 화소들에 대응하는 상기 계조 데이터의 대표값을 계산하고, 상기 대표값과 상기 제 1 기준값을 비교하는 센싱 라인 결정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 제 25 항에 있어서, 상기 센싱 라인 결정부는,
    상기 대표값이 상기 제 1 기준값보다 큰 경우, 상기 i 번째 행에 위치한 상기 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하도록 결정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 대표값은 상기 i 번째 행에 위치한 화소들에 대응하는 데이터의 평균값(mean)인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  30. 복수의 주사선들, 데이터선들 및 제어선들에 연결되고, 복수의 화소들을 포함하는 화소부;
    상기 복수의 화소들에 대응되는 계조 데이터에 기초하여, 상기 제어선들 중 적어도 하나의 제어선에 제어 신호를 공급하는 제어선 구동부; 및
    상기 제어 신호를 공급받는 화소들에 대해 전류 센싱을 수행하는 센싱부; 및
    상기 제어선 구동부 및 상기 센싱부의 동작을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하되,
    상기 복수의 화소들은 n×m 매트릭스 형태로 배치되고,
    상기 복수의 제어선들은 n 개의 제어선들을 포함하고,
    상기 타이밍 제어부는,
    상기 계조 데이터에 기초하여, 상기 전류 센싱을 수행할 상기 n 개의 제어선들 중 적어도 하나를 결정하고,
    상기 제어선 구동부는 상기 타이밍 제어부의 결정에 의해 결정된 상기 n 개의 제어선들 중 적어도 하나의 제어라인에 상기 제어 신호를 공급하고,
    상기 타이밍 제어부는:
    상기 복수의 화소들에 대응하는 상기 계조 데이터를 누적하여 저장하는 발광 정보 저장부;
    상기 발광 정보 저장부에 누적하여 저장된 상기 계조 데이터에 기초하여, 상기 복수의 화소들 중 제 1 발광 영역에 속하는 화소들을 검출하는 영역 검출부; 및
    상기 제 1 발광 영역에 기초하여, 전류 센싱을 수행할 센싱 라인을 결정하는 센싱 라인 결정부를 포함하고,
    상기 제 1 발광 영역은 소정 시간 동안 소정 휘도 이상으로 발광하는 영역으로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 영역 검출부는,
    제 2 기준값 및 제 1 임계값을 저장하는 레지스터부;
    상기 제 2 기준값보다 높은 계조 데이터를 상기 제 1 임계값을 초과하는 횟수로 연속하여 입력받는 화소들을 검출하는 화소 검출부; 및
    상기 화소 검출부에 의해 검출된 화소들에 기초하여 상기 제 1 발광 영역을 결정하는 발광 영역 결정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  32. 제 25 항에 있어서,
    상기 복수의 데이터선들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부;
    상기 복수의 주사선들에 주사 신호를 공급하는 주사 구동부; 및
    상기 복수의 데이터선들을 상기 데이터 구동부 및 상기 센싱부 중 어느 하나와 선택적으로 연결하는 스위칭부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 스위칭부는 상기 데이터 구동부로부터 출력되는 상기 데이터 신호를 디먹싱(Demuxing)하여 상기 복수의 데이터선들에 공급하는 복수의 디멀티플렉서(Demultiplexer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  34. 제 25 항에 있어서, 상기 센싱부는:
    센싱 기간 동안에 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나에 나타나는 전압을 초기화하기 위한 초기화 전압원; 및
    상기 초기화 전압원이 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나에 나타나는 전압을 초기화한 이후에, 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나에 센싱 전류를 전달하는 센싱 전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 센싱부는 상기 초기화 전압원 및 상기 센싱 전류원 중 어느 하나를 상기 복수의 데이터선들 중 적어도 하나와 선택적으로 연결하기 위한 적어도 하나의 스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  36. 제 25 항에 있어서,
    상기 센싱부는:
    상기 복수의 데이터선들 중 j 번째 데이터선(j는 1 보다 크거나 같고 m 보다 작거나 같은 자연수)에 센싱 전류를 공급하도록 구성되는 센싱 전류원; 및
    상기 센싱 전류원이 센싱 전류를 상기 j 번째 데이터선에 공급하는 동안에, 상기 j 번째 데이터선에 나타나는 전압과 상기 j 번째 데이터선과 인접하여 위치한 데이터선에 나타나는 전압을 차분하도록 구성되는 차분 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 센싱부는 상기 센싱 전류원을 상기 j 번째 데이터선과 선택적으로 연결하기 위한 스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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