KR102604730B1 - 표시장치 및 이의 구동방법 - Google Patents

표시장치 및 이의 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 표시장치는, 제1 구동전압이 입력되는 제1전극 및 제1 구동전압 보다 저전위의 제2 구동전압이 입력되는 제2전극을 갖는 발광소자를 포함하는 서브픽셀; 상기 제2 구동전압과 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 선택적으로 입력하는 스위칭부; 및 상기 제2전극에 상기 제3구동전압이 입력되면 상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 센싱부를 포함한다.

Description

표시장치 및 이의 구동방법{Display Device and Driving Method Thereof}
본 발명은 표시장치 및 이의 구동방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "발광소자"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
유기발광 표시장치는 발광소자를 각각 포함한 서브픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 서브픽셀들의 휘도를 조절한다. 서브픽셀들 각각은 자신의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광소자에 입력되는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한다. 발광소자의 발광량은 구동전류에 비례하며, 이 발광량으로 표시 계조(휘도)가 조절된다.
유기발광 표시장치는 구동시간이 경과 함에 따라서 발광소자의 문턱전압(동작점 전압)이 증가하고 발광효율이 감소하는 열화 특성을 갖는다. 발광소자의 열화 정도는 서브픽셀마다 달라질 수 있다. 서브픽셀들 간 발광소자의 열화 편차는 휘도 편차와 화질 저하를 야기한다.
발광소자의 열화를 보상하기 위해 발광소자의 열화를 센싱하여 입력 영상 데이터를 변조하는 보상 방식이 다수 알려져 있다. 종래기술에 따른 발광소자의 열화 센싱 방법은, 센싱용 데이터전압을 캐패시터에 충전하여 발광소자를 구동시키고, 일정 시간 후 캐패시터에 남은 전압을 감지하여 발광소자에 의해 방전된 전압을 추출함으로써 발광소자의 동작 전압 특성(Vf)를 감지한다.
그런데, 종래기술에 따른 발광소자의 열화 센싱방법은 충분히 높은 전압의 센싱용 데이터전압을 요구하기 때문에 소비전력이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광소자의 열화 센싱 시 소비되는 전력을 감소시킴으로써 전력 효율을 향상시킬 수 있는 표시장치 및 이의 구동방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 제1 구동전압이 입력되는 제1전극 및 제1 구동전압 보다 저전위의 제2 구동전압이 입력되는 제2전극을 갖는 발광소자; 상기 제2 구동전압과 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 선택적으로 입력하는 스위칭부; 및 상기 제2전극에 상기 제3구동전압이 입력되면 상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 센싱부;를 포함한다.
스위칭부는, 상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고, 상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작할 수 있다.
스위칭부는, 상기 제2전극과 상기 제3 공급전압의 공급 라인에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 센싱모드 선택신호에 따라 턴온되는 제1TFT; 및 상기 제2전극과 상기 제2 구동전압의 공급라인에 소스전극와 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 노멀모드 선택신호에 따라 턴온되는 제2TFT;를 포함할 수 있다.
상기 제1 구동전압은 고전위 구동전압(EVDD); 상기 제2 구동전압은 저전위 구동전압(EVSS); 및 상기 제3 구동전압은 게이트로우전압(VGL);을 포함할 수 있다.
상기 센싱 데이터 전압이 공급되면 상기 발광소자와 병렬로 연결되어 상기 센싱 데이터 전압을 충전하고, 상기 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 상기 센싱 데이터 전압을 상기 발광소자에 공급하는 센싱 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
센싱부는, 상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지할 수 있다.
상기 스위칭부가 상기 제2 구동전압 또는 상기 제3 구동전압을 선택하도록 모드 선택신호를 출력하고, 상기 센싱부로부터 수신된 상기 발광소자의 구동 전압 특성에 기초하여 상기 발광소자에 공급되는 영상 데이터 전압을 보상하는 타이밍 제어부를 포함할 수 있다.
모드 선택신호는, 상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호와 상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 애노드 전극 및 캐소드 전극을 갖는 발광소자, 노멀모드에서 상기 애노드 전극에 영상 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인을 연결하고 센싱모드에서 상기 애노드 전극에 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱 라인을 연결하는 스위칭 TFT를 포함하는 서브픽셀; 상기 캐소드 전극에 게이트로우전압(VGL)을 공급하는 제1 배선; 상기 캐소드 전극에 저전위 구동전압(EVSS)을 공급하는 제2 배선; 상기 센싱모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제2배선을 선택적으로 연결하는 제1 스위치; 상기 노멀모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제2배선을 연결하는 제2스위치;를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 열화 보상방법은, 제1 구동전압이 입력되는 제1전극 및 제2 구동전압이 입력되는 제2전극을 갖는 발광소자를 포함하는 표시장치의 열화 보상방법에 있어서, 센싱모드에서 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계; 상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계; 상기 센싱 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계; 및 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계;를 포함한다.
