KR102492072B1 - 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

다이싱 다이 본드 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR102492072B1
KR102492072B1 KR1020180041438A KR20180041438A KR102492072B1 KR 102492072 B1 KR102492072 B1 KR 102492072B1 KR 1020180041438 A KR1020180041438 A KR 1020180041438A KR 20180041438 A KR20180041438 A KR 20180041438A KR 102492072 B1 KR102492072 B1 KR 102492072B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
bonding film
sensitive adhesive
dicing
bonding
Prior art date
Application number
KR1020180041438A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180127183A (ko
Inventor
겐지 오니시
유이치로 시시도
유타 기무라
아키히로 후쿠이
도시마사 스기무라
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20180127183A publication Critical patent/KR20180127183A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102492072B1 publication Critical patent/KR102492072B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 다이 본드 필름의 픽업 적성 및 다이 본드 적성이 우수하면서, 상온 익스팬드 시 및 그 후에 있어서, 다이 본드 필름과 점착제층 사이에서 들뜸이 일어나기 어려운 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것이다.
기재와, 상기 기재 상에 적층된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고, 상기 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 3 내지 5㎬인, 다이싱 다이 본드 필름이다.

Description

다이싱 다이 본드 필름 {DICING DIE BOND FILM}
본 발명은 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이싱 테이프나 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 테이프는 기재 상에 점착제층이 설치된 형태를 이루고 있고, 점착제층 상에 반도체 웨이퍼를 배치하고, 반도체 웨이퍼의 다이싱(절삭) 시에 개편화한 반도체 칩이 비산되지 않도록 고정하는 용도로 사용된다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
다이싱 다이 본드 필름은 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이 본드 필름을 박리 가능하게 설치한 것이다. 반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 보유 지지하고, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체 칩으로 한다. 그 후, 예를 들어 세정 공정을 거쳐서, 반도체 칩을 다이 본드 필름과 함께 다이싱 테이프로부터 픽업하여 박리하고, 다이 본드 필름을 통해 반도체 칩을 리드 프레임 등의 피착체에 가고착(다이 본딩)시킨다. 이로 인해, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름은, 픽업 시에는 다이싱 테이프로부터의 박리성(픽업 적성)이, 다이 본딩 시에 피착체에 대한 접착성(다이 본드 적성)이 각각 우수한 것이 중요해진다.
다이싱 테이프 상에 다이 본드 필름이 적층된 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 반도체 웨이퍼를 다이 본드 필름의 보유 지지 하에서 다이싱하는 경우, 다이 본드 필름을 반도체 웨이퍼와 동시에 절단할 필요가 있다. 그런데, 다이아몬드 블레이드를 사용한 일반적인 다이싱 방법에 있어서는, 다이싱 시에 발생하는 열의 영향에 의한 다이 본드 필름과 다이싱 테이프의 유착, 절삭 칩의 발생에 의한 반도체 칩끼리의 고착, 반도체 칩 측면으로의 절삭 칩의 부착 등이 우려되기 때문에, 절단 속도를 느리게 할 필요가 있고, 비용의 상승을 초래하고 있었다.
그래서, 근년, 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하고, 그 후 이면 연삭을 행함으로써, 개개의 반도체 칩을 얻는 방법(「DBG(Dicing Before Grinding)」이라고 칭하는 경우가 있음)(예를 들어, 특허문헌 2 참조)이나, 반도체 웨이퍼에 있어서의 분할 예정 라인에 레이저광을 조사하여 개질 영역을 형성함으로써, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인에서 용이하게 분할 가능하게 한 후, 이 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이 본드 필름에 부착하고, 그 후, 다이싱 테이프를 저온 하(예를 들어, －25 내지 0℃)에서 익스팬드(이하, 「쿨 익스팬드」라고 칭하는 경우가 있음)함으로써, 반도체 웨이퍼와 다이 본드 필름을 모두 할단시켜, 개개의 반도체 칩(다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩)을 얻는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조). 이것은, 소위, 스텔스 다이싱(등록 상표)이라고 불리는 방법이다. 또한, DBG에 있어서도, 얻어진 개개의 반도체 칩을 다이싱 다이 본드 필름에 부착하고, 그 후, 다이싱 테이프를 쿨 익스팬드함으로써 다이 본드 필름을 개개의 반도체 칩에 상당하는 사이즈로 할단하고, 개개의 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 얻는 방법도 알려져 있다. 이와 같이, 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드 필름을 할단하는 경우, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름은 쿨 익스팬드 시의 할단성이 우수한 것이 중요해진다.
일본 특허 공개 제2011-216563호 공보 일본 특허 공개 제2003-007649호 공보 일본 특허 공개 제2009-164556호 공보
DBG나 스텔스 다이싱 등에 있어서, 다이 본드 필름을 할단한 후에는, 다이싱 다이 본드 필름을 상온 부근에서 익스팬드(이하, 「상온 익스팬드」라고 칭하는 경우가 있음)하여 인접하는 개개의 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히고, 그 후 반도체 칩의 외주 부분을 열수축(이하, 「히트 슈링크」라고 칭하는 경우가 있음)시키고 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌 상태로 고정함으로써, 얻어진 개개의 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩의 픽업을 용이하게 행할 수 있다.
근년, 반도체의 고용량화의 요구에 의해 회로층의 다층화나, 실리콘층의 박층화가 진행되고 있다. 그러나, 회로층의 다층화에 의해 회로층의 두께(총 두께)가 증가함으로써, 회로층에 포함되는 수지의 비율이 증가하는 경향이 있고, 이에 의해, 다층화된 회로층과, 박층화된 실리콘층의 선팽창률의 차가 현저해지고, 반도체 칩이 휘기 쉬워진다. 이로 인해, 특히, 다이싱 후에 얻어지는, 다이 본드 필름이 부착된 회로층이 다층화된 반도체 칩은 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 필름의 계면에서, 상온 익스팬드 시 및 그 후(예를 들어, 픽업할 때까지 등)에 들뜸(박리)이 발생하기 쉬웠다.
본 발명은 상기한 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 그 목적은, 다이 본드 필름의 픽업 적성 및 다이 본드 적성이 우수하면서, 상온 익스팬드 시 및 그 후에 있어서, 다이 본드 필름과 점착제층 사이에서 들뜸이 일어나기 어려운 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 다이 본드 필름의 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 특정한 범위 내인 다이싱 테이프를 사용하면, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우라도, 다이 본드 필름의 픽업 적성 및 다이 본드 적성이 우수하면서, 상온 익스팬드 시 및 그 후에 있어서, 들뜸이 일어나기 어려운 것을 알아냈다. 본 발명은 이것들의 지견에 기초하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명은 기재와, 상기 기재 상에 적층된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고, 상기 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 3 내지 5㎬인 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'을, 종래의 다이 본드 필름의 상기 저장 탄성률보다도 비교적 높은 3㎬ 이상으로 함으로써, 상온 시에 있어서 비교적 느린 속도 영역에서 응력이 가해지는 경우에는, 다이 본드 필름이 상하 방향(두께 방향)으로 움직이기 어려워지고, 다층화되어 있지 않은 반도체 칩은 물론, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우라도, 상온 익스팬드 시 및 그 후(예를 들어, 세정 공정을 포함하고, 픽업할 때까지 등)에 있어서 다이 본드 필름의 다이싱 테이프로부터의 들뜸이 일어나기 어렵게 할 수 있다. 그러면서, 개편화한 다이 본드 필름을 다이싱 테이프로부터 의도적으로 픽업하여 박리시킬 때에는, 비교적 빠른 속도 영역에서 응력이 가해지기 때문에, 용이하게 픽업할 수 있다. 또한, 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'을, 5㎬ 이하로 제어함으로써, 다이 본딩에 있어서 피착체에 대한 다이 본드 필름의 습윤성이 우수하기 때문에 다이 본드 적성이 우수하고, 반도체 칩을 피착체에 다이 본딩(가고착)할 때에는 양호하게 행할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용하면, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 3㎬ 이상인 것에 의해, 비교적 느린 속도 영역에서 응력이 가해지는 경우에는 들뜸이 생기기 어려운 특성 및 비교적 빠른 속도 영역에서 응력이 가해지는 픽업에서는 용이하게 픽업하는 것이 용이하다는 특성의 양쪽을 만족시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 －15℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 4 내지 7㎬인 것이 바람직하다. 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 －15℃에 있어서의 저장 탄성률 E'을, 종래의 다이 본드 필름의 상기 저장 탄성률보다도 비교적 높은 4 내지 7㎬의 범위 내로 함으로써, 저온 시에 있어서 응력이 가해지는 경우에 다이 본드 필름이 상하 방향(두께 방향)으로 움직이기 어려워지고, 다층화되어 있지 않은 반도체 칩은 물론, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우라도, 쿨 익스팬드 시 및 그 후(예를 들어, 상온으로 복귀될 때까지 등)에 있어서 다이 본드 필름의 다이싱 테이프로부터의 들뜸이 일어나기 어렵게 할 수 있다. 또한, 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드 필름의 할단을 용이하게 행할 수 있다. 이로 인해, 당해 구성의 다이싱 다이 본드 필름을 사용하면, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우라도, 다이 본드 필름의 쿨 익스팬드 시의 할단성, 픽업 적성 및 다이 본드 적성이 우수하면서, 쿨 익스팬드 시, 상온 익스팬드 시 및 그 후에 있어서, 들뜸이 일어나기 어렵다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름은, 열경화 후에 있어서, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 150℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타내고, 또한 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 250℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타내는 것이 바람직하다. 다이 본드 필름을 통해 반도체 칩을 피착체에 다이 본딩시키고, 그 후, 후술하는 와이어 본딩 공정을 행하는 경우, 와이어 본딩 공정에 있어서, 와이어 본딩 시의 가열에 의해 발생하는 열에 의해 다이 본드 필름이 150℃ 정도까지 승온하는 경우가 있지만, 상기 다이 본드 필름이 열경화 후에 있어서, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 150℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타냄으로써, 열경화 후의 다이 본드 필름이 적절하게 단단하고, 와이어 본딩 공정에 있어서 150℃ 정도까지 승온한 경우라도, 와이어 본딩의 충격에 의해 반도체 칩이 움직이기 어렵고, 와이어 본딩 패드에 힘이 전해지기 쉬워져, 적절하게 와이어의 접합을 행할 수 있다. 또한, 반도체 관련 부품의 신뢰성 평가로서 반도체 관련 부품을 250℃ 정도까지 가열하는 내습 땜납 리플로우 시험이 일반적으로 행해지지만, 상기 다이 본드 필름이 열경화 후에 있어서, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 250℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타냄으로써, 내습 땜납 리플로우 시험에 있어서 250℃ 정도까지 가열한 경우라도 다이 본드 필름의 피착체로부터의 박리가 일어나기 어렵게 할 수 있다. 즉, 다이 본드 필름의 열경화 후에 있어서의 상기한 2개의 저장 탄성률 E'이 각각 상기 범위 내를 나타냄으로써, 반도체 칩의 고착 후에 있어서의 접착 안정성이 우수한 것이 된다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 다이 본드 필름의, 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 저장 탄성률 G'이 0.03 내지 0.7㎫인 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이 본딩 시의 칩의 들뜸이 더 발생하기 어렵게 할 수 있다. 그리고, 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'을 상기 범위 내로 컨트롤하는 것이 용이해지므로, 쿨 익스팬드 시, 상온 익스팬드 시 및 그 후에 있어서, 들뜸이 일어나기 어렵게 하면서, 피착체에 대한 다이 본드 적성이 더 향상되고, 반도체 칩을 피착체에 다이 본딩할 때에는 양호하게 행할 수 있는 경향이 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 다이 본드 필름의, 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 손실 탄성률 G"이 0.01 내지 0.1㎫인 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이 본딩 시의 칩의 들뜸이 한층 더 발생하기 어렵게 할 수 있다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은 다이 본드 필름의 픽업 적성 및 다이 본드 적성이 우수하면서, 상온 익스팬드 시 및 그 후에 있어서, 다이 본드 필름과 점착제층 사이에서 들뜸이 일어나기 어렵다. 특히, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우에도 들뜸이 일어나기 어렵다.
도 1은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 10은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
[다이싱 다이 본드 필름]
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 기재와, 상기 기재 상에 적층된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖는다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태에 대하여, 이하에 설명한다. 도 1은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(1)은 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 점착제층(12) 상에 적층된 다이 본드 필름(20)을 구비하고, 반도체 장치의 제조에 있어서 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 얻는 과정에서의 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름(1)은 반도체 장치의 제조 과정에 있어서의 가공 대상의 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의, 예를 들어 원반 형상을 갖는다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)는 기재(11)와 점착제층(12)을 포함하는 적층 구조를 갖는다.
(기재)
다이싱 테이프(10)에 있어서의 기재(11)는 다이싱 테이프(10)나 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(11)로서는, 예를 들어 플라스틱 기재(특히 플라스틱 필름)를 들 수 있다. 상기 기재(11)는 단층이어도 되고, 동종 또는 이종의 기재의 적층체여도 된다.
상기 플라스틱 기재를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체 등의 폴리올레핀 수지; 폴리우레탄; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리카르보네이트; 폴리이미드; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르이미드; 아라미드, 전방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드; 폴리페닐술피드; 불소 수지; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 셀룰로오스 수지; 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 상기 수지는 1종만이 사용되어 있어도 되고, 2종 이상이 사용되어 있어도 된다. 점착제층(12)이 후술하는 바와 같이 방사선 경화형인 경우, 기재(11)는 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
기재(11)가 플라스틱 필름인 경우, 상기 플라스틱 필름은 무배향이어도 되고, 적어도 일방향(1축 방향, 2축 방향 등)으로 배향하고 있어도 된다. 적어도 일방향으로 배향하고 있는 경우, 플라스틱 필름은 당해 적어도 일방향으로 열수축 가능해진다. 열수축성을 갖고 있으면, 다이싱 테이프(1)의, 반도체 웨이퍼의 외주 부분을 히트 슈링크시키는 것이 가능해지고, 이에 의해 개편화한 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌 상태에서 고정할 수 있기 때문에, 반도체 칩의 픽업을 용이하게 행할 수 있다. 기재(11) 및 다이싱 테이프(1)가 등방적인 열수축성을 갖기 위해서는, 기재(11)는 2축 배향 필름인 것이 바람직하다. 또한, 상기 적어도 일방향으로 배향한 플라스틱 필름은 비연신의 플라스틱 필름을 당해 적어도 일방향으로 연신(1축 연신, 2축 연신 등)함으로써 얻을 수 있다. 기재(11) 및 다이싱 테이프(1)는 가열 온도 100℃ 및 가열 시간 처리 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에 있어서의 열수축률이 1 내지 30％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 더욱 바람직하게는 3 내지 20％, 특히 바람직하게는 5 내지 20％이다. 상기 열수축률은 MD 방향 및 TD 방향의 적어도 일방향의 열수축률인 것이 바람직하다.
기재(11)의 점착제층(12)측 표면은 점착제층(12)과의 밀착성, 보유 지지성 등을 높일 목적으로, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 이온화 방사선 처리 등의 물리적 처리; 크롬산 처리 등의 화학적 처리; 코팅제(하도제)에 의한 접착 용이화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 대전 방지능을 부여하기 위해, 금속, 합금, 이것들의 산화물 등을 포함하는 도전성의 증착층을 기재(11) 표면에 형성해도 된다.
기재(11)의 두께는 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 지지체로서 기재(11)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 40㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 55㎛ 이상, 특히 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(11)의 두께는 200㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
(점착제층)
점착제층(12)은 점착제로 형성된다. 점착제층(12)을 형성하는 점착제로서는, 방사선 조사나 가열 등 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감형 점착제)여도 되고, 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 대부분 또는 완전히 저감되지 않는 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 되고, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 사용하여 개편화되는 반도체 웨이퍼의 개편화의 방법이나 조건 등에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
상기 점착제로서 점착력 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 과정이나 사용 과정에 있어서, 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를 구분지어 사용하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 과정에서 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 다이 본드 필름(20)을 접합할 때나, 다이싱 다이 본드 필름(1)이 다이싱 공정에 사용될 때에는 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태를 이용하여 점착제층(12)으로부터 다이 본드 필름(20) 등의 피착체의 들뜸을 억제·방지하는 것이 가능해지는 한편, 그 후, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)로부터 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 픽업하기 위한 픽업 공정에서는, 점착제층(12)의 점착력을 저감시킴으로써, 픽업을 용이하게 행할 수 있다.
이와 같은 점착력 저감형 점착제로서는, 예를 들어 방사선 경화형 점착제(방사선 경화성을 갖는 점착제), 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 점착제층(12)을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착력 저감형 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착력 저감형 점착제를 사용해도 된다. 또한, 점착제층(12)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어 있어도 되고, 일부가 점착력 저감형 점착제로 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 점착제층(12)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(12)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어 있어도 되고, 점착제층(12)에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 반도체 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 웨이퍼 링의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어 있어도 된다.
상기 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 사용할 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제(자외선 경화형 점착제)를 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 함유하는 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체는 중합체의 구성 단위로서, 아크릴계 단량체(분자 중에 (메트)아크릴로일기를 갖는 단량체 성분)에 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체이다. 상기 아크릴계 중합체는 (메트)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많이 포함하는 중합체인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴계 중합체는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」(「아크릴」 및 「메타크릴」 중, 어느 한쪽 또는 양쪽)을 나타내고, 그 밖에도 마찬가지이다.
상기 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르 등의 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 페닐에스테르, 벤질에스테르를 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산에스테르는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 (메트)아크릴산에스테르의 비율은 40질량％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
상기 아크릴계 중합체는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 상기 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 아크릴니트릴 등의 관능기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 상기 카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다. 상기 산 무수물 단량체로서는, 예를 들어 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 들 수 있다. 상기 히드록시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 글리시딜기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산메틸글리시딜 등을 들 수 있다. 상기 술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등을 들 수 있다. 상기 인산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 다른 단량체 성분은 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 상기 다른 단량체 성분의 비율은 60질량％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.
상기 아크릴계 중합체는 그 중합체 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해, (메트)아크릴산에스테르 등의 상기 아크릴계 중합체를 형성하는 단량체 성분과 공중합 가능한 다관능성 단량체에 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다관능성 단량체로서는, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(예를 들어, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등의 분자 내에 (메트)아크릴로일기와 다른 반응성 관능기를 갖는 단량체 등을 들 수 있다. 상기 다관능성 단량체는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에 있어서의 상기 다관능성 단량체의 비율은 40질량％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
상기 아크릴계 중합체는 아크릴계 단량체를 포함하는 1종 이상의 단량체 성분을 중합에 부침으로써 얻어진다. 중합 방법으로서는, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.
점착제층(12) 중의 상기 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은 10만 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다. 수 평균 분자량이 10만 이상이면, 점착제층 중의 저분자량 물질이 적은 경향이 있고, 다이 본드 필름이나 반도체 웨이퍼 등으로의 오염을 더 억제할 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제는 가교제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 베이스 중합체로서 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 아크릴계 중합체를 가교시켜, 점착제층(12) 중의 저분자량 물질을 더 저감시킬 수 있다. 상기 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물, 멜라민 화합물 등을 들 수 있다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 베이스 중합체 100질량부에 대하여, 5질량부 정도 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
상기 방사선 중합성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 방사선 중합성의 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있고, 분자량이 100 내지 30000 정도인 것이 바람직하다. 점착제층(12)을 형성하는 방사선 경화형 점착제 중의 상기 방사선 경화성의 단량체 성분 및 올리고머 성분의 함유량은 상기 베이스 중합체 100질량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500질량부, 바람직하게는 40 내지 150질량부 정도이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
상기 방사선 경화형 점착제로서는, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 중합체 측쇄나, 중합체 주쇄 중, 중합체 주쇄 말단에 갖는 베이스 중합체를 함유하는 내재형의 방사선 경화형 점착제도 들 수 있다. 이와 같은 내재형의 방사선 경화형 점착제를 사용하면, 형성된 점착제층(12) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도하지 않은 경시적 변화를 억제할 수 있는 경향이 있다.
상기 내재형의 방사선 경화형 점착제에 함유되는 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체가 바람직하다. 내재형의 방사선 경화형 점착제에 함유될 수 있는 상기 아크릴계 중합체로서는, 상술한 첨가형의 방사선 경화형 점착제에 함유되는 아크릴계 중합체로서 설명된 아크릴계 중합체를 채용할 수 있다. 아크릴계 중합체로의 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어, 제1 관능기를 갖는 단량체 성분을 포함하는 원료 단량체를 중합(공중합)시켜 아크릴계 중합체를 얻은 후, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 중합체에 대하여 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
상기 제1 관능기와 상기 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응 추적의 용이함의 관점에서, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 그 중에서도, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 중합체를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높고, 한편 히드록시기를 갖는 아크릴계 중합체의 제작 및 입수의 용이성의 관점에서, 상기 제1 관능기가 히드록시기이고, 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 조합이 바람직하다. 이 경우의 이소시아네이트기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기를 갖는 아크릴계 중합체로서는, 상술한 히드록시기 함유 단량체나, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물에 유래하는 구성 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제는 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화케톤, 아실포스핀옥시드, 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 상기 α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다. 상기 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등을 들 수 있다. 상기 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등을 들 수 있다. 상기 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다. 상기 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등을 들 수 있다. 상기 광활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등을 들 수 있다. 상기 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다. 상기 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등을 들 수 있다. 방사선 경화형 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은 베이스 중합체 100질량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
상기 가열 발포형 점착제는 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다. 상기 발포제로서는, 다양한 무기계 발포제나 유기계 발포제를 들 수 있다. 상기 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 아지드류 등을 들 수 있다. 상기 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화알칸; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물; 파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화되어 팽창하는 물질이 껍질 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 상기 가열에 의해 용이하게 가스화되어 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화되어 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 껍질 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 상기 껍질 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창의 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그와 같은 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴·아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리술폰 등을 들 수 있다.
상기 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 점착력 저감형 점착제에 관하여 상술한 방사선 경화형 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제나, 감압형 점착제 등을 들 수 있다. 점착제층(12)을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착력 비저감형 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착력 비저감형 점착제를 사용해도 된다. 또한, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어 있어도 되고, 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 점착제층(12)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어 있어도 되고, 점착제층(12)에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 웨이퍼 링의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 반도체 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감형 점착제로 형성되어 있어도 된다. 또한, 점착제층(12)이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조에 있어서의 모든 점착제층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어 있어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 점착층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어 있어도 된다.
방사선 경화형 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제(방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제)는 방사선 조사에 의해 점착력이 저감되어 있는 것으로 해도, 함유하는 중합체 성분에 기인하는 점착성을 나타내고, 다이싱 공정 등에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층에 최저한 필요한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 사용하는 경우, 점착제층(12)의 면 확대 방향에 있어서, 점착제층(12)의 전체가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제로 형성되어 있어도 되고, 점착제층(12)의 일부가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제로 형성되고 또한 다른 부분이 방사선 미조사의 방사선 경화형 점착제로 형성되어 있어도 된다.
상기 감압형 점착제로서는, 공지 내지 관용의 감압형의 점착제를 사용할 수 있고, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 점착제층(12)이 감압형 점착제로서 아크릴계 중합체를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 중합체는 (메트)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 중합체인 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 상술한 첨가형의 방사선 경화형 점착제에 함유되는 아크릴계 중합체로서 설명된 아크릴계 중합체를 채용할 수 있다.
점착제층(12) 또는 점착제층(12)을 형성하는 점착제는, 상술한 각 성분 이외에, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 착색제(안료, 염료 등) 등의 공지 내지 관용의 점착제층에 사용되는 첨가제가 배합되어 있어도 된다. 상기 착색제로서는, 예를 들어 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물을 함유하는 경우, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물은 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이고, 예를 들어 류코 염료 등을 들 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물의 사용량은 특별히 한정되지 않고 적절히 선택할 수 있다.
점착제층(12)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(12)의 방사선 경화의 전후에 있어서의 다이 본드 필름(20)에 대한 접착력의 균형을 잡는 관점에서, 1 내지 50㎛ 정도가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.
(다이 본드 필름)
다이 본드 필름(20)은 다이 본딩용의 열경화성을 나타내는 접착제로서 기능할 수 있는 구성을 갖는다. 다이 본드 필름(20)은 인장 응력을 가하는 것에 의한 할단이 가능하고, 인장 응력을 가함으로써 할단하여 사용된다.
다이 본드 필름(20)은, 상술한 바와 같이 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 3 내지 5㎬이고, 바람직하게는 3.2 내지 4.8㎬이다. 상기 저장 탄성률 E'을 3㎬ 이상으로 함으로써, 상온 시에 있어서 비교적 느린 속도 영역에서 응력이 가해지는 경우에는, 다이 본드 필름이 상하 방향(두께 방향)으로 움직이기 어려워지고, 다층화되어 있지 않은 반도체 칩은 물론, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우라도, 상온 익스팬드 시 및 그 후(예를 들어, 세정 공정을 포함하고, 픽업할 때까지 등)에 있어서 다이 본드 필름의 다이싱 테이프로부터의 들뜸이 일어나기 어렵게 할 수 있다. 또한, 그러면서, 개편화한 다이 본드 필름을 다이싱 테이프로부터 의도적으로 픽업하여 박리시킬 때에는, 비교적 빠른 속도 영역에서 응력이 가해지기 때문에, 용이하게 픽업할 수 있다. 또한, 상기 저장 탄성률 E'을 5㎬ 이하로 함으로써, 다이 본딩에 있어서 피착체에 대한 다이 본드 필름의 습윤성이 우수하기 때문에 다이 본드 적성이 우수하고, 반도체 칩을 피착체에 다이 본딩(가고착)할 때에는 양호하게 행할 수 있다.
다이 본드 필름(20)은 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 －15℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 4 내지 7㎬인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4.5 내지 6.5㎬이다. 상기 저장 탄성률 E'이 상기 범위 내이면, 저온 시에 있어서 응력이 가해지는 경우에 다이 본드 필름이 상하 방향(두께 방향)으로 움직이기 어려워지고, 다층화되어 있지 않은 반도체 칩은 물론, 회로층이 다층화된 반도체 칩을 사용한 경우라도, 쿨 익스팬드 시 및 그 후(예를 들어, 상온으로 복귀될 때까지 등)에 있어서 다이 본드 필름의 다이싱 테이프로부터의 들뜸이 일어나기 어렵게 할 수 있다. 또한, 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드 필름의 할단을 용이하게 행할 수 있다.
다이 본드 필름(20)은 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 저장 탄성률 G'이 0.03 내지 0.7㎫인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.6㎫이다. 이에 의해, 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'을 상기 범위 내에 컨트롤하는 것이 용이해지기 때문에, 상온 익스팬드 시 및 그 후, 나아가 쿨 익스팬드 시에 있어서, 들뜸이 일어나기 어렵게 하면서, 피착체에 대한 다이 본드 적성도 더 향상되는 경향이 있다.
다이 본드 필름(20)은 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 손실 탄성률 G"이 0.01 내지 0.1㎫인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.02 내지 0.08㎫이다. 이에 의해, 다이 본딩 시의 칩의 들뜸을 보다 한층 발생하기 어렵게 할 수 있다.
다이 본드 필름(20)은 열경화 후에 있어서, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 150℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타내는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 22 내지 150㎫이다. 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩의 형태에서 반도체 칩을 피착체에 다이 본딩시키고, 그 후, 후술하는 와이어 본딩 공정을 행하는 경우, 와이어 본딩 공정에 있어서, 와이어 본딩 시의 가열에 의해 발생하는 열에 의해 다이 본드 필름이 150℃ 정도까지 승온하는 경우가 있지만, 다이 본드 필름(20)이 열경화 후에 있어서, 150℃에서 상기 범위의 저장 탄성률 E'을 나타냄으로써, 열경화 후의 다이 본드 필름이 적절하게 단단하고, 와이어 본딩 공정에 있어서 150℃ 정도까지 승온한 경우라도, 와이어 본딩의 충격에 의해 반도체 칩이 움직이기 어렵고, 와이어 본딩 패드에 힘이 전해지기 쉬워져, 적절하게 와이어의 접합을 행할 수 있다.
다이 본드 필름(20)은, 열경화 후에 있어서, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 250℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타내는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 22 내지 150㎫이다. 반도체 관련 부품의 신뢰성 평가로서 반도체 관련 부품을 250℃ 정도까지 가열하는 내습 땜납 리플로우 시험이 일반적으로 행해지지만, 다이 본드 필름(20)이 열경화 후에 있어서, 250℃에서 상기 범위의 저장 탄성률 E'을 나타냄으로써, 내습 땜납 리플로우 시험에 있어서 250℃ 정도까지 가열한 경우라도 다이 본드 필름의 피착체로부터의 박리가 일어나기 어렵게 할 수 있다.
또한, 상기한 다이 본드 필름의 열경화 후는 다이 본드 필름을 175℃에서 1시간 열경화시킨 후의 것을 말한다. 상기 열경화 후는 다이 본드 필름을 불완전하게 경화시킨 후여도 되고, 그 이상으로 경화가 거의 진행되지 않는 상태까지 경화(완전히 경화)시킨 후[예를 들어, 불완전 경화 후 추가로 경화(후술하는 후경화 공정 등)를 행하여 경화시킨 후]여도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 필름(20) 및 다이 본드 필름(20)을 구성하는 접착제는 열경화성 수지와, 예를 들어 바인더 성분으로서의 열가소성 수지를 포함하고 있어도 되고, 경화제와 반응하여 결합이 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 다이 본드 필름(20)을 구성하는 접착제가, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 점착제는 열경화성 수지(에폭시 수지 등)를 포함할 필요는 없다. 다이 본드 필름(20)은 단층 구조를 갖고 있어도 되고, 다층 구조를 갖고 있어도 된다.
다이 본드 필름(20)이, 열경화성 수지를 열가소성 수지와 함께 포함하는 경우, 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 다이 본딩 대상의 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 이유로부터, 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 글리시딜아민형의 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 많고 또한 내열성이 우수한 점에서, 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다. 상기 페놀 수지는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 그 중에서도, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있는 관점에서, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 바람직하다.
다이 본드 필름(20)에 있어서, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.7 내지 1.5당량이 되는 양으로 포함된다.
다이 본드 필름(20)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 열경화성 수지의 함유 비율은 다이 본드 필름(20)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서, 다이 본드 필름(20)의 총 질량에 대하여, 5 내지 60질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높기 때문에 다이 본드 필름(20)에 의한 접합 신뢰성을 확보하기 쉽다는 이유로부터, 아크릴 수지가 바람직하다.
상기 아크릴 수지는 (메트)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 중합체인 것이 바람직하다. 당해 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 상술한 첨가형의 방사선 경화형 점착제에 함유될 수 있는 아크릴계 중합체를 형성하는 (메트)아크릴산에스테르로서 예시된 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 상기 아크릴 수지는 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 단량체나, 각종 다관능성 단량체 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 상술한 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제에 포함될 수 있는 아크릴계 중합체를 구성하는 다른 단량체 성분으로서 예시된 것을 사용할 수 있다. 다이 본드 필름(20)에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서는, 상기 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르[특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르]와, 카르복시기 함유 단량체와, 질소 원자 함유 단량체와, 다관능성 단량체(특히 폴리글리시딜계 다관능 단량체)의 공중합체이고, 보다 바람직하게는, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체이다.
상기 아크릴 수지는 상술한 각각의 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 원하는 범위 내로 하기 쉬운 관점에서, 유리 전이 온도(Tg)가 5 내지 35℃인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 30℃이다.
다이 본드 필름(20)이 열경화성 수지와 함께 열가소성 수지를 포함하는 경우, 상기 열가소성 수지의 함유 비율은 열경화성 수지의 함유 비율과의 조정에 의해, 상술한 각각의 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 원하는 범위 내로 하기 쉬운 관점에서, 다이 본드 필름(20) 중의 필러를 제외한 유기 성분(예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화 촉매 등, 실란 커플링제, 염료)의 총 질량에 대하여, 30 내지 70질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 60질량％, 더욱 바람직하게는 45 내지 55질량％이다.
다이 본드 필름(20)이 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함한다. 당해 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 상술한 첨가형의 방사선 경화형 점착제에 함유될 수 있는 아크릴계 중합체를 형성하는 (메트)아크릴산에스테르로서 예시된 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리시딜기, 카르복시기가 바람직하다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지, 카르복시기 함유 아크릴 수지가 특히 바람직하다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 함께 경화제를 포함하는 것이 바람직하고, 당해 경화제로서는, 예를 들어 상술한 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제에 포함될 수 있는 가교제로서 예시된 것을 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 경화제로서 폴리페놀계 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어 상술한 각종 페놀 수지를 사용할 수 있다.
다이 본드 필름(20)은 필러를 함유하는 것이 바람직하다. 다이 본드 필름(20)으로의 필러의 배합에 의해, 다이 본드 필름(20)의, 상술한 각각의 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 용이하게 조정할 수 있다. 나아가, 도전성이나, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있고, 특히 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 외에, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 필러는 구상, 침상, 플레이크상 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 상기 필러로서는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
상기 필러의 평균 입경은 0.005 내지 10㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1㎛이다. 상기 평균 입경이 0.005㎛ 이상이면, 반도체 웨이퍼 등의 피착체로의 습윤성, 접착성이 더 향상된다. 상기 평균 입경이 10㎛ 이하이면, 상기 각 특성의 부여를 위해 가한 필러의 효과를 충분한 것으로 할 수 있음과 함께, 내열성을 확보할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(예를 들어, 상품명 「LA-910」, (주)호리바 세이사쿠쇼제)를 사용하여 구할 수 있다.
다이 본드 필름(20)이 필러를 포함하는 경우, 상기 필러의 함유 비율은 상술한 각각의 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 원하는 범위 내로 하기 쉬운 관점에서, 다이 본드 필름(20)의 총 질량에 대하여, 30 내지 70질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 60질량％, 더욱 바람직하게는 42 내지 55질량％이다.
다이 본드 필름(20)은, 필요에 따라 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 하이드로탈사이트류, 수산화비스무트, 벤조트리아졸 등을 들 수 있다. 상기 다른 첨가제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
특히, 다이 본드 필름(20)은 상술한 각각의 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 원하는 범위 내로 하기 쉬운 관점에서, 열가소성 수지(특히, 아크릴 수지), 열경화성 수지 및 필러를 포함하고, 다이 본드 필름(20) 중의 필러를 제외한 유기 성분의 총 질량에 대한 열가소성 수지(특히, 아크릴 수지)의 함유 비율이 30 내지 70질량％(바람직하게는 40 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 45 내지 55질량％)이고, 다이 본드 필름(20)의 총 질량에 대한 필러의 함유 비율이 30 내지 70질량％(바람직하게는 40 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 42 내지 55질량％)인 것이 바람직하다.
다이 본드 필름(20)의 두께(적층체의 경우는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1 내지 200㎛이다. 상한은 100㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80㎛이다. 하한은 3㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛이다.
다이 본드 필름(20)은 유리 전이 온도(Tg)가 0℃ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10℃ 이상이다. 상기 유리 전이 온도가 0℃ 이상이면, 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드 필름(20)을 용이하게 할단할 수 있다. 다이 본드 필름(20)의 유리 전이 온도의 상한은, 예를 들어 100℃이다.
다이 본드 필름(20)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 단층의 다이 본드 필름을 포함하는 것을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 단층이란, 동일한 조성을 포함하는 층을 말하고, 동일한 조성을 포함하는 층이 복수 적층된 형태의 것을 포함한다. 단, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름은 이 예에 한정되지 않고, 예를 들어 조성이 다른 2종 이상의 접착 필름이 적층된 형태의 다층 구조여도 된다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태인 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제조된다. 먼저 기재(11)는 공지 내지 관용의 제막 방법에 의해 제막하여 얻을 수 있다. 상기 제막 방법으로서는, 예를 들어, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다.
이어서, 기재(11) 상에, 점착제층(12)을 형성하는 점착제 및 용매 등을 포함하는, 점착제층을 형성하는 조성물(점착제 조성물)을 도포하여 도포막을 형성한 후, 필요에 따라 탈용매나 경화 등에 의해 해당 도포막을 고화시켜, 점착제층(12)을 형성할 수 있다. 상기 도포의 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등의 공지 내지 관용의 도포 방법을 들 수 있다. 또한, 탈용매 조건으로서는, 예를 들어 온도 80 내지 150℃, 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기한 탈용매 조건에서 도포막을 고화시켜 점착제층(12)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프(10)를 제작할 수 있다.
다이 본드 필름(20)에 대하여, 먼저, 수지, 필러, 경화 촉매, 용매 등을 포함하는, 다이 본드 필름(20)을 형성하는 조성물(접착제 조성물)을 제작한다. 이어서, 접착제 조성물을 세퍼레이터 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 필요에 따라 탈용매나 경화 등에 의해 해당 도포막을 고화시켜, 다이 본드 필름(20)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등의 공지 내지 관용의 도포 방법을 들 수 있다. 또한, 탈용매 조건으로서는, 예를 들어 온도 70 내지 160℃, 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다.
계속해서, 다이싱 테이프(10) 및 다이 본드 필름(20)으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 다이 본드 필름(20)과 점착제층(12)이 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 0.1 내지 20kgf/㎝가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 10kgf/㎝이다.
상술한 바와 같이, 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제로 형성된 점착제층(방사선 경화형 점착제층)인 경우에 다이 본드 필름(20)의 접합보다 나중에 점착제층(12)에 자외선 등의 방사선을 조사할 때에는, 예를 들어 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 방사선 조사를 행하고, 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ이고, 바람직하게는 100 내지 300mJ이다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(조사 영역 R)은, 통상, 점착제층(12)에 있어서의 다이 본드 필름(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다. 부분적으로 조사 영역 R을 설치하는 경우, 조사 영역 R을 제외한 영역에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 통해 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 방사선을 조사하여 조사 영역 R을 형성하는 방법도 들 수 있다.
이상과 같이 하여, 예를 들어 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름(1)을 제작할 수 있다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에는 다이 본드 필름(20)측에, 적어도 다이 본드 필름(20)을 피복하는 형태로 세퍼레이터(도시 생략)가 설치되어 있어도 된다. 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)보다도 다이 본드 필름(20)이 작은 사이즈이고 점착제층(12)에 있어서 다이 본드 필름(20)이 접합되어 있지 않은 영역이 있는 경우에는 예를 들어, 세퍼레이터는 다이 본드 필름(20) 및 점착제층(12)을 적어도 피복하는 형태로 설치되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 적어도 다이 본드 필름(20)[예를 들어, 다이 본드 필름(20) 및 점착제층(12)]이 노출되지 않도록 보호하기 위한 요소이고, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 상기 다이 본드 필름측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩에 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정(「공정 A」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 저온의 조건 하에서, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프를 익스팬드하고, 적어도 상기 다이 본드 필름을 할단하여 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 얻는 공정(「공정 B」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 고온의 조건 하에서, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하고, 상기 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 공정(「공정 C」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상기 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 픽업하는 공정(「공정 D」라고 칭하는 경우가 있음)을 포함하는 제조 방법에 의해, 반도체 장치를 제조할 수 있다.
공정 A에서 사용하는 상기 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩에 개편화 가능한 반도체 웨이퍼는 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 먼저, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)에 분할 홈(30a)을 형성한다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼(W)는 제1 면 Wa 및 제2 면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서의 제1 면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어지고, 또한 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1 면 Wa 상에 이미 형성되어 있다. 그리고, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1을 반도체 웨이퍼(W)의 제2 면 Wb측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)의 제1 면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)을 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성한다. 분할 홈(30a)은 반도체 웨이퍼(W)를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 2 내지 4에서는 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).
이어서, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼(W)의 제1 면 Wa측으로의 접합과, 반도체 웨이퍼(W)로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리를 행한다.
이어서, 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은 연삭 숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는 복수의 반도체 칩(31)에 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2 면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서의 연결부의 두께, 즉 반도체 웨이퍼(30A)의 제2 면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2 면 Wb측 선단 사이의 거리는, 제조되는 반도체 장치에 의해 적절히 선택된다.
(공정 A)
공정 A에서는, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이 본드 필름(20)측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩에 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 부착한다.
공정 A에 있어서의 일 실시 형태에서는, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(30A)를 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이 본드 필름(20)에 대하여 접합한다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2를 박리한다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 다이 본드 필름(20)으로의 접합 후에, 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ이고, 바람직하게는 100 내지 300mJ이다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 도시하는 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(12)에 있어서의 다이 본드 필름(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
(공정 B)
공정 B에서는, 상대적으로 저온의 조건 하에서, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하고, 적어도 다이 본드 필름(20)을 할단하여 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 얻는다.
공정 B에 있어서의 일 실시 형태에서는, 먼저, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12) 상에 링 프레임(41)을 부착한 후, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름(1)을 익스팬드 장치의 유지구(42)에 고정한다.
이어서, 상대적으로 저온의 조건 하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 행하고, 반도체 웨이퍼(30A)를 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화함과 함께, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이 본드 필름(20)을 소편의 다이 본드 필름(21)으로 할단하고, 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 얻는다. 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘이도록 익스팬드한다. 이 익스팬드는 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32㎫, 바람직하게는 20 내지 32㎫의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 －20 내지 －5℃, 보다 바람직하게는 －15 내지 －5℃, 더욱 바람직하게는 －15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도[밀어 올림 부재(43)를 상승시키는 속도]는, 바람직하게는 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드양은, 바람직하게는 3 내지 16㎜이다.
공정 B에서는, 복수의 반도체 칩에 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)를 사용한 경우, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 박육이고 균열되기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 공정 B에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(20)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그와 같은 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다. 익스팬드에 의한 할단 후, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 밀어 올림 부재(43)를 하강시키고, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태를 해제한다.
(공정 C)
공정 C에서는, 상대적으로 고온의 조건 하에서, 상기 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하고, 상기 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌다.
공정 C에 있어서의 일 실시 형태에서는, 먼저, 상대적으로 고온의 조건 하에서의 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정)을, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 행하고, 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)를 넓힌다. 공정 C에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재(43)를 다시 상승시키고, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드한다. 제2 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도[밀어 올림 부재(43)를 상승시키는 속도]는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이고, 바람직하게는 0.3 내지 1㎜/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드양은, 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(10)로부터 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능할 정도로, 공정 C에서는 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)의 이격 거리를 넓힌다. 익스팬드에 의해 이격 거리를 넓힌 후, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어 올림 부재(43)를 하강시키고, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태를 해제한다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 상의 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하는 관점에서는, 익스팬드 상태를 해제하는 것보다 전에, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.
공정 C 이후, 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라 갖고 있어도 된다.
(공정 D)
공정 D(픽업 공정)에서는, 개편화한 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 픽업한다. 공정 D에 있어서의 일 실시 형태에서는, 필요에 따라 상기 클리닝 공정을 거친 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(10)로부터 픽업한다. 예를 들어, 픽업 대상의 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)에 대하여, 다이싱 테이프(10)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시키고 다이싱 테이프(10)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 유지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어 올림 속도는, 예를 들어 1 내지 100㎜/초이고, 핀 부재(44)의 밀어 올림량은, 예를 들어 100 내지 500㎛이다.
상기 반도체 장치의 제조 방법은 공정 A 내지 D 이외의 다른 공정을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 일 실시 형태에 있어서는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 픽업한 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)을, 피착체(51)에 대하여 다이 본드 필름(21)을 통해 가고착한다(가고착 공정). 피착체(51)로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 배선 기판, 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 다이 본드 필름(21)의 가고착 시에 있어서의 25℃에서의 전단 접착력은 피착체(51)에 대하여 0.2㎫ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10㎫이다. 다이 본드 필름(21)의 상기 전단 접착력이 0.2㎫ 이상이라고 하는 구성은, 후술하는 와이어 본딩 공정에 있어서, 초음파 진동이나 가열에 의해 다이 본드 필름(21)과 반도체 칩(31) 또는 피착체(51)와의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 것을 억제하여 적절하게 와이어 본딩을 행할 수 있다. 또한, 다이 본드 필름(21)의 가고착 시에 있어서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대하여 0.01㎫ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5㎫이다.
이어서, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시 생략)와 피착체(51)가 갖는 단자부(도시 생략)를 본딩 와이어(52)를 통해 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드나 피착체(51)의 단자부와 본딩 와이어(52)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현할 수 있고, 다이 본드 필름(21)을 열경화시키지 않도록 행해진다. 본딩 와이어(52)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 구리선 등을 사용할 수 있다. 와이어 본딩에 있어서의 와이어 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 250℃이고, 바람직하게는 80 내지 220℃이다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분간이다.
이어서, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 피착체(51) 상의 반도체 칩(31)이나 본딩 와이어(52)를 보호하기 위한 밀봉 수지(53)에 의해 반도체 칩(31)을 밀봉한다(밀봉 공정). 밀봉 공정에서는 다이 본드 필름(21)의 열경화가 진행된다. 밀봉 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(53)를 형성한다. 밀봉 수지(53)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용할 수 있다. 밀봉 공정에 있어서, 밀봉 수지(53)를 형성하기 위한 가열 온도는, 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은, 예를 들어 60초 내지 수분간이다. 밀봉 공정에서 밀봉 수지(53)의 경화가 충분히 진행되지 않는 경우에는, 밀봉 공정 후에 밀봉 수지(53)를 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정을 행한다. 밀봉 공정에 있어서 다이 본드 필름(21)이 완전히 열경화되지 않는 경우라도, 후경화 공정에 있어서 밀봉 수지(53)와 함께 다이 본드 필름(21)의 완전한 열경화가 가능해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는, 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은, 예를 들어 0.5 내지 8시간이다.
상기한 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 가고착시킨 후, 다이 본드 필름(21)을 완전히 열경화시키는 일없이 와이어 본딩 공정이 행해진다. 이와 같은 구성 대신에, 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 가고착시킨 후, 다이 본드 필름(21)을 열경화시키고 나서 와이어 본딩 공정을 행해도 된다.
상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 다른 실시 형태로서, 도 2의 (d)를 참조하여 상술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 8에 도시하는 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 2의 (c)를 참조하여 상술한 과정을 거친 후, 도 8에 도시하는 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화시키고, 복수의 반도체 칩(31)을 포함하여 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성한다. 상기 웨이퍼 박화 공정에서는, 분할 홈(30a)이 제2 면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2 면 Wb측으로부터 분할 홈(30a)에 이르기 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 지석으로부터 웨이퍼로의 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2 면 Wb 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하여 상술한 바와 같이 형성하는 분할 홈(30a)의, 제1 면 Wa로부터의 깊이는 적절하게 결정된다. 도 8에서는 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 연결되는 크랙에 대하여, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 사용하고, 도 3 내지 도 7을 참조하여 상술한 각 공정을 행해도 된다.
도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는 당해 실시 형태에 있어서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 다이싱 다이 본드 필름(1)에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 당해 실시 형태에 있어서의 공정 B에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘이도록 익스팬드한다. 이 익스팬드에 있어서의 인장 응력은 적절하게 설정된다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 －20 내지 －5℃, 보다 바람직하게는 －15 내지 －5℃, 더욱 바람직하게는 －15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도[밀어 올림 부재(43)를 상승시키는 속도]는, 바람직하게는 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드양은, 바람직하게는 1 내지 300㎜이다. 이와 같은 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이 본드 필름(20)을 소편의 다이 본드 필름(21)으로 할단하여 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착되어 있는 다이 본드 필름(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그와 같은 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다.
상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 또 다른 실시 형태로서, 공정 A에 있어서 사용하는 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B) 대신에, 이하와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 사용해도 된다.
당해 실시 형태에서는, 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 먼저, 반도체 웨이퍼(W)에 개질 영역(30b)을 형성한다. 반도체 웨이퍼(W)는 제1 면 Wa 및 제2 면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서의 제1 면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어지고, 또한 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1 면 Wa 상에 이미 형성되어 있다. 그리고, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3을 반도체 웨이퍼(W)의 제1 면 Wa측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞추어진 레이저광을 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대의 측으로부터 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의해 반도체 웨이퍼(W) 내에 개질 영역(30b)을 형성한다. 개질 영역(30b)은 반도체 웨이퍼(W)를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 상에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-192370호 공보에 상세하게 설명되어 있지만, 당해 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q스위치 펄스
반복 주파수 100㎑ 이하
펄스 폭 1㎲ 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하
이어서, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화시키고, 이에 의해 복수의 반도체 칩(31)에 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)를 형성한다(웨이퍼 박화 공정). 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 개편화 가능은 반도체 웨이퍼로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 사용하고, 도 3 내지 도 7을 참조하여 상술한 각 공정을 행해도 된다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는 당해 실시 형태에 있어서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼(30C)를 다이싱 다이 본드 필름(1)에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘이도록 익스팬드한다. 이 익스팬드에 있어서의 인장 응력은 적절하게 설정된다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 －20 내지 －5℃, 보다 바람직하게는 －15 내지 －5℃, 더욱 바람직하게는 －15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도[밀어 올림 부재(43)를 상승시키는 속도]는, 바람직하게는 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드양은, 바람직하게는 1 내지 300㎜이다. 이와 같은 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이 본드 필름(20)을 소편의 다이 본드 필름(21)으로 할단하여 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되고 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착되어 있는 다이 본드 필름(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그와 같은 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다.
또한, 상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 상술한 바와 같이 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 얻는 용도로 사용할 수 있지만, 복수의 반도체 칩을 적층하여 3차원 실장을 하는 경우에 있어서의 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩을 얻기 위한 용도로도 사용할 수 있다. 그와 같은 3차원 실장에 있어서의 반도체 칩(31) 사이에는 다이 본드 필름(21)과 함께 스페이서가 개재되어 있어도 되고, 스페이서가 개재되어 있지 않아도 된다.
[실시예]
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
(다이싱 테이프의 제작)
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산2-에틸헥실(2EHA) 100질량부, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 19질량부, 과산화벤조일 0.4질량부 및 톨루엔 80질량부를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 10시간 중합을 행하여, 아크릴계 중합체 A를 포함하는 용액을 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A를 포함하는 용액에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 1.2질량부를 가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 60시간, 부가 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 A'을 포함하는 용액을 얻었다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100질량부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물[상품명 「코로네이트L」, 도소(주)제] 1.3질량부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어184」, BASF사제) 3질량부를 가하여, 점착제 조성물 A를 제작했다.
얻어진 점착제 조성물 A를, PET계 세퍼레이터의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 점착제층 A를 형성했다. 계속해서, 점착제층 A의 노출면에, 기재로서의 EVA 필름[군제(주)제, 두께 115㎛]을 접합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 테이프 A를 제작했다.
(다이 본드 필름의 제작)
아크릴 수지[상품명 「SG-P3」, 나가세 켐텍스(주)제, 유리 전이 온도 12℃] 100질량부, 에폭시 수지[상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠(주)제] 45질량부, 페놀 수지[상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이(주)제] 50질량부, 구상 실리카[상품명 「SO-25R」, (주)애드마텍스제] 190질량부 및 경화 촉매[상품명 「큐어졸2PHZ」, 시코쿠 가세이 고교(주)제] 0.6질량부를, 메틸에틸케톤에 가하고 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 A를 얻었다. 이어서, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 다이 본드 필름 A를 제작했다. 다이 본드 필름 A 중에 있어서의, 유기 성분의 총 질량(구상 실리카를 제외한 성분의 총 질량)에 대한 아크릴 수지의 함유 비율 및 다이 본드 필름 A의 총 질량에 대한 실리카의 함유 비율을 표 1에 나타낸다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
다이싱 테이프 A로부터 PET계 세퍼레이터를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 A를 접합했다. 접합에 있어서는, 다이싱 테이프의 중심과 다이 본드 필름의 중심을 위치 정렬했다. 또한, 접합에는 핸드 롤러를 사용했다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프와 다이 본드 필름을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 다이 본드 필름을 제작했다.
실시예 2
(다이 본드 필름의 제작)
아크릴 수지[상품명 「SG-P3」, 나가세 켐텍스(주)제, 유리 전이 온도 12℃] 100질량부, 에폭시 수지[상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠(주)제] 45질량부, 페놀 수지[상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이(주)제] 50질량부, 구상 실리카[상품명 「SO-25R」, (주)애드마텍스제] 200질량부 및 경화 촉매[상품명 「큐어졸2PHZ」, 시코쿠 가세이 고교(주)제] 1.0질량부를, 메틸에틸케톤에 가하고 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 B를 얻었다. 이어서, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 다이 본드 필름 B를 제작했다. 다이 본드 필름 B 중에 있어서의, 유기 성분의 총 질량(구상 실리카를 제외한 성분의 총 질량)에 대한 아크릴 수지의 함유 비율 및 다이 본드 필름 B의 총 질량에 대한 실리카의 함유 비율을 표 1에 나타낸다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
다이 본드 필름 A 대신에 다이 본드 필름 B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름을 제작했다.
실시예 3
(다이 본드 필름의 제작)
아크릴 수지[상품명 「SG-P3」, 나가세 켐텍스(주)제, 유리 전이 온도 12℃] 100질량부, 에폭시 수지[상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠(주)제] 45질량부, 페놀 수지[상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이(주)제] 50질량부, 구상 실리카[상품명 「SO-25R」, (주)애드마텍스제] 130질량부 및 경화 촉매[상품명 「큐어졸2PHZ」, 시코쿠 가세이 고교(주)제] 0.4질량부를, 메틸에틸케톤에 가하고 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 C를 얻었다. 이어서, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 다이 본드 필름 C를 제작했다. 다이 본드 필름 C 중에 있어서의, 유기 성분의 총 질량(구상 실리카를 제외한 성분의 총 질량)에 대한 아크릴 수지의 함유 비율 및 다이 본드 필름 C의 총 질량에 대한 실리카의 함유 비율을 표 1에 나타낸다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
다이 본드 필름 A 대신에 다이 본드 필름 C를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름을 제작했다.
비교예 1
(다이 본드 필름의 제작)
아크릴 수지[상품명 「SG-708-6」, 나가세 켐텍스(주)제, 유리 전이 온도 4℃] 100질량부, 에폭시 수지[상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠(주)제] 45질량부, 페놀 수지[상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이(주)제] 50질량부, 구상 실리카[상품명 「SO-25R」, (주)애드마텍스제] 100질량부 및 경화 촉매[상품명 「큐어졸2PHZ」, 시코쿠 가세이 고교(주)제] 0.6질량부를, 메틸에틸케톤에 가하고 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 D를 얻었다. 이어서, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 다이 본드 필름 D를 제작했다. 다이 본드 필름 D 중에 있어서의, 유기 성분의 총 질량(구상 실리카를 제외한 성분의 총 질량)에 대한 아크릴 수지의 함유 비율 및 다이 본드 필름 D의 총 질량에 대한 실리카의 함유 비율을 표 1에 나타낸다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
다이 본드 필름 A 대신에 다이 본드 필름 D를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름을 제작했다.
비교예 2
(다이 본드 필름의 제작)
아크릴 수지[상품명 「SG-70L」, 나가세 켐텍스(주)제, 유리 전이 온도 －13℃] 100질량부, 에폭시 수지[상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠(주)제] 40질량부, 페놀 수지[상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이(주)제] 40질량부, 구상 실리카[상품명 「SO-25R」, (주)애드마텍스제] 200질량부 및 경화 촉매[상품명 「큐어졸2PHZ」, 시코쿠 가세이 고교(주)제] 0.6질량부를, 메틸에틸케톤에 가하고 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 E를 얻었다. 이어서, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 다이 본드 필름 E를 제작했다. 다이 본드 필름 E 중에 있어서의, 유기 성분의 총 질량(구상 실리카를 제외한 성분의 총 질량)에 대한 아크릴 수지의 함유 비율 및 다이 본드 필름 E의 총 질량에 대한 실리카의 함유 비율을 표 1에 나타낸다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
다이 본드 필름 A 대신에 다이 본드 필름 E를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름을 제작했다.
비교예 3
(다이 본드 필름의 제작)
아크릴 수지[상품명 「SG-P3」, 나가세 켐텍스(주)제, 유리 전이 온도 12℃] 100질량부, 에폭시 수지[상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠(주)제] 45질량부, 페놀 수지[상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이(주)제] 50질량부, 구상 실리카[상품명 「SO-25R」, (주)애드마텍스제] 100질량부 및 경화 촉매[상품명 「큐어졸2PHZ」, 시코쿠 가세이 고교(주)제] 0.5질량부를, 메틸에틸케톤에 가하고 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 F를 얻었다. 이어서, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 다이 본드 필름 F를 제작했다. 다이 본드 필름 F 중에 있어서의, 유기 성분의 총 질량(구상 실리카를 제외한 성분의 총 질량)에 대한 아크릴 수지의 함유 비율 및 다이 본드 필름 F의 총 질량에 대한 실리카의 함유 비율을 표 1에 나타낸다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
다이 본드 필름 A 대신에 다이 본드 필름 F를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름을 제작했다.
비교예 4
(다이 본드 필름의 제작)
아크릴 수지[상품명 「SG-P3」, 나가세 켐텍스(주)제, 유리 전이 온도 12℃] 100질량부, 에폭시 수지[상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠(주)제] 45질량부, 페놀 수지[상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이(주)제] 50질량부, 구상 실리카[상품명 「SO-25R」, (주)애드마텍스제] 250질량부 및 경화 촉매[상품명 「큐어졸2PHZ」, 시코쿠 가세이 고교(주)제] 0.5질량부를, 메틸에틸케톤에 가하고 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 G를 얻었다. 이어서, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하여, 두께 10㎛의 다이 본드 필름 G를 제작했다. 다이 본드 필름 G 중에 있어서의, 유기 성분의 총 질량(구상 실리카를 제외한 성분의 총 질량)에 대한 아크릴 수지의 함유 비율 및 다이 본드 필름 G의 총 질량에 대한 실리카의 함유 비율을 표 1에 나타낸다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제작)
다이 본드 필름 A 대신에 다이 본드 필름 G를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름을 제작했다.
<평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이 본드 필름 및 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E' 및 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 －15℃에 있어서의 저장 탄성률 E')
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 다이 본드 필름으로부터, 폭 4㎜, 길이 40㎜의 스트립상으로 커터 나이프로 잘라내어 시험편으로 하고, 고체 점탄성 측정 장치(측정 장치: Rheogel-E4000, 유비엠사제)를 사용하여, 주파수 10㎐, 승온 속도 5℃/분, 초기 척간 거리 22.5㎜의 조건에서, －50 내지 100℃의 온도 범위에서, 인장 모드에서 동적 저장 탄성률을 측정했다. 그리고 25℃ 및 －15℃에서의 값을 판독하고, 그것들의 값을 각각, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 및 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 －15℃에 있어서의 저장 탄성률 E'으로서 얻었다. 평가 결과를 각각 표 1의 「저장 탄성률 E'(25℃, 10㎐)」, 「저장 탄성률 E'(－15℃, 10㎐)」의 란에 나타낸다.
(주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 저장 탄성률 G' 및 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 손실 탄성률 G")
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 다이 본드 필름을 300㎛로 적층하고, 10㎜Φ의 펀치로 원 형상으로 펀칭하여 측정 샘플을 제작했다. 8㎜Φ의 측정 지그를 사용하여, 갭 250㎛, 승온 속도 10℃/min, 주파수 5rad/sec, 변형 10％의 조건에 있어서 75 내지 150℃의 범위에서 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 측정했다(측정 장치:HAAKE MARSIII, 서모 사이언티픽사제). 그리고, 130℃에서의 저장 탄성률 및 손실 탄성률의 값을 판독하고, 이들의 값을 각각, 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 저장 탄성률 G' 및 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 손실 탄성률 G"으로서 얻었다. 평가 결과를 각각 표 1의 「저장 탄성률 G'(130℃, 1㎐)」, 「손실 탄성률 G"(130℃, 1㎐)」의 란에 나타낸다.
(열경화 후의 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 150℃에 있어서의 저장 탄성률 E' 및 열경화 후의 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 250℃에 있어서의 저장 탄성률 E')
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이 본드 필름을, 175℃의 온도 조건 하에서 1시간 가열하여 경화시킨 후, 열경화한 다이 본드 필름으로부터 폭 4㎜, 길이 40㎜의 스트립상으로 커터 나이프로 잘라내어 시험편으로 하고, 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭사제)를 사용하여, 주파수 10㎐, 승온 속도 10℃/분, 초기 척간 거리 22.5㎜의 조건에서, 0 내지 300℃의 온도 범위에서, 인장 모드에서 동적 저장 탄성률을 측정했다. 그리고 150℃ 및 250℃에서의 값을 판독하고, 그것들의 값을 각각, 열경화 후의 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 150℃에 있어서의 저장 탄성률 및 열경화 후의 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 250℃에 있어서의 저장 탄성률 E'으로서 얻었다. 평가 결과를 각각 표 1의 「경화 후의 저장 탄성률 E'(150℃, 10㎐)」, 「경화 후의 저장 탄성률 E'(250℃, 10㎐)」의 란에 나타낸다.
(할단성 및 쿨 익스팬드 시의 들뜸)
레이저 가공 장치로서 상품명 「ML300-Integration」[(주)도쿄 세이미츠제]을 사용하여, 12인치의 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추고, 격자상(10㎜×10㎜)의 분할 예정 라인을 따라 표면으로부터 레이저광을 조사하고, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성했다. 레이저광의 조사는 하기의 조건에서 행하였다.
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q스위치 펄스
반복 주파수 100㎑
펄스 폭 30ns
출력 20μJ/펄스
레이저광 품질 TEM00 40
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 50배
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 60％
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 100㎜/초
반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성한 후, 반도체 웨이퍼의 표면에 백그라인드용 보호 테이프를 접합하고, 백 그라인더[상품명 「DGP8760」, (주)디스코제]를 사용하여 반도체 웨이퍼의 두께가 30㎛가 되도록 이면을 연삭했다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에, 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼와 다이싱 링을 접합했다. 그리고, 다이 세퍼레이터[상품명 「DDS2300」, (주)디스코제]를 사용하여, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 필름의 할단을 행하였다. 구체적으로는, 먼저, 쿨 익스팬더 유닛으로, 온도 －15℃, 익스팬드 속도 200㎜/초, 익스팬드양 12㎜의 조건에서 쿨 익스팬드를 행하여 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 필름을 할단했다. 그 후, 히트 익스팬더 유닛에서, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 7㎜의 조건에서 상온 익스팬드를 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 채, 히트 온도 200℃, 풍량 40L/min, 히트 거리 20㎜, 로테이션 스피드 5°/sec로 반도체 칩의 외주 부분에 대하여 다이싱 테이프를 열수축시켰다. 그리고, 상기 샘플을 다이 본더[상품명 「다이 본더 SPA-300」, (주)신카와제]로 핀 수 5, 500㎛의 픽업 하이트로 픽업 평가를 50칩 행하고, 픽업할 수 있던 비율이 90％ 이상인 경우를 ○, 90％ 미만인 경우를 ×로 하여 평가를 행하였다. 평가 결과를 표 1의 「할단성」의 란에 나타낸다.
또한, 익스팬드를 해제한 상태에서의 다이 본드 필름이 다이싱 테이프로부터 들떠있는 부분의 면적(다이 본드 필름 전체의 면적을 100％로 했을 때의 들떠있는 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩의 면적 비율)을 현미경으로 관찰하여, 들뜸의 면적이 30％ 미만인 경우를 ○, 30％ 이상인 경우를 ×로 하여 평가했다. 평가 결과를 표 1의 「쿨 익스팬드 시의 들뜸」의 란에 나타낸다.
(상온 익스팬드 시의 들뜸)
상기 쿨 익스팬드 시의 들뜸의 평가 후, 다이 세퍼레이터[상품명 「DDS2300」, (주)디스코제]를 사용하여, 그 히트 익스팬더 유닛으로, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 7㎜의 조건에서 상온 익스팬드를 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 채, 히트 온도 200℃, 풍량 40L/min, 히트 거리 20㎜, 로테이션 스피드 5°/sec로 반도체 칩의 외주 부분에 대하여 다이싱 테이프를 열수축시켰다. 그리고, 그 상태에서의 다이 본드 필름이 다이싱 테이프로부터 들떠있는 부분의 면적(다이 본드 필름 전체의 면적을 100％로 했을 때의 들떠있는 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩의 면적 비율)을 현미경으로 관찰하여, 들뜸의 면적이 30％ 미만인 경우를 ○, 30％ 이상인 경우를 ×로 하여 평가했다. 평가 결과를 표 1의 「상온 익스팬드 시의 들뜸」의 란에 나타낸다.
(상온 익스팬드 후의 경시에서의 들뜸)
상기 상온 익스팬드 시의 평가에 있어서 다이싱 테이프를 열수축시키고 3시간 경과 후에, 다이 본드 필름이 다이싱 테이프로부터 들떠있는 부분의 면적(다이 본드 필름 전체의 면적을 100％로 했을 때의 들떠있는 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩의 면적 비율)을 현미경으로 관찰하여, 들뜸의 면적이 30％ 미만인 경우를 ○, 30％ 이상인 경우를 ×로 하여 평가했다. 평가 결과를 표 1의 「경시에서의 들뜸」의 란에 나타낸다.
(픽업 적성)
상기 상온 익스팬드 시의 들뜸의 평가 후, 상품명 「다이 본더 SPA-300」[(주)신카와제]을 사용하여, 밀어 올림 속도를 1㎜/초, 밀어 올림량을 500㎛, 핀 수를 5로 하고, 50개의 다이 본드 필름이 부착된 반도체 칩에 대하여 픽업을 시도했다. 그리고, 50개 전부를 픽업할 수 있는 경우를 ○, 1개라도 픽업할 수 없던 경우, 또는 이미 들뜸이 발생한 경우를 ×로 하여 평가했다. 평가 결과를 표 1의 「픽업 적성」의 란에 나타낸다.
(다이 본드 적성)
「다이 본더 SPA-300」[(주)신카와제]을 사용하여, 스테이지 온도 120℃, 다이 본드 하중 1000gf, 다이 본드 시간 1초의 조건에서 15㎜×15㎜의 미러 칩에 본딩하고, 칩의 네 코너의 들뜸을 확인했다. 관찰은 초음파 영상 장치[상품명 「FS200II」, (주)히타치 파인테크제]를 사용하여 관찰했다. 관찰 화상에 있어서 들뜸이 차지하는 면적을, 2치화 소프트웨어(WinRoof ver.5.6)를 사용하여 산출했다. 보이드가 차지하는 면적이 접착 시트의 표면적에 대하여 5％ 미만이었던 경우를 「○」라고 판정하고, 5％ 이상인 경우를 「×」라고 판정했다. 평가 결과를 표 1의 「다이 본드 적성」의 란에 나타낸다.
(와이어 본딩 적성)
편면을 알루미늄 증착한 웨이퍼를 연삭함으로써, 두께 30㎛의 다이싱용 웨이퍼를 얻었다. 다이싱용 웨이퍼를 실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에 부착하고, 계속해서 한 변이 10㎜인 정사각형으로 다이싱함으로써, 다이 본드 필름이 부착된 칩을 얻었다. 다이 본드 필름이 부착된 칩을 Cu 리드 프레임 상에 120℃, 0.1㎫, 1sec의 조건에서 다이 어태치했다. 와이어 본딩 장치(K&S사제의 Maxum Plus)를 사용하여, 하나의 칩에 선 직경 18㎛의 Au 와이어를 5개 본딩했다. 출력 80Amp, 시간 10ms 및 하중 50g의 조건에서 Au 와이어를 Cu 리드 프레임에 부딪치게 했다. 150℃, 출력 125Amp, 시간 10ms 및 하중 80g의 조건에서 Au 와이어를 칩에 부딪치게 했다. 5개의 Au 와이어 중 1개 이상을 칩에 접합할 수 없던 경우를 ×라고 판정하고, 5개의 Au 와이어 중 5개를 칩에 접합할 수 있던 경우를 ○라고 판정했다. 평가 결과를 표 1의 「와이어 본딩 적성」의 란에 나타낸다.
(리플로우 적성)
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이 본드 필름을 70℃에서 9.5㎜×9.5㎜, 200㎛ 두께의 반도체 소자에 부착하고, 120℃, 0.1㎫, 1초 동안에 리드 프레임 상에 마운트한 것을, 가압 건조기에서 175℃×1시간(가압 7㎏/㎠)의 열처리를 실시하고, 그 후, 밀봉 수지를 사용한 몰드 공정을 행하였다. 그 후, 85℃/60％RH×168h의 흡습을 행하고, 260℃ 이상에서 이 온도를 30초간 유지하도록 온도 설정한 IR 리플로우로에 샘플을 통과시킨 후, 초음파 영상 장치[(주)히타치 파인테크제, FS200II]에서 칩과 기판의 계면에 박리가 발생하고 있는지 여부를 칩 9개에 대하여 관찰하여, 박리가 발생하고 있는 확률을 산출했다. 9개 평가를 행하여, 모두 박리가 없는 경우를 ○, 1개라도 박리가 확인된 경우는 ×라고 했다. 평가 결과를 표 1의 「리플로우 적성」의 란에 나타낸다.
Figure 112018035478594-pat00001
1 : 다이싱 다이 본드 필름
10 : 다이싱 테이프
11 : 기재
12 : 점착제층
20, 21 : 다이 본드 필름
W, 30A : 반도체 웨이퍼
30B : 반도체 웨이퍼 분할체
30a : 분할 홈
30b : 개질 영역
31 : 반도체 칩

Claims (5)

  1. 기재와, 상기 기재 상에 적층된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고,
    상기 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 25℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 3 내지 5㎬이고,
    상기 다이 본드 필름의, 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 저장 탄성률 G'이 0.03 내지 0.7㎫이고,
    상기 다이 본드 필름의, 주파수 1㎐의 조건에서 측정되는 130℃에 있어서의 손실 탄성률 G"이 0.01 내지 0.1㎫인, 다이싱 다이 본드 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다이 본드 필름의, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 －15℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 4 내지 7㎬인, 다이싱 다이 본드 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다이 본드 필름이, 열경화 후에 있어서, 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 150℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타내고, 또한 주파수 10㎐의 조건에서 측정되는 250℃에 있어서의 저장 탄성률 E'이 20 내지 200㎫을 나타내는, 다이싱 다이 본드 필름.
  4. 삭제
  5. 삭제
KR1020180041438A 2017-05-19 2018-04-10 다이싱 다이 본드 필름 KR102492072B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-099518 2017-05-19
JP2017099518A JP6961387B2 (ja) 2017-05-19 2017-05-19 ダイシングダイボンドフィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180127183A KR20180127183A (ko) 2018-11-28
KR102492072B1 true KR102492072B1 (ko) 2023-01-26

Family

ID=64499468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180041438A KR102492072B1 (ko) 2017-05-19 2018-04-10 다이싱 다이 본드 필름

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP6961387B2 (ko)
KR (1) KR102492072B1 (ko)
CN (1) CN108949051B (ko)
TW (1) TWI768030B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019107887A2 (ko) 2017-11-28 2019-06-06 (주)다림티센 지혈용 조성물 및 이를 포함하는 용기
JP2020150196A (ja) * 2019-03-15 2020-09-17 日東電工株式会社 接着フィルム付きダイシングテープ
JP7289688B2 (ja) * 2019-03-26 2023-06-12 日東電工株式会社 接着フィルム付きダイシングテープ
WO2020196757A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 リンテック株式会社 粘着シート、粘着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7328807B2 (ja) 2019-06-26 2023-08-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
JP7350534B2 (ja) 2019-06-28 2023-09-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
CN112778924A (zh) * 2019-11-07 2021-05-11 日东电工株式会社 切割带和切割芯片接合薄膜
CN117397005A (zh) * 2021-05-28 2024-01-12 三井化学东赛璐株式会社 电子装置的制造方法
EP4349592A1 (en) * 2021-05-28 2024-04-10 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Adhesive film for backgrinding, and method for manufacturing electronic device
CN117397009A (zh) * 2021-05-28 2024-01-12 三井化学东赛璐株式会社 电子装置的制造方法
WO2023152837A1 (ja) * 2022-02-09 2023-08-17 株式会社レゾナック フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010135765A (ja) 2008-10-28 2010-06-17 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着シート、ダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置
JP2011151361A (ja) 2009-12-24 2011-08-04 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2014133823A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1837317B (zh) * 1996-10-08 2010-05-12 日立化成工业株式会社 半导体装置、粘合剂和双面粘合膜
JP2003007649A (ja) 2001-06-18 2003-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割方法
WO2004109786A1 (ja) * 2003-06-06 2004-12-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
CN101447413B (zh) * 2003-06-06 2013-03-27 日立化成株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
JP2009164556A (ja) 2007-12-11 2009-07-23 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP4810565B2 (ja) * 2008-11-26 2011-11-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP5499772B2 (ja) * 2009-02-26 2014-05-21 日立化成株式会社 半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法
JP5632695B2 (ja) * 2009-11-26 2014-11-26 日東電工株式会社 ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法
JP5434747B2 (ja) 2010-03-31 2014-03-05 住友ベークライト株式会社 ダイシングフィルム
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5528936B2 (ja) * 2010-07-28 2014-06-25 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5419226B2 (ja) * 2010-07-29 2014-02-19 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
JP4976532B2 (ja) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
JP5580701B2 (ja) * 2010-09-13 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR102310226B1 (ko) * 2013-12-24 2021-10-08 닛토덴코 가부시키가이샤 접착 필름, 다이싱·다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP6356458B2 (ja) * 2014-03-31 2018-07-11 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP6322026B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-09 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP6356582B2 (ja) * 2014-11-25 2018-07-11 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び半導体装置の製造方法
JP6670177B2 (ja) * 2016-05-30 2020-03-18 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010135765A (ja) 2008-10-28 2010-06-17 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着シート、ダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置
JP2011151361A (ja) 2009-12-24 2011-08-04 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2014133823A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7208327B2 (ja) 2023-01-18
JP2018195746A (ja) 2018-12-06
JP2022000933A (ja) 2022-01-04
KR20180127183A (ko) 2018-11-28
JP6961387B2 (ja) 2021-11-05
TWI768030B (zh) 2022-06-21
TW201900797A (zh) 2019-01-01
CN108949051B (zh) 2022-03-22
CN108949051A (zh) 2018-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102492072B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR102532978B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR102401744B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 접착 시트
KR102477487B1 (ko) 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법
KR102489355B1 (ko) 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7007827B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法
KR102528778B1 (ko) 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름
JP2012079936A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR20150113878A (ko) 다이싱 필름, 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2017183705A (ja) ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6670177B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2012222002A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR20180116756A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
CN111334212A (zh) 粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法
JP5908543B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN111004588A (zh) 切割芯片接合薄膜
JP7280661B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
KR20180116752A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR102528254B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
JP7224231B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
CN111276439A (zh) 切割芯片接合薄膜
CN111647364A (zh) 切割芯片接合薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant