KR102487939B1 - 화학적 기계적 폴리싱 툴을 위한 컴포넌트들 - Google Patents
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Abstract
표면 및 표면 상에 증착된 소수성 층을 갖는, CMP 툴의 컴포넌트가 본원에 개시된다. 일 예에서, 컴포넌트는, CMP 툴에서 유체를 전달하기 위한 컴포넌트이다. CMP 툴에서 유체를 전달하기 위한 컴포넌트는, 제 1 단부, 제 2 단부, 및 2개의 단부들 사이에서 연장되는 세장형 상부 표면을 갖는 세장형 부재를 포함한다. 소수성 층은 세장형 상부 표면 상에 증착된다. 다른 예에서, 컴포넌트는, 상부 측 및 하부 측을 갖는 링 형상 본체이다. 소수성 층은 상부 측 및 하부 측 둘 모두의 내측 표면들 상에 증착된다. 다른 예에서, 컴포넌트는, 정상부 표면, 바닥부 표면, 및 정상부 표면과 바닥부 표면에 의해 정의되는 레지를 갖는 디스크 형상 본체이다. 소수성 층은 레지 및 표면들 상에 증착된다.
Description
[0001] 기술분야
[0002] 본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 화학적 기계적 폴리싱 툴에서 사용하기 위한 컴포넌트에 관한 것이며, 컴포넌트는 컴포넌트의 표면 상에 배치된 소수성(hydrophobic) 층을 포함한다.
[0003] 배경 기술
[0004] 본 개시물은 일반적으로, 기판들의 화학적 기계적 폴리싱에 관한 것이며, 더 구체적으로, 화학적 기계적 폴리싱 장치의 컴포넌트들에 관한 것이다.
[0005] 집적 회로들은 전형적으로, 전도성, 반전도성, 또는 절연성 층들의 순차적인(sequential) 증착에 의해 실리콘 웨이퍼들과 같은 기판들 상에 형성된다. 각각의 층이 증착된 이후에, 층은, 회로 피처들을 생성하기 위해 에칭된다. 일련의 층들이 순차적으로 증착되고 에칭됨에 따라, 기판의 외측 또는 최상부 표면, 즉, 기판의 노출된 표면은 점점 더 비-평면(non-planar)이 된다. 이러한 비-평면 외측 표면은, 집적 회로 제조업자들에게 문제를 제기한다. 그러므로, 편평한 표면을 제공하기 위해, 기판 표면을 주기적으로 평탄화할(planarize) 필요가 있다.
[0006] 화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 평탄화의 하나의 용인된 방법이다. CMP는 전형적으로, 캐리어 또는 폴리싱 헤드 상에 장착된 기판을 포함한다. 그런 다음에, 기판의 노출된 표면은 회전식(rotating) 폴리싱 패드에 대하여(against) 배치된다. 캐리어 헤드는, 기판을 폴리싱 패드에 대하여 누르기(push) 위해, 제어가능한 부하(load), 즉, 압력을 기판 상에 제공한다. 부가적으로, 캐리어 헤드는, 기판과 폴리싱 표면 사이에 부가적인 모션(motion)을 제공하기 위해 회전할 수 있다.
[0007] 패드와 표면 사이의 계면에 연마 화학 용액을 제공하기 위해, 연마재 및 적어도 하나의 화학적-반응제를 포함하는 폴리싱 슬러리(slurry)가 폴리싱 패드에 공급될 수 있다.
[0008] 폴리싱 슬러리는 또한, CMP 툴의 컴포넌트들과 접촉하고 그러한 컴포넌트들에 부착될(adhere) 수 있다. 시간에 걸쳐서, 폴리싱 슬러리는 컴포넌트들의 표면을 러빙할(rub) 수 있고 이에 의해 컴포넌트 입자들을 제거할 수 있다. 이러한 입자들 중 일부는 폴리싱 패드 상에 떨어질 수 있으며, 이는, 기판의 스크래칭을 초래할 수 있다. 스크래치들은 기판 결함들을 초래할 수 있고, 이는, 완성된(finished) 디바이스의 폴리싱 동안 성능 열화로 이어진다. 부가적으로, 슬러리 입자들은, 슬러리에 의해 접촉되는, CMP 툴의 컴포넌트들을 부식시키기 시작할 수 있다. 따라서, 이러한 부품들의 수명들이 감소되며, 그러한 부품들은 더 즉각적으로 교체되어야 한다.
[0009] 그러므로, CMP 툴들에서 사용하기 위한 개선된 컴포넌트들이 필요하다.
[0010] 일 실시예에서, CMP 툴을 위한 컴포넌트가 본원에 개시된다. 컴포넌트는, CMP 툴이 기판을 폴리싱하고 있을 때, 폴리싱 유체에 노출될 표면을 갖는 본체, 및 본체의 표면 상에 배치된 소수성 층를 포함한다. 소수성 층은 적어도 90°의 유체 접촉 각도(fluid contact angle)를 갖는다.
[0011] 다른 실시예에서, CMP 툴을 위한 컴포넌트가 본원에 개시된다. 컴포넌트는, 링 형상 본체 및 소수성 층을 포함한다. 링 형상 본체는 하부 측 및 상부 측에 의해 정의된다. 하부 측은, 하부 에지, 상부 에지, 외측 직경을 갖는 외측 표면, 내측 직경을 갖는 내측 표면, 및 제 1 소수성 층을 포함한다. 상부 에지는 상부 측을 향해 연장된다. 내측 직경은 외측 직경 미만이다. 외측 표면과 내측 표면은 중심 축을 중심으로 동심(concentric)이다. 제 1 소수성 층은 하부 측의 내측 표면 상에 배치된다. 제 1 소수성 층은, 유체가 하부 측의 내측 표면의 부분과 접촉할 때, 적어도 90°의 접촉 각도를 갖는다. 상부 측은, 하부 에지, 상부 에지, 외측 직경을 갖는 외측 표면, 내측 직경을 갖는 내측 표면, 및 제 2 소수성 층을 포함한다. 하부 에지는, 하부 측의 상부 에지와 일체형(integral)이다. 상부 측의 상부 에지는, 상향 방향으로, 상부 표면의 내측 에지로부터 방사상 내측으로 연장된다. 상부 측의 외측 직경은, 하부 측의 외측 직경 미만이다. 상부 측의 내측 직경은, 하부 측의 내측 직경 미만이다. 제 2 소수성 층은, 유체가 상부 측의 내측 표면의 부분과 접촉할 때, 적어도 90°의 접촉 각도를 갖는다.
[0012] 또다른 실시예에서, CMP 툴의 컴포넌트가 본원에 개시된다. 컴포넌트는, 디스크(disk) 형상 본체 및 디스크 형상 본체 상에 배치된 소수성 층을 포함한다. 디스크 형상 본체는, 정상부 표면, 바닥부 표면, 외측 벽, 내측 벽, 및 레지(ledge)를 갖는다. 바닥부 표면은, 정상부 표면에 대해 실질적으로 평행하다. 외측 벽은 바닥부 표면에 대해 수직이다. 외측 벽은 외측 직경, 제 1 단부, 및 제 2 단부를 포함한다. 외측 벽의 제 1 단부는 바닥부 표면과 일체형이다. 제 2 단부는 제 1 단부 반대쪽에 있다. 내측 벽은 정상부 표면에 대해 수직이다. 내측 벽은 내측 직경, 제 1 단부, 및 제 2 단부를 포함한다. 내측 직경은 외측 직경 미만이다. 내측 벽의 제 2 단부는 정상부 표면과 일체형이다. 레지는 외측 벽 및 내측 벽에 의해 정의된다. 레지는 외측 벽 및 내측 벽에 대해 수직이다. 레지는 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는다. 레지의 제 1 단부는 외측 벽의 제 2 단부와 일체형이다. 레지의 제 2 단부는 레지의 제 1 단부로부터 방사상 내측에 있다. 레지의 제 2 단부는 외측 벽의 제 1 단부와 일체형으로 연결된다. 외측 벽의 제 2 단부는, 정상부 표면을 향하여, 외측 벽의 제 1 단부로부터 방사상 내측에 있다. 소수성 층은, 유체가 디스크 형상 본체의 부분과 접촉할 때, 적어도 90°의 접촉 각도를 갖는다.
[0013] 본 개시물의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시물의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시물의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시물이, 다른 동등한 유효물을 허용할 수 있기 때문이다.
[0014] 도 1은, 일 실시예에 따른, 기판을 폴리싱하기 위한 CMP(chemical mechanical polishing) 툴의 평면도를 예시한다.
[0015] 도 2a는, 일 실시예에 따른, CMP 툴 컴포넌트 - 컴포넌트 상에 증착된 소수성 층이 없음 - 의 부분의 측면도를 예시한다.
[0016] 도 2b는, 일 실시예에 따른, CMP 툴 컴포넌트 - 컴포넌트 상에 증착된 소수성 층이 있음 - 의 부분의 측면도를 예시한다.
[0017] 도 2c는, 일 실시예에 따른, 도 2b에 예시된 CMP 툴 컴포넌트 상에 증착된 것보다 더 두꺼운 소수성 층을 갖는 CMP 툴 컴포넌트의 부분의 측면도를 예시한다.
[0018] 도 3은, 일 실시예에 따른, 스플래시(splash) 커버의 측면도를 예시하며, 스플래시 커버는 스플래시 커버 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0019] 도 4는, 일 실시예에 따른, 캐리어(carrier) 커버의 측면도를 예시하며, 캐리어 커버는 캐리어 커버 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0020] 도 5는, 일 실시예에 따른, 폴리싱 유체 전달 아암의 측면도를 예시하면, 폴리싱 유체 전달 아암은 폴리싱 유체 전달 아암 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0021] 도 6은, 일 실시예에 따른, 폴리싱 장치의 부분의 일 실시예의 측면도를 예시하며, 폴리싱 장치의 부분은, 폴리싱 장치의 부분 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0022] 도 7은, 일 실시예에 따른, CMP 툴의 패드 컨디셔닝(conditioning) 아암의 측면도를 예시하며, 패드 컨디셔닝 아암은, 패드 컨디셔닝 아암 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0023] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시되는 엘리먼트들이, 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에 대해 유익하게 사용될 수 있다는 점이 고려된다.
[0014] 도 1은, 일 실시예에 따른, 기판을 폴리싱하기 위한 CMP(chemical mechanical polishing) 툴의 평면도를 예시한다.
[0015] 도 2a는, 일 실시예에 따른, CMP 툴 컴포넌트 - 컴포넌트 상에 증착된 소수성 층이 없음 - 의 부분의 측면도를 예시한다.
[0016] 도 2b는, 일 실시예에 따른, CMP 툴 컴포넌트 - 컴포넌트 상에 증착된 소수성 층이 있음 - 의 부분의 측면도를 예시한다.
[0017] 도 2c는, 일 실시예에 따른, 도 2b에 예시된 CMP 툴 컴포넌트 상에 증착된 것보다 더 두꺼운 소수성 층을 갖는 CMP 툴 컴포넌트의 부분의 측면도를 예시한다.
[0018] 도 3은, 일 실시예에 따른, 스플래시(splash) 커버의 측면도를 예시하며, 스플래시 커버는 스플래시 커버 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0019] 도 4는, 일 실시예에 따른, 캐리어(carrier) 커버의 측면도를 예시하며, 캐리어 커버는 캐리어 커버 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0020] 도 5는, 일 실시예에 따른, 폴리싱 유체 전달 아암의 측면도를 예시하면, 폴리싱 유체 전달 아암은 폴리싱 유체 전달 아암 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0021] 도 6은, 일 실시예에 따른, 폴리싱 장치의 부분의 일 실시예의 측면도를 예시하며, 폴리싱 장치의 부분은, 폴리싱 장치의 부분 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0022] 도 7은, 일 실시예에 따른, CMP 툴의 패드 컨디셔닝(conditioning) 아암의 측면도를 예시하며, 패드 컨디셔닝 아암은, 패드 컨디셔닝 아암 상에 증착된 소수성 층을 갖는다.
[0023] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시되는 엘리먼트들이, 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에 대해 유익하게 사용될 수 있다는 점이 고려된다.
[0024] 본 개시물의 실시예들은, CMP 툴의 컴포넌트들에 따라, 본원에서 설명된다.
[0025] 도 1은, 기판(도시되지 않음)을 폴리싱하기 위한 종래의 CMP(chemical mechanical polishing) 툴(100)을 도시한다. CMP 툴(100)은 베이스(101)를 포함할 수 있다. 베이스(101)는, 캐리지(carriage; 102) 및 복수의 스테이션들(stations)(108)을 포함한다. 캐리지(102)는 베이스(101) 상에 중앙에 배치된다. 캐리지(102)는 복수의 아암들(110)을 포함할 수 있고, 각각은 폴리싱 헤드(112)를 지지한다. 아암들(110)은 캐리지(102)로부터 각각의 스테이션(108) 위로 연장된다. 폴리싱 헤드들(112)은 일반적으로, 스테이션들(108) 위에서 지지된다. 폴리싱 헤드들(112)은, 폴리싱 동안 기판을 유지하도록 구성된 리세스(recess)(도시되지 않음)를 포함한다. 스테이션들(108)은, 예컨대, 이송 스테이션(113) 또는 폴리싱 스테이션(111)일 수 있다. 도 1에 도시된 2개의 아암들(110)은, 제 1 스테이션(108)의 폴리싱 스테이션(111) 및 이송 스테이션(113)이 도시될 수 있도록, 가상으로(in phantom) 도시된다. 캐리지(102)는, 폴리싱 헤드(112)가 폴리싱 스테이션(111)과 이송 스테이션(113) 사이에서 이동될 수 있도록, 인덱싱 가능하다(indexable).
[0026] 컨디셔닝 디바이스들(134)은, 폴리싱 스테이션들(111) 각각에 인접하여 베이스(101) 상에 배치될 수 있다. 컨디셔닝 디바이스들(134)은, 균일한 폴리싱 결과들을 유지하기 위해, 폴리싱 스테이션들(111)의 폴리싱 표면을 주기적으로 컨디셔닝하는 데에 사용될 수 있다.
[0027] 각각의 폴리싱 스테이션(111)은 유체 전달 아암(109)을 갖는다. 유체 전달 아암(109)은, 기판이 폴리싱될 수 있도록, 폴리싱 유체를 폴리싱 스테이션(111)의 폴리싱 표면에 전달한다. 유체가 폴리싱 스테이션(111)에 전달될 때, 폴리싱 유체는 CMP 툴의 컴포넌트들과 접촉하게될 수 있다. 슬러리가 폴리싱 유체로서 사용된다면, 슬러리 입자들은 CMP 툴의 상이한 컴포넌트들에 부착된다. 시간에 걸쳐서, 폴리싱 슬러리는 컴포넌트의 표면을 러빙할 수 있고 이에 의해 컴포넌트 입자들을 제거할 수 있다. 이러한 입자들 중 일부는 폴리싱 표면 상에 떨어질 수 있으며, 잠재적으로, 폴리싱되는 기판에 대한 스크래치들의 원인(source)이 될 수 있다. 이러한 스크래치들은 열악한 디바이스 성능 및 높은 결함들을 초래할 수 있다. 부가적으로, 슬러리 입자들은, CMP 툴의 이러한 컴포넌트들을 부식시키기 시작할 수 있다. 따라서, 컴포넌트들의 그러한 부식이 지연되고 수명이 연장되도록, CMP 툴의 컴포넌트들과 유체 사이의 접촉을 제한할 필요가 있다.
[0028] 도 2a-2c는, CMP 툴 컴포넌트들의 외부에 적용되는 소수성 층이 없는 CMP 툴 컴포넌트들과, 그러한 소수성 층이 있는 CMP 툴 컴포넌트들을 비교한다.
[0029] 도 2a는, 외부 표면 상에 소수성 층을 갖지 않는 CMP 툴 컴포넌트의 부분을 예시한다. 유체가 CMP 툴 컴포넌트의 표면과 접촉하는 각도는 접촉 각도로서 지칭된다. 접촉 각도는, 부착(adhesive) 표면과 응집(cohesive) 표면 사이의 결과(resultant)에 의해 결정된다. 도 2a에 예시된 바와 같이, 소수성 층이 없는 CMP 툴 컴포넌트의 부분의 표면과 유체가 접촉할 때, 유체와 CMP 툴 컴포넌트 사이의 접촉 각도(206)는 약 60°이다. 높은 습윤도(degree of wetting) 및 90° 미만의 접촉 각도를 갖는 표면은 친수성(hydrophilic) 표면으로서 지칭된다. 표면의 습윤의 측정은, 접촉 각도와 반비례한다(inversely related). 유체와 CMP 툴 컴포넌트들 사이의 낮은 접촉 각도는, CMP 툴이 높은 습윤도를 갖는다는 것을 예시한다. 높은 습윤도는, 더 많은 슬러리 입자들이 CMP 툴 컴포넌트의 외부 표면에 부착되는 것을 초래한다. 더 많은 슬러리와 CMP 툴 컴포넌트의 접촉은, 일부 표면 입자들을 CMP 툴 컴포넌트로부터 제거할 가능성을 증가시킨다. 그러한 제거된 컴포넌트 입자들은 폴리싱 스테이션의 폴리싱 표면 상에 떨어질 것이고, 기판을 스크래칭할 것이다.
[0030] 도 2b-2c에 예시된 CMP 툴 컴포넌트들은, 컴포넌트의 외부 표면에 배치된 소수성 층을 갖는다. 소수성 층은, 용액들, 에멀전들(emulsions), 또는 덜 빈번하게, 물과 약하게 상호 작용하지만 자신을 표면에 부착시키는 물질들(substances)인, 소수성 제들(agents)의 증기들로 재료를 처리하는 것에 의한 래커(lacquer) 필름들, 또는 단분자 층들(약 하나의 분자 두께의 흡착 지향성(adsorbed orientated) 층들)의 형태일 수 있다. 소수성 층은, 플라즈마 챔버에서 수행되는 플라즈마 처리를 사용하여 CMP 툴 컴포넌트 상에 증착될 수 있다. 플라즈마 처리는, 비싸지 않으며 최소한의 가스를 소모하는 저압 플라즈마 시스템을 활용한다. 소수성 증착 프로세스에서, 단위체들(monomers)이 챔버 내에 도입되며, 서로간에 화학적으로 반응하여 중합체들(polymers)을 형성한다. 그런 다음에, 이러한 중합체들은, 처리된 컴포넌트 상에, 소수성 층으로서 증착된다. 챔버 내에 도입되는 단위체들은, 예컨대, 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane), 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란(heptadecafluorodecyltrimethoxysilane), 폴리(테트라플루오로에틸렌)(poly(tetrafluoroethylene)), 폴리(프로필렌)(poly(propylene)), 옥타데실디메틸클로로실란(octadecyldimethylchlorosilane), 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane), 트리스(트리메틸실록시)실릴에틸-디메틸클로로실란(tris(trimethylsiloxy)silylethyl-dimethylchlorosilane), 옥틸디메틸클로로실란(octyldimethylchlorosilane) 또는 디메틸디클로로실란(dimethyldichlorosilane)일 수 있다.
[0031] 유체와 표면 사이의 접촉 각도는 상이한 기술들을 사용하여 측정될 수 있다. 예컨대, 하나의 기술은, 샘플, 이 경우에는 CMP 툴의 컴포넌트를 편평한 표면 상에 위치시키는 것을 포함한다. 그런 다음에, 일정한 용적의 물 또는 슬러리 용액이, 피펫(pipette)을 이용하여 컴포넌트 상에 분산된다. 액적들(droplets)이, 컴포넌트의 외부 상에 배치된 소수성 층 상에 있는 동안에, 층 상에 배치된 액적의 사진이 찍힌다. 액적과 표면 사이의 각도가, 접촉 각도를 결정하기 위해 측정될 수 있다.
[0032] 소수성 층의 접촉 각도는 또한, VCMA 옵티마 분석기를 사용하여 결정될 수 있다. VCMA 옵티마 분석기는, 액적의 정적인 또는 동적인 이미지들을 캡쳐링하고(capture), 접촉 각도 측정의 기준을 위한 접선들을 결정하기 위해, 정밀 카메라 및 진보된 PC 기술을 활용한다. 수동 또는 자동 주사기(syringe)는 테스트 액체를 분배할 수 있다. 컴퓨터화된(computerized) 측정은, 접촉 각도를 측정함에 있어서 사람의 실수 요소를 제거한다. 시간에 민감한(time sensitive) 분석을 위해, 동적인 이미지들이 캡쳐링될 수 있다.
[0033] 다시 도 2a를 참조하면, 도 2a는, 소수성 층을 갖지 않는 종래의 CMP 툴 컴포넌트(200) 상의 유체의 액적(202)을 도시한다. 액적의 접촉 각도(206)는 약 60°이다. 낮은 접촉 각도는 컴포넌트(200)의 표면의 높은 습윤도를 나타내며, 이는, 시간에 걸친, 컴포넌트(200)의 부식에 기여할 수 있다. 따라서, CMP 툴 컴포넌트(200)의 수명은 바람직하지 않게 짧다.
[0034] 도 2b는, 컴포넌트(200)의 정상부 표면 상에 배치된 소수성 층(204)을 갖는 CMP 툴 컴포넌트(200)를 도시한다. 소수성 층(204)은, 플라즈마 처리 또는 다른 적합한 방법들에 의해 컴포넌트(200)에 적용될 수 있다. CMP 툴 컴포넌트(200)의 소수성 층(204) 상에 배치된 유체의 액적(202)은 접촉 각도(212)를 갖는다. 소수성 층(204)은, 소수성 층을 갖지 않는 종래의 CMP 툴(100)의 표면의 접촉 각도보다 더 높은 접촉 각도(212)를 갖는다. 컴포넌트(200) 상의 소수성 층(204)과 액적(202) 사이에 형성된 접촉 각도(212)는 적어도 90°이다. 도 2b에 도시된 더 높은 접촉 각도(212)는, 표면에 대한 실질적으로 더 적은 습윤을 나타낸다. 따라서, 액적은(202)은, CMP 툴 컴포넌트(200)를 습윤시키기보다는, 컴포넌트(200)의 표면으로부터 쉽게 굴러 떨어진다(roll off). 그러므로, 컴포넌트(200)의 부식은 실질적으로 더 적을 것이고, 따라서, 컴포넌트(200)의 수명이 증가할 것이다. 부가적으로, 폴리싱 유체가 슬러리라면, 실질적으로 더 적은 습윤은, 더 적은 슬러리 입자들이 컴포넌트(200)에 부착되게 한다. 더 적은 슬러리 입자들이 컴포넌트(200)에 부착되는 것은, CMP 툴 컴포넌트들의 표면 입자들을 제거하고 결국에는 폴리싱 스테이션들 상으로 떨어지는 슬러리 입자들의 가능성을 감소시킨다.
[0035] 도 2c는, 도 2b에 예시된 소수성 층(204)과 비교하여 더 두꺼운 소수성 층(208)을 갖는 CMP 툴 컴포넌트(200)를 도시한다. 소수성 층(208)의 두께는, 컴포넌트(200)가 소수성 층 증착 프로세스에 노출되는 시간에 의해 제어될 수 있다. CMP 툴 컴포넌트(200)가 소수성 층 증착 프로세스에 더 오래 노출될수록, 소수성 층(208)이 더 두껍다. 소수성 층의 두께는 400nm 내지 1600nm 범위일 수 있다. 소수성 층(208)의 두께가 증가함에 따라, 소수성 층과 유체 사이에 형성되는 접촉 각도는 증가한다. 접촉 각도가 증가함에 따라, 습윤도는 감소한다. 따라서, 소수성 층이 더 두꺼울수록, 소수성 층이 형성되는 표면에 대한 습윤도는 더 낮아진다. 더 두꺼운 소수성 층(208)은, 액적(202)과 컴포넌트(200) 사이의 약 140°의 접촉 각도(214)를 갖는다. 이는 낮은 습윤도를 초래한다. 따라서, 액적은(202)은, CMP 툴 컴포넌트(200)를 습윤시키기보다는, 컴포넌트(200)의 표면으로부터 쉽게 굴러 떨어진다. 그러므로, 컴포넌트(200)의 부식은 실질적으로 더 적을 것이고, 따라서, 컴포넌트(200)의 수명이 증가할 것이다. 부가적으로, 폴리싱 유체가 슬러리라면, 실질적으로 더 적은 습윤은, 더 적은 슬러리 입자들이 컴포넌트(200)에 부착되게 한다. 더 적은 슬러리 입자들이 컴포넌트들(200)에 부착되는 것은, 폴리싱 스테이션들 상에 떨어지는 슬러리 입자들의 가능성을 감소시킨다.
[0036] 도 3은, CMP 툴(300)의 스플래시 커버(302)의 형태의 CMP 툴 컴포넌트의 부분의 단면도를 도시한다. 도 3에는 오직 폴리싱 스테이션(304)만이 예시된다. 툴(300)은, 소수성 코팅을 갖는, 툴(300)의 컴포넌트들 중 하나 또는 그 초과를 제외하고, 도 1에서 설명된 툴(100)과 본질적으로 동일하게 구성된다. 스플래시 커버(302)는 폴리싱 스테이션(304)을 에워싼다(circumscribe). 스플래시 커버(302)는, 폴리싱 유체가 폴리싱 스테이션(304)으로부터 분리되어 CMP 툴(300)의 다른 지역들을 코팅하는 것을 방지하는 데에 사용된다. 스플래시 커버(302)는 본체(301) 및 본체(301) 상에 배치된 소수성 층(324)을 포함한다. 본체(301)는 상부 측(306) 및 하부 측(308)을 갖는다. 하부 측(308)은 하부 에지(310), 상부 에지(312), 외측 표면(314), 및 내측 표면(316)을 포함한다. 상부 에지(312)는 하부 에지(310) 반대쪽에 있으며, 상부 측(306)을 향하여 상향 및 내측 방향으로 연장된다. 외측 표면(314)은 외측 직경(318)을 갖는다. 내측 표면(316)은 내측 직경(320)을 갖는다. 내측 직경(320)은 외측 직경(318) 미만이다. 외측 표면(314)과 내측 표면(316)은 중심 축을 중심으로 동심이다.
[0037] 상부 측(306)은 하부 에지(340), 상부 에지(342), 외측 표면(344), 및 내측 표면(346)을 포함한다. 상부 에지(342)는, 상향 방향으로, 상부 측(306)의 하부 에지(340)로부터 방사상 내측으로 연장된다. 연속적인 스플래시 커버(302)를 형성하기 위해, 상부 측(306)의 하부 에지(340)는 하부 측(308)의 상부 에지(312)와 일체형이다. 외측 표면(344)은 외측 직경(348)을 갖는다. 상부 측(306)의 외측 직경(348)은, 하부 측(308)의 외측 직경(318) 미만이다. 내측 표면(346)은 내측 직경(350)을 갖는다. 상부 측(306)의 내측 직경(350)은, 하부 측(308)의 내측 직경(320) 및 상부 측(306)의 외측 직경(348) 둘 모두의 미만이다.
[0038] 스플래시 커버(302) 아래에는 트로프(trough; 322)가 있을 수 있다. 트로프(322)는, 스플래시 커버(302)의 곡률에 의해 하향으로 지향되는, 넘치는(excess) 슬러리 또는 유체를 수집한다.
[0039] 스플래시 커버(302)와 접촉하는 유체는, 기판으로부터 제거된 재료, 폴리싱 표면으로부터의 재료, 연마 입자들 또는 화학 시약들, 예컨대, 소듐 하이드록사이드, 또는 탈이온수를 포함할 수 있다. 스플래시 커버(302)의 본체(301) 상에 증착된 소수성 층(324)은 부식 및 들러붙는(sticking) 입자들을 방지한다. 일 실시예에서, 소수성 층(324)은 하부 측(308)의 내측 표면(316) 및 상부 측(306)의 내측 표면(346) 상에 위치될 수 있다. 소수성 층(324)은, 부식을 지연시킴으로써 스플래시 커버(302)의 수명을 연장시킨다. 소수성 층들(324)의 존재는, 캐리어 스플래시 커버(302)의 실질적으로 더 적은 습윤을 초래한다. 따라서, 폴리싱 유체는, 스플래시 커버를 습윤시키기보다는, 스플래시 커버(302)의 표면으로부터 쉽게 굴러 떨어질 것이다. 그러므로, 스플래시 커버(302)의 부식은 실질적으로 더 적을 것이고, 따라서, 스플래시 커버(302)의 수명이 증가할 것이다. 부가적으로, 폴리싱 유체가 슬러리라면, 실질적으로 더 적은 습윤은, 더 적은 슬러리 입자들이 스플래시 커버(302)에 부착되게 한다. 더 적은 슬러리 입자들이 스플래시 커버(302)에 부착되는 것은, 스플래시 커버의 표면으로부터 입자들을 제거하고 폴리싱 스테이션들 상으로 떨어지는 슬러리 입자들의 가능성을 감소시킨다.
[0040] 도 4는, 캐리어 헤드 조립체(400) 형태의 CMP 툴 컴포넌트의 일 실시예의 단면도를 도시한다. 캐리어 헤드 조립체(400)는 캐리어 헤드(401), 유지 링(426), 캐리어 커버(403), 및 멤브레인(409)을 포함한다. 캐리어 헤드(401)는 본체(411)를 포함한다. 본체(411)는 노출된 상부 표면(402), 바닥부 표면(404), 내측 벽(406), 및 외측 벽(408)을 갖는다. 상부 표면(402)은 바닥부 표면(404)에 대해 실질적으로 평행하다. 내측 벽(406)은, 제 1 단부(436), 제 2 단부(446), 및 내측 직경(410)을 더 포함한다. 외측 벽(408)은, 제 1 단부(438), 제 2 단부(448), 및 외측 직경(412)을 더 포함한다. 외측 직경(412)은 내측 직경(410)보다 더 크다. 레지(414)는, 내측 직경(410) 및 외측 직경(412)에 의해 캐리지 커버(403)에 형성된다. 레지(414)는, 상부 표면(402) 및 바닥부 표면(404) 둘 모두에 대해 실질적으로 평행하다. 레지(414)는 외측 직경(412)에 대해 90° 각도일 수 있다. 멤브레인(409)은 캐리어 헤드(401)의 바닥부 표면 아래에 배치되며, 유지 링(426)에 의해 에워싸인다. 멤브레인(409)은, 스테이션들(도시되지 않음) 사이에서 기판을 이동시키기 위해 캐리어 헤드(401)가 기판을 픽업할 때, 기판(도시되지 않음)에 장착 표면을 제공한다.
[0041] 캐리어 커버(403)는 본체(413) 및 본체(413) 상에 배치된 소수성 층(425)을 포함한다. 본체(413)는, 노출된 상부 표면(402), 레지(414), 벽들(406, 408)이 커버되도록, 캐리어 헤드 위에 끼어맞춤되도록 구성된다. 캐리어 커버(403)는 폴리싱 동안 폴리싱 유체에 노출된다. 폴리싱 스테이션에 전달되는 폴리싱 유체는 캐리어 커버(403) 및/또는 캐리어 헤드(401)와 접촉할 수 있다. 폴리싱 유체는, 연마 입자들 또는 화학 시약들, 예컨대, 소듐 하이드록사이드를 포함하는 슬러리일 수 있거나, 또는 탈이온수일 수 있다. 소수성 층(425)은, 부식을 지연시킴으로써, 이러한 컴포넌트들의 수명을 연장시킨다. 소수성 층(425)의 존재는, 캐리어 헤드(401) 및 캐리어 커버(403)의 실질적으로 더 적은 습윤을 초래한다. 따라서, 폴리싱 유체는, 캐리어 헤드(401) 및 캐리어 커버(403)를 습윤시키기보다는, 캐리어 헤드(401) 및 캐리어 커버(403)의 표면으로부터 쉽게 굴러 떨어질 것이다. 그러므로, 캐리어 헤드(401) 및 캐리어 커버(403)의 부식은 실질적으로 더 적을 것이고, 따라서 캐리어 헤드(401) 및 캐리어 커버(403)의 수명들이 증가할 것이다. 부가적으로, 폴리싱 유체가 슬러리라면, 실질적으로 더 적은 습윤은, 더 적은 슬러리 입자들이 캐리어 헤드(401) 및 캐리어 커버(403)에 부착되게 한다. 더 적은 슬러리 입자들이 캐리어 헤드(401) 및 캐리어 커버(403)에 부착되는 것은, 컴포넌트의 표면으로부터 입자들을 제거하고 폴리싱 스테이션들 상으로 떨어지는 슬러리 입자들의 가능성을 감소시킨다.
[0042] 도 5는, 폴리싱 유체 전달 아암 조립체(500) 형태의 CMP 툴 컴포넌트의 측면도를 도시한다. 폴리싱 유체 전달 아암 조립체(500)는 유체 전달 아암(503), 베이스 부재(502), 노즐들(504), 및 유체 전달 호스들(hoses)(도시되지 않음)을 포함한다. 유체 전달 아암(503)은 본체(501) 및 본체(501) 상에 배치된 소수성 층(508)을 포함한다. 본체(501)는 정상부 세장형(elongated) 표면(506), 제 1 측방향(lateral) 측(510), 제 1 측방향 측(510)에 대향하는 제 2 측방향 측(512), 바닥부(514), 제 1 단부(580), 및 제 2 단부(582)를 포함한다. 제 1 단부(580)는 베이스 부재(502)에 커플링된다. 세장형 표면(506)은 제 1 단부(580)로부터 제 2 단부(582)로 이어진다. 제 2 단부(582)는 폴리싱 스테이션(도시되지 않음) 위에 현수된다(hang out). 노즐들(504)은 본체(501)의 바닥부(514) 상에 로케이팅된다. 노즐들(504)은 기판(도시되지 않음)의 표면에 폴리싱 유체를 제공한다. 유체 전달 호스들은, 기판이 폴리싱되는 폴리싱 표면 상으로의 분배를 위해 폴리싱 유체를 노즐들(504)에 가져온다.
[0043] 전체 본체(501)는 소수성 층(508)으로 커버될 수 있다. 대안적으로, 제 1 측방향 측(510), 대향하는 제 2 측방향 측(512), 정상부 세장형 표면(506), 또는 바닥부(514) 중 적어도 하나가 소수성 층(508)으로 커버될 수 있다. 폴리싱 유체는, 기판을 폴리싱할 때, 노즐들(504)이 폴리싱 유체를 폴리싱 스테이션(111)의 폴리싱 표면에 제공할 때, 유체 전달 아암(503)과 접촉할 수 있다. 소수성 층(508)의 존재는, 유체 전달 아암(503)의 실질적으로 더 적은 습윤을 초래한다. 따라서, 폴리싱 유체는, CMP 툴 유체 전달 아암(503)을 습윤시키기보다는, 유체 전달 아암(503)의 표면으로부터 쉽게 굴러 떨어질 것이다. 그러므로, 유체 전달 아암(503)의 부식은 실질적으로 더 적을 것이고, 따라서, 유체 전달 아암(503)의 수명이 증가할 것이다. 부가적으로, 폴리싱 유체가 슬러리라면, 실질적으로 더 적은 습윤은, 더 적은 슬러리 입자들이 유체 전달 아암(503)에 부착되게 한다. 더 적은 슬러리 입자들이 유체 전달 아암(503)에 부착되는 것은, 컴포넌트의 표면으로부터 입자들을 제거하고 폴리싱 스테이션들 상으로 떨어져서 기판을 스크래칭하는 슬러리 입자들의 가능성을 감소시킨다. 따라서, 더 높은 디바이스 품질 및 수율이 존재한다.
[0044] 도 6은, 기판(610)을 폴리싱하기 위한 폴리싱 장치 조립체(600)의 부분의 일 실시예를 도시한다. 폴리싱 장치 조립체(600)의 부분은 캐리지(602), 복수의 아암들(612), 아암 커버(621), 및 폴리싱 헤드(606)를 포함한다. 각각의 아암(612)은 본체(613)를 갖는다. 본체(613)는 제 1 단부(614) 및 제 2 단부(616)를 포함한다. 본체(613)의 제 1 단부(614)는 캐리지(602)에 커플링된다. 본체(613)의 제 2 단부(616)는 캐리지(602)로부터, 폴리싱 스테이션(도시되지 않음) 위로 연장된다. 본체(613)의 제 2 단부(616)는 폴리싱 헤드(606)에 커플링된다.
[0045] 폴리싱 헤드(606)는 본체(607) 및 본체(607) 상에 배치된 소수성 층(604)을 포함한다. 리세스(recess; 608)가 본체(607)에 형성된다. 폴리싱 헤드(606)는, 폴리싱 스테이션과 대면하는 리세스(608)에 기판(610)을 유지한다. 프로세싱 동안, 폴리싱 헤드(606)는 기판(610)을 폴리싱 재료(도시되지 않음)에 대해 가압할 수 있다. 폴리싱 헤드(606)는, 기판(610)을 폴리싱 재료에 대해서 가압하는 동안, 고정 또는 회전될 수 있거나, 분리될 수 있거나, 궤도로(orbitally), 선형으로(linearly), 또는 모션들의 조합으로 이동할 수 있다.
[0046] 아암 커버(621)는, 아암(612) 위에, 제 1 단부(614)로부터 제 2 단부(616)까지 위치될 수 있다. 아암 커버(621)는 아암(612)을 유체로부터 추가로 보호할 수 있다. 아암 커버(621)는 본체(619)를 포함하고, 본체는, 본체 상에 배치된 소수성 층(604)을 갖는다. 본체(619)는 제 1 단부(680) 및 제 2 단부(682)를 갖는다. 본체(619)는 아암(612)의 폭보다 약간 더 넓은 폭 및 아암(612)의 길이보다 약간 더 긴 길이를 갖고, 이로써, 아암 커버(621)는 아암(612) 위에 끼워맞춤될 수 있다. 아암 커버(621) 및 폴리싱 헤드(606) 상에서의 소수성 층(604)의 존재는, 폴리싱 헤드(606) 및 아암 커버(621)의 실질적으로 더 적은 습윤을 초래한다. 따라서, 폴리싱 유체는, CMP 툴 폴리싱 헤드(606) 및 아암 커버(621)를 습윤시키기보다는, 폴리싱 헤드(606) 및 아암 커버(621)로부터 쉽게 굴러 떨어질 것이다. 그러므로, 폴리싱 헤드(606) 및 아암 커버(621)의 부식은 실질적으로 더 적을 것이고, 따라서 폴리싱 헤드(606) 및 아암 커버(621)의 수명이 증가할 것이다. 부가적으로, 폴리싱 유체가 슬러리라면, 실질적으로 더 적은 습윤은, 더 적은 슬러리 입자들이 폴리싱 헤드(606) 및 아암 커버(621)에 부착되게 한다. 더 적은 슬러리 입자들이 폴리싱 헤드(606) 및 아암 커버(621)에 부착되는 것은, 컴포넌트의 표면으로부터 입자들을 제거하고 폴리싱 스테이션들 상으로 떨어져서 기판을 스크래칭하는 슬러리 입자들의 가능성을 감소시킨다. 따라서, 소수성 층은 더 높은 디바이스 품질 및 수율을 초래한다.
[0047] 도 7은, 패드 컨디셔닝 아암 조립체(700) 형태의 CMP 툴 컴포넌트의 측면도이다. 패드 컨디셔닝 아암 조립체(700)는, 베이스(702)를 갖는 본체(701), 패드 컨디셔닝 아암(704), 및 컨디셔너 헤드(706)를 포함한다. 패드 컨디셔닝 아암(704)은, 베이스(702)와 커플링된 제 1 단부(720), 및 컨디셔너 헤드(706)와 커플링된 제 2 단부(722)를 갖는다. 컨디셔너 헤드(706)는 본체(703)를 더 포함한다. 본체(703)는, 본체 상에 배치된 소수성 층(714)을 갖는다. 본체(703)는, 컨디셔닝 디스크(712)를 홀딩하는, 회전 가능하고 수직으로 이동 가능한 엔드 이펙터(710)에 커플링될 수 있다. 컨디셔닝 디스크(712)는, 패드를 재생 처리하기(retexture) 위해 폴리싱 패드의 표면에 대해서 러빙될 수 있는, 다이아몬드 연마재들이 내장된 바닥부 표면을 갖는다. 컨디셔닝 디스크(712)는, 자석들(도시되지 않음)에 의해, 또는 기계적 파스너들(도시되지 않음)에 의해, 엔드 이펙터(710)에 홀딩될 수 있다. 짐벌(gimbal) 메커니즘(미도시)은 엔드 이펙터(710)와 컨디셔닝 헤드(706) 사이에 커플링될 수 있으며, 짐벌 메커니즘은, 엔드 이펙터(710)가 패드 컨디셔닝 아암(704)에 대해 어떤 각도로(at an angle) 틸팅(tilt)되는 것을 허용한다.
[0048] 엔드 이펙터(710)의 수직 모션 및 컨디셔닝 디스크(712)의 압력의 제어는, 하향 압력을 엔드 이펙터(710)에 가하도록 포지셔닝된 가압 가능한 챔버(708)와 같은, 컨디셔너 헤드(706)의 수직 액츄에이터(도시되지 않음)에 의해 제공될 수 있다.
[0049] 폴리싱 프로세스 동안, 패드 컨디셔닝 아암 조립체(700)의 컴포넌트들은 사용되는 유체 또는 슬러리와 접촉하기 쉽다. 시간에 걸쳐서, 유체 또는 슬러리와의 연속적인 접촉은 이러한 컴포넌트들의 부식을 초래할 수 있다. 소수성 층(714)의 존재는, 아암들(704) 및 패드 컨디셔너 헤드(706)의 실질적으로 더 적은 습윤을 초래한다. 따라서, 폴리싱 유체는, 폴리싱 패드 컨디셔닝 아암(704) 및 컨디셔너 헤드(706)를 습윤시키기보다는, 폴리싱 패드 컨디셔닝 아암(704) 및 컨디셔서 헤드(706)의 표면들로부터 쉽게 굴러 떨어질 것이다. 그러므로, 폴리싱 패드 컨디셔닝 아암(704) 및 컨디셔서 헤드(706)의 부식은 실질적으로 더 적을 것이고, 따라서 폴리싱 패드 컨디셔닝 아암(704) 및 컨디셔서 헤드(706)의 수명들이 증가할 것이다. 부가적으로, 폴리싱 유체가 슬러리라면, 실질적으로 더 적은 습윤은, 더 적은 슬러리 입자들이 폴리싱 패드 컨디셔닝 아암(704) 및 컨디셔서 헤드(706)에 부착되게 한다. 더 적은 슬러리 입자들이 폴리싱 패드 컨디셔닝 아암(704) 및 컨디셔너 헤드(706)에 부착되는 것은, 컴포넌트의 표면으로부터 입자들을 제거하고 폴리싱 스테이션들 상으로 떨어져서 기판을 스크래칭하는 슬러리 입자들의 가능성을 감소시킨다. 따라서, 더 높은 디바이스 품질 및 수율이 존재한다.
[0050] 소수성 층을 CMP 툴의 컴포넌트들 상에 증착시키는 것에 의해, 컴포넌트들의 부식이 지연되고 이러한 컴포넌트들의 수명들이 증가된다.
[0051] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시물의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 개시물의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.
Claims (15)
- CMP 툴(tool)을 위한 컴포넌트로서,
상기 컴포넌트는,
상기 CMP 툴이 기판을 폴리싱(polishing)할 때 폴리싱 유체에 노출될 표면을 갖는 본체; 및
상기 본체의 표면 상에 배치된 소수성(hydrophobic) 층을 포함하고,
상기 소수성 층은 400nm 내지 1600nm의 두께를 가지고 상기 폴리싱 유체와 접촉할 때 90° 내지 140°의 유체 접촉 각도(fluid contact angle)를 가지며, 상기 소수성 층은 단위체(monomer)로부터 형성되고, 상기 단위체는 옥타데실디메틸클로로실란(octadecyldimethylchlorosilane), 트리스(트리메틸실록시)실릴에틸-디메틸클로로실란(tris(trimethylsiloxy)silylethyl-dimethylchlorosilane), 및 옥틸디메틸클로로실란(octyldimethylchlorosilane)으로 구성된 그룹으로부터 선택되는,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 컴포넌트는, 상기 CMP 툴에서 상기 폴리싱 유체를 전달하기 위한 컴포넌트이고, 상기 CMP 툴에서 상기 폴리싱 유체를 전달하기 위한 컴포넌트는,
세장형(elongated) 부재를 포함하며, 상기 세장형 부재는,
제 1 단부;
제 2 단부;
상기 제 1 단부와 상기 제 2 단부 사이에서 연장되는 세장형 상부 표면; 및
상기 세장형 부재의 세장형 상부 표면 상에 배치된 소수성 층 - 상기 소수성 층은, 상기 폴리싱 유체가 상기 세장형 부재의 부분과 접촉할 때, 적어도 90°의 접촉 각도를 가짐 - 을 더 포함하는,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - 제 3 항에 있어서,
상기 접촉 각도는 140°인,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - CMP 툴을 위한 컴포넌트로서,
상기 컴포넌트는 링 형상 본체를 포함하고, 상기 링 형상 본체는 하부 측 및 상부 측에 의해 정의되며,
상기 하부 측은,
하부 에지;
상부 에지 - 상기 상부 에지는 상기 상부 측을 향하여 연장됨 -;
외측 직경을 갖는 외측 표면;
내측 직경을 갖는 내측 표면 - 상기 내측 직경은 상기 외측 직경 미만이고, 상기 외측 표면 및 상기 내측 표면은 중심 축을 중심으로 동심임 -; 및
상기 하부 측의 내측 표면 상에 배치된 제 1 소수성 층 - 상기 제 1 소수성 층은, 폴리싱 유체가 상기 하부 측의 내측 표면의 부분과 접촉할 때, 90° 내지 140°의 접촉 각도를 가지고, 상기 제 1 소수성 층은 옥타데실디메틸클로로실란, 트리스(트리메틸실록시)실릴에틸-디메틸클로로실란, 및 옥틸디메틸클로로실란으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 단위체로부터 형성됨 - 을 포함하고,
상기 상부 측은,
하부 에지 - 상기 하부 에지는 상기 하부 측의 상부 에지와 일체형(integral)임 -;
상부 에지 - 상기 상부 에지는, 상향 방향으로, 상기 상부 표면의 내측 에지로부터 방사상 내측으로 연장됨 -;
외측 직경을 갖는 외측 표면 - 상기 상부 측의 외측 직경은 상기 하부 측의 외측 직경 미만임 -;
내측 직경을 갖는 내측 표면 - 상기 상부 측의 내측 직경은 상기 하부 측의 내측 직경 미만임 -; 및
상기 상부 측의 내측 표면 상에 배치된 제 2 소수성 층 - 상기 제 2 소수성 층은, 상기 폴리싱 유체가 상기 상부 측의 내측 표면의 부분과 접촉할 때, 90° 내지 140°의 접촉 각도를 가지고, 상기 제 2 소수성 층은 옥타데실디메틸클로로실란, 트리스(트리메틸실록시)실릴에틸-디메틸클로로실란, 및 옥틸디메틸클로로실란으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 단위체로부터 형성됨 - 을 포함하는,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 소수성 층은 140°의 접촉 각도를 갖는,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 소수성 층은 적어도 400nm의 두께를 갖는,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 소수성 층의 두께는 1600nm인,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 소수성 층은 140°의 접촉 각도를 갖는,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 소수성 층은 적어도 400nm의 두께를 갖는,
CMP 툴을 위한 컴포넌트. - CMP 툴의 컴포넌트로서,
상기 컴포넌트는,
디스크 형상 본체; 및
상기 디스크 형상 본체 상에 배치된 소수성 층을 포함하고,
상기 디스크 형상 본체는,
정상부 표면;
바닥부 표면 - 상기 바닥부 표면은 상기 정상부 표면에 대해 실질적으로 평행함 -;
외측 벽 - 상기 외측 벽은 상기 바닥부 표면에 대해 수직이고, 상기 외측 벽은,
외측 직경;
제 1 단부 - 상기 외측 벽의 제 1 단부는 상기 바닥부 표면과 일체형임 -; 및
상기 제 1 단부 반대쪽에 있는 제 2 단부를 포함함 -;
내측 벽 - 상기 내측 벽은 상기 정상부 표면에 대해 수직이고, 상기 내측 벽은,
내측 직경 - 상기 내측 직경은 상기 외측 직경 미만임 -;
제 1 단부; 및
제 2 단부 - 상기 내측 벽의 제 2 단부는 상기 정상부 표면과 일체형임 - 를 포함함 -; 및
상기 외측 벽 및 상기 내측 벽에 의해 정의되는 레지 - 상기 레지는 상기 외측 벽 및 상기 내측 벽에 대해 수직이고, 상기 레지는 제 1 단부 및 제 2 단부를 가지며, 상기 레지의 제 1 단부는 상기 외측 벽의 제 2 단부와 일체형이고, 상기 레지의 제 2 단부는 상기 레지의 제 1 단부로부터 방사상 내측에 있으며, 상기 레지의 제 2 단부는 상기 외측 벽의 제 1 단부와 일체형으로 연결되고, 상기 외측 벽의 제 2 단부는, 상기 정상부 표면을 향하여, 상기 외측 벽의 제 1 단부로부터 방사상 내측에 있음 - 를 포함하며,
상기 소수성 층은, 폴리싱 유체가 상기 디스크 형상 본체의 부분과 접촉할 때, 적어도 90° 내지 140°의 접촉 각도를 가지고, 상기 소수성 층은 단위체로부터 형성되고, 상기 단위체는 옥타데실디메틸클로로실란, 트리스(트리메틸실록시)실릴에틸-디메틸클로로실란, 및 옥틸디메틸클로로실란으로 구성된 그룹으로부터 선택되는,
CMP 툴의 컴포넌트. - 제 11 항에 있어서,
상기 소수성 층은 140°의 접촉 각도를 갖는,
CMP 툴의 컴포넌트. - 제 11 항에 있어서,
상기 소수성 층은 적어도 400nm의 두께를 갖는,
CMP 툴의 컴포넌트. - 제 13 항에 있어서,
상기 소수성 층의 두께는 1600nm인,
CMP 툴의 컴포넌트. - 삭제
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