JP2007134619A - Drying system and method of flat-plate-form object - Google Patents
Drying system and method of flat-plate-form object Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007134619A JP2007134619A JP2005328419A JP2005328419A JP2007134619A JP 2007134619 A JP2007134619 A JP 2007134619A JP 2005328419 A JP2005328419 A JP 2005328419A JP 2005328419 A JP2005328419 A JP 2005328419A JP 2007134619 A JP2007134619 A JP 2007134619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drying
- flat
- robot hand
- flat plate
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 155
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000007605 air drying Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 141
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
本発明は、平板状物、特にシリコンウエーハ等の半導体ウエーハを洗浄して純水でリンスした後、ウエーハを汚染することなく乾燥させるための乾燥システム及び乾燥方法に関する。 The present invention relates to a drying system and a drying method for cleaning a flat plate, particularly a semiconductor wafer such as a silicon wafer, rinsing with pure water, and drying the wafer without contamination.
シリコンウエーハに代表される半導体ウエーハは、半導体デバイスの基板として使用され、デバイス作製工程ではウエーハ上に微細なパターン形成が行われる。ウエーハの表面にパーティクル等の異物が付着しているとパターン形成不良が生じるため、ウエーハは洗浄した後、清浄な状態で乾燥させる必要がある。 A semiconductor wafer typified by a silicon wafer is used as a substrate of a semiconductor device, and a fine pattern is formed on the wafer in a device manufacturing process. If foreign matter such as particles adheres to the surface of the wafer, pattern formation failure occurs. Therefore, the wafer needs to be cleaned and dried in a clean state.
例えば、半導体ウエーハを純水等で洗浄した後、表面を有機溶剤で置換させる方法がある。洗浄後、ウエーハの表面を例えばイソプロピルアルコール(IPA)で置換すれば、表面のIPAは速やかに蒸発するため、短時間で乾燥させることができる。
しかし、IPA等の有機溶剤を用いるとなると、防爆設備等の設備コストが上昇するほか、人体や自然環境に悪影響を及ぼすおそれがある。
For example, there is a method in which a semiconductor wafer is washed with pure water or the like and then the surface is replaced with an organic solvent. After the cleaning, if the surface of the wafer is replaced with, for example, isopropyl alcohol (IPA), the IPA on the surface quickly evaporates and can be dried in a short time.
However, if an organic solvent such as IPA is used, the equipment cost of the explosion-proof equipment and the like increases, and there is a risk of adversely affecting the human body and the natural environment.
一方、純水でウエーハを洗浄した後、いわゆるスピン乾燥により乾燥させれば、防爆設備の必要はない。しかし、スピン乾燥を行うと、ミストがウエーハに再度付着し、乾燥後のウエーハの表面にステインが残り易いという問題がある。
また、加熱した純水で洗浄を行えば、洗浄後にウエーハに付着している純水は蒸発し易く、比較的短時間で乾燥させることができる。しかし、純水の加熱にヒータが必要であり、ヒータから汚染物質が生じてウエーハを汚染させてしまうおそれがある。また、純水の加熱に時間がかかるなどの問題もある。
On the other hand, if the wafer is washed with pure water and then dried by so-called spin drying, there is no need for explosion-proof equipment. However, when spin drying is performed, there is a problem that mist adheres to the wafer again, and stain is likely to remain on the surface of the wafer after drying.
Further, if cleaning with heated pure water is performed, the pure water adhering to the wafer after cleaning is easily evaporated and can be dried in a relatively short time. However, a heater is required for heating pure water, and there is a possibility that contaminants are generated from the heater and contaminate the wafer. In addition, there is a problem that it takes time to heat pure water.
さらに、ウエーハを洗浄した後、チャンバー内でウエーハを垂直にした状態でウエーハの下部を溝で支持するとともに、溝の底部に設けた吸引口から吸引を行う乾燥装置が提案されている(特許文献1、2参照)。このような乾燥装置であれば、チャンバーの上部から下部に向けてクリーンエアを流通させるか、チャンバー内部を減圧させるとともに、ウエーハを垂直に支持した状態で各溝の吸引口から吸引することで、ウエーハを汚染せず、また、表面にステインやウオーターマークを残さずに乾燥することができるとされている。
ところが、上記のようにウエーハを溝で垂直に支持して乾燥を行っても、特にウエーハが支持されている部分ではウオーターマーク等が残り易いという問題がある。
また、このようなウオーターマーク等は、半導体ウエーハに限らず、マスク基板等の高い清浄度が要求される平板状物において問題となる。
Furthermore, a drying apparatus has been proposed in which, after cleaning the wafer, the lower portion of the wafer is supported by a groove while the wafer is vertical in the chamber, and suction is performed from a suction port provided at the bottom of the groove (Patent Document). 1 and 2). With such a drying device, clean air is circulated from the upper part to the lower part of the chamber, or the inside of the chamber is decompressed and sucked from the suction port of each groove while supporting the wafer vertically, It is said that it can be dried without contaminating the wafer and without leaving stains or water marks on the surface.
However, even when the wafer is vertically supported by the grooves as described above and dried, there is a problem that a water mark or the like tends to remain particularly in a portion where the wafer is supported.
Further, such a water mark or the like becomes a problem not only in a semiconductor wafer but also in a plate-like object requiring high cleanliness such as a mask substrate.
上記問題点に鑑み、本発明は、洗浄後の半導体ウエーハ等の平板状物の全面にわたってウオーターマークやステインを残さず、清浄な状態で乾燥させることができる平板状物の乾燥システム及び乾燥方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention provides a drying system and a drying method for a flat plate that can be dried in a clean state without leaving a watermark or stain on the entire surface of the flat plate such as a semiconductor wafer after cleaning. The purpose is to provide.
上記目的を達成するため、本発明では、平板状物を純水でリンスした後に該平板状物を乾燥させるためのシステムであって、少なくとも、平板状物を立てた状態で該平板状物の周辺部を支持し、該平板状物を純水でリンスするための水槽と、前記純水から出た平板状物に対して上方からクリーンエアを吹き付けるための給気ダクトと、前記クリーンエアが吹き付けられた前記平板状物の周辺部を把持し、前記水槽から前記平板状物を搬出するためのロボットハンドと、前記ロボットハンドで把持された前記平板状物と接触することなく、該平板状物の下部を吸引乾燥するための乾燥ステージとを備えたものであることを特徴とする平板状物の乾燥システムが提供される(請求項1)。 In order to achieve the above object, the present invention is a system for rinsing a plate-like object with pure water and then drying the plate-like object, and at least in a state where the plate-like object is erected, A water tank for supporting the peripheral portion and rinsing the flat plate with pure water, an air supply duct for blowing clean air from above on the flat plate discharged from the pure water, and the clean air A robot hand for gripping the peripheral portion of the sprayed flat plate and carrying out the flat plate from the water tank, and the flat plate without contacting the flat plate gripped by the robot hand There is provided a drying system for a flat plate comprising a drying stage for sucking and drying a lower part of the plate (claim 1).
このような乾燥システムであれば、水槽内で半導体ウエーハ等の平板状物を純水でリンスした後、給気ダクトのクリーンエアの吹き付けにより平板状物の下部以外の周辺部をほぼ乾燥させた上でロボットハンドで把持し、ロボットハンドで平板状物の周辺部を把持したまま乾燥ステージに搬送して平板状物の下部を非接触で吸引乾燥することができる。従って、平板状物の洗浄後、この乾燥システムを用いれば、平板状物の全面にわってステインやウオーターマークを残さずに極めて清浄な状態で乾燥させることができる。 In such a drying system, a flat object such as a semiconductor wafer is rinsed with pure water in a water tank, and then the peripheral part other than the lower part of the flat object is substantially dried by blowing clean air from an air supply duct. It can be gripped by the robot hand and conveyed to the drying stage while holding the peripheral part of the flat plate with the robot hand, and the lower part of the flat plate can be sucked and dried without contact. Therefore, if this drying system is used after washing the flat plate, it can be dried in a very clean state without leaving stains or water marks on the entire surface of the flat plate.
また、前記水槽とロボットハンドと給気ダクトと乾燥ステージの各操作を制御するための制御手段をさらに備えたシステムとすることができる(請求項2)。
このような制御手段も備えたシステムであれば、水槽内での純水リンスから乾燥ステージでの吸引乾燥まで自動制御により円滑に行うことができるものとなり、平板状物を素早く乾燥させることができる。
Moreover, it can be set as the system further provided with the control means for controlling each operation of the said water tank, a robot hand, an air supply duct, and a drying stage (Claim 2).
If it is a system provided with such a control means, it will be possible to perform smoothly by automatic control from pure water rinsing in the water tank to suction drying in the drying stage, and it is possible to quickly dry a plate-like object. .
前記ロボットハンドは、複数の平板状物を同時に把持するための把持部を有するものとすることができる(請求項3)。
このようなロボットハンドを備えたシステムであれば、一度に複数の平板状物を処理することができ、平板状物の乾燥をより効率的に行うことができるものとなる。
The robot hand may have a grip portion for simultaneously gripping a plurality of flat objects.
If it is a system provided with such a robot hand, a plurality of flat objects can be processed at a time, and the flat objects can be dried more efficiently.
また、前記ロボットハンドが、前記平板状物を把持する際に該平板状物の周辺部を吸引するための孔を有するものとすることができる(請求項4)。
ロボットハンドに上記のような吸引用の孔が設けられていれば、平板状物の把持される部分が十分乾燥していなくても、把持する時に、ロボットハンドの孔を通じて乾燥を促進することができるものとなる。従って、確実に把持される部分にステインが残ることなく、平板状物全面にわたって清浄な状態で乾燥させることができる。
In addition, the robot hand may have a hole for sucking a peripheral portion of the flat plate when the flat plate is gripped.
If the robot hand is provided with a suction hole as described above, drying can be promoted through the hole of the robot hand when gripping even if the portion to be gripped of the flat plate is not sufficiently dry. It will be possible. Therefore, it is possible to dry in a clean state over the entire surface of the flat plate-like object without leaving stains in the portion to be securely gripped.
前記給気ダクトが、前記乾燥ステージの上方からもクリーンエアを吹き付けるものとすることができる(請求項5)。
給気ダクトにより乾燥ステージの上方からもクリーンエアを吹き付けることができるシステムとすれば、ロボットハンドにより平板状物を乾燥ステージに搬送した後でも上方からのエアによって平板状物の乾燥を促進させることができ、平板状物全面にわたってより確実にかつ高い清浄度で乾燥させることができる。
The air supply duct may blow clean air from above the drying stage (Claim 5).
If it is a system that can blow clean air from above the drying stage by the air supply duct, the air from above will accelerate the drying of the flat object even after the flat object is transported to the drying stage by the robot hand. And can be dried more reliably and with high cleanliness over the entire surface of the flat plate.
前記給気ダクトが、固定されているものとすることができる(請求項6)。
給気ダクトが固定されたシステムとすれば、給気ダクトからのパーティクルの発生を防ぐことができ、平板状物をより確実に清浄な状態で乾燥させることができるものとなる。
The air supply duct may be fixed (Claim 6).
If a system in which the air supply duct is fixed is used, the generation of particles from the air supply duct can be prevented, and the flat plate can be more reliably dried in a clean state.
また、前記給気ダクトが、前記ロボットハンドに連結され、該ロボットハンドとともに動くものとすることもできる(請求項7)。
この場合、ロボットハンドで把持された平板状物に対して常にクリーンエアを正確に吹き付けることができ、平板状物全面をより確実にかつ迅速に乾燥させることができる。
Further, the air supply duct may be connected to the robot hand and move together with the robot hand.
In this case, clean air can always be accurately sprayed on the flat object held by the robot hand, and the entire surface of the flat object can be dried more reliably and quickly.
前記乾燥ステージが、前記ロボットハンドで把持された前記複数の平板状物の下部を同時に吸引乾燥するために個々の平板状物に対する吸引口を有するものとすることもできる(請求項8)。
乾燥ステージが、複数の平板状物に対する個々の吸引口を有していれば、ロボットハンドに把持された複数の平板状物を一度で迅速に乾燥させることができるものとなる。
The drying stage may have a suction port for each flat plate in order to suck and dry the lower portions of the flat plates held by the robot hand at the same time (Claim 8).
If the drying stage has individual suction ports for a plurality of flat objects, the plurality of flat objects held by the robot hand can be quickly dried at once.
前記乾燥ステージが、少なくとも、前記ロボットハンドで把持された平板状物の下部が接触することなく収容される溝を有し、該溝の底部に吸引口が形成されているものとすることができる(請求項9)。
乾燥ステージが、上記のような溝と吸引口を有していれば、平板状物の下部を汚染することなく、効率的良く乾燥させることができる。
The drying stage has at least a groove that can be accommodated without contacting the lower part of the flat object gripped by the robot hand, and a suction port is formed at the bottom of the groove. (Claim 9).
If the drying stage has the groove and the suction port as described above, it can be efficiently dried without contaminating the lower part of the flat plate-like object.
また、本発明では、平板状物を純水でリンスした後に該平板状物を乾燥させる方法であって、前記平板状物の乾燥システムを用い、少なくとも、前記水槽において平板状物を立てた状態で純水でリンスする工程と、前記水槽から純水を排出するとともに前記平板状物に対して前記給気ダクトからクリーンエアを吹き付ける工程と、前記ロボットハンドにより前記水槽内の純水と接触することなく前記平板状物の周辺部を把持して該平板状物を前記乾燥ステージに搬送する工程と、前記ロボットハンドで把持された前記平板状物の下部を前記乾燥ステージに接触させることなく吸引乾燥する工程を含むことを特徴とする平板状物の乾燥方法が提供される(請求項10)。 Further, the present invention is a method of drying the flat plate after rinsing the flat plate with pure water, and using the flat plate drying system, at least in a state where the flat plate is erected in the water tank. A step of rinsing with pure water, a step of discharging pure water from the water tank and blowing clean air from the air supply duct to the flat plate, and a contact with pure water in the water tank by the robot hand Gripping the peripheral part of the flat plate without transporting the flat plate to the drying stage, and sucking the lower part of the flat plate gripped by the robot hand without contacting the drying stage There is provided a method for drying a flat plate comprising the step of drying (claim 10).
本発明に係る平板状物の乾燥システムを用い、上記のように半導体ウエーハ等の平板状物の純水リンスから吸引乾燥まで行えば、平板状物の全面にわってステインやウオーターマーク等の跡を残さずに極めて清浄な状態でかつ迅速に乾燥させることができる。 If the flat material drying system according to the present invention is used to perform pure water rinsing to suction drying of a flat material such as a semiconductor wafer as described above, stains, water marks, etc. are traced over the entire surface of the flat material. It can be dried in a very clean state and without leaving behind.
また、平板状物を純水でリンスした後に該平板状物を乾燥させる方法であって、少なくとも、水槽内において平板状物を立てた状態で純水でリンスする工程と、前記水槽から純水を排出するとともに前記平板状物に対して上方からクリーンエアを吹き付ける工程と、ロボットハンドにより前記水槽内の純水と接触することなく前記平板状物の周辺部を把持し、該平板状物を乾燥ステージに搬送する工程と、前記ロボットハンドで把持された前記平板状物の下部を前記乾燥ステージに接触させることなく吸引乾燥する工程を含むことを特徴とする平板状物の乾燥方法が提供される(請求項11)。 Also, a method of drying the flat plate after rinsing the flat plate with pure water, at least a step of rinsing with pure water in a state in which the flat plate is erected in a water tank, and pure water from the water tank A process of spraying clean air from above on the flat object, and gripping the peripheral part of the flat object without contacting the pure water in the water tank by a robot hand. There is provided a method for drying a flat plate comprising a step of transporting to a drying stage, and a step of sucking and drying the lower part of the flat plate held by the robot hand without contacting the drying stage. (Claim 11).
上記のような工程を経て平板状物の純水リンスから吸引乾燥まで行えば、平板状物の全面にわってステインやウオーターマーク等の跡を残さずに極めて清浄な状態でかつ迅速に乾燥させることができる。 After going through the above process and rinsing from pure water to suction drying of the flat plate, it is dried in a very clean state and quickly without leaving traces of stains and water marks on the entire surface of the flat plate. be able to.
前記ロボットハンドにより前記平板状物の周辺部を把持する際、前記水槽内の水面の低下に追従して、前記ロボットハンドを下降させることが好ましい(請求項12)。
水槽内の水面の低下に追従するようにロボットハンドを下降させて平板状物の周辺部を把持すれば、平板状物を素早く把持して搬送することができ、乾燥工程全体をより短時間で行うことができる。
When the peripheral part of the flat object is gripped by the robot hand, it is preferable that the robot hand is lowered following the lowering of the water surface in the water tank.
If the robot hand is lowered so as to follow the lowering of the water level in the water tank and the peripheral part of the flat plate is gripped, the flat plate can be quickly held and transported, and the entire drying process can be carried out in a shorter time. It can be carried out.
また、前記ロボットハンドにより前記平板状物の周辺部を把持する際、前記クリーンエアの吹き付けにより、少なくとも前記平板状物の把持する部分を乾燥させた後に前記ロボットハンドにより該平板状物の周辺部を把持することが好ましい(請求項13)。
平板状物の把持される部分を乾燥させた後にロボットハンドで平板状物を把持すれば、ロボットハンドで把持された部分にウオーターマーク等が残ることを確実に防ぐことができる。
Further, when the peripheral portion of the flat object is gripped by the robot hand, the peripheral portion of the flat object is dried by the robot hand after drying at least a portion to be gripped by the clean air. Is preferably held (claim 13).
If the flat object is gripped by the robot hand after the portion to be gripped of the flat object is dried, it is possible to reliably prevent a water mark or the like from remaining on the part gripped by the robot hand.
また、前記ロボットハンドにより前記平板状物の周辺部を把持する際、前記ロボットハンドに設けた前記平板状物の周辺部を吸引するための孔で吸引しながら該平板状物の周辺部を把持することが好ましい(請求項14)。
ロボットハンドの吸引用の孔で平板状物の周辺部を吸引しながら把持すれば、平板状物の把持される部分がまだ十分乾燥していなかった場合でも、確実に乾燥させることができ、把持される部分にステインが残ることもない。
Further, when the peripheral portion of the flat plate is gripped by the robot hand, the peripheral portion of the flat plate is gripped while being sucked by a hole for sucking the peripheral portion of the flat plate provided in the robot hand. (Claim 14).
If the peripheral part of the flat object is gripped with the suction hole of the robot hand, it can be surely dried even if the gripped part of the flat object has not been sufficiently dried. Stain does not remain in the part where it is applied.
前記水槽から純水を排出することにより前記平板状物の全体が前記純水から出る前に、前記ロボットハンドにより該平板状物の周辺部を把持することが好ましい(請求項15)。
排水時に平板状物の全体が純水から出る前に、ロボットハンドにより平板状物の周辺部を把持して搬送すれば、平板状物が水槽内で支えられていた部分にウオーターマーク等が一層残り難くなり、平板状物全体をより一層清浄な状態で乾燥させることができる。
It is preferable that the peripheral portion of the flat plate is gripped by the robot hand before the entire flat plate is discharged from the pure water by discharging pure water from the water tank.
If the periphery of the flat object is gripped and transported by the robot hand before the entire flat object comes out of the pure water during drainage, a water mark or the like is further added to the part where the flat object was supported in the water tank. It becomes difficult to remain, and the entire flat plate can be dried in a more clean state.
さらに、前記乾燥ステージで前記平板状物の下部を吸引乾燥する際、前記ロボットハンドで把持された平板状物の最下部を、前記乾燥ステージの吸引口に0.5mm〜1.5mmまで近づけて吸引乾燥することが好ましい(請求項16)。
平板状物の最下部と乾燥ステージの吸引口を上記範囲内に近づけて吸引乾燥すれば、平板状物とステージとの接触を防ぐとともに平板状物を迅速に乾燥させることができる。
Further, when the lower part of the flat object is sucked and dried by the drying stage, the lowermost part of the flat object held by the robot hand is brought close to the suction port of the drying stage to 0.5 mm to 1.5 mm. It is preferable to perform suction drying (claim 16).
If the lowermost part of the flat plate and the suction port of the drying stage are brought close to the above range and sucked and dried, the flat plate and the stage can be prevented from contacting each other and the flat plate can be dried quickly.
前記平板状物として、半導体ウエーハを好適に乾燥させることができる(請求項17)。
半導体ウエーハは、特に乾燥後のウオーターマークやステインがその後のデバイス工程などに影響するが、本発明によれば、平板状物の全面にわってステインやウオーターマーク等の跡を残さずに極めて清浄な状態でかつ迅速に乾燥させることができるため、半導体ウエーハの乾燥に特に有効である。
A semiconductor wafer can be suitably dried as the flat plate (claim 17).
In semiconductor wafers, water marks and stains after drying particularly affect subsequent device processes, etc., but according to the present invention, the entire surface of a flat object is not cleaned, leaving no traces of stains or water marks. Therefore, it is particularly effective for drying a semiconductor wafer.
本発明に係る平板状物の乾燥システム及び乾燥方法を用いれば、水槽内で平板状物、例えば半導体ウエーハを純水でリンスした後、給気ダクトのクリーンエアの吹き付けによりウエーハの下部以外の周辺部をほぼ乾燥させるとともに、その後ロボットハンドでウエーハの周辺部を把持したまま乾燥ステージでウエーハの下部を吸引乾燥することができる。従って、ウエーハの洗浄後、この乾燥システム及び乾燥方法を用いれば、ウエーハ全体を迅速に乾燥させ、ウエーハの下部にステインやウオーターマークが残ることなく、ウエーハ全体を極めて清浄な状態で乾燥させることができる。 If the flat material drying system and drying method according to the present invention are used, a flat object, for example, a semiconductor wafer is rinsed with pure water in a water tank, and then the periphery other than the lower part of the wafer by blowing clean air in an air supply duct. Then, the lower part of the wafer can be sucked and dried on the drying stage while holding the peripheral part of the wafer with the robot hand. Therefore, if this drying system and method are used after cleaning the wafer, the entire wafer can be quickly dried, and the entire wafer can be dried in an extremely clean state without leaving stains or water marks on the lower portion of the wafer. it can.
以下、添付の図面を参照しつつ、好適な態様として、本発明に係る平板状物の乾燥システムを用いて洗浄後のシリコンウエーハを乾燥させる方法について説明する。
図1は本発明に係る平板状物の乾燥システムの一例を示している。また、図2〜図7は、この乾燥システム1を用いてシリコンウエーハを乾燥させる各工程を概略的に示している。
この乾燥システム1は、チャンバー2の内部に、水槽3、給気ダクト4、ロボットハンド5、乾燥ステージ6を備え、さらにチャンバー2の外部には、水槽3とロボットハンド5と給気ダクト4と乾燥ステージ6の各操作を制御する手段としてコンピュータ20を備えている。
Hereinafter, as a preferred embodiment, a method for drying a cleaned silicon wafer using a flat material drying system according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows an example of a flat material drying system according to the present invention. 2 to 7 schematically show the respective steps of drying the silicon wafer using the
The
水槽3には、給水バルブ(不図示)、排水バルブ8、水槽3内でウエーハWを立てた状態で支持するための支持部9が設けられている。
給気ダクト4は、チャンバー2の天井部に設けられており、HEPAフィルター等のエアフィルターを通じてクリーンエアを所定の風量(風速)で下方に吹き出すことができる。
The
The
ロボットハンド5は、上下動可能な2本のアーム5a,5bを有し、アームの開閉によりウエーハWの周辺部を把持することができる。
乾燥ステージ6は、ウエーハWの下部を吸引乾燥するためのものであり、真空ポンプ12のほか、圧力調整用のバルブ10及び圧力計11が設けられている。
また、制御手段のコンピュータ20には、水槽3、給気ダクト4、ロボットハンド5、乾燥ステージ6の全てをシーケンス制御するためのソフトが組み込まれている。
The
The drying
The
この乾燥システム1を用いてシリコンウエーハを乾燥させる方法について説明する。
まず、洗浄後のシリコンウエーハWを水槽3内に搬送し、純水7でリンスする。このとき、ウエーハWは水槽内の支持部9により下部の周辺部が支持され、ほぼ垂直に立った状態でリンスが行われる。水槽内の純水7は常温のものを用いることができるが、後により速く乾燥させるため温水を用いてもよい。
リンス中は、給気ダクト4からは必ずしもクリーンエアを吹き出しておく必要はないが、所定の風速でクリーンエアを吹き出しておいてもよい。
A method for drying a silicon wafer using the
First, the cleaned silicon wafer W is transported into the
During rinsing, it is not always necessary to blow out clean air from the
水槽3内の純水7で所定時間リンスした後、排水バルブ8を開いて水槽3から純水7を排出するとともにウエーハWに対して給気ダクト4から高速のクリーンエアを吹き付ける。排水に伴い水面が低下し、ウエーハWが純水7から徐々に出る。純水7から出た部分は、給気ダクト4からクリーンエアが吹き付けられる。例えばダクト4からのエアの風速を2.0m/秒以上とすれば、ウエーハWの水から出た部分の水分を吹き飛ばして素早く乾燥させることができる。なお、ダクト4からの風速は必ずしも一定である必要はなく、ロボットハンド5の動作に応じて適宜変動するようにしてもよい。
After rinsing with
次に、ロボットハンド5により水槽3内の純水7と接触することなくウエーハWの周辺部を把持する。
図8及び図9は、ロボットハンド5の好適な一例を示している。このロボットハンド5は、主に金属製の支柱骨18とフッ素樹脂とから構成されており、ウエーハWを把持して搬送するための強度を確保できるとともに、ウエーハWを把持したときの汚染を防ぐことができる。各ハンド5a,5bの先端には25枚(1バッチ)のウエーハWを一度に把持するための把持部14,15が設けられている。また、把持部14,15には、図10に拡大して示したようにウエーハWを把持する際にウエーハWの周辺部を吸引するための孔16がそれぞれ形成されている。孔径は例えば1〜5mm程度とすることができる。なお、孔16の形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、長方形、スリット形状等を採用することができる。さらに、各ハンド5a,5bの内部には各孔16に通じるバキュームライン17が形成されている。
Next, the peripheral portion of the wafer W is gripped by the
8 and 9 show a suitable example of the
このようなロボットハンド5でウエーハWを把持する際、ロボットハンド5は水槽内の純水7と接触しないようにするが、図2に見られるように水槽3内の水面の低下に追従してロボットハンド5を下降させることが好ましい。水面の低下とともにロボットハンド5を下降させれば、ウエーハWの周辺部を素早く把持することができる。
ただし、ウエーハWの把持される部分がまだ乾燥していない状態でロボットハンド5で把持すると、ウオーターマークが残るおそれがある。従って、給気ダクト4からのクリーンエアの吹き付け量を調整することによりウエーハWの把持される部分を乾燥させた後にロボットハンド5で把持するようにする。
When gripping the wafer W with such a
However, if the portion to be gripped by the wafer W is gripped by the
なお、ロボットハンド5でウエーハWを把持する際、ウエーハWの把持される部分が十分乾燥していなくても、ウエーハWを把持する直前から把持部14,15の吸引用の孔16からバキューム動作を行うことで水分を除去することができる。すなわち、ロボットハンド5の把持部14,15に設けた孔16から吸引しながらウエーハWの周辺部を把持すれば、ウエーハWの把持される部分にわずかに水が残留していても把持する時に乾燥が促進され、ウエーハの把持される部分は確実に乾燥されてから把持されることになる。従って把持される部分にステインが発生することはない。
When gripping the wafer W with the
また、図3に見られるように水槽3から純水7を排出することによりウエーハWの全体が純水7から出る前に、ロボットハンド5によりウエーハWの周辺部を把持することが好ましい。ロボットハンド5によりウエーハWを把持した後、図4のようにウエーハWを上方に引き上げるが、ウエーハWの全体が純水7から出た後にウエーハWを把持して引き上げると、水槽内のウエーハ支持部9で支持されている部分に水滴が残り、ウエーハWの下部にしずくが付き易く、ウオーターマークの原因となるおそれがある。一方、排水時にウエーハWの全体が純水7から出る前に(支持部9が液中にある段階で)ロボットハンド5により把持して引き上げれば、ウエーハWにしずくが付き難く、迅速に乾燥させることができるためウオーターマークの発生を効果的に防ぐことができる。
In addition, as shown in FIG. 3, it is preferable that the peripheral portion of the wafer W is gripped by the
また、ロボットハンド5でウエーハWを引き上げる際、ウエーハWが純水7から完全に離れるまでは低速で引き上げることが好ましい。ウエーハWの下部がまだ純水中にある段階で引き上げ速度を速くすると、ウエーハWの下部に残るしずくが多くなり易く、乾燥ステージ6での乾燥時間が長くなったり、滴下した水滴での飛び散りでウエーハの乾燥面に再付着してウオーターマークの原因となるおそれもある。従って、ウエーハWが純水7から完全に離れるまでは比較的低速で引き上げ、ウエーハWが純水7から完全に離れたら高速で引き上げるようにすることが好ましい(図5)。
Further, when the wafer W is pulled up by the
なお、給気ダクト4からのエアの風速、水槽3からの排水速度、ロボットハンド5の下降速度及び引上げ速度などは何度か実験を繰り返して適切な数値を求めればよい。例えば、エアの風速を8m/秒、水槽内の液面の下降速度を1.5〜2.0mm/秒、ロボットハンド5の下降速度を1.4〜1.6mm/秒程度に設定すれば、ロボットハンド5が水槽内の純水7と接触せずにウエーハWを把持する所定の位置に速やかに達し、ウエーハWの全体が水から完全に出る前にロボットハンド5により把持する部分を乾燥させてウエーハを把持することができる。
In addition, what is necessary is just to obtain | require an appropriate numerical value by repeating experiment several times about the wind speed of the air from the
ロボットハンド5によりウエーハWを把持して引き上げた後、横送りして乾燥ステージ6に搬送する(図6)。そして、ロボットハンド5でウエーハWを把持したまま、ウエーハWの下部を乾燥ステージ6に接触させることなく吸引乾燥を行う(図7)。
After the wafer W is gripped and pulled up by the
図11は、乾燥ステージ6の一例を示している。この乾燥ステージ6は、ロボットハンド5で把持された25枚のウエーハWの下部を接触することなく収容することができる25個の溝21を有し、各溝21の底部には個々のウエーハWに対する吸引口22が形成されている。また、溝21の下には各吸引口22から均一に吸引するためのパンチング板23が設けられている。
FIG. 11 shows an example of the drying
ステージ6の溝21及び吸引口22の大きさは、処理するウエーハWのサイズにもよるが、通常のウエーハWの厚さは1mm未満であるので、吸引口22の幅Xは1.0〜3.0mm程度とし、吸引口22の長さYは1.0〜30mm程度とすることができる。このようなサイズの吸引口22を設けることで、ウエーハWとステージ6(溝21、吸引口22)との接触を避けるとともに吸引乾燥を効果的に行うことができる。
また、吸引力も吸引口22の形状等に応じて適宜設定すればよいが、吸引口22からの線速度として1m/秒以上とすることが好ましい。但し、吸引口22からの線速度は必ずしも一定とする必要はない。通常は2〜5MPa程度、特に2.5〜3MPaとすれば、ウエーハWを振動させることなく下部の水分を迅速に吸引乾燥させることができる。
Although the size of the
The suction force may be set as appropriate according to the shape of the
このように個々のウエーハWに対する吸引口22が設けられた乾燥ステージ6であれば、ロボットハンド5で把持された各ウエーハWを図11(C)、(D)に示されるように垂直にした状態でウエーハWの下部を各溝21に触れないようにして収容することができる。これにより、全てのウエーハWの下部を同時にかつ迅速に乾燥させることができる。
Thus, in the case of the drying
なお、ウエーハWを乾燥ステージ6に近づけてウエーハWの下部を吸引乾燥する際、ウエーハWを乾燥ステージ6の吸引口22に近づけるほど短時間で乾燥させることができるが、近づけ過ぎるとウエーハWと乾燥ステージ6とが接触してしまうおそれもある。従って、ロボットハンド5で把持されたウエーハWの最下部と乾燥ステージ6の吸引口22との距離Lは0.1mm〜5mm、特に0.5mm〜1.5mmの範囲内とすることが好ましい。ウエーハWを吸引口22に上記範囲内まで近づけて吸引乾燥を行えば、迅速に乾燥させることができる。
When the wafer W is brought close to the drying
また、ウエーハWを乾燥ステージ6に搬送して下部を吸引乾燥する間、乾燥ステージ6の上方からもクリーンエアを吹き付けることが好ましい。例えば、図6に示したように水槽3の上方に給気ダクト4aを設けるほか、乾燥ステージ6の上方にも給気ダクト4bを設けてクリーンエアを吹き付ければ、ロボットハンド5によりウエーハWを乾燥ステージ6に搬送した後も上方からのクリーンエアによってウエーハWの乾燥を促進するとともに清浄に保つことができる。また、この場合、各給気ダクト4a,4bが固定されているため、給気ダクト4a,4bからのパーティクルの発生を効果的に防ぐことができ、ウエーハWをより確実に清浄な状態で乾燥させることができる。
Further, it is preferable to blow clean air from above the drying
あるいは、給気ダクト4をロボットハンド5の直上に連結し、ロボットハンド5とともに動くようにしてもよい。この場合、ロボットハンド5で把持されたウエーハWに対して常にクリーンエアを所定の風速で吹き付けることができるため、ウエーハW全面を確実にかつ迅速に乾燥させることができる。
Alternatively, the
乾燥ステージ6でウエーハWの下部を吸引乾燥した後は、ロボットハンド5でウエーハWを把持したまま一度に収納ボックスに収納する。
以上のような工程によりウエーハWの乾燥を行えば、純水リンス後のウエーハWはロボットハンド5で周辺部が把持される以外は乾燥ステージ6とも接触せず、ウエーハ全面にわたってステインやウオーターマークが残ることもない。また、水槽内での純水リンスから乾燥ステージ6での吸引乾燥まで円滑に行うことができるので、ウエーハWを極めて清浄な状態で迅速に乾燥させることができる。
After the lower part of the wafer W is sucked and dried by the drying
If the wafer W is dried by the process as described above, the wafer W after rinsing with pure water does not come into contact with the drying
なお、上記で説明した各手段の動作、風速等は一例であり、水槽3、給気ダクト4、ロボットハンド5、乾燥ステージ6の各動作のタイミング、風速、排水速度、ロボットハンドの下降及び上昇速度等は実験を繰り返して適宜設定し、コンピュータ20によってシーケンス制御すればよい。
The operation of each means described above, the wind speed, etc. are examples, and the timing of each operation of the
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例)
図1に示したような乾燥システムを構築し、洗浄後のウエーハを純水リンスした後、乾燥させた。乾燥条件等は以下の通りである。
給気ダクトからのエアの風量(風速)
ロボットハンド直下:3.0m/秒
ウエーハ付近:2.0m/秒
ロボットハンド下降速度:1.5mm/秒
水面低下速度:1.8mm/秒
乾燥ステージの吸引力:−2.7MPa〜−2.9MPa
乾燥ステージとウエーハとの距離:1.0mm
チャンバー内:大気圧
Examples of the present invention will be described below.
(Example)
A drying system as shown in FIG. 1 was constructed, and the washed wafer was rinsed with pure water and then dried. The drying conditions are as follows.
Air volume from the air supply duct (wind speed)
Directly under the robot hand: 3.0 m / second Near wafer: 2.0 m / second Robot hand lowering speed: 1.5 mm / second Water surface lowering speed: 1.8 mm / second Drying stage suction force: −2.7 MPa to −2. 9 MPa
Distance between drying stage and wafer: 1.0 mm
In chamber: atmospheric pressure
給気ダクト:マルチスポットエアコン
ロボットハンドの材質(PTFE)
乾燥ステージの材質(PEEK)
なお、ロボットハンドの上昇、下降、ウエーハ把持、横送り動作はサーボによって速度制御変更可能とした。
Air supply duct: Multi-spot air conditioner Robot hand material (PTFE)
Drying stage material (PEEK)
In addition, the speed control can be changed by the servo for the robot hand ascending / descending, wafer gripping, and lateral feeding operations.
上記のような条件で25枚のシリコンウエーハ(直径300mm)を純水で一度にリンスし、図2〜図7に示される手順に従って乾燥を行い、ボックス内に収納した。
ボックス内のウエーハを取り出して表面状態を目視で調べたところ、全てのウエーハにおいてウオーターマークや汚染は見られなかった。
Under the conditions described above, 25 silicon wafers (diameter 300 mm) were rinsed at once with pure water, dried according to the procedures shown in FIGS. 2 to 7, and stored in a box.
When the wafer in the box was taken out and the surface condition was examined visually, no water mark or contamination was found on all the wafers.
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。前述の実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and any structure having substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and having the same function and effect can be used. It is included in the technical scope of the present invention.
例えば、上記実施形態では、図1のような乾燥システムを用いて半導体ウエーハを乾燥させる場合について説明したが、本発明に係る平板状物の乾燥システム及び乾燥方法は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハを乾燥させる場合に限定されず、マスク基板等の高い清浄度が要求される平板状物に好適に適用することができる。また、図1のシステムを用いる場合に限定されず、少なくとも、水槽内において平板状物を立てた状態で純水でリンスする工程と、水槽から純水を排出するとともに平板状物に対して上方からクリーンエアを吹き付ける工程と、ロボットハンドにより水槽内の純水と接触することなく平板状物の周辺部を把持し、該平板状物を乾燥ステージに搬送する工程と、ロボットハンドで把持された平板状物の下部を乾燥ステージに接触させることなく吸引乾燥する工程を含めば、他の構成の乾燥システムを用いて平板状物の乾燥を行ってもよい。 For example, in the above-described embodiment, the case where the semiconductor wafer is dried using the drying system as shown in FIG. 1 has been described. However, the flat plate drying system and drying method according to the present invention uses a semiconductor wafer such as a silicon wafer. It is not limited to the case of drying, but can be suitably applied to a flat object requiring high cleanliness such as a mask substrate. Moreover, it is not limited to the case where the system of FIG. 1 is used, and at least a step of rinsing with pure water in a state where the flat plate is set up in the water tank, and discharging pure water from the water tank and The process of spraying clean air from the surface, the step of gripping the periphery of the flat plate without contacting the pure water in the water tank by the robot hand, the step of transporting the flat plate to the drying stage, and the robot hand If the step of sucking and drying without bringing the lower part of the flat plate into contact with the drying stage is included, the flat plate may be dried using a drying system having another configuration.
また、上記実施形態では、水槽から純水を排出させることで水槽内の支持部により支持されたウエーハが純水から出る場合について説明したが、支持部が上昇してウエーハが純水から出るようにしてもよい。
また、上記実施形態では、25枚(1バッチ)のシリコンウエーハを一度にリンスして乾燥させる場合について説明したが、一度に処理するウエーハの数も特に限定されず、ウエーハを一枚ずつ処理する枚葉式であってもよいし、25枚より多い枚数を一度に処理するようにしてもよい。
In the above embodiment, the case where the wafer supported by the support portion in the water tank is discharged from the pure water by discharging the pure water from the water tank has been described. However, the support portion is raised so that the wafer comes out of the pure water. It may be.
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where 25 silicon wafers (1 batch) were rinsed at a time and dried, the number of the wafers processed at a time is not specifically limited, The wafers are processed one by one. A single wafer type may be used, or more than 25 sheets may be processed at a time.
1…平板状物の乾燥システム、 2…チャンバー、 3…水槽、 4…給気ダクト、 5…ロボットハンド、 6…乾燥ステージ、 14,15…把持部、 16…吸引用の孔、 20…制御手段(コンピュータ)、 21…溝、 22…吸引口、 W…平板状物(半導体ウエーハ)。
DESCRIPTION OF
Claims (17)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005328419A JP4464905B2 (en) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | Flat plate drying system and drying method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005328419A JP4464905B2 (en) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | Flat plate drying system and drying method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007134619A true JP2007134619A (en) | 2007-05-31 |
JP4464905B2 JP4464905B2 (en) | 2010-05-19 |
Family
ID=38156004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005328419A Expired - Fee Related JP4464905B2 (en) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | Flat plate drying system and drying method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4464905B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190122501A (en) * | 2018-04-20 | 2019-10-30 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof |
-
2005
- 2005-11-14 JP JP2005328419A patent/JP4464905B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190122501A (en) * | 2018-04-20 | 2019-10-30 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof |
KR102485519B1 (en) * | 2018-04-20 | 2023-01-10 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4464905B2 (en) | 2010-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4629270B2 (en) | Substrate liquid processing method and drying processing method | |
US6401732B2 (en) | Thermocapillary dryer | |
US6374837B2 (en) | Single semiconductor wafer processor | |
US7275553B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
KR101061931B1 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium | |
US10483134B2 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
US6722055B2 (en) | Supporting fixture of substrate and drying method of substrate surface using the same | |
KR102584337B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium | |
JP5486708B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP6945314B2 (en) | Board processing equipment | |
KR101602554B1 (en) | Device and method for processing substrate | |
KR20090013732A (en) | Substrate support mechanism, reduced-pressure drying unit and substrate processing apparatus | |
JP2007081311A (en) | Manufacturing method for sheet type wafer cleaning device and semiconductor device | |
JP2000223456A (en) | Substrate-cleaning processing method and apparatus thereof | |
JP2006179757A (en) | Substrate processing apparatus | |
CN107790355B (en) | Reduced-pressure drying device, reduced-pressure drying system, and reduced-pressure drying method | |
JP2010503822A (en) | Apparatus and method for drying substrates | |
CN108064413A (en) | For dry process and the electric hybrid board processing system and its substrate processing method using same of wet processed | |
JPH07111963B2 (en) | Substrate cleaning / drying device | |
JP4464905B2 (en) | Flat plate drying system and drying method | |
KR20100046798A (en) | Single type substrate treating apparatus and method for controlling presure of substrate treating apparatus | |
JP2006269928A (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
WO2015046235A1 (en) | Substrate treatment device, method for separating bonded substrate, and method for removing adhseive | |
JP6737670B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2009218376A (en) | Substrate processing device and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070727 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091120 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4464905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |