KR102431084B1 - Electroconductive paste, connection structure, and method for manufacturing connection structure - Google Patents

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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

전극 사이의 간격을 고정밀도로 제어할 수 있고, 또한 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 페이스트를 제공한다. 본 발명에 따른 도전 페이스트는, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를 접속하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속하기 위해 사용되고, 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자와, 융점이 250℃ 이상인 복수의 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서의 평균 입자 직경은 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경보다도 크다.Provided is a conductive paste that can control the distance between electrodes with high precision, can efficiently arrange solder particles on the electrodes, and can improve the conduction reliability between the electrodes. The electrically conductive paste which concerns on this invention connects the 1st connection object member which has a 1st electrode on the surface, and the 2nd connection object member which has a 2nd electrode on the surface, and electrically connects the said 1st electrode and the said 2nd electrode. a thermosetting component, a plurality of solder particles, and a plurality of spacers having a melting point of 250° C. or higher, wherein the average particle diameter of the spacer is larger than the average particle diameter of the solder particles.

Description

도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법{ELECTROCONDUCTIVE PASTE, CONNECTION STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTION STRUCTURE}An electrically conductive paste, a bonded structure, and the manufacturing method of a bonded structure TECHNICAL FIELD

본 발명은 땜납 입자를 포함하는 도전 페이스트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive paste containing solder particles. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the bonded structure and bonded structure using the said electrically conductive paste.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic electrically-conductive materials, such as an anisotropic electrically-conductive paste and an anisotropic electrically-conductive film, are known widely. In the said anisotropic electrically-conductive material, electroconductive particle is disperse|distributed in binder resin.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위해서, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판과의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판과의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판과의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판과의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The said anisotropic electrically-conductive material is, in order to obtain various bonding structures, for example, connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), and a connection between a semiconductor chip and a flexible printed board (COF (Chip on Film)). ), a connection between a semiconductor chip and a glass substrate (Chip on Glass (COG)), and a connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (Film on Board (FOB)).

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때는, 유리 에폭시 기판 상에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜, 도전성 입자를 개재해서 전극 사이를 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.When electrically connecting the electrode of a flexible printed circuit board, and the electrode of a glass epoxy board|substrate with the said anisotropic electrically-conductive material, the anisotropic electrically-conductive material containing electroconductive particle is arrange|positioned on a glass epoxy board|substrate. Next, a flexible printed circuit board is laminated|stacked, and it heats and pressurizes. Thereby, an anisotropic electrically-conductive material is hardened, between electrodes is electrically connected through electroconductive particle, and bonded structure is obtained.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기 특허문헌 1에는, 열경화성 수지를 포함하는 수지층과, 땜납 분말과, 경화제를 포함하고, 상기 땜납 분말과 상기 경화제가 상기 수지층 중에 존재하는 접착 테이프가 개시되어 있다. 이 접착 테이프는 필름 형상이며, 페이스트 형상은 아니다.As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 below discloses an adhesive tape comprising a resin layer containing a thermosetting resin, a solder powder, and a curing agent, wherein the solder powder and the curing agent are present in the resin layer, have. This adhesive tape is in the form of a film and is not in the form of a paste.

또한, 특허문헌 1에서는, 상기 접착 테이프를 사용한 접착 방법이 개시되어 있다. 구체적으로는, 제1 기판, 접착 테이프, 제2 기판, 접착 테이프 및 제3 기판을 밑에서부터 이 순서대로 적층하여, 적층체를 얻는다. 이때, 제1 기판의 표면에 설치된 제1 전극과, 제2 기판의 표면에 설치된 제2 전극을 대향시킨다. 또한, 제2 기판의 표면에 설치된 제2 전극과 제3 기판의 표면에 설치된 제3 전극을 대향시킨다. 그리고, 적층체를 소정의 온도에서 가열해서 접착한다. 이에 의해, 접속 구조체를 얻는다.Moreover, in patent document 1, the adhesion|attachment method using the said adhesive tape is disclosed. Specifically, a 1st board|substrate, an adhesive tape, a 2nd board|substrate, an adhesive tape, and a 3rd board|substrate are laminated|stacked in this order from the bottom, and a laminated body is obtained. At this time, the first electrode provided on the surface of the first substrate and the second electrode provided on the surface of the second substrate face each other. Further, the second electrode provided on the surface of the second substrate and the third electrode provided on the surface of the third substrate face each other. Then, the laminate is heated at a predetermined temperature and adhered. Thereby, a bonded structure is obtained.

또한, 하기 특허문헌 2에는, 제1 전자 부품의 접속부의 전극인 제1 전극과, 제2 전자 부품의 접속부의 전극인 제2 전극을 전기적으로 접속시키는 이방성 도전성의 접착제가 개시되어 있다. 상기 이방성 도전성의 접착제는 절연성 중합체 수지와, 접합 입자와, 스페이서 입자를 포함한다. 상기 접합 입자는 상기 이방성 도전성의 접착제에 인가되는 초음파에 의해 발생하는 열에 의해 용융된다. 상기 스페이서 입자는 상기 접합 입자보다 높은 융점을 갖는다. 상기 접합 입자로서는, 땜납 입자가 예시되어 있다.Further, Patent Document 2 below discloses an anisotropically conductive adhesive for electrically connecting a first electrode that is an electrode of a connection portion of a first electronic component and a second electrode that is an electrode of a connection portion of a second electronic component. The anisotropically conductive adhesive includes an insulating polymer resin, bonding particles, and spacer particles. The bonding particles are melted by heat generated by ultrasonic waves applied to the anisotropically conductive adhesive. The spacer particles have a higher melting point than the bonded particles. Solder particles are exemplified as the bonding particles.

WO2008/023452A1WO2008/023452A1 일본 특허 공표 제2012-532979호 공보Japanese Patent Publication No. 2012-532979

특허문헌 1에 기재된 접착 테이프는 필름 형상이며, 페이스트 형상은 아니다. 이 때문에, 땜납 분말을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 접착 테이프에서는, 땜납 분말의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에도 배치되기 쉽다. 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치된 땜납 분말은 전극 사이의 도통에 기여하지 않는다.The adhesive tape of patent document 1 is a film form, and is not a paste form. For this reason, it is difficult to efficiently arrange the solder powder on the electrode (line). For example, in the adhesive tape described in patent document 1, a part of solder powder is easy to arrange|position also in the area|region (space) in which an electrode is not formed. The solder powder disposed in the region where no electrodes are formed does not contribute to conduction between the electrodes.

또한, 땜납 분말을 포함하는 이방성 도전 페이스트이어도, 땜납 분말이 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다. 또한, 땜납 분말을 포함하는 이방성 도전 페이스트를 사용한 경우에는, 도전 접속 후에, 전극 사이의 간격에 변동이 발생하기 쉽다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 접착제에서도, 땜납 입자 등의 접합 입자가 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 바와 같이, 땜납 입자 등의 접합 입자와는 별도로, 스페이서 입자를 사용했다고 해도, 접합 입자가 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다.Further, even in the case of an anisotropic conductive paste containing solder powder, the solder powder may not be efficiently disposed on the electrode (line). Moreover, when the anisotropic electrically conductive paste containing solder powder is used, it is easy to generate|occur|produce the fluctuation|variation in the space|interval between electrodes after an electrically conductive connection. Moreover, also in the adhesive agent of patent document 2, bonding particles, such as a solder particle, may not be arrange|positioned efficiently on an electrode (line). Moreover, as described in Patent Document 2, even if spacer particles are used separately from bonded particles such as solder particles, the bonded particles may not be efficiently disposed on the electrode (line).

본 발명의 목적은, 전극 사이의 간격을 고정밀도로 제어할 수 있고, 또한 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 페이스트를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a conductive paste that can control the distance between electrodes with high precision, and can efficiently arrange solder particles on the electrodes, thereby improving the conduction reliability between the electrodes. Moreover, this invention provides the manufacturing method of the bonded structure and bonded structure using the said electrically conductive paste.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를 접속하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속하기 위해 사용되는 도전 페이스트이며, 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자와, 융점이 250℃ 이상인 복수의 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서의 평균 입자 직경은 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경보다도 큰, 도전 페이스트가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a first connection object member having a first electrode on its surface and a second connection object member having a second electrode on its surface are connected, and the first electrode and the second electrode are electrically connected A conductive paste used for provided

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 스페이서가 절연성 입자이다.In one specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the spacer is an insulating particle.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는, 상기 스페이서가 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 접하도록 사용된다.In one specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the conductive paste is used so that the spacer is in contact with both the first connection object member and the second connection object member.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속할 때 상기 땜납 입자의 융점 이상이며 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 가열하여, 복수의 상기 땜납 입자를 응집시켜, 일체화시켜서 사용된다.In one specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the conductive paste is heated above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component when the first electrode and the second electrode are electrically connected, A plurality of the above-mentioned solder particles are aggregated and used to be integrated.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 스페이서의 평균 입자 직경의, 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경에 대한 비가 1.1 이상, 15 이하이다.In one specific situation of the electrically conductive paste which concerns on this invention, the ratio of the average particle diameter of the said spacer to the average particle diameter of the said solder particle is 1.1 or more and 15 or less.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 스페이서의 함유량이 0.1중량% 이상, 10중량% 이하이다.On the specific situation of the electrically conductive paste which concerns on this invention, content of the said spacer is 0.1 weight% or more and 10 weight% or less.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상, 40㎛ 이하이다.On the specific situation of the electrically conductive paste which concerns on this invention, the average particle diameter of the said solder particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 땜납 입자의 함유량이 10중량% 이상, 80중량% 이하이다.On the specific situation of the electrically conductive paste which concerns on this invention, content of the said solder particle is 10 weight% or more and 80 weight% or less.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 한 특정한 국면에서는, 상기 땜납 입자의 중량% 단위에서의 함유량의, 상기 스페이서의 중량% 단위에서의 함유량에 대한 비가 2 이상, 100 이하이다.In one specific situation of the electrically conductive paste which concerns on this invention, ratio with respect to the content in the weight % unit of the said solder particle in the weight % unit of the said spacer is 2 or more and 100 or less.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부의 재료가 상술한 도전 페이스트이며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있고, 상기 스페이서가, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 접촉하고 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a first connection object member having at least one first electrode on its surface, a second connection object member having at least one second electrode on its surface, the first connection object member, a connection portion for connecting the second connection object member is provided, the material of the connection portion is the above-described conductive paste, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion; The connection structure in which the said spacer is in contact with both the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member is provided.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 도전 페이스트를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과, 상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 땜납 입자의 융점 이상이며 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하고, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 상기 스페이서를 접촉시키는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a step of disposing the conductive paste on the surface of a first connection object member having at least one first electrode on the surface using the conductive paste described above; disposing a second connection object member having at least one second electrode on the surface on a surface opposite to the first connection object member side so that the first electrode and the second electrode face each other; By heating the conductive paste above the melting point of the particles and above the curing temperature of the thermosetting component, a connection portion connecting the first connection object member and the second connection object member is formed with the conductive paste, and a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion, and bringing the spacer into contact with both the first connection object member and the second connection object member; A method of making a structure is provided.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법의 한 특정한 국면에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속할 때 상기 땜납 입자의 융점 이상이며 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 가열하여, 복수의 상기 땜납 입자를 응집시켜, 일체화시킨다.In one specific aspect of the method for manufacturing a bonded structure according to the present invention, when the first electrode and the second electrode are electrically connected, the first electrode and the second electrode are heated above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component, and a plurality of The solder particles are aggregated and integrated.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법의 한 특정한 국면에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해진다.In one specific aspect of the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, in the process of arranging the said 2nd connection object member and the process of forming the said connection part, without performing pressurization, the said electrically conductive paste contains the said 2nd connection object member. weight is applied

상기 제2 접속 대상 부재가 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다.It is preferable that the said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate.

본 발명에 따른 도전 페이스트는 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자와, 융점이 250℃ 이상인 복수의 스페이서를 포함하므로, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를 접속하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속한 경우에, 전극 사이의 간격을 고정밀도로 제어할 수 있고, 또한 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.The conductive paste according to the present invention contains a thermosetting component, a plurality of solder particles, and a plurality of spacers having a melting point of 250° C. or higher. When two connection object members are connected and the first electrode and the second electrode are electrically connected, the distance between the electrodes can be controlled with high precision, and the solder particles can be efficiently disposed on the electrode. , it is possible to increase the conduction reliability between the electrodes.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용해서 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례의 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 접속 구조체의 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 4는 접속 구조체의 변형예를 도시하는 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the bonded structure obtained using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention.
2(a) - (c) are sectional views for demonstrating each process of an example of the method of manufacturing a bonded structure using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows the modified example of a connection structure.
It is sectional drawing which shows the modified example of a connection structure.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the detail of this invention is demonstrated.

(도전 페이스트)(conductive paste)

본 발명에 따른 도전 페이스트는, 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를 접속하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속하기 위해 사용된다. 본 발명에 따른 도전 페이스트는 열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자와, 융점이 250℃ 이상인 복수의 스페이서를 포함한다.The electrically conductive paste which concerns on this invention connects the 1st connection object member which has a 1st electrode on the surface, and the 2nd connection object member which has a 2nd electrode on the surface, and electrically connects the said 1st electrode and the said 2nd electrode. used to do The conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component, a plurality of solder particles, and a plurality of spacers having a melting point of 250°C or higher.

본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 상기 스페이서의 평균 입자 직경은 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경보다도 크다.In the conductive paste according to the present invention, the average particle diameter of the spacers is larger than the average particle diameter of the solder particles.

본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 상기 구성이 채용되어 있으므로, 전극 사이를 전기적으로 접속한 경우에, 전극 사이의 간격을 고정밀도로 제어할 수 있다. 또한, 땜납 입자가 전극 사이에 모일 때 스페이서에 의해 상하의 전극의 간격이 충분히 확보되므로, 복수의 땜납 입자가 상하의 대향한 전극 사이에 모이기 쉬워, 복수의 땜납 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 땜납 입자의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납 입자의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다. 본 발명에서는, 스페이서를 배합함으로써, 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 스페이서를 간단히 배합하고 있을 뿐만 아니라, 스페이서와 땜납 입자와의 평균 입자 직경을 특정한 범위로 설정하고 있기 때문에, 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 특정한 평균 입자 직경을 갖는 스페이서의 사용은, 접속되어야 할 상하의 전극 사이에 있어서의 땜납의 양 및 배치 정밀도의 향상에 크게 기여한다.In the electrically conductive paste which concerns on this invention, since the said structure is employ|adopted, when electrically connecting between electrodes, the space|interval between electrodes can be controlled with high precision. In addition, when the solder particles are collected between the electrodes, the spacer ensures sufficient spacing between the upper and lower electrodes, so that a plurality of solder particles are easily collected between the upper and lower electrodes, and the plurality of solder particles are efficiently arranged on the electrodes (lines). can do. In addition, some of the plurality of solder particles are less likely to be arranged in the region (space) where the electrode is not formed, so that the amount of the solder particle arranged in the region where the electrode is not formed can be significantly reduced. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between the electrodes adjacent to each other in the transverse direction, which should not be connected, so that the insulation reliability can be improved. In the present invention, by blending the spacer, the solder particles can be efficiently disposed on the electrode. Further, in the present invention, not only the spacers are simply blended, but also the average particle diameter of the spacers and the solder particles is set within a specific range, so that the solder particles can be efficiently disposed on the electrode. The use of a spacer having a specific average particle diameter greatly contributes to the improvement of the amount of solder and arrangement precision between the upper and lower electrodes to be connected.

상기 스페이서의 평균 입자 직경이 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경보다도 큼으로써, 땜납 입자가 전극 상에 이동할 때, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재와의 사이에 땜납 입자가 이동할 수 있는 간격이 확보되어, 땜납 입자의 이동이 촉진된다. 결과로서, 상하의 전극 사이에 배치되는 땜납량이 많아지므로, 전극 사이의 도통 신뢰성이 높아진다.Since the average particle diameter of the spacer is larger than the average particle diameter of the solder particles, the gap at which the solder particles can move between the first to-be-connected member and the second to-be-connected member when the solder particles move on the electrode is reduced. secured, and the movement of the solder particles is promoted. As a result, the amount of solder disposed between the upper and lower electrodes increases, so that the conduction reliability between the electrodes increases.

또한, 본 발명에서는, 스페이서의 사용에 의해, 스페이서가 상하의 전극 간격을 규제할 뿐만 아니라, 스페이서가 땜납 입자의 응집성을 높이는 것에 기여하는 것을 알아내었다.Further, in the present invention, it has been found that the spacer not only regulates the distance between the upper and lower electrodes by using the spacer, but also contributes to the enhancement of the cohesiveness of the solder particles by the spacer.

또한, 본 발명에서는, 전극 사이의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 본 발명에서는, 도전 페이스트를 도포한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과).Moreover, in this invention, the position shift between electrodes can be prevented. In the present invention, when the second connection object member is superposed on the first connection object member to which the conductive paste has been applied, in a state where the alignment of the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member is displaced, the first Even when a connection object member and a 2nd connection object member overlap, the shift|offset|difference can be corrected and the electrode of a 1st connection object member and the electrode of a 2nd connection object member can be connected (self-alignment effect).

또한, 상기 땜납 입자가 아니라, 땜납에 의해 형성되어 있지 않은 기재 입자와 기재 입자의 표면 상에 배치된 땜납층을 구비하는 도전성 입자를 사용한 경우에는, 전극 상에 도전성 입자가 모이기 어려워져, 도전성 입자끼리의 땜납 접합성이 낮기 때문에, 전극 상에 이동한 도전성 입자가 전극 밖으로 이동하기 쉬워진다. 이 때문에, 전극 사이의 위치 어긋남의 억제 효과도 낮아진다.Moreover, when electroconductive particle provided with the solder layer arrange|positioned on the surface of the substrate particle which is not formed with solder instead of the said solder particle is used, electroconductive particle becomes difficult to collect on an electrode, and electroconductive particle Since the solder bonding property of each other is low, the electroconductive particle which moved on the electrode becomes easy to move out of an electrode. For this reason, the suppression effect of the position shift between electrodes also becomes low.

땜납 입자를 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하기 위해서, 상기 도전 페이스트의 25℃에서의 점도(η25)는 바람직하게는 10Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 100Pa·s 이상, 바람직하게는 800Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 600Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 500Pa·s 이하이다.In order to more efficiently arrange the solder particles on the electrode, the viscosity (η25) at 25°C of the conductive paste is preferably 10 Pa·s or more, more preferably 50 Pa·s or more, still more preferably 100 Pa·s or more. s or more, preferably 800 Pa·s or less, more preferably 600 Pa·s or less, still more preferably 500 Pa·s or less.

상기 점도(η25)는, 배합 성분의 종류 및 배합량으로 적절히 조정 가능하다. 또한, 필러의 사용에 의해, 점도를 비교적 높게 할 수 있다.The said viscosity (η25) can be suitably adjusted with the kind and compounding quantity of a compounding component. Moreover, by use of a filler, a viscosity can be made comparatively high.

상기 점도(η25)는, 예를 들어 E형 점도계(도끼 산교사 제조) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정 가능하다.The said viscosity (η25) can be measured on conditions of 25 degreeC and 5 rpm using the E-type viscometer (made by Toki Sangyo) etc., for example.

본 발명에 따른 도전 페이스트는, 후술하는 본 발명에 따른 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법에 적합하게 사용할 수 있다.The electrically conductive paste which concerns on this invention can be used suitably for the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention mentioned later, and a bonded structure.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 페이스트는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속할 때 상기 땜납 입자의 융점 이상이며 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 가열하여, 복수의 상기 땜납 입자를 응집시켜, 일체화시켜서 사용되는 것이 바람직하다. 복수의 땜납 입자의 일체화에 의해, 보다 대면적의 땜납부가 형성된다. 1개의 땜납부에 있어서, 도전 페이스트 중의 2 이상의 땜납 입자가 일체화되어 있는 것이 바람직하고, 도전 페이스트 중의 3 이상의 땜납 입자가 일체화되어 있는 것이 보다 바람직하고, 도전 페이스트 중의 5 이상의 땜납 입자가 일체화되어 있는 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the conductive paste is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles and higher than the curing temperature of the thermosetting component when the first electrode and the second electrode are electrically connected. It is preferable that the solder particles are aggregated and used in an integrated manner. By integrating a plurality of solder particles, a solder portion having a larger area is formed. In one solder portion, it is preferable that two or more solder particles in the conductive paste are integrated, more preferably three or more solder particles in the conductive paste are integrated, and 5 or more solder particles in the conductive paste are integrated. more preferably.

상기 도전 페이스트는, 전극의 전기적인 접속에 적합하게 사용된다. 상기 도전 페이스트는 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.The said electrically conductive paste is used suitably for the electrical connection of an electrode. It is preferable that the said electrically conductive paste is a circuit connection material.

이하, 상기 도전 페이스트에 포함되는 각 성분을 설명한다.Hereinafter, each component contained in the said electrically conductive paste is demonstrated.

(땜납 입자)(solder particles)

상기 땜납 입자는, 땜납을 도전성의 외표면에 갖는다. 상기 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전성의 외표면의 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다. 상기 땜납 입자는, 상기 땜납 입자의 중심 부분 및 도전성의 외표면의 모두가 땜납인 입자이다.The solder particles have solder on the conductive outer surface. As for the above-mentioned solder particles, both the central portion and the conductive outer surface are formed of solder. The solder particle is a particle in which both the central portion of the solder particle and the conductive outer surface are solder.

전극 상에 땜납 입자를 효율적으로 모으는 관점에서는, 상기 땜납 입자의 표면의 제타 전위가 플러스인 것이 바람직하다. 단, 본 발명에서는, 상기 땜납 입자의 표면의 제타 전위가 플러스가 아니어도 된다.From the viewpoint of efficiently collecting the solder particles on the electrode, it is preferable that the zeta potential of the surface of the solder particles is positive. However, in the present invention, the zeta potential of the surface of the solder particles may not be positive.

제타 전위는 이하와 같이 해서 측정된다.The zeta potential is measured as follows.

제타 전위의 측정 방법:Method of measuring zeta potential:

땜납 입자 0.05g을, 메탄올 10g에 넣고, 초음파 처리 등을 함으로써, 균일하게 분산시켜 분산액을 얻는다. 이 분산액을 사용해서, 또한 Beckman Coulter사 제조 「Delsamax PRO」를 사용하여, 전기 영동 측정법으로, 23℃에서 제타 전위를 측정할 수 있다.0.05 g of solder particles are put in 10 g of methanol, and are uniformly dispersed by ultrasonic treatment or the like to obtain a dispersion liquid. Using this dispersion liquid, the zeta potential can also be measured at 23 degreeC by the electrophoresis measurement method using "Delsamax PRO" by Beckman Coulter.

땜납 입자의 제타 전위는 바람직하게는 0mV 이상, 보다 바람직하게는 0mV를 초과하고, 바람직하게는 10mV 이하, 보다 바람직하게는 5mV 이하, 보다 한층 바람직하게는 1mV 이하, 더욱 바람직하게는 0.7mV 이하, 특히 바람직하게는 0.5mV 이하이다. 제타 전위가 상기 상한 이하이면, 사용 전의 도전 페이스트 중에서, 땜납 입자가 응집되기 어려워진다. 제타 전위가 0mV 이상이면, 실장 시에 전극 상에 땜납 입자가 효율적으로 응집된다.The zeta potential of the solder particles is preferably 0 mV or more, more preferably more than 0 mV, preferably 10 mV or less, more preferably 5 mV or less, still more preferably 1 mV or less, still more preferably 0.7 mV or less, Especially preferably, it is 0.5 mV or less. If the zeta potential is equal to or less than the upper limit, it becomes difficult for the solder particles to aggregate in the electrically conductive paste before use. When the zeta potential is 0 mV or more, the solder particles are efficiently aggregated on the electrode during mounting.

표면의 제타 전위를 플러스로 하는 것이 용이하므로, 상기 땜납 입자는, 땜납 입자 본체와, 상기 땜납 입자 본체의 표면 상에 배치된 음이온 중합체를 갖는 것이 바람직하다. 상기 땜납 입자는, 땜납 입자 본체를 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 땜납 입자는, 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물에 의한 표면 처리물인 것이 바람직하다. 상기 음이온 중합체 및 상기 음이온 중합체가 되는 화합물은 각각, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Since it is easy to make the surface zeta potential positive, it is preferable that the solder particles have a solder particle body and an anionic polymer disposed on the surface of the solder particle body. It is preferable that the said solder particle is obtained by surface-treating the solder particle main body with the compound used as an anionic polymer or anionic polymer. It is preferable that the said solder particle is an anionic polymer or a surface-treated object with the compound used as anionic polymer. As for the compound used as the said anionic polymer and the said anionic polymer, respectively, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

땜납 입자 본체를 음이온 중합체로 표면 처리하는 방법으로서는, 음이온 중합체로서, 예를 들어 (메트)아크릴산을 공중합한 (메트)아크릴 중합체, 디카르복실산과 디올로부터 합성되고 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 디카르복실산의 분자간 탈수 축합 반응에 의해 얻어지고 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 중합체, 디카르복실산과 디아민으로부터 합성되고 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 및 카르복실기를 갖는 변성 폴리비닐알코올(닛본 고세 가가꾸사 제조 「고세넥스 T」) 등을 사용하여, 음이온 중합체의 카르복실기와, 땜납 입자 본체의 표면의 수산기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.As a method of surface-treating the solder particle body with an anionic polymer, as an anionic polymer, for example, a (meth)acrylic polymer copolymerized with (meth)acrylic acid, a polyester synthesized from dicarboxylic acid and diol and having carboxyl groups at both terminals Polymer, a polymer obtained by intermolecular dehydration condensation reaction of dicarboxylic acid and having carboxyl groups at both terminals, polyester polymer synthesized from dicarboxylic acid and diamine and having carboxyl groups at both terminals, and modified polyvinyl having carboxyl groups A method of reacting the carboxyl group of the anionic polymer with the hydroxyl group on the surface of the solder particle body using alcohol (“Gosenex T” manufactured by Nippon Kosei Chemical Co., Ltd.) or the like is exemplified.

상기 음이온 중합체의 음이온 부분으로서는, 상기 카르복실기를 들 수 있고, 그 이외에는, 토실기(p-H3CC6H4S(=O)2-), 술폰산 이온기(-SO3-) 및 인산 이온기(-PO4-) 등을 들 수 있다.Examples of the anionic moiety of the anionic polymer include the carboxyl group, and other than that, a tosyl group (pH 3 CC 6 H 4 S(=O) 2 -), a sulfonic acid ion group (-SO 3 -), and a phosphate ion group ( -PO 4 -) and the like.

또한, 다른 방법으로서는, 땜납 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기를 갖고, 또한 부가, 축합 반응에 의해 중합 가능한 관능기를 갖는 화합물을 사용하여, 이 화합물을 땜납 입자 본체의 표면 상에서 중합체화하는 방법을 들 수 있다. 땜납 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기로서는, 카르복실기 및 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 부가, 축합 반응에 의해 중합하는 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 (메트)아크릴로일기를 들 수 있다.Further, as another method, using a compound having a functional group that reacts with a hydroxyl group on the surface of the solder particle body and having a functional group that can be polymerized by addition or condensation reaction, a method of polymerizing this compound on the surface of the solder particle body can be heard Examples of the functional group reacting with the hydroxyl group on the surface of the solder particle body include a carboxyl group and an isocyanate group, and examples of the functional group to be polymerized by addition and condensation reaction include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, and a (meth)acryloyl group. .

상기 음이온 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2000 이상, 보다 바람직하게는 3000 이상, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 8000 이하이다.The weight average molecular weight of the anionic polymer is preferably 2000 or more, more preferably 3000 or more, preferably 10000 or less, more preferably 8000 or less.

상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 입자 본체의 표면 상에 음이온 중합체를 배치하는 것이 용이하고, 땜납 입자의 표면의 제타 전위를 플러스로 하는 것이 용이해서, 전극 상에 땜납 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.When the weight average molecular weight is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, it is easy to arrange the anionic polymer on the surface of the solder particle body, and it is easy to make the zeta potential of the surface of the solder particle positive, so that the solder particle on the electrode can be arranged more efficiently.

상기 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산에서의 중량 평균 분자량을 나타낸다.The said weight average molecular weight shows the weight average molecular weight in polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC).

땜납 입자 본체를 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량은, 땜납 입자 중의 땜납을 용해하고, 중합체의 분해를 일으키지 않는 희염산 등에 의해, 땜납 입자를 제거한 후, 잔존하고 있는 중합체의 중량 평균 분자량을 측정함으로써 구할 수 있다.The weight average molecular weight of the polymer obtained by surface-treating the solder particle body with an anionic polymer compound is the amount of the polymer remaining after the solder particles are removed with dilute hydrochloric acid or the like that dissolves the solder in the solder particles and does not cause polymer decomposition. It can obtain|require by measuring a weight average molecular weight.

상기 땜납은 융점이 450℃ 이하인 금속(저융점 금속)인 것이 바람직하다. 상기 땜납 입자는, 융점이 450℃ 이하인 금속 입자(저융점 금속 입자)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는, 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 해당 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하인 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 땜납 입자는 주석을 포함한다. 상기 땜납 입자에 포함되는 금속 100중량% 중, 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 땜납 입자에 있어서의 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면, 땜납부와 전극과의 접속 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The solder is preferably a metal (low-melting-point metal) having a melting point of 450° C. or less. It is preferable that the said solder particle is a metal particle (low-melting-point metal particle) melting|fusing point 450 degrees C or less. The said low-melting-point metal particle|grains are particle|grains containing a low-melting-point metal. The said low-melting-point metal shows the metal whose melting|fusing point is 450 degrees C or less. The melting point of the low-melting-point metal is preferably 300°C or lower, more preferably 160°C or lower. Further, the solder particles contain tin. The content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, particularly preferably 90% by weight or more in 100% by weight of the metal contained in the solder particles. to be. When the content of tin in the solder particles is equal to or greater than the lower limit, the reliability of the connection between the solder portion and the electrode is further improved.

또한, 상기 주석의 함유량은, 고주파 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사꾸쇼사 제조 「ICP-AES」) 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사꾸쇼사 제조 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.In addition, the content of the said tin is a high frequency inductively coupled plasma emission spectroscopy apparatus ("ICP-AES" manufactured by Horiba Seisakusho) or a fluorescence X-ray analyzer ("EDX-800HS" manufactured by Shimadzu Corporation) etc. can be measured using

상기 땜납 입자를 사용함으로써, 땜납이 용융해서 전극에 접합하여, 땜납부가 전극 사이를 도통시킨다. 예를 들어, 땜납부와 전극이 점 접촉이 아니라 면 접촉하기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납 입자의 사용에 의해, 땜납부와 전극과의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납부와 전극과의 박리가 보다 한층 발생하기 어려워져, 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 효과적으로 높아진다.By using the above-mentioned solder particles, the solder is melted and joined to the electrodes, so that the solder portion conducts between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode easily come into surface contact instead of point contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of the solder particles increases the bonding strength between the solder portion and the electrode. As a result, peeling between the solder portion and the electrode becomes more difficult to occur, effectively improving the conduction reliability and connection reliability.

상기 땜납 입자를 구성하는 금속(저융점 금속)은 특별히 한정되지 않는다. 해당 저융점 금속은 주석, 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 해당 합금은 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.The metal (low-melting-point metal) constituting the solder particles is not particularly limited. It is preferable that this low-melting-point metal is tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. In view of excellent wettability to the electrode, the low-melting-point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy. It is more preferable that they are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.

상기 땜납 입자는 JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재(溶加材)인 것이 바람직하다. 상기 땜납 입자의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 저융점이고 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정(共晶)), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)가 바람직하다. 즉, 상기 땜납 입자는 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하거나, 또는 주석과 비스무트를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said solder particle is a filler metal whose liquidus line is 450 degrees C or less based on JIS Z3001: Welding term. As a composition of the said solder particle, the metal composition containing zinc, gold|metal|money, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium, etc. is mentioned, for example. A tin-indium-based (117°C process) or a tin-bismuth-based (139°C process) that is low-melting and lead-free is preferred. That is, the solder particles preferably do not contain lead, contain tin and indium, or contain tin and bismuth.

상기 땜납부와 전극과의 접합 강도를 보다 한층 높이기 위해서, 상기 땜납 입자는 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 인, 게르마늄, 텔루륨, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있어도 된다. 또한, 땜납부와 전극과의 접합 강도를 더 한층 높이는 관점에서는, 상기 땜납 입자는 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부와 전극과의 접합 강도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이들 금속의 함유량은, 땜납 입자 100중량% 중, 바람직하게는 0.0001중량% 이상, 바람직하게는 1중량% 이하이다.In order to further increase the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder particles may include nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium, Metals, such as molybdenum and palladium, may be included. Further, from the viewpoint of further enhancing the bonding strength between the solder portion and the electrode, it is preferable that the solder particles contain nickel, copper, antimony, aluminum or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight or less, in 100% by weight of the solder particles.

상기 땜납 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 5㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 미만, 보다 한층 바람직하게는 75㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 60㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하, 특히 바람직하게는 15㎛ 이하, 가장 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 입자를 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경은 3㎛ 이상, 30㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.The average particle diameter of the solder particles is preferably 0.5 µm or more, more preferably 1 µm or more, still more preferably 3 µm or more, particularly preferably 5 µm or more, preferably 100 µm or less, more preferably Less than 80 µm, still more preferably 75 µm or less, still more preferably 60 µm or less, still more preferably 40 µm or less, still more preferably 30 µm or less, still more preferably 20 µm or less, particularly preferably preferably 15 μm or less, and most preferably 10 μm or less. When the average particle diameter of the solder particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder particles can be more efficiently disposed on the electrode. It is especially preferable that the average particle diameter of the said solder particle is 3 micrometers or more and 30 micrometers or less.

상기 땜납 입자의 「평균 입자 직경」은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 땜납 입자의 평균 입자 직경은 예를 들어 임의의 땜납 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출하는 것이나, 레이저 회절식 입도 분포 측정을 행함으로써 구할 수 있다.The "average particle diameter" of the said solder particle shows a number average particle diameter. The average particle diameter of the solder particles can be obtained by, for example, observing 50 arbitrary solder particles with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value, or performing laser diffraction particle size distribution measurement.

상기 땜납 입자의 입자 직경의 변동 계수는 바람직하게는 5% 이상, 보다 바람직하게는 10% 이상, 바람직하게는 40% 이하, 보다 바람직하게는 30% 이하이다. 상기 입자 직경의 변동 계수가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 땜납 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 단, 상기 땜납 입자의 입자 직경의 변동 계수는 5% 미만이어도 된다.The coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 40% or less, and more preferably 30% or less. If the coefficient of variation of the particle diameter is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder particles can be more efficiently disposed on the electrode. However, the coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles may be less than 5%.

상기 변동 계수(CV값)는 하기 식으로 표현된다.The coefficient of variation (CV value) is expressed by the following formula.

CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (ρ/Dn) × 100

ρ: 땜납 입자의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameter of the solder particles

Dn: 땜납 입자의 입자 직경의 평균값Dn: average value of particle diameters of solder particles

상기 땜납 입자의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 땜납 입자의 형상은 구 형상이어도 되고, 편평 형상 등의 구 형상 이외의 형상이어도 된다.The shape of the solder particles is not particularly limited. A spherical shape may be sufficient as the shape of the said solder particle, and shapes other than a spherical shape, such as a flat shape, may be sufficient as it.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 땜납 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 2중량% 이상, 더욱 바람직하게는 10중량% 이상, 특히 바람직하게는 20중량% 이상, 특히 바람직하게는 30중량% 이상, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 땜납 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 땜납 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 땜납 입자를 많이 배치하는 것이 용이해서, 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 땜납 입자의 함유량은 많은 것이 바람직하다.The content of the solder particles in 100% by weight of the conductive paste is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, particularly Preferably it is 30 weight% or more, Preferably it is 80 weight% or less, More preferably, it is 60 weight% or less, More preferably, it is 50 weight% or less. When the content of the solder particles is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the solder particles can be more efficiently disposed on the electrode, and it is easy to arrange a large number of solder particles between the electrodes, and the conduction reliability is further improved. It is preferable that there is much content of the said solder particle from a viewpoint of further improving conduction|electrical_connection reliability.

전극이 형성되어 있는 부분의 라인(L)이 50㎛ 이상, 150㎛ 미만인 경우에, 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 땜납 입자의 함유량은 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 바람직하게는 55중량% 이하, 보다 바람직하게는 45중량% 이하이다.When the line L of the portion where the electrode is formed is 50 µm or more and less than 150 µm, from the viewpoint of further improving the conduction reliability, the content of the solder particles in 100 wt% of the conductive paste is preferably 20 wt. % or more, more preferably 30 weight% or more, preferably 55 weight% or less, more preferably 45 weight% or less.

전극이 형성되어 있지 않은 부분의 스페이스(S)가 50㎛ 이상, 150㎛ 미만인 경우에, 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 땜납 입자의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 바람직하게는 70중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하이다.When the space (S) in the portion where the electrode is not formed is 50 µm or more and less than 150 µm, the content of the solder particles in 100 wt% of the conductive paste is preferably 30 from the viewpoint of further improving the conduction reliability. It is weight % or more, More preferably, it is 40 weight% or more, Preferably it is 70 weight% or less, More preferably, it is 60 weight% or less.

전극이 형성되어 있는 부분의 라인(L)이 150㎛ 이상, 1000㎛ 미만인 경우에, 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 땜납 입자의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 바람직하게는 70중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하이다.When the line L of the portion where the electrode is formed is 150 µm or more and less than 1000 µm, the content of the solder particles in 100 wt% of the conductive paste is preferably 30 wt% from the viewpoint of further improving the conduction reliability. % or more, more preferably 40 weight% or more, preferably 70 weight% or less, and more preferably 60 weight% or less.

전극이 형성되어 있지 않은 부분의 스페이스(S)가 150㎛ 이상, 1000㎛ 미만인 경우에, 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 땜납 입자의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 바람직하게는 70중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하이다.When the space S in the portion where no electrodes are formed is 150 µm or more and less than 1000 µm, the content of the solder particles in 100 wt% of the conductive paste is preferably 30 from the viewpoint of further enhancing the conduction reliability. It is weight % or more, More preferably, it is 40 weight% or more, Preferably it is 70 weight% or less, More preferably, it is 60 weight% or less.

(스페이서)(spacer)

상기 스페이서는, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 접하도록 적합하게 사용된다. 따라서, 본 발명에 따른 도전 페이스트는, 상기 스페이서가 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 접하도록 적합하게 사용된다. 상기 스페이서는, 상기 제1 접속 대상 부재의 상기 제1 전극(상기 제1 전극이 설치되어 있는 영역)과 상기 제2 접속 대상 부재의 상기 제2 전극(상기 제2 전극이 설치되어 있는 영역)의 양쪽에 접하도록 적합하게 사용된다. 상기 스페이서는, 상기 제1 접속 대상 부재의 상기 제1 전극이 설치되어 있지 않은 영역과 상기 제2 접속 대상 부재의 상기 제2 전극이 설치되어 있지 않은 영역의 양쪽에도 접하도록 적합하게 사용된다. 도전 접속 시에 땜납이 전극 사이에 모이려고 하는 작용에 의해, 스페이서는 전극이 설치되어 있지 않은 영역에 이동하기 쉽다. 한편, 상기 스페이서는 전극 사이에 배치되는 경우가 있다.The said spacer is used suitably so that it may contact with both the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member. Therefore, the electrically conductive paste which concerns on this invention is used suitably so that the said spacer may contact both the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member. The spacer is formed between the first electrode (region where the first electrode is provided) of the first connection target member and the second electrode (region where the second electrode is provided) of the second connection target member. It is suitably used so that it is in contact with both sides. The spacer is suitably used so as to be in contact with both a region of the first connection object member where the first electrode is not provided and a region of the second connection object member where the second electrode is not provided. Due to the action that the solder tends to collect between the electrodes during conductive connection, the spacer tends to move to the area where the electrode is not provided. On the other hand, the spacer may be disposed between the electrodes.

상기 스페이서의 융점은 250℃ 이상이다. 제1 전극과 제2 전극의 전기적인 접속 시에, 상기 스페이서가 용융하지 않도록, 융점이 높게 설정되어 있다. 상기 스페이서의 융점의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 스페이서의 융점은 400℃ 이하이어도 된다.The melting point of the spacer is 250° C. or higher. When the first electrode and the second electrode are electrically connected, the melting point is set high so that the spacer does not melt. The upper limit of the melting point of the spacer is not particularly limited. The melting point of the spacer may be 400° C. or less.

스페이서의 용융을 보다 한층 방지하는 관점에서는, 상기 스페이서의 융점은 바람직하게는 300℃ 이상, 보다 바람직하게는 350℃ 이상이다.From the viewpoint of further preventing the melting of the spacer, the melting point of the spacer is preferably 300°C or higher, more preferably 350°C or higher.

상기 스페이서는 수지 입자이어도 된다. 수지 입자의 재료로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체 및 비닐벤젠-스티렌 공중합체나 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등의 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자의 재료는, 에틸렌성 불포화 기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다. 특히, 디비닐벤젠 중합체, 폴리이미드 또는 폴리아미드이미드가 바람직하다.The spacer may be a resin particle. As the material of the resin particles, for example, polyolefin resin, acrylic resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, poly Divinyl such as phenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, divinylbenzene polymer and vinylbenzene-styrene copolymer or divinylbenzene-(meth)acrylic acid ester copolymer A benzene-type copolymer etc. are mentioned. Since the hardness of the resin particles can be easily controlled within a suitable range, the material of the resin particles is preferably a polymer obtained by polymerizing one or two or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. In particular, divinylbenzene polymers, polyimides or polyamideimides are preferred.

또한, 상기 스페이서의 재료로서는, 수지 이외에, 실리카, 유리, 석영, 실리콘, 금속 및 금속 산화물 등을 들 수 있다. 상기 스페이서의 재료는 금속이 아니어도 된다. 상기 스페이서의 재료는 수지인 것이 바람직하고, 디비닐벤젠계 공중합체인 것이 보다 바람직하다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체는, 예를 들어 공중합 성분으로서 디비닐벤젠을 포함한다.Moreover, as a material of the said spacer, silica, glass, quartz, silicon, a metal, a metal oxide, etc. other than resin are mentioned. The material of the spacer may not be metal. It is preferable that the material of the said spacer is resin, and it is more preferable that it is a divinylbenzene type copolymer. The said divinylbenzene-type copolymer contains divinylbenzene as a copolymerization component, for example.

가로 방향에 인접하는 전극 사이에 스페이서가 배치되는 경우가 있으므로, 절연 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 스페이서는 절연성 입자인 것이 바람직하다.Since a spacer may be arrange|positioned between the electrodes adjacent to the horizontal direction, it is preferable that the said spacer is insulating particle|grains from a viewpoint of further improving insulation reliability.

상기 스페이서의 평균 입자 직경은 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 상기 스페이서의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 간격을 보다 한층 고정밀도로 제어할 수 있고, 땜납 입자를 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.The average particle diameter of the spacer is preferably 10 µm or more, more preferably 20 µm or more, still more preferably 25 µm or more, preferably 100 µm or less, more preferably 75 µm or less, still more preferably 50 µm or less. When the average particle diameter of the spacer is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the distance between the electrodes can be controlled with much higher precision, and the solder particles can be more efficiently disposed on the electrode.

상기 스페이서의 「평균 입자 직경」은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 스페이서의 평균 입자 직경은 예를 들어 임의의 스페이서 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출하는 것이나, 레이저 회절식 입도 분포 측정을 행함으로써 구할 수 있다.The "average particle diameter" of the said spacer represents a number average particle diameter. The average particle diameter of a spacer can be calculated|required, for example by observing 50 arbitrary spacers with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value, or performing laser diffraction type particle size distribution measurement.

전극 사이를 고정밀도로 제어하고, 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치하는 관점에서, 상기 스페이서의 평균 입자 직경은 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경보다도 크다.The average particle diameter of the spacer is larger than the average particle diameter of the solder particles from the viewpoint of controlling the spacing between the electrodes with high precision and arranging the solder efficiently on the electrode.

전극 사이를 보다 한층 고정밀도로 제어하고, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 스페이서의 평균 입자 직경의, 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경에 대한 비(스페이서의 평균 입자 직경/땜납 입자의 평균 입자 직경)는 바람직하게는 1.1 이상, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 더욱 바람직하게는 2 이상, 바람직하게는 15 이하, 보다 바람직하게는 10 이하, 더욱 바람직하게는 8 이하이다. 전극 사이를 더한층 고정밀도로 제어하고, 땜납을 전극 상에 더한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 스페이서의 평균 입자 직경의, 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경에 대한 비(스페이서의 평균 입자 직경/땜납 입자의 평균 입자 직경)는 바람직하게는 1.0 이상, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 바람직하게는 15 이하, 보다 바람직하게는 10 이하이다.From the viewpoint of controlling the spacing between the electrodes with higher precision and arranging the solder on the electrode more efficiently, the ratio of the average particle diameter of the spacer to the average particle diameter of the solder particles (average particle diameter of the spacer/solder) The average particle diameter of the particles) is preferably 1.1 or more, more preferably 1.5 or more, still more preferably 2 or more, preferably 15 or less, more preferably 10 or less, still more preferably 8 or less. From the viewpoint of controlling the spacing between the electrodes with higher precision and arranging the solder on the electrode more efficiently, the ratio of the average particle diameter of the spacer to the average particle diameter of the solder particles (average particle diameter of the spacer/of the solder particles) Average particle diameter) is preferably 1.0 or more, more preferably 1.5 or more, preferably 15 or less, more preferably 10 or less.

상기 스페이서의 입자 직경의 변동 계수는 바람직하게는 3% 이상, 보다 바람직하게는 5% 이상, 바람직하게는 30% 이하, 보다 바람직하게는 20% 이하이다. 상기 입자 직경의 변동 계수가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 간격을 보다 한층 고정밀도로 제어할 수 있다.The coefficient of variation of the particle diameter of the spacer is preferably 3% or more, more preferably 5% or more, preferably 30% or less, and more preferably 20% or less. When the coefficient of variation of the particle diameter is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the distance between the electrodes can be controlled with much higher precision.

상기 변동 계수(CV값)는 하기 식으로 표현된다.The coefficient of variation (CV value) is expressed by the following formula.

CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (ρ/Dn) × 100

ρ: 스페이서의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameter of the spacer

Dn: 스페이서의 입자 직경의 평균값Dn: average value of the particle diameter of the spacer

전극 사이를 보다 한층 고정밀도로 제어하고, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 땜납 입자의 중량% 단위에서의 함유량(도전 페이스트 100중량% 중)의, 상기 스페이서의 중량% 단위에서의 함유량(도전 페이스트 100중량% 중)에 대한 비(땜납 입자의 함유량(중량%)/스페이서의 함유량(중량%))는 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 10 이상, 바람직하게는 100 이하, 보다 바람직하게는 80 이하, 더욱 바람직하게는 70이다.From the viewpoint of controlling the spacing between the electrodes with much higher precision and arranging the solder on the electrode more efficiently, the content (in 100% by weight of the conductive paste) in the weight % unit of the solder particles is in the weight % unit of the spacer. The ratio (content of solder particles (weight%)/content of spacers (weight%)) with respect to the content (in 100% by weight of the conductive paste) is preferably 2 or more, more preferably 5 or more, and still more preferably 10 or more, Preferably it is 100 or less, More preferably, it is 80 or less, More preferably, it is 70.

전극 사이를 보다 한층 고정밀도로 제어하고, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 스페이서의 10% K값(10% 압축했을 때의 압축 탄성률)는 바람직하게는 2000N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 3500N/mm2 이상, 바람직하게는 8000N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 6000N/mm2 이하이다. 또한, 상기 스페이서의 10% K값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 스페이서가 제1 전극과 제2 전극의 양쪽에 접한 후에, 스페이서의 과도한 이동을 방지할 수 있고, 땜납 입자의 응집이 촉진되어, 제1 전극과 제2 전극의 위치 어긋남도 방지할 수 있고, 도통 신뢰성을 높일 수 있다.From the viewpoint of controlling the spacing between the electrodes even more precisely and arranging the solder on the electrodes more efficiently, the 10% K value of the spacer (compressive modulus when compressed by 10%) is preferably 2000 N/mm 2 or more. , More preferably 3500N/mm 2 or more, preferably 8000 N/mm 2 or less, more preferably 6000 N/mm 2 or less. In addition, when the 10% K value of the spacer is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, excessive movement of the spacer can be prevented after the spacer contacts both the first electrode and the second electrode, and aggregation of the solder particles is promoted. Therefore, the position shift between the first electrode and the second electrode can also be prevented, and the conduction reliability can be improved.

상기 스페이서의 10% K값은 이하와 같이 해서 측정할 수 있다.The 10% K value of the spacer can be measured as follows.

미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃, 최대 시험 하중 90mN을 30초에 걸쳐 부하하는 조건 하에서 스페이서를 압축한다. 이때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터, 압축 탄성률을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사 제조 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.Using a micro compression tester, the spacer is compressed on the smooth indenter end face of a cylinder (50 µm in diameter, made of diamond) under conditions of applying a maximum test load of 90 mN at 25°C over 30 seconds. At this time, the load value (N) and the compression displacement (mm) are measured. From the obtained measured value, a compressive elastic modulus can be calculated|required by a following formula. As said micro compression tester, "Fischer Scope H-100" by a Fischer company etc. is used, for example.

K값(N/mm2)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 K value (N/mm 2 )=(3/2 1/2 ) F S -3/2 R -1/2

F: 스페이서가 10% 압축 변형되었을 때의 하중값(N)F: Load value (N) when the spacer is compressively deformed by 10%

S: 스페이서가 10% 압축 변형되었을 때의 압축 변위(mm)S: Compressive displacement when the spacer is compressed by 10% (mm)

R: 스페이서의 반경(mm)R: Radius of spacer (mm)

전극 사이를 보다 한층 고정밀도로 제어하고, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 스페이서의 압축 회복률은 바람직하게는 30% 이상, 보다 바람직하게는 40% 이상, 바람직하게는 80% 이하, 보다 바람직하게는 70% 이하이다. 또한, 상기 스페이서의 압축 회복률이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 스페이서가 제1 전극과 제2 전극의 양쪽에 접한 후에, 스페이서의 과도한 이동을 방지할 수 있고, 땜납 입자의 응집이 촉진되어, 제1 전극과 제2 전극의 위치 어긋남도 방지할 수 있고, 도통 신뢰성을 높일 수 있다.From the viewpoint of controlling the spacing between the electrodes more precisely and arranging the solder on the electrodes more efficiently, the compression recovery factor of the spacer is preferably 30% or more, more preferably 40% or more, and preferably 80%. Below, more preferably, it is 70 % or less. In addition, if the compression recovery factor of the spacer is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, after the spacer contacts both the first electrode and the second electrode, excessive movement of the spacer can be prevented, and aggregation of the solder particles is promoted, A position shift between the first electrode and the second electrode can also be prevented, and conduction reliability can be improved.

상기 압축 회복률은 이하와 같이 해서 측정할 수 있다.The said compression recovery factor can be measured as follows.

시료대 상에 스페이서를 살포한다. 살포된 스페이서 1개에 대해서, 미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥(직경 100㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃에서, 스페이서의 중심 방향으로, 스페이서가 40% 압축 변형될 때까지 부하(반전 하중값)를 부여한다. 그 후, 원점용 하중값(0.40mN)까지 제하를 행한다. 그 동안의 하중-압축 변위를 측정하여, 하기 식으로부터 압축 회복률을 구할 수 있다. 또한, 부하 속도는 0.33mN/초로 한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사 제조 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.Spread the spacer on the sample stage. For one sprayed spacer, using a micro compression tester, on the smooth indenter end face of a cylinder (100 µm in diameter, made of diamond), at 25°C, in the direction of the center of the spacer, until the spacer is compressively deformed by 40% A load (reverse load value) is applied. Then, unloading is performed to the load value for origin (0.40 mN). By measuring the load-compression displacement during that time, the compression recovery factor can be calculated|required from the following formula. In addition, the load speed shall be 0.33 mN/sec. As said micro compression tester, "Fischer Scope H-100" by a Fischer company etc. is used, for example.

압축 회복률(%)=[(L1-L2)/L1]×100Compression recovery rate (%) = [(L1-L2)/L1] × 100

L1: 부하를 부여할 때의 원점용 하중값으로부터 반전 하중값에 이르기까지의 압축 변위L1: Compressive displacement from the origin load value to the reversal load value when a load is applied

L2: 부하를 해방할 때의 반전 하중값으로부터 원점용 하중값에 이르기까지의 제하 변위L2: unloading displacement from the reversal load value when the load is released to the origin load value

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 스페이서의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량% 이상, 더욱 바람직하게는 1중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하, 더욱 바람직하게는 4중량% 이하, 특히 바람직하게는 3중량% 이하이다. 상기 스페이서의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 간격을 보다 한층 고정밀도로 제어할 수 있고, 전극 상에 땜납 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있으며, 전극 사이에 땜납 입자를 많이 배치하는 것이 용이해서, 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.In 100 weight% of the said electrically conductive paste, content of the said spacer becomes like this. Preferably it is 0.1 weight% or more, More preferably, it is 0.5 weight% or more, More preferably, it is 1 weight% or more, Preferably it is 10 weight% or less, More preferably, is 5 wt% or less, more preferably 4 wt% or less, particularly preferably 3 wt% or less. When the content of the spacer is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the distance between the electrodes can be controlled with much higher precision, the solder particles can be more efficiently disposed on the electrodes, and the number of solder particles between the electrodes can be increased. It is easy to arrange|position, and conduction|electrical_connection reliability becomes still higher.

(열경화성 화합물: 열경화성 성분)(thermosetting compound: thermosetting component)

상기 열경화성 화합물은 가열에 의해 경화 가능한 화합물이다. 상기 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. 도전 페이스트의 경화성 및 점도를 보다 한층 양호하게 하고, 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 에폭시 화합물이 바람직하다.The thermosetting compound is a compound curable by heating. As said thermosetting compound, an oxetane compound, an epoxy compound, an episulfide compound, a (meth)acrylic compound, a phenol compound, an amino compound, an unsaturated polyester compound, a polyurethane compound, a silicone compound, a polyimide compound, etc. are mentioned. An epoxy compound is preferable from a viewpoint of making sclerosis|hardenability and a viscosity of an electrically conductive paste still more favorable and improving connection reliability further.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 열경화성 화합물의 함유량은 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다. 내충격성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 성분의 함유량은 많은 것이 바람직하다.In 100 weight% of the said electrically conductive paste, content of the said thermosetting compound becomes like this. Preferably it is 20 weight% or more, More preferably, it is 40 weight% or more, More preferably, it is 50 weight% or more, Preferably it is 99 weight% or less, More preferably. Preferably it is 98 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, Especially preferably, it is 80 weight% or less. From a viewpoint of further improving impact resistance, it is preferable that there is much content of the said thermosetting component.

(열경화제: 열경화성 성분)(thermosetting agent: thermosetting component)

상기 열경화제는 상기 열경화성 화합물을 열경화시킨다. 상기 열경화제로서는, 이미다졸 경화제, 아민 경화제, 페놀 경화제, 폴리티올 경화제 등의 티올 경화제, 산 무수물, 열 양이온 개시제(열 양이온 경화제) 및 열 라디칼 발생제 등을 들 수 있다. 상기 열경화제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound. Examples of the thermosetting agent include thiol curing agents such as imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents and polythiol curing agents, acid anhydrides, thermal cationic initiators (thermal cationic curing agents), thermal radical generators, and the like. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

도전 페이스트를 저온에서 보다 한층 빠르게 경화 가능하므로, 이미다졸 경화제, 티올 경화제 또는 아민 경화제가 바람직하다. 또한, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물과 상기 열경화제를 혼합했을 때 보존 안정성이 높아지므로, 잠재성의 경화제가 바람직하다. 잠재성의 경화제는 잠재성 이미다졸 경화제, 잠재성 티올 경화제 또는 잠재성 아민 경화제인 것이 바람직하다. 또한, 상기 열경화제는 폴리우레탄 수지 또는 폴리에스테르 수지 등의 고분자 물질로 피복되어 있어도 된다.An imidazole curing agent, a thiol curing agent, or an amine curing agent is preferable because the conductive paste can be cured much faster at a low temperature. Moreover, since storage stability becomes high when a sclerosing|hardenable compound which can be hardened by heating and the said thermosetting agent are mixed, a latent hardening|curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent thiol curing agent or a latent amine curing agent. Further, the thermosetting agent may be coated with a polymer material such as a polyurethane resin or a polyester resin.

상기 이미다졸 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 및 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as said imidazole hardening|curing agent, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenyl Imidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6-[2' -Methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct etc. are mentioned.

상기 티올 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트 및 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.The thiol curing agent is not particularly limited, and trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate, etc. can be heard

상기 아민 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고, 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라스피로[5.5]운데칸, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 메타페닐렌디아민 및 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.The amine curing agent is not particularly limited, hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraspiro[5.5]undecane; Bis(4-aminocyclohexyl)methane, metaphenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, etc. are mentioned.

상기 열 양이온 개시제로서는, 요오도늄계 양이온 경화제, 옥소늄계 양이온 경화제 및 술포늄계 양이온 경화제 등을 들 수 있다. 상기 요오도늄계 양이온 경화제로서는, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 옥소늄계 양이온 경화제로서는, 트리메틸옥소늄테트라플루오로보레이트 등을 들 수 있다. 상기 술포늄계 양이온 경화제로서는, 트리-p-톨릴술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the thermal cationic initiator include an iodonium-based cationic curing agent, an oxonium-based cationic curing agent, and a sulfonium-based cationic curing agent. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis(4-tert-butylphenyl)iodonium hexafluorophosphate. Trimethyloxonium tetrafluoroborate etc. are mentioned as said oxonium-type cation hardening|curing agent. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.

상기 열 라디칼 발생제로서는, 특별히 한정되지 않고, 아조 화합물 및 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 상기 아조 화합물로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 등을 들 수 있다. 상기 유기 과산화물로서는, 디-tert-부틸퍼옥시드 및 메틸에틸케톤퍼옥시드 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as said thermal radical generating agent, An azo compound, an organic peroxide, etc. are mentioned. As said azo compound, azobisisobutyronitrile (AIBN) etc. are mentioned. Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 입자가 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, still more preferably 80°C or higher, preferably 250°C or lower, more preferably 200°C or lower, still more preferably 150°C or lower, particularly preferably 140°C or lower. When the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the solder particles are more efficiently disposed on the electrode. It is especially preferable that the reaction initiation temperature of the said thermosetting agent is 80 degreeC or more and 140 degrees C or less.

땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화제의 반응 개시 온도는, 상기 땜납 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder on the electrode, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably higher than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5°C or higher, and 10°C or higher. High is more preferable.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는, DSC에서의 발열 피크의 상승 개시의 온도를 의미한다.The reaction initiation temperature of the thermosetting agent means the temperature at which the exothermic peak in DSC starts to rise.

상기 열경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 열경화성 화합물 100중량부에 대하여 상기 열경화제의 함유량은 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상, 바람직하게는 200중량부 이하, 보다 바람직하게는 100중량부 이하, 더욱 바람직하게는 75중량부 이하이다. 열경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 도전 페이스트를 충분히 경화시키는 것이 용이하다. 열경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않은 잉여의 열경화제가 잔존하기 어려워지고, 또한 경화물의 내열성이 보다 한층 높아진다.Content of the said thermosetting agent is not specifically limited. The content of the thermosetting agent relative to 100 parts by weight of the thermosetting compound is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, still more preferably It is preferably 75 parts by weight or less. It is easy to fully harden an electrically conductive paste as content of a thermosetting agent is more than the said minimum. When content of a thermosetting agent is below the said upper limit, it becomes difficult to remain after hardening of the excess thermosetting agent which is not involved in hardening, and the heat resistance of hardened|cured material becomes still higher.

(플럭스)(flux)

상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효과적으로 배치할 수 있다. 해당 플럭스는 특별히 한정되지 않는다. 플럭스로서, 땜납 접합 등에 일반적으로 사용되고 있는 플럭스를 사용할 수 있다. 상기 플럭스로서는, 예를 들어 염화아연, 염화아연과 무기 할로겐화물과의 혼합물, 염화아연과 무기산과의 혼합물, 용융염, 인산, 인산의 유도체, 유기 할로겐화물, 히드라진, 유기산 및 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The conductive paste preferably contains a flux. By using the flux, the solder can be more effectively disposed on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for solder bonding and the like can be used. Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. have. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 용융염으로서는, 염화암모늄 등을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 락트산, 시트르산, 스테아르산, 글루탐산 및 글루타르산 등을 들 수 있다. 상기 송지로서는, 활성화 송지 및 비활성화 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산이어도 되고, 송지이어도 된다. 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지의 사용에 의해, 전극 사이의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.Ammonium chloride etc. are mentioned as said molten salt. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and inactivated pine resin. The flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups and pine resin. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or may be pine resin. By use of the organic acid and pine paper which have two or more carboxyl groups, the conduction|electrical_connection reliability between electrodes becomes still higher.

상기 송지는 아비에트산을 주성분으로 하는 로진류이다. 플럭스는 로진류인 것이 바람직하고, 아비에트산인 것이 보다 바람직하다. 이 바람직한 플럭스의 사용에 의해, 전극 사이의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The pine resin is a rosin containing abietic acid as a main component. It is preferable that it is rosins, and, as for a flux, it is more preferable that it is abietic acid. By using this preferred flux, the conduction reliability between the electrodes is further improved.

상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 190℃ 이하, 보다 한층 바람직하게는 160℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 더한층 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 플럭스의 활성 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 보다 한층 효과적으로 발휘되어, 땜납 입자가 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 플럭스의 활성 온도는 80℃ 이상, 190℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 플럭스의 활성 온도는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The active temperature (melting point) of the flux is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, still more preferably 80°C or higher, preferably 200°C or lower, more preferably 190°C or lower, even more preferably Preferably it is 160 degrees C or less, More preferably, it is 150 degrees C or less, More preferably, it is 140 degrees C or less. When the active temperature of the flux is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the flux effect is more effectively exhibited, and the solder particles are more efficiently disposed on the electrode. The flux activation temperature is preferably 80°C or higher and 190°C or lower. It is particularly preferable that the activation temperature of the flux is 80°C or higher and 140°C or lower.

융점이 80℃ 이상, 190℃ 이하인 상기 플럭스로서는, 숙신산(융점 186℃), 글루타르산(융점 96℃), 아디프산(융점 152℃), 피멜산(융점 104℃), 수베르산(융점 142℃) 등의 디카르복실산, 벤조산(융점 122℃), 말산(융점 130℃) 등을 들 수 있다.Examples of the flux having a melting point of 80°C or higher and 190°C or lower include succinic acid (melting point 186°C), glutaric acid (melting point 96°C), adipic acid (melting point 152°C), pimelic acid (melting point 104°C), suberic acid ( Dicarboxylic acid, such as melting|fusing point 142 degreeC), benzoic acid (melting point 122 degreeC), malic acid (melting point 130 degreeC), etc. are mentioned.

또한, 상기 플럭스의 비점은 200℃ 이하인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the boiling point of the flux is 200° C. or less.

땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은 상기 땜납 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5°C or higher, and still more preferably 10°C or higher. do.

땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은 상기 열경화제의 반응 개시 온도보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the reaction initiation temperature of the thermosetting agent, more preferably 5°C or higher, and still more preferably 10°C or higher.

플럭스의 융점이 땜납의 융점보다 높음으로써, 전극 부분에 땜납 입자를 효율적으로 응집시킬 수 있다. 이것은, 접합 시에 열을 부여한 경우, 접속 대상 부재 상에 형성된 전극과, 전극 주변의 접속 대상 부재의 부분을 비교하면, 전극 부분의 열전도율이 전극 주변의 접속 대상 부재 부분의 열전도율보다도 높음으로써, 전극 부분의 승온이 빠른 것에 기인한다. 땜납 입자의 융점을 초과한 단계에서는, 땜납 입자의 내부는 용해하지만, 표면에 형성된 산화 피막은 플럭스의 융점(활성 온도)에 달하지 않았으므로, 제거되지 않는다. 이 상태에서, 전극 부분의 온도가 먼저, 플럭스의 융점(활성 온도)에 달하기 때문에, 우선적으로 전극 상에 도달한 땜납 입자의 표면의 산화 피막이 제거되어, 땜납 입자가 전극의 표면 상에 번질 수 있다. 이에 의해, 전극 상에 효율적으로 땜납 입자를 응집시킬 수 있다.When the melting point of the flux is higher than the melting point of the solder, it is possible to efficiently aggregate the solder particles in the electrode portion. This is because, when heat is applied at the time of bonding, when the electrode formed on the connection object member is compared with the portion of the connection object member around the electrode, the thermal conductivity of the electrode portion is higher than the thermal conductivity of the portion of the connection object member around the electrode, so that the electrode This is due to the rapid increase in temperature of the portion. At the stage exceeding the melting point of the solder particles, the inside of the solder particles is melted, but the oxide film formed on the surface has not reached the melting point (activation temperature) of the flux and is not removed. In this state, since the temperature of the electrode portion first reaches the melting point (active temperature) of the flux, the oxide film on the surface of the solder particles that preferentially reached on the electrode is removed, so that the solder particles can spread on the surface of the electrode have. Thereby, the solder particles can be efficiently aggregated on the electrode.

상기 플럭스는 도전 페이스트 중에 분산되어 있어도 되고, 땜납 입자의 표면 상에 부착되어 있어도 된다.The flux may be dispersed in the conductive paste or adhered to the surface of the solder particles.

상기 플럭스는 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스인 것이 바람직하다. 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스의 사용에 의해, 땜납 입자를 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.Preferably, the flux is a flux that releases positive ions by heating. By using a flux that emits positive ions by heating, solder particles can be more efficiently disposed on the electrode.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다. 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하고 있지 않아도 된다. 플럭스의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 및 전극의 표면에 산화 피막이 보다 한층 형성되기 어려워지고, 또한 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화 피막을 보다 한층 효과적으로 제거할 수 있다.In 100 weight% of the said electrically conductive paste, content of the said flux becomes like this. Preferably it is 0.5 weight% or more, Preferably it is 30 weight% or less, More preferably, it is 25 weight% or less. The said electrically conductive paste does not need to contain a flux. When the flux content is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, an oxide film is more difficult to form on the surfaces of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode can be removed more effectively.

(필러)(filler)

상기 도전 페이스트에는, 필러를 첨가해도 된다. 필러는 유기 필러이어도 되고, 무기 필러이어도 된다. 필러의 첨가에 의해, 땜납 입자가 응집하는 거리를 억제하여, 기판의 전체 전극 상에 대하여 땜납 입자를 균일하게 응집시킬 수 있다.You may add a filler to the said electrically conductive paste. An organic filler may be sufficient as a filler, and an inorganic filler may be sufficient as it. By adding the filler, the distance at which the solder particles aggregate can be suppressed, and the solder particles can be uniformly aggregated over all the electrodes of the substrate.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 필러의 함유량은 바람직하게는 0중량% 이상, 바람직하게는 5중량% 이하, 보다 바람직하게는 2중량% 이하, 더욱 바람직하게는 1중량% 이하이다. 상기 필러의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 입자가 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다.In 100 weight% of the said electrically conductive paste, content of the said filler becomes like this. Preferably it is 0 weight% or more, Preferably it is 5 weight% or less, More preferably, it is 2 weight% or less, More preferably, it is 1 weight% or less. If the content of the filler is greater than or equal to the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder particles are more efficiently disposed on the electrode.

(다른 성분)(other ingredients)

상기 도전 페이스트는, 필요에 따라, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The electrically conductive paste, if necessary, for example, various additives such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants may contain

(접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법)(A bonded structure and a manufacturing method of a bonded structure)

본 발명에 따른 접속 구조체는, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 접속부가 상술한 도전 페이스트에 의해 형성되어 있고, 상술한 도전 페이스트의 경화물이다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 접속부의 재료가 상술한 도전 페이스트이다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 상기 스페이서는, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 접촉하고 있는 것이 바람직하다.A connection structure according to the present invention includes a first connection object member having at least one first electrode on its surface, a second connection object member having at least one second electrode on its surface, the first connection object member; The connection part which connects the said 2nd connection object member is provided. In the bonded structure according to the present invention, the connection portion is formed of the above-described conductive paste, and is a cured product of the above-described conductive paste. In the connection structure which concerns on this invention, the material of the said connection part is the electrically conductive paste mentioned above. In the connection structure which concerns on this invention, the said 1st electrode and the said 2nd electrode are electrically connected by the solder part in the said connection part. It is preferable that the said spacer is in contact with both the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법은 상술한 도전 페이스트를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과, 상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 땜납 입자의 융점 이상이며 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비한다. 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 상기 스페이서를 접촉시키는 것이 바람직하다.The manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention uses the above-mentioned electrically conductive paste, The process of arrange|positioning the said electrically conductive paste on the surface of the 1st connection object member which has at least one 1st electrode on the surface, The said electrically conductive paste disposing a second connection object member having at least one second electrode on the surface on a surface opposite to the first connection object member side so that the first electrode and the second electrode face; By heating the conductive paste above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component, a connection portion connecting the first connection object member and the second connection object member is formed with the conductive paste, and further comprising a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion. It is preferable to make the said spacer contact both of the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member.

본 발명에 따른 접속 구조체 및 본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 특정한 도전 페이스트를 사용하고 있으므로, 복수의 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극의 사이에 모이기 쉬워, 복수의 땜납 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 땜납 입자의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납 입자의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극의 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In the bonded structure according to the present invention and the method for manufacturing the bonded structure according to the present invention, since a specific conductive paste is used, a plurality of solder particles are easily collected between the first electrode and the second electrode, and the plurality of solder particles are used as an electrode. It can be arranged efficiently on (line). In addition, some of the plurality of solder particles are less likely to be arranged in the region (space) where the electrode is not formed, so that the amount of the solder particle arranged in the region where the electrode is not formed can be significantly reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between the electrodes adjacent to each other in the transverse direction, which should not be connected, so that the insulation reliability can be improved.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속할 때, 상기 땜납 입자의 융점 이상이며 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 가열하여, 복수의 상기 땜납 입자를 응집시켜, 일체화시키는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the conduction reliability, when the first electrode and the second electrode are electrically connected, the plurality of the solder particles are aggregated by heating above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component. It is preferable to make it unified.

또한, 복수의 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납 입자의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용할 필요가 있는 것을, 본 발명자는 알아내었다.In addition, in order to efficiently arrange a plurality of solder particles on the electrode and to significantly reduce the amount of solder particles to be placed in a region where no electrodes are formed, it is necessary to use a conductive paste, not a conductive film, The inventors found out.

본 발명에서는, 복수의 땜납 입자를 전극 사이에 효율적으로 모으는 다른 방법을 또한 채용해도 된다. 복수의 땜납 입자를 전극 사이에 효율적으로 모으는 방법으로서는, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와의 사이의 도전 페이스트에, 열을 부여했을 때, 열에 의해 도전 페이스트의 점도가 저하됨으로써, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와의 사이의 도전 페이스트의 대류를 발생시키는 방법 등을 들 수 있다. 이 방법에 있어서, 접속 대상 부재의 표면의 전극과 그 이외의 표면 부재와의 열용량의 차이에 의해 대류를 발생시키는 방법, 접속 대상 부재의 수분을, 열에 의해 수증기로 해서 대류를 발생시키는 방법, 및 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재와의 온도 차에 의해 대류를 발생시키는 방법 등을 들 수 있다. 이에 의해, 도전 페이스트 중의 땜납 입자를, 전극의 표면에 효율적으로 이동시킬 수 있다.In the present invention, another method of efficiently collecting a plurality of solder particles between the electrodes may also be employed. As a method of efficiently collecting a plurality of solder particles between electrodes, when heat is applied to the conductive paste between the first connection object member and the second connection object member, the viscosity of the conductive paste decreases due to the heat, The method of generating the convection of the electrically conductive paste between a 1st connection object member and a 2nd connection object member, etc. are mentioned. In this method, a method of generating convection due to a difference in heat capacity between an electrode on the surface of a connection object member and other surface members, a method of generating convection by converting moisture in the connection object member into water vapor by heat, and The method etc. which generate|occur|produce convection by the temperature difference of a 1st connection object member and a 2nd connection object member are mentioned. Thereby, the solder particle in an electrically conductive paste can be efficiently moved to the surface of an electrode.

본 발명에서는, 전극의 표면에 선택적으로 땜납 입자를 응집시키는 방법을 또한 채용해도 된다. 전극의 표면에 선택적으로 땜납 입자를 응집시키는 방법으로서는, 용융된 땜납 입자의 습윤성이 좋은 전극 재질과, 용융된 땜납 입자의 습윤성이 나쁜 그 밖의 표면 재질에 의해 형성된 접속 대상 부재를 선택하여, 전극의 표면에 도달한 용융된 땜납 입자를 선택적으로 전극에 부착시키고, 그 용융된 땜납 입자에 대하여 별도의 땜납 입자를 용융시켜서 부착시키는 방법, 열전도성이 좋은 전극 재질과, 열전도성이 나쁜 그 밖의 표면 재질에 의해 형성된 접속 대상 부재를 선택하여, 열을 부여했을 때, 전극의 온도를 다른 표면 부재에 대하여 높게 함으로써, 선택적으로 전극 상에서 땜납을 용융시키는 방법, 금속에 의해 형성된 전극 상에 존재하는 마이너스의 전하에 대하여 플러스의 전하를 갖도록 처리된 땜납 입자를 사용하여, 전극에 선택적으로 땜납 입자를 응집시키는 방법, 및 친수성의 금속 표면을 갖는 전극에 대하여, 도전 페이스트 중의 땜납 입자 이외의 수지를 소수성으로 함으로써, 전극에 선택적으로 땜납 입자를 응집시키는 방법 등을 들 수 있다.In the present invention, a method of selectively aggregating solder particles on the surface of the electrode may also be employed. As a method for selectively aggregating solder particles on the surface of an electrode, a connection object member formed of an electrode material having good wettability of molten solder particles and other surface material having poor wettability of molten solder particles is selected, A method of selectively attaching molten solder particles that have reached the surface to an electrode, and melting and attaching separate solder particles to the molten solder particles, electrode materials with good thermal conductivity, and other surface materials with poor thermal conductivity A method of selectively melting solder on an electrode by increasing the temperature of the electrode relative to other surface members when heat is applied by selecting a member to be connected formed by, negative charge present on an electrode formed by metal A method of selectively aggregating solder particles on an electrode using solder particles treated to have a positive charge against The method of selectively aggregating solder particle|grains on an electrode, etc. are mentioned.

전극 사이에서의 땜납부의 두께는 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 전극의 표면 상의 땜납 습윤 면적(전극이 노출된 면적 100% 중 땜납이 접하고 있는 면적)은 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상, 바람직하게는 100% 이하이다.The thickness of the solder portion between the electrodes is preferably 10 µm or more, more preferably 20 µm or more, preferably 100 µm or less, and more preferably 80 µm or less. The solder wetted area on the surface of the electrode (the area in contact with the solder out of 100% of the exposed area of the electrode) is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more, preferably 100% or more. % or less.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지거나, 또는 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정 중 적어도 한쪽에서, 가압을 행하고, 또한 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정의 양쪽에서, 가압의 압력이 1MPa 미만인 것이 바람직하다. 1MPa 이상의 가압의 압력을 가하지 않음으로써, 땜납 입자의 응집이 상당히 촉진된다. 접속 대상 부재의 휨을 억제하는 관점에서는, 본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정 중 적어도 한쪽에서, 가압을 행하고, 또한 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정의 양쪽에서, 가압의 압력이 1MPa 미만이어도 된다. 가압을 행하는 경우에, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정에서만 가압을 행해도 되고, 상기 접속부를 형성하는 공정에서만 가압을 행해도 되고, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정과 상기 접속부를 형성하는 공정의 양쪽에서 가압을 행해도 된다. 가압의 압력이 1MPa 미만에는, 가압하지 않은 경우가 포함된다. 가압을 행하는 경우에, 가압의 압력은 바람직하게는 0.9MPa 이하, 보다 바람직하게는 0.8MPa 이하이다. 가압의 압력이 0.8MPa 이하인 경우에, 가압의 압력이 0.8MPa을 초과하는 경우에 비해서, 땜납 입자의 응집이 보다 한층 현저하게 촉진된다.In the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, in the process of arranging the said 2nd connection object member and the process of forming the said connection part, the weight of the said 2nd connection object member is applied to the said electrically conductive paste without performing pressurization, or or at least one of the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, pressurizing, and in both the step of arranging the second connection object member and the step of forming the connection portion, It is preferable that the pressure of pressurization is less than 1 MPa. By not applying a pressing pressure of 1 MPa or more, aggregation of the solder particles is significantly promoted. From a viewpoint of suppressing the curvature of a connection object member, in the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention, at least one of the process of arranging the said 2nd connection object member and the process of forming the said connection part pressurizes, and In both the process of arranging the connection object member and the process of forming the said connection part, the pressure of pressurization may be less than 1 MPa. When performing pressurization, you may press only in the process of arranging the said 2nd connection object member, You may press only in the process of forming the said connection part, The process of arranging the said 2nd connection object member, and the said connection part You may pressurize in both of the process of formation. When the pressure of pressurization is less than 1 MPa, the case where no pressurization is included is included. In the case of pressurization, the pressure of pressurization is preferably 0.9 MPa or less, more preferably 0.8 MPa or less. In the case where the pressing pressure is 0.8 MPa or less, the aggregation of the solder particles is further remarkably promoted compared to the case in which the pressing pressure exceeds 0.8 MPa.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는 것이 바람직하고, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에서, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량의 힘을 초과하는 가압 압력은 가해지지 않는 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 복수의 땜납부에 있어서, 땜납량의 균일성을 보다 한층 높일 수 있다. 또한, 땜납부의 두께를 보다 한층 효과적으로 두껍게 할 수 있고, 복수의 땜납 입자가 전극 사이에 많이 모이기 쉬워져, 복수의 땜납 입자를 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 땜납 입자의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납 입자의 양을 보다 한층 적게 할 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 보다 한층 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다.In the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention, in the process of arranging the said 2nd connection object member and the process of forming the said connection part, the weight of the said 2nd connection object member is applied to the said electrically conductive paste without performing pressurization. Preferably, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, a pressing pressure exceeding the force of the weight of the second connection target member is not applied to the conductive paste. In these cases, the uniformity of the amount of solder can be further improved in the plurality of solder portions. In addition, the thickness of the solder portion can be increased more effectively, the plurality of solder particles are more likely to gather between the electrodes, and the plurality of solder particles can be arranged on the electrode (line) more efficiently. In addition, since some of the plurality of solder particles are less likely to be disposed in the region (space) where the electrode is not formed, the amount of the solder particle disposed in the region where the electrode is not formed can be further reduced. Accordingly, the conduction reliability between the electrodes can be further improved. Moreover, the electrical connection between the electrodes adjacent to the lateral direction which should not be connected can be prevented further more, and insulation reliability can be improved further.

또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지면, 접속부가 형성되기 전에 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되어 있던 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 보다 한층 모이기 쉬워져, 복수의 땜납 입자를 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있는 것도, 본 발명자는 알아내었다. 본 발명에서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한다는 구성과, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지도록 한다는 구성을 조합해서 채용하는 것에는, 본 발명의 효과를 보다 한층 높은 레벨로 얻기 때문에 큰 의미가 있다.In addition, in the step of disposing the second connection object member and the step of forming the connection portion, when the weight of the second connection object member is applied to the conductive paste without applying pressure, an electrode is formed before the connection portion is formed The solder particles arranged in the non-prepared region (space) are more likely to be collected between the first electrode and the second electrode, so that a plurality of solder particles can be arranged on the electrode (line) more efficiently. Also, the present inventors found out. In the present invention, a combination of a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection object member is applied to the conductive paste without applying pressure is used in combination, according to the present invention. It is of great significance because the effect is obtained at a higher level.

또한, WO2008/023452A1에서는, 땜납 분말을 전극 표면에 흘려보내 효율적으로 이동시키는 관점에서는, 접착 시에 소정의 압력으로 가압하면 되는 것이 기재되어 있고, 가압 압력은 땜납 영역을 더욱 확실하게 형성하는 관점에서는, 예를 들어 0MPa 이상, 바람직하게는 1MPa 이상으로 하는 것이 기재되어 있고, 또한 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0MPa이어도, 접착 테이프 상에 배치된 부재의 자중에 의해, 접착 테이프에 소정의 압력이 가해져도 되는 것이 기재되어 있다. WO2008/023452A1에서는, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0MPa이어도 되는 것은 기재되어 있지만, 0MPa을 초과하는 압력을 부여한 경우와 0MPa로 한 경우의 효과의 차이에 대해서는, 전혀 기재되어 있지 않다. 또한, WO2008/023452A1에서는, 필름 형상이 아니라, 페이스트 형상의 도전 페이스트를 사용하는 것의 중요성에 대해서도 전혀 인식되어 있지 않다.Further, WO2008/023452A1 describes that from the viewpoint of efficiently moving the solder powder by flowing it on the electrode surface, it is sufficient to pressurize it with a predetermined pressure during bonding. , for example, 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and even if the pressure intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, due to the weight of the member disposed on the adhesive tape, a predetermined pressure is applied to the adhesive tape. What may be added is described. In WO2008/023452A1, it is described that the pressure to be intentionally applied to the adhesive tape may be 0 MPa, but the difference in the effect between the case where a pressure exceeding 0 MPa is applied and the case where it is set as 0 MPa is not described at all. Moreover, in WO2008/023452A1, it is not recognized at all also about the importance of using the electrically conductive paste of a paste form instead of a film form.

또한, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하면, 도전 페이스트의 도포량에 따라, 접속부 및 땜납부의 두께를 조정하는 것이 용이해진다. 한편, 도전 필름에서는, 접속부의 두께를 변경하거나, 조정하거나 하기 위해서는, 서로 다른 두께의 도전 필름을 준비하거나, 소정의 두께의 도전 필름을 준비하거나 해야 한다는 문제가 있다. 또한, 도전 필름에서는, 땜납의 용융 온도에서, 도전 필름의 용융 점도를 충분히 낮출 수 없어, 땜납 입자의 응집이 저해된다는 문제가 있다.Moreover, when an electrically conductive paste is used instead of an electrically conductive film, it will become easy to adjust the thickness of a connection part and a solder part according to the application amount of an electrically conductive paste. On the other hand, in a conductive film, in order to change or adjust the thickness of a connection part, there exists a problem that the conductive film of mutually different thickness must be prepared, or the conductive film of predetermined thickness must be prepared. In addition, in the conductive film, the melt viscosity of the conductive film cannot be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder, and there is a problem that the aggregation of the solder particles is inhibited.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, specific embodiment of this invention is described, referring drawings.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용해서 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the bonded structure obtained using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention.

도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는 열경화성 화합물과, 열경화제와, 복수의 땜납 입자와, 복수의 스페이서(5)를 포함하는 도전 페이스트에 의해 형성되어 있다. 상기 열경화성 화합물과 상기 열경화제는 열경화성 성분이다.The connection structure 1 shown in FIG. 1 connects the 1st connection object member 2, the 2nd connection object member 3, the 1st connection object member 2, and the 2nd connection object member 3 A connecting portion 4 is provided. The connecting portion 4 is formed of a thermosetting compound, a thermosetting agent, a plurality of solder particles, and a conductive paste containing a plurality of spacers 5 . The thermosetting compound and the thermosetting agent are thermosetting components.

접속부(4)는, 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합한 땜납부(4A)와, 열경화성 성분이 열경화된 경화물부(4B)와, 스페이서(5)를 갖는다.The connecting portion 4 includes a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined to each other, a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermoset, and a spacer 5 .

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이라면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에, 땜납이 존재하고 있어도 된다.The 1st connection object member 2 has the some 1st electrode 2a on the surface (upper surface). The 2nd connection object member 3 has the some 2nd electrode 3a on the surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by a solder portion 4A. Therefore, the 1st connection object member 2 and the 2nd connection object member 3 are electrically connected by the solder part 4A. In addition, in the connection part 4, in the area|region (hardened|cured material part 4B part) different from the solder part 4A gathered between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a, solder is not present. . In a region different from the solder portion 4A (the portion of the cured product portion 4B), the solder spaced apart from the solder portion 4A does not exist. Moreover, if it is a small amount, solder may exist in the area|region (hardened|cured material part 4B part) different from the solder part 4A gathered between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a.

스페이서(5)는, 제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)과 제2 접속 대상 부재(3)의 제2 전극(3a)의 양쪽에 접하고 있다. 스페이서(5)에 의해, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)의 간격이 규제되어 있고, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 간격이 규제되어 있다. 스페이서(5)는, 제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 설치되어 있지 않은 영역과 제2 접속 대상 부재(3)의 제2 전극(3a)이 설치되어 있지 않은 영역의 양쪽에 접하고 있어도 된다.The spacer 5 is in contact with both the first electrode 2a of the first connection object member 2 and the second electrode 3a of the second connection object member 3 . The spacer 5 regulates the interval between the first connection object member 2 and the second connection object member 3 and regulates the interval between the first electrode 2a and the second electrode 3a. . The spacer 5 is formed between a region where the first electrode 2a of the first connection object member 2 is not provided and a region where the second electrode 3a of the second connection object member 3 is not provided. You may be in contact with both sides.

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 복수의 땜납 입자가 모이고, 복수의 땜납 입자가 용융된 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면에 번진 후에 고화되어, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이 때문에, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)과의 접속 면적이 커진다. 즉, 땜납 입자를 사용함으로써, 도전성의 외표면이 니켈, 금 또는 구리 등의 금속인 도전성 입자를 사용한 경우와 비교하여, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)과의 접촉 면적이 커진다. 이 때문에, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다. 또한, 도전 페이스트는 플럭스를 포함하고 있어도 된다. 플럭스를 사용한 경우에는, 가열에 의해, 일반적으로 플럭스는 점차 실활된다.As shown in Fig. 1, in the bonded structure 1, a plurality of solder particles are collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a, and after the plurality of solder particles are melted, the solder particles After the molten material spreads on the surface of the electrode, it is solidified and a solder portion 4A is formed. For this reason, the connection area between the solder part 4A and the 1st electrode 2a, and the solder part 4A and the 2nd electrode 3a becomes large. That is, by using solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion 4A are compared with the case where the conductive particles having a conductive outer surface of a metal such as nickel, gold or copper are used. and the contact area between the second electrode 3a and the second electrode 3a increases. For this reason, the conduction|electrical_connection reliability and connection reliability in the connection structure 1 become high. Moreover, the electrically conductive paste may contain the flux. When a flux is used, the flux is generally deactivated gradually by heating.

또한, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A) 모두가, 제1, 제2 전극(2a, 3a) 사이의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있다. 도 3에 도시하는 변형예의 접속 구조체(1X)는, 접속부(4X)만이, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)와 상이하다. 접속부(4X)는, 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)와, 스페이서(5X)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대부분이, 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있고, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있어도 된다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있는 땜납부(4XA)는, 땜납부(4XA)의 일부이며, 땜납부(4XA)로부터 이격된 땜납이 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부로부터 이격된 땜납의 양을 적게 할 수 있는데, 땜납부로부터 이격된 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있어도 된다.Moreover, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all of the solder parts 4A are located in the area|region which opposes between the 1st, 2nd electrodes 2a, 3a. The connection structure 1X of the modification shown in FIG. 3 differs from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection part 4X. The connecting portion 4X includes a solder portion 4XA, a cured product portion 4XB, and a spacer 5X. Like the connection structure 1X, most of the solder portion 4XA is located in the regions where the first and second electrodes 2a and 3a face each other, and a part of the solder portion 4XA is formed with the first and second electrodes 2a and 3a. You may protrude laterally from the opposing area|region of the electrodes 2a, 3a. The solder portion 4XA protruding laterally from the opposing regions of the first and second electrodes 2a and 3a is a part of the solder portion 4XA and is not a solder spaced apart from the solder portion 4XA. . Moreover, in this embodiment, although the amount of solder spaced apart from a solder part can be reduced, the solder spaced apart from a solder part may exist in the hardened|cured material part.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다. 또한, 땜납이 전극의 표면에 번지고 있으면 되며, 반드시 땜납이 상하의 전극 사이에 모이지 않아도 된다.When the amount of the solder particles used is reduced, it becomes easy to obtain the bonded structure 1 . When the usage-amount of a solder particle is increased, it will become easy to obtain the bonded structure 1X. In addition, it is sufficient that the solder is spread on the surface of the electrode, and the solder does not necessarily have to collect between the upper and lower electrodes.

또한, 도 4에 도시하는 접속 구조체(1Y)와 같이, 제1 전극(2a)을 표면에 갖고, 또한 제1 전극(2a)측의 제1 전극(2a)이 없는 영역에 제1 볼록부(2y)를 갖는 제1 접속 대상 부재(2Y)와, 제2 전극(3a)을 표면에 갖고, 또한 제2 전극(3a)측의 제2 전극(3a)이 없는 영역에 제2 볼록부(3y)를 갖는 제2 접속 대상 부재(3Y)를 사용해도 된다. 제1 볼록부(2y)는 제1 전극(2a)보다도 돌출되어 있다. 제2 볼록부(3y)는 제2 전극(3a)보다도 돌출되어 있다. 제1 볼록부(2y)와 제2 볼록부(3y)의 간격은 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 간격보다도 좁다. 이 접속 구조체(1Y)에서는, 접속부(4Y)는, 땜납부(4YA)와 경화물부(4YB)와, 스페이서(5Y)를 갖는다. 접속 구조체(1Y)에서는, 스페이서(5Y)는, 제1 볼록부(2y)와 제2 볼록부(3y)의 양쪽에 접촉하고 있다. 결과로서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 간격이 스페이서(5Y)에 의해 규제되어 있다.Moreover, like the connection structure 1Y shown in FIG. 4, it has the 1st electrode 2a on the surface, and also the 1st convex part (1st convex part ( 2y) of the first connection object member 2Y, the second electrode 3a on the surface, and the second convex portion 3y in the region where the second electrode 3a on the side of the second electrode 3a does not exist. ), you may use the 2nd connection object member 3Y which has. The first convex portion 2y protrudes more than the first electrode 2a. The second convex portion 3y protrudes more than the second electrode 3a. The interval between the first convex portion 2y and the second convex portion 3y is narrower than the interval between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In this connection structure 1Y, the connection part 4Y has the solder part 4YA, the hardened|cured material part 4YB, and the spacer 5Y. In the connection structure 1Y, the spacer 5Y is in contact with both the first convex part 2y and the second convex part 3y. As a result, the space between the first electrode 2a and the second electrode 3a is regulated by the spacer 5Y.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극과의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상(바람직하게는 60% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 80% 이상, 특히 바람직하게는 90% 이상)에, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the conduction reliability, when the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode are viewed 50% or more (preferably 60% or more, more preferably 70% or more, still more preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more) in 100% of the area of the portion facing each other with the second electrode It is preferable that the solder part in the said connection part is arrange|positioned at the

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극과의 적층 방향과 직교하는 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 서로 대향하는 부분에, 상기 접속부 중의 땜납부의 70% 이상이 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the conduction reliability, when the first electrode and the second electrode face each other in a direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the It is preferable that 70% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion opposite to the first electrode and the second electrode.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of the method of manufacturing the bonded structure 1 using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상에, 열경화성 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)와, 스페이서(5)를 포함하는 도전 페이스트(11)를 배치한다(제1 공정). 제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 설치된 표면 상에, 도전 페이스트(11)를 배치한다. 도전 페이스트(11)의 배치 후에, 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)(라인) 상과, 제1 전극(2a)이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스) 상의 양쪽에 배치되어 있다.First, the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in Fig. 2A, on the surface of the first connection object member 2, a thermosetting component 11B, a plurality of solder particles 11A, and a spacer 5 are included. The electrically conductive paste 11 is arrange|positioned (1st process). The conductive paste 11 is arrange|positioned on the surface in which the 1st electrode 2a of the 1st connection object member 2 was provided. After the conductive paste 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on the region (space) where the first electrode 2a is not formed.

도전 페이스트(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as an arrangement|positioning method of the electrically conductive paste 11, Application|coating by a dispenser, screen printing, discharge by an inkjet apparatus, etc. are mentioned.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상의 도전 페이스트(11)에 있어서, 도전 페이스트(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 상에, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 페이스트(11)의 표면 상에, 제2 전극(3a)측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.Moreover, the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG.2(b), in the conductive paste 11 on the surface of the 1st connection object member 2, the 1st connection object member 2 side of the electrically conductive paste 11 is different. On the opposite surface, the 2nd connection object member 3 is arrange|positioned (2nd process). On the surface of the electrically conductive paste 11, the 2nd connection object member 3 is arrange|positioned from the 2nd electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a face each other.

이어서, 땜납 입자(11A)의 융점 이상 및 열경화성 성분(11B)의 경화 온도 이상으로 도전 페이스트(11)를 가열한다(제3 공정). 즉, 땜납 입자(11A)의 융점 및 열경화성 성분(11B)의 경화 온도 내의 보다 낮은 온도 이상으로, 도전 페이스트(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 존재하고 있던 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 모인다(자기 응집 효과). 본 실시 형태에서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하고 있기 때문에, 또한 도전 페이스트가 특정한 조성을 갖기 때문에, 땜납 입자(11A)가 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융되어 서로 접합한다. 또한, 열경화성 성분(11B)은 열경화한다. 그 결과, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 도전 페이스트(11)에 의해 형성한다. 도전 페이스트(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합함으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열경화성 성분(11B)이 열경화함으로써 경화물부(4B)가 형성된다. 땜납 입자(11A)가 충분히 이동하면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 위치하지 않은 땜납 입자(11A)의 이동이 개시하고 나서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 땜납 입자(11A)의 이동이 완료될 때까지, 온도를 일정하게 유지하지 않아도 된다.Next, the conductive paste 11 is heated above the melting point of the solder particles 11A and above the curing temperature of the thermosetting component 11B (third step). That is, the conductive paste 11 is heated to a temperature higher than or equal to a lower temperature within the melting point of the solder particles 11A and the curing temperature of the thermosetting component 11B. At the time of this heating, the solder particles 11A existing in the region where the electrode is not formed are collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). In this embodiment, since the conductive paste is used instead of the conductive film, and the conductive paste has a specific composition, the solder particles 11A are effectively interposed between the first electrode 2a and the second electrode 3a. gather Further, the solder particles 11A are melted and joined to each other. Moreover, the thermosetting component 11B thermosets. As a result, as shown in FIG.2(c), the connection part 4 which connects the 1st connection object member 2 and the 2nd connection object member 3 is formed with the electrically conductive paste 11. . The connection part 4 is formed by the conductive paste 11, the solder part 4A is formed by joining the some solder particle 11A, and the hardened|cured material part 4B is thermosetted by the thermosetting component 11B. is formed When the solder particles 11A sufficiently move, the movement of the solder particles 11A not positioned between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts, and then the first electrode 2a and the second electrode 3a start to move. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A between the electrodes 3a is completed.

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에서, 가압을 행하고 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 도전 페이스트(11)에는, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이 때문에, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)가 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 접속부(4X)는, 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)와, 스페이서(5)를 갖는다. 땜납 입자(11A)의 모임에 의해, 스페이서(5)가 압출되기 쉽다. 접속부(4)의 형성 시에, 스페이서(5)는 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)의 양쪽에 접촉시킬 수 있다. 구체적으로는, 접속부(4)의 형성 시에, 스페이서(5)는 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 양쪽에 접촉시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 한쪽에서 가압을 행하면, 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극의 사이로 모이려고 하는 작용이 저해되는 경향이 높아진다. 이것은 본 발명자에 의해 발견되었다.In this embodiment, pressurization is not performed in the said 2nd process and the said 3rd process. In the present embodiment, the weight of the second connection object member 3 is applied to the conductive paste 11 . For this reason, at the time of formation of the connection part 4, the solder particle 11A effectively collects between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a. Further, the connecting portion 4X includes a solder portion 4XA, a cured product portion 4XB, and a spacer 5 . The spacer 5 is easily extruded by the aggregation of the solder particles 11A. When forming the connection portion 4 , the spacer 5 can be brought into contact with both the first connection object member 2 and the second connection object member 3 . Specifically, at the time of forming the connection part 4, the spacer 5 can make contact with both the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a. In addition, if pressurization is performed in at least one of the second step and the third step, the tendency for the solder particles to collect between the first electrode and the second electrode tends to be inhibited. This was discovered by the present inventors.

또한, 본 실시 형태에서는, 가압을 행하고 있지 않기 때문에, 도전 페이스트를 도포한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과). 이것은, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 사이에 자기 응집한 용융된 땜납이, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 사이의 땜납과 도전 페이스트의 그 밖의 성분이 접하는 면적이 최소가 되는 것이 에너지적으로 안정되기 때문에, 그 최소의 면적이 되는 접속 구조인 얼라인먼트였던 접속 구조로 하는 힘이 작용하기 때문이다. 이때, 도전 페이스트가 경화되어 있지 않은 것, 및 그 온도, 시간에서, 도전 페이스트의 땜납 입자 이외의 성분의 점도가 충분히 낮은 것이 바람직하다.In addition, in this embodiment, since pressurization is not performed, when a 2nd connection object member is superposed on the 1st connection object member to which the electrically conductive paste was apply|coated, the electrode of the 1st connection object member and the 2nd connection object member Even when the first connection object member and the second connection object member overlap in a state where the alignment of the electrodes is misaligned, the misalignment is corrected so that the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member can be connected Yes (self-alignment effect). This means that the molten solder self-aggregated between the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member is self-aggregated, and the solder and conductive paste between the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member. This is because the minimum area in contact with the other components of is energetically stable, and the force acting on the connection structure that was the alignment that is the connection structure with the minimum area acts. At this time, it is preferable that the electrically conductive paste is not hardened|cured and that the viscosity of components other than the solder particle of an electrically conductive paste is low enough from the temperature and time.

스페이서가, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재의 사이에 존재함으로써, 제1 접속 대상 부재의 전극과, 제2 접속 대상 부재의 전극의 사이의 거리를 충분히 확보할 수 있다. 이에 의해, 땜납 입자가 응집하는 공간을 확보할 수 있어, 땜납 입자의 응집성을 높일 수 있다. 또한, 제1 접속 대상 부재의 전극과, 제2 접속 대상 부재의 전극의 사이에, 충분한 땜납량을 확보할 수 있으므로, 상대하는 전극이 어긋나서 중첩된 경우에도, 셀프 얼라인먼트 효과가 발현되기 쉬워진다. 도전 접속 후의 바람직한 전극의 어긋남량에 대해서는, 전극의 폭을 L로 했을 경우, 바람직하게는 0L 이상(0 이상), 바람직하게는 0.9L 이하, 보다 바람직하게는 0.75L 이하이다. 또한, 도전 접속 후의 바람직한 어긋남량(X)에 대해서는, 스페이서의 입자 직경을 R로 했을 경우, 바람직하게는 0R 이상(0 이상), 바람직하게는 3R 이하, 보다 바람직하게는 2R 이하이다.When a spacer exists between a 1st connection object member and a 2nd connection object member, the distance between the electrode of a 1st connection object member and the electrode of a 2nd connection object member can fully be ensured. Thereby, the space where the solder particles aggregate can be secured, and the aggregation property of the solder particles can be improved. In addition, since a sufficient amount of solder can be secured between the electrode of the first connection object member and the electrode of the second connection object member, the self-alignment effect is easily exhibited even when the opposing electrodes are displaced and overlapped. . With respect to a preferable amount of displacement of the electrode after conductive connection, when the width of the electrode is L, preferably 0L or more (0 or more), preferably 0.9L or less, more preferably 0.75L or less. In addition, with respect to the preferable deviation|shift amount X after conductive connection, when the particle diameter of a spacer is R, Preferably it is 0R or more (0 or more), Preferably it is 3R or less, More preferably, it is 2R or less.

땜납의 융점 온도에서의 도전 페이스트의 점도는 바람직하게는 50Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 10Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 1Pa·s 이하, 바람직하게는 0.1Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 0.2Pa·s 이상이다. 소정의 점도 이하이면 땜납 입자를 효율적으로 응집시킬 수 있고, 소정의 점도 이상이면, 접속부에서의 보이드를 억제하고, 접속부 이외로의 도전 페이스트의 비어져 나옴을 억제할 수 있다.The viscosity of the conductive paste at the melting point temperature of the solder is preferably 50 Pa·s or less, more preferably 10 Pa·s or less, still more preferably 1 Pa·s or less, preferably 0.1 Pa·s or more, more preferably 0.2 Pa·s or more. If it is below a predetermined viscosity, solder particles can be aggregated efficiently, and if it is above a predetermined viscosity, the void in a connection part can be suppressed and the protrusion of the electrically conductive paste other than a connection part can be suppressed.

이와 같이 하여, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속해서 행하여져도 된다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 페이스트(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부에 이동시켜, 상기 제3 공정을 행해도 된다. 상기 가열을 행하기 위해서, 가열 부재 상에 상기 적층체를 배치해도 되고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치해도 된다.In this way, the bonded structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. In addition, the said 2nd process and the said 3rd process may be performed continuously. Moreover, after performing the said 2nd process, the laminated body of the 1st connection object member 2 obtained, the electrically conductive paste 11, and the 2nd connection object member 3 is moved to a heating part, and the said 3rd process is carried out may be done In order to perform the said heating, the said laminated body may be arrange|positioned on a heating member, and the said laminated body may be arrange|positioned in the heated space.

상기 제3 공정에서의 가열 온도는, 땜납 입자의 융점 이상 및 열경화성 성분의 경화 온도 이상이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 가열 온도는 바람직하게는 140℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.The heating temperature in the third step is not particularly limited as long as it is equal to or higher than the melting point of the solder particles and higher than or equal to the curing temperature of the thermosetting component. The heating temperature is preferably 140°C or higher, more preferably 160°C or higher, preferably 450°C or lower, more preferably 250°C or lower, still more preferably 200°C or lower.

제3 공정 전에, 용융 전의 땜납 입자의 응집을 균일화하기 위해서, 가열 공정을 마련해도 된다. 상기 가열 공정에서의 가열 온도는 바람직하게는 60℃ 이상, 보다 바람직하게는 80℃ 이상, 바람직하게는 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 120℃ 이하의 온도 조건에서, 바람직하게는 5초 이상, 바람직하게는 120초 이하 유지한다. 이 가열 공정에 의해, 열경화성 성분이 열에 의해 저점도화하여, 용융 전의 땜납 입자가 응집됨으로써 그물눈 구조를 형성하고, 제3 공정에서 땜납 입자가 용융되어 응집될 때, 응집되지 않는 땜납 입자를 적게 할 수 있다.Before the third step, a heating step may be provided in order to equalize the aggregation of the solder particles before melting. The heating temperature in the heating step is preferably 60°C or higher, more preferably 80°C or higher, preferably 130°C or lower, and more preferably 120°C or lower under temperature conditions, preferably 5 seconds or more, preferably Keep it under 120 seconds. By this heating step, the thermosetting component is reduced in viscosity by heat, and the solder particles before melting are agglomerated to form a mesh structure, and when the solder particles are melted and aggregated in the third step, the amount of solder particles that do not aggregate can be reduced. have.

제3 공정에서, 바람직하게는 땜납의 융점(℃) 이상, 보다 바람직하게는 땜납의 융점(℃)+5℃ 이상, 바람직하게는 땜납의 융점(℃)+20℃ 이하, 보다 바람직하게는 땜납의 융점(℃)+10℃ 이하의 온도에서, 바람직하게는 10초 이상, 바람직하게는 120초 이하 유지한 뒤, 열경화성 성분의 경화 온도로 올려도 된다. 이에 의해, 열경화성 성분이 경화하기 전의, 열경화성 성분의 점도가 낮은 상태에서, 땜납 입자의 응집을 완료시킬 수 있어, 보다 한층 균일한 땜납 입자의 응집을 행할 수 있다.In the third step, preferably the melting point (°C) of the solder or more, more preferably the melting point (°C) of the solder + 5°C or more, preferably the melting point (°C) of the solder + 20°C or less, more preferably the solder At a temperature below the melting point (°C) of +10°C, preferably 10 seconds or more, preferably 120 seconds or less, the temperature may be raised to the curing temperature of the thermosetting component. Thereby, aggregation of the solder particles can be completed in a state where the viscosity of the thermosetting component is low before the thermosetting component is cured, and aggregation of the solder particles can be performed more uniformly.

제3 공정에서의 승온 속도는, 30℃부터 땜납 입자의 융점까지의 승온에 대해서, 바람직하게는 50℃/초 이하, 보다 바람직하게는 20℃/초 이하, 더욱 바람직하게는 10℃/초 이하, 바람직하게는 1℃/초 이상, 보다 바람직하게는 5℃/초 이상이다. 승온 속도가 상기 하한 이상이면, 땜납 입자의 응집이 보다 한층 균일해진다. 승온 속도가 상기 상한 이하이면, 열경화성 성분의 경화 진행에 의한 과도한 점도 상승이 억제되어, 땜납 입자의 응집이 저해되기 어려워진다.The temperature increase rate in the third step is preferably 50°C/sec or less, more preferably 20°C/sec or less, still more preferably 10°C/sec or less with respect to the temperature increase from 30°C to the melting point of the solder particles. , Preferably it is 1 degreeC/sec or more, More preferably, it is 5 degrees C/sec or more. When the temperature increase rate is equal to or higher than the lower limit, the aggregation of the solder particles becomes even more uniform. When the temperature increase rate is equal to or less than the upper limit, an excessive increase in viscosity due to the progress of curing of the thermosetting component is suppressed, and aggregation of the solder particles is less likely to be inhibited.

또한, 상기 제3 공정 후에, 위치의 수정이나 제조의 재수행을 목적으로, 제1 접속 대상 부재 또는 제2 접속 대상 부재를, 접속부로부터 박리할 수 있다. 이 박리를 행하기 위한 가열 온도는 바람직하게는 땜납 입자의 융점 이상, 보다 바람직하게는 땜납 입자의 융점(℃)+10℃ 이상이다. 이 박리를 행하기 위한 가열 온도는, 땜납 입자의 융점(℃)+100℃ 이하이어도 된다.In addition, after the said 3rd process, a 1st connection object member or a 2nd connection object member can be peeled from a connection part for the purpose of correction of a position, or re-performing of manufacture. The heating temperature for performing this peeling is preferably not less than the melting point of the solder particles, more preferably not less than the melting point (°C) of the solder particles + 10°C. The heating temperature for performing this peeling may be the melting point (°C) of the solder particles + 100°C or less.

상기 제3 공정에서의 가열 방법으로서는, 땜납 입자의 융점 이상 및 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로, 접속 구조체 전체를, 리플로우로를 사용해서 또는 오븐을 사용해서 가열하는 방법이나, 접속 구조체의 접속부만을 국소적으로 가열하는 방법을 들 수 있다.As a heating method in the said 3rd process, the method of heating the whole bonded structure using a reflow furnace or oven to more than the melting|fusing point of a solder particle and the hardening temperature of a thermosetting component, or only the connection part of a bonded structure The method of heating locally is mentioned.

국소적으로 가열하는 방법에 사용하는 기구로서는, 핫 플레이트, 열풍을 부여하는 히트 건, 땜납 인두기 및 적외선 히터 등을 들 수 있다.Examples of the mechanism used for the local heating method include a hot plate, a heat gun for applying hot air, a soldering iron, an infrared heater, and the like.

또한, 핫 플레이트에서 국소적으로 가열할 때, 접속부 바로 아래는, 열전도성이 높은 금속으로, 그 밖의 가열하는 것이 바람직하지 않은 개소는, 불소 수지 등의 열전도성이 낮은 재질로, 핫 플레이트 상면을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, when heating locally with a hot plate, the upper surface of the hot plate is made of a material with low thermal conductivity, such as fluororesin, for the parts where heating is not desirable, the metal directly below the connection part is made of high thermal conductivity. It is preferable to form

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는, 반도체 칩, 반도체 패키지, LED 칩, LED 패키지, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다.The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, capacitors and diodes, and resin films, printed circuit boards, flexible printed circuit boards, flexible flat cables, Electronic components, such as circuit boards, such as a rigid flexible board|substrate, a glass epoxy board|substrate, and a glass board|substrate, etc. are mentioned. It is preferable that the said 1st, 2nd connection object member is an electronic component.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 중 적어도 한쪽이 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은 유연성이 높고, 비교적 경량이라는 성질을 갖는다. 이러한 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는, 땜납 입자가 전극 상에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 반해, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다고 해도, 도전 페이스트를 사용해서 땜납 입자를 전극 상에 효율적으로 모음으로써, 전극 사이의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우와 비교하여, 가압을 행하지 않음으로 인한 전극 사이의 도통 신뢰성의 향상 효과가 보다 한층 효과적으로 얻어진다.It is preferable that at least one of a said 1st connection object member and a said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. It is preferable that the said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. A resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, and a rigid flexible board|substrate have the property of high flexibility and comparatively light weight. When a conductive film is used for the connection of such a connection object member, there exists a tendency for solder particle|grains to be hard to collect on an electrode. On the other hand, even if it uses a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate, the conduction|electrical_connection reliability between electrodes can fully be improved by collecting solder particles efficiently on an electrode using an electrically conductive paste. When a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board is used, compared with the case where other connection object members such as a semiconductor chip are used, the effect of improving the conduction reliability between the electrodes by not applying pressure is improved. obtained more effectively.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Metal electrodes, such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode, are mentioned as an electrode provided in the said connection object member. When the said connection object member is a flexible printed circuit board, it is preferable that the said electrode is a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the said connection object member is a glass substrate, it is preferable that the said electrode is an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. Moreover, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only of aluminum may be sufficient, and the electrode in which the aluminum layer was laminated|stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. As said trivalent metal element, Sn, Al, Ga, etc. are mentioned.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 에리어 어레이(area array) 또는 퍼리퍼럴(peripheral)로 배치되어 있는 것이 바람직하다. 전극이 에리어 어레이, 퍼리퍼럴로 면에 배치되어 있는 경우에, 본 발명의 효과가 한층 효과적으로 발휘된다. 에리어 어레이란, 접속 대상 부재의 전극이 배치되어 있는 면에, 격자 형상으로 전극이 배치되어 있는 구조이다. 퍼리퍼럴이란, 접속 대상 부재의 외주부에 전극이 배치되어 있는 구조이다. 전극이 빗살형으로 나열되어 있는 구조의 경우에는, 빗살에 수직인 방향을 따라 땜납 입자가 응집되면 되는 것에 반해, 상기 구조에서는 전극이 배치되어 있는 면에 있어서, 전체 면에서 균일하게 땜납 입자가 응집될 필요가 있기 때문에, 종래의 방법에서는, 땜납량이 불균일해지기 쉬운 것에 반해, 본 발명의 방법에서는, 본 발명의 효과가 한층 효과적으로 발휘된다.Preferably, the first electrode and the second electrode are arranged in an area array or peripheral. When the electrodes are arranged in an area array or a peripheral surface, the effect of the present invention is more effectively exhibited. An area array is a structure in which the electrode is arrange|positioned in the grid|lattice shape on the surface where the electrode of a connection object member is arrange|positioned. A peripheral is a structure in which the electrode is arrange|positioned in the outer peripheral part of a connection object member. In the case of a structure in which the electrodes are arranged in a comb-tooth shape, the solder particles only need to be agglomerated along the direction perpendicular to the comb teeth, whereas in the above structure, the solder particles are uniformly aggregated over the entire surface on the surface where the electrodes are arranged. Therefore, in the conventional method, the amount of solder tends to be non-uniform, whereas in the method of the present invention, the effect of the present invention is more effectively exhibited.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

중합체 A:Polymer A:

비스페놀 F와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지와의 반응물(중합체 A)의 합성:Synthesis of reaction product of bisphenol F with 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin (polymer A):

비스페놀 F(4,4'-메틸렌비스페놀과 2,4'-메틸렌비스페놀과 2,2'-메틸렌비스페놀을 중량비로 2:3:1로 포함함) 100중량부, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 130중량부 및 비스페놀 F형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EPICLON EXA-830CRP」) 5중량부, 레조르시놀형 에폭시 화합물(나가세 켐텍스사 제조 「EX-201」) 10중량부를, 3구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서 100℃에서 용해시켰다. 그 후, 수산기와 에폭시기의 부가 반응 촉매인 트리페닐부틸포스포늄브로마이드 0.15중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 140℃에서 4시간, 부가 중합 반응시킴으로써, 반응물(중합체 A)을 얻었다.100 parts by weight of bisphenol F (including 4,4'-methylenebisphenol, 2,4'-methylenebisphenol, and 2,2'-methylenebisphenol in a weight ratio of 2:3:1), 1,6-hexanediol diglycerol 130 parts by weight of cidyl ether, 5 parts by weight of bisphenol F-type epoxy resin ("EPICLON EXA-830CRP" manufactured by DIC), 10 parts by weight of resorcinol-type epoxy compound ("EX-201" manufactured by Nagase Chemtex), 3 parts It was placed in a flask and dissolved at 100° C. under a flow of nitrogen. Then, 0.15 weight part of triphenylbutylphosphonium bromide which is an addition reaction catalyst of a hydroxyl group and an epoxy group was added, and the reaction product (polymer A) was obtained by carrying out addition polymerization reaction at 140 degreeC under nitrogen flow for 4 hours.

NMR에 의해, 부가 중합 반응이 진행된 것을 확인하고, 반응물(중합체 A)이, 비스페놀 F에서 유래되는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 갖고, 또한 에폭시기를 양쪽 말단에 갖는 것을 확인하였다.By NMR, it was confirmed that the addition polymerization reaction had progressed, and the reaction product (polymer A) was a structural unit in which a hydroxyl group derived from bisphenol F and an epoxy group of 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F-type epoxy resin were bonded. It was confirmed that it has in the main chain and has an epoxy group at both ends.

GPC에 의해 얻어진 반응물(중합체 A)의 중량 평균 분자량은 28000, 수 평균 분자량은 8000이었다.The weight average molecular weight of the reactant (polymer A) obtained by GPC was 28000, and the number average molecular weight was 8000.

중합체 B: 양쪽 말단 에폭시기 강직 골격 페녹시 수지, 미쯔비시 가가꾸사 제조 「YX6900BH45」, 중량 평균 분자량 16000Polymer B: both-terminal epoxy group rigid skeleton phenoxy resin, Mitsubishi Chemical Corporation "YX6900BH45", weight average molecular weight 16000

열경화성 화합물 1: 레조르시놀형 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사 제조 「EX-201」Thermosetting compound 1: Resorcinol type epoxy compound, "EX-201" manufactured by Nagase Chemtex

열경화성 화합물 2: 에폭시 화합물, DIC사 제조 「EXA-4850-150」, 분자량 900, 에폭시 당량 450g/eqThermosetting compound 2: Epoxy compound, "EXA-4850-150" manufactured by DIC, molecular weight 900, epoxy equivalent 450 g/eq

열경화제 1: 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피네이트), SC 유키 가가쿠사 제조 「TMMP」Thermosetting agent 1: Trimethylolpropane tris (3-mercaptopropinate), SC Yuki Chemical Co., Ltd. "TMMP"

잠재성 에폭시 열경화제 1: T&K TOKA사 제조 「후지 큐어 7000」Latent epoxy thermosetting agent 1: "FUJI Cure 7000" manufactured by T&K TOKA

플럭스 1: 글루타르산, 와코 쥰야꾸 고교사 제조, 융점(활성 온도) 96℃Flux 1: Glutaric acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., melting point (activation temperature) 96°C

땜납 입자 1 내지 3의 제작 방법:Method for producing solder particles 1 to 3:

음이온 중합체 1을 갖는 땜납 입자: 땜납 입자 본체 200g과, 아디프산 40g과, 아세톤 70g을 3구 플라스크에 칭량하고, 이어서 땜납 입자 본체의 표면의 수산기와 아디프산의 카르복실기와의 탈수 축합 촉매인 디부틸주석옥사이드 0.3g을 첨가하여, 60℃에서 4시간 반응시켰다. 그 후, 땜납 입자를 여과함으로써 회수하였다.Solder particles having anionic polymer 1: 200 g of a solder particle body, 40 g of adipic acid, and 70 g of acetone were weighed into a three-necked flask, followed by a dehydration condensation catalyst between the hydroxyl group on the surface of the solder particle body and the carboxyl group of adipic acid 0.3 g of dibutyltin oxide was added and reacted at 60°C for 4 hours. Thereafter, the solder particles were collected by filtration.

회수한 땜납 입자와, 아디프산 50g과, 톨루엔 200g과, 파라톨루엔술폰산 0.3g을 3구 플라스크에 칭량하고, 진공화 및 환류를 행하면서, 120℃에서 3시간 반응시켰다. 이때, 딘 스타크 추출 장치를 사용하여, 탈수 축합에 의해 생성한 물을 제거하면서 반응시켰다.The recovered solder particles, 50 g of adipic acid, 200 g of toluene, and 0.3 g of para-toluenesulfonic acid were weighed in a three-necked flask, and reacted at 120°C for 3 hours while vacuuming and refluxing. At this time, using the Dean-Stark extraction apparatus, it was made to react, removing the water produced|generated by dehydration condensation.

그 후, 여과에 의해 땜납 입자를 회수하고, 헥산으로 세정하여 건조하였다. 그 후, 얻어진 땜납 입자를 볼 밀로 해쇄한 후, 소정의 CV값이 되도록 체를 선택하였다.Thereafter, the solder particles were collected by filtration, washed with hexane and dried. Thereafter, the obtained solder particles were pulverized with a ball mill, and then a sieve was selected so as to have a predetermined CV value.

(제타 전위 측정)(Measurement of Zeta Potential)

또한, 얻어진 땜납 입자를, 음이온 중합체 1을 갖는 땜납 입자 0.05g을, 메탄올 10g에 넣고, 초음파 처리를 함으로써 균일하게 분산시켜, 분산액을 얻었다. 이 분산액을 사용해서, 또한 Beckman Coulter사 제조 「Delsamax PRO」를 사용하여, 전기 영동 측정법으로 제타 전위를 측정하였다.Further, the obtained solder particles were uniformly dispersed by adding 0.05 g of the solder particles having the anionic polymer 1 to 10 g of methanol and ultrasonicating to obtain a dispersion liquid. The zeta potential was measured by the electrophoresis measurement method using this dispersion liquid and further using "Delsamax PRO" manufactured by Beckman Coulter.

(음이온 중합체의 중량 평균 분자량)(weight average molecular weight of anionic polymer)

땜납 입자의 표면의 음이온 중합체 1의 중량 평균 분자량은 0.1N의 염산을 사용하여, 땜납을 용해한 후, 중합체를 여과에 의해 회수하여, GPC에 의해 구하였다.The weight average molecular weight of the anionic polymer 1 on the surface of the solder particles was determined by GPC by dissolving the solder using 0.1 N hydrochloric acid, then collecting the polymer by filtration.

(땜납 입자의 CV값)(CV value of solder particles)

CV값을, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(호리바 세이사꾸쇼사 제조 「LA-920」)로 측정하였다.The CV value was measured with a laser diffraction type particle size distribution analyzer ("LA-920" manufactured by Horiba Seisakusho).

땜납 입자 1(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미츠이 긴조쿠사 제조 「ST-3」을 선별한 땜납 입자 본체를 사용하여, 표면 처리를 행한 음이온 중합체 1을 갖는 땜납 입자, 평균 입자 직경 4㎛, CV값 7%, 표면의 제타 전위: +0.65mV, 중합체 분자량 Mw=6500)Solder particle 1 (SnBi solder particle, melting point 139° C., solder particle having anionic polymer 1 surface-treated using a solder particle body selected from “ST-3” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter 4 µm, CV value 7%, surface zeta potential: +0.65 mV, polymer molecular weight Mw=6500)

땜납 입자 2(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미츠이 긴조쿠사 제조 「DS10」을 선별한 땜납 입자 본체를 사용하여, 표면 처리를 행한 음이온 중합체 1을 갖는 땜납 입자, 평균 입자 직경 13㎛, CV값 20%, 표면의 제타 전위: +0.48mV, 중합체 분자량 Mw=7000)Solder particle 2 (SnBi solder particle, melting point 139°C, solder particle having anionic polymer 1 surface-treated using a solder particle body selected from "DS10" manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter 13 µm, CV value 20 %, surface zeta potential: +0.48 mV, polymer molecular weight Mw=7000)

땜납 입자 3(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미츠이 긴조쿠사 제조 「10-25」를 선별한 땜납 입자 본체를 사용하여, 표면 처리를 행한 음이온 중합체 1을 갖는 땜납 입자, 평균 입자 직경 25㎛, CV값 15%, 표면의 제타 전위: +0.4mV, 중합체 분자량 Mw=8000)Solder particle 3 (SnBi solder particle, melting point 139°C, solder particle having anionic polymer 1 surface-treated using a solder particle body selected from "10-25" manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter of 25 µm, CV value 15%, surface zeta potential: +0.4 mV, polymer molecular weight Mw=8000)

땜납 입자 4(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미츠이 긴조쿠사 제조 「ST-3」을 선별한 땜납 입자 본체를 사용하여, 표면 처리를 행한 음이온 중합체 1을 갖는 땜납 입자, 평균 입자 직경 3㎛, CV값 7%, 표면의 제타 전위: +0.65mV, 중합체 분자량 Mw=6500)Solder particle 4 (SnBi solder particle, melting point 139° C., solder particle having anionic polymer 1 surface-treated using a solder particle body selected from “ST-3” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter 3 μm, CV value 7%, surface zeta potential: +0.65 mV, polymer molecular weight Mw=6500)

도전성 입자 1: 수지 입자의 표면 상에 두께 1㎛의 구리층이 형성되어 있고, 해당 구리층의 표면에 두께 3㎛의 땜납층(주석:비스무트=43중량%:57중량%)이 형성되어 있는 도전성 입자Electroconductive particle 1: A copper layer having a thickness of 1 µm is formed on the surface of a resin particle, and a solder layer (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) having a thickness of 3 µm is formed on the surface of the copper layer. conductive particles

도전성 입자 1의 제작 방법:The manufacturing method of the electroconductive particle 1 :

평균 입자 직경 10㎛의 디비닐벤젠 수지 입자(세키스이가가쿠 고교사 제조 「마이크로펄 SP-210」)를 무전해 니켈 도금하여, 수지 입자의 표면 상에 두께 0.1㎛의 하지 니켈 도금층을 형성하였다. 계속해서, 하지 니켈 도금층이 형성된 수지 입자를 전해 구리 도금하여, 두께 1㎛의 구리층을 형성하였다. 또한, 주석 및 비스무트를 함유하는 전해 도금액을 사용해서 전해 도금하여, 두께 3㎛의 땜납층을 형성하였다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면 상에 두께 1㎛의 구리층이 형성되어 있고, 해당 구리층의 표면에 두께 3㎛의 땜납층(주석:비스무트=43중량%:57중량%)이 형성되어 있는 도전성 입자 1을 제작하였다.Divinylbenzene resin particles having an average particle diameter of 10 μm (“Micropearl SP-210” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were electroless nickel plated to form a base nickel plating layer having a thickness of 0.1 μm on the surface of the resin particles. . Then, the electrolytic copper plating of the resin particle with a base nickel plating layer was carried out, and the 1 micrometer-thick copper layer was formed. Further, electrolytic plating was performed using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth to form a solder layer having a thickness of 3 mu m. In this way, a copper layer having a thickness of 1 µm is formed on the surface of the resin particles, and a solder layer (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) having a thickness of 3 µm is formed on the surface of the copper layer. Electroconductive particle 1 was produced.

스페이서 1(평균 입자 직경 20㎛, CV값 5%, 연화점 330℃, 세키스이가가쿠 고교사 제조, 디비닐벤젠 가교 입자, 10% K값 4400N/mm2, 압축 회복률 55%)Spacer 1 (average particle size 20 µm, CV value 5%, softening point 330°C, Sekisui Chemical Co., Ltd. crosslinked particles, divinylbenzene crosslinked particles, 10% K value 4400 N/mm 2 , compression recovery rate 55%)

스페이서 2(평균 입자 직경 30㎛, CV값 5%, 연화점 330℃, 세키스이가가쿠 고교사 제조, 디비닐벤젠 가교 입자, 10% K값 4200N/mm2, 압축 회복률 54%)Spacer 2 (average particle size of 30 µm, CV value of 5%, softening point of 330°C, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., divinylbenzene crosslinked particles, 10% K value of 4200 N/mm 2 , compression recovery rate of 54%)

스페이서 3(평균 입자 직경 50㎛, CV값 5%, 연화점 330℃, 세키스이가가쿠 고교사 제조, 디비닐벤젠 가교 입자, 10% K값 4100N/mm2, 압축 회복률 54%)Spacer 3 (average particle diameter of 50 µm, CV value of 5%, softening point of 330°C, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., divinylbenzene crosslinked particles, 10% K value of 4100 N/mm 2 , compression recovery rate of 54%)

페녹시 수지(신닛떼쯔 스미낑 가가꾸사 제조 「YP-50S」)Phenoxy resin (“YP-50S” manufactured by Shin Nitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd.)

(실시예 1 내지 10)(Examples 1 to 10)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제작(1) Preparation of anisotropic conductive paste

다음의 표 1에 나타내는 성분을 다음의 표 1에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.The component shown in following Table 1 was mix|blended by the compounding quantity shown in following Table 1, and the anisotropic electrically conductive paste was obtained.

(2) 제1 접속 구조체(L/S=50㎛/50㎛)의 제작(2) Preparation of first bonded structure (L/S = 50 µm/50 µm)

L/S가 50㎛/50㎛, 전극 길이 3mm인 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 50㎛/50㎛, 전극 길이 3mm인 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비하였다.The glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) which has L/S 50 micrometers/50 micrometers, and the copper electrode pattern (copper electrode thickness 12 micrometers) of 3 mm electrode length on the upper surface was prepared. Furthermore, L/S prepared the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has on the lower surface 50 micrometers/50 micrometers, and the copper electrode pattern (thickness of copper electrode 12 micrometers) whose electrode length is 3 mm.

유리 에폭시 기판과 플렉시블 프린트 기판과의 중첩 면적은 1.5cm×3mm로 하고, 접속한 전극수는 75쌍으로 하였다.The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm x 3 mm, and the number of connected electrodes was 75 pairs.

상기 유리 에폭시 기판의 상면에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를, 유리 에폭시 기판의 전극 상에서 두께 100㎛가 되도록, 메탈 마스크를 사용해서, 스크린 인쇄로 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층의 상면에 상기 플렉시블 프린트 기판을, 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 이때, 가압을 행하지 않았다. 이방성 도전 페이스트층에는, 상기 플렉시블 프린트 기판의 중량이 가해진다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 190℃가 되도록 가열하면서, 땜납을 용융시키고, 또한 이방성 도전 페이스트층을 190℃에서 10초 경화시켜, 제1 접속 구조체를 얻었다.On the upper surface of the glass epoxy substrate, the anisotropic conductive paste immediately after production was applied by screen printing using a metal mask so as to have a thickness of 100 μm on the electrode of the glass epoxy substrate by screen printing to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the said flexible printed circuit board was laminated|stacked on the upper surface of the anisotropic electrically conductive paste layer so that the electrodes might oppose. At this time, pressurization was not performed. The weight of the said flexible printed circuit board is added to the anisotropic electrically conductive paste layer. Then, the solder was melt|melted, heating so that the temperature of the anisotropic electrically conductive paste layer might become 190 degreeC, and the anisotropic electrically conductive paste layer was hardened at 190 degreeC for 10 second, and the 1st bonded structure was obtained.

(3) 제2 접속 구조체(L/S=75㎛/75㎛)의 제작(3) Production of the second bonded structure (L/S = 75 µm/75 µm)

L/S가 75㎛/75㎛, 전극 길이 3mm인 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 75㎛/75㎛, 전극 길이 3mm인 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비하였다.The glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) which has L/S 75 micrometers/75 micrometers, and the copper electrode pattern (thickness of copper electrode 12 micrometers) whose electrode length is 3 mm on the upper surface was prepared. Furthermore, L/S prepared the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has on the lower surface the copper electrode pattern (thickness of a copper electrode 12 micrometers) of 75 micrometers/75 micrometers and electrode length 3mm.

L/S가 상이한 상기 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판을 사용한 것 이외는 제1 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제2 접속 구조체를 얻었다.Except having used the said glass epoxy board|substrate and flexible printed circuit board from which L/S differs, it carried out similarly to preparation of 1st bonded structure, and obtained the 2nd bonded structure.

(4) 제3 접속 구조체(L/S=100㎛/100㎛)의 제작(4) Preparation of a third bonded structure (L/S = 100 µm/100 µm)

L/S가 100㎛/100㎛, 전극 길이 3mm인 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 100㎛/100㎛, 전극 길이 3mm인 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비하였다.The glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) which has a copper electrode pattern (thickness of copper electrode 12 micrometers) whose L/S is 100 micrometers / 100 micrometers and an electrode length of 3 mm on the upper surface was prepared. Moreover, L/S prepared the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has on the lower surface 100 micrometers/100 micrometers, and the copper electrode pattern (thickness of copper electrode 12 micrometers) whose electrode length is 3 mm.

L/S가 상이한 상기 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판을 사용한 것 이외는 제1 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제3 접속 구조체를 얻었다.Except having used the said glass epoxy board|substrate and flexible printed circuit board from which L/S differs, it carried out similarly to preparation of 1st bonded structure, and obtained 3rd bonded structure.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

다음의 표 1에 나타내는 성분을 다음의 표 1에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 이방성 도전 페이스트를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.The component shown in following Table 1 was mix|blended by the compounding quantity shown in following Table 1, and the anisotropic electrically conductive paste was obtained. Except having used the obtained anisotropic electrically conductive paste, it carried out similarly to Example 1, and obtained the 1st, 2nd, and 3rd bonded structure.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

다음의 표 1에 나타내는 성분을 다음의 표 1에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 이방성 도전 페이스트를 사용한 것, 가열 시에 1MPa의 압력을 가한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.The component shown in following Table 1 was mix|blended by the compounding quantity shown in following Table 1, and the anisotropic electrically conductive paste was obtained. Except having used the obtained anisotropic electrically conductive paste, and having applied the pressure of 1 MPa at the time of heating, it carried out similarly to Example 1, and obtained the 1st, 2nd, and 3rd bonded structure.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

페녹시 수지(신닛떼쯔 스미낑 가가꾸사 제조 「YP-50S」)를 메틸에틸케톤(MEK)에 고형분이 50중량%가 되도록 용해시켜서, 용해액을 얻었다. 다음의 표 1에 나타내는 페녹시 수지를 제외한 성분을 다음의 표 1에 나타내는 배합량과, 상기 용해액의 전량을 배합하여, 유성식 교반기를 사용해서 2000rpm으로 5분간 교반한 후, 바 코터를 사용해서 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 이형 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 상에 도공하였다. 실온에서 진공 건조함으로써, MEK를 제거함으로써, 이방성 도전 필름을 얻었다. 이방성 도전 필름을 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.A phenoxy resin ("YP-50S" manufactured by Nippon-Sumikin Chemical Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) so that the solid content was 50% by weight to obtain a solution. The components other than the phenoxy resin shown in Table 1 below were blended with the blending amount shown in Table 1 below, and the total amount of the solution, stirred for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer, and then dried using a bar coater. It coated on the mold release PET (polyethylene terephthalate) film so that the thickness afterward might be set to 30 micrometers. By vacuum-drying at room temperature, the anisotropic conductive film was obtained by removing MEK. Except having used the anisotropic conductive film, it carried out similarly to Example 1, and obtained the 1st, 2nd, and 3rd bonded structure.

(비교예 4, 5)(Comparative Examples 4 and 5)

다음의 표 1에 나타내는 성분을 다음의 표 1에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 이방성 도전 페이스트를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3 접속 구조체를 얻었다.The component shown in following Table 1 was mix|blended by the compounding quantity shown in following Table 1, and the anisotropic electrically conductive paste was obtained. Except having used the obtained anisotropic electrically conductive paste, it carried out similarly to Example 1, and obtained the 1st, 2nd, and 3rd bonded structure.

(평가)(evaluation)

(1) 점도(1) Viscosity

이방성 도전 페이스트의 25℃에서의 점도(η25)를, E형 점도계(도끼 산교사 제조)를 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정하였다.The viscosity (η25) in 25 degreeC of anisotropic electrically conductive paste was measured on 25 degreeC and conditions of 5 rpm using the E-type viscometer (made by Toki Sangyo).

(2) 땜납부의 두께(2) Thickness of solder part

얻어진 접속 구조체를 단면 관찰함으로써, 상하의 전극이 사이에 위치하고 있는 땜납부의 두께를 평가하였다.Cross-sectional observation of the obtained bonded structure evaluated the thickness of the solder part in which the upper and lower electrodes are located.

(3) 셀프 얼라인먼트성(3) Self-alignment property

제3 접속 구조체의 제작에 있어서, 유리 에폭시 기판의 전극과, 플렉시블 프린트 기판의 전극과의 어긋남량을, 25㎛(제4 접속 구조체용), 50㎛(제5 접속 구조체용), 75㎛(제6 접속 구조체용), 90㎛(제7 접속 구조체용)로 해서, 중첩한 것 이외는 마찬가지로 하여, 제4 내지 제7 접속 구조체를 얻었다.Production of the 3rd bonded structure WHEREIN: The amount of shift|offset|difference between the electrode of a glass epoxy board|substrate and the electrode of a flexible printed circuit board is 25 micrometers (for 4th bonded structure), 50 micrometers (for 5th bonded structure), 75 micrometers ( 6th bonded structure) and 90 micrometers (for 7th bonded structures), except having overlapped, it carried out similarly, and obtained 4th - 7th bonded structure.

얻어진 제4 내지 제7 접속 구조체의 유리 에폭시 기판의 전극과, 플렉시블 프린트 기판의 전극과의 어긋남량을 측정하였다. 제4 내지 제7 접속 구조체를 25개 제작하고, 각각의 접속 구조체의 양단에 위치하는 전극에서, 상하 전극의 어긋남량을 측정하여, 그 측정값의 평균값을 구하였다. 셀프 얼라인먼트성을 다음의 기준으로 판정하였다.The amount of shift|offset|difference between the electrode of the glass epoxy board|substrate of the obtained 4th - 7th bonded structure, and the electrode of a flexible printed circuit board was measured. 25 4th - 7th bonded structures were produced, the shift|offset|difference amount of the upper and lower electrodes was measured with the electrode located at the both ends of each bonded structure, and the average value of the measured value was calculated|required. Self-alignment property was judged on the following reference|standard.

○○: 어긋남량의 평균값이 10㎛ 미만○○: The average value of the shift amount is less than 10 μm

○: 어긋남량의 평균값이 10㎛ 이상, 25㎛ 미만(circle): The average value of the shift|offset|difference amount is 10 micrometers or more and less than 25 micrometers

△: 어긋남량의 평균값이 25㎛ 이상, 50㎛ 미만(triangle|delta): The average value of the shift|offset|difference amount is 25 micrometers or more, and less than 50 micrometers.

×: 어긋남량의 평균값이 50㎛ 이상x: the average value of the shift|offset|difference amount is 50 micrometers or more

(4) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1(4) Accuracy of placement of solder on electrodes 1

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극과의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의, 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 면적의 비율 X를 평가하였다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1을 다음의 기준으로 판정하였다.In the obtained 1st, 2nd, 3rd connection structure, when the mutually opposing part of a 1st electrode and a 2nd electrode is seen in the lamination direction of a 1st electrode, a connection part, and a 2nd electrode, a 1st electrode and a 2nd electrode The ratio X of the area in which the solder part in the connection part is arrange|positioned in 100% of the area of the mutually opposing part of an electrode was evaluated. The placement accuracy of the solder on the electrode of 1 was determined on the basis of the following criteria.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1의 판정 기준][Criterion of Solder Arrangement Accuracy 1 on Electrodes]

○○: 비율 X가 70% 이상○○: Ratio X is 70% or more

○: 비율 X가 60% 이상, 70% 미만○: Ratio X is 60% or more and less than 70%

△: 비율 X가 50% 이상, 60% 미만△: Ratio X is 50% or more and less than 60%

×: 비율 X가 50% 미만x: ratio X is less than 50%

(5) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2(5) Accuracy of placement of solder on electrodes 2

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극과의 적층 방향과 직교하는 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 접속부 중의 땜납부 100% 중, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분에 배치되어 있는 접속부 중의 땜납부의 비율 Y를 평가하였다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2를 다음의 기준으로 판정하였다.In the obtained 1st, 2nd, and 3rd bonded structure, when the mutually opposing part of a 1st electrode and a 2nd electrode is seen in the direction orthogonal to the lamination direction of a 1st electrode, a connection part, and a 2nd electrode, in the connection part The ratio Y of the solder part in the connection part arrange|positioned at the mutually opposing part of the 1st electrode and the 2nd electrode among 100% of solder parts was evaluated. The placement accuracy 2 of the solder on the electrode was determined on the basis of the following criteria.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2의 판정 기준][Criterion of Solder Arrangement Accuracy 2 on Electrodes]

○○: 비율 Y가 99% 이상○○: ratio Y is 99% or more

○: 비율 Y가 90% 이상, 99% 미만○: ratio Y is 90% or more and less than 99%

△: 비율 Y가 70% 이상, 90% 미만Δ: ratio Y is 70% or more and less than 90%

×: 비율 Y가 70% 미만x: ratio Y is less than 70%

(6) 상하의 전극 사이의 도통 신뢰성(6) Reliability of conduction between upper and lower electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 상하의 전극 사이의 1 접속 개소당 접속 저항을 각각, 4 단자법에 의해 측정하였다. 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계에서, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 다음의 기준으로 판정하였다.In the obtained 1st, 2nd, 3rd bonded structure (n=15 pieces), the connection resistance per 1 connection location between an upper and lower electrode was respectively measured by the 4-probe method. The average value of connection resistance was computed. Further, in the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. Conduction reliability was judged according to the following criteria.

[도통 신뢰성의 판정 기준] [Criteria for judgment of continuity reliability]

○○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ 이하○○: The average value of the connection resistance is 50 mΩ or less

○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ을 초과하고, 70mΩ 이하○: The average value of the connection resistance exceeds 50 mΩ and 70 mΩ or less

△: 접속 저항의 평균값이 70mΩ을 초과하고, 100mΩ 이하(triangle|delta): The average value of connection resistance exceeds 70 mΩ, and 100 mΩ or less

×: 접속 저항의 평균값이 100mΩ을 초과하거나, 또는 접속 불량이 발생함×: The average value of the connection resistance exceeds 100 mΩ, or a poor connection occurs

(7) 인접하는 전극 사이의 절연 신뢰성(7) Insulation reliability between adjacent electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 85℃, 습도 85%의 분위기 중에 100시간 방치 후, 인접하는 전극 사이에 5V를 인가하여, 저항값을 25곳에서 측정하였다. 절연 신뢰성을 다음의 기준으로 판정하였다.In the obtained 1st, 2nd, 3rd bonded structure (n=15 pieces), after leaving it to stand for 100 hours in the atmosphere of 85 degreeC and 85% of humidity, 5 V is applied between adjacent electrodes, and the resistance value is set at 25 places. measured. Insulation reliability was judged according to the following criteria.

[절연 신뢰성의 판정 기준] [Criteria for determining insulation reliability]

○○: 접속 저항의 평균값이 107Ω 이상○○: The average value of the connection resistance is 10 7 Ω or more

○: 접속 저항의 평균값이 106Ω 이상, 107Ω 미만○: The average value of the connection resistance is 10 6 Ω or more and less than 10 7 Ω

△: 접속 저항의 평균값이 105Ω 이상, 106Ω 미만△: The average value of the connection resistance is 10 5 Ω or more and less than 10 6 Ω

×: 접속 저항의 평균값이 105Ω 미만×: The average value of the connection resistance is less than 10 5 Ω

(8) 상하의 전극 사이의 위치 어긋남(8) Position misalignment between the upper and lower electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극과의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 제1 전극의 중심선과 제2 전극의 중심선이 정렬되어 있는지 여부, 및 위치 어긋남의 거리를 평가하였다. 상하의 전극 사이의 위치 어긋남을 다음의 기준으로 판정하였다.In the obtained 1st, 2nd, and 3rd connection structure, when the mutually opposing part of a 1st electrode and a 2nd electrode is seen in the lamination direction of a 1st electrode, a connection part, and a 2nd electrode, the center line of the 1st electrode and Whether the center lines of the second electrode are aligned, and the distance of the misalignment were evaluated. The position shift between the upper and lower electrodes was determined on the basis of the following criteria.

[상하의 전극 사이의 위치 어긋남의 판정 기준] [Criteria for judging position shift between upper and lower electrodes]

○○: 위치 어긋남이 15㎛ 미만○○: Position shift is less than 15㎛

○: 위치 어긋남이 15㎛ 이상, 25㎛ 미만○: Position shift is 15 μm or more and less than 25 μm

△: 위치 어긋남이 25㎛ 이상, 40㎛ 미만(triangle|delta): position shift is 25 micrometers or more, and less than 40 micrometers

×: 위치 어긋남이 40㎛ 이상x: position shift is 40 µm or more

상세 및 결과를 다음의 표 1, 2에 나타내었다.Details and results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 112016111721262-pct00001
Figure 112016111721262-pct00001

Figure 112016111721262-pct00002
Figure 112016111721262-pct00002

플렉시블 프린트 기판 대신에, 수지 필름, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판을 사용한 경우에도, 마찬가지의 경향이 나타났다.It replaced with a flexible printed circuit board, and also when a resin film, a flexible flat cable, and a rigid flexible board were used, the similar tendency appeared.

1, 1X, 1Y : 접속 구조체 2, 2Y : 제1 접속 대상 부재
2a : 제1 전극 2y : 제1 볼록부
3, 3Y : 제2 접속 대상 부재 3a : 제2 전극
3y : 제2 볼록부 4, 4X, 4Y : 접속부
4A, 4XA, 4YA : 땜납부 4B, 4XB, 4YB : 경화물부
5, 5X, 5Y : 스페이서 11 : 도전 페이스트
11A : 땜납 입자 11B : 열경화성 성분
1, 1X, 1Y: Connection structure 2, 2Y: 1st connection object member
2a: 1st electrode 2y: 1st convex part
3, 3Y: 2nd connection object member 3a: 2nd electrode
3y: second convex part 4, 4X, 4Y: connection part
4A, 4XA, 4YA: Solder part 4B, 4XB, 4YB: Hardened part
5, 5X, 5Y: spacer 11: conductive paste
11A: solder particles 11B: thermosetting component

Claims (15)

제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를 접속하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속하기 위해 사용되는 도전 페이스트이며,
열경화성 성분과, 복수의 땜납 입자와, 융점이 250℃ 이상인 복수의 스페이서를 포함하고,
도전 페이스트는 상기 땜납 입자의 융점 이상 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 가열하여 사용되고, 또한, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속할 때, 상기 스페이서를 용융시키지 않고, 또한 복수의 상기 땜납 입자를 응집시켜 일체화시켜서 사용되고,
상기 스페이서의 평균 입자 직경은 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경보다도 크고, 상기 스페이서의 평균 입자 직경의, 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경에 대한 비가 10 이하인, 도전 페이스트.
A conductive paste used for connecting a first connection object member having a first electrode on the surface and a second connection object member having a second electrode on the surface, and electrically connecting the first electrode and the second electrode,
a thermosetting component, a plurality of solder particles, and a plurality of spacers having a melting point of 250° C. or higher;
The conductive paste is heated above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component, and when the first electrode and the second electrode are electrically connected, the spacer is not melted and the plurality of the It is used by agglomerating solder particles and integrating them,
An average particle diameter of the spacers is larger than an average particle diameter of the solder particles, and a ratio of the average particle diameter of the spacers to the average particle diameter of the solder particles is 10 or less.
제1항에 있어서, 상기 스페이서가 절연성 입자인, 도전 페이스트.The conductive paste according to claim 1, wherein the spacers are insulating particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전 페이스트는, 상기 스페이서가 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 접하도록 사용되는, 도전 페이스트.The conductive paste according to claim 1 or 2, wherein the conductive paste is used so that the spacer is in contact with both the first connection object member and the second connection object member. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서의 평균 입자 직경의, 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경에 대한 비가 1.1 이상, 10 이하인, 도전 페이스트.The electrically conductive paste according to claim 1 or 2, wherein the ratio of the average particle diameter of the spacer to the average particle diameter of the solder particles is 1.1 or more and 10 or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서의 함유량이 0.1중량% 이상, 10중량% 이하인, 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 whose content of the said spacer is 0.1 weight% or more and 10 weight% or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 땜납 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상, 40㎛ 이하인, 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 whose average particle diameter of the said solder particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 땜납 입자의 함유량이 10중량% 이상, 80중량% 이하인, 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 whose content of the said solder particle is 10 weight% or more and 80 weight% or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 땜납 입자의 중량% 단위에서의 함유량의, 상기 스페이서의 중량% 단위에서의 함유량에 대한 비가 2 이상, 100 이하인, 도전 페이스트.The electrically conductive paste according to claim 1 or 2, wherein the ratio of the content in the weight% unit of the solder particles to the content in the weight% unit of the spacer is 2 or more and 100 or less. 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부의 재료가, 제1항 또는 제2항에 기재된 도전 페이스트이며,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있고,
상기 스페이서가, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 접촉하고 있는, 접속 구조체.
a first connection object member having at least one first electrode on its surface;
a second connection object member having at least one second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection object member and the second connection object member is provided;
The material of the said connection part is the electrically conductive paste of Claim 1 or 2,
the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by a solder portion in the connection portion;
The connection structure in which the said spacer is contacting both the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member.
제9항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재가 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인, 접속 구조체.The connection structure of Claim 9 whose said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. 제1항 또는 제2항에 기재된 도전 페이스트를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과,
상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과,
상기 땜납 입자의 융점 이상이며 또한 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하고, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재의 양쪽에 상기 스페이서를 접촉시키는 공정을 구비하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 접속할 때, 상기 스페이서를 용융시키지 않고, 또한 복수의 상기 땜납 입자를 응집시켜 일체화시키는, 접속 구조체의 제조 방법.
A step of disposing the conductive paste on the surface of a first connection object member having at least one first electrode on the surface using the conductive paste according to claim 1 or 2;
a second connection object member having at least one second electrode on the surface of the conductive paste opposite to the first connection object member side is disposed so that the first electrode and the second electrode face each other process and
By heating the conductive paste above the melting point of the solder particles and above the curing temperature of the thermosetting component, a connection portion connecting the first connection object member and the second connection object member is formed with the conductive paste, further comprising a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion, and bringing the spacer into contact with both the first connection object member and the second connection object member; ,
A method for manufacturing a bonded structure in which, when electrically connecting the first electrode and the second electrode, the spacer is not melted, and a plurality of the solder particles are aggregated and integrated.
제11항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는, 접속 구조체의 제조 방법.The manufacturing of the bonded structure according to claim 11, wherein in the step of arranging the second connection object member and the step of forming the connection portion, the weight of the second connection object member is applied to the conductive paste without applying pressure. Way. 제11항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재가 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인, 접속 구조체의 제조 방법.The manufacturing method of the bonded structure of Claim 11 whose said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. 삭제delete 삭제delete
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