KR102400677B1 - Resin compositions - Google Patents

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Abstract

[과제] 휨이 억제되고, 강도, 및 밀착성이 우수한 수지 조성물; 그것을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지의 제공.
[해결 수단] (a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, (d) 페녹시 수지, 및 (e) 카르보디이미드 화합물을 함유하는 수지 조성물 등에 관한 것이다.
[Problem] A resin composition in which warpage is suppressed and excellent in strength and adhesion; Provision of a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package using the same.
[Solutions] (a) an elastomer having a polycarbonate structure in a molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, (d) a phenoxy resin, and (e) a resin composition containing a carbodiimide compound, etc. will be.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITIONS}Resin composition {RESIN COMPOSITIONS}

본 발명은 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 수지 조성물을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition. Moreover, it is related with the resin sheet, circuit board, and semiconductor chip package which used the resin composition.

최근, 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 소형의 고기능 전자 기기의 수요가 증대하고 있고, 그에 따라, 그들 소형의 전자 기기에 사용되는 반도체 패키지용 절연 재료(절연층)도 한층 더 고기능화가 요구되고 있다.In recent years, the demand for small high-performance electronic devices such as smartphones and tablet PCs is increasing, and accordingly, the insulating material (insulating layer) for semiconductor packages used in these small-sized electronic devices is also required to be highly functional.

예를 들면, Fan-out형 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지(Wafer Level Package)에 사용되는 다이 밀봉용의 절연층은, 휨의 억제, 수지 웨이퍼를 가고정 테이프로부터 박리할 때의 충분한 강도, 재배선용 절연층(예를 들면, 질화 규소나 폴리이미드 등)에 대한 충분한 밀착성이 요구된다. 또한, 매립형의 배선층을 구비하는 배선판에 사용되는 절연층은, 휨의 억제, 코어 기판을 박리할 때의 충분한 강도, 구리에 대한 충분한 밀착성이 요구된다.For example, an insulating layer for die sealing used in a fan-out type wafer-level chip size package (Wafer Level Package) suppresses warpage, sufficient strength when peeling a resin wafer from a temporary fixing tape, and insulation for rewiring Sufficient adhesiveness to a layer (eg, silicon nitride, polyimide, etc.) is calculated|required. Moreover, suppression of curvature, sufficient intensity|strength at the time of peeling a core board|substrate, and sufficient adhesiveness with respect to copper are calculated|required of the insulating layer used for the wiring board provided with a buried wiring layer.

특허문헌 1에는, 저탄성률의 열경화성 수지 조성물로서, 특정의 선형 변성 폴리이미드 수지와 열경화성 수지를 함유하는 열경화성 수지 조성물이 개시되어 있다. 그러나 이러한 저탄성률의 절연 재료는 다른 수지와의 상용성의 관점에서 수지 조성물의 설계가 한정되고, 요구되는 특성을 만족하기까지에는 이르고 있지 않은 것이 현상이다.Patent Document 1 discloses a thermosetting resin composition containing a specific linearly modified polyimide resin and a thermosetting resin as a low elastic modulus thermosetting resin composition. However, the current situation is that the design of the resin composition is limited from the viewpoint of compatibility with other resins for such a low elastic modulus insulating material, and it has not reached the point of satisfying the required properties.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2006-37083호Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-37083

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 휨이 억제되고, 강도, 및 밀착성이 우수한 수지 조성물, 당해 수지 조성물을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지를 제공하는 것에 있다.This invention was made in order to solve the said subject, and it is providing the resin composition which curvature is suppressed and is excellent in intensity|strength and adhesiveness, the resin sheet using this resin composition, a circuit board, and a semiconductor chip package.

본 발명자들은, (a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, (d) 페녹시 수지, 및 (e) 카르보디이미드 화합물을 함유하는 수지 조성물이, 휨이 억제되고, 강도, 및 밀착성이 우수한 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors have found that (a) an elastomer having a polycarbonate structure in a molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, (d) a phenoxy resin, and (e) a resin composition containing a carbodiimide compound, It was discovered that curvature was suppressed and was excellent in strength and adhesiveness, and came to complete this invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, (d) 페녹시 수지, 및 (e) 카르보디이미드 화합물을 함유하는 수지 조성물.[1] A resin composition comprising (a) an elastomer having a polycarbonate structure in a molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, (d) a phenoxy resin, and (e) a carbodiimide compound.

[2] (c) 성분의 함유량이, 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 75질량% 내지 95질량%인, [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the content of the component (c) is 75% by mass to 95% by mass when the nonvolatile component of the resin composition is 100% by mass.

[3] (a) 성분의 함유량이, (c) 성분을 제외한 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 30질량% 내지 85질량%인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin according to [1] or [2], wherein the content of the component (a) is 30% by mass to 85% by mass when the nonvolatile component of the resin composition excluding the component (c) is 100% by mass. composition.

[4] 수지 조성물을 180℃에서 1시간 열경화시킨 경화물의 23℃에서의 탄성률이 8Gpa 이상인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein a cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180°C for 1 hour has an elastic modulus at 23°C of 8 Gpa or more.

[5] (a) 성분이, 화학식 (1-a)로 표시되는 구조 및 화학식 (1-b)로 표시되는 구조;[5] (a) a structure in which the component is represented by a structure represented by the formula (1-a) and a structure represented by the formula (1-b);

화학식 (1-a)Formula (1-a)

Figure 112017077421250-pat00001
Figure 112017077421250-pat00001

화학식 (1-b)Formula (1-b)

Figure 112017077421250-pat00002
Figure 112017077421250-pat00002

[상기 화학식에서, R1은 폴리카보네이트디올의 하이드록시기를 제외한 잔기를 나타내고, R2는 다염기산 또는 이의 무수물의 카르복실기 또는 산무수물기를 제외한 잔기를 나타내고, R3는 디이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기를 제외한 잔기를 나타낸다.][In the above formula, R1 represents a residue excluding the hydroxyl group of the polycarbonate diol, R2 represents a residue excluding the carboxyl group or acid anhydride group of a polybasic acid or anhydride thereof, and R3 represents a residue other than the isocyanate group of the diisocyanate compound.]

를 갖는 수지인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [1] to [4], which is a resin having a

[6] (a) 성분이 (b) 성분과 반응할 수 있는 관능기를 갖는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the component (a) has a functional group capable of reacting with the component (b).

[7] (a) 성분이 페놀성 수산기를 갖는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the component (a) has a phenolic hydroxyl group.

[8] 추가로 (f) 경화제를 포함하고, 당해 경화제가 페놀계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], further comprising (f) a curing agent, wherein the curing agent is at least one selected from phenol-based curing agents.

[9] 반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 조성물인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package.

[10] 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는 수지 시트.[10] A resin sheet having a support and a resin composition layer formed on the support and comprising the resin composition according to any one of [1] to [9].

[11] 반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 시트인, [10]에 기재된 수지 시트.[11] The resin sheet according to [10], which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package.

[12] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는 회로 기판.[12] A circuit board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [9].

[13] [12]에 기재된 회로 기판 위에 반도체 칩이 탑재된 반도체 칩 패키지.[13] A semiconductor chip package in which a semiconductor chip is mounted on the circuit board according to [12].

[14] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물, 또는 [10]에 기재된 수지 시트에 의해 밀봉된 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩 패키지.[14] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip sealed with the resin composition according to any one of [1] to [9], or the resin sheet according to [10].

본 발명에 의하면, 휨이 억제되고, 강도, 및 밀착성이 우수한 경화물(절연층)이 수득되는 수지 조성물; 그것을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, curvature is suppressed and the resin composition from which the hardened|cured material (insulating layer) excellent in strength and adhesiveness is obtained; A resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package using the same can be provided.

이하, 본 발명의 수지 조성물, 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the resin composition, the resin sheet, the circuit board, and the semiconductor chip package of this invention are demonstrated in detail.

[수지 조성물][resin composition]

본 발명의 수지 조성물은, (a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, (d) 페녹시 수지, 및 (e) 카르보디이미드 화합물을 함유한다. 필요에 따라, 추가로 (f) 경화제, (g) 경화 촉진제, 및 (h) 난연제를 포함할 수 있다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대해 상세히 설명한다.The resin composition of the present invention contains (a) an elastomer having a polycarbonate structure in a molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, (d) a phenoxy resin, and (e) a carbodiimide compound. If necessary, it may further include (f) a curing agent, (g) a curing accelerator, and (h) a flame retardant. Hereinafter, each component included in the resin composition will be described in detail.

<(a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머><(a) Elastomer having a polycarbonate structure in the molecule>

본 발명의 수지 조성물은 (a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머를 포함한다. (a) 성분과 같은 유연한 수지를 포함함으로써, 절연 신뢰성이 우수하고, 휨의 발생을 억제하고, 선열팽창 계수가 낮은 절연층을 수득할 수 있다.The resin composition of the present invention includes (a) an elastomer having a polycarbonate structure in a molecule. By including a flexible resin like the component (a), an insulating layer having excellent insulation reliability, suppressing the occurrence of warpage, and having a low coefficient of linear thermal expansion can be obtained.

본 발명에서 엘라스토머는, 고무 탄성을 갖는 수지, 또는 중합 또는 고형화하여 고무 탄성을 나타내는 수지가 바람직하다. 고무 탄성으로서는 예를 들면, 일본 공업 규격(JIS K7 161)에 준거하고, 온도 25℃, 습도 40%RH에서 인장 시험을 수행한 경우에, 1GPa 이하의 탄성율을 나타내는 수지가 바람직하다. In the present invention, the elastomer is preferably a resin having rubber elasticity, or a resin exhibiting rubber elasticity by polymerization or solidification. As rubber elasticity, for example, in conformity with Japanese Industrial Standards (JIS K7 161), when a tensile test is performed at a temperature of 25°C and a humidity of 40% RH, a resin exhibiting an elastic modulus of 1 GPa or less is preferable.

(a) 성분의 엘라스토머는, 휨을 억제하는 관점에서, 유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하의 수지, 및 25℃에서 액상인 수지로부터 선택되는 1종 이상의 수지가 바람직하다.From the viewpoint of suppressing warpage, the elastomer of the component (a) is preferably at least one resin selected from a resin having a glass transition temperature (Tg) of 25°C or lower and a liquid resin at 25°C.

유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하인 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 20℃ 이하, 보다 바람직하게는 15℃ 이하이다. 유리 전이 온도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 -15℃ 이상으로 할 수 있다. 또한, 25℃에서 액상인 수지로서는, 바람직하게는 20℃ 이하에서 액상인 수지, 보다 바람직하게는 15℃ 이하에서 액상인 수지이다.The glass transition temperature of resin whose glass transition temperature (Tg) is 25 degrees C or less becomes like this. Preferably it is 20 degrees C or less, More preferably, it is 15 degrees C or less. Although the lower limit of a glass transition temperature is not specifically limited, Usually, it can be made into -15 degreeC or more. Moreover, as resin which is liquid at 25 degreeC, Preferably it is resin which is liquid at 20 degrees C or less, More preferably, it is resin which is liquid at 15 degrees C or less.

(a) 성분의 적합한 일 실시형태로서는, 화학식 (1-a)로 표시되는 구조(우레탄 및 폴리카보네이트 구조, 이하 「구조(1-a)」라고 약칭하는 경우가 있음) 및 화학식 (1-b)로 표시되는 구조(이미드 구조, 이하 「구조(1-b)」로 약칭하는 경우가 있음)을 갖는 수지이다.As one preferred embodiment of the component (a), a structure represented by the formula (1-a) (urethane and polycarbonate structures; ) (imide structure, hereinafter may be abbreviated as "structure (1-b)" in some cases).

화학식 (1-a)Formula (1-a)

Figure 112017077421250-pat00003
Figure 112017077421250-pat00003

화학식 (1-b)Formula (1-b)

Figure 112017077421250-pat00004
Figure 112017077421250-pat00004

[상기 화학식에서, R1은 폴리카보네이트디올의 하이드록시기를 제외한 잔기를 나타내고, R2는 다염기산 또는 이의 무수물의 카르복실기 또는 산무수물기를 제외한 잔기를 나타내고, R3는 디이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기를 제외한 잔기를 나타낸다.][In the above formula, R1 represents a residue excluding the hydroxyl group of the polycarbonate diol, R2 represents a residue excluding the carboxyl group or acid anhydride group of a polybasic acid or anhydride thereof, and R3 represents a residue other than the isocyanate group of the diisocyanate compound.]

또한, 상기 화학식의 말단은 메틸기가 아니라, 결합 위치를 나타낸다. 다른 화학식도 마찬가지이다.In addition, the terminus of the above formula indicates a bonding position, not a methyl group. The same is true for other chemical formulas.

상기 폴리카보네이트디올의 수 평균 분자량은 수지 조성물의 경화물의 유연성의 관점, 및 성분 (A)의 용제 용해성의 관점에서, 바람직하게는 500 내지 5,000, 보다 바람직하게는 1,000 내지 3,000이다. 상기 폴리카보네이트디올의 수산기 당량은, 수지 조성물의 경화물의 유연성의 관점, 및 내약품성의 관점에서 바람직하게는 250 내지 1,250, 보다 바람직하게는 500 내지 1,000이다.The number average molecular weight of the polycarbonate diol is preferably 500 to 5,000, more preferably 1,000 to 3,000 from the viewpoint of the flexibility of the cured product of the resin composition and the solvent solubility of the component (A). The hydroxyl equivalent of the polycarbonate diol is preferably 250 to 1,250, more preferably 500 to 1,000, from the viewpoint of flexibility of the cured product of the resin composition and chemical resistance.

상기 디이소시아네이트 화합물로서는 예를 들면, 톨루엔-2,4-디이소시아네이트, 톨루엔-2,6-디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트 등의 지환식 디이소시아네이트를 들 수 있다. 이것들 중에서 방향족 디이소시아네이트가 바람직하고, 톨루엔-2,4-디이소시아네이트가 보다 바람직하다.Examples of the diisocyanate compound include aromatic diisocyanates such as toluene-2,4-diisocyanate, toluene-2,6-diisocyanate, xylylene diisocyanate and diphenylmethane diisocyanate; aliphatic diisocyanates such as hexamethylene diisocyanate; Alicyclic diisocyanate, such as isophorone diisocyanate, is mentioned. Among these, aromatic diisocyanate is preferable, and toluene-2,4-diisocyanate is more preferable.

상기 다염기산 또는 이의 무수물로서는 예를 들면, 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산, 비페닐테트라카르복실산, 나프탈렌테트라카르복실산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로푸릴)-3-메틸-사이클로헥센-1,2-디카르복실산, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카르복실산 등의 사염기산 및 이것들의 무수물, 트리멜리트산, 사이클로헥산트리카르복실산 등의 삼염기산 및 이것들의 무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토(1,2-C)푸란-1,3-디온 등을 들 수 있다. 이것들 중에서, 사염기산 무수물이 바람직하고, 사염기산 이무수물이 보다 바람직하고, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물이 더욱 바람직하다.Examples of the polybasic acid or anhydride thereof include pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid, naphthalenetetracarboxylic acid, 5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3- tetrabasic acids such as methyl-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid and 3,3'-4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid and anhydrides thereof, trimellitic acid, cyclohexanetricarboxyl Tribasic acids such as acids and anhydrides thereof, 1,3,3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho (1, 2-C) furan-1,3-dione; and the like. Among these, tetrabasic acid anhydride is preferable, tetrabasic acid dianhydride is more preferable, and benzophenonetetracarboxylic dianhydride is still more preferable.

R1은 바람직하게는 화학식 (1-c):R 1 is preferably of formula (1-c):

화학식 (1-c)Formula (1-c)

Figure 112017077421250-pat00005
Figure 112017077421250-pat00005

[상기 화학식에서, k+1개의 R4는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기를 나타내고, k는 5 내지 30의 정수를 나타낸다.][In the above formula, each of k+1 R 4 independently represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, and k represents an integer of 5 to 30.]

로 표시되는 2가의 기이다.It is a divalent group represented by .

R4의 알킬렌기는 직쇄상이라도 좋고, 분기쇄상이라도 좋다. R4의 알킬렌기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 예를 들면, 할로겐 원자, 탄소수 4 내지 8의 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기를 들 수 있다. R4의 알킬렌기는 무치환인 것이 바람직하다.The alkylene group for R4 may be linear or branched. Examples of the substituent which the alkylene group of R4 may have include a halogen atom, a cycloalkyl group having 4 to 8 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 14 carbon atoms. It is preferable that the alkylene group of R4 is unsubstituted.

할로겐 원자로서는 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

탄소수 4 내지 8의 사이클로알킬기로서는 예를 들면, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기를 들 수 있다.Examples of the cycloalkyl group having 4 to 8 carbon atoms include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group.

탄소수 6 내지 14의 아릴기로서는 예를 들면, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기를 들 수 있다.Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, and 9-anthryl group.

k+1개의 R4는 각각 독립적으로, 바람직하게는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 18의 알킬렌기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 3 내지 16의 알킬렌기이다. k는 바람직하게는 5 내지 25의 정수이고, 보다 바람직하게는 5 내지 20의 정수이다.Each of k+1 pieces of R 4 is independently an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 18 carbon atoms, still more preferably an alkylene group having 3 to 16 carbon atoms. k is an integer of preferably 5 to 25, more preferably an integer of 5 to 20.

R2는 바람직하게는 하기 화학식:R2 is preferably of the formula:

Figure 112017077421250-pat00006
Figure 112017077421250-pat00006

[상기 화학식에서, A는 산소 원자, 황 원자, CO, SO, SO2, CH2, CH(CH3), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(CCl3)2를 나타낸다. 상기 화학식에서, 탄소 원자에 결합하는 수소 원자는 할로겐 원자 및 탄소수 1 내지 8의 알킬기로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 좋다.][In the above formula, A is an oxygen atom, a sulfur atom, CO, SO, SO 2 , CH 2 , CH(CH 3 ), C(CH 3 ) 2 , C(CF 3 ) 2 , or C(CCl 3 ) 2 indicates In the above formula, the hydrogen atom bonded to the carbon atom may be substituted with a substituent selected from a halogen atom and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.]

중 어느 하나로 표시되는 4가의 기의 그룹으로부터 선택되는 1종 이상이다.at least one selected from the group of tetravalent groups represented by any one of them.

상기 화학식으로 표시되는 R2(4가의 기) 중에서는 방향환을 갖는 4가의 기가 바람직하고, 2개 이상의 방향환을 갖는 4가의 기가 보다 바람직하고, 하기 화학식:Among R2 (tetravalent group) represented by the above formula, a tetravalent group having an aromatic ring is preferable, and a tetravalent group having two or more aromatic rings is more preferable, and the following formula:

Figure 112017077421250-pat00007
Figure 112017077421250-pat00007

[상기 화학식에서, A는 산소 원자, 황 원자, CO, SO, SO2, CH2, CH(CH3), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(CCl3)2를 나타낸다. 상기 화학식에서, 탄소 원자에 결합하는 수소 원자는 할로겐 원자 및 탄소수 1 내지 8의 알킬기로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 좋다.][In the above formula, A is an oxygen atom, a sulfur atom, CO, SO, SO 2 , CH 2 , CH(CH 3 ), C(CH 3 ) 2 , C(CF 3 ) 2 , or C(CCl 3 ) 2 indicates In the above formula, the hydrogen atom bonded to the carbon atom may be substituted with a substituent selected from a halogen atom and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.]

으로 표시되는 4가의 기가 가장 바람직하다.The tetravalent group represented by is most preferred.

A는 바람직하게는 CO이다.A is preferably CO.

상기 화학식 중의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자(즉, R2인 4가의 기 중의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자)는, 할로겐 원자 및 탄소수 1 내지 8의 알킬기로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 좋다. 당해 수소 원자는 치환되어 있지 않은 것이 바람직하다.A hydrogen atom bonded to a carbon atom in the above formula (ie, a hydrogen atom bonded to a carbon atom in the tetravalent group represented by R 2 ) may be substituted with a substituent selected from a halogen atom and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. It is preferable that the said hydrogen atom is not substituted.

할로겐 원자로서는 상술의 것을 들 수 있다.As a halogen atom, the thing mentioned above is mentioned.

알킬기는 직쇄상이라도 분기상이라도 좋다. 탄소수 1 내지 8의 알킬기로서는 예를 들면, 메틸, 에틸기, 프로필기, 이소프로필, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1-에틸프로필기, 헥실기, 이소헥실기, 1,1-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, 옥틸기를 들 수 있다.The alkyl group may be linear or branched. Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, 1 -Ethylpropyl group, hexyl group, isohexyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, heptyl group, and octyl group are mentioned. .

R3는 바람직하게는 하기 화학식:R3 is preferably of the formula:

Figure 112017077421250-pat00008
Figure 112017077421250-pat00008

[상기 화학식에서, 탄소 원자에 결합하는 수소 원자는, 할로겐 원자 및 탄소수 1 내지 8의 알킬기로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 좋다.][In the above formula, the hydrogen atom bonded to the carbon atom may be substituted with a substituent selected from a halogen atom and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.]

중 어느 하나로 표시되는 2가의 기의 그룹으로부터 선택되는 1종 이상이다. 또한, 상기 화학식의 말단은 메틸기가 아니라, 결합 위치를 나타낸다. 예를 들면, 상기 화학식의 최후는 옥탄이 아니라 헥사메틸렌기를 나타낸다.at least one selected from the group of the divalent group represented by any one of them. In addition, the terminus of the above formula indicates a bonding position, not a methyl group. For example, the end of the formula indicates a hexamethylene group, not an octane.

상기 화학식 중의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자(즉, R3인 2가의 기 중의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자)는, 할로겐 원자 및 탄소수 1 내지 8의 알킬기로부터 선택되는 치환기(바람직하게는 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 가장 바람직하게는 메틸기)로 치환되어 있어도 좋다.A hydrogen atom bonded to a carbon atom in the formula (ie, a hydrogen atom bonded to a carbon atom in the divalent group of R 3 ) is a substituent selected from a halogen atom and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms (preferably 1 to 8 carbon atoms). of an alkyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and most preferably a methyl group).

할로겐 원자 및 탄소수 1 내지 8의 알킬기로서는 상술한 것을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 6의 알킬기로서는 예를 들면, 메틸, 에틸기, 프로필기, 이소프로필, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1-에틸프로필기, 헥실기, 이소헥실기, 1,1-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기를 들 수 있다.Examples of the halogen atom and the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include those described above. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, 1 -Ethylpropyl group, hexyl group, isohexyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 3,3-dimethylbutyl group, and 2-ethylbutyl group are mentioned.

상기 화학식으로 표시되는 R3(2가의 기) 중에서는, 방향환 또는 지환식환을 갖는 2가의 기가 바람직하고, 지환식환을 갖는 2가의 유기기가 보다 바람직하다. 방향환을 갖는 2가의 기의 경우에는 하기 화학식:Among R3 (divalent group) represented by the above formula, a divalent group having an aromatic ring or an alicyclic ring is preferable, and a divalent organic group having an alicyclic ring is more preferable. In the case of a divalent group having an aromatic ring, the formula:

Figure 112017077421250-pat00009
Figure 112017077421250-pat00009

[상기 화학식에서, 탄소 원자에 결합하는 수소 원자는 탄소수 1 내지 8의 알킬기(바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 보다 바람직하게는 메틸기)로 치환되어 있어도 좋다.][In the above formula, the hydrogen atom bonded to the carbon atom may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms (preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably a methyl group).]

중 어느 하나로 표시되는 2가의 기가 바람직하고, 4-메틸-1,3-페닐렌기(즉, 톨루엔-2,4-디이소시아네이트의 이소시아네이트기를 제외한 잔기)가 특히 바람직하다.A divalent group represented by any one of them is preferable, and a 4-methyl-1,3-phenylene group (ie, a residue excluding the isocyanate group of toluene-2,4-diisocyanate) is particularly preferable.

(a) 성분으로서는, 후술하는 (b) 성분과 반응할 수 있는 관능기를 갖는 것이 바람직하다.As (a) component, it is preferable to have a functional group which can react with (b) component mentioned later.

적합한 일 실시형태에 있어서, (b) 성분과 반응할 수 있는 관능기는, 하이드록시기(보다 바람직하게는 페놀성 수산기), 카르복시기, 산무수물기, 아미노기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기이다. 그 중에서도, 당해 관능기로서는 하이드록시기, 산무수물기, 에폭시기, 이소시아네이트기가 바람직하고, 하이드록시기, 산무수물기, 에폭시기가 보다 바람직하다.In one suitable embodiment, the functional group capable of reacting with component (b) is selected from the group consisting of a hydroxyl group (more preferably a phenolic hydroxyl group), a carboxy group, an acid anhydride group, an amino group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. It is one or more types of functional groups selected. Especially, as said functional group, a hydroxyl group, an acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group are preferable, and a hydroxyl group, an acid anhydride group, and an epoxy group are more preferable.

수 평균 분자량(Mn)은 바람직하게는 1,000 내지 100,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 50,000, 보다 바람직하게는 7,500 내지 30,000, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 15,000이다. 여기서, 수지의 수 평균 분자량(Mn)은 GPC(겔 침투 크로마토그래피)를 사용하여 측정되는 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.The number average molecular weight (Mn) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 50,000, still more preferably 7,500 to 30,000, still more preferably 10,000 to 15,000. Here, the number average molecular weight (Mn) of resin is a polystyrene conversion number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

관능기를 갖는 경우의 관능기 당량은, 바람직하게는 100 내지 10000, 보다 바람직하게는 200 내지 5000이다. 또한, 관능기 당량이란, 1그램 당량의 관능기를 포함하는 수지의 그램 수이다. 예를 들면, 에폭시기 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있다. 수산기 당량은 JIS K1557-1에 따라 측정한 수산기가로 KOH의 분자량을 나눔으로써 산출할 수 있다.The functional group equivalent in the case of having a functional group becomes like this. Preferably it is 100-10000, More preferably, it is 200-5000. In addition, a functional group equivalent is the number of grams of resin containing 1 gram equivalent of a functional group. For example, the epoxy group equivalent can be measured according to JISK7236. The hydroxyl equivalent can be calculated by dividing the molecular weight of KOH by the hydroxyl value measured according to JIS K1557-1.

(a) 성분의 적합한 일 실시형태로서는, 유리 전이 온도가 25℃ 이하의 폴리카보네이트 수지가 바람직하고, 하이드록시기 함유 폴리카보네이트 수지(보다 바람직하게는 페놀성 수산기 함유 폴리카보네이트 수지), 카르복시기 함유 폴리카보네이트 수지, 산무수물기 함유 폴리카보네이트 수지, 에폭시기 함유 폴리카보네이트 수지, 이소시아네이트기 함유 폴리카보네이트 수지 및 우레탄기 함유 폴리카보네이트 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 수지가 바람직하다. 여기서, 「폴리카보네이트 수지」란, 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 말하고, 이들 수지에 있어서 폴리카보네이트 구조는 주쇄에 포함되어 있어도 측쇄에 포함되어 있어도 좋다.As one preferred embodiment of the component (a), a polycarbonate resin having a glass transition temperature of 25° C. or less is preferable, a polycarbonate resin containing a hydroxyl group (more preferably a polycarbonate resin containing a phenolic hydroxyl group), a polycarbonate containing a carboxy group At least one resin selected from the group consisting of a carbonate resin, an acid anhydride group-containing polycarbonate resin, an epoxy group-containing polycarbonate resin, an isocyanate group-containing polycarbonate resin and a urethane group-containing polycarbonate resin is preferable. Here, "polycarbonate resin" refers to resin containing a polycarbonate structure, and in these resins, the polycarbonate structure may be contained in the main chain or may be contained in the side chain.

수지 조성물 중의 (a) 성분의 함유량은 유연성 부여의 관점에서 (c) 성분을 제외한 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 85질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 더욱 바람직하게는 75질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 73질량% 이하이다. 또한, 하한은 바람직하게는 30질량% 이상, 보다 바람직하게는 35질량% 이상, 더욱 바람직하게는 45질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 55질량% 이상이다.The content of the component (a) in the resin composition is preferably 85% by mass or less, more preferably 80% by mass, when the nonvolatile component of the resin composition excluding the component (c) is 100% by mass from the viewpoint of imparting flexibility. Hereinafter, more preferably, it is 75 mass % or less, More preferably, it is 73 mass % or less. The lower limit is preferably 30% by mass or more, more preferably 35% by mass or more, still more preferably 45% by mass or more, still more preferably 55% by mass or more.

<(b) 에폭시 수지><(b) Epoxy resin>

수지 조성물은 에폭시 수지를 포함한다. 에폭시 수지로서는 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선형 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition contains an epoxy resin. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy Resin, phenol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, Glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclo A hexane dimethanol type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, a tetraphenylethane type epoxy resin, etc. are mentioned. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

에폭시 수지는 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 함)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 갖는 수지 조성물이 수득된다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도도 향상된다.It is preferable that the epoxy resin contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100 mass %, it is preferable that at least 50 mass % or more is an epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule. Among them, an epoxy resin that has two or more epoxy groups in one molecule and is liquid at a temperature of 20°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”), and has three or more epoxy groups in one molecule, and is a solid epoxy at a temperature of 20°C It is preferable to include a resin (hereinafter referred to as "solid epoxy resin"). As the epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility is obtained by using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin together. Moreover, the breaking strength of the hardened|cured material of a resin composition also improves.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지 및 방향족 구조를 갖는 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「828US」, 「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「JER806」, 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 「630」, 「630LSD」(아미노페놀형 에폭시 수지), 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세 켐 텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지), 신닛테츠 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산)을 들 수 있다. 이것들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin having an aromatic structure, and glycidylamine type epoxy resin having aromatic structure. Resin, a phenol novolak-type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton having an aromatic structure, a cyclohexanedimethanol-type epoxy resin having an aromatic structure, and an epoxy resin having a butadiene structure having an aromatic structure are preferable, and bisphenol A A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin are more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin are still more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, "828US" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "jER828EL" (bisphenol A type epoxy resin), " JER806", "jER807" (bisphenol F-type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak-type epoxy resin), "630", "630LSD" (aminophenol-type epoxy resin), " ZX1059" (mixture of bisphenol A epoxy resin and bisphenol F epoxy resin), "EX-721" (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex, "Celoxide 2021P" manufactured by Daicel ( The alicyclic epoxy resin which has an ester skeleton), "ZX1658" by a Nippon-Chemical company, "ZX1658GS" (liquid 1, 4- glycidyl cyclohexane) is mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

수지 조성물 중의 액상 에폭시 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, (a) 성분의 상용성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 2.5질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은 본 발명의 효과가 나타내는 한에서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다.Content of the liquid epoxy resin in the resin composition, when the non-volatile component in the resin composition is 100 mass %, from the viewpoint of improving the compatibility of the component (a), preferably 1 mass % or more, more preferably 2 It is mass % or more, More preferably, it is 2.5 mass % or more. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited as long as the effect of this invention is shown, Preferably it is 15 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less.

액상 에폭시 수지의 에폭시 당량은 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해지고, 경화물을 절연층으로서 사용할 때, 표면 거칠기가 작은 절연층을 가져올 수 있다. 또한, 액상 에폭시 수지의 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있고, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다.The epoxy equivalent of the liquid epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. By being in this range, the crosslinking density of the hardened|cured material of a resin composition becomes sufficient, and when using hardened|cured material as an insulating layer, the insulating layer with a small surface roughness can be brought. In addition, the epoxy equivalent of a liquid epoxy resin can be measured according to JISK7236, It is the mass of resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

액상 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 액상 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of a liquid epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of a liquid epoxy resin is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는 DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」, 「HP-7200L」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200HHH」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA7311」, 「EXA7311-G3」, 「EXA7311-G4」, 「EXA7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000H」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지), 「157S70」(비스페놀노볼락형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the solid-state epoxy resin include a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin having an aromatic structure, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, and naphthylene. Ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin , a naphthylene ether type epoxy resin is more preferable, and a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin and a naphthylene ether type epoxy resin are still more preferable. As a specific example of a solid-state epoxy resin, "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), "N-690" (cresol novolak type) Epoxy resin), “N-695” (cresol novolak type epoxy resin), “HP-7200”, “HP-7200L”, “HP-7200HH”, “HP-7200H”, “HP-7200HHH” (dicyclo Pentadiene type epoxy resin), "EXA7311", "EXA7311-G3", "EXA7311-G4", "EXA7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin), "EPPN-502H" manufactured by Nippon Kayaku ” (trisphenol-type epoxy resin), “NC7000L” (naphthol novolac-type epoxy resin), “NC3000H”, “NC3000”, “NC3000L”, “NC3100” (biphenyl-type epoxy resin), New Nittetsu Sumikin Chemical "ESN475V" (naphthol type epoxy resin), "ESN485" (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000HK" (vixyle Nol-type epoxy resin), "YL7760" (bisphenol AF-type epoxy resin), "YX8800" (anthracene-type epoxy resin), "PG-100" by Osaka Gas Chemicals, "CG-500", " YL7800" (fluorene type epoxy resin), "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin), "157S70" (bisphenol novolak type epoxy resin) , Mitsubishi Chemical Corporation "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin), "YX8800" (anthracene type epoxy resin), Osaka Gas Chemical Company "PG-100", "CG-500", Mitsubishi Chemical Corporation "YL7800" (fluorene type epoxy resin), "jER1031S" by Mitsubishi Chemical Corporation (tetraphenylethane type epoxy resin), etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and can be used in combination of 2 or more type.

수지 조성물 중의 고체상 에폭시 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 수지 조성물의 점도를 조정하는 관점에서, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은 본 발명의 효과가 나타내는 한에서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1질량% 이하이다.When content of the solid-state epoxy resin in a resin composition makes the nonvolatile component in a resin composition 100 mass %, from a viewpoint of adjusting the viscosity of a resin composition, Preferably it is 0.1 mass % or more, More preferably, it is 0.2 mass % or more. , More preferably, it is 0.3 mass % or more. Although the upper limit of content of an epoxy resin is not specifically limited as long as the effect of this invention is shown, Preferably it is 10 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less.

고체상 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분해지고 표면 거칠기가 작은 절연층을 가져올 수 있다. 또한, 고체상 에폭시 수지의 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있고, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다.The epoxy equivalent of a solid epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50-5000, More preferably, it is 50-3000, More preferably, it is 80-2000, More preferably, it is 110-1000. By being in this range, the crosslinking density of hardened|cured material becomes sufficient and it can bring about the insulating layer with small surface roughness. In addition, the epoxy equivalent of a solid-state epoxy resin can be measured according to JISK7236, It is the mass of resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

고체상 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 고체상 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of a solid epoxy resin becomes like this. Preferably it is 100-5000, More preferably, it is 250-3000, More preferably, it is 400-1500. Here, the weight average molecular weight of a solid-state epoxy resin is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

액상 에폭시 수지의 함유량을 B1(질량%), 고체상 에폭시 수지의 함유량을 B2(질량%)으로 했을 때, 용융 점도를 조정하는 관점에서, B1> B2의 관계를 충족하는 것이 바람직하다. 또한, B1 및 B2의 차(B1-B2)는, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 이상, 0.5질량% 이상, 또는 1질량% 이상이다. 차(B1-B2)의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 10질량% 이하, 5질량% 이하 등으로 할 수 있다.When the content of the liquid epoxy resin is B1 (mass %) and the content of the solid epoxy resin is B2 (mass %), it is preferable to satisfy the relationship of B1 > B2 from the viewpoint of adjusting the melt viscosity. The difference between B1 and B2 (B1-B2) is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.2% by mass or more, still more preferably 0.3% by mass or more, 0.5% by mass or more, or 1% by mass or more. am. Although the upper limit of the difference (B1-B2) is not specifically limited, Usually, it can be 10 mass % or less, 5 mass % or less, etc.

액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(고체상 에폭시 수지/액상 에폭시 수지)는 질량비로, 0.01 내지 1의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, ⅰ) 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에 적절한 점착성을 가져올 수 있고, ⅱ) 수지 시트의 형태로 사용하는 경우에 충분한 가요성이 수득되고, 취급성이 향상되며, ⅲ) 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 수득할 수 있는 등의 효과가 얻어진다. 상기 ⅰ) 내지 ⅲ)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(고체상 에폭시 수지/액상 에폭시 수지)는 질량비로 0.05 내지 0.8의 범위가 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.5의 범위가 더욱 바람직하다.The amount ratio (solid epoxy resin/liquid epoxy resin) of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin is mass ratio, and the range of 0.01-1 is preferable. By making the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within this range, i) when used in the form of a resin sheet, adequate adhesion can be brought, and ii) when used in the form of a resin sheet, sufficient flexibility is obtained, , handling is improved, and iii) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii), the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin (solid epoxy resin/liquid epoxy resin) is more preferably in the range of 0.05 to 0.8 by mass ratio, and more preferably in the range of 0.1 to 0.5 desirable.

<(c) 무기 충전재><(c) Inorganic filler>

수지 조성물은 (c) 무기 충전재를 포함한다. 무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이 중에서도 실리카 또는 알루미나가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition contains (c) an inorganic filler. Although the material of the inorganic filler is not particularly limited, for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate , barium titanate zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, silica or alumina is suitable, and silica is especially suitable. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

무기 충전재의 평균 입경은 회로 매립성을 향상시키고, 표면 조도가 낮은 절연층을 수득하는 관점에서, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2.2㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하이다. 상기 평균 입경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 이상이다. 이러한 평균 입경을 갖는 무기 충전재의 시판품으로서는 예를 들면, 아도마텍스사 제조 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」, 덴키 카가쿠 코교사 제조 「UFP-30」, 토쿠야마사 제조 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」, 아도마텍스사 제조 「SC2500SQ」, 「SO-C6」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 5 µm or less, more preferably 2.5 µm or less, still more preferably 2.2 µm or less, more preferably from the viewpoint of improving circuit embedding properties and obtaining an insulating layer with low surface roughness. It is preferably 2 μm or less. Although the lower limit of the said average particle diameter is not specifically limited, Preferably it is 0.01 micrometer or more, More preferably, it is 0.05 micrometer or more, More preferably, it is 0.1 micrometer or more. As a commercial item of the inorganic filler which has such an average particle diameter, "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation, "UFP-30" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd., Toku, for example, "Silver NSS-3N", "Silver NSS-4N", "Silver NSS-5N" manufactured by Yama Corporation, "SC2500SQ", "SO-C6", "SO-C4", "SO-C2" manufactured by Adomatex , "SO-C1", etc. are mentioned.

무기 충전재의 평균 입경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간 직경을 평균 입경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「LA-500」 등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle size distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and making the intermediate diameter into an average particle diameter. As a measurement sample, what disperse|distributed the inorganic filler in water by ultrasonic wave can be used preferably. As a laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer, "LA-500" by Horiba Corporation, etc. can be used.

무기 충전재는 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제의 시판품으로서는 예를 들면, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가구 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제) 등을 들 수 있다.From the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility, the inorganic filler is an aminosilane-based coupling agent, an epoxysilane-based coupling agent, a mercaptosilane-based coupling agent, a silane-based coupling agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound, and a titanate-based coupler. It is preferable that it is processed with 1 or more types of surface treatment agents, such as a ring agent. As a commercial item of a surface treatment agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM803" (3-mercaptopropyl trimethoxysilane), for example, ), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “SZ-31” (hexamethyldisilazane) manufactured by Kyoko Co., Ltd. “KBM103” (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM-4803” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (long-chain epoxy type silane coupling agent) ) and the like.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 따라 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02㎎/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1㎎/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도나 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 1㎎/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8㎎/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5㎎/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The grade of the surface treatment by a surface treating agent can be evaluated according to the carbon amount per unit surface area of an inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish or melt viscosity in sheet form, 1 mg/m2 or less is preferable, 0.8 mg/m2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m2 or less is still more preferable. .

무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하여 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다. The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horiba Corporation, etc. can be used.

수지 조성물 중의 무기 충전재의 함유량은 75질량% 내지 95질량%가 바람직하다. 바람직하게는 78질량% 이상, 보다 바람직하게는 80질량% 이상, 더욱 바람직하게는 83질량% 이상이다. 상한은 절연층의 기계 강도, 특히 연신의 관점에서, 바람직하게는 90질량% 이하이다.As for content of the inorganic filler in a resin composition, 75 mass % - 95 mass % are preferable. Preferably it is 78 mass % or more, More preferably, it is 80 mass % or more, More preferably, it is 83 mass % or more. The upper limit is preferably 90% by mass or less from the viewpoint of mechanical strength of the insulating layer, particularly elongation.

<(d) 페녹시 수지><(d) phenoxy resin>

본 발명의 수지 조성물은, (d) 성분으로서 페녹시 수지를 포함한다.The resin composition of this invention contains a phenoxy resin as (d) component.

기계 강도의 양호한 절연층을 수득하는 관점에서, 페녹시 수지의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 10000 이상, 보다 바람직하게는 15000 이상, 더욱 바람직하게는 20000 이상, 보다 더 바람직하게는 25000 또는 30000 이상이다. 양호한 상용성을 수득하는 관점에서, 열가소성 수지의 중량 평균 분자량의 상한은, 바람직하게는 200000 이하, 보다 바람직하게는 180000 이하, 더욱 바람직하게는 160000 이하, 보다 더 바람직하게는 150000 이하이다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 예를 들면, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정할 수 있다. 상세하게는 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(폴리스티렌 환산)은 측정 장치로서 (주)시마즈 세이사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 컬럼으로서 쇼와 덴코(주) 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하여, 컬럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.From the viewpoint of obtaining a good insulating layer of mechanical strength, the weight average molecular weight of the phenoxy resin is preferably 10000 or more, more preferably 15000 or more, still more preferably 20000 or more, even more preferably 25000 or 30000 or more. . From a viewpoint of obtaining good compatibility, the upper limit of the weight average molecular weight of a thermoplastic resin becomes like this. Preferably it is 200000 or less, More preferably, it is 180000 or less, More preferably, it is 160000 or less, More preferably, it is 150000 or less. The weight average molecular weight of a thermoplastic resin can be measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, for example. Specifically, the weight average molecular weight (in terms of polystyrene) of the thermoplastic resin was measured using LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P/K- manufactured by Showa Denko Corporation as a column. 804L/K-804L can be measured using chloroform etc. as a mobile phase at a column temperature of 40 degreeC, and can be calculated using the standard polystyrene calibration curve.

(a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, 및 (e) 카르보디이미드 화합물과의 조합에 있어서, 강도 및 밀착성을 수득하는 관점, 특히 우수한 밀착성을 수득하는 관점에 있어서, 열가소성 수지는 산소 원자, 질소 원자 및 황 원자로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 원자 또는 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 관능기로서는, 수산기, 카르복시기, 산무수물기, 에폭시기, 아미노기, 티올기, 에놀기, 에나민기, 우레아기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오이소시아네이트기, 디이미드기, 알케닐기, 알렌기 및 케텐기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 들 수 있다. 산무수물기로서는 카르복실산 무수물기가 바람직하다. 알케닐기의 적합한 예로서는 비닐기, 알릴기, 스티릴기를 들 수 있다. 이러한 관능기를 갖는 열가소성 수지를 사용함으로써 수득되는 절연층의 유리 전이 온도는 높아지는 경향이 있고, 양호한 내열성을 나타내는 절연층을 실현할 수도 있다. 열가소성 수지가 이러한 관능기를 포함하는 경우, 열가소성 수지의 관능기 당량은 바람직하게는 100000 이하, 보다 바람직하게는 90000 이하, 80000 이하, 70000 이하, 60000 이하, 50000 이하, 40000 이하, 30000 이하, 20000 이하, 10000 이하, 8000 이하, 6000 이하 또는 5000 이하이다. 당해 관능기 당량의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 50 이상, 100 이상 등으로 할 수 있다.In combination with (a) an elastomer having a polycarbonate structure in the molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, and (e) a carbodiimide compound, from the viewpoint of obtaining strength and adhesion, particularly excellent adhesion From the viewpoint of obtaining, the thermoplastic resin preferably has at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom or a functional group containing a carbon-carbon double bond. Examples of such functional groups include a hydroxyl group, a carboxyl group, an acid anhydride group, an epoxy group, an amino group, a thiol group, an enol group, an enamine group, a urea group, a cyanate group, an isocyanate group, a thioisocyanate group, a diimide group, an alkenyl group, an allene group and a ketene group. and at least one selected from the group consisting of groups. As the acid anhydride group, a carboxylic acid anhydride group is preferable. Suitable examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, and a styryl group. By using a thermoplastic resin having such a functional group, the glass transition temperature of the insulating layer obtained tends to be high, and an insulating layer exhibiting good heat resistance can be realized. When the thermoplastic resin contains such a functional group, the functional group equivalent of the thermoplastic resin is preferably 100000 or less, more preferably 90000 or less, 80000 or less, 70000 or less, 60000 or less, 50000 or less, 40000 or less, 30000 or less, 20000 or less, 10000 or less, 8000 or less, 6000 or less, or 5000 or less. Although the lower limit of the said functional group equivalent is not specifically limited, Usually, it can be set as 50 or more, 100 or more, etc.

페녹시 수지로서는 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 하나의 관능기라도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는 미츠비시 카가쿠(주) 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지) 및 「YX6954」(비스페놀 아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)을 들 수 있고, 그 외에도 신닛테츠 스미킨 카가쿠(주) 제조의 「FX280」 및 「FX293」, 미츠비시 카가쿠(주) 제조의 「YL7553」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton , phenoxy resins having at least one skeleton selected from the group consisting of anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton and trimethylcyclohexane skeleton. Any one functional group, such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) and "YX6954" (bisphenol acetophenone skeleton-containing phenoxy resin), and in addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., "YL7553", "YL6794" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7482", etc. are mentioned.

<(e) 카르보디이미드 화합물><(e) carbodiimide compound>

본 발명의 수지 조성물은 (e) 성분으로서 카르보디이미드 화합물을 포함한다.The resin composition of the present invention contains a carbodiimide compound as component (e).

카르보디이미드 화합물은, 1분자 중에 카르보디이미드기(-N=C=N-)를 1개 이상 갖는 화합물이고, 상기의 (a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, 및 (d) 페녹시 수지와 조합하여 사용함으로써, 강도 및 밀착성이 우수한 절연층을 가져올 수 있다. 카르보디이미드 화합물로서는, 1분자 중에 카르보디이미드기를 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 카르보디이미드 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The carbodiimide compound is a compound having one or more carbodiimide groups (-N=C=N-) in one molecule, and (a) an elastomer having a polycarbonate structure in the molecule, (b) an epoxy resin; By using in combination with (c) an inorganic filler and (d) a phenoxy resin, an insulating layer excellent in strength and adhesiveness can be obtained. As a carbodiimide compound, the compound which has two or more carbodiimide groups in 1 molecule is preferable. A carbodiimide compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물에 포함되는 카르보디이미드 화합물은 하기 화학식 (2)로 표시되는 구조 단위를 함유한다.In one embodiment, the carbodiimide compound contained in the resin composition of the present invention contains a structural unit represented by the following formula (2).

화학식 (2)Formula (2)

Figure 112017077421250-pat00010
Figure 112017077421250-pat00010

(상기 화학식 (2)에서, X는 알킬렌기, 사이클로알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타내고, 이것들은 치환기를 갖고 있어도 좋다. p는 1 내지 5의 정수를 나타낸다. X가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 상이해도 좋다. *는 결합수(結合手)를 나타낸다.)(In the formula (2), X represents an alkylene group, a cycloalkylene group or an arylene group, which may have a substituent. p represents an integer of 1 to 5. When there are two or more X's, they are the same They may be different from each other. * indicates the number of bonds.)

X로 표시되는 알킬렌기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 6, 1 내지 4, 또는 1 내지 3이다. 당해 탄소 원자수에 치환기의 탄소 원자수는 포함되지 않는다. 당해 알킬렌기의 적합한 예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the alkylene group represented by X is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 6, 1-4, or 1-3. The number of carbon atoms of the substituent is not included in the number of carbon atoms. Suitable examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a butylene group.

X로 표시되는 사이클로알킬렌기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 3 내지 20, 보다 바람직하게는 3 내지 12, 더욱 바람직하게는 3 내지 6이다. 당해 탄소 원자수에 치환기의 탄소 원자수는 포함되지 않는다. 당해 사이클로알킬렌기의 적합한 예로서는, 사이클로프로필렌기, 사이클로부틸렌기, 사이클로펜틸렌기, 사이클로헥실렌기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the cycloalkylene group represented by X is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12, still more preferably 3 to 6. The number of carbon atoms of the substituent is not included in the number of carbon atoms. Suitable examples of the cycloalkylene group include a cyclopropylene group, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, and a cyclohexylene group.

X로 표시되는 아릴렌기는 방향족 탄화 수소로부터 방향환 위의 수소 원자를 2개 제외한 기이다. 상기 아릴렌기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 보다 더 바람직하게는 6 내지 10이다. 당해 탄소 원자수에 치환기의 탄소 원자수는 포함되지 않는다. 당해 아릴렌기의 적합한 예로서는, 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트라세닐렌기를 들 수 있다.The arylene group represented by X is a group obtained by removing two hydrogen atoms on an aromatic ring from an aromatic hydrocarbon. The number of carbon atoms in the arylene group is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, still more preferably 6 to 10. The number of carbon atoms of the substituent is not included in the number of carbon atoms. A phenylene group, a naphthylene group, and an anthracenylene group are mentioned as a suitable example of the said arylene group.

(a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 가지는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, 및 (d) 페녹시 수지의 조합에 있어서, 강도 및 밀착성이 한층 우수한 절연층을 실현하는 관점에서, X는 알킬렌기 또는 사이클로알킬렌기인 것이 바람직하고, 이것들은 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the combination of (a) an elastomer having a polycarbonate structure in the molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, and (d) a phenoxy resin, from the viewpoint of realizing an insulating layer having further excellent strength and adhesion, It is preferable that X is an alkylene group or a cycloalkylene group, and these may have a substituent.

X로 표시되는 알킬렌기, 사이클로알킬렌기 또는 아릴렌기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 당해 치환기로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 사이클로알킬기, 사이클로알킬옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 아실기 및 아실옥시기를 들 수 있다. 치환기로서 사용되는 할로겐 원자로서는 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. 치환기로서 사용되는 알킬기, 알콕시기는 직쇄상, 분기상 중 어느 것이라도 좋고, 그 탄소 원자수는 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 6, 1 내지 4, 또는 1 내지 3이다. 치환기로서 사용되는 사이클로알킬기, 사이클로알킬옥시기의 탄소 원자수는 바람직하게는 3 내지 20, 보다 바람직하게는 3 내지 12, 더욱 바람직하게는 3 내지 6이다. 치환기로서 사용되는 아릴기는, 방향족 탄화 수소로부터 방향환 위의 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 그 탄소 원자수는 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 보다 더 바람직하게는 6 내지 10이다. 치환기로서 사용되는 아릴옥시기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 보다 더 바람직하게는 6 내지 10이다. 치환기로서 사용되는 아실기는 식: -C(=O)-R1로 표시되는 기(상기 화학식에서, R1은 알킬기 또는 아릴기를 나타냄)를 말한다. R1로 표시되는 알킬기는 직쇄상, 분기상 중 어느 것이라도 좋고, 그 탄소 원자수는 바람직하게는 1 내지 20, 보다 바람직하게는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 6, 1 내지 4, 또는 1 내지 3이다. R1로 표시되는 아릴기의 탄소 원자수는 바람직하게는 6 내지 24, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 14, 보다 더 바람직하게는 6 내지 10이다. 치환기로서 사용되는 아실옥시기는 식: -O-C(=O)-R1로 표시되는 기(상기 화학식에서, R1은 상기와 동일한 의미를 나타냄)를 말한다. 그 중에서도 치환기로서는 알킬기, 알콕시기, 및 아실옥시기가 바람직하고, 알킬기가 보다 바람직하다.The alkylene group, cycloalkylene group or arylene group represented by X may have a substituent. Although it does not specifically limit as said substituent, For example, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an acyl group, and an acyloxy group are mentioned. As a halogen atom used as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned, for example. The alkyl group and alkoxy group used as the substituent may be linear or branched, and the number of carbon atoms is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 6, 1 to 4 , or 1 to 3. The number of carbon atoms in the cycloalkyl group or cycloalkyloxy group used as the substituent is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12, still more preferably 3 to 6. The aryl group used as a substituent is a group obtained by excluding one hydrogen atom on an aromatic ring from an aromatic hydrocarbon, and the number of carbon atoms is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, even more preferably 6 to 10. The number of carbon atoms in the aryloxy group used as the substituent is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, still more preferably 6 to 10. The acyl group used as the substituent refers to a group represented by the formula: -C(=O)-R1 (in the formula, R1 represents an alkyl group or an aryl group). The alkyl group represented by R1 may be linear or branched, and the number of carbon atoms is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, still more preferably 1 to 6, 1 to 4, or 1 to 3. The number of carbon atoms in the aryl group represented by R1 is preferably 6 to 24, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 14, even more preferably 6 to 10. The acyloxy group used as a substituent refers to a group represented by the formula: -O-C(=O)-R1 (in the formula, R1 has the same meaning as above). Especially, as a substituent, an alkyl group, an alkoxy group, and an acyloxy group are preferable, and an alkyl group is more preferable.

화학식 (2)에서, p는 1 내지 5의 정수를 나타낸다. (a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, 및 (d) 페녹시 수지의 조합에 있어서, 강도 및 밀착성이 한층 우수한 절연층을 실현하는 관점에서, p는 바람직하게는 1 내지 4, 보다 바람직하게는 2 내지 4, 더욱 바람직하게는 2 또는 3이다.In general formula (2), p represents the integer of 1-5. In the combination of (a) an elastomer having a polycarbonate structure in a molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, and (d) a phenoxy resin, from the viewpoint of realizing an insulating layer having further excellent strength and adhesion, p is preferably 1 to 4, more preferably 2 to 4, still more preferably 2 or 3.

화학식 (2)에서, X가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 상이해도 좋다. 적합한 일 실시형태에 있어서, 적어도 하나의 X는 알킬렌기 또는 사이클로알킬렌기이고, 이것들은 치환기를 갖고 있어도 좋다.In general formula (2), when two or more X exist, they may be same or different. In one suitable embodiment, at least one X is an alkylene group or a cycloalkylene group, which may have a substituent.

적합한 일 실시형태에 있어서, 카르보디이미드 화합물은, 카르보디이미드 화합물의 분자 전체의 질량을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 80질량% 이상 또는 90질량% 이상으로, 화학식 (2)로 표시되는 구조 단위를 함유한다. 카르보디이미드 화합물은 말단 구조를 제외하고, 화학식 (2)로 표시되는 구조 단위로 실질적으로 되어도 좋다. 카르보디이미드 화합물의 말단 구조로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기를 들 수 있고, 이것들은 치환기를 갖고 있어도 좋다. 말단 구조로서 사용되는 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기는, X로 표시되는 기가 갖고 있어도 좋은 치환기에 대해 설명한 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기와 동일해도 좋다. 또한, 말단 구조로서 사용되는 기가 갖고 있어도 좋은 치환기는, X로 표시되는 기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 동일해도 좋다.In one suitable embodiment, the carbodiimide compound is preferably 50 mass % or more, more preferably 60 mass % or more, still more preferably when the mass of the entire molecule of the carbodiimide compound is 100 mass %. contains 70 mass % or more, more preferably 80 mass % or more, or 90 mass % or more, and contains the structural unit represented by Formula (2). The carbodiimide compound may be substantially composed of a structural unit represented by the general formula (2) except for the terminal structure. Although it does not specifically limit as a terminal structure of a carbodiimide compound, For example, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group are mentioned, These may have a substituent. The alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group used as the terminal structure may be the same as the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group described for the substituents that the group represented by X may have. In addition, the substituent which group used as terminal structure may have may be the same as the substituent which group represented by X may have.

수지 조성물을 경화할 때의 아웃 가스의 발생을 억제할 수 있는 관점에서, 카르보디이미드 화합물의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 500 이상, 보다 바람직하게는 600 이상, 더욱 바람직하게는 700 이상, 보다 더 바람직하게는 800 이상, 특히 바람직하게는 900 이상 또는 1000 이상이다. 또한, 양호한 상용성을 얻는 관점에서, 카르보디이미드 화합물의 중량 평균 분자량의 상한은, 바람직하게는 5000 이하, 보다 바람직하게는 4500 이하, 더욱 바람직하게는 4000 이하, 보다 더 바람직하게는 3500 이하, 특히 바람직하게는 3000 이하이다. 카르보디이미드 화합물의 중량 평균 분자량은 예를 들면, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법(폴리스티렌 환산)으로 측정할 수 있다.From a viewpoint of being able to suppress generation|occurrence|production of the outgas at the time of hardening a resin composition, the weight average molecular weight of a carbodiimide compound becomes like this. Preferably it is 500 or more, More preferably, it is 600 or more, More preferably, it is 700 or more. More preferably, it is 800 or more, Especially preferably, it is 900 or more or 1000 or more. In addition, from the viewpoint of obtaining good compatibility, the upper limit of the weight average molecular weight of the carbodiimide compound is preferably 5000 or less, more preferably 4500 or less, still more preferably 4000 or less, even more preferably 3500 or less, Especially preferably, it is 3000 or less. The weight average molecular weight of the carbodiimide compound can be measured, for example, by a gel permeation chromatography (GPC) method (in terms of polystyrene).

또한, 카르보디이미드 화합물은 그 제법에 유래하여, 분자 중에 이소시아네이트기(-N=C=O)를 함유하는 경우가 있다. 양호한 보존 안정성을 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점, 나아가서는 소기의 특성을 나타내는 절연층을 실현하는 관점에서, 카르보디이미드 화합물 중의 이소시아네이트기의 함유량(「NCO 함유량」이라고도 함)은, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 2질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하 또는 0.5질량% 이하이다.In addition, the carbodiimide compound may contain an isocyanate group (-N=C=O) in a molecule|numerator derived from the manufacturing method. The content of isocyanate groups in the carbodiimide compound (also referred to as “NCO content”) is preferably 5 It is mass % or less, More preferably, it is 4 mass % or less, More preferably, it is 3 mass % or less, More preferably, it is 2 mass % or less, Especially preferably, it is 1 mass % or less or 0.5 mass % or less.

카르보디이미드 화합물은 시판품을 사용해도 좋다. 시판의 카르보디이미드 화합물로서는 예를 들면, 닛신보 케미칼(주) 제조의 카르보디라이트(등록 상표) V-02B, V-03, V-04K, V-07 및 V-09, 라인케미사 제조의 스타버쿠졸(등록 상표) P, P400, 및 하이카딜 510을 들 수 있다.As the carbodiimide compound, a commercially available product may be used. Commercially available carbodiimide compounds include, for example, Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Carbodilite (registered trademark) V-02B, V-03, V-04K, V-07 and V-09; Staverkuzol (registered trademark) P, P400, and Hicardil 510 are mentioned.

(a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, 및 (d) 페녹시 수지와의 조합에 있어서, 강도 및 밀착성 중 어느 특성도 우수한 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 카르보디이미드 화합물의 함유량은 1질량% 이상이 바람직하고, 2질량% 이상이 보다 바람직하고, 3질량% 이상, 4질량% 이상 또는 5질량% 이상이 더욱 바람직하다. 카르보디이미드 화합물의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 30질량% 이하가 바람직하고, 20질량% 이하가 보다 바람직하고, 15질량% 이하가 더욱 바람직하다.In combination with (a) an elastomer having a polycarbonate structure in the molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, and (d) a phenoxy resin, to obtain an insulating layer excellent in any properties of strength and adhesion From a viewpoint, the content of the carbodiimide compound in the resin composition is preferably 1 mass % or more, more preferably 2 mass % or more, and still more preferably 3 mass % or more, 4 mass % or more, or 5 mass % or more. Although the upper limit of content of a carbodiimide compound is not specifically limited, 30 mass % or less is preferable, 20 mass % or less is more preferable, 15 mass % or less is still more preferable.

<(f) 경화제><(f) curing agent>

수지 조성물은 (f) 경화제를 포함할 수 있다. 경화제로서는 (b) 성분 등의 수지를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 페놀계 경화제(나프톨계 경화제도 포함함), 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 및 시아네이트에스테르계 경화제 등을 들 수 있다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. (d) 성분은 페놀계 경화제, 활성 에스테르 계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하고, 페놀계 경화제, 및 활성 에스테르계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하고, 페놀계 경화제인 것이 더욱 바람직하다.The resin composition may include (f) a curing agent. The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the resin such as component (b), and for example, a phenol-based curing agent (including a naphthol-based curing agent), an active ester-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, and cyanate An ester-type hardening|curing agent etc. are mentioned. A hardening|curing agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. (d) component is preferably at least one selected from a phenol-based curing agent, an active ester-based curing agent and a cyanate ester-based curing agent, preferably at least one selected from a phenol-based curing agent and an active ester-based curing agent, and a phenol-based curing agent It is more preferable that it is a hardening|curing agent.

페놀계 경화제로서는 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 배선층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 내열성, 내수성, 및 배선층과의 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 경화제가 바람직하다.As the phenol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. Moreover, a nitrogen-containing phenolic hardening|curing agent is preferable from an adhesive viewpoint with a wiring layer, and a triazine skeleton containing phenolic hardening|curing agent is more preferable. Among them, a triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion to a wiring layer.

페놀계 경화제의 구체예로서는, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 신닛테츠 스미킨사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495V」, 「SN375」, 「SN395」, DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」, 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」, 미츠비시 가스 카가쿠(주) 제조 「OPE-1000」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenolic hardening|curing agent, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851" by Meiwa Kasei Corporation, "NHN", "CBN", "GPH" by Nippon Kayaku, "GPH", Shin-Nitetsu "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495V", "SN375", "SN395" manufactured by Sumikin, "TD-2090", "LA-7052" manufactured by DIC Corporation ”, “LA-7054”, “LA-1356”, “LA-3018-50P”, “EXB-9500”, “HPC-9500”, “KA-1160”, “KA-1163”, “KA-1165” ", "GDP-6115L", "GDP-6115H" by Gunei Chemical Co., Ltd., "OPE-1000" by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned.

배선층과의 밀착성이 우수한 절연층을 수득하는 관점에서, 활성 에스테르계 경화제도 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제로서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는 카르복실산 화합물 및/또는 티오카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카르복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카르복실산 화합물로서는 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.From the viewpoint of obtaining an insulating layer excellent in adhesion to the wiring layer, an active ester curing agent is also preferable. Although there is no restriction|limiting in particular as an active ester-type hardening|curing agent, Generally, ester groups with high reaction activity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and heterocyclic hydroxy compound esters, are two per molecule. The compounds having the above are preferably used. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable. . Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, and m-cresol. , p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, tri Hydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolak, etc. are mentioned. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol to one molecule of dicyclopentadiene.

구체적으로는 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and an active ester compound containing a benzoyl product of phenol novolac An ester compound is preferable, and among these, the active ester compound containing a naphthalene structure, and the active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. "Dicyclopentadiene-type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조), 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC사 제조), 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미츠비시 카가쿠사 제조), 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「YLH1026」(미츠비시 카가쿠사 제조), 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 카가쿠사 제조), 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 카가쿠사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 카가쿠사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 카가쿠사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester curing agents are active ester compounds containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", "HPC-8000H-65TM" ", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC), "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure, and "DC808" as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac ” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), “YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoyl product of phenol novolac, and “DC808” (Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent that is an acetylated product of phenol novolac manufacture), "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) etc. are mentioned as an active ester type hardening|curing agent which is a benzoyl product of phenol novolak.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.As a specific example of a benzoxazine type hardening|curing agent, "HFB2006M" by Showa Kobunshi, "P-d" by Shikoku Kasei Co., Ltd., and "F-a" are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2- 비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate), and 4,4'-methylenebis(2,6-dimethyl). Phenyl cyanate), 4,4'-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cya) natephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanate) Bifunctional cyanate resins such as phenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether; Polymer etc. are mentioned. As a specific example of a cyanate ester type hardening|curing agent, "PT30" and "PT60" (all are phenol novolak-type polyfunctional cyanate ester resin), "BA230", "BA230S75" (a part of bisphenol A dicyanate by Ronza Japan) Or all of it is triazine-ized, and a trimer is a prepolymer) etc. are mentioned.

수지 조성물이 (d) 성분을 함유하는 경우, 수지 조성물 중의 경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 8질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다. 또한, 하한은 특별히 제한은 없지만 1질량% 이상이 바람직하다.When the resin composition contains component (d), the content of the curing agent in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, still more preferably 5% by mass or less. . Moreover, although there is no restriction|limiting in particular as for a minimum, 1 mass % or more is preferable.

<(g) 경화 촉진제><(g) curing accelerator>

수지 조성물은 (g) 경화 촉진제를 포함할 수 있다. 경화 촉진제로서는 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may include (g) a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include a phosphorus-based curing accelerator, an amine-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a guanidine-based curing accelerator, and a metal-based curing accelerator, and a phosphorus-based curing accelerator, an amine-based curing accelerator, and an imidazole-based curing accelerator. , metal-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators and metal-based curing accelerators are more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

인계 경화 촉진제로서는 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphosphine. Phonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8- and diazabicyclo(5,4,0)-undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2 페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Midazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole Sol, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl- 4-Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2 phenylimidazolium trimelli Tate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecylimida Zolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine , 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct, 2- Phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benz Imidazole compounds such as imidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.A commercial item may be used as an imidazole-type hardening accelerator, For example, "P200-H50" by a Mitsubishi Chemical Company, etc. are mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca -5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1 -diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc. are mentioned, and dicyandiamide, 1 ,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는 예를 들면, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and a tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organocobalt complexes such as cobalt(II)acetylacetonate and cobalt(III)acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II)acetylacetonate, zinc(II)acetylacetonate, and the like. organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

수지 조성물이 (g) 성분을 함유하는 경우, 수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, (b) 성분과 (f) 경화제의 불휘발 성분 합계량을 100질량%로 했을 때, 0.01질량% 내지 3질량%가 바람직하다.When the resin composition contains the component (g), the content of the curing accelerator in the resin composition is not particularly limited, but when the total amount of the component (b) and the non-volatile component of the curing agent is 100% by mass, 0.01% by mass thru|or 3 mass % is preferable.

<(h) 난연제><(h) Flame Retardant>

수지 조성물은 (h) 난연제를 포함할 수 있다. 난연제로서는 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.The resin composition may include (h) a flame retardant. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. A flame retardant may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

난연제로서는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 산코사 제조의 「HCA-HQ」 등을 들 수 있다.A commercial item may be used as a flame retardant, for example, "HCA-HQ" by Sanko Corporation, etc. are mentioned.

수지 조성물이 난연제를 함유하는 경우, 난연제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5질량% 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.5질량% 내지 15질량%, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 내지 10질량%가 더욱 바람직하다.When the resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is not particularly limited, but preferably 0.5% by mass to 20% by mass, more preferably 0.5% by mass to 15% by mass, still more preferably 0.5% by mass to 10 % by mass is more preferable.

<(i) 임의의 첨가제><(i) optional additives>

수지 조성물은 또한 필요에 따라 다른 첨가제를 포함하고 있어도 좋고, 이러한 다른 첨가제로서는 예를 들면, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및, 바인더, 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다.The resin composition may further contain other additives as required. Examples of such other additives include organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds, and binders, thickeners, defoamers, and leveling agents. and resin additives such as adhesion-imparting agents and colorants.

<수지 조성물의 물성><Physical properties of the resin composition>

본 발명의 수지 조성물을 180℃에서 1시간 열경화시킨 경화물은, 23℃에서의 탄성률이 8GPa 이상이다. 상한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 18GPa 이하, 15GPa 이하, 13GPa 이하, 11GPa 이하로 할 수 있다. 탄성률을 8GPa 이상으로 함으로써 경화물의 휨의 발생을 억제할 수 있다. 상기 탄성률은, 후술하는 <탄성률, 인장 파단점 강도의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition of the present invention at 180°C for 1 hour has an elastic modulus at 23°C of 8 GPa or more. Although it does not specifically limit about an upper limit, For example, it can be 18 GPa or less, 15 GPa or less, 13 GPa or less, and 11 GPa or less. Generation|occurrence|production of the curvature of hardened|cured material can be suppressed by making an elasticity modulus into 8 GPa or more. The said elastic modulus can be measured according to the method as described in <Measurement of elastic modulus and tensile strength at break> mentioned later.

본 발명의 수지 조성물을 180℃에서 1시간 열경화시킨 경화물은, 23℃에서의 파단점 강도(MPa)가 55 이상이고, 60 이상인 것이 바람직하고, 65 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 100 이하로 할 수 있다. 상기 파단점 강도는, 후술하는 <탄성률, 인장 파단점 강도의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition of the present invention at 180° C. for 1 hour has a breaking point strength (MPa) at 23° C. of 55 or more, preferably 60 or more, and more preferably 65 or more. Although it does not specifically limit about an upper limit, For example, it can be set as 100 or less. The said strength at break can be measured according to the method described in <Measurement of elastic modulus and tensile strength at break> mentioned later.

본 발명의 수지 조성물은 휨이 억제되고, 강도, 및 밀착성이 뛰어난 경화물(절연층)을 가져올 수 있고, (b) 성분을 포함함으로, (a) 성분의 상용성이 양호하다. 따라서 본 발명의 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 조성물), 회로 기판(프린트 배선판을 포함함)의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(회로 기판의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 그 위에 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 회로 기판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 더욱 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention can bring a cured product (insulating layer) with suppressed warpage and excellent strength and adhesion, and by including the component (b), the compatibility of the component (a) is good. Therefore, the resin composition of the present invention is a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package), a resin composition for forming an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board) ( A resin composition for forming an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating, which can be suitably used as a resin composition for an insulating layer of a circuit board (resin for an interlayer insulating layer of a circuit board on which a conductor layer is formed by plating) composition) can be more suitably used.

또한, 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용 수지 조성물), 반도체 칩에 배선을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 배선 형성용 수지 조성물)로서도 적합하게 사용할 수 있다.Moreover, it can use suitably also as a resin composition for sealing a semiconductor chip (resin composition for semiconductor chip sealing), and a resin composition for forming wiring in a semiconductor chip (resin composition for semiconductor chip wiring formation).

[수지 시트][Resin Sheet]

본 발명의 수지 시트는, 지지체와, 당해 지지체와 접합하고 있는 수지 조성물층을 포함하여 이루어지고, 수지 조성물층이 본 발명의 수지 조성물로 이루어진다.The resin sheet of this invention consists of a support body and the resin composition layer joined with the said support body, and a resin composition layer consists of the resin composition of this invention.

수지 조성물층의 두께는 박형화의 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하, 80㎛ 이하, 60㎛ 이하, 50㎛ 이하 또는 40㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 200 µm or less, more preferably 150 µm or less, still more preferably 100 µm or less, 80 µm or less, 60 µm or less, 50 µm or less, or 40 µm or less from the viewpoint of reducing the thickness. . Although the lower limit of the thickness of a resin composition layer is not specifically limited, Usually, it can be 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, 10 micrometers or more.

지지체로서는 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」로 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material is, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”). Polyester such as polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as “PC”), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), poly Ether ketone, polyimide, etc. are mentioned. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는 예를 들면, 구리박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 구리박이 바람직하다. 구리박으로서는 구리의 단금속으로 이루어진 구리박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, as metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a copper foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) is used. also good

지지체는 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리를 실시해도 좋다.A support body may give a mat treatment and corona treatment to the surface to join with the resin composition layer.

또한, 지지체로서는 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 도레이사 제조 「루미러 T60」 테이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니티카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer on the surface to join with a resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example. A commercial item may be used for the support body with a release layer, for example, "SK-1", "AL-5", "AL-7" by Lintec which are PET film which has a release layer which has an alkyd resin type release agent as a main component. ', "Lumiror T60" by Toray Corporation, "Purex" by Teijin Corporation, "Uni-pil" by Unitica Corporation, etc. are mentioned.

지지체의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as thickness of a support body, The range of 5 micrometers - 75 micrometers is preferable, and the range of 10 micrometers - 60 micrometers is more preferable. Moreover, when using a support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is the said range.

수지 시트는 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해시킨 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The resin sheet can be produced by, for example, preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying this resin varnish to a support using a die coater or the like, and further drying to form a resin composition layer. .

유기 용제로서는 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥사논 등의 케톤류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화 수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; acetate esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; cello carbitols such as sorb and butylcarbitol; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

건조는 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용매의 비점에 따라 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.You may perform drying by well-known methods, such as heating and hot-air spraying. Although drying conditions are not specifically limited, Content of the organic solvent in a resin composition layer is 10 mass % or less, Preferably it is made to dry so that it may become 5 mass % or less. Although it changes with the boiling point of the organic solvent in a resin varnish, for example, when using the resin varnish containing 30 mass % - 60 mass % of an organic solvent, by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes, the resin composition layer can be formed.

수지 시트에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는 지지체에 준한 보호 필름을 더 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면에 대한 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 수지 시트는 롤 형상으로 감아서 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 떼어냄으로써 사용 가능해진다.In the resin sheet, a protective film conforming to the support can be further laminated on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface on the opposite side to the support). Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, it is 1 micrometer - 40 micrometers. By laminating|stacking a protective film, adhesion of dust, etc. with respect to the surface of a resin composition layer, and a flaw can be prevented. The resin sheet can be wound and stored in a roll shape. When a resin sheet has a protective film, it becomes usable by peeling off a protective film.

본 발명의 수지 시트 대신에 시트상 섬유 기재에 본 발명의 수지 조성물을 함침시켜 형성된 프리프레그를 사용해도 좋다.Instead of the resin sheet of the present invention, a prepreg formed by impregnating a sheet-like fiber base material with the resin composition of the present invention may be used.

프리프레그에 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않고, 글래스 클로스, 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하이다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 1㎛ 이상으로 할 수 있다.The sheet-like fiber base material used for the prepreg is not particularly limited, and those commonly used as the base material for prepregs, such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric, can be used. From a viewpoint of thickness reduction, the thickness of a sheet-like fiber base material becomes like this. Preferably it is 900 micrometers or less. Although the lower limit of the thickness of a sheet-like fiber base material is not specifically limited, Usually, it can be set as 1 micrometer or more.

프리프레그는 핫 멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.A prepreg can be manufactured by well-known methods, such as a hot melt method and a solvent method.

프리프레그의 두께는 상술의 수지 시트에서의 수지 조성물층과 동일한 범위로 할 수 있다.The thickness of a prepreg can be made into the range same as the resin composition layer in the above-mentioned resin sheet.

본 발명의 수지 시트는, 반도체 칩 패키지 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위해(반도체 칩 패키지의 절연용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있다.The resin sheet of this invention can be used suitably in order to form an insulating layer in semiconductor chip package manufacture (resin sheet for insulation of a semiconductor chip package).

예를 들면, 본 발명의 수지 시트는, 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해(회로 기판의 절연층용 수지 시트)에 적합하게 사용할 수 있고, 그 위에 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위해(도금에 의해 도체층을 형성하는 회로 기판의 층간 절연층용) 더 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 기판을 사용한 패키지의 예로서는, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지를 들 수 있다. For example, the resin sheet of the present invention can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board (resin sheet for an insulating layer of a circuit board), and an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating In order to form (for an interlayer insulating layer of a circuit board which forms a conductor layer by plating), it can use more suitably. Examples of the package using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

또한 본 발명의 수지 시트는 반도체 칩을 밀봉하기 위해(반도체 칩 밀봉용 수지 시트), 또는 반도체 칩에 배선을 형성하기 위해(반도체 칩 배선 형성용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있고, 예를 들면 Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in형 PLP 등에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF(Molding Under Filling) 재료 등에도 적합하게 사용할 수 있다.Further, the resin sheet of the present invention can be suitably used for sealing a semiconductor chip (resin sheet for sealing semiconductor chip) or for forming wiring on a semiconductor chip (resin sheet for forming wiring on a semiconductor chip), for example, a Fan -Out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), Fan-in type PLP, etc. can be used appropriately. Moreover, it can be used suitably also for the MUF (Molding Under Filling) material etc. which are used after connecting a semiconductor chip to a board|substrate.

본 발명의 수지 시트는 또한, 높은 절연 신뢰성이 요구되는 다른 광범위한 용도, 예를 들면, 프린트 배선판 등의 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해 적합하게 사용할 수 있다.Furthermore, the resin sheet of this invention can be used suitably in order to form the insulating layer of circuit boards, such as another wide use which high insulation reliability is calculated|required, for example, printed wiring boards.

[회로 기판][circuit board]

본 발명의 회로 기판은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연 층을 포함한다.The circuit board of this invention contains the insulating layer formed with the hardened|cured material of the resin composition of this invention.

본 발명의 회로 기판의 제조 방법은,The manufacturing method of the circuit board of this invention,

(1) 기재와, 당해 기재의 적어도 한쪽 면에 형성된 배선층을 갖는 배선층 부착 기재를 준비하는 공정,(1) a step of preparing a substrate with a wiring layer having a substrate and a wiring layer formed on at least one surface of the substrate;

(2) 본 발명의 수지 시트를, 배선층이 수지 조성물층에 매립되도록, 배선층 부착 기재 위에 적층하고, 열경화시켜 절연층을 형성하는 공정,(2) a step of laminating the resin sheet of the present invention on a substrate with a wiring layer so that the wiring layer is embedded in the resin composition layer, and thermosetting to form an insulating layer;

(3) 배선층을 층간 접속하는 공정을 포함한다. 또한, 회로 기판의 제조 방법은, (4) 기재를 제거하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.(3) A step of interconnecting the wiring layers between layers is included. Moreover, the manufacturing method of a circuit board may include the process of (4) removing a base material.

공정 (3)은 배선층을 층간 접속할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 절연층에 비아 홀을 형성하고, 배선층을 형성하는 공정, 및 절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시키는 공정의 적어도 어느 하나의 공정인 것이 바람직하다.The step (3) is not particularly limited as long as the wiring layers can be interconnected between layers, but at least one of the steps of forming a via hole in the insulating layer and forming the wiring layer, and grinding or grinding the insulating layer to expose the wiring layer. It is preferable to be fair.

<공정 (1)><Process (1)>

공정 (1)은, 기재와, 당해 기재의 적어도 한쪽 면에 형성된 배선층을 갖는 배선층 부착 기재를 준비하는 공정이다. 예를 들면, 배선층 부착 기재는, 기재의 양면에 기재의 일부인 제1 금속층, 제2 금속층을 각각 갖고, 제2 금속층의 기재측의 면과는 반대측의 표면에 배선층을 갖는다. 상세하게는, 기재 위에 드라이 필름(감광성 레지스트 필름)을 적층하고, 포토 마스크를 사용하여 노광, 현상하여 패턴 드라이 필름을 형성한다. 현상한 패턴 드라이 필름을 도금 마스크로서 전해 도금법에 의해 배선층을 형성한 후, 패턴 드라이 필름을 박리한다. 또한, 제1 금속층, 제2 금속층은 갖고 있지 않아도 좋다.Step (1) is a step of preparing a substrate with a wiring layer, which includes a substrate and a wiring layer formed on at least one surface of the substrate. For example, a base material with a wiring layer has a 1st metal layer and a 2nd metal layer which are a part of a base material on both surfaces of a base material, respectively, It has a wiring layer on the surface on the opposite side to the surface on the side of a base material of a 2nd metal layer. In detail, a dry film (photosensitive resist film) is laminated|stacked on a base material, it exposes and develops using a photomask, and a pattern dry film is formed. After forming a wiring layer by the electrolytic plating method using the developed pattern dry film as a plating mask, the pattern dry film is peeled. In addition, it is not necessary to have a 1st metal layer and a 2nd metal layer.

기재로서는 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판(스테인리스나 냉간 압연 강판(SPCC) 등), 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있고, 기판 표면에 구리박 등의 금속층이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층(예를 들면, 미츠이 킨조쿠의 캐리어 구리박 부착 극박 구리박, 상품명 「Micro Thin」) 등의 금속층이 형성되어 있어도 좋다.Examples of the substrate include substrates such as glass epoxy substrates, metal substrates (stainless steel or cold rolled steel sheet (SPCC), etc.), polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, thermosetting polyphenylene ether substrates, etc. , a metal layer such as copper foil may be formed on the surface of the substrate. Moreover, metal layers, such as a 1st metal layer and a 2nd metal layer (For example, Mitsui Kinzoku ultra-thin copper foil with carrier copper foil, brand name "Micro Thin") which can be peeled, may be formed in the surface.

드라이 필름으로서는, 포토레지스트 조성물로 이루어진 감광성의 드라이 필름인 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 노볼락 수지, 아크릴 수지 등의 드라이 필름을 사용할 수 있다. 드라이 필름은 시판품을 사용해도 좋다.The dry film is not particularly limited as long as it is a photosensitive dry film made of a photoresist composition, and for example, dry films such as novolac resin and acrylic resin can be used. A commercial item may be used for a dry film.

기재와 드라이 필름의 적층 조건은, 후술하는 공정 (2)의 수지 시트를 배선층에 매립되도록 적층시킬 때의 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.The conditions for laminating the substrate and the dry film are the same as the conditions for laminating the resin sheet in the step (2) to be described later so as to be embedded in the wiring layer, and the preferable ranges are also the same.

드라이 필름을 기재 위에 적층 후, 드라이 필름에 대해 원하는 패턴을 형성하기 위해 포토 마스크를 사용하여 소정의 조건으로 노광, 현상을 수행한다.After laminating the dry film on the substrate, exposure and development are performed under predetermined conditions using a photomask to form a desired pattern on the dry film.

배선층의 라인(회로 폭)/스페이스(회로 사이의 폭) 비는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 20/20㎛ 이하(즉 피치가 40㎛ 이하), 0.5/0.5㎛ 이상이다. 피치는 배선층의 전체에 걸쳐서 동일할 필요는 없다. 배선층의 최소 피치는 40㎛ 이하로 할 수 있다.The line (circuit width)/space (width between circuits) ratio of the wiring layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 µm or less (ie, the pitch is 40 µm or less) and 0.5/0.5 µm or more. The pitch need not be the same throughout the wiring layer. The minimum pitch of the wiring layers can be 40 µm or less.

드라이 필름의 패턴을 형성 후, 배선층을 형성하고, 드라이 필름을 박리한다. 여기서, 배선층의 형성은, 원하는 패턴을 형성한 드라이 필름을 도금 마스크로서 사용하고, 도금법에 의해 실시할 수 있다.After forming the pattern of the dry film, a wiring layer is formed and the dry film is peeled off. Here, formation of the wiring layer can be performed by the plating method using the dry film in which the desired pattern was formed as a plating mask.

배선층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 배선층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 배선층은 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는 예를 들면, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티타늄 합금)으로 형성된 것을 들 수 있다.The conductor material used for the wiring layer is not specifically limited. In a suitable embodiment, the wiring layer comprises one or more metals selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. The wiring layer may be a single metal layer or an alloy layer, and the alloy layer is, for example, an alloy of two or more metals selected from the group described above (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy, and a copper-titanium alloy). formed can be mentioned.

배선층의 두께는 원하는 배선판의 디자인에 따르지만, 바람직하게는 3㎛ 내지 35㎛이다. 공정 (3)에서 절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시켜서 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우에는, 층간 접속하는 배선과 접속하지 않는 배선의 두께는 다른 것이 바람직하다. 배선층의 두께는 상술한 패턴 형성을 반복함으로써 조정할 수 있다. 각 배선층 중, 가장 두께가 있는 배선층(도전성 필러)의 두께는 원하는 배선판의 디자인에 따르지만, 바람직하게는 100㎛ 이하 2㎛ 이상이다. 또한, 층간 접속하는 배선은 볼록형으로 되어 있어도 좋다.The thickness of the wiring layer depends on the desired design of the wiring board, but is preferably 3 mu m to 35 mu m. In the case where the step (3) of grinding or grinding the insulating layer and exposing the wiring layer to connect the wiring layers between layers is employed, it is preferable that the thicknesses of the wirings to be connected between the layers and the wirings not to be connected are different. The thickness of the wiring layer can be adjusted by repeating the above-described pattern formation. Although the thickness of the wiring layer (conductive filler) with the thickness among each wiring layer depends on the design of a desired wiring board, Preferably it is 100 micrometers or less and 2 micrometers or more. In addition, the wiring for interlayer connection may be made into a convex shape.

배선층을 형성 후, 드라이 필름을 박리한다. 드라이 필름의 박리는 예를 들면, 수산화나트륨 용액 등의 알칼리성의 박리액을 사용하여 실시할 수 있다. 필요에 따라, 불필요한 배선 패턴을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 형성할 수도 있다. 형성하는 배선층의 피치에 대해서는 전술한 바와 같다.After forming the wiring layer, the dry film is peeled off. Peeling of a dry film can be performed using alkaline peeling solutions, such as a sodium hydroxide solution, for example. If necessary, unnecessary wiring patterns may be removed by etching or the like to form a desired wiring pattern. The pitch of the wiring layer to be formed is as described above.

<공정 (2)><Process (2)>

공정 (2)는, 본 발명의 수지 시트를, 배선층이 수지 조성물층에 매립되도록 배선층 부착 기재 위에 적층하고, 열경화시켜 절연층을 형성하는 공정이다. 상세하게는, 전술의 공정 (1)에서 수득된 배선층 부착 기재의 배선층을, 수지 시트의 수지 조성물층에 매립되도록 적층시키고, 수지 시트의 수지 조성물층을 열경화시켜 절연층을 형성한다.Process (2) is a process of laminating|stacking the resin sheet of this invention on a base material with a wiring layer so that a wiring layer may be embedded in the resin composition layer, thermosetting it, and forming an insulating layer. In detail, the wiring layer of the base material with a wiring layer obtained in the above-mentioned process (1) is laminated|stacked so that it may be embedded in the resin composition layer of a resin sheet, and the resin composition layer of a resin sheet is thermosetted, and the insulating layer is formed.

배선층과 수지 시트의 적층은, 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 예를 들면, 지지체측부터 수지 시트를 배선층에 가열 압착함으로써 수행할 수 있다. 수지 시트를 배선층에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 배선층의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 기재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the wiring layer and the resin sheet can be performed by, for example, heat-bonding the resin sheet to the wiring layer from the support side after removing the protective film of the resin sheet. As a member (hereinafter also referred to as a "thermal crimp member") which heat-compresses a resin sheet to a wiring layer, a heated metal plate (SUS mirror plate etc.), a metal roll (SUS roll), etc. are mentioned, for example. Moreover, it is preferable not to press the thermocompression-bonding member directly to a resin sheet, but to base and press, such as an elastic material, such as a heat-resistant rubber, so that a resin sheet may fully follow the surface unevenness|corrugation of a wiring layer.

배선층과 수지 시트의 적층은 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에서 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098㎫ 내지 1.77㎫의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간의 범위이다. 적층은 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.You may perform lamination|stacking of a wiring layer and a resin sheet by the vacuum lamination method after removing the protective film of a resin sheet. In the vacuum lamination method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60° C. to 160° C., the thermocompression compression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, and the thermocompression bonding time is preferably 20 seconds to 400 is the range of seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions of a pressure of 13 hPa or less.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체측에서부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 수행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는 상기의 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 수행해도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the thermocompression-bonding member from the support side. The press conditions of the smoothing process can be made into the conditions similar to the thermocompression-bonding conditions of the said lamination|stacking. In addition, you may carry out lamination|stacking and smoothing process continuously using the above-mentioned commercially available vacuum laminator.

수지 조성물층을, 배선층이 매립되도록 배선층 부착 기재 위에 적층한 후, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 예를 들면, 수지 조성물층의 열경화 조건은 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 다르지만, 경화 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위, 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위로 할 수 있다. 수지 조성물층을 열경화시키기 전에 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다.After a resin composition layer is laminated|stacked on the base material with a wiring layer so that a wiring layer may be embedded, the resin composition layer is thermosetted and the insulating layer is formed. For example, although the thermosetting conditions of the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, etc., the curing temperature may be in the range of 120°C to 240°C, and the curing time may be in the range of 5 minutes to 120 minutes. Before thermosetting a resin composition layer, you may preheat a resin composition layer at temperature lower than hardening temperature.

수지 시트의 지지체는, 배선층 부착 기재 위에 수지 시트를 적층하여 열경화 한 후에 박리해도 좋고, 배선층 부착 기재 위에 수지 시트를 적층하기 전에 지지체를 박리해도 좋다. 또한, 후술하는 조화 처리 공정 전에 지지체를 박리해도 좋다.The support of the resin sheet may be peeled off after laminating and thermosetting the resin sheet on the substrate with a wiring layer, or may peel the support before laminating the resin sheet on the substrate with a wiring layer. In addition, you may peel a support body before the roughening process mentioned later.

<공정 (3)><Process (3)>

공정 (3)은 배선층을 층간 접속하는 공정이다. 상세는, 절연층에 비아 홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정이다. 또는 절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시켜 배선층을 층간 접속하는 공정이다.Step (3) is a step of interconnecting the wiring layers between layers. In detail, it is a process of forming a via hole in an insulating layer, forming a conductor layer, and connecting a wiring layer between layers. Alternatively, the insulating layer is polished or ground, and the wiring layer is exposed to connect the wiring layers between layers.

절연층에 비아 홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우, 비아 홀의 형성은 특별히 한정되지 않지만, 레이저 조사, 에칭, 메커니컬 드릴링 등을 들 수 있지만, 레이저 조사에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 이 레이저 조사는, 광원으로서 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 사용하는 임의 적합한 레이저 가공기를 사용하여 수행할 수 있다. 상세는, 수지 시트의 지지체의 면측에서 레이저 조사를 수행하고, 지지체 및 절연층을 관통하여 배선층을 노출시키는 비아 홀을 형성한다.In the case of employing a process of forming a via hole in the insulating layer and forming a conductor layer to connect the wiring layers between layers, the formation of the via hole is not particularly limited, but laser irradiation, etching, mechanical drilling, etc. are mentioned, but laser irradiation It is preferably carried out by This laser irradiation can be performed using any suitable laser processing machine using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser, or the like as a light source. Specifically, laser irradiation is performed on the surface side of the support body of the resin sheet, and a via hole is formed through the support body and the insulating layer to expose the wiring layer.

레이저 조사의 조건은 특별히 한정되지 않고, 레이저 조사는 선택된 수단에 따라 상법에 따르는 임의 적합한 공정에 의해 실시할 수 있다.Conditions for laser irradiation are not particularly limited, and laser irradiation can be performed by any suitable process according to a conventional method according to the selected means.

비아 홀의 형상, 즉 연장 방향에서 봤을 때의 개구의 윤곽의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)으로 한다.Although the shape of the via hole, ie, the shape of the outline of an opening seen in the extending direction, is not specifically limited, Generally, it is set as circular (approximately circular).

비아 홀 형성 후, 비아 홀 내의 스미어 제거 공정인 이른바 디스미어 공정을 수행해도 좋다. 후술하는 도체층의 형성을 도금 공정에 의해 수행하는 경우에는, 비아 홀에 대해 예를 들면, 습식의 디스미어 처리를 수행해도 좋고, 도체층의 형성을 스퍼터 공정에 의해 수행할 경우에는 예를 들면, 플라즈마 처리 공정 등의 드라이 디스 미어 공정을 수행해도 좋다. 또한, 디스미어 공정은 조화 처리 공정을 겸하고 있어도 좋다.After the via hole is formed, a so-called desmear process, which is a smear removal process in the via hole, may be performed. When the formation of the conductor layer described later is performed by a plating process, for example, a wet desmear treatment may be performed on the via hole, and when the conductor layer is formed by a sputtering process, for example, , a dry desmear process such as a plasma treatment process may be performed. In addition, a desmear process may serve also as a roughening process process.

도체층을 형성하기 전에, 비아 홀 및 절연층에 대해 조화 처리를 수행해도 좋다. 조화 처리는 통상 수행되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 건식의 조화 처리의 예로서는 플라즈마 처리 등을 들 수 있고, 습식의 조화 처리의 예로서는 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 순서대로 수행하는 방법을 들 수 있다.Before forming the conductor layer, a roughening treatment may be performed on the via hole and the insulating layer. The harmonization process can employ|adopt well-known procedures and conditions normally performed. Plasma processing etc. are mentioned as an example of a dry roughening process, As an example of a wet roughening process, the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the method of performing the neutralization process by a neutralizing liquid in order are mentioned.

비아홀을 형성 후, 도체층을 형성한다. 도체층을 구성하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않고, 도체층은 도금, 스퍼터, 증착 등 종래 공지의 임의의 적합한 방법에 의해 형성할 수 있고, 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 적합한 일 실시형태는 예를 들면, 세미애디티브법, 풀애디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해, 절연층의 표면에 도금하여 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 수지 시트에서의 지지체가 금속박인 경우, 서브트랙티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 도체층은 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층한 복층 구조라도 좋다.After the via hole is formed, a conductor layer is formed. The conductor material constituting the conductor layer is not particularly limited, and the conductor layer can be formed by any suitable method known in the art, such as plating, sputtering, and vapor deposition, and is preferably formed by plating. In a suitable embodiment, for example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a full-additive method. Moreover, when the support body in a resin sheet is metal foil, the conductor layer which has a desired wiring pattern can be formed by conventionally well-known techniques, such as a subtractive method. The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated.

상술은 절연층의 표면에 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에 원하는 배선 패턴에 대응하고 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한다. 그때, 전해 도금층의 형성과 함께, 비아 홀을 전해 도금에 의해 매립하여 필드 비아를 형성해도 좋다. 전해 도금층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 도체층을 형성할 때, 마스크 패턴의 형성에 사용하는 드라이 필름은 상기 드라이 필름과 동일하다.In the above description, the plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Then, a mask pattern corresponding to the desired wiring pattern and exposing a portion of the plating seed layer is formed on the formed plating seed layer. An electrolytic plating layer is formed by electrolytic plating on the exposed plating seed layer. In that case, a filled via may be formed by filling a via hole by electroplating together with formation of an electrolytic plating layer. After the electrolytic plating layer is formed, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer may be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern. In addition, when forming a conductor layer, the dry film used for formation of a mask pattern is the same as that of the said dry film.

도체층은 선형의 배선뿐만 아니라, 예를 들면, 외부 단자가 탑재될 수 있는 전극 패드(랜드) 등도 포함할 수 있다. 또한, 도체층은 전극 패드만으로 구성되어 있어도 좋다.The conductor layer may include, for example, an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted, as well as a linear wiring. In addition, the conductor layer may be comprised only by the electrode pad.

또한, 도체층은 도금 시드층 형성 후, 마스크 패턴을 사용하지 않고 전해 도금층 및 필드 비아를 형성하고, 그 후, 에칭에 의한 패터닝을 수행함으로써 형성해도 좋다.Further, the conductor layer may be formed by forming an electrolytic plating layer and a filled via without using a mask pattern after forming the plating seed layer, and then performing patterning by etching.

절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시켜서 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우, 절연층의 연마 방법 또는 연삭 방법으로서는 배선층을 노출시킬 수 있고, 연마 또는 연삭면이 수평이면 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 연마 방법 또는 연삭 방법을 적용할 수 있고, 예를 들면, 화학 기계 연마 장치에 의한 화학 기계 연마 방법, 버프 등의 기계 연마 방법, 숫돌 회전에 의한 평면 연삭 방법 등을 들 수 있다. 절연층에 비아 홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정과 마찬가지로, 스미어 제거 공정, 조화 처리를 수행하는 공정을 수행하여도 좋고, 도체층을 형성하여도 좋다. 또한, 모든 배선층을 노출시킬 필요는 없고, 배선층의 일부를 노출시켜도 좋다.In the case of employing a step of grinding or grinding the insulating layer and exposing the wiring layer to connect the wiring layers between layers, the wiring layer can be exposed as a polishing method or grinding method of the insulating layer. , a conventionally known polishing method or grinding method can be applied, and examples thereof include a chemical mechanical polishing method using a chemical mechanical polishing apparatus, a mechanical polishing method such as buffing, and a planar grinding method by rotating a whetstone. Similar to the step of forming a via hole in the insulating layer and forming the conductor layer to connect the wiring layers between layers, the smear removal step and the step of performing a roughening treatment may be performed, or the conductor layer may be formed. In addition, it is not necessary to expose all the wiring layers, and you may expose a part of wiring layers.

<공정 (4)><Process (4)>

회로 기판의 제조 방법은 기재를 제거하고, 본 발명의 회로 기판을 형성하는 공정이다. 기재의 제거 방법은 특별히 한정되지 않는다. 적합한 일 실시형태는, 제1 및 제2 금속층의 계면에서 회로 기판으로부터 기재를 박리하고, 제2 금속층을 예를 들면 염화 구리 수용액 등으로 에칭 제거한다. 필요에 따라 도체층을 보호 필름으로 보호한 상태로 기재를 박리해도 좋다.The manufacturing method of a circuit board is the process of removing a base material and forming the circuit board of this invention. The method of removing the substrate is not particularly limited. In one suitable embodiment, the substrate is peeled from the circuit board at the interface between the first and second metal layers, and the second metal layer is etched away with, for example, an aqueous copper chloride solution or the like. You may peel a base material in the state which protected the conductor layer with the protective film as needed.

[반도체 칩 패키지][Semiconductor Chip Package]

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제1 형태는, 상기 본 발명의 회로 기판 위에 반도체 칩이 탑재된 반도체 칩 패키지이다. 상기 본 발명의 회로 기판에 반도체 칩을 접합함으로써 반도체 칩 패키지를 제조할 수 있다.A first aspect of the semiconductor chip package of the present invention is a semiconductor chip package in which a semiconductor chip is mounted on the circuit board of the present invention. A semiconductor chip package may be manufactured by bonding the semiconductor chip to the circuit board of the present invention.

반도체 칩의 단자 전극이 회로 기판의 회로 배선과 도체 접속하는 한, 접합 조건은 특별히 한정되지 않고, 반도체 칩의 플립 칩 실장에서 사용되는 공지의 조건을 사용해도 좋다. 또한, 반도체 칩과 회로 기판 사이에 절연성의 접착제를 기재하여 접합해도 좋다.As long as the terminal electrode of the semiconductor chip is conductor-connected to the circuit wiring of the circuit board, bonding conditions are not particularly limited, and well-known conditions used in flip-chip mounting of the semiconductor chip may be used. In addition, an insulating adhesive may be used for bonding between the semiconductor chip and the circuit board.

적합한 일 실시형태는 반도체 칩을 회로 기판에 압착한다. 압착 조건으로서는 예를 들면, 압착 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위, 압착 시간은 1초간 내지 60초간의 범위로 할 수 있다.One suitable embodiment presses the semiconductor chip to the circuit board. As crimping|compression-bonding conditions, for example, crimping|compression-bonding temperature can be made into the range of 120 degreeC - 240 degreeC, and crimping|compression-bonding time can be made into the range of 1 second - 60 second.

또한, 다른 적합한 일 실시형태는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우하여 접합한다. 리플로우 조건으로서는 예를 들면, 120℃ 내지 300℃의 범위로 할 수 있다.Another preferred embodiment is to reflow and bond the semiconductor chip to the circuit board. As reflow conditions, it can be set as the range of 120 degreeC - 300 degreeC, for example.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 예를 들면 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전함으로써 반도체 칩 패키지를 수득하는 것도 가능하다. 몰드 언더필재로 충전하는 방법은 공지의 방법으로 실시할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물 또는 수지 시트는 몰드 언더필재로서도 사용할 수 있다.It is also possible to obtain a semiconductor chip package by bonding a semiconductor chip to a circuit board and then filling the semiconductor chip with a mold underfill material, for example. The method of filling with a mold underfill material can be implemented by a well-known method. The resin composition or resin sheet of the present invention can also be used as a mold underfill material.

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제2 형태는, 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)이다. 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,A second aspect of the semiconductor chip package of the present invention is a semiconductor chip package (Fan-out type WLP). A method of manufacturing a semiconductor chip package,

(A) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(A) the step of laminating a temporarily fixed film on the substrate,

(B) 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(B) the process of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporarily fixing film,

(C) 본 발명의 수지 시트의 수지 조성물층을, 반도체 칩 위에 적층, 또는 본 발명의 수지 조성물을 반도체 칩 위에 도포하고, 열경화시켜 밀봉층을 형성하는 공정,(C) the process of laminating|stacking the resin composition layer of the resin sheet of this invention on a semiconductor chip, or apply|coating the resin composition of this invention on a semiconductor chip, thermosetting, and forming a sealing layer;

(D) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(D) the step of peeling the substrate and the temporarily fixed film from the semiconductor chip,

(E) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 공정,(E) a step of forming a redistribution forming layer (insulating layer) on the surface of the semiconductor chip, the substrate and the temporarily fixed film,

(F) 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층(재배선층)을 형성하는 공정, 및(F) forming a conductor layer (rewiring layer) on the redistribution forming layer (insulating layer); and

(G) 도체층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, (H) 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하고, 개편화하는 공정을 포함할 수 있다.(G) The process of forming a soldering resist layer on a conductor layer is included. Moreover, the manufacturing method of a semiconductor chip package may include the process of (H) dicing a some semiconductor chip package into individual semiconductor chip package, and dividing it into pieces.

<공정 (A)><Process (A)>

공정 (A)는 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정이다. 기재와 가고정 필름의 적층 조건은 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (2)에서의 배선층과 수지 시트의 적층 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.Process (A) is a process of laminating|stacking a temporarily fixed film on a base material. Lamination conditions of a base material and a temporarily fixed film are the same as the lamination|stacking conditions of the wiring layer and resin sheet in the process (2) in the manufacturing method of a circuit board, and a preferable range is also the same.

기재에 사용하는 재료는 특별히 한정되지 않는다. 기재로서는 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 구리, 티타늄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; 유리 섬유에 에폭시 수지 등을 스며들게 하여 열경화 처리한 기판(예를 들면 FR-4 기판); 비스말레이미드트리아진 수지(BT 수지)로 이루어진 기판 등을 들 수 있다.The material used for the base material is not particularly limited. As a base material, a silicon wafer; glass wafer; glass substrate; metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, and cold rolled steel sheet (SPCC); substrates (eg, FR-4 substrates) in which glass fibers are impregnated with an epoxy resin or the like and thermally cured; The board|substrate etc. which consist of bismaleimide triazine resin (BT resin) are mentioned.

가고정 필름은, 후술하는 공정 (D)에 있어서 반도체 칩으로부터 박리할 수 있는 동시에, 반도체 칩을 가고정할 수 있으면 재료는 특별히 한정되지 않는다. 가고정 필름은 시판품을 사용할 수 있다. 시판품으로서는 니토덴코사 제조의 리버알파 등을 들 수 있다.Temporarily fixing film, while being able to peel from a semiconductor chip in the process (D) mentioned later, if a semiconductor chip can be temporarily fixed, a material will not be specifically limited. A commercial item can be used for a temporarily fixed film. As a commercial item, the Nitto Denko Co., Ltd. River Alpha etc. are mentioned.

<공정 (B)><Process (B)>

공정 (B)는, 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정이다. 반도체 칩의 가고정은, 플립 칩 본더, 다이 본더 등의 공지의 장치를 사용하여 수행할 수 있다. 반도체 칩의 배치의 레이아웃 및 배치 수는 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 패키지의 생산 수 등에 따라 적절히 설정할 수 있고, 예를 들면, 복수 행이고 또한 복수 열의 매트릭스상으로 정렬시켜서 가고정할 수 있다.A process (B) is a process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixing film. The temporary fixation of the semiconductor chip can be performed using a known device such as a flip chip bonder or a die bonder. The layout and number of arrangement of the semiconductor chip can be appropriately set according to the shape, size, number of production of the target semiconductor package, etc. of the temporarily fixed film, for example, can be temporarily fixed by arranging in a matrix of multiple rows and multiple columns can

<공정 (C)><Process (C)>

공정 (C)는, 발명의 수지 시트의 수지 조성물층을, 반도체 칩 위에 적층, 또는 본 발명의 수지 조성물을 반도체 칩 위에 도포하고, 열경화시켜 밀봉층을 형성하는 공정이다. 공정 (C)에서는, 본 발명의 수지 시트의 수지 조성물층을 반도체 칩 위에 적층하고, 열경화시켜 밀봉층을 형성하는 것이 바람직하다.A process (C) is a process of laminating|stacking the resin composition layer of the resin sheet of this invention on a semiconductor chip, or apply|coating the resin composition of this invention on a semiconductor chip, thermosetting, and forming a sealing layer. At a process (C), it is preferable to laminate|stack the resin composition layer of the resin sheet of this invention on a semiconductor chip, thermoset it, and form a sealing layer.

반도체 칩과 수지 시트의 적층은, 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 예를 들면, 지지체측에서 수지 시트를 반도체 칩에 가열 압착함으로써 수행할 수 있다. 수지 시트를 반도체 칩에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 반도체 칩의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the semiconductor chip and the resin sheet can be performed by, for example, heat-compressing the resin sheet to the semiconductor chip from the support side after removing the protective film of the resin sheet. As a member (henceforth a "thermal compression bonding member") which heat-compresses a resin sheet to a semiconductor chip, a heated metal plate (SUS mirror plate etc.), a metal roll (SUS roll), etc. are mentioned, for example. Moreover, it is preferable not to press the thermocompression-bonding member directly to a resin sheet, but to press through elastic materials, such as a heat-resistant rubber, so that a resin sheet may fully follow the surface unevenness|corrugation of a semiconductor chip.

또한, 반도체 칩과 수지 시트의 적층은, 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에서의 적층 조건은, 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (2)에서의 배선층과 수지 시트의 적층 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.In addition, you may perform lamination|stacking of a semiconductor chip and a resin sheet by the vacuum lamination method after removing the protective film of a resin sheet. The lamination conditions in the vacuum lamination method are the same as the lamination conditions of the wiring layer and the resin sheet in the step (2) in the circuit board manufacturing method, and the preferable ranges are also the same.

수지 시트의 지지체는 반도체 칩 위에 수지 시트를 적층하여 열경화한 후에 박리해도 좋고, 반도체 칩 위에 수지 시트를 적층하기 전에 지지체를 박리해도 좋다.The support body of a resin sheet may peel after laminating|stacking and thermosetting a resin sheet on a semiconductor chip, and may peel a support body before laminating|stacking a resin sheet on a semiconductor chip.

수지 조성물의 도포 조건으로서는, 본 발명의 수지 시트에서의 수지 조성물층을 형성할 때의 도포 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.As application|coating conditions of a resin composition, it is the same as the application|coating conditions at the time of forming the resin composition layer in the resin sheet of this invention, and a preferable range is also the same.

<공정 (D)><Process (D)>

공정 (D)는, 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정이다. 박리하는 방법은 가고정 필름의 재질 등에 따라 적절히 변경할 수 있고, 예를 들면, 가고정 필름을 가열, 발포(또는 팽창)시켜서 박리하는 방법, 및 기재측에서 자외선을 조사시켜, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜서 박리하는 방법 등을 들 수 있다.A process (D) is a process of peeling a base material and a temporarily fixed film from a semiconductor chip. The peeling method can be suitably changed depending on the material of the temporarily fixed film, etc., for example, by heating the temporarily fixed film, foaming (or expanding) to peel the method, and irradiating ultraviolet rays from the substrate side, the adhesive force of the temporarily fixed film The method of peeling by lowering|reducing , etc. are mentioned.

가고정 필름을 가열, 발포(또는 팽창)시켜 박리하는 방법에 있어서, 가열 조건은 통상, 100℃ 내지 250℃에서 1초간 내지 90초간 또는 5분간 내지 15분간이다. 또한, 기재측에서 자외선을 조사시켜, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법에 있어서, 자외선의 조사량은 통상, 10mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이다.In the method of peeling the temporarily fixed film by heating, foaming (or expanding), heating conditions are usually at 100 ° C. to 250 ° C. for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. In addition, in the method of peeling by irradiating ultraviolet rays from the substrate side to reduce the adhesive force of the temporarily fixed film, the irradiation amount of ultraviolet rays is usually 10mJ/cm 2 to 1000mJ/cm 2 .

<공정 (E)><Process (E)>

공정 (E)는, 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 공정이다.A process (E) is a process of forming a redistribution forming layer (insulating layer) in the surface which peeled the base material and temporarily fixed film of a semiconductor chip.

재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료는, 재배선 형성층(절연층) 형성 시에 절연성을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않고, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지, 열경화성 수지가 바람직하다. 열경화성 수지로서는 본 발명의 수지 시트를 형성하기 위한 수지 조성물과 동일한 조성의 수지 조성물을 사용해도 좋다.The material for forming the redistribution forming layer (insulating layer) is not particularly limited as long as it has insulating properties when the redistribution forming layer (insulating layer) is formed. Do. As the thermosetting resin, a resin composition having the same composition as the resin composition for forming the resin sheet of the present invention may be used.

재배선 형성층(절연층)을 형성 후, 반도체 칩과 후술하는 도체층을 층간 접속하기 위해 재배선 형성층(절연층)에 비아 홀을 형성해도 좋다.After formation of the redistribution forming layer (insulating layer), a via hole may be formed in the redistribution forming layer (insulating layer) for interlayer connection between a semiconductor chip and a conductor layer to be described later.

비아 홀을 형성함에 있어서, 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료가 감광성 수지인 경우, 먼저 재배선 형성층(절연층)의 표면에 마스크 패턴을 통해 활성 에너지선을 조사하고, 조사부의 최배선층을 광 경화시킨다.In forming the via hole, when the material for forming the redistribution layer (insulation layer) is a photosensitive resin, first, an active energy ray is irradiated to the surface of the redistribution layer (insulation layer) through a mask pattern, and the most wiring layer of the irradiated portion is photocured.

활성 에너지선으로서는 예를 들면, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있고, 특히 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사량, 조사 시간은 감광성 수지에 따라 적절히 변경할 수 있다. 노광 방법으로서는 마스크 패턴을 재배선 형성층(절연층)에 밀착시켜 노광하는 접촉 노광법과, 마스크 패턴을 재배선 형성층(절연층)에 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법 중 어느 하나를 사용해도 좋다.As an active energy ray, an ultraviolet-ray, a visible light ray, an electron beam, X-ray etc. are mentioned, for example, Especially an ultraviolet-ray is preferable. The irradiation amount of ultraviolet rays and irradiation time can be suitably changed according to the photosensitive resin. As the exposure method, either a contact exposure method in which the mask pattern is exposed in close contact with the redistribution forming layer (insulating layer) or a non-contact exposure method in which the mask pattern is exposed using parallel light without being in close contact with the redistribution forming layer (insulating layer). You may use it.

이어서, 재배선 형성층(절연층)을 현상하고, 미노광부를 제거함으로써, 비아 홀을 형성한다. 현상은 웨트 현상, 드라이 현상 모두 적합하다. 웨트 현상에서 사용하는 현상액은 공지의 현상액을 사용할 수 있다.Then, the rewiring forming layer (insulating layer) is developed and the unexposed portion is removed to form a via hole. Development is suitable for both wet development and dry development. A well-known developing solution can be used for the developing solution used by wet image development.

현상의 방식으로서는 예를 들면, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱 방식, 스크래핑 방식 등을 들 수 있고, 해상성의 관점에서, 패들 방식이 적합하다.As a method of development, a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, etc. are mentioned, for example, From a viewpoint of resolution, a paddle method is suitable.

재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료가 열경화성 수지인 경우, 비아 홀의 형성은 특별히 한정되지 않지만, 레이저 조사, 에칭, 메커니컬 드릴링 등을 들 수 있는데, 레이저 조사에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 레이저 조사는 광원으로서 탄산 가스 레이저, UV-YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 사용하는 임의 적합한 레이저 가공기를 사용하여 수행할 수 있다.When the material for forming the redistribution forming layer (insulating layer) is a thermosetting resin, the formation of the via hole is not particularly limited, and laser irradiation, etching, mechanical drilling, etc. may be mentioned, but it is preferably performed by laser irradiation. Laser irradiation can be performed using any suitable laser processing machine using a carbon dioxide laser, a UV-YAG laser, an excimer laser, or the like as a light source.

비아 홀의 형상, 즉 연장 방향에서 보았을 때의 개구의 윤곽의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)으로 한다. 비아 홀의 탑 직경(재배선 형성층(절연층) 표면의 개구의 직경)은, 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10㎛ 이상이다.The shape of the via hole, that is, the shape of the outline of the opening when viewed in the extension direction is not particularly limited, but is generally circular (approximately circular). The top diameter of the via hole (diameter of the opening on the surface of the rewiring forming layer (insulating layer)) is preferably 50 µm or less. Although the minimum is not specifically limited, Preferably it is 10 micrometers or more.

<공정 (F)><Process (F)>

공정 (F)는 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층(재배선층)을 형성하는 공정이다. 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층을 형성하는 방법은 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (3)의 절연층에 비아 홀을 형성한 후의 도체층을 형성하는 방법과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다. 또한, 공정 (E) 및 공정 (F)를 반복하여 수행하고, 도체층(재배선층) 및 재배선 형성층(절연층)을 교대로 쌓아(빌드 업)도 좋다.The step (F) is a step of forming a conductor layer (rewiring layer) on the rewiring forming layer (insulating layer). The method of forming the conductor layer on the rewiring forming layer (insulating layer) is the same as the method of forming the conductor layer after forming a via hole in the insulating layer in step (3) in the circuit board manufacturing method, and the preferred range is the same. Do. Alternatively, the steps (E) and (F) may be repeated, and the conductor layers (rewiring layer) and the redistribution forming layer (insulating layer) may be alternately stacked (build-up).

<공정 (G)><Process (G)>

공정 (G)는 도체층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정이다.A process (G) is a process of forming a soldering resist layer on a conductor layer.

솔더 레지스트층을 형성하는 재료는 솔더 레지스트층 형성 시에 절연성을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않고, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지, 열경화성 수지가 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 본 발명의 수지 시트를 형성하기 위한 수지 조성물과 동일한 성분의 수지 조성물을 사용해도 좋다.The material which forms a soldering resist layer will not be specifically limited if it has insulation at the time of soldering resist layer formation, A viewpoint of the ease of manufacture of a semiconductor chip package to photosensitive resin and thermosetting resin are preferable. As a thermosetting resin, you may use the resin composition of the same component as the resin composition for forming the resin sheet of this invention.

또한, 공정 (G)에서는 필요에 따라, 범프를 형성하는 범핑 가공을 수행해도 좋다. 범핑 가공은 솔더 볼, 솔더 도금 등 공지의 방법으로 수행할 수 있다. 또한, 범핑 가공에서의 비아 홀의 형성은 공정 (E)와 동일하게 수행할 수 있다.In addition, in the process (G), you may perform the bumping process which forms a bump as needed. The bumping process may be performed by a known method such as solder ball or solder plating. In addition, the formation of a via hole in the bumping process may be performed in the same manner as in the process (E).

<공정 (H)><Process (H)>

반도체 칩 패키지의 제조 방법은 공정 (A) 내지 (G) 이외에 공정 (H)를 포함하고 있어도 좋다. 공정 (H)는, 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하고, 개편화하는 공정이다.The manufacturing method of a semiconductor chip package may include the process (H) in addition to the process (A)-(G). The step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and separating them into pieces.

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제3 형태는, 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)에서의 재배선 형성층(절연층), 솔더 레지스트층을 본 발명의 수지 조성물 또는 수지 시트로 제조한 반도체 칩 패키지이다.A third aspect of the semiconductor chip package of the present invention is a semiconductor chip package in which a redistribution forming layer (insulating layer) and a soldering resist layer in a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) are manufactured from the resin composition or resin sheet of the present invention. am.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 반도체 칩 패키지를 실장하게 되는 것이 되는 반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨이러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기, 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등으로 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device on which the semiconductor chip package of the present invention is to be mounted include electrical appliances (for example, computers, mobile phones, smartphones, tablet-type devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, televisions, etc.) and Various semiconductor devices provided in vehicles (eg, motorcycles, automobiles, electric trains, ships, aircraft, etc.) etc. are mentioned.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에서, 「부」 및 「%」는 별도로 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the following description, "parts" and "%" mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

[합성예 1][Synthesis Example 1]

<엘라스토머 A의 제조><Production of Elastomer A>

교반 장치, 온도계 및 콘덴서를 붙인 플라스크에, 용제로서 에틸디글리콜아세테이트를 368.41g, 솔벳소 150(방향족계 용제, 엑손모빌사 제조)을 368.41g 주입하고, 디페닐메탄디이소시아네이트를 100.1g(0.4몰)과 폴리카보네이트디올(수 평균 분자량: 약 2000, 수산기 당량: 1000, 불휘발분: 100%, 쿠라레(주) 제조 「C-2015N」) 400g(0.2몰)을 주입하여 70℃에서 4시간 반응을 수행하였다. 이어서, 노닐페놀노볼락 수지(수산기 당량 229.4g/eq, 평균 4.27관능, 평균 계산 분자량 979.5g/몰) 195.9g(0.2몰)과 에틸렌글리콜비스안하이드로트리멜리테이트 41.0g(0.1몰)을 주입하여, 2시간에 걸쳐 150℃로 승온하고, 12시간 반응시켰다. FT-IR로부터 2250㎝-1의 NCO 피크의 소실 확인을 수행하였다. NCO 피크 소실의 확인으로써 반응의 종점으로 간주하고, 반응물을 실온까지 강온하고 나서 100메쉬의 여과포로 여과하여, 폴리카보네이트 구조를 갖는 수지(불휘발분 50질량%)을 수득하였다. 수 평균 분자량은 6100이었다.Into a flask equipped with a stirring device, a thermometer and a condenser, 368.41 g of ethyl diglycol acetate and 368.41 g of Solvesso 150 (aromatic solvent, manufactured by ExxonMobil) as a solvent were injected, and 100.1 g (0.4 g) of diphenylmethane diisocyanate was added. mol) and polycarbonate diol (number average molecular weight: about 2000, hydroxyl equivalent: 1000, non-volatile content: 100%, “C-2015N” manufactured by Kuraray Co., Ltd.) 400 g (0.2 mol) were injected and heated at 70° C. for 4 hours The reaction was carried out. Next, 195.9 g (0.2 mol) of nonylphenol novolak resin (hydroxyl equivalent 229.4 g/eq, average 4.27 functionality, average calculated molecular weight 979.5 g/mol) and 41.0 g (0.1 mol) of ethylene glycol bisanhydrotrimellitate were injected Then, it heated up to 150 degreeC over 2 hours, and was made to react for 12 hours. Confirmation of the disappearance of the NCO peak of 2250 cm -1 from FT-IR was performed. It was regarded as the end point of the reaction by confirming the disappearance of the NCO peak, and the reaction product was cooled to room temperature and then filtered through a 100-mesh filter cloth to obtain a resin having a polycarbonate structure (non-volatile content: 50% by mass). The number average molecular weight was 6100.

(평가용 경화물의 제작)(Production of cured product for evaluation)

이형제 처리된 PET 필름(린텍(주) 제조 「501010」, 두께 38㎛, 240㎜ 각)의 이형제 미처리면에 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(파나소닉(주) 제조 「R5715ES」, 두께 0.7㎜, 255㎜ 각)을 겹쳐 사변을 폴리이미드 접착 테이프(폭 10㎜)로 고정하였다(이하, 「고정 PET 필름」).A glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate (“R5715ES” manufactured by Panasonic Co., Ltd., thickness 0.7 mm, 255 mm square), and the four sides were fixed with polyimide adhesive tape (width 10 mm) (henceforth "fixed PET film").

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 바니시를 알키드 수지계 이형제(린텍(주) 제조 「AL-5」)에 이형 처리한 PET 필름(도레이(주) 제조 「루미러 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 이하 「이형 PET」) 위에, 건조 후의 가수지 조성물층의 두께가 40㎛가 되도록 다이코터로 도포하고, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 10분간 건조하여 접착 필름을 수득하였다. 각 접착 필름(두께 40㎛, 200mm 각)을, 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈(주) 제조 2 스테이지 빌드 업 라미네이터, CVP700)를 사용하여 가수지 조성물층이 고정 PET 필름의 이형제 처리면과 접하도록, 중앙에 라미네이트 처리하여, 지지체 부착 수지 시트를 수득하였다. 라미네이트 처리는 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74㎫에서 30초간 압착시킴으로써 실시하였다.PET film (“Lumiror R80” manufactured by Toray Co., Ltd., 38 μm thick, softening point 130), in which the resin varnish produced in Examples and Comparative Examples was treated with an alkyd resin mold release agent (“AL-5” manufactured by Lintec Co., Ltd.) ℃, hereinafter “Releasable PET”), applied with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying becomes 40 μm, and dried at 80° C. to 120° C. (average 100° C.) for 10 minutes to obtain an adhesive film. Each adhesive film (thickness 40 μm, 200 mm each) was applied with a batch vacuum pressurized laminator (Nikko Materials Co., Ltd. 2-stage build-up laminator, CVP700), the resin composition layer was fixed with the release agent-treated side of the PET film A resin sheet with a support was obtained by laminating at the center so as to be in contact with each other. After lamination process pressure-reduced for 30 second and air pressure was 13 hPa or less, it was performed by crimping|bonding at 100 degreeC and pressure 0.74 MPa for 30 second.

이어서, 100℃의 온도 조건에서 100℃의 오븐에 투입 후 30분간, 이어서, 175℃의 온도 조건에서, 175℃의 오븐에 옮긴 후 30분간 열경화시켰다. 그 후, 기판을 실온 분위기 하에 꺼내어, 지지체 부착 수지 시트로부터 이형 PET를 박리한 후, 추가로 180℃의 오븐에 투입 후 60분간의 경화 조건으로 열경화시켰다.Then, after being put into an oven at 100° C. under a temperature condition of 100° C. for 30 minutes, then, under a temperature condition of 175° C., it was transferred to an oven at 175° C. and thermosetted for 30 minutes. Then, the board|substrate was taken out in room temperature atmosphere, and after peeling mold release PET from the resin sheet with a support body, it was made to thermoset under hardening conditions for 60 minutes after injecting|throwing-in further 180 degreeC oven.

열경화 후, 폴리이미드 접착 테이프를 떼어, 경화물을 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판에서 분리하고, 또한 PET 필름(린텍(주) 제조 「501010」)도 박리하여 시트상의 경화물을 수득하였다. 수득된 경화물을 「평가용 경화물」이라고 칭한다.After thermosetting, the polyimide adhesive tape was peeled off, the cured product was separated from the glass cloth-based epoxy resin double-sided copper clad laminate, and the PET film (“501010” manufactured by Lintec Co., Ltd.) was also peeled to obtain a sheet-like cured product. The obtained hardened|cured material is called "hardened|cured material for evaluation".

<탄성률, 인장 파단점 강도의 측정><Measurement of elastic modulus and tensile strength at break>

평가용 경화물을 덤벨상 1호형으로 잘라내어 시험편을 수득하였다. 당해 시험편을, 오리엔텍사 제조 인장 시험기 「RTC-1250A」를 사용하여 인장 강도 측정을 수행하고, 23℃에서의 탄성률, 인장 파단점 강도를 구하였다. 측정은 JIS K7127에 준거하여 실시하였다. 이 조작을 3회 실시하고, 그 평균값을 표에 나타내었다.The cured product for evaluation was cut out in a dumbbell-shaped No. 1 shape to obtain a test piece. The test piece was subjected to tensile strength measurement using a tensile tester "RTC-1250A" manufactured by Orientec Co., Ltd., and the elastic modulus and tensile strength at break at 23°C were determined. The measurement was performed based on JISK7127. This operation was performed 3 times, and the average value is shown in a table|surface.

<강도 평가><Strength evaluation>

8인치 실리콘 웨이퍼 위에 가고정 필름(리버알파 No.31950E, 니토 덴코(주) 제조 Thermal release tape)의 forming tape면을 롤 라미네이터로 웨이퍼에 붙인 후, 리버알파의 base adhesive면 위에 실리콘 칩(DIE 사이즈 9x6㎜, 높이 150um)을 등간격으로 97개 배치하였다.After attaching the forming tape side of the temporary fixing film (River Alpha No. 31950E, thermal release tape manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) to the wafer with a roll laminator on an 8-inch silicon wafer, on the base adhesive side of River Alpha, a silicon chip (DIE size) 9x6mm, height 150um) were arranged at equal intervals.

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 바니시를 알키드 수지계 이형제(린텍(주) 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(도레이(주) 제조 「루미러 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 이하 「이형 PET」) 위에, 건조 후의 가수지 조성물층의 두께가 200㎛가 되도록 다이코터로 도포하고, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 10분간 건조하여 접착 필름을 수득하였다. 수득된 접착 필름을 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈(주) 제조 2 스테이지 빌드 업 라미네이터, CVP700)를 사용하여, 상기 실리콘 칩 부착 웨이퍼의 실리콘 칩면에 라미네이트하고 실리콘 칩을 밀봉하였다. 당해 실리콘 웨이퍼를 150℃에서 1시간 오븐에서 가열한 후, 당해 실리콘 웨이퍼를 200℃의 핫 플레이트 위에서 가열하고 실리콘 웨이퍼와 리바알파를 forming tape면에서 박리한 후, 리바알파 base adhesive면과 밀봉한 수지의 계면을 손으로 박리하여, 실리콘 칩이 수지에 매립된 수지 웨이퍼를 수득하였다. 상기 프로세스 중에 수지의 결여, 균열이 생긴 것을 「×」, 수지의 결여, 균열이 생기지 않은 것을 「○」로 하였다.PET film (“Lumiror R80” manufactured by Toray Co., Ltd., 38 μm thick, softening point 130), in which the resin varnish produced in Examples and Comparative Examples was release-treated with an alkyd resin mold release agent (“AL-5” manufactured by Lintec Co., Ltd.) ℃, hereinafter "Releasable PET") was applied with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying became 200 μm, and dried at 80° C. to 120° C. (average 100° C.) for 10 minutes to obtain an adhesive film. The obtained adhesive film was laminated on the silicon chip side of the above-mentioned silicon chip-attached wafer using a batch vacuum pressure laminator (Nikko Materials Co., Ltd. 2-stage build-up laminator, CVP700), and the silicon chip was sealed. After heating the silicon wafer in an oven at 150° C. for 1 hour, the silicon wafer is heated on a hot plate at 200° C., the silicon wafer and Riva Alpha are peeled from the forming tape, and the resin sealed with the Riva Alpha base adhesive surface. The interface was peeled off by hand to obtain a resin wafer in which the silicon chip was embedded in the resin. In the above process, those in which lack of resin and cracks occurred were denoted by "x", and those in which lack of resin and cracks did not occur were denoted by "○".

<밀착성 평가><Adhesiveness evaluation>

8인치 실리콘 웨이퍼 위에 질화 규소를 1000Å 증착한 웨이퍼를 준비하고, 실시예 및 비교예에서 제작한 수지 바니시를 알키드 수지계 이형제(린텍(주) 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(도레이(주) 제조 「루미러 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 이하 「이형 PET」) 위에, 건조 후의 가수지 조성물층의 두께가 20㎛가 되도록 다이코터로 도포하고, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 10분간 건조하여 접착 필름을 수득하였다. 수득된 접착 필름을, 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈(주) 제조 2 스테이지 빌드 업 라미네이터, CVP700)를 사용하여 상기 웨이퍼에 라미네이트하였다. 180℃에서 1시간 오븐에서 열경화한 후, 「JIS K5400-8.5(1990)」에 따라, 수지 조성물층을 1㎜×1㎜의 바둑판에 크로스 컷(100 매스)하고, 프레셔 쿠커 처리(121℃/습도 100%/100시간)한 후, 테이프 필 테스트를 수행하여, 수지가 박리된 칸의 수를 계측하였다. 박리된 칸이 0 내지 5개를 「○」, 6 내지 19개를 「△」, 20개 이상을 「×」로 하였다.A PET film (Toray Co., Ltd.) prepared by depositing 1000 Å of silicon nitride on an 8-inch silicon wafer, and releasing the resin varnish produced in Examples and Comparative Examples with an alkyd resin-based release agent (“AL-5” manufactured by Lintech Co., Ltd.) Co., Ltd. manufacture "Lumiror R80", thickness 38㎛, softening point 130℃, hereinafter "Releasable PET"), apply with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying becomes 20㎛, 80 ℃ to 120 ℃ (Average 100 ℃) and dried for 10 minutes to obtain an adhesive film. The obtained adhesive film was laminated to the said wafer using the batch type vacuum pressure laminator (Nikko Materials Co., Ltd. product 2 stage build-up laminator, CVP700). After thermosetting in an oven at 180 ° C. for 1 hour, according to "JIS K5400-8.5 (1990)", the resin composition layer was cross-cut (100 pieces) on a 1 mm x 1 mm checkerboard, followed by a pressure cooker treatment (121 ° C.) /humidity 100%/100 hours), a tape peel test was performed, and the number of cells in which the resin was peeled was counted. 0-5 pieces of peeled cells were "○", 6-19 pieces were made into "Δ", and 20 or more pieces were made into "x".

<휨 평가><Warp evaluation>

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 바니시를 알키드 수지계 이형제(린텍(주) 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(도레이(주) 제조 「루미러 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 이하 「이형 PET」) 위에, 건조 후의 가수지 조성물층의 두께가 300㎛가 되도록 다이코터로 도포하고, 80℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 10분간 건조하여 접착 필름을 수득하였다. 수득된 접착 필름을, 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈(주) 제조 2 스테이지 빌드 업 라미네이터, CVP700)를 사용하여, 12인치 실리콘 웨이퍼(두께 775um)에 라미네이트 180℃ 1h 가열하여 수지를 경화시켜 수지 부착 웨이퍼를 작성하였다. 평탄한 면에 수지측을 위로 하여 수지 부착 웨이퍼를 놓고, 휨량 측정하였다. 가장 휨이 큰 개소의 휨량이 2㎜ 미만을 ○, 2㎜ 이상을 ×로 하였다.PET film (“Lumiror R80” manufactured by Toray Co., Ltd., 38 μm thick, softening point 130), in which the resin varnish produced in Examples and Comparative Examples was release-treated with an alkyd resin mold release agent (“AL-5” manufactured by Lintec Co., Ltd.) ℃, hereinafter referred to as "Releasable PET"), applied with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying becomes 300 μm, and dried at 80° C. to 120° C. (average 100° C.) for 10 minutes to obtain an adhesive film. The obtained adhesive film was laminated on a 12-inch silicon wafer (thickness 775 um) using a batch vacuum pressurized laminator (Nikko Materials Co., Ltd. 2-stage build-up laminator, CVP700) and heated at 180° C. for 1 h to cure the resin. A wafer with resin was created. A wafer with resin was placed on a flat surface with the resin side facing up, and the amount of warpage was measured. The curvature amount of the location with the largest curvature made less than 2 mm into (circle), and 2 mm or more made x.

[실시예 1][Example 1]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 엘라스토머 A 10부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액) 17부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부, 카르보디이미드 화합물(닛신보 케미칼(주) 제조 「V-07」, 카르보디이미드 당량 200, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액) 4부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 115부, 폴리페닐렌에테르올리고머(미츠비시 가스 카가쿠(주) 제조 「OPE-1000」, 고형분 약 52%의 톨루엔 용액, 페놀성 수산기 당량: 435g/eq) 9.6부, 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조, 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하고, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여, 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 186), 10 parts of elastomer A, phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 30% by mass of solid content) Cyclohexanone: 1:1 solution of methyl ethyl ketone (MEK)) 17 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC, epoxy equivalent 258) 3 parts, carbodiimide compound (Nissinbo Corporation) Chemical Co., Ltd. "V-07", carbodiimide equivalent 200, toluene solution of 50 mass % of nonvolatile component) 4 parts, aminosilane type coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) surface-treated 115 parts of spherical silica A (average particle size of 1.7 μm, specific surface area (m2/g) 2.7 μm), polyphenylene ether oligomer (“OPE-1000” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., toluene solution with a solid content of about 52%; Phenolic hydroxyl equivalent: 435 g/eq) 9.6 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene -10-oxide, average particle diameter of 2 µm) 1.5 parts, curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., "2P4MZ-5M", 1-benzyl-2-phenylimidazole, MEK solution having a solid content of 5% by mass) 3 parts are mixed Then, 100 parts of cyclohexanone was uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, filtered through a cartridge filter ("SHP050" manufactured by ROKITECHNO), and a resin varnish was produced.

[실시예 2][Example 2]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 엘라스토머 A 10부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액) 17부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부, 카르보디이미드 화합물(닛신보 케미칼(주) 제조 「V-07」, 카르보디이미드 당량 200, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액) 4부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 115부, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 약 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 3.3부, 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠(주) 제조 「SN-485」, 수산기 당량: 215g/eq)의 메틸에틸케톤 용액(고형분: 50%) 6부, 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하고, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여, 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 186), 10 parts of elastomer A, phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX6954BH30", solid content of 30% by mass) Cyclohexanone: 1:1 solution of methyl ethyl ketone (MEK)) 17 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC, epoxy equivalent 258) 3 parts, carbodiimide compound (Nissinbo Corporation) Chemical Co., Ltd. "V-07", carbodiimide equivalent 200, toluene solution of 50 mass % of nonvolatile component) 4 parts, aminosilane type coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) surface-treated 115 parts of spherical silica A (average particle size of 1.7 µm, specific surface area (m2/g) of 2.7 µm) 115 parts, a phenol novolac curing agent containing triazine skeleton (“LA-7054” manufactured by DIC Co., Ltd., hydroxyl equivalent of about 125, solid content of 60 % MEK solution) 3.3 parts, methyl ethyl ketone solution (solid content: 50%) of naphthol-based curing agent (“SN-485” manufactured by Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., hydroxyl equivalent: 215 g/eq) (solid content: 50%) 6 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle size 2 μm) 1.5 parts, 3 parts of hardening accelerator ("2P4MZ-5M" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole, MEK solution having a solid content of 5% by mass) is mixed, and 100 parts of cyclohexanone is uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer and filtered with a cartridge filter ("SHP050" manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish.

[실시예 3][Example 3]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 엘라스토머 A 10부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액) 27부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부, 카르보디이미드 화합물(닛신보 케미칼(주) 제조 「V-07」, 카르보디이미드 당량 200, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액) 4부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 115부, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 약 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 5부, 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조, 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 186), 10 parts of elastomer A, phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX6954BH30", solid content of 30% by mass) Cyclohexanone: 1:1 solution of methyl ethyl ketone (MEK) 27 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC, epoxy equivalent 258) 3 parts, carbodiimide compound (Nissinbo Corporation) Chemical Co., Ltd. "V-07", carbodiimide equivalent 200, toluene solution of 50 mass % of nonvolatile component) 4 parts, aminosilane type coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) surface-treated 115 parts of spherical silica A (average particle size of 1.7 µm, specific surface area (m2/g) of 2.7 µm) 115 parts, a phenol novolac curing agent containing triazine skeleton (“LA-7054” manufactured by DIC Co., Ltd., hydroxyl equivalent of about 125, solid content of 60 % MEK solution) 5 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide , average particle diameter 2 µm) 1.5 parts, a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., "2P4MZ-5M", 1-benzyl-2-phenylimidazole, MEK solution with a solid content of 5 mass %) 3 parts are mixed, and cyclohexa 100 parts of paddy fields were uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, and filtered through a cartridge filter ("SHP050" manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish.

[실시예 4][Example 4]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 엘라스토머 A 10부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부, 비스페놀 F형 페녹시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠(주) 제조 「FX-316」) 5부, 폴리페닐렌에테르올리고머(미츠비시 가스 카가쿠(주) 제조 「OPE-1000」고형분 약 52%의 톨루엔 용액, 페놀성 수산기 당량: 435g/eq) 9.6부, 카르보디이미드 화합물(닛신보 케미칼(주) 제조 「V-07」, 카르보디이미드 당량 200, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액) 4부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 115부, 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조, 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하고, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 186), 10 parts of elastomer A, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent 258) ) 3 parts, bisphenol F-type phenoxy resin (“FX-316” manufactured by Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd.) 5 parts, polyphenylene ether oligomer (“OPE-1000” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. solid content About 52% toluene solution, phenolic hydroxyl group equivalent: 435 g/eq) 9.6 parts, carbodiimide compound (Nissinbo Chemical Co., Ltd. "V-07", carbodiimide equivalent 200, 50 mass% of nonvolatile components Toluene solution) 4 parts, 115 parts of spherical silica A (average particle size of 1.7 µm, specific surface area (m2/g) 2.7 µm) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 115 parts, a flame retardant ( "HCA-HQ" manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle size 2 µm) 1.5 parts, cured 3 parts of accelerator ("2P4MZ-5M" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole, MEK solution having a solid content of 5% by mass) is mixed, and 100 parts of cyclohexanone is uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer and filtered with a cartridge filter ("SHP050" manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish.

[실시예 5][Example 5]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 엘라스토머 A 5부, 유연성 구조 함유 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX7180BH40」, 고형분 40질량%의 사이클로헥사논:MEK의 1:1 용액) 25부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부, 카르보디이미드 화합물(닛신보 케미칼(주) 제조 「V-07」, 카르보디이미드 당량 200, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액) 4부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구상 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 120부, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 약 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 8.3부, 난연제(산코사 제조「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조, 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin (“828EL” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., approx. 186 epoxy equivalent), 5 parts of elastomer A, phenoxy resin containing flexible structure (“YX7180BH40” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., solid content 40) 25 parts by mass of cyclohexanone: a 1:1 solution of MEK) 25 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC, epoxy equivalent 258) 3 parts, carbodiimide compound (Nissinbo Chemical (Nissinbo Chemical) Note) Manufactured "V-07", carbodiimide equivalent weight 200, toluene solution containing 50 mass% of nonvolatile components) 4 parts, spherical silica surface-treated with an aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 120 parts A (average particle diameter 1.7 μm, specific surface area (m2/g) 2.7 μm) 120 parts, triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Co., Ltd., hydroxyl equivalent of about 125, solid content of 60% MEK solution) 8.3 parts, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average Particle size: 2 µm), 3 parts of a curing accelerator (“2P4MZ-5M” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole, MEK solution having a solid content of 5% by mass) are mixed, and cyclohexanone 100 The part was uniformly dispersed with a high-speed rotating mixer and filtered through a cartridge filter ("SHP050" manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish.

[비교예 1][Comparative Example 1]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 엘라스토머 A 15부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부 , 카르보디이미드 화합물(닛신보 케미칼(주) 제조 「V-07」, 카르보디이미드 당량 200, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액) 4부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 115부, 폴리페닐렌에테르올리고머(미츠비시 가스 카가쿠(주) 제조 「OPE-1000」, 고형분 약 52%의 톨루엔 용액, 페놀성 수산기 당량: 435g/eq) 9.6부, 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조, 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 186), 15 parts of elastomer A, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC, 258 epoxy equivalent) ) 3 parts, carbodiimide compound ("V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., carbodiimide equivalent 200, toluene solution containing 50 mass % of nonvolatile components) 4 parts, aminosilane-based coupling agent (Shin-Etsu Chemical) 115 parts of spherical silica A (average particle size of 1.7 µm, specific surface area (m2/g) 2.7 µm) surface-treated with "KBM573" manufactured by Kogyo Corporation, polyphenylene ether oligomer ("OPE-" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) 1000", a toluene solution with a solid content of about 52%, phenolic hydroxyl equivalent: 435 g/eq) 9.6 parts, a flame retardant ("HCA-HQ" manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro -9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter of 2 μm) 1.5 parts, a curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., “2P4MZ-5M”, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 3 parts of MEK solution with a solid content of 5 mass %) were mixed, 100 parts of cyclohexanone were uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, and filtered with a cartridge filter ("SHP050" manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish.

[비교예 2][Comparative Example 2]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부, 비스페놀 F형 페녹시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠(주) 제조 「FX-316」) 15부, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA-7054」, 수산기 당량 약 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 8.3부, 카르보디이미드 화합물(닛신보 케미칼(주) 제조 「V-07」, 카르보디이미드 당량 200, 불휘발 성분 50질량%의 톨루엔 용액) 4부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「 KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 115부, 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조, 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하고, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 186), 3 parts of dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC, epoxy equivalent 258), 3 parts of bisphenol 15 parts of F-type phenoxy resin (“FX-316” manufactured by Shin-Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd.), a phenol novolac curing agent containing a triazine skeleton (“LA-7054” manufactured by DIC Co., Ltd., hydroxyl equivalent of about 125 , MEK solution having a solid content of 60%) 8.3 parts, a carbodiimide compound (“V-07” manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., a carbodiimide equivalent of 200, a toluene solution containing 50% by mass of a nonvolatile component) 4 parts, aminosilane 115 parts of spherical silica A (average particle size 1.7 µm, specific surface area (m2/g) 2.7 µm) surface-treated with a coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), a flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Corporation) , 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 μm) 1.5 parts, curing accelerator (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) , "2P4MZ-5M", 1-benzyl-2-phenylimidazole, MEK solution having a solid content of 5% by mass) 3 parts were mixed, 100 parts of cyclohexanone were uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, and a cartridge filter (ROKITECHNO) It filtered by manufacture "SHP050"), and the resin varnish was produced.

[비교예 3][Comparative Example 3]

비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「828EL」, 에폭시 당량 약 186) 3부, 엘라스토머 A 10부, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠(주) 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액) 17부, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200」, 에폭시 당량 258) 3부, 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 A(평균 입경 1.7㎛, 비표면적(㎡/g) 2.7um) 115부, 폴리페닐렌에테르올리고머(미츠비시 가스 카가쿠(주) 제조 「OPE-1000」, 고형분 약 52%의 톨루엔 용액, 페놀성 수산기 당량: 435g/eq) 9.6부, 난연제(산코사 제조 「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입경 2㎛) 1.5부, 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「2P4MZ-5M」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부를 혼합하고, 사이클로헥사논 100부를 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하고, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP050」)로 여과하여 수지 바니시를 제작하였다.3 parts of bisphenol A epoxy resin ("828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent about 186), 10 parts of elastomer A, phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 30% by mass of solid content) Cyclohexanone: 1:1 solution of methyl ethyl ketone (MEK)) 17 parts, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200" manufactured by DIC, epoxy equivalent 258) 3 parts, aminosilane coupling agent (Shin-Etsu) 115 parts of spherical silica A (average particle diameter of 1.7 µm, specific surface area (m2/g) 2.7 µm) surface-treated with "KBM573" manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd., polyphenylene ether oligomer (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. " OPE-1000", toluene solution with a solid content of about 52%, phenolic hydroxyl equivalent: 435 g/eq) 9.6 parts, flame retardant ("HCA-HQ" manufactured by Sanko Corporation, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10 -Hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2㎛) 1.5 parts, curing accelerator ("2P4MZ-5M" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole , MEK solution having a solid content of 5% by mass) 3 parts were mixed, 100 parts of cyclohexanone were uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, and filtered with a cartridge filter ("SHP050" manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish.

Figure 112017077421250-pat00011
Figure 112017077421250-pat00011

[제작예 1][Production Example 1]

<Fan-out형 WLP용 수지 시트의 제작><Production of resin sheet for fan-out type WLP>

폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 200㎛가 되도록 실시예 1에 기재된 수지 바니시를 다이코터로 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 10분간 건조하여 수지 시트를 수득하였다.On a polyethylene terephthalate film (thickness 38 μm), the resin varnish described in Example 1 is applied with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying becomes 200 μm, and dried at 80 to 120° C. (average 100° C.) for 10 minutes. Thus, a resin sheet was obtained.

Fan-out형 WLP의 밀봉층을 상기 수지 시트를 사용하여 제작한 바, Fan-out형 WLP로서 충분한 성능을 갖고 있는 것을 알 수 있었다.When the sealing layer of the fan-out type WLP was fabricated using the resin sheet, it was found that it had sufficient performance as the fan-out type WLP.

[제작예 1][Production Example 1]

<층간 절연용 수지 시트의 제작><Production of resin sheet for interlayer insulation>

폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 200㎛가 되도록 실시예 1에 기재된 수지 바니시를 다이코터로 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 10분간 건조하여 수지 시트를 수득하였다.On a polyethylene terephthalate film (thickness 38 μm), the resin varnish described in Example 1 is applied with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying becomes 200 μm, and dried at 80 to 120° C. (average 100° C.) for 10 minutes. Thus, a resin sheet was obtained.

회로 기판의 층간 절연층을 상기 수지 시트를 사용하여 제작한 바, 본 발명의 회로 기판은 충분한 성능을 갖고 있는 것을 알 수 있었다.When the interlayer insulating layer of a circuit board was produced using the said resin sheet, it turned out that the circuit board of this invention has sufficient performance.

Claims (14)

(a) 분자 내에 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머, (b) 에폭시 수지, (c) 무기 충전재, (d) 페녹시 수지, 및 (e) 카르보디이미드 화합물을 함유하는 수지 조성물로서,
(a) 성분이, 화학식 (1-a)로 표시되는 구조 및 화학식 (1-b)로 표시되는 구조를 갖는 수지이고,
(a) 성분이 (b) 성분과 반응할 수 있는 관능기를 갖는, 수지 조성물.
화학식 (1-a)
Figure 112022015496980-pat00012

화학식 (1-b)
Figure 112022015496980-pat00013

상기 화학식에서,
R1은 폴리카보네이트디올의 하이드록시기를 제외한 잔기를 나타내고, R2는 다염기산 또는 이의 무수물의 카르복시기 또는 산무수물기를 제외한 잔기를 나타내고, R3는 디이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기를 제외한 잔기를 나타낸다.
A resin composition comprising (a) an elastomer having a polycarbonate structure in a molecule, (b) an epoxy resin, (c) an inorganic filler, (d) a phenoxy resin, and (e) a carbodiimide compound,
(a) a component is a resin having a structure represented by the formula (1-a) and a structure represented by the formula (1-b),
The resin composition in which (a) component has a functional group which can react with (b) component.
Formula (1-a)
Figure 112022015496980-pat00012

Formula (1-b)
Figure 112022015496980-pat00013

In the above formula,
R1 represents a residue excluding the hydroxyl group of the polycarbonate diol, R2 represents a residue excluding the carboxyl group or acid anhydride group of a polybasic acid or anhydride thereof, and R3 represents a residue other than the isocyanate group of the diisocyanate compound.
제1항에 있어서, (c) 성분의 함유량이, 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 75질량% 내지 95질량%인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (c) is 75% by mass to 95% by mass, when the nonvolatile component of the resin composition is 100% by mass. 제1항 또는 제2항에 있어서, (a) 성분의 함유량이, (c) 성분을 제외한 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 30질량% 내지 85질량%인, 수지 조성물.The resin composition of Claim 1 or 2 whose content of (a) component is 30 mass % - 85 mass %, when the non-volatile component of the resin composition except (c) component makes 100 mass %. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지 조성물을 180℃에서 1시간 열경화시킨 경화물의 23℃에서의 탄성률이 8GPa 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180°C for 1 hour has an elastic modulus at 23°C of 8 GPa or more. 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서, (a) 성분이 페놀성 수산기를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (a) has a phenolic hydroxyl group. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 (f) 경화제를 포함하고, 당해 경화제가 페놀계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, further comprising (f) a curing agent, and the curing agent is at least one selected from phenol-based curing agents. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반도체 칩 패키지 절연층용 수지 조성물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, which is a resin composition for semiconductor chip package insulating layers. 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된, 제1항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는 수지 시트.A resin sheet having a support and a resin composition layer formed on the support and comprising the resin composition according to claim 1 . 제10항에 있어서, 반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 시트인, 수지 시트.The resin sheet according to claim 10, which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.The circuit board containing the insulating layer formed with the hardened|cured material of the resin composition of Claim 1 or 2. 제12항에 기재된 회로 기판 위에 반도체 칩이 탑재된, 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package in which the semiconductor chip was mounted on the circuit board of Claim 12. 제1항에 기재된 수지 조성물, 또는 제10항에 기재된 수지 시트에 의해 밀봉된 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩 패키지.A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip sealed with the resin composition according to claim 1 or the resin sheet according to claim 10.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019216425A1 (en) * 2018-05-11 2019-11-14 日立化成株式会社 Conductor substrate, wiring substrate, stretchable device, and method for manufacturing wiring substrate
JP7424743B2 (en) 2018-09-04 2024-01-30 味の素株式会社 Resin compositions, resin inks, resin ink layers, resin sheets and semiconductor chip packages
JP7151550B2 (en) * 2019-02-26 2022-10-12 味の素株式会社 resin composition
JP7298466B2 (en) * 2019-12-11 2023-06-27 味の素株式会社 resin composition
WO2022054615A1 (en) * 2020-09-10 2022-03-17 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Phenoxy resin, resin composition, cured product, laminate for electric/electronic circuits, and method for producing phenoxy resin
WO2023042669A1 (en) * 2021-09-15 2023-03-23 味の素株式会社 Resin sheet, printed circuit board, semiconductor chip package, and semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011094037A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Toyo Ink Mfg Co Ltd Flame-retardant adhesive composition, flame-retardant adhesive sheet, and flexible printed wiring board
JP2012136693A (en) * 2010-12-08 2012-07-19 Ajinomoto Co Inc Resin composition
JP2014078574A (en) 2012-10-10 2014-05-01 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd Electromagnetic wave-shielding coverlay film, method for manufacturing flexible printed wiring board, and flexible printed wiring board

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4929623B2 (en) 2004-06-21 2012-05-09 味の素株式会社 Thermosetting resin composition containing modified polyimide resin
KR101317259B1 (en) * 2009-07-06 2013-10-14 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Thermosetting composition for protective film for wiring board
JP5929466B2 (en) * 2012-04-23 2016-06-08 味の素株式会社 Resin composition
CN104793424A (en) * 2014-01-20 2015-07-22 精工爱普生株式会社 Method of manufacturing electrophoresis dispersion liquid, electrophoresis dispersion liquid, display device and electronic apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011094037A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Toyo Ink Mfg Co Ltd Flame-retardant adhesive composition, flame-retardant adhesive sheet, and flexible printed wiring board
JP2012136693A (en) * 2010-12-08 2012-07-19 Ajinomoto Co Inc Resin composition
JP2014078574A (en) 2012-10-10 2014-05-01 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd Electromagnetic wave-shielding coverlay film, method for manufacturing flexible printed wiring board, and flexible printed wiring board

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