JP2005101183A - Substrate cleaner and dryer - Google Patents
Substrate cleaner and dryer Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005101183A JP2005101183A JP2003331660A JP2003331660A JP2005101183A JP 2005101183 A JP2005101183 A JP 2005101183A JP 2003331660 A JP2003331660 A JP 2003331660A JP 2003331660 A JP2003331660 A JP 2003331660A JP 2005101183 A JP2005101183 A JP 2005101183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- processing
- drying
- processing tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など(以下、単に基板と称する)を洗浄処理した後に乾燥処理する基板洗浄乾燥装置及び基板洗浄乾燥方法に係り、特に、洗浄処理後の乾燥処理を保持手段からの吸引と上方からの気流の流れによって施す技術に関する。 The present invention relates to a substrate cleaning and drying apparatus and a substrate cleaning method for performing a drying process after cleaning a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate), etc. The present invention relates to a drying method, and more particularly, to a technique for performing a drying process after a cleaning process by suction from a holding means and a flow of airflow from above.
従来、この従来のこの種の装置として、処理槽で洗浄処理を施した基板を純水中から引き上げ、処理槽とは別体の乾燥装置に移動させた後、基板が載置された基板保持部から吸引するとともに、上方から流下させているクリーンルーム内のエアによって基板を乾燥させるものが挙げられる(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, as this type of conventional apparatus, a substrate that has been subjected to a cleaning process in a processing tank is pulled out of pure water, moved to a drying apparatus separate from the processing tank, and then the substrate is placed on the substrate. There is one that dries the substrate with air in a clean room that is sucked from the part and is made to flow down from above (for example, see Patent Document 1).
上記の装置では、過酸化水素水などの酸化剤が入った洗浄処理後に、酸化膜が生成された基板、または酸化膜付きの基板などの平滑面を有する親水性の基板を乾燥させる際には問題なく処理することができる。
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。 However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
(1)半導体デバイス製造工程において、デバイスが製造される基板は複雑な立体構造を有する。具体的には、穴状のコンタクトホールやビアホール、溝状のトレンチ、複数の壁が林立するようなフィンなどである。また、その表面状態も、親水面から疎水面と多岐にわたる。このようなデバイス製造途中における基板の洗浄後の乾燥においては、上記のようにクリーンルームのエアを取り込んで乾燥させていたのでは、乾燥に時間がかかり、親水面が保持する純水が疎水面を覆ったり、疎水面に残った純水などに、例えばシリコンの溶出が発生したり、気液固界面において大気中の酸素によるシリコンの酸化が生じたりする。 (1) In a semiconductor device manufacturing process, a substrate on which a device is manufactured has a complicated three-dimensional structure. Specifically, a hole-shaped contact hole, a via hole, a groove-shaped trench, a fin with a plurality of walls standing, and the like. Moreover, the surface state also varies from a hydrophilic surface to a hydrophobic surface. In such drying after cleaning the substrate during device manufacturing, if the air in the clean room has been taken in and dried as described above, it takes time to dry, and the pure water held by the hydrophilic surface has a hydrophobic surface. For example, elution of silicon occurs in pure water remaining on the hydrophobic surface or the like, or silicon is oxidized by oxygen in the atmosphere at the gas-liquid solid interface.
さらに、その酸化シリコンが純水中に溶解するなどして、純水中に酸化シリコンやシリコンが蓄積し、乾燥した後に酸化シリコンの水和物、いわゆるウォーターマークが生成してシリコン面などに析出し、その結果、デバイスの特性を悪化させるという問題がある。 Furthermore, silicon oxide or silicon accumulates in the pure water because the silicon oxide dissolves in the pure water, and after drying, silicon oxide hydrates, so-called watermarks, are generated and deposited on the silicon surface. As a result, there is a problem of deteriorating device characteristics.
特に、ゲート酸化膜前洗浄や、ゲート絶縁膜堆積(CVD)前洗浄において、これらの酸化シリコンの水和物が電気的には絶縁体であることから抵抗となり、正常なオーミックコンタクトを得ることができないことや堆積したCVD膜の構造がウォーターマークによって歪むこと等により、デバイス特性若しくはデバイス動作そのものの不良の問題となっている。 In particular, in pre-gate oxide film cleaning and gate insulating film deposition (CVD) pre-cleaning, since these silicon oxide hydrates are electrically insulating, it becomes a resistance and a normal ohmic contact can be obtained. Due to the inability to do so and the structure of the deposited CVD film being distorted by the watermark, there are problems of device characteristics or device operation itself.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ウォーターマーク等の生成やパーティクル等の付着がない清浄な基板表面を得るための好適な基板洗浄乾燥装置を提供することを第一の目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and it is a first object of the present invention to provide a suitable substrate cleaning / drying apparatus for obtaining a clean substrate surface free from the generation of watermarks and the like and adhesion of particles and the like. One purpose.
(2)また、近年における基板の大口径化における流れにおいては、基板洗浄装置においては、コンパクトに設計しないとクリーンルームにおける装置の占有面積の問題が顕著になり、一方側から直線的に他方側に向かって基板を移動させてゆく巨大な装置構成から、一方側だけに基板搬送システムとのインターフェイスを有するコンパクトな装置構成へと進化してきている。このような装置において、上述した従来装置を採用すると、その上方を基板が搬送されて移動してゆくことになるので、基板の乾燥処理中には基板を搬送することができず、現実的には採用することができないという問題がある。たとえ採用したとしても、スループットが低く装置性能を十分に発揮させることができない。 (2) Also, in the recent trend of increasing the substrate diameter, the substrate cleaning apparatus has a significant problem of the occupied area of the apparatus in the clean room unless it is designed to be compact, and linearly moves from one side to the other side. From a huge apparatus configuration in which the substrate is moved toward the substrate, it has evolved to a compact apparatus configuration having an interface with the substrate transfer system on only one side. In such an apparatus, if the above-described conventional apparatus is adopted, the substrate is transported and moved above, so that the substrate cannot be transported during the drying process of the substrate. There is a problem that cannot be adopted. Even if it is adopted, the throughput is low and the apparatus performance cannot be fully exhibited.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の上方から供給する気体を用いて基板を乾燥させる方式を採用しつつも、コンパクト化を図った装置に好適な基板洗浄乾燥装置及び基板洗浄乾燥方法を提供することを第二の目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and is a substrate cleaning suitable for a compact device while adopting a method of drying a substrate using a gas supplied from above the substrate. A second object is to provide a drying apparatus and a substrate cleaning and drying method.
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に洗浄処理を施した後、乾燥処理を施す基板洗浄乾燥装置において、処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、吸引穴を有し、前記処理槽内で基板を保持する保持手段とを備え、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to
[作用・効果]洗浄処理に続く乾燥処理を洗浄処理と同じ処理室内で実施するので、乾燥処理のために基板を処理室外の空気に晒して移動する必要がない。さらに、乾燥処理時には、処理室の上部開口を開閉自在の蓋部材によって閉塞することにより、処理室を密閉することができる。したがって、乾燥処理中であっても処理室の上方で基板の搬送を行うことができ、コンパクト化を図った装置であっても好適に乾燥処理を施すことができる。 [Operation / Effect] Since the drying process following the cleaning process is performed in the same processing chamber as the cleaning process, it is not necessary to move the substrate by exposing it to the air outside the processing chamber for the drying process. Further, during the drying process, the processing chamber can be sealed by closing the upper opening of the processing chamber with an openable / closable lid member. Therefore, the substrate can be transported above the processing chamber even during the drying process, and the drying process can be suitably performed even with a compact device.
また、前記処理槽から処理液を排出する排出手段をさらに備え、前記排出手段により前記処理槽から処理液を排出した後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することが好ましい(請求項2)。洗浄処理に用いた処理液を処理槽から排出手段により排出し、その後、保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給して基板の乾燥処理を施すので、基板の処理室内で移動させることなく迅速に洗浄処理から乾燥処理へ移行できる。 Further, the apparatus further comprises a discharge means for discharging the treatment liquid from the treatment tank, and after the treatment liquid is discharged from the treatment tank by the discharge means, the suction hole of the holding means sucks and the lid member is closed. In this state, it is preferable to supply a gas toward the substrate. The processing liquid used for the cleaning process is discharged from the processing tank by the discharging unit, and then the suction hole of the holding unit performs suction, and with the lid member closed, the gas is supplied to the substrate to dry the substrate. Since the process is performed, it is possible to quickly shift from the cleaning process to the drying process without moving the substrate in the processing chamber.
また、前記保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽情報の位置との間で移動自在であり、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動し、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することが好ましい(請求項3)。保持手段処理槽内の位置から処理室内の処理槽上方の位置へ移動し、その後、保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給して基板の乾燥処理を施すので、迅速に洗浄処理から乾燥処理へ移行できる。 The holding means is movable between a position in the processing tank and a position of the processing tank information in the processing chamber, and after the substrate cleaning process with the processing liquid in the processing tank, the holding means From the position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber, the suction hole of the holding means performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed (Claim 3). Move from the position in the holding means processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber, and then the suction hole of the holding means performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed. Since the substrate is subjected to the drying process, the cleaning process can be quickly transferred to the drying process.
また、請求項4に記載の発明は、基板に洗浄処理を施した後、乾燥処理を施す基板洗浄乾燥装置において、処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、前記処理槽内で基板を保持する第1保持手段と、前記第1保持手段との間で基板の受け渡しが可能であり、吸引穴を有するとともに前記処理室内の前記処理槽上方の位置で基板を保持する第2保持手段とを備え、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記第1保持手段から前記第2保持手段へ基板を受け渡し、前記処理室内の前記処理槽上方の位置にある前記第2保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とするものである。 According to a fourth aspect of the present invention, in a substrate cleaning / drying apparatus that performs a drying process after performing a cleaning process on the substrate, the processing liquid is stored and the substrate is immersed in the processing liquid to perform the cleaning process. A processing tank, a processing chamber having an opening for loading and unloading the substrate at the top, a processing chamber for storing the processing tank, a lid member that can be opened and closed with respect to the opening of the processing chamber, and a substrate in the processing tank The first holding means for holding the substrate and the first holding means can transfer the substrate, has a suction hole and holds the substrate at a position above the processing tank in the processing chamber. The substrate is transferred from the first holding means to the second holding means after the substrate is cleaned by the processing liquid in the processing tank, and the second holding is located above the processing tank in the processing chamber. The suction hole of the means performs suction and the lid portion While closed, it is characterized in that to supply gas toward the substrate.
[作用・効果]洗浄処理に続く乾燥処理を洗浄処理と同じ処理室内で実施するので、乾燥処理のために基板を処理室外の空気にさらして移動する必要がない。さらに乾燥処理時には、処理室の上部開口を開閉自在の蓋部材によって閉塞することにより、処理室を密閉することができる。したがって、乾燥処理中であっても処理室の上方で基板の搬送を行うことができ、コンパクト化を図った装置であっても好適に乾燥処理を施すことができる。 [Operation / Effect] Since the drying process following the cleaning process is performed in the same processing chamber as the cleaning process, it is not necessary to move the substrate by exposing it to the air outside the processing chamber for the drying process. Further, during the drying process, the processing chamber can be sealed by closing the upper opening of the processing chamber with an openable / closable lid member. Therefore, the substrate can be transported above the processing chamber even during the drying process, and the drying process can be suitably performed even with a compact device.
また、処理槽での洗浄後、第1保持手段から第2保持手段へ基板を受け渡し、処理室内の処理槽上方の位置にある第2保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給しているので、第1保持手段から第2保持手段へ基板を受け渡す際に、基板の端縁に付着した大きめの液滴を落とすことができ、その後の乾燥処理を円滑に行うことができる。 In addition, after cleaning in the processing tank, the substrate is transferred from the first holding means to the second holding means, and the suction hole of the second holding means at the position above the processing tank in the processing chamber performs suction and closes the lid member. In this state, since the gas is supplied toward the substrate, when delivering the substrate from the first holding means to the second holding means, large droplets attached to the edge of the substrate can be dropped, The subsequent drying process can be performed smoothly.
また、前記第2保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽上方の位置との間で移動自在であることが好ましい(請求項5)。 Moreover, it is preferable that the second holding means is movable between a position in the processing tank and a position above the processing tank in the processing chamber.
また、前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する気体供給手段をさらに備えたことが好ましい(請求項6)。側方位置からの気体供給により、さらに効率的に乾燥処理を施すことができる。また、前記気体供給手段は、ドライエアを供給することが好ましい(請求項7)。 In addition, it is preferable that gas supply means for supplying gas into the processing chamber is further provided above the processing tank and at a side position of the processing chamber. By supplying gas from the side position, the drying process can be performed more efficiently. The gas supply means preferably supplies dry air.
また、前記蓋部材に設けられ、基板に向けて気体を供給する第1供給手段と、前記処理槽の上方であって処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する第2供給手段とをさらに備えたことが好ましい(請求項8)。処理室内において周囲からの気体供給により、さらに効率的に乾燥処理を施すことができる。なお、第1供給手段及び第2供給手段は、ドライエアを供給することが好ましい(請求項9)。 Also, a first supply unit that is provided on the lid member and supplies gas toward the substrate, and a second supply unit that supplies gas into the processing chamber above the processing tank and to a side position of the processing chamber. It is preferable to further comprise (Claim 8). The drying process can be more efficiently performed by supplying gas from the surroundings in the processing chamber. The first supply means and the second supply means preferably supply dry air (claim 9).
また、前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記処理室内に有機溶剤を供給する有機溶剤供給手段をさらに備えたことが好ましい(請求項10)。有機溶剤を供給することにより、さらに効率的に乾燥処理を施すことができる。なお、前記有機溶剤供給手段は、前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に設けられたことが好ましい(請求項11)。 It is preferable that the apparatus further includes an organic solvent supply means for supplying an organic solvent into the processing chamber after the substrate is cleaned with the processing liquid in the processing tank. By supplying the organic solvent, the drying process can be more efficiently performed. In addition, it is preferable that the said organic solvent supply means is provided in the side position of the said process chamber above the said process tank (Claim 11).
さらに、前記処理槽の液面の上方位置において、前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動している基板に気体を供給する供給手段をさらに備えたことが好ましい(請求項12)。 Furthermore, it is preferable that the apparatus further includes supply means for supplying gas to a substrate moving from a position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber at a position above the liquid level of the processing tank. (Claim 12).
この発明に係る基板洗浄乾燥装置及び基板洗浄乾燥方法によれば、乾燥処理のために基板を処理室外の空気に晒して移動する必要がなく、さらに、乾燥処理時には、処理室の上部開口を開閉自在の蓋部材によって閉塞することにより、処理室を密閉できる。したがって、乾燥処理中であっても処理室の上方で基板の搬送を行うことができ、コンパクト化を図った装置であっても好適に乾燥処理を施すことができる。 According to the substrate cleaning / drying apparatus and the substrate cleaning / drying method according to the present invention, it is not necessary to move the substrate by exposing the substrate to the air outside the processing chamber for the drying process, and the upper opening of the processing chamber is opened and closed during the drying process. By closing with a free lid member, the processing chamber can be sealed. Therefore, the substrate can be transported above the processing chamber even during the drying process, and the drying process can be suitably performed even with a compact device.
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。
図1は、洗浄乾燥部を備えた基板処理装置の概略構成図を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus including a cleaning / drying unit.
この基板処理装置は、例えば、基板Wに対して薬液処理及び洗浄処理並びに乾燥処理を施すための装置であり、占有面積を小さくコンパクト化を図ったものである。基板Wは複数枚(例えば25枚)がカセット1に対して起立姿勢で収納されている。未処理の基板Wを収納したカセット1は、投入部3に載置される。投入部3は、カセット1を載置される載置台5を二つ備えている。基板処理装置の中央部を挟んだ投入部3の反対側には、払出部7が配備されている。この払出部7は、処理済みの基板Wをカセット1に収納してカセット1ごと払い出す。このように機能する払出部7は、投入部3と同様に、カセット1を載置するための二つの載置台9を備えている。
This substrate processing apparatus is, for example, an apparatus for performing a chemical solution process, a cleaning process, and a drying process on the substrate W, and has a small occupation area and a compact size. A plurality of (for example, 25) substrates W are stored in a standing posture with respect to the
投入部3と払出部7に沿う位置には、これらの間を移動可能に構成された第1搬送機構11が配置されている。第1搬送機構11は、投入部3に載置されたカセット1ごと複数枚の基板Wを第2搬送機構13に対して搬送する。
A
第2搬送機構13は、収納されている全ての基板Wをカセット1から取り出した後、第3搬送機構15に対して全ての基板Wを搬送する。また、第3搬送機構15から処理済みの基板Wを受け取った後に、基板Wをカセット1に収容して第1搬送機構11に搬送する。
The
第3搬送機構15は、基板処理装置の長手方向に向けて移動可能に構成されており、上述した第2搬送機構13との間で基板Wの受け渡しを行う。上記第3搬送機構15の移動方向における手前側には、第1処理部19が配備されている。この第1処理部19は、複数枚の基板Wに対して洗浄処理及び乾燥処理を施すための洗浄乾燥部21を備えているとともに、複数枚の基板Wに対して薬液処理を施すための薬液処理部23を備えている。また、洗浄乾燥部21は、薬液処理も実施可能に構成されている。
The
第1副搬送機構25は、第1処理部19内での基板搬送の他に、第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡しする。洗浄乾燥部21の上方に位置する非処理位置では、第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡す動作が行なわれる一方、薬液処理部23の上方に位置する非処理位置では基板Wの受け渡しが行なわれない。また、基板Wを処理する際には、洗浄乾燥部21や薬液処理部23の槽内に位置する処理位置にまで下降する。
The first
また、第1処理部19に隣接して、同様の構成を備えた第2処理部27が配備されている。第2処理部27は、洗浄乾燥部29と、薬液処理部31と、第2副搬送機構33とを備えている。
In addition, a
なお、洗浄乾燥部21,29が本発明における基板洗浄乾燥装置に相当する。
The cleaning / drying
次に、図2を参照して洗浄乾燥部21について説明する。なお、図2は、洗浄乾燥部の概略構成を示した縦断面図である。
Next, the cleaning / drying
洗浄乾燥部21は、処理槽35と、この処理槽35を覆うチャンバー37(処理室)を備えている。処理槽35は、処理液を貯留し、基板Wを浸漬して洗浄処理を施すための槽である。チャンバー37は、処理槽35の上方と周囲とに余裕を有して覆うものであり、その上部に基板Wを搬入出するための開口37aを備えている。
The cleaning / drying
処理槽35は、内槽39と外槽41を備えている。内槽39は、その底面両側に、処理液を供給する注入管43が設けられている。外槽41は、内槽39の上部開口を側方で囲うように設けられ、内槽39から溢れた処理液を回収して排出する。内槽39の底部中央には開閉自在であって、用途に応じて処理液や気体をチャンバー37の外部に排出する排出口45が形成されている。
The
なお、排出口45は、後述する乾燥処理時における排気を円滑に行うために、整流板を備えるようにしてもよい。
Note that the
処理槽35の注入管43には、処理液供給管47の一端側が連通接続されている。その他端側には、純水供給源49が連通接続されている。処理液供給管47には、下流側から順に、制御弁51とミキシングバルブ53が取り付けられている。ミキシングバルブ53は、複数種類の薬液供給源に連通した薬液配管が連通接続されており、処理に応じて適宜の薬液を処理液供給配管47に注入する。
One end side of a processing
上述した第1副搬送機構25は、背板55と、基板保持部57とを備えている。背板55は板状部材を備え、懸垂姿勢で第1副搬送機構25に取り付けられているとともに、処理槽39の内壁面に沿って昇降自在に構成されている。その下端部正面側には、複数枚の基板Wを起立姿勢で保持するための基板保持部57が長手方向を水平に取り付けられている。
The first
図3を参照する。なお、図3は、基板保持部57の一部を拡大した縦断面図である。
Please refer to FIG. FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view of a part of the
基板保持部57は、背板55に連結された支持部材59と、支持部材59から基板Wの整列方向に沿って延出された三本の係止部材61とを備えている。係止部材61は、基板Wの厚みよりもやや幅広の係止溝61aと、係止溝61aの間に立設され、基板Wを係止溝61aに案内する突起61bが形成されている。各々の係止溝61aの底面には、基板Wの厚みより小径の吸引穴61cが形成されている。各吸引穴61cは、係止部材61の長手方向に形成された吸引通路61dに連通している。なお、係止部材61の材料としては、例えば、PEEK(ポリ・エーテル・エーテル・ケトン)が挙げられる。
The
支持部材59は、係止部材61の基端部に連結されており、吸引通路61dに連通した通路59aが形成されている。この通路59aは、処理槽39及びチャンバー37の外部に延出された配管を通して吸引源(図示省略)に連通されている。
The
図2に戻る。
チャンバー37の開口37a下部の両側には、チャンバー37の内容積を小さくし、かつ乾燥用のエアの流れを整え、基板Wにできるだけ近い位置を気流が流下するように調整するための垂直整流板63が取り付けられている。また、図示省略しているが、基板保持部57の下方にあたる排出口45には、内槽39を流下してきたエアの流れを整えて排気するための水平整流板を取り付けるのが好ましい。
Returning to FIG.
On both sides of the lower portion of the
洗浄乾燥部21は、チャンバー37の上部に開閉自在の蓋部材65を備えている。この蓋部材65は、水平軸P周りに開閉自在に構成されている。チャンバー37に接する部分には当接板材67を備え、そこに形成された開口からなる供給口67aを囲うように、カバー部69が取り付けられている。カバー部69の空洞部69aにはフィルタ71が取り付けられている。このフィルタ71としては、例えば、ULPAフィルタやケミカルフィルタが好ましい。ULPAフィルタであれば微細なパーティクルを除去でき、ケミカルフィルタであれば有機物・アニオン・カチオンなどの除去が可能となる。また、カバー部69の一側面には、空洞部69aにエアを導入するための配管69bが取り付けられている。
The cleaning / drying
配管69bにはベローズ配管69cの一端側が取り付けられ、その他端側には配管69dが取り付けられている。この配管69dには、主配管73が連通接続されており、主配管73はドライエア供給源75に接続されている。また、主配管73には、開閉弁77が取り付けられている。開閉弁77とドライエア供給源75の間では、主配管73が排気管79に分岐され、そこに開閉弁83が取り付けられている。
One end of a
チャンバー37は、その上部かつ蓋部材65の下方であって、基板Wの搬入出経路を挟んで対向する側面の位置に、供給口85と排気口87を備えている。供給口85には、上述した主配管73の開閉弁77と分岐管79の間で主配管73から分岐した分岐管88が連通接続されている。この分岐管88には、開閉弁89が取り付けられている。開閉弁89が開放された際には、供給口85から流入したエアが排気口87を通してチャンバー37から排気されるようになっている。
The
次に、図4を参照してドライエア供給源75について説明する。なお、図4は、ドライエア供給源の動作説明図である。
Next, the dry
ドライエア供給源75は、基板処理装置の洗浄乾燥部21と連携して動作する。具体的には、その運転信号に応じて動作し、異常が発生した場合には洗浄乾燥部21に対して総合異常信号を出力する。なお、ドライエア供給源75は、クリーンルームのエアの露点(例えば相対湿度40%の6,7℃)以下の湿度であって、露点が−20℃以下、より好ましくは−60℃以下のエアを生成するのが好ましい。特に、半導体デバイスのクリティカルな用途では、より高い清浄度が求められるので上記エアが好適である。クリティカルな用途とは、例えば、ゲート酸化膜前洗浄やゲート絶縁膜堆積(CVD)前洗浄後の乾燥のことである。
The dry
運転信号がオフ、つまりスタンバイ時には、開閉弁77,89は閉止され、開閉弁83は開放され、図中に二点鎖線で示すようにドライエアが供給される。
すなわち、ドライエア供給源75はクリーンルーム大気を吸気し、除湿してドライエアを生成するとともに、除湿剤再生エアを生成する。これらの割合は、ほぼ半分ずつである。そして、ドライエアを主配管73に供給しつつ、除湿剤再生用に利用したエアは水分を含むので、それを熱排気(例えば80℃)として排気している。ドライエアは、排気管79を通して排気されている。
When the operation signal is off, that is, in standby, the on-off
That is, the dry
なお、洗浄乾燥部21の初期状態や洗浄処理の終了前では、開閉弁77が開放され、閉止された蓋部材65からチャンバー37内にドライエアを供給し、内部を乾燥状態に維持している。つまり、吸引口61cからの吸引を行わないで、以下のような運転状態に近い動作を行っている。
In the initial state of the cleaning / drying
運転信号がオン、つまり、基板Wの搬入出時や乾燥処理時には、開閉弁77又は開閉弁89が開放されるとともに、開閉弁83が閉止される。これにより排気管79を通して排気されていたドライエアが供給され、チャンバー37の上部にエアカーテンを形成したり、基板保持部57に載置された基板Wにドライエアを供給したりする。
When the operation signal is on, that is, when the substrate W is carried in / out or during the drying process, the on-off
次に、図5から図7を参照して、上述した洗浄乾燥部21の動作について説明する。なお、図5は基板の搬入時における動作説明図であり、図6は洗浄処理時における動作説明図であり、図7は基板の乾燥処理時における動作説明図である。
Next, the operation of the cleaning / drying
ここで、第1副搬送機構25は、例えば、第1処理部19の薬液処理部23で所定の薬液処理を終えた複数枚の基板Wを保持したまま、図5に示すように第1処理部19の洗浄乾燥部21の上方あたる非処理位置に移動しているものとする。さらに、蓋部材65が開放され、チャンバー37の開口37aが開放されているものとする。また、蓋部材37が開放されるのとほぼ同時に、開閉弁83を閉止するとともに開閉弁89を開放する。これによりチャンバー37の上部にドライエアによるエアカーテンが形成され、蓋部材65の開閉時に発生するパーティクルや、クリーンルーム内に浮遊している湿度の高い気体、パーティクル等がチャンバー37内に流れ込むことを防止できる。したがって、以下の洗浄・乾燥処理をより清浄に施すことができる。なお、図5では、開放されている蓋部材65により第1副搬送機構25が薬液処理部23から洗浄乾燥部21側に移動できないように見えるが、第1副搬送機構25は開放された蓋部材65の上方を通過して非処理位置にまで基板Wを移動させている。
Here, for example, the first
また、制御弁51が開放されて所定の流量で純水供給源49から純水が供給され、注入管43を介して処理槽35の内槽39に処理液として供給されているものとする。この例では、洗浄乾燥部29における処理は純水洗浄だけとするが、例えば、ミキシングバルブ53を介して薬液を純水に混合し、薬液を含む処理液による処理を純水による洗浄処理の前に行うようにしてもよい。
In addition, it is assumed that the
基板Wを受け取っている第1副搬送機構25は、図5及び図6に示すように、エアカーテンを通過させてこれらの基板Wを洗浄乾燥部21の処理槽35内に搬入する。具体的には、基板Wを内槽39内の処理位置に下降させ、図6に示すように第1副搬送機構25はその位置を維持する。基板Wが処理位置に達すると、蓋部材65を閉止してチャンバー37内を閉塞する。蓋部材65が閉止されると、制御弁77,89を閉止し、制御弁83を開放して、チャンバー37内へのドライエア供給を停止する。そして、この状態を所定時間だけ維持して、基板Wに対して洗浄処理を施す。
As shown in FIGS. 5 and 6, the first
所定時間に達すると、制御弁51を閉止して処理槽35に対する処理液の供給を停止するとともに、排出口45を開放する。これにより内槽39に貯留していた処理液が排出され、基板Wに対する洗浄処理が完了する。
When the predetermined time is reached, the
洗浄液の排出完了とともに、制御弁77を開放し、さらに基板保持部57に対する吸引源による吸引を開始する。これにより、図7に示すように、蓋部材65の下面から下方に向けて、清浄なドライエアが供給されて基板Wに対して乾燥処理が施される。ドライエアは、垂直整流板63に沿って流下するとともに、基板Wの周囲を流下し、内槽39を経て排出口45から排出される。したがって、基板Wは、蓋部材65の下面から供給されるドライエアの蒸発効果と、基板保持部57の吸引穴61cによる吸引効果との相乗効果により、数十秒程度(例えば30秒未満)という短時間で迅速かつ完全に乾燥される。
When the cleaning liquid is completely discharged, the
上記の乾燥処理を所定時間施した後、制御弁77を閉止するとともに、制御弁89を開放し、蓋部材65を開放する。そして、第1副搬送機構25を動作させて基板保持部57を処理位置から非処理位置にまで移動させる。その後、第1副搬送機構25から第3搬送機構15に洗浄乾燥処理を施した基板Wを移載し、第2搬送機構13、第1搬送機構11を介して基板Wを収納したカセット1が載置台9に載置される。
After performing the drying process for a predetermined time, the
このように乾燥処理を洗浄処理と同じチャンバー37内で実施するので、乾燥処理のために基板Wをチャンバー37外の空気に晒して移動する必要がない。さらに、処理槽35による洗浄処理の後の乾燥処理時には、チャンバー37の上部開口37aを蓋部材65によって閉塞することにより、チャンバー37を密閉することができる。したがって、乾燥処理中であってもチャンバー37の上方で基板Wの搬送を行うことができ、好適に乾燥処理を行うことができる。
Thus, since the drying process is performed in the
なお、本実施例1は、洗浄処理に用いた処理液を処理槽35から排出し、その後、吸引穴61cから吸引を行いつつ乾燥処理を施すので、基板Wを昇降させる必要が無く迅速に乾燥処理に移行することができる。
In the first embodiment, the processing liquid used for the cleaning process is discharged from the
また、上記の処理では、吸引穴61cは基板保持部57を処理槽35内の処理位置に維持したまま吸引したが、処理液を処理槽35から排出することなく処理槽35上方に基板保持部57を上昇させた状態で吸引穴61cによる吸引及び蓋部材65の下面からのドライエアの供給を行って乾燥させるようにしてもよい。
In the above processing, the
さらに、昇降自在の基板保持部57とは別体で処理槽35内に固定保持部を設け、処理液の排出後に固定保持部で吸引を行うようにしてもよい。つまり、基板保持部57は基板の搬送だけに専念する形態であってもよい。
Furthermore, a fixed holding part may be provided in the
次に、上述した洗浄乾燥部21が備えている基板保持部57の実施形態について図8を参照して説明する。なお、図8は、基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。
Next, an embodiment of the
係止部材61は、基板Wの厚みよりもやや幅広の係止溝61aの間隔(基板Wの支持ピッチ)をおいて立設された複数個の突起61bを有する。突起61bは、例えば、図8(b)に示すように、基板Wの整列方向における形状が三角形状を呈し、基板Wの整列方向に面した各傾斜面で基板Wを係止溝61aに案内する。係止溝61aには、吸引穴61cが形成されている。各吸引穴61cは、図8(a)に示すように、平面視で基板Wの外周に沿った方向に長径を有する長穴に形成されており、係止部材61の長手方向に形成された吸引通路61dに連通している。
The locking
なお、吸引穴61cの短径は、従来例における丸穴の径と同等である。上記の吸引通路61dは、外部に延出された配管を通して吸引源に連通されている。また、複数個の突起61bの厚みは、図示の関係上、係止溝61aに対する比率において実際のものとは相違する。具体的には、係止溝61aがより近接する程度に薄いものである。
The short diameter of the
このような構成とすると、図9に示すように、平面視で長穴形状を呈する吸引穴61cの形状が、基板Wの外周に沿った方向に実質的に拡げられた形状をしているので、乾燥処理時には、従来例における丸穴PRの斜め上方に位置する、基板W下縁部の両外側にあたる部分(図9中の点線で囲った領域R)であっても吸引が行われ、十分に乾燥用の気体が流下する。したがって、その部分の乾燥も十分に早く、液残りを防止することができてシミの発生を防止することができる。
With such a configuration, as shown in FIG. 9, the shape of the
換言すると、吸引穴61cを長穴にしたことにより、基板Wを当接保持することになる吸引穴61cの外周は、単なる丸穴に比較して、基板Wの円周方向に対して係止部材61の中心部から見てそれぞれ両外側に移動する。これにより、係止部材61の係止溝61aの上面外周部と基板Wの下円弧部分で挟まれる角度θ(図8(c)に示す)が大きくなる。したがって、この部分で純水の液滴が保持されにくく、若しくは保持する液滴の大きさが小さくなる。また、角度θが大きくなることに伴い、ここから吸引穴61cに向かう除湿エアの流れが生じやすくなる。これらの両効果によって、より乾燥が促進できる。
In other words, since the
次に、基板保持部57の他の実施形態について図10を参照して説明する。なお、図10は、基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。
Next, another embodiment of the
この実施形態における吸引穴61cは、基板Wの外周に沿った方向に沿って形成された二つの小径穴61c1,61c2で構成されている。これらの小径穴61c1,61c2は、従来例にある単なる丸穴と同等の径を有する。
The
この場合、図11に示すように、吸引穴61cの形状が、基板Wの外周に沿った方向に実質的に拡げられた形状をしているので、丸穴の斜め上方に位置する、基板W下縁部の両外側にあたる部分(図11中の点線で囲った領域R)であっても吸引が行われ、十分に乾燥用の気体が流下する。したがって、その部分の乾燥も十分に早く、液残りを防止することができてシミの発生を防止することができる。
In this case, as shown in FIG. 11, since the shape of the
換言すると、吸引穴61cを二つの小径穴61c1,61c2で構成したことにより、基板Wは二つの小径穴61c1,61c2の間にあたる係止溝61aによって当接保持される。したがって、この部分に溜まる液滴は、両側の小径穴61c1,61c2に流入する除湿エアで容易に乾燥する。また、係止部材61の係止溝61aの上面外周部と基板Wの下円弧部分で挟まれる角度θ(図10(c)に示す)が大きくなる。したがって、この部分で純水の液滴が保持されにくく、若しくは保持する液滴の大きさが小さくなる。角度θが大きくなることに伴い、ここから吸引穴61cに向かう除湿エアの流れが生じやすくなる。これらの両効果により、従来例に比較して乾燥が促進できる。
In other words, since the
また、本実施形態は、従来とほぼ同じ径の小径穴61c1,61c2を二つ形成すればよく、加工が容易にできる利点がある。 In addition, the present embodiment has an advantage that the processing can be easily performed by forming two small-diameter holes 61c1 and 61c2 having substantially the same diameter as the conventional one.
次に、基板保持部57の他の実施形態について図12を参照して説明する。なお、図12は、基板保持部の一部拡大図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は正面から見た縦断面図である。
Next, another embodiment of the
本実施例における吸引穴61cは、基板Wの外周に沿った方向に長径を有する長穴61c3と、平面視ほぼ円形状の丸穴61c4とを、平面視で互いの中心がほぼ一致するように重ねて形成してなる複合穴から構成されている。なお、丸穴61c4は、従来例にある単なる丸穴と同等の径を有する。
The
この場合も、図13に示すように、吸引穴61cの形状が、基板Wの外周に沿った方向に実質的に拡げられた形状をしているので、図13中の点線で囲った領域Rであっても吸引が行われ、十分に乾燥用の気体が流下する。したがって、上述した各実施形態と同様に、液残りを防止することができてシミの発生を防止できる。
Also in this case, as shown in FIG. 13, since the shape of the
換言すると、吸引穴61cを複合穴にしたことにより、基板Wを当接保持することになる吸引穴61cの外周は、従来例に比較し、基板Wの円周方向に対して係止部材61の中心部から見て両外側に移動する。これにより、係止部材61の係止溝61aの上面外周部と基板Wの下円弧部分で挟まれる角度θ(図12(c)に示す)が大きくなる。したがって、この部分で純水の液滴が保持されにくく、若しくは保持する液滴の大きさが小さくなる。また、角度θが大きくなることに伴い、ここから吸引穴61cに向かう除湿エアの流れが生じやすくなる。これらの両効果により、従来例にある単なる丸穴に比較して乾燥が促進できる。
In other words, since the
なお、この吸引穴61cは、上述した実施形態のように長穴61c3を形成した後に、丸穴61c4を形成すればよく、加工が比較的容易であるという利点がある。
Note that the
次に、基板保持部57の他の実施形態について図14〜図16を参照して説明する。なお、図14は、基板保持部を横方向から見た一部拡大縦断面図であり、図15は基板保持部を正面から見た一部拡大縦断面図であり、図16は基板保持部の一部を拡大した斜視図である。
Next, another embodiment of the
係止部材61の上部、つまり凹溝61eには、多孔質部材93が埋設されている(ポーラス部材とも呼ばれる)。このように吸引穴61cの上部に多孔質部材93を配していることから基板Wの端縁がはまり込むことがないので、図15に示すように、基板Wの外周に沿った方向に吸引穴61cの長さを従来よりも長くすることができる。
A
なお、ここにおける多孔質部材93は、その目的から、いわゆる独立気泡型のものではなく、通気性がある、いわゆる連続気泡型であることが必須である。例えば、多孔質部材93としては、多孔質SiC、発泡樹脂(発泡ポリウレタンなど)が挙げられる。
In addition, the
このような構成によると、図17に示すように、基板Wの外周に沿った方向に従来の吸引孔PRよりも長く形成されている吸引穴61c及び多孔質部材93を通して吸引するので、従来例であれば、水滴の残る箇所からも効果的に水滴を吸引できる。また、従来例のように一つの吸引穴PRから直接的に吸引するよりも基板Wの外周に沿った方向に広く分散して除湿エアを吸引することができる。
According to such a configuration, as shown in FIG. 17, the suction is performed through the
したがって、吸引穴61cの直上に位置する基板Wの下縁部だけでなく、その両外側に位置する基板Wの円弧部分(図17中に点線で示す領域R)においても水滴を吸引でき、また除湿エアを十分に吸引させることができる。その結果、基板Wの下縁の両外側(R)をも十分に乾燥させることができ、液残りに起因するシミの発生を防止することができる。
Therefore, water droplets can be sucked not only at the lower edge portion of the substrate W positioned directly above the
なお、上記の基板保持部57を図18に示すような形態で実施してもよい。
ここで図18は、その他の実施例を示し、基板保持部の一部を正面から見た縦断面図である。
In addition, you may implement said board |
Here, FIG. 18 shows another embodiment and is a longitudinal sectional view of a part of the substrate holding part as seen from the front.
すなわち、基板保持部57の係止部材61の上部に多孔質部材93Aを備える。この多孔質部材93Aは、縦断面が上向きの半円形状に形成されており、その円弧部分の上面に多孔膜95が被着されている。
That is, the
この多孔質部材93Aとしては、例えば、通気性を有するSiC、アルミナ、多孔質セラミックス、焼結石英、焼結金属などが例示される。これらは一般に基板Wよりも硬度が高いので、基板Wの端縁に傷が生じたりする恐れがある。そこで、その表面に多孔膜95を被着することにより、傷等が生じるのを防止することができる。
Examples of the
多孔膜95としては、弾性を有して基板Wの損傷を防止できる樹脂等の被膜が好ましく、具体的にはポリイミド樹脂の被膜が例示される。形成方法としては、例えば、ポリイミド樹脂を多孔質部材93Aの上面に被着した後、フォトレジスト被膜をその上に被着し、多孔のマスクパターンを形成した後にポリイミド樹脂をエッチングして多孔膜95を形成する。
The
また、電着によって形成すれば、多孔質部材93Aの孔部分以外に樹脂等を被着することができ、少ない工程で多孔膜95を形成することが可能である。
Further, if it is formed by electrodeposition, it is possible to deposit a resin or the like other than the hole portion of the
上記のような形態であっても、吸引穴61cの直上に位置する基板Wの下縁部だけでなく、その両外側に位置する基板Wの円弧部分R(図18中に示す点線の領域)においても水滴を吸引でき、また除湿エアを十分に吸引させることができる。したがって、既に詳述した実施形態と同様の作用・効果を奏する。しかも、多孔質部材93Aが上向き円弧状の断面形状を有するので、点接触とすることができ、先に詳述した実施形態に比較して基板Wの下縁と接触する面積を少なくすることができる。
Even in the above-described form, not only the lower edge portion of the substrate W positioned directly above the
次に、図19〜21を参照してこの発明の実施例2を説明する。
図19は実施例2に係る洗浄乾燥部の概略構成を示した縦断面図であり、図20は移載及び乾燥処理時の動作説明図である。なお、上記実施例1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 19 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning / drying unit according to the second embodiment, and FIG. 20 is an explanatory diagram of operations during transfer and drying processing. In addition, about the same structure as the said Example 1, detailed description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.
本実施例装置は、上記の構成に加え、中間チャック機構97と、側方供給ノズル99と、側方排気口101と、IPA供給ノズル103とを備えている。但し、基板保持部57の吸引に係る機構は備えていない。
In addition to the above-described configuration, the apparatus according to the present embodiment includes an
中間チャック機構97は、上述した実施例1の基板保持部57と同様の支持部材や係止部材、係止溝、吸引穴等を備えており、同様に吸引源に連通接続されている。また、水平軸P1周りに回転自在であり、図19中に実線で示す待避位置と、同図中に二点鎖線で示す保持位置とにわたって移動可能に構成されている。
The
中間チャック97の側方にあたるチャンバー37の一方側には、側方供給ノズル99が備えられ、対向する他方側には側方排気口101が備えられている。側方供給ノズル99は、上述したドライエア供給源75に連通接続されている。側方供給ノズル99から供給されたドライエアは、垂直整流板65を透過して中間位置にある基板Wに向かう。IPA供給ノズル103は、図示しないIPA供給源に連通されており、IPA(イソプロピルアルコール)を噴霧して処理槽35の上部に供給するものである。
A
また、チャンバー37は、処理槽35の側方にあたる底部に底部排気口105を備えている。この底部排気口105は開閉自在に構成されており、主として蓋部材65からドライエアが供給される際に排気用に利用される。
Further, the
このように構成されている装置は、次のように動作するが、洗浄処理については上述した実施例1と同様であるので説明を省略する。なお、中間チャック機構97は、図19に示す待避位置にあるものとする。
The apparatus configured as described above operates as follows, but the cleaning process is the same as that of the first embodiment described above, and a description thereof will be omitted. The
洗浄処理が完了すると、処理槽35内の処理液を排出することなく、基板保持部57を処理位置(内槽39内の洗浄処理を行う位置)から上昇させ、図19中に示す中間位置にまで基板Wを移動させる。このとき、基板Wの上縁が処理液の液面から出るまでにIPA供給ノズル103からIPAの噴霧を開始し、基板Wが中間位置に移動すると同時にそれを停止する。これにより、基板Wに付着している処理液が置換されて基板Wの乾燥が促進される。なお、IPAの乾燥を促進するため、底部排気口105から弱く排気を行って減圧しておくことが好ましい。この移動により、チャンバー37内には、図20に示す位置に基板Wが位置することになる。
When the cleaning process is completed, the
中間位置に基板Wが移動すると、図20に示すように中間チャック機構97を作動させ、その位置を保持位置に移動する。これにより、中間チャック機構97はその係止溝で基板Wを受け取る。そして、基板保持部57は、図20に示すように、処理槽39の若干上方にあたる待機位置に下降して待機する。
When the substrate W moves to the intermediate position, the
次に、制御弁77を開放してドライエア供給源75からドライエアを蓋部材65に対して供給し、中間位置にある基板Wに対して上方からドライエアを供給する。これとともに底部排気口105から排気を行う。さらに、吸引源による中間チャック機構97の吸引を行って乾燥処理が行われる。これにより基板Wは、蓋部材65の下面から供給されるドライエアの蒸発効果と、中間チャック機構97による吸引効果と、IPAの置換効果との相乗効果により、より短時間で迅速かつ完全に乾燥される。
Next, the
なお、この実施例では、IPAによる置換を乾燥処理時に併用しているので、基板W面におけるメニスカス部を抑制でき、基板Wの処理液からの引き上げ時においても乾燥が促進される。 In this embodiment, since the replacement with IPA is used together during the drying process, the meniscus portion on the surface of the substrate W can be suppressed, and the drying is promoted even when the substrate W is pulled up from the processing liquid.
上記の乾燥処理が終了すると、基板保持部57が待避位置から上昇し、吸引が解除された中間チャック機構97から基板Wを受け取り、蓋部材65の開放とともに上方の非処理位置にまで上昇する。
When the drying process is completed, the
また、上記の乾燥処理は、次のように行ってもよい。
すなわち、図21に示すように、基板Wを中間位置に移動するまでの間、あるいは移動した後、制御弁77を閉止したまま制御弁89を開放して供給口85と側方供給ノズル99からのみドライエアをチャンバー37内に供給する。これにより、処理液面から顔を出して中間処理に移動する基板Wまたは中間位置に移動した基板Wの側方からドライエアを供給することになり、側方から乾燥処理を施すことができる。
Moreover, you may perform said drying process as follows.
That is, as shown in FIG. 21, until the substrate W is moved to the intermediate position or after the movement, the
なお、蓋部材65からのドライエア供給と、供給口85と側方供給ノズル99からのドライエア供給とを交互に切り替えて行ってもよい。
The dry air supply from the
また、本実施例2は、処理槽35での洗浄処理後、処理槽35上方の中間チャック機構97に基板Wを移載した後に乾燥させるので、移載時に、基板Wの端縁に付着した大きめの液滴をある程度落下させることができ、その後の乾燥処理を円滑に行うことができるという、実施例1に対する有利な点を備えている。
Further, in the second embodiment, after the cleaning process in the
また、図21に図示された位置より下方位置に側方供給ノズル99を設け、処理槽35の液面の上方位置において、基板Wを搬送させつつドライエアを供給するようにしてもよい。
Further, a
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.
(1)乾燥用の気体としてクリーンルームのエアを利用しているが、乾燥用の不活性ガス(例えば、窒素)を代用してもよい。 (1) Although clean room air is used as a drying gas, an inert gas (for example, nitrogen) for drying may be substituted.
(2)蓋部材65の開閉時にパーティクルが生じない構成である場合や、その開閉時において発生するパーティクルの影響がない場合には、エアカーテンを形成する構成を備える必要はない。
(2) When the configuration is such that particles are not generated when the
(3)蓋部材65から清浄な気体が供給できる場合には、フィルタ71を蓋部材65に備える必要はない。
(3) When clean gas can be supplied from the
(4)基板Wを処理液から引き上げる前に電解水を内槽39に供給する手段をさらに備え、基板Wからのシリコンの溶出を抑制するようにしてもよい。
(4) A means for supplying electrolytic water to the
以上のように、この発明は、基板に対する洗浄及び乾燥を連続的に行う処理に適している。 As described above, the present invention is suitable for a process of continuously cleaning and drying a substrate.
W … 基板
1 … カセット
3 … 載置部
11 … 第1搬送機構
13 … 第2搬送機構
19 … 第1処理部
21 … 洗浄乾燥部
23 … 薬液処理部
25 … 第1副搬送機構
35 … 処理槽
37 … チャンバー
39 … 内槽
41 … 注入管
47 … 処理液供給管
51 … 制御弁
55 … 背板
57 … 基板保持部
59 … 支持部材
65 … 蓋部材
71 … フィルタ
97 … 中間チャック機構
99 … 側方供給ノズル
101 … 側方排気口
103 … IPA供給ノズル
105 … 底部排気口
W ...
Claims (12)
処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、
基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、
前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、
吸引穴を有し、前記処理槽内で基板を保持する保持手段とを備え、
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 In a substrate cleaning / drying apparatus that performs a drying process after performing a cleaning process on a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid, immersing the substrate in the treatment liquid and cleaning the substrate;
An opening for loading and unloading the substrate at the top, a processing chamber for storing the processing tank,
A lid member that is openable and closable with respect to the opening of the processing chamber;
Having a suction hole, and holding means for holding the substrate in the processing tank,
Substrate cleaning characterized in that after the substrate cleaning process with the processing solution in the processing tank, the suction hole of the holding means performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed. Drying equipment.
前記処理槽から処理液を排出する排出手段をさらに備え、
前記排出手段により前記処理槽から処理液を排出した後、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 1,
A discharge means for discharging the treatment liquid from the treatment tank;
After the processing liquid is discharged from the processing tank by the discharging unit, the suction hole of the holding unit performs suction and supplies gas toward the substrate with the lid member closed. Washing and drying equipment.
前記保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽情報の位置との間で移動自在であり、
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記保持手段の前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動し、前記保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 1,
The holding means is movable between a position in the processing tank and a position of the processing tank information in the processing chamber,
After cleaning the substrate with the processing liquid in the processing tank, the holding means moves from a position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber, and the suction hole of the holding means performs suction. A substrate cleaning / drying apparatus, wherein gas is supplied toward the substrate in a state where the lid member is closed.
処理液を貯留し、処理液に基板を浸漬させて基板に洗浄処理を施す処理槽と、
基板を搬入出するための開口を上部に有し、前記処理槽を収納する処理室と、
前記処理室の開口に対して開閉自在である蓋部材と、
前記処理槽内で基板を保持する第1保持手段と、
前記第1保持手段との間で基板の受け渡しが可能であり、吸引穴を有するとともに前記処理室内の前記処理槽上方の位置で基板を保持する第2保持手段とを備え、
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記第1保持手段から前記第2保持手段へ基板を受け渡し、前記処理室内の前記処理槽上方の位置にある前記第2保持手段の吸引穴は吸引を行うとともに、前記蓋部材を閉止した状態で、基板に向けて気体を供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 In a substrate cleaning / drying apparatus that performs a drying process after performing a cleaning process on a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid, immersing the substrate in the treatment liquid and cleaning the substrate;
An opening for loading and unloading the substrate at the top, a processing chamber for storing the processing tank,
A lid member that is openable and closable with respect to the opening of the processing chamber;
First holding means for holding the substrate in the processing tank;
The substrate can be transferred to and from the first holding means, and includes a second holding means having a suction hole and holding the substrate at a position above the processing tank in the processing chamber,
After cleaning the substrate with the processing liquid in the processing tank, the substrate is transferred from the first holding means to the second holding means, and the suction hole of the second holding means is located above the processing tank in the processing chamber. Is a substrate cleaning / drying apparatus, which performs suction and supplies gas toward the substrate in a state where the lid member is closed.
前記第2保持手段は、前記処理槽内の位置と前記処理室内の前記処理槽上方の位置との間で移動自在であることを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 4,
The substrate cleaning and drying apparatus, wherein the second holding means is movable between a position in the processing tank and a position above the processing tank in the processing chamber.
前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する気体供給手段をさらに備えたことを特徴する基板洗浄乾燥装置。 In the board | substrate washing | cleaning drying apparatus in any one of Claim 1 to 5,
An apparatus for cleaning and drying a substrate, further comprising gas supply means for supplying gas into the processing chamber at a position above the processing tank and lateral to the processing chamber.
前記気体供給手段は、ドライエアを供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 6,
The substrate cleaning and drying apparatus, wherein the gas supply means supplies dry air.
前記蓋部材に設けられ、基板に向けて気体を供給する第1供給手段と、
前記処理槽の上方であって処理室の側方位置に前記処理室内に気体を供給する第2供給手段とをさらに備えたことを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 In the board | substrate washing | cleaning drying apparatus in any one of Claim 1 to 5,
A first supply means provided on the lid member for supplying gas toward the substrate;
A substrate cleaning / drying apparatus further comprising: a second supply unit that supplies gas into the processing chamber at a position above the processing tank and to a side of the processing chamber.
前記第1供給手段及び前記第2供給手段は、ドライエアを供給することを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 The substrate cleaning and drying apparatus according to claim 8,
The substrate cleaning and drying apparatus, wherein the first supply unit and the second supply unit supply dry air.
前記処理槽の処理液による基板の洗浄処理の後、前記処理室内に有機溶剤を供給する有機溶剤供給手段をさらに備えたことを特徴等する基板洗浄乾燥装置。 The substrate cleaning / drying apparatus according to any one of claims 1 to 9,
An apparatus for cleaning and drying a substrate, further comprising an organic solvent supply means for supplying an organic solvent into the processing chamber after the substrate is cleaned with the processing liquid in the processing tank.
前記有機溶剤供給手段は、前記処理槽の上方であって前記処理室の側方位置に設けられたことを特徴とする基板洗浄乾燥装置。 The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 10,
The substrate cleaning / drying apparatus according to claim 1, wherein the organic solvent supply means is provided above the processing tank and at a side position of the processing chamber.
前記処理槽の液面の上方位置において、前記処理槽内の位置から前記処理室内の前記処理槽上方の位置へ移動している基板に気体を供給する供給手段をさらに備えたことを特徴とする基板洗浄乾燥装置。
In the board | substrate washing | cleaning drying apparatus in any one of Claim 3 to 5,
The apparatus further comprises supply means for supplying gas to a substrate moving from a position in the processing tank to a position above the processing tank in the processing chamber at a position above the liquid level in the processing tank. Substrate cleaning / drying equipment.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003331660A JP4326295B2 (en) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | Substrate cleaning / drying equipment |
US10/947,712 US7415985B2 (en) | 2003-09-24 | 2004-09-23 | Substrate cleaning and drying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003331660A JP4326295B2 (en) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | Substrate cleaning / drying equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005101183A true JP2005101183A (en) | 2005-04-14 |
JP4326295B2 JP4326295B2 (en) | 2009-09-02 |
Family
ID=34509650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003331660A Expired - Fee Related JP4326295B2 (en) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | Substrate cleaning / drying equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4326295B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100800942B1 (en) | 2006-08-21 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for fabricating semiconductor device |
KR100863137B1 (en) * | 2007-04-16 | 2008-10-14 | 주식회사 케이씨텍 | Device for guiding object, and method for treating object using the same |
KR101457428B1 (en) * | 2008-07-31 | 2014-11-06 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for cleaning substrate |
-
2003
- 2003-09-24 JP JP2003331660A patent/JP4326295B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100800942B1 (en) | 2006-08-21 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for fabricating semiconductor device |
KR100863137B1 (en) * | 2007-04-16 | 2008-10-14 | 주식회사 케이씨텍 | Device for guiding object, and method for treating object using the same |
KR101457428B1 (en) * | 2008-07-31 | 2014-11-06 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for cleaning substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4326295B2 (en) | 2009-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6357457B1 (en) | Substrate cleaning apparatus and method | |
JP4522329B2 (en) | Substrate processing equipment | |
TWI493606B (en) | Substrate treating device and method | |
US6491045B2 (en) | Apparatus for and method of cleaning object to be processed | |
JP4272230B2 (en) | Vacuum dryer | |
KR100881964B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US6374837B2 (en) | Single semiconductor wafer processor | |
JP7197376B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR20120106584A (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium | |
TW201724242A (en) | Substrate treatment method and device | |
JP2009111220A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3993496B2 (en) | Substrate processing method and coating processing apparatus | |
TWI629741B (en) | Substrate liquid processing device | |
JP5416075B2 (en) | Processing apparatus, processing method, program, and computer storage medium | |
JP2004221244A (en) | Apparatus and method for liquid treatment | |
KR20130011969A (en) | Heat treatment apparatus | |
JP2008288447A (en) | Substrate treating apparatus | |
JP4326295B2 (en) | Substrate cleaning / drying equipment | |
JP2005101185A (en) | Substrate cleaner an dryer | |
JP2006086411A (en) | Substrate processing device | |
US7415985B2 (en) | Substrate cleaning and drying apparatus | |
JP2005101184A (en) | Substrate cleaner and dryer | |
JP5145397B2 (en) | Template processing method, program, computer storage medium, and template processing apparatus | |
JP2008251655A (en) | Substrate treatment device | |
JP2016066689A (en) | Container cleaning device and container cleaning method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090609 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090609 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |