JP2005101183A - Substrate cleaner and dryer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaner and dryer with which substrates having clean surfaces, on which no water mark etc., is formed and to which no particle etc., adheres, can be obtained. <P>SOLUTION: Since the drying of substrates W is performed in the same chamber 37 as that used for cleaning the substrates W, it is not required to move the substrates W for drying by exposing the substrates W to the outside air of the chamber 37. In addition, the chamber 37 can be hermetically sealed by shutting the upper opening 37a of the chamber 37 with a lid member 65 at the time of drying the substrates W after the substrates W are cleaned in a treating vessel 35. Therefore, the drying of the substrates W can be performed suitably, because other substrates W can be transported above the chamber 37 even when the substrates W are dried in the chamber 37. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など(以下、単に基板と称する)を洗浄処理した後に乾燥処理する基板洗浄乾燥装置及び基板洗浄乾燥方法に係り、特に、洗浄処理後の乾燥処理を保持手段からの吸引と上方からの気流の流れによって施す技術に関する。   The present invention relates to a substrate cleaning and drying apparatus and a substrate cleaning method for performing a drying process after cleaning a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate), etc. The present invention relates to a drying method, and more particularly, to a technique for performing a drying process after a cleaning process by suction from a holding means and a flow of airflow from above.

従来、この従来のこの種の装置として、処理槽で洗浄処理を施した基板を純水中から引き上げ、処理槽とは別体の乾燥装置に移動させた後、基板が載置された基板保持部から吸引するとともに、上方から流下させているクリーンルーム内のエアによって基板を乾燥させるものが挙げられる(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, as this type of conventional apparatus, a substrate that has been subjected to a cleaning process in a processing tank is pulled out of pure water, moved to a drying apparatus separate from the processing tank, and then the substrate is placed on the substrate. There is one that dries the substrate with air in a clean room that is sucked from the part and is made to flow down from above (for example, see Patent Document 1).

上記の装置では、過酸化水素水などの酸化剤が入った洗浄処理後に、酸化膜が生成された基板、または酸化膜付きの基板などの平滑面を有する親水性の基板を乾燥させる際には問題なく処理することができる。
特許第3244220号公報(段落番号0015、図3)
In the above apparatus, when a hydrophilic substrate having a smooth surface such as a substrate on which an oxide film is formed or a substrate with an oxide film is dried after a cleaning process containing an oxidizing agent such as hydrogen peroxide water, It can be processed without problems.
Japanese Patent No. 3244220 (paragraph number 0015, FIG. 3)

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。   However, the conventional example having such a configuration has the following problems.

(1)半導体デバイス製造工程において、デバイスが製造される基板は複雑な立体構造を有する。具体的には、穴状のコンタクトホールやビアホール、溝状のトレンチ、複数の壁が林立するようなフィンなどである。また、その表面状態も、親水面から疎水面と多岐にわたる。このようなデバイス製造途中における基板の洗浄後の乾燥においては、上記のようにクリーンルームのエアを取り込んで乾燥させていたのでは、乾燥に時間がかかり、親水面が保持する純水が疎水面を覆ったり、疎水面に残った純水などに、例えばシリコンの溶出が発生したり、気液固界面において大気中の酸素によるシリコンの酸化が生じたりする。   (1) In a semiconductor device manufacturing process, a substrate on which a device is manufactured has a complicated three-dimensional structure. Specifically, a hole-shaped contact hole, a via hole, a groove-shaped trench, a fin with a plurality of walls standing, and the like. Moreover, the surface state also varies from a hydrophilic surface to a hydrophobic surface. In such drying after cleaning the substrate during device manufacturing, if the air in the clean room has been taken in and dried as described above, it takes time to dry, and the pure water held by the hydrophilic surface has a hydrophobic surface. For example, elution of silicon occurs in pure water remaining on the hydrophobic surface or the like, or silicon is oxidized by oxygen in the atmosphere at the gas-liquid solid interface.

さらに、その酸化シリコンが純水中に溶解するなどして、純水中に酸化シリコンやシリコンが蓄積し、乾燥した後に酸化シリコンの水和物、いわゆるウォーターマークが生成してシリコン面などに析出し、その結果、デバイスの特性を悪化させるという問題がある。   Furthermore, silicon oxide or silicon accumulates in the pure water because the silicon oxide dissolves in the pure water, and after drying, silicon oxide hydrates, so-called watermarks, are generated and deposited on the silicon surface. As a result, there is a problem of deteriorating device characteristics.

特に、ゲート酸化膜前洗浄や、ゲート絶縁膜堆積(CVD)前洗浄において、これらの酸化シリコンの水和物が電気的には絶縁体であることから抵抗となり、正常なオーミックコンタクトを得ることができないことや堆積したCVD膜の構造がウォーターマークによって歪むこと等により、デバイス特性若しくはデバイス動作そのものの不良の問題となっている。   In particular, in pre-gate oxide film cleaning and gate insulating film deposition (CVD) pre-cleaning, since these silicon oxide hydrates are electrically insulating, it becomes a resistance and a normal ohmic contact can be obtained. Due to the inability to do so and the structure of the deposited CVD film being distorted by the watermark, there are problems of device characteristics or device operation itself.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ウォーターマーク等の生成やパーティクル等の付着がない清浄な基板表面を得るための好適な基板洗浄乾燥装置を提供することを第一の目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and it is a first object of the present invention to provide a suitable substrate cleaning / drying apparatus for obtaining a clean substrate surface free from the generation of watermarks and the like and adhesion of particles and the like. One purpose.

(2)また、近年における基板の大口径化における流れにおいては、基板洗浄装置においては、コンパクトに設計しないとクリーンルームにおける装置の占有面積の問題が顕著になり、一方側から直線的に他方側に向かって基板を移動させてゆく巨大な装置構成から、一方側だけに基板搬送システムとのインターフェイスを有するコンパクトな装置構成へと進化してきている。このような装置において、上述した従来装置を採用すると、その上方を基板が搬送されて移動してゆくことになるので、基板の乾燥処理中には基板を搬送することができず、現実的には採用することができないという問題がある。たとえ採用したとしても、スループットが低く装置性能を十分に発揮させることができない。   (2) Also, in the recent trend of increasing the substrate diameter, the substrate cleaning apparatus has a significant problem of the occupied area of the apparatus in the clean room unless it is designed to be compact, and linearly moves from one side to the other side. From a huge apparatus configuration in which the substrate is moved toward the substrate, it has evolved to a compact apparatus configuration having an interface with the substrate transfer system on only one side. In such an apparatus, if the above-described conventional apparatus is adopted, the substrate is transported and moved above, so that the substrate cannot be transported during the drying process of the substrate. There is a problem that cannot be adopted. Even if it is adopted, the throughput is low and the apparatus performance cannot be fully exhibited.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の上方から供給する気体を用いて基板を乾燥させる方式を採用しつつも、コンパクト化を図った装置に好適な基板洗浄乾燥装置及び基板洗浄乾燥方法を提供することを第二の目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and is a substrate cleaning suitable for a compact device while adopting a method of drying a substrate using a gas supplied from above the substrate. A second object is to provide a drying apparatus and a substrate cleaning and drying method.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に洗浄処理を施した後、乾燥処理を施す基板洗浄乾燥装置において、処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、吸引穴を有し、前記処理槽内で基板を保持する保持手段とを備え、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to claim 1 is a substrate cleaning / drying apparatus that performs a drying process after performing a cleaning process on a substrate, stores the processing liquid, and immerses the substrate in the processing liquid to perform the cleaning process on the substrate. A processing tank, an opening for loading and unloading a substrate at the top, a processing chamber for storing the processing tank, a lid member that can be opened and closed with respect to the opening of the processing chamber, and a suction hole; Holding means for holding the substrate in the processing tank, and after cleaning the substrate with the processing liquid in the processing tank, the suction hole of the holding means performs suction, and the lid member is closed, A gas is supplied toward the substrate.

[作用・効果]洗浄処理に続く乾燥処理を洗浄処理と同じ処理室内で実施するので、乾燥処理のために基板を処理室外の空気に晒して移動する必要がない。さらに、乾燥処理時には、処理室の上部開口を開閉自在の蓋部材によって閉塞することにより、処理室を密閉することができる。したがって、乾燥処理中であっても処理室の上方で基板の搬送を行うことができ、コンパクト化を図った装置であっても好適に乾燥処理を施すことができる。   [Operation / Effect] Since the drying process following the cleaning process is performed in the same processing chamber as the cleaning process, it is not necessary to move the substrate by exposing it to the air outside the processing chamber for the drying process. Further, during the drying process, the processing chamber can be sealed by closing the upper opening of the processing chamber with an openable / closable lid member. Therefore, the substrate can be transported above the processing chamber even during the drying process, and the drying process can be suitably performed even with a compact device.

また、前記処理槽から処理液を排出する排出手段をさらに備え、前記排出手段により前記処理槽から処理液を排出した後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することが好ましい(請求項2)。洗浄処理に用いた処理液を処理槽から排出手段により排出し、その後、保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給して基板の乾燥処理を施すので、基板の処理室内で移動させることなく迅速に洗浄処理から乾燥処理へ移行できる。   Further, the apparatus further comprises a discharge means for discharging the treatment liquid from the treatment tank, and after the treatment liquid is discharged from the treatment tank by the discharge means, the suction hole of the holding means sucks and the lid member is closed. In this state, it is preferable to supply a gas toward the substrate. The processing liquid used for the cleaning process is discharged from the processing tank by the discharging unit, and then the suction hole of the holding unit performs suction, and with the lid member closed, the gas is supplied to the substrate to dry the substrate. Since the process is performed, it is possible to quickly shift from the cleaning process to the drying process without moving the substrate in the processing chamber.

また、前記保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽情報の位置との間で移動自在であり、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動し、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することが好ましい(請求項3)。保持手段処理槽内の位置から処理室内の処理槽上方の位置へ移動し、その後、保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給して基板の乾燥処理を施すので、迅速に洗浄処理から乾燥処理へ移行できる。   The holding means is movable between a position in the processing tank and a position of the processing tank information in the processing chamber, and after the substrate cleaning process with the processing liquid in the processing tank, the holding means From the position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber, the suction hole of the holding means performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed (Claim 3). Move from the position in the holding means processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber, and then the suction hole of the holding means performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed. Since the substrate is subjected to the drying process, the cleaning process can be quickly transferred to the drying process.

また、請求項4に記載の発明は、基板に洗浄処理を施した後、乾燥処理を施す基板洗浄乾燥装置において、処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、前記処理槽内で基板を保持する第1保持手段と、前記第1保持手段との間で基板の受け渡しが可能であり、吸引穴を有するとともに前記処理室内の前記処理槽上方の位置で基板を保持する第2保持手段とを備え、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記第1保持手段から前記第2保持手段へ基板を受け渡し、前記処理室内の前記処理槽上方の位置にある前記第2保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, in a substrate cleaning / drying apparatus that performs a drying process after performing a cleaning process on the substrate, the processing liquid is stored and the substrate is immersed in the processing liquid to perform the cleaning process. A processing tank, a processing chamber having an opening for loading and unloading the substrate at the top, a processing chamber for storing the processing tank, a lid member that can be opened and closed with respect to the opening of the processing chamber, and a substrate in the processing tank The first holding means for holding the substrate and the first holding means can transfer the substrate, has a suction hole and holds the substrate at a position above the processing tank in the processing chamber. The substrate is transferred from the first holding means to the second holding means after the substrate is cleaned by the processing liquid in the processing tank, and the second holding is located above the processing tank in the processing chamber. The suction hole of the means performs suction and the lid portion While closed, it is characterized in that to supply gas toward the substrate.

[作用・効果]洗浄処理に続く乾燥処理を洗浄処理と同じ処理室内で実施するので、乾燥処理のために基板を処理室外の空気にさらして移動する必要がない。さらに乾燥処理時には、処理室の上部開口を開閉自在の蓋部材によって閉塞することにより、処理室を密閉することができる。したがって、乾燥処理中であっても処理室の上方で基板の搬送を行うことができ、コンパクト化を図った装置であっても好適に乾燥処理を施すことができる。   [Operation / Effect] Since the drying process following the cleaning process is performed in the same processing chamber as the cleaning process, it is not necessary to move the substrate by exposing it to the air outside the processing chamber for the drying process. Further, during the drying process, the processing chamber can be sealed by closing the upper opening of the processing chamber with an openable / closable lid member. Therefore, the substrate can be transported above the processing chamber even during the drying process, and the drying process can be suitably performed even with a compact device.

また、処理槽での洗浄後、第1保持手段から第2保持手段へ基板を受け渡し、処理室内の処理槽上方の位置にある第2保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給しているので、第1保持手段から第2保持手段へ基板を受け渡す際に、基板の端縁に付着した大きめの液滴を落とすことができ、その後の乾燥処理を円滑に行うことができる。   In addition, after cleaning in the processing tank, the substrate is transferred from the first holding means to the second holding means, and the suction hole of the second holding means at the position above the processing tank in the processing chamber performs suction and closes the lid member. In this state, since the gas is supplied toward the substrate, when delivering the substrate from the first holding means to the second holding means, large droplets attached to the edge of the substrate can be dropped, The subsequent drying process can be performed smoothly.

また、前記第2保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽上方の位置との間で移動自在であることが好ましい(請求項5)。   Moreover, it is preferable that the second holding means is movable between a position in the processing tank and a position above the processing tank in the processing chamber.

また、前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する気体供給手段をさらに備えたことが好ましい(請求項6)。側方位置からの気体供給により、さらに効率的に乾燥処理を施すことができる。また、前記気体供給手段は、ドライエアを供給することが好ましい(請求項7)。   In addition, it is preferable that gas supply means for supplying gas into the processing chamber is further provided above the processing tank and at a side position of the processing chamber. By supplying gas from the side position, the drying process can be performed more efficiently. The gas supply means preferably supplies dry air.

また、前記蓋部材に設けられ、基板に向けて気体を供給する第1供給手段と、前記処理槽の上方であって処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する第2供給手段とをさらに備えたことが好ましい(請求項8)。処理室内において周囲からの気体供給により、さらに効率的に乾燥処理を施すことができる。なお、第1供給手段及び第2供給手段は、ドライエアを供給することが好ましい(請求項9)。   Also, a first supply unit that is provided on the lid member and supplies gas toward the substrate, and a second supply unit that supplies gas into the processing chamber above the processing tank and to a side position of the processing chamber. It is preferable to further comprise (Claim 8). The drying process can be more efficiently performed by supplying gas from the surroundings in the processing chamber. The first supply means and the second supply means preferably supply dry air (claim 9).

また、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記処理室内に有機溶剤を供給する有機溶剤供給手段をさらに備えたことが好ましい(請求項10)。有機溶剤を供給することにより、さらに効率的に乾燥処理を施すことができる。なお、前記有機溶剤供給手段は、前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に設けられたことが好ましい(請求項11)。   It is preferable that the apparatus further includes an organic solvent supply means for supplying an organic solvent into the processing chamber after the substrate is cleaned with the processing liquid in the processing tank. By supplying the organic solvent, the drying process can be more efficiently performed. In addition, it is preferable that the said organic solvent supply means is provided in the side position of the said process chamber above the said process tank (Claim 11).

さらに、前記処理槽の液面の上方位置において、前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動している基板に気体を供給する供給手段をさらに備えたことが好ましい(請求項12)。   Furthermore, it is preferable that the apparatus further includes supply means for supplying gas to a substrate moving from a position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber at a position above the liquid level of the processing tank. (Claim 12).

この発明に係る基板洗浄乾燥装置及び基板洗浄乾燥方法によれば、乾燥処理のために基板を処理室外の空気に晒して移動する必要がなく、さらに、乾燥処理時には、処理室の上部開口を開閉自在の蓋部材によって閉塞することにより、処理室を密閉できる。したがって、乾燥処理中であっても処理室の上方で基板の搬送を行うことができ、コンパクト化を図った装置であっても好適に乾燥処理を施すことができる。   According to the substrate cleaning / drying apparatus and the substrate cleaning / drying method according to the present invention, it is not necessary to move the substrate by exposing the substrate to the air outside the processing chamber for the drying process, and the upper opening of the processing chamber is opened and closed during the drying process. By closing with a free lid member, the processing chamber can be sealed. Therefore, the substrate can be transported above the processing chamber even during the drying process, and the drying process can be suitably performed even with a compact device.

以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。
図1は、洗浄乾燥部を備えた基板処理装置の概略構成図を示す平面図である。
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus including a cleaning / drying unit.

この基板処理装置は、例えば、基板Wに対して薬液処理及び洗浄処理並びに乾燥処理を施すための装置であり、占有面積を小さくコンパクト化を図ったものである。基板Wは複数枚(例えば25枚)がカセット1に対して起立姿勢で収納されている。未処理の基板Wを収納したカセット1は、投入部3に載置される。投入部3は、カセット1を載置される載置台5を二つ備えている。基板処理装置の中央部を挟んだ投入部3の反対側には、払出部7が配備されている。この払出部7は、処理済みの基板Wをカセット1に収納してカセット1ごと払い出す。このように機能する払出部7は、投入部3と同様に、カセット1を載置するための二つの載置台9を備えている。   This substrate processing apparatus is, for example, an apparatus for performing a chemical solution process, a cleaning process, and a drying process on the substrate W, and has a small occupation area and a compact size. A plurality of (for example, 25) substrates W are stored in a standing posture with respect to the cassette 1. The cassette 1 storing the unprocessed substrates W is placed on the input unit 3. The input unit 3 includes two mounting tables 5 on which the cassette 1 is mounted. On the opposite side of the loading unit 3 across the center of the substrate processing apparatus, a dispensing unit 7 is provided. The dispensing unit 7 stores the processed substrate W in the cassette 1 and dispenses the cassette 1 together. The payout unit 7 that functions in this manner includes two mounting bases 9 for mounting the cassette 1, similarly to the loading unit 3.

投入部3と払出部7に沿う位置には、これらの間を移動可能に構成された第1搬送機構11が配置されている。第1搬送機構11は、投入部3に載置されたカセット1ごと複数枚の基板Wを第2搬送機構13に対して搬送する。   A first transport mechanism 11 configured to be movable between these is disposed at a position along the input unit 3 and the payout unit 7. The first transport mechanism 11 transports a plurality of substrates W together with the cassette 1 placed on the input unit 3 to the second transport mechanism 13.

第2搬送機構13は、収納されている全ての基板Wをカセット1から取り出した後、第3搬送機構15に対して全ての基板Wを搬送する。また、第3搬送機構15から処理済みの基板Wを受け取った後に、基板Wをカセット1に収容して第1搬送機構11に搬送する。   The second transport mechanism 13 transports all the substrates W to the third transport mechanism 15 after taking out all the stored substrates W from the cassette 1. Further, after receiving the processed substrate W from the third transport mechanism 15, the substrate W is accommodated in the cassette 1 and transported to the first transport mechanism 11.

第3搬送機構15は、基板処理装置の長手方向に向けて移動可能に構成されており、上述した第2搬送機構13との間で基板Wの受け渡しを行う。上記第3搬送機構15の移動方向における手前側には、第1処理部19が配備されている。この第1処理部19は、複数枚の基板Wに対して洗浄処理及び乾燥処理を施すための洗浄乾燥部21を備えているとともに、複数枚の基板Wに対して薬液処理を施すための薬液処理部23を備えている。また、洗浄乾燥部21は、薬液処理も実施可能に構成されている。   The third transport mechanism 15 is configured to be movable in the longitudinal direction of the substrate processing apparatus, and transfers the substrate W to and from the second transport mechanism 13 described above. A first processing unit 19 is provided on the front side in the moving direction of the third transport mechanism 15. The first processing unit 19 includes a cleaning / drying unit 21 for performing a cleaning process and a drying process on a plurality of substrates W, and a chemical solution for performing a chemical process on the plurality of substrates W. A processing unit 23 is provided. Further, the cleaning / drying unit 21 is configured to be able to perform chemical treatment.

第1副搬送機構25は、第1処理部19内での基板搬送の他に、第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡しする。洗浄乾燥部21の上方に位置する非処理位置では、第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡す動作が行なわれる一方、薬液処理部23の上方に位置する非処理位置では基板Wの受け渡しが行なわれない。また、基板Wを処理する際には、洗浄乾燥部21や薬液処理部23の槽内に位置する処理位置にまで下降する。   The first sub transport mechanism 25 delivers the substrate W to and from the third transport mechanism 15 in addition to the substrate transport in the first processing unit 19. At the non-processing position positioned above the cleaning / drying unit 21, an operation of delivering the substrate W to and from the third transport mechanism 15 is performed, while at the non-processing position positioned above the chemical solution processing unit 23, Delivery is not performed. Further, when the substrate W is processed, the substrate W is lowered to a processing position located in the tank of the cleaning / drying unit 21 or the chemical solution processing unit 23.

また、第1処理部19に隣接して、同様の構成を備えた第2処理部27が配備されている。第2処理部27は、洗浄乾燥部29と、薬液処理部31と、第2副搬送機構33とを備えている。   In addition, a second processing unit 27 having a similar configuration is disposed adjacent to the first processing unit 19. The second processing unit 27 includes a cleaning / drying unit 29, a chemical solution processing unit 31, and a second sub-transport mechanism 33.

なお、洗浄乾燥部21,29が本発明における基板洗浄乾燥装置に相当する。   The cleaning / drying units 21 and 29 correspond to the substrate cleaning / drying apparatus of the present invention.

次に、図2を参照して洗浄乾燥部21について説明する。なお、図2は、洗浄乾燥部の概略構成を示した縦断面図である。   Next, the cleaning / drying unit 21 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the cleaning / drying unit.

洗浄乾燥部21は、処理槽35と、この処理槽35を覆うチャンバー37(処理室)を備えている。処理槽35は、処理液を貯留し、基板Wを浸漬して洗浄処理を施すための槽である。チャンバー37は、処理槽35の上方と周囲とに余裕を有して覆うものであり、その上部に基板Wを搬入出するための開口37aを備えている。   The cleaning / drying unit 21 includes a processing tank 35 and a chamber 37 (processing chamber) that covers the processing tank 35. The processing tank 35 is a tank for storing a processing liquid and immersing the substrate W to perform a cleaning process. The chamber 37 covers the processing tank 35 with a margin above and around it, and is provided with an opening 37a for loading and unloading the substrate W thereon.

処理槽35は、内槽39と外槽41を備えている。内槽39は、その底面両側に、処理液を供給する注入管43が設けられている。外槽41は、内槽39の上部開口を側方で囲うように設けられ、内槽39から溢れた処理液を回収して排出する。内槽39の底部中央には開閉自在であって、用途に応じて処理液や気体をチャンバー37の外部に排出する排出口45が形成されている。   The processing tank 35 includes an inner tank 39 and an outer tank 41. The inner tank 39 is provided with injection pipes 43 for supplying a processing liquid on both sides of the bottom surface. The outer tank 41 is provided so as to surround the upper opening of the inner tank 39 laterally, and collects and discharges the processing liquid overflowing from the inner tank 39. In the center of the bottom of the inner tub 39, an opening 45 that can be opened and closed and that discharges the processing liquid and gas to the outside of the chamber 37 is formed according to the application.

なお、排出口45は、後述する乾燥処理時における排気を円滑に行うために、整流板を備えるようにしてもよい。   Note that the discharge port 45 may be provided with a current plate in order to smoothly exhaust air during a drying process described later.

処理槽35の注入管43には、処理液供給管47の一端側が連通接続されている。その他端側には、純水供給源49が連通接続されている。処理液供給管47には、下流側から順に、制御弁51とミキシングバルブ53が取り付けられている。ミキシングバルブ53は、複数種類の薬液供給源に連通した薬液配管が連通接続されており、処理に応じて適宜の薬液を処理液供給配管47に注入する。   One end side of a processing liquid supply pipe 47 is connected to the injection pipe 43 of the processing tank 35 in communication. A pure water supply source 49 is connected in communication with the other end. A control valve 51 and a mixing valve 53 are attached to the processing liquid supply pipe 47 in order from the downstream side. The mixing valve 53 is connected to chemical liquid pipes communicating with a plurality of types of chemical liquid supply sources, and injects appropriate chemical liquids into the processing liquid supply pipe 47 according to processing.

上述した第1副搬送機構25は、背板55と、基板保持部57とを備えている。背板55は板状部材を備え、懸垂姿勢で第1副搬送機構25に取り付けられているとともに、処理槽39の内壁面に沿って昇降自在に構成されている。その下端部正面側には、複数枚の基板Wを起立姿勢で保持するための基板保持部57が長手方向を水平に取り付けられている。   The first sub transport mechanism 25 described above includes a back plate 55 and a substrate holding part 57. The back plate 55 includes a plate-like member, is attached to the first sub-transport mechanism 25 in a suspended posture, and is configured to be movable up and down along the inner wall surface of the processing tank 39. A substrate holding portion 57 for holding a plurality of substrates W in a standing posture is attached horizontally on the front side of the lower end portion.

図3を参照する。なお、図3は、基板保持部57の一部を拡大した縦断面図である。   Please refer to FIG. FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view of a part of the substrate holding part 57.

基板保持部57は、背板55に連結された支持部材59と、支持部材59から基板Wの整列方向に沿って延出された三本の係止部材61とを備えている。係止部材61は、基板Wの厚みよりもやや幅広の係止溝61aと、係止溝61aの間に立設され、基板Wを係止溝61aに案内する突起61bが形成されている。各々の係止溝61aの底面には、基板Wの厚みより小径の吸引穴61cが形成されている。各吸引穴61cは、係止部材61の長手方向に形成された吸引通路61dに連通している。なお、係止部材61の材料としては、例えば、PEEK(ポリ・エーテル・エーテル・ケトン)が挙げられる。   The substrate holding part 57 includes a support member 59 connected to the back plate 55 and three locking members 61 extending from the support member 59 along the alignment direction of the substrates W. The locking member 61 is erected between a locking groove 61a that is slightly wider than the thickness of the substrate W, and a protrusion 61b that guides the substrate W to the locking groove 61a. A suction hole 61c having a smaller diameter than the thickness of the substrate W is formed on the bottom surface of each locking groove 61a. Each suction hole 61 c communicates with a suction passage 61 d formed in the longitudinal direction of the locking member 61. In addition, as a material of the latching member 61, PEEK (poly ether ether ether ketone) is mentioned, for example.

支持部材59は、係止部材61の基端部に連結されており、吸引通路61dに連通した通路59aが形成されている。この通路59aは、処理槽39及びチャンバー37の外部に延出された配管を通して吸引源(図示省略)に連通されている。   The support member 59 is connected to the proximal end portion of the locking member 61, and a passage 59a communicating with the suction passage 61d is formed. The passage 59 a communicates with a suction source (not shown) through a pipe extending outside the processing tank 39 and the chamber 37.

図2に戻る。
チャンバー37の開口37a下部の両側には、チャンバー37の内容積を小さくし、かつ乾燥用のエアの流れを整え、基板Wにできるだけ近い位置を気流が流下するように調整するための垂直整流板63が取り付けられている。また、図示省略しているが、基板保持部57の下方にあたる排出口45には、内槽39を流下してきたエアの流れを整えて排気するための水平整流板を取り付けるのが好ましい。
Returning to FIG.
On both sides of the lower portion of the opening 37a of the chamber 37, a vertical rectifying plate for reducing the internal volume of the chamber 37, adjusting the flow of drying air, and adjusting the air flow to flow as close as possible to the substrate W 63 is attached. Although not shown, it is preferable that a horizontal rectifying plate for adjusting and exhausting the air flow flowing down the inner tank 39 is attached to the discharge port 45 below the substrate holding portion 57.

洗浄乾燥部21は、チャンバー37の上部に開閉自在の蓋部材65を備えている。この蓋部材65は、水平軸P周りに開閉自在に構成されている。チャンバー37に接する部分には当接板材67を備え、そこに形成された開口からなる供給口67aを囲うように、カバー部69が取り付けられている。カバー部69の空洞部69aにはフィルタ71が取り付けられている。このフィルタ71としては、例えば、ULPAフィルタやケミカルフィルタが好ましい。ULPAフィルタであれば微細なパーティクルを除去でき、ケミカルフィルタであれば有機物・アニオン・カチオンなどの除去が可能となる。また、カバー部69の一側面には、空洞部69aにエアを導入するための配管69bが取り付けられている。   The cleaning / drying unit 21 includes an openable / closable lid member 65 at the top of the chamber 37. The lid member 65 is configured to be openable and closable around the horizontal axis P. A contact plate material 67 is provided at a portion in contact with the chamber 37, and a cover portion 69 is attached so as to surround a supply port 67a formed of an opening formed therein. A filter 71 is attached to the hollow portion 69 a of the cover portion 69. For example, a ULPA filter or a chemical filter is preferable as the filter 71. Fine particles can be removed with the ULPA filter, and organic substances, anions, and cations can be removed with the chemical filter. A pipe 69b for introducing air into the cavity 69a is attached to one side of the cover 69.

配管69bにはベローズ配管69cの一端側が取り付けられ、その他端側には配管69dが取り付けられている。この配管69dには、主配管73が連通接続されており、主配管73はドライエア供給源75に接続されている。また、主配管73には、開閉弁77が取り付けられている。開閉弁77とドライエア供給源75の間では、主配管73が排気管79に分岐され、そこに開閉弁83が取り付けられている。   One end of a bellows pipe 69c is attached to the pipe 69b, and a pipe 69d is attached to the other end. A main pipe 73 is connected to the pipe 69d, and the main pipe 73 is connected to a dry air supply source 75. An open / close valve 77 is attached to the main pipe 73. Between the on-off valve 77 and the dry air supply source 75, a main pipe 73 is branched into an exhaust pipe 79, and an on-off valve 83 is attached thereto.

チャンバー37は、その上部かつ蓋部材65の下方であって、基板Wの搬入出経路を挟んで対向する側面の位置に、供給口85と排気口87を備えている。供給口85には、上述した主配管73の開閉弁77と分岐管79の間で主配管73から分岐した分岐管88が連通接続されている。この分岐管88には、開閉弁89が取り付けられている。開閉弁89が開放された際には、供給口85から流入したエアが排気口87を通してチャンバー37から排気されるようになっている。   The chamber 37 includes a supply port 85 and an exhaust port 87 at an upper portion thereof and below the lid member 65 and on the side surface facing the substrate W loading / unloading path. A branch pipe 88 branched from the main pipe 73 is connected to the supply port 85 between the on-off valve 77 and the branch pipe 79 of the main pipe 73 described above. An opening / closing valve 89 is attached to the branch pipe 88. When the on-off valve 89 is opened, air flowing from the supply port 85 is exhausted from the chamber 37 through the exhaust port 87.

次に、図4を参照してドライエア供給源75について説明する。なお、図4は、ドライエア供給源の動作説明図である。   Next, the dry air supply source 75 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram of the operation of the dry air supply source.

ドライエア供給源75は、基板処理装置の洗浄乾燥部21と連携して動作する。具体的には、その運転信号に応じて動作し、異常が発生した場合には洗浄乾燥部21に対して総合異常信号を出力する。なお、ドライエア供給源75は、クリーンルームのエアの露点(例えば相対湿度40%の6,7℃)以下の湿度であって、露点が−20℃以下、より好ましくは−60℃以下のエアを生成するのが好ましい。特に、半導体デバイスのクリティカルな用途では、より高い清浄度が求められるので上記エアが好適である。クリティカルな用途とは、例えば、ゲート酸化膜前洗浄やゲート絶縁膜堆積(CVD)前洗浄後の乾燥のことである。   The dry air supply source 75 operates in cooperation with the cleaning / drying unit 21 of the substrate processing apparatus. Specifically, the operation is performed according to the operation signal, and when an abnormality occurs, a comprehensive abnormality signal is output to the cleaning / drying unit 21. The dry air supply source 75 generates a clean room air having a dew point (eg, 6%, 7 ° C. with a relative humidity of 40%) or lower and a dew point of −20 ° C. or less, more preferably −60 ° C. or less. It is preferable to do this. In particular, in the critical application of a semiconductor device, since the higher cleanliness is calculated | required, the said air is suitable. The critical application is, for example, drying after gate oxide film pre-cleaning or gate insulating film deposition (CVD) pre-cleaning.

運転信号がオフ、つまりスタンバイ時には、開閉弁77,89は閉止され、開閉弁83は開放され、図中に二点鎖線で示すようにドライエアが供給される。
すなわち、ドライエア供給源75はクリーンルーム大気を吸気し、除湿してドライエアを生成するとともに、除湿剤再生エアを生成する。これらの割合は、ほぼ半分ずつである。そして、ドライエアを主配管73に供給しつつ、除湿剤再生用に利用したエアは水分を含むので、それを熱排気(例えば80℃)として排気している。ドライエアは、排気管79を通して排気されている。
When the operation signal is off, that is, in standby, the on-off valves 77 and 89 are closed, the on-off valve 83 is opened, and dry air is supplied as shown by a two-dot chain line in the figure.
That is, the dry air supply source 75 draws in the clean room atmosphere and dehumidifies to generate dry air, and also generates dehumidifying agent regeneration air. These ratios are approximately half each. And while supplying dry air to the main piping 73, since the air utilized for dehumidifying agent reproduction | regeneration contains a water | moisture content, it is exhausted as heat exhaustion (for example, 80 degreeC). Dry air is exhausted through the exhaust pipe 79.

なお、洗浄乾燥部21の初期状態や洗浄処理の終了前では、開閉弁77が開放され、閉止された蓋部材65からチャンバー37内にドライエアを供給し、内部を乾燥状態に維持している。つまり、吸引口61cからの吸引を行わないで、以下のような運転状態に近い動作を行っている。   In the initial state of the cleaning / drying unit 21 and before the end of the cleaning process, the on-off valve 77 is opened, and dry air is supplied into the chamber 37 from the closed lid member 65 to keep the inside in a dry state. That is, the operation close to the following operation state is performed without performing the suction from the suction port 61c.

運転信号がオン、つまり、基板Wの搬入出時や乾燥処理時には、開閉弁77又は開閉弁89が開放されるとともに、開閉弁83が閉止される。これにより排気管79を通して排気されていたドライエアが供給され、チャンバー37の上部にエアカーテンを形成したり、基板保持部57に載置された基板Wにドライエアを供給したりする。   When the operation signal is on, that is, when the substrate W is carried in / out or during the drying process, the on-off valve 77 or the on-off valve 89 is opened and the on-off valve 83 is closed. As a result, the dry air exhausted through the exhaust pipe 79 is supplied, and an air curtain is formed on the upper portion of the chamber 37, or the dry air is supplied to the substrate W placed on the substrate holder 57.

次に、図5から図7を参照して、上述した洗浄乾燥部21の動作について説明する。なお、図5は基板の搬入時における動作説明図であり、図6は洗浄処理時における動作説明図であり、図7は基板の乾燥処理時における動作説明図である。   Next, the operation of the cleaning / drying unit 21 described above will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a diagram for explaining the operation during loading of the substrate, FIG. 6 is a diagram for explaining the operation during the cleaning process, and FIG. 7 is a diagram for explaining the operation during the drying process of the substrate.

ここで、第1副搬送機構25は、例えば、第1処理部19の薬液処理部23で所定の薬液処理を終えた複数枚の基板Wを保持したまま、図5に示すように第1処理部19の洗浄乾燥部21の上方あたる非処理位置に移動しているものとする。さらに、蓋部材65が開放され、チャンバー37の開口37aが開放されているものとする。また、蓋部材37が開放されるのとほぼ同時に、開閉弁83を閉止するとともに開閉弁89を開放する。これによりチャンバー37の上部にドライエアによるエアカーテンが形成され、蓋部材65の開閉時に発生するパーティクルや、クリーンルーム内に浮遊している湿度の高い気体、パーティクル等がチャンバー37内に流れ込むことを防止できる。したがって、以下の洗浄・乾燥処理をより清浄に施すことができる。なお、図5では、開放されている蓋部材65により第1副搬送機構25が薬液処理部23から洗浄乾燥部21側に移動できないように見えるが、第1副搬送機構25は開放された蓋部材65の上方を通過して非処理位置にまで基板Wを移動させている。   Here, for example, the first sub transport mechanism 25 holds the plurality of substrates W that have been subjected to the predetermined chemical processing in the chemical processing unit 23 of the first processing unit 19 as shown in FIG. It is assumed that it has moved to a non-processing position above the cleaning / drying unit 21 of the unit 19. Further, it is assumed that the lid member 65 is opened and the opening 37a of the chamber 37 is opened. At the same time when the lid member 37 is opened, the on-off valve 83 is closed and the on-off valve 89 is opened. As a result, an air curtain made of dry air is formed on the upper portion of the chamber 37, and particles generated when the lid member 65 is opened and closed, high-humidity gas floating in the clean room, particles, and the like can be prevented from flowing into the chamber 37. . Accordingly, the following cleaning / drying process can be performed more cleanly. In FIG. 5, it appears that the first sub-transport mechanism 25 cannot be moved from the chemical treatment unit 23 to the cleaning / drying unit 21 side by the opened lid member 65, but the first sub-transport mechanism 25 is opened. The substrate W is moved to the non-processing position by passing over the member 65.

また、制御弁51が開放されて所定の流量で純水供給源49から純水が供給され、注入管43を介して処理槽35の内槽39に処理液として供給されているものとする。この例では、洗浄乾燥部29における処理は純水洗浄だけとするが、例えば、ミキシングバルブ53を介して薬液を純水に混合し、薬液を含む処理液による処理を純水による洗浄処理の前に行うようにしてもよい。   In addition, it is assumed that the control valve 51 is opened, pure water is supplied from a pure water supply source 49 at a predetermined flow rate, and is supplied as a processing liquid to the inner tank 39 of the processing tank 35 via the injection pipe 43. In this example, the processing in the cleaning / drying unit 29 is only pure water cleaning. For example, the chemical liquid is mixed with pure water via the mixing valve 53, and the processing with the processing liquid containing the chemical liquid is performed before the cleaning processing with pure water. You may make it carry out.

基板Wを受け取っている第1副搬送機構25は、図5及び図6に示すように、エアカーテンを通過させてこれらの基板Wを洗浄乾燥部21の処理槽35内に搬入する。具体的には、基板Wを内槽39内の処理位置に下降させ、図6に示すように第1副搬送機構25はその位置を維持する。基板Wが処理位置に達すると、蓋部材65を閉止してチャンバー37内を閉塞する。蓋部材65が閉止されると、制御弁77,89を閉止し、制御弁83を開放して、チャンバー37内へのドライエア供給を停止する。そして、この状態を所定時間だけ維持して、基板Wに対して洗浄処理を施す。   As shown in FIGS. 5 and 6, the first sub transport mechanism 25 that has received the substrate W passes the air curtain and carries the substrate W into the processing tank 35 of the cleaning / drying unit 21. Specifically, the substrate W is lowered to the processing position in the inner tank 39, and the first sub transport mechanism 25 maintains the position as shown in FIG. When the substrate W reaches the processing position, the lid member 65 is closed to close the chamber 37. When the lid member 65 is closed, the control valves 77 and 89 are closed, the control valve 83 is opened, and the supply of dry air into the chamber 37 is stopped. Then, this state is maintained for a predetermined time, and the substrate W is subjected to a cleaning process.

所定時間に達すると、制御弁51を閉止して処理槽35に対する処理液の供給を停止するとともに、排出口45を開放する。これにより内槽39に貯留していた処理液が排出され、基板Wに対する洗浄処理が完了する。   When the predetermined time is reached, the control valve 51 is closed to stop the supply of the processing liquid to the processing tank 35 and the discharge port 45 is opened. As a result, the processing liquid stored in the inner tank 39 is discharged, and the cleaning process for the substrate W is completed.

洗浄液の排出完了とともに、制御弁77を開放し、さらに基板保持部57に対する吸引源による吸引を開始する。これにより、図7に示すように、蓋部材65の下面から下方に向けて、清浄なドライエアが供給されて基板Wに対して乾燥処理が施される。ドライエアは、垂直整流板63に沿って流下するとともに、基板Wの周囲を流下し、内槽39を経て排出口45から排出される。したがって、基板Wは、蓋部材65の下面から供給されるドライエアの蒸発効果と、基板保持部57の吸引穴61cによる吸引効果との相乗効果により、数十秒程度(例えば30秒未満)という短時間で迅速かつ完全に乾燥される。   When the cleaning liquid is completely discharged, the control valve 77 is opened, and suction by the suction source to the substrate holder 57 is started. As a result, as shown in FIG. 7, clean dry air is supplied downward from the lower surface of the lid member 65, so that the substrate W is dried. The dry air flows down along the vertical rectifying plate 63, flows down around the substrate W, and is discharged from the discharge port 45 through the inner tank 39. Therefore, the substrate W has a short effect of about several tens of seconds (for example, less than 30 seconds) due to the synergistic effect of the evaporation effect of the dry air supplied from the lower surface of the lid member 65 and the suction effect of the suction hole 61c of the substrate holding portion 57. Dry quickly and completely in time.

上記の乾燥処理を所定時間施した後、制御弁77を閉止するとともに、制御弁89を開放し、蓋部材65を開放する。そして、第1副搬送機構25を動作させて基板保持部57を処理位置から非処理位置にまで移動させる。その後、第1副搬送機構25から第3搬送機構15に洗浄乾燥処理を施した基板Wを移載し、第2搬送機構13、第1搬送機構11を介して基板Wを収納したカセット1が載置台9に載置される。   After performing the drying process for a predetermined time, the control valve 77 is closed, the control valve 89 is opened, and the lid member 65 is opened. Then, the first sub transport mechanism 25 is operated to move the substrate holder 57 from the processing position to the non-processing position. Thereafter, the cassette 1 in which the substrate W that has been subjected to the cleaning and drying process is transferred from the first sub-transport mechanism 25 to the third transport mechanism 15 and the substrate W is stored via the second transport mechanism 13 and the first transport mechanism 11. It is mounted on the mounting table 9.

このように乾燥処理を洗浄処理と同じチャンバー37内で実施するので、乾燥処理のために基板Wをチャンバー37外の空気に晒して移動する必要がない。さらに、処理槽35による洗浄処理の後の乾燥処理時には、チャンバー37の上部開口37aを蓋部材65によって閉塞することにより、チャンバー37を密閉することができる。したがって、乾燥処理中であってもチャンバー37の上方で基板Wの搬送を行うことができ、好適に乾燥処理を行うことができる。   Thus, since the drying process is performed in the same chamber 37 as the cleaning process, it is not necessary to move the substrate W by exposing it to the air outside the chamber 37 for the drying process. Further, during the drying process after the cleaning process by the processing tank 35, the chamber 37 can be sealed by closing the upper opening 37 a of the chamber 37 with the lid member 65. Therefore, the substrate W can be transported above the chamber 37 even during the drying process, and the drying process can be suitably performed.

なお、本実施例1は、洗浄処理に用いた処理液を処理槽35から排出し、その後、吸引穴61cから吸引を行いつつ乾燥処理を施すので、基板Wを昇降させる必要が無く迅速に乾燥処理に移行することができる。   In the first embodiment, the processing liquid used for the cleaning process is discharged from the processing tank 35, and then the drying process is performed while suctioning from the suction hole 61c. You can move on to processing.

また、上記の処理では、吸引穴61cは基板保持部57を処理槽35内の処理位置に維持したまま吸引したが、処理液を処理槽35から排出することなく処理槽35上方に基板保持部57を上昇させた状態で吸引穴61cによる吸引及び蓋部材65の下面からのドライエアの供給を行って乾燥させるようにしてもよい。   In the above processing, the suction hole 61c sucks the substrate holding portion 57 while maintaining the processing position in the processing bath 35, but the substrate holding portion is disposed above the processing bath 35 without discharging the processing liquid from the processing bath 35. In the state where 57 is raised, suction may be performed by the suction hole 61c and dry air may be supplied from the lower surface of the lid member 65 so as to be dried.

さらに、昇降自在の基板保持部57とは別体で処理槽35内に固定保持部を設け、処理液の排出後に固定保持部で吸引を行うようにしてもよい。つまり、基板保持部57は基板の搬送だけに専念する形態であってもよい。   Furthermore, a fixed holding part may be provided in the processing tank 35 separately from the substrate holder 57 that can be raised and lowered, and suction may be performed by the fixed holding part after the processing liquid is discharged. In other words, the substrate holding unit 57 may be dedicated to the conveyance of the substrate.

次に、上述した洗浄乾燥部21が備えている基板保持部57の実施形態について図8を参照して説明する。なお、図8は、基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。   Next, an embodiment of the substrate holding unit 57 provided in the above-described cleaning / drying unit 21 will be described with reference to FIG. 8A and 8B are partially enlarged views of the substrate holding portion, where FIG. 8A is a plan view, FIG. 8B is a side view, and FIG. 8C is a longitudinal sectional view as viewed from the front.

係止部材61は、基板Wの厚みよりもやや幅広の係止溝61aの間隔(基板Wの支持ピッチ)をおいて立設された複数個の突起61bを有する。突起61bは、例えば、図8(b)に示すように、基板Wの整列方向における形状が三角形状を呈し、基板Wの整列方向に面した各傾斜面で基板Wを係止溝61aに案内する。係止溝61aには、吸引穴61cが形成されている。各吸引穴61cは、図8(a)に示すように、平面視で基板Wの外周に沿った方向に長径を有する長穴に形成されており、係止部材61の長手方向に形成された吸引通路61dに連通している。   The locking member 61 has a plurality of protrusions 61b that are erected with an interval between the locking grooves 61a that is slightly wider than the thickness of the substrate W (support pitch of the substrate W). For example, as shown in FIG. 8B, the protrusion 61 b has a triangular shape in the alignment direction of the substrate W, and guides the substrate W to the locking groove 61 a with each inclined surface facing the alignment direction of the substrate W. To do. A suction hole 61c is formed in the locking groove 61a. As shown in FIG. 8A, each suction hole 61 c is formed in a long hole having a long diameter in the direction along the outer periphery of the substrate W in a plan view, and is formed in the longitudinal direction of the locking member 61. It communicates with the suction passage 61d.

なお、吸引穴61cの短径は、従来例における丸穴の径と同等である。上記の吸引通路61dは、外部に延出された配管を通して吸引源に連通されている。また、複数個の突起61bの厚みは、図示の関係上、係止溝61aに対する比率において実際のものとは相違する。具体的には、係止溝61aがより近接する程度に薄いものである。   The short diameter of the suction hole 61c is equal to the diameter of the round hole in the conventional example. The suction passage 61d communicates with a suction source through a pipe extending to the outside. Further, the thickness of the plurality of protrusions 61b differs from the actual thickness in the ratio to the locking groove 61a because of the illustrated relationship. Specifically, it is thin enough that the locking groove 61a is closer.

このような構成とすると、図9に示すように、平面視で長穴形状を呈する吸引穴61cの形状が、基板Wの外周に沿った方向に実質的に拡げられた形状をしているので、乾燥処理時には、従来例における丸穴PRの斜め上方に位置する、基板W下縁部の両外側にあたる部分(図9中の点線で囲った領域R)であっても吸引が行われ、十分に乾燥用の気体が流下する。したがって、その部分の乾燥も十分に早く、液残りを防止することができてシミの発生を防止することができる。   With such a configuration, as shown in FIG. 9, the shape of the suction hole 61 c, which has a long hole shape in a plan view, is substantially widened in the direction along the outer periphery of the substrate W. At the time of the drying process, suction is performed even on the portions (region R surrounded by the dotted line in FIG. 9) located on both outer sides of the lower edge portion of the substrate W, which is located obliquely above the round hole PR in the conventional example. The drying gas flows down. Therefore, the portion can be dried quickly enough to prevent liquid residue and the occurrence of spots.

換言すると、吸引穴61cを長穴にしたことにより、基板Wを当接保持することになる吸引穴61cの外周は、単なる丸穴に比較して、基板Wの円周方向に対して係止部材61の中心部から見てそれぞれ両外側に移動する。これにより、係止部材61の係止溝61aの上面外周部と基板Wの下円弧部分で挟まれる角度θ(図8(c)に示す)が大きくなる。したがって、この部分で純水の液滴が保持されにくく、若しくは保持する液滴の大きさが小さくなる。また、角度θが大きくなることに伴い、ここから吸引穴61cに向かう除湿エアの流れが生じやすくなる。これらの両効果によって、より乾燥が促進できる。   In other words, since the suction hole 61c is a long hole, the outer periphery of the suction hole 61c that contacts and holds the substrate W is locked in the circumferential direction of the substrate W compared to a simple round hole. When viewed from the center of the member 61, they move to both outer sides. As a result, the angle θ (shown in FIG. 8C) between the outer peripheral portion of the upper surface of the locking groove 61a of the locking member 61 and the lower circular arc portion of the substrate W is increased. Accordingly, it is difficult to hold the pure water droplets in this portion, or the size of the held droplets is reduced. Further, as the angle θ increases, the flow of dehumidified air from here toward the suction hole 61c is likely to occur. Both of these effects can further promote drying.

次に、基板保持部57の他の実施形態について図10を参照して説明する。なお、図10は、基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。   Next, another embodiment of the substrate holding portion 57 will be described with reference to FIG. 10A and 10B are partially enlarged views of the substrate holding portion, where FIG. 10A is a plan view, FIG. 10B is a side view, and FIG. 10C is a longitudinal sectional view as viewed from the front.

この実施形態における吸引穴61cは、基板Wの外周に沿った方向に沿って形成された二つの小径穴61c1,61c2で構成されている。これらの小径穴61c1,61c2は、従来例にある単なる丸穴と同等の径を有する。   The suction hole 61c in this embodiment includes two small-diameter holes 61c1 and 61c2 formed along the direction along the outer periphery of the substrate W. These small-diameter holes 61c1 and 61c2 have the same diameter as a simple round hole in the conventional example.

この場合、図11に示すように、吸引穴61cの形状が、基板Wの外周に沿った方向に実質的に拡げられた形状をしているので、丸穴の斜め上方に位置する、基板W下縁部の両外側にあたる部分(図11中の点線で囲った領域R)であっても吸引が行われ、十分に乾燥用の気体が流下する。したがって、その部分の乾燥も十分に早く、液残りを防止することができてシミの発生を防止することができる。   In this case, as shown in FIG. 11, since the shape of the suction hole 61c is substantially widened in the direction along the outer periphery of the substrate W, the substrate W positioned obliquely above the round hole. Suction is performed even in portions corresponding to both outer sides of the lower edge (region R surrounded by a dotted line in FIG. 11), and the drying gas sufficiently flows down. Therefore, the portion can be dried quickly enough to prevent liquid residue and the occurrence of spots.

換言すると、吸引穴61cを二つの小径穴61c1,61c2で構成したことにより、基板Wは二つの小径穴61c1,61c2の間にあたる係止溝61aによって当接保持される。したがって、この部分に溜まる液滴は、両側の小径穴61c1,61c2に流入する除湿エアで容易に乾燥する。また、係止部材61の係止溝61aの上面外周部と基板Wの下円弧部分で挟まれる角度θ(図10(c)に示す)が大きくなる。したがって、この部分で純水の液滴が保持されにくく、若しくは保持する液滴の大きさが小さくなる。角度θが大きくなることに伴い、ここから吸引穴61cに向かう除湿エアの流れが生じやすくなる。これらの両効果により、従来例に比較して乾燥が促進できる。   In other words, since the suction hole 61c is composed of the two small diameter holes 61c1 and 61c2, the substrate W is held in contact with and held by the locking groove 61a between the two small diameter holes 61c1 and 61c2. Accordingly, the liquid droplets accumulated in this portion are easily dried by the dehumidified air flowing into the small-diameter holes 61c1 and 61c2 on both sides. Further, the angle θ (shown in FIG. 10C) between the outer peripheral portion of the upper surface of the locking groove 61a of the locking member 61 and the lower circular arc portion of the substrate W is increased. Accordingly, it is difficult to hold the pure water droplets in this portion, or the size of the held droplets is reduced. As the angle θ increases, the flow of dehumidified air from here toward the suction hole 61c is likely to occur. Due to these two effects, drying can be promoted as compared with the conventional example.

また、本実施形態は、従来とほぼ同じ径の小径穴61c1,61c2を二つ形成すればよく、加工が容易にできる利点がある。   In addition, the present embodiment has an advantage that the processing can be easily performed by forming two small-diameter holes 61c1 and 61c2 having substantially the same diameter as the conventional one.

次に、基板保持部57の他の実施形態について図12を参照して説明する。なお、図12は、基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。   Next, another embodiment of the substrate holding portion 57 will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a partially enlarged view of the substrate holding part, where (a) is a plan view, (b) is a side view, and (c) is a longitudinal sectional view as seen from the front.

本実施例における吸引穴61cは、基板Wの外周に沿った方向に長径を有する長穴61c3と、平面視ほぼ円形状の丸穴61c4とを、平面視で互いの中心がほぼ一致するように重ねて形成してなる複合穴から構成されている。なお、丸穴61c4は、従来例にある単なる丸穴と同等の径を有する。   The suction hole 61c in the present embodiment has an elongated hole 61c3 having a long diameter in a direction along the outer periphery of the substrate W and a round hole 61c4 having a substantially circular shape in plan view so that the centers thereof are substantially coincided with each other in plan view. It consists of a composite hole formed by overlapping. The round hole 61c4 has a diameter equivalent to that of a simple round hole in the conventional example.

この場合も、図13に示すように、吸引穴61cの形状が、基板Wの外周に沿った方向に実質的に拡げられた形状をしているので、図13中の点線で囲った領域Rであっても吸引が行われ、十分に乾燥用の気体が流下する。したがって、上述した各実施形態と同様に、液残りを防止することができてシミの発生を防止できる。   Also in this case, as shown in FIG. 13, since the shape of the suction hole 61c is substantially widened in the direction along the outer periphery of the substrate W, the region R surrounded by the dotted line in FIG. Even so, suction is performed and the gas for drying flows down sufficiently. Therefore, as in the above-described embodiments, liquid residue can be prevented and the occurrence of spots can be prevented.

換言すると、吸引穴61cを複合穴にしたことにより、基板Wを当接保持することになる吸引穴61cの外周は、従来例に比較し、基板Wの円周方向に対して係止部材61の中心部から見て両外側に移動する。これにより、係止部材61の係止溝61aの上面外周部と基板Wの下円弧部分で挟まれる角度θ(図12(c)に示す)が大きくなる。したがって、この部分で純水の液滴が保持されにくく、若しくは保持する液滴の大きさが小さくなる。また、角度θが大きくなることに伴い、ここから吸引穴61cに向かう除湿エアの流れが生じやすくなる。これらの両効果により、従来例にある単なる丸穴に比較して乾燥が促進できる。   In other words, since the suction hole 61c is a composite hole, the outer periphery of the suction hole 61c, which holds the substrate W in contact, has a locking member 61 with respect to the circumferential direction of the substrate W compared to the conventional example. Move to both outsides as seen from the center of the. As a result, the angle θ (shown in FIG. 12C) between the outer peripheral portion of the upper surface of the locking groove 61a of the locking member 61 and the lower circular arc portion of the substrate W increases. Accordingly, it is difficult to hold the pure water droplets in this portion, or the size of the held droplets is reduced. Further, as the angle θ increases, the flow of dehumidified air from here toward the suction hole 61c is likely to occur. Due to both of these effects, drying can be promoted as compared with a simple round hole in the conventional example.

なお、この吸引穴61cは、上述した実施形態のように長穴61c3を形成した後に、丸穴61c4を形成すればよく、加工が比較的容易であるという利点がある。   Note that the suction hole 61c has an advantage that the round hole 61c4 may be formed after the elongated hole 61c3 is formed as in the above-described embodiment, and the processing is relatively easy.

次に、基板保持部57の他の実施形態について図14〜図16を参照して説明する。なお、図14は、基板保持部を横方向から見た一部拡大縦断面図であり、図15は基板保持部を正面から見た一部拡大縦断面図であり、図16は基板保持部の一部を拡大した斜視図である。   Next, another embodiment of the substrate holding portion 57 will be described with reference to FIGS. 14 is a partially enlarged longitudinal sectional view of the substrate holding part as seen from the lateral direction, FIG. 15 is a partially enlarged longitudinal sectional view of the substrate holding part as seen from the front, and FIG. 16 is a substrate holding part. It is the perspective view which expanded a part of.

係止部材61の上部、つまり凹溝61eには、多孔質部材93が埋設されている(ポーラス部材とも呼ばれる)。このように吸引穴61cの上部に多孔質部材93を配していることから基板Wの端縁がはまり込むことがないので、図15に示すように、基板Wの外周に沿った方向に吸引穴61cの長さを従来よりも長くすることができる。   A porous member 93 is embedded in the upper portion of the locking member 61, that is, in the concave groove 61e (also called a porous member). Since the porous member 93 is arranged above the suction hole 61c in this way, the edge of the substrate W does not get stuck, so that suction is performed in the direction along the outer periphery of the substrate W as shown in FIG. The length of the hole 61c can be made longer than before.

なお、ここにおける多孔質部材93は、その目的から、いわゆる独立気泡型のものではなく、通気性がある、いわゆる連続気泡型であることが必須である。例えば、多孔質部材93としては、多孔質SiC、発泡樹脂(発泡ポリウレタンなど)が挙げられる。   In addition, the porous member 93 here is not what is called a closed-cell type but the essential thing that is what is called an open-cell type which has air permeability from the objective. For example, examples of the porous member 93 include porous SiC and foamed resin (such as foamed polyurethane).

このような構成によると、図17に示すように、基板Wの外周に沿った方向に従来の吸引孔PRよりも長く形成されている吸引穴61c及び多孔質部材93を通して吸引するので、従来例であれば、水滴の残る箇所からも効果的に水滴を吸引できる。また、従来例のように一つの吸引穴PRから直接的に吸引するよりも基板Wの外周に沿った方向に広く分散して除湿エアを吸引することができる。   According to such a configuration, as shown in FIG. 17, the suction is performed through the suction hole 61c and the porous member 93 which are formed in the direction along the outer periphery of the substrate W longer than the conventional suction hole PR. If so, the water droplets can be effectively sucked from the portions where the water droplets remain. Further, the dehumidified air can be sucked by being widely dispersed in the direction along the outer periphery of the substrate W, rather than sucking directly from one suction hole PR as in the conventional example.

したがって、吸引穴61cの直上に位置する基板Wの下縁部だけでなく、その両外側に位置する基板Wの円弧部分(図17中に点線で示す領域R)においても水滴を吸引でき、また除湿エアを十分に吸引させることができる。その結果、基板Wの下縁の両外側(R)をも十分に乾燥させることができ、液残りに起因するシミの発生を防止することができる。   Therefore, water droplets can be sucked not only at the lower edge portion of the substrate W positioned directly above the suction hole 61c but also at the arc portions of the substrate W positioned at both outer sides thereof (region R indicated by a dotted line in FIG. 17). Dehumidified air can be sufficiently sucked. As a result, both outer sides (R) of the lower edge of the substrate W can be sufficiently dried, and the occurrence of spots due to the remaining liquid can be prevented.

なお、上記の基板保持部57を図18に示すような形態で実施してもよい。
ここで図18は、その他の実施例を示し、基板保持部の一部を正面から見た縦断面図である。
In addition, you may implement said board | substrate holding part 57 in a form as shown in FIG.
Here, FIG. 18 shows another embodiment and is a longitudinal sectional view of a part of the substrate holding part as seen from the front.

すなわち、基板保持部57の係止部材61の上部に多孔質部材93Aを備える。この多孔質部材93Aは、縦断面が上向きの半円形状に形成されており、その円弧部分の上面に多孔膜95が被着されている。   That is, the porous member 93 </ b> A is provided on the upper portion of the locking member 61 of the substrate holding portion 57. The porous member 93A is formed in a semicircular shape with a longitudinal section facing upward, and a porous film 95 is attached to the upper surface of the arc portion.

この多孔質部材93Aとしては、例えば、通気性を有するSiC、アルミナ、多孔質セラミックス、焼結石英、焼結金属などが例示される。これらは一般に基板Wよりも硬度が高いので、基板Wの端縁に傷が生じたりする恐れがある。そこで、その表面に多孔膜95を被着することにより、傷等が生じるのを防止することができる。   Examples of the porous member 93A include air-permeable SiC, alumina, porous ceramics, sintered quartz, and sintered metal. Since these are generally harder than the substrate W, there is a possibility that the edge of the substrate W may be damaged. Therefore, by attaching the porous film 95 to the surface, it is possible to prevent the occurrence of scratches and the like.

多孔膜95としては、弾性を有して基板Wの損傷を防止できる樹脂等の被膜が好ましく、具体的にはポリイミド樹脂の被膜が例示される。形成方法としては、例えば、ポリイミド樹脂を多孔質部材93Aの上面に被着した後、フォトレジスト被膜をその上に被着し、多孔のマスクパターンを形成した後にポリイミド樹脂をエッチングして多孔膜95を形成する。   The porous film 95 is preferably a film of resin or the like that has elasticity and can prevent damage to the substrate W, and specifically, a film of polyimide resin is exemplified. As a forming method, for example, after a polyimide resin is deposited on the upper surface of the porous member 93A, a photoresist film is deposited thereon, and after forming a porous mask pattern, the polyimide resin is etched to form a porous film 95. Form.

また、電着によって形成すれば、多孔質部材93Aの孔部分以外に樹脂等を被着することができ、少ない工程で多孔膜95を形成することが可能である。   Further, if it is formed by electrodeposition, it is possible to deposit a resin or the like other than the hole portion of the porous member 93A, and the porous film 95 can be formed with a small number of steps.

上記のような形態であっても、吸引穴61cの直上に位置する基板Wの下縁部だけでなく、その両外側に位置する基板Wの円弧部分R(図18中に示す点線の領域)においても水滴を吸引でき、また除湿エアを十分に吸引させることができる。したがって、既に詳述した実施形態と同様の作用・効果を奏する。しかも、多孔質部材93Aが上向き円弧状の断面形状を有するので、点接触とすることができ、先に詳述した実施形態に比較して基板Wの下縁と接触する面積を少なくすることができる。   Even in the above-described form, not only the lower edge portion of the substrate W positioned directly above the suction hole 61c but also the arc portion R of the substrate W positioned on both outer sides thereof (dotted line region shown in FIG. 18). In this case, water drops can be sucked and dehumidified air can be sucked sufficiently. Therefore, the same operation and effect as the embodiment described in detail are obtained. Moreover, since the porous member 93A has an upward arc-shaped cross-sectional shape, it can be point-contacted, and the area in contact with the lower edge of the substrate W can be reduced compared to the embodiment described in detail above. it can.

次に、図19〜21を参照してこの発明の実施例2を説明する。
図19は実施例2に係る洗浄乾燥部の概略構成を示した縦断面図であり、図20は移載及び乾燥処理時の動作説明図である。なお、上記実施例1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 19 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning / drying unit according to the second embodiment, and FIG. 20 is an explanatory diagram of operations during transfer and drying processing. In addition, about the same structure as the said Example 1, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.

本実施例装置は、上記の構成に加え、中間チャック機構97と、側方供給ノズル99と、側方排気口101と、IPA供給ノズル103とを備えている。但し、基板保持部57の吸引に係る機構は備えていない。   In addition to the above-described configuration, the apparatus according to the present embodiment includes an intermediate chuck mechanism 97, a side supply nozzle 99, a side exhaust port 101, and an IPA supply nozzle 103. However, a mechanism for sucking the substrate holding portion 57 is not provided.

中間チャック機構97は、上述した実施例1の基板保持部57と同様の支持部材や係止部材、係止溝、吸引穴等を備えており、同様に吸引源に連通接続されている。また、水平軸P1周りに回転自在であり、図19中に実線で示す待避位置と、同図中に二点鎖線で示す保持位置とにわたって移動可能に構成されている。   The intermediate chuck mechanism 97 includes a support member, a locking member, a locking groove, a suction hole, and the like similar to the substrate holding portion 57 of the first embodiment described above, and is similarly connected to a suction source. Further, it is rotatable around the horizontal axis P1, and is configured to be movable over a retracted position indicated by a solid line in FIG. 19 and a holding position indicated by a two-dot chain line in FIG.

中間チャック97の側方にあたるチャンバー37の一方側には、側方供給ノズル99が備えられ、対向する他方側には側方排気口101が備えられている。側方供給ノズル99は、上述したドライエア供給源75に連通接続されている。側方供給ノズル99から供給されたドライエアは、垂直整流板65を透過して中間位置にある基板Wに向かう。IPA供給ノズル103は、図示しないIPA供給源に連通されており、IPA(イソプロピルアルコール)を噴霧して処理槽35の上部に供給するものである。   A side supply nozzle 99 is provided on one side of the chamber 37 corresponding to the side of the intermediate chuck 97, and a side exhaust port 101 is provided on the opposite side. The side supply nozzle 99 is connected in communication with the dry air supply source 75 described above. The dry air supplied from the side supply nozzle 99 passes through the vertical rectifying plate 65 and travels toward the substrate W at the intermediate position. The IPA supply nozzle 103 communicates with an IPA supply source (not shown), and sprays IPA (isopropyl alcohol) to supply it to the upper portion of the processing tank 35.

また、チャンバー37は、処理槽35の側方にあたる底部に底部排気口105を備えている。この底部排気口105は開閉自在に構成されており、主として蓋部材65からドライエアが供給される際に排気用に利用される。   Further, the chamber 37 includes a bottom exhaust port 105 at the bottom corresponding to the side of the processing tank 35. The bottom exhaust port 105 is configured to be openable and closable, and is mainly used for exhaust when dry air is supplied from the lid member 65.

このように構成されている装置は、次のように動作するが、洗浄処理については上述した実施例1と同様であるので説明を省略する。なお、中間チャック機構97は、図19に示す待避位置にあるものとする。   The apparatus configured as described above operates as follows, but the cleaning process is the same as that of the first embodiment described above, and a description thereof will be omitted. The intermediate chuck mechanism 97 is assumed to be in the retracted position shown in FIG.

洗浄処理が完了すると、処理槽35内の処理液を排出することなく、基板保持部57を処理位置(内槽39内の洗浄処理を行う位置)から上昇させ、図19中に示す中間位置にまで基板Wを移動させる。このとき、基板Wの上縁が処理液の液面から出るまでにIPA供給ノズル103からIPAの噴霧を開始し、基板Wが中間位置に移動すると同時にそれを停止する。これにより、基板Wに付着している処理液が置換されて基板Wの乾燥が促進される。なお、IPAの乾燥を促進するため、底部排気口105から弱く排気を行って減圧しておくことが好ましい。この移動により、チャンバー37内には、図20に示す位置に基板Wが位置することになる。   When the cleaning process is completed, the substrate holding unit 57 is lifted from the processing position (position for performing the cleaning process in the inner tank 39) without discharging the processing liquid in the processing tank 35, and is moved to the intermediate position shown in FIG. The substrate W is moved to. At this time, IPA spraying is started from the IPA supply nozzle 103 until the upper edge of the substrate W comes out of the surface of the processing liquid, and the substrate W is moved to the intermediate position and stopped at the same time. Thereby, the processing liquid adhering to the substrate W is replaced, and drying of the substrate W is promoted. In order to accelerate the drying of IPA, it is preferable that the pressure is reduced by exhausting lightly from the bottom exhaust port 105. By this movement, the substrate W is located in the chamber 37 at the position shown in FIG.

中間位置に基板Wが移動すると、図20に示すように中間チャック機構97を作動させ、その位置を保持位置に移動する。これにより、中間チャック機構97はその係止溝で基板Wを受け取る。そして、基板保持部57は、図20に示すように、処理槽39の若干上方にあたる待機位置に下降して待機する。   When the substrate W moves to the intermediate position, the intermediate chuck mechanism 97 is actuated as shown in FIG. 20, and the position is moved to the holding position. As a result, the intermediate chuck mechanism 97 receives the substrate W through the locking groove. Then, as shown in FIG. 20, the substrate holder 57 descends to a standby position slightly above the processing tank 39 and stands by.

次に、制御弁77を開放してドライエア供給源75からドライエアを蓋部材65に対して供給し、中間位置にある基板Wに対して上方からドライエアを供給する。これとともに底部排気口105から排気を行う。さらに、吸引源による中間チャック機構97の吸引を行って乾燥処理が行われる。これにより基板Wは、蓋部材65の下面から供給されるドライエアの蒸発効果と、中間チャック機構97による吸引効果と、IPAの置換効果との相乗効果により、より短時間で迅速かつ完全に乾燥される。   Next, the control valve 77 is opened, dry air is supplied from the dry air supply source 75 to the lid member 65, and dry air is supplied from above to the substrate W at the intermediate position. At the same time, exhaust is performed from the bottom exhaust port 105. Further, the intermediate chuck mechanism 97 is suctioned by a suction source to perform a drying process. Thus, the substrate W is quickly and completely dried in a shorter time due to the synergistic effect of the evaporation effect of the dry air supplied from the lower surface of the lid member 65, the suction effect by the intermediate chuck mechanism 97, and the replacement effect of the IPA. The

なお、この実施例では、IPAによる置換を乾燥処理時に併用しているので、基板W面におけるメニスカス部を抑制でき、基板Wの処理液からの引き上げ時においても乾燥が促進される。   In this embodiment, since the replacement with IPA is used together during the drying process, the meniscus portion on the surface of the substrate W can be suppressed, and the drying is promoted even when the substrate W is pulled up from the processing liquid.

上記の乾燥処理が終了すると、基板保持部57が待避位置から上昇し、吸引が解除された中間チャック機構97から基板Wを受け取り、蓋部材65の開放とともに上方の非処理位置にまで上昇する。   When the drying process is completed, the substrate holding part 57 is lifted from the retracted position, receives the substrate W from the intermediate chuck mechanism 97 whose suction is released, and rises to the upper non-processing position as the lid member 65 is opened.

また、上記の乾燥処理は、次のように行ってもよい。
すなわち、図21に示すように、基板Wを中間位置に移動するまでの間、あるいは移動した後、制御弁77を閉止したまま制御弁89を開放して供給口85と側方供給ノズル99からのみドライエアをチャンバー37内に供給する。これにより、処理液面から顔を出して中間処理に移動する基板Wまたは中間位置に移動した基板Wの側方からドライエアを供給することになり、側方から乾燥処理を施すことができる。
Moreover, you may perform said drying process as follows.
That is, as shown in FIG. 21, until the substrate W is moved to the intermediate position or after the movement, the control valve 89 is opened while the control valve 77 is closed, and the supply port 85 and the side supply nozzle 99 are opened. Only dry air is supplied into the chamber 37. As a result, dry air is supplied from the side of the substrate W that moves from the processing liquid surface and moves to the intermediate process or from the side of the substrate W that has moved to the intermediate position, so that the drying process can be performed from the side.

なお、蓋部材65からのドライエア供給と、供給口85と側方供給ノズル99からのドライエア供給とを交互に切り替えて行ってもよい。   The dry air supply from the lid member 65 and the dry air supply from the supply port 85 and the side supply nozzle 99 may be switched alternately.

また、本実施例2は、処理槽35での洗浄処理後、処理槽35上方の中間チャック機構97に基板Wを移載した後に乾燥させるので、移載時に、基板Wの端縁に付着した大きめの液滴をある程度落下させることができ、その後の乾燥処理を円滑に行うことができるという、実施例1に対する有利な点を備えている。   Further, in the second embodiment, after the cleaning process in the processing tank 35, the substrate W is transferred to the intermediate chuck mechanism 97 above the processing tank 35 and then dried, so that it adheres to the edge of the substrate W during the transfer. It has the advantage over Example 1 that a large droplet can be dropped to some extent and the subsequent drying process can be performed smoothly.

また、図21に図示された位置より下方位置に側方供給ノズル99を設け、処理槽35の液面の上方位置において、基板Wを搬送させつつドライエアを供給するようにしてもよい。   Further, a side supply nozzle 99 may be provided at a position below the position illustrated in FIG. 21, and dry air may be supplied while transporting the substrate W at a position above the liquid level of the processing tank 35.

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.

(1)乾燥用の気体としてクリーンルームのエアを利用しているが、乾燥用の不活性ガス(例えば、窒素)を代用してもよい。   (1) Although clean room air is used as a drying gas, an inert gas (for example, nitrogen) for drying may be substituted.

(2)蓋部材65の開閉時にパーティクルが生じない構成である場合や、その開閉時において発生するパーティクルの影響がない場合には、エアカーテンを形成する構成を備える必要はない。   (2) When the configuration is such that particles are not generated when the lid member 65 is opened and closed, or when there is no influence of particles generated when the lid member 65 is opened and closed, there is no need to provide a configuration for forming an air curtain.

(3)蓋部材65から清浄な気体が供給できる場合には、フィルタ71を蓋部材65に備える必要はない。   (3) When clean gas can be supplied from the lid member 65, it is not necessary to provide the filter 71 on the lid member 65.

(4)基板Wを処理液から引き上げる前に電解水を内槽39に供給する手段をさらに備え、基板Wからのシリコンの溶出を抑制するようにしてもよい。   (4) A means for supplying electrolytic water to the inner tank 39 before the substrate W is pulled up from the processing solution may be further provided to suppress the elution of silicon from the substrate W.

以上のように、この発明は、基板に対する洗浄及び乾燥を連続的に行う処理に適している。   As described above, the present invention is suitable for a process of continuously cleaning and drying a substrate.

洗浄乾燥部を備えた基板処理装置の概略構成図を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure figure of the substrate processing apparatus provided with the washing-drying part. 実施例1に係る洗浄乾燥部の概略構成を示した縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning / drying unit according to Example 1. FIG. 基板保持部の一部を拡大した縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which expanded a part of board | substrate holding part. ドライエア供給源の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of a dry air supply source. 搬入時における動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing at the time of carrying in. 洗浄処理時における動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing at the time of a washing process. 乾燥処理時における動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing at the time of a drying process. 基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。It is a partial enlarged view of a board | substrate holding | maintenance part, (a) is a top view, (b) is a side view, (c) is the longitudinal cross-sectional view seen from the front. 図8の作用説明図である。FIG. 9 is an operation explanatory diagram of FIG. 8. 基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。It is a partial enlarged view of a board | substrate holding | maintenance part, (a) is a top view, (b) is a side view, (c) is the longitudinal cross-sectional view seen from the front. 図10の作用説明図である。It is effect | action explanatory drawing of FIG. 基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。It is a partial enlarged view of a board | substrate holding | maintenance part, (a) is a top view, (b) is a side view, (c) is the longitudinal cross-sectional view seen from the front. 図12の作用説明図である。It is action | operation explanatory drawing of FIG. 基板保持部を横方向から見た一部拡大縦断面図である。It is the partially expanded longitudinal cross-sectional view which looked at the board | substrate holding part from the horizontal direction. 基板保持部を正面から見た一部拡大縦断面図である。It is the partially expanded longitudinal cross-sectional view which looked at the board | substrate holding | maintenance part from the front. 基板保持部の一部を拡大した斜視図である。It is the perspective view which expanded a part of substrate holding part. 乾燥処理時の気体の流れを模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the flow of the gas at the time of a drying process. 基板保持部の一部を正面から見た縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which looked at a part of board | substrate holding part from the front. 実施例2に係る洗浄乾燥部の概略構成を示した縦断面図である。5 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning / drying unit according to Example 2. FIG. 乾燥処理時の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing at the time of a drying process. 乾燥処理時の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing at the time of a drying process.

符号の説明Explanation of symbols

W … 基板
1 … カセット
3 … 載置部
11 … 第1搬送機構
13 … 第2搬送機構
19 … 第1処理部
21 … 洗浄乾燥部
23 … 薬液処理部
25 … 第1副搬送機構
35 … 処理槽
37 … チャンバー
39 … 内槽
41 … 注入管
47 … 処理液供給管
51 … 制御弁
55 … 背板
57 … 基板保持部
59 … 支持部材
65 … 蓋部材
71 … フィルタ
97 … 中間チャック機構
99 … 側方供給ノズル
101 … 側方排気口
103 … IPA供給ノズル
105 … 底部排気口
W ... Substrate 1 ... Cassette 3 ... Placement unit 11 ... First transport mechanism 13 ... Second transport mechanism 19 ... First processing unit 21 ... Cleaning and drying unit 23 ... Chemical solution processing unit 25 ... First sub transport mechanism 35 ... Processing tank 37 ... Chamber 39 ... Inner tank 41 ... Injection pipe 47 ... Processing liquid supply pipe 51 ... Control valve 55 ... Back plate 57 ... Substrate holding part 59 ... Support member 65 ... Lid member 71 ... Filter 97 ... Intermediate chuck mechanism 99 ... Side Supply nozzle 101… Side exhaust port 103… IPA supply nozzle 105… Bottom exhaust port

Claims (12)

基板に洗浄処理を施した後、乾燥処理を施す基板洗浄乾燥装置において、
処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、
基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、
前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、
吸引穴を有し、前記処理槽内で基板を保持する保持手段とを備え、
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
In a substrate cleaning / drying apparatus that performs a drying process after performing a cleaning process on a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid, immersing the substrate in the treatment liquid and cleaning the substrate;
An opening for loading and unloading the substrate at the top, a processing chamber for storing the processing tank,
A lid member that is openable and closable with respect to the opening of the processing chamber;
Having a suction hole, and holding means for holding the substrate in the processing tank,
Substrate cleaning characterized in that after the substrate cleaning process with the processing solution in the processing tank, the suction hole of the holding means performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed. Drying equipment.
請求項1に記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記処理槽から処理液を排出する排出手段をさらに備え、
前記排出手段により前記処理槽から処理液を排出した後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 1,
A discharge means for discharging the treatment liquid from the treatment tank;
After the processing liquid is discharged from the processing tank by the discharging unit, the suction hole of the holding unit performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed. Washing and drying equipment.
請求項1に記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽情報の位置との間で移動自在であり、
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動し、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 1,
The holding means is movable between a position in the processing tank and a position of the processing tank information in the processing chamber,
After cleaning the substrate with the processing liquid in the processing tank, the holding means moves from a position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber, and the suction hole of the holding means performs suction. A substrate cleaning / drying apparatus, wherein gas is supplied toward the substrate in a state where the lid member is closed.
基板に洗浄処理を施した後、乾燥処理を施す基板洗浄乾燥装置において、
処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、
基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、
前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、
前記処理槽内で基板を保持する第1保持手段と、
前記第1保持手段との間で基板の受け渡しが可能であり、吸引穴を有するとともに前記処理室内の前記処理槽上方の位置で基板を保持する第2保持手段とを備え、
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記第1保持手段から前記第2保持手段へ基板を受け渡し、前記処理室内の前記処理槽上方の位置にある前記第2保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
In a substrate cleaning / drying apparatus that performs a drying process after performing a cleaning process on a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid, immersing the substrate in the treatment liquid and cleaning the substrate;
An opening for loading and unloading the substrate at the top, a processing chamber for storing the processing tank,
A lid member that is openable and closable with respect to the opening of the processing chamber;
First holding means for holding the substrate in the processing tank;
The substrate can be transferred to and from the first holding means, and includes a second holding means having a suction hole and holding the substrate at a position above the processing tank in the processing chamber,
After cleaning the substrate with the processing liquid in the processing tank, the substrate is transferred from the first holding means to the second holding means, and the suction hole of the second holding means is located above the processing tank in the processing chamber. Is a substrate cleaning / drying apparatus, which performs suction and supplies gas toward the substrate in a state where the lid member is closed.
請求項4に記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記第2保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽上方の位置との間で移動自在であることを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 4,
The substrate cleaning and drying apparatus, wherein the second holding means is movable between a position in the processing tank and a position above the processing tank in the processing chamber.
請求項1から5のいずれかに記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する気体供給手段をさらに備えたことを特徴する基板洗浄乾燥装置。
In the board | substrate washing | cleaning drying apparatus in any one of Claim 1 to 5,
An apparatus for cleaning and drying a substrate, further comprising gas supply means for supplying gas into the processing chamber at a position above the processing tank and lateral to the processing chamber.
請求項6に記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記気体供給手段は、ドライエアを供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 6,
The substrate cleaning and drying apparatus, wherein the gas supply means supplies dry air.
請求項1から5のいずれかに記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記蓋部材に設けられ、基板に向けて気体を供給する第1供給手段と、
前記処理槽の上方であって処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する第2供給手段とをさらに備えたことを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
In the board | substrate washing | cleaning drying apparatus in any one of Claim 1 to 5,
A first supply means provided on the lid member for supplying gas toward the substrate;
A substrate cleaning / drying apparatus further comprising: a second supply unit that supplies gas into the processing chamber at a position above the processing tank and to a side of the processing chamber.
請求項8に記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記第1供給手段及び前記第2供給手段は、ドライエアを供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
The substrate cleaning and drying apparatus according to claim 8,
The substrate cleaning and drying apparatus, wherein the first supply unit and the second supply unit supply dry air.
請求項1から9のいずれかに記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記処理室内に有機溶剤を供給する有機溶剤供給手段をさらに備えたことを特徴等する基板洗浄乾燥装置。
The substrate cleaning / drying apparatus according to any one of claims 1 to 9,
An apparatus for cleaning and drying a substrate, further comprising an organic solvent supply means for supplying an organic solvent into the processing chamber after the substrate is cleaned with the processing liquid in the processing tank.
請求項10に記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記有機溶剤供給手段は、前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に設けられたことを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 10,
The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 1, wherein the organic solvent supply means is provided above the processing tank and at a side position of the processing chamber.
請求項3から5のいずれかに記載の基板洗浄乾燥装置において、
前記処理槽の液面の上方位置において、前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動している基板に気体を供給する供給手段をさらに備えたことを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
In the board | substrate washing | cleaning drying apparatus in any one of Claim 3 to 5,
The apparatus further comprises supply means for supplying gas to a substrate moving from a position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber at a position above the liquid level in the processing tank. Substrate cleaning / drying equipment.
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KR100863137B1 (en) * 2007-04-16 2008-10-14 주식회사 케이씨텍 Device for guiding object, and method for treating object using the same
KR101457428B1 (en) * 2008-07-31 2014-11-06 주식회사 케이씨텍 Apparatus for cleaning substrate

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