KR101804121B1 - Organic light emitting device and manufacturing method the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 두께를 줄이고 제조 비용을 감소시킬 수 있는 정전용량 방식의 터치 센서(Touch Sensor)를 포함하는 유기 발광장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 유기발광 다이오드 및 사용자의 터치를 검출하기 위한 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치에 있어서, 백 플랜 기판; 상기 백 플랜 기판에 형성된 구동 TFT(thin film transistor); 상기 백 플랜 기판 상에 형성되어 픽셀 영역을 정의하는 뱅크; 상기 백 플랜 기판 상부 중에서 픽셀 영역에 형성된 유기발광 다이오드; 상기 구동 TFT와 유기발광 다이오드의 애노드 전극을 연결하는 데이터 컨택; 상기 백 플랜 기판 상의 게이트 절연층 상부에 형성된 센싱 전극; 상기 센싱 전극과 이격되도록 상기 게이트 절연층 상부에 형성된 드라이빙 전극; 및 상기 유기발광 다이오드를 봉지하는 봉지 글래스;를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting device including a capacitive touch sensor capable of reducing thickness and manufacturing cost, and a method of manufacturing the same.
An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode and a touch sensor for detecting a touch of a user, A driving TFT (thin film transistor) formed on the back plan substrate; A bank formed on the back plane substrate and defining a pixel region; An organic light emitting diode formed in a pixel region in an upper portion of the back plan substrate; A data contact for connecting the driving TFT and the anode electrode of the organic light emitting diode; A sensing electrode formed on the gate insulating layer on the back plan substrate; A driving electrode formed on the gate insulating layer to be spaced apart from the sensing electrode; And a sealing glass for sealing the organic light emitting diode.

Description

유기 발광장치와 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기 발광장치에 관한 것으로, 구체적으로 두께를 줄이고 제조 비용을 감소시킬 수 있는 정전용량 방식의 터치 센서(Touch Sensor)를 포함하는 유기 발광장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device including a capacitive touch sensor capable of reducing thickness and manufacturing cost, and a method of manufacturing the same.

최근에 들어 발광효율, 휘도, 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 평판 표시장치에 대한 수요가 증가하고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, there is an increasing demand for a flat panel display device having excellent luminous efficiency, luminance, viewing angle, and response speed.

평판 표시장치 중에서 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device)는 별도의 광원으로 백라이트가 필요하고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 기술적 한계가 있다.Of the flat panel display devices, a liquid crystal display device requires a backlight as a separate light source and has technical limitations in terms of brightness, contrast ratio, and viewing angle.

이에 따라, 자체발광이 가능하여 별도의 광원이 필요하지 않고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기 발광장치(Organic Light Emitting Device)에 대한 관심이 증대되고 있다.Accordingly, an organic light emitting device (Organic Light Emitting Device) which is relatively light in brightness, contrast ratio, viewing angle and the like is required to be self-emitting, so that there is no need for a separate light source.

이하에서는, 도면을 참조로 종래 기술에 따른 능동 매트릭스 방식의 유기 발광장치에 대해서 설명하기로 한다. 참고로, 이하 본 명세서에서는 '능동 매트릭스 방식의 유기 발광장치'를 간략하게 '유기 발광장치'로 칭하도록 한다.Hereinafter, an active matrix type organic light emitting device according to the related art will be described with reference to the drawings. Hereinafter, the 'active matrix type organic light emitting device' will be briefly referred to as an 'organic light emitting device' in this specification.

최근에 들어, 마우스나 키보드 등의 입력 장치를 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 스크린에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치 센서(터치 스크린)가 적용되고 있고, 누구나 쉽게 조작할 수 있는 장점으로 인해 적용이 점차 확대되고 있다.In recent years, a touch sensor (touch screen) has been applied which allows a user to input information directly to a screen by using a finger or a pen in place of an input device such as a mouse or a keyboard, The application is gradually expanding.

이러한, 터치 센서는 표시 패널과 결합되는 구조에 따라 표시 패널의 셀 내에 내화되는 인-셀 방식, 표시 패널 상부에 형성되는 온-셀 방식 및 표시 패널의 외부에 터치 스크린이 결합되는 애드-온 방식으로 구분될 수 있다.The touch sensor includes an in-cell type in which the touch panel is coupled to the display panel, an on-cell type in which the touch panel is coupled to the display panel, .

도 1은 표시 패널 외부에 터치 센서가 구비된 종래 기술에 따른 유기 발광장치의 구조를 간략히 나타내는 도면이다. 도 1에서는 복수의 픽셀 중 하나의 픽셀을 도시하고 있다.1 is a view schematically showing a structure of a conventional organic light emitting device having a touch sensor on the outside of a display panel. In Fig. 1, one of the plurality of pixels is shown.

도 1에서는 터치 센서(30)가 표시 패널(10)의 하부에 배치된 것으로 도시하고 있으나, 표시 패널(10)은 바텀 이미션(bottom emission) 방식으로 화상을 표시하므로 실제로 터치 센서(30)는 표시 패널(10) 상부에 배치되게 된다.1, the touch sensor 30 is disposed below the display panel 10. However, since the display panel 10 displays an image in a bottom emission manner, And is disposed above the display panel 10.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 유기 발광장치는 입력된 영상 신호에 따라 화상을 표시하는 표시 패널(10)과 상기 표시 패널(10) 상부에 배치되어 사용자의 터치를 감지하는 터치 센서(30, 터치 스크린)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting device according to the related art includes a display panel 10 for displaying an image according to an input image signal, a touch sensor 30 , A touch screen).

표시 패널(10)에 형성된 복수의 픽셀 각각은 TFT(Thin Film Transistor), OLED(Organic Light Emitting Diode) 및 스토리지 커패시터(미도시)를 포함한다.Each of the plurality of pixels formed on the display panel 10 includes a thin film transistor (TFT), an organic light emitting diode (OLED), and a storage capacitor (not shown).

TFT는 백 플랜 글래스(11) 상에 형성된 액티브층(12), 소스(13), 드레인(14), 게이트 절연층(15) 및 게이트(16)로 구성된다.The TFT is composed of the active layer 12, the source 13, the drain 14, the gate insulating layer 15 and the gate 16 formed on the back plane glass 11. [

TFT를 덮도록 백 플랜 글래스(11)의 전면에 층간 절연층(17, ILD: inter layer dielectric) 및 보호층(18, PAS)이 순차적으로 형성된다.An interlayer dielectric (ILD) and a protective layer 18 (PAS) are sequentially formed on the entire surface of the back plan glass 11 so as to cover the TFT.

층간 절연층(17) 및 보호층(18)의 일부 영역이 식각되어 소스(13)의 상면을 노출시키는 컨택홀 및 드레인(14)의 상면을 노출시키는 컨택홀이 형성되고, 상기 각각의 컨택홀 내에 데이터 컨택이 형성되어 있다.A contact hole exposing the top surface of the source 13 and a contact hole exposing the top surface of the drain 14 are formed by etching a part of the interlayer insulating layer 17 and the protective layer 18, A data contact is formed.

보호층(18)의 상면에는 화상이 표시되는 표시 영역 즉, 개구부를 정의하는 뱅크(19)가 형성되어 있다.On the upper surface of the protective layer 18, a display region in which an image is displayed, that is, a bank 19 defining an opening, is formed.

보호층(18)의 상면 중에서 TFT가 형성된 영역을 제외한 표시 영역 상에 인듐틴옥사이드(ITO)와 같은 투명 전도성 물질로 애노드(anode) 전극(21)이 형성되고, 상기 애노드 전극(21)은 상기 데이터 컨택을 통해 드레인과 접속된다.An anode electrode 21 is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) on the display region except the region where the TFT is formed in the upper surface of the protective layer 18, And is connected to the drain through a data contact.

애노드 전극(21) 상에는 인가된 전류에 의해 발광하는 발광층(22)이 형성되고, 상기 발광층(22) 상에 캐소드(cathode) 전극(23)이 형성되어 있다.A light emitting layer 22 that emits light by an applied current is formed on the anode electrode 21 and a cathode electrode 23 is formed on the light emitting layer 22.

상기 애노드 전극(21), 발광층(22) 및 캐소드 전극(23)으로 유기발광 다이오드(OLED)가 구성되고, TFT의 스위칭에 의해 유기발광 다이오드(OLED)에 전류가 공급됨으로써 발광하게 된다. 복수의 픽셀에 형성된 유기발광 다이오드(OLED)의 발광에 의해 화상을 표시하게 된다.The organic light emitting diode OLED is constituted by the anode electrode 21, the light emitting layer 22 and the cathode electrode 23 and the current is supplied to the organic light emitting diode OLED by the switching of the TFT. An image is displayed by light emission of the organic light emitting diode (OLED) formed in a plurality of pixels.

TFT 및 유기발광 다이오드(OLED) 상부에는 봉지 글래스(24)가 형성되어 유기발광 다이오드(OLED)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.A sealing glass 24 is formed on the TFT and the organic light emitting diode (OLED) to seal the organic light emitting diode (OLED) from external factors such as moisture.

한편, 터치 센서(30, 터치 스크린)는 터치 글래스(31)와, 상기 터치 글래스(31)의 일면에 형성된 센싱 전극(32) 및 상기 터치 글래스(31)의 타면에 형성된 드라이빙 전극(33)을 포함한다.The touch sensor 30 includes a touch glass 31, a sensing electrode 32 formed on one surface of the touch glass 31, and a driving electrode 33 formed on the other surface of the touch glass 31 .

이러한, 터치 센서(30)는 제1 접착층(25)에 의해 표시 패널(10)과 합착된다. 또한, 터치 센서(30)의 상측(도 1에서는 하측에 도시 됨)에는 제2 접착층(35)이 형성되고, 제2 접착층(35)에 의해 커버 글래스(34)가 터치 센서(30) 합착되게 된다.The touch sensor 30 is adhered to the display panel 10 by the first adhesive layer 25. The second adhesive layer 35 is formed on the upper side of the touch sensor 30 and the cover glass 34 is attached to the touch sensor 30 by the second adhesive layer 35 do.

상술한 표시 패널(10) 및 터치 센서(30)를 포함하는 종래 기술에 따른 유기 발광장치는 표시 패널(10)과 터치 센서(30)를 각각 별도로 형성한 후, 제1 접착층(25)을 이용하여 표시 패널(10)과 터치 센서(30)를 합착함으로 인해 두께 및 무게가 증가하고, 제조 효율이 낮은 단점이 있다.The conventional organic light emitting device including the display panel 10 and the touch sensor 30 may be formed by separately forming the display panel 10 and the touch sensor 30 and then using the first adhesive layer 25 And the display panel 10 and the touch sensor 30 are attached together to increase the thickness and weight of the display panel 10 and the manufacturing efficiency is low.

또한, 터치 글래스(31)를 사이에 두고 센싱 전극(32)과 드라이빙 전극(33)을 형성하여야 하고, 터치 센서(30)를 보호하기 위한 커버 글래스(34)를 제2 접착층(35)을 이용하여 합착시켜야 한다. 이로 인해, 제조 공정이 복잡하고, 제조 비용이 증가하는 문제점이 있다.The sensing electrode 32 and the driving electrode 33 should be formed with the touch glass 31 interposed therebetween and the cover glass 34 for protecting the touch sensor 30 may be formed using the second adhesive layer 35 They must be cemented. As a result, the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 정전 용량 방식의 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 제조 효율을 향상시키는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems and it is an object of the present invention to improve the manufacturing efficiency of an organic light emitting device including a capacitive touch sensor.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 정전 용량 방식의 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 두께를 줄이는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is a technical object to reduce the thickness of an organic light emitting device including a capacitive touch sensor.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 정전 용량 방식의 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 무게를 줄이는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems and it is a technical object of the present invention to reduce the weight of an organic light emitting device including a capacitive touch sensor.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 정전 용량 방식의 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 제조 비용을 절감시키는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is a technical object of the present invention to reduce manufacturing cost of an organic light emitting device including a capacitive touch sensor.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 정전 용량 방식의 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 제조 효율을 향상시키는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems and it is an object of the present invention to improve the manufacturing efficiency of an organic light emitting device including a capacitive touch sensor.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 유기발광 다이오드 및 사용자의 터치를 검출하기 위한 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치에 있어서, 백 플랜 기판; 상기 백 플랜 기판에 형성된 구동 TFT(thin film transistor); 상기 백 플랜 기판 상에 형성되어 픽셀 영역을 정의하는 뱅크; 상기 백 플랜 기판 상부 중에서 픽셀 영역에 형성된 유기발광 다이오드; 상기 구동 TFT와 유기발광 다이오드의 애노드 전극을 연결하는 데이터 컨택; 상기 백 플랜 기판 상의 게이트 절연층 상부에 형성된 센싱 전극; 상기 센싱 전극과 이격되도록 상기 게이트 절연층 상부에 형성된 드라이빙 전극; 및 상기 유기발광 다이오드를 봉지하는 봉지 글래스;를 포함하는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode and a touch sensor for detecting a touch of a user, A driving TFT (thin film transistor) formed on the back plan substrate; A bank formed on the back plane substrate and defining a pixel region; An organic light emitting diode formed in a pixel region in an upper portion of the back plan substrate; A data contact for connecting the driving TFT and the anode electrode of the organic light emitting diode; A sensing electrode formed on the gate insulating layer on the back plan substrate; A driving electrode formed on the gate insulating layer to be spaced apart from the sensing electrode; And a sealing glass for sealing the organic light emitting diode.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 유기발광 다이오드(organic light emitting diode) 및 사용자의 터치를 검출하기 위한 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 제조방법에 있어서, 게이트 라인, 데이터 라인, 발광 신호 라인, 구동 전원 라인, 기준 전원 라인이 형성된 백 플랜 기판을 마련하는 단계; 상기 백 플랜 기판 상에 액티브 및 스토리지 커패시터의 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 액티브를 덮도록 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상부 중에서 픽셀 영역에 터치 센서의 센싱 전극 및 드라이빙 전극을 형성함과 아울러, 상기 제1 전극과 중첩되도록 스토리지 커패시터의 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상부 중에 상기 액티브와 중첩되는 영역에 게이트를 형성함과 아울러, 인접한 픽셀들에 형성된 드라이빙 전극을 연결하는 컨택 배선을 을 형성하는 단계; 상기 게이트 및 상기 드라이빙 전극을 덮도록 층간 절연층을 형성하는 단계; 상기 액티브의 일부 영역에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성함과 아울러, 상기 제1 전극에 불순물을 도핑하는 단계; 상기 층간 절연층의 일부를 제거하여 상기 소스 및 상기 드레인과 접속되는 데이터 컨택을 형성함과 아울러, 인접한 센싱 전극들을 연결하는 컨택 브릿지를 형성하는 단계; 및 상기 백 플랜 기판 상의 픽셀 영역에 애노드 전극 및 발광층을 순차적으로 형성하고, 상기 발광층의 상부 및 상기 백 플랜 기판의 전면에 캐소드 전극을 형성하여 유기발광 다이오드를 구성하는 단계;를 포함하고, 상기 센싱 전극과 상기 드라이빙 전극은 동일 레이어 상에서 상호 이격되도록 형성되고, 상기 컨택 브리지 및 컨택 배선에 의해 상호 분리되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming an organic light emitting diode (OLED) and a touch sensor for detecting a touch of a user, A light emitting signal line, a driving power supply line, and a reference power supply line; Forming a first electrode of the active and storage capacitor on the back plan substrate; Forming a gate insulating layer to cover the active layer; Forming a sensing electrode and a driving electrode of a touch sensor in a pixel region in an upper portion of the gate insulating layer and forming a second electrode of the storage capacitor so as to overlap with the first electrode; Forming a gate in a region overlapping the active region in the upper portion of the gate insulating layer, and forming contact wirings connecting driving electrodes formed in adjacent pixels; Forming an interlayer insulating layer to cover the gate and the driving electrode; Forming a source and a drain by doping an impurity in a part of the active region, and doping the first electrode with an impurity; Removing a portion of the interlayer dielectric layer to form a data contact connected to the source and the drain, and forming a contact bridge connecting adjacent sensing electrodes; And forming an organic light emitting diode by sequentially forming an anode electrode and a light emitting layer in a pixel region on the back plan substrate and forming a cathode electrode on the entire upper surface of the light emitting layer and the back plan substrate, The electrode and the driving electrode are formed to be spaced apart from each other on the same layer, and are separated from each other by the contact bridge and the contact wiring.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치와 이의 제조방법은 정전 용량 방식의 터치 센서를 표시 패널의 셀에 내재화시켜 유기 발광장치의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.The organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention can enhance the manufacturing efficiency of the organic light emitting device by internalizing the capacitive touch sensor in the cell of the display panel.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치와 이의 제조방법은 정전 용량 방식의 터치 센서를 표시 패널의 셀에 내재화시켜 유기 발광장치의 두께를 줄일 수 있다.The organic light emitting device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention can reduce the thickness of the organic light emitting device by internalizing the capacitive touch sensor in the cells of the display panel.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치와 이의 제조방법은 정전 용량 방식의 터치 센서를 표시 패널의 셀에 내재화시켜 유기 발광장치의 무게를 줄일 수 있다.The organic light emitting device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention can reduce the weight of the organic light emitting device by internalizing the capacitive touch sensor in the cell of the display panel.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치와 이의 제조방법은 정전 용량 방식의 터치 센서를 표시 패널의 셀에 내재화시켜 유기 발광장치의 제조 비용을 절감시킬 수 있다.The organic light emitting device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost of the organic light emitting device by internalizing the capacitive touch sensor in the cell of the display panel.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 터치 센서를 형성하는 공정에 사용되는 마스크의 개수를 줄여 정전 용량 방식의 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.The manufacturing method of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention can improve the manufacturing efficiency of the organic light emitting device including the capacitive touch sensor by reducing the number of masks used in the process of forming the touch sensor.

위에서 언급된 본 발명의 특징 및 효과들 이외에도 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 효과들이 새롭게 파악 될 수도 있을 것이다.Other features and effects of the present invention may be newly understood through the embodiments of the present invention in addition to the features and effects of the present invention mentioned above.

도 1은 표시 패널 상부에 터치 센서가 구비된 종래 기술에 따른 유기 발광장치의 구조를 간략히 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 터치 센서 구조를 나타내는 도면.
도 4 내지 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법을 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 schematically shows a structure of a conventional organic light emitting device having a touch sensor on a display panel. FIG.
2 is a view showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a structure of a touch sensor of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
4 to 13 are views showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 '상에 또는 상부에' 및 '아래에 또는 하부에' 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing an embodiment of the present invention, when it is described that a structure is formed on or above another structure, and below or below it, such a substrate may be formed of any of these structures, To the extent that a third structure is interposed between the first and second structures.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치와 이의 제조방법을 설명함에 있어서, 구조물들 간의 상/하 관계는 제조 과정과 제조가 완료된 이후 서로 상이할 수 있다.Hereinafter, the organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The top and bottom relation between the structures may be different from each other after the manufacturing process and the manufacturing process are completed.

도면에 도시되지 않았지만, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 픽셀에 형성된 OLED를 발광시키기 위한 구동 회로부 및 터치 센서를 구동시키기 위한 터치 구동부를 포함한다.Although not shown in the drawing, the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention includes a driving circuit for emitting light of an OLED formed on a pixel, and a touch driver for driving the touch sensor.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 터치 센서 구조를 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a view showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view showing a structure of a touch sensor of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 광을 하부로 방출하는 바텀 이미션(Bottom emission) 방식이며, 도 2에서는 본 발명의 유기 발광장치의 전체 픽셀 중에서 하나의 픽셀을 예로서 도시하고 있다.The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is a bottom emission type that emits light downward. In FIG. 2, one pixel among all the pixels of the organic light emitting device of the present invention is shown as an example.

도 2에서 (A)는 센싱 전극을 기준으로 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치를 도시하고 있고, (B)는 드라이빙 전극을 기준으로 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치를 도시하고 있다.FIG. 2 (A) shows an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 (B) shows an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention with reference to an driving electrode .

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 백 플랜 기판(110) 상에 복수의 픽셀이 형성되고, 사용자의 터치 위치를 검출하는 터치 센서가 셀 내에 내장된다.Referring to FIG. 2, a plurality of pixels are formed on a back plane substrate 110, and a touch sensor for detecting a touch position of a user is embedded in a cell.

즉, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 터치 센서는 인-셀 터치 타입(In-cell touch type)으로 백 플랜 기판(110)에 내재화 된다.That is, the touch sensor of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is an in-cell touch type, and is embedded in the back plane substrate 110.

상기 복수의 픽셀 각각은 영상 신호에 따라 인가된 전류에 의해 발광하는 유기발광 다이오드(140, OLED); 상기 유기발광 다이오드(140, OLED)에 전류를 공급하기 위한 복수의 TFT(thin film transistor); 및 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 포함한다.Each of the plurality of pixels includes an organic light emitting diode (OLED) 140 emitting light according to an applied current according to an image signal; A plurality of TFTs (thin film transistors) for supplying current to the organic light emitting diodes (OLED) 140; And a storage capacitor.

상기 도 2에서는 복수의 TFT 중에서 스위칭 TFT들은 도시하고 있지 않으며, 유기발광 다이오드(140, OLED)에 전류를 공급하는 구동 TFT만을 도시하고 있다. 여기서, 구동 TFT는 백 플랜 기판(110) 상에서 TFT 영역에 형성되고, OLED는 표시 영역 즉, 개구 영역에 형성된다.In FIG. 2, among the plurality of TFTs, the switching TFTs are not shown, and only a driving TFT for supplying a current to the organic light emitting diode (OLED) 140 is shown. Here, the driving TFT is formed in the TFT region on the back plan substrate 110, and the OLED is formed in the display region, that is, the opening region.

백 플랜 기판(110)은 투명 재질의 유기 기판 또는 플렉서블 한 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. 도 2에 도시되어 있지 않지만, 백 플랜 기판(110)에는 게이트 라인, EM 라인(발광 신호 라인), 데이터 라인, 구동 전원 라인(VDD), 기준 전원 라인이 형성되어 있다.The back plane substrate 110 may be an organic substrate of transparent material or a flexible plastic substrate. Although not shown in FIG. 2, a gate line, an EM line (light emitting signal line), a data line, a driving power supply line VDD, and a reference power supply line are formed on the back plan substrate 110.

구동 TFT는 액티브(112), 소스(113), 드레인(114), 게이트 절연층(115) 및 게이트(116)를 포함하여 구성된다.The driving TFT is composed of an active layer 112, a source 113, a drain 114, a gate insulating layer 115 and a gate 116.

액티브(112), 소스(113), 드레인(114)는 백 플랜 기판(110) 상에 형성되고, 액티브(112), 소스(113), 드레인(114)을 덮도록 게이트 절연층(115)이 형성된다.The active 112, the source 113 and the drain 114 are formed on the back plan substrate 110 and the gate insulating layer 115 is formed to cover the active 112, the source 113, .

소스(113) 드레인(114)은 액티브(112)의 반도체층에 P형 또는 N형의 불순물이 도핑되어 형성된다.The drain 113 of the source 113 is formed by doping a P-type or N-type impurity into the semiconductor layer of the active layer 112.

여기서, 게이트 절연층(115)은 SiO2로 형성될 수 있고, TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성될 수도 있다.Here, the gate insulating layer 115 may be formed of SiO 2 , or may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by CVD (Chemical Vapor Deposition).

게이트 절연층(115) 상에는 액티브(112)와 중첩되도록 구동 TFT의 게이트(116)가 형성된다.A gate 116 of the driving TFT is formed on the gate insulating layer 115 so as to overlap with the active layer 112.

여기서, 게이트(116)는 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있다.Here, the gate 116 may be formed of aluminum (Al) or molybdenum (Mo).

이와 같이, 게이트 절연층(115)을 사이에 두고, 액티브(112), 소스(113), 드레인(114) 및 게이트(116)가 형성되어 구동 TFT가 구성되게 된다.As described above, the active layer 112, the source 113, the drain 114, and the gate 116 are formed with the gate insulating layer 115 therebetween to constitute the driving TFT.

한편, 게이트(116)의 하부에는 투명 전극층이 형성되어 있는데, 이는 센싱 전극(120) 및 드라이빙 전극(130)을 형성하기 위해 게이트 절연층(115) 상에 형성되는 투명 전극층의 일부를 잔존시켜 형성된 것이다.A transparent electrode layer is formed under the gate 116 so that a portion of the transparent electrode layer formed on the gate insulating layer 115 remains to form the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 will be.

게이트(116) 및 게이트 절연층(115)을 덮도록 층간 절연층(117, ILD: inter layer dielectric) 및 보호층(126, PAS)이 순차적으로 형성된다.An interlayer dielectric (ILD) layer and a passivation layer 126 (PAS) are sequentially formed to cover the gate 116 and the gate insulating layer 115.

층간 절연층(117)은 SiO2 또는 SiNx 또는 SiO2로 형성될 수 있다.An interlayer insulating layer 117 may be formed of SiO 2 or SiNx or SiO 2.

보호층(126)은 포토 아크릴(photo acryl)로 3um의 두께를 가지도록 형성되어 백 플랜 기판(110) 상에 형성된 복수의 TFT를 덮도록 형성된다. 이러한, 보호층(126)은 글래스 기판(110)의 전면을 평탄화 시킨다.The protective layer 126 is formed so as to cover a plurality of TFTs formed on the back plan substrate 110 with a thickness of 3 mu m with photo acryl. The protective layer 126 smoothes the entire surface of the glass substrate 110.

게이트 절연층(115) 및 층간 절연층(117) 중에서 소스(113) 및 드레인(114)과 중첩되는 영역이 식각되어 소스(113)와 드레인(114)의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀이 형성된다.A region of the gate insulating layer 115 and the interlayer insulating layer 117 overlapped with the source 113 and the drain 114 is etched to form a first contact hole exposing the upper surface of the source 113 and the drain 114 do.

제1 컨택홀 내에 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 금속 물질이 매립되어 데이터 컨택(118)이 형성된다.A metal material such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu) is buried in the first contact hole So that a data contact 118 is formed.

이러한 데이터 컨택(118)은 구동 TFT의 소스(113)를 데이터 라인과 연결시키고, 구동 TFT의 드레인(114)을 유기발광 다이오드(140, OLED)의 애노드 전극(142)과 연결시킨다.The data contact 118 connects the source 113 of the driving TFT with the data line and connects the drain 114 of the driving TFT to the anode electrode 142 of the organic light emitting diode 140, OLED.

보호층(126) 상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크(128)가 형성된다.On the protective layer 126, a bank 128 defining a pixel region is formed.

여기서, 상기 뱅크(128)는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지로 형성될 수 있다.Here, the bank 128 may be formed of a benzocyclobutene (BCB) resin, an acrylic resin, or a polyimide resin.

상기 뱅크(128)에 의해 정의된 표시 영역 내에는 구동 TFT를 통해 인가된 구동 전류에 의해 발광하는 유기발광 다이오드(140, OLED)가 형성된다.In the display area defined by the bank 128, an organic light emitting diode (OLED) 140 emitting light by a driving current applied through a driving TFT is formed.

보호층(126) 중에서 데이터 컨택(118)과 영역이 식각되어 데이터 컨택(118)의 상면을 노출시키는 제3 컨택홀이 형성된다.The data contact 118 and the region in the protective layer 126 are etched to form a third contact hole exposing the top surface of the data contact 118. [

보호층(126)의 상부면 중에서 표시 영역 및 제3 컨택홀 내에 유기발광 다이오드(140, OLED)의 애노드 전극(142)이 형성된다. 이때, 애노드 전극(142)은 투명 전도성 물질, 예를 들면, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide) 물질로 형성될 수 있다.The anode electrode 142 of the organic light emitting diode 140 (OLED) is formed in the display region and the third contact hole in the upper surface of the protective layer 126. [ The anode electrode 142 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO).

구동 TFT의 게이트(116)에 전압이 인가되어 구동 TFT가 턴-온되면, 구동 TFT의 소스(113)에 공급된 구동전류가 드레레인(114)에 인가된다. 드레인(114)의 출력 전류는 데이터 컨택(118)을 경유하여 유기발광 다이오드(140, OLED)의 애노드 전극(142)에 공급된다.When a voltage is applied to the gate 116 of the driving TFT to turn on the driving TFT, the driving current supplied to the source 113 of the driving TFT is applied to the drain 114. The output current of the drain 114 is supplied to the anode electrode 142 of the organic light emitting diode 140 (OLED) via the data contact 118.

애노드 전극(142) 상에는 유기 물질이 도포되어 발광층(144)이 형성되고, 백 플랜 기판(110)의 전면에 캐소드 전극(146)이 형성된다.An organic material is applied on the anode electrode 142 to form a light emitting layer 144 and a cathode electrode 146 is formed on the entire surface of the back plan substrate 110.

이와 같이, 애노드 전극(142), 발광층(144) 및 캐소드 전극(146)이 순차적으로 형성되어 유기발광 다이오드(140, OLED)를 구성하게 된다.The anode electrode 142, the light emitting layer 144, and the cathode electrode 146 are sequentially formed to form the organic light emitting diode 140 (OLED).

여기서, 유기발광 다이오드(140, OLED)는 복수의 픽셀 각각에 형성되며, 풀 컬러 화상을 표시하기 위해 레드(red), 그린(green) 또는 블루(blue)의 색광을 발광할 수 있다.Here, the organic light emitting diode 140, OLED, is formed in each of the plurality of pixels, and can emit red, green, or blue color light to display a full color image.

다른 예로서, 유기발광 다이오드(140, OLED)는 자외선(UV) 또는 백색광을 발광하고, 그 위에 레드(red), 그린(green) 및 블루(blue)의 컬러필터가 형성되어 풀 컬러 화상을 표시할 수도 있다.As another example, the organic light emitting diode 140 may emit ultraviolet (UV) light or white light, and a red, green, and blue color filter may be formed thereon to display a full color image You may.

한편, 도 2에 구체적으로 도시되어 있지 않지만, 유기발광 다이오드(140, OLED)는 애노드 전극(142), 발광층(144) 및 캐소드 전극(146) 이외에 정공 주입층 및 전자 주입층을 포함한다.2, the organic light emitting diode 140 includes a hole injection layer and an electron injection layer in addition to the anode electrode 142, the light emitting layer 144, and the cathode electrode 146. [

캐소드 전극(146)에서 발생된 전자 및 애노드 전극(142)에서 발생된 정공이 발광층(144) 내부로 주입되면, 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성된다.When the electrons generated in the cathode electrode 146 and the holes generated in the anode electrode 142 are injected into the light emitting layer 144, injected electrons and holes are combined to generate an exciton.

생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 고유의 색광을 발생시킴으로써 컬러 화상을 표시하게 된다.The generated axiton drops from the excited state to the ground state, and generates a unique color light, thereby displaying a color image.

뱅크(128) 및 유기발광 다이오드(140, OLED) 상부에는 봉지 글래스(150)가 형성되어 유기발광 다이오드(140, OLED)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.A sealing glass 150 is formed on the banks 128 and the organic light emitting diodes 140 and OLED to seal the organic light emitting diodes 140 from external factors such as moisture.

여기서, 봉지 글래스(150)는 유기발광 다이오드(140, OLED)를 외부 습기 및 이물질로부터 보호하기 위한 것으로, 글래스 재질뿐만 아니라 박막 필름 봉지제(TFE: Thin Film Encapsulation)로도 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 유기발광 다이오드(140, OLED)를 보호할 수 있는 물질이면 봉지 글래스(150)의 역할을 대체할 수 있다.Here, the sealing glass 150 protects the organic light emitting diode 140 (OLED) from external moisture and foreign matter, and may be formed not only of a glass material but also a thin film encapsulation (TFE). However, the present invention is not limited thereto, and if the organic light emitting diode (OLED) 140 can protect the organic light emitting diode 140, the sealing glass 150 may be substituted.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 터치 센서는 정전 용량 방식의 터치 센서로써, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)을 포함한다. 센싱 전극(120) 및 드라이빙 전극(130)은 게이트 절연층(115) 상에서 서로 이격되도록 형성된다.The touch sensor of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is a capacitive touch sensor including a sensing electrode 120 and a driving electrode 130. The sensing electrode 120 and the driving electrode 130 are formed to be spaced apart from each other on the gate insulating layer 115.

도 3에 도시된 바와 같이, 센싱 전극(120)은 백 플랜 기판(110) 상에서 제1 방향으로 형성되어, 제1 방향의 사용자 터치를 검출하게 된다. 일 예로서, 센싱 전극(120)은 백 플랜 기판(110) 상에서 Y축 방향으로 형성되어, Y축의 사용자 터치를 검출할 수 있다.As shown in FIG. 3, the sensing electrode 120 is formed in the first direction on the back plane substrate 110 to detect a user touch in the first direction. For example, the sensing electrode 120 may be formed on the back plane substrate 110 in the Y-axis direction to detect the Y-axis user touch.

또한, 드라이빙 전극(130)은 백 플랜 기판(110) 상에서 제2 방향으로 형성되어, 제2 방향의 사용자 터치를 검출하게 된다. 일 예로서, 드라이빙 전극(130)은 백 플랜 기판(110) 상에서 X축 방향으로 형성되어, X축의 사용자 터치를 검출하게 된다. In addition, the driving electrode 130 is formed on the back plane substrate 110 in the second direction to detect the user touch in the second direction. As an example, the driving electrode 130 is formed on the back plane substrate 110 in the X-axis direction to detect a user touch on the X-axis.

이러한, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)은 게이트 절연층(115) 상의 동일 레이어 상에서 형성되지만, 상기 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)은 서로 이격되도록 형성된다.Although the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 are formed on the same layer on the gate insulating layer 115, the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 are spaced apart from each other.

이때, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)은 컨택 브릿지(124)와 컨택 배선(132)을 통해 상기 두 전극(120, 130)의 컨택을 회피할 수 있다.At this time, the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 can avoid the contact between the two electrodes 120 and 130 through the contact bridge 124 and the contact wiring 132.

터치 센서가 사용자의 터치 위치를 검출하기 위해서는 X축 및 Y축의 좌표를 인식해야 함으로, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)은 서로 컨택되지 않고 분리되어야 한다.In order for the touch sensor to detect the touch position of the user, the coordinates of the X-axis and the Y-axis must be recognized, so that the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 must be separated from each other without being contacted with each other.

이를 위해, 센싱 전극(120)은 드라이빙 전극(130)과 게이트 절연층(115) 상에서 이격되도록 형성된다. 픽셀들에 형성된 센싱 전극(120)들은 컨택 브릿지(124)에 의해 서로 연결된다. 그리고, 픽셀들에 형성된 드라이빙 전극(130)들은 컨택 배선(132)을 통하여 연결된다.For this, the sensing electrode 120 is formed to be spaced apart from the driving electrode 130 and the gate insulating layer 115. The sensing electrodes 120 formed in the pixels are connected to each other by the contact bridge 124. The driving electrodes 130 formed in the pixels are connected through the contact wiring 132.

여기서, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전근(130)은 유기발광 다이오드(140, OLED)에서 발생된 광이 출사되는 영역에 형성됨으로 투명 전도성 물질, 일 예로서, 인듐틴옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide)로 형성된다.Since the sensing electrode 120 and the driving window 130 are formed in a region where the light emitted from the organic light emitting diode 140 is emitted, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) .

이러한, 컨택 브릿지(124) 및 컨택 배선(132)를 통해 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)을 교차시켜 X축 및 Y축 방향에서 사용자의 터치 위치가 검출되도록 한다.The sensing electrode 120 and the driving electrode 130 intersect with each other through the contact bridge 124 and the contact wiring 132 to detect the touch position of the user in the X and Y axis directions.

여기서, 드라이빙 전극(130)을 연결하는 컨택 배선(132)은 구동 TFT의 게이트(116)를 형성하는 전도성 금속 재료를 이용하여 구동 TFT의 게이트(116)가 형성될 때 함께 형성된다.Here, the contact wiring 132 connecting the driving electrode 130 is formed together when the gate 116 of the driving TFT is formed using the conductive metal material forming the gate 116 of the driving TFT.

센싱 전극(120)들은 연결하는 컨택 브릿지(124)는 센싱 전극(120)의 상면을 노출시키는 제2 컨택홀에 데이터 컨택(118)을 형성하는 전도성 금속 재료를 이용하여 데이터 컨택(118)이 형성될 때 함께 형성된다.The sensing contacts 120 are connected to the contact bridge 124 by a conductive metal material that forms a data contact 118 in a second contact hole exposing an upper surface of the sensing electrode 120 to form a data contact 118 Are formed together.

여기서, 센싱 전극(120)의 상면을 노출시키는 제2 컨택홀은 데이터 컨택(118)의 형성을 위한 제1 컨택홀이 형성될 때 함께 형성된다.Here, the second contact hole exposing the upper surface of the sensing electrode 120 is formed together when the first contact hole for forming the data contact 118 is formed.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 스토리지 커패시터(storage capacitor)는 게이트 절연층(115)을 사이에 두고 형성된 제1 전극(111)과 제2 전극(122)으로 구성된다.The storage capacitor of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is composed of a first electrode 111 and a second electrode 122 formed with a gate insulating layer 115 therebetween.

스토리지 커패시터의 제1 전극(111)은 백 플랜 기판(110) 상에 형성되고, 그 위에 게이트 절연층(115)이 형성되어 있다. 스토리지 커패시터의 제2 전극(122)은 게이트 절연층(115) 상에서 상기 제1 전극(111)과 중첩되도록 형성된다.The first electrode 111 of the storage capacitor is formed on the back plane substrate 110, and a gate insulating layer 115 is formed thereon. The second electrode 122 of the storage capacitor is formed to overlap with the first electrode 111 on the gate insulating layer 115.

여기서, 스토리지 커패시터의 제1 전극(111)은 구동 TFT를 형성하는 공정 중에 액티브(112)를 형성하는 반도체층을 이용하며, 소스(113) 및 드레인(114)과 동일하게 반도체층에 P형 또는 N형의 불순물을 1014 ~ 1015[㎤] 농도로 도핑하여 형성된다.Here, the first electrode 111 of the storage capacitor uses a semiconductor layer that forms the active layer 112 during the process of forming the driving TFT, and in the same way as the source 113 and the drain 114, the P- And doping N-type impurities at a concentration of 10 14 to 10 15 [cm 3].

그리고, 스토리지 커패시터의 제2 전극(122)은 센싱 전극(120)을 형성하기 위해 게이트 절연층(115) 상에 형성되는 투명 전극층의 일부를 잔존시켜 형성된다.The second electrode 122 of the storage capacitor is formed by remaining a part of the transparent electrode layer formed on the gate insulating layer 115 to form the sensing electrode 120.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치에서는 스토리지 커패시터를 형성함에 있어서, 게이트 절연층(115)을 사이에 두고 제1 전극(111) 및 제2 전극(122)을 형성시켜 스토리지 커패시터(Ctc)가 구성하게 된다. 이를 통해, 스토리지 커패시터의 형성에 따른 두께를 줄이고 제조 효율도 높일 수 있는 장점이 있다.In the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, the first electrode 111 and the second electrode 122 are formed with the gate insulating layer 115 interposed therebetween to form the storage capacitor Ctc, Respectively. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the storage capacitor and increase the manufacturing efficiency.

상술한 구성을 포함하는 본 발명의 유기 발광장치는 바텀 이미션(Bottom Emission) 방식의 AMOLED 패널(Panel)에 정전용량 방식의 터치 센서(Touch Sensor)를 내재화 시켰다.The organic light emitting device of the present invention including the above-described configuration has internalized a capacitive touch sensor in an AMOLED panel of a bottom emission type.

이를 통해, 터치 센서를 형성하기 위한 별도의 터치 글래스를 제거하여 종래 기술 대비 두께가 감소된 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치를 제공할 수 있다.Accordingly, it is possible to provide an organic light emitting device including a touch sensor having a reduced thickness compared to the prior art by removing a separate touch glass for forming the touch sensor.

또한, 본 발명의 유기 발광장치는 터치 센서를 표시 패널의 셀 내에 내재화시켜 터치 센서의 형성에 따른 제조 비용을 절감시킬 수 있다.In addition, the organic light emitting device of the present invention can internalize the touch sensor in the cell of the display panel, thereby reducing the manufacturing cost due to the formation of the touch sensor.

본 발명의 터치 센서는 유기발광 다이오드(OLED)의 구조와 상관없이 모든 바텀 이미션 방식의 유기 발광장치에 적용할 수 있는 장점이 있다.The touch sensor of the present invention has an advantage that it can be applied to all bottom emission type organic light emitting devices regardless of the structure of the organic light emitting diode (OLED).

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치에서는 구동 TFT 및 센싱 전극을 형성하는 공정을 이용하여 스토리지 커패시터를 형성시킴으로써, 스토리지 커패시터를 형성하기 위한 별도의 레이어 및 제조공정을 생략시켜 유기 발광장치의 두께를 줄이고 제조 비용을 절감시킬 수 있다.In addition, in the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, the storage capacitor is formed by using the process of forming the driving TFT and the sensing electrode, so that a separate layer for forming the storage capacitor and the manufacturing process are omitted, The thickness can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.

도 4 내지 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법을 나타내는 도면이다. 도 4 내지 도 13에서는 센싱 전극을 기준으로 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법을 나타내고 있다.4 to 13 are views showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. 4 to 13 show a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention with reference to a sensing electrode.

도 4를 참조하면, 백 플랜 기판(110) 상에 반도체층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 TFT 영역에 액티브(111)를 형성한다. 이와 함께, 상기 반도체층의 일부를 잔존시켜 스토리지 커패시터의 제1 전극(11)을 형성한다.Referring to FIG. 4, a semiconductor layer is formed on a back plane substrate 110 and patterned to form an active region 111 in a TFT region. At the same time, the first electrode 11 of the storage capacitor is formed by leaving a part of the semiconductor layer.

여기서, 백 플랜 기판(110)은 투명 재질의 유기 기판 또는 플렉서블 한 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. 도 4에 도시되어 있지 않지만, 백 플랜 기판(110)에는 게이트 라인, EM 라인, 데이터 라인, 구동 전원 라인(VDD), 기준 전원 라인이 형성되어 있다.Here, as the back plane substrate 110, an organic substrate of transparent material or a flexible plastic substrate may be used. Although not shown in FIG. 4, a gate line, an EM line, a data line, a driving power supply line VDD, and a reference power supply line are formed on the back plane substrate 110.

이어서, 도 5를 참조하면, 액티브(112)를 덮도록 백 플랜 기판(110)의 상부 전면에 SiO2로 게이트 절연층(115)을 형성한다. 이때, 게이트 절연층(115)은 1,300Å의 두께를 가질 수 있다.Next, referring to FIG. 5, a gate insulating layer 115 is formed of SiO 2 on the top surface of the back plane substrate 110 so as to cover the active layer 112. At this time, the gate insulating layer 115 may have a thickness of 1,300 angstroms.

한편, 게이트 절연층(115)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성될 수도 있다.Meanwhile, the gate insulating layer 115 may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by CVD (Chemical Vapor Deposition).

이후, 게이트 절연층(115) 상부에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 투명 전극층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 픽셀 영역에 터치 센서의 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)을 형성한다.Thereafter, a transparent electrode layer is formed on the gate insulating layer 115 using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) The sensing electrode 120 of the touch sensor and the driving electrode 130 are formed.

이때, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)과 컨택되지 않도록 소정 간격을 두고 패터닝되어 형성된다.At this time, the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 are patterned at a predetermined interval so as not to be in contact with each other.

이러한, 센싱 전극(120)은 백 플랜 기판(110) 상에서 제1 방향으로 형성되어, 제1 방향의 사용자 터치를 검출하게 된다. 일 예로서, 센싱 전극(120)은 백 플랜 기판(110) 상에서 Y축 방향으로 형성되어, Y축의 사용자 터치를 검출할 수 있다.The sensing electrode 120 is formed on the back plane substrate 110 in a first direction to detect a user touch in the first direction. For example, the sensing electrode 120 may be formed on the back plane substrate 110 in the Y-axis direction to detect the Y-axis user touch.

한편, 드라이빙 전극(130)은 백 플랜 기판(110) 상에서 제2 방향으로 형성되어, 제2 방향의 사용자 터치를 검출하게 된다. 일 예로서, 드라이빙 전극(130)은 백 플랜 기판(110) 상에서 X축 방향으로 형성되어, X축의 사용자 터치를 검출할 수 있다.On the other hand, the driving electrode 130 is formed on the back plane substrate 110 in the second direction to detect the user touch in the second direction. For example, the driving electrode 130 may be formed on the back plane substrate 110 in the X axis direction to detect a user touch on the X axis.

이후, 게이트 절연층(115) 상부에 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)으로 금속층을 형성한 후, 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 통해 상기 금속층을 패터닝하여 게이트 절연층(115)의 상부 중에서 액티브(112)와 중첩되는 영역에 구동 TFT의 게이트(116)를 형성한다. 이때, 게이트(116)는 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.Thereafter, a metal layer is formed of molybdenum (Mo) or aluminum (Al) on the gate insulating layer 115, and then the metal layer is patterned through a photolithography process and an etching process using a mask to form a gate insulating layer 115 And the gate 116 of the driving TFT is formed in the region overlapping the active region 112 in the upper portion. At this time, the gate 116 may have a thickness of 3,000 ANGSTROM.

구동 TFT의 게이트(116)를 형성하는 전도성 금속 재료를 이용하여 게이트(116)를 형성하는 공정을 이용하여 터치 센서의 드라이빙 전극(130)들을 연결하는 컨택 배선(132)을 형성한다.A contact wiring 132 connecting the driving electrodes 130 of the touch sensor is formed by using the process of forming the gate 116 using the conductive metal material forming the gate 116 of the driving TFT.

이러한, 터치센서의 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)을 형성하는 공정과, 구동 TFT의 게이트(116)과 터치센서의 드라이빙 전극(130)들을 연결하는 컨택 배선(132)를 형성하는 공정은 2개의 마스크를 이용하여 각각 따로 형성할 수 있다.The process of forming the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 of the touch sensor and the process of forming the contact wiring 132 connecting the gate 116 of the driving TFT and the driving electrodes 130 of the touch sensor Can be formed separately using two masks.

한편, 터치센서의 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)을 형성하는 공정과, 구동 TFT의 게이트(116)과 터치센서의 드라이빙 전극(130)들을 연결하는 컨택 배선(132)를 형성하는 공정은 1매의 하프톤 마스크를 이용하여 동시에 이루어질 수 있다.The process of forming the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 of the touch sensor and the process of forming the contact wiring 132 connecting the gate 116 of the driving TFT and the driving electrodes 130 of the touch sensor May be performed simultaneously using one halftone mask.

구체적으로, 터치 전서의 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)을 형성하는 투명 전도성 물질 증착 후, 구동 TFT의 게이트 및 터치 센서의 드라이빙 전극(130)을 연결하는 컨택 배선(132)를 형성하는 전도성 금속 재료를 연속 증착한다. 이후, 1매의 하프톤 마스크를 이용하여 터치센서의 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130) 및 컨택 배선(132)을 동시에 형성할 수 있다.Specifically, after the transparent conductive material forming the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 is deposited, a contact wiring 132 connecting the gate of the driving TFT and the driving electrode 130 of the touch sensor is formed The conductive metal material is continuously deposited. Then, the sensing electrode 120, the driving electrode 130, and the contact wiring 132 of the touch sensor can be formed simultaneously using one halftone mask.

이후, 게이트(116)를 마스크로 이용하여 액티브(112)의 외곽에 P형 또는 N형의 불순물을 1014 ~ 1015[㎤] 농도로 도핑하여 구동 TFT의 소스(113) 및 드레인(114)을 형성한다.Thereafter, a source 113 and a drain 114 of the driving TFT are doped by doping P-type or N-type impurity to the outside of the active region 112 with a concentration of 10 14 to 10 15 [cm 3] .

이때, 상기 게이트(116)의 형성 시, 습식 에칭 공정 및 건식 에칭 공정을 수행하게 되는데, 습식 에칭 공정과 건식 에칭 공정 사이에 상기 액티브(112)를 N+ 또는 P+ 도핑하여 소스(113) 및 드레인(114)을 형성한다.During the formation of the gate 116, a wet etching process and a dry etching process are performed. The active layer 112 is doped with N + or P + between the wet etching process and the dry etching process to form a source 113 and a drain 114 are formed.

이와 같이, 게이트 절연층(115)을 사이에 두고, 액티브(112), 소스(113), 드레인(114) 및 게이트(116)가 형성되어 구동 TFT가 구성되게 된다.As described above, the active layer 112, the source 113, the drain 114, and the gate 116 are formed with the gate insulating layer 115 therebetween to constitute the driving TFT.

또한, 소스(113) 및 드레인(114)에 불순물을 도핑하는 공정을 이용하여 스토리지 커패시터의 제1 전극(111)에 P형 또는 N형의 불순물을 1014 ~ 1015[㎤] 농도로 도핑한다.The P-type or N-type impurity is doped to the first electrode 111 of the storage capacitor at a concentration of 10 14 to 10 15 [cm 3] using a process of doping the source 113 and the drain 114 with impurities .

한편, 스토리지 커패시터의 제2 전극(122)은 게이트 절연층(115) 상에서 상기 제1 전극(111)과 중첩되도록 형성된다.On the other hand, the second electrode 122 of the storage capacitor is formed to overlap the first electrode 111 on the gate insulating layer 115.

이러한, 스토리지 커패시터의 제2 전극(122)은 센싱 전극(120)을 형성하기 위해 게이트 절연층(115) 상에 형성되는 투명 전극층의 일부를 잔존시켜 형성된다.The second electrode 122 of the storage capacitor is formed by remaining a part of the transparent electrode layer formed on the gate insulating layer 115 to form the sensing electrode 120.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치에서는 게이트 절연층(115)을 사이에 두고 제1 전극(111) 및 제2 전극(122)을 형성시켜 스토리지 커패시터(Ctc)가 구성하게 된다. 이를 통해, 스토리지 커패시터의 형성에 따른 두께를 줄이고 제조 효율도 높일 수 있는 장점이 있다.In the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, the storage capacitor Ctc is formed by forming the first electrode 111 and the second electrode 122 with the gate insulating layer 115 interposed therebetween. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the storage capacitor and increase the manufacturing efficiency.

이어서, 도 6을 참조하면, 구동 TFT, 센싱 전극(120) 및 드라이빙 전극(130)을 덮도록 게이트 절연층(115) 상에 절연 물질을 증착하여 층간 절연층(117, ILD: Inter Layer Dielectric)을 형성한다.6, an insulating material is deposited on the gate insulating layer 115 so as to cover the driving TFT, the sensing electrode 120, and the driving electrode 130 to form an interlayer dielectric (ILD) layer 117. Then, .

이때, 층간 절연층(117)은 SiO2 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 6,000Å의 두께를 가질 수 있다. 다른 예로서, 층간 절연층(117)은 SiO2(3,000Å/SiNx(3,000Å의 구조로도 형성될 수도 있다.At this time, the interlayer insulating layer 117 may be formed of SiO2 or SiNx, and may have a thickness of 6,000 ANGSTROM. As another example, the interlayer insulating layer 117 may be formed of a structure of SiO2 (3,000 ANGSTROM / SiNx (3,000 ANGSTROM).

이후, 게이트 절연층(115) 및 층간 절연층(117) 중에서 구동 TFT의 소스(113) 및 드레인(114)과 중첩되는 영역을 식각하여 소스(113)와 드레인(114)의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀(161)을 형성한다.Thereafter, a portion of the gate insulating layer 115 and the interlayer insulating layer 117 overlapping the source 113 and the drain 114 of the drive TFT is etched to expose the upper surface of the source 113 and the drain 114, 1 contact holes 161 are formed.

또한, 제1 컨택홀(161)을 형성하는 제조공정을 이용하여 센싱 전극(120)의 상면을 노출시키는 제2 컨택홀을 형성한다.A second contact hole exposing the upper surface of the sensing electrode 120 is formed using the manufacturing process of forming the first contact hole 161.

이어서, 도 7을 참조하면, 제1 컨택홀(161) 내에 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 금속 물질을 매립하여 데이터 컨택(118)을 형성한다.7, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chrome (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) And copper (Cu) to form a data contact 118.

이러한, 데이터 컨택(118)을 통해 구동전류가 유기발광 다이오드(140, OLED)의 애노드 전극(142)에 공급되게 된다. 유기발광 다이오드(140, OLED)를 형성하는 제조공정은 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명하기로 한다.A driving current is supplied to the anode electrode 142 of the organic light emitting diode 140 through the data contact 118. A manufacturing process for forming the organic light emitting diode 140 (OLED) will be described with reference to FIGS. 9 to 12. FIG.

한편, 상기 데이터 컨택(118)을 형성할 때, 제2 컨택홀(162) 내에도 상기 금속 물질을 매립하여 컨택 브릿지(124)을 형성한다.Meanwhile, when the data contact 118 is formed, the metal material is also embedded in the second contact hole 162 to form the contact bridge 124.

센싱 전극(120)과 상기 드라이빙 전극(130)은 게이트 절연층(115) 상의 동일 레이어에 상호 교차하도록 형성되지만, 컨택 브릿지(124)와 컨택 배선(132)을 통해 센싱 전극(120)과 상기 드라이빙 전극(130)의 컨택을 회피할 수 있다.The sensing electrode 120 and the driving electrode 130 are formed so as to cross each other on the same layer on the gate insulating layer 115. The sensing electrode 120 and the driving electrode 130 are electrically connected to each other through the contact bridge 124 and the contact wiring 132, The contact of the electrode 130 can be avoided.

여기서, 드라이빙 전극(130)들은 연결하는 컨택 배선(132)은 구동 TFT의 게이트(116)를 형성하는 공정 중에, 1개의 마스크 공정으로 구동 TFT의 게이트(116)와 동시에 형성할 수 있다.Here, the driving wirings 132 connected to the driving electrodes 130 can be formed simultaneously with the gate 116 of the driving TFT in one mask process during the process of forming the gate 116 of the driving TFT.

터치 센서가 사용자의 터치 위치를 검출하기 위해서는 X축 및 Y축의 좌표를 인식해야 함으로, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)은 서로 컨택되지 않고 분리되어야 한다.In order for the touch sensor to detect the touch position of the user, the coordinates of the X-axis and the Y-axis must be recognized, so that the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 must be separated from each other without being contacted with each other.

이를 위해, 센싱 전극(120)은 드라이빙 전극(130)과 게이트 절연층(115) 상에서 이격되도록 형성된다. 픽셀들에 형성된 센싱 전극(120)들은 컨택 브릿지(124)에 의해 서로 연결되게 된다. 또한, 픽셀들에 형성된 드라이빙 전극(130)들은 컨택 배선(132)을 통해 서로 연결되게 된다.For this, the sensing electrode 120 is formed to be spaced apart from the driving electrode 130 and the gate insulating layer 115. The sensing electrodes 120 formed in the pixels are connected to each other by the contact bridge 124. Also, the driving electrodes 130 formed on the pixels are connected to each other through the contact wiring 132.

이러한, 컨택 브릿지(124) 및 컨택 배선(132)을 통해 도 3에 도시된 바와 같이, 센싱 전극(120)과 드라이빙 전극(130)을 교차시켜 X축 및 Y축 방향에서 사용자의 터치 위치가 검출되도록 한다.As shown in FIG. 3, the sensing electrode 120 and the driving electrode 130 intersect with each other through the contact bridge 124 and the contact wiring 132 to detect the touch position of the user in the X- and Y- .

이어서, 도 8을 참조하면, 층간 절연층(117) 상에 보호층(126, PAS)을 형성한다.Next, referring to FIG. 8, a protective layer 126 (PAS) is formed on the interlayer insulating layer 117.

여기서, 상기 보호층(126)은 포토 아크릴로 3um의 두께로 형성되어 백 플랜 기판(110)을 평탄화 시킨다.Here, the protective layer 126 is formed to have a thickness of 3 um by photoacrylite to planarize the back plan substrate 110.

이후, 보호층(126) 중에서 데이터 컨택(118)과 중첩되는 영역을 식각하여 데이터 컨택(118)의 상면을 노출시키는 제3 컨택홀(163)을 형성한다.A third contact hole 163 is formed in the protection layer 126 to expose the upper surface of the data contact 118 by etching the region overlapping the data contact 118.

이어서, 도 9를 참조하면, 보호층(126)의 상부면 중에서 픽셀 영역 및 제3 컨택홀(163) 내에 투명 전도성 물질로 애노드 전극(142)을 형성한다.9, the anode electrode 142 is formed of a transparent conductive material in the pixel region and the third contact hole 163 in the upper surface of the passivation layer 126. Next, as shown in FIG.

이때, 애노드 전극(142)은 화상이 표시되는 면에 위치함으로, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide) 투명 전도성 물질로 형성한다.The anode electrode 142 is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO).

이어서, 도 10을 참조하면, 보호층(126) 상에는 표시 영역을 정의하는 뱅크(128)를 형성한다.10, a bank 128 defining a display area is formed on the protective layer 126. [

여기서, 상기 뱅크(128)는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지로 형성할 수 있다.Here, the bank 128 may be formed of a benzocyclobutene (BCB) resin, an acrylic resin, or a polyimide resin.

상기 뱅크(128)에 의해 정의된 표시 영역 내에는 구동 TFT를 통해 인가된 구동 전류에 의해 발광하는 유기발광 다이오드(140, OLED)가 형성되게 된다.In the display region defined by the bank 128, an organic light emitting diode (OLED) 140 emitting light by a driving current applied through a driving TFT is formed.

이어서, 도 11을 참조하면, 애노드 전극(142) 상에 유기 물질을 도포하여 발광층(144)을 형성한다.11, an organic material is applied on the anode electrode 142 to form a light emitting layer 144. [

이어서, 도 12를 참조하면, 백 플랜 기판(110)의 전면에 캐소드 전극(146)을 형성한다.12, a cathode electrode 146 is formed on the entire surface of the back plane substrate 110. As shown in FIG.

이와 같이, 애노드 전극(142), 발광층(144) 및 캐소드 전극(146)을 순차적으로 형성하여 유기 발광 다이오드(140, OLED)를 구성하게 된다.In this manner, the anode electrode 142, the light emitting layer 144, and the cathode electrode 146 are sequentially formed to constitute the organic light emitting diode 140 (OLED).

여기서, 유기 발광 다이오드(140, OLED)는 복수의 픽셀 각각에 형성되며, 풀 컬러 영상을 표시하기 위해 레드(red), 그린(green) 또는 블루(blue)의 색광을 발광할 수 있다.Here, the organic light emitting diode 140, OLED, is formed in each of the plurality of pixels, and may emit red, green, or blue color light to display a full color image.

다른 예로서, 유기발광 다이오드(140, OLED)는 자외선(UV) 또는 백색광을 발광하고, 그 위에 레드(red), 그린(green) 및 블루(blue)의 컬러필터를 형성하여 풀 컬러 화상을 표시하게 할 수도 있다.As another example, the organic light emitting diode 140 may emit ultraviolet (UV) light or white light, and a red, green, and blue color filter may be formed thereon to display a full color image .

레드(red), 그린(green) 및 블루(blue)의 컬러필터를 형성하는 제조공정은 디스플레이 분야에서 주지된 내용이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The manufacturing process for forming red, green, and blue color filters is well known in the display field, and therefore, a detailed description thereof will be omitted.

한편, 도 9 내지 도 12에 구체적으로 도시되어 있지 않지만, 유기발광 다이오드(140, OLED)는 애노드 전극(142), 발광층(144) 및 캐소드 전극(146) 이외에 정공 주입층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.9 to 12, the organic light emitting diode 140 includes a hole injection layer and an electron injection layer in addition to the anode electrode 142, the emission layer 144, and the cathode electrode 146 can do.

이어서, 도 13을 참조하면, 뱅크(128) 및 유기발광 다이오드(140, OLED) 상부에 봉지 글래스(150)를 합착하여 유기발광 다이오드(140, OLED)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지한다.13, an encapsulating glass 150 is attached on the banks 128 and the organic light emitting diodes 140 to seal the organic light emitting diodes 140 (OLED) from external factors such as moisture.

여기서, 봉지 글래스(150)는 유기발광 다이오드(140, OLED)를 외부 습기 및 이물질로부터 보호하기 위한 것으로, 글래스 재질뿐만 아니라 박막 필름 봉지제(TFE: Thin Film Encapsulation)로도 형성될 수 있다.Here, the sealing glass 150 protects the organic light emitting diode 140 (OLED) from external moisture and foreign matter, and may be formed not only of a glass material but also a thin film encapsulation (TFE).

그러나, 이에 한정되지 않고, 유기발광 다이오드(140, OLED)를 보호할 수 있는 물질이면 봉지 글래스(150)의 역할을 대체할 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and if the organic light emitting diode (OLED) 140 can protect the organic light emitting diode 140, the sealing glass 150 may be substituted.

도 4 내지 도 13의 제조 공정을 포함하는 본 발명의 유기 발광장치의 제조방법은 바텀 이미션(Bottom Emission) 방식의 AMOLED 패널(Panel)에 정전용량 방식의 터치 센서(Touch Sensor)를 내재화 시킬 수 있다.The manufacturing method of the organic light emitting device according to the present invention including the manufacturing processes of FIGS. 4 to 13 can incorporate an electrostatic capacity type touch sensor in an AMOLED panel of a bottom emission type. have.

이를 통해, 터치 센서를 형성하기 위한 별도의 터치 글래스를 제거하여 종래 기술 대비 두께가 감소된 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치를 제조할 수 있다.Accordingly, it is possible to manufacture an organic light emitting device including a touch sensor with a reduced thickness compared to the prior art by removing a separate touch glass for forming the touch sensor.

또한, 본 발명의 유기 발광장치의 제조방법은 터치 센서를 표시 패널의 셀 내에 내재화시켜 터치 센서의 형성에 따른 제조 비용을 절감시킬 수 있다.In addition, the manufacturing method of the organic light emitting device of the present invention can reduce the manufacturing cost due to the formation of the touch sensor by internalizing the touch sensor in the cell of the display panel.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법을 통해 형성된 터치 센서는 유기발광 다이오드(140, OLED)의 구조와 상관없이 모든 바텀 이미션 방식의 유기 발광장치에 적용할 수 있는 장점이 있다.The touch sensor formed through the method of manufacturing the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention has an advantage that it can be applied to all the bottom emission organic light emitting devices irrespective of the structure of the organic light emitting diode 140. [

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 TFT 및 터치 센서를 형성하기 위한 제조공정을 이용하여 스토리지 커패시터를 형성함으로써, 스토리지 커패시터를 형성하기 위한 별도의 레이어 및 제조공정을 생략시켜 유기 발광장치의 두께를 줄이고 제조 비용을 절감시킬 수 있다.In addition, a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes forming a storage capacitor using a manufacturing process for forming a TFT and a touch sensor, thereby omitting a separate layer and a manufacturing process for forming a storage capacitor The thickness of the organic light emitting device can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 터치 센서를 표시 패널의 셀 내에 내재화시켜 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 제조 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.In addition, the method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention has an advantage that manufacturing efficiency of an organic light emitting device including a touch sensor can be improved by internalizing a touch sensor in a cell of a display panel.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110: 백 플랜 기판 111: 제1 전극
112: 액티브 113: 소스
114: 드레인 115: 게이트 절연층
116: 게이트 117: 층간 절연층
118: 데이터 컨택 120: 센싱 전극
122: 제2 전극 124: 컨택 브릿지
126: 보호층 128: 뱅크
130: 드라이빙 전극 132: 컨택 배선
140: 유기발광 다이오드 142: 애노드 전극
144: 발광층 146: 캐소드 전극
150: 봉지 글래스110: back plane substrate 111: first electrode
112: active 113: source
114: drain 115: gate insulating layer
116: gate 117: interlayer insulating layer
118: Data contact 120: sensing electrode
122: second electrode 124: contact bridge
126: Protective layer 128:
130: driving electrode 132: contact wiring
140: organic light emitting diode 142: anode electrode
144: light emitting layer 146: cathode electrode
150: bag glass

Claims (11)

유기발광 다이오드 및 사용자의 터치를 검출하기 위한 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치에 있어서,
백 플랜 기판;
상기 백 플랜 기판에 형성된 구동 TFT(thin film transistor);
상기 백 플랜 기판 상에 형성되어 픽셀 영역을 정의하는 뱅크;
상기 백 플랜 기판 상부 중에서 픽셀 영역에 형성된 유기발광 다이오드;
상기 구동 TFT와 유기발광 다이오드의 애노드 전극을 연결하는 데이터 컨택;
상기 백 플랜 기판 상의 게이트 절연층 상부 중에서 상기 픽셀 영역에 형성된 센싱 전극;
상기 센싱 전극과 이격되도록 상기 게이트 절연층 상부 중에서 상기 픽셀 영역에 형성된 드라이빙 전극; 및
상기 유기발광 다이오드를 봉지하는 봉지 글래스를 포함하는, 유기 발광장치.1. An organic light emitting diode comprising an organic light emitting diode and a touch sensor for detecting a touch of a user,
A back plane substrate;
A driving TFT (thin film transistor) formed on the back plan substrate;
A bank formed on the back plane substrate and defining a pixel region;
An organic light emitting diode formed in a pixel region in an upper portion of the back plan substrate;
A data contact for connecting the driving TFT and the anode electrode of the organic light emitting diode;
A sensing electrode formed in the pixel region in an upper portion of the gate insulating layer on the back plan substrate;
A driving electrode formed in the pixel region in the upper portion of the gate insulating layer so as to be spaced apart from the sensing electrode; And
And an encapsulating glass sealing the organic light emitting diode. 제 1 항에 있어서,
상기 센싱 전극 및 드라이빙 전극은 상기 유기 발광다이오드와 중첩되는 영역에 형성된, 유기 발광장치.The method according to claim 1,
Wherein the sensing electrode and the driving electrode are formed in a region overlapping the organic light emitting diode. 제 1 항에 있어서,
픽셀들에 형성된 센싱 전극들을 연결하는 컨택 브릿지; 및
픽셀들에 형성된 드라이빙 전극들을 연결하는 컨택 배선을 포함하는, 유기 발광장치.The method according to claim 1,
A contact bridge connecting sensing electrodes formed in the pixels; And
And contact wires connecting the driving electrodes formed in the pixels. 제 3 항에 있어서,
픽셀들에 형성된 센싱 전극들은 상기 컨택 브릿지에 의해 제1 방향으로 연결되고,
픽셀들에 형성된 드라이빙 전극들은 상기 컨택 배선에 의해 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연결된, 유기 발광장치.The method of claim 3,
Sensing electrodes formed in the pixels are connected in the first direction by the contact bridge,
Driving electrodes formed in the pixels are connected in the second direction orthogonal to the first direction by the contact wiring. 제 4 항에 있어서,
상기 컨택 브릿지 및 상기 컨택 배선은 상기 뱅크와 중첩되도록 형성된, 유기 발광장치.5. The method of claim 4,
Wherein the contact bridge and the contact wiring are formed so as to overlap with the bank. 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 절연층을 사이에 두고 형성된 제1 전극 및 제2 전극으로 구성된 스토리지 커패시터를 더 포함하는, 유기 발광장치.The method according to claim 1,
And a storage capacitor constituted by a first electrode and a second electrode formed with the gate insulating layer interposed therebetween. 유기발광 다이오드(organic light emitting diode) 및 사용자의 터치를 검출하기 위한 터치 센서를 포함하는 유기 발광장치의 제조방법에 있어서,
게이트 라인, 데이터 라인, 발광 신호 라인, 구동 전원 라인, 기준 전원 라인이 형성된 백 플랜 기판을 마련하는 단계;
상기 백 플랜 기판 상에 액티브 및 스토리지 커패시터의 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 액티브를 덮도록 게이트 절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연층 상부 중에서 픽셀 영역에 터치 센서의 센싱 전극 및 드라이빙 전극을 형성함과 아울러, 상기 제1 전극과 중첩되도록 스토리지 커패시터의 제2 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연층 상부 중에 상기 액티브와 중첩되는 영역에 구동 TFT의 게이트를 형성함과 아울러, 인접한 픽셀들에 형성된 드라이빙 전극을 연결하는 컨택 배선을 형성하는 단계;
상기 게이트 및 상기 드라이빙 전극을 덮도록 층간 절연층을 형성하는 단계;
상기 액티브의 일부 영역에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성함과 아울러, 상기 제1 전극에 불순물을 도핑하는 단계;
상기 층간 절연층의 일부를 제거하여 상기 소스 및 상기 드레인과 접속되는 데이터 컨택을 형성함과 아울러, 인접한 센싱 전극들을 연결하는 컨택 브릿지를 형성하는 단계; 및
상기 백 플랜 기판 상의 픽셀 영역에 애노드 전극 및 발광층을 순차적으로 형성하고, 상기 발광층의 상부 및 상기 백 플랜 기판의 전면에 캐소드 전극을 형성하여 유기발광 다이오드를 구성하는 단계를 포함하고,
상기 센싱 전극과 상기 드라이빙 전극은 동일 레이어 상에서 상호 이격되도록 형성되고, 상기 컨택 브릿지 및 컨택 배선에 의해 상호 분리되는, 유기 발광장치의 제조방법.1. A method of manufacturing an organic light emitting device including an organic light emitting diode and a touch sensor for detecting a touch of a user,
Providing a backplane substrate on which gate lines, data lines, emission signal lines, driving power supply lines, and reference power supply lines are formed;
Forming a first electrode of the active and storage capacitor on the back plan substrate;
Forming a gate insulating layer to cover the active layer;
Forming a sensing electrode and a driving electrode of a touch sensor in a pixel region in an upper portion of the gate insulating layer and forming a second electrode of the storage capacitor so as to overlap with the first electrode;
Forming a gate of a driving TFT in a region overlapping the active region in the upper portion of the gate insulating layer and forming contact wirings connecting driving electrodes formed in adjacent pixels;
Forming an interlayer insulating layer to cover the gate and the driving electrode;
Forming a source and a drain by doping an impurity in a part of the active region, and doping the first electrode with an impurity;
Removing a portion of the interlayer dielectric layer to form a data contact connected to the source and the drain, and forming a contact bridge connecting adjacent sensing electrodes; And
Forming an organic light emitting diode by sequentially forming an anode electrode and a light emitting layer in a pixel region on the back plan substrate and forming a cathode electrode on the entire surface of the light emitting layer and the back plan substrate,
Wherein the sensing electrode and the driving electrode are spaced apart from each other on the same layer, and are separated from each other by the contact bridge and the contact wiring. 제 7 항에 있어서,
상기 센싱 전극 및 드라이빙 전극은 상기 유기발광 다이오드와 중첩되도록 형성되는, 유기 발광장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the sensing electrode and the driving electrode are formed to overlap with the organic light emitting diode. 제 7 항에 있어서,
상기 액티브와 상기 스토리지 커패시터의 제1 전극은 동일 물질로 동시에 형성되고,
상기 센싱 전극과 상기 스토리지 커패시터의 제2 전극은 동일 물질로 동시에 형성되는, 유기 발광장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
The active and the first electrode of the storage capacitor are simultaneously formed of the same material,
Wherein the sensing electrode and the second electrode of the storage capacitor are simultaneously formed of the same material. 제 7 항에 있어서,
상기 센싱 전극과 상기 드라이빙 전극은 제1 마스크를 이용하여 동시에 형성되고,
상기 구동 TFT의 게이트와 상기 컨택 배선은 제2 마스크를 이용하여 동시에 형성되고,
상기 데이터 컨택과 상기 컨택 브릿지는 제3 마스크를 이용하여 동시에 형성되는, 유기 발광장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the sensing electrode and the driving electrode are simultaneously formed using a first mask,
The gate of the driving TFT and the contact wiring are formed simultaneously using the second mask,
Wherein the data contact and the contact bridge are simultaneously formed using a third mask. 제 7 항에 있어서,
상기 센싱 전극, 상기 드라이빙 전극, 상기 구동 TFT의 게이트 및 상기 컨택 배선은 하프톤 마스크를 이용하여 동시에 형성되는, 유기 발광장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the sensing electrode, the driving electrode, the gate of the driving TFT, and the contact wiring are simultaneously formed using a halftone mask.
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