JP5416075B2 - Processing apparatus, processing method, program, and computer storage medium - Google Patents

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Description

本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置、処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a processing apparatus, a processing method, a program, and a computer storage medium for processing a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature.

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成している。このフォトリソグラフィー処理では、所定のパターンが形成されたマスク用の基板を用いてウェハの露光処理が行われている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, for example, a photolithography process is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a predetermined resist pattern on the wafer. In this photolithography process, a wafer exposure process is performed using a mask substrate on which a predetermined pattern is formed.

マスク用の基板に所定のパターンを形成する際にもフォトリソグラフィー処理が行われる。すなわち、先ず、基板上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、基板上に所定のレジストパターンが形成される。その後、このレジストパターンをマスクとして基板のエッチング処理が行われ、そのレジスト膜の除去処理などが行われて、基板に所定のパターンが形成される。   A photolithography process is also performed when a predetermined pattern is formed on the mask substrate. That is, first, a resist coating process for applying a resist solution on a substrate to form a resist film, an exposure process for exposing the resist film to a predetermined pattern, a developing process for developing the exposed resist film, and the like are sequentially performed. A predetermined resist pattern is formed thereon. Thereafter, the substrate is etched using the resist pattern as a mask, the resist film is removed, and a predetermined pattern is formed on the substrate.

基板に所定のパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該パターンの微細化が求められている。そこで、上述した現像処理を基板面内で均一に行うことが要求されている。しかしながら、従来の現像処理では常温の現像液を基板上に供給しているため、現像速度が速く、現像液が基板上のレジスト膜に接触した時点から当該レジスト膜の現像が始まる。このため、基板面内で均一にレジスト膜を現像することができなかった。   When a predetermined pattern is formed on a substrate, the pattern is required to be miniaturized in order to achieve higher integration of semiconductor devices. Therefore, it is required to perform the above-described development processing uniformly within the substrate surface. However, since the developing solution at room temperature is supplied onto the substrate in the conventional developing process, the developing speed is high, and the development of the resist film starts when the developing solution contacts the resist film on the substrate. For this reason, the resist film cannot be developed uniformly within the substrate surface.

そこで、現像処理の現像速度を遅くするため、低温、例えば５℃の現像液をノズルから基板上に供給することが提案されている。また、かかる低温の現像液を用いる場合、現像液の温度が周囲の雰囲気の温度よりも低くなる。そこで、現像液を供給するノズルが結露するのを防止するため、ノズルを断熱材で被覆すると共に、断熱材で被覆されないノズルの先端部に対して乾燥空気若しくは周囲の空気より湿度が低い気体を供給することも提案されている（特許文献１）。   Therefore, in order to slow down the developing speed of the developing process, it has been proposed to supply a developing solution at a low temperature, for example, 5 ° C. from the nozzle onto the substrate. Further, when such a low temperature developer is used, the temperature of the developer is lower than the temperature of the surrounding atmosphere. Therefore, in order to prevent the nozzle supplying the developer from condensing, the nozzle is covered with a heat insulating material, and dry air or a gas whose humidity is lower than that of the surrounding air is applied to the tip of the nozzle not covered with the heat insulating material. Supply is also proposed (Patent Document 1).

特開平７−１４２３２２号公報JP-A-7-142322

しかしながら、特許文献１に記載されたように、ノズルの先端部に気体を供給する気体供給手段を直接設けると、ノズル自体が大型化する。また、ノズルは基板を保持する保持部材上方とノズルを待機させるノズルバスとの間を移動可能になっているが、ノズルが大型化することによって、ノズルを移動させる移動機構等も大掛かりなものになる。   However, as described in Patent Document 1, when a gas supply unit that directly supplies a gas to the tip of the nozzle is directly provided, the nozzle itself increases in size. In addition, the nozzle can move between the upper part of the holding member that holds the substrate and the nozzle bath that waits for the nozzle. However, as the size of the nozzle increases, a moving mechanism that moves the nozzle becomes large. .

また、通常、ノズルが現像液等を供給するために基板保持部材上方とノズルバスとの間を移動する時間よりも、ノズルバス内で待機している時間の方が長く、このノズルの待機中に結露が発生する場合があった。ノズルの待機中に結露が発生すると、ノズルに付着した水滴が基板上に落ち、その結果、現像むらが生じて、基板面内で均一にレジスト膜を現像することができなくなってしまう。したがって、このノズルの待機中に効果的に結露を防止する必要がある。   Also, normally, the time in which the nozzle is waiting in the nozzle bath is longer than the time in which the nozzle moves between the upper part of the substrate holding member and the nozzle bath in order to supply the developer or the like. May occur. If dew condensation occurs during the standby of the nozzle, water droplets adhering to the nozzle fall on the substrate, resulting in uneven development, making it impossible to develop the resist film uniformly within the substrate surface. Therefore, it is necessary to effectively prevent dew condensation while the nozzle is on standby.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、現像液をはじめとする低温の各種の処理液を用いた処理において、当該処理液を供給する処理液ノズルの結露の発生を防止し、前記処理液による処理を基板面内で均一に行うことを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and in the processing using various low-temperature processing liquids including a developing solution, the occurrence of dew condensation in the processing liquid nozzle that supplies the processing liquid is prevented. It is an object of the present invention to uniformly perform the treatment with the treatment liquid within the substrate surface.

前記の目的を達成するため、本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置であって、基板を保持する保持部材と、基板上に前記処理液を供給する処理液ノズルと、前記保持部材上方から退避した前記処理液ノズルの先端部を収容して、当該処理液ノズルを待機させるノズルバスと、前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸し、前記露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する一対のパージガスノズルと、を有することを特徴としている。なお、常温とは例えば２３℃である。   In order to achieve the above object, the present invention provides a processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature, and a holding member that holds the substrate, and the processing liquid is supplied onto the substrate. A processing liquid nozzle, a nozzle bath that accommodates the tip of the processing liquid nozzle that is retracted from above the holding member, and the processing liquid nozzle that is on standby is provided between the processing liquid nozzle that is waiting on the nozzle bath. And a pair of purge gas nozzles extending longer than the horizontal length of the exposed portion exposed from the nozzle bath of the processing liquid nozzle and supplying a purge gas containing no moisture to the exposed portion. . In addition, normal temperature is 23 degreeC, for example.

本発明によれば、処理液ノズルがノズルバスで待機中に、当該処理液ノズルの露出部に対して一対のパージガスノズルから水分を含まないパージガスを供給している。このため、常温より低い所定の温度の処理液を用いた場合であっても、処理液ノズルが結露するのを防止することができ、結露した水滴が基板上に滴下されるのを防止することができる。したがって、処理を基板面内で均一に行うことができる。しかも、本発明によれば一対のパージガスノズルを設けるだけで処理液ノズルの結露を防止できるので、処理装置を従来よりも簡素化して、製造コストも低廉化することができる。なお、処理液ノズルから処理液を供給して基板の処理を行う時間は、処理液ノズルがノズルバスで待機する時間に比して極めて短時間であるため、当該処理液による処理中に処理液ノズルが結露することはない。   According to the present invention, while the processing liquid nozzle is waiting in the nozzle bath, the purge gas not containing moisture is supplied from the pair of purge gas nozzles to the exposed portion of the processing liquid nozzle. For this reason, even when a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature is used, it is possible to prevent the processing liquid nozzle from condensing and prevent the condensed water droplets from being dropped on the substrate. Can do. Therefore, the processing can be performed uniformly within the substrate surface. In addition, according to the present invention, it is possible to prevent dew condensation of the processing liquid nozzle simply by providing a pair of purge gas nozzles, so that the processing apparatus can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. Note that the time for supplying the processing liquid from the processing liquid nozzle and processing the substrate is extremely short compared to the time for which the processing liquid nozzle waits in the nozzle bath. Will not condense.

前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、前記処理液供給管において、内側の配管内には前記処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。   A treatment liquid supply pipe that supplies the treatment liquid and has a double pipe structure is connected to the treatment liquid nozzle. In the treatment liquid supply pipe, the treatment liquid flows in an inner pipe, and the inner side A purge gas that does not contain moisture may be circulated between this pipe and the outer pipe.

前記ノズルバスの上端には、前記処理液ノズルと当接して前記ノズルバスの内部を密閉するシール部材が設けられていてもよい。   A seal member that abuts the treatment liquid nozzle and seals the inside of the nozzle bath may be provided at an upper end of the nozzle bath.

前記処理装置は、基板上に前記所定の温度以下のリンス液を供給するリンス液ノズルを有し、前記処理液ノズル及び前記リンス液ノズルは、一の支持部材に支持されていてもよい。かかる場合、前記リンス液ノズルには、前記リンス液を供給し且つ２重管構造を有するリンス液供給管が接続され、前記リンス液供給管において、内側の配管内にはリンス液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。   The processing apparatus may include a rinsing liquid nozzle that supplies a rinsing liquid having a temperature equal to or lower than the predetermined temperature on a substrate, and the processing liquid nozzle and the rinsing liquid nozzle may be supported by one support member. In this case, the rinsing liquid nozzle is connected to a rinsing liquid supply pipe that supplies the rinsing liquid and has a double-pipe structure. In the rinsing liquid supply pipe, the rinsing liquid circulates in the inner pipe. A purge gas not containing moisture may be circulated between the inner pipe and the outer pipe.

前記処理装置は、前記基板上のリンス液の表面張力を低下させ且つ前記所定の温度の他の処理液を基板上に供給する他の処理液ノズルを有し、前記処理液ノズル、前記リンス液ノズル及び前記他の処理液ノズルは、一の支持部材に支持されていてもよい。かかる場合、前記他の処理液ノズルには、前記他の処理液を供給し且つ２重管構造の他の処理液供給管が接続され、前記他の処理液供給管において、内側の配管内には他の処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。なお、他の処理液には例えばイソプロピルアルコールが用いられる。   The processing apparatus includes another processing liquid nozzle that lowers the surface tension of the rinsing liquid on the substrate and supplies another processing liquid at the predetermined temperature onto the substrate. The processing liquid nozzle and the rinsing liquid The nozzle and the other treatment liquid nozzle may be supported by one support member. In such a case, the other processing liquid nozzle is connected to another processing liquid supply pipe that supplies the other processing liquid and has a double-pipe structure. In the other processing liquid supply pipe, The other treatment liquid may circulate, and a purge gas that does not contain moisture may circulate between the inner pipe and the outer pipe. For example, isopropyl alcohol is used as the other processing liquid.

前記処理液ノズルには、前記処理液の温度を測定する温度センサが設けられていてもよい。   The processing liquid nozzle may be provided with a temperature sensor that measures the temperature of the processing liquid.

前記所定の温度は１℃〜１０℃であるのが好ましい。   The predetermined temperature is preferably 1 ° C to 10 ° C.

前記した処理液は、露光後の基板を現像する際に使用される現像液であってもよい。   The processing solution described above may be a developing solution used when developing the exposed substrate.

別な観点による本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する方法であって、保持部材に保持された基板上に処理液ノズルから前記処理液を供給して、基板を処理する処理工程と、その後、前記処理液ノズルを前記保持部材上方からノズルバスに移動させ、当該ノズルバス内に前記処理液ノズルの先端部を収容して当該処理液ノズルを待機させる待機工程と、を有し、前記待機工程において、前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸する一対のパージガスノズルから、前記露出部に対して、水分を含まないパージガスを供給することを特徴としている。   The present invention according to another aspect is a method of processing a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature, supplying the processing liquid from a processing liquid nozzle onto a substrate held by a holding member, A processing step of processing the substrate, and then a standby step of moving the processing liquid nozzle from above the holding member to the nozzle bath, accommodating the tip of the processing liquid nozzle in the nozzle bath, and waiting the processing liquid nozzle. A pair of purge gases that are provided in the standby step so as to sandwich the processing liquid nozzle waiting in the nozzle bath and extend longer than the horizontal length of the exposed portion of the processing liquid nozzle exposed from the nozzle bath. A purge gas not containing moisture is supplied from the nozzle to the exposed portion.

前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、前記処理工程及び前記待機工程において、前記処理液供給管の内側の配管内に処理液を流し、前記内側の配管と外側の配管との間に水分を含まないパージガスを流してもよい。   A treatment liquid supply pipe that supplies the treatment liquid and has a double pipe structure is connected to the treatment liquid nozzle. In the treatment process and the standby process, the treatment liquid is disposed in a pipe inside the treatment liquid supply pipe. And a purge gas containing no moisture may be allowed to flow between the inner pipe and the outer pipe.

前記所定の温度は１℃〜１０℃であるのが好ましい。   The predetermined temperature is preferably 1 ° C to 10 ° C.

これらの方法においても、前記した処理液は、露光後の基板を現像する際に使用される現像液であってもよい。   Also in these methods, the processing solution described above may be a developing solution used when developing the exposed substrate.

また別な観点による本発明によれば、前記処理方法を処理装置によって実行させるために、当該処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the processing device in order to cause the processing method to be executed by the processing device.

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、低温の処理液を用いた処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行うことができる。   According to the present invention, in the processing using a low temperature processing liquid, it is possible to prevent the processing liquid nozzle from being condensed and to perform the processing uniformly within the substrate surface.

本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the image development processing apparatus concerning this Embodiment. 保持部材の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a holding member. 本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of the development processing apparatus according to the present embodiment. 複合ノズル体の斜視図である。It is a perspective view of a composite nozzle body. 複合ノズル体の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a composite nozzle body. 複合ノズル体とノズルバスの斜視図である。It is a perspective view of a composite nozzle body and a nozzle bath. 複合ノズル体がノズルバスに待機している状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which the composite nozzle body is waiting on a nozzle bus | bath. 現像処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of the development processing. 他の実施の形態にかかる複合ノズル体の斜視図である。It is a perspective view of the composite nozzle body concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the development processing apparatus concerning other embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理装置しての現像処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。なお、現像処理装置１で用いられる現像液の温度は、常温（２３℃）より低い所定の温度、例えば１℃〜１０℃であり、本実施の形態においては例えば３℃である。また、本実施の形態では、基板として上述したマスク用の基板Ｇを現像処理する場合について説明する。この基板Ｇは、平面視において例えば四角形状を有し、例えばガラスからなる。また、基板Ｇ上には、現像処理装置１に搬入される際に予めレジスト膜が形成されている。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an outline of a configuration of a development processing apparatus 1 as a processing apparatus according to the present embodiment. The temperature of the developer used in the development processing apparatus 1 is a predetermined temperature lower than room temperature (23 ° C.), for example, 1 ° C. to 10 ° C., and is 3 ° C. in the present embodiment. In this embodiment, a case where the above-described mask substrate G is developed as a substrate will be described. The substrate G has, for example, a rectangular shape in plan view, and is made of, for example, glass. Further, a resist film is formed on the substrate G in advance when it is carried into the development processing apparatus 1.

次に上述した現像処理装置１の構成について説明する。現像処理装置１は、図１に示すように側面に基板Ｇの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１０を有している。処理容器１０は内部を密閉可能であり、本実施の形態では、当該内部の雰囲気の温度は常温（２３℃）より低い、例えば１５℃に維持されている。   Next, the configuration of the development processing apparatus 1 described above will be described. As shown in FIG. 1, the development processing apparatus 1 has a processing container 10 in which a loading / unloading port (not shown) for the substrate G is formed on a side surface. The inside of the processing container 10 can be sealed, and in the present embodiment, the temperature of the atmosphere inside the processing container 10 is maintained at a temperature lower than normal temperature (23 ° C.), for example, 15 ° C.

処理容器１０の内部には、基板Ｇを保持して回転させる保持部材２０が設けられている。保持部材２０は、図２に示すように内部に基板Ｇを収容する収容部２１を有している。収容部２１の開口した下面には、収容部２１を支持する支持フレーム２２が設けられている。支持フレーム２２は後述するシャフト２４を中心に十字状に配置され、収容部２１に収容された基板Ｇの下面を支持することができる。収容部２１の内周は、基板Ｇの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部２１の外周は、略円形の平面形状を有している。ここで、現像処理装置１の処理容器１０への基板Ｇの搬入出には搬送アームＡが用いられる。搬送アームＡには、基板Ｇの角部を保持する保持部Ｂが例えば４箇所に設けられている。この搬送アームＡから収容部２１に基板Ｇを受け渡す際に、搬送アームＡの保持部Ｂが収容部２１と干渉するのを避けるため、収容部２１の外周には切欠き部２３が４箇所に形成されている。   A holding member 20 that holds and rotates the substrate G is provided inside the processing container 10. As shown in FIG. 2, the holding member 20 has an accommodating portion 21 that accommodates the substrate G therein. A support frame 22 that supports the accommodating portion 21 is provided on the lower surface of the accommodating portion 21 that is opened. The support frame 22 is arranged in a cross shape around a shaft 24 described later, and can support the lower surface of the substrate G accommodated in the accommodating portion 21. The inner periphery of the accommodating portion 21 has a substantially rectangular planar shape that matches the outer shape of the substrate G. The outer periphery of the accommodating part 21 has a substantially circular planar shape. Here, the transfer arm A is used to carry the substrate G into and out of the processing container 10 of the development processing apparatus 1. The transfer arm A is provided with holding portions B that hold the corners of the substrate G, for example, at four locations. In order to avoid the holding part B of the transfer arm A from interfering with the storage part 21 when the substrate G is transferred from the transfer arm A to the storage part 21, there are four notches 23 on the outer periphery of the storage part 21. Is formed.

保持部材２０の支持フレーム２２は、図１に示すようにシャフト２４に取付けられている。保持部材２０の下方には、このシャフト２４を介して回転駆動部２５が設けられている。この回転駆動部２５により、保持部材２０は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。   The support frame 22 of the holding member 20 is attached to the shaft 24 as shown in FIG. A rotation drive unit 25 is provided below the holding member 20 via the shaft 24. By this rotation drive unit 25, the holding member 20 can be rotated around the vertical at a predetermined speed and can be moved up and down.

保持部材２０の下方側には上方に突起したガイドリング３０が設けられており、このガイドリング３０の外周縁は下方側に屈曲して延びている。また、保持部材２０、保持部材２０に保持された基板Ｇ及びガイドリング３０を囲むようにカップ３１が設けられている。   A guide ring 30 protruding upward is provided on the lower side of the holding member 20, and the outer peripheral edge of the guide ring 30 is bent and extends downward. A cup 31 is provided so as to surround the holding member 20, the substrate G held by the holding member 20, and the guide ring 30.

カップ３１は、上面に保持部材２０が昇降できるように基板Ｇよりも大きい開口部が形成されていると共に、側周面とガイドリング３０の外周縁との間に排出路をなす隙間３２が形成されている。カップ３１の下方側は、ガイドリング３０の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。カップ３１の底部の内側領域には排気口３３が形成されており、この排気口３３には排気管３３ａが接続されている。さらにカップ３１の底部の外側領域には排液口３４が形成されており、この排液口３４には排液管３４ａが接続されている。   The cup 31 is formed with an opening larger than the substrate G so that the holding member 20 can be moved up and down on the upper surface, and a gap 32 is formed between the side peripheral surface and the outer peripheral edge of the guide ring 30. Has been. The lower side of the cup 31 forms a curved path together with the outer peripheral edge portion of the guide ring 30 to constitute a gas-liquid separation part. An exhaust port 33 is formed in the inner region of the bottom of the cup 31, and an exhaust pipe 33 a is connected to the exhaust port 33. Further, a drain port 34 is formed in the outer region of the bottom of the cup 31, and a drain tube 34 a is connected to the drain port 34.

保持部材２０の下方であって、ガイドリング３０上には、基板Ｇの裏面に向けてリンス液を噴射するバックリンスノズル３５、３５が例えば２箇所に設けられている。バックリンスノズル３５には、例えば３℃のリンス液を供給する供給管３６が接続されている。供給管３６は２重管構造を有している。供給管３６の内側配管内には例えば３℃のリンス液が流通し、内側配管と外側配管との間には水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、供給管３６が結露するのを防止している。なおリンス液は、図１に示したように、リンス液供給源３７から供給管３６へと供給され、前記パージガスは、パージガス供給源３８から供給管３６へと供給される。   Below the holding member 20 and on the guide ring 30, back rinse nozzles 35 and 35 that inject a rinse liquid toward the back surface of the substrate G are provided, for example, at two locations. For example, a supply pipe 36 for supplying a rinse liquid of 3 ° C. is connected to the back rinse nozzle 35. The supply pipe 36 has a double pipe structure. A rinse liquid of 3 ° C., for example, circulates in the inner pipe of the supply pipe 36, and a normal temperature purge gas such as air or nitrogen gas that does not contain moisture circulates between the inner pipe and the outer pipe. This purge gas prevents the supply pipe 36 from condensing. As shown in FIG. 1, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 37 to the supply pipe 36, and the purge gas is supplied from the purge gas supply source 38 to the supply pipe 36.

図３に示すようにカップ３１のＸ方向負方向（図３の下方向）側には、Ｙ方向（図３の左右方向）に沿って延伸するレール４０が形成されている。レール４０は、例えばカップ３１のＹ方向負方向（図３の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図３の右方向）側の外方まで形成されている。レール４０には、アーム４１が取り付けられている。   As shown in FIG. 3, a rail 40 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 3) is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 3) side of the cup 31. The rail 40 is formed, for example, from the outer side of the cup 31 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 3) to the outer side on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 3). An arm 41 is attached to the rail 40.

アーム４１には、基板Ｇ上に各種液を供給する複合ノズル体４２が支持されている。アーム４１は、ノズル駆動部４３により、レール４０上を移動自在である。これにより、複合ノズル体４２は、カップ３１のＹ方向正方向側の外方に設置されたノズルバス４４からカップ３１内の基板Ｇの中心部上方まで移動できる。また、アーム４１は、ノズル駆動部４３によって昇降自在であり、複合ノズル体４２の高さを調整できる。   The arm 41 supports a composite nozzle body 42 that supplies various liquids onto the substrate G. The arm 41 is movable on the rail 40 by a nozzle driving unit 43. As a result, the composite nozzle body 42 can move from the nozzle bath 44 installed on the outer side of the cup 31 on the positive side in the Y direction to above the center of the substrate G in the cup 31. Further, the arm 41 can be moved up and down by a nozzle drive unit 43, and the height of the composite nozzle body 42 can be adjusted.

複合ノズル体４２は、図４に示すように例えば基板Ｇ上に現像液を供給する現像液ノズル５０と、基板上Ｇ上にリンス液を供給するリンス液ノズル５１と、基板Ｇ上に、本発明の他の処理液としての処理液を供給する、他の処理液ノズルとしての処理液ノズル５２とを有する。リンス液ノズル５１及び処理液ノズル５２は、固定部材５３を介して現像液ノズル５０に固定されている。なお、本実施の形態では、現像液に有機系の現像液が用いられる。また、リンス液にも有機系の現像液が用いられる。さらに、本発明の他の処理液としての処理液にはイソプロピルアルコールが用いられる。   As shown in FIG. 4, the composite nozzle body 42 includes, for example, a developer nozzle 50 that supplies a developer onto the substrate G, a rinse liquid nozzle 51 that supplies a rinse liquid onto the substrate G, and a substrate nozzle G. And a processing liquid nozzle 52 as another processing liquid nozzle for supplying a processing liquid as another processing liquid of the invention. The rinse liquid nozzle 51 and the processing liquid nozzle 52 are fixed to the developer nozzle 50 via a fixing member 53. In this embodiment, an organic developer is used as the developer. An organic developer is also used as the rinse liquid. Furthermore, isopropyl alcohol is used as a treatment liquid as another treatment liquid of the present invention.

現像液ノズル５０の下端面には、スリット状の供給口６０が形成されている。現像液ノズル５０は、供給口６０から保持部材２０に保持された基板Ｇに向けて斜め下方に帯状に現像液を吐出できる。現像液ノズル５０には、当該現像液ノズル５０に現像液を供給する現像液供給管６１が接続されている。現像液供給管６１は２重管構造を有している。現像液供給管６１の内側配管６２内には、図５に示すように例えば３℃に温度調節された現像液が流通する。この内側配管６２は、供給口６０に連通している。また、内側配管６２と外側配管６３との間には、水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、現像液供給管６１が結露するのを防止している。現像液は、現像液供給源６４から現像液供給管６１の内側配管６２へと供給される。またパージガスは、パージガス供給源６５から内側配管６２と外側配管６３の間に供給される。パージガス供給源６５を設けず、前出パージガス供給源３８から供給するようにしてもよい。なお、現像液ノズル５０には例えばテフロン（登録商標）が用いられる。   A slit-like supply port 60 is formed at the lower end surface of the developer nozzle 50. The developer nozzle 50 can discharge the developer in a strip shape obliquely downward toward the substrate G held by the holding member 20 from the supply port 60. A developer supply pipe 61 that supplies the developer to the developer nozzle 50 is connected to the developer nozzle 50. The developer supply pipe 61 has a double pipe structure. In the inner pipe 62 of the developer supply pipe 61, as shown in FIG. 5, a developer whose temperature is adjusted to 3 ° C., for example, flows. The inner pipe 62 communicates with the supply port 60. Further, a normal temperature purge gas containing no moisture, for example, air or nitrogen gas, flows between the inner pipe 62 and the outer pipe 63. This purge gas prevents the developer supply pipe 61 from condensing. The developer is supplied from the developer supply source 64 to the inner pipe 62 of the developer supply pipe 61. The purge gas is supplied between the inner pipe 62 and the outer pipe 63 from the purge gas supply source 65. The purge gas supply source 65 may not be provided, and the purge gas supply source 38 may supply the purge gas. For the developer nozzle 50, for example, Teflon (registered trademark) is used.

リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２の下端面には、図４に示すように略円形の供給口７０、７１がそれぞれ形成されている。リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２からリンス液と、他の処理液としての処理液が供給される基板Ｇ上の位置は、現像液ノズル５０から現像液が供給される基板Ｇ上の位置とほぼ一致している。リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２には、これらリンス液ノズル５１と処理液ノズル５２にリンス液と処理液を供給する、リンス液供給管及び他の処理液供給管としての液供給管７２が接続されている。液供給管７２は、２本の内側配管７３、７４を内部に備えた２重管構造を有している。第１の内側配管７３内には、図５に示すように例えば３℃に温度調節されたリンス液が流通する。第１の内側配管７３は、リンス液ノズル５１に接続されている。第２の内側配管７４内には、例えば３℃に温度調節された処理液が流通する。第２の内側配管７４は、処理液ノズル５２に接続されている。また、内側配管７３、７４と外側配管７５との間には、水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、液供給管７２が結露するのを防止している。リンス液は、リンス液供給源７６から、第１の内側配管７３へと供給される。   As shown in FIG. 4, substantially circular supply ports 70 and 71 are formed on the lower end surfaces of the rinse liquid nozzle 51 and the treatment liquid nozzle 52, respectively. The position on the substrate G to which the rinsing liquid and the processing liquid as another processing liquid are supplied from the rinsing liquid nozzle 51 and the processing liquid nozzle 52 is the position on the substrate G to which the developing liquid is supplied from the developing liquid nozzle 50. It almost matches. The rinsing liquid nozzle 51 and the processing liquid nozzle 52 include a rinsing liquid supply pipe 72 and a liquid supply pipe 72 as another processing liquid supply pipe for supplying the rinsing liquid and the processing liquid to the rinsing liquid nozzle 51 and the processing liquid nozzle 52. It is connected. The liquid supply pipe 72 has a double pipe structure including two inner pipes 73 and 74 therein. In the first inner pipe 73, as shown in FIG. 5, a rinse liquid whose temperature is adjusted to, for example, 3 ° C. flows. The first inner pipe 73 is connected to the rinse liquid nozzle 51. In the second inner pipe 74, for example, a treatment liquid whose temperature is adjusted to 3 ° C. flows. The second inner pipe 74 is connected to the processing liquid nozzle 52. Further, between the inner pipes 73 and 74 and the outer pipe 75, a normal temperature purge gas not containing moisture such as air or nitrogen gas flows. This purge gas prevents the liquid supply pipe 72 from condensing. The rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 76 to the first inner pipe 73.

現像液ノズル５０は、図４に示すようにその上端部を支持部材８０に支持されている。また、リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２は、この支持部材８０を貫通して配置されている。支持部材８０の一の側面には、図５に示すように現像液の温度を測定する温度センサ８１を設けるための継手８２が接続されている。また、支持部材８０の他の側面は、図３に示したアーム４１に支持されている。   As shown in FIG. 4, the upper end of the developer nozzle 50 is supported by a support member 80. Further, the rinsing liquid nozzle 51 and the processing liquid nozzle 52 are disposed through the support member 80. A joint 82 for providing a temperature sensor 81 for measuring the temperature of the developer as shown in FIG. 5 is connected to one side surface of the support member 80. The other side surface of the support member 80 is supported by the arm 41 shown in FIG.

支持部材８０の上面には、通気部材８３が設けられている。通気部材８３には、現像液供給管６１内のパージガスが流入する第１のガス室８４と、液供給管７２内にパージガスを流出させる第２のガス室８５とが形成されている。第１のガス室８４と第２のガス室８５との間には、パージガスが流通する流通口８６が形成されている。したがって、現像液供給管６１内を流通するパージガスは、第１のガス室８４、流通口８６、第２のガス室８５を経由して液供給管７２内に流入する。すなわち、通気部材８３は、現像液供給管６１内と液供給管７２内でパージガスが循環するように構成されている。   A ventilation member 83 is provided on the upper surface of the support member 80. The ventilation member 83 is formed with a first gas chamber 84 into which the purge gas in the developer supply pipe 61 flows, and a second gas chamber 85 through which the purge gas flows into the liquid supply pipe 72. Between the first gas chamber 84 and the second gas chamber 85, a flow port 86 through which purge gas flows is formed. Accordingly, the purge gas flowing through the developer supply pipe 61 flows into the liquid supply pipe 72 via the first gas chamber 84, the flow port 86, and the second gas chamber 85. That is, the ventilation member 83 is configured such that the purge gas circulates in the developer supply pipe 61 and the liquid supply pipe 72.

複合ノズル体４２は、基板Ｇに処理を行わないとき、図６に示すようにノズルバス４４で待機している。複合ノズル体４２は、その先端部がノズルバス４４内に収容される。そして、複合ノズル体４２の支持部材８０、継手８２及び通気部材８３は、ノズルバス４４から露出し処理容器１０内の雰囲気に晒されている。なお、本実施の形態では、これら支持部材８０、継手８２及び通気部材８３が本発明における露出部を構成している。   The composite nozzle body 42 is on standby in the nozzle bus 44 as shown in FIG. The tip of the composite nozzle body 42 is accommodated in the nozzle bath 44. The support member 80, the joint 82, and the ventilation member 83 of the composite nozzle body 42 are exposed from the nozzle bath 44 and exposed to the atmosphere in the processing container 10. In the present embodiment, the support member 80, the joint 82 and the ventilation member 83 constitute an exposed portion in the present invention.

ノズルバス４４は、バス本体９０を有している。バス本体９０の上面には、上述したように複合ノズル体４２の先端部を収容する収容部９１が設けられている。図７に示すように収容部９１の上面には、複合ノズル体４２と当接してノズルバス４４の内部を密閉するためのシール部材９２が環状に設けられている。シール部材９２には、例えば樹脂製のＯリングが用いられる。   The nozzle bath 44 has a bus body 90. On the upper surface of the bus main body 90, as described above, the accommodating portion 91 that accommodates the distal end portion of the composite nozzle body 42 is provided. As shown in FIG. 7, an annular seal member 92 is provided on the upper surface of the accommodating portion 91 so as to contact the composite nozzle body 42 and seal the inside of the nozzle bath 44. For the seal member 92, for example, a resin O-ring is used.

また、ノズルバス４４は、図６に示すように一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、バス本体９０の上面に設けられたパージガス供給源９４に接続されている。一対のパージガスノズル９３、９３は、ノズルバス４４で待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられている。パージガスノズル９３は、上述したようにノズルバス４４から露出した支持部材８０、継手８２及び通気部材８３を覆うように水平方向に延伸している。そして図７に示すように、パージガスノズル９３の長手方向に形成された複数の供給口（図示せず）から、支持部材８０、継手８２及び通気部材８３に水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが供給される。このパージガスによって、支持部材８０、継手８２及び通気部材８３が結露するのを防止している。なお、ノズルバス４４内にも水分を含まない常温のパージガスが供給されており、待機中の複合ノズル体４２の先端部の結露が防止される。   Further, the nozzle bath 44 has a pair of purge gas nozzles 93, 93 as shown in FIG. The pair of purge gas nozzles 93, 93 is connected to a purge gas supply source 94 provided on the upper surface of the bus body 90. The pair of purge gas nozzles 93, 93 are provided with the composite nozzle body 42 waiting in the nozzle bath 44 interposed therebetween. The purge gas nozzle 93 extends in the horizontal direction so as to cover the support member 80, the joint 82, and the ventilation member 83 exposed from the nozzle bath 44 as described above. Then, as shown in FIG. 7, normal temperature purge gas that does not contain moisture, such as air, is supplied to the support member 80, the joint 82, and the ventilation member 83 from a plurality of supply ports (not shown) formed in the longitudinal direction of the purge gas nozzle 93. And nitrogen gas is supplied. This purge gas prevents the support member 80, the joint 82, and the ventilation member 83 from condensing. A normal temperature purge gas that does not contain moisture is also supplied into the nozzle bath 44, and condensation on the tip of the composite nozzle body 42 during standby is prevented.

なお、上述した現像液供給管６１、液供給管７２及び供給管３６は、それぞれ液供給装置（図示せず）に接続されている。液供給装置内では、現像液ノズル５０に供給される現像液、リンス液ノズル５１及びバックリンスノズル３５に供給されるリンス液、処理液ノズル３６に供給される処理液が、それぞれ３℃に温度調節される。   Note that the developer supply pipe 61, the liquid supply pipe 72, and the supply pipe 36 described above are each connected to a liquid supply apparatus (not shown). In the liquid supply apparatus, the developer supplied to the developer nozzle 50, the rinse liquid supplied to the rinse liquid nozzle 51 and the back rinse nozzle 35, and the treatment liquid supplied to the treatment liquid nozzle 36 are each heated to 3 ° C. Adjusted.

以上の現像処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、現像処理装置１における基板Ｇの現像処理を実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。   The development processing apparatus 1 is provided with a control unit 100 as shown in FIG. The control unit 100 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for executing development processing of the substrate G in the development processing apparatus 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), or memory card. Or installed in the control unit 100 from the storage medium.

本実施の形態にかかる現像処理装置１は以上のように構成されている。次に、その現像処理装置１で行われる現像処理について説明する。図８は、この現像処理の主な処理フローを示している。   The development processing apparatus 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, the development processing performed in the development processing apparatus 1 will be described. FIG. 8 shows the main processing flow of this development processing.

先ず、基板Ｇが搬送アームＡに保持され現像処理装置１に搬送される。現像処理装置１に搬入された基板Ｇは、保持部材２０に保持される。このとき、現像処理装置１内の雰囲気の温度は例えば１５℃に調節されている。続いて、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方まで移動させると共に、基板Ｇを回転させる。そして、回転中の基板Ｇの表面にリンス液ノズル５１から例えば３℃のリンス液を供給する共に、基板Ｇの裏面にバックリンスノズル３５から例えば３℃のリンス液を噴射する。こうして、基板Ｇが約３℃に冷却される（図８のステップＳ１）。   First, the substrate G is held by the transfer arm A and transferred to the development processing apparatus 1. The substrate G carried into the development processing apparatus 1 is held by the holding member 20. At this time, the temperature of the atmosphere in the development processing apparatus 1 is adjusted to 15 ° C., for example. Subsequently, the composite nozzle body 42 is moved to above the center of the substrate G, and the substrate G is rotated. Then, a rinse liquid of 3 ° C., for example, is supplied from the rinse liquid nozzle 51 to the surface of the rotating substrate G, and a rinse liquid of 3 ° C., for example, is sprayed from the back rinse nozzle 35 to the back surface of the substrate G. Thus, the substrate G is cooled to about 3 ° C. (step S1 in FIG. 8).

その後、リンス液ノズル５１及びバックリンスノズル３５からのリンス液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上に現像液ノズル５０から例えば３℃の現像液を供給する。供給された現像液は遠心力により基板Ｇ上で拡散し、基板Ｇ上のレジスト膜が現像される（図８のステップＳ２）。このとき、予め基板Ｇが約３℃に冷却されているので、現像速度を十分に遅くできる。したがって、現像処理を基板面内で均一に行うことができ、基板Ｇ上に所定のレジストパターンを形成することができる。   Thereafter, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 51 and the back rinsing nozzle 35 is stopped, and then, for example, a 3 ° C. developing liquid is supplied from the developing liquid nozzle 50 onto the rotating substrate G. The supplied developer is diffused on the substrate G by centrifugal force, and the resist film on the substrate G is developed (step S2 in FIG. 8). At this time, since the substrate G has been cooled to about 3 ° C. in advance, the development speed can be sufficiently slowed down. Therefore, development processing can be performed uniformly within the substrate surface, and a predetermined resist pattern can be formed on the substrate G.

その後、現像液ノズル５０からの現像液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上にリンス液ノズル５１から例えば３℃のリンス液を供給する。このリンス液により、基板Ｇの表面が洗浄される（図８のステップＳ３）。   Thereafter, the supply of the developer from the developer nozzle 50 is stopped, and then, for example, a rinse liquid of 3 ° C. is supplied from the rinse liquid nozzle 51 onto the rotating substrate G. The surface of the substrate G is cleaned with this rinse liquid (step S3 in FIG. 8).

その後、リンス液ノズル５１からのリンス液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上に処理液ノズル５２から例えば３℃の処理液を供給する。ここで、ステップＳ３で基板Ｇ上にリンス液を供給すると、いわゆるパターン倒れが起こり易くなる。パターン倒れは、リンス液の表面張力によってレジストパターンが引っ張られて倒れる現象であり、特に微細なレジストパターンを形成する際に顕著に発生する。本実施の形態では、処理液であるイソプロピルアルコールを基板Ｇ上に供給してレジストパターン上に残存するリンス液の表面張力を低下させ、パターン倒れを防止することができる。こうして、処理液によって基板Ｇの表面処理が行われる（図８のステップＳ４）。   Thereafter, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 51 is stopped, and then, for example, the processing liquid at 3 ° C. is supplied from the processing liquid nozzle 52 onto the rotating substrate G. Here, when the rinse liquid is supplied onto the substrate G in step S3, so-called pattern collapse easily occurs. The pattern collapse is a phenomenon in which the resist pattern is pulled down by the surface tension of the rinsing liquid and falls down, and particularly occurs when a fine resist pattern is formed. In the present embodiment, isopropyl alcohol, which is a processing solution, is supplied onto the substrate G to reduce the surface tension of the rinsing solution remaining on the resist pattern, thereby preventing pattern collapse. Thus, the surface treatment of the substrate G is performed with the treatment liquid (step S4 in FIG. 8).

その後、処理液ノズル５２からの処理液の供給を停止し、引き続き基板Ｇを回転させて処理液を振り切り乾燥させる。その後、基板Ｇの回転を停止すると共に、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方からノズルバス４４に移動させる。   Thereafter, the supply of the processing liquid from the processing liquid nozzle 52 is stopped, and the substrate G is continuously rotated to shake off and dry the processing liquid. Thereafter, the rotation of the substrate G is stopped, and the composite nozzle body 42 is moved to the nozzle bath 44 from above the central portion of the substrate G.

このように現像処理３０における処理が終了すると、基板Ｇは保持部材２０から搬送アームＡに受け渡され現像処理装置１から搬出される。こうして、現像処理装置１における一連の現像処理が終了する。   When the processing in the development processing 30 is completed in this way, the substrate G is transferred from the holding member 20 to the transport arm A and carried out of the development processing apparatus 1. Thus, a series of development processing in the development processing apparatus 1 is completed.

一方、ノズルバス４４に移動した複合ノズル体４２は、その先端部がノズルバス４４に収容される。このように複合ノズル体４２がノズルバス４４に待機中、一対のパージガスノズル９３、９３から複合ノズル体４２の露出部、すなわち支持部材８０、継手８２及び通気部材８３に対してパージガスが供給される（図８のステップＳ５）。また、ノズルバス４４の内部にもパージガスが供給される。こうして、待機中の複合ノズル体４２の結露が防止される。また、この複合ノズル体４２の待機中、現像液供給管６１と液供給管７２内にはそれぞれパージガスが流通し、これら現像液供給管６１と液供給管７２の結露が防止される。   On the other hand, the tip of the composite nozzle body 42 moved to the nozzle bath 44 is accommodated in the nozzle bath 44. Thus, while the composite nozzle body 42 is waiting in the nozzle bath 44, purge gas is supplied from the pair of purge gas nozzles 93, 93 to the exposed portions of the composite nozzle body 42, that is, the support member 80, the joint 82, and the ventilation member 83 ( Step S5 in FIG. A purge gas is also supplied into the nozzle bath 44. In this way, condensation of the composite nozzle body 42 during standby is prevented. Further, during the standby of the composite nozzle body 42, purge gas flows through the developer supply pipe 61 and the liquid supply pipe 72, respectively, and condensation of the developer supply pipe 61 and the liquid supply pipe 72 is prevented.

そして、次の基板ＧＮ（なお、符号「ＧＮ」は図中には登場しないが、先に処理に付された基板Ｇと区別するために文章中で用いている）が現像処理装置１に搬入され所定の現像処理が行われる前に、待機中の複合ノズル体４２の現像液ノズル５０から現像液供給管６１内に残存する現像液がノズルバス４４内に排出され廃棄される（図８のステップＳ６）。この現像液の排出は、複合ノズル体４２の待機中、現像液供給管６１内の現像液の温度は上昇して３℃以上になっているため行われる。その後、液供給装置（図示せず）から３℃に温度調節された現像液が現像液ノズル５０に供給され、現像液ノズル５０において現像液のダミー吐出が行われる（図８のステップＳ７）。このダミー吐出は、現像液ノズル５０から供給される現像液の温度を３℃に安定させるために行われる。なお、同様にリンス液ノズル５１と処理液ノズル５２においても、ステップＳ６における液供給管７２内のリンス液と処理液の排出、ステップＳ７におけるダミー吐出がそれぞれ行われる。 Then, the next substrate G N (note that the symbol “G N ” does not appear in the figure but is used in the text to distinguish it from the substrate G that has been subjected to processing first) is used in the development processing apparatus 1. The developer remaining in the developer supply pipe 61 from the developer nozzle 50 of the composite nozzle body 42 on standby is discharged into the nozzle bus 44 and discarded before being carried in and subjected to predetermined development processing (FIG. 8). Step S6). This discharge of the developer is performed because the temperature of the developer in the developer supply pipe 61 rises to 3 ° C. or higher while the composite nozzle body 42 is on standby. Thereafter, a developer whose temperature is adjusted to 3 ° C. is supplied from a solution supply device (not shown) to the developer nozzle 50, and a dummy discharge of the developer is performed at the developer nozzle 50 (step S7 in FIG. 8). This dummy discharge is performed in order to stabilize the temperature of the developer supplied from the developer nozzle 50 at 3 ° C. Similarly, in the rinse liquid nozzle 51 and the treatment liquid nozzle 52, discharge of the rinse liquid and the treatment liquid in the liquid supply pipe 72 in step S6 and dummy discharge in step S7 are performed.

その後、一対のパージガスノズル９３、９３からのパージガスの供給を停止する（図８のステップＳ８）。続いて、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方まで移動させた後、基板ＧＮに対して、リンス液による基板ＧＮの冷却（図８のステップＳ１）、現像液による基板ＧＮ上のレジスト膜の現像（図８のステップＳ２）、リンス液による基板ＧＮの表面の洗浄（図８のステップＳ３）、処理液による基板ＧＮの表面処理（図８のステップＳ４）が順次行われる。その後、基板Ｇは保持部材２０から搬送アームＡに受け渡され現像処理装置１から搬出される。こうして、基板ＧＮに対する一連の現像処理が終了する。 Thereafter, the supply of purge gas from the pair of purge gas nozzles 93, 93 is stopped (step S8 in FIG. 8). Subsequently, after moving the composite nozzle body 42 to the center above the substrate G, the substrate G N, (step S1 in FIG. 8) cooling of the substrate G N by rinsing liquid on the substrate G N by developer resist film sequentially line (step S4 in FIG. 8) washed (step S3 in FIG. 8), the surface treatment of the substrate G N with a processing solution in development (step S2 in FIG. 8), the surface of the substrate G N by rinsing liquid of Is called. Thereafter, the substrate G is transferred from the holding member 20 to the transfer arm A and unloaded from the development processing apparatus 1. Thus, a series of development processing for the substrate G N is completed.

以上の実施の形態によれば、ステップ５において複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機中に、当該複合ノズル体４２の露出部に対して一対のパージガスノズル９３、９３から水分を含まないパージガスを供給している。このため、現像処理装置１で用いられる現像液、リンス液、処理液の温度が常温より低い温度の３℃であっても、複合ノズル体４２が結露するのを防止することができ、結露した水滴が基板Ｇ上に滴下されるのを防止することができる。したがって、現像処理を基板面内で均一に行うことができる。なお、複合ノズル体４２から現像液、リンス液、処理液を供給して基板Ｇの現像処理を行う時間は、複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機する時間に比して極めて短時間であるため、当該現像液処理中に複合ノズル体４２が結露することはない。   According to the above embodiment, the purge gas containing no moisture is supplied from the pair of purge gas nozzles 93 and 93 to the exposed portion of the composite nozzle body 42 while the composite nozzle body 42 is waiting in the nozzle bus 44 in step 5. doing. For this reason, even when the temperature of the developing solution, the rinsing solution, and the processing solution used in the developing processing apparatus 1 is 3 ° C., which is lower than the normal temperature, the composite nozzle body 42 can be prevented from condensing and dew condensation has occurred. It is possible to prevent water droplets from being dropped on the substrate G. Therefore, development processing can be performed uniformly within the substrate surface. Note that the time for developing the substrate G by supplying the developer, the rinsing liquid, and the processing liquid from the composite nozzle body 42 is extremely short compared to the time that the composite nozzle body 42 waits in the nozzle bus 44. The composite nozzle body 42 does not condense during the developing solution processing.

また、現像液供給管６１は２重管構造を有し、内側配管６２と外側配管６３との間には水分を含まないパージガスが流通している。同様に、液供給管７２も２重管構造を有し、内側配管７３、７４と外側配管７５との間には水分を含まないパージガスが流通している。したがって、これら現像液供給管６１と液供給管７２の結露を防止することができる。   Further, the developer supply pipe 61 has a double pipe structure, and a purge gas that does not contain moisture flows between the inner pipe 62 and the outer pipe 63. Similarly, the liquid supply pipe 72 also has a double pipe structure, and a purge gas that does not contain moisture flows between the inner pipes 73 and 74 and the outer pipe 75. Therefore, condensation of the developer supply pipe 61 and the liquid supply pipe 72 can be prevented.

また、ノズルバス４４の収容部９１の上面には、複合ノズル体４２と当接してノズルバス４４の内部を密閉するためのシール部材９２が設けられている。このため、複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機中、当該ノズルバス４４内に水分を含まないパージガスを充満させることができる。したがって、複合ノズル体４２の先端部の結露を確実に防止することができる。また、ステップＳ６において複合ノズル体４２から現像液、リンス液及び処理液が排出される際や、ステップＳ７において複合ノズル体４２から現像液、リンス液及び処理液のダミー吐出が行われる際に、これら現像液、リンス液及び処理液がノズルバス４４から処理容器１０に流出するのを防止することができる。   In addition, a seal member 92 is provided on the upper surface of the accommodating portion 91 of the nozzle bath 44 so as to contact the composite nozzle body 42 and seal the inside of the nozzle bath 44. For this reason, while the composite nozzle body 42 stands by in the nozzle bath 44, the nozzle bus 44 can be filled with the purge gas not containing moisture. Therefore, it is possible to reliably prevent condensation at the tip of the composite nozzle body 42. Further, when the developer, the rinsing liquid, and the processing liquid are discharged from the composite nozzle body 42 in step S6, or when the dummy discharge of the developer, the rinsing liquid, and the processing liquid is performed from the composite nozzle body 42 in step S7. It is possible to prevent the developing solution, the rinsing solution and the processing solution from flowing out from the nozzle bath 44 to the processing container 10.

また、現像液ノズル５０、リンス液ノズル５１、処理液ノズル５２は、一体の複合ノズル体４２として設けられるため、レール４０やアーム４１、ノズル駆動部４３を複数設ける必要がない。したがって、現像処理装置１を簡素化して小型化でき、現像処理装置１の製造コストも低廉化することができる。   Further, since the developing solution nozzle 50, the rinsing solution nozzle 51, and the processing solution nozzle 52 are provided as an integrated composite nozzle body 42, it is not necessary to provide a plurality of rails 40, arms 41, and nozzle driving units 43. Therefore, the development processing apparatus 1 can be simplified and downsized, and the manufacturing cost of the development processing apparatus 1 can be reduced.

また、現像液ノズル５０には温度センサ８１が設けられているので、現像液ノズル５０から基板Ｇ上に供給される直前の現像液の温度を測定できる。このため、基板Ｇ上の現像液の温度を確実に３℃に維持することができ、現像処理を適切に行うことができる。   Further, since the temperature sensor 81 is provided in the developer nozzle 50, the temperature of the developer immediately before being supplied from the developer nozzle 50 onto the substrate G can be measured. For this reason, the temperature of the developer on the substrate G can be reliably maintained at 3 ° C., and the development process can be performed appropriately.

以上の実施の形態では、ステップＳ１で基板Ｇを冷却するために用いられるリンス液の温度は所定の温度、例えば３℃であったが、当該リンス液の温度を３℃よりも低くしてもよい。かかる場合、ステップＳ３で基板Ｇを洗浄するために用いられるリンス液の温度は３℃であるため、複合ノズル体４２には、図９に示すように他のリンス液ノズル１１０が別途設けられる。すなわち、リンス液ノズル５１から基板Ｇに供給されるリンス液の温度は３℃よりも低く、他のリンス液ノズル１１０から基板Ｇに供給されるリンス液の温度は３℃である。   In the above embodiment, the temperature of the rinse liquid used for cooling the substrate G in step S1 is a predetermined temperature, for example, 3 ° C. However, even if the temperature of the rinse liquid is lower than 3 ° C. Good. In this case, since the temperature of the rinsing liquid used for cleaning the substrate G in step S3 is 3 ° C., another rinsing liquid nozzle 110 is separately provided in the composite nozzle body 42 as shown in FIG. That is, the temperature of the rinse liquid supplied from the rinse liquid nozzle 51 to the substrate G is lower than 3 ° C., and the temperature of the rinse liquid supplied from the other rinse liquid nozzle 110 to the substrate G is 3 ° C.

他のリンス液ノズル１１０は、リンス液ノズル５１及び処理液ノズル５２と共に固定部材５３を介して現像液ノズル５０に固定されている。他のリンス液ノズル１１０の下端面には、略円形の供給口１１１が形成されている。他のリンス液ノズル１１０には、上述した液供給管７２が接続されている。液供給管７２内には、２本の内側配管７３、７４に加えて、内部に３℃のリンス液が流通する内側配管１１２が設けられている。この内側配管１１２が他のリンス液ノズル１１０に接続されている。なお、複合ノズル体４２のその他の構成については、図４で示した複合ノズル体４２の構成と同様であるので説明を省略する。   The other rinsing liquid nozzle 110 is fixed to the developing liquid nozzle 50 through the fixing member 53 together with the rinsing liquid nozzle 51 and the processing liquid nozzle 52. A substantially circular supply port 111 is formed on the lower end surface of the other rinse liquid nozzle 110. The other rinsing liquid nozzle 110 is connected to the liquid supply pipe 72 described above. In the liquid supply pipe 72, in addition to the two inner pipes 73 and 74, an inner pipe 112 through which a 3 ° C. rinse liquid flows is provided. This inner pipe 112 is connected to another rinse liquid nozzle 110. The other configuration of the composite nozzle body 42 is the same as that of the composite nozzle body 42 shown in FIG.

かかる場合、図８のステップＳ２において、基板Ｇにリンス液ノズル５１から３℃より低い温度のリンス液が供給され、基板Ｇが冷却される。そして、ステップＳ４において、基板Ｇ上に他のリンス液ノズル１１０から３℃のリンス液が供給され、基板Ｇの表面が洗浄される。なお、その他の処理工程については、図８に示した工程と同様であるので説明を省略する。   In this case, in step S <b> 2 of FIG. 8, the rinse liquid having a temperature lower than 3 ° C. is supplied to the substrate G from the rinse liquid nozzle 51, and the substrate G is cooled. In step S4, a rinse solution of 3 ° C. is supplied from the other rinse solution nozzle 110 onto the substrate G, and the surface of the substrate G is cleaned. The other processing steps are the same as those shown in FIG.

本実施の形態によれば、ステップＳ２において３℃より低い温度のリンス液が供給されるので、基板Ｇをより迅速に約３℃まで冷却することができる。したがって、基板Ｇの現像処理のスループットを向上させることができる。   According to the present embodiment, since the rinse liquid having a temperature lower than 3 ° C. is supplied in step S2, the substrate G can be cooled to about 3 ° C. more rapidly. Therefore, the throughput of the development process for the substrate G can be improved.

以上の実施の形態では、リンス液ノズル５１、処理液ノズル５２、他のリンス液ノズル１１０は、一の液供給管７２に接続されていたが、それぞれ個別のリンス液供給管、処理液供給管に接続されていてもよい。かかる場合、それぞれのリンス液供給管、処理液供給管は２重管構造を有し、上記現像液供給管６１と同様の構成を有している。すなわち、リンス液供給管又は処理液供給管の内側配管内にはリンス液又は処理液がそれぞれ流通し、内側配管と外側配管との間には水分を含まない常温のパージガスが流通している。このパージガスによって、リンス液供給管と処理液供給管の結露を防止することができる。   In the above embodiment, the rinsing liquid nozzle 51, the processing liquid nozzle 52, and the other rinsing liquid nozzle 110 are connected to one liquid supply pipe 72. It may be connected to. In this case, each of the rinsing liquid supply pipe and the processing liquid supply pipe has a double pipe structure, and has the same configuration as the developer supply pipe 61. That is, the rinsing liquid or the processing liquid flows in the inner pipe of the rinsing liquid supply pipe or the processing liquid supply pipe, respectively, and a normal-temperature purge gas that does not contain moisture flows between the inner pipe and the outer pipe. This purge gas can prevent dew condensation between the rinse liquid supply pipe and the treatment liquid supply pipe.

以上の実施の形態の現像液ノズル５０には、種々の形状のノズルを用いることができ、例えば図１０に示す現像液ノズル１２０を用いてもよい、また、かかる場合、現像液ノズル１２０は複合ノズル体４２から別途独立して設けられてもよい。現像液ノズル１２０は、基板Ｇの一辺寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。現像液ノズル１２０の下面には、長手方向に沿って一列に形成された複数の吐出口（図示せず）が形成され、各吐出口から一様に現像液を吐出できる。   Various types of nozzles can be used as the developer nozzle 50 in the above embodiment. For example, the developer nozzle 120 shown in FIG. 10 may be used. In such a case, the developer nozzle 120 may be a composite. It may be provided separately from the nozzle body 42. The developer nozzle 120 has an elongated shape along the X direction that is the same as or longer than one side dimension of the substrate G. A plurality of discharge ports (not shown) formed in a line along the longitudinal direction are formed on the lower surface of the developer nozzle 120, and the developer can be discharged uniformly from each discharge port.

現像液ノズル１２０は、アーム１２１に支持されている。アーム１２１は、ノズル駆動部１２２により、Ｙ方向に沿って延伸するレール１２３上を移動自在である。これにより、現像液ノズル１２０は、カップ３１のＹ方向正方向側の外方に設置されたノズルバス１２４からカップ３１のＹ方向負方向側まで移動できる。また、アーム１２１は、ノズル駆動部１２２によって昇降自在であり、現像液ノズル１２０の高さを調整できる。   The developer nozzle 120 is supported by the arm 121. The arm 121 is movable on the rail 123 extending along the Y direction by the nozzle driving unit 122. As a result, the developer nozzle 120 can move from the nozzle bath 124 installed outside the cup 31 on the Y direction positive direction side to the Y direction negative direction side of the cup 31. Further, the arm 121 can be moved up and down by the nozzle driving unit 122, and the height of the developer nozzle 120 can be adjusted.

ノズルバス１２４は、図６に示したノズルバス４４と同様の構成を有している。すなわち、現像液ノズル１２０の先端部はノズルバス１２４に収容され、ノズルバス１２４の一対のパージガスノズル９３、９３はノズルバス１２４から露出した現像液ノズル１２０の露出部を覆うように水平方向に延伸している。かかる場合でも、一対のパージガスノズル９３、９３から供給されたパージガスによって、現像液ノズル１２０の露出部の結露を防止することができる。   The nozzle bath 124 has the same configuration as the nozzle bath 44 shown in FIG. That is, the tip of the developer nozzle 120 is accommodated in the nozzle bath 124, and the pair of purge gas nozzles 93, 93 of the nozzle bath 124 extends in the horizontal direction so as to cover the exposed portion of the developer nozzle 120 exposed from the nozzle bath 124. . Even in such a case, condensation of the exposed portion of the developer nozzle 120 can be prevented by the purge gas supplied from the pair of purge gas nozzles 93, 93.

また、以上の実施の形態では、マスク用の基板Ｇの現像処理について説明したが、本発明は、基板が例えば半導体ウェハやＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の場合にも適用できる。また、近年、基板により微細なパターンを形成するため、基板にフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いることが提案されている。このインプリトという方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレートを基板上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである。本発明は、このようなテンプレートに現像処理を行う場合にも適用できる。さらに、このテンプレートは例えばホルダに保持されて本発明の現像処理が行われてもよい。   In the above embodiment, the development processing of the mask substrate G has been described. However, the present invention can also be applied to a case where the substrate is, for example, a semiconductor wafer or an FPD (flat panel display). In recent years, in order to form a fine pattern on a substrate, it has been proposed to use a so-called imprint method instead of performing a photolithography process on the substrate. In this method of imprinting, a template having a fine pattern on the surface is pressure-bonded to the resist surface formed on the substrate, and then peeled off, and the pattern is directly transferred to the resist surface. The present invention can also be applied to a case where development processing is performed on such a template. Further, the template may be held in a holder, for example, and the development processing of the present invention may be performed.

また、以上の実施の形態では、有機系の現像液と有機系のリンス液を用いて基板Ｇを現像処理する場合について説明したが、本発明は、アルカリ性の現像液と純水のリンス液を用いて基板を現像処理する場合にも適用できる。   In the above embodiment, the case where the substrate G is developed using an organic developer and an organic rinse solution has been described. However, the present invention uses an alkaline developer and a pure water rinse solution. It can also be applied to the case where the substrate is used for development processing.

また、以上の実施の形態では、基板を処理する処理液として、現像液を用いて基板Ｇを現像処理する場合について説明したが、本発明は、現像液以外の処理液を用いて基板を処理する場合にも適用できる。その場合、たとえば、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、フッ酸、オゾン水、炭酸水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの処理液を用いて基板を処理することができ、たとえば基板に対する洗浄、エッチング、酸化膜形成の処理等にも適用可能である。この場合、たとえば、前記処理液を供給するノズルから常温より低い所定の温度にした前記処理液を供給する際、結露によってノズルに付着した水滴が基板上に落ち、その結果、落ちた水滴が基板上でウォーターマークとなってパーティクルの原因となることを防止できる。さらにまた結露によって生じた水滴が基板上の処理液と混合して、濃度変化を起こして所期の処理が得られないといった事態も防止することができる。 In the above embodiments, the case where the substrate G is developed using a developing solution as the processing solution for processing the substrate has been described. However, the present invention treats the substrate using a processing solution other than the developing solution. It can also be applied to In that case, for example, SC1 (NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O), SC2 (HCl / H 2 O 2 / H 2 O), hydrofluoric acid, ozone water, carbonated water, IPA (isopropyl alcohol), etc. The processing solution can be used to process the substrate, and for example, the substrate can be applied to cleaning, etching, oxide film formation processing, and the like. In this case, for example, when supplying the processing liquid at a predetermined temperature lower than normal temperature from the nozzle for supplying the processing liquid, water droplets attached to the nozzle due to condensation fall on the substrate, and as a result, the dropped water droplets are formed on the substrate. It can be prevented from becoming a watermark above and causing particles. Furthermore, it is possible to prevent a situation in which the water droplets generated by condensation are mixed with the treatment liquid on the substrate, causing a change in concentration and the desired treatment cannot be obtained.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.

本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する際に有用である。   The present invention is useful when processing a substrate using a processing solution having a predetermined temperature lower than room temperature.

１ 現像処理装置
１０ 処理容器
２０ 保持部材
３５ バックリンスノズル
４２ 複合ノズル体
４４ ノズルバス
５０ 現像液ノズル
５１ リンス液ノズル
５２ 処理液ノズル
６１ 現像液供給管
６２ 内側配管
６３ 外側配管
７２ 液供給管
７３ 第１の内側配管
７４ 第２の内側配管
７５ 外側配管
８０ 支持部材
８１ 温度センサ
８３ 通気部材
９０ バス本体
９１ 収容部
９２ シール部材
９３ パージガスノズル
１１０ 他のリンス液ノズル
１２０ 現像液ノズル
１００ 制御部
Ｇ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Development processing apparatus 10 Processing container 20 Holding member 35 Back rinse nozzle 42 Compound nozzle body 44 Nozzle bus 50 Developer liquid nozzle 51 Rinse liquid nozzle 52 Processing liquid nozzle 61 Developer liquid supply pipe 62 Inner pipe 63 Outer pipe 72 Liquid supply pipe 73 1st Inner piping 74 Second inner piping 75 Outer piping 80 Support member 81 Temperature sensor 83 Ventilation member 90 Bus body 91 Housing portion 92 Seal member 93 Purge gas nozzle 110 Other rinse liquid nozzle 120 Developer nozzle 100 Controller G substrate

Claims (16)

常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置であって、
基板を保持する保持部材と、
基板上に前記処理液を供給する処理液ノズルと、
前記保持部材上方から退避した前記処理液ノズルの先端部を収容して、当該処理液ノズルを待機させるノズルバスと、
前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸し、前記露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する一対のパージガスノズルと、を有することを特徴とする、処理装置。 A processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature,
A holding member for holding the substrate;
A treatment liquid nozzle for supplying the treatment liquid onto the substrate;
A nozzle bath for accommodating the tip of the processing liquid nozzle retracted from above the holding member and waiting for the processing liquid nozzle;
A purge gas that is provided across the processing liquid nozzle waiting in the nozzle bath, extends longer than the horizontal length of the exposed portion of the processing liquid nozzle exposed from the nozzle bath, and does not contain moisture to the exposed portion. A processing apparatus comprising: a pair of purge gas nozzles to be supplied. 前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、
前記処理液供給管において、内側の配管内には前記処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項１に記載の処理装置。 A treatment liquid supply pipe that supplies the treatment liquid and has a double pipe structure is connected to the treatment liquid nozzle,
In the processing liquid supply pipe, the processing liquid flows in an inner pipe, and a purge gas not containing moisture flows between the inner pipe and the outer pipe. Item 2. The processing apparatus according to Item 1. 前記ノズルバスの上端には、前記処理液ノズルと当接して前記ノズルバスの内部を密閉するシール部材が設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 1, wherein a sealing member that abuts the processing liquid nozzle and seals the inside of the nozzle bath is provided at an upper end of the nozzle bath. 基板上に前記所定の温度以下のリンス液を供給するリンス液ノズルを有し、
前記処理液ノズル及び前記リンス液ノズルは、一の支持部材に支持されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の処理装置。 A rinsing liquid nozzle for supplying a rinsing liquid at a predetermined temperature or lower on the substrate;
The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid nozzle and the rinsing liquid nozzle are supported by a single support member. 前記リンス液ノズルには、前記リンス液を供給し且つ２重管構造を有するリンス液供給管が接続され、
前記リンス液供給管において、内側の配管内にはリンス液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項４に記載の処理装置。 A rinse liquid supply pipe that supplies the rinse liquid and has a double pipe structure is connected to the rinse liquid nozzle,
The rinsing liquid supply pipe is characterized in that a rinsing liquid is circulated in an inner pipe, and a purge gas not containing moisture is circulated between the inner pipe and the outer pipe. 4. The processing apparatus according to 4. 前記基板上のリンス液の表面張力を低下させ且つ前記所定の温度の他の処理液を基板上に供給する他の処理液ノズルを有し、
前記処理液ノズル、前記リンス液ノズル及び前記他の処理液ノズルは、一の支持部材に支持されていることを特徴とする、請求項４又は５に記載の処理装置。 Another treatment liquid nozzle for reducing the surface tension of the rinse liquid on the substrate and supplying another treatment liquid at the predetermined temperature onto the substrate;
The processing apparatus according to claim 4, wherein the processing liquid nozzle, the rinsing liquid nozzle, and the other processing liquid nozzle are supported by a single support member. 前記他の処理液ノズルには、前記他の処理液を供給し且つ２重管構造の他の処理液供給管が接続され、
前記他の処理液供給管において、内側の配管内には他の処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項６に記載の処理装置。 The other processing liquid nozzle is connected to another processing liquid supply pipe for supplying the other processing liquid and having a double pipe structure,
In the other processing liquid supply pipe, another processing liquid flows in the inner pipe, and a purge gas not containing moisture flows between the inner pipe and the outer pipe. The processing apparatus according to claim 6. 前記処理液ノズルには、前記処理液の温度を測定する温度センサが設けられていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid nozzle is provided with a temperature sensor that measures the temperature of the processing liquid. 前記所定の温度は１℃〜１０℃であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 1, wherein the predetermined temperature is 1 ° C. to 10 ° C. 前記処理液は、現像液であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is a developer. 常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する方法であって、
保持部材に保持された基板上に処理液ノズルから前記処理液を供給して、基板を処理する処理工程と、
その後、前記処理液ノズルを前記保持部材上方からノズルバスに移動させ、当該ノズルバス内に前記処理液ノズルの先端部を収容して当該処理液ノズルを待機させる待機工程と、を有し、
前記待機工程において、
前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸する一対のパージガスノズルから、前記露出部に対して、水分を含まないパージガスを供給することを特徴とする、処理方法。 A method of processing a substrate using a processing liquid having a predetermined temperature lower than room temperature,
A processing step of processing the substrate by supplying the processing liquid from the processing liquid nozzle onto the substrate held by the holding member;
Then, the process liquid nozzle is moved from above the holding member to the nozzle bath, and the standby step of waiting the process liquid nozzle by accommodating the tip of the process liquid nozzle in the nozzle bath,
In the waiting step,
From a pair of purge gas nozzles that are provided across the processing liquid nozzle waiting in the nozzle bath and extend longer than the horizontal length of the exposed portion exposed from the nozzle bath of the processing liquid nozzle, with respect to the exposed portion, A processing method comprising supplying a purge gas containing no moisture. 前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、
前記処理工程及び前記待機工程において、前記処理液供給管の内側の配管内に処理液を流し、前記内側の配管と外側の配管との間に水分を含まないパージガスを流すことを特徴とする、請求項１１に記載の処理方法。 A treatment liquid supply pipe that supplies the treatment liquid and has a double pipe structure is connected to the treatment liquid nozzle,
In the treatment step and the standby step, the treatment liquid is caused to flow in a pipe inside the treatment liquid supply pipe, and a purge gas containing no moisture is caused to flow between the inner pipe and the outer pipe, The processing method according to claim 11. 前記所定の温度は１℃〜１０℃であることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の処理方法。 The processing method according to claim 11 or 12, wherein the predetermined temperature is 1 ° C to 10 ° C. 前記処理液は、現像液であることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の処理方法。 The processing method according to claim 11, wherein the processing solution is a developer. 請求項１１〜１４のいずかに記載の処理方法を処理装置によって実行させるために、当該処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the processing device in order to cause the processing device to execute the processing method according to claim 11. 請求項１５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 15.
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