KR102399250B1

KR102399250B1 - Di워터 재생 장치

Info

Publication number: KR102399250B1
Application number: KR1020210024341A
Authority: KR
Inventors: 이장희; 홍철희
Original assignee: 주식회사 에스알
Priority date: 2021-02-23
Filing date: 2021-02-23
Publication date: 2022-05-19

Abstract

DI워터 재생 장치가 개시되며, 상기 DI워터 재생 장치는, 대상 장치로부터 사용된 DI워터가 유입되고, 유입된 DI워터를 1차 정수하는 1차 정수부; 1차 정수된 DI워터를 2차 정수하는 2차 정수부; 2차 정수된 DI워터를 순차적으로 정수하는 복수의 필터를 포함하는 3차 정수부; 3차 정수부에서 정수된 DI워터의 온도를 조절하는 온도 조절부; 및 온도 조절부에서 온도가 조절된 DI워터를 저장하는 저장부를 포함한다.

Description

DI워터 재생 장치{DEIONIZED WATER REGENERATION APPARATUS}

본원은 DI워터(Deionized Water) 재생 및 순환 장치에 관한 것이다.

반도체 완제품이 제조되는 과정에 DI워터가 사용된다. 이를 테면, 다이싱(Dicing), 쏘잉(Sawing) 장치는 반도체 소자에 대한 커팅시 DI워터를 사용할 수 있다. 또한, 그라인더는 반도체 소자에 대한 그라인더시 DI워터를 사용할 수 있다. 또한, 반도체 소자에 대한 습식 세정시 DI워터가 사용될 수 있다. 이에 따라, 반도체 완제품이 제조되는 과정에서 사용된 DI워터는 폐수 형태로 발생된다. 그런데, 종래에는 사용된 DI워터를 재사용하지 않고 버렸다. 이에 따라, 물 소비량 증가, 자원 낭비와 환경 오염 등이 초래되는 문제가 있었다.

본원의 배경이 되는 기술은 한국등록특허공보 제2003-0048682호에 개시되어 있다.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 사용된 DI워터를 재사용 가능하도록 정수하는 DI워터 재생 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들도 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면에 따른 DI워터 재생 장치는, 대상 장치로부터 사용된 DI워터가 유입되고, 유입된 DI워터를 1차 정수하는 1차 정수부; 1차 정수된 DI워터를 2차 정수하는 2차 정수부; 2차 정수된 DI워터를 순차적으로 정수하는 복수의 필터를 포함하는 3차 정수부; 3차 정수부에서 정수된 DI워터의 온도를 조절하는 온도 조절부; 및 온도 조절부에서 온도가 조절된 DI워터를 저장하는 저장부를 포함할 수 있다.

본원의 일 구현예에 따른 DI워터 재생 장치에 있어서, 상기 2차 정수부는, 대용량 침전 필터를 포함할 수 있다.

본원의 일 구현예에 따른 DI워터 재생 장치에 있어서, 상기 3차 정수부는 5 개의 서로 다른 종류의 필터를 포함하고, 상기 2차 정수된 DI워터는 상기 5개의 서로 다른 종류의 필터를 순차적으로 통과할 수 있다.

본원의 일 구현예에 따른 DI워터 재생 장치에 있어서, 상기 1차 정수부는, 내외측으로 연통구가 형성되는 하우징, 상기 하우징의 내부에 상하로 간격을 두고 배치되는 복수의 필터를 포함하는 정수 구조체; 및 상기 정수 구조체를 통과한 DI워터가 수용되는 탱크를 포함할 수 있다.

본원의 일 구현예에 따른 DI워터 재생 장치에 있어서, 상기 대상 장치는, 그라인더 및 다이싱 장치 중 하나일 수 있다.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, DI워터가 1차 정수부, 2차 정수부 및 3차 정수부를 통과하며 정수될 수 있고, 온도 조절부를 통과함으로써 온도가 조절될 수 있다. 이에 따라, 사용된 DI워터를 재생하고 온도 조절까지 할 수 있는 DI워터 재생 장치가 구현될 수 있다.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 개략적인 회로도이다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 개략적인 개념 사시도이다.
도 3은 도 2와 다른 각도에서 바라보고 도시한 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 개략적인 개념 사시도이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 그라인더의 개략적인 사시도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 그라인더의 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 4와 다른 각도에서 바라보고 도시한 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 그라인더의 개략적인 사시도이다.
도 7은 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 다이싱 장치의 개략적인 평면도이다.
도 8은 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 다이싱 장치의 블레이드부 및 테이블 구조체를 y축 타측에서 바라보고 도시한 개략적인 개념도이다.
도 9는 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치의 다이싱 장치의 테이블 구조체의 진공 척 테이블의 개략적인 사시도이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

또한, 본원의 실시예에 관한 설명 중 방향이나 위치와 관련된 용어(상측, 하측 등)는 도면에 나타나 있는 각 구성의 배치 상태를 기준으로 설정한 것이다. 예를 들면, 도 2 및 도 3을 보았을 때, 전반적으로 12시 방향이 상측, 전반적으로 6시 방향이 하측 등이 될 수 있다.

본원은 DI워터 재생 장치에 관한 것이다.

이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 DI워터 재생 장치(이하 '본 워터 재생 장치'라 함)에 대해 설명한다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 워터 재생 장치는, 1차 정수부(11)를 포함한다. 1차 정수부(11)는 대상 장치로부터 사용된 DI워터가 유입되고, 유입된 DI워터를 1차 정수한다. 1차 정수부(11)는 이물질을 걸러낼 수 있다. 1차 정수부(11)에 의해 걸러지는 이물질은 다른 정수부(12)에서 제거되는 이물질 대비 클 수 있다.

예를 들어, 1차 정수부(11)는 정수 구조체를 포함한다. 도 2를 참조하면, 정수 구조체는 하우징(111)을 포함할 수 있다. 하우징(111)에는 내외측으로 연통구가 형성될 수 있다. 연통구는 하우징(111)의 상부에 형성될 수 있다. 또한, 정수 구조체는 하우징(111)의 내부에 상하로 간격을 두고 배치되는 복수의 필터를 포함할 수 있다. 복수의 필터는 연통구보다 낮은 높이에 구비될 수 있다. 또한, 연통구를 통해 하우징(111) 내부로 유입된 사용된 DI워터는 하측으로 이동할 수 있고, 하측으로 이동하며 복수의 필터를 거칠 수 있다.

또한, 도 2를 참조하면, 1차 정수부(11)는 탱크(112)를 포함할 수 있다. 탱크(111)는 하우징(111)의 하측에 배치될 수 있고, 탱크(111)와 하우징(111)은 연통될 수 있다. 이에 따라, 연통구를 통해 하우징(111)의 내부로 유입된 사용된 DI워터는 하측으로 이동하며 복수의 필터를 거칠 수 있고, 복수의 필터를 거치며 탱크(111)로 유입될 수 있다.

참고로, 도 2를 참조하면, 하우징(111)은 상하로 3단 구조(111a, 111b, 111c)로 구비될 수 있다. 또한, 하우징(111) 내에는 2개의 필터가 구비될 수 있다. 2 개의 필터 중 하나는 두번째단(111b)와 세번째단(111c) 사이에 구비되고, 2 개의 필터 중 다른 하나는 세번째단(111c)과 탱크(111) 사이에 구비될 수 있다. 예시적으로, 1차 정수부(11)의 필터는 통상적인 거름망일 수 있다. 이는 통상의 기술자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.

또한, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 워터 재생 장치는, 1차 정수된 DI워터를 2차 정수하는 2차 정수부(12)를 포함한다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 워터 재생 장치는 제1 펌프(191)를 포함할 수 있다. 제1 펌프(191)에 의해 탱크(111) 내의 1차 정수된 DI워터는 2차 정수부(12)로 유입될 수 있다.

2차 정수부(12)는 대용량 침전 필터를 포함할 수 있다.

또한, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 워터 재생 장치는, 3차 정수부(13)를 포함한다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 3차 정수부(13)는 2차 정수된 DI워터를 순차적으로 정수하는 복수의 필터를 포함한다. 구체적으로, 3차 정수부(13)는 5 개의 서로 다른 종류의 필터(131, 132, 133, 134, 135)를 포함하고, 2차 정수된 DI워터는 5개의 서로 다른 종류의 필터(131, 132, 133, 134, 135)를 순차적으로 통과할 수 있다.

예를 들어, 상기 3차 정수부(13)는, 침전 필터(131), 카본 필터(132), 플리티드 필터(133), UF중공사막필터(134) 및 이온수지필터(135)를 포함하고, 2차 정수된 DI워터는 침전 필터(131), 카본 필터(132), 플리티드 필터(133), UF중공사막필터(134) 및 이온수지필터(135)를 순차적으로 통과할 수 있다.

전술한 바에 따르면, 사용된 DI워터는 1차 정수부(11)를 거쳐 큰 이물질이 제거되고, 이후 2차 정수부(12)의 대용량 침전 필터를 거치며, 침전 필터(세디멘트 필터)(131), 카본 필터(132), 플리티드 필터(133), UF중공사막필터(134) 및 이온수지필터(이온교환수지필터)(135)를 순차적으로 거침으로써 재사용 가능하게 정화될 수 있다. 대상 장치에서 사용된 DI워터에는 반도체 소자의 그라인딩, 커팅 등에서 발생된 반도체 소자의 입자 등이 이물질로 섞여있을 수 있다. 이러한 사용된 DI워터의 특성을 고려하여, 사용된 DI워터는 전술한 바와 같은 필터의 종류와 순서에 따라 정화됨이 바람직하다.

또한, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 워터 재생 장치는, 온도 조절부(14)를 포함한다. 온도 조절부(14)는 3차 정수된 DI워터의 온도를 조절한다. 예를 들어, 온도 조절부(14)는 칠러를 포함할 수 있다. 칠러는 3차 정수된 DI워터를 냉각시킬 수 있다.

또한, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 워터 재생 장치는 저장부(15)를 포함한다. 저장부(15)는 온도 조절부(14)에서 온도가 조절된 DI워터를 저장한다. 저장부(15)는 온도가 조절된 DI워터를 저장하는 탱크를 포함할 수 있다. 또한, 탱크는 온도 조절부(14)에서 온도가 조절된 DI워터가 조절된 온도를 유지하도록 보온 효과를 가질 수 있다. 이를 테면, 탱크의 벽체에는 보온재가 내장되어 잇을 수 있다. 또는 보온제가 탱크의 적어도 일부의 외면 상에 배치되어 탱크를 감쌀 수 있다.

또한, 도 1을 참조하면, 저장부(15)에 수용되는 DI워터는 대상 장치로 유입될 수 있다. 이를 위해, 본 워터 재생 장치는 DI워터를 저장부(15)로부터 대상 장치로 이동시키는 제2 펌프(192)를 포함할 수 있다.

또한, 저장부(15)는 탱크 내의 수위를 감지하는 수위 감지 센서를 포함할 수 있다. 또한, 저장부(15)는 선택적으로 탱크 내의 DI워터를 외부로 배출시키는 드레인(DRAIN) 구조체를 포함할 수 있다. 수위 감지 센서에 의해 탱크 내의 수위가 제1 미리 설정된 수위 이상이되면, 드레인 구조체는 탱크 내의 DI워터를 외부로 배출시켜 탱크 내의 DI워터의 수위가 제2 미리 설정된 수위 이하가 되게 할 수 있다. 제2 미리 설정된 수위는 제1 미리 설정된 수위 이하로 설정될 수 있다.

또한, 저장부(15)는 탱크로 외부의 DI워터를 공급하는 리필(REFILL)부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 수위 감지 센서에 의해 탱크 내의 수위가 제3 미리 설정된 수위 이하가 되면, 리필부는 탱크 내에 외부의 DI워터를 공급할 수 있다. 이에 따라, 탱크 내의 DI워터는 일정 수위 이상을 유지할 수 있고, 이에 따라, DI워터의 부족으로 대상 장치에 대한 DI워터의 공급이 중단되는 문제를 방지할 수 있다.

한편, 대상 장치는 그라인더 및 다이싱 장치 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

예를 들어, 대상 장치가 그라인더를 포함하고, 저장부(15)의 DI워터가 그라인더로 공급되는 경우, DI워터는 절삭수로 사용될 수 있고, 대상 장치가 다이싱 장치(도 1에는 스핀들로 기재되어 있음)를 포함하고, 저장부(15)의 DI워터가 다이싱 장치로 공급되는 경우, DI워터는 후술하는 다이싱 장치의 쿨링 구조체로 공급되어 냉각 액체로 사용될 수 있다.

그라인더 및 다이싱 장치 각각은 세정 물질로 DI워터를 사용할 수 있고, 그라인더 또는 다이싱 장치에서 사용된 DI워터가 본 워터 재생 장치(1차 정수부(11), 2차 정수부(12), 3차 정수부(13), 온도 조절부(14))를 거쳐 정화되고 온도 조절된 상태가 되어 재사용 가능한 상태가 될 수 있고, 이러한 재사용 가능한 DI워터는 저장부(15)를 거쳐 그라인더 또는 다이싱 장치로 배출되어 재사용될 수 있다.

이하에서는, 그라인더에 대해 설명한다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 그라인더는 반도체 스트립을 공급하는 로딩부(91)를 포함한다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 로딩부(91)는 반도체 스트립이 수용된 매거진(919)이 적재되는 적재 구조체(911)를 포함할 수 있다. 적재 구조체(911)는 복수의 매거진(919) 각각이 적재되는 복수의 적재 플레이트(9111) 및 복수의 적재 플레이트(9111)의 높이를 조절하는 엘리베이터(9112)를 포함할 수 있다.

또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 로딩부(91)는 반도체 스트립이 준비되는 준비테이블(912)을 포함할 수 있다. 반도체 스트립은 매거진(919)으로부터 준비 테이블(912)로 이동되어 준비될 수 있다. 예를 들어, 준비 테이블(912)은 적재 구조체(911)의 x축 타측에 위치할 수 있다.

또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 로딩부(91)는 매거진(919) 내의 반도체 스트립을 준비 테이블(912) 측으로 이동시키는 푸셔(913)를 포함할 수 있다. 푸셔(913)는 반도체 스트립을 푸쉬(9외력을 가)할 수 있다.

또한, 도 5를 참조하면, 로딩부(91)는 푸셔(913)에 의해 푸쉬된 반도체 스트립을 파지하여 당겨 준비 테이블(912) 상에 위치시키는 피더(914)를 포함할 수 있다.

전술한 바에 따르면, 적재 구조체(911)의 적재 플레이트(9111) 상에 복수의 매거진(919)이 준비되고, 엘리베이터(9112)는 복수의 적재 플레이트(9111) 중 준비 테이블(912)로 이동시켜야하는 반도체 스트립이 수용된 매거진(919)이 적재된 적재 플레이트(9111)의 높이를 조절할 수 있는데, 구체적으로, 준비 테이블(912)로 이동시켜야하는 반도체 스트립에 푸셔(913)가 푸쉬할 수 있거나 또는 피더(914)가 이동시켜야하는 반도체 스트립을 파지할 수 있는 높이가 되도록 적재 플레이트(9111)의 높이를 조절할 수 있다. 적재 플레이트(91111)의 높이가 조절되면 푸셔(913)는 이동시켜야하는 반도체 스트립을 푸쉬할 수 있고, 피더(914)는 푸쉬된 반도체 스트립을 파지하여 준비 테이블(912) 상에 위치시킬 수 있다.

또한, 도 4를 참조하면, 그라인더는 픽커부(92)를 포함한다. 픽커부(92)는 로딩부(91)로부터 후술하는 가공부(93)로 반도체 스트립을 이송하거나, 또는 가공부(93)로부터 후술하는 언로딩부(94)로 그라인딩된 반도체 스트립을 이송한다. 픽커부(92)는 반도체 스트립을 픽업하거나 플레이싱하는 픽커 유닛(921)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 픽커 유닛(921)은 반도체 스트립을 흡착함으로써 반도체 스트립을 픽업할 수 있고, 흡착을 해제함으로싸 반도체 스트립을 플레이싱할 수 있다. 또한, 픽커부(92)는 픽커 유닛(921)을 구동시키는 구동부(922)를 포함할 수 있다. 구동부(922)는 픽커 유닛(921)을 z축으로 구동시킬 수 있다. 구동부(922)의 z축 일측(9하측)에 픽커 유닛(921)이 구비될 수 있다. 또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 픽커부(92)는 픽커 레일(929)을 포함할 수 있다. 픽커 레일(929)은 픽커 유닛(921)의 y축 방향 이동을 가이드할 수 있다. 예를 들어, 픽커 유닛(921)은 구동부(922)가 픽커 레일(929)을 따라 y축으로 이동됨으로써 y축으로 이동될 수 있다. 후술하는 픽커부(92)의 반도체 스트립 픽업, 플레이싱, 이송 등은 전술한 픽커 유닛(921)의 y축, z축 구동 등에 의해 수행될 수 있다.

또한, 도 4를 참조하면, 픽커부(92)에는 카메라 유닛(923)이 구비될 수 있다. 카메라 유닛(923)은 픽커부(92)의 반도체 스트립 픽업이 이루어지기 전에 준비 테이블(912)에 준비된 반도체 스트립의 상태를 검사할 수 있다.

또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 그라인더는 반도체 스트립의 그라인딩이 이루어지는 가공부(93)를 포함한다.

도 6을 참조하면, 본 그라인더는 반도체 스트립의 그라인딩이 이루어지는 가공부(93)를 포함한다. 가공부(93)는 반도체 스트립이 안착되는 테이블(931)을 포함한다. 픽커부(92)는 로딩부(91)에 준비된 반도체 스트립, 이를 테면, 준비 테이블(912) 상에 위치하는 반도체 스트립을 픽업하여 테이블(931)에 플레이싱할 수 있다. 테이블(921)은 흡착 가능하다. 이를 테면, 테이블(921)은 반도체 스트립이 적재되면 반도체 스트립을 흡착할 수 있다. 이에 따라, 반도체 스트립은 테이블(931)에 고정 배치될 수 있다. 또한, 반도체 스트립의 제거시에는 반도체 스트립에 대한 흡착이 해제될 수 있다. 이에 따라, 반도체 스트립은 테이블(921)로부터 제거 가능한 상태를 가질 수 있다.

또한, 도 4 및 도 6을 참조하면, 또한, 가공부(93)는 테이블(931)의 x축 방향 이동을 가이드하는 테이블 레일(932)을 포함한다. 도 5를 참조하면, 테이블(931)은 테이블 레일(932)의 x축 일측부에서 반도체 스트립을 적재받거나 테이블(931)에 적재된 반도체 스트립이 제거될 수 있다. 또한, 테이블(931)이 테이블 레일(932)의 x축 타측부에 위치할 때 테이블(931)에 적재된 반도체 스트립에 대한 후술하는 가공부(93)의 제1 및 제2 가공 구조체의 가공이 이루어질 수 있다.

, 픽커부(92)는 테이블(931)이 테이블 레일(932)의 x축 일측부에 위치할 때 테이블(931) 상에 반도체 스트립을 적재할 수 있고, 도 6를 참조하면, 테이블(931)은 반도체 스트립이 적재되면, 테이블 레일(932)을 따라 x축 타측으로 이동하여 테이블 레일(932)의 x축 타측부 상에 위치할 수 있다.

