KR102485519B1 - Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof - Google Patents

Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102485519B1
KR102485519B1 KR1020180046370A KR20180046370A KR102485519B1 KR 102485519 B1 KR102485519 B1 KR 102485519B1 KR 1020180046370 A KR1020180046370 A KR 1020180046370A KR 20180046370 A KR20180046370 A KR 20180046370A KR 102485519 B1 KR102485519 B1 KR 102485519B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
bath
blower
fluid
process fluid
Prior art date
Application number
KR1020180046370A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190122501A (en
Inventor
정동진
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020180046370A priority Critical patent/KR102485519B1/en
Publication of KR20190122501A publication Critical patent/KR20190122501A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102485519B1 publication Critical patent/KR102485519B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

Abstract

본 발명은 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 관한 것으로, 서로 다른 배스에서 이루어지는 마스크 처리 공정 사이에 마스크 의 대기시간을 단축할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 마스크 처리 장치는, 서로 다른 마스크 처리 공정이 수행되는 복수의 배스와, 상기 배스에서 마스크 처리가 완료된 후 마스크에 잔류하는 공정유체를 건조하기 위해 마스크를 향하여 건조유체를 분사하는 블로워를 포함하여 이루어진다.
The present invention relates to a mask processing device and a mask processing method, and an object of the present invention is to provide a mask processing device and a mask processing method capable of reducing the waiting time of a mask between mask processing processes performed in different baths.
To realize this, the substrate processing chamber of the present invention, the mask processing apparatus, includes a plurality of baths in which different mask processing processes are performed, and a mask for drying process fluid remaining in the mask after mask processing is completed in the baths. It consists of a blower for spraying the drying fluid towards.

Description

마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법{Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof}Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof

본 발명은 복수의 배스를 구비한 마스크 처리 장치 및 이를 이용하는 마스크 처리 방법에 관한 것으로서, 서로 다른 배스에서 이루어지는 마스크 처리 공정 사이에 마스크의 대기시간을 단축할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask processing apparatus having a plurality of baths and a mask processing method using the same, and relates to a mask processing apparatus and a mask processing method capable of reducing waiting time of a mask between mask processing processes performed in different baths. will be.

최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. With the recent rapid development of information communication and the popularization of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In addition, in terms of its functionality, various methods are being researched and developed to maximize device performance while reducing the size of individual devices formed on a substrate according to the trend of high device integration of semiconductor devices.

일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(lithography), 증착(Deposition) 및 식각(etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.In general, a semiconductor device repeatedly undergoes a plurality of substrate processes such as lithography, deposition and etching, photoresist coating, development, cleaning and drying processes, and the like. are manufactured

리소그래피는 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 기판에 그려 집적회로를 형성하는 단계로, 사진 기술을 응용했다 하여 포토리소그래피(photo lithography)라고도 한다. 쿼츠(quartz)라 불리는 석영 유리기판 위에 실제 크기의 수배로 확대된 크롬 회로 패턴이 형성되는 마스크가 필름 역할을 하며, 포토 레지스트(photo resist)와 같은 감광물질이 코팅된 반도체 기판에 마스크를 통해 빛을 조사하여 마스크에 새겨진 회로 패턴이 반도체 기판상에 구현된다.Lithography is a step of forming an integrated circuit by drawing a fine and complex electronic circuit on a semiconductor substrate, and is also called photolithography because it uses photo technology. A mask on which a chrome circuit pattern enlarged several times the actual size is formed on a quartz glass substrate called quartz serves as a film, and a semiconductor substrate coated with a photoresist such as photoresist is coated with light through the mask. , the circuit pattern engraved on the mask is implemented on the semiconductor substrate.

이러한 리소그래피 공정에 있어서, 마스크에 불량이 있는 경우 반도체 기판의 회로 형성에 직접적인 영향을 미치게 된다. 마스크의 불량에는 여러 원인이 있을 수 있으며, 특히 마스크에 부착된 금속 불순물, 유기물 등의 오염물질로 인해 불량이 발생하는 경우가 많다.In this lithography process, if there is a defect in the mask, it directly affects the circuit formation of the semiconductor substrate. Mask defects may have various causes, and in particular, defects often occur due to contaminants such as metal impurities and organic substances attached to the mask.

따라서 마스크에 부착된 오염물질을 제거하기 위한 세정공정이 중요하게 다뤄지고 있다. Therefore, a cleaning process for removing contaminants attached to the mask is being treated as important.

마스크의 세정은 다양한 오염물질에 맞는 공정유체를 수용하는 적어도 하나의 배스에 연속적으로 마스크를 침지시켜 오염물질을 제거하는 방식으로 이루어지는 것이 일반적이다.Mask cleaning is generally performed by continuously immersing the mask in at least one bath containing a process fluid suitable for various contaminants to remove contaminants.

도 1을 참조하여 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치에 대해 서술한다.Referring to FIG. 1, a mask processing apparatus according to the prior art will be described.

종래 기술에 의한 마스크 처리 장치는, 마스크(M)를 수용하여 처리하는 복수의 배스(10,20)와, 상기 마스크(M)를 이송하여 상기 복수의 배스(10,20)에 순차로 침지시키는 이송로봇을 포함한다.A mask processing apparatus according to the prior art includes a plurality of baths 10 and 20 for receiving and processing a mask M, and transferring the mask M to sequentially immerse the mask M in the plurality of baths 10 and 20. Includes transfer robot.

상기 복수의 배스(10,20)는 서로 다른 종류의 공정유체인 제1공정유체와 제2공정유체를 각각 수용하여 서로 다른 마스크 처리를 수행하는 제1배스(10)와 제2배스(20)를 포함한다.The plurality of baths 10 and 20 are first and second baths 10 and 20 for receiving different types of process fluids, namely, a first process fluid and a second process fluid, respectively, and performing different mask treatments. includes

상기 이송로봇은 구동부가 구비되는 로봇 본체(미도시)와, 상기 마스크(M)를 지지하는 지지부(51)와, 상기 로봇 본체와 상기 지지부(51)를 연결하는 로봇 암(50)을 포함하여 이루어진다.The transfer robot includes a robot body (not shown) provided with a drive unit, a support unit 51 supporting the mask M, and a robot arm 50 connecting the robot body and the support unit 51. It is done.

상기 로봇 암(50)은 상승(S1)과 수평 이동(S2)과 하강(S3)을 반복하여 상기 마스크(M)를 상기 복수의 배스(10,20)에 순차로 침지시킨다.The robot arm 50 repeatedly immerses the mask M in the plurality of baths 10 and 20 by repeating the ascending (S1), horizontal movement (S2), and descending (S3).

이때, 상기 로봇 암(50)에 의해 상승하여 상기 제1배스(10)에 수용된 상기 제1공정유체로부터 분리된 상기 마스크(M)상에는 상기 제1공정유체가 잔존하게 되며, 상기 마스크(M)상에 잔존하는 상기 제1공정유체가 상기 마스크(M)와 함께 상기 제2배스(20)에 수용된 상기 제2공정유체에 침지되면 상기 제1공정유체와 상기 제2공정유체가 혼합되어 마스크 처리의 효율성이 낮아지고 공정 불량이 발생할 수 있었다.At this time, the first process fluid remains on the mask M separated from the first process fluid received in the first bath 10 after being raised by the robot arm 50, and the mask M When the first process fluid remaining on the surface is immersed in the second process fluid accommodated in the second bath 20 together with the mask M, the first process fluid and the second process fluid are mixed for mask treatment. efficiency may be lowered and process defects may occur.

즉, 상기 마스크(M)가 상기 제1배스(10)에 수용된 상기 제1공정유체로부터 배출되어 상기 제2배스(20)에 수용된 상기 제2공정유체에 침지되기 전에 상기 마스크(M)의 표면에 잔존하는 상기 제1공정유체를 건조할 필요성이 있어, 상기 마스크(M)가 이송되는 중 상기 마스크(M)의 표면에 잔존하는 상기 제1공정유체의 건조를 위한 대기시간이 소요되었다. That is, the surface of the mask M before the mask M is discharged from the first process fluid accommodated in the first bath 10 and immersed in the second process fluid accommodated in the second bath 20. Since there is a need to dry the first process fluid remaining in the mask M, waiting time for drying the first process fluid remaining on the surface of the mask M was required while the mask M was being transported.

상기한 바와 같은 마스크 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 10-2008-0072265호가 있다.As an example of the prior art for a mask processing device as described above, there is Korean Patent Publication No. 10-2008-0072265.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 배스와 배스 사이를 이동하는 마스크의 건조 대기시간을 단축할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and is intended to provide a mask processing device and a mask processing method capable of reducing the drying waiting time of a mask moving between baths.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 마스크 처리 장치는, 서로 다른 마스크 처리 공정이 수행되는 복수의 배스와, 상기 배스에서 마스크 처리가 완료된 후 마스크에 잔류하는 공정유체를 건조하기 위해 마스크를 향하여 건조유체를 분사하는 블로워를 포함하여 이루어질 수 있다.The mask processing apparatus of the present invention for realizing the above object includes a plurality of baths in which different mask processing processes are performed, and a mask for drying process fluid remaining in the mask after mask processing is completed in the baths. It may be made including a blower for spraying the drying fluid towards.

상기 블로워는 상기 배스의 상측에 구비될 수 있으며, 상기 마스크를 운송하는 이송로봇의 로봇 암에 구비될 수도 있다.The blower may be provided on the upper side of the bath, and may be provided on a robot arm of a transfer robot that transports the mask.

상기 블로워는 상기 복수의 배스 사이에 구비되는 대기존에 구비될 수 있으며, 상기 복수의 챔버의 내측면에 구비될 수도 있다.The blower may be provided in an air zone provided between the plurality of baths, and may be provided on inner surfaces of the plurality of chambers.

상기 불로워는 상기 마스크의 양측면을 향해 상기 건조유체를 분사하도록 구비될 수 있으며, 상기 건조유체를 통해 상기 마스크를 퍼지하는 역할을 겸하도록 이루어질 수 있다. The blower may be provided to inject the drying fluid toward both sides of the mask, and may also serve to purge the mask through the drying fluid.

상기 마스크 처리 장치를 이용하는 본 발명의 마스크 처리 방법은, a) 상기 공정유체가 수용된 제1배스에 마스크가 침지되어 제1공정이 이루어지는 단계와, b) 상기 마스크가 상기 제1배스로부터 제2공정유체가 수용된 제2배스로 이송되는 단계와, c) 상기 제2배스에 마스크가 침지되어 제2공정이 이루어지는 단계를 포함하되, 상기 단계 b)가 수행되는 동안 상기 마스크에 건조유체가 분사되어 상기 마스크가 건조되도록 이루어질 수 있다.The mask processing method of the present invention using the mask processing device includes the steps of a) immersing a mask in a first bath containing the process fluid to perform a first process, and b) removing the mask from the first bath to a second process. A step of transferring the fluid to a second bath, and c) a step of immersing a mask in the second bath to perform a second process, wherein while step b) is performed, a drying fluid is sprayed on the mask to The mask may be made to dry.

상기 단계 b)는 상기 마스크가 상승하여 상기 제1배스에 수용된 상기 제1공정유체로부터 분리되는 단계와, 상기 마스크가 수평방향으로 이동하여 상기 제2배스 상측으로 이동하는 단계와, 상기 마스크가 하강하여 상기 제2배스에 수용된 상기 제2공정유체에 침지되는 단계로 이루어질 수 있으며, 상기 블로워가 구비되는 위치에 따라 상기 건조유체가 분사되는 구간이 다르게 이루어질 수 있다. In the step b), the mask is raised to be separated from the first process fluid contained in the first bath, the mask is moved in a horizontal direction to move above the second bath, and the mask is lowered. and immersing in the second process fluid accommodated in the second bath, and a section in which the drying fluid is sprayed may be made different depending on a location where the blower is provided.

본 발명에 따른 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 의하면, 배스와 배스 사이를 이동하는 마스크를 건조하는 건조 수단을 구비하여 건조 대기시간을 단축할 수 있다.According to the mask processing apparatus and mask processing method according to the present invention, a drying means for drying a mask moving between baths is provided, and drying waiting time can be shortened.

또한, 마스크를 퍼지할 수 있는 건조 수단을 구비하여 배스와 배스 사이를 이동중인 마스크에 오염물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by providing a drying means capable of purging the mask, it is possible to prevent contaminants from adhering to the mask moving between baths.

또한, 마스크의 양측면을 건조하는 건조 수단을 구비하여 마스크의 양측면을 균일하게 건조할 수 있다.In addition, by providing a drying means for drying both sides of the mask, both sides of the mask can be uniformly dried.

또한, 마스크를 이송하며 마스크와 함께 움직이는 로봇 암에 건조 수단을 구비하여 마스크를 균일하게 건조할 수 있다. In addition, the mask may be uniformly dried by providing a drying unit to a robot arm that moves along with the mask while transporting the mask.

또한, 복수의 배스 사이에 구비되는 대기존에 건조 수단을 구비하여 마스크의 건조 중 오염물질이 배스에 유입되는 것을 방지할 수 있다. In addition, by providing a drying means in the standby zone provided between the plurality of baths, it is possible to prevent contaminants from entering the bath during drying of the mask.

또한, 건조유체를 분사하는 유압을 이용하여 마스크상에 잔존하는 공정유체를 밀어내고 마스크의 건조 속도를 높일 수 있다.In addition, the process fluid remaining on the mask can be pushed out using hydraulic pressure for spraying the drying fluid, and the drying speed of the mask can be increased.

또한, 마스크가 완전히 건조된 후 다음 순서의 배스에 이송되도록 하여 공정유체의 혼입 및 혼용을 최소화하고 공정유체의 재생량을 높일 수 있다.In addition, by transferring the mask to the next bath after it is completely dried, mixing and mixing of process fluids can be minimized and the recovery amount of process fluids can be increased.

도 1은 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명에 의해 배스의 상측에 블로워가 구비된 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명에 의해 마스크의 양측면을 향하여 건조유체를 분사하도록 구비되는 블로워가 구비된 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 4는 본 발명에 의해 이송중인 마스크상에 건조유체가 분사되기 시작하는 때와 분사가 끝나는 때를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명에 의해 로봇 암에 블로워가 구비되는 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 6은 본 발명에 의해 대기존에 블로워가 구비되는 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 7은 본 발명에 의해 배스의 내측면에 블로워가 구비되는 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 8은 본 발명에 의한 마스크 처리 방법을 보여주는 순서도.
1 is a view schematically showing the configuration of a mask processing apparatus according to the prior art;
Figure 2 is a view showing a mask processing apparatus provided with a blower on the upper side of the bath according to the present invention.
Figure 3 is a view showing a mask processing apparatus provided with a blower provided to inject a drying fluid toward both sides of the mask according to the present invention.
4 is a view showing when the spraying of drying fluid starts and when the spraying ends on the mask being transported according to the present invention.
5 is a view showing a mask processing device in which a blower is provided on a robot arm according to the present invention.
Figure 6 is a view showing a mask processing apparatus provided with a blower in the standby zone according to the present invention.
Figure 7 is a view showing a mask processing apparatus provided with a blower on the inner surface of the bath according to the present invention.
8 is a flow chart showing a mask processing method according to the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 의한 마스크 처리 장치는, 도 2에 나타난 바와 같이, 서로 다른 마스크 처리 공정이 수행되는 복수의 배스(110,120)와. 상기 배스(110,120)에서 마스크 처리가 완료된 후 마스크(M)에 잔류하는 공정유체를 건조하기 위해 상기 마스크(M)를 향하여 건조유체를 분사하는 블로워(300)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the mask processing apparatus according to the present invention includes a plurality of baths 110 and 120 in which different mask processing processes are performed. In order to dry the process fluid remaining in the mask M after the mask treatment is completed in the baths 110 and 120, a blower 300 for spraying a drying fluid toward the mask M is included.

상기 마스크(M)는 기판 위에 회로 패턴이 형성된 회로 원판으로, 쿼츠(quartz)라 불리는 석영 유리기판 위에 크롬 회로 패턴이 형성되어 이루어질 수 있다. 상기 마스크(M)는 반도체 기판의 수배 크기로 형성될 수 있으며, 상기 반도체 기판의 형상과 크기에 따라 원형 및 사각 형 등 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 상기 마스크(M)는 리소그래피(lithography) 공정의 익스포저(Exposure) 단계에서 빛이 조사되면 상기 반도체 기판에 상을 형성하는 필름 역할을 한다. 상기 반도체 기판에는 포토 레지스트(photo resist) 등의 감광물질이 코팅되며, 상기 마스크(M)를 통해 상기 반도체 기판에 조사되는 빛이 상기 포토 레지스트와 반응하여 화학변화를 일으켜 상기 반도체 기판상에 회로 패턴을 형성한다.The mask M is a circuit board on which a circuit pattern is formed on a substrate, and may be formed by forming a chrome circuit pattern on a quartz glass substrate called quartz. The mask M may be formed to be several times the size of the semiconductor substrate, and may have various shapes and sizes, such as circular and rectangular shapes, depending on the shape and size of the semiconductor substrate. The mask M serves as a film forming an image on the semiconductor substrate when light is irradiated in an exposure step of a lithography process. The semiconductor substrate is coated with a photosensitive material such as photoresist, and light irradiated onto the semiconductor substrate through the mask M reacts with the photoresist to cause a chemical change to form a circuit pattern on the semiconductor substrate. form

상기 배스(100)는 상기 마스크(M)를 수용하여 마스크 처리 환경을 제공한다. 상기 배스(100)는 마스크 처리 환경을 견딜 수 있도록 소정의 두께를 갖는 재질로 구성되며, 온도의 변화를 견디기 위한 높은 내열성을 가지고 유체에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 마스크 처리 공정에 영향을 끼치지 않도록 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 구성된다.The bath 100 accommodates the mask M to provide a mask processing environment. The bath 100 is made of a material having a predetermined thickness to withstand the mask processing environment, has high heat resistance to withstand temperature changes, and does not affect the mask processing process due to deterioration or corrosion in response to fluids. It is made of materials that are chemical and corrosion resistant.

상기 조건들을 만족하는 재질로는 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 배스(100)를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는 재질 중 하나이다.A material that satisfies the above conditions is stainless steel (SUS). Stainless steel is one of the most used materials for constituting the bath 100 because it has high rigidity, excellent heat resistance, corrosion resistance, and chemical resistance, good accessibility, and economical advantages.

상기 마스크(M)에는 세정 대상물을 제거하기 위한 액체 또는 기체 상태의 세정제가 공급된다. 세정제는 처리 대상이 되는 종류에 따라 복수의 세정제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해서는 유기용제, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, SiO를 제거하기 위해서는 물, 불화수소 HF, IPA 및 N2 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해서는 염산 HCl, 오존 O3, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해서는 O3, N2 가스를 사용할 수 있다. 이외에도, 그 밖의 파티클을 제거하기 위해서는 암모니아 가수(加水) APM, N2 가스, 또는 N2 가스 혹은 아르곤 Ar을 사용할 수 있다. 또한, 불소 F, 염소 Cl, 암모니아 NH4의 이온을 제거하기 위해서는 물, IPA 및 N2 가스를 사용할 수 있다. 이러한 세정제 등을 통틀어 공정유체라 한다.A liquid or gaseous cleaning agent for removing an object to be cleaned is supplied to the mask M. A plurality of cleaning agents may be used as the cleaning agent depending on the type to be treated. For example, an organic solvent and N2 gas may be used to remove the resist. In addition, water, hydrogen fluoride HF, IPA, and N2 gas may be used to remove SiO. In addition, hydrochloric acid HCl, ozone O3, and N2 gas may be used to remove the metal. In addition, O3 and N2 gases can be used to remove organic substances other than resist. In addition, in order to remove other particles, ammonia-hydrogenated APM, N2 gas, N2 gas or argon Ar may be used. In addition, water, IPA, and N2 gas may be used to remove ions of fluorine F, chlorine Cl, and ammonia NH4. These detergents are collectively referred to as process fluids.

상기 복수의 배스(110,120)는 서로 다른 공정유체인 제1공정유체와 제2공정유체를 각각 수용하여 서로 다른 마스크 처리를 수행하는 제1배스(110)와 제2배스(120)를 포함한다.The plurality of baths 110 and 120 include a first bath 110 and a second bath 120 that receive different process fluids, i.e., a first process fluid and a second process fluid, respectively, and perform different mask treatments.

상기 마스크(M)는 상기 제1배스(110)와 상기 제2배스(120)에 순차로 침지되어 상기 제1공정유체와 상기 제2공정유체에 의해 순차로 처리된다.The mask M is sequentially immersed in the first bath 110 and the second bath 120 and sequentially treated by the first process fluid and the second process fluid.

상기 복수의 배스(110,120) 사이의 상기 마스크(M)의 이송은 이송로봇에 의해 이루어지며, 상기 이송로봇은 구동부가 구비되는 로봇 본체(미도시)와, 상기 마스크(M)를 지지하여 이송하는 지지부(210)와, 상기 로봇 본체와 상기 지지부를 연결하는 로봇 암(200)을 포함하여 이루어질 수 있다.The transfer of the mask M between the plurality of baths 110 and 120 is performed by a transfer robot, which supports and transfers the robot body (not shown) provided with a driving unit and the mask M. It may include a support part 210 and a robot arm 200 connecting the robot body and the support part.

상기 복수의 배스(110,120)는 일정 간격으로 배열되며, 일렬로 배열될 수 있고, 원형으로 배열될 수도 있다.The plurality of baths 110 and 120 are arranged at regular intervals, may be arranged in a line, or may be arranged in a circular shape.

상기 로봇 암(200)은, 상기 복수의 배스(110,120)가 일렬로 배열되는 경우 수직방향 및 수평방향 이동이 가능하도록 이루어질 수 있으며, 상기 복수의 배스(110,120)가 원형으로 배열되는 경우 수직방향 및 회전 이동이 가능하도록 이루어질 수 있다.The robot arm 200 may be made to move vertically and horizontally when the plurality of baths 110 and 120 are arranged in a line, and when the plurality of baths 110 and 120 are arranged in a circular shape, vertically and horizontally. It can be made to enable rotational movement.

상기 제1배스(110)에서 수행되는 마스크 처리가 완료되면, 상기 로봇 암(200)은, 상기 제1배스(110)에 침지된 상기 마스크(M)를 지지하여 상기 마스크(M)가 상기 제1공정유체로부터 완전히 벗어나도록 상승시키는 제1이송단계(S1)와, 상기 제 2배스(120)의 상측으로 수평이동하는 제2이송단계(S2)와, 하강하여 상기 마스크(M)를 상기 제2배스(120)의 상기 제2공정유체에 침지시키는 제3이송단계(S3)을 수행한다. When the mask process performed in the first bath 110 is completed, the robot arm 200 supports the mask M immersed in the first bath 110 so that the mask M is the first bath 110. 1) A first transfer step (S1) of raising the process fluid completely, a second transfer step (S2) of horizontally moving the second bath 120 upward, and descending to remove the mask (M) from the first transfer step (S1). A third transfer step (S3) of immersing in the second process fluid of the 2 bath 120 is performed.

상기 블로워(300)는, 상기한 바와 같이 상기 제1배스(110)로부터 상기 제2배스(120)로 이송되는 상기 마스크(M)상에 상기 건조유체를 분사하여 상기 마스크(M)상에 잔류하는 상기 제1공정유체를 제거하고 상기 마스크(M)를 건조하도록 구비된다.As described above, the blower 300 sprays the drying fluid onto the mask M transferred from the first bath 110 to the second bath 120 to remain on the mask M It is provided to remove the first process fluid and dry the mask (M).

즉, 상기 마스크(M)는 이송 중 상기 마스크(M)를 건조시키는 상기 블로워(300)를 구비하여 상기 마스크(M)의 건조시간을 단축함으로써 전체 마스크 처리 공정의 소요시간을 단축할 수 있다.That is, the mask M is provided with the blower 300 that dries the mask M during transport to shorten the drying time of the mask M, thereby shortening the time required for the entire mask processing process.

상기 건조유체는 상기 마스크(M)를 퍼지하는 역할을 더 할 수 있다.The drying fluid may further serve to purge the mask M.

상기 건조유체는 클린에어일 수 있으며, 불활성기체일 수 있고, 특히 질소 가스(N2)일 수 있다.The drying fluid may be clean air, an inert gas, and particularly nitrogen gas (N2).

상기 블로워(300)는 상기 제1이송단계(S1) 중에 상기 공정유체를 분사하도록 이루어질 수 있으며, 상기 제2이송단계(S2) 중에 상기 공정유체를 분사하도록 이루어질 수도 있고, 상기 제3이송단계(S3) 중에 상기 공정유체를 분사하도록 이루어질 수도 있다.The blower 300 may be configured to inject the process fluid during the first transfer step (S1), may be configured to inject the process fluid during the second transfer step (S2), and the third transfer step ( During S3), the process fluid may be injected.

상기 블로워(300)는 상기 제1배스(110)의 상측 또는 상기 제2배스(120)의 상측에 구비될 수 있으며, 상기 건조유체를 하향분사하여 상기 마스크(M)를 건조할 수 있다.The blower 300 may be provided above the first bath 110 or above the second bath 120, and may dry the mask M by spraying the drying fluid downward.

또한, 도 3에 나타난 바와 같이, 상기 블로워(300)는 상기 마스크(M)의 양측면을 향하여 분사되도록 할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 3, the blower 300 may be blown toward both sides of the mask M.

도 3은 상기 도 2에서 묘사한 마스크 처리 장치를 수평으로 90도 돌린 측면에서 바라본 것으로, 상기 블로워(300)가 상기 건조유체를 하향분사하되 상기 마스크(M)의 양측면을 향해 경사진 방향으로 분사하도록 이루어지는 것을 나타낸다.3 is a view of the mask processing device depicted in FIG. 2 from a horizontally turned side of 90 degrees, and the blower 300 sprays the drying fluid downward while spraying it in an inclined direction toward both sides of the mask M indicates what is being done.

상기 건조유체는 상기 마스크(M)의 양측면에 분사됨으로써 상기 마스크(M)의 양측면이 균일하게 건조되도록 할 수 있다.The drying fluid is sprayed on both sides of the mask M, so that both sides of the mask M can be uniformly dried.

또한, 도 4에 나타난 바와 같이, 상기 블로워(300)는 상기 마스크(M)가 상승하여 상기 마스크(M)의 일측이 상기 제1배스(110) 내부의 상기 제1공정유체로부터 분리되기 시작하는 때(A) 상기 건조유체를 분사하기 시작하여, 상기 마스크(M)가 하강하여 상기 제2배스(120) 내부의 상기 제2공정유체에 완전히 침지될 때(D)까지 상기 건조유체를 분사하도록 이루어질 수 있다.In addition, as shown in FIG. 4, the blower 300 starts to separate one side of the mask M from the first process fluid inside the first bath 110 as the mask M rises. When (A) the drying fluid is started to be sprayed, the drying fluid is sprayed until the mask (M) descends and is completely immersed in the second process fluid inside the second bath 120 (D). It can be done.

상기 실시예에 따르면 상기 건조유체는 상기 마스크(M)를 건조할 뿐 아니라 퍼지 역할을 겸하여, 상기 마스크(M)가 운송되는 중에 공기중의 오염물질과 접촉하는 것을 차단하고 공정불량을 방지할 수 있다.According to the above embodiment, the drying fluid not only dries the mask (M), but also serves as a purge, so that the mask (M) can be blocked from contact with contaminants in the air while being transported, and process defects can be prevented. there is.

또한, 상기 블로워(300)는 상기 마스크(M)가 상승하여 상기 마스크(M)의 일측이 상기 제1배스(110) 내부의 상기 제1공정유체로부터 완전히 분리되었을 때(B) 상기 건조유체를 분사하기 시작하여, 상기 마스크(M)가 하강하여 상기 마스크(M)의 일측이 상기 제2배스(120) 내부의 상기 제2공정유체에 침지되기 시작할 때(C)까지 상기 건조유체를 분사하도록 이루어질 수 있다. In addition, the blower 300 blows the drying fluid when the mask M rises and one side of the mask M is completely separated from the first process fluid inside the first bath 110 (B). Starting to spray, to spray the drying fluid until the mask (M) descends and one side of the mask (M) starts to be immersed in the second process fluid inside the second bath 120 (C) It can be done.

상기 실시예에 따르면 상기 마스크(M)의 전 면이 상기 건조유체에 의해 균일하게 건조되어, 불균등한 건조에 의해 일어날 수 있는 불균형 및 공정불량을 방지할 수 있다. According to the above embodiment, the entire surface of the mask M is uniformly dried by the drying fluid, thereby preventing imbalance and process defects that may occur due to uneven drying.

또한, 도 5에 나타난 바와 같이, 상기 블로워(300)는 상기 로봇 암(200)에 구비될 수 있다.Also, as shown in FIG. 5 , the blower 300 may be provided in the robot arm 200 .

상기 로봇 암(200)은 상기 마스크(M)를 운반하며 함께 이동하므로, 상기 로봇 암(200)에 구비되는 상기 블로워(300)는 상기 마스크(M)의 이송 중에 상기 건조유체가 상기 마스크(M)상에 일정한 밀도로 분사되도록 할 수 있다. 즉, 상기 마스크(M)를 균일하게 건조할 수 있다.Since the robot arm 200 moves while carrying the mask M, the blower 300 provided in the robot arm 200 blows the drying fluid into the mask M while the mask M is transferred. ) can be sprayed at a constant density. That is, the mask M can be uniformly dried.

또한, 도 6에 나타난 바와 같이, 상기 블로워(300)는 상기 복수의 배스(110,120) 사이의 대기존(400)에 구비될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 6, the blower 300 may be provided in the standby zone 400 between the plurality of baths 110 and 120.

상기 마스크(M)는 상기 로봇 암(200)에 의해 이송되어 상기 대기존(400)을 지나는 동안 상기 블로워(300)에서 분사되는 상기 건조유체에 의해 건조된다. The mask M is transported by the robot arm 200 and dried by the drying fluid sprayed from the blower 300 while passing through the waiting zone 400 .

상기 대기존(400)은 상기 제1배스(110) 또는 상기 제2배스(120)와 분리된 공간으로, 상기 마스크(M)가 건조되며 상기 마스크(M)로부터 분리될 수 있는 오염물질이 상기 제1배스(110) 또는 상기 제2배스(120)에 유입되어 상기 제1공정유체 또는 상기 제2공정유체가 오염되는 것을 방지할 수 있는 공간을 제공한다.The waiting zone 400 is a space separated from the first bath 110 or the second bath 120, and the mask M is dried and contaminants that can be separated from the mask M are A space is provided to prevent contamination of the first process fluid or the second process fluid by flowing into the first bath 110 or the second bath 120 .

상기 블로워(320)는 상기 대기존(400)의 하부에 구비되어 상기 건조유체를 상향 분사하도록 이루어질 수 있으며, 상기 대기존(400)의 상측에 구비되어 상기 건조유체를 하향 분사하도록 이루어질 수도 있다.The blower 320 may be provided below the waiting zone 400 to spray the drying fluid upward, or may be provided above the waiting zone 400 to spray the drying fluid downward.

또한, 도 7에 나타난 바와 같이, 상기 블로워(300)는 상기 배스(110,120)의 내측면에 구비될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 7 , the blower 300 may be provided on inner surfaces of the baths 110 and 120 .

상기 블로워(300)는 상기 건조유체를 수평방향으로 분사하도록 이루어질 수 있다.The blower 300 may spray the drying fluid in a horizontal direction.

상기 블로워(300)는 상기 배스(110,120)의 내측면 양측에 구비되어 상기 마스크(M)의 양측에서 상기 건조유체를 분사하도록 이루어질 수 있으며, 상기 배스(110,120)의 내측면의 사방에 구비되어 상기 마스크(M)의 사방에서 상기 건조유체를 분사하도록 이루어져, 상기 마스크(M)를 균일하게 건조할 수 있다.The blower 300 may be provided on both sides of the inner surface of the baths 110 and 120 to inject the drying fluid from both sides of the mask M, and may be provided on all sides of the inner surface of the baths 110 and 120 to The drying fluid is sprayed from all sides of the mask M, so that the mask M can be uniformly dried.

도 8을 참조하여 본 발명에 의한 마스크 처리 장치에 의한 마스크 처리 방법에 대해 서술한다. Referring to FIG. 8, a mask processing method by the mask processing apparatus according to the present invention will be described.

단계 S10은, 제1공정유체가 수용된 제1배스(110)에 마스크(M)가 침지되어 마스크 처리 공정이 이루어지는 단계이다. Step S10 is a step in which the mask treatment process is performed by immersing the mask M in the first bath 110 containing the first process fluid.

단계 S20은, 상기 마스크(M)가 상기 제1배스(110)로부터 제2공정유체가 수용된 제2배스(120)로 이송되는 단계로, 상기 마스크(M)가 이송되는 동안 상기 마스크(M)상에 건조유체가 분사되어 상기 마스크(M)를 건조하도록 이루어진다. In step S20, the mask M is transferred from the first bath 110 to the second bath 120 containing the second process fluid. A drying fluid is sprayed onto the mask to dry the mask M.

본 단계는, 상기 마스크(M)가 상승하여 상기 제1배스(110)에 수용된 상기 제1공정유체로부터 분리되는 제1운송단계(S1)와, 상기 마스크(M)가 수평방향으로 이동하여 상기 제2배스(120)의 상측으로 이동하는 제2운송단계(S2)와, 상기 마스크(M)가 하강하여 상기 제2배스(120)에 수용된 상기 제2공정유체에 침지되는 제3운송단계(S3)를 포함하여 이루어질 수 있다.In this step, a first transport step (S1) in which the mask M is raised and separated from the first process fluid accommodated in the first bath 110, and the mask M is moved in a horizontal direction to A second transport step (S2) of moving upward of the second bath 120, and a third transport step of lowering the mask (M) and immersing it in the second process fluid accommodated in the second bath (120) ( S3) may be included.

본 단계가 수행되는 동안 블로워(300)에 의해 상기 마스크(M)상에 상기 건조유체가 분사되어 상기 마스크(M)의 건조가 이루어진다.While this step is performed, the drying fluid is sprayed on the mask M by the blower 300 to dry the mask M.

상기 블로워(300)는 상기 제1배스(110) 또는 상기 제2배스(120)의 상측에 구비되어, 상기 제1운송단계(S1) 또는 상기 제2운송단계(S2) 또는 상기 제3운송단계(S3)에서 상기 건조유체를 상기 마스크(M)상에 분사하도록 이루어질 수 있다.The blower 300 is provided above the first bath 110 or the second bath 120, and the first transport step (S1) or the second transport step (S2) or the third transport step In (S3), the drying fluid may be sprayed onto the mask (M).

또한, 상기 블로워(300)는 상기 마스크(M)를 운송하는 이송로봇(미도시)의 로봇 암(200)에 구비되어, 상기 제1운송단계(S1) 또는 상기 제2운송단계(S2) 또는 상기 제3운송단계(S3)에서 상기 건조유체를 상기 마스크(M)상에 분사하도록 이루어질 수 있다.In addition, the blower 300 is provided in the robot arm 200 of the transfer robot (not shown) that transports the mask M, and the first transport step (S1) or the second transport step (S2) or In the third transport step (S3), the drying fluid may be sprayed onto the mask (M).

또한, 상기 블로워(300)는 상기 제1배스(110)와 상기 제2배스(120)의 사이에 구비되는 대기존(400)에 구비되어, 상기 제2운송단계(S2)에서 상기 건조유체를 상기 마스크(M)상에 분사하도록 이루어질 수 있다.In addition, the blower 300 is provided in the standby zone 400 provided between the first bath 110 and the second bath 120 to supply the drying fluid in the second transport step (S2). It may be made to be sprayed on the mask (M).

또한, 상기 블로워(300)는 상기 제1배스(110) 또는 상기 제2배스(120)의 내측면에 구비되어, 상기 제1운송단계(S1) 또는 상기 제3운송단계(S3)에서 상기 건조유체를 상기 마스크(M)상에 분사하도록 이루어질 수 있다.In addition, the blower 300 is provided on the inner surface of the first bath 110 or the second bath 120, and the drying in the first transport step (S1) or the third transport step (S3) It may be made to spray the fluid on the mask (M).

단계 S30은, 제2공정유체가 수용된 제2배스(120)에 마스크(M)가 침지되어 마스크 처리 공정이 이루어지는 단계이다. Step S30 is a step in which the mask M is immersed in the second bath 120 containing the second process fluid to perform a mask treatment process.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 의하면, 복수의 배스(110,120)간을 이동하는 마스크(M)를 건조하는 블로워(300)을 구비하여 건조 대기시간을 단축할 수 있다.As described above, according to the mask processing apparatus and mask processing method of the present invention, the blower 300 for drying the mask M moving between the plurality of baths 110 and 120 can be provided to shorten the drying waiting time. .

또한, 상기 블로워(300)에서 분사되는 건조유체는 상기 마스크(M)를 퍼지하는 역할을 겸하여 상기 복수의 배스(110,120)간을 이동하는 마스크에 오염물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the drying fluid sprayed from the blower 300 serves to purge the mask M, preventing contaminants from adhering to the mask moving between the plurality of baths 110 and 120.

또한, 상기 건조유체는 상기 마스크(M)의 양측면을 향해 분사되어 상기 마스크(M)의 양측면을 균일하게 건조할 수 있다.In addition, the drying fluid may be sprayed toward both sides of the mask M to uniformly dry both sides of the mask M.

또한, 상기 마스크(M)를 이송하며 상기 마스크(M)와 함께 움직이는 로봇 암(200)에 상기 블로워(300)를 구비하여 상기 마스크(M)를 균일하게 건조할 수 있다. In addition, the mask M may be uniformly dried by providing the blower 300 to the robot arm 200 moving together with the mask M while transferring the mask M.

또한, 상기 복수의 배스(110,120) 사이에 구비되는 대기존(400)에 상기 블로워(300)를 구비하여 상기 마스크(M)의 건조 중 오염물질이 상기 복수의 배스(110,120) 중 하나에 유입되는 것을 방지할 수 있다. In addition, the blower 300 is provided in the standby zone 400 provided between the plurality of baths 110 and 120 so that contaminants are introduced into one of the plurality of baths 110 and 120 during drying of the mask M. that can be prevented

또한, 상기 건조유체를 분사하는 유압을 이용하여 상기 마스크(M)상에 잔존하는 상기 공정유체를 밀어내고 상기 마스크(M)의 건조 속도를 높일 수 있다.In addition, the process fluid remaining on the mask M may be pushed out and the drying speed of the mask M may be increased by using hydraulic pressure for spraying the drying fluid.

또한, 상기 마스크(M)가 완전히 건조된 후 다음 순서의 배스에 이송되도록 하여 상기 공정유체의 혼입 및 혼용을 최소함으로써 마스크 처리 효율을 높이고 상기 공정유체의 재생량을 높일 수 있다.In addition, after the mask M is completely dried, it is transferred to the next bath to minimize mixing and mixing of the process fluid, thereby increasing mask processing efficiency and increasing the amount of regeneration of the process fluid.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and obvious modifications can be made by those skilled in the art to which the present invention belongs without departing from the technical spirit of the present invention claimed in the claims, and such modifications Implementations are within the scope of the present invention.

M : 마스크 110 : 제1배스
120 : 제2배스 200 : 로봇 암
210 : 지지대 300 : 블로워
400 : 대기존 S1 : 제1운송단계
S2 : 제2운송단계 S3 : 제3운송단계
M: mask 110: first bath
120: second bath 200: robot arm
210: support 300: blower
400: standby S1: first transport step
S2: 2nd transport step S3: 3rd transport step

Claims (19)

서로 다른 마스크 처리 공정이 수행되는 복수의 배스; 및
상기 배스에서 마스크 처리가 완료된 후 마스크에 잔류하는 공정유체를 건조하기 위해 마스크를 향하여 건조유체를 분사하는 블로워를 포함하고,
상기 복수의 배스는, 제1공정유체를 수용하는 제1배스와, 제2공정유체를 수용하는 제2배스를 포함하여 이루어지고;
상기 블로워는, 상기 마스크가 상기 제1배스 내부의 제1공정유체로부터 완전히 분리되는 때부터 상기 마스크의 일측이 상기 제2배스 내부의 제2공정유체에 침지되기 시작하는 때까지 상기 건조유체를 분사하는, 마스크 처리 장치.
a plurality of baths in which different mask processing processes are performed; and
A blower for spraying a drying fluid toward the mask to dry the process fluid remaining in the mask after the mask treatment is completed in the bath;
The plurality of baths include a first bath accommodating a first process fluid and a second bath accommodating a second process fluid;
The blower sprays the drying fluid from when the mask is completely separated from the first process fluid in the first bath until one side of the mask starts to be immersed in the second process fluid in the second bath. To do, a mask processing device.
제1항에 있어서,
상기 블로워는 배스의 상측에 구비되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 1,
The blower is a mask processing device, characterized in that provided on the upper side of the bath.
제1항에 있어서,
상기 블로워는 상기 마스크의 양측면을 향하여 건조유체를 분사하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 1,
The blower is a mask processing device, characterized in that made to spray the drying fluid toward both sides of the mask.
삭제delete 서로 다른 마스크 처리 공정이 수행되는 복수의 배스; 및
상기 배스에서 마스크 처리가 완료된 후 마스크에 잔류하는 공정유체를 건조하기 위해 마스크를 향하여 건조유체를 분사하는 블로워를 포함하고,
상기 복수의 배스는, 제1공정유체를 수용하는 제1배스와, 제2공정유체를 수용하는 제2배스를 포함하여 이루어지고;
상기 블로워는, 상기 마스크의 일측이 상기 제1배스 내부의 상기 제1공정유체로부터 분리되기 시작하는 때부터 상기 마스크가 상기 제2배스 내부의 상기 제2공정유체에 완전히 침지될 때까지 상기 건조유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
a plurality of baths in which different mask processing processes are performed; and
A blower for spraying a drying fluid toward the mask to dry the process fluid remaining in the mask after the mask treatment is completed in the bath;
The plurality of baths include a first bath accommodating a first process fluid and a second bath accommodating a second process fluid;
The blower blows the drying fluid from the time when one side of the mask starts to be separated from the first process fluid in the first bath until the mask is completely immersed in the second process fluid in the second bath. A mask processing device characterized in that for spraying.
서로 다른 마스크 처리 공정이 수행되는 복수의 배스; 및
상기 배스에서 마스크 처리가 완료된 후 마스크에 잔류하는 공정유체를 건조하기 위해 마스크를 향하여 건조유체를 분사하는 블로워를 포함하고,
상기 복수의 배스와 배스 사이에 상기 마스크를 운반하는 이송로봇에 있어서,
상기 이송로봇은, 구동부가 구비되는 로봇 본체와, 상기 마스크를 지지하여 운반하는 지지부와, 상기 로봇 본체와 상기 지지부를 연결하는 로봇 암을 포함하여 이루어지고;
상기 블로워는 상기 이송로봇의 로봇 암에 구비되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
a plurality of baths in which different mask processing processes are performed; and
A blower for spraying a drying fluid toward the mask to dry the process fluid remaining in the mask after the mask treatment is completed in the bath;
In the transfer robot for carrying the mask between the plurality of baths,
The transfer robot includes a robot body including a driving unit, a support unit supporting and transporting the mask, and a robot arm connecting the robot body and the support unit;
The blower is a mask processing device, characterized in that provided in the robot arm of the transfer robot.
서로 다른 마스크 처리 공정이 수행되는 복수의 배스; 및
상기 배스에서 마스크 처리가 완료된 후 마스크에 잔류하는 공정유체를 건조하기 위해 마스크를 향하여 건조유체를 분사하는 블로워를 포함하고,
상기 복수의 배스 사이에 대기존이 구비되고;
상기 블로워는 상기 대기존에 구비되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
a plurality of baths in which different mask processing processes are performed; and
A blower for spraying a drying fluid toward the mask to dry the process fluid remaining in the mask after the mask treatment is completed in the bath;
A waiting zone is provided between the plurality of baths;
The blower is a mask processing device, characterized in that provided in the standby zone.
제7항에 있어서,
상기 블로워는 상기 대기존의 하부에 구비되어, 상기 건조유체를 상향 분사하여 상기 마스크를 건조하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 7,
The mask processing apparatus according to claim 1 , wherein the blower is provided at a lower portion of the waiting area and sprays the drying fluid upward to dry the mask.
제7항에 있어서,
상기 블로워는 상기 대기존의 상측에 구비되어, 상기 건조유체를 하향 분사하여 상기 마스크를 건조하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 7,
The mask processing apparatus, characterized in that the blower is provided on the upper side of the standby, and sprays the drying fluid downward to dry the mask.
제1항에 있어서,
상기 블로워는 상기 배스의 내측면에 구비되어, 상기 마스크의 양측 또는 사방에서 상기 건조유체를 분사하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 1,
The blower is provided on the inner surface of the bath, and the mask processing apparatus, characterized in that made to spray the drying fluid on both sides or all sides of the mask.
제10항에 있어서,
상기 블로워는 상기 건조유체를 수평방향으로 분사하여 상기 마스크를 건조하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 10,
The blower sprays the drying fluid in a horizontal direction to dry the mask.
제1항에 있어서,
상기 건조유체는 클린 에어인 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 1,
The drying fluid is a mask processing device, characterized in that clean air.
제1항에 있어서,
상기 건조유체는 비활성 기체인 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
According to claim 1,
The drying fluid is a mask processing device, characterized in that the inert gas.
제13항에 있어서,
상기 건조유체는 질소 기체인 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치
According to claim 13,
Mask processing device, characterized in that the drying fluid is nitrogen gas
a) 제1공정유체가 수용된 제1배스에 마스크가 침지되어 제1공정이 이루어지는 단계;
b) 상기 마스크가 상기 제1배스로부터 제2공정유체가 수용된 제2배스로 이송되는 단계;
c) 상기 제2배스에 마스크가 침지되어 제2공정이 이루어지는 단계;
를 포함하되, 상기 단계 b)가 수행되는 동안 상기 마스크에 건조유체가 분사되어 상기 마스크가 건조되고,
상기 단계 b)는,
상기 마스크가 상기 제1배스 내부의 제1공정유체로부터 완전히 분리되는 때부터 상기 마스크의 일측이 상기 제2배스 내부의 제2공정유체에 침지되기 시작하는 때까지 상기 건조유체를 분사하는, 마스크 처리 방법.
a) immersing a mask in a first bath containing a first process fluid to perform a first process;
b) transferring the mask from the first bath to a second bath containing a second process fluid;
c) immersing the mask in the second bath to perform a second process;
Including, but while the step b) is performed, a drying fluid is sprayed on the mask to dry the mask,
In step b),
Mask treatment in which the drying fluid is sprayed from when the mask is completely separated from the first process fluid in the first bath until one side of the mask starts to be immersed in the second process fluid in the second bath Way.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020180046370A 2018-04-20 2018-04-20 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof KR102485519B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180046370A KR102485519B1 (en) 2018-04-20 2018-04-20 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180046370A KR102485519B1 (en) 2018-04-20 2018-04-20 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190122501A KR20190122501A (en) 2019-10-30
KR102485519B1 true KR102485519B1 (en) 2023-01-10

Family

ID=68462890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180046370A KR102485519B1 (en) 2018-04-20 2018-04-20 Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102485519B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102235526B1 (en) * 2020-10-27 2021-04-05 정치효 Auto masking apparatus of battery case

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003170571A (en) * 2001-12-10 2003-06-17 Pioneer Electronic Corp Mask washing apparatus
JP2004283803A (en) 2003-03-25 2004-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus
JP2005161190A (en) * 2003-12-02 2005-06-23 Seiko Epson Corp Washing method, washing apparatus, and optoelectric apparatus
JP2007134619A (en) * 2005-11-14 2007-05-31 Pre-Tech Co Ltd Drying system and method of flat-plate-form object
JP2017228789A (en) 2017-08-22 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 Inspection system

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100529432B1 (en) * 2003-02-04 2005-11-17 동부아남반도체 주식회사 Apparatus for cleaning substrate of semiconductor
KR101457428B1 (en) * 2008-07-31 2014-11-06 주식회사 케이씨텍 Apparatus for cleaning substrate
KR101534832B1 (en) * 2012-09-13 2015-07-07 주식회사 에스디앤티 Wet, dry composite mask cleaning device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003170571A (en) * 2001-12-10 2003-06-17 Pioneer Electronic Corp Mask washing apparatus
JP2004283803A (en) 2003-03-25 2004-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus
JP2005161190A (en) * 2003-12-02 2005-06-23 Seiko Epson Corp Washing method, washing apparatus, and optoelectric apparatus
JP2007134619A (en) * 2005-11-14 2007-05-31 Pre-Tech Co Ltd Drying system and method of flat-plate-form object
JP2017228789A (en) 2017-08-22 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 Inspection system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190122501A (en) 2019-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003045770A (en) Substrate processing device
JP2018046108A (en) Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
JP5416075B2 (en) Processing apparatus, processing method, program, and computer storage medium
CN116864378A (en) Substrate processing apparatus and method
KR100897351B1 (en) Method and apparatus of developing substrate
KR102485519B1 (en) Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof
US11927886B2 (en) Substrate treating method
JP2010103480A (en) Reduced-pressure drying device and reduced-pressure drying method
KR101300892B1 (en) Substrate treating method, and computer-readable storage medium
KR102535783B1 (en) Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof
KR20100019441A (en) An apparatus, a system and a method of preventing premature drying
JP2009010256A (en) Substrate drying device and its method
JP2001271188A (en) Substrate treatment apparatus
KR102343636B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP2008041873A (en) Method of washing substrate
JP2010056208A (en) Substrate cleaning device
KR101895410B1 (en) Apparatus for treating substrate
TWM512208U (en) Processing equipment integrating moisture removal and drying
JP4541422B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100699918B1 (en) A preventing unit of drying of a substrate, a substrate cleaning apparatus having the same and a substrate cleaning method
KR20040008059A (en) Method and apparatus for cleaning substrate
JPH09162156A (en) Treating method and treating system
KR20020063201A (en) Method of cleaning electronic device
KR102503205B1 (en) Apparatus for Treating Mask
KR20190074852A (en) Apparatus for Treating Substrate and the Method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant