KR102471687B1 - Light emitting module and display device - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치에 관한 것이다.
실시 예의 발광모듈은 기판과, 기판 위에 배치되는 복수의 발광부, 및 복수의 발광부 각각을 감싸는 제1 블랙 매트릭스를 포함하고, 복수의 발광부 각각은, 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제1 발광소자와, 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제2 발광소자와, 제1 발광소자 상에 배치된 적색 형광체층과, 제1 및 제2 발광소자 사이에 배치되고 기판 상면으로부터 적색 형광체층보다 높은 높이를 갖는 제2 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.
실시 예는 유사한 열적 특성 및 진기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 색감 차이를 개선할 수 있다.
Embodiments relate to a light emitting module, a method for manufacturing a light emitting module, and a display device.
The light emitting module of the embodiment includes a substrate, a plurality of light emitting units disposed on the substrate, and a first black matrix surrounding each of the plurality of light emitting units, and each of the plurality of light emitting units emits blue light disposed on the substrate. A first light emitting element, a second light emitting element emitting blue light disposed on a substrate, a red phosphor layer disposed on the first light emitting element, and a red phosphor layer disposed between the first and second light emitting elements and extending from the upper surface of the substrate A second black matrix having a higher height may be included.
In the embodiment, color difference may be improved by light emitting devices having similar thermal characteristics and novel characteristics.

Description

발광모듈 및 표시장치{LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE}Light emitting module and display device {LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE}

실시 예는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting module, a method for manufacturing a light emitting module, and a display device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when a current is applied thereto. A light emitting diode can emit light with high efficiency at a low voltage and thus has an excellent energy saving effect. Recently, the luminance problem of light emitting diodes has been greatly improved, and they are applied to various devices such as backlight units of liquid crystal display devices, electronic signboards, displays, and home appliances.

일반적인 액정표시장치는 발광 다이오드가 실장된 복수의 발광소자 패키지의 광 및 액정의 투과율을 제어하여 컬러필터를 통과하는 빛으로 이미지 또는 영상을 표시한다.A typical liquid crystal display displays an image or video with light passing through a color filter by controlling transmittance of light and liquid crystal of a plurality of light emitting device packages in which light emitting diodes are mounted.

최근에는 HD 이상의 고화질 및 100인치 이상의 표시장치가 요구되고 있으나, 일반적으로 주로 사용되고 있는 복잡한 구성들을 갖는 액정표시장치 및 유기전계 표시장치는 수율 및 비용에 의해 고화질의 100인치 이상의 표시장치를 구현하기에 어려움이 있었다.Recently, display devices with a high resolution of HD or higher and a size of 100 inches or more are required, but liquid crystal displays and organic electric field displays having complex configurations, which are mainly used in general, are difficult to implement high-definition display devices with a size of 100 inches or more due to yield and cost. There were difficulties.

실시 예는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting module capable of providing full color, a method for manufacturing a light emitting module, and a display device.

실시 예는 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있는 발광소자 패키지 및 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a display device capable of implementing uniform color and uniform luminance.

실시 예는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화에 유리한 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting module, a light emitting module manufacturing method, and a display device that can simplify the configuration and are advantageous for slimming.

실시 예는 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting module, a light emitting module manufacturing method, and a display device capable of improving productivity and yield.

실시 예는 유사한 특성의 발광소자들에 의해 색감 차이를 개선하는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting module, a method for manufacturing a light emitting module, and a display device that improve a color difference by light emitting elements having similar characteristics.

실시 예는 유사한 전기적 특성의 발광소자들에 의해 구동회로를 간소화하고, 제어가 용이한 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.The embodiment simplifies a driving circuit by using light emitting elements having similar electrical characteristics, and provides a light emitting module that is easy to control, a method for manufacturing a light emitting module, and a display device.

실시 예는 각각의 발광부 컬러 구현의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다. Embodiments provide a light emitting module, a method for manufacturing a light emitting module, and a display device capable of improving the reliability of color implementation of each light emitting unit.

실시 예는 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a display device with excellent linearity of images and videos.

실시 예는 고해상도의 대형 표시장치를 구현할 수 있는 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a display device capable of realizing a high-resolution, large-sized display device.

실시 예는 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a display device excellent in color purity and color reproduction.

실시 예의 발광모듈은 기판; 상기 기판 위에 배치되는 복수의 발광부; 및 상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 제1 블랙 매트릭스를 포함하고, 상기 복수의 발광부 각각은, 상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제1 발광소자; 상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제2 발광소자; 상기 제1 발광소자 상에 배치된 적색 형광체층; 상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 배치되고 상기 기판 상면으로부터 상기 적색 형광체층보다 높은 높이를 갖는 제2 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.The light emitting module of the embodiment includes a substrate; a plurality of light emitting units disposed on the substrate; and a first black matrix surrounding each of the plurality of light emitting units, wherein each of the plurality of light emitting units includes: a first light emitting element disposed on the substrate and emitting blue light; a second light emitting element disposed on the substrate and emitting blue light; a red phosphor layer disposed on the first light emitting element; A second black matrix disposed between the first and second light emitting devices and having a height higher than the red phosphor layer from the upper surface of the substrate may be included.

실시 예는 유사한 열적 특성 및 진기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 색감 차이를 개선할 수 있다.In the embodiment, color difference may be improved by light emitting devices having similar thermal characteristics and novel characteristics.

실시 예는 하나의 화소에 각각 개별 구동되는 플립 칩 타입의 제1 내지 제3 발광소자에 의해 풀 컬러를 구현할 수 있다.In the embodiment, full color may be implemented by flip chip type first to third light emitting devices that are individually driven in one pixel.

실시 예는 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.The embodiment may implement uniform color and uniform luminance.

실시 예는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.The embodiment can simplify the configuration and has an advantage in slimming.

실시 예는 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.Examples can improve productivity and improve yield.

실시 예는 유사한 특성의 발광소자들에 의해 색감 차이를 개선할 수 있다.In the embodiment, color difference may be improved by using light emitting devices having similar characteristics.

실시 예는 유사한 전기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 구동회로를 간소화하고, 제어가 용이할 수 있다.The embodiment simplifies the driving circuit by using light emitting devices having similar electrical characteristics, and can be easily controlled.

실시 예는 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 HD화질의 100인치 이상 대화면 표시장치를 구현할 수 있다.The embodiment can implement a 100-inch or larger screen display device of HD quality with excellent linearity of images and videos.

실시 예는 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 구현할 수 있다.The embodiment may implement a display device having excellent color purity and color reproduction.

실시 예는 각각의 발광부 컬러 구현의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.The embodiment may improve the reliability of color implementation of each light emitting unit.

도 1은 실시 예의 발광모듈을 도시한 사시도이다.
도 2는 실시 예의 발광부를 도시한 사시도이다.
도 3은 실시 예의 기판 및 복수의 발광소자를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광부를 도시한 단면도이다.
도 5는 실시 예의 기판의 하부면을 도시한 평면도이다.
도 6은 제1 실시 예의 발광부의 일부를 도시한 분해 사시도이다.
도 7 내지 도 11은 제1 실시 예의 발광모듈의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 12는 제2 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 13은 제3 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 14는 제4 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 15는 제5 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 16는 제6 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 17 및 도 18은 제7 실시 예의 발광모듈을 도시한 분해 사시도이다.
도 19 및 도 20은 제8 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 시도이다.
도 21 및 도 22는 제9 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 23 및 도 24는 제10 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 25는 제11 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 26 및 도 27은 제12 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 28은 제13 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
1 is a perspective view showing a light emitting module according to an embodiment.
2 is a perspective view illustrating a light emitting unit according to an embodiment.
3 is a plan view illustrating a substrate and a plurality of light emitting devices according to an embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a light emitting unit taken along line I-I' of FIG. 3 .
5 is a plan view illustrating a lower surface of a substrate according to an embodiment.
6 is an exploded perspective view showing a part of the light emitting unit according to the first embodiment.
7 to 11 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting module according to a first embodiment.
12 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a second embodiment.
13 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a third embodiment.
14 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a fourth embodiment.
15 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a fifth embodiment.
16 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a sixth embodiment.
17 and 18 are exploded perspective views illustrating a light emitting module according to a seventh embodiment.
19 and 20 are plan views and exploded views illustrating a light emitting module according to an eighth embodiment.
21 and 22 are a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a ninth embodiment.
23 and 24 are a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a tenth embodiment.
25 is a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to an eleventh embodiment.
26 and 27 are a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a twelfth embodiment.
28 is a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a thirteenth embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings.

도 1은 실시 예의 발광모듈을 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예의 발광부를 도시한 사시도이고, 도 3은 실시 예의 기판 및 복수의 발광소자를 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광부를 도시한 단면도이고, 도 5는 실시 예의 기판의 하부면을 도시한 평면도이다.1 is a perspective view showing a light emitting module according to an embodiment, FIG. 2 is a perspective view showing a light emitting unit according to an embodiment, FIG. 3 is a plan view showing a substrate and a plurality of light emitting devices according to an embodiment, and FIG. It is a cross-sectional view showing the light emitting part cut along line Ⅰ', and FIG. 5 is a plan view showing the lower surface of the substrate according to the embodiment.

도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 실시 예의 발광모듈(10)은 복수의 발광부(100), 블랙 매트릭스(BM) 및 기판을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 5 , the light emitting module 10 of the embodiment may include a plurality of light emitting units 100 , a black matrix BM, and a substrate.

실시 예의 발광모듈(10)은 풀 컬러의 영상 또는 이미지를 구현하는 간소화된 구조, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다. 이를 위해 실시 예의 발광모듈(10)은 상기 발광부(100)가 COB(Chip on Board) 타입으로 기판 상에 직접 실장될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 기판의 하부면에는 상기 발광부(100)를 구동시키는 구동회로(미도시)가 실장될 수 있다. 상기 발광부(100)는 하나의 화소와 대응될 수 있으며, 풀 컬러를 구현하기 위해 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)를 포함할 수 있다.The light emitting module 10 of the embodiment can implement a simplified structure, slimming, and high brightness for realizing full-color images or images. To this end, in the light emitting module 10 of the embodiment, the light emitting unit 100 may be directly mounted on a substrate in a COB (Chip on Board) type, but is not limited thereto. Although not shown in the drawing, a driving circuit (not shown) for driving the light emitting unit 100 may be mounted on a lower surface of the substrate. The light emitting unit 100 may correspond to one pixel and may include first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c to implement full color.

일반적으로 적색 광을 발광하는 적색 발광다이오드는 열화에 약한 특성을 갖는다. 일반적인 적색 발광다이오드는 열적 신뢰성 저하로 일정 시간이 지나면, 광 출력이 저하되는 드룹(Droop) 현상이 청색 발광다이오드보다 크다.In general, a red light emitting diode emitting red light has characteristics that are weak against deterioration. A typical red light emitting diode suffers from a droop phenomenon in which light output is reduced after a certain period of time due to a decrease in thermal reliability than a blue light emitting diode.

실시 예는 드룹 특성이 유사한 발광다이오드들을 사용함으로써, 균일한 색감을 갖는 발광모듈을 제공할 수 있다. 드룹 특성이 유사하다는 것은 인접한 발광다이오드들 사이에서 광 특성 차이를 육안으로 인식할 수 없는 수준을 의미할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting module having a uniform color tone by using light emitting diodes having similar droop characteristics. Similar droop characteristics may mean a level at which a difference in light characteristics between adjacent light emitting diodes cannot be recognized with the naked eye.

이를 위해 실시 예는 적색 이외의 파장을 발광하는 제2 및 제3 발광소자(150b, 150c)와 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 발광소자(150a) 상에 적색 형광체층(52)을 배치하여 적색 파장을 구현할 수 있다. To this end, in the embodiment, a red phosphor layer 52 is disposed on the first light emitting device 150a having similar thermal and electrical characteristics to those of the second and third light emitting devices 150b and 150c emitting wavelengths other than red. Thus, a red wavelength can be realized.

실시 예의 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 열적 특성이 유사한 발광다이오드일 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 GaN계 발광다이오드일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 청색 발광다이오드, 녹색 발광다이오드, 보라색 발광다이오드, 황색 발광다이오드 중 적어도 하나가 선택될 수 있다. 실시 예는 열적 특성 및 전기적 특성이 유사하고, 풀 컬러를 구현할 수 있는 발광다이오드들을 포함할 수 있다.The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c of the embodiment may be light emitting diodes having similar thermal characteristics. For example, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be GaN-based light emitting diodes, but are not limited thereto. For example, at least one of a blue light emitting diode, a green light emitting diode, a purple light emitting diode, and a yellow light emitting diode may be selected as the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c. The embodiment may include light emitting diodes having similar thermal characteristics and electrical characteristics and capable of realizing full color.

일 예로 적색 파장은 상기 제1 발광소자(150a)는 청색 파장을 발광하는 청색 발광다이오드 및 상기 제1 발광소자(150a)를 덮는 적색 형광체층(52)을 이용하여 구현할 수 있다. 실시 예는 발광부(100) 내에 배치된 발광소자들의 열적 특성 및 전기적 특성이 유사한 발광다이오드들이라면 얼마든지 변경될 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 모두 청색 발광다이오드일 수 있고, 제1 발광소자(150a) 위에 배치된 적색 형광체층(52)과, 상기 제2 발광소자(150b) 위에 배치된 녹색 형광체층을 포함할 수 있다. 다른 예로 상기 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 모두 녹색 발광다이오드일 수 있고, 제1 발광소자(150a) 위에 배치된 적색 형광체층(52)과, 상기 제3 발광소자(153) 위에 배치된 청색 형광체층을 포함할 수 있다. 또 다른 예로 적색, 녹색 및 청색의 파장을 구현할 수 있는 다양한 발광다이오드 및 형광체층을 포함할 수 있다.For example, the red wavelength may be implemented using a blue light emitting diode emitting blue wavelength in the first light emitting element 150a and a red phosphor layer 52 covering the first light emitting element 150a. The embodiment can be changed as long as the light emitting diodes disposed in the light emitting unit 100 have similar thermal and electrical characteristics. For example, all of the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be blue light emitting diodes, and the red phosphor layer 52 disposed on the first light emitting device 150a and the second light emitting device 150b ) may include a green phosphor layer disposed on top. As another example, all of the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be green light emitting diodes, and the red phosphor layer 52 disposed on the first light emitting device 150a and the third light emitting device (153) may include a blue phosphor layer disposed on top. As another example, various light emitting diodes and phosphor layers capable of implementing red, green, and blue wavelengths may be included.

상기 발광부(100)는 다각형 구조일 수 있다. 예컨대 상기 발광부(100)은 4개의 모서리 및 4개의 외측면을 포함할 수 있고, 상부면 및 하부면이 평평한 판 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예의 기판은 제1 내지 제4 모서리(Corner, 125, 126, 127, 128)와, 제1 내지 제4 외측면(121, 122, 123, 124)을 포함할 수 있다. The light emitting unit 100 may have a polygonal structure. For example, the light emitting unit 100 may include four corners and four outer surfaces, and may have a flat plate shape with upper and lower surfaces, but is not limited thereto. The substrate of the embodiment may include first to fourth corners 125 , 126 , 127 , and 128 , and first to fourth outer surfaces 121 , 122 , 123 , and 124 .

상기 제1 외측면(121)은 제1 방향(X-X')으로 제2 외측면(122)과 서로 나란하게 대칭될 수 있다. 상기 제3 외측면(123)은 제1 방향(X-X')으로 제4 외측면(124)과 서로 나란하게 대칭될 수 있다. 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)은 상기 제3 및 제4 외측면(123, 124)으로부터 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 배치될 수 있다. The first outer surface 121 may be parallel to and symmetrical with the second outer surface 122 in the first direction (XX'). The third outer surface 123 may be parallel to and symmetrical with the fourth outer surface 124 in the first direction (XX'). The first and second outer surfaces 121 and 122 may be disposed in a second direction (Y-Y′) orthogonal to the third and fourth outer surfaces 123 and 124 .

상기 제1 모서리(125)는 상기 제1 외측면(121)과 상기 제3 외측면(123)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 모서리(126)는 상기 제2 외측면(122)과 제3 외측면(123)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 모서리(127)는 상기 제1 외측면(121)과 제4 외측면(124)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제4 모서리(128)는 상기 제2 외측면(122)과 제4 외측면(124)이 만나는 영역에 배치될 수 있다.The first corner 125 may be disposed in a region where the first outer surface 121 and the third outer surface 123 meet. The second corner 126 may be disposed in a region where the second outer surface 122 and the third outer surface 123 meet. The third corner 127 may be disposed in a region where the first outer surface 121 and the fourth outer surface 124 meet. The fourth edge 128 may be disposed in a region where the second outer surface 122 and the fourth outer surface 124 meet.

상기 기판은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 제1 실시 예의 상기 기판(120)은 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 상기 기판은 서브 기판(120S) 상에 상부 전극 패턴(131, 132, 133, 134)과, 서브 기판(120S) 아래에 하부 전극 패턴(141, 142, 143, 144), 및 상기 서브 기판(120S)를 관통하는 제1 내지 제3 연결 전극(161, 162, 163)을 포함할 수 있다.The substrate may include a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The substrate 120 of the first embodiment may include a printed circuit board having a metal layer. The substrate includes upper electrode patterns 131, 132, 133, and 134 on the sub-substrate 120S, lower electrode patterns 141, 142, 143, and 144 under the sub-substrate 120S, and the sub-substrate 120S. ) may include first to third connection electrodes 161, 162, and 163 penetrating.

상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 서로 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 는 제1 방향(X-X')으로 엇갈리게 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 제1 방향(X-X') 또는 상기 제1 방향(X-X') 방향과 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 는 COB(Chip on Board) 타입으로 기판 상에 직접 실장될 수 있다. 실시 예의 발광모듈(10)은 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)가 COB 타입으로 상기 기판 상에 직접 실장되어 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 기판 상에 SMT(Surface Mounting Technology)에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트(미도시)를 이용하여 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)를 기판에 실장하는 방법으로 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be arranged at regular intervals from each other. The first to third light emitting elements 150a, 150b, and 150c may be alternately arranged in the first direction (X-X'), but are not limited thereto. For example, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be directed in a first direction (X-X') or in a second direction (Y-Y') orthogonal to the first direction (X-X'). can be placed side by side. The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be directly mounted on a substrate in a COB (Chip on Board) type. In the light emitting module 10 of the embodiment, since the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c are directly mounted on the substrate in a COB type, the configuration can be simplified, and slimness and high brightness can be implemented. The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be mounted on a substrate by Surface Mounting Technology (SMT). The SMT is a method of mounting the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c on a board using a solder paste (not shown), and the solder paste may be a metal paste. For example, the solder paste may include an alloy such as AuSn or NiSn, but is not limited thereto.

상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 사파이어 기판(51), 발광층(53), 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 상기 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)이 하부에 배치되어 기판에 직접 실장되는 플립 칩 구조일 수 있다.The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may include a sapphire substrate 51, a light emitting layer 53, and first and second light emitting device electrodes 57 and 59. The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may have a flip chip structure in which the first and second light emitting device electrodes 57 and 59 are disposed below and directly mounted on a substrate.

상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(150a)의 상면 및 측면 상에 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(150a)와 직접 접할 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)의 두께는 300㎛이하일 수 있고, 150㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The red phosphor layer 52 may be disposed on the upper and side surfaces of the first light emitting element 150a, but is not limited thereto. The red phosphor layer 52 may directly contact the first light emitting element 150a. The thickness of the red phosphor layer 52 may be 300 μm or less and may be 150 μm, but is not limited thereto.

상기 적색 형광체층(52)는 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 MGF계 형광체는 예컨대, Mg4Ge1-xOyF:Mn4+ x의 조성식을 가지며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를 만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를 만족할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 KTF계 형광체 예컨대, KdTi1-gFe:Mn4+ g의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 d는 1 ≤ d ≤ 2.5, 상기 e는 5 ≤ e ≤ 6.5, 상기 g는 0.001 ≤ g ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)는 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 형광체는 높은 발광 효율을 가지며 청색 피크 파장에서 강한 흡수를 갖게 된다. 상기 적색 형광체층(52)는 황화물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2+ 형광체를 포함할 수 있다. 상기 활성체는 Mn4+ 등의 4가 전이금속 이온이거나, 각종 희토류 이온이나 전이금속 이온에서 선택되는 금속 이온을 필요에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, Eu2+ , Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Eu3+, Gd3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+ 등의 3가 희토류금속 이온, Sm2+, Eu2+, Yb2+ 등의 2가 희토류금속 이온, Mn2+ 등의 2가 전이금속이온, Cr3+이나 Fe3+ 등의 3가 전이금속이온 등이다.The red phosphor layer 52 may include a phosphor of a fluoride compound, for example, at least one of an MGF-based phosphor, a KSF-based phosphor, or a KTF-based phosphor. The MGF-based phosphor has a composition formula of, for example, Mg 4 Ge 1-x O y F:Mn 4+ x , where x satisfies 0.001 ≤ x ≤ 0.1, and y may satisfy 1 ≤ y ≤5. The KSF-based phosphor, for example, may have a composition formula of K a Si 1-c F b :Mn 4+ c , wherein a is 1 ≤ a ≤ 2.5, b is 5 ≤ b ≤ 6.5, and c is 0.001 ≤ c ≤ 0.1 can be satisfied. The KTF-based phosphor, for example, may have a compositional formula of K d Ti 1-g F e :Mn 4+ g , wherein d is 1 ≤ d ≤ 2.5, e is 5 ≤ e ≤ 6.5, and g is 0.001 ≤ g ≤ 0.1 can be satisfied. The red phosphor layer 52 is a fluoride compound phosphor, which is an Mn 4+ activator phosphor, and has high luminous efficiency and strong absorption at a blue peak wavelength. The red phosphor layer 52 may include a sulfide phosphor such as (Ca,Sr)S:Eu 2+ or a nitride phosphor such as CaAlSiN3:Eu 2+ . The activator may be a tetravalent transition metal ion such as Mn 4+ , or a metal ion selected from various rare earth ions or transition metal ions, if necessary, and may be appropriately selected, for example, Eu 2+ , Ce 3+ , Pr Trivalent rare earth metal ions such as 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er 3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , divalent rare earth metal ions such as Sm 2+ , Eu 2+ , and Yb 2+ , divalent transition metal ions such as Mn 2+ , and trivalent transition metal ions such as Cr 3+ and Fe 3+ .

실시 예는 일반적인 적색 발광다이오드를 사용하지 않고 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 발광 다이오드 및 적색 형광체(52)를 이용하여 적색 파장을 구현할 수 있다.In the embodiment, a red wavelength may be implemented using a light emitting diode and a red phosphor 52 having similar thermal and electrical characteristics without using a general red light emitting diode.

실시 예는 상기 적색 형광체층(52)으로부터 여기된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 상기 적색 컬러필터(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터는 적색 파장만을 통과시키므로 청색 발광다이오드의 빛이 상기 적색 형광체층(52)을 통과하더라도 상기 적색 컬러필터에 의해 차단될 수 있다. 실시 예는 적색 형광체층(52)을 통과하는 청색 발광다이오드의 빛이 상기 적색 형광체층(52)을 통과하는 전체 빛의 10% 이내로 하여 상기 적색 형광체층(52)을 통과한 청색 빛에 의한 색감 저하를 육안으로 인식못할 수 있다.An embodiment may include the red color filter (not shown) passing a red wavelength among wavelengths excited from the red phosphor layer 52 . Since the red color filter passes only red wavelengths, even if the light of the blue light emitting diode passes through the red phosphor layer 52, it can be blocked by the red color filter. In the embodiment, the light of the blue light emitting diode passing through the red phosphor layer 52 is within 10% of the total light passing through the red phosphor layer 52, so that the color of the blue light passing through the red phosphor layer 52 Deterioration may be invisible to the naked eye.

상기 몰딩부(170)는 상기 기판(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)의 상부 및 측면들을 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 상기 기판(120) 및 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)와 직접 접할 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 탑뷰가 정사각형 구조일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 몰딩부(170)의 탑뷰 형상은 표시장치의 단위 화소구조와 대응될 수 있다. 예컨대 상기 몰딩부(170)의 탑뷰는 직사각형, 다각형, 타원형, 원형 등 다양하게 변경될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 발광모듈(10)의 적용 분야에 따라 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 블랙 필러는 사이니지, 실내외 전광판, public display 등에 사용되는 발광모듈에서 외관 품질을 향상시키기 위해 포함될 수 있다.The molding part 170 may be disposed on the substrate 120 . The molding part 170 may be disposed on top and side surfaces of the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c. The molding part 170 may directly contact the substrate 120 and the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c. The molding part 170 may have a top view square structure, but is not limited thereto. A top view shape of the molding part 170 may correspond to a unit pixel structure of a display device. For example, the top view of the molding part 170 may be variously changed such as a rectangle, a polygon, an ellipse, and a circle. The molding part 170 may include a black filler according to an application field of the light emitting module 10 . The black pillar can improve the appearance quality by implementing the entire light emitting surface in black color during non-emission. For example, a black filler may be included to improve the appearance quality of a light emitting module used in signage, indoor/outdoor electronic signboards, public displays, and the like.

상기 몰딩부(170)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c))를 보호하고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)로부터의 광 손실을 개선할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 위의 몰딩부(170) 높이는 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 각각의 높이보다 낮을 수 있고, 사파이어 기판(51)의 높이보다 낮을 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 위의 몰딩부(170) 높이는 몰딩부(170) 내에서의 광 혼합 및 몰딩부(170) 외부로의 직진성을 개선할 수 있다.The molding part 170 may protect the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c and reduce light loss from the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c. can have any thickness. For example, the height of the molding part 170 above the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c may be lower than the height of each of the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c, and the sapphire substrate It may be lower than the height of (51). The height of the molding part 170 above the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may improve light mixing within the molding part 170 and straightness out of the molding part 170.

상기 블랙 매트릭스(BM)는 빛샘을 방지하고, 외관 품질을 개선하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 불투명한 유기물질일 수 있다. 예컨대 상기 블랙 매트릭스(BM)는 블랙 레진일 수 있고, 성형 구조물 및 성형 구조물의 표면에 블랙 층일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)가 배치되는 개구부를 포함할 수 있다. 하나의 개구부는 표시장치의 하나의 화소와 대응되고, 하나의 발광부(100)를 수용할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 단면 두께는 상기 몰딩부(170)의 최대 단면 두께와 같을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 다수의 발광부(100)의 외측면을 모두 감싸는 매트릭스 구조일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 인접한 발광부(100) 사이의 빛의 간섭을 차단하고, 표시장치의 구동 정지 시에 블랙 컬러의 화면을 제공함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있고, 각각의 화소의 컬러 구현 신뢰도를 향상시킬 수 있다.The black matrix BM may include a function of preventing light leakage and improving appearance quality. The black matrix BM may be an opaque organic material. For example, the black matrix BM may be a black resin, and may be a black layer on a molding structure and a surface of the molding structure. The black matrix BM may include openings in which the first to third light emitting elements 150a, 150b, and 150c are disposed. One opening corresponds to one pixel of the display device and can accommodate one light emitting unit 100 . The cross-sectional thickness of the black matrix BM may be the same as the maximum cross-sectional thickness of the molding part 170, but is not limited thereto. The black matrix BM may have a matrix structure covering all outer surfaces of the plurality of light emitting units 100 . The black matrix BM blocks light interference between adjacent light emitting units 100 and provides a black screen when the driving of the display device is stopped, thereby improving appearance quality and color of each pixel. Implementation reliability can be improved.

실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 및 몰딩부(170)가 기판에 직접 배치되고, 발광부(100) 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈(10)을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈(10)을 제공하되 발광모듈(10)의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the embodiment, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c that can be individually driven and the molding unit 170 are directly disposed on a substrate, and the matrix-type black matrix surrounds each side of the light emitting unit 100. (BM) can provide a light emitting module 10 of a simplified structure disposed on the substrate. That is, the embodiment provides the light emitting module 10 capable of realizing full color images and images, but it is possible to realize slimness and high brightness by simplifying the configuration of the light emitting module 10 .

실시 예는 유사한 열적 특성 및 진기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)에 의해 색감 차이를 개선할 수 있다.In the embodiment, color difference may be improved by using the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c having similar thermal characteristics and novel characteristics.

실시 예는 COB 타입의 발광모듈(10) 구조에 의해 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.According to the embodiment, power consumption can be reduced by simplifying the electrical connection structure by the structure of the COB type light emitting module 10 .

실시 예는 유사한 열적 특성 및 진기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)에 의해 일정한 구동전압 또는 구동전류가 요구되어 구동회로를 간소화할 수 있고, 제어가 용이한 장점을 갖는다.
In the embodiment, a constant driving voltage or driving current is required by the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c having similar thermal characteristics and novel characteristics, so that the driving circuit can be simplified and the control is easy. have

도 6은 제1 실시 예의 발광부의 일부를 도시한 분해 사시도이고, 도 7 내지 도 11은 제1 실시 예의 발광모듈의 제조방법을 도시한 단면도이다.6 is an exploded perspective view showing a part of the light emitting unit according to the first embodiment, and FIGS. 7 to 11 are cross-sectional views showing a manufacturing method of the light emitting module according to the first embodiment.

도 6 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예의 발광부는 적색 컬러필터(190)를 제외하고, 도 1 내지 도 5의 발광부(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 제1 실시 예는 몰딩부(170) 상에 배치된 적색 컬러필터(190)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 파장 및 청색 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장을 통과시키므로 순수한 적색 파장을 구현할 수 있다. 즉, 제1 실시 예는 청색 또는 녹색 발광다이오드, 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 포함하여 제1 및 제2 발광소자(152, 153)들이 동일한 물성을 포함함으로써, 열적 안정성을 향상시키고, 시간에 따라 변하는 색감 차이를 개선할 수 있다.As shown in FIGS. 6 to 11 , the light emitting unit of the first embodiment may adopt technical features of the light emitting unit 100 of FIGS. 1 to 5 except for the red color filter 190 . The first embodiment may include a red color filter 190 disposed on the molding part 170 . The red color filter 190 may include a function of passing a red wavelength among wavelengths converted through the red phosphor layer 52 . For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include a red wavelength and a blue wavelength. Since the red color filter 190 passes the red wavelength, a pure red wavelength can be implemented. That is, in the first embodiment, the first and second light emitting elements 152 and 153 including the blue or green light emitting diode, the red phosphor layer 52, and the red color filter 190 include the same physical properties, thereby providing thermal stability. It is possible to improve the color difference that changes over time.

제1 실시 예의 상기 몰딩부(170)는 블랙 필러(171)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러(171)는 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 블랙 필러(171)는 사이니지, 실내외 전광판, public display 등에 사용되는 발광모듈에서 외관 품질을 향상시키기 위해 포함될 수 있다.The molding part 170 of the first embodiment may include a black pillar 171 . The black pillar 171 can improve the appearance quality by implementing the entire light emitting surface in black color when not emitting light. For example, the black pillar 171 may be included to improve the appearance quality of a light emitting module used for signage, indoor/outdoor electronic signboards, public displays, and the like.

도 7을 참조하면, 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법은 먼저, 기판(120) 상에 제1 발광소자(151), 제2 발광소자(152) 및 제3 발광소자(153) 기판(120) 상에 COB 타입으로 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(120) 상에 SMT에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트를 이용할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 발광소자(151)는 청색 발광다이오드일 수 있고, 상기 제2 발광소자(153)은 녹색 발광다이오드일 수 있다. 제1 실시 예의 제1 및 제2 발광소자(151, 152)는 청색 파장을 발광하는 청색 발광다이오드를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 발광소자(151)는 녹색 파장을 발광하는 녹색 발광다이오드로 변경될 수도 있다.Referring to FIG. 7 , in the method of manufacturing a light emitting module according to the first embodiment, first, a first light emitting device 151, a second light emitting device 152, and a third light emitting device 153 are formed on a substrate 120. It can be placed in a COB type on the top. The first to third light emitting devices 151 , 152 , and 153 may be mounted on the substrate 120 by SMT. The SMT may use solder paste. The solder paste may be a metal paste. For example, the solder paste may include an alloy such as AuSn or NiSn, but is not limited thereto. The first light emitting device 151 may be a blue light emitting diode, and the second light emitting device 153 may be a green light emitting diode. Although the first and second light emitting devices 151 and 152 of the first embodiment are limited to blue light emitting diodes emitting blue wavelengths, they are not limited thereto. For example, the first light emitting device 151 may be changed to a green light emitting diode emitting green wavelength.

도 8을 참조하면, 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151)의 상부 및 측면상에 배치될 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151)와 직접 접할 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151)로부터의 광을 적색 파장으로 변경시킬 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)는 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 MGF계 형광체는 예컨대, Mg4Ge1-xOyF:Mn4+ x의 조성식을 가지며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를 만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를 만족할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 KTF계 형광체 예컨대, KdTi1-gFe:Mn4+ g의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 d는 1 ≤ d ≤ 2.5, 상기 e는 5 ≤ e ≤ 6.5, 상기 g는 0.001 ≤ g ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 형광체층(52)는 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 형광체는 높은 발광 효율을 가지며 청색 피크 파장에서 강한 흡수를 갖게 된다. 상기 형광체층(52)는 황화물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2+ 형광체를 포함할 수 있다. 상기 활성체는 Mn4+ 등의 4가 전이금속 이온이거나, 각종 희토류 이온이나 전이금속 이온에서 선택되는 금속 이온을 필요에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, Eu2+ , Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Eu3+, Gd3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+ 등의 3가 희토류금속 이온, Sm2+, Eu2+, Yb2+ 등의 2가 희토류금속 이온, Mn2+ 등의 2가 전이금속이온, Cr3+이나 Fe3+ 등의 3가 전이금속이온 등이다.Referring to FIG. 8 , a red phosphor layer 52 may be disposed on the first light emitting device 151 . The red phosphor layer 52 may be disposed on top and side surfaces of the first light emitting device 151 . The red phosphor layer 52 may directly contact the first light emitting element 151 . The red phosphor layer 52 may change the light from the first light emitting device 151 into a red wavelength. The red phosphor layer 52 may include a phosphor of a fluoride compound, for example, at least one of an MGF-based phosphor, a KSF-based phosphor, or a KTF-based phosphor. The MGF-based phosphor has a composition formula of, for example, Mg 4 Ge 1-x O y F:Mn 4+ x , where x satisfies 0.001 ≤ x ≤ 0.1, and y may satisfy 1 ≤ y ≤5. The KSF-based phosphor, for example, may have a composition formula of K a Si 1-c F b :Mn 4+ c , wherein a is 1 ≤ a ≤ 2.5, b is 5 ≤ b ≤ 6.5, and c is 0.001 ≤ c ≤ 0.1 can be satisfied. The KTF-based phosphor, for example, may have a compositional formula of K d Ti 1-g F e :Mn 4+ g , wherein d is 1 ≤ d ≤ 2.5, e is 5 ≤ e ≤ 6.5, and g is 0.001 ≤ g ≤ 0.1 can be satisfied. In the phosphor layer 52, a fluoride compound phosphor, which is an Mn 4+ activator phosphor, has high luminous efficiency and strong absorption at a blue peak wavelength. The phosphor layer 52 may include a sulfide-based phosphor such as (Ca,Sr)S:Eu 2+ or a nitride-based phosphor such as CaAlSiN3:Eu 2+ phosphor. The activator may be a tetravalent transition metal ion such as Mn 4+ , or a metal ion selected from various rare earth ions or transition metal ions, if necessary, and may be appropriately selected, for example, Eu 2+ , Ce 3+ , Pr Trivalent rare earth metal ions such as 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er 3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , divalent rare earth metal ions such as Sm 2+ , Eu 2+ , and Yb 2+ , divalent transition metal ions such as Mn 2+ , and trivalent transition metal ions such as Cr 3+ and Fe 3+ .

도 9를 참조하면, 기판(120), 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 상에 몰딩층(170a)이 형성될 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 상기 몰딩층(170a)은 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 발광모듈의 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 블랙 필러는 사이니지, 실내외 전광판, public display 등에 사용되는 발광모듈에서 외관 품질을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 9 , a molding layer 170a may be formed on the substrate 120 and the first to third light emitting devices 151 , 152 , and 153 . The molding layer 170a may include a light-transmissive resin material such as epoxy or silicon. The molding layer 170a may include a black filler. The black pillar can improve the appearance quality by implementing the entire light emitting surface in black color when the light emitting module is not light emitting. For example, black pillars can improve the appearance quality of light emitting modules used in signage, indoor and outdoor electronic signboards, public displays, and the like.

도 10을 참조하면, 커팅공정에 의해 기판(120) 상에 단위 발광부(100)를 형성할 수 있다. 상기 커팅공정은 몰딩층을 에칭 또는 물리적으로 제거하여 몰딩부(170)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 10 , unit light emitting units 100 may be formed on a substrate 120 by a cutting process. In the cutting process, the molding part 170 may be formed by etching or physically removing the molding layer.

도 11을 참조하면, 상기 기판(120) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 발광부(100)의 외측면을 감싸도록 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 11 , a black matrix BM may be formed on the substrate 120 . The black matrix BM may be formed to surround an outer surface of the light emitting part 100 . The black matrix BM may be formed through a screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto.

상기 몰딩부(170) 상에 적색 컬러필터(190)가 형성될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)과 수직으로 중첩될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장만을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 이외의 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장을 통과시키고, 적색 이외의 파장을 차단할 수 있다. A red color filter 190 may be formed on the molding part 170 . The red color filter 190 may vertically overlap the red phosphor layer 52 . The red color filter 190 may include a function of passing only red wavelengths among wavelengths converted through the red phosphor layer 52 . For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include wavelengths other than red. The red color filter 190 may pass the red wavelength and block wavelengths other than red.

제1 실시 예의 제1 발광소자(151), 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 파장을 구현함으로써, 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 실시 예는 열적 안정성을 향상시키고, 시간에 따라 변하는 색감 차이를 개선할 수 있다.By implementing a red wavelength using the first light emitting element 151, the red phosphor layer 52 and the red color filter 190 of the first embodiment, the first to third light emitting elements 151, 152, and 153 are similar to each other. It may include thermal properties and electrical properties. Therefore, the first embodiment can improve thermal stability and improve color difference that changes over time.

제1 실시 예의 발광모듈 제조방법은 기판(120) 상에 COB 타입으로 직접 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 실장하고, 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM)를 형성하여 제조공정을 간소화할 수 있다.
In the light emitting module manufacturing method of the first embodiment, the first to third light emitting elements 151, 152, and 153 are directly mounted on a substrate 120 in a COB type, and a molding part 170 and a black matrix BM are formed. This can simplify the manufacturing process.

도 12는 제2 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.12 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a second embodiment.

도 12에 도시된 바와 같이, 제2 실시 예의 발광모듈은 블랙 매트릭스(BM), 몰딩부(170) 및 단차부(171)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 12, the light emitting module of the second embodiment is the light emitting module 10 of the first embodiment of FIGS. ) can be employed.

제2 실시 예는 몰딩부(170) 상에 단차부(171)가 배치될 수 있다. 상기 단차부(171)는 물리적 또는 화학적 식각공정을 통해서 형성될 수 있다. 예컨대 상기 단차부(171)는 상기 몰딩부(170)의 상부면으로부터 기판(120) 방향으로 오목한 형상일 수 있다. 예컨대 상기 단차부(171)의 바닥부는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 단차부(171)는 블랙 매트릭스(BM)의 위치를 결정할 수 있다. 상기 단차부(171)의 바닥부는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면보다 아래에 배치되어 블랙 매트릭스(BM)의 바닥부에 반사되어 기판(120) 방향으로 손실되는 광을 줄일 수 있다. 상기 단차부(171)의 높이는 상기 몰딩부(170)의 높이보다 클 수 있다. 상기 단차부(171)의 높이는 상기 몰딩부(170)의 높이의 50% 이상일 수 있다.In the second embodiment, the stepped portion 171 may be disposed on the molding portion 170 . The stepped portion 171 may be formed through a physical or chemical etching process. For example, the stepped portion 171 may have a concave shape from the upper surface of the molding portion 170 toward the substrate 120 . For example, the bottom portion of the stepped portion 171 may be disposed below the upper surfaces of the first to third light emitting devices 151 , 152 , and 153 . The stepped portion 171 may determine the position of the black matrix BM. The bottom portion of the stepped portion 171 is disposed below the top surface of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, and is reflected on the bottom portion of the black matrix BM and lost toward the substrate 120. light can be reduced. The height of the stepped portion 171 may be greater than that of the molding portion 170 . The height of the stepped portion 171 may be 50% or more of the height of the molding portion 170 .

제2 실시 예의 발광모듈 제조방법은 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM) 형성단계를 제외하고 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The manufacturing method of the light emitting module of the second embodiment may adopt the technical features of the manufacturing method of the light emitting module of the first embodiment except for the molding part 170 and the black matrix (BM) forming step.

상기 제2 실시 예의 발광모듈 제조방법은 몰딩층을 기판(120), 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 상에 형성하고, 물리적 또는 화학적 식각 공정을 통해서 몰딩층 두께의 50% 이상의 깊이로 단차부(171)를 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 단차부(171)내에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 하면은 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면보다 아래에 배치되어 인접한 발광부 사이의 빛 간섭을 개선할 수 있다.In the light emitting module manufacturing method of the second embodiment, a molding layer is formed on the substrate 120 and the first to third light emitting elements 151, 152, and 153, and 50% of the thickness of the molding layer is formed through a physical or chemical etching process. The stepped portion 171 can be formed to the above depth. The black matrix BM may be formed in the stepped portion 171 by a screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto. The lower surface of the black matrix BM is disposed below the upper surfaces of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 to improve light interference between adjacent light emitting units.

제2 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부(100) 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the second embodiment, the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 and the molding part 170, which can be individually driven, are directly disposed on the substrate 120 and surround each side of the light emitting part 100. A light emitting module having a simplified structure in which a matrix type black matrix BM is disposed on the substrate 120 may be provided. That is, the embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but it is possible to realize slimness and high brightness by simplifying the configuration of the light emitting module.

제2 실시 예는 동일한 물성을 갖는 발광소자들에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the second embodiment, thermal stability can be improved and a certain color can be implemented by light emitting devices having the same physical properties.

제2 실시 예는 적색 형광체층(52)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.
The second embodiment implements red color using the red phosphor layer 52, thereby improving thermal stability and implementing a constant color compared to general red light emitting diodes.

도 13은 제3 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.13 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a third embodiment.

도 13에 도시된 바와 같이, 제3 실시 예의 발광모듈은 적색 컬러필터(290)를 포함하는 제1 발광소자(151)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 13, the light emitting module of the third embodiment is the light emitting module 10 of the first embodiment of FIGS. 1 to 11 except for the first light emitting element 151 including the red color filter 290. technical features can be employed.

상기 적색 컬러필터(290)는 적색 형광체층(52) 상에 형성될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(290)는 상기 적색 형광체층(52) 상부면과 접할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(290)는 몰딩층(170) 내에 배치될 수 있다.The red color filter 290 may be formed on the red phosphor layer 52 . The red color filter 290 may contact the upper surface of the red phosphor layer 52 . The red color filter 290 may be disposed in the molding layer 170 .

제3 실시 예의 발광모듈 제조방법은 적색 형광체층(52) 형성 단계 이후에 상기 적색 컬러필터(190)을 형성하고, 이후에 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM) 순차적으로 형성할 수 있다. In the light emitting module manufacturing method of the third embodiment, the red color filter 190 may be formed after the red phosphor layer 52 is formed, and then the molding part 170 and the black matrix BM may be sequentially formed.

제3 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제3 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the third embodiment, the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 that can be individually driven and the molding part 170 are directly disposed on the substrate 120 and surround the side surfaces of each of the light emitting parts. A light emitting module having a simplified structure in which the black matrix BM is disposed on the substrate 120 may be provided. That is, the third embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but can implement slimming and high luminance by simplifying the configuration of the light emitting module.

제3 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the third embodiment, thermal stability can be improved and a certain color can be implemented by using the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal and electrical characteristics.

제3 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(290)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The third embodiment implements red color using the red phosphor layer 52 and the red color filter 290, thereby improving thermal stability and implementing a constant color compared to general red light emitting diodes.

도 14는 제4 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.14 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a fourth embodiment.

도 14에 도시된 바와 같이, 제4 실시 예의 발광모듈은 파장 변환 필터 (380)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 14 , the light emitting module of the fourth embodiment may adopt technical features of the light emitting module 10 of the first embodiment of FIGS. 1 to 11 except for the wavelength conversion filter 380 .

상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)의 상부면 및 측면상에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)와 직접 접할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 적색 컬러필터 및 적색 형광체층을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)의 광을 적색 파장으로 변환하고, 적색 이외의 파장을 차단하고, 적색 파장만을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다.The wavelength conversion filter 380 may be disposed on the first light emitting element 151 . The wavelength conversion filter 380 may be disposed on the top and side surfaces of the first light emitting element 151 . The wavelength conversion filter 380 may directly contact the first light emitting element 151 . The wavelength conversion filter 380 may include a red color filter and a red phosphor layer. The wavelength conversion filter 380 may include a function of converting light from the first light emitting element 151 into a red wavelength, blocking wavelengths other than red, and passing only the red wavelength.

제4 실시 예의 발광모듈 제조방법은 적색 컬러필터 및 적색 형광체가 혼합된 상기 파장 변환 필터(380)를 제1 발광소자(151) 상에 형성하고, 이후에 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM) 순차적으로 형성할 수 있다.In the manufacturing method of the light emitting module of the fourth embodiment, the wavelength conversion filter 380 in which the red color filter and the red phosphor are mixed is formed on the first light emitting element 151, and then the molding part 170 and the black matrix (BM) are formed. ) can be formed sequentially.

제4 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제4 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the fourth embodiment, the first to third light emitting devices 151, 152, 153 and the molding part 170, which can be individually driven, are directly disposed on the substrate 120 and surround each side of the light emitting part. A light emitting module having a simplified structure in which the black matrix BM is disposed on the substrate 120 may be provided. That is, the fourth embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but can realize slimming and high luminance by simplifying the configuration of the light emitting module.

제4 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the fourth embodiment, thermal stability can be improved and a certain color can be implemented by using the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal and electrical characteristics.

제4 실시 예는 적색 형광체층 및 적색 컬러필터를 포함하는 파장 변환 필터(380)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The fourth embodiment implements red color using the wavelength conversion filter 380 including a red phosphor layer and a red color filter, thereby improving thermal stability and implementing a constant color compared to general red light emitting diodes.

도 15는 제5 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.15 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a fifth embodiment.

도 15에 도시된 바와 같이, 제5 실시 예의 발광모듈은 파장 변환 필터 (480)를 제외하고, 도 14의 제4 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 15 , the light emitting module of the fifth embodiment may adopt technical features of the light emitting module of the fourth embodiment of FIG. 14 except for the wavelength conversion filter 480 .

상기 파장 변환 필터(480)는 복수의 제1 발광소자(151)에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 제1 발광소자(151)의 상부면상에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 제1 발광소자(151)와 직접 접할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 적색 컬러필터 및 적색 형광체층을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 제1 발광소자(151)의 광을 적색 파장으로 변환하고, 적색 이외의 파장을 차단시키고, 적색 파장만을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다.The wavelength conversion filter 480 may be disposed on the plurality of first light emitting elements 151 . The wavelength conversion filter 480 may be disposed on an upper surface of the first light emitting element 151 . The wavelength conversion filter 480 may directly contact the first light emitting element 151 . The wavelength conversion filter 480 may include a red color filter and a red phosphor layer. The wavelength conversion filter 480 may include a function of converting light from the first light emitting device 151 into a red wavelength, blocking wavelengths other than red, and passing only the red wavelength.

제5 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제4 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The manufacturing method of the light emitting module of the fifth embodiment may employ technical features of the manufacturing method of the light emitting module of the fourth embodiment.

제5 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제5 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the fifth embodiment, the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 that can be individually driven and the molding unit 170 are directly disposed on the substrate 120 and surround the side surfaces of each of the light emitting units. A light emitting module having a simplified structure in which the black matrix BM is disposed on the substrate 120 may be provided. That is, the fifth embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but can realize slimming and high luminance by simplifying the configuration of the light emitting module.

제5 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the fifth embodiment, a certain color can be implemented by the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal and electrical characteristics.

제5 실시 예는 적색 형광체층 및 적색 컬러필터를 포함하는 파장 변환 필터(480)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 균일한 색감을 구현할 수 있다.
In the fifth embodiment, red color is implemented using the wavelength conversion filter 480 including the red phosphor layer and the red color filter, so that uniform color can be implemented.

도 16는 제6 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.16 is a cross-sectional view showing a light emitting module according to a sixth embodiment.

도 16에 도시된 바와 같이, 제6 실시 예의 발광모듈은 적색 컬러필터(190)를 포함하는 상부 기판(TG)을 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 16, the light emitting module of the sixth embodiment is technically similar to the light emitting module 10 of the first embodiment of FIGS. 1 to 11 except for the upper substrate TG including the red color filter 190. features can be employed.

상기 상부 기판(TG)는 몰딩부(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 상부 기판(TG)는 투명 유리기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The upper substrate TG may be disposed on the molding part 170 . The upper substrate TG may be a transparent glass substrate, but is not limited thereto.

상기 적색 컬러필터(190)는 상기 상부 기판(TG) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상부 기판(TG) 하부면 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 적색 형광체층(52)과 수직으로 중첩될 수 있다.The red color filter 190 may be disposed on the upper substrate TG. The red color filter 190 may be disposed on a lower surface of the upper substrate TG. The red color filter 190 may vertically overlap the red phosphor layer 52 .

제6 실시 예의 발광모듈 제조방법은 상기 상부 기판(TG) 상에 적색 컬러필터(190)을 형성하는 단계를 제외하고, 도 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 상부 기판(TG)은 상기 적색 형광체층(52)과 수직으로 중첩되도록 얼라인하는 단계를 포함할 수 있다.The manufacturing method of the light emitting module of the sixth embodiment may adopt the technical features of the manufacturing method of the light emitting module of the first embodiment except for forming the red color filter 190 on the upper substrate TG. A step of aligning the upper substrate TG so as to vertically overlap the red phosphor layer 52 may be included.

제6 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제6 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the sixth embodiment, the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 that can be individually driven and the molding unit 170 are directly disposed on the substrate 120 and surround the side surfaces of each of the light emitting units. A light emitting module having a simplified structure in which the black matrix BM is disposed on the substrate 120 may be provided. That is, the sixth embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but can realize slimming and high luminance by simplifying the configuration of the light emitting module.

제6 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the sixth embodiment, a certain color can be implemented by the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal and electrical characteristics.

제6 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 상부 기판(TG)의 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.
The sixth embodiment implements red color using the red phosphor layer 52 and the red color filter 190 of the upper substrate TG, thereby improving thermal stability and implementing a constant color compared to general red light emitting diodes. .

도 17 및 도 18은 제7 실시 예의 발광모듈을 도시한 분해 사시도이다.17 and 18 are exploded perspective views illustrating a light emitting module according to a seventh embodiment.

도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 제7 실시 예는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153))를 포함하고, 상기 제1 발광소자(151) 상에 적색 형광체층(252) 및 적색 컬러필터(291)가 배치되고, 상기 제2 발광소자(152) 상에 녹색 형광체층(254) 및 녹색 컬러필터(293)가 배치될 수 있다. 제7 실시 예는 상기 제2 발광소자(152) 상에 녹색 형광체층(254) 및 녹색 컬러필터(293)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 17 and 18, the seventh embodiment includes first to third light emitting devices 151, 152, and 153, and a red phosphor layer 252 on the first light emitting device 151. ) and a red color filter 291 may be disposed, and a green phosphor layer 254 and a green color filter 293 may be disposed on the second light emitting element 152 . The seventh embodiment has technical characteristics of the light emitting module 10 of the first embodiment of FIGS. 1 to 11 except for the green phosphor layer 254 and the green color filter 293 on the second light emitting element 152. can be employed.

상기 녹색 형광체층(254)은 570nm 이하 예컨대, 540nm 내지 560nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. 예컨대 상기 녹색 형광체층(254)은 (Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu, (Ca,Sr)3SiO5:Eu, (La,Ca)3Si6N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce, CaSc2O4:Eu, BaAl8O13:Eu, (Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4:Eu, (Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, Zn2SiO4:Mn, (Y,Gd)BO3:Tb, ZnS:Cu,Cl/Al, ZnS:Ag,Cl/Al, (Sr,Ca)2Si5N8:Eu, (Li,Na,K)3ZrF7:Mn, (Li,Na,K)2(Ti,Zr)F6:Mn, (Ca,Sr,Ba)(Ti,Zr)F6:Mn, Ba0.65Zr0.35F2.7:Mn, (Sr,Ca)S:Eu, (Y,Gd)BO3:Eu, (Y,Gd)(V,P)O4:Eu, Y2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)5(PO4)3Cl:Eu, (Ca,Sr,Ba)MgAl10O17:Eu, (Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Eu, 3.5MgOㆍ0.5MgF2ㆍGeO2:Mn 등 중에서 한 종류 또는 2종류 이상이 선택될 수 있다. 상기 녹색 형광체층(254)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있으며, 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 녹색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.The green phosphor layer 254 may emit light with a peak wavelength of 570 nm or less, for example, 540 nm to 560 nm. For example, the green phosphor layer 254 is (Y,Gd,Lu,Tb) 3 (Al,Ga) 5 O 12 :Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba) 2 SiO 4 :Eu, (Ca,Sr) 3 SiO 5 :Eu, (La,Ca) 3 Si 6 N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu, Ba 3 Si 6 O 12 N 2 :Eu, Ca 3 (Sc,Mg) 2 Si 3 O 12 :Ce, CaSc 2 O 4 :Eu, BaAl 8 O 13 :Eu, (Ca,Sr,Ba)Al 2 O 4 :Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In) 2 S 4 :Eu, (Ca,Sr) 8 (Mg,Zn)(SiO 4 ) 4 C l2 :Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba) 3 MgSi 2 O 8 :Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba ) 2 (Mg,Zn)Si 2 O 7 :Eu, Zn 2 SiO 4 :Mn, (Y,Gd)BO 3 :Tb, ZnS:Cu,Cl/Al, ZnS:Ag,Cl/Al, (Sr, Ca) 2 Si 5 N 8 :Eu, (Li,Na,K) 3 ZrF 7 :Mn, (Li,Na,K) 2 (Ti,Zr)F 6 :Mn, (Ca,Sr,Ba)(Ti ,Zr)F 6 :Mn, Ba 0.65 Zr 0.35 F 2.7 :Mn, (Sr,Ca)S:Eu, (Y,Gd)BO 3 :Eu, (Y,Gd)(V,P)O 4 :Eu , Y 2 O 3 :Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg) 5 (PO 4 ) 3 Cl:Eu, (Ca,Sr,Ba)MgAl 10 O 17 :Eu, (Ca,Sr,Ba)Si 2 O 2 N 2 :Eu, 3.5MgO·0.5MgF 2 ·GeO 2 :Mn, etc., one type or two or more types may be selected. The green phosphor layer 254 may include quantum dots, and the quantum dots may include a II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit green light. The quantum dots may be, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2 , CuInSe 2 and the like, and combinations thereof.

제7 실시 예는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 모두 청색 발광다이오드를 이용하므로 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있다.Since the seventh embodiment uses blue light emitting diodes for all of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, it can have an advantage of excellent productivity.

제7 실시 예의 제조방법은 제1 실시 예의 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The manufacturing method of the seventh embodiment may employ technical features of the manufacturing method of the first embodiment.

제7 실시 예는 청색 발광다이오드의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 적색 형광체층(252), 적색 컬러필터(291), 녹색 형광체층(254), 녹색 컬러필터(293) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제7 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the seventh embodiment, the first to third light emitting elements 151, 152, and 153 of a blue light emitting diode, a red phosphor layer 252, a red color filter 291, a green phosphor layer 254, and a green color filter 293 ) and the molding unit 170 are directly disposed on the substrate 120, and a matrix-type black matrix (BM) surrounding each side of the light emitting unit is disposed on the substrate 120 to provide a light emitting module having a simplified structure. can That is, the seventh embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but can realize slimming and high luminance by simplifying the configuration of the light emitting module.

제7 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The seventh embodiment can improve thermal stability and implement a constant color sense by using the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal and electrical characteristics.

제7 실시 예는 제1 발광소자(151)과 적색 형광체층(252), 적색 컬러필터(291), 제2 발광소자(152), 녹색 형광체층(254) 및 녹색 컬러필터(293)을 이용하여 적색 및 녹색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The seventh embodiment uses a first light emitting element 151, a red phosphor layer 252, a red color filter 291, a second light emitting element 152, a green phosphor layer 254, and a green color filter 293. By implementing red and green colors, thermal stability can be improved compared to general red light emitting diodes, and a constant color can be implemented.

도 19 및 도 20은 제8 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 시도이다.19 and 20 are plan views and exploded views illustrating a light emitting module according to an eighth embodiment.

도 19 및 도 20에 도시된 바와 같이, 제8 실시 예는 복수의 백색 발광 다이오드(350), 적색 컬러필터(391), 청색 컬러필터(392) 및 녹색 컬러필터(393)을 포함할 수 있다. 19 and 20, the eighth embodiment may include a plurality of white light emitting diodes 350, a red color filter 391, a blue color filter 392, and a green color filter 393. .

제8 실시 예는 하나의 화소와 다응되는 하나의 발광부에 4개의 백색 발광다이오드(350)가 배치될 수 있다.In the eighth embodiment, four white light emitting diodes 350 may be disposed in one light emitting part corresponding to one pixel.

상기 백색 발광다이오드(350)은 제1 내지 제4 백색 발광다이오드(350a, 350b, 350c, 350d)를 포함할 수 있다.The white light emitting diode 350 may include first to fourth white light emitting diodes 350a, 350b, 350c, and 350d.

상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a)와 직접 접할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a)로부터 발광된 광 중에 적색 파장의 광을 통과시킬 수 있다.The red color filter 391 may be disposed on the first white light emitting diode 350a. The red color filter 391 may overlap the first white light emitting diode 350a in a vertical direction. The red color filter 391 may directly contact the first white light emitting diode 350a. The red color filter 391 may pass light of a red wavelength among the light emitted from the first white light emitting diode 350a.

상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b) 상에 배치될 수 있다. 상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b)와 직접 접할 수 있다. 상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b)로부터 발광된 광 중에 적색 파장의 광을 통과시킬 수 있다.The blue color filter 392 may be disposed on the second white light emitting diode 350b. The blue color filter 392 may overlap the second white light emitting diode 350b in a vertical direction. The blue color filter 392 may directly contact the second white light emitting diode 350b. The blue color filter 392 may pass light of a red wavelength among light emitted from the second white light emitting diode 350b.

상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c) 상에 배치될 수 있다. 상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c)와 직접 접할 수 있다. 상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c)로부터 발광된 광 중에 적색 파장의 광을 통과시킬 수 있다.The green color filter 393 may be disposed on the third white light emitting diode 350c. The green color filter 393 may overlap the third white light emitting diode 350c in a vertical direction. The green color filter 393 may directly contact the third white light emitting diode 350c. The green color filter 393 may pass light of a red wavelength among the light emitted from the third white light emitting diode 350c.

제8 실시 예는 모든 발광소자를 백색 발광다이오드(350)로 배치하고, 적색 컬러필터(391), 청색 컬러필터(392) 및 녹색 컬러필터(393)를 이용하여 풀 컬러를 구현함과 동시에 제4 백색 발광다이오드(350d)를 이용하여 컬러 균형, 밝기 등을 보상할 수 있다. 제8 실시 예는 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있고, 색 순도 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the eighth embodiment, all light emitting devices are arranged as white light emitting diodes 350, and full color is implemented using a red color filter 391, a blue color filter 392, and a green color filter 393, and at the same time, Color balance, brightness, etc. may be compensated for using the 4 white light emitting diodes 350d. The eighth embodiment may have an advantage of excellent productivity, and may realize color purity and high luminance.

제8 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 백색 발광다이오드들에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the eighth embodiment, a certain color can be implemented by white light emitting diodes having similar thermal and electrical characteristics.

제8 실시 예는 백색 발광다이오드들과 적색 컬러필터(391), 청색 컬러필터(392) 및 녹색 컬러필터(393)을 이용하여 풀 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The eighth embodiment implements full color using white light emitting diodes and a red color filter 391, a blue color filter 392, and a green color filter 393, thereby improving thermal stability compared to general red light emitting diodes, A certain color can be realized.

도 21 및 도 22는 제9 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.21 and 22 are a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a ninth embodiment.

도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 제9 실시 예는 백색 발광 다이오드(550)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIGS. 21 and 22 , the ninth embodiment may employ technical features of the light emitting module 10 of the first embodiment of FIGS. 1 to 11 except for the white light emitting diode 550 .

제9 실시 예는 하나의 발광부 마다 백색 발광다이오드(550)가 포함되어 색 균형, 밝기 등을 보상할 수 있다. 제9 실시 예는 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있고, 색 순도 및 고휘도를 구현할 수 있다. In the ninth embodiment, a white light emitting diode 550 is included in each light emitting unit to compensate for color balance and brightness. The ninth embodiment may have an advantage of excellent productivity, and implement color purity and high luminance.

제9 실시 예는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 이용하여 풀 컬러를 구현함과 동시에 백색 발광다이오드(550)를 이용하여 컬러 균형, 밝기 등을 보상할 수 있다. 제9 실시 예는 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있고, 색 순도 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the ninth embodiment, full color may be implemented using the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, and color balance and brightness may be compensated for using the white light emitting diode 550. The ninth embodiment may have an advantage of excellent productivity, and implement color purity and high luminance.

제9 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 청색 발광다이오드 및 녹색 발광다이오드에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the ninth embodiment, a constant color can be implemented by using blue light emitting diodes and green light emitting diodes having similar thermal and electrical characteristics.

제9 실시 예는 청색 발광다이오드 및 녹색 발광다이오드, 적색 형광체층 및 적색 컬러필터를 이용하여 풀 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The ninth embodiment implements full color by using a blue light emitting diode, a green light emitting diode, a red phosphor layer, and a red color filter, thereby improving thermal stability and realizing a constant color compared to general red light emitting diodes.

도 23 및 도 24는 제10 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.23 and 24 are a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a tenth embodiment.

도 23 및 도 24에 도시된 바와 같이, 제10 실시 예의 발광모듈은 제2 블랙 매트릭스(BM2)를 제외하고, 제1 내지 제9 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIGS. 23 and 24 , the light emitting module of the tenth embodiment may adopt technical features of the light emitting modules of the first to ninth embodiments, except for the second black matrix BM2.

상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 블랙 레진일 수 있고, 성형 구조물 및 성형 구조물 표면에 코팅된 블랙 층일 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 하나의 발광부 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(152)와 접하는 제1 발광소자(151)와 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)과 접하는 제1 발광소자(151)를 둘러 쌓고, 상기 적색 형광체층(52)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 제1 블랙 매트릭스(BM1)으로부터 연장될 수 이다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)의 높이보다 높은 높이를 가질 수 있다. 예컨대 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)의 상부면은 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1)과 같은 높이를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)보다 높은 높이를 가짐으로써, 제2 및 제3 발광소자(152, 153)로부터 발광된 청색 광 및 녹색 광의 간섭을 방지할 수 있다. 구체적으로 제10 실시 예는 적색 형광체층(52)과 이격된 제2 및 제3 발광소자(152, 153)의 청색 및 녹색 광 차단함으로써, 원하는 컬러를 구현할 수 있다. 예컨대 제10 실시 예의 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 녹색 구현 시에 제2 발광소자(153)로부터 발광된 녹색 파장의 광이 적색 형광체층(52)에 여기되어 적색 파장으로 변환되는 문제를 개선할 수 있다.The second black matrix BM2 may be black resin, and may be a forming structure and a black layer coated on a surface of the forming structure. The second black matrix BM2 may be disposed within one light emitting unit. The second black matrix BM2 may be disposed between the first light emitting element 151 contacting the red phosphor layer 152 and the second and third light emitting elements 152 and 153 . The second black matrix BM2 surrounds the first light emitting element 151 in contact with the red phosphor layer 52 and may be spaced apart from the red phosphor layer 52 by a predetermined interval. The second black matrix BM2 may extend from the first black matrix BM1. The second black matrix BM2 may have a height higher than that of the red phosphor layer 52 . For example, the upper surface of the second black matrix BM2 may have the same height as the first black matrix BM1, but is not limited thereto. Since the second black matrix BM2 has a higher height than the red phosphor layer 52 , interference between blue light and green light emitted from the second and third light emitting devices 152 and 153 can be prevented. Specifically, the tenth embodiment can implement a desired color by blocking blue and green light of the second and third light emitting devices 152 and 153 spaced apart from the red phosphor layer 52 . For example, the second black matrix BM2 of the tenth embodiment can improve the problem that the green wavelength light emitted from the second light emitting element 153 is excited by the red phosphor layer 52 and converted into red wavelength when implementing green color. can

제10 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제2 블랙 매트릭스(BM2) 형성단계를 제외하고 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The manufacturing method of the light emitting module according to the tenth embodiment may employ technical features of the manufacturing method of the light emitting module according to the first embodiment except for the step of forming the second black matrix BM2.

상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1) 형성시에 동시에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second black matrix BM2 may be formed through a screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto. The second black matrix BM2 may be formed simultaneously with the formation of the first black matrix BM1, but is not limited thereto.

제10 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 제1 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the tenth embodiment, the first to third light emitting elements 151, 152, 153 and the molding part 170, which can be individually driven, are directly disposed on the substrate 120 and surround each side of the light emitting part. A light emitting module having a simplified structure in which the first black matrix BM is disposed on the substrate 120 may be provided. That is, the embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but it is possible to realize slimness and high brightness by simplifying the configuration of the light emitting module.

제10 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The tenth embodiment can improve thermal stability and implement a constant color sense by light emitting devices having similar thermal and electrical characteristics.

제10 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The tenth embodiment implements red color using the red phosphor layer 52 and the red color filter 190, thereby improving thermal stability and implementing a constant color compared to general red light emitting diodes.

제10 실시 예는 적색 형광체층(52)과, 상기 적색 형광체층(52)과 이격된 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치된 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)에 의해 발광부 각각의 컬러 구현 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
In the tenth embodiment, light is emitted by the red phosphor layer 52 and the second black matrix BM2 disposed between the second and third light emitting devices 152 and 153 spaced apart from the red phosphor layer 52. Reliability of color implementation of each unit may be improved.

도 25는 제11 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.25 is a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to an eleventh embodiment.

도 25에 도시된 바와 같이, 제11 실시 예의 발광모듈은 제2 블랙 매트릭스(BM2)를 제외하고, 제1 내지 제9 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 블랙 레진일 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 하나의 발광부 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)을 포함하는 제1 발광소자(151)와 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)을 포함하는 제1 발광소자(151)를 둘러 쌓고, 상기 적색 형광체층(52)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 제1 블랙 매트릭스(BM1)으로부터 연장될 수 이다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)의 높이보다 높은 높이를 가질 수 있다. 예컨대 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)의 상부면은 상기 적색 형광체층(52)의 상부면보다 위에 배치될 수 있다.As shown in FIG. 25 , the light emitting module of the eleventh embodiment may adopt technical features of the light emitting modules of the first to ninth embodiments except for the second black matrix BM2. The second black matrix BM2 may be black resin. The second black matrix BM2 may be disposed within one light emitting unit. The second black matrix BM2 may be disposed between the first light emitting device 151 including the red phosphor layer 52 and the second and third light emitting devices 152 and 153 . The second black matrix BM2 surrounds the first light emitting element 151 including the red phosphor layer 52 and may be spaced apart from the red phosphor layer 52 by a predetermined interval. The second black matrix BM2 may extend from the first black matrix BM1. The second black matrix BM2 may have a height higher than that of the red phosphor layer 52 . For example, an upper surface of the second black matrix BM2 may be disposed above an upper surface of the red phosphor layer 52 .

상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)보다 높은 높이를 가짐으로써, 제2 및 제3 발광소자(152, 153)로부터 발광된 청색 광 및 녹색 광의 간섭을 방지할 수 있다. 구체적으로 제11 실시 예는 적색 형광체층(52)으로부터 이격된 제2 및 제3 발광소자(152, 153)의 청색 및 녹색 광을 차단함으로써, 원하는 컬러를 구현할 수 있다. 예컨대 제11 실시 예의 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 녹색 구현 시에 제3 발광소자(153)로부터 발광된 녹색 파장의 광이 적색 형광체층(52)에 여기되어 적색 파장으로 변환되는 문제를 개선할 수 있다.The second black matrix BM2 may have a lower height than the first black matrix BM1. Since the second black matrix BM2 has a higher height than the red phosphor layer 52 , interference between blue light and green light emitted from the second and third light emitting devices 152 and 153 can be prevented. In detail, the eleventh embodiment can implement a desired color by blocking blue and green light of the second and third light emitting devices 152 and 153 spaced apart from the red phosphor layer 52 . For example, the second black matrix BM2 of the eleventh embodiment can improve the problem that green wavelength light emitted from the third light emitting element 153 is excited by the red phosphor layer 52 and converted into red wavelength when implementing green color. can

제11 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제2 블랙 매트릭스(BM2) 형성단계를 제외하고, 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 예컨대 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 몰딩층의 커팅공정에 의한 몰딩부(170) 형성 이후에 사출 공정으로 형성될 수 있다. 다른 예로 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 사출 공정을 통해서 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1)와 동시에 또는 순차적으로 형성된 이후에 몰딩부(170)를 형성할 수도 있다.Except for the step of forming the second black matrix BM2, the manufacturing method of the light emitting module according to the eleventh embodiment may adopt the technical features of the manufacturing method of the light emitting module according to the first embodiment. For example, the second black matrix BM2 may be formed by an injection process after forming the molding part 170 by a cutting process of the molding layer. As another example, the molding part 170 may be formed after the second black matrix BM2 is formed simultaneously or sequentially with the first black matrix BM1 through an injection process.

제11 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 제1 블랙 매트릭스(BM1)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the eleventh embodiment, the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 that can be individually driven and the molding part 170 are directly disposed on the substrate 120 and surround the side surfaces of each of the light emitting parts. A light emitting module having a simplified structure in which the first black matrix BM1 is disposed on the substrate 120 may be provided. That is, the embodiment provides a light emitting module capable of realizing full color images and images, but it is possible to realize slimness and high brightness by simplifying the configuration of the light emitting module.

제11 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The eleventh embodiment can improve thermal stability and implement a constant color sense by using light emitting devices having similar thermal and electrical characteristics.

제11 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the eleventh embodiment, by implementing red color using the red phosphor layer 52 and the red color filter 190, thermal stability can be improved compared to general red light emitting diodes, and a constant color can be implemented.

제11 실시 예는 적색 형광체층(52)와 접하는 제1 발광소자(151)와, 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치된 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)에 의해 발광부 각각의 컬러 구현 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
In the eleventh embodiment, the first light emitting element 151 in contact with the red phosphor layer 52 and the second black matrix BM2 disposed between the second and third light emitting elements 152 and 153 constitute a light emitting unit. Reliability of each color implementation can be improved.

도 26 및 도 27은 제12 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.26 and 27 are a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a twelfth embodiment.

도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 제12 실시 예의 발광모듈은 적색 컬러필터(190)를 제외하고, 제10 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIGS. 26 and 27 , the light emitting module of the twelfth embodiment may adopt technical features of the light emitting module of the tenth embodiment, except for the red color filter 190 .

제12 실시 예는 몰딩부(170) 상에 배치된 적색 컬러필터(190)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 외의 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장만을 통과시키므로 순수한 적색 파장을 구현할 수 있다. 즉, 제12 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 포함하여 적색 파장의 색감을 향상시킬 수 있다.
The twelfth embodiment may include a red color filter 190 disposed on the molding part 170 . The red color filter 190 may include a function of passing a red wavelength among wavelengths converted through the red phosphor layer 52 . For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include wavelengths other than red. Since the red color filter 190 passes only the red wavelength, a pure red wavelength can be implemented. That is, the twelfth embodiment can improve the color sense of a red wavelength by including the red phosphor layer 52 and the red color filter 190 .

도 28는 제13 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.28 is a plan view and an exploded perspective view illustrating a light emitting module according to a thirteenth embodiment.

도 28에 도시된 바와 같이, 제13 실시 예의 발광모듈은 색 컬러필터(190)를 제외하고, 제11 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 28 , the light emitting module of the thirteenth embodiment may adopt technical features of the light emitting module of the eleventh embodiment, except for the color filter 190 .

제13 실시 예는 몰딩부(170) 상에 배치된 적색 컬러필터(190)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 외의 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장만을 통과시키므로 순수한 적색 파장을 구현할 수 있다. 즉, 제13 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 포함하여 적색 파장의 색감을 향상시킬 수 있다.The thirteenth embodiment may include a red color filter 190 disposed on the molding part 170 . The red color filter 190 may include a function of passing a red wavelength among wavelengths converted through the red phosphor layer 52 . For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include wavelengths other than red. Since the red color filter 190 passes only the red wavelength, a pure red wavelength can be implemented. That is, the thirteenth embodiment includes the red phosphor layer 52 and the red color filter 190 to improve the color sense of the red wavelength.

실시 예에 따른 발광모듈(100)은 상기 표시장치뿐만 아니라 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting module 100 according to the embodiment may be applied to not only the display device but also a lighting unit, an indicator device, a lamp, a street light, a vehicle lighting device, a vehicle display device, and a smart watch, but is not limited thereto.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, and effects illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Although the above has been described centering on the embodiment, this is only an example and does not limit the embodiment, and those skilled in the art in the field to which the embodiment belongs may find various things not exemplified above to the extent that they do not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It will be appreciated that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

52: 적색 형광체층
100: 발광부
150a: 제1 발광소자
150b: 제2 발광소자
150c: 제3 발광소자
52: red phosphor layer
100: light emitting part
150a: first light emitting element
150b: second light emitting element
150c: third light emitting element

Claims (20)

기판;
상기 기판 위에 배치되는 복수의 발광부; 및
상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 제1 블랙 매트릭스를 포함하고,
상기 복수의 발광부 각각은,
상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제1 발광소자;
상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제2 발광소자;
상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제3 발광소자;
상기 제1 발광소자 상에 배치된 적색 형광체층;
상기 제2 발광소자 상에 배치된 녹색 형광체층;
상기 제1 블랙 매트릭스로부터 연장되어 상기 제2 및 제3 발광 소자에 인접하는 상기 제1 발광소자의 측면을 둘러싸는 제2 블랙 매트릭스를 포함하고,
상기 제2 블랙 매트릭스는 상기 기판 상면으로부터 상기 적색 형광체층의 상면보다 높은 높이를 갖고, 상기 적색 형광체층과 이격되도록 배치되는 발광모듈.
Board;
a plurality of light emitting units disposed on the substrate; and
A first black matrix surrounding each of the plurality of light emitting units;
Each of the plurality of light emitting units,
a first light emitting element disposed on the substrate and emitting blue light;
a second light emitting element disposed on the substrate and emitting blue light;
a third light emitting element disposed on the substrate and emitting blue light;
a red phosphor layer disposed on the first light emitting element;
a green phosphor layer disposed on the second light emitting element;
A second black matrix extending from the first black matrix and surrounding a side surface of the first light emitting element adjacent to the second and third light emitting elements;
The second black matrix has a height higher than the upper surface of the red phosphor layer from the upper surface of the substrate and is disposed to be spaced apart from the red phosphor layer.
제1 항에 있어서,
상기 제2 블랙 매트릭스의 높이는, 상기 제2 및 제3 발광소자의 높이보다 높고,
상기 제2 블랙 매트릭스의 상부면은, 상기 녹색 형광체층의 상부면, 상기 제2 및 제3 발광소자의 상부면보다 상부에 배치되는 발광모듈.
According to claim 1,
The height of the second black matrix is higher than the heights of the second and third light emitting elements,
An upper surface of the second black matrix is disposed above upper surfaces of the green phosphor layer and upper surfaces of the second and third light emitting elements.
제2 항에 있어서,
상기 제2 블랙 매트릭스는 상기 제1 블랙 매트릭스보다 작거나 같은 높이를 가지는 발광모듈.
According to claim 2,
The second black matrix has a height smaller than or equal to that of the first black matrix.
제1 항에 있어서,
상기 적색 형광체층 상에 배치된 적색 컬러필터를 더 포함하는 발광모듈.
According to claim 1,
A light emitting module further comprising a red color filter disposed on the red phosphor layer.
제1 항에 있어서,
상기 녹색 형광체층 상에 배치된 녹색 컬러필터를 더 포함하는 발광모듈.
According to claim 1,
A light emitting module further comprising a green color filter disposed on the green phosphor layer.
제1 항에 있어서,
상기 적색 형광체층은 10%이하의 청색 파장 투과율을 가지고,
상기 적색 형광체층의 두께는 300㎛ 이하인 발광모듈.
According to claim 1,
The red phosphor layer has a blue wavelength transmittance of 10% or less,
The thickness of the red phosphor layer is 300㎛ or less light emitting module.
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