도 4 및 도 6을 참조하면, 가공부(93)는 제1 가공 구조체(933)을 포함한다. 제1 가공 구조체(933)는 제1 가공 유닛(9331) 및 제1 가공 유닛(9331)을 구동시키는 구동부(9332)를 포함할 수 있다. 제1 가공 유닛(9331)은 구동부(9332)에 의해 회전될 수 있고, 반도체 스트립에 접촉된 상태로 회전되어 반도체 스트립을 가공할 수 있다. 또한, 구동부(9332)는 제1 가공 유닛(9331)을 z축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 가공 유닛(9331)은 z축 일측(9하측)으로 이동하여 반도체 스트립에 접촉될 수 있고, z축 타측(9상측)으로 이동하여 반도체 스트립으로부터 접촉 해제될 수 있다. 또한, 제1 가공 유닛(9331)은 반도체 스트립을 선 가공할 수 있는데, 이를 테면, 황삭할 수 있다.

또한, 제1 가공 구조체(933)는 y축 방향으로 이동 가능하다.

예를 들어, 도 6을 참조하면, 가공부(93)는 테이블 레일(932)의 x축 타측부 상에 구비되어 제1 및 제2 가공 구조체(933, 34)의 y축 방향 이동이 이루어지는 가공 구조체 레일(935)을 포함할 수 있다. 가공 구조체 레일(935)은 테이블 레일(932)의 x축 타측부 상에서 y축 방향으로 연장 구비될 수 있다.

제1 가공 구조체(933)는 가공 구조체 레일(935)에 구비되어 가공 구조체 레일(935)을 따라 y축 방향 이동이 가능하다. 또한, 제1 가공 구조체(933)은 y축 일측에 위치할 수 있다. 즉, 제1 가공 구조체(933)는 가공 구조체 레일(935)에 구비되되, 후술하는 제2 가공 구조체(934)보다(대비) y축 일측에 위치할 수 있다. 또한, 전술한 제1 가공 구조체(933)의 구동부(9332)가 가공 구조체 레일(935)을 따라 이동됨으로써 제1 가공 구조체(933)의 y축 방향 이동이 이루어질 수 있다.

또한, 도 5 및 도 6을 참조하면, 그라인더는 가공부(93)는 제2 가공 구조체(934)를 포함한다. 제2 가공 구조체(934)는 제2 가공 유닛(9341) 및 제2 가공 유닛(9341)을 구동시키는 구동부(9342)를 포함할 수 있다. 제2 가공 유닛(9341)은 구동부(9342)에 의해 회전될 수 있고, 반도체 스트립에 접촉된 상태로 회전되어 반도체 스트립을 가공할 수 있다. 또한, 구동부(9342)는 제2 가공 유닛(9341)을 z축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 제2 가공 유닛(9341)은 z축 일측(하측)으로 이동하여 반도체 스트립에 접촉될 수 있고, z축 타측(상측)으로 이동하여 반도체 스트립으로부터 접촉 해제될 수 있다. 또한, 제2 가공 유닛(9341)은 반도체 스트립을 후 가공할 수 있는데, 이를 테면, 연삭할 수 있다.

또한, 제2 가공 구조체(934)는 y축 방향으로 이동 가능하다. 예를 들어, 제2 가공 구조체(934)는 가공 구조체 레일(935)에 구비되어 가공 구조체 레일(935)을 따라 y축 방향 이동이 가능하다. 또한, 제2 가공 구조체(934)는 y축 타측에 위치할 수 있 다. 즉, 제2 가공 구조체(934)는 가공 구조체 레일(935)에 구비되되, 전술하는 제1 가공 구조체(933)보다(9대비) y축 타측에 위치할 수 있다. 또한, 전술한 제2 가공 구조체(934)의 구동부(9342)가 가공 구조체 레일(935)을 따라 이동됨으로써 제2 가공 구조체(934)의 y축 방향 이동이 이루어질 수 있다.

이에 따라, 반도체 스트립이 테이블(931)에 적재되면 테이블(931)은 테이블 레일(932)의 x축 타측부로 이동될 수 있고, 테이블(931)이 테이블 레일(932)의 x축 타측부에 위치할 때 테이블(931)에 적재된 반도체 스트립은 제1 가공 구조체(933) 및 제2 가공 구조체(934)에 의해 가공될 수 있다.

제1 가공 구조체(933)은 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립을 선 가공한다. 예를 들어, 제1 가공 구조체(933)은 반도체 스트립을 황삭할 수 있다.

또한, 제2 가공 구조체(934)는 전술한 바와 같이, 반도체 스트립을 후 가공 할 수 있는데, 구체적으로, 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립의 제1 가공 구조체(933)에 의해 선 가공된 부분을 후 가공한다. 이에 따라, 제2 가공 구조체(934)는 반도체 스트립의 제1 가공 구조체(933)에 의해 황삭(선 가공)된 부분을 연삭(후 가공)할 수 있다.

제2 가공 구조체(934)는 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립의 적어도 일부에 대한 후 가공을 반도체 스트립의 다른 부분에 대한 선 가공이 수행되는 동안 수행한다.

즉, 제1 가공 구조체(933)는 반도체 스트립을 y축 일측으로 이동하며 선 가공할 수 있고, 제1 가공 구조체(933)의 반도체 스트립에 대한 선 가공이 진행하는 중에 제2 가공 구조체(934)는 제1 가공 구조체(933)가 선 가공하고 있는 반도체 스트립의 선 가공된 부분에 대한 후 가공을 시작하여 진행할 수 있다.

예를 들어, 제1 가공 구조체(933)는 y축 일측으로 이동하며 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립을 선 가공할 수 있고, 제2 가공 구조체(934)는 선 가공 중인 제1 가공 구조체(933)의 y축 타측에서 y축 일측으로 이동하며 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립의 제1 가공 구조체(933)에 의해 선 가공된 부분을 후 가공할 수 있다.

이에 따르면, 반도체 스트립에 대한 선 가공(황삭)이 진행되는 공정의 적어도 일부와 후 가공(연삭)이 진행되는 공정의 적어도 일부가 동시에 진행될 수 있으므로, 반도체 스트립에 대한 가공이 빠르고 효율적으로 이루어질 수 있다.

또한, 반도체 스트립의 적어도 일부에 대한 제1 가공 구조체(933) 및 제2 가공 구조체(934)의 선 가공 및 후 가공이 이루어질 수 있는데, 반도체 스트립의 적어도 일부에 대한 선 가공 및 후 가공이 끝나면, 반도체 스트립의 선 가공 및 후 가공이 이루어진 부분의 x축으로 이웃하는 가공되지 않은 부분에 대한 가공(선 가공 및 후 가공)이 이루어지도록 테이블(931)은 x축으로 이동할 수 있고, 이후 반도체 스트립의 선 가공 및 후 가공이 이루어진 부분의 x축으로 이웃하는 가공되지 않은 부분에 대해서도 전술한 바와 같이, 제1 가공 구조체(933) 및 제2 가공 구조체(934)에 의해 선 가공과 후 가공이 이루어질 수 있다.

또한, 도 4, 도 5 및 도 6를 참조하면, 테이블(931)은 Y축으로 간격을 두고 복수 개 구비될 수 있다. 또한, 테이블 레일(932)은 복수 개의 테이블(931) 각각에 대응하여 복수 개 구비될 수 있다. 테이블 레일(932)은 복수의 테이블(931) 각각의 이동을 가이드할 수 있도록 복수의 테이블(931) 각각에 대하여 구비될 수 있다. 또한, 예를 들면, 테이블(931)은 2개, 테이블 레일(932)은 2개 구비될 수 있으나, 테이블(931)의 개수, 테이블 레일(932)의 개수는 이에 한정되는 것이 아니다.

또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 가공부(93)는 반도체 스트립의 하면을 세정하는 바텀 클리너(95)를 포함할 수 있다. 픽커부(92)가 반도체 스트립을 픽업한 상태에서 바텀 클리너(95)에 반도체 스트립을 인입하면 반도체 스트립의 하부에 대한 세정이 이루어질 수 있다.

픽커부(92)는 로딩부(91)로부터 반도체 스트립을 픽업한 후, 반도체 스트립이 하면에 대한 세정 후 테이블(931)에 안착되도록, 바텀 클리너(95)를 거쳐 테이블(931)에 반도체 스트립착시킬 수 있다. 픽커부(92)는 로딩부(91)로부터 반도체 스트립을 픽업한 후, 바텀 클리너(95)에 반도체 스트립을 인입시키고 반도체 스트립에 대한 세정이 끝날때까지 반도체 스트립이 바텀 클리너(95)에 인입된 상태를 유지할 수 있으며, 반도체 스트립에 대한 세정이 끝나면 테이블(931)에 안착시킬 수 있다.

전술한 바와 같이, 테이블(931)은 y축으로 간격을 두고 복수 개 구비될 수 있는데, 이러한 경우, 픽커부(92)는 로딩부(91)로부터 반도체 스트립을 픽업한 후, 반도체 스트립이 하면에 대한 세정 후 테이블(931)에 안착되도록 바텀 크리너(95)를 거치고, 복수 개의 테이블(931) 중 비어있는 테이블(931)에 반도체 스트립을 안착시킬 수 있다.

도 5를 참조하면, 바텀 클리너(95)는 테이블 레일(932)의 x 일측부의 y 일측 또는 x 일측부의 y 타측에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이 테이블(931)은 y축으로 간격을 두고 복수 개 구비될 수 있고, 마찬가지로, 테이블 레일(932)은 y축으로 간격을 두고 복수 개 구비될 수 있는데, 이러한 경우, 바텀 클리너(95)는 복수 개의 테이블 레일(932)의 사이, 보다 구체적으로, 복수 개의 테이블 레일(932) 각각의 x축 일측부의 사이에 배치될 수 있다.

또한, 도 4를 참조하면, 그라인더는 반도체 스트립의 상면을 세정하는 탑 클리너(96)를 포함할 수 있다.

탑 클리너(96)는 테이블 레일(932)의 x축 일측부와 x축 타측부 사이의 중간 부분 상에 위차할 수 있다. 또한, 탑 클리너(96)는 테이블(931)이 테이블 레일(932)의 x축 타측부에서 테이블 레일(932)의 x축 일측부로 이동하는 과정에서, 테이블(921)에 적재된 반도체 스트립에 세정 물질을 분사할 수 있다.

예를 들어, 탑 클리너(96)는 테이블(931)이 테이블 레일(932)의 x축 타측부에서 테이블 레일(932)의 x축 일측부로 이동하는 과정에서, 테이블(931)이 x축 중간부에서 멈추면, 다시 말해, 탑 클리너(96)의 하측에서 멈추면 테이블(931)에 세정 물질을 분사할 수 있다.

세정 물질은 물, 기체 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

또한, 전술한 바와 같이, 테이블(931)은 y축으로 간격을 두고 복수 개 구비될 수 있고, 테이블 레일(932)은 복수 개의 테이블(931) 각각에 대응하여 복수 개 구비될 수 있는데, 탑 클리너(96)는 복수 개의 테이블 레일(932) 각각에 대응하여 구비될 수 있다. 즉, 탑 클리너(96)는 복수 개의 테이블 레일(932) 각각의 x축 중간부 상에 구비될 수 있다.

또한, 도 4를 참조하면, 가공부(93)는 테이블 레일(932)이 수용되는 하우징(939)을 포함할 수 있다. 하우징(939) 내에는 테이블 레일(932), 테이블 레일(932) 상에 배치되는 테이블(931), 바텀 클리너(95)가 구비될 수 있다. 또한, 하우징(939) 내에는 세정 물질(예를 들어, 물)이 수용될 수 있다.

참고로, 본원에서 물이라 함은, DI워터를 의미할 수 있다. 즉, 하우징(939) 내의 DI워터는 전술한 대상 장치에서 사용된 DI워터로서, 본 DI워터 재생 장치로 유입되어 재생될 수 있고, 재생된 DI워터는 그라인더의 물(절삭수, 세정 물질)로 사용될 수 있다.

또한, 도 4를 참조하면, 가공부(93)는 픽커 레일(929), 가공 구조체 레일(935) 및 탑 클리너(96)가 구비되는 프레임(98)을 포함할 수 있다. 프레임(98)은 픽커 레일(929), 가공 구조체 레일(939) 및 탑 클리너(96)가 테이블 레일(932) 상에 구비되게 배치될 수 있다.

또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 그라인더는 그라인딩된 반도체 스트립이 적재되는 언로딩부(94)를 포함한다.

언로딩부(94)는 반도체 스트립이 수용된 매거진(919)이 적재되는 적재 구조체(941)를 포함할 수 있다. 적재 구조체(941)는 복수의 매거진(919) 각각이 적재되는 복수의 적재 플레이트(9411) 및 복수의 적재 플레이트(9411)의 높이를 조절하는 엘리베이터(9412)를 포함할 수 있다. 언로딩부(94)의 적재 구조체(941)의 매거진(919)에는 그라인딩된 반도체 스트립이 수용될 수 있다.

또한, 도 4을 참조하면, 언로딩부(94)는 그라인딩된 반도체 스트립이 플레이싱되는 언로딩 테이블(942)을 포함할 수 있다. 픽커부(92)는 테이블(931)로부터 그라인딩된 반도체 스트립을 픽업하여 언로딩 테이블(942)에 플레이싱할 수 있다. 예를 들어, 언로딩 테이블(942)은 적재 구조체준비 테이블(912)은 적재 구조체(911)의 x축 타측에 위치할 수 있다.

도 4 및 도 6을 참조하면, 언로딩부(94)는 언로딩 테이블(942)에 플레이싱된 반도체 스트립을 적재 구조체(941)에 적재된 매거진(919) 내로 푸쉬하여 이동시키는 언로딩 푸셔(943)를 포함할 수 있다. 언로딩 푸셔(943)는 푸셔 유닛(9431) 및 푸셔 유닛(9431)을 이동시키는 이동부(9432)를 포함할 수 있다. 이동부(9432)는 푸셔 유닛(9431)을 x축으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 언로딩 푸셔(943)는 언로딩 테이블(943)에 반도체 스트립이 적재되면 푸셔 유닛(9431)이 x축 일측으로 이동되며 반도체 스트립에 외력을 가해 반도체 스트립을 언로딩 테이블(942)의 x축 일측에 위치하는 적재 구조체(911)에 위치하는 매거진(919) 내에 수용시킬 수 있다.

또한, 언로딩부(94)는 적재 플레이트(9411)를 3개 이상 포함할 수 있다. 이 중 하나에는 손상된 반도체 스트립이 보관될 매거진(919)이 적재될 수 있다. 픽커부(92)가 언로딩 테이블(942)에 반도체 스트립을 플레이싱 하면 전술한 카메라 유닛(923)은 언로딩 테이블(942)에 적재된 반도체 스트립의 상태를 확인할 수 있고, 반도체 스트립의 상태가 괜찮다고 판단되면 반도체 스트립은 적재 구조체(941)의 복수 개의 매거진 중 양질의 반도체 스트립이 보관될 매거진에 수용될 수 잇고, 상태가 나쁘다고 판단되면 적재 구조체(941)의 복수 개의 매거진 중 손상된 반도체 스트립이 보관될 매거진(919)에 수용될 수 있다.

전술한 바에 따르면, 적재 구조체(941)의 적재 플레이트(9411) 상에 복수의 매거진(919)이 준비되고, 엘리베이터(9412)는 복수의 적재 플레이트(9411) 중 언로딩 테이블(942)에 플레이싱된 반도체 스트립이 적재될 높이에 대응하여 매거진(919)이 위치하도록 적재 플레이트(9411)의 높이를 조절할 수 있고, 적재 플레이트(9411)의 높이가 조절되면 언로딩 푸셔(943)는 이동시켜야하는 반도체 스트립을 푸쉬하여 반도체 스트립을 매거진(919) 내로 이동시킬 수 있다.

정리하면, 본 그라인더에 의하면, 로딩부(91)에 적재된 매거진(919)에 수용된 반도체 스트립은 푸셔(913) 및 피더(914)에 의해 준비 테이블(912)에 옮겨질 수 있고, 픽커부(92)는 준비 테이블(912)에 준비된 반도체 스트립을 픽업하여 바텀 클리너(95)로 이송하여 반도체 스트립의 하면이 세정되게 할 수 있다. 또한, 픽커부(92)는 반도체 스트립에 대한 하면 세정이 완료되면 반도체 스트립을 복수 개의 테이블(931) 중 하나에 플레이싱할 수 있다. 테이블(931)은 테이블 레일(932)의 x축 타측부로 이송될 수 있고, 테이블(931)이 테이블 레일(932)의 x축 타측부로 이송되면 테이블(931) 상의 반도체 스트립에 대한 선 가공 및 후 가공이 진행될 수 있다.

반도체 스트립에 대한 선 가공 및 후 가공은, 제1 가공 구조체(933)가 y축 일측으로 이동하며 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립을 선 가공하고, 제2 가공 구조체(934)가 선 가공 중인 제1 가공 구조체(933)의 y축 타측에서 y축 일측으로 이동하며 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립의 제1 가공 구조체(933)에 의해 선 가공된 부분을 후 가공함으로써 이루어질 수 있다.

한편, 로딩부(91)는 픽커부(92)가 준비 테이블(912)에 준비된 반도체 스트립을 픽업하여 가면, 다른 반도체 스트립을 전술한 과정을 통해 준비 테이블(912)에 준비할 수 있고, 픽커부(92)는 전술한 바와 같이 복수 개의 테이블(931) 중 하나에 반도체 스트립을 플레이싱 한 후, 준비 테이블(912)에 준비된 다른 반도체 스트립을 픽업하여 복수 개의 테이블(931) 중 다른 하나에 플레이싱할 수 있다.

복수 개의 테이블(931) 중 하나의 테이블(931)에 안착된 반도체 스트립에 대한 선 가공 및 후 가공이 끝나면, 하나의 테이블(931)은 테이블 레일(932)의 x축 일측부로 이송될 수 있고, 다른 테이블(931)은 테이블 레일(932)의 x축 타측부로 이송될 수 있고, x축 타측부로 이송된 다른 테이블(932)에 위치하는 다른 반도체 스트립에 대한 선 가공 및 후 가공이 진행될 수 있다.

한편, 선 가공 및 후 가공(9그라인딩)이 끝나 테이블 레일(932)의 x축 일측부로 이송되면, 픽커부(92)는 x축 일측부로 이동된 테이블(931) 상의 그라인딩이 끝난 반도체 스트립을 픽업하여 언로딩부(94)의 언로딩 테이블(942)에 플레이싱할 수 있고, 언로딩 테이블(942) 상의 그라인딩이 이루어진 반도체 스트립은 푸셔(943)에 의해 언로딩부(94)에 구비된 매거진(919)에 수용될 수 있다.

한편, 이하에서는, 다이싱 장치에 대해 설명한다.

도 7 및 도 8를 참조하면, 다이싱 장치는, 테이블 구조체(81)를 포함한다. 도 8를 참조하면, 테이블 구조체(81)는 상측에 대상체가 플레이싱되고 플레이싱된 대상체를 고정하는 진공 척 테이블(811)을 포함한다.

또한, 도 7 및 도 8를 참조하면, 다이싱 장치는, 블레이드부(82)를 포함한다. 블레이드부(82)는 진공 척 테이블(811)에 플레이싱된 대상체를 커팅한다. 예를 들어, 블레이드부(82)는 블레이드 유닛(8Dicing Saw)(821)을 포함할 수 있다. 또한, 블레이드부(82)는 블레이드 유닛(821)을 회전시키는 스핀들(822)을 포함할 수 있다. 블레이드 유닛(821)이 대상체에 접촉된 상태로 회전됨으로써, 대상체의 블레이드 유닛(821)과 접촉된 부분이 커팅될 수 있다. 또한, 블레이드부(82) 및 진공 척 테이블(811) 중 하나는 다른 하나에 대해 상대적으로 이동 가능하다. 이에 따라, 블레이드 유닛(821)은 대상체에 접촉되어 회전되며 대상체 대해 상대적으로 이동될 수 있고, 상대적 이동이 이루어지는 경로로 대상체의 커팅이 이루어질 수 있다.

또한, 다이싱 장치는, 습식 커팅 방식으로 커팅을 진행할 수 있다.

예를 들어, 도 8를 참조하면, 다이싱 장치는, 쿨링 구조체(83)를 포함한다. 쿨링 구조체(83)는 블레이드부(82)의 커팅시 대상체의 적어도 일부 또는 블레이드부(82)의 적어도 일부에 냉각 액체(이를 테면 물(DI워터))를 분사한다. 쿨링 구조체(83)는 대상체의 커팅이 이루어지는 부분이 냉각되도록 블레이드부(82)의 적어도 일부에 냉각 액체를 분사할 수 있다. 보다 구체적으로, 쿨링 구조체(83)는 대상체의 커팅이 이루어지는 부분 또는 블레이드 유닛(821)의 대상체와 접촉이 이루어지는 부분에 냉각 액체를 분사할 수 있다. 이에 따라, 대상체의 커팅이 이루어지는 부분이 냉각될 수 있다. 참고로, 여기서 냉각 액체라 함은, 실온보다 낮은 온도(예를 들어, -10~5℃)를 갖는 액체를 가질 수 있다. 또는, 냉각 액체는 미리 설정된 온도를 갖는 액체일 수 있는데, 전술한 온도 조절부(14)에 의해 온도가 조절된 DI워터를 의미할 수 있다. 이에 따르면, 온도 조절부(14)는 DI워터가 실온보다 낮은 온도(예를 들어, -10~5℃)를 갖거나, 또는 미리 설정된 온도를 갖도록 DI워터의 온도를 조절할 수 있다.

이에 따라, 분사부(노즐)에서 블레이드 유닛(821)의 대상체와 접촉되는 부분 또는 대상체의 절단이 이루어지는 부분(대상체의 블레이드 유닛(821)과 접촉되는 부분)에 직접 분사하여 대상체 및 블레이드 유닛(821)에 데미지가 발생하지 않게 할 수 있다.

예를 들어, 쿨링 구조체(83)는 본 워터 재생 쟁치로부터 재생된 DI워터를 유입받는 유입부 및 유입된 DI워터를 분사하는 분사부를 포함할 수 있다. 분사부는 블레이드부(82)에 구비될 수 있다. 바람직하게는 블레이드 유닛(821)의 회전을 간섭하지 않게 블레이드 유닛(821)에 구비될 수 있다. 이에 따라, 분사부는 블레이드 유닛(821)과 함께 대상체에 대하여 상대적으로 이동 가능하므로, 커팅이 이루어지는 경로를 따라 연동되어 이동하며 대상체의 커팅이 이루어지는 부분에 냉각 액체를 분사할 수 있다.

또한, 도 9를 참조하면, 진공 척 테이블(811)은 상하로 형성되는 흡착구(8111) 복수 개를 포함할 수 있다. 또한, 도 8를 참조하면, 테이블 구조체(81)는 흡착구(8111)를 진공 상태로 형성하는 진공 형성부(812)를 포함할 수 있다. 진공 형성부(812)는 흡착구(8111) 내의 기체를 흡입할 수 있다. 이에 따라, 흡착구(8111)는 진공 척 테이블(811)에 플레이싱된 대상체를 흡착할 수 있다.

또한, 대상체는 반도체 소자일 수 있다. 예를 들어, 대상체는, 반도체 칩, 반도체 스트립 등을 의미할 수 있다.

또한, 대상체는 링 프레임의 테잎에 부착되지 않은 상태일 수 있다.

이에 따라, 대상체의 커팅시 발생되는 분진이 흡착구(8111)로 흡입될 수 있다.

이에 따라, 대상체가 테잎에 부착되지 않은 단독 상태로 진공 척 테이블(811) 상에 배치되어 커팅될 수 있어, 발생하는 분진이 흡착구(8111)로 흡입되어 제거됨으로써 커팅이 원활하게 진행될 수 있다.

또한, 도 9을 참조하면, 복수의 흡착구(8111) 중 일부(8111a)는 홀 형태일 수 있다.

또한, 도 9을 참조하면, 복수의 흡착구(8111) 중 다른 일부(8111b)는 슬롯 형태일 수 있다. 예를 들어, 슬롯 형태의 흡착구(8111b)는 대상체의 절단 예정 라인의 하측에 대상체의 절단 예정 라인의 길이 방향으로 연장 형성될 수 있다. 이에 따라 절단면 아래 부분에서 바로 집진이 이루어져, 절단시 발생하는 분진이 빠르게 없어져, 블레이드부(82)에서 발생되는 문제들을 잡을 수 있다.

즉, 이에 따르면, 홀 형태의 흡착구(8111a)는 주 기능이 대상체 위치 고정일 수 있고, 슬롯 형태의 흡착구(8111b)의 주 기능은 집진일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 홀 형태의 흡착구(8111a)와 슬롯 형태의 흡착구(8111b)에 진공압력을 형성하는 진공발생부를 별도로 하거나 전자적 제어를 통해 홀 형태의 흡착구(8111a)와 슬롯 형태의 흡착구(8111b)에 선택적으로 진공압을 제공할 수 있다. 따라서, 대상체의 위치 고정 기능과 분진의 집진 기능을 필요에 따라 선택적으로 제어할 수 있다.

또한, 진공 척 테이블(811)은 교체 가능하다. 이에 따라, 대상체가 다른 타입의 대상체로 변경되어, 슬롯 형태의 흡착구(8111b)의 위치가 바뀌어야 하는 경우, 기존에 설치되었던 진공 척 테이블(811)이 제거되고, 슬롯 형태의 흡착구(8111b)의 위치가 변경된 대상체의 절단 예정 라인과 대응되는 다른 진공 척 테이블(811)이 장착될 수 있다.

또한, 도 7을 참조하면, 다이싱 장치는 대상체가 준비되는 적재부(87)를 포함할 수 있다. 또한, 적재부(87)의 x축 일측에 테이블 구조체(81)가 위치할 수 있다. 테이블 구조체(81)는 레일부(85)를 따라 y축으로 이동 가능하다. 테이블 구조체(81)가 레일부(85)의 y축 일측부에 위치할 때, 테이블 구조체(81)의 진공 척 테이블(811)에 대상체가 플레이싱될 수 있다. 또한, 테이블 구조체(81)는 대상체가 플레이싱되면 y축 타측으로 이동 가능하다. 테이블 구조체(81)가 y축 타측으로 이동되어, 레일부(85)의 y축 타측부에 위치하게 되면, 블레이드부(82)가 대상체에 대한 커팅을 수행할 수 있다. 이때, 블레이드부(82)는 레일부(85)의 y축 타측부의 상측(테이블 구조체(81)보다 높은 레벨)에 위치할 수 있다. 커팅이 완료되면, 테이블 구조체(81)는 y축 일측으로 이동하여 레일부(85)의 y축 일측부에 위치하게 되고, 테이블 구조체(81)가 레일부(85)의 y축 일측부에 위치하게 되면, 테이블 구조체(81)의 진공 척 테이블(811) 상의 커팅된 대상체는 적재부(87)로 이송될 수 있다.

또한, 도 7을 참조하면, 다이싱 장치는 대상체를 이송시키는 픽커 구조체(86)를 포함할 수 있다. 픽커 구조체(86)는 픽커부(861) 및 픽커부(861)의 x축 이동을 가이드하는 레일 구조체를 포함할 수 있다. 픽커부(861)는 x축으로 이동하며, 커팅전 대상체를 적재부(87)로부터 픽업하여 진공 척 테이블(811)에 플레이싱하거나, 커팅된 대상체를 진공 척 테이블(811)로부터 픽업하여 적재부(87)로 플레이싱할 수 있다. 또한, 픽커부(861)는 대상체를 진공 척 테이블(811)에 플레이싱할 때, 대상체의 절단 예정 라인이 그와 대응되는 진공 척 테이블(811)의 슬롯 형태의 흡착구(8111) 상에 위치하도록 대상체를 진공 척 테이블(811)에 플레이싱할 수 있다.

또한, 도 7을 참조하면, 다이싱 장치는, 테이블 구조체(81), 블레이드부(82) 및 레일부(85)를 한 쌍 포함할 수 있다. 이에 따라, 적재부(87)의 x축 일측에 제1 테이블 구조체(81), 제1 테이블 구조체(81)의 y축 이동을 가이드하는 제1 레일부(85) 및 제1 테이블 구조체(81) 상의 대상체를 커팅하는 제1 블레이드부(82)가 구비될 수 있고, 제1 테이블 구조체(81), 제1 블레이드부(82) 및 제1 레일부(85)의 y축 일측에, 제1 테이블 구조체(81), 제1 블레이드부(82) 및 제1 레일부(85)와 대응되게 제2 테이블 구조체(81), 제2 블레이드부(82) 및 제2 레일부(85)가 구비될 수 있다.

또한, 본 워터 재생 장치는 대상 장치를 포함할 수 있다.

또한, 본원은 본원의 일 실시예에 따른 반도체 완제품 제조 시스템을 제공할 수 있다. 본원의 일 실시예에 따른 반도체 완제품 제조 시스템은 전술한 본 워터 재생 장치를 포함한다. 또한, 전술한 대상 장치를 포함할 수 있다.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

11: 1차 정수부
111: 하우징
112: 탱크
12: 2차 정수부
13: 3차 정수부
131: 침전 필터
132: 카본 필터
133: 플리티드 필터
134: UF중공사막필터
135: 이온수지필터
14: 온도 조절부
15: 저장부
81: 테이블 구조체
811: 진공 척 테이블
8111: 흡착구
8111a: 홀 형태의 흡착구
8111b: 슬롯 형태의 흡착구
812: 진공 형성부
82: 블레이드부
821: 블레이드 유닛
822: 스핀들
83: 쿨링 구조체
85: 레일부
86: 픽커 구조체
861: 픽커부
87: 적재부
91: 로딩부
911: 적재 구조체
9111: 적재 플레이트
9112: 엘리베이터
912: 준비 테이블
913: 푸셔
914: 피더
92: 픽커부
921: 픽커 유닛
922: 구동부
923: 카메라 유닛
929: 픽커 레일
93: 가공부
931: 테이블
932: 테이블 레일
933: 제1 가공 구조체
934: 제2 가공 구조체
935: 가공 구조체 레일
939: 하우징
94: 언로딩부
941: 적재 구조체
9411: 적재 플레이트
9412: 엘리베이터
942: 언로딩 테이블
943: 언로딩 푸셔
9431: 푸셔 유닛
9432: 이동부
95: 바텀 클리너
96: 탑 클리너
98: 프레임

Claims

DI워터 재생 장치로서,
대상 장치로부터 사용된 DI워터가 유입되고, 유입된 DI워터를 1차 정수하는 1차 정수부;
1차 정수된 DI워터를 2차 정수하는 2차 정수부;
2차 정수된 DI워터를 순차적으로 정수하는 복수의 필터를 포함하는 3차 정수부;
3차 정수부에서 정수된 DI워터의 온도를 조절하는 온도 조절부; 및
온도 조절부에서 온도가 조절된 DI워터를 저장하는 저장부를 포함하되,
상기 1차 정수부는,
사용된 DI 워터가 유입되는 연통구가 형성되는 하우징 및 상기 하우징의 내부에 상기 연통구보다 낮은 위치에서 상하로 간격을 두고 구비되는 복수의 필터를 포함하는 정수 구조체; 및
상기 복수의 필터보다 낮은 높이에 위치하며 상기 복수의 필터를 통과한 DI워터가 유입되고, 유입되는 DI워터를 상기 2차 정수부에 제공하는 탱크를 포함하고,
상기 하우징은, 상측으로부터 하측으로 순차적으로 배열되는 첫번째단, 상기 첫번째단의 내부의 단면적보다 큰 단면적의 내부를 갖는 두번째단 및 상기 두번째단의 내부의 단면적보다 큰 단면적의 내부를 갖는 세번째단을 포함하고,
상기 복수의 필터 중 하나는 상기 첫번째단과 상기 두번째단 사이에 구비되며, 상기 복수의 필터 중 다른 하나는 상기 두번째단과 상기 세번째단 사이에 구비되는 것인, DI워터 재생 장치.
제1항에 있어서,
상기 2차 정수부는, 대용량 침전 필터를 포함하는 것인, DI워터 재생 장치.
제1항에 있어서,
상기 3차 정수부는 5 개의 서로 다른 종류의 필터를 포함하고,
상기 2차 정수된 DI워터는 상기 5개의 서로 다른 종류의 필터를 순차적으로 통과하는 것인, DI워터 재생 장치.
삭제
제1항에 있어서,
상기 대상 장치는, 그라인더 및 다이싱 장치 중 하나인 것인, DI워터 재생 장치.