KR20170101065A - Light emitting module and display device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a light emitting module, a method for manufacturing the light emitting module, and a display device. According to an embodiment of the present invention, the light emitting module comprises: a substrate; a plurality of light emitting parts disposed on the substrate; and a first black matrix surrounding each of the plurality of light emitting parts. Each of the plurality of the light emitting parts includes: a first light emitting element emitting blue light disposed on the substrate; a second light emitting element emitting the blue light disposed on the substrate; a red phosphor layer disposed on the first light emitting element; and a second black matrix disposed between the first and second light emitting elements, and having the height higher than the red phosphor layer from an upper surface of the substrate. A color difference can be improved by the light emitting elements having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

Description

발광모듈 및 표시장치{LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE [0002]

실시 예는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting module, a method of manufacturing a light emitting module, and a display device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when current is applied. The light emitting diode is capable of emitting light with high efficiency at a low voltage, thus providing excellent energy saving effect. In recent years, the problem of luminance of a light emitting diode has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit of a liquid crystal display device, a display board, a display device, and a home appliance.

일반적인 액정표시장치는 발광 다이오드가 실장된 복수의 발광소자 패키지의 광 및 액정의 투과율을 제어하여 컬러필터를 통과하는 빛으로 이미지 또는 영상을 표시한다.Conventional liquid crystal display devices display images or images by light passing through a color filter by controlling transmittance of light and liquid crystal in a plurality of light emitting device packages having light emitting diodes mounted thereon.

최근에는 HD 이상의 고화질 및 100인치 이상의 표시장치가 요구되고 있으나, 일반적으로 주로 사용되고 있는 복잡한 구성들을 갖는 액정표시장치 및 유기전계 표시장치는 수율 및 비용에 의해 고화질의 100인치 이상의 표시장치를 구현하기에 어려움이 있었다.In recent years, a display device with high image quality such as HD and a display device with a size of 100 inches or more is required. However, a liquid crystal display device and an organic electric field display device having complicated configurations, which are generally used, There was difficulty.

실시 예는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting module, a method of manufacturing a light emitting module, and a display device capable of providing full color.

실시 예는 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있는 발광소자 패키지 및 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a display device capable of realizing uniform color and uniform luminance.

실시 예는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화에 유리한 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting module, a method of manufacturing a light emitting module, and a display device that can simplify the configuration and are advantageous for slimming.

실시 예는 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting module, a method of manufacturing a light emitting module, and a display device capable of improving productivity and improving yield.

실시 예는 유사한 특성의 발광소자들에 의해 색감 차이를 개선하는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting module, a method of manufacturing a light emitting module, and a display device that improve the color difference by light emitting elements having similar characteristics.

실시 예는 유사한 전기적 특성의 발광소자들에 의해 구동회로를 간소화하고, 제어가 용이한 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting module, a method of manufacturing a light emitting module, and a display device, which simplify the drive circuit by the light emitting elements of similar electrical characteristics and are easy to control.

실시 예는 각각의 발광부 컬러 구현의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법 및 표시장치를 제공한다. Embodiments provide a light emitting module, a method of manufacturing a light emitting module, and a display device capable of improving the reliability of each light emitting portion color implementation.

실시 예는 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a display device having excellent image and image straightness.

실시 예는 고해상도의 대형 표시장치를 구현할 수 있는 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a display device capable of realizing a large-sized display device of high resolution.

실시 예는 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a display device having excellent color purity and color reproduction.

실시 예의 발광모듈은 기판; 상기 기판 위에 배치되는 복수의 발광부; 및 상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 제1 블랙 매트릭스를 포함하고, 상기 복수의 발광부 각각은, 상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제1 발광소자; 상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제2 발광소자; 상기 제1 발광소자 상에 배치된 적색 형광체층; 상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 배치되고 상기 기판 상면으로부터 상기 적색 형광체층보다 높은 높이를 갖는 제2 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.The light emitting module of the embodiment includes a substrate; A plurality of light emitting portions disposed on the substrate; And a first black matrix surrounding each of the plurality of light emitting portions, wherein each of the plurality of light emitting portions includes: a first light emitting element that emits blue light disposed on the substrate; A second light emitting element for emitting blue light arranged on the substrate; A red phosphor layer disposed on the first light emitting element; And a second black matrix disposed between the first and second light emitting elements and having a height higher than the red phosphor layer from the upper surface of the substrate.

실시 예는 유사한 열적 특성 및 진기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 색감 차이를 개선할 수 있다.Embodiments can improve color difference by light emitting devices having similar thermal and emissive properties.

실시 예는 하나의 화소에 각각 개별 구동되는 플립 칩 타입의 제1 내지 제3 발광소자에 의해 풀 컬러를 구현할 수 있다.The embodiment can realize full color by the first to third flip chip type light emitting devices individually driven in one pixel.

실시 예는 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.Embodiments can achieve uniform color and uniform brightness.

실시 예는 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.The embodiment can simplify the configuration and has advantages advantageous to slimming.

실시 예는 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve the productivity and improve the yield.

실시 예는 유사한 특성의 발광소자들에 의해 색감 차이를 개선할 수 있다.The embodiment can improve the color difference by the similar characteristics of the light emitting elements.

실시 예는 유사한 전기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 구동회로를 간소화하고, 제어가 용이할 수 있다.The embodiment simplifies the driving circuit by the light emitting elements having similar electrical characteristics, and can be easily controlled.

실시 예는 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 HD화질의 100인치 이상 대화면 표시장치를 구현할 수 있다.The embodiment can implement a 100-inch or larger-sized large screen display device of HD image quality that is excellent in straightness of images and images.

실시 예는 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 구현할 수 있다.Embodiments can realize a display device having excellent color purity and color reproduction.

실시 예는 각각의 발광부 컬러 구현의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.Embodiments can improve the reliability of each light emitting portion color implementation.

도 1은 실시 예의 발광모듈을 도시한 사시도이다.
도 2는 실시 예의 발광부를 도시한 사시도이다.
도 3은 실시 예의 기판 및 복수의 발광소자를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광부를 도시한 단면도이다.
도 5는 실시 예의 기판의 하부면을 도시한 평면도이다.
도 6은 제1 실시 예의 발광부의 일부를 도시한 분해 사시도이다.
도 7 내지 도 11은 제1 실시 예의 발광모듈의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 12는 제2 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 13은 제3 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 14는 제4 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 15는 제5 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 16는 제6 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 17 및 도 18은 제7 실시 예의 발광모듈을 도시한 분해 사시도이다.
도 19 및 도 20은 제8 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 시도이다.
도 21 및 도 22는 제9 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 23 및 도 24는 제10 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 25는 제11 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 26 및 도 27은 제12 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
도 28은 제13 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.
1 is a perspective view showing a light emitting module of an embodiment.
2 is a perspective view showing a light emitting portion of the embodiment.
3 is a plan view showing a substrate and a plurality of light emitting elements of the embodiment.
4 is a cross-sectional view showing a light emitting portion cut along the line I-I 'of FIG.
5 is a plan view showing the lower surface of the substrate of the embodiment.
6 is an exploded perspective view showing a part of the light emitting portion of the first embodiment.
7 to 11 are cross-sectional views showing a manufacturing method of the light emitting module of the first embodiment.
12 is a sectional view showing the light emitting module of the second embodiment.
13 is a sectional view showing the light emitting module of the third embodiment.
14 is a sectional view showing a light emitting module of the fourth embodiment.
15 is a sectional view showing the light emitting module of the fifth embodiment.
16 is a sectional view showing the light emitting module of the sixth embodiment.
17 and 18 are exploded perspective views showing the light emitting module of the seventh embodiment.
Figs. 19 and 20 are a plan view and a disassembly view showing the light emitting module of the eighth embodiment.
21 and 22 are a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the ninth embodiment.
23 and 24 are a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the tenth embodiment.
25 is a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the eleventh embodiment.
26 and 27 are a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the twelfth embodiment.
28 is a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the thirteenth embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예의 발광모듈을 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예의 발광부를 도시한 사시도이고, 도 3은 실시 예의 기판 및 복수의 발광소자를 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광부를 도시한 단면도이고, 도 5는 실시 예의 기판의 하부면을 도시한 평면도이다.3 is a plan view showing a substrate and a plurality of light emitting devices of the embodiment, and Fig. 4 is a cross-sectional view taken along the line I- And FIG. 5 is a plan view showing the lower surface of the substrate of the embodiment. FIG.

도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 실시 예의 발광모듈(10)은 복수의 발광부(100), 블랙 매트릭스(BM) 및 기판을 포함할 수 있다.1 to 5, the light emitting module 10 of the embodiment may include a plurality of light emitting portions 100, a black matrix BM, and a substrate.

실시 예의 발광모듈(10)은 풀 컬러의 영상 또는 이미지를 구현하는 간소화된 구조, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다. 이를 위해 실시 예의 발광모듈(10)은 상기 발광부(100)가 COB(Chip on Board) 타입으로 기판 상에 직접 실장될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 기판의 하부면에는 상기 발광부(100)를 구동시키는 구동회로(미도시)가 실장될 수 있다. 상기 발광부(100)는 하나의 화소와 대응될 수 있으며, 풀 컬러를 구현하기 위해 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)를 포함할 수 있다.The light emitting module 10 of the embodiment can realize a simplified structure, slimness, and high brightness that realize a full color image or image. For this, the light emitting module 10 of the embodiment can be directly mounted on the substrate in a COB (Chip on Board) type, but the present invention is not limited thereto. Although not shown in the drawing, a driving circuit (not shown) for driving the light emitting unit 100 may be mounted on a lower surface of the substrate. The light emitting unit 100 may correspond to one pixel and may include first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c to realize full color.

일반적으로 적색 광을 발광하는 적색 발광다이오드는 열화에 약한 특성을 갖는다. 일반적인 적색 발광다이오드는 열적 신뢰성 저하로 일정 시간이 지나면, 광 출력이 저하되는 드룹(Droop) 현상이 청색 발광다이오드보다 크다.Generally, red light emitting diodes emitting red light have weak characteristics to deteriorate. In a general red light emitting diode, the droop phenomenon, in which the light output is lowered, is larger than that of the blue light emitting diode after a certain period of time due to deterioration of thermal reliability.

실시 예는 드룹 특성이 유사한 발광다이오드들을 사용함으로써, 균일한 색감을 갖는 발광모듈을 제공할 수 있다. 드룹 특성이 유사하다는 것은 인접한 발광다이오드들 사이에서 광 특성 차이를 육안으로 인식할 수 없는 수준을 의미할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting module having a uniform color tone by using light emitting diodes having similar droop characteristics. The similarity of the droop characteristics can mean that the difference in optical characteristics between adjacent LEDs can not be visually perceived.

이를 위해 실시 예는 적색 이외의 파장을 발광하는 제2 및 제3 발광소자(150b, 150c)와 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 발광소자(150a) 상에 적색 형광체층(52)을 배치하여 적색 파장을 구현할 수 있다. To this end, the embodiment arranges the red phosphor layer 52 on the first light emitting element 150a having thermal and electrical characteristics similar to those of the second and third light emitting elements 150b and 150c emitting light of wavelengths other than red So that a red wavelength can be realized.

실시 예의 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 열적 특성이 유사한 발광다이오드일 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 GaN계 발광다이오드일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 청색 발광다이오드, 녹색 발광다이오드, 보라색 발광다이오드, 황색 발광다이오드 중 적어도 하나가 선택될 수 있다. 실시 예는 열적 특성 및 전기적 특성이 유사하고, 풀 컬러를 구현할 수 있는 발광다이오드들을 포함할 수 있다.The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c of the embodiment may be light emitting diodes having similar thermal characteristics. For example, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be GaN-based light emitting diodes, but the present invention is not limited thereto. For example, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be at least one of a blue light emitting diode, a green light emitting diode, a purple light emitting diode, and a yellow light emitting diode. Embodiments may include light emitting diodes that are similar in thermal and electrical characteristics and capable of full color.

일 예로 적색 파장은 상기 제1 발광소자(150a)는 청색 파장을 발광하는 청색 발광다이오드 및 상기 제1 발광소자(150a)를 덮는 적색 형광체층(52)을 이용하여 구현할 수 있다. 실시 예는 발광부(100) 내에 배치된 발광소자들의 열적 특성 및 전기적 특성이 유사한 발광다이오드들이라면 얼마든지 변경될 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 모두 청색 발광다이오드일 수 있고, 제1 발광소자(150a) 위에 배치된 적색 형광체층(52)과, 상기 제2 발광소자(150b) 위에 배치된 녹색 형광체층을 포함할 수 있다. 다른 예로 상기 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 모두 녹색 발광다이오드일 수 있고, 제1 발광소자(150a) 위에 배치된 적색 형광체층(52)과, 상기 제3 발광소자(153) 위에 배치된 청색 형광체층을 포함할 수 있다. 또 다른 예로 적색, 녹색 및 청색의 파장을 구현할 수 있는 다양한 발광다이오드 및 형광체층을 포함할 수 있다.For example, the first light emitting device 150a may include a blue light emitting diode that emits blue light and a red phosphor layer 52 that covers the first light emitting device 150a. The embodiment can be changed as long as the light emitting elements disposed in the light emitting portion 100 have similar thermal and electrical characteristics to the light emitting diodes. For example, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be all blue light emitting diodes, and may include a red phosphor layer 52 disposed on the first light emitting device 150a, And a green phosphor layer disposed on the green phosphor layer. Alternatively, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be all green light emitting diodes, and may include a red phosphor layer 52 disposed on the first light emitting device 150a, And a blue phosphor layer disposed on the phosphor layer 153. As another example, a variety of light emitting diodes and phosphor layers capable of emitting red, green, and blue wavelengths may be included.

상기 발광부(100)는 다각형 구조일 수 있다. 예컨대 상기 발광부(100)은 4개의 모서리 및 4개의 외측면을 포함할 수 있고, 상부면 및 하부면이 평평한 판 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예의 기판은 제1 내지 제4 모서리(Corner, 125, 126, 127, 128)와, 제1 내지 제4 외측면(121, 122, 123, 124)을 포함할 수 있다. The light emitting unit 100 may have a polygonal structure. For example, the light emitting unit 100 may include four corners and four outer surfaces, and the upper surface and the lower surface may have a flat plate shape, but the present invention is not limited thereto. The substrate of the embodiment may include first to fourth corners 125, 126, 127 and 128 and first to fourth outer surfaces 121, 122, 123 and 124.

상기 제1 외측면(121)은 제1 방향(X-X')으로 제2 외측면(122)과 서로 나란하게 대칭될 수 있다. 상기 제3 외측면(123)은 제1 방향(X-X')으로 제4 외측면(124)과 서로 나란하게 대칭될 수 있다. 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)은 상기 제3 및 제4 외측면(123, 124)으로부터 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 배치될 수 있다. The first outer surface 121 may be symmetrically aligned with the second outer surface 122 in a first direction X-X '. The third outer surface 123 may be symmetrically aligned with the fourth outer surface 124 in a first direction X-X '. The first and second outer surfaces 121 and 122 may be disposed in a second direction Y-Y 'orthogonal to the third and fourth outer surfaces 123 and 124.

상기 제1 모서리(125)는 상기 제1 외측면(121)과 상기 제3 외측면(123)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 모서리(126)는 상기 제2 외측면(122)과 제3 외측면(123)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 모서리(127)는 상기 제1 외측면(121)과 제4 외측면(124)이 만나는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제4 모서리(128)는 상기 제2 외측면(122)과 제4 외측면(124)이 만나는 영역에 배치될 수 있다.The first edge 125 may be disposed in a region where the first outer surface 121 and the third outer surface 123 meet. The second edge 126 may be disposed in a region where the second outer surface 122 and the third outer surface 123 meet. The third edge 127 may be disposed in a region where the first outer surface 121 and the fourth outer surface 124 meet. The fourth edge 128 may be disposed in a region where the second outer surface 122 and the fourth outer surface 124 meet.

상기 기판은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 제1 실시 예의 상기 기판(120)은 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 상기 기판은 서브 기판(120S) 상에 상부 전극 패턴(131, 132, 133, 134)과, 서브 기판(120S) 아래에 하부 전극 패턴(141, 142, 143, 144), 및 상기 서브 기판(120S)를 관통하는 제1 내지 제3 연결 전극(161, 162, 163)을 포함할 수 있다.The substrate may include a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The substrate 120 of the first embodiment may include a printed circuit board having a metal layer. The substrate includes upper electrode patterns 131, 132, 133 and 134 on a sub-substrate 120S, lower electrode patterns 141, 142, 143 and 144 below the sub-substrate 120S, The first to third connection electrodes 161, 162, and 163 may be formed.

상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 서로 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 는 제1 방향(X-X')으로 엇갈리게 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 제1 방향(X-X') 또는 상기 제1 방향(X-X') 방향과 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 는 COB(Chip on Board) 타입으로 기판 상에 직접 실장될 수 있다. 실시 예의 발광모듈(10)은 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)가 COB 타입으로 상기 기판 상에 직접 실장되어 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 기판 상에 SMT(Surface Mounting Technology)에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트(미도시)를 이용하여 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)를 기판에 실장하는 방법으로 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be disposed at regular intervals. The first, second, and third light emitting devices 150a, 150b, 150c may be staggered in a first direction X-X ', but the present invention is not limited thereto. For example, the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c may be arranged in a first direction X-X 'or a second direction Y-Y' orthogonal to the first direction X-X ' As shown in FIG. The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be directly mounted on a substrate in a COB (Chip on Board) type. In the light emitting module 10 of the embodiment, the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c are mounted on the substrate in a COB type so that the configuration can be simplified, and slimness and high brightness can be realized. The first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may be mounted on a substrate by SMT (Surface Mounting Technology). The SMT is a method of mounting the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c on a substrate using a solder paste (not shown), and the solder paste may be a metal paste. For example, the solder paste may include an alloy such as AuSn and NiSn, but is not limited thereto.

상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 사파이어 기판(51), 발광층(53), 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)는 상기 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)이 하부에 배치되어 기판에 직접 실장되는 플립 칩 구조일 수 있다.The first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c may include a sapphire substrate 51, a light emitting layer 53, and first and second light emitting device electrodes 57 and 59. The first, second, and third light emitting devices 150a, 150b, and 150c may have a flip chip structure in which the first and second light emitting device electrodes 57 and 59 are disposed below and directly mounted on the substrate.

상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(150a)의 상면 및 측면 상에 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(150a)와 직접 접할 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)의 두께는 300㎛이하일 수 있고, 150㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The red phosphor layer 52 may be disposed on the upper surface and the side surface of the first light emitting device 150a, but the present invention is not limited thereto. The red phosphor layer 52 may be in direct contact with the first light emitting device 150a. The thickness of the red phosphor layer 52 may be 300 mu m or less and 150 mu m, but is not limited thereto.

상기 적색 형광체층(52)는 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 MGF계 형광체는 예컨대, Mg4Ge1-xOyF:Mn4+ x의 조성식을 가지며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를 만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를 만족할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 KTF계 형광체 예컨대, KdTi1-gFe:Mn4+ g의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 d는 1 ≤ d ≤ 2.5, 상기 e는 5 ≤ e ≤ 6.5, 상기 g는 0.001 ≤ g ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)는 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 형광체는 높은 발광 효율을 가지며 청색 피크 파장에서 강한 흡수를 갖게 된다. 상기 적색 형광체층(52)는 황화물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2+ 형광체를 포함할 수 있다. 상기 활성체는 Mn4+ 등의 4가 전이금속 이온이거나, 각종 희토류 이온이나 전이금속 이온에서 선택되는 금속 이온을 필요에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, Eu2+ , Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Eu3+, Gd3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+ 등의 3가 희토류금속 이온, Sm2+, Eu2+, Yb2+ 등의 2가 희토류금속 이온, Mn2+ 등의 2가 전이금속이온, Cr3+이나 Fe3+ 등의 3가 전이금속이온 등이다.The red phosphor layer 52 may include a phosphor of a fluoride compound, and may include at least one of an MGF-based phosphor, a KSF-based phosphor, and a KTF-based phosphor. The MGF-base phosphor has a composition formula of Mg 4 Ge 1 -x O y F: Mn 4+ x , where x satisfies 0.001? X? 0.1 and y can satisfy 1? Y? 5. A KsF-based phosphor, for example, K a Si 1 -c F b : Mn 4+ c , where a is 1? A? 2.5, b is 5? B? 6.5, and c is 0.001? C ≪ / = 0.1. The KTF-based fluorescent material, for example, K d Ti 1-e F g: may have a composition formula Mn 4+ g, wherein d is 1 ≤ d ≤ 2.5, wherein e is 5 ≤ e ≤ 6.5, wherein g is 0.001 ≤ g ≪ / = 0.1. The red phosphor layer 52 has a high luminescence efficiency and strong absorption at the blue peak wavelength, which is a Mn 4+ activator phosphor. The red phosphor layer 52 may include a sulfide phosphor, for example, (Ca, Sr) S: Eu 2+ or a nitride-based phosphor such as CaAlSiN 3: Eu 2+ phosphor. The active material may be a tetravalent transition metal ion such as Mn 4+ or a metal ion selected from a variety of rare earth ions and transition metal ions. For example, Eu 2+ , Ce 3+ , Pr Trivalent rare earth metal ions such as 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er 3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , Divalent rare earth metal ions such as Sm 2+ , Eu 2+ and Yb 2+ , divalent transition metal ions such as Mn 2+, and trivalent transition metal ions such as Cr 3+ and Fe 3+ .

실시 예는 일반적인 적색 발광다이오드를 사용하지 않고 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 발광 다이오드 및 적색 형광체(52)를 이용하여 적색 파장을 구현할 수 있다.The embodiment can realize a red wavelength by using a light emitting diode and a red phosphor 52 having similar thermal characteristics and electrical characteristics without using a general red light emitting diode.

실시 예는 상기 적색 형광체층(52)으로부터 여기된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 상기 적색 컬러필터(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터는 적색 파장만을 통과시키므로 청색 발광다이오드의 빛이 상기 적색 형광체층(52)을 통과하더라도 상기 적색 컬러필터에 의해 차단될 수 있다. 실시 예는 적색 형광체층(52)을 통과하는 청색 발광다이오드의 빛이 상기 적색 형광체층(52)을 통과하는 전체 빛의 10% 이내로 하여 상기 적색 형광체층(52)을 통과한 청색 빛에 의한 색감 저하를 육안으로 인식못할 수 있다.The embodiment may include the red color filter (not shown) that passes the red wavelength in the excited wavelength from the red phosphor layer 52. Since the red color filter passes only the red wavelength, it can be blocked by the red color filter even though the light of the blue light emitting diode passes through the red phosphor layer 52. In the embodiment, the light of the blue light emitting diode passing through the red phosphor layer 52 is within 10% of the total light passing through the red phosphor layer 52 and the color of the blue light passing through the red phosphor layer 52 Deterioration may not be perceived visually.

상기 몰딩부(170)는 상기 기판(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)의 상부 및 측면들을 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 상기 기판(120) 및 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)와 직접 접할 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 탑뷰가 정사각형 구조일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 몰딩부(170)의 탑뷰 형상은 표시장치의 단위 화소구조와 대응될 수 있다. 예컨대 상기 몰딩부(170)의 탑뷰는 직사각형, 다각형, 타원형, 원형 등 다양하게 변경될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 발광모듈(10)의 적용 분야에 따라 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 블랙 필러는 사이니지, 실내외 전광판, public display 등에 사용되는 발광모듈에서 외관 품질을 향상시키기 위해 포함될 수 있다.The molding part 170 may be disposed on the substrate 120. The molding unit 170 may be disposed on the top and sides of the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c. The molding part 170 may directly contact the substrate 120 and the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c. The molding unit 170 may have a square structure, but the present invention is not limited thereto. The top view shape of the molding part 170 may correspond to the unit pixel structure of the display device. For example, the top view of the molding unit 170 may be varied in various shapes such as a rectangle, a polygon, an ellipse, a circle, and the like. The molding part 170 may include a black filler depending on the application of the light emitting module 10. The black filler can improve the appearance quality by realizing the entire light emitting surface in black color at the time of non-light emission. For example, the black filler may be included in a light emitting module used for signage, indoor and outdoor display boards, public displays, etc. to improve the appearance quality.

상기 몰딩부(170)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c))를 보호하고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)로부터의 광 손실을 개선할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 위의 몰딩부(170) 높이는 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 각각의 높이보다 낮을 수 있고, 사파이어 기판(51)의 높이보다 낮을 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 위의 몰딩부(170) 높이는 몰딩부(170) 내에서의 광 혼합 및 몰딩부(170) 외부로의 직진성을 개선할 수 있다.The molding unit 170 protects the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c and can improve the light loss from the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c It can have a certain thickness. For example, the height of the molding part 170 on the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c may be lower than the height of each of the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c, (51). The height of the molding part 170 on the first to third light emitting devices 150a, 150b and 150c can improve the light mixing in the molding part 170 and the straightness to the outside of the molding part 170. [

상기 블랙 매트릭스(BM)는 빛샘을 방지하고, 외관 품질을 개선하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 불투명한 유기물질일 수 있다. 예컨대 상기 블랙 매트릭스(BM)는 블랙 레진일 수 있고, 성형 구조물 및 성형 구조물의 표면에 블랙 층일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)가 배치되는 개구부를 포함할 수 있다. 하나의 개구부는 표시장치의 하나의 화소와 대응되고, 하나의 발광부(100)를 수용할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 단면 두께는 상기 몰딩부(170)의 최대 단면 두께와 같을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 다수의 발광부(100)의 외측면을 모두 감싸는 매트릭스 구조일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 인접한 발광부(100) 사이의 빛의 간섭을 차단하고, 표시장치의 구동 정지 시에 블랙 컬러의 화면을 제공함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있고, 각각의 화소의 컬러 구현 신뢰도를 향상시킬 수 있다.The black matrix BM may include a function of preventing light leakage and improving appearance quality. The black matrix (BM) may be an opaque organic material. For example, the black matrix BM may be a black resin, and may be a black layer on the surface of the forming structure and the forming structure. The black matrix BM may include openings in which the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c are disposed. One opening corresponds to one pixel of the display device, and one light emitting portion 100 can be accommodated. The cross-sectional thickness of the black matrix BM may be equal to the maximum cross-sectional thickness of the molding portion 170, but is not limited thereto. The black matrix BM may have a matrix structure that covers the outer surfaces of the plurality of light emitting units 100. The black matrix BM blocks light interference between adjacent light emitting units 100 and provides a screen of black color at the time of stopping the driving of the display device, thereby improving the appearance quality, and the color of each pixel The reliability of implementation can be improved.

실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c) 및 몰딩부(170)가 기판에 직접 배치되고, 발광부(100) 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈(10)을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈(10)을 제공하되 발광모듈(10)의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the embodiment, the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c and the molding unit 170, which can be individually driven, are disposed directly on the substrate, and the matrix type black matrix The light emitting module 10 having a simplified structure in which the light emitting device BM is disposed on the substrate can be provided. That is, the embodiment provides a light emitting module 10 capable of realizing images and images by implementing full color, and the structure of the light emitting module 10 can be simplified to realize a slim and high brightness.

실시 예는 유사한 열적 특성 및 진기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)에 의해 색감 차이를 개선할 수 있다.The embodiment can improve the color difference by the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c having similar thermal characteristics and empirical characteristics.

실시 예는 COB 타입의 발광모듈(10) 구조에 의해 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.In the embodiment, the electrical connection structure is simplified by the COB type light emitting module 10 structure, so that the power consumption can be reduced.

실시 예는 유사한 열적 특성 및 진기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(150a, 150b, 150c)에 의해 일정한 구동전압 또는 구동전류가 요구되어 구동회로를 간소화할 수 있고, 제어가 용이한 장점을 갖는다.
The embodiment requires a constant driving voltage or driving current by the first to third light emitting devices 150a, 150b, and 150c having similar thermal characteristics and advanced characteristics, thereby simplifying the driving circuit and facilitating the control Respectively.

도 6은 제1 실시 예의 발광부의 일부를 도시한 분해 사시도이고, 도 7 내지 도 11은 제1 실시 예의 발광모듈의 제조방법을 도시한 단면도이다.FIG. 6 is an exploded perspective view showing a part of the light emitting portion of the first embodiment, and FIGS. 7 to 11 are sectional views showing a manufacturing method of the light emitting module of the first embodiment.

도 6 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예의 발광부는 적색 컬러필터(190)를 제외하고, 도 1 내지 도 5의 발광부(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 제1 실시 예는 몰딩부(170) 상에 배치된 적색 컬러필터(190)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 파장 및 청색 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장을 통과시키므로 순수한 적색 파장을 구현할 수 있다. 즉, 제1 실시 예는 청색 또는 녹색 발광다이오드, 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 포함하여 제1 및 제2 발광소자(152, 153)들이 동일한 물성을 포함함으로써, 열적 안정성을 향상시키고, 시간에 따라 변하는 색감 차이를 개선할 수 있다.6 to 11, the light emitting portion of the first embodiment can employ the technical features of the light emitting portion 100 of Figs. 1 to 5, except for the red color filter 190. Fig. The first embodiment may include a red color filter 190 disposed on the molding portion 170. The red color filter 190 may include a function of passing a red wavelength through a wavelength converted through the red phosphor layer 52. For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include a red wavelength and a blue wavelength. Since the red color filter 190 passes the red wavelength, a pure red wavelength can be realized. That is, the first embodiment includes the blue and green light emitting diodes, the red phosphor layer 52, and the red color filter 190 so that the first and second light emitting elements 152 and 153 contain the same physical properties, And the color difference that varies with time can be improved.

제1 실시 예의 상기 몰딩부(170)는 블랙 필러(171)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러(171)는 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 블랙 필러(171)는 사이니지, 실내외 전광판, public display 등에 사용되는 발광모듈에서 외관 품질을 향상시키기 위해 포함될 수 있다.The molding part 170 of the first embodiment may include a black filler 171. [ The black filler 171 can improve the appearance quality by realizing the entire light emitting surface in black color at the time of non-light emission. For example, the black filler 171 may be included in a light emitting module used for signage, indoor and outdoor display boards, public displays, etc. to improve the appearance quality.

도 7을 참조하면, 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법은 먼저, 기판(120) 상에 제1 발광소자(151), 제2 발광소자(152) 및 제3 발광소자(153) 기판(120) 상에 COB 타입으로 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(120) 상에 SMT에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트를 이용할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 발광소자(151)는 청색 발광다이오드일 수 있고, 상기 제2 발광소자(153)은 녹색 발광다이오드일 수 있다. 제1 실시 예의 제1 및 제2 발광소자(151, 152)는 청색 파장을 발광하는 청색 발광다이오드를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 발광소자(151)는 녹색 파장을 발광하는 녹색 발광다이오드로 변경될 수도 있다.7, a method of manufacturing a light emitting module according to the first embodiment includes a first light emitting device 151, a second light emitting device 152, and a third light emitting device 153 substrate 120 on a substrate 120, Lt; RTI ID = 0.0 > COB < / RTI > The first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be mounted on the substrate 120 by SMT. The SMT may use solder paste. The solder paste may be a metal paste. For example, the solder paste may include an alloy such as AuSn and NiSn, but is not limited thereto. The first light emitting device 151 may be a blue light emitting diode, and the second light emitting device 153 may be a green light emitting diode. Although the first and second light emitting devices 151 and 152 of the first embodiment have been described by limiting the blue light emitting diode that emits the blue wavelength, it is not limited thereto. For example, the first light emitting device 151 may be replaced with a green light emitting diode that emits green light.

도 8을 참조하면, 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151)의 상부 및 측면상에 배치될 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151)와 직접 접할 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)은 상기 제1 발광소자(151)로부터의 광을 적색 파장으로 변경시킬 수 있다. 상기 적색 형광체층(52)는 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 MGF계 형광체는 예컨대, Mg4Ge1-xOyF:Mn4+ x의 조성식을 가지며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를 만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를 만족할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 KTF계 형광체 예컨대, KdTi1-gFe:Mn4+ g의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 d는 1 ≤ d ≤ 2.5, 상기 e는 5 ≤ e ≤ 6.5, 상기 g는 0.001 ≤ g ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 형광체층(52)는 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 형광체는 높은 발광 효율을 가지며 청색 피크 파장에서 강한 흡수를 갖게 된다. 상기 형광체층(52)는 황화물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2+ 형광체를 포함할 수 있다. 상기 활성체는 Mn4+ 등의 4가 전이금속 이온이거나, 각종 희토류 이온이나 전이금속 이온에서 선택되는 금속 이온을 필요에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, Eu2+ , Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Eu3+, Gd3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+ 등의 3가 희토류금속 이온, Sm2+, Eu2+, Yb2+ 등의 2가 희토류금속 이온, Mn2+ 등의 2가 전이금속이온, Cr3+이나 Fe3+ 등의 3가 전이금속이온 등이다.Referring to FIG. 8, the red phosphor layer 52 may be disposed on the first light emitting device 151. The red phosphor layer 52 may be disposed on the top and side surfaces of the first light emitting device 151. The red phosphor layer 52 may be in direct contact with the first light emitting device 151. The red phosphor layer 52 may change the light from the first light emitting device 151 to a red wavelength. The red phosphor layer 52 may include a phosphor of a fluoride compound, and may include at least one of an MGF-based phosphor, a KSF-based phosphor, and a KTF-based phosphor. The MGF-base phosphor has a composition formula of Mg 4 Ge 1 -x O y F: Mn 4+ x , where x satisfies 0.001? X? 0.1 and y can satisfy 1? Y? 5. A KsF-based phosphor, for example, K a Si 1 -c F b : Mn 4+ c , where a is 1? A? 2.5, b is 5? B? 6.5, and c is 0.001? C ≪ / = 0.1. The KTF-based fluorescent material, for example, K d Ti 1-e F g: may have a composition formula Mn 4+ g, wherein d is 1 ≤ d ≤ 2.5, wherein e is 5 ≤ e ≤ 6.5, wherein g is 0.001 ≤ g ≪ / = 0.1. The fluorophor layer 52, which is a Mn 4+ activator phosphor, has a high luminescence efficiency and a strong absorption at a blue peak wavelength. The phosphor layer 52 may include a sulfide-based phosphor such as (Ca, Sr) S: Eu 2+ or a nitride-based, e.g., CaAlSiN 3: Eu 2+ phosphor. The active material may be a tetravalent transition metal ion such as Mn 4+ or a metal ion selected from a variety of rare earth ions and transition metal ions. For example, Eu 2+ , Ce 3+ , Pr Trivalent rare earth metal ions such as 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er 3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , Divalent rare earth metal ions such as Sm 2+ , Eu 2+ and Yb 2+ , divalent transition metal ions such as Mn 2+, and trivalent transition metal ions such as Cr 3+ and Fe 3+ .

도 9를 참조하면, 기판(120), 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 상에 몰딩층(170a)이 형성될 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 상기 몰딩층(170a)은 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 발광모듈의 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 블랙 필러는 사이니지, 실내외 전광판, public display 등에 사용되는 발광모듈에서 외관 품질을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 9, a molding layer 170a may be formed on the substrate 120, the first to third light emitting devices 151, 152, and 153. The molding layer 170a may include a light transmitting resin material such as epoxy or silicon. In the molding layer 170a, the molding layer 170a may include a black filler. The black filler can improve the appearance quality by realizing the entire light emitting surface in black color at the time of non-emission of the light emitting module. For example, the black filler can improve the appearance quality in a light emitting module used for signage, indoor and outdoor display boards, public displays, and the like.

도 10을 참조하면, 커팅공정에 의해 기판(120) 상에 단위 발광부(100)를 형성할 수 있다. 상기 커팅공정은 몰딩층을 에칭 또는 물리적으로 제거하여 몰딩부(170)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 10, a unit light emitting unit 100 may be formed on a substrate 120 by a cutting process. The cutting step may form the molding part 170 by etching or physically removing the molding layer.

도 11을 참조하면, 상기 기판(120) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 발광부(100)의 외측면을 감싸도록 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 11, a black matrix (BM) may be formed on the substrate 120. The black matrix BM may be formed to surround the outer surface of the light emitting unit 100. The black matrix BM may be formed by a screen printing process, a dispensing process, or an injection process, but is not limited thereto.

상기 몰딩부(170) 상에 적색 컬러필터(190)가 형성될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)과 수직으로 중첩될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장만을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 이외의 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장을 통과시키고, 적색 이외의 파장을 차단할 수 있다. A red color filter 190 may be formed on the molding part 170. The red color filter 190 may be vertically overlapped with the red phosphor layer 52. The red color filter 190 may include a function of passing only red wavelengths through the red phosphor layer 52. For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include wavelengths other than red. The red color filter 190 may pass the red wavelength and block wavelengths other than red.

제1 실시 예의 제1 발광소자(151), 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 파장을 구현함으로써, 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 실시 예는 열적 안정성을 향상시키고, 시간에 따라 변하는 색감 차이를 개선할 수 있다.By implementing the red wavelength using the first light emitting device 151, the red phosphor layer 52 and the red color filter 190 of the first embodiment, the first to third light emitting elements 151, 152, Thermal < / RTI > and electrical properties. Therefore, the first embodiment can improve the thermal stability and improve the color difference that varies with time.

제1 실시 예의 발광모듈 제조방법은 기판(120) 상에 COB 타입으로 직접 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 실장하고, 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM)를 형성하여 제조공정을 간소화할 수 있다.
The method of manufacturing the light emitting module of the first embodiment includes mounting the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 directly on the substrate 120 in a COB type, forming the molding part 170 and the black matrix BM So that the manufacturing process can be simplified.

도 12는 제2 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.12 is a sectional view showing the light emitting module of the second embodiment.

도 12에 도시된 바와 같이, 제2 실시 예의 발광모듈은 블랙 매트릭스(BM), 몰딩부(170) 및 단차부(171)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.12, the light emitting module of the second embodiment includes the light emitting module 10 of the first embodiment of Figs. 1 to 11 except for the black matrix BM, the molding portion 170 and the step portion 171. [ ) Can be adopted.

제2 실시 예는 몰딩부(170) 상에 단차부(171)가 배치될 수 있다. 상기 단차부(171)는 물리적 또는 화학적 식각공정을 통해서 형성될 수 있다. 예컨대 상기 단차부(171)는 상기 몰딩부(170)의 상부면으로부터 기판(120) 방향으로 오목한 형상일 수 있다. 예컨대 상기 단차부(171)의 바닥부는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 단차부(171)는 블랙 매트릭스(BM)의 위치를 결정할 수 있다. 상기 단차부(171)의 바닥부는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면보다 아래에 배치되어 블랙 매트릭스(BM)의 바닥부에 반사되어 기판(120) 방향으로 손실되는 광을 줄일 수 있다. 상기 단차부(171)의 높이는 상기 몰딩부(170)의 높이보다 클 수 있다. 상기 단차부(171)의 높이는 상기 몰딩부(170)의 높이의 50% 이상일 수 있다.In the second embodiment, the step portion 171 may be disposed on the molding portion 170. The stepped portion 171 may be formed through a physical or chemical etching process. For example, the stepped portion 171 may have a concave shape from the upper surface of the molding portion 170 toward the substrate 120. For example, the bottom of the stepped portion 171 may be disposed below the upper surface of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153. The stepped portion 171 can determine the position of the black matrix BM. The bottom of the stepped portion 171 is disposed below the upper surface of the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 and is reflected toward the bottom of the black matrix BM to be lost toward the substrate 120 Light can be reduced. The height of the stepped portion 171 may be greater than the height of the molding portion 170. The height of the stepped portion 171 may be 50% or more of the height of the molding portion 170.

제2 실시 예의 발광모듈 제조방법은 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM) 형성단계를 제외하고 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The method of manufacturing the light emitting module of the second embodiment may employ the technical features of the method of manufacturing the light emitting module of the first embodiment, except for the molding part 170 and the black matrix (BM) forming step.

상기 제2 실시 예의 발광모듈 제조방법은 몰딩층을 기판(120), 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 상에 형성하고, 물리적 또는 화학적 식각 공정을 통해서 몰딩층 두께의 50% 이상의 깊이로 단차부(171)를 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 단차부(171)내에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 하면은 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면보다 아래에 배치되어 인접한 발광부 사이의 빛 간섭을 개선할 수 있다.In the method of manufacturing the light emitting module of the second embodiment, a molding layer is formed on the substrate 120, the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, and a physical or chemical etching process is performed, The step portion 171 can be formed with a depth equal to or greater than the depth of the step portion 171. [ The black matrix BM may be formed in the step portion 171 by a screen printing, a dispensing or an injection process, but is not limited thereto. The lower surface of the black matrix BM may be disposed below the upper surfaces of the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 to improve light interference between adjacent light emitting units.

제2 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부(100) 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.The second embodiment differs from the first embodiment in that the first to third light emitting devices 151 to 152 and 153 to be separately driven and the molding part 170 are disposed directly on the substrate 120, A light emitting module of a simplified structure in which a black matrix (BM) of a matrix type is disposed on the substrate 120 can be provided. That is, the embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing a full color, and can simplify the structure of the light emitting module and realize slimness and high brightness.

제2 실시 예는 동일한 물성을 갖는 발광소자들에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The second embodiment improves the thermal stability and realizes a certain color feeling by the light emitting elements having the same physical properties.

제2 실시 예는 적색 형광체층(52)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.
In the second embodiment, the red color is realized by using the red phosphor layer 52, thereby improving the thermal stability of a general red light emitting diode and realizing a uniform color.

도 13은 제3 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.13 is a sectional view showing the light emitting module of the third embodiment.

도 13에 도시된 바와 같이, 제3 실시 예의 발광모듈은 적색 컬러필터(290)를 포함하는 제1 발광소자(151)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.13, the light emitting module of the third embodiment includes the light emitting module 10 of the first embodiment of Figs. 1 to 11 except for the first light emitting element 151 including the red color filter 290, Can be adopted.

상기 적색 컬러필터(290)는 적색 형광체층(52) 상에 형성될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(290)는 상기 적색 형광체층(52) 상부면과 접할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(290)는 몰딩층(170) 내에 배치될 수 있다.The red color filter 290 may be formed on the red phosphor layer 52. The red color filter 290 may be in contact with the upper surface of the red phosphor layer 52. The red color filter 290 may be disposed within the molding layer 170.

제3 실시 예의 발광모듈 제조방법은 적색 형광체층(52) 형성 단계 이후에 상기 적색 컬러필터(190)을 형성하고, 이후에 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM) 순차적으로 형성할 수 있다. In the method of manufacturing the light emitting module of the third embodiment, the red color filter 190 may be formed after the step of forming the red phosphor layer 52, and then the molding part 170 and the black matrix BM may be sequentially formed.

제3 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제3 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.The third embodiment differs from the first embodiment in that the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 and the molding part 170 which can be individually driven are disposed directly on the substrate 120 and the matrix type It is possible to provide a light emitting module having a simplified structure in which a black matrix (BM) is disposed on the substrate 120. That is, the third embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing a full color, and the structure of the light emitting module can be simplified to realize a slim and high brightness.

제3 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The third embodiment can improve the thermal stability and realize a uniform color feeling by the first to third light emitting devices 151, 152, 153 having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제3 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(290)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the third embodiment, the red color is realized by using the red phosphor layer 52 and the red color filter 290, thereby improving the thermal stability of the red light emitting diode and achieving a uniform color.

도 14는 제4 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.14 is a sectional view showing a light emitting module of the fourth embodiment.

도 14에 도시된 바와 같이, 제4 실시 예의 발광모듈은 파장 변환 필터 (380)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in Fig. 14, the light emitting module of the fourth embodiment can employ the technical features of the light emitting module 10 of the first embodiment of Figs. 1 to 11 except for the wavelength conversion filter 380. Fig.

상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)의 상부면 및 측면상에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)와 직접 접할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 적색 컬러필터 및 적색 형광체층을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(380)는 제1 발광소자(151)의 광을 적색 파장으로 변환하고, 적색 이외의 파장을 차단하고, 적색 파장만을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다.The wavelength conversion filter 380 may be disposed in the first light emitting device 151. The wavelength conversion filter 380 may be disposed on the upper surface and the side surface of the first light emitting device 151. The wavelength conversion filter 380 may be in direct contact with the first light emitting device 151. The wavelength conversion filter 380 may include a red color filter and a red phosphor layer. The wavelength conversion filter 380 may include a function of converting light of the first light emitting device 151 into a red wavelength, blocking wavelengths other than red, and passing only red wavelengths.

제4 실시 예의 발광모듈 제조방법은 적색 컬러필터 및 적색 형광체가 혼합된 상기 파장 변환 필터(380)를 제1 발광소자(151) 상에 형성하고, 이후에 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM) 순차적으로 형성할 수 있다.The method of manufacturing the light emitting module of the fourth embodiment is characterized in that the wavelength conversion filter 380 in which the red color filter and the red phosphor are mixed is formed on the first light emitting device 151 and then the molding part 170 and the black matrix BM ) Can be sequentially formed.

제4 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제4 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.The fourth embodiment differs from the first embodiment in that the first through third light emitting devices 151 152 153 and the molding part 170 are disposed directly on the substrate 120 and the matrix type It is possible to provide a light emitting module having a simplified structure in which a black matrix (BM) is disposed on the substrate 120. That is, the fourth embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing a full color, and the structure of the light emitting module can be simplified to realize slimness and high brightness.

제4 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The fourth embodiment can improve the thermal stability and realize a uniform color by the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제4 실시 예는 적색 형광체층 및 적색 컬러필터를 포함하는 파장 변환 필터(380)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the fourth embodiment, the red color is implemented by using the wavelength conversion filter 380 including the red phosphor layer and the red color filter, thereby improving the thermal stability and achieving a uniform color tone compared to a general red light emitting diode.

도 15는 제5 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.15 is a sectional view showing the light emitting module of the fifth embodiment.

도 15에 도시된 바와 같이, 제5 실시 예의 발광모듈은 파장 변환 필터 (480)를 제외하고, 도 14의 제4 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in Fig. 15, the light emitting module of the fifth embodiment can employ the technical features of the light emitting module of the fourth embodiment of Fig. 14, except for the wavelength conversion filter 480. Fig.

상기 파장 변환 필터(480)는 복수의 제1 발광소자(151)에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 제1 발광소자(151)의 상부면상에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 제1 발광소자(151)와 직접 접할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 적색 컬러필터 및 적색 형광체층을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환 필터(480)는 제1 발광소자(151)의 광을 적색 파장으로 변환하고, 적색 이외의 파장을 차단시키고, 적색 파장만을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다.The wavelength conversion filter 480 may be disposed in the plurality of first light emitting devices 151. The wavelength conversion filter 480 may be disposed on the upper surface of the first light emitting device 151. The wavelength conversion filter 480 may be in direct contact with the first light emitting device 151. The wavelength conversion filter 480 may include a red color filter and a red phosphor layer. The wavelength conversion filter 480 may include a function of converting the light of the first light emitting device 151 into a red wavelength, blocking wavelengths other than red, and passing only red wavelengths.

제5 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제4 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The method of manufacturing the light emitting module of the fifth embodiment can adopt the technical features of the method of manufacturing the light emitting module of the fourth embodiment.

제5 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제5 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.The fifth embodiment differs from the first embodiment in that the first through third light emitting devices 151 152 153 and the molding part 170 are disposed directly on the substrate 120 and the matrix type It is possible to provide a light emitting module having a simplified structure in which a black matrix (BM) is disposed on the substrate 120. That is, the fifth embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing a full color, and the structure of the light emitting module can be simplified to realize a slim and high brightness.

제5 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.The fifth embodiment can realize a certain color feeling by the first to third light emitting devices 151, 152, 153 having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제5 실시 예는 적색 형광체층 및 적색 컬러필터를 포함하는 파장 변환 필터(480)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 균일한 색감을 구현할 수 있다.
The fifth embodiment realizes a red color using the wavelength conversion filter 480 including the red phosphor layer and the red color filter, thereby realizing a uniform color.

도 16는 제6 실시 예의 발광모듈을 도시한 단면도이다.16 is a sectional view showing the light emitting module of the sixth embodiment.

도 16에 도시된 바와 같이, 제6 실시 예의 발광모듈은 적색 컬러필터(190)를 포함하는 상부 기판(TG)을 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.16, the light emitting module of the sixth embodiment includes, except for the upper substrate TG including the red color filter 190, the light emitting module 10 of the first embodiment of Figs. 1 to 11 Feature can be adopted.

상기 상부 기판(TG)는 몰딩부(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 상부 기판(TG)는 투명 유리기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The upper substrate TG may be disposed on the molding part 170. The upper substrate TG may be a transparent glass substrate, but is not limited thereto.

상기 적색 컬러필터(190)는 상기 상부 기판(TG) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상부 기판(TG) 하부면 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 적색 형광체층(52)과 수직으로 중첩될 수 있다.The red color filter 190 may be disposed on the upper substrate TG. The red color filter 190 may be disposed on the lower surface of the upper substrate TG. The red color filter 190 may be vertically overlapped with the red phosphor layer 52.

제6 실시 예의 발광모듈 제조방법은 상기 상부 기판(TG) 상에 적색 컬러필터(190)을 형성하는 단계를 제외하고, 도 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 상부 기판(TG)은 상기 적색 형광체층(52)과 수직으로 중첩되도록 얼라인하는 단계를 포함할 수 있다.The method of manufacturing the light emitting module of the sixth embodiment may adopt the technical features of the method of manufacturing the light emitting module of the first embodiment except for forming the red color filter 190 on the upper substrate TG. The upper substrate TG may be vertically overlapped with the red phosphor layer 52.

제6 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제6 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.The sixth embodiment differs from the first embodiment in that the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 and the molding part 170 which can be individually driven are disposed directly on the substrate 120 and the matrix type It is possible to provide a light emitting module having a simplified structure in which a black matrix (BM) is disposed on the substrate 120. That is, the sixth embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing full color, and can simplify the structure of the light emitting module and realize slimness and high brightness.

제6 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.The sixth embodiment can realize a uniform color feeling by the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제6 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 상부 기판(TG)의 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.
In the sixth embodiment, the red color is realized by using the red color filter 190 of the red phosphor layer 52 and the upper substrate TG, thereby improving the thermal stability and achieving a uniform color tone compared to a general red light emitting diode .

도 17 및 도 18은 제7 실시 예의 발광모듈을 도시한 분해 사시도이다.17 and 18 are exploded perspective views showing the light emitting module of the seventh embodiment.

도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 제7 실시 예는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153))를 포함하고, 상기 제1 발광소자(151) 상에 적색 형광체층(252) 및 적색 컬러필터(291)가 배치되고, 상기 제2 발광소자(152) 상에 녹색 형광체층(254) 및 녹색 컬러필터(293)가 배치될 수 있다. 제7 실시 예는 상기 제2 발광소자(152) 상에 녹색 형광체층(254) 및 녹색 컬러필터(293)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 17 and 18, the seventh embodiment includes the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, and the red phosphor layer 252 And a green color filter layer 293 and a green color filter layer 293 may be disposed on the second light emitting element 152. The seventh embodiment is similar to the first embodiment except that the green phosphor layer 254 and the green color filter 293 are formed on the second light emitting element 152 and the technical characteristics of the light emitting module 10 of the first embodiment of Figs. Can be adopted.

상기 녹색 형광체층(254)은 570nm 이하 예컨대, 540nm 내지 560nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. 예컨대 상기 녹색 형광체층(254)은 (Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu, (Ca,Sr)3SiO5:Eu, (La,Ca)3Si6N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce, CaSc2O4:Eu, BaAl8O13:Eu, (Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4:Eu, (Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, Zn2SiO4:Mn, (Y,Gd)BO3:Tb, ZnS:Cu,Cl/Al, ZnS:Ag,Cl/Al, (Sr,Ca)2Si5N8:Eu, (Li,Na,K)3ZrF7:Mn, (Li,Na,K)2(Ti,Zr)F6:Mn, (Ca,Sr,Ba)(Ti,Zr)F6:Mn, Ba0.65Zr0.35F2.7:Mn, (Sr,Ca)S:Eu, (Y,Gd)BO3:Eu, (Y,Gd)(V,P)O4:Eu, Y2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)5(PO4)3Cl:Eu, (Ca,Sr,Ba)MgAl10O17:Eu, (Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Eu, 3.5MgOㆍ0.5MgF2ㆍGeO2:Mn 등 중에서 한 종류 또는 2종류 이상이 선택될 수 있다. 상기 녹색 형광체층(254)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있으며, 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 녹색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.The green phosphor layer 254 may emit a peak wavelength of 570 nm or less, for example, 540 nm to 560 nm. For example, the green phosphor layer 254 is (Y, Gd, Lu, Tb ) 3 (Al, Ga) 5 O 12: Ce, (Mg, Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4: Eu, (Ca, Sr) 3 SiO 5: Eu, (La , Ca) 3 Si 6 N11: Ce, α-SiAlON: Eu, β-SiAlON: Eu, Ba 3 Si 6 O 12 N 2: Eu, Ca 3 (Sc, Mg) 2 Si (Al, Ga, In) 2 S (Ca, Sr, Ba) Al 2 O 4 : Eu, Ba 3 O 12 : Ce, CaSc 2 O 4 : Eu, BaAl 8 O 13 : Eu, 4 : Eu, (Ca, Sr) 8 (Mg, Zn) (SiO 4 ) 4 C 12 : Eu / Mn, (Ca, Sr, Ba) 3 MgSi 2 O 8 : Eu / ) 2 (Mg, Zn) Si 2 O 7: Eu, Zn 2 SiO 4: Mn, (Y, Gd) BO 3: Tb, ZnS: Cu, Cl / Al, ZnS: Ag, Cl / Al, (Sr, Ca) 2 Si 5 N 8: Eu, (Li, Na, K) 3 ZrF 7: Mn, (Li, Na, K) 2 (Ti, Zr) F 6: Mn, (Ca, Sr, Ba) (Ti (Y, Gd) BO 3 : Eu, (Y, Gd) (V, P) O 4 : Eu, (Zr) F 6 : Mn, Ba 0.65 Zr 0.35 F 2.7 : Mn, , Y 2 O 3: Eu, (Sr, Ca, Ba, Mg) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, (Ca, Sr, Ba) MgAl 10 O 17: Eu, (Ca, Sr, Ba) Si 2 O 2 N 2 : Eu, and 3.5MgO-0.5MgF 2 -GeO 2 : Mn. The green phosphor layer 254 may include a quantum dot, and the quantum dot may include a II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit green light. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2, CuInSe 2, and the like, and combinations thereof.

제7 실시 예는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 모두 청색 발광다이오드를 이용하므로 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있다.The seventh embodiment has an advantage in productivity because the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 use blue light emitting diodes.

제7 실시 예의 제조방법은 제1 실시 예의 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The manufacturing method of the seventh embodiment can adopt the technical features of the manufacturing method of the first embodiment.

제7 실시 예는 청색 발광다이오드의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 적색 형광체층(252), 적색 컬러필터(291), 녹색 형광체층(254), 녹색 컬러필터(293) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 제7 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.The seventh embodiment is different from the first embodiment in that the first to third light emitting devices 151 to 152 and 153 of the blue light emitting diode and the red phosphor layer 252, the red color filter 291, the green phosphor layer 254, And a molding unit 170 are directly disposed on the substrate 120 and a black matrix BM of a matrix type surrounding each side of the light emitting units is disposed on the substrate 120 . That is, the seventh embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing a full color, and the structure of the light emitting module can be simplified to realize slimness and high brightness.

제7 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The seventh embodiment can improve the thermal stability and realize a uniform color feeling by the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제7 실시 예는 제1 발광소자(151)과 적색 형광체층(252), 적색 컬러필터(291), 제2 발광소자(152), 녹색 형광체층(254) 및 녹색 컬러필터(293)을 이용하여 적색 및 녹색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The seventh embodiment uses the first light emitting element 151 and the red phosphor layer 252, the red color filter 291, the second light emitting element 152, the green phosphor layer 254 and the green color filter 293 By implementing red and green colors, it is possible to improve the thermal stability of a general red light emitting diode and achieve a uniform color.

도 19 및 도 20은 제8 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 시도이다.Figs. 19 and 20 are a plan view and a disassembly view showing the light emitting module of the eighth embodiment.

도 19 및 도 20에 도시된 바와 같이, 제8 실시 예는 복수의 백색 발광 다이오드(350), 적색 컬러필터(391), 청색 컬러필터(392) 및 녹색 컬러필터(393)을 포함할 수 있다. 19 and 20, the eighth embodiment may include a plurality of white light emitting diodes 350, a red color filter 391, a blue color filter 392, and a green color filter 393 .

제8 실시 예는 하나의 화소와 다응되는 하나의 발광부에 4개의 백색 발광다이오드(350)가 배치될 수 있다.In the eighth embodiment, four white light emitting diodes 350 may be disposed in one light emitting portion corresponding to one pixel.

상기 백색 발광다이오드(350)은 제1 내지 제4 백색 발광다이오드(350a, 350b, 350c, 350d)를 포함할 수 있다.The white light emitting diode 350 may include first to fourth white light emitting diodes 350a, 350b, 350c and 350d.

상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a)와 직접 접할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(391)는 상기 제1 백색 발광다이오드(350a)로부터 발광된 광 중에 적색 파장의 광을 통과시킬 수 있다.The red color filter 391 may be disposed on the first white light emitting diode 350a. The red color filter 391 may be vertically overlapped with the first white light emitting diode 350a. The red color filter 391 may be in direct contact with the first white light emitting diode 350a. The red color filter 391 may transmit light of a red wavelength to the light emitted from the first white light emitting diode 350a.

상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b) 상에 배치될 수 있다. 상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b)와 직접 접할 수 있다. 상기 청색 컬러필터(392)는 상기 제2 백색 발광다이오드(350b)로부터 발광된 광 중에 적색 파장의 광을 통과시킬 수 있다.The blue color filter 392 may be disposed on the second white light emitting diode 350b. The blue color filter 392 may overlap the second white light emitting diode 350b in the vertical direction. The blue color filter 392 may be in direct contact with the second white light emitting diode 350b. The blue color filter 392 can pass the red wavelength light through the light emitted from the second white light emitting diode 350b.

상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c) 상에 배치될 수 있다. 상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c)와 직접 접할 수 있다. 상기 녹색 컬러필터(393)는 상기 제3 백색 발광다이오드(350c)로부터 발광된 광 중에 적색 파장의 광을 통과시킬 수 있다.The green color filter 393 may be disposed on the third white light emitting diode 350c. The green color filter 393 may overlap the third white light emitting diode 350c in the vertical direction. The green color filter 393 may be in direct contact with the third white light emitting diode 350c. The green color filter 393 can pass the red wavelength light through the light emitted from the third white light emitting diode 350c.

제8 실시 예는 모든 발광소자를 백색 발광다이오드(350)로 배치하고, 적색 컬러필터(391), 청색 컬러필터(392) 및 녹색 컬러필터(393)를 이용하여 풀 컬러를 구현함과 동시에 제4 백색 발광다이오드(350d)를 이용하여 컬러 균형, 밝기 등을 보상할 수 있다. 제8 실시 예는 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있고, 색 순도 및 고휘도를 구현할 수 있다.All the light emitting elements are arranged in the white light emitting diode 350 and the full color is realized by using the red color filter 391, the blue color filter 392 and the green color filter 393, 4 white light emitting diode 350d can be used to compensate for color balance, brightness, and the like. The eighth embodiment can have advantages of excellent productivity, and can achieve color purity and high brightness.

제8 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 백색 발광다이오드들에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.The eighth embodiment can realize a uniform color tone by the white light emitting diodes having similar thermal and electrical characteristics.

제8 실시 예는 백색 발광다이오드들과 적색 컬러필터(391), 청색 컬러필터(392) 및 녹색 컬러필터(393)을 이용하여 풀 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The eighth embodiment improves the thermal stability of a general red light emitting diode by implementing full color using white light emitting diodes and a red color filter 391, a blue color filter 392 and a green color filter 393, A certain color can be realized.

도 21 및 도 22는 제9 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.21 and 22 are a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the ninth embodiment.

도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 제9 실시 예는 백색 발광 다이오드(550)를 제외하고, 도 1 내지 도 11의 제1 실시 예의 발광모듈(10)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIGS. 21 and 22, the ninth embodiment can employ the technical features of the light emitting module 10 of the first embodiment of FIGS. 1 to 11 except for the white light emitting diode 550.

제9 실시 예는 하나의 발광부 마다 백색 발광다이오드(550)가 포함되어 색 균형, 밝기 등을 보상할 수 있다. 제9 실시 예는 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있고, 색 순도 및 고휘도를 구현할 수 있다. In the ninth embodiment, a white light emitting diode 550 is included in each light emitting unit to compensate for color balance, brightness, and the like. The ninth embodiment can have the advantages of excellent productivity and realize color purity and high luminance.

제9 실시 예는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 이용하여 풀 컬러를 구현함과 동시에 백색 발광다이오드(550)를 이용하여 컬러 균형, 밝기 등을 보상할 수 있다. 제9 실시 예는 생산성이 우수한 장점을 가질 수 있고, 색 순도 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the ninth embodiment, full color is realized by using the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, and the color balance, brightness, and the like can be compensated by using the white light emitting diode 550. The ninth embodiment can have the advantages of excellent productivity and realize color purity and high luminance.

제9 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 청색 발광다이오드 및 녹색 발광다이오드에 의해 일정한 색감을 구현할 수 있다.The ninth embodiment can realize a certain color feeling by the blue light emitting diode and the green light emitting diode having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제9 실시 예는 청색 발광다이오드 및 녹색 발광다이오드, 적색 형광체층 및 적색 컬러필터를 이용하여 풀 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the ninth embodiment, full color is realized by using a blue light emitting diode, a green light emitting diode, a red phosphor layer, and a red color filter, thereby improving thermal stability and achieving a uniform color tone compared to a general red light emitting diode.

도 23 및 도 24는 제10 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.23 and 24 are a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the tenth embodiment.

도 23 및 도 24에 도시된 바와 같이, 제10 실시 예의 발광모듈은 제2 블랙 매트릭스(BM2)를 제외하고, 제1 내지 제9 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in Figs. 23 and 24, the light emitting module of the tenth embodiment can adopt the technical features of the light emitting modules of the first to ninth embodiments, except for the second black matrix BM2.

상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 블랙 레진일 수 있고, 성형 구조물 및 성형 구조물 표면에 코팅된 블랙 층일 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 하나의 발광부 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(152)와 접하는 제1 발광소자(151)와 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)과 접하는 제1 발광소자(151)를 둘러 쌓고, 상기 적색 형광체층(52)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 제1 블랙 매트릭스(BM1)으로부터 연장될 수 이다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)의 높이보다 높은 높이를 가질 수 있다. 예컨대 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)의 상부면은 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1)과 같은 높이를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)보다 높은 높이를 가짐으로써, 제2 및 제3 발광소자(152, 153)로부터 발광된 청색 광 및 녹색 광의 간섭을 방지할 수 있다. 구체적으로 제10 실시 예는 적색 형광체층(52)과 이격된 제2 및 제3 발광소자(152, 153)의 청색 및 녹색 광 차단함으로써, 원하는 컬러를 구현할 수 있다. 예컨대 제10 실시 예의 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 녹색 구현 시에 제2 발광소자(153)로부터 발광된 녹색 파장의 광이 적색 형광체층(52)에 여기되어 적색 파장으로 변환되는 문제를 개선할 수 있다.The second black matrix BM2 may be a black resin, and may be a black layer coated on the forming structure and the surface of the forming structure. The second black matrix BM2 may be disposed in one light emitting portion. The second black matrix BM2 may be disposed between the first light emitting device 151 and the second and third light emitting devices 152 and 153 in contact with the red phosphor layer 152. [ The second black matrix BM2 surrounds the first light emitting device 151 in contact with the red phosphor layer 52 and may be spaced apart from the red phosphor layer 52 by a predetermined distance. The second black matrix BM2 may extend from the first black matrix BM1. The second black matrix BM2 may have a height higher than the height of the red phosphor layer 52. For example, the upper surface of the second black matrix BM2 may have the same height as the first black matrix BM1, but the present invention is not limited thereto. The second black matrix BM2 has a height higher than that of the red phosphor layer 52 to prevent interference between blue light and green light emitted from the second and third light emitting devices 152 and 153. Specifically, the tenth embodiment can realize a desired color by blocking blue and green light of the second and third light emitting devices 152 and 153 spaced apart from the red phosphor layer 52. For example, the second black matrix BM2 of the tenth embodiment improves the problem that the green wavelength light emitted from the second light emitting device 153 is excited into the red phosphor layer 52 and converted to the red wavelength in the green implementation .

제10 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제2 블랙 매트릭스(BM2) 형성단계를 제외하고 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The method of manufacturing the light emitting module of the tenth embodiment can employ the technical features of the method of manufacturing the light emitting module of the first embodiment except for the step of forming the second black matrix (BM2).

상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1) 형성시에 동시에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second black matrix BM2 may be formed by a screen printing process, a dispensing process, or an injection process, but is not limited thereto. The second black matrix BM2 may be formed simultaneously with the formation of the first black matrix BM1, but is not limited thereto.

제10 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 제1 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.The tenth embodiment is different from the first embodiment in that the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 and the molding part 170 are disposed directly on the substrate 120, and the matrix type It is possible to provide a light emitting module having a simplified structure in which the first black matrix BM is disposed on the substrate 120. [ That is, the embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing a full color, and can simplify the structure of the light emitting module and realize slimness and high brightness.

제10 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The tenth embodiment improves the thermal stability and can realize a uniform color tone by the light emitting elements having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제10 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the tenth embodiment, the red color is realized by using the red phosphor layer 52 and the red color filter 190, thereby improving the thermal stability of the red light emitting diode and achieving a uniform color.

제10 실시 예는 적색 형광체층(52)과, 상기 적색 형광체층(52)과 이격된 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치된 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)에 의해 발광부 각각의 컬러 구현 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
The tenth embodiment is characterized in that the red phosphor layer 52 and the second black matrix BM2 disposed between the second and third light emitting devices 152 and 153 spaced from the red phosphor layer 52 emit light The reliability of each color implementation can be improved.

도 25는 제11 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.25 is a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the eleventh embodiment.

도 25에 도시된 바와 같이, 제11 실시 예의 발광모듈은 제2 블랙 매트릭스(BM2)를 제외하고, 제1 내지 제9 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 블랙 레진일 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 하나의 발광부 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)을 포함하는 제1 발광소자(151)와 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)을 포함하는 제1 발광소자(151)를 둘러 쌓고, 상기 적색 형광체층(52)으로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 제1 블랙 매트릭스(BM1)으로부터 연장될 수 이다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)의 높이보다 높은 높이를 가질 수 있다. 예컨대 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)의 상부면은 상기 적색 형광체층(52)의 상부면보다 위에 배치될 수 있다.As shown in Fig. 25, the light emitting module of the eleventh embodiment can employ the technical features of the light emitting modules of the first to ninth embodiments, except for the second black matrix BM2. The second black matrix BM2 may be a black resin. The second black matrix BM2 may be disposed in one light emitting portion. The second black matrix BM2 may be disposed between the first light emitting device 151 including the red phosphor layer 52 and the second and third light emitting devices 152 and 153. [ The second black matrix BM2 surrounds the first light emitting device 151 including the red phosphor layer 52 and may be separated from the red phosphor layer 52 by a predetermined distance. The second black matrix BM2 may extend from the first black matrix BM1. The second black matrix BM2 may have a height higher than the height of the red phosphor layer 52. For example, the upper surface of the second black matrix BM2 may be disposed above the upper surface of the red phosphor layer 52.

상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 적색 형광체층(52)보다 높은 높이를 가짐으로써, 제2 및 제3 발광소자(152, 153)로부터 발광된 청색 광 및 녹색 광의 간섭을 방지할 수 있다. 구체적으로 제11 실시 예는 적색 형광체층(52)으로부터 이격된 제2 및 제3 발광소자(152, 153)의 청색 및 녹색 광을 차단함으로써, 원하는 컬러를 구현할 수 있다. 예컨대 제11 실시 예의 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 녹색 구현 시에 제3 발광소자(153)로부터 발광된 녹색 파장의 광이 적색 형광체층(52)에 여기되어 적색 파장으로 변환되는 문제를 개선할 수 있다.The second black matrix BM2 may have a lower height than the first black matrix BM1. The second black matrix BM2 has a height higher than that of the red phosphor layer 52 to prevent interference between blue light and green light emitted from the second and third light emitting devices 152 and 153. Specifically, the eleventh embodiment can achieve a desired color by blocking blue and green light of the second and third light emitting devices 152 and 153 spaced from the red phosphor layer 52. For example, the second black matrix BM2 of the eleventh embodiment improves the problem that the green wavelength light emitted from the third light emitting device 153 is excited into the red phosphor layer 52 to be converted into the red wavelength in the green implementation .

제11 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제2 블랙 매트릭스(BM2) 형성단계를 제외하고, 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 예컨대 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 몰딩층의 커팅공정에 의한 몰딩부(170) 형성 이후에 사출 공정으로 형성될 수 있다. 다른 예로 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)는 사출 공정을 통해서 상기 제1 블랙 매트릭스(BM1)와 동시에 또는 순차적으로 형성된 이후에 몰딩부(170)를 형성할 수도 있다.The manufacturing method of the light emitting module of the eleventh embodiment can employ the technical features of the method of manufacturing the light emitting module of the first embodiment except for the step of forming the second black matrix (BM2). For example, the second black matrix BM2 may be formed by an injection process after the molding portion 170 is formed by a cutting process of a molding layer. As another example, the second black matrix BM2 may be formed at the same time or sequentially with the first black matrix BM1 through an injection process, and then the molding part 170 may be formed.

제11 실시 예는 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 기판(120)에 직접 배치되고, 발광부 각각의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 제1 블랙 매트릭스(BM1)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈을 제공할 수 있다. 즉, 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈을 제공하되 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.In the eleventh embodiment, the first to third light emitting devices 151, 152, 153 and the molding part 170, which can be individually driven, are disposed directly on the substrate 120, and a matrix type It is possible to provide a light emitting module having a simplified structure in which the first black matrix BM1 is disposed on the substrate 120. [ That is, the embodiment provides a light emitting module capable of realizing images and images by implementing a full color, and can simplify the structure of the light emitting module and realize slimness and high brightness.

제11 실시 예는 유사한 열적 특성 및 전기적 특성을 갖는 발광소자들에 의해 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.The eleventh embodiment can improve the thermal stability and realize a uniform color tone by the light emitting elements having similar thermal characteristics and electrical characteristics.

제11 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 이용하여 적색 컬러를 구현함으로써, 일반적인 적색 발광다이오드 대비 열적 안정성을 향상시키고, 일정한 색감을 구현할 수 있다.In the eleventh embodiment, the red color is realized by using the red phosphor layer 52 and the red color filter 190, thereby improving the thermal stability of the red light emitting diode and achieving a uniform color.

제11 실시 예는 적색 형광체층(52)와 접하는 제1 발광소자(151)와, 제2 및 제3 발광소자(152, 153) 사이에 배치된 상기 제2 블랙 매트릭스(BM2)에 의해 발광부 각각의 컬러 구현 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
The eleventh embodiment is characterized in that the first light emitting device 151 is in contact with the red phosphor layer 52 and the second black matrix BM2 is disposed between the second and third light emitting devices 152, Each color implementation reliability can be improved.

도 26 및 도 27은 제12 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.26 and 27 are a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the twelfth embodiment.

도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 제12 실시 예의 발광모듈은 적색 컬러필터(190)를 제외하고, 제10 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in Figs. 26 and 27, the light emitting module of the twelfth embodiment can employ the technical features of the light emitting module of the tenth embodiment, except for the red color filter 190. Fig.

제12 실시 예는 몰딩부(170) 상에 배치된 적색 컬러필터(190)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 외의 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장만을 통과시키므로 순수한 적색 파장을 구현할 수 있다. 즉, 제12 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 포함하여 적색 파장의 색감을 향상시킬 수 있다.
The twelfth embodiment may include a red color filter 190 disposed on the molding part 170. [ The red color filter 190 may include a function of passing a red wavelength through a wavelength converted through the red phosphor layer 52. For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include wavelengths other than red. Since the red color filter 190 passes only the red wavelength, a pure red wavelength can be realized. That is, the twelfth embodiment may include the red phosphor layer 52 and the red color filter 190 to improve the color of the red wavelength.

도 28는 제13 실시 예의 발광모듈을 도시한 평면도 및 분해 사시도이다.28 is a plan view and an exploded perspective view showing the light emitting module of the thirteenth embodiment.

도 28에 도시된 바와 같이, 제13 실시 예의 발광모듈은 색 컬러필터(190)를 제외하고, 제11 실시 예의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in Fig. 28, the light emitting module of the thirteenth embodiment can adopt the technical features of the light emitting module of the eleventh embodiment, except for the color color filter 190. Fig.

제13 실시 예는 몰딩부(170) 상에 배치된 적색 컬러필터(190)를 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 형광체층(52)을 통해서 변환된 파장 중에 적색 파장을 통과시키는 기능을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 적색 형광체층(52)을 통해 방출되는 광은 적색 외의 파장을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터(190)는 상기 적색 파장만을 통과시키므로 순수한 적색 파장을 구현할 수 있다. 즉, 제13 실시 예는 적색 형광체층(52) 및 적색 컬러필터(190)를 포함하여 적색 파장의 색감을 향상시킬 수 있다.The thirteenth embodiment may include a red color filter 190 disposed on the molding part 170. [ The red color filter 190 may include a function of passing a red wavelength through a wavelength converted through the red phosphor layer 52. For example, light emitted through the red phosphor layer 52 may include wavelengths other than red. Since the red color filter 190 passes only the red wavelength, a pure red wavelength can be realized. That is, the thirteenth embodiment includes the red phosphor layer 52 and the red color filter 190 to improve the color of the red wavelength.

실시 예에 따른 발광모듈(100)은 상기 표시장치뿐만 아니라 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting module 100 according to the embodiment can be applied not only to the display device but also to a lighting unit, a pointing device, a lamp, a streetlight, a vehicle lighting device, a vehicle display device, a smart watch, and the like.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

52: 적색 형광체층
100: 발광부
150a: 제1 발광소자
150b: 제2 발광소자
150c: 제3 발광소자
52: Red phosphor layer
100:
150a: a first light emitting element
150b: a second light emitting element
150c: third light emitting element

Claims (20)

기판;
상기 기판 위에 배치되는 복수의 발광부; 및
상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 제1 블랙 매트릭스를 포함하고,
상기 복수의 발광부 각각은,
상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제1 발광소자;
상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 제2 발광소자;
상기 제1 발광소자 상에 배치된 적색 형광체층;
상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 배치되고 상기 기판 상면으로부터 상기 적색 형광체층보다 높은 높이를 갖는 제2 블랙 매트릭스를 포함하는 발광모듈.
Board;
A plurality of light emitting portions disposed on the substrate; And
And a first black matrix surrounding each of the plurality of light emitting portions,
Wherein each of the plurality of light-
A first light emitting element for emitting blue light arranged on the substrate;
A second light emitting element for emitting blue light arranged on the substrate;
A red phosphor layer disposed on the first light emitting element;
And a second black matrix disposed between the first and second light emitting elements and having a height higher than the red phosphor layer from the upper surface of the substrate.
제1 항에 있어서,
상기 제1 발광소자는 청색 발광다이오드 또는 녹색 발광다이오드를 포함하는 발광모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting device includes a blue light emitting diode or a green light emitting diode.
제1 항에 있어서,
상기 적색 형광체층 상에 배치된 적색 컬러필터를 더 포함하는 발광모듈.
The method according to claim 1,
And a red color filter disposed on the red phosphor layer.
제3 항에 있어서,
상기 적색 컬러필터는 상기 적색 형광체층의 상부면 위에 배치된 발광모듈.
The method of claim 3,
And the red color filter is disposed on the upper surface of the red phosphor layer.
제2 항에 있어서,
상기 적색 형광체층은 상기 제1 발광소자의 상부면에 배치된 발광모듈.
3. The method of claim 2,
And the red phosphor layer is disposed on an upper surface of the first light emitting device.
제1 항에 있어서,
상기 적색 형광체층과 혼합된 적색 컬러필터를 더 포함하는 발광모듈.
The method according to claim 1,
And a red color filter mixed with the red phosphor layer.
제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 발광소자는 청색 발광다이오드를 포함하고, 상기 제3 발광소자는 녹색 파장으로 빛을 변환하는 녹색 형광체층을 포함하는 발광모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second light emitting devices include a blue light emitting diode, and the third light emitting device includes a green phosphor layer that converts light to a green wavelength.
제7 항에 있어서,
상기 녹색 형광체층 상에 배치된 녹색 컬러필터를 더 포함하는 발광모듈.
8. The method of claim 7,
And a green color filter disposed on the green phosphor layer.
제8 항에 있어서,
상기 녹색 컬러필터는 상기 녹색 형광체층의 상부면 위에 배치된 발광모듈.
9. The method of claim 8,
And the green color filter is disposed on the upper surface of the green phosphor layer.
제7 항에 있어서,
상기 녹색 형광체층은 상기 제3 발광소자의 상부면에 배치된 발광모듈.
8. The method of claim 7,
And the green phosphor layer is disposed on an upper surface of the third light emitting device.
제7 항에 있어서,
상기 녹색 형광체층과 혼합된 녹색 컬러필터를 더 포함하는 발광모듈.
8. The method of claim 7,
And a green color filter mixed with the green phosphor layer.
제1 항에 있어서,
상기 기판 위에 배치된 백색 광을 발광하는 제4 발광소자를 더 포함하는 발광모듈.
The method according to claim 1,
And a fourth light emitting element for emitting white light disposed on the substrate.
제1 항에 있어서,
상기 몰딩부 위에 일정 간격 이격된 상부 기판을 더 포함하고, 상기 상부기판에는 상기 제1 발광소자와 수직 방향으로 중첩되는 적색 컬러필터를 포함하는 발광모듈.
The method according to claim 1,
Further comprising an upper substrate spaced apart from the molding part by a predetermined distance, and the upper substrate includes a red color filter superimposed on the first light emitting device in a vertical direction.
제1 항에 있어서,
상기 제2 블랙 매트릭스는 상기 제1 블랙 매트릭스와 같은 높이를 갖는 발광모듈.
The method according to claim 1,
And the second black matrix has the same height as the first black matrix.
제1 항에 있어서,
상기 제2 블랙 매트릭스의 상부면은 상기 적색 형광체층의 상부면 및 상기 제1 블랙 매트릭스의 상부면 사이에 배치된 발광모듈.
The method according to claim 1,
And the upper surface of the second black matrix is disposed between the upper surface of the red phosphor layer and the upper surface of the first black matrix.
제1 항에 있어서,
상기 적색 형광체층은 10%이하의 청색 파장 투과율을 갖는 발광모듈.
The method according to claim 1,
And the red phosphor layer has a blue wavelength transmittance of 10% or less.
제1 항에 있어서,
상기 적색 형광체층의 두께는 300㎛ 이하인 발광모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the red phosphor layer is 300 mu m or less.
기판;
상기 기판 위에 배치되는 복수의 발광부; 및
상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 블랙 매트릭스를 포함하고,
상기 복수의 발광부 각각은,
상기 기판 위에 배치된 청색 광을 발광하는 복수의 제1 발광소자;
상기 기판 위에 배치된 녹색 광을 발광하는 제2 발광소자;
상기 복수의 제1 발광소자 중 어느 하나에 배치된 적색 형광체층을 포함하는 발광모듈.
Board;
A plurality of light emitting portions disposed on the substrate; And
And a black matrix surrounding each of the plurality of light emitting portions,
Wherein each of the plurality of light-
A plurality of first light emitting elements for emitting blue light arranged on the substrate;
A second light emitting element for emitting green light arranged on the substrate;
And a red phosphor layer disposed on any one of the plurality of first light emitting elements.
기판;
상기 기판 위에 배치되는 복수의 발광부; 및
상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 블랙 매트릭스를 포함하고,
상기 복수의 발광부 각각은,
상기 기판 위에 배치된 녹색 광을 발광하는 제1 발광소자;
상기 기판 위에 배치된 녹색 광을 발광하는 제2 발광소자;
상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 배치되고 상기 기판 상면으로부터 상기 적색 형광체층보다 높은 높이를 갖는 제2 블랙 매트릭스를 포함하는 발광모듈.
Board;
A plurality of light emitting portions disposed on the substrate; And
And a black matrix surrounding each of the plurality of light emitting portions,
Wherein each of the plurality of light-
A first light emitting element for emitting green light arranged on the substrate;
A second light emitting element for emitting green light arranged on the substrate;
And a second black matrix disposed between the first and second light emitting elements and having a height higher than the red phosphor layer from the upper surface of the substrate.
제1 내지 제19항 중 어느 하나의 발광모듀을 포함하는 표시장치.
A display device comprising a light-emitting mode according to any one of claims 1 to 19.
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