노멀모드에서 상기 제2 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계; 상기 제1전극에 영상 데이터 전압을 공급하는 단계; 및 상기 영상 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계를 포함할 수 있다.
노멀모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고, 상기 센싱모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작하는 스위칭부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 발광소자가 노멀 구동하는 경우와 센싱 구동하는 경우 발광소자의 캐소드 전극에 각기 다른 전위의 전원을 연결함으로써 발광소자의 열화 감지를 위해 입력되는 센싱 데이터 전압이 기존에 비해 현저히 낮은 경우에도 발광소자의 동작 전압 특성(Vf)를 감지할 수 있다. 이와 같이, 센싱용 데이터 전압이 감소 됨에 따라 열화 센싱 시 소비되는 전력이 감소될 수 있으며, 결과적으로 표시장치의 전력 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시장치의 픽셀 어레이의 개략적인 블럭도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서 발광소자의 열화 특성을 감지하기 위한 구성을 도시한 블럭도이다.
도 4는 센싱모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 등가 회로를 이용하여 발광소자의 열화특성을 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 노멀모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 데이터 드라이브 IC와 픽셀 어레이 간의 배선 연결을 상세히 보여 주는 도면이다.
도 8은 도7의 표시장치의 발광소자의 열화특성을 센싱하는 회로의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 7의 등가 회로를 이용하여 발광소자의 열화특성을 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 노멀모드에서 도 7의 표시장치의 발광소자의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 11은 도 7의 표시장치의 구동 방법을 설명하기 위한 신호 파형도이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용될 수 있으나, 이 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로와 게이트 구동부는 n 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않고 p 타입 MOSFET 구조의 TFT로 구현될 수도 있다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 TFT (NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 TFT에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 이에 반해, p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 실시예에 대한 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1 전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2 전극으로 기술한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 실시예에서, 표시장치는 유기발광 물질을 포함한 유기발광 표시장치를 중심으로 설명한다. 하지만, 본 명세서의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있음에 주의하여야 한다.
이하의 설명에서, 본 명세서와 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1의 표시장치의 픽셀 어레이의 개략적인 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치는 타이밍 제어부(110), 게이트 구동부(130), 데이터 구동부(120) 및 표시패널(100)을 포함한다.
표시패널(100)에는 다수의 데이터라인들(14) 및 게이트라인들(15)이 교차되고, 교차영역마다 서브픽셀(SP)이 매트릭스 형태로 배치된다. 서브픽셀(SP)은 발광소자, 예컨대, OLED를 포함할 수 있다. 표시패널(100)에는 발광소자(OLED)의 구동을 위한 고전위 구동전압(EVDD) 및 저전위 구동전압(EVSS)이 공급된다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 센싱 데이터 전압(VREF) 및 게이트라인전압(VGL)이 공급된다.
타이밍 제어부(110)는 영상 처리부로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 디지털 영상 데이터(DATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(110)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다.
게이트 구동부(130)는 타이밍 제어부(110)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔신호를 출력한다. 게이트 구동부(130)는 게이트라인들(15)을 통해 게이트하이전압(VGH)과 게이트로우전압(VGL)으로 이루어진 스캔신호를 출력한다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(110)의 제어에 따라 서브픽셀(SP)에 영상 데이터 전압(Vdata)을 공급하여 표시하는 노멀모드와, 센싱 전압(Vsen)을 획득하기 위한 센싱모드로 구동될 수 있다. 노멀모드에서 데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(110)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 디지털 영상 데이터(DATA)를 감마 기준전압을 기반으로 전압신호 형태로 변환한다. 데이터 구동부(120)는 아날로그 형식의 영상 데이터 전압(Vdata)을 데이터라인(14)을 통해 출력한다. 센싱모드에서 데이터 구동부(120)는 표시패널(100)에 포함된 발광소자(OLED)의 구동 특성(Vf)을 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 타이밍 제어부(110)로 피드백한다.
본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 노멀모드에서는 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)을 저전위 구동전압(EVSS)와 연결하고, 센싱모드 시에는 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)을 저전위 구동전압(EVSS)보다 더 낮은 마이너스 전위를 갖는 게이트로우전압(VGL)의 공급단과 연결한다. 데이터 구동부(120)는 센싱모드에서 센싱된 발광소자(OLED)의 구동 특성(Vf)을 타이밍 제어부(110)에 센싱 데이터(SD)로 제공하고, 이에, 타이밍 제어부(110)는 센싱 데이터(SD)에 기초하여 디지털 영상 데이터(DATA)를 보상한 후 데이터 구동부(120)로 출력할 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시패널(100)에는 다수의 데이터라인(14) 및 게이트라인(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 서브픽셀들(SP)이 매트릭스 형태로 배치된다.
서브픽셀(SP)들 도 2와 같이 서로 수평으로 이웃한 적색 표시용 R 서브픽셀, 녹색 표시용 G 서브픽셀, 청색 표시용 B 서브픽셀로 구현될 수 있다. 여기서, 백색 표시용 W 서브픽셀을 더 포함하는 것이 가능하고, 각 픽셀의 배열 방법 또한 다양하게 변경될 수 있다.
각 서브픽셀(SP)은 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-) 및 애노드 전극(+)에 구동전원을 공급하는 고전위 구동전압(EVDD)의 공급단 및 저전위 구동전압(EVSS)의 공급단이 연결된다.
데이터라인(14)은 노멀모드 시 영상 데이터 전압(Vdata)이 입력되고 센싱모드 시 기준 데이터 신호가 입력되는 제1데이터라인(14a), 센싱 전압이 출력되는 제2데이터라인(14b)을 포함한다.
게이트라인(15)은 영상 데이터 전압(Vdata)의 입력을 제어하는 제1스캔신호(Scan1)가 입력되는 제1게이트라인(15a), 센싱 전압의 출력을 제어하는 제2스캔신호(Scan2)가 입력되는 제2게이트라인(15b)을 포함한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(100)은 센싱모드 선택을 제어하는 SEL 신호가 입력되는 SEL 신호라인(SEL)과, 센싱모드로 구동하는 경우 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 게이트로우전압(VGL)을 공급하는 VGL 라인을 포함한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서 발광소자(OLED)의 열화 데이터를 감지하기 위한 구성을 도시한 블럭도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는, 제1 구동전압(EVDD)이 입력되는 제1전극(+) 및 제2 구동전압(EVSS)이 입력되는 제2전극(-)을 갖는 발광소자(OLED)를 포함하는 서브픽셀(SP), 제2 구동전압(EVSS)과 제2 구동전압(EVSS)보다 저전위의 제3 구동전압(VGL)을 제2전극(-)에 선택적으로 입력하는 스위칭부(200), 제2전극(-)에 제3구동전압(VGL)이 입력되면 제1전극(+)으로 센싱 데이터 전압(VREF)을 공급하고 상기 센싱 데이터 전압(VREF)에 따른 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 감지하는 센싱부(Sensing Unit, SU), 센싱부(SU)의 감지결과를 디지털 센싱 데이터(SD)로 출력하는 ADC를 포함한다. 이하 설명에서는, 제1 구동전압은 EVDD, 제2 구동전압은 EVSS, 제3 구동전압은 VGL이라 하고, 발광소자(OLED)의 제1전극(+)은 애노드 전극, 제2전극(-)은 캐소드 전극이라 한다.
서브픽셀(SP)은 발광소자(OLED), 구동 TFT(Thin Film Transistor)(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1), 및 제2 스위치 TFT(ST2)를 구비할 수 있다.
발광소자(OLED)는 구동 TFT(DT)의 소스 노드(Ns)에 접속된 애노드전극(+)과, 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극(+)과, 애노드전극(+)과 캐소드전극(-) 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함한다.
구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광소자(OLED)에 입력되는 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)는 게이트 노드(Ng)에 접속된 게이트전극, 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이에 접속된다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 스캔 제어신호(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14a) 상의 영상 데이터 전압(Vdata)을 게이트 노드(Ng)에 인가한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 제1 게이트라인(15a)에 접속된 게이트전극, 데이터라인(14A)에 접속된 드레인전극, 및 게이트 노드(Ng)에 접속된 소스전극을 구비한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 센싱 제어신호(SEN)에 응답하여 소스 노드(Ns)와 센싱 라인(14b) 간의 전류 흐름을 스위칭한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제2 게이트라인(15B)에 접속된 게이트전극, 센싱 라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다. 이상 서브픽셀(SP)에 대해 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 유기 발광다이오드(OLED), 센싱 트랜지스터(ST)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조의 서브픽셀을 일례로 설명하였지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C 등으로 구성될 수도 있다.
스위칭부(200)는 발광소자(OLED)에 영상 데이터 전압(Vdata)이 공급되는 노멀모드와 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되는 센싱모드를 선택하는 선택 신호(SEL)에 따라, 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 EVSS 또는 VGL이 연결되도록 스위칭 동작한다. 스위칭부(200)는 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)으로 EVSS를 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제1스위치(SW1)와 캐소드 전극(-)으로 VGL을 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제2스위치(SW2)를 포함할 수 있다. 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)는 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에 각각 게이트 전극이 연결될 수 있다. 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에는 입력 신호를 반전시키는 인버터가 개재되어 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)에는 상호 반대되는 입력 신호가 입력된다. 즉, 제2스위치(SW2)에 하이신호(H)가 입력되면 제1스위치(SW1)에는 로우신호(L)가 입력되고, 제2스위치(SW2)에 로우신호(L)가 입력되면 제1스위치(SW1)에는 하이신호(H)가 입력된다. 따라서, 제1스위치(SW1)가 턴온되면 제2스위치(SW2)는 오프되고, 제1스위치(SW1)가 오프되면 제2스위치(SW2)는 턴온되므로, 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에는 EVSS 또는 VGL이 선택적으로 연결될 수 있다.
센싱부(SU)는 서브픽셀(SP)의 센싱라인(14b)에 연결되어 데이터 전압(VREF)을 공급하고 발광소자(OLED)의 구동에 따른 특성 전압(Vf)을 감지할 수 있다.
발광소자(OLED)의 발광 특성 전압(Vf)을 감지하기 위해 서브픽셀(SP)의 센싱라인(14b)에는 발광소자(OLED)의 구동특성에 따른 전압이 저장되는 센싱 커패시터(Csen)가 연결될 수 있다. 센싱 커패시터(Csen)는 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되면 발광소자(OLED)와 병렬로 연결되어 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하고, 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 센싱 데이터 전압을 발광소자(OLED)에 공급할 수 있다.
센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)는 병렬 연결되는데, 일 단은 VGL과 연결되고 타단으로는 센싱 데이터 전압(VREF)이 인가된다. 여기서, VGL은 EVSS보다 더 낮은 마이너스 전위를 갖기 때문에, 센싱 커패시터(Csen)의 일단이 VGL에 연결되는 경우 상대적으로 낮은 전위의 전압으로도 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전할 수 있다. 예컨대, 기존의 표시장치의 경우 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 EVSS에 연결되며, 통상 EVSS는 0V로설정되어 있다. 따라서, 센싱 데이터 전압(VREF)을 8V정도로 입력해야 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었다. 반면, 본 발명은 EVSS 0V보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 8V보다 더 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다.
센싱모드 시 서브픽셀(SP)에는 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되고, 센싱 데이터 전압(VREF)는 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된다. 이 후, 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급을 중단하면 센싱 캐패시터(Csen)에 충전 센싱 데이터 전압(VREF)이 발광소자(OLED)로 공급되어 방전된다. 이 후, 센싱부(SU)는 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압을 감지함으로써, 발광소자(OLED)에 의해 방전된 전압을 검출하여 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 본 발명은, 기존에는 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 EVSS에 연결되어 있어 센싱 데이터 전압(VREF)이 충분히 높은 전압을 가져야만 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었던데 반해, 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)를 EVSS보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 상대적으로 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다.
도 4는 센싱모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급라인은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+) 및 센싱 커패시터(Csen)에 연결된다. 따라서, 센싱 데이터 전압(VREF)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극 및 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)에 충전된다.
발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)으로 EVSS를 입력하는 전원라인에는 제1스위치(SW1)가 연결되고 캐소드 전극(-)으로 VGL을 입력하는 전원라인에는 제2스위치(SW2)가 연결된다. 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)는 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에 각각 게이트 전극이 연결된다. 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에는 입력 신호를 반전시키는 인버터가 개재되어 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)에는 상호 반대되는 입력 신호가 입력된다. 따라서, 제1스위치(SW1)가 턴온되면 제2스위치(SW2)는 오프되고, 제1스위치(SW1)가 오프되면 제2스위치(SW2)는 턴온되어 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에는 EVSS 또는 VGL이 선택적으로 연결될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 등가 회로를 이용하여 발광소자(OLED)의 열화 특성을 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a를 참조하면, 센싱모드에 진입하면 모드 선택신호(SEL)는 센싱모드 선택신호인 하이신호(high)가 입력된다. 제2스위치(SW2)는 하이신호(high)에 의해 턴온 동작하고 제1스위치(SW1)는 하이신호(high)의 반전 신호인 로우신호(low)를 입력받아 턴오프된다.
제2스위치(SW2)가 턴온되면 VGL 전압이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)과 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)의 일단에 공급된다.
센싱 데이터 전압(VREF)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+) 및 센싱 커패시터(Csen)에 인가되어 센싱 커패시터(Csen)에 센싱 데이터 전압(VREF)가 충전된다. 여기서, VGL은 EVSS보다 더 낮은 음 전위를 갖기 때문에, 기존에 비해 낮은 전위의 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하여 센싱 커패시터(Csen)를 충전할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급이 중단되면 센싱 캐패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 직렬로 연결되어 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 센싱 데이터 전압(VREF)이 발광소자(OLED)의 애노드로 공급될 수 있다. 이에, 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 전압은 발광소자(OLED)의 발광으로 인해 방전된다.
도 5c를 참조하면, 발광소자(OLED)가 오프되면 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압의 크기를 센싱라인을 통해 감지한다. 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압을 감지함으로써, 발광소자(OLED)에 의해 방전된 전압을 검출하여 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출할 수 있다.
도 6은 노멀모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 노멀모드에서 모드 선택신호(SEL)는 노멀모드 선택신호인 로우신호(low)가 입력된다. 제2스위치(SW2)는 로우신호(low)에 의해 턴오프 동작하고 제1스위치(SW1)는 로우신호(low)의 반전 신호인 하이신호(high)를 입력받아 턴온된다.
제1스위치(SW1)가 턴온되면 EVSS 전원이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 공급된다.
영상 데이터 전압(Vdata)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+)에 인가되어 발광소자(OLED)는 영상 데이터 전압(Vdata)에 따라 발광한다.
도 7 내지 도 11을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구동방법에 대해 설명한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 데이터 드라이브 IC(DIC 와 픽셀 어레이 간의 배선 연결을 상세히 보여 주는 도면이고, 도 8은 센싱모드에서 도 7의 표시장치의 발광소자(OLED)의 열화특성을 센싱하는 회로의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 데이터 구동부(120)는 하나 이상의 데이터 드라이브 IC(DIC)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 3개의 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)로 구성된 경우를 예시하기로 한다. 각 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)는 타이밍 제어부(110, 도 1 참조)로부터 입력된 디지털 영상 데이터(DATA)를 정극성/부극성 아날로그 형식의 영상 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 데이터 라인(14, 도 1 참조)으로 출력한다.
각 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)는 데이터 라인(14)에 연결된 서브픽셀(SP)들로부터 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출하기 위한 센싱부(SU1, SU2, SU3)을 포함한다. 하나의 데이터 라인에는 동일 색상의 아날로그 영상 데이터 전압(Vdata)을 입력받는 서브픽셀(SP)들이 연결될 수 있다. 예컨대, 제1 데이터 드라이브 IC(DIC#1)에는 적색 표시용 R 서브픽셀들이 연결되고, 제2 데이터 드라이브 IC(DIC#2)에는 녹색 표시용 G 서브픽셀들이 연결되고, 제3 데이터 드라이브 IC(DIC#3)에는 청색 표시용 B 서브픽셀들이 연결될 수 있다.
데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)로부터 영상 데이터 전압(Vdata)을 입력받는 표시패널(100)은 각 서브픽셀(SP)에 영상 데이터 전압(Vdata) 또는 센싱 데이터 전압(VREF)를 선택적으로 입력하기 위한 멀티플렉서들(M1, M2, M3)을 포함한다. 멀티플렉서들(M1, M2, M3)은 타이밍 제어부(110)에서 입력되는 멀티플렉서 제어신호(D_Mux, S_Mux, REF_CTRL)에 따라 온/오프 동작이 제어될 수 있다.
제1멀티플렉서(M1)는 D_Mux 신호에 따라 온/오프 동작하여 턴온 동작 시 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)로부터 영상 데이터 전압(Vdata)을 각 서브픽셀(SP)이 연결된 데이터 라인으로 전달한다.
제2멀티플렉서(M2)는 S_Mux 신호에 따라 온/오프 동작하여 각 서브픽셀(SP)에 센싱 데이터 전압(VREF)을 공급하고, 각 서브픽셀(SP)에서 감지된 구동 전압 특성(Vf) 감지결과를 센싱부(SU1, SU2, SU3)로 전달한다.
제3멀티플렉서(M3)는 REF_CTRL 신호에 따라 온/오프 동작하여 턴온 동작 시 데이터 라인으로 공급되는 센싱 데이터 전압(VREF)의 크기를 제어하기 위한 센싱 데이터 제어라인(VREF)을 데이터 라인과 연결한다.
도 8은 센싱모드에서 도 7의 표시장치의 발광소자(OLED)의 열화특성을 센싱하는 회로의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 서브픽셀은 6T1C 구조를 가질 수 있다. 센싱모드에서는 서브픽셀은 구동되지 않기 때문에, 서브픽셀의 상세 구조 및 구동 방법에 대한 설명은 생략한다.
발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)으로 EVSS를 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제1스위치(SW1)와 캐소드 전극(-)으로 VGL을 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제2스위치(SW2)를 포함할 수 있다. 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)는 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에 각각 게이트 전극이 연결될 수 있다. 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에는 입력 신호를 반전시키는 인버터가 개재되어 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)에는 상호 반대되는 입력 신호가 입력된다.
발광소자(OLED)의 발광 특성 전압(Vf)을 감지하기 위해 서브픽셀(SP)의 센싱라인(14b)에는 발광소자(OLED)의 구동특성에 따른 전압이 저장되는 센싱 커패시터(Csen)가 연결될 수 있다. 센싱 커패시터(Csen)는 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되면 발광소자(OLED)와 병렬로 연결되어 센싱 데이터 전압을 충전하고, 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 센싱 데이터 전압을 발광소자(OLED)에 공급할 수 있다.
센싱 커패시터(Csen)는 센싱 데이터 전압이 공급되면 발광소자(OLED)와 병렬로 연결되어 센싱 데이터 전압을 충전하고, 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 센싱 데이터 전압을 발광소자(OLED)에 공급할 수 있다. 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)는 병렬 연결되는데, 일 단은 VGL과 연결되고 타단으로는 센싱 데이터 전압(VREF)이 인가된다. VGL은 통상 0V인 EVSS보다 더 낮은 마이너스 전위를 갖기 때문에, 센싱 커패시터(Csen)의 일단이 VGL에 연결되는 경우 상대적으로 낮은 전위의 전압으로도 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전할 수 있다. 기존의 표시장치의 경우 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 EVSS에 연결되며, 통상 EVSS는 0V로설정되어 있다. 따라서, 센싱 데이터 전압(VREF)을 8V정도로 입력해야 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었다. 반면, 본 발명은 EVSS 0V보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 8V보다 더 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다.
센싱부(SU)는 센싱을 위한 센싱 데이터 전압(VREF)의 입력을 제어하는 SCS 스위치 및 PRE 스위치와, 각 서브픽셀(SP)의 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압을 감지하여 출력하는 SEN 스위치를 포함한다. 센싱부(SU)는 각 서브픽셀(SP)의 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압을 감지하여 ADC로 출력한다. ADC는 센싱부(SU)의 출력을 디지털로 변환하여 센싱 데이터(SD)를 타이밍 제어부(110)에 피드백 한다.
도 9a 내지 도 9c는 발광소자(OLED)의 열화특성을 센싱하는 회로 동작을 명기 위한 도면이고, 도 10은 노멀모드에의 회로 동작을 도시한 도면이며, 도 11은 센싱모드 및 노멀모드에서의 신호 파형도이다. 본 실시예에서는, 제1스위치(SW1), 제2스위치(SW2), 제1멀티플렉서(M1) 및 제2멀티플렉서(M2)가 액티브 로우 특성을 가진 PMOS TFT인 경우를 예시하고 있다.
도 9a 내지 도 9c는 센싱모드 구동과정을 도시한 것으로서, 도 11의 파형도에서 ①, ②, ③ 구간에 각각 대응된다.
도 9a와 도 11의 파형도를 참조하면, 센싱모드 구동 기간(①, ②, ③) 동안 선택신호(SEL)는 로우(Low)로 입력된다. 이에, 제1스위치(SW1)는 오프되고 제2스위치(SW2)가 턴온된다. 제2스위치(SW2)가 턴온되면 VGL 전압이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)과 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)의 일단에 공급된다.
센싱모드 초기의 ① 구간 동안 센싱부(SU)의 PRE 스위치는 턴온되어 데이터 라인에 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급된다. 반면, 센싱부(SU)의 SEN 스위치는 오프 상태를 유지한다.
센싱모드 구동 기간(①, ②, ③) 동안, S_Mux 신호는 로우(Low)로 입력되어 제2멀티플렉서(M2)는 턴온된 상태를 유지한다. 제2멀티플렉서(M2)가 턴온되면 각 서브픽셀(SP)에 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급된다.
반면, D_Mux 신호는 하이(High)로 입력되어 제1멀티플렉서(M1)는 턴오프 상태를 유지한다. 제1멀티플렉서(M1)가 턴오프되면 영상 데이터 전압(Vdata)의 공급이 차단된다.
이상의 동작에 의해, 센싱모드 초기의 ① 구간에서는 VGL 전압이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)과 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)의 일단에 공급된다. 센싱 데이터 전압(VREF)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+) 및 센싱 커패시터(Csen)에 인가되어 센싱 커패시터(Csen)에 센싱 데이터 전압(VREF)이 충전된다. 도 11의 파형도에서 Vx는 센싱 커패시터(Csen)의 전압 변화를 나타낸다. 여기서, VGL은 EVSS보다 더 낮은 음 전위를 갖기 때문에, 기존에 비해 낮은 전위의 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하여 센싱 커패시터(Csen)를 충전할 수 있다.
도 9b와 도 11의 파형도를 참조하면, 센싱모드의 ② 구간에서 센싱부(SU)의 PRE 스위치는 턴오프되어 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급이 중단된다. 센싱부(SU)의 SEN 스위치 또한 오프 상태를 유지한다.
센싱모드의 ② 구간에서 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급이 중단되면 센싱 캐패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 직렬로 연결되어 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 센싱 데이터 전압(VREF)이 발광소자(OLED)의 애노드로 공급될 수 있다. 이에, 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 전압(Vx)은 발광소자(OLED)의 발광으로 인해 방전된다.
도 9c와 도 11의 파형도를 참조하면, 센싱모드의 ③ 구간에서 센싱부(SU)의 SEN 스위치가 턴온된다.
센싱모드의 ③ 구간은 발광소자(OLED)가 오프되는 시점에 시작될 수 있다. 발광소자(OLED)가 오프된 후 센싱부(SU)의 SEN 스위치가 턴온되면 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압이 센싱부(SU)로 입력된다. 센싱부(SU)는 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압을 감지하여 ADC로 출력한다. ADC는 센싱부(SU)의 출력을 디지털로 변환하여 센싱 데이터(SD)를 타이밍 제어부(110)에 피드백 한다.
타이밍 제어부(110) 센싱 데이터 전압(VREF)과 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압에 따라 발광소자(OLED)에 의해 방전된 전압을 검출하여 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출할 수 있다.
도 10과 도 11의 파형도를 참조하면, 노멀모드 구동 기간 동안 선택신호(SEL)는 하이(High)로 입력된다. 이에, 제1스위치(SW1)는 턴온되고 제2스위치(SW2)가 오프된다.
제1스위치(SW1)가 턴온되면 EVSS 전원이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 공급된다.
노멀모드 구동 기간 동안 센싱부(SU)의 PRE 스위치와 SEN 스위치는 오프 상태를 유지한다.
D_Mux 신호는 로우(Low)로 입력되어 제1멀티플렉서(M1)는 턴온 상태를 유지한다. 제1멀티플렉서(M1)가 턴온되면 영상 데이터 전압(Vdata)은 서브픽셀(SP)로 입력되어 발광소자(OLED)는 영상 데이터 전압(Vdata)에 따라 발광한다.
노멀모드 구동 기간 동안, S_Mux 신호는 하이(High)로 입력되어 제2멀티플렉서(M2)는 턴오프된 상태를 유지한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 노멀모드 구동 시에는 EVSS를 연결하고 센싱모드에서는 VGL을 연결하여 센싱동작을 수행한다. 이에, 기존에는 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 0V인 EVSS에 연결되어 있어 센싱 데이터 전압(VREF)이 충분히 높은 전압을 가져야만 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었던데 반해, 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)를 EVSS보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 상대적으로 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다. 즉, 발광소자(OLED)의 열화 특성 감지 시 기존에 비해 현저히 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 가지고 센싱이 가능하므로, 표시장치의 각 구성들에 제한되는 전압 스펙에 대해 자유롭고 용이하게 센싱모드를 구동할 수 있고, 센싱모드 구동 기간 동안 소모되는 전력을 절감시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 표시패널 110: 타이밍 제어부
120: 데이터 구동부 130: 스캔 구동부
200 : 스위칭부

Claims (20)

  1. 제1 구동전압이 입력되는 제1전극 및 제1 구동전압 보다 저전위의 제2 구동전압이 입력되는 제2전극을 갖는 발광소자;
    상기 제2 구동전압과 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 선택적으로 입력하는 스위칭부; 및
    상기 제2전극에 상기 제3구동전압이 입력되면 상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 센싱부;
    를 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭부는,
    상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고,
    상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작하는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스위칭부는,
    상기 제2전극과 상기 제3 구동전압의 공급 라인에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 센싱모드 선택신호에 따라 턴온되는 제1 TFT; 및
    상기 제2전극과 상기 제2 구동전압의 공급라인에 소스전극와 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 노멀모드 선택신호에 따라 턴온되는 제2 TFT;
    를 포함하는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 구동전압은 고전위 구동전압(EVDD);
    상기 제2 구동전압은 저전위 구동전압(EVSS); 및
    상기 제3 구동전압은 게이트로우전압(VGL);
    을 포함하는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 센싱 데이터 전압이 공급되면 상기 발광소자와 병렬로 연결되어 상기 센싱 데이터 전압을 충전하고, 상기 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 상기 센싱 데이터 전압을 상기 발광소자에 공급하는 센싱 캐패시터를 더 포함하는 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 센싱부는,
    상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하는 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭부가 상기 제2 구동전압 또는 상기 제3 구동전압을 선택하도록 모드 선택신호를 출력하고, 상기 센싱부로부터 수신된 상기 발광소자의 구동 전압 특성에 기초하여 상기 발광소자에 공급되는 영상 데이터 전압을 보상하는 타이밍 제어부를 포함하는 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 모드 선택신호는,
    상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호와 상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호를 포함하는 표시장치.
  9. 애노드 전극 및 캐소드 전극을 갖는 발광소자, 노멀모드에서 상기 애노드 전극에 영상 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인을 연결하고 센싱모드에서 상기 애노드 전극에 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱 라인을 연결하는 스위치 TFT를 포함하는 서브픽셀;
    상기 캐소드 전극에 게이트로우전압(VGL)을 공급하는 제1 배선;
    상기 캐소드 전극에 저전위 구동전압(EVSS)을 공급하는 제2 배선;
    상기 센싱모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제1배선을 선택적으로 연결하는 제1 스위치;
    상기 노멀모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제2배선을 연결하는 제2스위치;
    를 포함하는 표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1스위치는 상기 캐소드 전극과 상기 제1배선에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 센싱모드를 선택하는 신호에 따라 턴온되는 제1TFT를 포함하고,
    상기 제2스위치는 상기 캐소드 전극과 상기 제2배선에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 노멀모드를 선택하는 신호에 따라 턴온되는 제2TFT를 포함하는 표시장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 노멀모드에서 상기 애노드 전극에 상기 영상 데이터 전압을 공급하는 전원라인을 연결하는 스위치 TFT를 포함하는 표시장치.
  12. 제9항에 있어서,
    일 단은 상기 게이트로우전압(VGL)에 연결되고 타단은 상기 센싱 라인에 연결되어 상기 센싱모드에서 상기 발광소자와 병렬 연결되는 센싱 캐패시터를 포함하는 표시장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 센싱 캐패시터는,
    상기 센싱모드에서 상기 게이트로우전압(VGL)과 상기 센싱 데이터 전압의 차이만큼 전원을 충전하고, 상기 센싱 데이터 전압이 공급되지 않는 경우 충전된 전원을 상기 센싱 라인에 연결된 상기 발광소자의 애노드 전극으로 입력하는 표시장치.
  14. 제1 구동전압이 입력되는 제1전극 및 제2 구동전압이 입력되는 제2전극을 갖는 발광소자를 포함하는 표시장치의 구동방법에 있어서,
    센싱모드에서 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계;
    상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계;
    상기 센싱 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계; 및
    상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계;
    를 포함하는 표시장치의 구동방법.
  15. 제14항에 있어서,
    노멀모드에서 상기 제2 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계;
    상기 제1전극에 영상 데이터 전압을 공급하는 단계; 및
    상기 영상 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계
    를 포함하는 표시장치의 구동방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 노멀모드를 선택하는 신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고, 상기 센싱모드를 선택하는 신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작하는 스위칭부를 포함하는 표시장치의 구동방법.
  17. 제14항에 있어서,
    일 단은 상기 제3구동전압에 연결되고 타단은 센싱 라인에 연결되어 상기 센싱모드에서 상기 발광소자와 병렬 연결되는 센싱 캐패시터를 포함하고,
    상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계는,
    상기 센싱 라인을 통해 상기 발광소자와 상기 센싱 캐패시터에 상기 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 센싱 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계는,
    상기 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 상기 발광소자의 상기 제1전극에 상기 센싱 캐패시터가 직렬로 연결되어 상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압이 상기 발광소자로 입력되는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계는,
    상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압에 기초하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 발광소자의 구동 전압 특성에 기초하여 상기 영상 데이터 전압을 보상하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.
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