KR102390791B1 - 실리콘 단결정의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법은, 회전하고 있는 석영 도가니 내의 실리콘 융액에 대하여, 0.2테슬라 이상의 수평 자장을 인가하는 공정을 구비하고, 중심의 자력선이 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 10㎜ 이상 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가함으로써, 실리콘 융액 내의 수평 자장의 인가 방향에 직교하는 평면에 있어서의 대류의 방향을 고정한다.

Description

실리콘 단결정의 제조 방법

본 발명은, 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법 및, 실리콘 단결정의 제조 방법에 관한 것이다.

실리콘 단결정의 제조에는 초크랄스키법(이하, CZ법이라고 함)으로 불리는 방법이 사용된다. 이러한 CZ법을 이용한 제조 방법에 있어서, 실리콘 단결정의 산소 농도를 제어하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).

특허문헌 1에는, 실리콘 단결정의 인상 전 및 인상 중의 적어도 한쪽에 있어서, 수평 자장의 중심 위치와 실리콘 단결정의 인상축을 수평 방향으로 2㎜∼14㎜ 어긋나게 함으로써, 실리콘 단결정의 산소 농도를 제어할 수 있는 것이 개시되어 있다.

일본공개특허공보 2010-132498호

그러나, 특허문헌 1과 같은 방법을 이용해도, 실리콘 단결정마다의 산소 농도가 불균일한 경우가 있었다.

본 발명의 목적은, 실리콘 단결정마다의 산소 농도의 불균일을 억제할 수 있는 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법 및, 실리콘 단결정의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 대류 패턴 제어 방법은, 실리콘 단결정의 제조에 이용하는 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법으로서, 회전하고 있는 석영 도가니 내의 실리콘 융액에 대하여, 0.2테슬라 이상의 수평 자장을 인가하는 공정을 구비하고, 중심의 자력선이 상기 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 10㎜ 이상 어긋난 위치를 통과하도록, 상기 수평 자장을 인가함으로써, 상기 실리콘 융액 내의 상기 수평 자장의 인가 방향에 직교하는 평면에 있어서의 대류의 방향을 고정하는 것을 특징으로 한다.

수평 자장을 인가하고 있지 않은 실리콘 융액에는, 당해 실리콘 융액의 외측 부분으로부터 상승하여 중앙 부분에서 하강하는 하강류가 발생하고 있다. 이 상태에서 석영 도가니를 회전시키면, 하강류는, 회전 중심으로부터 어긋난 위치로 이동하고, 석영 도가니의 상방으로부터 보아, 석영 도가니의 회전 방향으로 회전한다. 이 상태에서 0.01테슬라의 수평 자장이, 석영 도가니의 중심축을 통과하도록 실리콘 융액에 인가되면, 상방으로부터 보았을 때의 하강류의 회전이 구속된다. 그 후, 추가로 자장 강도를 올리면, 실리콘 융액 내의 수평 자장의 인가 방향에 직교하는 평면(이하, 「자장 직교 단면」이라고 함)에 있어서의 하강류의 우측과 좌측에 있어서의 상승 방향의 대류의 크기가 변화하고, 0.2테슬라가 되면, 실리콘 융액 내에 있어서의 인가 방향의 어느 위치에 있어서도, 어느 한쪽의 대류가 소거되어, 우회전이나 좌회전의 대류만이 남는다. 자장 직교 단면에 있어서 대류가 우회전으로 고정된 경우, 실리콘 융액은, 좌측이 우측보다도 고온이 된다. 또한, 대류가 좌회전으로 고정된 경우, 실리콘 융액은, 우측이 좌측보다도 고온이 된다.

수평 자장의 중심의 자력선이 석영 도가니의 중심축을 통과하도록 인가되면, 대류가 우회전으로 고정되는 경우와 좌회전으로 고정되는 경우가 있지만, 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 10㎜ 이상 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가함으로써, 수평 자장을 인가하는 타이밍에 상관없이, 대류 방향을 일 방향으로 고정하기 쉬워진다. 예를 들면, 자장 직교 단면에 있어서, 중심의 자력선이 석영 도가니의 중심축보다도 우측으로 어긋난 위치를 통과하도록 하면, 대류를 좌회전으로 고정할 수 있고, 좌측으로 어긋난 위치를 통과하도록 하면, 대류를 우회전으로 고정할 수 있다.

실리콘 단결정의 인상 장치는, 대칭 구조로 설계되기는 하지만, 엄밀하게 본 경우, 구성 부재가 대칭 구조로 되어 있지 않기 때문에, 챔버 내의 열 환경도 비대칭이 되는 경우가 있다.

예를 들면, 자장 직교 단면에 있어서 석영 도가니의 좌측이 우측보다도 고온이 되는 바와 같은 열 환경의 인상 장치에 있어서, 대류가 우회전으로 고정되면, 우회전의 대류에서는 실리콘 융액의 좌측이 고온이 되기 때문에, 열 환경과의 상승 효과로 실리콘 융액 좌측이 보다 고온이 된다. 한편, 대류가 좌회전으로 고정되면, 우회전의 경우와 같은 열 환경과의 상승 효과가 발생하지 않아, 실리콘 융액 좌측이 그다지 고온이 되지 않는다.

실리콘 융액의 온도가 높을수록 석영 도가니로부터 용출하는 산소의 양이 많아지기 때문에, 상기와 같은 열 환경의 인상 장치를 이용하여 실리콘 단결정을 인상하는 경우에는, 대류를 좌회전으로 고정한 경우보다도 우회전으로 고정한 경우의 쪽이, 실리콘 단결정에 취입되는 산소량이 많아지고, 직동부의 산소 농도도 높아진다.

특허문헌 1에는, 수평 자장의 중심의 자력선의 통과 위치와 석영 도가니의 중심축과의 위치 관계에 의해, 대류의 방향을 일 방향으로 고정하고 나서 실리콘 단결정을 인상하는 것에 대한 개시가 없다. 이 때문에, 제조되는 실리콘 단결정마다, 인상 개시 시의 대류의 방향이 우회전으로 고정되거나, 좌회전으로 고정되거나, 혹은, 일 방향으로 고정되지 않거나 하여, 산소 농도가 불균일해질 우려가 있다.

본 발명에 의하면, 중심의 자력선의 통과 위치를 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 10㎜ 이상 어긋나게 하여, 자장 직교 단면에 있어서의 대류의 방향을 일 방향으로 고정하기 쉽게 함으로써, 실리콘 단결정마다의 산소 농도의 불균일을 억제할 수 있다.

본 발명의 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법에 있어서, 상기 중심의 자력선이 상기 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 15㎜ 이상 어긋난 위치를 통과하도록, 상기 수평 자장을 인가하는 것이 바람직하다.

본 발명에 의하면, 대류의 방향을 확실하게 일 방향으로 고정할 수 있다.

본 발명의 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법에 있어서, 상기 수평 자장을 인가하는 공정은, 상기 석영 도가니의 중심축 및 상기 실리콘 융액의 표면의 중심의 교점을 원점, 연직 상방을 Z축의 정(正)방향, 상기 수평 자장의 인가 방향을 Y축의 정방향으로 한 오른손 좌표계의 XYZ 직교 좌표계에 있어서, 상기 중심축으로부터 X축의 부(負)방향측으로 어긋난 위치를 상기 중심의 자력선이 통과하도록 수평 자장을 인가함으로써, 상기 Y축의 부방향측으로부터 보았을 때의 상기 대류의 방향을 우회전으로 고정하는 제1 고정 처리, 또는, 상기 X축의 정방향측으로 어긋난 위치를 상기 중심의 자력선이 통과하도록 수평 자장을 인가함으로써, 상기 대류의 방향을 좌회전으로 고정하는 제2 고정 처리를 행하는 것이 바람직하다.

본 발명의 실리콘 단결정의 제조 방법은, 전술한 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법을 실시하는 공정과, 상기 수평 자장의 강도를 0.2테슬라 이상으로 유지한 채, 실리콘 단결정을 인상하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 상기 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법을 실시한 후, 상기 중심의 자력선이 상기 석영 도가니의 중심축을 통과하도록, 상기 수평 자장의 인가 상태를 조정하고 나서, 상기 실리콘 단결정을 인상하는 것이 바람직하다.

종래, 일반적으로, 실리콘 단결정을 인상할 때에는, 중심의 자력선이 석영 도가니의 중심축을 통과하도록 수평 자장을 인가한다. 이 때문에, 중심의 자력선의 통과 위치를 석영 도가니의 중심축으로부터 어긋나게 한 채, 실리콘 단결정을 인상하는 경우에는, 산소 농도 등의 품질을 유지하기 위해, 새로운 인상 조건을 설정할 필요가 있다.

본 발명에 의하면, 실리콘 단결정의 인상 개시 전까지는, 중심의 자력선의 통과 위치를 석영 도가니의 중심축으로부터 어긋나게 하고, 인상 개시 시에는, 석영 도가니의 중심축상에 위치시킴으로써, 일반적인 인상 조건을 그대로 적용할 수 있다.

본 발명의 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 상기 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법을 실시한 후, 상기 대류의 방향이 고정된 것을 확인하고 나서, 상기 실리콘 단결정을 인상하는 것이 바람직하다.

소망하는 방향과는 역방향으로 대류의 방향이 고정된 경우, 소망하는 산소 농도가 얻어지지 않게 된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 단결정의 인상 전에, 소망하는 방향의 대류 방향이 얻어지고 있는 것을 확인함으로써, 소망하는 산소 농도의 실리콘 단결정이 얻어진다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 인상 장치의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2는 상기 실시 형태에 있어서의 수평 자장의 인가 상태 및 계측점의 위치를 나타내는 개략도이다.
도 3은 상기 실시 형태에 있어서의 인상 장치의 주요부의 블록도이다.
도 4a는 상기 실시 형태에 있어서의 수평 자장의 인가 방향과 실리콘 융액의 대류의 방향과의 관계를 나타내는 개략도이고, 우회전의 대류를 나타낸다.
도 4b는 상기 실시 형태에 있어서의 수평 자장의 인가 방향과 실리콘 융액의 대류의 방향과의 관계를 나타내는 개략도이고, 좌회전의 대류를 나타낸다.
도 5는 상기 실시 형태에 있어서의 실리콘 융액의 대류의 변화를 나타내는 개략도이다.
도 6은 상기 실시 형태에 있어서의 중심의 자력선의 어긋남 방향과 대류의 고정 방향과의 관계를 나타내는 개략도이다.
도 7은 상기 실시 형태에 있어서의 중심의 자력선의 어긋남 방향과 대류의 고정 방향과의 관계를 나타내는 개략도이다.
도 8은 상기 실시 형태에 있어서의 실리콘 단결정의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.

(발명을 실시하기 위한 형태)

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.

[1] 실시 형태

도 1에는, 본 발명의 실시 형태에 관한 실리콘 단결정(10)의 제조 방법을 적용할 수 있는 실리콘 단결정의 인상 장치(1)의 구조의 일 예를 나타내는 개략도가 나타나 있다. 인상 장치(1)는, 초크랄스키법에 의해 실리콘 단결정(10)을 인상하는 장치로서, 외곽을 구성하는 챔버(2)와, 챔버(2)의 중심부에 배치되는 도가니(3)를 구비한다.

도가니(3)는, 내측의 석영 도가니(3A)와, 외측의 흑연 도가니(3B)로 구성되는 이중 구조로서, 회전 및 승강이 가능한 지지축(4)의 상단부에 고정되어 있다.

도가니(3)의 외측에는, 도가니(3)를 둘러싸는 저항 가열식의 히터(5)가 형성되고, 그의 외측에는, 챔버(2)의 내면을 따라 단열재(6)가 형성되어 있다.

도가니(3)의 상방에는, 지지축(4)과 동축상에서 역방향 또는 동일 방향으로 소정의 속도로 회전하는 와이어 등의 인상축(7)이 형성되어 있다. 이 인상축(7)의 하단에는 종결정(seed crystal; 8)이 부착되어 있다.

챔버(2) 내에는, 도가니(3) 내의 실리콘 융액(9)의 상방에서 육성 중인 실리콘 단결정(10)을 둘러싸는 통 형상의 열 차폐체(11)가 배치되어 있다.

열 차폐체(11)는, 육성 중인 실리콘 단결정(10)에 대하여, 도가니(3) 내의 실리콘 융액(9)이나 히터(5)나 도가니(3)의 측벽으로부터의 고온의 복사열을 차단함과 함께, 결정 성장 계면인 고액 계면의 근방에 대해서는, 외부로의 열의 확산을 억제하고, 단결정 중심부 및 단결정 외주부의 인상축 방향의 온도 구배를 제어하는 역할을 담당한다.

챔버(2)의 상부에는, 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 챔버(2) 내에 도입하는 가스 도입구(12)가 형성되어 있다. 챔버(2)의 하부에는, 도시하지 않는 진공 펌프의 구동에 의해, 챔버(2) 내의 기체를 흡인하여 배출하는 배기구(13)가 형성되어 있다.

가스 도입구(12)로부터 챔버(2) 내에 도입된 불활성 가스는, 육성 중인 실리콘 단결정(10)과 열 차폐체(11)와의 사이를 하강하여, 열 차폐체(11)의 하단과 실리콘 융액(9)의 액면과의 극간을 거친 후, 열 차폐체(11)의 외측, 나아가 도가니(3)의 외측을 향하여 흐르고, 그 후에 도가니(3)의 외측을 하강하여, 배기구(13)로부터 배출된다.

또한, 인상 장치(1)는, 도 2에 나타내는 바와 같은 자장 인가부(14)와, 온도 계측부(15)와, 이동 기구(16)를 구비한다.

자장 인가부(14)는, 각각 전자 코일로 구성된 제1 자성체(14A) 및 제2 자성체(14B)를 구비한다. 제1, 제2 자성체(14A, 14B)는, 챔버(2)의 외측에 있어서 도가니(3)를 사이에 두고 대향하도록 형성되어 있다. 자장 인가부(14)는, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)을 통과하고, 또한, 당해 중심의 자력선(14C)의 방향이 도 2에 있어서의 상방향(도 1에 있어서의 지면 앞쪽으로부터 안쪽을 향하는 방향)이 되도록, 수평 자장을 인가하는 것이 바람직하다. 중심의 자력선(14C)의 높이 위치에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 실리콘 단결정(10)의 품질에 맞추어, 실리콘 융액(9)의 내부로 해도 좋고 외부로 해도 좋다.

온도 계측부(15)는, 도 1∼도 2에 나타내는 바와 같이, 실리콘 융액(9)의 표면(9A) 중, 당해 표면(9A)의 중심(9B)을 통과하고 또한 수평 자장의 중심의 자력선(14C)과 평행한 가상선(9C)을 사이에 두는 제1 계측점(P1) 및 제2 계측점(P2)의 온도를 계측한다. 또한, 제1, 제2 계측점(P1, P2)을 연결하는 직선은, 표면(9A)의 중심(9B)을 통과해도 좋고, 통과하지 않아도 좋다.

온도 계측부(15)는, 한 쌍의 반사부(15A)와, 한 쌍의 방사 온도계(15B)를 구비한다.

반사부(15A)는, 챔버(2) 내부에 설치되어 있다. 반사부(15A)로서는, 내열성의 관점에서, 일 면을 경면 연마하여 반사면으로 한 실리콘 미러를 이용하는 것이 바람직하다.

방사 온도계(15B)는, 챔버(2) 외부에 설치되어 있다. 방사 온도계(15B)는, 챔버(2)에 형성된 석영창(2A)을 통하여 입사되는 복사광(L)을 수광하고, 제1, 제2 계측점(P1, P2)의 온도를 비접촉으로 계측한다.

이동 기구(16)는 자장 인가부(14)를, 도 2에 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)을 통과하는 중앙 위치와, 도 2에 실선으로 나타내는 바와 같이, 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)으로부터 수평 방향(도 2에 있어서의 좌우 방향)으로 어긋난 위치를 통과하는 오프셋 위치와의 사이에서 이동시킨다. 즉, 이동 기구(16)는, 석영 도가니(3A)의 중심축(3C) 및 실리콘 융액(9)의 표면(9A)의 중심(9B)의 교점을 원점, 연직 상방을 Z축의 정방향, 수평 자장의 인가 방향을 Y축의 정방향으로 한 오른손 좌표계의 XYZ 직교 좌표계에 있어서, 중심축(3C)으로부터 X축의 정방향측 또는 부방향측으로 어긋난 위치를 중심의 자력선(14C)이 통과하도록, 자장 인가부(14)를 이동시킨다.

이동 기구(16)는, 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)에 대한 중심의 자력선(14C)의 통과 위치의 어긋남량을 D(㎜), 석영 도가니(3A)의 내경의 반경을 RC(㎜)로 한 경우, 이하의 식 (1)을 충족하도록, 자장 인가부(14)를 이동시키는 것이 바람직하고, 이하의 식 (2)를 충족하는 것이 보다 바람직하다.

10㎜≤D＜RC … (1)

15㎜≤D＜RC … (2)

이동 기구(16)는 자장 인가부(14)를 이동시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 제1, 제2 자성체(14A, 14B)에 각각 형성된 슬라이더와, 당해 슬라이더를 안내하는 슬라이더 가이드와, 제1, 제2 자성체(14A, 14B)를 이동시키는 구동부를 갖는 구성을 예시할 수 있다.

또한, 인상 장치(1)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(20)와, 기억부(21)를 구비한다.

제어 장치(20)는, 대류 패턴 제어부(20A)와, 인상 제어부(20B)를 구비한다.

대류 패턴 제어부(20A)는, 수평 자장의 중심의 자력선(14C)의 위치를 조정하고, 실리콘 융액(9)의 자장 직교 단면(수평 자장의 인가 방향에 직교하는 평면)에 있어서의 대류(90)(도 4a, 도 4b 참조)의 방향을 미리 결정된 방향으로 고정한다.

인상 제어부(20B)는, 대류 패턴 제어부(20A)에 의한 대류 방향의 고정 후에, 실리콘 단결정(10)을 인상한다.

[2] 본 발명에 이르는 배경

본 발명자들은, 동일한 인상 장치(1)를 이용하여, 동일한 인상 조건으로 인상을 행해도, 인상된 실리콘 단결정(10)의 산소 농도가 높은 경우와, 산소 농도가 낮은 경우가 있는 것을 알고 있었다. 종래, 이를 해소하기 위해, 인상 조건 등을 중점적으로 조사해 왔지만, 확고한 해결 방법이 발견되지 않았다.

그 후, 조사를 진행시켜 가는 중에, 본 발명자들은, 석영 도가니(3A) 중에 고체의 다결정 실리콘 원료를 투입하고, 용해한 후, 도 2에 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 중앙 위치에 배치된 자장 인가부(14)를 이용하여, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)을 통과하도록, 수평 자장을 인가하면, 자장 직교 단면(제2 자성체(14B)측(도 1의 지면 앞쪽측)으로부터 보았을 때의 단면)에 있어서, 수평 자장의 자력선을 축으로 하여 석영 도가니(3A)의 저부로부터 실리콘 융액(9)의 표면(9A)을 향하여 회전하는 대류(90)가 있는 것을 인식했다. 그 대류(90)의 회전 방향은, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 우회전이 우세해지는 경우와, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 좌회전이 우세해지는 경우의 2개의 대류 패턴이었다.

이러한 현상의 발생은, 발명자들은, 이하의 메커니즘에 의한 것이라고 추측했다.

우선, 수평 자장을 인가하지 않고, 석영 도가니(3A)를 회전시키지 않은 상태에서는, 석영 도가니(3A)의 외주 근방에서 실리콘 융액(9)이 가열되기 때문에, 실리콘 융액(9)의 저부로부터 표면(9A)을 향하는 상승 방향의 대류가 발생하고 있다. 상승한 실리콘 융액(9)은, 실리콘 융액(9)의 표면(9A)에서 냉각되고, 석영 도가니(3A)의 중심에서 석영 도가니(3A)의 저부로 되돌아가, 하강 방향의 대류가 발생한다.

외주 부분에서 상승하고, 중앙 부분에서 하강하는 대류가 발생한 상태에서는, 열 대류에 의한 불안정성에 의해 하강류의 위치는 무질서하게 이동하고, 중심으로부터 어긋난다. 이러한 하강류는, 실리콘 융액(9)의 표면(9A)에 있어서의 하강류에 대응하는 부분의 온도가 가장 낮고, 표면(9A)의 외측을 향함에 따라 온도가 서서히 높아지는 온도 분포에 의해 발생한다. 예를 들면, 도 5(a)의 상태에서는, 중심이 석영 도가니(3A)의 회전 중심으로부터 어긋난 제1 영역(A1)의 온도가 가장 낮고, 그의 외측에 위치하는 제2 영역(A2), 제3 영역(A3), 제4 영역(A4), 제5 영역(A5)의 순으로 온도가 높아지고 있다.

그리고, 도 5(a)의 상태에서, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)을 통과하는 수평 자장을 인가하면, 석영 도가니(3A)의 상방으로부터 보았을 때의 하강류의 회전이 서서히 구속되어, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 수평 자장의 중심의 자력선(14C)의 위치로부터 오프셋한 위치에 구속된다.

또한, 하강류의 회전이 구속되는 것은, 실리콘 융액(9)에 작용하는 수평 자장의 강도가 특정 강도보다도 크게 되어 있기 때문이라고 생각된다. 이 때문에, 하강류의 회전은, 수평 자장의 인가 개시 직후에는 구속되지 않고, 인가 개시로부터 소정 시간 경과 후에 구속된다.

일반적으로 자장 인가에 의한 실리콘 융액(9) 내부의 유동 변화는, 이하의 식 (3)에서 얻어지는 무차원수인 Magnetic Number M으로 나타나는 것이 보고되어 있다(Jpn. J. Appl. Phys., Vol.33(1994) Part.2 No.4A, pp.L487-490).

식 (3)에 있어서, σ는 실리콘 융액(9)의 전기 전도도, B₀은 인가한 자속 밀도, h는 실리콘 융액(9)의 깊이, ρ는 실리콘 융액(9)의 밀도, v₀은 무자장에서의 실리콘 융액(9)의 평균 유속이다.

본 실시 형태에 있어서, 하강류의 회전이 구속되는 수평 자장의 특정 강도의 최소값은, 0.01테슬라인 것을 알 수 있었다. 0.01테슬라에서의 Magnetic Number는 1.904이다. 본 실시 형태와는 상이한 실리콘 융액(9)의 양이나 석영 도가니(3A)의 지름에 있어서도, Magnetic Number가 1.904가 되는 자장 강도(자속 밀도)로부터, 자장에 의한 하강류의 구속 효과(제동 효과)가 발생한다고 생각된다.

도 5(b)에 나타내는 상태에서 수평 자장의 강도를 더욱 크게 하면, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 하강류의 우측과 좌측에 있어서의 상승 방향의 대류의 크기가 변화하고, 도 5(c)라면, 하강류의 좌측의 상승 방향의 대류가 우세하게 된다.

마지막으로, 자장 강도가 0.2테슬라가 되면, 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 하강류의 우측의 상승 방향의 대류가 소거되어, 좌측이 상승 방향의 대류, 우측이 하강 방향의 대류가 되어, 우회전의 대류(90)가 된다. 우회전의 대류(90)의 상태에서는, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 자장 직교 단면에 있어서, 실리콘 융액(9)에 있어서의 우측 영역(9D)으로부터 좌측 영역(9E)을 향함에 따라서, 온도가 서서히 높아지고 있다.

한편, 도 5(a)의 최초의 하강류의 위치를 석영 도가니(3A)의 회전 방향으로 180° 어긋나게 하면, 하강류는, 도 5(c)와는 위상이 180° 어긋난 좌측의 위치에서 구속되어, 좌회전의 대류(90)가 된다. 좌회전의 대류(90)의 상태에서는, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 실리콘 융액(9)에 있어서의 우측 영역(9D)으로부터 좌측 영역(9E)을 향함에 따라서, 온도가 서서히 낮아지고 있다.

이러한 우회전이나 좌회전의 실리콘 융액(9)의 대류(90)는, 수평 자장의 강도를 0.2테슬라 미만으로 하지 않는 한, 유지된다.

이상의 설명에 의하면, 수평 자장을 인가하기 직전의 대류 상태에 의해 대류(90)의 방향이 우회전 또는 좌회전으로 고정되지만, 하강류의 위치는 무질서하게 이동하기 때문에, 자장 인가 직전의 대류 상태의 제어는 곤란하다. 본 발명자들은, 추가로 검토를 거듭한 결과, 도 2에 실선으로 나타내는 바와 같이, 오프셋 위치에 배치된 자장 인가부(14)를 이용하여 수평 자장을 인가함으로써, 수평 자장의 인가 타이밍에 상관없이, 대류(90)의 방향을 우회전만 또는 좌회전만에 고정할 수 있는 것을 인식했다.

도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 가장 온도가 낮은 하강류의 중심 부분을 포함하는 제1 영역(A1)이 상방으로부터 보아 좌측에 있는 타이밍에 있어서, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)으로부터 좌측으로 어긋남량(D)만큼 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가한다. 이 경우, 중심의 자력선(14C)에서 석영 도가니(3A)의 내연까지의 거리는, 좌측보다도 우측의 쪽이 길어지고, 또한, 자장은, 중심의 자력선(14C)으로부터 떨어질수록 강해지기 때문에, 좌측보다도 우측의 쪽이 대류의 억제 효과가 강해진다. 그 결과, 도 6(a)의 상태에서 자장 강도가 0.01테슬라에 도달하면, 하강류의 회전이 동 도면의 상태로 고정되고, 그 후, 자장 강도를 크게 하면, 대류의 억제 효과의 비대칭성으로부터, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 가장 온도가 낮은 제1 영역(A1)이 중심축(3C)의 좌측으로부터 우측으로 서서히 이동하고, 최종적으로, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 대류(90)의 방향이 우회전으로 고정된다.

한편, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 제1 영역(A1)이 상방으로부터 보아 우측에 있는 타이밍에 있어서, 도 6(a)의 경우와 마찬가지로, 중심의 자력선(14C)이 좌측으로 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가한다. 이 경우, 중심의 자력선(14C)으로부터 석영 도가니(3A)의 내연까지의 거리는, 우측보다도 좌측의 쪽이 길어지기 때문에, 우측보다도 좌측의 쪽이 대류의 억제 효과가 강해진다. 그 결과, 도 7(a)의 상태에서 자장 강도가 0.01테슬라에 도달하면, 하강류의 회전이 동 도면의 상태로 고정되고, 그 후, 자장 강도를 크게 하면, 대류의 억제 효과의 비대칭성으로부터, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 가장 온도가 낮은 제1 영역(A1)이 중심축(3C)의 우측으로부터 더욱 우측으로 서서히 이동하고, 최종적으로, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 대류(90)의 방향이 우회전으로 고정된다.

즉, 상방으로부터 보았을 때에, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)으로부터 좌측(X축의 부방향측)으로 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가하는 제1 고정 처리를 행함으로써, 그의 인가 타이밍에 상관없이, 대류(90)의 방향을 우회전으로 고정할 수 있는 것을 인식했다.

또한, 여기에서는 상세히 설명하지 않지만, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)으로부터 우측(X축의 정방향측)으로 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가하는 제2 고정 처리를 행하는 경우에는, 그의 인가 타이밍에 상관없이, 대류(90)의 방향을 좌회전으로 고정할 수 있는 것을 인식했다.

또한, 인상 장치(1)는, 대칭 구조로 설계되기는 하지만, 실제로는, 대칭 구조로는 되어 있지 않기 때문에, 열 환경도 비대칭이 된다. 열 환경이 비대칭이 되는 원인은, 챔버(2), 도가니(3), 히터(5), 열 차폐체(11) 등의 부재의 형상이 비대칭이거나, 챔버(2) 내의 각종 부재의 설치 위치가 비대칭이거나 하는 것을 예시할 수 있다.

예를 들면, 인상 장치(1)는, 자장 직교 단면에 있어서, 석영 도가니(3A)의 좌측이 우측보다도 고온이 되는 바와 같은 열 환경이 되는 경우가 있다.

좌측이 우측보다도 고온이 되는 열 환경에 있어서, 자장 직교 단면에서 대류(90)가 우회전으로 고정되면, 열 환경과의 상승 효과로 실리콘 융액(9)의 좌측 영역(9E)이 보다 고온이 되기 때문에, 석영 도가니(3A)로부터 용출하는 산소의 양이 많아진다. 한편으로, 대류(90)가 좌회전으로 고정되면, 우회전의 경우와 같은 열 환경과의 상승 효과가 발생하지 않고, 좌측 영역(9E)이 그다지 고온이 되지 않기 때문에, 석영 도가니(3A)로부터 용출하는 산소의 양이 우회전의 경우와 비교해 많아지지 않는다.

따라서, 좌측이 우측보다도 고온이 되는 열 환경에 있어서는, 대류(90)가 우회전인 경우에는, 실리콘 단결정(10)의 산소 농도가 높아지고, 좌회전의 경우에는, 산소 농도가 높아지지 않는(낮아짐) 관계가 있다고 추측했다.

또한, 반대로, 우측이 좌측보다도 고온이 되는 열 환경에 있어서는, 대류(90)가 좌회전의 경우에는, 실리콘 단결정(10)의 산소 농도가 높아지고, 우회전의 경우에는, 산소 농도가 높아지지 않는(낮아짐) 관계가 있다고 추측했다.

이상의 점에서, 본 발명자들은, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)으로부터 수평 방향으로 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가함으로써, 실리콘 융액(9)의 대류(90)의 방향을 소망하는 일 방향으로 고정할 수 있고, 이 고정에 의해, 인상 장치(1)의 로 내의 열 환경이 비대칭이라도, 실리콘 단결정(10)마다의 산소 농도의 불균일을 억제할 수 있다고 생각했다.

[3] 실리콘 단결정의 제조 방법

다음으로, 본 실시 형태에 있어서의 실리콘 단결정의 제조 방법을 도 8에 나타내는 플로우차트에 기초하여 설명한다.

우선, 예를 들면, 중심의 자력선(14C)을 좌측으로 어긋나게 하여 대류(90)를 우방향으로 고정한 경우에 있어서, 실리콘 단결정(10)의 산소 농도가 소망하는 값으로 되는 바와 같은 인상 조건(예를 들면, 불활성 가스의 유량, 챔버(2)의 로 내 압력, 석영 도가니(3A)의 회전수 등)을 사전 결정 조건으로서 미리 결정해 두고, 기억부(21)에 기억시킨다. 또한, 사전 결정 조건의 산소 농도는, 직동부의 길이 방향의 복수 개소의 산소 농도의 값이라도 좋고, 상기 복수 개소의 평균값이라도 좋다.

그리고, 실리콘 단결정(10)의 제조를 개시한다.

우선, 대류 패턴 제어부(20A)는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 이동 기구(16)를 제어하여, 자장 인가부(14)를 식 (1)을 충족하는, 바람직하게는 식 (2)를 충족하는 오프셋 위치로 이동시킨다(단계 S1). 또한, 인상 제어부(20B)는, 챔버(2) 내를 감압하의 불활성 가스 분위기로 유지한 상태에서, 도가니(3)에 충전한 다결정 실리콘 등의 고형 원료를 히터(5)의 가열에 의해 용융시키고, 실리콘 융액(9)을 생성한다(스텝 S2). 다음으로, 인상 제어부(20B)가 도가니(3)를 회전시키면, 대류 패턴 제어부(20A)는, 자장 인가부(14)를 제어하여, 실리콘 융액(9)으로의 0.2테슬라 이상의 수평 자장의 인가를 개시한다(스텝 S3). 이 때, 수평 자장의 중심의 자력선(14C)이, 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)보다도 좌측으로 어긋나 있는 경우에는, 실리콘 융액(9)에, 도 4a에 나타내는 바와 같은 자장 직교 단면에서 우회전의 대류(90)가 발생하고, 우측으로 어긋나 있는 경우에는, 도 4b에 나타내는 바와 같은 좌회전의 대류(90)가 발생한다. 본 실시 형태에서는, 중심의 자력선(14C)을 좌측으로 어긋나게 함으로써, 우회전의 대류(90)를 발생시킨다. 또한 대류(90)의 방향을 고정하기 위해 실리콘 융액(9)에 인가하는 수평 자장은, 0.6테슬라 이하가 바람직하다.

그리고, 인상 제어부(20B)는, 대류(90)의 방향이 고정되었는지 아닌지를 판단한다(스텝 S4). 대류(90)의 방향이 고정되고, 도 6(c)에 나타내는 상태가 되면, 제1, 제2 계측점(P1, P2)의 온도가 안정된다(거의 일정해진다). 인상 제어부(20B)는, 제1, 제2 계측점(P1, P2)의 온도가 안정된 경우, 대류(90)의 방향이 고정되었다고 판단한다.

그리고, 대류 패턴 제어부(20A)는, 0.2테슬라 이상 0.6테슬라 이하의 수평 자장의 인가를 계속한 채, 자장 인가부(14)를 중앙 위치로 되돌린다(단계 S5). 이 스텝 S5의 처리에 의해, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)을 통과하게 된다. 그 후, 인상 제어부(20B)는, 사전 결정 조건에 기초하여, 도가니(3)의 회전수를 제어하고, 수평 자장의 인가를 계속한 채 실리콘 융액(9)에 종결정(8)을 착액하고 나서, 소망하는 산소 농도의 직동부를 갖는 실리콘 단결정(10)을 인상한다(스텝 S6).

한편, 인상 제어부(20B)는, 스텝 S4에 있어서, 제1, 제2 계측점(P1, P2)의 온도가 안정되어 있지 않은 경우, 대류(90)의 방향이 고정되어 있지 않다고 판단하고, 소정 시간 경과 후에, 스텝 S4의 처리를 재차 실시한다.

이상의 스텝 S1∼S6의 처리가 본 발명의 실리콘 단결정의 제조 방법에 대응하고, 스텝 S1∼S3의 처리가 본 발명의 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법에 대응한다.

또한, 스텝 S1, S5에 있어서의 자장 인가부(14)의 배치 처리, 스텝 S3에 있어서의 수평 자장의 인가 개시 처리, 스텝 S4에 있어서의 대류(90)의 방향의 고정 판단 처리, 스텝 S6에 있어서의 인상 처리는, 작업자의 조작에 의해 행해도 좋다.

또한, 인상 제어부(20B) 또는 작업자는, 제1, 제2 계측점(P1, P2)의 온도차에 기초하여, 대류(90)의 방향을 판단해도 좋다.

[4] 실시 형태의 작용 및 효과

이와 같은 실시 형태에 의하면, 자장 인가부(14)를 오프셋 위치에 배치하고, 중심의 자력선(14C)의 통과 위치를 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)으로부터 수평 방향으로 10㎜ 이상 어긋나게 하는 것만의 간단한 수법으로, 자장 직교 단면에 있어서의 대류(90)의 방향을 일 방향으로 고정하기 쉽게 할 수 있다. 따라서, 이 대류(90)의 일 방향으로의 고정에 의해, 인상 장치(1)의 로 내의 열 환경이 비대칭이라도, 실리콘 단결정(10)마다의 산소 농도의 불균일을 억제할 수 있다.

석영 도가니(3A)의 중심축(3C)에 대한 중심의 자력선(14C)의 통과 위치의 어긋남량(D)을 15㎜ 이상으로 함으로써, 대류(90)의 방향을 확실하게 일 방향으로 고정 할 수 있다.

자장 인가부(14)를 오프셋 위치에 배치하여 대류(90)의 방향을 일 방향으로 고정한 후, 중앙 위치로 되돌려, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C) 또는 그의 근방을 통과하도록 하고 나서, 실리콘 단결정(10)을 인상하기 때문에, 종래 행해지고 있었던 일반적인 인상 조건을 그대로 적용할 수 있다.

대류의 방향이 고정된 것을 확인하고 나서, 실리콘 단결정(10)을 인상하기 위해, 실리콘 단결정(10)의 산소 농도의 불균일의 저감을 보다 확실하게 달성할 수 있다.

[5] 변형예

또한, 본 발명은 상기 실시 형태에만 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지의 개량 그리고 설계의 변경 등이 가능하다.

예를 들면, 중심의 자력선(14C)이 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)으로부터 수평 방향으로 어긋난 위치를 통과하도록, 수평 자장을 인가하는 방법으로서는, 챔버(2)를 이동시켜도 좋고, 챔버(2)와 자장 인가부(14)의 양쪽을 이동시켜도 좋다. 또한, 중심의 자력선(14C)을 석영 도가니(3A)의 중심축(3C)을 통과시키는 자성체(이하 "중앙 위치 자성체"라고 함)와, 중심축(3C)으로부터 어긋난 위치를 통과시키는 자성체(이하 "오프셋 위치 자성체"라고 함)를 배치하고, 대류(90)의 방향을 고정할 때에는 오프셋 위치 자성체에서 수평 자장을 인가하고, 실리콘 단결정(10)을 인상할 때에는 중앙 위치 자성체에서 수평 자장을 인가해도 좋다.

스텝 S4에 있어서 대류(90)의 방향이 고정되었다고 판단한 후, 자장 인가부(14)를 중앙 위치로 이동시키지 않고, 오프셋 위치인 채로 수평 자장의 인가를 계속하면서 실리콘 단결정(10)을 인상해도 좋다.

제2 자성체(14B)측(도 1의 지면 앞쪽측)으로부터 보았을 때의 평면을 자장 직교 단면으로서 예시했지만, 제1 자성체(14A)측(도 1의 지면 안쪽측)으로부터 보았을 때의 평면을 자장 직교 단면으로 하여 대류(90)의 방향을 규정해도 좋다.

대류(90)의 방향이 고정된 것의 확인은, 실리콘 융액(9)에 0.2테슬라 이상의 수평 자장이 인가되고 나서의 경과 시간에 기초하여 판단해도 좋다.

(실시예)

다음으로, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 또한, 본 발명은 실시예에 한정되는 것은 아니다.

[실험예 1]

우선, 도 1에 나타내는 바와 같은 인상 장치에 있어서, 자장 인가부(14)를 어긋남량(D)이 0㎜가 되는 위치(중앙 위치)에 배치했다. 그리고, 실리콘 융액(9)을 수용한 석영 도가니(3A)를 회전시킨 후, 소정 시간 경과 후에, 실리콘 융액(9)으로의 0.3테슬라의 수평 자장의 인가를 개시했다. 그 후, 대류(90)의 방향이 고정된 것을 확인하고, 제1, 제2 계측점(P1, P2)의 온도 측정 결과에 기초하여, 대류(90)의 방향을 확인했다.

또한, 수평 자장이 0.3테슬라에 도달하고 나서의 경과 시간이 30분 내지 60분 정도가 되면, 대류(90)의 방향이 고정되는 것을 알고 있기 때문에, 이 경과 시간이 되었을 때에 대류(90)의 방향이 고정되었다고 판단했다.

[실험예 2]

대류(90)의 방향을 도 4b에 나타내는 바와 같이 좌방향으로 고정하기 위해, 자장 인가부(14)를 중앙 위치로부터 도 2에 있어서의 우방향으로, 어긋남량(D)이 5㎜이 되도록 이동시킨 것 이외는, 실험예 1과 동일한 실험을 행하여, 고정된 대류(90)의 방향을 확인했다.

[실험예 3∼7]

자장 인가부(14)를 중앙 위치로부터 도 2에 있어서의 우방향으로, 어긋남량(D)이 10㎜(실험예 3), 15㎜(실험예 4), 20㎜(실험예 5), 25㎜(실험예 6), 30㎜(실험예 7)가 되도록 이동시킨 것 이외는, 실험예 1과 동일한 실험을 행하여, 고정된 대류(90)의 방향을 확인했다.

[평가]

실험예 1∼7의 실험을 각각 6회씩 행하여, 대류(90)의 방향을 평가했다. 그의 결과를 이하의 표 1에 나타낸다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 실험예 1∼2에서는, 대류(90)가 좌회전으로 고정될 확률이 80％ 미만이었지만, 실험예 3에서는 83％, 실험예 4∼7에서는 100％였다. 이와 같은 결과가 된 이유는, 이하와 같이 생각된다.

어긋남량(D)이 10㎜ 미만인 경우에는, 상방으로부터 보았을 때에, 중심의 자력선(14C)으로부터 석영 도가니(3A)의 우측의 내연까지의 거리와, 좌측의 내연까지의 거리와의 차가 거의 없기 때문에, 중심의 자력선(14C)을 사이에 둔 우측과 좌측에서, 대류 억제 효과가 거의 동일해진다.

따라서, 0.01테슬라의 수평 자장의 인가에 의해,도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 하강류가 중심축(3C)보다도 좌측의 위치에서 구속된 경우, 그 후, 제1 영역(A1)이 중심축(3C)의 좌측으로부터 우측으로 이동하는 일 없이, 하강류의 좌측의 상승 방향의 대류가 소거되어, 좌회전의 대류(90)가 된다. 반대로, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 하강류가 중심축(3C)보다도 우측의 위치에서 구속된 경우, 그 후, 제1 영역(A1)이 중심축(3C)의 우측으로부터 좌측으로 이동하는 일 없이, 우회전의 대류(90)가 된다. 즉, 0.01테슬라의 수평 자장이 인가되는 타이밍에 의해, 대류(90)의 고정 방향이 우회전으로 되거나 좌회전으로 되기도 한다.

이에 대하여, 우방향으로의 어긋남량(D)이 10㎜ 이상인 경우에는, 중심의 자력선(14C)으로부터 석영 도가니(3A)의 우측의 내연까지의 거리와, 좌측의 내연까지의 거리와의 차가 크기 때문에, 중심의 자력선(14C)의 좌측의 대류 억제 효과가 우측보다도 커진다. 따라서, 도 6(A)에 나타내는 바와 같이, 하강류가 중심축(3C)보다도 좌측의 위치에서 구속된 경우, 그 후, 제1 영역(A1)이 중심축(3C)의 좌측으로부터 우측으로 이동하는 일 없이, 좌회전의 대류(90)가 된다. 또한, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 하강류가 중심축(3C)보다도 우측의 위치로 구속된 경우, 그 후, 제1 영역(A1)이 중심축(3C)의 우측으로부터 좌측으로 이동하여, 좌회전의 대류(90)가 된다. 즉, 0.01테슬라의 수평 자장이 인가되는 타이밍에 상관없이, 대류(90)의 고정 방향이 좌회전으로 된다.

이상의 점으로부터, 어긋남량(D)을 10㎜ 이상으로 함으로써, 대류(90)의 방향을 소망하는 방향으로 고정하기 쉬워 지고, 15㎜ 이상으로 함으로써, 확실하게 고정할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.

3A : 석영 도가니
9 : 실리콘 융액
10 : 실리콘 단결정
14C : 자력선
90 : 대류

Claims (6)

1. 회전하고 있는 석영 도가니 내의 실리콘 융액에 대하여, 0.2테슬라 이상의 수평 자장을 인가하는 공정을 구비하고,
   중심의 자력선이 상기 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 10㎜ 이상 어긋난 위치를 통과하도록, 상기 수평 자장을 인가함으로써, 상기 실리콘 융액 내의 상기 수평 자장의 인가 방향에 직교하는 평면에 있어서의 대류의 방향을 고정하는 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법을 실시하는 공정과,
   상기 중심의 자력선이 상기 석영 도가니의 중심축을 통과하도록, 상기 수평 자장의 인가 상태를 조정하고 나서, 상기 수평 자장의 강도를 0.2테슬라 이상으로 유지한 채, 실리콘 단결정을 인상하는 공정
   을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
2. 회전하고 있는 석영 도가니 내의 실리콘 융액에 대하여, 0.2테슬라 이상의 수평 자장을 인가하는 공정을 구비하고, 중심의 자력선이 상기 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 10㎜ 이상 어긋난 위치를 통과하도록, 상기 수평 자장을 인가함으로써, 상기 실리콘 융액 내의 상기 수평 자장의 인가 방향에 직교하는 평면에 있어서의 대류의 방향을 고정하는 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법을 실시하는 공정과,
   상기 대류의 방향이 고정된 것을 확인하고 나서, 상기 수평 자장의 강도를 0.2테슬라 이상으로 유지한 채, 실리콘 단결정을 인상하는 공정
   을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 중심의 자력선이 상기 석영 도가니의 중심축으로부터 수평 방향으로 15㎜ 이상 어긋난 위치를 통과하도록, 상기 수평 자장을 인가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 수평 자장을 인가하는 공정은, 상기 석영 도가니의 중심축 및 상기 실리콘 융액의 표면의 중심의 교점을 원점, 연직 상방을 Z축의 정(正)방향, 상기 수평 자장의 인가 방향을 Y축의 정방향으로 한 오른손 좌표계의 XYZ 직교 좌표계에 있어서, 상기 중심축으로부터 X축의 부(負)방향측으로 어긋난 위치를 상기 중심의 자력선이 통과하도록 수평 자장을 인가함으로써, 상기 Y축의 부방향측으로부터 보았을 때의 상기 대류의 방향을 우회전으로 고정하는 제1 고정 처리, 또는, 상기 X축의 정방향측으로 어긋난 위치를 상기 중심의 자력선이 통과하도록 수평 자장을 인가함으로써, 상기 대류의 방향을 좌회전으로 고정하는 제2 고정 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
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