JP2007081311A - Manufacturing method for sheet type wafer cleaning device and semiconductor device - Google Patents

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Jun Fukuma
Kenji Narita
Kazuhide Saito
Itaru Sugano
Yukihisa Wada
幸久 和田
賢治 成田
準 福間
至 菅野
和英 西東
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
Renesas Technology Corp
松下電器産業株式会社
株式会社ルネサステクノロジ
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a sheet type wafer cleaning device which prevents a trace of a streak of a water droplet from growing on a wafer after drying, and a semiconductor device.
SOLUTION: This device comprises a spin table for holding a wafer, a purified water nozzle for supplying purified water from the upper part of the center of the wafer at a flow rate of 10 L/min or less to uniformly apply the liquid to the wafer, and a gas nozzle for supplying gas at a flow rate of 10 L/min or less from above the center of the wafer to the center of the wafer while rotating the wafer by the spin table at a rotational speed of 50 rpm or lower.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェハを一枚毎に洗浄する枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device using one each sheet type wafer cleaning apparatus and it is washed in a wafer.

従来のスピン型枚葉洗浄装置を用いたウェハの洗浄について図8を参照しながら説明する。 Referring to FIG. 8 for cleaning the wafer using a conventional spin-type single wafer cleaning apparatus will be described. まず、ウェハ1をスピンテーブル2に載せ、ウェハチャックピン4でウェハ1の側壁を保持して、薬液処理、超音波洗浄又は二流体洗浄などの物理力による洗浄処理を行う。 First, place the wafer 1 to the spin table 2, holding the side walls of the wafer 1 in the wafer chuck pins 4, it performs chemical treatment, a washing treatment by a physical force such as ultrasonic cleaning or two-fluid cleaning. そして、純水ノズル6から純水5を供給してウェハ1を洗浄する。 Then, to wash the wafer 1 by supplying pure water 5 from the pure water nozzle 6. その後、ウェハ1を高速で回転させ、遠心力により水滴20をウェハ外に弾き飛ばして除去し、そして自然乾燥させる(例えば、特許文献1参照)。 Thereafter, the wafer is rotated at high speed, the water droplets 20 to remove flicked out the wafer by centrifugal force, and is air dried (for example, see Patent Document 1).

特開平11−233481号公報 JP 11-233481 discloses

90mmSOC以降の世代のCu配線層間膜には低誘電率kの低い膜(Low−k膜)が適用されている。 The Cu wiring interlayer film 90mmSOC subsequent generations low low dielectric constant k film (Low-k film) has been applied. このLow−k膜は、水に対する接触角が90°前後又はそれ以上の疎水性膜である。 The Low-k film, the contact angle to water is 90 ° longitudinal or more hydrophobic film. このような疎水性膜が露出したウェハ1をスピン型枚葉洗浄装置で洗浄すると、乾燥工程初期の低速回転時には、遠心力が小さいウェハ1中心部で微小な水滴20が残留し、回転速度が上がった時に水滴20がウェハ1外に弾き飛ばされる。 When cleaning the wafer 1 such hydrophobic film is exposed in a spin-type single wafer cleaning apparatus, during low-speed rotation of the drying process early, small water droplets 20 by a centrifugal force is small the wafer 1 central portion remains, the rotational speed water droplets 20 is flipped to the outside wafer 1 when the rose. これにより乾燥後のウェハ1上に筋状の水滴の痕23が発生し、乾燥後の検査で異物が検出されることがあった。 Thus streaked water droplets after 23 is generated on the wafer 1 after drying, foreign matter was to be detected by inspection after drying.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる枚葉型ウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を得るものである。 The present invention has been made to solve the above problems, its object is dried streaky water droplets marks are single wafer type wafer cleaning apparatus can be prevented from occurring on the wafer and in which obtaining a manufacturing method of a semiconductor device.

本発明に係る枚葉型ウェハ洗浄装置は、ウェハを保持するスピンテーブルと、ウェハの中央上部から10L/min以下の流量で純水を供給し、ウェハ上に均一な液盛りを行う純水ノズルと、スピンテーブルによりウェハを50rpm以下の回転速度で回転させながら、ウェハの中央上部からウェハの中心に10L/min以下の流量でガスを供給するガスノズルとを備えている。 Sheet type wafer cleaning apparatus according to the present invention, pure water nozzle to perform a spin table for holding a wafer, pure water is supplied at 10L / min or less of the flow rate from the top center of the wafer, uniform puddle on the wafer When, while rotating the wafer at 50rpm following rotational speed by the spin table, and a gas nozzle for supplying gas at 10L / min or less of the flow rate from the upper center to the center of the wafer of the wafer. 本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。 Other features of the present invention will appear more fully from the following description.

本発明により、乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる。 The present invention, traces of streaky water droplets can be prevented from occurring on the dried wafer.

実施の形態1. The first embodiment.
図1は、本発明の実施の形態1に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。 Figure 1 is a front view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention. この枚葉型ウェハ洗浄装置は、ウェハ1を保持するスピンテーブル2と、スピンテーブル2を回転させるモーター3と、ウェハ1の側壁を保持するウェハチャックピン4と、ウェハ1上に純水5を供給する純水ノズル6と、純水ノズル6の位置を制御する可動アーム7と、純水5の流量を制御する純水流量コントロール8と、ウェハ1上にガス9を供給するガスノズル10と、ガスノズル10の位置を制御する可動アーム11と、ガス9の流量を制御するガス流量コントロール12とを備えている。 The single wafer type wafer cleaning apparatus, a spin table 2 for holding the wafer 1, a motor 3 for rotating the spin table 2, the wafer chuck pins 4 for holding the side walls of the wafer 1, the pure water 5 on the wafer 1 and supplying deionized water nozzle 6, the movable arm 7 which controls the position of the deionized water nozzle 6, and the pure water flow rate control 8 which controls the flow rate of pure water 5, a nozzle 10 for supplying gas 9 on the wafer 1, a movable arm 11 for controlling the position of the gas nozzle 10, and a gas flow control 12 for controlling the flow rate of gas 9. なお、純水ノズルとガスノズルは、共通の可動アームに取り付けてもよい。 Incidentally, the pure water nozzle and the gas nozzle may be mounted on a common movable arm.

上記の枚葉型ウェハ洗浄装置を用いた洗浄方法について説明する。 The cleaning method will be described using the above-described sheet-type wafer cleaning apparatus. まず、ウェハ1をスピンテーブル2に載せ、薬液処理、超音波洗浄又は二流体洗浄などの物理力による洗浄処理を行う。 First, place the wafer 1 to the spin table 2, chemical processing, and cleaning with physical force such as ultrasonic cleaning or two-fluid cleaning.

次に、純水リンス工程を行うため、スピンテーブル2を制御してウェハ1を静止状態又は30rpm以下の低速回転状態にする。 Next, in order to carry out the deionized water rinsing step, to control the spin table 2 to the low-speed rotation state of the wafer 1 quiescent or 30rpm below. そして、可動アーム7により、純水ノズル6をウェハ1の中央上部に移動させ、純水ノズル6の位置をウェハ1の表面から50mm以下、好ましくは20mm以下の高さに制御する。 Then, the movable arm 7, the deionized water nozzle 6 is moved to the top center of the wafer 1, 50 mm below the position of the deionized water nozzle 6 from the surface of the wafer 1, preferably controlled to a height of less than 20 mm. そして、純水ノズル6により、ウェハ1の中央上部から10L/min以下、好ましくは5L/mmin以下の流量で純水5を供給し、ウェハ1上に均一な液盛りを行う。 Then, pure water nozzle 6, below 10L / min from the top center of the wafer 1, preferably pure water is supplied 5 by the following flow 5L / mmin, perform uniform puddle on the wafer 1. 液盛りした液面が乱れるのを防ぐため、純水5の供給を停止する際は徐々に流量を少なくする。 To prevent puddling the liquid surface is disturbed, when stopping the supply of the pure water 5 gradually reduce the flow rate. また、ウェハ1上の液盛りを維持するため、ウェハ1側壁を保持するウェハチャックピン4には疎水性の材質を用いるのが好ましい。 Further, in order to maintain a puddle on the wafer 1, it is preferable to use a material of the hydrophobic to the wafer chuck pins 4 for holding the wafer 1 side wall.

次に、可動アーム11により、ガスノズル10の位置をウェハ1の表面から5〜50mm、好ましくは5〜20mmの高さに制御する。 Then, the movable arm 11, 5 to 50 mm to the position of the gas nozzle 10 from the surface of the wafer 1, preferably controls the height of 5 to 20 mm. そして、スピンテーブル2によりウェハ1を50rpm以下、好ましくは30rpm以下の回転速度で回転させながら、ガスノズル10によりウェハ1の中央上部からウェハ1の中心に0.1〜10L/min、好ましくは0.5〜5L/minの流量でガス9を供給し、液盛りした純水5に穴を開ける。 Then, the wafer 1 50 rpm or less by spin table 2, preferably while rotating at 30rpm following rotational speed, 0.1~10L / min by the gas nozzle 10 from the top center of the wafer 1 to the center of the wafer 1, preferably 0. the gas 9 is supplied at a flow rate of 5~5L / min, drilling of pure water 5 was puddled. ガス9を吹き付けた際に液盛りした液面が乱れるのを防ぐため、ガス9の流量を徐々に多くする。 To prevent puddle was liquid surface when the blowing gas 9 is disturbed, gradually increasing the flow rate of gas 9.

そして、液盛りした純水5の中央に穴が開いたら、段階的にウェハ1の回転速度を上げて、遠心力の効果により純水5をウェハ1外周から外へ押し出すことにより、中心部の穴を徐々に大きくし、ウェハ1上から完全に純水5を除去する。 Then, when the hole is opened in the center of the pure water 5 was puddle, stepwise increasing the rotation speed of the wafer 1, by extruding pure 5 out of the wafer 1 outer periphery by the effect of centrifugal force, the central portion the hole was gradually increased to completely remove the deionized water 5 from above the wafer 1. そして、純水5が除去できたら回転速度を500rpm以上の高速回転で乾燥を行う。 Then, the dried high-speed rotation of the above 500rpm rotational speed Once you remove the pure water 5.

ウェハ1表面が疎水性であるため、その上の純水5は強い表面張力の影響で一つの塊になろうとし、ゆっくりとウェハ1中央から穴を大きくすることで微小な液滴の残留なく一つの塊としてウェハ1外周まで純水5を除去することができる。 Since the wafer 1 surface is hydrophobic, and would one mass with pure water 5 strong surface tension effects thereon, slowly without remaining minute droplets by increasing the bore from the wafer 1 central it can be removed with pure water 5 to the wafer 1 periphery as one mass.

ガスノズル10として、通常のストレート型のものを用いてもよいが、図2に示すような先端がなめらかに凸状に湾曲した末広がり形状のコアンダ効果ガスノズル13を用いるのが好ましい。 As the gas nozzle 10, it may also be used as a normal straight, it is preferable to use a Coanda effect nozzle 13 of flared shape tip is curved smoothly convexly as shown in FIG. これにより、液盛りした純水5にガス9を吹き付ける際に、末広がりのノズル側壁に沿って流れるガス流がノズル先端で水平方向に射出されるため、液盛りした純水5に穴開けした後、コアンダ効果ガスノズル13をウェハ1に近づけるとより効果的に純水5を周辺に押しのけることができる。 Thus, when the blowing gas 9 in pure water 5 was puddle, since the gas stream flowing along the divergent nozzle side wall is injected horizontally at the nozzle tip, it was drilled in pure water 5 was puddled can push past Coanda effect nozzle 13 around effectively pure 5 more brought close to the wafer 1.

また、ガスノズル10として、図3(a)(b)に示すような、ストレート型のガスノズル14と、ストレート型のガスノズル14の先端外側に上下方向に移動可能に接続されたコアンダ効果ガスノズル13とを備えた複合型ノズルを用いるのが更に好ましい。 Further, as the gas nozzles 10, as shown in FIG. 3 (a) (b), a straight type gas nozzle 14, a Coanda effect nozzle 13 at the tip outside the straight type gas nozzle 14 is movably connected to the vertical direction It is more preferable to use a composite nozzle with. このガスノズルを用いることで、図3(a)に示すように最初は直進性の強いストレート型のガスノズル14よりガス9を噴きつけて純水5に穴を開け、その後、図3(b)に示すようにコアンダ効果ガスノズル13を延ばして水平方向へ噴出す作用でより効果的に純水5の穴を広げることができる。 By using this nozzle, a hole in the pure water 5 sprayed gas 9 from the nozzle 14 a strong straight-rectilinear propagation property initially, as shown in FIG. 3 (a), then, in FIG. 3 (b) it can be widened more holes effectively pure 5 in action to jetting in the horizontal direction to extend the Coanda effect nozzle 13 as shown.

実施の形態1に係る枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法により、水洗リンス後に疎水性ウェハ上に残留する微小な水滴を除去し、微小な水滴がウェハ上にない状態にしてから、回転を上げてスピン乾燥を行うため、乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる。 The method of manufacturing a semiconductor device using the single-wafer type wafer cleaning apparatus and according to the first embodiment, the small water drops remaining on the hydrophobic wafer after washing rinse was removed, the state fine water droplets are not on the wafer and from the order of performing the spin drying by increasing the rotation, traces of streaky water droplets can be prevented from occurring on the dried wafer.

実施の形態2. The second embodiment.
図4は、本発明の実施の形態2に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図であり、図5はその側面図である。 Figure 4 is a front view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG 5 is a side view thereof. この枚葉型ウェハ洗浄装置は、ウェハ1を保持するスピンテーブル2と、スピンテーブル2を回転させるモーター3と、ウェハ1の側壁を保持するウェハチャックピン4と、ウェハ1の下面を支えるウェハ押上げピン15と、スピンテーブル2上に保持したウェハ1の表面を非接触でスキャンする親水性洗浄棒16と、親水性洗浄棒16の動作を制御する親水性洗浄棒コントローラ17と、ウェハ1上に純水5を供給する純水吐出口18と、純水5の流量を制御する純水流量コントロール8を備えている。 The single wafer type wafer cleaning apparatus, a spin table 2 for holding the wafer 1, a motor 3 for rotating the spin table 2, the wafer chuck pins 4 for holding the side walls of the wafer 1, the wafer press to support the lower surface of the wafer 1 the raised pin 15, a hydrophilic cleaning rods 16 for scanning the surface of the wafer 1 held on the spin table 2 in a non-contact, a hydrophilic cleaning rod controller 17 for controlling the operation of a hydrophilic cleaning rod 16, on the wafer 1 the pure water discharge port 18 for supplying pure water 5, and a pure water flow rate control 8 which controls the flow rate of pure water 5.

上記の枚葉型ウェハ洗浄装置を用いた洗浄方法について説明する。 The cleaning method will be described using the above-described sheet-type wafer cleaning apparatus. まず、ウェハ1をスピンテーブル2に載せ、ウェハチャックピン4でウェハ1の側壁を保持し、ウェハ押上げピン15でウェハ1の下面を支える。 First, place the wafer 1 to the spin table 2, holding the side walls of the wafer 1 in the wafer chuck pins 4, support the lower surface of the wafer 1 in the wafer push-up pins 15. 次に、薬液処理、超音波洗浄又は二流体洗浄などの物理力による洗浄処理を行う。 Next, chemical treatment, a washing treatment by a physical force such as ultrasonic cleaning or two-fluid cleaning.

次に、実施の形態1と同様に純水リンス工程を行う。 Next, the deionized water rinsing step as in the first embodiment. その後、ウェハ1上に純水5が残留した状態で回転を停止し、親水性洗浄棒16でウェハ1全面を一定方向に非接触でスキャンする。 Then, stop the rotation in a state in which pure water 5 remaining on the wafer 1, to scan in a non-contact wafer 1 entirely in the fixed direction hydrophilic cleaning rod 16. 具体的には、親水性洗浄棒16は、静止したウェハ1の表面から0.5〜10mm、好ましくは1〜5mmの高さをスキャンする。 Specifically, hydrophilic cleaning rods 16, 0.5 to 10 mm from the stationary surface of the wafer 1, preferably scans the height of 1 to 5 mm. また、親水性洗浄棒16のスキャン速度は1〜100mm/sec、好ましくは10〜50mm/secである。 The scan rate of the hydrophilic cleaning rod 16 is 1 to 100 mm / sec, preferably from 10 to 50 mm / sec. これにより、ウェハ1上の水滴20は、親水性洗浄棒16に吸い寄せられ、親水性洗浄棒16とウェハ1の間に保持された状態でウェハ1上を移動するため、スキャンした部分の水滴20は除去される。 Thus, water droplets 20 on the wafer 1, are attracted to the hydrophilic cleaning rod 16, to move over the wafer 1 while being held between the hydrophilic cleaning rod 16 and the wafer 1, part of the water droplets scanned 20 It is removed.

ただし、親水性洗浄棒16とウェハ1の間は純水5で満たされている必要があるため、スキャンと同時にスキャン方向前方に純水5を供給する。 However, during the hydrophilic cleaning rod 16 and the wafer 1 that must be filled with pure water 5, and supplies the pure water 5 in the scanning direction forward simultaneously with the scan. このため、親水性洗浄棒16は、スキャン方向前方に純水5を供給するために1つ以上の純水吐出口18を有する。 Therefore, hydrophilic cleaning rod 16 has one or more pure water discharge port 18 for supplying pure water 5 in the scanning direction forward. そして、スキャン方向前方に供給する純水5の流量を100ml/min以下、好ましくは1〜20ml/minで制御する。 Then, the flow rate of pure water 5 is supplied to the scan forward 100 ml / min or less, preferably controlled by 1~20ml / min.

スキャンの際に、親水性洗浄棒16が保持できる容量を越えた分の純水5は、ウェハ1端部からウェハ1外へ除去される。 During scanning, the pure water 5 minute hydrophilic cleaning rod 16 exceeds the capacity that can be held is removed to the wafer 1 out of the wafer 1 end. ウェハ1上をスキャンする機構を有するためスピンテーブル2は、バキュームチャック又はウェハ保持機構のウェハチャックピン4を開放して、下からウェハ押上げピン15で持ち上げて親水性洗浄棒16の動作に影響を与えないようにする。 Spin table 2 to have a mechanism for scanning on the wafer 1 is to release the wafer chuck pins 4 of the vacuum chuck or the wafer holding mechanism, influence on the operation of a hydrophilic cleaning rod 16 to lift the wafer push-up pins 15 from below the so as to not give.

そして、親水性洗浄棒16でウェハ1全面をスキャンした後は、回転速度を500rpm以上の高速回転で乾燥を行う。 Then, after scanning the wafer 1 entirely with a hydrophilic washing rod 16, and drying the rotational speed at a high speed rotation above 500 rpm.

実施の形態2に係る枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法により、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。 The method of manufacturing a semiconductor device using a single-wafer type wafer cleaning apparatus and this according to the second embodiment, it is possible to obtain the same effect as in the first embodiment.

実施の形態3. Embodiment 3.
図6は、本発明の実施の形態3に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図であり、図7はその側面図である。 Figure 6 is a front view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to the third embodiment of the present invention, FIG. 7 is a side view thereof. この枚葉型ウェハ洗浄装置は、親水性洗浄棒16のスキャン方向前方に純水5を供給するために、親水性洗浄棒16のスキャン動作に同調して動作する純水ノズル21と、純水ノズル21の位置を制御する可動アーム22と、純水5の流量を制御する純水流量コントロール8とを設けている。 The single wafer type wafer cleaning apparatus, for supplying pure water 5 in the scanning direction in front of hydrophilic cleaning rod 16, the pure water nozzle 21 that operates in synchronization to the scanning operation of hydrophilic cleaning rod 16, pure water a movable arm 22 which controls the position of the nozzle 21 is provided with a pure water flow rate control 8 which controls the flow rate of pure water 5. その他の構成は実施の形態2と同様である。 Other configurations are the same as in the second embodiment.

実施の形態3に係る枚葉型ウェハ洗浄装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法により、実施の形態1及び2と同様の効果を得ることができる。 The method of manufacturing a semiconductor device using the single-wafer type wafer cleaning apparatus and according to the third embodiment, it is possible to obtain the same effect as the first and second embodiments.

本発明の実施の形態1に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。 It is a front view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention. ガスノズルの一例を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing an example of the gas nozzle. ガスノズルの他の例を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing another example of the gas nozzle. 本発明の実施の形態2に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。 It is a front view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の側面図である。 It is a side view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態3に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の正面図である。 It is a front view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to the third embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態3に係る枚葉型ウェハ洗浄装置の側面図である。 It is a side view of a single wafer type wafer cleaning apparatus according to the third embodiment of the present invention. 従来のスピン型枚葉洗浄装置を用いたウェハの洗浄を説明する斜視図である。 Is a perspective view illustrating the cleaning of a wafer using a conventional spin-type single wafer cleaning device.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ウェハ2 スピンテーブル5 純水6 純水ノズル9 ガス10 ガスノズル13 コアンダ効果ガスノズル14 ストレート型のガスノズル16 親水性洗浄棒18 純水吐出口20 水滴21 純水ノズル 1 wafer 2 spin table 5 pure 6 water nozzle 9 gas 10 gas nozzle 13 Coanda effect nozzle 14 straight type nozzle 16 hydrophilic cleaning rod 18 pure water discharge port 20 water droplets 21 water nozzle

Claims (12)

  1. ウェハを保持するスピンテーブルと、 And the spin table for holding a wafer,
    前記ウェハの中央上部から10L/min以下の流量で純水を供給し、前記ウェハ上に均一な液盛りを行う純水ノズルと、 Pure water nozzle supplying pure water, perform uniform puddle on the wafer at a flow rate from the upper central portion following 10L / min of the wafer,
    前記スピンテーブルにより前記ウェハを50rpm以下の回転速度で回転させながら、前記ウェハの中央上部から前記ウェハの中心に10L/min以下の流量でガスを供給するガスノズルとを備えたことを特徴とする枚葉型ウェハ洗浄装置。 While rotating at 50rpm following rotational speed the wafer by the spin table, sheets, characterized in that a nozzle for supplying gas main to 10L / min or less of the flow rate of the wafer from the top center of the wafer leaf-type wafer cleaning equipment.
  2. 前記純水ノズルは前記ウェハの表面から50mm以下の高さに制御され、前記ガスノズルは前記ウェハの表面から5〜50mmの高さに制御されることを特徴とする請求項1に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 The pure water nozzle is controlled on the surface from the 50mm height of the wafer, single wafer of claim 1 wherein the gas nozzle is characterized in that controlled by the height of 5~50mm from the surface of the wafer type wafer cleaning equipment.
  3. 前記ガスノズルは、ガス流量を0.5〜5L/minの範囲で制御する機能を備えていることを特徴とする請求項1に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 The gas nozzle is single wafer type wafer cleaning apparatus according to claim 1, characterized in that it comprises a function of controlling the gas flow rate in the range of 0.5~5L / min.
  4. 前記ガスノズルは、先端がなめらかに凸状に湾曲した末広がり形状のコアンダ効果ガスノズルであることを特徴とする請求項1に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 The gas nozzle is single wafer type wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the tip is a Coanda effect nozzle divergent shape curved smoothly convex.
  5. 前記ガスノズルは、ストレート型のガスノズルと、前記ストレート型のガスノズルの先端外側に上下方向に移動可能に接続され、先端がなめらかに凸状に湾曲した末広がり形状のコアンダ効果ガスノズルとを有することを特徴とする請求項1に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 The gas nozzle is a straight type nozzle, the straight type nozzle is connected tip outside the movable vertically, and characterized in that it has a Coanda effect nozzle divergent shape tip is curved smoothly convexly sheet type wafer cleaning apparatus according to claim 1.
  6. ウェハを保持するスピンテーブルと、 And the spin table for holding a wafer,
    前記スピンテーブル上に保持した前記ウェハの表面を非接触でスキャンする親水性洗浄棒とを備えたことを特徴とする枚葉型ウェハ洗浄装置。 Single wafer wafer cleaning apparatus characterized by comprising a hydrophilic cleaning rod to scan the surface of the wafer held on the spin table in a non-contact manner.
  7. 前記親水性洗浄棒は、前記ウェハの表面から0.5〜10mmの高さをスキャンすることを特徴とする請求項6に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 The hydrophilic cleaning rod, sheet-type wafer cleaning apparatus according to claim 6, characterized in that scanning the height of 0.5~10mm from the surface of the wafer.
  8. 前記親水性洗浄棒のスキャン速度は1〜100mm/secであることを特徴とする請求項6に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 Sheet type wafer cleaning apparatus according to claim 6, wherein the scanning speed of the hydrophilic cleaning rod is 1 to 100 mm / sec.
  9. 前記親水性洗浄棒は、スキャン方向前方に純水を供給するための純水吐出口を有することを特徴とする請求項6に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 The hydrophilic cleaning rod, sheet-type wafer cleaning apparatus according to claim 6, characterized in that it comprises a pure water discharge port for supplying pure water to scan forward.
  10. 前記親水性洗浄棒のスキャン方向前方に純水を供給するために、スキャンに同調して動作する純水供給ノズルを更に備えたことを特徴とする請求項6に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 In order to supply pure water to the scanning direction in front of said hydrophilic cleaning rod, sheet-type wafer cleaning apparatus according to claim 6, further comprising a pure water supply nozzle that operates synchronously to the scan .
  11. 前記スキャン方向前方に供給する純水の流量を100ml/min以下で制御することを特徴とする請求項9又は10に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置。 Sheet type wafer cleaning apparatus according to claim 9 or 10, characterized in that for controlling the flow rate of pure water supplied to the scan forward below 100 ml / min.
  12. 請求項1〜11の何れか1項に記載の枚葉型ウェハ洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device using a single-wafer type wafer cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 11.
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