KR102389418B1 - 고체 촬상 소자 및 전자 기기 - Google Patents

고체 촬상 소자 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

촬상 소자 및 상기 촬상 소자를 포함하는 전자 기기가 제공된다. 상ㄱ시 촬상 소자는 기판 및 상기 기판 위에 배치된 광전변환막을 포함한다. 제1의 화소는 제1의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 제2의 화소는 제2의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 상기 촬상 소자는 제1의 플로팅 디퓨전을 또한 포함한다. 상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제1의 화소 및 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 공유된다. 각각의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은 상기 기판의 광입사면과 각각의 화소에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 있다.

Description

고체 촬상 소자 및 전자 기기
본 개시는, 고체 촬상 소자, 및 전자 기기에 관한 것으로, 특히, 1화소의 영역에서 R(적), G(녹), B(청)의 각 색 신호를 생성할 수 있도록 한 종분광(縱分光) 방식(vertical spectral type)의 고체 촬상 소자, 및 전자 기기에 관한 것이다.
<관련 출원의 상호 참조>
본 출원은 2016년 3월 31일에 출원된 일본 우선권 특허출원 JP2016-070060의 이익을 주장하고, 그 전체 내용은 본원에 참고로서 인용된다.
기판의 깊이 방향으로 복수의 광전변환부(PD(포토 다이오드) 등)를 적층하는 등으로, 1화소의 영역에서 복수의 색 신호를 생성할 수 있는 종분광 방식의 고체 촬상 소자가 제안되어 있다.
종분광 방식의 고체 촬상 소자는, 디모자이크 처리를 필요로 하지 않기 때문에 위색이 발생하기 어려운 것, 1화소의 영역에서 R, G, B의 어느 한 색의 색 신호를 생성하는 종래의 개체 촬상 소자에 비교하여 광의 이용 효율이 높은 것 등의 메리트가 있다.
또한, 종래, 고체 촬상 소자에서는 화소의 미세화를 실현하기 위한 FD(플로팅 디퓨전)를 복수의 화소에서 공유하는 기술이 존재하고, 종분광 방식의 고체 촬상 소자에 대해서도 복수의 화소에서 FD를 공유하는 구성이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
도 1은, 복수의 화소에서 FD를 공유하는 종분광 방식의 고체 촬상 소자의 구성의 한 예를 도시하고 있다.
이 고체 촬상 소자(10)는, 이면측(도면 하측)부터 광이 입사되는 이면 조사형이다. 고체 촬상 소자(10)의 화소(1)에는, Si 기판(11)의 이면 외측에 입사광의 G 성분의 파장에 응하여 광전변환을 행하는 광전변환막(G)(12-1)이 형성되고, Si 기판(11) 내에 이면측부터 차례로, 입사광의 B성분의 파장에 응하여 광전변환을 행하는 PD(B)(13-1)와, 입사광의 R성분의 파장에 응하여 광전변환을 행하는 PD(R)(14-1)가 적층되어 있다.
PD(B)(13-1)에는 종형 Tr(트랜지스터)(16-1)이 접속되어 있다. PD(R)(14-1)의 표면측(도면 상측)에는 평면 Tr(17-1)이 형성되어 있다.
마찬가지로, 화소(2)에는, Si 기판(11)의 이면 외측에 광전변환막(G)(12-2)이 형성되고, Si 기판(11) 내에 이면측부터 차례로, PD(B)(13-2)와 PD(R)(14-2)가 적층되어 있다.
PD(13-2)에는 종형 Tr(16-2)이 접속되어 있다. PD(R)(14-2)의 표면측에는 평면 Tr(17-2)이 형성되어 있다.
또한, 화소 사이에는 FD(15)가 형성되어 있다. 예를 들면, 화소(1)와 화소(2)의 사이에는 FD(15-2)가 형성되어 있다.
고체 촬상 소자(10)의 화소(1)에서는, 실선 화살표로 도시하는 바와 같이, PD(B)(13-1)에 의해 광전변환된 전하는, 종형 Tr(16-1)을 통하여 FD(15-2)에 전송, 축적된다. 또한, PD(R)(14-1)에 의해 광전변환된 전하는, 평면 Tr(17-1)을 통하여 FD(15-1)에 전송, 축적된다.
