KR102433305B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102433305B1
KR102433305B1 KR1020160069462A KR20160069462A KR102433305B1 KR 102433305 B1 KR102433305 B1 KR 102433305B1 KR 1020160069462 A KR1020160069462 A KR 1020160069462A KR 20160069462 A KR20160069462 A KR 20160069462A KR 102433305 B1 KR102433305 B1 KR 102433305B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
chamber
edge
ground strap
ground
Prior art date
Application number
KR1020160069462A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170137389A (en
Inventor
오웅교
김도형
유광수
이용현
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020160069462A priority Critical patent/KR102433305B1/en
Publication of KR20170137389A publication Critical patent/KR20170137389A/en
Priority to KR1020220100665A priority patent/KR102559334B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102433305B1 publication Critical patent/KR102433305B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버의 측면을 향하는 접지스트랩의 일측면이 서셉터의 테두리면 내측에 위치되고, 서셉터의 테두리면과 접하는 가상의 연장면 상에 위치되지 않는다. 그러면, 접지스트랩의 일측면과 챔버 월의 측면 사이의 거리가 상대적으로 멀므로, 서셉터의 테두리면을 타고 흐르는 플라즈마가 챔버의 측면의 영향을 받지 않고 접지스트랩의 상측 부위를 상대적으로 신속하게 통과한 후, 서셉터의 하면 중앙부측으로 이동할 수 있다. 그리고, 접지스트랩의 일측면이 가상의 연장면 상에 위치되지 않으므로, 서셉터의 테두리면을 타고 흐르는 플라즈마가 접지스트랩의 상측 부위로 유입되기가 상대적으로 어렵다. 그러므로, 접지스트랩의 상측 부위가 플라즈마에 의하여 손상되는 것을 억제할 수 있는 효과가 있을 수 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. In the substrate processing apparatus according to the present invention, one side of the ground strap facing the side of the chamber is located inside the edge surface of the susceptor, and is not located on a virtual extension surface in contact with the edge surface of the susceptor. Then, since the distance between one side of the grounding strap and the side of the chamber wall is relatively long, the plasma flowing along the edge of the susceptor passes through the upper part of the grounding strap relatively quickly without being affected by the side of the chamber. After that, the lower surface of the susceptor can be moved toward the central part. And, since one side of the ground strap is not located on the virtual extension surface, it is relatively difficult for plasma flowing along the edge surface of the susceptor to flow into the upper portion of the ground strap. Therefore, there may be an effect of suppressing damage to the upper portion of the ground strap by the plasma.

Description

기판처리장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing equipment {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 접지스트랩(Earth Strap)의 손상을 억제할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of suppressing damage to an earth strap.

반도체 소자, 평판 디스플레이 또는 박막형 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하기 위해서는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판의 표면에 소정의 회로 패턴 또는 광학 패턴을 형성하여야 한다. 그리고, 기판에 회로 패턴 또는 광학 패턴을 형성하기 위해서는, 기판에 특정물질을 증착하여 박막을 형성하는 증착공정, 감광성 물질을 이용하여 형성된 박막 중 선택된 영역을 노출시키거나 은폐시키는 포토공정, 선택된 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등을 수행한다.In order to manufacture a semiconductor device, a flat panel display, or a thin-film solar cell, a predetermined circuit pattern or an optical pattern must be formed on the surface of a substrate such as a silicon wafer or glass. And, in order to form a circuit pattern or optical pattern on the substrate, a deposition process of forming a thin film by depositing a specific material on the substrate, a photo process of exposing or hiding a selected area among thin films formed using a photosensitive material, a selected thin film An etching process to form a pattern is performed by removing it.

증착공정, 포토공정 및 식각공정 등은 각 공정에 적합한 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 공정 또는 식각 공정을 수행하는 기판처리장치가 개발되어 사용되고 있다.A deposition process, a photo process, and an etching process are performed in a substrate processing apparatus designed in an optimal environment suitable for each process. Recently, a substrate processing apparatus that performs a deposition process or an etching process using plasma has been developed and used.

플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 증착하는 종래의 기판처리장치에 대하여, 도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명한다.A conventional substrate processing apparatus for depositing a thin film on a substrate using plasma will be described with reference to FIGS. 1A and 1B .

도 1a는 종래의 기판처리장치의 개략 평단면도이고, 도 1b는 도 1a에 도시된 서셉터와 접지스트랩의 사시도이다.1A is a schematic plan sectional view of a conventional substrate processing apparatus, and FIG. 1B is a perspective view of the susceptor and the grounding strap shown in FIG. 1A.

도시된 바와 같이, 종래의 기판처리장치는 챔버를 포함한다. 상기 챔버는 상면이 개방되며 전기적으로 접지된 챔버 월(Wall)(11)과 챔버 월(11)의 개방된 상면에 결합되며 챔버 월(11)과 절연된 리드를 가진다. 이때, 챔버 월(11)과 상기 리드에 의하여 형성되는 공간에 기판이 반입되어 처리되며, 챔버 월(11)의 일측면에는 기판이 출입하는 출입구(11a)가 형성된다.As shown, a conventional substrate processing apparatus includes a chamber. The chamber has an open upper surface and is coupled to an electrically grounded chamber wall 11 and an open upper surface of the chamber wall 11 and has a lead insulated from the chamber wall 11 . At this time, the substrate is carried in and processed into the space formed by the chamber wall 11 and the lid, and an entrance 11a through which the substrate enters and exits is formed on one side of the chamber wall 11 .

상기 리드의 하면에는 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 전극의 기능을 하며 가스를 챔버 월(11)의 하면측으로 분사하는 샤워헤드가 설치되고, 챔버 월(11)의 내부 하측 부위에는 기판이 탑재 지지되며 상기 샤워헤드의 상대 전극 기능을 하는 서셉터(13)가 승강가능하게 설치된다.A showerhead that functions as a plasma electrode for generating plasma and sprays gas toward the lower surface of the chamber wall 11 is installed on the lower surface of the lid, and a substrate is mounted and supported on the inner lower portion of the chamber wall 11, and the A susceptor 13 that functions as a counter electrode of the showerhead is installed so as to be able to move up and down.

서셉터(13)는 상기 샤워헤드의 상대 전극 기능을 하므로, 서셉터(13)와 상기 샤워헤드는 상호 대향하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 샤워헤드는 리드(13)와 전기적으로 접속되고, 서셉터(13)는 서셉터(13)를 승강시키는 지지축(15)을 통하여 챔버 월(11)에 전기적으로 접지된다.Since the susceptor 13 functions as a counter electrode of the showerhead, it is preferable that the susceptor 13 and the showerhead face each other. In addition, the showerhead is electrically connected to the lead 13 , and the susceptor 13 is electrically grounded to the chamber wall 11 through the support shaft 15 for elevating the susceptor 13 .

서셉터(13)의 전류는 지지축(15)을 통하여 방전된다. 그런데, 기판이 대형화됨에 따라 서셉터(13)의 면적도 대형화되므로, 기판의 처리시, 지지축(15) 만으로는 서셉터(13)의 전류를 충분하게 방전시키기 어렵다. 이러한 이유로, 서셉터(13)의 하면과 챔버 월(11)의 하면 사이에는 서셉터(13)의 전류를 방전시키기 위한 복수의 접지스트랩(Earth Strap)(17)이 설치된다.The current of the susceptor 13 is discharged through the support shaft 15 . However, since the area of the susceptor 13 also increases as the size of the substrate increases, it is difficult to sufficiently discharge the current of the susceptor 13 only by the support shaft 15 during processing of the substrate. For this reason, a plurality of earth straps 17 for discharging the current of the susceptor 13 are installed between the lower surface of the susceptor 13 and the lower surface of the chamber wall 11 .

접지스트랩(17)은 대략 말굽 형상으로 형성되며, 상단부측은 서셉터(13)의 하면에 전기적으로 접속 결합되고 하단부측은 챔버 월(11)의 하면에 전기적으로 접속 결합된다. 이때, 접지스트랩(17)의 일측면(17a)은 챔버 월(11)의 측면을 향하고, 타측면(17b)은 서셉터(13)의 중앙부측을 향한다. 그리고, 접지스트랩(17)의 일측면(17a)은 서셉터(13)의 테두리면과 접하는 가상의 연장면(P) 상에 위치된다.The ground strap 17 is formed in a substantially horseshoe shape, the upper end is electrically connected to the lower surface of the susceptor 13 , and the lower end is electrically connected to the lower surface of the chamber wall 11 . At this time, one side 17a of the ground strap 17 faces the side of the chamber wall 11 , and the other side 17b faces the central side of the susceptor 13 . And, one side (17a) of the ground strap (17) is located on the virtual extension surface (P) in contact with the edge surface of the susceptor (13).

그리하여, 서셉터(13)의 상면에 기판을 탑재 지지한 후, 상기 샤워헤드를 통하여 불활성가스와 증착가스 등을 포함한 가스를 기판측으로 분사하면서 샤워헤드에 RF 전원을 인가하면, 상기 샤워헤드와 서셉터(13) 사이에서 생성된 플라즈마에 의하여 가스가 여기되며, 여기된 가스의 분자들이 기판에 증착되므로, 기판 상에 박막이 형성된다.Thus, after the substrate is mounted and supported on the upper surface of the susceptor 13, when RF power is applied to the showerhead while spraying a gas including an inert gas and a deposition gas toward the substrate through the showerhead, the showerhead and the The gas is excited by the plasma generated between the scepters 13, and molecules of the excited gas are deposited on the substrate, so that a thin film is formed on the substrate.

증착공정 중에는 상기 샤워헤드와 서셉터(13) 사이의 플라즈마가 서셉터(13)의 상면 및 테두리면을 타고 하측 부위까지 퍼지게 된다.During the deposition process, the plasma between the showerhead and the susceptor 13 travels along the upper and edge surfaces of the susceptor 13 and spreads to the lower portion.

그런데, 종래의 기판처리장치는 접지스트랩(17)의 일측면(17a)이 서셉터(13)의 테두리면과 접하는 가상의 연장면(P) 상에 위치되므로, 접지스트랩(17)의 일측면(17a)과 챔버 월(11)의 측면 사이의 거리(d)가 상대적으로 가깝다. 접지스트랩(17)의 일측면(17a)과 챔버 월(11)의 측면 사이의 거리(d)가 가까우면, 챔버 월(11)의 측면으로 인하여 서셉터(13)의 테두리면을 타고 흐르는 플라즈마가 서셉터(13)의 하면 중앙부측으로 신속하게 이동하지 못한다. 그러면, 서셉터(13)의 테두리면을 타고 흐르는 플라즈마가 접지스트랩(17)의 상측 부위에 장시간 머무르게 되므로, 플라즈마에 의하여 서셉터(13)의 상측 부위가 용이하게 손상될 수 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus, one side 17a of the grounding strap 17 is located on an imaginary extension surface P in contact with the edge surface of the susceptor 13 , so one side of the grounding strap 17 . The distance d between (17a) and the side of the chamber wall 11 is relatively close. When the distance d between one side 17a of the ground strap 17 and the side surface of the chamber wall 11 is close, plasma flowing along the edge surface of the susceptor 13 due to the side surface of the chamber wall 11 The lower surface of the susceptor 13 does not move rapidly toward the central portion. Then, since the plasma flowing along the edge surface of the susceptor 13 stays in the upper portion of the ground strap 17 for a long time, the upper portion of the susceptor 13 may be easily damaged by the plasma.

그리고, 종래의 기판처리장치는 접지스트랩(17)의 상측 부위가 서셉터(13)에 결합되며, 서셉터(13)의 일측면(17a)이 가상의 연장면(P) 상에 위치되므로, 서셉터(13)의 테두리면측으로 이동한 플라즈마가 접지스트랩(17)의 상측 부위 일측면(17a)을 통하여 접지스트랩(17)의 상측 부위로 용이하게 이동할 수 있다. 그러면, 접지스트랩(17)의 상측 부위가 더욱 용이하게 손상될 수 있다.And, in the conventional substrate processing apparatus, the upper portion of the ground strap 17 is coupled to the susceptor 13, and one side 17a of the susceptor 13 is located on the virtual extension surface P, Plasma that has moved toward the edge surface of the susceptor 13 can easily move to the upper portion of the ground strap 17 through one side surface 17a of the upper portion of the ground strap 17 . Then, the upper portion of the ground strap 17 may be more easily damaged.

서셉터(13)의 테두리면을 따라 흐르는 플라즈마 중, 출입구(11a)가 형성된 챔버 월(11)의 측면과 대향하는 서셉터(13)의 테두리면을 따라 흐르는 플라즈마는 더욱 느리게 이동하므로, 출입구(11a)가 형성된 챔버 월(11)의 측면측에 위치된 접지스트랩(17)의 상측 부위는 더욱 용이하게 손상된다.Among the plasma flowing along the edge surface of the susceptor 13, the plasma flowing along the edge surface of the susceptor 13 opposite to the side of the chamber wall 11 in which the entrance 11a is formed moves more slowly, so the entrance ( The upper portion of the ground strap 17 located on the side side of the chamber wall 11 in which 11a) is formed is more easily damaged.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.An object of the present invention may be to provide a substrate processing apparatus capable of solving all the problems of the prior art as described above.

본 발명의 다른 목적은 서셉터와 챔버 사이에 설치된 접지스트랩(Earth Strap)이 플라즈마에 의하여 손상되는 것을 억제할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.Another object of the present invention may be to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing damage to the ground strap (Earth Strap) installed between the susceptor and the chamber by plasma.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 일측면에 기판이 출입하는 출입구가 형성된 챔버; 상기 챔버에 설치되고, 기판이 안착되는 서셉터; 상단부측은 상기 서셉터의 가장자리를 따라 상기 서셉터의 하면에 연결되고, 하단부측은 상기 챔버의 하면에 연결되며, 중앙부측에는 굽힘부가 형성되어 상기 서셉터의 축적된 전하를 상기 챔버로 전달하는 복수의 접지경로를 포함하며, 상기 접지경로의 상기 굽힘부는 상기 서셉터의 가장자리 상에 위치하도록 배치되되, 상기 출입구 쪽의 상기 접지경로 중 적어도 하나 이상은 상기 서셉터의 가장자리 상에 위치되지 않도록 배치될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus, comprising: a chamber having an entrance through which a substrate enters and exits on one side thereof; a susceptor installed in the chamber and on which a substrate is seated; The upper end is connected to the lower surface of the susceptor along the edge of the susceptor, the lower end is connected to the lower surface of the chamber, and a bent portion is formed in the central portion to transfer the accumulated charges of the susceptor to the chamber. It may include a path, and the bent portion of the ground path may be disposed to be positioned on the edge of the susceptor, and at least one of the ground paths on the doorway side may be disposed so as not to be positioned on the edge of the susceptor. .

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 일측면에 기판이 출입하는 출입구가 형성되며, 접지된 챔버; 상기 챔버에 승강가능하게 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 플라즈마 전극의 상대 전극의 기능을 하는 서셉터; 상기 서셉터의 하면 테두리부측을 따라 복수개 설치되며, 상단부측은 상기 서셉터의 하면에 결합되고 하단부측은 상기 챔버의 하면에 결합되어 상기 서셉터의 전류를 상기 챔버를 통하여 방전시키는 접지스트랩을 포함하며, 상기 챔버의 측면을 향하는 상기 접지스트랩의 일측면은 상기 서셉터의 테두리면 내측에 위치될 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the entrance and exit of the substrate is formed on one side, a grounded chamber; a susceptor installed in the chamber so as to be lifted, the substrate being mounted and supported, and functioning as a counter electrode of the plasma electrode; A plurality of ground straps are provided along the lower edge of the susceptor, the upper end is coupled to the lower surface of the susceptor and the lower end is coupled to the lower surface of the chamber to discharge the current of the susceptor through the chamber; One side of the ground strap facing the side of the chamber may be located inside the edge surface of the susceptor.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는, 챔버의 측면을 향하는 접지스트랩의 일측면이 서셉터의 테두리면 내측에 위치되고, 서셉터의 테두리면과 접하는 가상의 연장면 상에 위치되지 않는다. 그러면, 접지스트랩의 일측면과 챔버 월의 측면 사이의 거리가 상대적으로 멀므로, 서셉터의 테두리면을 타고 흐르는 플라즈마가 챔버의 측면의 영향을 받지 않고 접지스트랩의 상측 부위를 상대적으로 신속하게 통과한 후, 서셉터의 하면 중앙부측으로 이동할 수 있다. 그리고, 접지스트랩의 일측면이 가상의 연장면 상에 위치되지 않으므로, 서셉터의 테두리면을 타고 흐르는 플라즈마가 접지스트랩의 상측 부위로 유입되기가 상대적으로 어렵다. 그러므로, 접지스트랩의 상측 부위가 플라즈마에 의하여 손상되는 것을 억제할 수 있는 효과가 있을 수 있다.In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, one side of the ground strap facing the side of the chamber is located inside the edge surface of the susceptor, and is not located on a virtual extension surface in contact with the edge surface of the susceptor. Then, since the distance between one side of the grounding strap and the side of the chamber wall is relatively long, the plasma flowing along the edge of the susceptor passes through the upper part of the grounding strap relatively quickly without being affected by the side of the chamber. After that, the lower surface of the susceptor can be moved toward the central part. And, since one side of the ground strap is not located on the virtual extension surface, it is relatively difficult for plasma flowing along the edge surface of the susceptor to flow into the upper portion of the ground strap. Therefore, there may be an effect of suppressing damage to the upper portion of the ground strap by the plasma.

도 1a는 종래의 기판처리장치의 개략 평단면도.
도 1b는 도 1a에 도시된 서셉터와 접지스트랩의 사시도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
도 3a는 도 2의 개략 평단면도.
도 3b는 도 2에 도시된 서셉터와 접지스트랩의 사시도.
도 4a는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치의 개략 평단면도.
도 4b는 본 발명의 제2실시예에 따른 서셉터와 접지스트랩의 사시도.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 서셉터와 접지스트랩의 사시도.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 서셉터와 접지스트랩의 사시도.1A is a schematic plan cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus;
Figure 1b is a perspective view of the susceptor and ground strap shown in Figure 1a.
2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
Fig. 3a is a schematic plan cross-sectional view of Fig. 2;
Figure 3b is a perspective view of the susceptor and the ground strap shown in Figure 2;
4A is a schematic plan sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention;
Figure 4b is a perspective view of a susceptor and a ground strap according to a second embodiment of the present invention.
5 is a perspective view of a susceptor and a ground strap according to a third embodiment of the present invention;
6 is a perspective view of a susceptor and a ground strap according to a fourth embodiment of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that in the present specification, in adding reference numbers to the components of each drawing, the same numbers are used for the same components, even if they are indicated on different drawings, as much as possible.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.On the other hand, the meaning of the terms described in this specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The singular expression is to be understood as including the plural expression unless the context clearly defines otherwise, and the terms "first", "second", etc. are used to distinguish one element from another, The scope of rights should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that terms such as “comprise” or “have” do not preclude the possibility of addition or existence of one or more other features or numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first, second, and third items" means 2 of the first, second, and third items as well as each of the first, second, or third items. It means a combination of all items that can be presented from more than one.

"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term “and/or” should be understood to include all combinations possible from one or more related items. For example, the meaning of "item first, second and/or third" means not only the first, second, or third item, but also two of the first, second, or third items. It means a combination of all items that can be suggested from the above.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as “connected or installed” to another component, it may be directly connected or installed to the other component, but it should be understood that other components may exist in between. On the other hand, when it is mentioned that a certain component is "directly connected or installed" to another component, it should be understood that the other component does not exist in the middle. On the other hand, other expressions describing the relationship between elements, that is, "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.

이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도이고, 도 3a는 도 2의 개략 평단면도이며, 도 3b는 도 2에 도시된 서셉터와 접지스트랩의 사시도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3A is a schematic plan cross-sectional view of FIG. 2 , and FIG. 3B is a perspective view of the susceptor and the grounding strap shown in FIG. 2 .

도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치는 육면체 형상으로 형성되어 내부에 기판(S)이 반입되어 처리되는 공간을 제공하며, 접지된 챔버(110)를 포함할 수 있다.As shown, the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is formed in a hexahedral shape to provide a space in which the substrate S is loaded and processed, and may include a grounded chamber 110 . .

챔버(110)는 상면이 개방되며 접지된 챔버 월(Wall)(111)과 챔버 월(111)의 개방된 상면에 결합되며 챔버 월(111)과 절연된 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있으며, 챔버 월(111)과 리드(115)에 의하여 형성되는 공간이 기판(S)이 반입되어 처리되는 챔버(110)의 공간이다.The chamber 110 has an open upper surface and is coupled to the grounded chamber wall 111 and the open upper surface of the chamber wall 111 and includes a chamber wall 111 and an insulated lead 115. The space formed by the chamber wall 111 and the lid 115 is the space of the chamber 110 in which the substrate S is loaded and processed.

챔버(110)의 챔버 월(111)의 일측면에는 기판(S)이 출입하는 출입구(111a) 가 형성될 수 있고, 하면측에는 가스 등을 배출시키기 위한 배출구(111b)가 형성될 수 있다.An entrance 111a through which the substrate S enters and exits may be formed on one side of the chamber wall 111 of the chamber 110 , and an exhaust port 111b for discharging gas or the like may be formed on the lower side thereof.

챔버(110)의 상면인 리드(115)의 상면에는 가스공급부로부터 불활성가스와 증착가스 등을 포함하는 가스를 공급받는 가스공급관(117)이 설치될 수 있고, 챔버(110)의 내부 상측인 리드(115)의 하면에는 챔버(110)의 내부 하측인 챔버 월(111)의 하측 부위로 가스를 균일하게 분사하는 대략 사각판 형상의 샤워헤드(120)가 설치될 수 있다. 이때, 샤워헤드(120)는 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 전극의 기능을 할 수 있고, 리드(115)와 샤워헤드(120) 사이에는 버퍼공간이 형성될 수 있다.A gas supply pipe 117 receiving a gas including an inert gas and a deposition gas from a gas supply unit may be installed on the upper surface of the lid 115 , which is the upper surface of the chamber 110 , and the lid located on the inner upper side of the chamber 110 . A showerhead 120 having a substantially square plate shape that uniformly sprays gas to a lower portion of the chamber wall 111 , which is an inner lower side of the chamber 110 , may be installed on the lower surface of the 115 . In this case, the showerhead 120 may function as a plasma electrode for generating plasma, and a buffer space may be formed between the lead 115 and the showerhead 120 .

가스공급관(117)을 통하여 상기 버퍼공간으로 유입된 가스는, 샤워헤드(120)에 형성된 분사공(121)을 통하여, 챔버(110)의 내부 하측에 설치된 후술할 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)측으로 균일하게 분사될 수 있다.The gas introduced into the buffer space through the gas supply pipe 117 is mounted and supported on a susceptor 130 to be described later installed in the lower inside of the chamber 110 through the injection hole 121 formed in the shower head 120 . It can be uniformly sprayed to the side of the substrate (S).

서셉터(130)는 챔버(110)의 내부 하측인 챔버 월(111)의 하면측에 설치될 수 있고, 사각판 형상으로 형성되어 기판(S)이 탑재 지지될 수 있으며, 지지축(140)에 지지될 수 있다. 지지축(140)은 모터 또는 실린더 등과 같은 구동부에 연결되어 승강 및 회전할 수 있으며, 이로 인해 서셉터(130)가 승강 및 회전할 수 있다.The susceptor 130 may be installed on the lower surface of the chamber wall 111 , which is the inner lower side of the chamber 110 , is formed in a square plate shape, and the substrate S may be mounted and supported, and the support shaft 140 . can be supported on The support shaft 140 may be connected to a driving unit such as a motor or a cylinder to elevate and rotate, and thus the susceptor 130 may elevate and rotate.

서셉터(130)는 플라즈마 전극인 샤워헤드(120)의 상대 전극의 기능을 하므로 서셉터(130)와 샤워헤드(120)는 상호 대향하는 것이 바람직하고, 서셉터(130)는 지지축(140)을 통하여 접지될 수 있다. 즉, 서셉터(130)의 전류는 지지축(140)을 통하여 챔버 월(111)로 방전될 수 있다.Since the susceptor 130 functions as a counter electrode of the showerhead 120 which is a plasma electrode, it is preferable that the susceptor 130 and the showerhead 120 face each other, and the susceptor 130 has the support shaft 140 . ) through which it can be grounded. That is, the current of the susceptor 130 may be discharged to the chamber wall 111 through the support shaft 140 .

챔버(110)의 외측에는 샤워헤드(120)와 접속되어 샤워헤드(120)에 RF(Radio Frequency) 전원 등을 인가하기 위한 전원장치(151) 및 임피던스를 정합하기 위한 매처(155)가 설치될 수 있다.On the outside of the chamber 110, a power supply device 151 for applying RF (Radio Frequency) power to the showerhead 120 by being connected to the showerhead 120 and a matcher 155 for matching the impedance to be installed. can

그리하여, 서셉터(130)의 상면에 기판(S)을 탑재 지지한 후, 샤워헤드(120)를 통하여 가스를 기판(S)측으로 분사하면서 샤워헤드(120)에 RF 전원을 인가하면, 샤워헤드(120)와 서셉터(130) 사이에서 플라즈마 생성되고, 플라즈마에 의하여 가스가 여기된다. 그러면, 여기된 가스의 분자들이 기판(S)에 증착되므로, 기판(S) 상에 박막이 형성된다.Thus, after the substrate S is mounted and supported on the upper surface of the susceptor 130 , when RF power is applied to the showerhead 120 while spraying the gas toward the substrate S through the showerhead 120 , the showerhead Plasma is generated between the 120 and the susceptor 130, and the gas is excited by the plasma. Then, since molecules of the excited gas are deposited on the substrate S, a thin film is formed on the substrate S.

기판이 대형화됨에 따라 서셉터(130)의 면적도 대형화되므로, 지지축(140) 만으로는 서셉터(130)의 전류를 충분하게 방전시키기 어렵다.As the size of the substrate increases, the area of the susceptor 130 also increases, so it is difficult to sufficiently discharge the current of the susceptor 130 only by the support shaft 140 .

본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치는, 서셉터(130)의 전류를 충분하게 방전하기 위한 접지스트랩(Earth Strap)(160)을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention may include an earth strap 160 for sufficiently discharging the current of the susceptor 130 .

접지스트랩(160)은 중앙부(161)측이 벤딩되어 말굽 형태로 형성될 수 있으며, 상단부(163)측은 서셉터(130)의 하면에 전기적으로 접속 설치되고, 하단부(165)측은 챔버 월(111)의 하면에 전기적으로 접속 설치될 수 있다. 이때, 접지스트랩(160)은 복수개 설치될 수 있으며, 서셉터(130)의 하면 테두리부측을 따라 일정 간격을 가질 수 있다.The ground strap 160 may be formed in a horseshoe shape by bending the central part 161 side, the upper part 163 side is electrically connected to the lower surface of the susceptor 130, and the lower part 165 side is the chamber wall 111 ) can be electrically connected to the lower surface of the At this time, a plurality of ground straps 160 may be installed, and may have a predetermined interval along the lower edge of the susceptor 130 .

증착공정이 진행되면, 샤워헤드(120)와 서셉터(130) 사이에 생성된 플라즈마가 하강할 수 있다. 그러면, 하강한 플라즈마가 서셉터(130)의 상면을 타고, 서셉터(130)의 테두리면(131)측으로 이동한 다음, 서셉터(130)의 하면을 타고 중앙부측으로 이동할 수 있다.When the deposition process proceeds, the plasma generated between the showerhead 120 and the susceptor 130 may descend. Then, the descended plasma rides on the upper surface of the susceptor 130 , moves toward the edge surface 131 of the susceptor 130 , and then rides the lower surface of the susceptor 130 to move toward the central portion.

이때, 서셉터(130)의 테두리면(131)측으로 이동한 플라즈마에 의하여 접지스트랩(160)의 상측 부위가 손상될 수 있다.At this time, the upper portion of the ground strap 160 may be damaged by the plasma moving toward the edge surface 131 of the susceptor 130 .

본 실시예에 따른 기판처리장치는 접지스트랩(160)의 상측 부위가 플라즈마에 의하여 손상되는 것을 억제할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present embodiment can suppress damage to the upper portion of the ground strap 160 by plasma.

상세히 설명하면, 접지스트랩(160)의 일측면(167)은 챔버 월(111)의 측면을 향하고 타측면(169)은 서셉터(130)의 중앙부측을 향할 수 있다. 이때, 접지스트랩(160)의 일측면(167)은 접지스트랩(160)이 설치된 서셉터(130)의 테두리면(131) 내측에 위치될 수 있다.In detail, one side 167 of the ground strap 160 may face the side of the chamber wall 111 and the other side 169 may face the central side of the susceptor 130 . In this case, one side 167 of the ground strap 160 may be located inside the edge surface 131 of the susceptor 130 on which the ground strap 160 is installed.

접지스트랩(160)의 일측면(167)을 서셉터(130)의 테두리면(131) 내측에 위치시키기 위하여, 접지스트랩(160)의 일측면(167)은 서셉터(130)의 테두리면(131)과 접하는 가상의 연장면(P) 상에 위치되지 않는다. 즉, 접지스트랩(160)의 일측면(167)은 서셉터(130)의 테두리면(131)을 연장한 면인 가상의 연장면(P)에 대하여 소정 각도(θ) 경사지게 설치될 수 있다.In order to position one side 167 of the ground strap 160 inside the edge surface 131 of the susceptor 130, one side 167 of the ground strap 160 is the edge surface of the susceptor 130 ( 131) and is not located on the virtual extension surface P in contact. That is, one side 167 of the ground strap 160 may be installed to be inclined at a predetermined angle (θ) with respect to the virtual extension surface P that is the surface extending the edge surface 131 of the susceptor 130 .

그러면, 접지스트랩(160)의 일측면(167)과 챔버 월(111)의 측면 사이의 거리(D)가 상대적으로 멀므로, 서셉터(130)의 테두리면(131)을 타고 흐르는 플라즈마가 챔버 월(111)의 측면의 영향을 받지 않고, 접지스트랩(160)의 상측 부위를 상대적으로 신속하게 통과한 후, 서셉터(130)의 하면 중앙부측으로 이동할 수 있다.Then, since the distance D between one side 167 of the ground strap 160 and the side of the chamber wall 111 is relatively long, the plasma flowing along the edge surface 131 of the susceptor 130 flows into the chamber After passing through the upper portion of the ground strap 160 relatively quickly without being affected by the side surface of the wall 111 , the lower surface of the susceptor 130 may move toward the central portion.

그리고, 접지스트랩(160)의 일측면(167)은 서셉터(130)의 테두리면(131)을 연장한 면인 가상의 연장면(P) 상에 위치되지 않으므로, 서셉터(130)의 테두리면(131)을 타고 흐르는 플라즈마가 접지스트랩(160)의 상측 부위로 유입되기가 상대적으로 어렵다. 그러므로, 접지스트랩(160)의 상측 부위가 플라즈마에 의하여 손상되는 것이 억제될 수 있다.And, since one side 167 of the ground strap 160 is not located on the virtual extension surface P, which is the surface extending the edge surface 131 of the susceptor 130 , the edge surface of the susceptor 130 . It is relatively difficult for the plasma flowing through the 131 to flow into the upper portion of the ground strap 160 . Therefore, damage to the upper portion of the ground strap 160 by the plasma can be suppressed.

즉, 본 실시예에 따른 기판처리장치 챔버 월(111)의 측면을 향하는 접지스트랩(160)의 일측면(167)이 서셉터(130)의 테두리면(131) 내측에 위치되어 챔버 월(111)의 측면으로부터 이격되고, 서셉터(130)의 테두리면(131)을 연장한 면인 가상의 연장면(P) 상에 위치되지 않는다. 이로 인해, 서셉터(130)의 테두리면(131)을 타고 흐르는 플라즈마가 접지스트랩(160)의 상측 부위를 상대적으로 신속하게 통과할 수 있고, 접지스트랩(160)의 상측 부위로 용이하게 유입되기 어려우므로, 접지스트랩(160)의 상측 부위가 플라즈마에 의하여 손상되는 것이 억제될 수 있다.That is, one side 167 of the ground strap 160 facing the side of the chamber wall 111 of the substrate processing apparatus according to the present embodiment is located inside the edge surface 131 of the susceptor 130, so that the chamber wall 111 ) is spaced apart from the side, and is not located on the virtual extension surface P, which is a surface that extends the edge surface 131 of the susceptor 130 . Due to this, the plasma flowing along the edge surface 131 of the susceptor 130 can relatively quickly pass through the upper portion of the grounding strap 160 and easily flow into the upper portion of the grounding strap 160 . Since it is difficult, it can be suppressed that the upper portion of the ground strap 160 is damaged by the plasma.

접지스트랩(160)의 일측면(167) 상측 부위 모서리(167a)는 서셉터(130)의 테두리면(131)를 연장한 면인 가상의 연장면(P)상에 위치될 수 있고, 접지스트랩(160)의 일측면(167)은 가상의 연장면(P)에 대하여 1°∼ 90°경사지게 설치될 수 있다. 그리고, 접지스트랩(160)은, 서셉터(130)의 중심을 기준으로, 서셉터(130)의 테두리부를 따라 중앙부(161)측이 동일한 일방향을 향하면서 규칙적으로 배치될 수 있다.The upper portion edge 167a of one side 167 of the grounding strap 160 may be located on a virtual extension surface P, which is a surface extending the edge surface 131 of the susceptor 130, and the grounding strap ( One side 167 of 160 may be installed at an angle of 1° to 90° with respect to the virtual extension surface P. In addition, the ground strap 160 may be regularly arranged with the central portion 161 side facing the same one direction along the edge portion of the susceptor 130 with respect to the center of the susceptor 130 .

서셉터(130)의 테두리면(131)을 따라 흐르는 플라즈마 중, 출입구(111a)가 형성된 챔버 월(111)의 측면과 대향하는 서셉터(130)의 테두리면(131)을 따라 흐르는 플라즈마는 더욱 느리게 이동하므로, 출입구(111a)에 위치된 접지스트랩(160)이 유독 많이 손상될 수 있다. 그러므로, 접지스트랩(160)의 일측면(167)을 가상의 연장면(P)에 대하여 소정 각도(θ)경사지게 설치하여 서셉터(130)의 테두리면(131) 내측에 위치시킨 구성을, 출입구(111a)측에 위치된 접지스트랩(160)에만 적용할 수도 있다.Among the plasma flowing along the edge surface 131 of the susceptor 130, the plasma flowing along the edge surface 131 of the susceptor 130 opposite to the side of the chamber wall 111 in which the entrance 111a is formed is more Since it moves slowly, the ground strap 160 located at the entrance 111a may be damaged a lot. Therefore, the configuration in which one side 167 of the ground strap 160 is installed at a predetermined angle (θ) inclined with respect to the virtual extension surface P and positioned inside the edge surface 131 of the susceptor 130, the doorway It may be applied only to the ground strap 160 located on the (111a) side.

도 4a는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치의 개략 평단면도이고, 도 4b는 본 발명의 제2실시예에 따른 서셉터와 접지스트랩의 사시도로서, 제1실시예와의 차이점만을 설명한다.4A is a schematic plan cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a perspective view of a susceptor and a grounding strap according to a second embodiment of the present invention, showing only differences from the first embodiment. Explain.

도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리장치는 접지스트랩(260)의 일측면(267) 상측 부위 모서리(267a)가 서셉터(230)의 테두리면(231)을 연장한 면인 가상의 연장면(P) 상에 위치되지 않을 수 있다. 즉, 접지스트랩(260)의 일측면(267) 상측 부위 모서리(267a)가 서셉터(230)의 테두리면(231) 내측에 위치될 수 있다.As shown, in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, one side 267 of the ground strap 260 and the upper corner 267a of the susceptor 230 extend the edge surface 231 of the susceptor 230 . It may not be located on the virtual extension surface P, which is a surface. That is, the upper edge 267a of one side 267 of the ground strap 260 may be located inside the edge surface 231 of the susceptor 230 .

도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 서셉터와 접지스트랩의 사시도로서, 제1실시예와의 차이점만을 설명한다.5 is a perspective view of a susceptor and a ground strap according to a third embodiment of the present invention, and only differences from the first embodiment are described.

도시된 바와 같이, 서셉터(330)의 테두리면을 따라 설치된 대략 말굽 형태의 접지스트랩(360)중, 일부 접지스트랩(360a)은, 서셉터(330)의 중심을 기준으로, 중앙부(361)측이 동일한 일방향을 향하면서 규칙적으로 배치되고, 나머지 접지스트랩(360b)은, 서셉터(330)의 중심을 기준으로, 중앙부(361)측이 동일한 타방향을 향하면서 규칙적으로 배치될 수 있다.As shown, some of the ground straps 360 of a horseshoe shape installed along the edge surface of the susceptor 330, some ground straps 360a, have a central portion 361 based on the center of the susceptor 330. The sides are regularly arranged while facing the same one direction, and the remaining ground straps 360b may be regularly arranged with the central portion 361 side facing the same other direction with respect to the center of the susceptor 330 .

본 발명의 제2실시예에 따른 접지스트랩(260)의 구성 및 본 발명의 제3실시예에 따른 접지스트랩(360)의 구성을 챔버 월(111)의 출입구(111a)(도 2 및 도 3a 참조)측에 위치된 접지스트랩(260)(360)에만 적용할 수 있음은 당연하다.The configuration of the grounding strap 260 according to the second embodiment of the present invention and the configuration of the grounding strap 360 according to the third embodiment of the present invention are shown in the doorway 111a of the chamber wall 111 (FIGS. 2 and 3A). It is natural that it can be applied only to the ground straps 260 and 360 located on the side).

도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 서셉터와 접지스트랩의 사시도로서, 제1실시예와의 차이점만을 설명한다.6 is a perspective view of a susceptor and a ground strap according to a fourth embodiment of the present invention, and only differences from the first embodiment are described.

도시된 바와 같이, 접지스트랩(460)은 말굽형태로 형성되므로, 벤딩된 중앙부측이 굽힘부로 형성될 수 있다. 그리고, 접지스트랩(460)의 상단부측은 서셉터(430)의 테두리면(431)인 가장자리를 따라 서셉터(430)의 하면에 연결되고, 하단부측은 챔버(110)(도 2 참조)의 하면에 연결될 수 있다. 그리하여, 접지스트랩(460)은 서셉터(430)의 축적된 전하를 챔버(110)로 전달하는 접지경로의 기능을 할 수 있다. 이때, 접지경로의 기능을 하는 접지스트랩(460)의 상기 굽힘부의 부위 중, 챔버(110)의 측면을 향하는 상기 굽힘부의 일측면은 서셉터(430)의 가장자리 상에 위치하도록 배치되되, 출입구(111a)(도 2 참조)가 형성된 챔버(110)의 측면측에 위치된 접지스트랩(460) 중 적어도 하나(460a) 이상의 접지스트랩(460)이 상기 굽힘부의 일측면은 서셉터(430)의 가장자리 상에 위치되지 않도록 배치될 수 있다.As shown, since the ground strap 460 is formed in a horseshoe shape, the bent central portion may be formed as a bent portion. And, the upper end side of the ground strap 460 is connected to the lower surface of the susceptor 430 along the edge that is the edge surface 431 of the susceptor 430, and the lower end side of the chamber 110 (see FIG. 2) is on the lower surface. can be connected Thus, the ground strap 460 may function as a ground path for transferring the accumulated charges of the susceptor 430 to the chamber 110 . At this time, among the parts of the bent part of the ground strap 460 serving as a ground path, one side of the bent part facing the side of the chamber 110 is disposed to be located on the edge of the susceptor 430, the doorway ( 111a) (refer to FIG. 2) of the ground strap 460 positioned on the side side of the chamber 110 is formed at least one (460a) of the ground strap 460, one side of the bent portion is the edge of the susceptor 430 It may be disposed so as not to be positioned on the top.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

110: 챔버
130: 서셉터
160: 접지스트랩110: chamber
130: susceptor
160: ground strap

Claims (10)

일측면에 기판이 출입하는 출입구가 형성된 챔버;
상기 챔버에 설치되고, 기판이 안착되는 서셉터;
상단부측은 상기 서셉터의 가장자리를 따라 상기 서셉터의 하면에 연결되고, 하단부측은 상기 챔버의 하면에 연결되며, 중앙부측에는 굽힘부가 형성되어 상기 서셉터의 축적된 전하를 상기 챔버로 전달하는 복수의 접지경로를 포함하며,
상기 접지경로의 상기 굽힘부는 상기 서셉터의 가장자리 상에 위치하도록 배치되되, 상기 출입구측의 상기 접지경로 중 적어도 하나 이상은 상기 서셉터의 가장자리 상에 위치되지 않도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber having an entrance through which the substrate enters and exits on one side;
a susceptor installed in the chamber and on which a substrate is seated;
The upper end side is connected to the lower surface of the susceptor along the edge of the susceptor, the lower end side is connected to the lower surface of the chamber, and a bent portion is formed at the central portion side to transfer the accumulated charges of the susceptor to the chamber. contains the path,
The bent portion of the ground path is disposed so as to be positioned on an edge of the susceptor, and at least one of the ground paths on the entrance/exit side is disposed so as not to be positioned on the edge of the susceptor. . 일측면에 기판이 출입하는 출입구가 형성되며, 접지된 챔버;
상기 챔버에 승강가능하게 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 플라즈마 전극의 상대 전극의 기능을 하는 서셉터;
상기 서셉터의 하면 테두리부측을 따라 복수개 설치되며, 상단부측은 상기 서셉터의 하면에 결합되고 하단부측은 상기 챔버의 하면에 결합되어 상기 서셉터의 전류를 상기 챔버를 통하여 방전시키는 접지스트랩을 포함하며,
상기 챔버의 측면을 향하는 상기 접지스트랩의 일측면은 상기 챔버의 측면을 향하는 상기 서셉터의 테두리면 내측에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.An entrance through which the substrate enters and exits is formed on one side, and the chamber is grounded;
a susceptor installed in the chamber so as to be able to move up and down, on which a substrate is mounted and supported, and functioning as a counter electrode of the plasma electrode;
A plurality of ground straps are provided along the lower edge of the susceptor, the upper end is coupled to the lower surface of the susceptor and the lower end is coupled to the lower surface of the chamber to discharge the current of the susceptor through the chamber;
One side of the ground strap facing the side of the chamber is positioned inside the edge surface of the susceptor facing the side of the chamber. 제2항에 있어서,
상기 접지스트랩의 일측면 상측 부위 모서리는 상기 서셉터의 테두리면과 접하는 가상의 연장면 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
An upper edge of one side of the ground strap is positioned on an imaginary extension surface in contact with an edge surface of the susceptor. 제2항에 있어서,
상기 접지스트랩의 일측면 상측 부위 모서리는 상기 서셉터의 테두리면과 접하는 가상의 연장면 상에 위치되지 않는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
The substrate processing apparatus, characterized in that the edge of the upper portion of one side of the ground strap is not located on an imaginary extension surface in contact with the edge surface of the susceptor. 제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 접지스트랩의 일측면은 상기 가상의 연장면에 대하여 경사진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.5. The method of claim 3 or 4,
One side of the ground strap is a substrate processing apparatus, characterized in that inclined with respect to the virtual extension surface. 제5항에 있어서,
상기 접지스트랩의 일측면은 상기 가상의 연장면에 대하여 1°∼ 90°경사진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
The substrate processing apparatus, characterized in that one side of the ground strap is inclined by 1° to 90° with respect to the virtual extension surface. 제5항에 있어서,
상기 접지스트랩은, 상기 서셉터의 중심을 기준으로, 동일한 방향을 향하면서 규칙적으로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
The ground strap is a substrate processing apparatus, characterized in that it is regularly arranged while facing the same direction with respect to the center of the susceptor. 제5항에 있어서,
상기 접지스트랩은, 상기 서셉터의 중심을 기준으로, 일부는 동일한 일방향을 향하면서 규칙적으로 배치되고, 나머지는 동일한 타방향을 향하면서 규칙적으로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
The ground strap, with respect to the center of the susceptor, a portion of the substrate processing apparatus, characterized in that it is regularly arranged while facing the same one direction, the rest is regularly arranged facing the same other direction. 제2항에 있어서,
상기 서셉터의 테두리부를 따라 설치된 상기 접지스트랩 중, 상기 출입구가 형성된 상기 챔버의 측면측에 위치된 상기 접지스트랩의 일측면만 상기 서셉터의 테두리면 내측에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Among the ground straps installed along the edge of the susceptor, only one side of the ground strap positioned on a side side of the chamber in which the entrance is formed is positioned inside the edge of the susceptor. 삭제delete
KR1020160069462A 2016-06-03 2016-06-03 Substrate processing apparatus KR102433305B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160069462A KR102433305B1 (en) 2016-06-03 2016-06-03 Substrate processing apparatus
KR1020220100665A KR102559334B1 (en) 2016-06-03 2022-08-11 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160069462A KR102433305B1 (en) 2016-06-03 2016-06-03 Substrate processing apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220100665A Division KR102559334B1 (en) 2016-06-03 2022-08-11 Substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170137389A KR20170137389A (en) 2017-12-13
KR102433305B1 true KR102433305B1 (en) 2022-08-17

Family

ID=60944154

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160069462A KR102433305B1 (en) 2016-06-03 2016-06-03 Substrate processing apparatus
KR1020220100665A KR102559334B1 (en) 2016-06-03 2022-08-11 Substrate processing apparatus

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220100665A KR102559334B1 (en) 2016-06-03 2022-08-11 Substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102433305B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102312330B1 (en) 2018-09-18 2021-10-13 주식회사 테스 Substrate supporting unit
KR102076468B1 (en) * 2018-12-26 2020-02-13 주식회사 테스 Substrate processing apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040250955A1 (en) 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100889703B1 (en) * 2007-04-10 2009-03-24 주식회사 에스에프에이 Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR200452310Y1 (en) * 2008-05-19 2011-02-16 (주)영찬테크 Substrate processing apparatus
KR101081744B1 (en) * 2009-08-17 2011-11-09 주성엔지니어링(주) Apparatus for treating substrate
KR101127757B1 (en) * 2009-12-02 2012-03-23 주식회사 테스 Suscepter grounding unit, method for altering a ground of a suscepter using the same and process chamber having the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040250955A1 (en) 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor

Also Published As

Publication number Publication date
KR102559334B1 (en) 2023-07-25
KR20220116134A (en) 2022-08-22
KR20170137389A (en) 2017-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20220116134A (en) Substrate processing apparatus
KR102594473B1 (en) Semiconductor substrate supports with built-in RF shielding
KR20150101785A (en) Substrate process apparatus
JP2010524225A (en) Substrate support apparatus and plasma etching apparatus including the same
CN105898977A (en) Plasma Producing Apparatus
CN109797376A (en) Precipitation equipment including upper nozzle and lower nozzle
KR20090021097A (en) Processing apparatus
KR101253296B1 (en) Plasma Processing Apparatus
CN105586566B (en) A kind of reaction chamber and semiconductor processing equipment
KR101632376B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101399904B1 (en) Apparatus for cleaning substrate with plasma
JP2007035855A (en) Plasma processing apparatus and cleaning method thereof
KR20110056786A (en) Appratus for treating substrate
KR101515149B1 (en) Assembly for blocking plasma and apparatus for processing plasma having the same
TWI623964B (en) Substrate processing system with multiple processing devices deployed in shared ambient environment and associated methods
KR101614032B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102104301B1 (en) Baffle and apparatus for treating substrate
KR102599630B1 (en) Edge Frame and Substrate Processing Apparatus Including The Same
KR101402233B1 (en) Plasma etching equipment
KR20180017676A (en) Thin film deposition apparatus
KR102658246B1 (en) Substrate processing Apparatus
TWI622115B (en) Wafer susceptor device and semiconductor apparatus
KR102291236B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102374023B1 (en) Substrate treatment apparatus
KR102624822B1 (en) Injection apparatus for removing precipitate and substrate treating apparatus comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant