KR102492734B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸고 있는 주변 영역으로 나누어지는 기판과, 상기 화소 영역에 형성되어 있으며 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자, 및 상기 기판의 주변 영역에 형성되어 있으며, 외부로부터 상기 제2 전극에 공통 전압을 전달하는 공통 전압선을 포함하고, 상기 공통 전압선은 상기 상기 제1 전극과 동일한 물질로 형성된다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 기재는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 공통 전압(ELVSS) 배선을 통해 전원을 표시 패널에 공급하는 구조를 가지는 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 두개의 전극 중 하나인 캐소드로부터 주입된 전자(electron)와 애노드 로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(P)과 주변 영역(S)으로 나누어지는 기판(100), 밀봉(encapsulation)을 위해 기판 위에 무기막과 유기막을 한층 이상 교대로 적층하여 봉지하는 박막 봉지층(Thin Film Encapsulation, TFE)을 포함한다.
화소 영역(P)에는 스캔선(scan line) 및 데이터선(data line) 사이에 매트릭스 방식으로 연결되어 화소를 구성하는 복수 개의 유기 발광 다이오드가 형성되며, 유기 발광 다이오드는 애노드(anode)(190), 캐소드(cathode)(270), 그리고 애노드(190) 및 캐소드(270) 사이에 형성되는 유기 발광층(370)을 포함한다. 주변 영역(S)에는 화소 영역(P)의 스캔선 및 데이터선으로부터 연장된 스캔 단부 및 데이터 단부, 유기 발광 다이오드의 동작을 위한 구동 전압선(ELVDD), 공통 전압선(ELVSS) 그리고 외부로부터 제공된 신호를 처리하여 스캔 단부 및 데이터 단부로 공급하는 스캔 구동부 및 데이터 구동부가 형성된다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 각 단위 화소가 구동 박막 트랜지스터(T), 캐패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함하며, 구동 박막 트랜지스터(T) 및 캐패시터에는 구동 전압선으로부터 구동 전압(ELVDD)이 제공되며, 구동 박막 트랜지스터(T)는 구동 전압선을 통해 유기 발광 다이오드로 흐르는 전류를 제어하는 역할을 한다. 또한, 캐소드인 공통 전극(270)에 연결되어 있는 공통 전압선(173)은 캐소드(270)에 공통 전압(ELVSS)을 공급하여 애노드인 화소 전극(190)과 공통 전극(270)에 전위차를 형성시켜 전류를 흐르게 한다.
그런데, 주변 영역에 형성된 공통 전압선(173)의 너비(width)에 따라 데드 스페이스(dead space)의 영역이 확장되는 문제가 있고, 데드 스페이스의 너비를 축소하면, 소비 전력이 하락되는 위험이 존재한다. 따라서, 적정 소비 전력을 확보하면서, 동시에 공통 전압선의 소정 너비를 보장하면 표시 패널의 슬림화를 구현하기에 어려움이 있다.
본 발명의 실시예들에서는 유기 발광 표시 장치에서, 주변 영역에 형성되는 공통 전압선을 제거하고, 화소 영역 및 주변 영역에 형성되는 애노드로 공통 전압선 역할을 하도록 함으로써, 데드 스페이스의 너비를 축소할 수 있으며, 표시 장치의 슬림화를 구현할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸고 있는 주변 영역으로 나누어지는 기판과, 상기 화소 영역에 형성되어 있으며 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자, 및 상기 기판의 주변 영역에 형성되어 있으며, 외부로부터 상기 제2 전극에 공통 전압을 전달하는 공통 전압선을 포함하고, 상기 공통 전압선은 상기 상기 제1 전극과 동일한 물질로 형성된다.
상기 공통 전압선은 상기 주변 영역에서, 상기 화소 영역에 형성된 제1 전극과 연결될 수 있다.
상기 화소 영역에는 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 상기 반도체층과 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 공통 전압선은 상기 소스/드레인 전극과 동일한 층에 형성되어 있을 수 있다.
상기 주변 영역에는 밀봉 부재와 결합하여 상기 기판의 화소 영역과 주변 영역을 외부로부터 밀폐하는 실링 부재를 더 구비할 수 있다.
상기 공통 전압선은, 상기 주변 영역의 실링 부재의 하부로 연장되어 형성될 수 있다.
상기 공통 전압선 하부에는 게이트 배선용 금속으로 이루어진 더미 배선을 더 포함할 수 있다.
상기 공통 전압선은, 상기 주변 영역에 형성된 화소 정의막의 하부에 형성되며, 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극을 덮어 보호하는 보호막의 상부 및 측부에 형성될 수 있다.
상기 제2 전극은, 상기 화소 영역에서, 상기 화소 정의막 상부에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시 장치에서, 주변 영역에 형성되는 공통 전압선을 제거하고, 화소 영역 및 주변 영역에 형성되는 애노드로 공통 전압선 역할을 하도록 함으로써, 데드 스페이스의 너비를 축소할 수 있으며, 표시 장치의 슬림화를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 영역 및 주변 영역의 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 기존의 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 일 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예들에서는 일 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도면들은 개략적이고 축적에 맞게 도시되지 않았다는 것을 일러둔다. 도면에 있는 부분들의 상대적인 치수 및 비율은 도면에서의 명확성 및 편의를 위해 그 크기에 있어 과장되거나 감소되어 도시되었으며, 임의의 치수는 단지 예시적인 것이지 한정적인 것은 아니다. 그리고, 둘 이상의 도면에 나타나는 동일한 구조물, 요소 또는 부품에는 동일한 참조 부호가 유사한 특징을 나타내기 위해 사용된다. 어느 부분이 다른 부분의 "위에" 또는 "상에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수도 있다.
본 발명의 실시예는 본 발명의 한 실시예를 구체적으로 나타낸다. 그 결과, 도해의 다양한 변형이 예상된다. 따라서 실시예는 도시한 영역의 특정 형태에 국한되지 않으며, 예를 들면 제조에 의한 형태의 변형도 포함한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(PX)를 포함한다.
신호선은 스캔 신호(또는 게이트 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171) 및 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 복수의 구동 전압선(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.
각 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Qd), 스토리지 캐패시터(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(OLED)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(Id)를 흘린다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(ELVSS)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(Id)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 박막 트랜지스터(Qs) 및 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)와 구동 박막 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 영역 및 주변 영역의 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 기판(100)은 화소 영역(P)과, 화소 영역(P)을 둘러싸고 있는 주변 영역(S)으로 나뉘어진다.
기판(100)의 화소 영역(P)에는 스캔 신호를 전달하는 스캔선(121), 데이터 신호를 전달하는 데이터선(171) 및 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 구동 전압선(172) 사이에 매트릭스 방식으로 연결된 복수 개의 유기 발광 다이오드(OLED, 70)가 형성되어 있다. 유기 발광 다이오드(70)는 화소 전극인 제1 전극(190) 및 공통 전극인 제2 전극(270)과, 제1 전극(190) 및 제2 전극(270) 사이에 형성된 유기 발광층(370)을 포함하고, 유기 발광층(370)은 정공 수송층, 유기 발광층 및 전자 수송층이 적층된 구조로 형성되며, 정공 주입층과 전자 주입층이 더 포함될 수 있다.
기판(100)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판(100)은 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.
기판(100) 위에 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120) 위에는 반도체층(131a)이 형성된다. 반도체층(131a)은 다결정 규소막으로 형성된다. 또한, 반도체층(131a)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터(T)의 종류에 따라 달라진다.
기판(100)의 화소 영역(P)에는 유기 발광 다이오드(70)의 동작을 제어하기 위한 박막 트랜지스터(T) 및 신호를 유지시키기 위한 캐패시터(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터(T)는 스위칭 박막 트랜지스터(도시하지 않음) 및 구동 박막 트랜지스터(T)을 포함하고, 구동 박막 트랜지스터(T)는 제1 전극(190)과 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(T)는 반도체층(131a), 소스 전극(176a), 드레인 전극(177a) 및 게이트 전극(125a)을 포함한다.
반도체층(131a)은 소스 영역 및 드레인 영역과 채널 영역을 제공하며, 소스 영역 및 드레인 영역에는 소스 전극(176a) 및 드레인 전극(177a)이 연결되어 있고, 채널 영역의 상부에는 게이트 절연막(140)에 의해 반도체층(131a)과 절연되는 게이트 전극(125a)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등으로 형성될 수 있으며, 게이트 전극(125a)은 반도체층(131a)의 적어도 일부, 특히 채널 영역과 중첩되도록 형성된다.
기판(100)의 주변 영역(S)에는 유기 발광 다이오드(70)의 제2 전극(270)에 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 공통 전압선(173), 그리고 외부로부터 제공된 신호를 처리하여 스캔선(121) 및 데이터선(171)으로 각각 공급하는 스캔 구동부(700) 및 데이터 구동부(600)가 형성되어 있다. 스캔 구동부(700) 및 데이터 구동부(600)는 외부로부터 제공되는 신호를 스캔 신호 및 데이터 신호로 변환하여 각 화소(PX)를 선택적으로 구동시킨다.
도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(100)의 회소 영역(P) 및 주변 영역(S) 위에 버퍼층(120)이 형성되어 있고, 버퍼층(120) 상에 반도체층(131a)이 형성되어 있다. 화소 영역(P)에 형성되어 있는 반도체층(131a)은 유기 발광 다이오드(70)를 구동시키기 위한 박막 트랜지스터(T)의 활성층을 제공한다.
반도체층(131a)을 포함하는 화소 영역(P) 및 주변 영역(S)의 전체 상부에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있고, 반도체층(131a) 상부의 게이트 절연막(140) 상에 게이트 전극(125a)이 형성되어 있다.
게이트 전극(125a)을 포함하는 화소 영역(P) 및 주변 영역(S)의 전체 상부에 층간 절연막(160)이 형성되어 있고, 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 반도체층(131a)의 소정 부분이 노출되도록 콘택홀이 형성되며, 콘택홀을 통해 반도체층(131a)과 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극(176a, 177a)이 형성되어 있다. 층간 절연막(140)은, 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어진다. 이 때 화소 영역(P)에는 소스 및 드레인 전극(176a, 177a)과 연결되는 데이터선(171)이 형성되어 있고, 주변 영역(S)에는 공통 전압선(173)이 형성되어 있다.
화소 영역(P)의 전체와 주변 영역(S)의 일부에 보호막(180)이 형성되어 있다. 주변 영역(S)의 최외곽부에 형성되는 실링 부재(400)와 보호막(180)이 접촉되는 경우, 실링 부재(400)를 경화시키기 위한 레이저 경화 공정에 의해 보호막(180)이 손상될 수 있으므로 주변 영역(S)의 일부에만 보호막(180)이 형성되어 있으며 주변 영역(S)의 외곽부에는 보호막(180)이 형성되어 있지 않다
화소 영역(P)의 보호막(180)에는 드레인 전극(177a)의 소정 부분이 노출되도록 비아홀이 형성되어 있고, 주변 영역(S)의 최외곽부에는 보호막(180)이 형성되지 않아 공통 전압선(173)의 소정 부분이 노출되어 있다. 화소 영역(P)의 보호막(180) 위에는 비아홀을 통해 드레인 전극(177a)과 연결되는 제1 전극(190)이 형성되어 있다.
보호막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.
한편, 화소 영역(P)의 전체 상부에 화소 정의막(350)이 형성되어 있고, 화소 정의막(350)에는 제1 전극(190)의 일부 영역(발광 영역)이 노출되도록 개구부가 형성되어 있다. 노출된 제1 전극(190) 상에 유기 발광층(370)이 형성되어 있고, 화소 영역(P) 및 주변 영역(S)에 형성된 화소 정의막(350) 위에는 공통 전압선(173)과 연결되는 제2 전극(270)이 형성되어 있다. 화소 정의막(350)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들어질 수 있다.
한편, 공통 전압선(173)은 제1 전극(190)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 공통 전압선(173)은 주변 영역에서, 화소 영역(P)에 형성된 제1 전극(190)과 연결될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 화소 영역(P)에는 반도체층(131a), 게이트 절연막(140), 게이트 전극(125a), 상기 반도체층(131a) 과 연결되는 소스/드레인 전극(176a, 177a)을 포함하는 구동 박막 트랜지스터(T)를 포함하고, 공통 전압선(173)은 구동 박막 트랜지스터(T)의 소스/드레인 전극(176a, 177a)과 동일한 층에 형성된다.
한편, 주변 영역(S)에는 밀봉 부재(미도시)와 결합하여, 기판(100)의 화소 영역(P)과 주변 영역(S)을 외부로부터 밀폐하는 실링 부재(400)를 더 구비할 수 있다. 실링 부재(400)는 구동 박막 트랜지스터(T), 유기 발광 소자 등을 외부의 수분이나 산소 등 불순물로부터 보호하는 역할을 한다.
공통 전압선(173)은 화소 영역(P)의 제1 전극(190)으로부터 연결되어, 주변 영역(S)의 실링 부재(400)의 하부로 연장되어 형성된다.
한편, 공통 전압선(173)의 하부에는 게이트 배선용 금속으로 이루어진 더미 배선(182)이 형성될 수 있다. 더미 배선(182)은 버퍼층(120)과 실링 부재(400) 또는 공통 전압선(173) 간 접착을 더욱 용이하게 하고, 공통 전압선(173)의 역할을 대신하여, 실질적으로 공통 전압선(173)의 두께가 증가하는 효과를 얻을 수 있어 배선 저항이 감소하는 역할을 할 수도 있다.
한편, 공통 전압선(173)은 주변 영역(S)에 형성된 화소 정의막(350)의 하부에 형성되며, 구동 박막 트랜지스터(T)의 소스/드레인 전극(176a, 177a)을 덮어 보호하는 보호막(180)의 상부 및 측부에 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(270)은 화소 영역(P)에서, 화소 정의막(350) 상부에 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 의해서, 주변 영역에 형성되는 공통 전압선을 제거하고, 화소 영역 및 주변 영역에 형성되는 애노드로 공통 전압선 역할을 하도록 함으로써, 데드 스페이스의 너비를 축소할 수 있으며, 표시 장치의 슬림화를 구현할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
100: 기판 120: 버퍼층
140: 게이트 절연막 160: 층간 절연막
180: 보호막 190: 제1 전극(화소 전극)
121: 게이트선(스캔선) 171: 데이터선
172: 구동 전압선 173: 공통 전압선
182: 더미 배선 125a: 게이트 전극
131a: 반도체층 176a: 소스 전극
177a: 드레인 전극 270: 제2 전극(공통 전극)
350: 화소 정의막 370: 유기 발광층
400: 실링 부재 600: 데이터 구동부
700: 스캔 구동부 T: 구동 박막 트랜지스터
P: 화소 영역 S: 주변 영역

Claims (11)

  1. 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸고 있는 주변 영역으로 나누어지는 기판;
    상기 화소 영역에 위치하는 구동 박막 트랜지스터;
    상기 구동 박막 트랜지스터 위에 위치하는 보호막;
    상기 보호막 위에 위치하는 복수의 제1 전극;
    상기 복수의 제1 전극 중 상기 화소 영역에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 유기 발광층, 그리고 상기 유기 발광층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자;
    상기 기판의 주변 영역에 위치하며, 상기 제2 전극에 공통 전압을 전달하는 공통 전압선; 및
    상기 주변 영역에 위치하는 실링 부재를 포함하고,
    상기 실링 부재는 상기 주변 영역에서 상기 공통 전압선과 접촉하고,
    상기 공통 전압선은 상기 복수의 제1 전극 중 상기 주변 영역에 위치하는 제1 전극과 직접 연결되어 있는
    표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 보호막 위에 위치하는 절연막을 더 포함하고,
    상기 절연막은 상기 화소 영역에 위치하는 상기 제1 전극 위의 개구부를 가지고,
    상기 절연막은, 상기 복수의 제1 전극 중 상기 화소 영역에서 서로 이웃한 제1 전극들 사이에서 상기 보호막의 윗면과 접촉하는
    표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 공통 전압선은 상기 보호막의 윗면 위에 위치하는 제1 부분을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 공통 전압선은, 상기 보호막 상에서 상기 제1 전극과 동일한 층에 위치하는 표시 장치.
  6. 제4항에서,
    상기 공통 전압선은, 상기 보호막의 측면과 접촉하는 제2 부분을 더 포함하고,
    상기 제2 부분은 상기 제1 부분에 연결되어 있는
    표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 중 적어도 하나는 상기 보호막과 상기 절연막의 사이에 위치하는 표시 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 구동 박막 트랜지스터는, 반도체층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 그리고 상기 반도체층에 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 층간 절연막을 더 포함하고,
    상기 공통 전압선은, 상기 주변 영역에서 상기 층간 절연막의 윗면에 위치하고 상기 층간 절연막과 접촉하는 제3 부분을 더 포함하는
    표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 실링 부재는 밀봉 부재와 결합하여 상기 화소 영역과 상기 주변 영역을 외부로부터 밀봉하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 공통 전압선은, 단면상 상기 실링 부재와 상기 기판 사이에 위치하는 부분을 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    단면상 상기 기판과 상기 공통 전압선 사이에 위치하는 더미 배선을 더 포함하고,
    상기 공통 전압선은 상기 더미 배선에 연결되어 있는
    표시 장치.
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