KR102387795B1

KR102387795B1 - Organic light emitting display with touch sensor

Info

Publication number: KR102387795B1
Application number: KR1020180101806A
Authority: KR
Inventors: 오재영; 김민주; 이재원; 이은혜
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-08-31
Filing date: 2018-08-29
Publication date: 2022-04-15
Also published as: KR20180100510A

Abstract

본 발명은 박형화 및 경량화가 가능한 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 발광 소자를 덮도록 배치된 봉지부 상에 배치되는 다수의 터치 전극들을 구비하며, 그 터치 전극들은 저온 증착 공정을 통해 형성되어 비정질의 특성을 가지므로 터치 전극들 형성시 유기 발광층이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 봉지부 상에 터치 전극들이 배치됨으로써 별도의 접착 공정이 불필요해져 공정이 단순화되며 비용을 저감할 수 있다. The present invention relates to an organic light emitting display device capable of being thin and light in weight. The organic light emitting display device having a touch sensor according to the present invention includes a plurality of touch electrodes disposed on an encapsulation unit disposed to cover a light emitting device, Since the touch electrodes are formed through a low-temperature deposition process and have amorphous characteristics, it is possible to prevent the organic light emitting layer from being damaged when the touch electrodes are formed. This is simplified and the cost can be reduced.

Description

An organic light emitting diode display having a touch sensor {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY WITH TOUCH SENSOR}

본 발명은 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히 공정 단순화 및 비용을 절감할 수 있는 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display having a touch sensor, and more particularly, to an organic light emitting display having a touch sensor capable of simplifying a process and reducing costs.

터치 스크린은 표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다. 즉, 터치 스크린은 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다. 이와 같은 터치 스크린은 키보드 및 마우스와 같이 표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.A touch screen is an input device in which a user's command can be input by selecting instructions displayed on a screen such as a display device with a human hand or an object. That is, the touch screen converts a contact position in direct contact with a person's hand or an object into an electrical signal, and an instruction content selected from the contact position is accepted as an input signal. Since such a touch screen can replace a separate input device connected to and operated on a display device, such as a keyboard and a mouse, the range of its use is gradually expanding.

이와 같은 터치 스크린은 일반적으로 액정 표시 패널 또는 유기 전계 발광 표시 패널과 같은 표시 패널의 전면에 접착제를 통해 부착되는 경우가 많다. 이 경우, 터치 스크린이 별도로 제작되어 표시 패널의 전면에 부착되므로, 부착 공정의 추가로 공정이 복잡해지며 비용이 상승하는 문제점이 있다.Such a touch screen is generally attached to the front surface of a display panel such as a liquid crystal display panel or an organic electroluminescent display panel through an adhesive in many cases. In this case, since the touch screen is separately manufactured and attached to the front surface of the display panel, there is a problem in that the process is complicated by the addition of the attachment process and the cost is increased.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 공정 단순화 및 비용을 절감할 수 있는 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display having a touch sensor capable of simplifying a process and reducing costs.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 발광 소자를 덮도록 배치된 봉지부 상에 배치되는 다수의 터치 전극들을 구비하며, 그 터치 전극들은 저온(상온이상이고 100도 이하) 증착 공정을 통해 형성되어 비정질의 특성을 가지므로 터치 전극들 형성시 유기 발광층이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 봉지부 상에 터치 전극들이 배치됨으로써 별도의 접착 공정이 불필요해져 공정이 단순화되며 비용을 저감할 수 있다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display having a touch sensor according to the present invention includes a plurality of touch electrodes disposed on an encapsulation unit disposed to cover a light emitting element, and the touch electrodes are at a low temperature (at or above room temperature). 100 degrees or less) is formed through a deposition process and has an amorphous characteristic, so it is possible to prevent the organic light emitting layer from being damaged when the touch electrodes are formed. It is simplified and the cost can be reduced.

본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층 상에 배치되는 각 박막층을 저온 공정으로 형성함으로써 고온에 취약한 유기 발광층의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 종래 유기 발광 표시 장치는 접착제를 통해 터치 스크린이 유기 발광 표시 장치에 부착되는 반면에 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 터치 전극들이 접착제없이 봉지부 상에 직접적으로(directly) 배치됨으로써 별도의 접착 공정이 불필요해져 공정이 단순화되며 비용을 저감할 수 있다.The organic light emitting diode display having a touch sensor according to the present invention can prevent damage to the organic light emitting layer, which is vulnerable to high temperature, by forming each thin film layer disposed on the organic light emitting layer through a low temperature process. In addition, in the conventional organic light emitting display device, the touch screen is attached to the organic light emitting display device through an adhesive, whereas in the organic light emitting display device according to the present invention, the touch electrodes are directly disposed on the encapsulation unit without an adhesive, thereby providing a separate Since the bonding process is unnecessary, the process is simplified and the cost can be reduced.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1에서 선 "Ⅰ-Ⅰ'"와, "Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취한 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 터치 절연막의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 컬러 필터를 가지는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 자기(Self) 정전 용량 형태의 터치 센서(Cs)를 가지는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 터치 전극들 및 브릿지들의 다른 실시예를 나타내는 평면도 및 단면도이다.1 is a perspective view illustrating an organic light emitting diode display having a touch sensor according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating an organic light emitting diode display having the touch sensor illustrated in FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display including a touch sensor taken along lines "I-I'" and "II-II'" in FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the touch insulating film shown in FIG. 3 .
5A to 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 3 .
6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display having a touch sensor according to a second embodiment of the present invention having a color filter.
7 is a plan view illustrating an organic light emitting display device having a self-capacitance type touch sensor Cs according to the present invention.
8 is a plan view and a cross-sectional view illustrating another embodiment of touch electrodes and bridges according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view illustrating an organic light emitting diode display having a touch sensor according to the present invention.

도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 터치 기간동안 도 2에 도시된 터치 전극들(152e,154e)을 통해 사용자의 터치에 의한 상호 정전 용량(mutual capacitance)(Cm)의 변화량 감지하여 터치 유무 및 터치 위치를 센싱한다. 그리고, 도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치는 발광 소자(120)를 포함하는 단위 화소를 통해 영상을 표시한다. 단위 화소는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소(PXL)로 구성되거나, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 서브 화소(PXL)로 구성된다.The organic light emitting diode display having the touch sensor shown in FIG. 1 detects the amount of change in mutual capacitance Cm by the user's touch through the touch electrodes 152e and 154e shown in FIG. 2 during the touch period. to sense the presence or absence of a touch and the touch position. In addition, the organic light emitting diode display having a touch sensor illustrated in FIG. 1 displays an image through a unit pixel including the light emitting element 120 . The unit pixel is composed of red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels (PXL), or red (R), green (G), blue (B) and white (W) sub-pixels (PXL) is composed of

이를 위해, 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 기판(111) 상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 서브 화소들(PXL)과, 다수의 서브 화소들(PXL) 상에 배치된 봉지부(140)와, 봉지부(140) 상에 배치된 상호 정전 용량(Cm)을 구비한다.To this end, in the organic light emitting diode display shown in FIG. 1 , a plurality of sub-pixels PXL arranged in a matrix form on a substrate 111 and an encapsulation unit 140 disposed on the plurality of sub-pixels PXL. ) and a mutual capacitance Cm disposed on the encapsulation unit 140 .

다수의 서브 화소들(PXL) 각각은 화소 구동 회로와, 화소 구동 회로와 접속되는 발광 소자(130)를 구비한다.Each of the plurality of sub-pixels PXL includes a pixel driving circuit and a light emitting device 130 connected to the pixel driving circuit.

화소 구동 회로는 스위칭 트랜지터(T1), 구동 트랜지스터(T2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.The pixel driving circuit includes a switching transistor T1 , a driving transistor T2 , and a storage capacitor Cst.

스위칭 트랜지스터(T1)는 스캔 라인(SL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급한다.The switching transistor T1 is turned on when a scan pulse is supplied to the scan line SL and supplies the data signal supplied to the data line DL to the storage capacitor Cst and the gate electrode of the driving transistor T2 .

구동 트랜지스터(T2)는 그 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전위 전원(VDD) 라인으로부터 발광 소자(120)로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 발광 소자(120)의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 의해 구동 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 발광 소자(120)가 발광을 유지하게 한다.The driving transistor T2 controls the current I supplied to the light emitting device 120 from the high potential power supply (VDD) line in response to a data signal supplied to the gate electrode of the driving transistor T2 to control the light emitting device 120 . ) to control the amount of light emitted. In addition, even when the switching transistor T1 is turned off, the driving transistor T2 supplies a constant current I until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor Cst to the light emitting device ( 120) to maintain luminescence.

이러한 구동 박막트랜지스터(T2,130)는 도 3에 도시된 바와 같이 게이트 전극(132)과, 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(132)과 중첩되는 반도체층(134)과, 보호막(114) 상에 형성되어 반도체층(134)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(136,138)을 구비한다.As shown in FIG. 3 , the driving thin film transistors T2 and 130 include a gate electrode 132 , a semiconductor layer 134 overlapping the gate electrode 132 with a gate insulating film 112 interposed therebetween, and a protective film ( Source and drain electrodes 136 and 138 that are formed on the 114 and contact the semiconductor layer 134 are provided.

발광 소자(120)는 애노드 전극(122)과, 애노드 전극(122) 상에 형성되는 유기 발광층(124)과, 유기 발광층(124) 위에 형성된 캐소드 전극(126)을 구비한다.The light emitting device 120 includes an anode electrode 122 , an organic light emitting layer 124 formed on the anode electrode 122 , and a cathode electrode 126 formed on the organic light emitting layer 124 .

애노드 전극(122)은 평탄화막(116)을 관통하는 화소 컨택홀을 통해 노출된 구동 박막트랜지스터(130)의 드레인 전극(138)과 전기적으로 접속된다. 유기 발광층(124)은 뱅크(128)에 의해 마련된 발광 영역의 애노드 전극(122) 상에 형성된다. 유기 발광층(124)은 애노드 전극(122) 상에 정공 관련층, 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성된다. 캐소드 전극(126)은 유기 발광층(124)을 사이에 두고 애노드 전극(122)과 대향하도록 형성된다.The anode electrode 122 is electrically connected to the drain electrode 138 of the driving thin film transistor 130 exposed through the pixel contact hole penetrating the planarization layer 116 . The organic light emitting layer 124 is formed on the anode electrode 122 of the light emitting region provided by the bank 128 . The organic light-emitting layer 124 is formed by stacking the hole-related layer, the light-emitting layer, and the electron-related layer on the anode electrode 122 in the order or in the reverse order. The cathode electrode 126 is formed to face the anode electrode 122 with the organic light emitting layer 124 interposed therebetween.

봉지부(140)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(120)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다. 이를 위해, 봉지부(140)는 다수의 무기 봉지층들(142,146)과, 다수의 무기 봉지층들(142,146) 사이에 배치되는 유기 봉지층(144)을 구비하며, 무기 봉지층(146)이 최상층에 배치되도록 한다. 이 때, 봉지부(140)는 적어도 2층의 무기 봉지층(142,146)과 적어도 1층의 유기 봉지층(144)을 구비한다. 본 발명에서는 제1 및 제2 무기 봉지층들(142,146) 사이에 유기 봉지층(144)이 배치되는 봉지부(140)의 구조를 예로 들어 설명하기로 한다.The encapsulation unit 140 blocks the penetration of external moisture or oxygen into the light emitting device 120 vulnerable to external moisture or oxygen. To this end, the encapsulation unit 140 includes a plurality of inorganic encapsulation layers 142 and 146 and an organic encapsulation layer 144 disposed between the plurality of inorganic encapsulation layers 142 and 146 , and the inorganic encapsulation layer 146 is It should be placed on the top floor. In this case, the encapsulation unit 140 includes at least two inorganic encapsulation layers 142 and 146 and at least one organic encapsulation layer 144 . In the present invention, the structure of the encapsulation unit 140 in which the organic encapsulation layer 144 is disposed between the first and second inorganic encapsulation layers 142 and 146 will be described as an example.

제1 무기 봉지층(142)는 발광 소자(120)와 가장 인접하도록 캐소드 전극(126)이 형성된 기판(101) 상에 형성된다. 이러한 제1 무기 봉지층(142)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 이에 따라, 제1 무기 봉지층(142)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(142)의 증착 공정시 고온 분위기에 취약한 유기 발광층(124)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The first inorganic encapsulation layer 142 is formed on the substrate 101 on which the cathode electrode 126 is formed so as to be closest to the light emitting device 120 . The first inorganic encapsulation layer 142 is formed of an inorganic insulating material capable of low-temperature deposition, such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), silicon oxynitride (SiON), or aluminum oxide (Al2O3). Accordingly, since the first inorganic encapsulation layer 142 is deposited in a low temperature atmosphere, it is possible to prevent damage to the organic light emitting layer 124 that is vulnerable to a high temperature atmosphere during the deposition process of the first inorganic encapsulation layer 142 .

유기 봉지층(144)은 유기 발광 표시 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이 유기 봉지층(144)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성된다.The organic encapsulation layer 144 serves as a buffer to relieve stress between the respective layers due to the bending of the organic light emitting diode display, and enhances planarization performance. The organic encapsulation layer 144 is formed of an organic insulating material such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide, polyethylene, or silicon oxycarbon (SiOC).

제 2 무기 봉지층(146)는 유기 봉지층(144)이 형성된 기판(111) 상에 유기 봉지층(144) 및 제1 무기 봉지층(142) 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 무기 봉지층(146)은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층(142) 및 유기 봉지층(144)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제2 무기 봉지층(146)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성된다.The second inorganic encapsulation layer 146 is formed on the substrate 111 on which the organic encapsulation layer 144 is formed to cover the top surface and the side surface of each of the organic encapsulation layer 144 and the first inorganic encapsulation layer 142 . Accordingly, the second inorganic encapsulation layer 146 minimizes or blocks the penetration of external moisture or oxygen into the first inorganic encapsulation layer 142 and the organic encapsulation layer 144 . The second inorganic encapsulation layer 146 is formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), silicon oxynitride (SiON), or aluminum oxide (Al2O3).

이러한 봉지부(140) 상에는 터치 버퍼막(166)이 배치된다. 이 터치 버퍼막(166)은 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120)에 사이에 500Å~5㎛형성되어 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 캐소드 전극(126) 사이의 이격 거리가 최소 5㎛를 유지하도록 한다. 이에 따라, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 캐소드 전극(126) 사이에 형성되는 기생커패시터의 용량값을 최소화할 수 있어 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 캐소드 전극(126) 간의 커플링(coupling)에 의한 상호 영향을 방지할 수 있다. 한편, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 캐소드 전극(126) 사이의 이격 거리가 5㎛미만인 경우, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 캐소드 전극(126) 간의 커플링(coupling)에 의한 상호 영향으로 터치 성능이 저하된다.A touch buffer layer 166 is disposed on the encapsulation unit 140 . The touch buffer layer 166 is formed between each of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 and the light emitting device 120 by 500 Å to 5 μm to form the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 . ) and the cathode electrode 126 to maintain at least 5 μm. Accordingly, it is possible to minimize the capacitance value of the parasitic capacitor formed between each of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 and the cathode electrode 126 , and thus the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 . ) and each and the cathode electrode 126 can be prevented from mutual influence due to coupling (coupling). On the other hand, when the separation distance between each of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 and the cathode electrode 126 is less than 5 μm, each of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 and the cathode The touch performance is deteriorated due to mutual influence due to coupling between the electrodes 126 .

또한, 터치 버퍼막(166)은 터치 버퍼막(166) 상에 배치되는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)의 제조 공정시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기 발광층(124)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 터치 버퍼막(166)은 약액 또는 수분에 취약한 유기 발광층(124)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, the touch buffer layer 166 may include a chemical solution (developer or etchant, etc.) used in the manufacturing process of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 disposed on the touch buffer layer 166 or moisture from the outside. Penetrating into the organic light emitting layer 124 may be blocked. Accordingly, the touch buffer layer 166 may prevent damage to the organic light emitting layer 124 that is vulnerable to a chemical solution or moisture.

터치 버퍼막(166)은 고온에 취약한 유기 발광층(124)의 손상을 방지하기 위해 100도(℃) 이하의 저온에서 형성 가능하고 1~3의 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성된다. 예를 들어, 터치 버퍼막(166)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성된다. 유기 절연 재질로 평탄화성능을 가지는 터치 버퍼막(166)은 유기 발광 표시 장치의 휘어짐에 따른 봉지부(140) 내의 각 봉지층(142,144,146)의 손상 및 터치 버퍼막(166) 상에 형성되는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.The touch buffer layer 166 is formed of an organic insulating material that can be formed at a low temperature of 100 degrees (°C) or less and has a low dielectric constant of 1 to 3 in order to prevent damage to the organic light emitting layer 124, which is vulnerable to high temperature. For example, the touch buffer layer 166 is formed of an acryl-based, epoxy-based, or siloxan-based material. The touch buffer layer 166 having a planarization performance made of an organic insulating material is damaged due to bending of the organic light emitting display device and the encapsulation layers 142 , 144 , 146 in the encapsulation unit 140 are damaged and the touch sensing layer formed on the touch buffer layer 166 . Breaking of the line 154 and the touch driving line 152 may be prevented.

터치 버퍼막(166) 상에는 터치 절연막(168)을 사이에 두고 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)이 교차되게 배치된다.The touch sensing line 154 and the touch driving line 152 are disposed to cross each other on the touch buffer layer 166 with the touch insulating layer 168 interposed therebetween.

터치 구동 라인(152)은 다수의 제1 터치 전극들(152e)과, 다수의 제1 터치 전극들(152e) 사이를 전기적으로 연결하는 제1 브릿지들(152b)을 구비한다.The touch driving line 152 includes a plurality of first touch electrodes 152e and first bridges 152b electrically connecting the plurality of first touch electrodes 152e.

다수의 제1 터치 전극들(152e)은 터치 버퍼막(166) 상에서 Y 방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제1 터치 전극들(152e) 각각은 제1 브릿지(152b)를 통해 인접한 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 연결된다.The plurality of first touch electrodes 152e are spaced apart from each other at regular intervals along the Y direction on the touch buffer layer 166 . Each of the plurality of first touch electrodes 152e is electrically connected to an adjacent first touch electrode 152e through a first bridge 152b.

제1 브릿지(152b)는 제1 터치 전극(152e)과 동일 평면인 터치 버퍼막(166) 상에 배치되어 별도의 컨택홀 없이 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 접속된다.The first bridge 152b is disposed on the touch buffer layer 166 on the same plane as the first touch electrode 152e and is electrically connected to the first touch electrode 152e without a separate contact hole.

터치 센싱 라인(154)은 다수의 제2 터치 전극들(154e)과, 다수의 제2 터치 전극들(154e) 사이를 전기적으로 연결하는 제2 브릿지들(154b)을 구비한다.The touch sensing line 154 includes a plurality of second touch electrodes 154e and second bridges 154b electrically connecting the plurality of second touch electrodes 154e.

다수의 제2 터치 전극들(154e)은 터치 버퍼막(166) 상에서 X방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제2 터치 전극들(154e) 각각은 제2 브릿지(154b)를 통해 인접한 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 연결된다.The plurality of second touch electrodes 154e are spaced apart from each other at regular intervals along the X direction on the touch buffer layer 166 . Each of the plurality of second touch electrodes 154e is electrically connected to an adjacent second touch electrode 154e through a second bridge 154b.

제2 브릿지(154b)는 터치 절연막(168) 상에 형성되며 터치 절연막 (168)을 관통하는 터치 컨택홀(150)을 통해 노출되어 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 접속된다. 이 제2 브릿지(154b)는 제1 브릿지(152b)와 마찬가지로 뱅크(128)와 중첩되도록 배치되므로 제1 및 제2 브릿지(152b,154b)에 의해 개구율이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The second bridge 154b is formed on the touch insulating layer 168 and is exposed through the touch contact hole 150 penetrating the touch insulating layer 168 to be electrically connected to the second touch electrode 154e. Since the second bridge 154b is disposed to overlap the bank 128 like the first bridge 152b, it is possible to prevent the aperture ratio from being damaged by the first and second bridges 152b and 154b.

이와 같이, 터치 센싱 라인들(154)은 터치 구동 라인(152)과 터치 절연막(168)을 사이에 두고 서로 교차함으로써 터치 센싱 라인(154)과 터치 구동 라인(152)의 교차부에는 상호 정전 용량(mutual capacitance)(Cm)이 형성된다. 이에 따라, 상호 정전 용량(Cm)은 터치 구동 라인(152)에 공급되는 터치 구동 펄스에 의해 전하를 충전하고, 충전된 전하를 터치 센싱 라인(154)으로 방전함으로써 터치 센서의 역할을 하게 된다.As described above, the touch sensing lines 154 cross each other with the touch driving line 152 and the touch insulating layer 168 interposed therebetween, so that mutual capacitance is formed at the intersection of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 . (mutual capacitance) (Cm) is formed. Accordingly, the mutual capacitance Cm is charged with a touch driving pulse supplied to the touch driving line 152 , and discharged to the touch sensing line 154 , thereby serving as a touch sensor.

한편, 본 발명의 터치 구동 라인(152)은 제1 라우팅 라인(156) 및 터치 구동 패드(170)를 통해 터치 구동부(도시하지 않음)와 연결된다. 그리고, 터치 센싱 라인(154)은 제2 라우팅 라인(186) 및 터치 센싱 패드(180)를 통해 터치 구동부와 연결된다.Meanwhile, the touch driving line 152 of the present invention is connected to a touch driving unit (not shown) through the first routing line 156 and the touch driving pad 170 . In addition, the touch sensing line 154 is connected to the touch driver through the second routing line 186 and the touch sensing pad 180 .

제1 라우팅 라인(156)은 라우팅 컨택홀(158)을 통해 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 연결되므로 터치 구동 패드(170)로부터의 터치 구동 펄스를 터치 구동 라인(152)에 전송한다. 제2 라우팅 라인(186)은 라우팅 컨택홀(188)을 통해 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 연결되어 터치 센싱 라인(154)으로부터의 터치 신호를 터치 센싱 패드(180)에 전송한다.Since the first routing line 156 is electrically connected to the first touch electrode 152e through the routing contact hole 158 , a touch driving pulse from the touch driving pad 170 is transmitted to the touch driving line 152 . The second routing line 186 is electrically connected to the second touch electrode 154e through the routing contact hole 188 to transmit a touch signal from the touch sensing line 154 to the touch sensing pad 180 .

제1 및 제2 라우팅 라인(156,186) 각각은 제1 라우팅층(156a)과, 제1 라우팅층(156a) 상에 적층된 제2 라우팅층(156b)으로 형성된다. 제1 라우팅층으로는 Al, Ti, Cu, Mo와 같은 내식성 및 내산성이 강하고 전도성이 좋은 제1 도전층을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 제1 도전층은 Ti/Al/Ti 또는 Mo/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성된다. 그리고, 제2 라우팅층은 내식성 및 내산성이 강한 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전층인 제3 도전층으로 형성된다.Each of the first and second routing lines 156 and 186 is formed of a first routing layer 156a and a second routing layer 156b laminated on the first routing layer 156a. The first routing layer is formed in a single-layer or multi-layer structure using a first conductive layer with good conductivity and corrosion resistance and acid resistance such as Al, Ti, Cu, Mo. For example, the first conductive layer is formed in a three-layered structure such as Ti/Al/Ti or Mo/Al/Mo. And, the second routing layer is formed of a third conductive layer that is a transparent conductive layer such as ITO or IZO with strong corrosion resistance and acid resistance.

터치 구동 패드(170) 및 터치 센싱 패드(180) 각각은 패드 전극(172)과, 그 패드 전극(172) 상에 패드 전극(172)을 덮도록 배치된 패드 커버 전극(174)으로 이루어진다.Each of the touch driving pad 170 and the touch sensing pad 180 includes a pad electrode 172 and a pad cover electrode 174 disposed on the pad electrode 172 to cover the pad electrode 172 .

패드 전극(172)은 제1 및 제2 라우팅 라인(156,186)의 제1 라우팅층(156a)으로부터 신장되어 형성된다. 이에 따라, 패드 전극(172)은 제1 라우팅층(156a)과 동일 재질인 제1 도전층으로 이루어진다. 패드 커버 전극(174)은 제2 라우팅층(156b)으로부터 신장되어 형성된다. 이에 따라, 패드 커버 전극(174)은 제2 라우팅층(156b)과 동일 재질인 제3 도전층으로 형성된다. 이러한 패드 커버 전극(174)은 터치 보호막(도시하지 않음)에 의해 노출되도록 형성됨으로써 터치 구동부가 실장된 신호 전송 필름과 접속된다. 여기서, 터치 보호막은 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)을 덮도록 형성되어 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)이 외부의 수분 등에 의해 부식되는 것을 방지한다. 이러한 터치 보호막은 유기 절연 재질로 형성되거나, 원편광판 또는 에폭시 또는 아크릴 재질의 필름 형태로 형성된다.The pad electrode 172 is formed extending from the first routing layer 156a of the first and second routing lines 156 and 186 . Accordingly, the pad electrode 172 is made of a first conductive layer of the same material as the first routing layer (156a). The pad cover electrode 174 is formed extending from the second routing layer 156b. Accordingly, the pad cover electrode 174 is formed of a third conductive layer of the same material as the second routing layer (156b). The pad cover electrode 174 is formed to be exposed by a touch protection film (not shown), so that it is connected to the signal transmission film on which the touch driver is mounted. Here, the touch protection layer is formed to cover the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 to prevent the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 from being corroded by external moisture. Such a touch protection layer is formed of an organic insulating material, a circular polarizing plate, or a film of an epoxy or acrylic material.

한편, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 전계 발광 표시 장치는 유기 발광층(124)이 형성된 이후, 고온에 취약한 유기 보호층(124)을 보호하기 위해 저온(약 100도이하)에서 제조 공정이 진행된다. 이에 따라, 유기 발광층(124) 상부에 배치되는 도전 박막층 및 절연 박막층 각각의 재질에 따라서 제조 공정을 달리한다.On the other hand, in the organic light emitting display device having a touch sensor according to the present invention, after the organic light emitting layer 124 is formed, the manufacturing process is performed at a low temperature (about 100 degrees or less) to protect the organic protective layer 124 vulnerable to high temperature. do. Accordingly, the manufacturing process is different according to the material of each of the conductive thin film layer and the insulating thin film layer disposed on the organic light emitting layer 124 .

구체적으로, 유기 발광층(124) 상부에 배치되는 봉지부(140)의 유기 봉지층(144), 터치 절연막(168) 및 터치 버퍼막(166) 중 적어도 어느 하나의 절연 박막층이 아크릴 계열(Photoacryl), 에폭시 계열, Parylene-C, Parylene-N, Parylene-F 또는 실록산 계열의 유기막으로 형성되는 경우, 그 절연 박막층은 기판(111) 상에 코팅된 후 100도 이하의 온도에서 큐어링된다.Specifically, the insulating thin film layer of at least one of the organic encapsulation layer 144, the touch insulating layer 168, and the touch buffer layer 166 of the encapsulation unit 140 disposed on the organic light emitting layer 124 is acrylic (Photoacryl) , epoxy-based, Parylene-C, Parylene-N, Parylene-F, or siloxane-based organic film, the insulating thin film layer is coated on the substrate 111 and then cured at a temperature of 100 degrees or less.

그리고, 유기 발광층(124) 상부에 배치되는 봉지부(140)의 무기 봉지층(142,146), 터치 절연막(168) 및 터치 버퍼막(166) 중 적어도 어느 하나의 절연 박막층이 SiNx, SiON, 또는 SiO2와 같은 무기막으로 형성되는 경우, 그 절연 박막층은 기판 상에 저온 증착 및 세정을 적어도 2회 반복함으로써 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 터치 절연막(168)은 도 4에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 터치 절연막(168a,168b,168c)을 포함하는 3층 구조로 형성된다. 여기서, 무기막의 절연 박막층을 저온 증착공정으로 형성하게 되면, 증착 공정시 활성화 에너지가 낮아 발생되는 미반응 물질에 의해 무기막의 절연 박막층에 파티클(Particle)이 형성된다. 이 파티클이 세정 공정을 통해 제거되면, 파티클이 제거된 위치의 무기막의 절연 박막층에는 공극이 형성된다. 이 공극을 통해 수분이 침투되는 것을 방지하기 위해 무기막의 절연 박막층은 다층으로 형성함으로써 무기막의 절연 박막층의 공극은 상부에 위치하는 절연 박막층에 의해 차폐된다. 한편, 봉지부(140), 터치 절연막(168) 및 터치 버퍼막(166) 중 적어도 어느 하나의 절연 박막층은 다층 구조로 형성시, 각 층이 동일 재질로 형성되거나 적어도 한 층이 나머지 층과 다른 재질로 형성된다.In addition, the insulating thin film layer of at least one of the inorganic encapsulation layers 142 and 146 , the touch insulating layer 168 , and the touch buffer layer 166 of the encapsulation unit 140 disposed on the organic light emitting layer 124 is SiNx, SiON, or SiO2 When formed of an inorganic film such as , the insulating thin film layer is formed into a multilayer structure by repeating low-temperature deposition and cleaning at least twice on the substrate. For example, as shown in FIG. 4 , the touch insulating layer 168 is formed in a three-layer structure including the first to third touch insulating layers 168a, 168b, and 168c. Here, when the insulating thin film layer of the inorganic film is formed by a low-temperature deposition process, particles are formed in the insulating thin film layer of the inorganic film by unreacted materials generated due to low activation energy during the deposition process. When these particles are removed through the cleaning process, voids are formed in the insulating thin film layer of the inorganic film at the position where the particles are removed. In order to prevent moisture from penetrating through the pores, the insulating thin film layer of the inorganic film is formed in multiple layers, so that the pores of the insulating thin film layer of the inorganic film are shielded by the insulating thin film layer located thereon. On the other hand, when the insulating thin film layer of at least one of the encapsulation unit 140 , the touch insulating film 168 and the touch buffer film 166 is formed in a multi-layer structure, each layer is formed of the same material or at least one layer is different from the other layers. made of material.

그리고,유기 발광층(124) 상부에 배치되는 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e), 제1 및 제2 브릿지(152b,154b), 제1 및 제2 라우팅 라인(156,186), 터치 센싱 패드(180) 및 터치 구동 패드(170) 중 적어도 어느 하나의 도전 박막층이 금속 재질로 형성되는 경우, 도전 박막층은 상온 증착공정을 통해 형성된다. 또한, 유기 발광층(124) 상부에 배치되는 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e), 제1 및 제2 브릿지(152b,154b), 제1 및 제2 라우팅 라인(156,186), 터치 센싱 패드(180) 및 터치 구동 패드(170) 중 적어도 어느 하나의 도전 박막층이 전도성 폴리머로 형성되는 경우, 도전 박막층은 기판 상에 코팅된 후 100도 이하의 온도에서 큐어링된다.In addition, first and second touch electrodes 152e and 154e, first and second bridges 152b and 154b, first and second routing lines 156 and 186 disposed on the organic light emitting layer 124, and a touch sensing pad When the conductive thin film layer of at least one of 180 and the touch driving pad 170 is formed of a metal material, the conductive thin film layer is formed through a room temperature deposition process. In addition, first and second touch electrodes 152e and 154e, first and second bridges 152b and 154b, first and second routing lines 156 and 186 disposed on the organic light emitting layer 124, and a touch sensing pad When the conductive thin film layer of at least one of 180 and the touch driving pad 170 is formed of a conductive polymer, the conductive thin film layer is coated on a substrate and then cured at a temperature of 100 degrees or less.

그리고, 유기 발광층(124) 상부에 배치되는 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e), 제1 및 제2 브릿지(152b,154b), 제1 및 제2 라우팅 라인(156,186), 터치 센싱 패드(180) 및 터치 구동 패드(170) 중 적어도 어느 하나의 도전 박막층이 투명 도전층으로 형성되는 경우, 도전 박막층은 100도 이상의 열처리 공정없이 스퍼터링 등의 증착 공정을 통해 상온 증착된다. 이에 따라, 저온 공정으로 형성된 도전 박막층은 비정질의 특성을 가지게 되며 도전 박막층 하부에 배치되는 유기 발광층(124)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, first and second touch electrodes 152e and 154e, first and second bridges 152b and 154b, first and second routing lines 156 and 186, and a touch sensing pad disposed on the organic light emitting layer 124 . When the conductive thin film layer of at least one of 180 and the touch driving pad 170 is formed as a transparent conductive layer, the conductive thin film layer is deposited at room temperature through a deposition process such as sputtering without a heat treatment process of 100 degrees or more. Accordingly, the conductive thin film layer formed by the low temperature process has an amorphous characteristic, and it is possible to prevent damage to the organic light emitting layer 124 disposed under the conductive thin film layer.

또한, 저온 공정으로, 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154)이 형성하는 경우에도, 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154)의 재질인 투명 도전층은 그 투명 도전층 하부에 배치되는 하부막의 재질에 따라 비정질과 결정질로 형성된다. 즉, 투명 도전층은 무기막보다는 유기막 상에서 비정질로 형성된다. 유기막은 결정질 성장을 위한 시드(seed) 형성을 방해하는 수소기를 무기막보다 많이 함유하고 있어 유기막 상에 형성되는 투명 도전층은 결정화율이 낮아 비정질로 성장한다. 반면에, 무기막은 결정질 성장을 위한 시드(seed) 형성을 방해하는 수소기가 상대적으로 적어 무기막 상에 형성되는 투명 도전층은 결정화율이 높아 결정질로 성장한다.In addition, even when the touch driving line 152 and the touch sensing line 154 are formed through a low-temperature process, the transparent conductive layer, which is a material of the touch driving line 152 and the touch sensing line 154, is formed below the transparent conductive layer. It is formed in amorphous or crystalline form depending on the material of the lower layer disposed on the . That is, the transparent conductive layer is formed in an amorphous form on the organic layer rather than the inorganic layer. Since the organic layer contains more hydrogen groups than the inorganic layer that prevents the formation of seeds for crystalline growth, the transparent conductive layer formed on the organic layer has a low crystallization rate and grows amorphous. On the other hand, since the inorganic layer has relatively few hydrogen groups that prevent the formation of seeds for crystalline growth, the transparent conductive layer formed on the inorganic layer has a high crystallinity and grows crystalline.

이에 따라, 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154) 하부에 배치되는 터치 버퍼막(166) 및 터치 절연막(168)이 유기막으로 형성되는 경우, 저온 공정으로 형성되는 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154)은 비정질로 성장한다. 그리고, 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154) 하부에 배치되는 터치 버퍼막(166) 및 터치 절연막(168)이 무기막으로 형성되는 경우, 저온 공정으로 형성되는 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154)은 결정질로 성장한다. 그리고, 터치 버퍼막(166) 및 터치 절연막(168) 중 어느 하나가 유기막(무기막)으로 형성되는 경우, 그 유기막 상에 배치되는 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154)에 포함된 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과, 제1 및 제2 브릿지(152b,154b) 중 적어도 어느 하나는 저온 공정에서 비정질(결정질) 투명 도전막으로 형성된다.Accordingly, when the touch buffer layer 166 and the touch insulating layer 168 disposed below the touch driving line 152 and the touch sensing line 154 are formed of an organic layer, the touch driving line 152 is formed by a low-temperature process. ) and the touch sensing line 154 grow amorphous. In addition, when the touch buffer layer 166 and the touch insulating layer 168 disposed under the touch driving line 152 and the touch sensing line 154 are formed of an inorganic layer, the touch driving line 152 is formed by a low-temperature process. and the touch sensing line 154 grows crystalline. In addition, when any one of the touch buffer film 166 and the touch insulating film 168 is formed of an organic film (inorganic film), the touch driving line 152 and the touch sensing line 154 disposed on the organic film At least one of the included first and second touch electrodes 152e and 154e and the first and second bridges 152b and 154b is formed of an amorphous (crystalline) transparent conductive film in a low-temperature process.

이와 같이, 제1 터치 전극(152e) 및 제1 브릿지(152b)를 가지는 터치 구동 라인(152)과, 제2 터치 전극(154e) 및 제2 브릿지(154b)를 가지는 터치 센싱 라인(154) 중 적어도 어느 하나는 비정질(또는 결정질)의 투명 도전층으로 형성된다. 100Å ~1000Å 두께의 비정질(또는 결정질) 투명 도전층으로 형성되는 터치 구동 라인 및 터치 센싱 라인 각각의 저항은 약 40Ω/□~150Ω/□이하로 저저항 특성을 가지므로, 빠른 응답 속도를 유지할 수 있다. 또한, 100Å ~1000Å 두께의 비정질(또는 결정질) 투명 도전층으로 형성되는 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154) 각각의 투과율은 약 80%~90%이상으로 고투과율을 얻을 수 있다.As such, among the touch driving line 152 having the first touch electrode 152e and the first bridge 152b and the touch sensing line 154 having the second touch electrode 154e and the second bridge 154b At least one of them is formed of an amorphous (or crystalline) transparent conductive layer. The resistance of each of the touch driving line and the touch sensing line formed of an amorphous (or crystalline) transparent conductive layer with a thickness of 100 Å to 1000 Å has a low resistance of about 40 Ω/□ to 150Ω/□ or less, so a fast response speed can be maintained. there is. In addition, the transmittance of each of the touch driving line 152 and the touch sensing line 154 formed of an amorphous (or crystalline) transparent conductive layer having a thickness of 100 Å to 1000 Å is about 80% to 90% or more, and high transmittance can be obtained.

이와 같이, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치에서는 유기 발광층(124) 상부에 배치되는 각 박막층(예를 들어, 터치 전극, 터치 버퍼막, 터치 절연막 등)을 저온 공정으로 형성함으로써 고온에 취약한 유기 발광층(124)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 종래 유기 발광 표시 장치는 접착제를 통해 터치 스크린이 유기 발광 표시 장치에 부착되는 반면에 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 봉지부(140) 상에 터치 전극들(152e,154e)이 배치됨으로써 별도의 접착 공정이 불필요해져 공정이 단순화되며 비용을 저감할 수 있다.As described above, in the organic light emitting diode display having a touch sensor according to the present invention, each thin film layer (eg, a touch electrode, a touch buffer film, a touch insulating film, etc.) disposed on the organic light emitting layer 124 is formed through a low temperature process to form a high temperature It is possible to prevent damage to the organic light emitting layer 124, which is vulnerable to light exposure. In addition, in the conventional organic light emitting display device, the touch screen is attached to the organic light emitting display device through an adhesive, whereas in the organic light emitting display device according to the present invention, the touch electrodes 152e and 154e are disposed on the encapsulation unit 140 . Since a separate bonding process is not required, the process is simplified and the cost can be reduced.

도 5a 내지 도 5d는 도 3에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.5A to 5D are plan views and cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting display device having the touch sensor illustrated in FIG. 3 .

도 5a를 참조하면, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 애노드 전극(122), 유기 발광층(124), 캐소드 전극(126) 및 봉지부(140)가 형성된 기판(111) 상에 터치 버퍼막(166)과, 제1 및 제2 라우팅 라인(156,186) 각각의 제1 라우팅층(156a)과, 터치 구동 패드(170) 및 터치 센싱 패드(180) 각각의 패드 전극(172)이 형성된다.Referring to FIG. 5A , the touch buffer layer 166 and the , the first and second routing lines 156 and 186, respectively, the first routing layer 156a, and the touch driving pad 170 and the touch sensing pad 180, respectively, the pad electrode 172 is formed.

구체적으로, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 애노드 전극(122), 유기 발광층(124), 캐소드 전극(126) 및 봉지부(140)가 형성된 기판(111) 상에 메탈 마스크를 이용하여 유기 절연 물질을 코팅한 후 100도 이하의 큐어링 온도에서 큐어링함으로서 터치 버퍼막(166)이 형성된다. 그런 다음, 터치 버퍼막(166) 상에 제1 도전층이 스퍼터링을 이용한 증착 공정을 통해 상온에서 전면 증착된 후, 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 제1 도전층이 패터닝됨으로써 제1 라우팅층(156a) 과 패드 전극(172)이 형성된다. 여기서, 제1 도전층은 Al, Ti, Cu, Mo와 같은 내식성 및 내산성이 강한 금속을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 예를 들어, 제1 도전층은 Ti/Al/Ti 또는 Mo/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성된다.Specifically, an organic insulating material is coated on the substrate 111 on which the switching transistor, the driving transistor, the anode electrode 122, the organic emission layer 124, the cathode electrode 126, and the encapsulation unit 140 are formed using a metal mask. After curing, the touch buffer layer 166 is formed by curing at a curing temperature of 100 degrees or less. Then, after the first conductive layer is deposited over the entire surface at room temperature through a deposition process using sputtering on the touch buffer film 166, the first conductive layer is patterned by a photolithography process and an etching process, whereby the first routing layer 156a ) and the pad electrode 172 are formed. Here, the first conductive layer is formed in a single-layer or multi-layer structure using a metal having strong corrosion resistance and acid resistance such as Al, Ti, Cu, and Mo. For example, the first conductive layer is formed in a three-layered structure such as Ti/Al/Ti or Mo/Al/Mo.

도 5b를 참조하면, 제1 라우팅층(156a)과 패드 전극(172)이 형성된 기판(111) 상에 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과 제1 브릿지(152b)가 형성된다.Referring to FIG. 5B , the first and second touch electrodes 152e and 154e and the first bridge 152b are formed on the substrate 111 on which the first routing layer 156a and the pad electrode 172 are formed.

구체적으로, 1 라우팅층(156a)과 패드 전극(172)이 형성된 기판(111) 상에 제2 도전층이 전면 증착된다. 여기서, 제2 도전층으로 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전층이 이용되는 경우, 투명 도전층은 상온에서 스퍼터링 등과 같은 증착 방법으로 상온으로 형성된다. 그리고, 제2 도전층으로 전도성 폴리머가 이용되는 경우, 전도성 폴리머는 기판 상에 코팅된 후, 100도 이하의 온도에서 경화(curing)된다. 그런 다음, 제2 도전층이 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝됨으로써 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과 제1 브릿지(152b)가 형성된다.Specifically, the first routing layer 156a and the second conductive layer on the substrate 111 formed with the pad electrode 172 is deposited over the entire surface. Here, when a transparent conductive layer such as ITO or IZO is used as the second conductive layer, the transparent conductive layer is formed at room temperature by a deposition method such as sputtering at room temperature. And, when a conductive polymer is used as the second conductive layer, the conductive polymer is coated on a substrate and then cured at a temperature of 100 degrees or less. Then, the second conductive layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form first and second touch electrodes 152e and 154e and a first bridge 152b.

도 5c를 참조하면, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과 제1 브릿지(152b)가 형성된 기판(111) 상에 터치 컨택홀(150) 및 라우팅 컨택홀(158)을 가지는 터치 절연막(168)이 형성된다.Referring to FIG. 5C , a touch insulating film having a touch contact hole 150 and a routing contact hole 158 on the substrate 111 on which the first and second touch electrodes 152e and 154e and the first bridge 152b are formed. (168) is formed.

구체적으로, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)과 제1 브릿지(152b)가 형성된 기판(111) 상에 증착 또는 코팅 공정을 통해 500Å~5㎛두께의 터치 절연막(168)이 형성된다. 여기서, 터치 절연막(168)으로 유기막이 이용되는 경우, 유기막은 기판 상에 코팅된 후, 100도 이하의 온도에서 경화(curing)됨으로써 터치 절연막(168)이 형성된다. 터치 절연막(168)으로 무기막이 이용되는 경우, 저온 CVD 증착 공정과 세정 공정을 적어도 2회 반복함으로써 다층 구조의 터치 절연막(168)이 형성된다. 그런 다음, 터치 절연막(168)이 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝됨으로써 터치 컨택홀(150) 및 라우팅 컨택홀(158)이 형성된다.Specifically, a 500 Å to 5 μm thick touch insulating layer 168 is formed on the substrate 111 on which the first and second touch electrodes 152e and 154e and the first bridge 152b are formed through a deposition or coating process. . Here, when an organic layer is used as the touch insulating layer 168 , the organic layer is coated on a substrate and then cured at a temperature of 100 degrees or less to form the touch insulating layer 168 . When an inorganic layer is used as the touch insulating layer 168 , the touch insulating layer 168 having a multilayer structure is formed by repeating the low-temperature CVD deposition process and the cleaning process at least twice. Then, the touch insulating layer 168 is patterned by a photolithography process and an etching process to form a touch contact hole 150 and a routing contact hole 158 .

도 5d를 참조하면, 터치 컨택홀(150) 및 라우팅 컨택홀(158)을 가지는 터치 절연막(168)이 형성된 기판(111) 상에 제2 브릿지(154b), 제1 및 제2 라우팅 라인(156,186) 각각의 제2 라우팅층(156b)과, 터치 구동 패드(170) 및 터치 센싱 패드(180) 각각의 패드 커버 전극(174)이 형성된다.Referring to FIG. 5D , a second bridge 154b, first and second routing lines 156 and 186 on a substrate 111 on which a touch insulating film 168 having a touch contact hole 150 and a routing contact hole 158 is formed. ) Each of the second routing layer 156b, the touch driving pad 170 and the touch sensing pad 180, respectively, the pad cover electrode 174 is formed.

구체적으로, 터치 컨택홀(150) 및 라우팅 컨택홀(158)을 가지는 터치 절연막(168)이 형성된 기판(111) 상에 제3 도전층이 형성된다. 여기서, 제3 도전층으로 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전층 또는 Al, Ti, Cu, Mo와 같은 내식성 및 내산성이 강한 금속이 이용되는 경우, 제3 도전층은 상온에서 스퍼터링 등과 같은 증착 방법으로 상온으로 형성된다. 그리고, 제3 도전층으로 전도성 폴리머가 이용되는 경우, 전도성 폴리머는 기판 상에 코팅된 후, 100도 이하의 온도에서 경화(curing)된다. 그런 다음, 제3 도전층이 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝됨으로써 제2 브릿지(154b), 제2 라우팅층(156b)과, 패드 커버 전극(174)이 형성된다.Specifically, a third conductive layer is formed on the substrate 111 on which the touch insulating film 168 having the touch contact hole 150 and the routing contact hole 158 is formed. Here, when a transparent conductive layer such as ITO or IZO or a metal with strong corrosion resistance and acid resistance such as Al, Ti, Cu, Mo is used as the third conductive layer, the third conductive layer is formed at room temperature by a deposition method such as sputtering at room temperature. is formed with And, when a conductive polymer is used as the third conductive layer, the conductive polymer is coated on a substrate and then cured at a temperature of 100 degrees or less. Then, the third conductive layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form a second bridge 154b , a second routing layer 156b , and a pad cover electrode 174 .

도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display having a touch sensor according to a second exemplary embodiment.

도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 봉지부(140) 또는 터치 버퍼막(166) 상에 배치되는 컬러 필터(192)를 더 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting diode display shown in FIG. 6 is compared to the organic light emitting display shown in FIG. 3 except that the color filter 192 is further provided on the encapsulation unit 140 or the touch buffer layer 166 . has the same components. Accordingly, detailed descriptions of the same components will be omitted.

컬러 필터(192)는 터치 버퍼막(166)과 함께 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120)에 사이에 형성된다. 이 컬러 필터(192) 및 터치 버퍼막(166)에 의해 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 사이의 이격 거리가 멀어진다. 이에 따라, 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 사이에 형성되는 기생커패시터의 용량값을 최소화할 수 있어 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 각각과, 발광 소자(120) 간의 커플링(coupling)에 의한 상호 영향을 방지할 수 있다. 또한, 터치 버퍼막(166) 및 컬러 필터(192)는 터치 버퍼막(166) 상에 배치되는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152)의 제조 공정시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기 발광층(124)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 터치 버퍼막(166) 및 컬러 필터(192)는 약액 또는 수분에 취약한 유기 발광층(124)의 손상을 방지할 수 있다.The color filter 192 is formed between each of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 and the light emitting device 120 together with the touch buffer layer 166 . The separation distance between each of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 and the light emitting device 120 is increased by the color filter 192 and the touch buffer layer 166 . Accordingly, the capacitance value of the parasitic capacitor formed between each of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 and the light emitting element 120 can be minimized, so that the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 can be minimized. ) each and the light emitting device 120 can be prevented from mutually influenced by a coupling (coupling). In addition, the touch buffer layer 166 and the color filter 192 include a chemical solution (developer or etchant, etc.) used in the manufacturing process of the touch sensing line 154 and the touch driving line 152 disposed on the touch buffer layer 166 . ) or moisture from the outside may be blocked from penetrating into the organic light emitting layer 124 . Accordingly, the touch buffer layer 166 and the color filter 192 may prevent damage to the organic light emitting layer 124 that is vulnerable to chemical or moisture.

이러한 컬러 필터들(192) 사이에는 블랙매트릭스(194)가 배치된다. 블랙 매트릭스(194)는 각 서브 화소 영역을 구분함과 아울러 인접한 서브 화소 영역 간의 광간섭 및 빛샘을 방지하는 역할을 하게 된다. 이러한 블랙매트릭스(194)는 고저항의 블랙 절연 재질로 형성되거나, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 컬러 필터(192) 중 적어도 2색의 컬러 필터가 적층되어 형성된다.A black matrix 194 is disposed between these color filters 192 . The black matrix 194 serves to separate each sub-pixel area and prevent optical interference and light leakage between adjacent sub-pixel areas. The black matrix 194 is formed of a high-resistance black insulating material or formed by stacking color filters of at least two colors among the red (R), green (G), and blue (B) color filters 192 .

이와 같이, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치에서는 유기 발광층(124) 상에 배치되는 각 박막층(예를 들어, 터치 전극, 터치 버퍼막, 터치 절연막 등)을 저온 공정으로 형성함으로써 고온에 취약한 유기 발광층의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 종래 유기 발광 표시 장치는 접착제를 통해 터치 스크린이 유기 발광 표시 장치에 부착되는 반면에 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 봉지부(140) 상에 터치 전극들(152e,154e)이 배치됨으로써 별도의 접착 공정이 불필요해져 공정이 단순화되며 비용을 저감할 수 있다.As described above, in the organic light emitting diode display having a touch sensor according to the present invention, each thin film layer (eg, a touch electrode, a touch buffer film, a touch insulating film, etc.) disposed on the organic light emitting layer 124 is formed through a low temperature process to form a high temperature. It is possible to prevent damage to the organic light emitting layer, which is vulnerable to In addition, in the conventional organic light emitting display device, the touch screen is attached to the organic light emitting display device through an adhesive, whereas in the organic light emitting display device according to the present invention, the touch electrodes 152e and 154e are disposed on the encapsulation unit 140 . Since a separate bonding process is not required, the process is simplified and the cost can be reduced.

한편, 본 발명에서는 터치 센싱 라인(154)의 브릿지(154b) 및 제2 터치 전극(154e)이 서로 다른 평면 상에 배치되어 터치 컨택홀(150)을 통해 연결되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 터치 구동 라인(152)의 브릿지(152b) 및 제1 터치 전극(152e)이 서로 다른 평면 상에 배치되어 터치 컨택홀(150)을 통해 연결될 수도 있다. 또한, 본 발명에서는 교차하는 터치 센싱 라인(154) 및 터치 구동 라인(152) 사이에 형성되는 상호 용량 형태의 터치 센서를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 도 7에 도시된 자기(Self) 정전 용량 형태의 터치 센서(Cs)에도 적용될 수도 있다. 도 7에 도시된 다수의 터치 전극들(176) 각각은 전기적으로 독립된 자기 정전 용량을 가지므로, 사용자의 터치에 의한 정전 용량 변화를 감지하는 자기 용량 방식의 터치 센서(Cs)로 이용된다. 이러한 터치 전극(176)을 이용하는 자기 용량 센싱 방법은 터치 패드(170)를 통해 공급되는 구동 신호가 라우팅 라인(156)을 통해 터치 전극(176)에 인가되면, 전하(Q)가 터치 센서(Cs)에 축적된다. 이 때, 사용자의 손가락이나 전도성 물체가 터치 전극(154)에 접촉되면, 자기 용량 센서(Cs)에 추가로 기생 용량(Cf)이 연결되어 커패시턴스 값이 변한다. 따라서, 손가락이 터치된 터치 센서(Cs)와 그렇지 않은 터치 센서(Cs) 간에 커패시턴스(Capacitance) 값이 달라져 터치 여부를 판단할 수 있다. 이와 같은 도 7에 도시된 다수의 터치 전극들(176)들은 도 3에 도시된 상호 정전 용량 방식의 터치 전극들(152e,154e)과 마찬가지로 발광 소자(120)를 덮도록 배치된 봉지부(140) 또는 터치 버퍼막(166) 상에 배치된다. 이 경우, 도 7에 도시된 터치 전극들(176)과, 그 터치 전극들(176)과 접속된 라우팅 라인(156)은 저온(상온이상이고 100도 이하) 증착 공정을 통해 형성되어 비정질의 특성을 가지므로 터치 전극들(176) 형성시 유기 발광층(124)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, in the present invention, the bridge 154b and the second touch electrode 154e of the touch sensing line 154 are disposed on different planes and connected through the touch contact hole 150 as an example, but touch driving The bridge 152b of the line 152 and the first touch electrode 152e may be disposed on different planes and connected through the touch contact hole 150 . In addition, in the present invention, a mutual capacitive touch sensor formed between the intersecting touch sensing line 154 and the touch driving line 152 has been described as an example, but in addition, the self-capacitance type shown in FIG. 7 is used. It may also be applied to the touch sensor Cs. Since each of the plurality of touch electrodes 176 shown in FIG. 7 has an electrically independent self-capacitance, it is used as a self-capacitance touch sensor Cs for detecting a change in capacitance due to a user's touch. In the self-capacitance sensing method using the touch electrode 176 , when a driving signal supplied through the touch pad 170 is applied to the touch electrode 176 through the routing line 156 , the charge Q is applied to the touch sensor Cs ) is accumulated in At this time, when a user's finger or a conductive object comes into contact with the touch electrode 154 , the parasitic capacitance Cf is additionally connected to the self-capacitance sensor Cs, and the capacitance value changes. Accordingly, the capacitance value is different between the touch sensor Cs touched by the finger and the touch sensor Cs not touched by the finger, so that it is possible to determine whether a touch is made. The plurality of touch electrodes 176 shown in FIG. 7 is an encapsulant 140 disposed to cover the light emitting device 120 like the mutual capacitance touch electrodes 152e and 154e shown in FIG. 3 . ) or on the touch buffer layer 166 . In this case, the touch electrodes 176 shown in FIG. 7 and the routing line 156 connected to the touch electrodes 176 are formed through a low temperature (above room temperature and less than 100 degrees) deposition process to form an amorphous characteristic It is possible to prevent the organic light emitting layer 124 from being damaged when the touch electrodes 176 are formed.

뿐만 아니라, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)이 플레이트 형태의 투명 도전층인 제2 도전층으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 도 8에 도시된 바와 같이 메쉬 형태로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 및 제2 터치 전극(152e,154e)이 투명 도전층(1541)과, 그 투명 도전층(1541)의 상부 또는 하부에 메쉬 형태로 형성된 메쉬 금속막(1542)으로 이루어질 수도 있다. 이외에도 터치 전극(152e,154e)은 투명 도전층(1541)없이 메쉬 금속막(1542)으로만 이루어지거나, 메쉬 금속막(1542)없이 투명 도전층(1541)이 메쉬 형태로 형성될 수도 있다. 여기서, 메쉬 금속막(1542)은 투명 도전층(1541)보다 전도성이 좋아 터치 전극(152e,154e)을 저저항 전극으로 형성할 수 있다. 이에 따라, 터치 전극(152e,154e) 자체의 저항과 커패시턴스 감소되어 RC 시정수가 감소되어 터치 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 메쉬 형태 의 금속막(1542)의 선폭이 매우 얇아 메쉬 금속막(1542)으로 인해 개구율 및 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 터치 전극(152e,154e)과 다른 평면 상에 배치되는 브릿지(154b)는 도 8에 도시된 바와 같이 다수의 슬릿(151)을 구비할 수도 있다. 이에 따라, 다수의 슬릿(151)을 구비하는 브릿지는 슬릿(151)을 구비하지 않는 브릿지에 비해 면적이 줄일 수 있다. 이에 따라, 브릿지(154b)에 의한 외부광 반사를 줄일 수 있어 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이러한 슬릿(151)을 구비하는 브릿지(154b)는 투명 도전층 또는 불투명 도전층으로 형성된다. 불투명 도전층으로 브릿지(154b) 형성시 브릿지(154b)는 뱅크와 중첩됨으로써 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In addition, although it has been described as an example that the first and second touch electrodes 152e and 154e of the organic light emitting diode display according to the present invention are formed of a second conductive layer that is a plate-shaped transparent conductive layer, other examples are shown in FIG. 8 . It may be formed in the form of a mesh as described above. That is, the first and second touch electrodes 152e and 154e may include a transparent conductive layer 1541 and a mesh metal layer 1542 formed in a mesh shape on the upper or lower portions of the transparent conductive layer 1541 . In addition, the touch electrodes 152e and 154e may be formed of only the mesh metal layer 1542 without the transparent conductive layer 1541 , or the transparent conductive layer 1541 may be formed in a mesh shape without the mesh metal layer 1542 . Here, since the metal mesh layer 1542 has better conductivity than the transparent conductive layer 1541 , the touch electrodes 152e and 154e may be formed as low-resistance electrodes. Accordingly, the resistance and capacitance of the touch electrodes 152e and 154e themselves are reduced, so that the RC time constant is reduced, thereby improving touch sensitivity. In addition, since the line width of the metal film 1542 in the form of a mesh is very thin, it is possible to prevent deterioration of the aperture ratio and transmittance due to the metal film 1542 . Also, the bridge 154b disposed on a different plane from the touch electrodes 152e and 154e may include a plurality of slits 151 as shown in FIG. 8 . Accordingly, the area of the bridge including the plurality of slits 151 may be reduced compared to that of the bridge not including the slits 151 . Accordingly, reflection of external light by the bridge 154b can be reduced, and thus visibility can be prevented from being deteriorated. The bridge 154b having the slit 151 is formed of a transparent conductive layer or an opaque conductive layer. When the bridge 154b is formed with the opaque conductive layer, the bridge 154b overlaps the bank, thereby preventing a decrease in the aperture ratio.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the specification of the present invention do not limit the present invention. The scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technologies within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

142,144 : 무기 봉지층 146 : 유기 봉지층
152 : 터치 구동 라인 154 : 터치 센싱 라인 142,144: inorganic encapsulation layer 146: organic encapsulation layer
152: touch driving line 154: touch sensing line

Claims

a light emitting device disposed on the substrate;
an encapsulation unit disposed on the light emitting device;
a touch buffer layer disposed on the encapsulation unit;
a touch sensor disposed on the touch buffer layer and including a plurality of bridges and a plurality of touch electrodes made of an amorphous transparent conductive layer;
and a routing line connected to the plurality of touch electrodes on the substrate on which the light emitting device is disposed,
The routing line is formed along the side of the encapsulation part,
The plurality of bridges includes a slit,
and the routing line is a double layer.

The method of claim 1,
the touch sensor
a plurality of first touch electrodes;
a plurality of second touch electrodes spaced apart from the first touch electrodes;
a first bridge connecting the first touch electrodes to each other;
and a second bridge connecting the second touch electrodes to each other.

3. The method of claim 2,
The organic light emitting diode display further comprising a touch insulating layer disposed on any one of the first and second bridges.

4. The method of claim 3,
The touch insulating layer is an organic light emitting diode display having a multilayer structure.

3. The method of claim 2,
Any one of the first and second bridges is formed in a mesh shape on the touch buffer layer.

4. The method of claim 3,
At least one of the first and second touch electrodes is formed in a mesh shape on the touch insulating layer or the touch buffer layer.

3. The method of claim 2,
at least one of the first and second touch electrodes and the first and second bridges
The organic light emitting display device further comprising a metal film in the form of a mesh on an upper or lower portion of the amorphous transparent conductive layer.

8. The method of claim 7,
The metal layer is an organic light emitting diode display having a single-layer or multi-layer structure using Al, Ti, and Mo.

3. The method of claim 2,
At least one of the first and second touch electrodes, the first bridge, and the second bridge is formed of an amorphous transparent conductive layer.

3. The method of claim 2,
The first touch electrode is arranged in a first direction,
The second touch electrode is arranged in a second direction on the same plane as the first touch electrode.

4. The method of claim 3,
Any one of the first and second bridges is disposed between the touch insulating layer and the touch buffer layer.

4. The method of claim 3,
The first and second touch electrodes are disposed on the touch buffer layer or the touch insulating layer,
Any one of the first and second bridges is disposed on the touch buffer layer,
The other one of the first and second bridges is disposed on the touch insulating layer.

3. The method of claim 2,
Further comprising a bank disposed between the anode electrodes of the light emitting device,
The first and second bridges overlap the bank.

14. The method of claim 13,
black matrices overlapping the bank;
and a color filter disposed on the encapsulation part and disposed between the black matrices.

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The method of claim 1,
The routing line is in contact with a side surface of the touch buffer layer.

The method of claim 1,
and a touch pad disposed on an insulating layer exposed by the encapsulation part among a plurality of insulating layers disposed between the light emitting element and the substrate and connected to the routing line.

18. The method of claim 17,
a thin film transistor connected to the light emitting element;
a gate insulating layer disposed between the semiconductor layer of the thin film transistor and the gate electrode;
a protective film disposed between the semiconductor layer and the source and drain electrodes of the thin film transistor;
Further comprising a planarization film disposed on the source and drain electrodes of the thin film transistor,
The touch pad is disposed on any one of the gate insulating layer, the passivation layer, and the planarization layer.

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