KR102441314B1 - Resistor and circuit board for current detection - Google Patents

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Abstract

(과제) 고온 영역에 있어서, 저항값의 안정화를 높은 레벨에서 실현 가능하게 하는 것.
(해결 수단) 전류 검출용 저항기는 저항체 재료로 형성되고, 저항체 재료는 Ni-Cr-Mo 합금을 포함하고, 합금의 전체 질량비로 니켈을 63질량% 이상 70질량% 이하, 상기 Cr을 8질량% 이상 22질량% 이하, 상기 Mo을 8질량% 이상 25질량% 이하 함유한다.
(Problem) To achieve stabilization of resistance value at a high level in a high-temperature region.
(Solution) The resistor for current detection is formed of a resistor material, the resistor material contains a Ni-Cr-Mo alloy, and the total mass ratio of the alloy is 63 mass% or more and 70 mass% or less of nickel, and 8 mass% of Cr. 22 mass % or more and 8 mass % or more and 25 mass % or less of said Mo are contained.

Description

전류 검출용 저항기 및 회로 기판{RESISTOR AND CIRCUIT BOARD FOR CURRENT DETECTION}Resistor and circuit board for current detection

본 발명은 전류 검출용 저항기 및 회로 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a resistor and a circuit board for detecting a current.

회로 기판 상에 남땜을 통하여 실장되는 전류 검출용 저항기로서, 소정의 저항값을 가지고 있고 금속판에 의해 형성된 본체부와, 본체부의 양측단부에 연결설치되어 있고 본체부를 회로 기판 상에 납땜하는 납땜부를 가지는 저항기가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).A resistor for current detection mounted on a circuit board through soldering, the resistor having a predetermined resistance value and having a main body formed by a metal plate, and a soldering unit connected to both ends of the main body and soldering the main body to the circuit board A resistor is disclosed (refer patent document 1).

일본 특개 2009-206290호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-206290

특허문헌 1에 기재된 저항기에서는, 본체부를 위한 금속 재료로서, 구리니켈계, 니켈크롬계, 구리망간니켈계 등의 저항체 재료가 사용된다. 그러나, 저항체 재료로서 범용의 구리망간니켈계 저항체 재료는 성분 중의 망간(Mn)이 고온에서 산화하기 쉽고, 산화의 진행에 따라 저항값의 변화가 커져버린다.In the resistor described in Patent Document 1, as a metal material for the body portion, a resistor material such as a copper nickel series, a nickel chromium series, or a copper manganese nickel series is used. However, in a general-purpose copper-manganese-nickel-based resistor material as a resistor material, manganese (Mn) in the component is easily oxidized at a high temperature, and the change in resistance value increases with the progress of oxidation.

이 때문에, 구리망간니켈계 저항체 재료에서는, 170~180℃정도의 온도가 저항값의 변동을 허용 범위에 들어가게 하는 상한 온도로서 설정되어 있다.For this reason, in a copper-manganese-nickel-type resistor material, the temperature of about 170-180 degreeC is set as the upper limit temperature which makes the fluctuation|variation of a resistance value fall within a permissible range.

한편, 최근, 전기 자동차의 보급이나 전자 기기의 고기능화에 따라, 전자 부품을 실장하는 회로 기판에 대한 고전력화 및 고내열성에 대한 요구가 높아지고 있다. 특히, 와이드 갭 파워 반도체라고 불리는 SiC나 GaN 등과 같이, 고온에서 동작하는 반도체 소자의 개발이 진행되고 있다.On the other hand, in recent years, along with the spread of electric vehicles and high-functionality of electronic devices, the demand for high power and high heat resistance for circuit boards on which electronic components are mounted is increasing. In particular, development of semiconductor devices operating at high temperatures, such as SiC or GaN, which are called wide-gap power semiconductors, is in progress.

이것에 따라, 회로 기판에 실장되는 전류 검출용 저항기에 대해서도, 상기 온도를 웃도는 온도 예를 들면 200℃ 이상의 온도 영역에서도 사용 가능한 스펙이 요구되고 있다.Accordingly, also for a resistor for current detection mounted on a circuit board, a specification that can be used even in a temperature range exceeding the above temperature, for example, 200°C or higher is required.

본 발명은, 높은 온도 영역에 있어서, 저항값의 변화가 커지는 것을 억제하는 전류 검출용 저항기 및 당해 전류 검출용 저항기가 실장된 회로 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a resistor for current detection that suppresses a large change in resistance value in a high temperature region, and a circuit board on which the resistor for current detection is mounted.

본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금이 고내열성을 가지는 것을 알아내고, 이것에 착목하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of repeating earnest research, the present inventors discovered that the alloy of nickel, chromium, and molybdenum had high heat resistance, paid attention to this, and came to complete this invention.

본 발명의 하나의 양태로서의 전류 검출용 저항기는, 저항체 재료로 형성되고, 상기 저항체 재료는 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 포함하고, 상기 합금의 전체 질량비로 상기 니켈을 63질량% 이상 70질량% 이하, 상기 크롬을 8질량% 이상 22질량% 이하, 상기 몰리브덴을 8질량% 이상 25질량% 이하 함유한다.A resistor for current detection as an aspect of the present invention is formed of a resistor material, the resistor material contains an alloy of nickel, chromium, and molybdenum, and the total mass ratio of the alloy contains 63% by mass or more and 70% by mass of the nickel. Hereinafter, 8 mass % or more and 22 mass % or less of the said chromium and 8 mass % or more and 25 mass % or less of the said molybdenum are contained.

이 양태에 의하면, 고내열성을 가지는 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 저항체 재료로서 사용한 것에 의해, 높은 온도 영역에 있어서, 저항값의 변화가 커지는 것을 억제할 수 있다.According to this aspect, by using the alloy of nickel, chromium, and molybdenum which has high heat resistance as a resistor material, it is a high temperature range WHEREIN: It can suppress that the change of a resistance value becomes large.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기의 일례를 설명하는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 전류 검출용 저항기의 측면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 4는 전류 검출용 저항기가 실장된 회로 기판을 설명하는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view explaining an example of the resistor for current detection which concerns on embodiment of this invention.
FIG. 2 is a side view of the resistor for current detection shown in FIG. 1 .
3 is a view for explaining a method of manufacturing the resistor for current detection according to the present embodiment.
4 is a view for explaining a circuit board on which a current detection resistor is mounted.

[전류 검출용 저항기의 설명][Explanation of the resistor for current detection]

본 발명의 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기에 대해서, 도 1~도 4를 사용하여 상세하게 설명한다.A resistor for current detection according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to Figs.

<전류 검출용 저항기의 구조><Structure of resistor for current detection>

도 1은 본 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기의 일례를 설명하는 평면도이다. 또 도 2는 도 1에 나타내는 전류 검출용 저항기의 측면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view explaining an example of the resistor for current detection which concerns on this embodiment. Moreover, FIG. 2 is a side view of the resistor for current detection shown in FIG.

전류 검출용 저항기(1)는 니켈(Ni)과 크롬(Cr)과 몰리브덴(Mo)의 합금을 포함하는 저항체 재료로 형성된 판 형상의 션트 저항기이다.The resistor 1 for current detection is a plate-shaped shunt resistor formed of a resistor material containing an alloy of nickel (Ni), chromium (Cr), and molybdenum (Mo).

전류 검출용 저항기(1)는 본체부(11)와, 제1 접속부(12)와, 제2 접속부(13)와, 제1 기립부(14)와, 제2 기립부(15)를 가진다.The resistor 1 for current detection has a body part 11 , a first connection part 12 , a second connection part 13 , a first standing part 14 , and a second standing part 15 .

본체부(11)는 직사각형 형상이며, 회로 기판의 실장면으로부터 소정 간격 이간하여 배치된다.The main body 11 has a rectangular shape, and is disposed to be spaced apart from the mounting surface of the circuit board by a predetermined distance.

제1 접속부(12)의 한쪽의 단부는 실장면에 접속된다. 또 제1 접속부(12)의 다른쪽의 단부는 제1 기립부(14)를 통하여 본체부(11)에 연결되어 있다. 제2 접속부(13)의 한쪽의 단부는 실장면에 접속된다. 또 제2 접속부(13)의 다른쪽의 단부는 제2 기립부(15)를 통하여 본체부(11)에 연결되어 있다. 제1 기립부(14) 및 제2 기립부(15)는 본체부(11)를 실장면으로부터 이간시키도록, 본체부(11)의 단부와 제1 접속부(12) 및 제2 접속부(13)를 연결한다.One end of the first connecting portion 12 is connected to a mounting surface. In addition, the other end of the first connecting portion 12 is connected to the main body portion 11 via the first standing portion 14 . One end of the second connecting portion 13 is connected to a mounting surface. In addition, the other end of the second connecting portion 13 is connected to the main body 11 via the second standing portion 15 . The first standing portion 14 and the second standing portion 15 are provided with an end of the main body 11 and the first connecting portion 12 and the second connecting portion 13 so as to space the main body 11 away from the mounting surface. connect

본 실시형태에 있어서는, 제1 접속부(12) 및 제2 접속부(13)는 각각 도 2에 나타내는 바와 같이, 실장면에 대향하는 면에 형성된 실장면용 도금층(16)과, 실장면에 대향하는 면의 반대면에 형성된 본딩용 도금층(17)을 가진다. 또 제1 접속부(12) 및 제2 접속부(13)는 각각 실장면용 도금층(16)과 본딩용 도금층(17)에 이어져 형성된 단면 전극(18)을 가진다. 또한 제1 접속부(12) 및 제2 접속부(13)는 단면 전극(18)을 갖추고 있지 않아도 된다.In this embodiment, as shown in FIG. 2, the 1st connection part 12 and the 2nd connection part 13 respectively have the plating layer 16 for mounting surface formed on the surface opposite to a mounting surface, and the mounting surface facing It has a plating layer 17 for bonding formed on the opposite surface of the surface. Moreover, the 1st connection part 12 and the 2nd connection part 13 have the single-sided electrode 18 connected with the plating layer 16 for mounting surface and the plating layer 17 for bonding, respectively. In addition, the 1st connection part 12 and the 2nd connection part 13 do not need to be provided with the single-sided electrode 18. As shown in FIG.

전류 검출용 저항기(1)는 저항체 재료로 형성된 판체를 프레스 가공에 의해 형성할 수 있다.The resistor 1 for current detection can be formed by pressing a plate body formed of a resistor material.

<저항체 재료><Resistor material>

본 실시형태에 있어서, 전류 검출용 저항기(1)를 형성하는 저항체 재료는 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 포함하고, 이 합금의 전체 질량비로, 니켈을 63질량% 이상 70질량% 이하, 크롬을 8질량% 이상 22질량% 이하, 몰리브덴을 8질량% 이상 25질량% 이하 함유하는 것이다.In the present embodiment, the resistor material forming the resistor 1 for current detection contains an alloy of nickel, chromium, and molybdenum, and in the total mass ratio of the alloy, 63 mass% or more and 70 mass% or less of nickel and chromium 8 mass % or more and 22 mass % or less, and 8 mass % or more and 25 mass % or less of molybdenum are contained.

저항체의 내열성을 향상시키는 관점에서, 몰리브덴의 함유량은 많은 쪽이 좋다. 그러나, 몰리브덴의 경도는 높고, 몰리브덴은 취약하기 때문에, 몰리브덴의 함유량이 과다하게 되면, 저항체 재료의 가공성이 저하된다. 이 때문에, 몰리브덴의 함유량은 8질량% 이상 25질량% 이하로 설정한다.From a viewpoint of improving the heat resistance of a resistor, the one with much content of molybdenum is good. However, since the hardness of molybdenum is high and molybdenum is brittle, when the content of molybdenum becomes excessive, the workability of the resistor material is deteriorated. For this reason, content of molybdenum is set to 8 mass % or more and 25 mass % or less.

또한 저항체 재료는 텅스텐(W) 및 망간(Mn)의 적어도 한쪽을 이 합금의 전체 질량비로 6질량% 이하 함유해도 된다. 저항체 재료가 텅스텐 및 망간의 적어도 한쪽을 이 합금의 전체 질량비로 6질량% 이하 함유함으로써, 저항체 재료에 있어서의 몰리브덴의 함유량을 증가시키지 않고 내열성을 확보할 수 있다.Further, the resistor material may contain at least one of tungsten (W) and manganese (Mn) in a total mass ratio of 6% by mass or less of the alloy. When the resistor material contains at least one of tungsten and manganese in a total mass ratio of 6% by mass or less, heat resistance can be ensured without increasing the molybdenum content in the resistor material.

상기 저항체 재료로서 시판품을 사용하는 경우에는, DSALOY625(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제), DSALOY22(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제) 및 DSALOY242(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제)를 적합하게 사용할 수 있다. DSALOY625(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제)는 크롬을 22질량%, 몰리브덴을 8질량%, 니켈을 70질량% 함유한다. DSALOY22(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제)는 크롬을 21질량%, 몰리브덴을 13질량%, 텅스텐을 3질량%, 니켈을 63질량% 함유한다. DSALOY242(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제)는 크롬을 8질량%, 몰리브덴을 25질량%, 니켈을 67질량% 함유한다.In the case of using a commercially available product as the resistor material, DSALOY625 (manufactured by Daidotokushu Co., Ltd.), DSALOY22 (manufactured by Daidotokushuco), and DSALOY242 (manufactured by Daidotokushuco) can be suitably used. DSALOY625 (made by Daido Tokushu Co., Ltd.) contains 22 mass % of chromium, 8 mass % of molybdenum, and 70 mass % of nickel. DSALOY22 (made by Daido Tokushuko Co., Ltd.) contains 21 mass % of chromium, 13 mass % of molybdenum, 3 mass % of tungsten, and 63 mass % of nickel. DSALOY242 (made by Daido Tokushu Co., Ltd.) contains 8 mass % of chromium, 25 mass % of molybdenum, and 67 mass % of nickel.

이들 중에서도 특히 크롬을 8질량%, 몰리브덴을 25질량%, 니켈을 67질량% 함유하는 DSALOY242는 저항값의 변화가 작고, 저항 온도 계수(TCR)가 낮은 점에서, 적합하게 사용된다.Among these, DSALOY242 containing 8 mass % of chromium, 25 mass % of molybdenum, and 67 mass % of nickel in particular has a small change in resistance value, and a low temperature coefficient of resistance (TCR) is used suitably.

[전류 검출용 저항기의 제조 방법][Manufacturing method of resistor for current detection]

도 3은 본 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 전류 검출용 저항기의 제조 방법은, 니켈과 크롬과 몰리브덴을 이하의 비율로 포함하는 합금을 함유하는 저항체 재료를, 소정 형상이 되도록 프레스 가공을 행하는 방법이다. 당해 합금은 전체 질량비로 니켈을 63질량% 이상 70질량% 이하, 크롬을 8질량% 이상 22질량% 이하, 몰리브덴을 8질량% 이상 25질량% 이하 함유한다.3 is a view for explaining a method of manufacturing the resistor for current detection according to the present embodiment. The manufacturing method of the resistor for current detection is a method of performing press working so that the resistor material containing nickel, the alloy containing chromium, and molybdenum in the following ratio may become a predetermined shape. The said alloy contains 63 mass % or more and 70 mass % or less of nickel, 8 mass % or more and 22 mass % or less of chromium, and 8 mass % or more and 25 mass % or less of molybdenum in total mass ratio.

상기 서술한 저항체 재료는 200℃ 이상으로 가열되면, 온도가 상승하고 있는 소정 기간에 걸쳐, 저항값의 변화가 커진다. 그리고, 소정 기간이 경과한 후에는 저항체 재료의 저항값이 특정값으로 수속된다고 하는 거동을 나타낸다. 이 저항체 재료에서는 저항값의 변화가 특정값으로 수속된 상태에 있어서의 저항체 재료의 비커스 경도가 200HV 이상 240HV 이하로 되어 있다.When the above-mentioned resistor material is heated to 200 degreeC or more, the change of resistance value becomes large over a predetermined period in which the temperature is rising. And it shows the behavior that the resistance value of a resistor material converges to a specific value after a predetermined period has passed. In this resistor material, the Vickers hardness of the resistor material in the state in which the change of the resistance value converges to a specific value is 200 HV or more and 240 HV or less.

그래서, 본 제조 방법에서는, 프레스 가공에 의해 얻어진 저항체에, 비커스 경도가 200HV 이상 240HV 이하가 되도록 하는 처리를 행한다. 이것에 의해, 저항값의 변동이 작은 저항체 재료를 제조할 수 있다.Then, in this manufacturing method, the process which makes Vickers hardness 200HV or more and 240HV or less is performed to the resistor obtained by press working. Thereby, a resistor material with small fluctuation|variation in a resistance value can be manufactured.

구체적으로는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 상기 서술한 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 소정 형상으로의 프레스 가공 전에, 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 포함하는 저항체 재료의 비커스 경도가 220HV 이상 290HV 이하가 되도록 제1 처리를 해둔다. 제1 처리에 계속해서, 저항체 재료를 프레스 가공하고, 또한 프레스 가공에 의해 얻어진 저항체의 비커스 경도가 15%~25% 감소하도록 하는 제2 처리를 행한다.Specifically, as shown in Fig. 3, before press working the above-mentioned alloy of nickel, chromium, and molybdenum into a predetermined shape, the Vickers hardness of the resistor material containing the alloy of nickel, chromium, and molybdenum is 220 HV or more and 290 HV or less. The first processing is performed so that Following the first process, the resistor material is press-worked, and the second process is performed so that the Vickers hardness of the resistor obtained by the press-working decreases by 15% to 25%.

제2 처리로서 가열 처리를 사용할 수 있다. 제2 처리에서는, 프레스 가공 후의 저항체를 175℃ 이상의 온도 분위기에 200시간 이상 노출시킨다. 제2 처리의 일례로서, 200℃ 이상의 온도 분위기에 250시간 노출시키는 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 비커스 경도가 200HV 이상 240HV 이하인 저항체를 얻을 수 있다.A heat treatment can be used as the second treatment. In the second process, the resistor after press working is exposed to a temperature atmosphere of 175°C or higher for 200 hours or more. As an example of the second treatment, it is preferable to perform a treatment of exposure to a temperature atmosphere of 200° C. or higher for 250 hours. Thereby, the resistor whose Vickers hardness is 200 HV or more and 240 HV or less can be obtained.

이와 같이, 비커스 경도가 200HV 이상 240HV 이하가 되도록, 저항체 재료에 사전의 처리를 시행함으로써, 저항값의 변화가 커지는 것을 억제하는 효과를 높일 수 있다.Thus, the effect which suppresses the change of a resistance value from becoming large by giving a process previously to a resistor material so that Vickers hardness may be 200 HV or more and 240 HV or less can be heightened.

[회로 기판][circuit board]

도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기가 실장된 회로 기판을 설명하는 도면이다.4 is a view for explaining a circuit board on which a current detection resistor according to an embodiment of the present invention is mounted.

본 실시형태에 따른 회로 기판(100)은 절연 기판(110)과, 절연 기판(110)에 형성된 회로 패턴(120)을 가진다. 상기 서술한 전류 검출용 저항기(1)는 제1 접속부(12) 및 제2 접속부(13)에 있어서, 와이어 본딩(130), 또는 납땜 실장된 전극(140)에 의해 회로 패턴(120)에 접속되어 형성된 회로 기판이다.The circuit board 100 according to the present embodiment includes an insulating substrate 110 and a circuit pattern 120 formed on the insulating substrate 110 . The above-described resistor 1 for current detection is connected to the circuit pattern 120 by wire bonding 130 or solder-mounted electrode 140 in the first connecting portion 12 and the second connecting portion 13 . It is a circuit board formed by

본 실시형태에 있어서, 절연 기판(110)으로서는 유리에폭시 기판, 메탈 기판, 세라믹스 기판을 사용할 수 있다. 그 중에서도 고내열성의 관점에서 세라믹스 기판이 사용되는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서는, 세라믹스 기판으로서 산화알루미늄, 질화규소 및 질화알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 재료를 사용할 수 있다.In the present embodiment, as the insulating substrate 110 , a glass epoxy substrate, a metal substrate, or a ceramic substrate can be used. Among them, it is preferable that a ceramic substrate be used from the viewpoint of high heat resistance. In the present embodiment, at least one material selected from the group consisting of aluminum oxide, silicon nitride and aluminum nitride can be used as the ceramic substrate.

세라믹스 기판이 사용되는 경우에는, 두께가 0.1mm 이상 1.0mm 이하인 세라믹스 기판을 사용할 수 있다. 기판의 강도의 관점에서, 세라믹스 기판의 두께는 0.1mm 이상인 것이 바람직하다. 한편, 방열성의 관점에서, 1.0mm 이하인 것이 바람직하다.When a ceramic substrate is used, the ceramic substrate whose thickness is 0.1 mm or more and 1.0 mm or less can be used. From the viewpoint of the strength of the substrate, the thickness of the ceramic substrate is preferably 0.1 mm or more. On the other hand, from a viewpoint of heat dissipation, it is preferable that it is 1.0 mm or less.

회로 패턴(120)과 전류 검출용 저항기(1)를 접속하기 위한 전극으로서, 일반적으로 구리(Cu)가 사용된다. 그러나, 구리 전극은 내열성이 낮고, 산화되기 쉽다. 이 때문에, 본 실시형태에서는 내열성을 향상시키기 위해서, 니켈계 도금 및 금계 도금을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 니켈-텅스텐 도금, 니켈-인 도금, 니켈-텅스텐/금 도금, 니켈-인/금 도금, 니켈/금 도금 등을 사용하는 것이 바람직하다.As an electrode for connecting the circuit pattern 120 and the resistor 1 for current detection, copper (Cu) is generally used. However, the copper electrode has low heat resistance and is easily oxidized. For this reason, in this embodiment, in order to improve heat resistance, nickel-type plating and gold-type plating can be used. Among these, nickel-tungsten plating, nickel-phosphorus plating, nickel-tungsten/gold plating, nickel-phosphorus/gold plating, nickel/gold plating, or the like is preferably used.

[그 밖의 실시형태][Other embodiments]

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했는데, 상기 실시형태는 본 발명의 적용예의 일부를 나타낸 것에 지나지 않고, 본 발명의 기술적 범위를 상기 실시형태의 구체적 구성에 한정하는 취지는 아니다. 예를 들면, 본 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기(1)의 형상은 도 1에 설명된 것에 한정되지 않는다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, the said embodiment is only showing a part of application example of this invention, It is not the meaning which limits the technical scope of this invention to the specific structure of the said embodiment. For example, the shape of the resistor 1 for current detection according to the present embodiment is not limited to that described in FIG. 1 .

(실시예)(Example)

본 발명의 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기를 제작하여, 내열성 및 저항 특성의 평가를 행했다. 공시체의 제작 방법 및 평가 방법은 이하와 같다.A resistor for current detection according to an embodiment of the present invention was produced, and heat resistance and resistance characteristics were evaluated. The production method and evaluation method of the specimen are as follows.

[공시체(供試體)의 제작][Production of specimens]

<실시예 1><Example 1>

실시예 1에서는, 저항체 재료로서의 니켈-크롬-몰리브덴 합금(이하, Ni-Cr-Mo 합금이라고 기재)으로서, 크롬을 22질량%, 몰리브덴을 8질량%, 니켈을 70질량% 함유하는 DSALOY625(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제, 22Cr-8Mo-70Ni라고 기재)를 사용했다. 22Cr-8Mo-70Ni를 판 형상으로 가공한 후, 도 1 및 도 2에 나타내는 저항기를 제작했다. 얻어진 저항기의 각 부의 치수는 이하와 같다.In Example 1, as a nickel-chromium-molybdenum alloy (hereinafter referred to as a Ni-Cr-Mo alloy) as a resistor material, DSALOY625 (Daido) containing 22 mass% of chromium, 8 mass% of molybdenum, and 70 mass% of nickel Tokushu Co., Ltd. make, 22Cr-8Mo-70Ni) was used. After processing 22Cr-8Mo-70Ni into plate shape, the resistor shown in FIG. 1 and FIG. 2 was produced. The dimensions of each part of the obtained resistor are as follows.

Ld=5.0mmLd=5.0mm

Lc=3.2mmLc=3.2mm

d=0.2mmd=0.2mm

<실시예 2><Example 2>

실시예 2에서는, 저항체 재료의 Ni-Cr-Mo 합금으로서, 크롬을 21질량%, 몰리브덴을 15질량%, 텅스텐을 3질량%, 니켈을 63질량% 함유하는 DSALOY22(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제, 21Cr-13Mo-3W-63Ni라고 기재)를 사용했다. 그 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 공시체를 제작했다.In Example 2, as a Ni-Cr-Mo alloy of the resistor material, DSALOY22 (manufactured by Daido Tokushko Co., Ltd.) containing 21 mass % of chromium, 15 mass % of molybdenum, 3 mass % of tungsten, and 63 mass % of nickel , described as 21Cr-13Mo-3W-63Ni) was used. Other than that, it carried out similarly to Example 1, and produced the specimen.

<실시예 3><Example 3>

실시예 3에서는, 저항체 재료의 Ni-Cr-Mo 합금으로서, 크롬을 8질량%, 몰리브덴을 25질량%, 니켈을 67질량% 함유하는 DSALOY242(다이도토쿠슈코 가부시키가이샤제, 8Cr-25Mo-67Ni라고 기재)를 사용했다. 그 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 공시체를 제작했다.In Example 3, as a Ni-Cr-Mo alloy of the resistor material, DSALOY242 (manufactured by Daido Tokushuko Co., Ltd., 8Cr-25Mo-67Ni) containing 8% by mass of chromium, 25% by mass of molybdenum, and 67% by mass of nickel stated) was used. Other than that, it carried out similarly to Example 1, and produced the specimen.

<비교예><Comparative example>

비교예에서는, Ni-Cr-Mo 합금 대신에, 구리망간니켈계 저항체 재료로서 망가닌을 사용했다. 그 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 공시체를 제작했다.In the comparative example, instead of the Ni-Cr-Mo alloy, manganese was used as the copper-manganese-nickel-based resistor material. Other than that, it carried out similarly to Example 1, and produced the specimen.

[측정 방법][How to measure]

<체적저항률><Volume resistivity>

공시체의 본체부(11)의 폭과 두께는 일정하기 때문에, 본체부(11)의 단면적은 본체부(11)의 길이 방향을 따라 균일하게 단면적 S(cm2)로 되어 있다. 이 때문에, 저항체 재료의 체적저항률 ρ는 제1 접속부(12)와 제2 접속부(13) 사이의 전압 V와, 전류 I와, 단면적 S(cm2)와, 제1 접속부(12)와 제2 접속부(13) 사이의 길이 Ld(cm)로부터, 이하의 식에 의해 산출했다.Since the width and thickness of the body part 11 of the specimen are constant, the cross-sectional area of the body part 11 is uniformly cross-sectional area S(cm 2 ) along the longitudinal direction of the body part 11 . For this reason, the volume resistivity ρ of the resistor material is determined by the voltage V between the first connecting portion 12 and the second connecting portion 13, the current I, the cross-sectional area S(cm 2 ), and the first connecting portion 12 and the second connecting portion 13 . From the length Ld (cm) between the connection parts 13, it computed with the following formula|equation.

ρ=(V/I)×(S/Ld)[10- 6Ω·cm]ρ = (V/I) × (S/Ld) [10 - 6 Ω cm]

또한 본 측정에서는 체적저항률 ρ의 허용 범위는 120~150[10- 6Ω·cm]으로 설정했다.In addition, in this measurement, the allowable range of the volume resistivity ρ was set to 120 to 150 [10 - 6 Ω·cm].

<저항 온도 계수(TCR)의 측정><Measurement of temperature coefficient of resistance (TCR)>

저항 온도 계수(TCR)는 저항체의 온도 변화에 의한 내부 저항값의 변화의 비율을 나타내는 것이며, 이하의 식에 의해 산출했다.Temperature coefficient of resistance (TCR) shows the ratio of the change of the internal resistance value by the temperature change of a resistor, Computing with the following formula|equation.

저항 온도 계수(ppm/℃)=(R-Ra)/Ra÷(T-Ta)×1000000Resistance temperature coefficient (ppm/°C) = (R-Ra)/Ra÷(T-Ta)×1000000

본 식에 있어서, Ra: 기준 온도에 있어서의 저항값, Ta: 기준 온도, R: 정상 상태에 있어서의 저항값, T: 정상 상태가 되는 온도이다.In this formula, Ra: resistance value in reference temperature, Ta: reference temperature, R: resistance value in a steady state, T: temperature at which it becomes a steady state.

본 실시예에서는, Ta=25℃, T=100℃로 설정했다. 또한 제품 스펙에 기초하여 TCR의 허용 범위를 ±100ppm/℃로 설정했다. 측정 결과는 제1 표에 나타낸다.In this example, Ta=25°C and T=100°C were set. In addition, the allowable range of TCR was set to ±100ppm/℃ based on the product specification. A measurement result is shown in 1st table|surface.

<내열성 시험: 저항체의 저항값의 변화율><Heat resistance test: rate of change of resistance value of resistor>

실시예 1~3 및 비교예의 공시체에 열방치 시험을 행했다. 열방치 시험에서는 공시체를 200℃로 가열하고, 200℃에서 소정 시간 유지했다. 방치 시간의 차이에 따른 저항값의 변화를 측정했다.The heat release test was done to the specimen of Examples 1-3 and a comparative example. In the heat release test, the specimen was heated at 200°C and held at 200°C for a predetermined time. The change in the resistance value according to the difference in the standing time was measured.

저항값의 변화율은 이하의 식에 의해 산출했다.The change rate of the resistance value was computed with the following formula.

저항값 변화율(%)={(Rh-Ra)/Ra}×100Resistance value change rate (%)={(Rh-Ra)/Ra}×100

본 식에 있어서, Ra는 열방치 시험 전의 기준 온도에 있어서의 저항값이며, Rh는 열방치 시험에 있어서 소정 시간 경과 후의 저항값이다. 결과는 제1 표에 나타냈다.In this formula, Ra is a resistance value in the reference temperature before a heat standing test, and Rh is a resistance value after predetermined time elapses in a heat standing test. The results are shown in Table 1.

본 측정에서는 1000시간에 이르러도 저항값의 변화율이 ±0.50%의 범위에 들어간 공시체를 합격으로 했다.In this measurement, even if it reached 1000 hours, the change rate of the resistance value made the test piece which entered the range of +/-0.50% pass.

<비커스 경도><Vickers hardness>

비커스 경도는 일본 공업 규격 JIS Z2244: 2009(비커스 경도 시험-시험 방법)에 따라 측정할 수 있다. 비커스 경도의 측정에는 경도계(예를 들면 마이크로비커스 경도계 HMV-G21: 시마즈세이사쿠쇼)를 사용했다. 비커스 경도는 예를 들면 시험 온도 25℃, 시험력 100gf, 다이아몬드 압자의 접근 속도 20μm/s 및 시험력의 유지 시간 10초의 조건으로 측정했다. 시험편의 표면은 연마기(예를 들면 자동 연마기 Rana-3: IMT) 등에 의해 표면을 평활하게 하고, 오염 등을 제거하는 것이 바람직하다.Vickers hardness can be measured according to Japanese Industrial Standards JIS Z2244: 2009 (Vickers hardness test-test method). A hardness meter (for example, MicroVickers hardness meter HMV-G21: Shimadzu Corporation) was used for the measurement of Vickers hardness. Vickers hardness was measured under the conditions of, for example, a test temperature of 25°C, a test force of 100 gf, an approach speed of 20 µm/s of a diamond indenter, and a holding time of 10 seconds of the test force. It is preferable to smooth the surface of the test piece with a polishing machine (eg, automatic polishing machine Rana-3: IMT) or the like to remove contamination.

[결과][result]

내열성 시험의 결과, 체적저항률, 저항 온도 계수(TCR) 및 비커스 경도를 제1표에 나타낸다.Table 1 shows the results of the heat resistance test, the volume resistivity, the temperature coefficient of resistance (TCR), and the Vickers hardness.

Figure 112021076076340-pat00001
Figure 112021076076340-pat00001

내열 시험을 행한 실시예 1~3에서는, 공시체의 저항값의 변화율이 대략 0~0.20%, 또는 0~0.40% 사이였다. 따라서, 본 실시형태에 따른 Ni-Cr-Mo 합금을 저항체 재료로서 사용한 경우에, 200℃의 고온에 있어서도 저항체 재료의 저항값의 변화율을 안정화할 수 있는 것을 알 수 있었다. 이들 저항값의 변화율은 충분히 낮고, 양호한 값이라고 생각된다. 어느 실시예에 있어서도, 가열 개시로부터 250시간까지의 사이에 있어서, 저항값 변화율이 현저하게 관측되고 있는 것을 알 수 있었다. 또 대략 250시간 이후에는 저항값의 변화율이 변동이 없게 되었다.In Examples 1-3 which performed a heat-resistance test, the change rate of the resistance value of a specimen was between about 0 to 0.20% or 0 to 0.40%. Accordingly, it was found that when the Ni-Cr-Mo alloy according to the present embodiment was used as the resistor material, the rate of change in the resistance value of the resistor material could be stabilized even at a high temperature of 200°C. The rate of change of these resistance values is sufficiently low and is considered to be a good value. Also in any Example, it turned out that the rate of change of resistance value was observed remarkably from the start of heating to 250 hours. Also, after about 250 hours, the rate of change of the resistance value did not change.

이상의 점에서, 가열 온도 200℃ 및 가열 시간 250시간의 조건의 가열 처리가 미리 실행됨으로써, 저항체 재료의 저항값의 변화를 안정화시킬 수 있다. 따라서, 변화율이 작은 상태에서, 전류 검출용 저항기를 회로 기판에 실장할 수 있다.In view of the above, the change in the resistance value of the resistor material can be stabilized by performing the heat treatment in advance under the conditions of a heating temperature of 200°C and a heating time of 250 hours. Accordingly, the current detection resistor can be mounted on the circuit board in a state where the change rate is small.

이 점에서, 본 실시형태에 따른 전류 검출용 저항기는 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 포함하고, 합금의 전체 질량비로 니켈을 63질량% 이상 70질량% 이하, 크롬을 8질량% 이상 22질량% 이하, 몰리브덴을 8질량% 이상 25질량% 이하 함유하는 저항체 재료로 형성됨으로써, 보다 높은 온도 영역에 있어서, 저항값의 안정화를 높은 레벨에서 실현할 수 있다.In this respect, the resistor for current detection according to the present embodiment contains an alloy of nickel, chromium, and molybdenum, and contains 63 mass% or more and 70 mass% or less of nickel and 8 mass% or more and 22 mass% of chromium in the total mass ratio of the alloy. Hereinafter, by forming the resistor material containing 8% by mass or more and 25% by mass or less of molybdenum, it is possible to achieve stabilization of the resistance value at a high level in a higher temperature region.

1…전류 검출용 저항기 11…본체부
12…제1 접속부 13…제2 접속부
14…제1 기립부 15…제2 기립부
16…실장면용 도금층 17…본딩용 도금층
100…회로 기판 110…절연 기판
120…회로 패턴 130…와이어 본딩
One… Resistor for current detection 11… body part
12… 1st connection part 13... second connection
14… 1st standing part 15... 2nd standing part
16… Plating layer for mounting surface 17... Plating layer for bonding
100… circuit board 110... insulated substrate
120… circuit pattern 130... wire bonding

Claims (9)

전류 검출용 저항기로서,
저항체 재료의 판체로 형성되고,
상기 저항체 재료는 니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 포함하고,
상기 합금의 전체 질량비로 상기 니켈을 63질량% 이상 70질량% 이하,
상기 크롬을 8질량% 이상 22질량% 이하,
상기 몰리브덴을 8질량% 이상 25질량% 이하 함유하고,
200℃에서 1000시간 경과 후의 저항값의 변화율이 ±0.50%에 들어가는 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기.
A resistor for current detection, comprising:
It is formed as a plate body of a resistor material,
The resistor material includes an alloy of nickel, chromium, and molybdenum,
63% by mass or more and 70% by mass or less of the nickel in the total mass ratio of the alloy;
8% by mass or more and 22% by mass or less of the chromium;
It contains 8 mass % or more and 25 mass % or less of the said molybdenum,
A resistor for current detection, characterized in that the rate of change of the resistance value after the lapse of 1000 hours at 200°C is within ±0.50%.
제1항에 있어서,
상기 저항체 재료는 텅스텐 및 망간의 적어도 한쪽을 상기 합금의 전체 질량비로 3질량% 이상 6질량% 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기.
According to claim 1,
The resistor for current detection, wherein the resistor material contains at least one of tungsten and manganese in a total mass ratio of 3% by mass or more and 6% by mass or less.
제2항에 있어서,
상기 저항체 재료의 비커스 경도가 200HV 이상 240HV 이하인 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기.
3. The method of claim 2,
The resistor for current detection, characterized in that the Vickers hardness of the resistor material is 200 HV or more and 240 HV or less.
제2항에 있어서,
직사각형 형상이며, 실장면에 대향하고, 상기 실장면으로부터 소정 간격 이간하여 배치되는 본체부와,
상기 실장면에 접속되는 제1 접속부와,
상기 실장면에 접속되는 제2 접속부와,
상기 본체부를 상기 실장면으로부터 이간시키도록 상기 본체부와 상기 제1 접속부를 연결하는 제1 기립부와,
상기 본체부를 상기 실장면으로부터 이간시키도록 상기 본체부와 상기 제2 접속부를 연결하는 제2 기립부
를 가지는 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기.
3. The method of claim 2,
a body portion having a rectangular shape, facing the mounting surface, and disposed to be spaced apart from the mounting surface by a predetermined distance;
a first connection part connected to the mounting surface;
a second connection part connected to the mounting surface;
a first standing part connecting the body part and the first connection part to separate the body part from the mounting surface;
A second standing part connecting the body part and the second connection part to separate the body part from the mounting surface.
A resistor for current detection, characterized in that it has a.
제4항에 있어서,
상기 제1 접속부 및 상기 제2 접속부가 도금층을 갖추는 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기.
5. The method of claim 4,
The resistor for current detection, characterized in that the first connecting portion and the second connecting portion have a plating layer.
절연 기판에 소정의 회로 패턴이 형성된 회로 기판으로서,
제4항 또는 제5항에 기재된 전류 검출용 저항기가, 상기 제1 접속부 및 상기 제2 접속부에 있어서, 상기 회로 패턴에 와이어 본딩에 의해 접속되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
A circuit board in which a predetermined circuit pattern is formed on an insulating substrate,
A circuit board in which the current detection resistor according to claim 4 or 5 is connected to the circuit pattern by wire bonding in the first connecting portion and the second connecting portion.
전류 검출용 저항기의 제조 방법으로서,
니켈과 크롬과 몰리브덴의 합금을 포함하고, 상기 합금의 전체 질량비로 상기 니켈을 63질량% 이상 70질량% 이하, 상기 크롬을 8질량% 이상 22질량% 이하, 상기 몰리브덴을 8질량% 이상 25질량% 이하 함유하고, 200℃에서 1000시간 경과 후의 저항값의 변화율이 ±0.50%에 들어가는 저항체 재료의 판체를 소정 형상으로 프레스 가공하는 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기의 제조 방법.
A method for manufacturing a current sensing resistor, comprising:
An alloy of nickel, chromium, and molybdenum is included, wherein the nickel content is 63 mass % or more and 70 mass % or less, the chromium is 8 mass % or more and 22 mass % or less, and the molybdenum is 8 mass % or more and 25 mass % by the total mass ratio of the alloy. % or less, and press-working into a predetermined shape a plate body of a resistor material in which the rate of change of the resistance value after lapse of 1000 hours at 200°C is ±0.50%.
제7항에 있어서,
상기 프레스 가공 후에, 상기 저항체 재료의 비커스 경도가 200HV 이상 240HV 이하가 되도록 하는 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
A method for manufacturing a resistor for current detection, wherein, after the press working, a process is performed so that the Vickers hardness of the resistor material is 200 HV or more and 240 HV or less.
제8항에 있어서,
상기 프레스 가공 전에, 상기 저항체 재료의 비커스 경도가 220HV 이상 290HV 이하가 되도록 하는 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전류 검출용 저항기의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
A method for manufacturing a resistor for current detection, wherein, before the press working, a process is performed so that the Vickers hardness of the resistor material is 220 HV or more and 290 HV or less.
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