또한, 화소(2)에서는, PD(13-2)(B)에 의해 광전변환된 전하는, 종형 Tr(16-2)을 통하여 FD(15-3)에 전송, 축적된다. 또한, PD(R)(14-2)에 의해 광전변환된 전하는, 평면 Tr(17-2)을 통하여 FD(15-2)에 전송, 축적된다.
즉, 고체 촬상 소자(10)에서는, 이웃하는 화소(1, 2)로서 Si 기판(11)의 다른 깊이에 형성되어 있고, 광전변환을 행하는 광의 파장이 다른 PD(B)(13-1)와 PD(R)(14-2)가 FD(15-2)를 공유하도록 구성되어 있다.
일본 특개2010-114323호 공보
도 1에 도시된 고체 촬상 소자(10)의 구성에서는, 종형 Tr(16)의 전송(傳送) 영역과 평면 Tr(17)의 전송 영역이 인접하고 있기 때문에, 각각을 동시에 최적화하기가 어렵고 미세화에 불리하다. 또한, PD(R)(14-2)에 전하가 축적되어 있는 상태에서 종형 Tr(16-1)이 온으로 된 경우, 도면 중에 파선 화살표로 도시하는 바와 같이, PD(R)(14-2)의 전하가 종형 Tr(16-1)에 의해 잘못 판독되어 버리는 사상(事象)을 가리키는 전하의 쇼트가 일어나, 혼색이 발생할 수 있다.
또한, 광전변환을 행하는 광의 파장이 다른 PD(B)(13)와 PD(R)(14)가 FD(15)를 공유하기 때문에, 색마다의 변환 효율을 최적화할 수가 없다. 또한, 광전변환을 행하는 광의 파장이 다른 PD(B)(13)와 PD(R)(14)가 FD(15)를 공유하기 때문에, FD(15)의 후단에 존재하는 앰프 Tr(부도시)을 PD(B)(13)와 PD(R)(14)에 대해 개별적으로 최적화할 수도 없다.
본 개시는 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 화소의 미세화, 변환 효율 및 앰프 Tr의 최적화를 실현할 수 있도록 하는 것이다.
본 개시의 실시의 형태에 관하여, 기판 및 상기 기판 위에 배치된 광전변환막을 포함하는 촬상 소자를 제공한다. 제1의 화소는 제1의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 제2의 화소는 제2의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 상기 촬상 소자는 제1의 플로팅 디퓨전을 또한 포함한다. 상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제1의 화소 및 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 공유된다. 각각의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은 상기 기판의 광입사면과 각각의 화소에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 있다.
본 개시의 다른 실시의 형태에 관하여, 촬상 소자 및 상기 촬상 소자의 동작을 제어하는 컨트롤러 포함하는 전자 기기를 제공한다. 상기 촬상 소자는 기판 및 상기 기판 위에 배치된 광전변환막을 포함한다. 제1의 화소는 제1의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 제2의 화소는 제2의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 상기 촬상 소자는 제1의 플로팅 디퓨전을 또한 포함한다. 상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제1의 화소 및 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 공유된다. 각각의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은 상기 기판의 광입사면과 각각의 화소에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 있다.
본 개시의 실시의 형태에 의하면, 화소의 미세화, 변환 효율 및 앰프 Tr의 최적화를 실현할 수 있다.
도 1은 종래의 종분광 방식 고체 촬상 소자의 구성의 한 예를 도시하는 단면도.
도 2는 본 개시를 적용한 고체 촬상 소자의 제1의 구성례를 도시하는 블록도.
도 3은 도 2에 도시된 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 평면도.
도 4는 도 2에 도시된 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 5는 도 2에 도시된 고체 촬상 소자의 구성례를 도시하는 단면도.
도 6은 본 개시를 적용한 고체 촬상 소자의 제2의 구성례를 도시하는 평면도.
도 7은 본 개시를 적용한 고체 촬상 소자의 제3의 구성례를 도시하는 평면도.
도 8은 도 2에 도시된 고체 촬상 소자의 제조 공정을 도시하는 도면.
도 9는 도 2에 도시된 고체 촬상 소자의 제조 공정을 도시하는 도면.
도 10은 본 개시를 적용한 고체 촬상 소자의 사용례를 도시하는 도면.
이하, 본 개시를 실시하기 위한 최선의 형태(이하, 실시의 형태라고 칭한다)에 관해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
<제1의 실시의 형태>
본 개시를 적용한 고체 촬상 소자의 제1의 구성례(제1의 실시의 형태)에 관해 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
도 2는 제1의 실시의 형태인 고체 촬상 소자(20)의 1화소분의 구성례를 도시하는 블록도이다. 단, 도 2는 그 고체 촬상 소자(20)의 소정의 단면을 나타내는 것이 아니다.
도 3은 그 고체 촬상 소자(20)의 횡방향으로 인접하는 3화소분의 평면도, 도 4는 도 3의 선분(AA')에서의 단면도, 도 5는 도 3의 선분(BB')에서의 단면도이다.
고체 촬상 소자(20)는, 인접하는 2화소에서 FD를 공유하도록 이루어져 있다.
고체 촬상 소자(20)의 각 화소에는, Si 기판(21)의 이면 외측에 입사광의 G 성분에 대해 감도를 갖는 광전변환막(G)(22)이 형성되고, Si 기판(11) 내에는 이면측부터 차례로, 입사광의 B성분에 대해 감도를 갖는 PD(B)(27)와, 입사광의 R성분에 대해 감도를 갖는 PD(R)(30)가 적층되어 있다. 광전변환막(G)(22)의 이면측(도면 하측)에는 온 칩 렌즈(33)가 형성되어 있다.
이하, 예를 들면, 화소(1)에서의 광전변환막(G)(22)은, 광전변환막(G)(22-1)이라고 칭한다. 다른 구성 요소에 대해서도 마찬가지라고 한다.
광전변환막(G)(22)의 상하에는, 상부 전극(23)과 하부 전극(24)이 광전변환막(G)(22)을 끼우도록 형성되어 있다. 하부 전극(24)에는 관통 전극(25)이 접속되어 있다. PD(B)(27)에는 종형 Tr(28)이 접속되어 있다. PD(R)(30)의 표면측에는 평면 Tr(31)이 형성되어 있다.
또한, Si 기판(21) 내의 표면측의 화소 사이에는, 광전변환막(G)(22)으로부터의 전하를 축적하는 FD(26), PD(B)(27)로부터의 전하를 축적하는 FD(29), 및, PD(R)(30)로부터의 전하를 축적하는 FD(32)가 형성되어 있다. FD(26, 29, 32)는, 각각 인접하는 2화소에 의해 공유된다. 이하, 예를 들면, 화소(1)와 화소(2)의 사이에 형성된 FD(29)를 FD(29-12)라고 칭한다. FD(26) 및 FD(32)에 대해서도 마찬가지라고 한다.
예를 들면, 도 4에 도시되는 바와 같이, 화소(1)와 화소(2)의 사이에 형성된 FD(29-12)는, 화소(1)와 화소(2)에 의해 공유된다. 따라서, 고체 촬상 소자(20)에서는, 실선 화살표로 도시하는 바와 같이, 화소(1)의 PD(B)(27-1)에 의해 광전변환된 전하가, 종형 Tr(28-1)을 통하여 FD(29-12)에 전송, 축적된다. 화소(1)에 인접하는 화소(2)의 PD(B)(27-2)에 의해 광전변환된 전하도, 종형 Tr(28-2)을 통하여 FD(29-12)에 전송, 축적된다.
또한 예를 들면, 화소(2)와 화소(3)의 사이에 형성된 FD(32-23)는, 화소(2)와 화소(3)에 의해 공유된다. 따라서, 고체 촬상 소자(20)에서, 화소(2)의 PD(R)(30-2)에 의해 광전변환된 전하가, 평면 Tr(31-2)을 통하여 FD(32-23)에 전송, 축적된다. 화소(2)에 인접하는 화소(3)의 PD(R)(30-3)에 의해 광전변환된 전하도, 평면 Tr(31-3)을 통하여 FD(32-23)에 전송, 축적된다.
또한, 광전변환막(G)(22)으로부터의 전하를 축적하는 FD(26)에 관해서는, 복수의 화소에 의해 공유되지 않고, 화소마다 형성되어 있다. 단, FD(26)가 복수의 화소에 의해 공유되도록 하여도 좋다.
고체 촬상 소자(20)에 의하면, FD 이후의 화소 트랜지스터도 공용할 수 있기 때문에, 화소의 미세화를 추진할 수 있다. 또한, 종형 Tr(28)과 평면 Tr(31)의 전송 영역을 떨어뜨릴 수 있기 때문에, 동시에 각각을 최적화할 수 있고, 화소의 미세화에 유리하게 됨에 더하여, 종래 구성에서 발생할 수 있는 인접 화소로부터의 전하의 쇼트에 기인하는 혼색도 억제할 수 있다.
또한, 이웃하는 화소로서 Si 기판(21) 내에서 형성되어 있는 깊이가 동등하고, 광전변환을 행하는 광의 파장이 동등한 PD(B)(27)끼리, 및, PD(R)(30)끼리가 FD를 공유하기 때문에, 색마다 변환 효율이나 앰프 트랜지스터를 최적화하는 것이 가능해진다.
<제2의 실시의 형태>
다음에, 본 개시를 적용한 고체 촬상 소자의 제2의 구성례(제2의 실시의 형태)에 관해 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6은 제2의 실시의 형태인 고체 촬상 소자(50)의 6화소분의 평면도이다. 그 고체 촬상 소자(50)의 1화소분의 구성례는, 도 2에 도시된 고체 촬상 소자(20)의 구성례와 마찬가지이다.
고체 촬상 소자(50)는, 인접하는 2×2화소에서 FD를 공유하도록 이루어져 있다.
예를 들면, 도 6에 도시되는 바와 같이, 화소(1, 2, 4, 5)의 사이에 형성된 FD(29)는, 화소(1, 2, 4, 5) 각각의 같은 깊이에 형성되어 있는 PD(B)(27)에 의해 공유된다. 또한, 화소(2, 3, 5, 6)의 사이에 형성된 FD(32)는, 화소(2, 3, 5, 6) 각각의 같은 깊이에 형성되어 있는 PD(R)(30)에 의해 공유된다.
고체 촬상 소자(50)에 의하면, 상술한 고체 촬상 소자(20)와 같은 효과가 얻어짐에 더하여, 화소 트랜지스터 수를 보다 삭감할 수 있어서, 화소의 미세화를 보다 진행할 수 있다.
<제3의 실시의 형태>
다음에, 본 개시를 적용한 고체 촬상 소자의 제3의 구성례(제3의 실시의 형태)에 관해 도 6을 참조하여 설명한다.
도 7은 제3의 실시의 형태인 고체 촬상 소자(60)의 6화소분의 평면도이다. 그 고체 촬상 소자(60)는, 도 6에 도시된 제2의 실시의 형태인 고체 촬상 소자(50)에 대해, 화소(1, 2, 4, 5)에서 공유되는 FD(29)와, 화소(2, 3, 5, 6)의 사이에서 공유되는 FD(32)를 접속하는 배선(61)을 추가하고, FD(29)와 FD(32)의 후단에 배치되는 각종 트랜지스터(부도시)를 공유하도록 이루어져 있다.
고체 촬상 소자(60)에 의하면, FD 이후의 화소 트랜지스터도 공용할 수 있기 때문에, 상술한 고체 촬상 소자(50)보다도 화소 트랜지스터 수를 삭감할 수 있고, 화소의 미세화를 보다 진행할 수 있다.
또한, 종형 Tr(28)과 평면 Tr(31)의 전송 영역을 떨어뜨릴 수 있기 때문에, 동시에 각각을 최적화할 수 있고, 화소의 미세화에 유리하게 됨에 더하여, 종래 구성에서 발생할 수 있는 인접 화소로부터의 전하의 쇼트에 기인하는 혼색도 억제할 수 있다.
또한, 고체 촬상 소자(60)의 경우, 화소 배선이 최단(最短)이 되는 구조이기 때문에, FD의 용량을 작게 할 수 있는, 변환 효율을 올릴 수 있는, 화소의 1변에 다른 소자를 배치할 수 있는 등의 효과가 있다.
<제1의 실시의 형태인 고체 촬상 소자(20)의 제조 방법>
다음에, 제1의 실시의 형태인 고체 촬상 소자(20)의 제조 방법에 관해, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다.
도 8 및 도 9는, 고체 촬상 소자(20)의 제조 공정을 도시하고 있다.
우선, 도 8의 A에 도시하는 바와 같이, Si 기판(21)에 대해 I.I.(이온 임플랜트)에 의해 불순물을 타입하여 PD(B)(27)를 형성하고, 도 8의 B에 도시하는 바와 같이, 에피택셜 성장에 의해 Si 기판(21)의 두께를 늘리고, 도 8의 C에 도시하는 바와 같이, I.I.에 의해 불순물을 타입하여 PD(R)(30)를 형성한다.
다음에, 도 8의 D에 도시하는 바와 같이, 종형 Tr(28) 및 평면 Tr(31)(부도시)을 형성하고, 도 9의 A에 도시하는 바와 같이, 화소 사이에 FD(26)(부도시), FD(29), FD(32)(부도시)를 형성하고, 도 9의 B에 도시하는 바와 같이, Si 기판(21)의 표면측에 배선층(71)을 형성하고, Si 기판(21)의 이면측을 연마한다.
다음에, 도 9의 C에 도시하는 바와 같이, 관통 전극(25)을 형성하고, Si 기판(21)의 이면 외측에 광전변환막(G)(22)과 온 칩 렌즈(33)를 형성한다.
또한, 고체 촬상 소자(50, 60)의 제조 방법에 대해서도 마찬가지이므로, 그 설명은 생략한다.
<이미지 센서의 사용례>
도 10은, 상술한 고체 촬상 소자(20, 50, 60)를 사용하는 사용례를 도시하는 도면이다.
고체 촬상 소자(20, 50, 60)는, 예를 들면, 이하와 같이, 가시광이나, 적외광, 자외광, X선 등의 광을 센싱하는 다양한 케이스에 사용할 수 있다.
- 디지털 카메라나, 카메라 기능 부착의 휴대 기기 등의, 감상용으로 제공되는 화상을 촬영하는 장치
- 자동 정지 등의 안전운전이나, 운전자의 상태의 인식 등을 위해, 자동차의 전방이나 후방, 주위, 차내 등을 촬영하는 차량탑재용 센서, 주행 차량이나 도로를 감시하는 감시 카메라, 차량 사이 등의 거리측정을 행하는 거리측정 센서 등의, 교통용으로 제공된 장치
- 유저의 제스처를 촬영하고, 그 제스처에 따른 기기 조작을 행하기 위해, TV, 냉장고, 에어 컨디셔너 등의 가전에 제공되는 장치
- 내시경이나, 적외광의 수광에 의한 혈관 촬영을 행하는 장치 등의, 의료나 헬스케어용으로 제공되는 장치
- 방범 용도의 감시 카메라나, 인물 인증 용도의 카메라 등의, 시큐리티용으로 제공되는 장치
- 피부를 촬영하는 피부 측정기나, 두피를 촬영하는 마이크로스코프 등의, 미용용으로 제공되는 장치
- 스포츠 용도 등 용의 액션 카메라나 웨어러블 카메라 등의, 스포츠용으로 제공되는 장치
- 밭이나 작물의 상태를 감시하기 위한 카메라 등의, 농업용으로 제공되는 장치
본 개시는 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.
(1)
기판 및 상기 기판 위에 배치된 광전변환막을 구비하는 촬상 소자. 제1의 화소는 제1의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 제2의 화소는 제2의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역 및 제2의 광전변환 영역, 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함한다. 제1의 플로팅 디퓨전은 또한 상기 촬상 소자 내에 포함된다. 상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고, 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 상기 광입사면과 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고, 상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제1의 화소 및 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 공유된다.
(2)
상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 단면에서 볼 때, 상기 제1의 화소의 상기 종형 트랜지스터와 상기 제1의 화소의 상기 종형 트랜지스터 사이에 있는 상기 (1)에 기재된 촬상 소자.
(3)
상기 제1의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역은, 상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역 아래에 배치되고,
상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역은, 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역 아래에 배치되는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 촬상 소자.
(4)
제3의 화소를 더 구비하고,
상기 제3의 화소는,
제3의 광전변환막 영역;
상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역;
상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터; 및
제2의 플로팅 디퓨전을 포함하고,
상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역과 상기 제3의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 사이에 있고,
상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 및 상기 제3의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역에 의해 공유되는 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(5)
상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대힌 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되는 상기 (4)에 기재된 촬상 소자.
(6)
제4의 화소 및 제5의 화소를 더 구비하고,
상기 제4의 화소는,
제4의 광전변환막 영역;
상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역; 및
상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하고,
상기 제5의 화소는,
제5의 광전변환막 영역;
상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역; 및
상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역 및 상기 제5의 화소의 사익 제1의 광전변환 영역에 의해 추가로 공유되는 상기 (4) 또는 (5)에 기재된 촬상 소자.
(7)
상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되는 상기 (6)에 기재된 촬상 소자.
(8)
제6의 화소를 더 구비하고,
상기 제6의 화소는,
제6의 광전변환막 영역;
상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역; 및
상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하고,
상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제5의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 및 상기 제6의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역에 의해 추가로 공유되는 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 촬상 소자.
(9)
상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
상기 제6의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제6의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되는 상기 (8)에 기재된 촬상 소자.
(10)
상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 평면에서 볼 때, 상기 제1, 제2, 제4 및 제5의 화소의 상기 종형 트랜지스터 사이의 영역 내에 있는 상기 (8) 또는 (9)에 기재된 촬상 소자.
(11)
상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 평면에서 볼 때, 상기 제2, 제3, 제5 및 제6의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 사이의 영역 내에 있는 상기 (10)에 기재된 촬상 소자.
(12)
상기 제1의 플로팅 디퓨전 및 상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소와 상기 제5의 화소 사이로 연장되는 선을 따라 배치되는 상기 (11)에 기재된 촬상 소자.
(13)
복수의 트랜지스터를 더 구비하고,
각각의 상기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6의 화소는, 대응하는 상기 제2의 광전변환 영역 중 하나에 대한 적어도 하나의 상기 트랜지스터를 포함하는 상기 (12)에 기재된 촬상 소자.
(14)
상기 트랜지스터는, 상기 기판의 광입사면에 대향하는 상기 기판의 표면 상에 적어도 부분적으로 형성되는 상기 (13)에 기재된 촬상 소자.
(15)
상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 배선에 의해 상기 제2의 플로팅 디퓨전에 연결되는 상기 (8)에 기재된 촬상 소자.
(16)
상기 배선은, 평면에서 볼 때, 상기 제2의 화소와 상기 제5의 화소 사이에 배치되는 상기 (15)에 기재된 촬상 소자.
(17)
상기 광전변환막은, 입사광의 녹색 성분에 감응하는 상기 (16)에 기재된 촬상 소자.
(18)
각각의 상기 제1의 광전변환 영역은, 상기 제2의 광전변환 영역 중 하나와 상기 광전변환막 영역 중 하나의 사이에 있는 상기 (1) 내지 (17) 중 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(19)
제1의 관통 전극을 더 구비하고,
상기 관통전극은, 상기 기판의 제1측으로부터 상기 기판의 제2측으로 연장되는 상기 (1) 내지 (18) 중 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(20)
상기 제1의 관통 전극은, 상기 광전변환막의 일측 상에 배치되는 상기 (1) 내지 (18) 중 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(21)
촬상 소자 및 컨트롤러를 구비하고,
상기 촬상 소자는,
기판;
상기 기판 위에 배치된 광전변환막;
제1의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역, 상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역 및 상기 제1의 광전변환 소자에 대한 종형 트랜지스터를 포함하는 제1의 화소;
제2의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역, 상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역 및 상기 제1의 광전변환 소자에 대한 종형 트랜지스터를 포함하는 제2의 화소; 및
제1의 플로팅 디퓨전을 포함하고,
상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 상기 광입사면과 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제1의 화소 및 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 공유되고,
상기 컨트롤러는 상기 촬상 소자의 동작을 제어하는 전자 기기.
(1a)
광전변환을 행하는 광의 파장이 다른 복수의 광전변환부가 각 화소의 영역에 적층되어 있는 종분광 방식의 고체 촬상 소자에 있어서,
각 화소의 영역에 형성되고, 입사광의 제1의 파장에 응하여 광전변환을 행하는 제1의 광전변환부와,
각 화소의 영역에 형성되고, 상기 제1의 광전변환부에 의해 변환된 전하를 판독하는 제1의 판독부와,
인접하는 화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 복수의 화소에 각각 형성되어 있는 상기 제1의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 제1의 축적부를 포함하는 고체 촬상 소자.
(2a)
상기 제1의 판독부는, 종형 트랜지스터인 상기 (1a)에 기재된 고체 촬상 소자.
(3a)
상기 제1의 판독부는, 인접하는 화소 사이에 형성된 상기 제1의 축적부에 인접한 각 화소의 영역에 형성되어 있는 상기 (1a) 또는 (2a)에 기재된 고체 촬상 소자.
(4a)
상기 제1의 축적부는, 인접하는 2화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 2화소에 각각 형성되어 있는 상기 제1의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 상기 (1a) 내지 (3a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(5a)
상기 제1의 축적부는, 인접하는 2×2화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 2×2화소에 각각 형성되어 있는 상기 제1의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 상기 (1a) 내지 (3a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(6a)
각 화소의 영역의 상기 제1의 광전변환부에 적층하여 형성되고, 입사광의 상기 제1의 파장과는 다른 제2의 파장에 응하여 광전변환을 행하는 제2의 광전변환부와,
각 화소의 영역에 형성되고, 상기 제2의 광전변환부에 의해 변환된 전하를 판독하는 제2의 판독부와,
인접하는 화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 복수의 화소에 각각 형성되어 있는 상기 제2의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 제2의 축적부를 또한 포함하는 상기 (1a) 내지 (5a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(7a)
상기 제2의 판독부는, 평면 트랜지스터인 상기 (6a)에 기재된 고체 촬상 소자.
(8a)
상기 제2의 판독부는, 인접하는 화소 사이에 형성된 상기 제2의 축적부에 인접한 각 화소의 영역에 형성되어 있는 상기 (6a) 또는 (7a)에 기재된 고체 촬상 소자.
(9)
상기 제2의 축적부는, 인접하는 2화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 2화소에 각각 형성되어 있는 상기 제2의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 상기 (6a) 내지 (8a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(10a)
상기 제2의 축적부는, 인접하는 2×2화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 2×2화소에 각각 형성되어 있는 상기 제2의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 상기 (6a) 내지 (8a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(11a)
상기 제1의 축적부와 상기 제2의 축적부는, 배선에 의해 접속되어 있는 상기 (6a) 내지 (10a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(12a)
각 화소의 영역의 상기 제1 및 제2의 광전변환부에 적층하여 형성되고, 입사광의 상기 제1 및 제2의 파장과는 다른 제3의 파장에 응하여 광전변환을 행하는 제3의 광전변환부와,
각 화소의 영역에 형성되고, 상기 제3의 광전변환부에 의해 변환된 전하를 판독하는 제3의 판독부와,
인접하는 화소 사이에 형성되고, 상기 제3의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 제3의 축적부를 또한 포함하는 상기 (6a) 내지 (11a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(13a)
상기 제3의 판독부는, 관통 전극인 상기 (12a)에 기재된 고체 촬상 소자.
(14a)
상기 제3의 판독부는, 인접하는 화소 사이에 형성된 상기 제3의 축적부에 인접한 각 화소의 영역에 형성되어 있는 상기 (12a) 또는 (13a)에 기재된 고체 촬상 소자.
(15a)
상기 제3의 축적부는, 인접하는 2화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 2화소에 각각 형성되어 있는 상기 제3의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 상기 (12a) 내지 (14a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(16a)
상기 제3의 축적부는, 인접하는 2×2화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 2×2화소에 각각 형성되어 있는 상기 제3의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 상기 (12a) 내지 (14a)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(17a)
광전변환을 행하는 광의 파장이 다른 복수의 광전변환부가 각 화소의 영역에 적층되어 있는 종분광 방식의 고체 촬상 소자가 탑재된 전자 기기에 있어서,
상기 고체 촬상 소자는,
각 화소의 영역에 형성되고, 입사광의 제1의 파장에 응하여 광전변환을 행하는 제1의 광전변환부와,
각 화소의 영역에 형성되고, 상기 제1의 광전변환부에 의해 변환된 전하를 판독하는 제1의 판독부와,
인접하는 화소 사이에 형성되고, 상기 인접하는 복수의 화소에 각각 형성되어 있는 상기 제1의 판독부에 의해 판독된 상기 전하를 축적하는 제1의 축적부를 v포함하는 전자 기기.
또한, 본 개시의 실시의 형태는, 상술한 실시의 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 개시의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하다.
당업자에 의하여 첨부된 청구항 및 균등물의 범위 안에서 다양한 수정, 조합, 하위 조합 및 변경이 설계 요구 및 다른 요인에 따라 발생할 수 있음을 이해하여야 한다.
20 : 고체 촬상 소자
21 : Si 기판
22 : 광전변환막(G)
25 : 관통 전극
26 : FD
27 : PD(B)
28 : 종형 Tr
29 : FD
30 : PD(R)
31 : 평면 Tr
32 : FD
33 : 온 칩 렌즈
50, 60 : 고체 촬상 소자
61 : 배선
71 : 배선층

Claims (21)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 배치된 광전변환막;
    제1의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역, 상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하는 제1의 화소;
    제2의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역, 상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역 및 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하는 제2의 화소 및 제1의 플로팅 디퓨전을 구비하고,
    상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 상기 광입사면과 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제1의 화소 및 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 공유되고,
    제3의 화소를 더 구비하고,
    상기 제3의 화소는,
    제3의 광전변환막 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역;
    상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터 및 제2의 플로팅 디퓨전을 포함하고,
    상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역과 상기 제3의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 사이에 있고,
    상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 및 상기 제3의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역에 의해 공유되며,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전과 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 기판 내에서 형성되는 깊이가 동등하고 광전변환을 행하는 광의 파장이 같은 PD 끼리 공유하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 단면에서 볼 때, 상기 제1의 화소의 상기 종형 트랜지스터와 상기 제2의 화소의 상기 종형 트랜지스터 사이에 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역은, 상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역 아래에 배치되고,
    상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역은, 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    제4의 화소 및 제5의 화소를 더 구비하고,
    상기 제4의 화소는,
    제4의 광전변환막 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역; 및
    상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제5의 화소는,
    제5의 광전변환막 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역; 및
    상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역 및 상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 추가로 공유되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  8. 제6항에 있어서,
    제6의 화소를 더 구비하고,
    상기 제6의 화소는,
    제6의 광전변환막 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역; 및
    상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제5의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 및 상기 제6의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역에 의해 추가로 공유되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제3의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제4의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제5의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제6의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제6의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 평면에서 볼 때, 상기 제1, 제2, 제4 및 제5의 화소의 상기 종형 트랜지스터 사이의 영역 내에 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 평면에서 볼 때, 상기 제2, 제3, 제5 및 제6의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 사이의 영역 내에 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전 및 상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소와 상기 제5의 화소 사이로 연장되는 선을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    복수의 트랜지스터를 더 구비하고,
    각각의 상기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6의 화소는, 대응하는 상기 제2의 광전변환 영역 중 하나에 대한 적어도 하나의 상기 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 트랜지스터는, 상기 기판의 광입사면에 대향하는 상기 기판의 표면 상에 적어도 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 배선에 의해 상기 제2의 플로팅 디퓨전에 연결되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 배선은, 평면에서 볼 때, 상기 제2의 화소와 상기 제5의 화소 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 광전변환막은, 입사광의 녹색 성분에 감응하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  18. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 제1의 광전변환 영역은, 상기 제2의 광전변환 영역 중 하나와 상기 광전변환막 영역 중 하나의 사이에 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  19. 제1항에 있어서,
    제1의 관통 전극을 더 구비하고,
    상기 관통전극은, 상기 기판의 제1측으로부터 상기 기판의 제2측으로 연장되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1의 관통 전극은, 상기 광전변환막의 일측 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  21. 촬상 소자 및 컨트롤러를 구비하고,
    상기 촬상 소자는,
    기판;
    상기 기판 위에 배치된 광전변환막;
    제1의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역, 상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역 및 상기 제1의 광전변환 소자에 대한 종형 트랜지스터를 포함하는 제1의 화소;
    제2의 광전변환막 영역, 상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역, 상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역 및 상기 제1의 광전변환 소자에 대한 종형 트랜지스터를 포함하는 제2의 화소; 및
    제1의 플로팅 디퓨전을 포함하고,
    상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 광입사면과 상기 제1의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역의 부분은, 상기 기판의 상기 광입사면과 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 대한 상기 종형 트랜지스터 사이에 형성되고,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전은, 상기 제1의 화소 및 상기 제2의 화소의 상기 제1의 광전변환 영역에 의해 공유되고,
    제3의 화소를 더 구비하고,
    상기 제3의 화소는,
    제3의 광전변환막 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제1의 광전변환 영역;
    상기 기판 내에 형성된 제2의 광전변환 영역;
    상기 제1의 광전변환 영역에 대한 종형 트랜지스터 및 제2의 플로팅 디퓨전을 포함하고,
    상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역과 상기 제3의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 사이에 있고,
    상기 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 제2의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역 및 상기 제3의 화소의 상기 제2의 광전변환 영역에 의해 공유되며,
    상기 제1의 플로팅 디퓨전과 제2의 플로팅 디퓨전은, 상기 기판 내에서 형성되는 깊이가 동등하고 광전변환을 행하는 광의 파장이 같은 PD 끼리 공유하며,
    상기 컨트롤러는 상기 촬상 소자의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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