KR102398551B1 - Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel with the same - Google Patents

Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel with the same Download PDF

Info

Publication number
KR102398551B1
KR102398551B1 KR1020150150997A KR20150150997A KR102398551B1 KR 102398551 B1 KR102398551 B1 KR 102398551B1 KR 1020150150997 A KR1020150150997 A KR 1020150150997A KR 20150150997 A KR20150150997 A KR 20150150997A KR 102398551 B1 KR102398551 B1 KR 102398551B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
pixel
sub
green
color filter
Prior art date
Application number
KR1020150150997A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170050006A (en
Inventor
변우중
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150150997A priority Critical patent/KR102398551B1/en
Publication of KR20170050006A publication Critical patent/KR20170050006A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102398551B1 publication Critical patent/KR102398551B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

본 발명은 셀 갭을 일정하게 유지하면서 생산성을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 그를 가지는 액정 표시 패널에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 컬러 필터는 백색 서브 화소 영역을 제외한 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역의 상부 기판 상에 배치되며, 단차 보상막은 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역을 제외한 백색 서브 화소 영역의 유기 보호막 상에 배치되어 컬러 필터에 의해 발생되는 단차를 보상한다. The present invention relates to a thin film transistor substrate capable of improving productivity while maintaining a constant cell gap, and a liquid crystal display panel having the same, and the color filter of the liquid crystal display panel according to the present invention includes red, green, and It is disposed on the upper substrate of the blue sub-pixel area, and the step compensation layer is disposed on the organic passivation layer of the white sub-pixel area except for the red, green, and blue sub-pixel areas to compensate for the step difference generated by the color filter.

Description

박막트랜지스터 기판 및 그를 가지는 액정 표시 패널{THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL WITH THE SAME}A thin film transistor substrate and a liquid crystal display panel having the same

본 발명은 박막트랜지스터 기판에 관한 것으로, 특히 셀 갭을 일정하게 유지하면서 생산성을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 그를 가지는 액정 표시 패널에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film transistor substrate, and more particularly, to a thin film transistor substrate capable of improving productivity while maintaining a constant cell gap, and a liquid crystal display panel having the same.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치가 각광받고 있다. A video display device that implements various information on a screen is a key technology in the information and communication era, and is developing in the direction of thinner, lighter, portable and high-performance. Accordingly, flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), are in the spotlight.

평판형 표시 장치 중 액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극에 형성되는 전계에 의해 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위해, 액정 표시 장치는 적색, 녹색, 청색 및 백색의 서브 화소를 하나의 단위 화소로 구성하여 다양한 색상의 화상을 표시한다. 여기서, 각 서브 화소는 액정셀과, 그 액정셀을 독립적으로 구동하는 박막트랜지스터를 구비한다.Among the flat panel display devices, the liquid crystal display displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal by an electric field formed in a pixel electrode and a common electrode. To this end, the liquid crystal display displays images of various colors by configuring red, green, blue, and white sub-pixels as one unit pixel. Here, each sub-pixel includes a liquid crystal cell and a thin film transistor independently driving the liquid crystal cell.

이러한 액정 표시 장치의 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소에는 해당 색의 컬러 필터가 형성된다. 이 경우, 적색, 녹색, 청색 및 백색 컬러 필터를 형성하기 위한 각각의 마스크 공정이 필요하므로 생산성이 저하되는 문제점이 있다.Color filters of corresponding colors are formed in the red, green, blue, and white sub-pixels of the liquid crystal display. In this case, since each mask process for forming the red, green, blue, and white color filters is required, there is a problem in that productivity is lowered.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소에는 해당 색의 컬러 필터가 형성하고, 백색 서브 화소에는 백색 컬러 필터 없이 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소에 전면 형성되는 오버 코트층을 이용하여 백색을 구현하는 구조가 제안되었다. In order to solve this problem, the red, green, and blue sub-pixels have color filters of the corresponding colors, and the white sub-pixels use an overcoat layer formed all over the red, green, blue, and white sub-pixels without a white color filter. Thus, a structure for realizing white was proposed.

이 경우, 백색 컬러 필터가 형성되지 않은 백색 서브 화소의 셀갭은 해당 색의 컬러 필터가 형성된 적색, 녹색 및 청색 서브 화소의 셀갭과 달라진다. 이에 따라, 백색 서브 화소와, 비백색 서브 화소 간의 셀갭이 달라져 각 서브 화소에 인가되는 전압에 따른 투과율 특성이 달라지므로, 계조 틀어짐에 의한 시감차가 발생되는 문제점이 있다.In this case, the cell gap of the white sub-pixel in which the white color filter is not formed is different from the cell gap of the red, green, and blue sub-pixels in which the color filter of the corresponding color is formed. Accordingly, since the cell gap between the white sub-pixel and the non-white sub-pixel is different, the transmittance characteristics according to the voltage applied to each sub-pixel are different, so there is a problem in that a luminance difference occurs due to a grayscale shift.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 셀 갭을 일정하게 유지하면서 생산성을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 그를 가지는 액정 표시 패널을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a thin film transistor substrate capable of improving productivity while maintaining a constant cell gap, and a liquid crystal display panel having the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 액정 표시 패널의 컬러 필터는 백색 서브 화소 영역을 제외한 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역의 상부 기판 상에 배치되며, 단차 보상막은 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역을 제외한 백색 서브 화소 영역의 유기 보호막 상에 배치되어 컬러 필터에 의해 발생되는 단차를 보상한다. In order to achieve the above object, the color filter of the liquid crystal display panel of the present invention is disposed on the upper substrate of the red, green, and blue sub-pixel areas except for the white sub-pixel area, and the step compensation layer is the red, green, and blue sub-pixel area. It is disposed on the organic passivation layer of the white sub-pixel region except for , and compensates for a step difference generated by the color filter.

본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판 및 그를 가지는 액정 표시 패널은 컬럼 스페이서와 일체화된 유기 보호막과 동시에 형성되는 단차 보상막을 구비한다. 이 단차 보상막에 의해 컬러 필터 기판에 오버코트층에 형성된 단차를 보상하므로, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역의 셀 갭은 단차 보상막이 배치되는 백색 서브 화소 영역의 셀갭과 동일하게 유지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 단차 보상막이 컬럼 스페이서와 일체화된 유기 보호막과 동시에 형성되므로, 추가 마스크 공정이 불필요하므로 생산성을 20%이상으로 향상시킬 수 있다.A thin film transistor substrate and a liquid crystal display panel having the same according to the present invention include an organic passivation layer integrated with a column spacer and a step difference compensation layer formed at the same time. Since the step difference formed in the overcoat layer on the color filter substrate is compensated for by the step compensation layer, the cell gaps of the red, green, and blue sub-pixel areas can be maintained to be the same as the cell gaps of the white sub-pixel areas where the step compensation layer is disposed. In addition, in the liquid crystal display panel according to the present invention, since the step compensation layer is formed at the same time as the organic passivation layer integrated with the column spacer, an additional mask process is unnecessary, so that productivity can be improved by 20% or more.

도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 박막트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display panel according to the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating another exemplary embodiment of a liquid crystal display panel according to the present invention.
3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the thin film transistor substrate shown in FIG. 1 .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display panel according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 각 단위 화소는 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소(SPR,SPG,SPB)를 구비한다.1 , each unit pixel of the liquid crystal display panel according to the present invention includes red, green, blue, and white sub-pixels SPR, SPG, and SPB.

적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소(SPR,SPG,SPB,SPW)는 쿼드 타입의 2×2구조로 배열되거나, 3×1구조로 배열되거나, 스트라이프 타입으로 배열된다. 이와 같은, 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소(SPR,SPG,SPB,SPW)로 이루어진 다수의 단위 화소가 형성된 액정 표시 패널은 액정층(110)을 사이에 두고 대향하는 박막트랜지스터 기판(120)과 컬러필터 기판(130)을 구비한다.The red, green, blue, and white sub-pixels SPR, SPG, SPB, and SPW are arranged in a quad-type 2x2 structure, a 3x1 structure, or a stripe type. The liquid crystal display panel in which a plurality of unit pixels composed of red, green, blue and white sub-pixels (SPR, SPG, SPB, SPW) is formed has a thin film transistor substrate 120 facing with the liquid crystal layer 110 interposed therebetween. and a color filter substrate 130 .

컬러필터 기판(130)은 상부 기판(111) 상에 순차적으로 형성되는 블랙 매트릭스(132), 컬러 필터(134) 및 오버코트층(136)을 구비한다.The color filter substrate 130 includes a black matrix 132 , a color filter 134 , and an overcoat layer 136 sequentially formed on an upper substrate 111 .

블랙매트릭스(132)는 게이트 라인(102), 데이터 라인(104) 및 박막트랜지스터(도시하지 않음) 중 적어도 어느 하나와 중첩되게 상부기판(111) 상에 형성된다. 이러한 블랙매트릭스(132)는 각 서브 화소 영역을 구분함과 아울러 인접한 서브 화소 영역 간의 광간섭 및 빛샘을 방지하는 역할을 하게 된다. 한편, 별도의 블랙매트릭스(132) 없이 도 2에 도시된 바와 같이 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 컬러 필터(134) 중 적어도 2개의 컬러 필터들(134)이 중첩되어 블랙매트릭스(132) 역할을 대신할 수도 있다. 예를 들어, 블랙매트릭스(132) 형성 영역에 적색(R) 및 청색(B) 컬러 필터(134)를 중첩되게 형성함으로써 블랙매트릭스(132)를 대신할 수도 있다.The black matrix 132 is formed on the upper substrate 111 to overlap at least one of the gate line 102 , the data line 104 , and the thin film transistor (not shown). The black matrix 132 serves to separate each sub-pixel area and prevent optical interference and light leakage between adjacent sub-pixel areas. Meanwhile, as shown in FIG. 2 without a separate black matrix 132 , at least two color filters 134 of the red (R), green (G), and blue (B) color filters 134 are overlapped to form a black The matrix 132 may also serve as a substitute. For example, the black matrix 132 may be replaced by overlapping the red (R) and blue (B) color filters 134 in the area where the black matrix 132 is formed.

적색(R), 녹색(G), 청색(B) 컬러 필터(134)는 백색 서브 화소(SPW) 영역을 제외한 해당 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역의 상부 기판(111)에 형성되어 해당 색을 구현한다. 즉, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역에는 컬러 필터(134)가 형성되는 반면에 백색 서브 화소(SPW)에는 컬러 필터(134)가 형성되지 않는다. The red (R), green (G), and blue (B) color filters 134 are formed on the upper substrate 111 of the corresponding sub-pixels SPR, SPG, and SPB except for the white sub-pixel SPW. implement color. That is, the color filter 134 is formed in the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels SPR, SPG, and SPB, while the color filter 134 is formed in the white sub-pixel SPW. not formed

오버코트층(136)은 컬러 필터(134) 및 블랙 매트릭스(132) 위에 아크릴 수지 등의 투명한 유기 절연물질로 형성된다. 오버코트층(136)은 컬러 필터(134)와 블랙 매트릭스(132)의 단차를 보상한다. 또한, 오버코트층(138)은 백색 컬러 필터(134)가 형성되지 않은 백색 서브 화소(SPW) 영역에서 백색 컬러 필터 역할을 한다.The overcoat layer 136 is formed of a transparent organic insulating material such as an acrylic resin on the color filter 134 and the black matrix 132 . The overcoat layer 136 compensates for the step difference between the color filter 134 and the black matrix 132 . In addition, the overcoat layer 138 serves as a white color filter in the white sub-pixel (SPW) region where the white color filter 134 is not formed.

이러한 컬러 필터 기판(130)에서는 백색 컬러 필터(134)가 형성되지 않은 백색 서브 화소(SPW) 영역과; 해당 색의 컬러 필터(134)가 형성된 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역 간의 제1 단차(H1)가 발생된다. 즉, 백색 서브 화소(SPW) 영역의 최상층인 오버 코트층(136)의 상부면은 인접한 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역의 최상층인 오버코트층(136)의 상부면과 홈 형상의 제1 단차(H1)를 형성한다. 이러한 제1 단차(H1)를 보상하기 위해 박막트랜지스터 기판(120)은 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역을 제외한 백색 서브 화소(SPW) 영역에 선택적으로 형성되는 단차 보상막(160)을 구비한다.The color filter substrate 130 includes a white sub-pixel (SPW) region in which the white color filter 134 is not formed; A first step H1 is generated between the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels SPR, SPG, and SPB in which the color filter 134 of the corresponding color is formed. That is, the upper surface of the overcoat layer 136, which is the uppermost layer of the white sub-pixel (SPW) region, is the uppermost layer of the adjacent red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (SPR, SPG, SPB). A first step H1 having a groove shape is formed with the upper surface of the overcoat layer 136 . In order to compensate for the first step H1, the thin film transistor substrate 120 is a white sub-pixel (SPW) except for the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (SPR, SPG, and SPB) regions. A step compensation layer 160 selectively formed in the region is provided.

구체적으로, 박막트랜지스터 기판(120)은 하부 기판(101) 상에 형성되는 게이트 라인(102)과, 데이터 라인(104)과, 박막트랜지스터(도시하지 않음)와, 화소 전극(122)과, 공통 전극(124) 및 단차 보상막(160)을 구비한다.Specifically, the thin film transistor substrate 120 includes a gate line 102 formed on the lower substrate 101 , a data line 104 , a thin film transistor (not shown), a pixel electrode 122 , and a common element. An electrode 124 and a step compensation layer 160 are provided.

박막트랜지스터는 게이트라인(102)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터 라인(104)으로부터의 데이터신호를 화소전극(122)에 공급한다. 이를 위해, 박막트랜지스터는 게이트 라인(102)과 접속된 게이트 전극과, 게이트 라인(102)과 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 교차하는 데이터 라인(104)과 접속된 소스 전극과, 화소 전극(122)과 접속된 드레인 전극과, 소스 및 드레인 전극 사이의 채널을 형성하는 반도체층으로 이루어진다.The thin film transistor supplies the data signal from the data line 104 to the pixel electrode 122 in response to the gate signal from the gate line 102 . To this end, the thin film transistor has a gate electrode connected to the gate line 102, a source electrode connected to the data line 104 crossing the gate line 102 and the gate insulating layer 112 interposed therebetween, and a pixel electrode ( 122), and a semiconductor layer forming a channel between the source and drain electrodes.

공통 전극(124)은 공통 전압을 공급하는 공통 라인(도시하지 않음)과 접속된다. 이러한 공통 전극(124)은 화소 전극(122)과 나란하게 형성되며, 화소 전극(122)과 교번되게 형성된다.The common electrode 124 is connected to a common line (not shown) for supplying a common voltage. The common electrode 124 is formed in parallel with the pixel electrode 122 and alternately with the pixel electrode 122 .

화소 전극(122)은 게이트 라인(102) 및 데이터 라인(104)의 교차부에 형성된 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접속된다. 이러한 화소 전극(122)은 박막 트랜지스터(도시하지 않음)를 통해 비디오 신호가 공급되면, 공통 전압이 공급된 공통 전극(124)과 수평 전계를 형성한다. 이에 따라, 박막트랜지스터 기판(120)과 컬러필터 기판(130) 사이에서 수평 방향으로 배열된 액정층(110)의 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게됨으로써 계조를 구현하게 된다.The pixel electrode 122 is connected to the drain electrode of the thin film transistor formed at the intersection of the gate line 102 and the data line 104 . When a video signal is supplied to the pixel electrode 122 through a thin film transistor (not shown), the pixel electrode 122 forms a horizontal electric field with the common electrode 124 to which a common voltage is supplied. Accordingly, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 110 arranged in the horizontal direction between the thin film transistor substrate 120 and the color filter substrate 130 rotate due to dielectric anisotropy. In addition, the light transmittance through the pixel region varies according to the degree of rotation of the liquid crystal molecules, thereby realizing grayscale.

한편, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역의 화소 전극(122) 및 공통 전극(124) 중 적어도 어느 하나의 전극은 유기 보호막(128) 상에 형성되고, 백색 서브 화소 영역의 화소 전극(122) 및 공통 전극(124) 중 적어도 어느 하나의 전극은 유기 보호막(128)보다 컬러 필터 기판(130)과 가까운 단차 보상막(160) 상에 형성된다.On the other hand, at least one of the pixel electrode 122 and the common electrode 124 in the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (SPR, SPG, SPB) is an organic passivation layer 128 . at least one of the pixel electrode 122 and the common electrode 124 of the white sub-pixel region is formed on the step compensation layer 160 closer to the color filter substrate 130 than the organic passivation layer 128 . is formed

무기 보호막(118)은 박막트랜지스터를 덮도록 형성되어 박막 트랜지스터의 채널을 보호한다.The inorganic passivation layer 118 is formed to cover the thin film transistor to protect the channel of the thin film transistor.

유기 보호막(128)은 무기 보호막(118)을 덮도록 유기 절연 물질 예를 들어, 포토 아크릴 등으로 무기 보호막(118) 상에 형성된다. 이러한 유기 보호막(128)은 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소(SPR,SPG,SPB,SPW) 영역에 형성되어 박막트랜지스터의 단차를 보상한다.The organic passivation layer 128 is formed on the inorganic passivation layer 118 using an organic insulating material, for example, photo acrylic, to cover the inorganic passivation layer 118 . The organic passivation layer 128 is formed in the red, green, blue, and white sub-pixels (SPR, SPG, SPB, SPW) to compensate for the step difference of the thin film transistor.

하부 컬럼 스페이서(150)는 유기 보호막(128)과 동일 재질로 유기 보호막(128)과 일체화되게 형성된다. 이 하부 컬럼 스페이서(150)는 단차 보상막(160)보다는 높은 높이로 형성된다.The lower column spacer 150 is made of the same material as the organic passivation layer 128 and is integrally formed with the organic passivation layer 128 . The lower column spacer 150 is formed to have a higher height than the step compensation layer 160 .

이러한 하부 컬럼 스페이서(150)는 하부 기판(101)에 블랙매트릭스(132)와 중첩되게 형성되어 셀갭을 유지한다. 한편, 셀갭이 큰 경우, 하나의 하부 컬럼 스페이서(150) 만으로는 원하는 셀갭을 형성하기 어려우므로, 도 2에 도시된 바와 같이 서로 중첩되는 상부 및 하부 컬럼 스페이서(152,150)를 이용하여 셀갭을 유지할 수도 있다. The lower column spacer 150 is formed to overlap the black matrix 132 on the lower substrate 101 to maintain a cell gap. On the other hand, when the cell gap is large, it is difficult to form a desired cell gap with only one lower column spacer 150. .

예를 들어, 상부 컬럼 스페이서(152)는 오버코트층(136)과 동일 재질로 동시에 형성되거나, 도 2에 도시된 바와 같이 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 컬러 필터(134)가 중첩되어 형성될 수도 있다.For example, the upper column spacer 152 is formed of the same material as the overcoat layer 136 at the same time, or as shown in FIG. 2 , the red (R), green (G), and blue (B) color filters 134 . may be formed by overlapping.

한편, 하부 컬럼 스페이서(150) 이외에도 박막 트랜지스터 기판은 블랙매트릭스(132)와 중첩되는 눌림 스페이서(140; Push Spacer)를 더 구비할 수도 있다. 이 눌림 스페이서(140)는 하부 컬럼 스페이서(150)보다 높이가 낮으며, 단차 보상막(160)과 동일 높이로 형성된다. 이러한 눌림 스페이서(140)는 액정 주입시 액정이 원활하게 충진될 수 있는 통로로 이용되며, 상부기판(111)에 압력이 가해졌을 때 상부 기판(111)을 원 상태로 쉽게 복원될 수 있도록 한다. 이를 위해, 눌림 스페이서(140)는 하부 컬럼 스페이서(150)의 밀도보다 높은 밀도를 가지도록 형성된다.Meanwhile, in addition to the lower column spacer 150 , the thin film transistor substrate may further include a push spacer 140 overlapping the black matrix 132 . The pressed spacer 140 has a height lower than that of the lower column spacer 150 and is formed at the same height as the step difference compensation layer 160 . The pressed spacer 140 is used as a passage through which liquid crystal can be smoothly filled during liquid crystal injection, and allows the upper substrate 111 to be easily restored to its original state when pressure is applied to the upper substrate 111 . To this end, the pressed spacer 140 is formed to have a higher density than that of the lower column spacer 150 .

단차 보상막(160)은 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역을 제외한 백색 서브 화소(SPW) 영역의 유기 보호막(128) 상에 유기 보호막(128)과 동일 재질로 유기 보호막(128)과 일체화되게 형성된다. 여기서, 단차 보상막(160)은 백색 서브 화소(SPW) 영역과 유사한 면적을 가지므로, 하부 컬럼 스페이서(150)보다 면적이 크다. 이러한 단차 보상막(160)은 컬러 필터 기판(130)에 형성된 홈 형상의 제1단차(H1)를 보상하기 위해 박막트랜지스터 기판(120) 상에 홈 형상의 제1 단차(H1)와 반대 형상인 돌기 형상의 제2 단차(H2)를 형성한다. 즉, 백색 서브 화소(SPW) 영역의 최상층인 단차 보상막(160)의 상부면은 인접한 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역의 최상층인 유기 보호막(128)의 상부면과 돌기 형상의 제2 단차(H2)를 이룬다. 이 때, 제1 및 제2 단차(H1, H2)는 동일 높이를 가진다.The step compensation layer 160 is an organic passivation layer on the organic passivation layer 128 of the white sub-pixel (SPW) region except for the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (SPR, SPG, SPB). (128) is formed integrally with the organic passivation layer (128) of the same material. Here, since the step compensation layer 160 has an area similar to that of the white sub-pixel SPW region, the area is larger than that of the lower column spacer 150 . This step compensation layer 160 has a shape opposite to that of the first step H1 in the groove shape on the thin film transistor substrate 120 to compensate for the first step H1 in the groove shape formed in the color filter substrate 130 . A second step H2 having a protrusion shape is formed. That is, the upper surface of the step compensation layer 160, which is the uppermost layer of the white sub-pixel (SPW) region, is the uppermost layer of the adjacent red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (SPR, SPG, SPB). A second step H2 having a protrusion shape is formed with the upper surface of the organic passivation layer 128 . In this case, the first and second steps H1 and H2 have the same height.

이와 같이 제1 단차(H1)와 반대 형상의 제2 단차(H2)를 유발하는 단차 보상막(160)을 통해 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소 각각의 컬러 필터(134) 상에 형성된 오버코트층(136)의 상부면과, 백색 서브 화소(SPW)의 상부 기판(111) 상에 형성된 오버코트층(136)의 상부면 간의 제1 단차(H1)를 보상할 수 있다. 즉, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역의 오버코트층(136)과 유기 보호막(128) 사이의 거리(G1)는 백색 서브 화소(SPW) 영역의 오버코트층(136)과 단차 보상막(160) 사이의 거리(G2)는 동일해진다. 이에 따라, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 서브 화소(SPR,SPG,SPB) 영역의 셀갭은 단차 보상막(160)이 배치되는 백색 서브 화소(SPW) 영역의 셀갭과 동일해지므로 색좌표가 일정하게 유지될 수 있어 화질 저하를 방지할 수 있다.As described above, the color filter (R), green (G), and blue (B) sub-pixels of each of the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels through the step compensation layer 160 that induces the second step H2 having a shape opposite to the first step H1 The first step H1 between the upper surface of the overcoat layer 136 formed on the 134 and the upper surface of the overcoat layer 136 formed on the upper substrate 111 of the white sub-pixel SPW may be compensated. . That is, the distance G1 between the overcoat layer 136 and the organic passivation layer 128 in the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (SPR, SPG, SPB) is the white sub-pixel (SPW). ) region, the distance G2 between the overcoat layer 136 and the step difference compensation layer 160 becomes the same. Accordingly, the cell gap of the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (SPR, SPG, and SPB) is the same as the cell gap of the white sub-pixel (SPW) in which the step compensation layer 160 is disposed. Therefore, color coordinates can be kept constant, thereby preventing deterioration of image quality.

이와 같은 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 도 3a 내지 도 3c에 도시된 제조 방법을 통해 제조된 박막트랜지스터 기판(120)과, 별도로 제조된 컬러 필터 기판(130)을 액정층(110)을 사이에 두고 합착함으로써 완성된다.In the liquid crystal display panel according to the present invention, the thin film transistor substrate 120 manufactured through the manufacturing method shown in FIGS. 3A to 3C and the color filter substrate 130 manufactured separately are interposed between the liquid crystal layer 110 . It is completed by attaching and bonding.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A to 3C are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a thin film transistor substrate according to the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이 하부 기판(101) 상에 게이트 라인(102), 데이터 라인(104) 및 박막트랜지스터가 형성된다.As shown in FIG. 3A , a gate line 102 , a data line 104 , and a thin film transistor are formed on the lower substrate 101 .

구체적으로, 하부 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층으로는 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등과 같이 금속 물질이 단일층으로 이용되거나, 상기 금속을 이용하여 이중층 이상이 적층된 구조로 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층이 패터닝됨으로써 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 게이트 라인(102) 이 형성된다.Specifically, a gate metal layer is formed on the lower substrate 101 by a deposition method such as a sputtering method. As the gate metal layer, a metal material such as Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo alloy, Cu alloy, Al alloy, etc. is used as a single layer, or a structure in which two or more layers are stacked using the metal. Subsequently, a gate electrode and a gate line 102 of the thin film transistor are formed by patterning the gate metal layer through a photolithography process and an etching process.

게이트 전극 및 게이트 라인(102)이 형성된 하부 기판(101) 상에 SiNx 또는 SiOx로 형성된 게이트 절연막(112), 비정질 실리콘층, 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층이 패터닝됨으로써 활성층 및 오믹 접촉층을 포함하는 반도체 패턴이 형성된다.A gate insulating film 112 formed of SiNx or SiOx, an amorphous silicon layer, and an amorphous silicon layer doped with impurities (n+ or p+) are sequentially formed on the lower substrate 101 on which the gate electrode and the gate line 102 are formed. Then, the amorphous silicon layer and the amorphous silicon layer doped with impurities are patterned by a photolithography process and an etching process to form a semiconductor pattern including an active layer and an ohmic contact layer.

반도체 패턴이 형성된 하부 기판(101) 상에 데이터 금속층이 형성된다. 데이터 금속층으로는 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등과 같이 금속 물질이 단일층으로 이용되거나, 상기 금속을 이용하여 이중층 이상이 적층된 구조로 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층이 패터닝됨으로써 데이터 라인(104) 및 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극이 형성된다. 그런 다음, 소스 및 드레인 전극을 마스크로 이들 사이에 위치하는 오믹접촉층이 제거됨으로써 활성층이 노출된다. 한편, 반도체 패턴, 데이터 라인, 소스 및 드레인 전극은 회절 마스크 또는 반투과 마스크를 이용하여 한 번의 마스크 공정을 통해, 즉 동시에 형성가능하다.A data metal layer is formed on the lower substrate 101 on which the semiconductor pattern is formed. As the data metal layer, a metal material such as Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo alloy, Cu alloy, Al alloy, etc. is used as a single layer, or a structure in which two or more layers are stacked using the metal. Subsequently, the data metal layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form the data line 104 and source and drain electrodes of the thin film transistor. Then, the active layer is exposed by removing the ohmic contact layer positioned between the source and drain electrodes as a mask. Meanwhile, the semiconductor pattern, the data line, and the source and drain electrodes can be formed through a single mask process using a diffraction mask or a transflective mask, that is, simultaneously.

도 3b를 참조하면, 데이터 라인(104), 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연막(112) 상에 SiNx 또는 SiOx로 형성된 무기 보호막(118) 및 포토 아크릴과 같은 감광성막이 전면 도포된다. 그런 다음, 회절 또는 반투과 마스크를 이용하는 포토리소그래피공정으로 감광성막을 패터닝함으로써 드레인 전극을 노출시키는 컨택홀을 가지는 유기 보호막(128), 하부 컬럼 스페이서(150), 눌림 스페이서(140) 및 단차 보상막(160)이 동시에 형성된다.Referring to FIG. 3B , an inorganic passivation film 118 formed of SiNx or SiOx and a photosensitive film such as photoacrylic are coated on the gate insulating film 112 on which the data line 104 and the source and drain electrodes are formed. Then, the organic passivation layer 128 having a contact hole exposing the drain electrode, the lower column spacer 150, the depressed spacer 140 and the step compensation film ( 160) are formed at the same time.

이 때, 컨택홀은 반투과 마스크의 투과부와 대응되며, 하부 컬럼 스페이서(150)는 반투과 마스크의 차단부와 대응되며, 눌림 스페이서(140) 및 단차 보상막(160)은 제1 반투과부와 대응되며, 나머지 유기 보호막(128)은 제1 반투과부보다 투과량이 높은 제2 반투과부와 대응된다.In this case, the contact hole corresponds to the transmissive part of the transflective mask, the lower column spacer 150 corresponds to the blocking part of the transflective mask, and the pressed spacer 140 and the step compensation layer 160 are formed to correspond to the first transflective part and the first transmissive part. Correspondingly, the remaining organic passivation layer 128 corresponds to the second semi-transmissive portion having a higher transmittance than the first semi-transmissive portion.

이에 따라, 유기 보호막(128)은 무기 보호막(118) 상에 제1 두께로 형성되고, 단차 보상막(160) 및 눌림 스페이서(140)는 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께로 형성되고, 하부 컬럼 스페이서(150)는 제2 두께보다 두꺼운 제3 두께로 형성된다.Accordingly, the organic passivation layer 128 is formed on the inorganic passivation layer 118 to a first thickness, the step compensation layer 160 and the pressed spacer 140 are formed to a second thickness thicker than the first thickness, and the lower column The spacer 150 is formed to have a third thickness greater than the second thickness.

도 3c를 참조하면, 유기 보호막(128), 하부 컬럼 스페이서(150), 눌림 스페이서(140) 및 단차 보상막(160)이 일체화되게 형성된 하부 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 투명 도전막이 형성된다. 투명 도전막으로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide : ITO)이나 주석 산화물(Tin Oxide : TO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide : IZO), SnO2 , 아몰퍼스-인듐 주석 산화물(a-ITO)등이 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 투명 도전막이 패터닝됨으로써 화소 전극(122) 및 공통 전극(124)이 형성된다.Referring to FIG. 3C , the organic passivation layer 128 , the lower column spacer 150 , the depressed spacer 140 , and the step compensation layer 160 are integrally formed on the lower substrate 101 through a deposition method such as a sputtering method. A transparent conductive film is formed. As the transparent conductive film, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), SnO 2 , amorphous-indium tin oxide (a-ITO), etc. this is used Then, the pixel electrode 122 and the common electrode 124 are formed by patterning the transparent conductive layer through a photolithography process and an etching process.

이와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 단차 보상막(160)이 컬럼 스페이서(150)와 일체화된 유기 보호막(128)과 동시에 형성되므로, 추가 마스크 공정이 불필요하므로 생산성을 20%이상으로 향상시킬 수 있다.As described above, in the liquid crystal display panel according to the present invention, since the step compensation layer 160 is formed at the same time as the organic passivation layer 128 integrated with the column spacer 150, an additional mask process is unnecessary, so that productivity can be improved by 20% or more. can

한편, 본 발명에서는 화소 전극(122) 및 공통 전극(124)이 슬릿 형태로 형성되는 수평 전계형 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 화소 전극(122) 및 공통 전극(124) 중 어느 하나가 슬릿 형태로 형성되고 나머지 하나가 플레이트 형태로 형성되는 프린지 전계형 구조, 또는 화소 전극(122) 및 공통 전극(124)이 서로 다른 기판 상에 플레이트 형태로 형성되는 수직 전계형 구조에도 적용 가능하다.Meanwhile, in the present invention, a horizontal electric field structure in which the pixel electrode 122 and the common electrode 124 are formed in a slit shape has been described as an example. In addition, any one of the pixel electrode 122 and the common electrode 124 has a slit shape. It is also applicable to a fringe electric field structure in which the other one is formed in the form of a plate, or a vertical electric field structure in which the pixel electrode 122 and the common electrode 124 are formed in a plate form on different substrates.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the specification of the present invention do not limit the present invention. The scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technologies within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

102 : 게이트 라인 104 : 데이터 라인
110 : 액정층 112 : 게이트 절연막
120 : 박막트랜지스터 기판 122 : 화소 전극
124 : 공통 전극 128 : 유기 보호막
130 : 컬러 필터 기판 136 : 오버코트층
150,152 : 컬럼 스페이서 160 : 단차 보상막
102: gate line 104: data line
110: liquid crystal layer 112: gate insulating film
120: thin film transistor substrate 122: pixel electrode
124: common electrode 128: organic protective film
130: color filter substrate 136: overcoat layer
150,152: column spacer 160: step compensation film

Claims (12)

단위 화소 당 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소를 구비하는 액정 표시 패널에 있어서,
상기 백색 서브 화소 영역의 최상층이 인접한 서브 화소 영역의 최상층과 제1 단차를 이루는 컬러 필터 기판과;
상기 백색 서브 화소 영역의 최상층이 상기 인접한 서브 화소 영역의 최상층과 제2 단차를 이루는 박막트랜지스터 기판을 구비하며,
상기 컬러 필터 기판은
상기 백색 서브 화소 영역을 제외한 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역의 상부 기판 상에 배치되는 컬러 필터와;
상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 상에 배치되는 오버코트층을 구비하며,
상기 백색 서브 화소 영역의 상기 오버코트층의 상부면은 상기 인접한 서브 화소 영역의 상기 오버코트층의 상부면과 홈 형상의 상기 제1 단차를 이루고,
상기 박막트랜지스터 기판은
상기 상부 기판과 대향하는 하부 기판의 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 상에 배치되는 유기 보호막과;
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역을 제외한 상기 백색 서브 화소 영역의 상기 유기 보호막 상에 배치되는 단차 보상막을 구비하며,
상기 백색 서브 화소 영역의 상기 단차 보상막의 상부면은 상기 인접한 서브 화소 영역의 상기 유기 보호막의 상부면과 돌기 형상의 상기 제2 단차를 이루고,
상기 제1 및 제2 단차는 반대 형상이고,
상기 박막트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판 사이에 배치되는 컬럼 스페이서를 더 구비하며,
상기 컬럼 스페이서는 상기 유기 보호막 및 상기 단차 보상막과 동일 재질로, 상기 유기 보호막 및 상기 단차 보상막과 일체화되고,
상기 단차 보상막의 면적은 상기 컬럼 스페이서의 면적보다 넓고,
상기 컬러 필터 기판은 적어도 2개의 층으로 중첩된 상기 컬러 필터를 기반으로 구현된 블랙매트릭스와, 상부 컬럼 스페이서를 포함하는 액정 표시 패널.
A liquid crystal display panel having red, green, blue and white sub-pixels per unit pixel, the liquid crystal display panel comprising:
a color filter substrate in which the uppermost layer of the white sub-pixel area has a first step difference from the uppermost layer of the adjacent sub-pixel area;
and a thin film transistor substrate in which the uppermost layer of the white sub-pixel area forms a second step with the uppermost layer of the adjacent sub-pixel area;
The color filter substrate is
a color filter disposed on an upper substrate of the red, green, and blue sub-pixel areas except for the white sub-pixel area;
an overcoat layer disposed on the red, green, blue and white sub-pixel regions;
an upper surface of the overcoat layer in the white sub-pixel area forms the first step in a groove shape with an upper surface of the overcoat layer in the adjacent sub-pixel area;
The thin film transistor substrate is
an organic passivation layer disposed on the red, green, blue, and white sub-pixel regions of the lower substrate facing the upper substrate;
a step compensation layer disposed on the organic passivation layer of the white sub-pixel area except for the red, green, and blue sub-pixel areas;
an upper surface of the step difference compensating layer in the white sub-pixel area forms the second step in a protrusion shape with an upper surface of the organic passivation layer in the adjacent sub-pixel area;
The first and second steps have opposite shapes,
Further comprising a column spacer disposed between the thin film transistor substrate and the color filter substrate,
The column spacer is made of the same material as the organic passivation layer and the step difference compensating layer, and is integrated with the organic passivation layer and the step difference compensating layer;
An area of the step compensation layer is larger than an area of the column spacer,
The color filter substrate includes a black matrix implemented based on the color filter overlapped with at least two layers, and an upper column spacer.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역의 셀갭은 상기 단차 보상막이 배치되는 상기 백색 서브 화소 영역의 셀갭과 동일한 액정 표시 패널.
The method of claim 1,
A cell gap of the red, green, and blue sub-pixel regions is the same as a cell gap of the white sub-pixel region in which the step difference compensation layer is disposed.
제 4 항에 있어서,
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역의 상기 오버코트층과 상기 유기 보호막 사이의 거리는 상기 백색 서브 화소 영역의 상기 오버코트층과 상기 단차 보상막 사이의 거리와 동일한 액정 표시 패널.
5. The method of claim 4,
A distance between the overcoat layer and the organic passivation layer in the red, green and blue sub-pixel regions is the same as a distance between the overcoat layer and the step difference compensation layer in the white sub-pixel region.
삭제delete 삭제delete 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역이 마련된 박막트랜지스터 기판과;
상기 박막트랜지스터 기판의 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 상에 형성되는 유기 보호막과;
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역을 제외한 상기 백색 서브 화소 영역의 유기 보호막 상에 배치된 돌기 형상의 단차 보상막과;
상기 백색 서브 화소 영역을 제외한 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 영역 상에 배치되는 컬러 필터를 갖는 컬러 필터 기판과;
상기 컬러 필터 기판 상의 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 상에 배치되는 오버코트층을 구비하며,
상기 백색 서브 화소 영역의 상기 오버코트층은 상기 단차 보상막에 배치된 돌기 형상의 반대 형상인 홈 형상을 구비하고,
상기 박막트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판 사이에 배치되는 컬럼 스페이서를 더 구비하며,
상기 컬럼 스페이서는 상기 유기 보호막 및 상기 단차 보상막과 동일 재질로, 상기 유기 보호막 및 상기 단차 보상막과 일체화되고,
상기 단차 보상막의 면적은 상기 컬럼 스페이서의 면적보다 넓고,
상기 컬러 필터 기판은 적어도 2개의 층으로 중첩된 상기 컬러 필터를 기반으로 구현된 블랙매트릭스와, 상부 컬럼 스페이서를 포함하는 박막트랜지스터 기판.
a thin film transistor substrate having red, green, blue, and white sub-pixel regions;
an organic passivation layer formed on the red, green, blue and white sub-pixel regions of the thin film transistor substrate;
a protrusion-shaped step compensation layer disposed on the organic passivation layer of the white sub-pixel area except for the red, green, and blue sub-pixel areas;
a color filter substrate having color filters disposed on the red, green, and blue sub-pixel areas except for the white sub-pixel area;
an overcoat layer disposed on the red, green, blue and white sub-pixel regions on the color filter substrate;
the overcoat layer of the white sub-pixel region has a groove shape opposite to the protrusion shape disposed on the step difference compensation layer;
Further comprising a column spacer disposed between the thin film transistor substrate and the color filter substrate,
The column spacer is made of the same material as the organic passivation layer and the step difference compensating layer, and is integrated with the organic passivation layer and the step difference compensating layer;
An area of the step compensation layer is larger than an area of the column spacer,
The color filter substrate is a thin film transistor substrate including a black matrix implemented based on the color filter overlapped with at least two layers, and an upper column spacer.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 블랙매트릭스는 2개의 층으로 중첩된 상기 컬러 필터를 기반으로 구현되고,
상기 상부 컬럼 스페이서는 3개의 층으로 중첩된 상기 컬러 필터를 기반으로 구현된 액정 표시 패널.
The method of claim 1,
The black matrix is implemented based on the color filter superimposed in two layers,
The upper column spacer is a liquid crystal display panel implemented based on the color filter overlapped in three layers.
제 1 항에 있어서,
상기 상부 컬럼 스페이서는 상기 컬럼 스페이서에 대응하여 위치하는 액정 표시 패널.
The method of claim 1,
The upper column spacer is positioned to correspond to the column spacer.
KR1020150150997A 2015-10-29 2015-10-29 Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel with the same KR102398551B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150150997A KR102398551B1 (en) 2015-10-29 2015-10-29 Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel with the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150150997A KR102398551B1 (en) 2015-10-29 2015-10-29 Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel with the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170050006A KR20170050006A (en) 2017-05-11
KR102398551B1 true KR102398551B1 (en) 2022-05-17

Family

ID=58741746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150150997A KR102398551B1 (en) 2015-10-29 2015-10-29 Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel with the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102398551B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581726A (en) * 2018-12-18 2019-04-05 惠科股份有限公司 Display panel and manufacturing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100878280B1 (en) * 2002-11-20 2009-01-13 삼성전자주식회사 Liquid crystal displays using 4 color and panel for the same
KR101451582B1 (en) * 2008-07-09 2014-10-17 엘지디스플레이 주식회사 Display panel and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170050006A (en) 2017-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2980636B1 (en) Liquid crystal display panel
KR102122402B1 (en) COT Structure Liquid Crystal Display Device and method of fabricating the same
JP5571759B2 (en) Liquid crystal display element and manufacturing method thereof
KR101320494B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US8531641B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US8169580B2 (en) Viewing angle-controllable liquid crystal display device and fabrication method thereof
KR101980773B1 (en) Thin film transistor substrate having color filter and method of fabricating the same
KR101980774B1 (en) Thin film transistor substrate having color filter and method of fabricating the same
KR20140091396A (en) Array substrate of liquid crystal display and method of fabricating thereof
KR101820533B1 (en) Fringe field switching liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20090043838A (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
KR20110040222A (en) Fringe field switching liquid crystal display device and method of fabricating the same
US11073734B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and display device
KR20080042466A (en) Liquid crystal display panel and method for fabricating thereof
KR102398551B1 (en) Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel with the same
KR20120133130A (en) Fringe field switching liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20080029397A (en) Color filter substrate and fabrication method thereof, liquid crystal display having this
KR101222141B1 (en) Liquid crystal display and fabricating method thereof
KR20070060644A (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR101356618B1 (en) Color filter substrate, method of fabricating the same and liquid crystal display device including the same
KR102227696B1 (en) Color filter on thin film transistor structure liquid crystal display device
KR102419748B1 (en) Liquid crystal display device having uniform cell gap
KR20160029996A (en) Liquid crystal display dvice and method of manufacturing the same
KR20060008122A (en) Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same
KR20060053498A (en) Liquid crystal display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant