KR101589272B1 - Touch sensor in-cell type organic electroluminescent device and methode of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 표시영역 내에 다수의 화소영역이 정의되며, 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과, 전원배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결된 구동 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 제 1 기판과 이와 마주하는 투명한 제 2 기판을 포함하는 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자에 있어서, 상기 각 화소영역 내에 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 제 1 전극과; 상기 각 화소영역을 둘러싸며 상기 제 1 전극의 테두리를 덮으며 형성된 버퍼패턴과; 상기 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 형성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 위로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극과; 상기 제 2 전극 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 1 물질층과; 상기 제 1 물질층 상부로 다수의 상기 화소영역 중 다수의 특정 화소영역에 대응하여 형성된 터치 전극을 포함하며, 상기 제 2 전극과 상기 제 1 물질층과 상기 터치 전극은 터치 센서를 이루는 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자를 제공한다.The present invention relates to a liquid crystal display device comprising a plurality of pixel regions defined in a display region and including gate and data lines crossing each other, a power supply line, a switching thin film transistor connected to the gate and the data line, A touch sensor comprising: a first substrate including an organic electroluminescent diode and a second transparent substrate facing the first substrate; and a first electrode formed in contact with the drain electrode of the driving thin film transistor in each pixel region, An electrode; A buffer pattern surrounding each of the pixel regions and covering an edge of the first electrode; An organic light emitting layer formed on the first electrode in the pixel region; A second electrode formed on the entire surface of the display region on the organic light emitting layer; A first material layer formed on the entire surface of the display region above the second electrode; And a touch electrode formed on the first material layer in correspondence with a plurality of specific pixel regions of the plurality of pixel regions, wherein the second electrode, the first material layer, and the touch electrode form a touch sensor. A touch sensor type organic electroluminescent device is provided.
유기전계발광소자, 터치센서, 단순화, 경량화, 박형화 Organic electroluminescent device, touch sensor, simplification, light weight, thin type

Description

터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 {Touch sensor in-cell type organic electroluminescent device and methode of fabricating the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a touch sensor type organic electroluminescent device and a method of fabricating the same,

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescent Device)에 관한 것이며, 특히 인셀 타입으로 터치 센서(touch sensor)가 내장된 유기전계 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device having a touch sensor as an in-cell type and a method of manufacturing the same.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류의 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.An organic electroluminescent device, which is one of flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can realize an ultra-thin display, can realize a moving image with a response time of several microseconds (μs), has no viewing angle limit, And it is driven with a low voltage of 5V to 15V of direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티 브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. An organic electroluminescent device having such characteristics is largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In a passive matrix type, a scan line and a signal line cross each other to form a matrix type device. In order to drive the pixels, the scanning lines are sequentially driven with time, and therefore, in order to show the required average luminance, the instantaneous luminance must be given by multiplying the average luminance by the number of lines.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소(pixel)를 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 화소(pixel)별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 화소 단위로 온(on)/오프(off)되고, 상기 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 전면에 형성되어 공통전극이 된다. However, in the active matrix method, a thin film transistor, which is a switching element for turning on / off a pixel, is located for each pixel, and the first electrode connected to the thin film transistor is turned on / Off, and the second electrode facing the first electrode is formed on the front surface and becomes a common electrode.

그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 픽셀에 인가된 전압이 스토리지 커패시터(CST ; storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다. In the active matrix method, the voltage applied to the pixel is charged in the storage capacitor (C ST ), and power is applied until the next frame signal is applied. Thus, Continue to run for one screen without. Accordingly, since the same luminance is exhibited even when a low current is applied, an active matrix type organic electroluminescent device is mainly used since it has advantages of low power consumption, high definition and large size.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operating characteristics of such an active matrix organic electroluminescent device will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회로도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel of a general active matrix organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다. As shown, one pixel of the active matrix type organic electroluminescent device includes a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E, .

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, a gate line GL is formed in a first direction and a data line DL is formed in a second direction intersecting the first direction to define a pixel region P, A power supply line PL for applying a power supply voltage is formed.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. A switching thin film transistor STr is formed at the intersection of the data line DL and the gate line GL and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor STr is formed have.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. At this time, the driving thin film transistor DTr is electrically connected to the organic light emitting diode E. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic electroluminescent diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is connected to the power supply line PL. At this time, the power supply line (PL) transfers the power supply voltage to the organic light emitting diode (E). A storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기 전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계 발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on and the signal of the data line DL is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr, The thin film transistor DTr is turned on so that light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is turned on, a level of a current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined. Accordingly, the organic light emitting diode E The storage capacitor StgC is capable of maintaining a constant gate voltage of the driving thin film transistor DTr when the switching thin film transistor STr is turned off The level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame even if the switching thin film transistor STr is turned off.

도 2는 종래의 일반적인 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 70)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 70)의 가장자리부는 씰패턴(seal pattern)(80)에 의해 봉지되어 있으며, 제 1 기판(10)의 상부에는 각 화소영역(P)별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 상기 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되어 제 1 전극(47)이 형성되어 있고, 상기 제 1 전극(47) 상부에는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue)색에 대응되는 발광물질을 포함하는 유기 발광층(55)이 형성되어 있고, 유기 발광층(55) 상부에는 전면에 제 2 전극(58)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1, 2 전극(47, 58)은 상기 유기 발광층(55)에 전계를 인가해주는 역할을 한다. The first and second substrates 10 and 70 are disposed opposite to each other and the edge portions of the first and second substrates 10 and 70 are sealed by a seal pattern 80 A driving thin film transistor DTr is formed on the first substrate 10 for each pixel region P and a first electrode 47 is formed in connection with each of the driving thin film transistors DTr An organic light emitting layer 55 including a light emitting material corresponding to red, green and blue colors is formed on the first electrode 47. An organic light emitting layer 55 including a light emitting material corresponding to red, And a second electrode 58 is formed on the front surface. At this time, the first and second electrodes 47 and 58 serve to apply an electric field to the organic light emitting layer 55.

그리고, 전술한 씰패턴(80)에 의해서 상기 제 1 기판(10) 상에 형성된 제 2 전극(47)과 제 2 기판(58)은 일정간격 이격하고 있다. The second electrode 47 and the second substrate 58 formed on the first substrate 10 are separated from each other by a predetermined distance by the seal pattern 80 described above.

도 3은 종래의 일반적인 유기전계 발광소자의 구동 박막트랜지스터를 포함하 는 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a pixel region including a conventional thin film transistor of a conventional organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이, 제 1 기판(10) 상에는 순수 폴리실리콘의 제 1 영역(13a)과 불순물이 도핑된 제 2 영역(13b)으로 구성된 반도체층(13), 게이트 절연막(16), 게이트 전극(20), 상기 제 2 영역(13b)을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀(25)을 갖는 층간절연막(23), 소스 및 드레인 전극(33, 36)이 순차적으로 적층 형성되어 구동 박막트랜지스터(DTr)를 구성하고 있으며, 상기 소스 및 드레인 전극(33, 36)은 각각 전원배선(미도시) 및 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결되어 있다. A semiconductor layer 13 composed of a first region 13a of pure polysilicon and a second region 13b doped with an impurity, a gate insulating film 16, and a gate electrode (not shown) are formed on the first substrate 10, An interlayer insulating film 23 having a semiconductor layer contact hole 25 exposing the first region 13 and a second region 13b and source and drain electrodes 33 and 36 are sequentially stacked to form a driving thin film transistor DTr, And the source and drain electrodes 33 and 36 are connected to a power supply line (not shown) and the organic light emitting diode E, respectively.

또한, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 유기 발광층(55)이 개재된 상태로 서로 대향된 제 1 전극(47) 및 제 2 전극(58)으로 구성된다. 이때 상기 제 1 전극(47)은 각 화소영역(P)별로 구동 박막트랜지스터(DTr)의 일전극과 접촉하며 형성되고 있으며, 상기 제 2 전극(58)은 상기 유기 발광층(55) 위로 전면에 형성되고 있다.The organic electroluminescent diode E includes a first electrode 47 and a second electrode 58 opposed to each other with the organic light emitting layer 55 interposed therebetween. The first electrode 47 is formed in contact with one electrode of the driving thin film transistor DTr for each pixel region P and the second electrode 58 is formed over the organic light emitting layer 55 .

또한, 전술한 구조를 갖는 제 1 기판(10)과 마주하며 인캡슐레이션을 위해 제 2 기판(70)이 구성되고 있다.Further, the second substrate 70 is configured to encapsulate the first substrate 10 having the above-described structure.

한편, 상기 제 1 전극(47)은 특히, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 p타입인 경우, 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 높은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지고 있으며, 제 2 전극(58)은 캐소드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al)으로서 이루어지고 있다. The first electrode 47 may be formed of indium-tin-oxide (ITO) or indium-tin-oxide (ITO), which is a transparent conductive material having a high work function value to serve as an anode electrode when the driving thin film transistor DTr is p- - zinc (IZO), and the second electrode 58 is made of a metal material having a low work function value, for example, aluminum (Al) so as to serve as a cathode electrode.

한편, 근래에 들어서는 개인 휴대가 가능한 휴대폰, PDA 또는 노트북 등에서 터치 센서가 내장된 제품이 출시되어 사용자의 많은 관심을 끌고 있으며, 유기전계 발광소자 또한 이러한 제품에 모두 표시장치로 이용되고 있으므로 이러한 추세에 발맞추어 터치 센서가 부착된 제품이 최근 출시되고 있다.On the other hand, in recent years, a product in which a touch sensor is incorporated in a mobile phone, a PDA or a notebook which can be carried by a person has been attracting much attention from users, and organic electroluminescent devices are also used as display devices in all of these products. A product with a touch sensor attached to the foot is being released recently.

도 4는 종래의 터치 센서가 부착된 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device to which a conventional touch sensor is attached.

이러한 종래의 터치 센서를 구비한 유기전계 발광소자(2)는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(10)과 이와 마주하는 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(70)으로 구성된 제 1 패널(PA1)과, 상기 제 1 패널(PA1) 외측으로 제 1 점착층(72)을 개재하여 그 하부 및 상부에 각각 터치 제 1 전극(82)과 이격하는 다수의 바(bar) 형태를 갖는 터치 제 2 전극(86)이 구성된 제 3 기판(80)과 제 2 점착층(92)을 개재하여 상기 제 3 기판(80) 외측면에 형성된 보호시트(90)를 포함하여 구성된 제 2 패널(PA2)로 구성되고 있다. The organic electroluminescent device 2 having the conventional touch sensor includes a first substrate 10 on which a switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) and an organic electroluminescent diode E are formed, A first panel PA1 composed of a second substrate 70 for the first panel PA1 and a touch first electrode 82 formed on the lower and upper portions of the first panel PA1 via a first adhesive layer 72, A protection layer formed on the outer surface of the third substrate 80 via the third substrate 80 and the second adhesive layer 92 constituted by the touch second electrode 86 having a plurality of bar- And a second panel PA2 including a sheet 90. [

따라서, 종래의 터치 센서가 구비된 유기전계 발광소자(2)는 상기 보호시트(90)를 배제하더라고 총 3개의 기판(10, 70, 90)으로 이루어지고 있음을 알 수 있다.Therefore, it can be understood that the organic electroluminescent device 2 including the conventional touch sensor is made up of three substrates 10, 70, and 90 although the protective sheet 90 is omitted.

이때, 상기 유기전계 발광소자(2)에 이용되는 기판(10, 70, 90)은 주로 투명한 특성을 갖는 유리기판이 되고 있으며, 이러한 유리기판을 3장 이용하여 터치 센서(TS)를 구비한 유기전계 발광소자(2)를 구성하는 경우 그 두께가 매우 두꺼워지며, 그 무게가 상대적으로 많이 무거워지게 되므로 표시장치의 경량박형의 추세에 역행을 하게되는 문제가 발생하고 있다.At this time, the substrates 10, 70, and 90 used in the organic electroluminescent device 2 are mainly glass substrates having transparent characteristics, and three organic EL devices having a touch sensor (TS) When the electroluminescent element 2 is constituted, the thickness of the electroluminescent element 2 becomes very large, and the weight of the electroluminescent element 2 becomes relatively heavy, thereby causing a problem that the display device is backed by a thin and light trend.

또한, 터치 센서(TS) 형성을 위한 별도의 공정 진행을 실시해야 하므로 공정이 복잡해지는 문제가 발생하고 있다. In addition, since a separate process for forming the touch sensor TS has to be performed, the process becomes complicated.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 기판 사용을 최소화함으로써 경량박형의 터치센서를 구비한 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device having a lightweight thin touch sensor by minimizing the use of a substrate.

또한, 터치 센서 구현을 위한 소자를 최소화함으로써 제조 공정을 단순화함으로써 제조 비용을 저감시키는 것을 또 다른 목적으로 한다. Another object of the present invention is to minimize manufacturing cost by simplifying a manufacturing process by minimizing elements for implementing a touch sensor.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자는, 표시영역 내에 다수의 화소영역이 정의되며, 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과, 전원배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결된 구동 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 제 1 기판과 이와 마주하는 투명한 제 2 기판을 포함하는 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자에 있어서, 상기 각 화소영역 내에 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 제 1 전극과; 상기 각 화소영역을 둘러싸며 상기 제 1 전극의 테두리를 덮으며 형성된 버퍼패턴과; 상기 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 형성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 위로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극과; 상기 제 2 전극 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 1 물질층과; 상기 제 1 물질층 상부로 다수의 상기 화소영역 중 다수의 특정 화소영역에 대응하여 형성된 터치 전극을 포함하며, 상기 제 2 전극과 상기 제 1 물질층과 상기 터치 전극은 터치 센서를 이루는 것이 특징이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a touch sensor type organic electroluminescent device including a plurality of pixel regions defined in a display region, gate and data lines crossing each other, power supply lines, Type organic electroluminescent device including a switching thin film transistor connected to the first thin film transistor, a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor, and a first substrate including an organic light emitting diode and a second transparent substrate facing the first thin film transistor, A first electrode formed in the pixel region in contact with a drain electrode of the driving thin film transistor; A buffer pattern surrounding each of the pixel regions and covering an edge of the first electrode; An organic light emitting layer formed on the first electrode in the pixel region; A second electrode formed on the entire surface of the display region on the organic light emitting layer; A first material layer formed on the entire surface of the display region above the second electrode; And a touch electrode formed on the first material layer in correspondence to a plurality of specific pixel regions of the plurality of pixel regions, wherein the second electrode, the first material layer, and the touch electrode form a touch sensor .

이때, 상기 유기 발광층은 적, 녹, 청색 유기 발광물질로 이루어지며 각 화소영역에는 순차적으로 적, 녹 및 청색 유기 발광층이 형성되어 적, 녹 및 청색을 각각 발광하는 것이 특징이며, 상기 특정 화소영역은, 상기 적, 녹 및 청색을 발광하는 화소영역 중 어느 하나의 색을 발광하는 화소영역이거나, 또는 상기 표시영역에서 1개 내지 10개의 화소영역의 이격간격을 가지며 배치된 화소영역인 것이 특징이다.Here, the organic light emitting layer is composed of red, green, and blue organic light emitting materials, and red, green, and blue organic light emitting layers are sequentially formed in each pixel region to emit red, green, and blue light. Is a pixel region that emits any one of the red, green, and blue pixel regions, or a pixel region that is disposed with a spacing of 1 to 10 pixel regions in the display region .

또한, 상기 특정 화소영역은, 상기 유기 발광층이 각 화소영역에 순차적으로 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하는 유기 발광 물질로 이루어지는 경우, 화이트의 유기 발광층이 형성되어 화이트를 발광하는 화소영역인 것이 특징이다.The specific pixel region may be a pixel region in which a white organic light emitting layer is formed to emit white when the organic light emitting layer is formed of an organic light emitting material that sequentially emits red, green, blue, and white in each pixel region Feature.

상기 제 2 기판의 외측면에는 편광판이 구성될 수 있다. A polarizer may be formed on the outer surface of the second substrate.

또한, 상기 제 1 전극 하부에는 반사효율이 우수한 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 으로 이루어진 반사판이 형성되며, 상기 제 1 전극은 애노드 전극을 역할을 할 수 있도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, 상기 제 2 전극은 캐소드 전극을 역 할을 할 수 있도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질인 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 하나로 이루어지며, 상기 터치 전극은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, 이때, 상기 제 1 전극과 상기 유기 발광층 사이에는 정공주입층(hole injection layer)과 정공수송층(hole transporting layer)이 형성되며, 상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에는 전자수송층(electron transporting layer)과 전자주입층(electron injection layer)이 형성될 수 있다. In addition, a reflective plate made of aluminum (Al) or silver (Ag) having excellent reflection efficiency is formed under the first electrode, and the first electrode is made of a transparent conductive material having a relatively large work function value The first electrode is made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), and the second electrode is made of a metal material having relatively low work function value, (ITO) or indium-tin-oxide (ITO) which is a transparent conductive material, and the touch electrode is made of one of aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au) and aluminum magnesium alloy A hole injection layer and a hole transporting layer are formed between the first electrode and the organic light emitting layer and a hole transporting layer is formed between the organic light emitting layer and the second electrode, Between the electrodes An electron transporting layer and an electron injection layer may be formed.

본 발명에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 표시영역 내에 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상에 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과, 전원배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 제 1 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 보호층 위로 상기 각 화소영역 내에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하는 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역을 둘러싸며 상기 제 1 전극의 테두리를 덮는 버퍼패턴을 형성하는 단계와; 상기 각 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 각각 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층 위로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 2 전극 상부로, 상기 표시영역 전면에 제 2 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 보호층 위로 상기 각 화소영역 중 특정 화소영역에 대응하여 터치 전극을 형성하는 단계와; 상기 터치 전극과 마주하도록 상기 제 1 기판과 투명한 제 2 기판을 접착시키는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a touch sensor type insulated-cell type organic electroluminescent device according to the present invention includes a step of forming gate and data lines crossing each other on a first substrate in which a plurality of pixel regions are defined in a display region, Forming a switching thin film transistor connected to the switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor; Forming a first passivation layer having a drain contact hole exposing a drain electrode of the driving thin film transistor; Forming a first electrode in each of the pixel regions over the first passivation layer to contact the drain electrode of the driving thin film transistor through the drain contact hole; Forming a buffer pattern surrounding each pixel region and covering a rim of the first electrode; Forming an organic emission layer on the first electrode in each of the pixel regions; Forming a second electrode over the entire display area on the organic light emitting layer; Forming a second passivation layer on the entire surface of the display region above the second electrode; Forming a touch electrode on the second protective layer corresponding to a specific pixel region of the pixel regions; And bonding the first substrate and the second transparent substrate so as to face the touch electrode.

이때, 상기 유기 발광층은 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광물질로 이루어지며, 상기 화소영역은 순차 반복적으로 적, 녹 및 청색 유기 발광층이 각각 형성되어 적, 녹, 및 청색을 발광하도록 하는 경우, 상기 특정 화소영역은 상기 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역 중 어느 한색을 발광하는 화소영역이거나, 또는 1개 내지 10개의 화소영역의 이격간격을 갖도록 배치된 화소영역이 되며, 또는, 상기 유기 발광층은 적, 녹, 청색 이외에 화이트를 발광하는 유기 발광물질을 포함하며, 상기 화소영역은 순차 반복적으로 적, 녹, 청 및 화이트 유기 발광층이 각각 형성되어 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하도록 하는 경우, 상기 특정 화소영역은 상기 화이트를 발광하는 화소영역 것이 특징이다.In this case, the organic light emitting layer is made of an organic light emitting material that emits red, green, and blue light, and the pixel region is formed by sequentially and repeatedly forming red, green, and blue organic light emitting layers to emit red, green, , The specific pixel region is a pixel region that emits any one of the red, green, and blue light-emitting pixel regions, or a pixel region that is arranged to have a separation distance of one to ten pixel regions, The organic light emitting layer includes an organic light emitting material that emits white light in addition to red, green, and blue, and the pixel regions are sequentially and repeatedly formed with red, green, blue, and white organic light emitting layers to emit red, green, The specific pixel region is a pixel region that emits white light.

또한, 상기 제 2 기판의 외측면에 편광판을 부착하는 단계를 포함한다. And attaching a polarizer to the outer surface of the second substrate.

본 발명에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자는 유기전계 발광 다이오드가 형성된 제 1 기판과 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판 사이에 터치를 감지할 수 있는 센서를 구비함으로써 종래의 3개의 기판을 이용하는 것 대비 1개의 기판 사용을 줄임으로써 경략박형을 구현하는 효과가 있다.A touch sensor type organic electroluminescent device according to the present invention includes a sensor for sensing a touch between a first substrate on which an organic light emitting diode is formed and a second substrate on which encapsulation is performed, It is effective to implement thinning by reducing the use of one substrate compared to that of the other substrate.

또한, 유기전계 발광 다이오드의 제 2 전극을 터치 센서의 터치 제 1 전극으로 이용함으로써 터치 센서 구현을 위한 구성요소를 최소화함으로써 공정 단순화를 이루며 나아가 제조 비용을 저감 시키는 효과가 있다.Further, by using the second electrode of the organic light emitting diode as the touch first electrode of the touch sensor, components for implementing the touch sensor are minimized, thereby simplifying the process and further reducing the manufacturing cost.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 스위칭 박막트랜지스터가 형성될 영역을 스위칭 영역, 구동 박막트랜지스터가 형성될 영역을 구동 영역이라 정의한다.5 is a cross-sectional view of a touch sensor type insensitive-type organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention. Here, for convenience of description, a region where a switching thin film transistor is to be formed is defined as a switching region, and a region where a driving thin film transistor is to be formed is defined as a driving region.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자(101)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E) 및 터치 센서가 형성된 제 1 기판(110)과, 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)으로 구성되고 있다. The touch sensor type organic EL device 101 according to the present invention includes a first substrate 110 on which a driving and switching thin film transistor DTr (not shown), an organic light emitting diode E and a touch sensor are formed, And a second substrate 170 for encapsulation.

우선, 제 1 기판(110)의 구성에 대해 설명한다. First, the structure of the first substrate 110 will be described.

상기 제 1 기판(110) 상부에는 각 화소영역(P) 내에 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 제 1 영역(113a) 그리고 상기 제 1 영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)이 형성되어 있다. 이때, 상기 반도체층(113)과 상기 제 1 기판(110) 사이에는 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 상기 반도체층(113)의 결정화 시 유리재질인 상기 제 1 기판(110) 내부로부터 나오는 알 카리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하기 위함이다. A first region 113a of the first substrate 110 is formed of pure polysilicon in the pixel region P and a central portion of the pixel region P is doped with impurities at a high concentration to both sides of the first region 113a. A semiconductor layer 113 composed of a second region 113b is formed. At this time, a buffer layer (not shown) made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) may be further formed on the entire surface between the semiconductor layer 113 and the first substrate 110 have. The buffer layer (not shown) prevents the deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 113 due to the release of alkaline ions from the inside of the first substrate 110, which is a glass material, when the semiconductor layer 113 is crystallized .

또한, 상기 반도체층(113)을 덮으며 전면에 게이트 절연막(116)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 이룰 게이트 전극(미도시)과 연결되며 일방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 116 is formed on the entire surface of the semiconductor layer 113 and a gate electrode 116 corresponding to the first region 113a of the semiconductor layer 113 is formed on the gate insulating layer 116. [ 120 are formed. The gate insulating layer 116 is connected to a gate electrode (not shown) for forming a switching thin film transistor (not shown) and extends in one direction to form a gate wiring (not shown).

또한, 상기 게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시) 위로 전면에 층간절연막(123)이 형성되어 있다. 이때, 상기 층간절연막(123)과 그 하부의 게이트 절연막(116)은 상기 제 1 영역(113a) 양측면에 위치한 상기 제 2 영역(113b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 형성되어 있다. In addition, an interlayer insulating film 123 is formed on the entire surface of the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown). The interlayer insulating layer 123 and the gate insulating layer 116 under the semiconductor layer contact hole 125 expose the second regions 113b located on both sides of the first region 113a .

다음, 상기 반도체층 콘택홀(125)을 포함하는 층간절연막(123) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(미도시)과, 이와 이격하여 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. 또한, 상기 층간절연막(123) 위로 각 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에는 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 제 2 영역(113b)과 각각 접촉하며 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)과, 이들 전극(133, 136)과 접촉하는 제 2 영역(113b)을 포함하는 반도체층(113)과, 상기 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트 절연막(116) 및 게이트 전극(120)은 각각 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 이룬다. 이때, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 게이 트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 전기적으로 연결되며 형성되어 있다. 한편, 상기 데이터 배선(미도시)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)과 연결되고 있다. A data line (not shown) is formed on the interlayer insulating layer 123 including the semiconductor layer contact hole 125 to define a pixel region P intersecting the gate line (not shown) Wiring (not shown) is formed. The source and drain electrodes 113 and 114 are in contact with the second region 113b which are spaced apart from each other in the driving region DA and the switching region (not shown) above the interlayer insulating layer 123 and exposed through the semiconductor layer contact hole 125, Drain electrodes 133 and 136 are formed. A semiconductor layer 113 including the source and drain electrodes 133 and 136 and a second region 113b contacting the electrodes 133 and 136 and a gate electrode The insulating film 116 and the gate electrode 120 constitute a driving thin film transistor DTr and a switching thin film transistor (not shown), respectively. At this time, the switching thin film transistor (not shown) is electrically connected to the driving thin film transistor DTr, the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown). The data line (not shown) is connected to a source electrode (not shown) of the switching thin film transistor (not shown).

이때, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 상기 제 2 영역(113b)에 도핑되는 불순물에 따라 p타입 또는 n타입 박막트랜지스터를 이루게 된다. p타입 박막트랜지스터의 경우는 제 2 영역(113b)에 3족의 원소 예를들면 붕소(B)를 도핑함으로써 이루어지게 되며, 캐리어로서 정공이 이용된다. At this time, the driving and switching thin film transistor DTr (not shown) forms a p-type or n-type thin film transistor according to impurities doped in the second region 113b. In the case of the p-type thin film transistor, the second region 113b is formed by doping a group III element such as boron (B), and holes are used as carriers.

따라서, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 연결되는 제 1 전극(147)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 타입에 따라 애노드 또는 캐소드 전극의 역할을 하게 되는 것이다. 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된 제 1 전극(147)은 애노드 전극의 역할을 하게 되는 것이 특징이다. The first electrode 147 connected to the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr functions as an anode or a cathode electrode depending on the type of the driving thin film transistor DTr. In the exemplary embodiment of the present invention, the first electrode 147 connected to the driving thin film transistor DTr functions as an anode electrode.

또한, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 전면에 제 1 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 보호층(140)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 형성되어 있다. Also, a first passivation layer 140 is formed on the entire surface of the driving and switching thin film transistor DTr (not shown). At this time, a drain contact hole 143 is formed in the first passivation layer 140 to expose the drain electrode 136 of the driving TFT DTr.

한편, 도면에는 나타나지 않았지만, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)과 연결되며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)은 상기 데이터 배선(미도시)과 연결된다.A gate electrode (not shown) of the switching thin film transistor (not shown) is connected to the gate wiring (not shown), and a source electrode (not shown) of the switching thin film transistor And is connected to the data line (not shown).

또한, 상기 드레인 콘택홀(143)을 구비한 상기 제 1 보호층(140) 위로는 상 기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. 이때, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(147)은 이중층 구조를 이루거나 또는 상기 제 1 전극(147) 하부에 반사판(미도시)이 구비되는 것이 광효율 극대화 측면에서 바람직하다. 즉, 상기 제 1 전극(147)이 이중층 구조를 이루는 경우, 상부층(미도시)은 애노드 전극의 역할을 하며, 하부층(미도시)은 반사판의 역할을 할 수 있는 도전성 물질로 각각 형성되는 것이 바람직하다. The first passivation layer 140 having the drain contact hole 143 is in contact with the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr through the drain contact hole 143, A first electrode 147 is formed for each pixel region P. Although not shown in the drawing, it is preferable that the first electrode 147 has a bilayer structure or a reflector (not shown) is provided under the first electrode 147 in view of maximizing the light efficiency. That is, when the first electrode 147 has a double layer structure, the upper layer (not shown) serves as an anode electrode and the lower layer (not shown) serves as a reflective plate Do.

조금 더 상세히 설명하면, 상기 제 1 전극(147)의 상부층(미도시)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 크며 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, 상기 제 1 전극(147)의 하부층(미도시)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로써 이루어짐으로써 상기 제 1 전극(147) 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛을 상부로 반사시켜 발광 효율을 향상시키는 역할을 하게 된다. 한편, 상기 제 1 전극(147)을 도시한 바와같이 단일층 구조를 이루도록 하는 경우, 상기 제 1 전극(147) 하부에는 전술한 반사효율이 우수한 금속물질로서 반사판(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. An upper layer (not shown) of the first electrode 147 may have a relatively large work function value to serve as an anode electrode and may include a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium- (IZO), and a lower layer (not shown) of the first electrode 147 is made of a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or silver (Ag) The organic light emitting layer 155 formed on the organic light emitting layer 155 reflects light upward to improve the light emitting efficiency. When the first electrode 147 is formed as a single layer structure, a reflective plate (not shown) may be further formed under the first electrode 147 as a metal material having excellent reflection efficiency have.

다음, 상기 제 1 전극(147) 위로 각 화소영역(P)의 경계에는 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(147)의 테두리와 중첩하도록 버퍼패턴(150)이 형성되어 있다. Next, a buffer pattern 150 is formed on the boundary of each pixel region P so as to overlap the rim of the first electrode 147 in the form of surrounding each pixel region P above the first electrode 147 have.

또한, 상기 버퍼패턴(150)으로 둘러싸인 각 화소영역(P)에 있어 상기 제 1 전극(147) 위로는 유기 발광층(155)이 형성되고 있으며, 상기 유기 발광층(155) 위로는 표시영역 전면에 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1, 2 전극(147, 158)과 그 사이에 형성된 유기 발광층(155)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이루게 된다.An organic light emitting layer 155 is formed on the first electrode 147 in each pixel region P surrounded by the buffer pattern 150. On the organic light emitting layer 155, Two electrodes 158 are formed. At this time, the first and second electrodes 147 and 158 and the organic light emitting layer 155 formed therebetween form an organic light emitting diode E.

도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 사이 및 상기 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158) 사이에는 각각 상기 유기 발광층(155)의 발광 효율 향상을 위해 다층 구조의 제 1 발광보상층(미도시)과 제 2 발광보상층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. 이때, 다층의 상기 제 1 발광보상층(미도시)은 상기 제 1 전극(147)으로부터 순차 적층되며 정공주입층(hole injection layer)과 정공수송층(hole transporting layer)으로 이루어지며, 또한, 상기 제 2 발광보상층(미도시)은 상기 유기 발광층(155)으로부터 전자수송층(electron transporting layer)과 전자주입층(electron injection layer)으로 이루어진다. 상기 다층 구조의 제 1 발광보상층(미도시)과 상기 제 2 발광보상층(미도시)은 상기 표시영역 전면에 판형태로 형성될 수도 있고, 또는 각 화소영역(P)별로 분리 형성될 수도 있다.Although not shown in the drawing, a multilayer structure (not shown) may be formed between the first electrode 147 and the organic emission layer 155, and between the organic emission layer 155 and the second electrode 158, A first light emission compensation layer (not shown) and a second emission compensation layer (not shown) may be further formed. At this time, the first emission compensation layer (not shown) of a plurality of layers is sequentially stacked from the first electrode 147, and is composed of a hole injection layer and a hole transporting layer, 2 emission compensation layer (not shown) is composed of an electron transporting layer and an electron injection layer from the organic light emitting layer 155. The first emission compensation layer (not shown) and the second emission compensation layer (not shown) of the multi-layer structure may be formed on the entire surface of the display region or may be formed separately for each pixel region P have.

한편, 상기 유기 발광층(155) 상부에 형성된 상기 제 2 전극(158)은 상기 제 1 전극(147)은 캐소드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄 마그네슘 합금(AlMg) 중 하나로 빛의 투과가 이루어지도록 10Å 내지 200Å 정도의 두께를 갖도록 형성되는 것이 특징이다.The first electrode 147 formed on the organic light emitting layer 155 may be formed of a metal material having a relatively low work function value such as aluminum (Al), aluminum And is formed to have a thickness of about 10 Å to 200 Å so as to transmit light through one of AlNd, Ag, Mg, Au, and AlMg.

다음, 상기 표시영역 전면에 형성된 상기 제 2 전극(158) 위로 상기 유기 발광층(155)의 광효율을 향상시키고, 상기 제 2 전극(158)의 보호와 상기 유기 발광층(155)으로의 습기 침투 방지를 위해 무기절연물질 또는 유기절연물질로써 제 2 보호층(160)이 형성되고 있다.Next, the light efficiency of the organic light emitting layer 155 is improved on the second electrode 158 formed on the entire surface of the display region, and the protection of the second electrode 158 and the moisture penetration into the organic light emitting layer 155 are prevented The second passivation layer 160 is formed of an inorganic insulating material or an organic insulating material.

다음, 본 발명의 가장 특징적인 구성으로서 상기 제 2 보호층(160) 위로 서로 일정간격 이격하는 바(bar) 형태의 터치 제 2 전극(165)이 형성되고 있다. 이때, 상기 이격하는 터치 제 2 전극(165)은 그 하부에 위치하는 상기 제 2 보호층(160)과 표시영역 전면에 형성된 상기 제 2 전극(158, 터치 제 1 전극)과 더불어 터치 센서(TS)를 이루는 것이 특징이다.Next, as a most characteristic feature of the present invention, a bar-shaped touch second electrode 165 is formed on the second passivation layer 160 at a predetermined interval. At this time, the touching second electrode 165 is separated from the second protective layer 160 located below the second electrode 165 and the second electrode 158 (touch first electrode) formed on the entire surface of the display area, ).

따라서, 상기 제 2 전극(165)은 유기전계 발광 다이오드(E)의 일 구성요소도 되며, 터치 센서(TS)의 일 구성요소도 되는 것이 특징이다. Therefore, the second electrode 165 is a component of the organic electroluminescent diode E and is a component of the touch sensor TS.

다음, 상기 터치 제 2 전극(165) 위로는 그 내부에 불활성 기체, 유기절연물질 또는 페이스 씰(face sael)을 개재하여 투명한 유리재질 또는 투명한 플라스틱 재질의 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비됨으로써 본 발명에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자(101)를 이루고 있다.Next, a second substrate 170 for encapsulating a transparent glass material or a transparent plastic material is formed on the touch second electrode 165 via an inert gas, an organic insulating material, or a face seal, Type organic electroluminescent device 101 according to the present invention.

이때, 상기 제 2 기판(170)의 외측면에는 상기 유기 발광층(155)으로부터 나오는 빛을 효율증대를 위해 편광판(175)이 더욱 구비될 수도 있다. 상기 편광판(175)은 통상적으로 휴대 가능한 핸드폰, PDA 및 노트북은 주로 개인 위주로 사용되는 것이므로 화상의 정면에서의 휘도 특성 등이 가장 중요하므로 선택적으로 특성 각도로 입사되는 빛에 대해서만 통과시키고 그 이외의 빛은 다시 하부로 돌려 보낸 뒤 반사판(미도시)에 의해 반사되어 다시 특정 각도로 입사시켜 투과시키는 역할을 하는 것이다. 이러한 편광판(175)은 반드시 구성될 필요는 없으며 생략될 수도 있다.At this time, a polarizing plate 175 may be further provided on the outer surface of the second substrate 170 to increase efficiency of light emitted from the organic light emitting layer 155. Since the polarizing plate 175 is mainly used for cell phones, PDAs, and notebooks, which are typically portable, the luminance characteristics at the front of the image are most important. Therefore, the polarizing plate 175 can be selectively passed through only the light incident at the characteristic angle, Is returned to the lower part and then reflected by a reflector (not shown), and is again incident at a specific angle to transmit. The polarizing plate 175 is not necessarily configured and may be omitted.

한편, 전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자(101)에 있어서, 상기 터치 센서(TS)는 상기 제 2 전극(158)과 제 2 보호층(160)과 상기 터치 제 2 전극(165)으로 구성되는 커패시터 형태를 이루게 되며, 이때 손가락 등이 접촉하게 되면 상기 커패시터의 프린지 필드 변동에 의한 용량 변화를 인식하여 터치 센서(TS)로서의 작용을 하게 되는 것이다.In the touch sensor type organic electroluminescent device 101 according to the present invention having the above-described configuration, the touch sensor TS is disposed between the second electrode 158 and the second passivation layer 160, And the second electrode 165. When a finger or the like comes into contact with the capacitor, the capacitor changes its capacitance due to the variation of the fringe field of the capacitor, and acts as a touch sensor TS.

도 6a 내지 6b는 본 발명에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자에 있어 터치 센서의 동작을 설명한 간략한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드는 생략하고 제 1 기판에 구비된 터치센서와 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판만을 간략히 도시하였다. 6A and 6B are simplified cross-sectional views illustrating the operation of the touch sensor in the touch sensor type insensitive-type organic electroluminescent device according to the present invention. For convenience of explanation, the driving and switching thin film transistors and the organic light emitting diode are omitted and only the second substrate for the encapsulation and the touch sensor provided on the first substrate are shown.

도 6a에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자(101)에 있어 제 2 기판(170) 표면에 대해 사용자의 손가락(195) 등의 터치가 이루어지지 않았을 경우, 상기 제 2 전극(158)과 상기 터치 제 2 전극(165) 간에 형성되는 프린지 필드가 일정하게 유지됨으로써 커패시터의 용량변화가 없으므로, 동작을 하지 않으며, 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 기판(170)의 표면에 사용자의 손가락(195) 등의 터치가 발생하면 상기 제 2 전극(158, 터치 제 1 전극)과 상기 터치 제 2 전극(165)과 프린지 필드가 터치가 이루어진 손가락(195) 등에 영향을 받아 변화를 일으키게 됨으로써 터치 센서가 터치된 것을 감지하게 됨으 로써 터치 시의 동작을 실시하게 된다.6A, when the user's finger 195 or the like is not touched to the surface of the second substrate 170 in the touch sensor type organic EL device 101, The fringe field formed between the second electrode 158 and the touch second electrode 165 is kept constant, so that there is no change in the capacitance of the capacitor. Thus, the operation is not performed. As shown in FIG. 6B, When the touch of the user's finger 195 or the like is generated on the surface of the touch electrode 170 or the finger 195 or the like, the second electrode 158, the touch first electrode, the touch second electrode 165, And the touch sensor senses that the touch sensor is touched by the change, thereby performing the operation at the time of touch.

한편, 도 5를 참조하면, 전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자(101)는 유기전계 발광 다이오드(E)를 이루는 하나의 구성요소인 제 2 전극(158)을 터치 센서(TS)의 터치 제 1 전극으로 이용하고, 이의 상부에 통상적으로 유기 발광층(155)의 투습 방지를 위해 형성하는 상기 제 2 보호층(160)을 유전체층으로 이용하고, 별도로 상기 제 2 보호층(160) 상부에 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 터치 제 2 전극(165)을 형성한 후, 인캡슐레이션용 제 2 기판(170)을 합착함으로써 완성되고 있다. 5, the touch sensor type organic EL device 101 according to the present invention having the above-described structure includes a second electrode 158, which is one component of the organic EL device E, The second protective layer 160, which is typically used as a touch first electrode of the touch sensor TS, is formed on top of the first protective layer 160 to prevent the moisture of the organic light emitting layer 155 from being used as a dielectric layer, A touch second electrode 165 having a bar shape spaced apart from the upper surface of the layer 160 is formed and then the second substrate 170 for encapsulation is attached to the second electrode.

따라서, 종래의 터치센서를 구비한 유기전계 발광소자 대비 보호시트와 하나의 기판과, 터치 제 1 전극 및 유전체층을 생략할 수 있으므로, 보호시트와 하나의 기판 및 2개의 물질층이 생략됨으로써 박형화 및 경량화를 이루게 되며, 2개의 물질층 생략에 의해 공정 단순화를 실현할 수 있는 것이 특징이다. Accordingly, since the protective sheet, the single substrate, the touch first electrode, and the dielectric layer can be omitted, the protective sheet, the single substrate, and the two material layers are omitted in the organic electroluminescent device having the conventional touch sensor, And it is characterized in that simplification of the process can be realized by omitting two material layers.

이때, 도면에 있어서는 상기 터치 제 2 전극(165)은 표시영역 내에서 하나의 화소영역 내에 다수개 형성된 것으로 도시되고 있지만, 이는 설명의 편의를 위해 도시한 것이며, 실제적으로는 상기 터치 제 2 전극(165) 하나의 화소영역(P) 내에는 하나의 바(bar) 형태를 갖는 형태로 이루어지고 있는 것이 특징이다. Although the touch second electrodes 165 are illustrated as being formed in a single pixel region within the display region, the touch second electrodes 165 are shown for convenience of explanation. In practice, the touch second electrodes 165 165) One pixel region P has a single bar shape.

한편, 이러한 바(bar) 형태의 터치 제 2 전극(165)은 반드시 하나의 화소영역(P)마다 형성될 필요는 없으며, 주로 적, 녹, 청색의 발광 물질층(155)이 각각 형성된 화소영역(P) 중 어느 하나의 색의 발광 물질층(155)이 형성된 화소영역(P)에 대응해서만 형성되는 것이 바람직하다. 또는, 하나의 화소영역(P)에 터치 제 2 전극(165)이 형성된 경우, 이와 이웃한 1개 내지 10개의 화소영역에 대해서는 상기 터치 제 2 전극(165)은 형성되지 않고, 상기 1개 내지 10개의 화소영역을 이격간격으로 형성되어도 무방하다. The bar-shaped touch second electrode 165 does not necessarily have to be formed for each pixel region P and is formed mainly in the pixel region P in which the red, (P) in which the light emitting material layer (155) of any one of the colors (P) is formed. Alternatively, when the touch second electrode 165 is formed in one pixel region P, the touch second electrode 165 is not formed for one to ten neighboring pixel regions, Ten pixel regions may be formed at intervals.

이렇게 상기 터치 제 2 전극(165)을 일정한 이겨간격을 갖도록 형성하는 이유는, 상기 터치 제 2 전극(165)과 하부의 제 2 전극(158, 터치 제 1 전극)은 프린지 필드를 형성해야 하므로 이격간격을 필요로 하기 때문이며, 통상 패널 표면의 터치는 손가락이 이용되고 있으며, 터치되는 손가락의 면적은 수 개 내지 수십 개의 화소영역에 대응되므로 상기 터치 제 2 전극(165)은 화소영역(P) 단위로 이격하며 형성되어도 터치 되는 영역에 상기 터치 제 2 전극(165)이 미형성되어 터치를 감지하지 못하는 등의 문제는 발생되지 않는다. The reason why the touch second electrode 165 is formed so as to have a predetermined spacing distance is that the touch second electrode 165 and the lower second electrode 158 (touch first electrode) must form a fringe field, The touch second electrode 165 is divided into a plurality of pixel units (P) in units of a pixel unit (P), since the area of the finger to be touched corresponds to several to several tens of pixel regions. The touch second electrode 165 is not formed in the area where the touch is formed even when the touch electrode is formed.

한편, 도 7a와 7b는 본 발명의 변형예에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 평면도 일부를 각각 도시한 도면이다. 7A and 7B are views showing a part of a top view of a touch sensor type insensitive-type organic electroluminescent device according to a modified example of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 변형예에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자는 유기 발광층이 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역(R, G, B) 이외에 화이트를 발광하는 화이트 발광층(미도시)이 구비된 화소영역(W)을 포함하여 구성되고 있다. As shown in the figure, the touch sensor type organic electroluminescent device according to the modification of the present invention includes a white light emitting layer (not shown) for emitting white light in addition to pixel regions (R, G, B) And a pixel region W provided with a plurality of pixels.

이렇게, 적, 녹, 청 및 화이트 4개의 화소영역(R, G, B, W)을 하나의 색을 표현하는 도트로 구성되는 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 경우, 상기 터치 제 2 전극(165)은 화이트를 발광하는 유기 발광층(미도시)이 형성된 화소영역(W)에 형성되는 것이 특징이다. In the case of a touch sensor type in-cell type organic EL device in which red, green, blue and white four pixel regions R, G, B and W are formed of dots representing one color, 165 are formed in the pixel region W in which an organic light emitting layer (not shown) emitting white light is formed.

이렇게 터치 제 2 전극(165)을 화이트 유기 발광층(미도시)이 형성된 화소영역(W)에 대응하여 형성하는 이유는 상기 터치 센서 구동을 위해 구성된 상기 터치 제 2 전극(165)을 형성함으로써 발생될 수 있는 휘도 저하의 문제를 최소화하기 위함이다. The reason for forming the touch second electrode 165 in correspondence with the pixel region W in which the white organic light emitting layer (not shown) is formed is that the touch second electrode 165 is formed by forming the touch second electrode 165 configured for driving the touch sensor This is to minimize the problem of luminance degradation.

상기 터치 제 2 전극(165)을 투명 도전성 물질로 형성한다 하여도 이는 유기 발광층(미도시)으로부터 발광된 빛을 100% 투과시키는 것이 아니며 그 내부에서 투과율 저하가 발생하게 되며, 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역(R, G, B)대비 화이트를 발광하는 화소영역(W)은 휘도 특성이 제일 우수하므로 상기 화이트를 발광하는 화소영역(W)에 상기 터치 제 2 전극(165)이 형성되면 휘도 저하의 문제를 최소화 할 수 있기 때문이다.Even if the touch second electrode 165 is formed of a transparent conductive material, it does not transmit 100% of light emitted from the organic light emitting layer (not shown), and the transmittance decreases inside the touch second electrode 165, Since the pixel region W emitting white light has the best luminance characteristic, the touch second electrode 165 is formed in the pixel region W that emits white light, because the pixel region W that emits white relative to the pixel regions R, G, The problem of luminance degradation can be minimized.

이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 도 5를 참조하여 간단히 설명한다. 이때, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 형성하는 방법은 일반적인 어레이 기판의 제조 방법과 동일하므로 유기전계 발광 다이오드와 터치 센서를 형성하는 방법을 위주로 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the touch sensor type in-cell type organic electroluminescent device according to the present invention will be described in brief with reference to FIG. At this time, the method of forming the switching and driving thin film transistors is the same as the manufacturing method of the general array substrate, and thus the method of forming the organic light emitting diode and the touch sensor will be mainly described.

우선, 투명한 유리재질 또는 플라스틱 재질의 절연기판(110) 상의 표시영역에 서로 교차하는 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 전원배선(미도시)을 형성하고, 각 화소영역(P)에 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성한다. First, gate wirings (not shown) and data wirings (not shown) and power supply wirings (not shown) are formed so as to intersect with each other in a display area on an insulating substrate 110 made of a transparent glass material or a plastic material, A switching thin film transistor (not shown) connected to the gate and data wiring (not shown) and a driving thin film transistor DTr connected to the switching thin film transistor (not shown) are formed.

다음, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 위로 상기 구동 박 막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 제 1 보호층(140)을 형성한다.Next, a first passivation layer 140 having a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is formed on the switching and driving thin film transistor (not shown) (DTr) .

다음, 상기 드레인 콘택홀을 갖는 상기 제 1 보호층 위로 반사효율이 우수한 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 증착함으로써 제 1 금속층(미도시)을 전면 형성하고, 상기 제 1 금속층(미도시) 위로 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하여 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성한다. Next, a first metal layer (not shown) is formed entirely by depositing a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) having excellent reflection efficiency over the first protective layer having the drain contact hole, A transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) having a relatively large work function value is deposited on a metal layer (not shown) to form a transparent conductive material layer (not shown).

이후 상기 투명 도전성 물질층(미도시)과 상기 제 1 금속층(미도시)을 포토레지스트의 도포, 노광 마스크를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상, 식각 및 스트립 등 일련의 단위공정을 포함하는 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 화소영역(P)에 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 반사판 및 제 1 전극(147)을 형성한다. Thereafter, the transparent conductive material layer (not shown) and the first metal layer (not shown) are coated with a photoresist, a mask including a series of unit processes such as exposure using an exposure mask, development of exposed photoresist, A reflective plate and a first electrode 147 are formed in each pixel region P through the drain contact hole 143 to be in contact with the drain electrode 136 of the driving TFT DTr.

다음, 상기 제 1 전극(147) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 무기절연층(미도시)을 형성하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(147)의 끝단부를 덮는 버퍼패턴(150)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x) is deposited on the first electrode 147 to form an inorganic insulating layer (not shown) A buffer pattern 150 is formed to cover the end portions of the first electrodes 147 in a manner surrounding each pixel region P.

다음, 상기 버퍼패턴(150) 위로 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기 발광물질 또는 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하는 유기 발광물질을 오픈부(OA)와 차단부(BA)를 갖는 쉐도우 마스크(193)를 이용하여 순차적으로 증착함으로써 각 화소영역(P) 에 상기 버퍼패턴(150) 외부로 노출된 상기 제 1 전극(147) 위로 적, 녹, 청색 또는 적, 녹, 청 및 화이트의 유기 발광층(155)을 형성한다.Next, an organic light emitting material that emits red, green, and blue light or an organic light emitting material that emits red, green, blue, and white is formed on the buffer pattern 150 by using a shadow mask having an open portion (OA) Blue, or red, green, blue, and white on the first electrode 147 exposed to the outside of the buffer pattern 150 in each pixel region P by sequentially depositing the first electrode 147, Emitting layer 155 is formed.

이때, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 적, 녹, 및 청색 또는 적, 녹, 청 및 화이트의 유기 발광층(155)을 형성하기 전에 표시영역 전면 또는 각 화소영역(P) 별로 상기 제 1 전극(147) 위로 정공주입층(hole injection layer)과 정공수송층(hole transporting layer)의 제 1 발광보상층(미도시)을 형성할 수도 있다. 이 경우 상기 유기 발광층(155)은 상기 제 1 발광보상층(미도시) 상부에 형성되게 된다. Although not shown in the drawing, the first electrode 147 may be formed on the entire surface of the display region or each pixel region P before forming the red, green, and blue or red, green, blue and white organic emission layers 155, A first emission compensation layer (not shown) of a hole injection layer and a hole transporting layer may be formed. In this case, the organic emission layer 155 is formed on the first emission compensation layer (not shown).

또한, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 유기 발광층(155) 상부로 표시영역 전면 또는 각 화소영역(P)별로 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)으로 이루어진 제 2 발광보상층(미도시)을 더욱 형성할 수도 있다.Although not shown in the figure, a second emission compensation layer (not shown) made of an electron transporting layer and an electron injection layer is formed on the entire surface of the display region or each pixel region P above the organic emission layer 155 Not shown) may be further formed.

다음, 상기 유기 발광층(155) 또는 상기 제 2 발광보상층(미도시) 위로 표시영역 전면에 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄 마그네슘 합금(AlMg) 중 하나를 상기 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛이 투과할 수 있도록 10Å 내지 200Å 정도의 두께를 갖도록 증착함으로써 제 2 전극(158)을 형성한다. 이때, 표시영역 전면에 형성된 상기 제 2 전극(158) 그 하부에 위치하는 유기 발광층(155)과 상기 제 1 전극(147)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. 또한, 상기 제 2 전극(158)은 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 구성요소도 되지만, 터치 센서(TS)의 터치 제 1 전극의 역할을 하는 것이 특징이다.  Next, a metal material having a relatively low work function value such as aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd), or silver (Ag) is formed on the entire surface of the display region of the organic light emitting layer 155 or the second emission compensation layer (Mg), gold (Au), and aluminum magnesium alloy (AlMg) so that light emitted from the organic light emitting layer 155 can be transmitted through the second electrode 158 ). At this time, the organic light emitting layer 155 and the first electrode 147 located at the lower portion of the second electrode 158 formed on the entire surface of the display region form an organic light emitting diode E. The second electrode 158 is a component of the organic electroluminescent diode E, but functions as a touch first electrode of the touch sensor TS.

다음, 상기 제 2 전극(158)이 위로 상기 유기 발광층(155)으로의 투습 방지 및 광경로 조절을 통해 발광효율을 극대화하기 위해 무기절연물질을 증착하거나 또는 유기절연물질을 도포함으로써 상기 표시영역 전면에 제 2 보호층(160)을 형성한다. 이때, 상기 제 2 보호층(160)은 터치 센서(TS)의 유전체층의 역할을 하게 되는 것이 특징이다. Next, the second electrode 158 is vapor-deposited on the organic light emitting layer 155 to control the light path, and then an inorganic insulating material is deposited or an organic insulating material is applied to maximize the light emitting efficiency, The second passivation layer 160 is formed. At this time, the second passivation layer 160 serves as a dielectric layer of the touch sensor TS.

다음, 상기 제 2 보호층(160) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하고 이를 패터닝함으로써 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역(P) 중 어느 하나의 화소영역(P) 또는 화이트를 발광하는 화소영역이 구비되는 경우 상기 화이트 화소영역 또는 1개 내지 10개의 화소영역 거리의 이격간격을 갖도록 특정 화소영역(P)에 대응하여 바(bar) 형태의 터치 제 2 전극(165)을 형성한다.Next, a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is deposited on the second passivation layer 160 and patterned to form red, (P) or a pixel region which emits white light is provided, the white pixel region or the pixel region (P) has a spacing distance of 1 to 10 pixel region distances corresponding to a specific pixel region Thereby forming a touch second electrode 165 in the form of a bar.

이때, 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극(158, 터치 제 1 전극)과 제 2 보호층(160)과 상기 터치 제 2 전극(165)은 프린지 필드 커패시턴스를 갖는 터치 센서(TS)를 이루게 된다. At this time, the second electrode 158, the second protection layer 160, and the touch second electrode 165 formed on the entire surface of the display region form a touch sensor TS having a fringe field capacitance.

다음, 상기 유기발광 다이오드(E)와 상기 터치 센서(TS)를 구성한 제 1 기판(110)에 대해 표시영역 외측의 테두리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성하고, 투명한 유리재질 또는 플라스틱 재질의 제 2 기판(170)을 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 접착시킴으로써 본 발명에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자(101)를 완성할 수 있다. Next, a seal pattern (not shown) is formed along the outer edge of the display area with respect to the first substrate 110 constituting the organic light emitting diode E and the touch sensor TS, and a transparent glass material or a plastic material The touch sensor type insensitive-type organic EL device 101 according to the present invention can be completed by bonding the second substrate 170 in a vacuum or an inert gas atmosphere.

이때, 상기 제 2 기판(170)과 제 1 기판(110) 사이에는 상기 불활성 기체 또는 진공의 분위기 이외에, 투명한 페이스 씰이 전면에 도포되어 접착층으로 구성될 수도 있다.At this time, a transparent face seal may be applied to the entire surface between the second substrate 170 and the first substrate 110, in addition to the atmosphere of the inert gas or the vacuum, to form an adhesive layer.

또한, 상기 제 2 기판(170)의 외측면에 편광판(175)이 더욱 구성함으로써 특정 각도로 입사되는 빛만을 선택적으로 투과시키고, 나머지 빛은 상기 제 1 기판(110)상의 반사판(미도시) 쪽으로 반사시키도록 하여 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170) 사이에서 특정 각도를 가지고 상기 편광판(175)에 입사될 수 있도록 계속적으로 반사되도록 하여 발광효율을 극대화하는 역할을 하도록 할 수도 있다. Further, the polarizer 175 is further provided on the outer surface of the second substrate 170 to selectively transmit light incident at a specific angle, and the remaining light is directed toward a reflector (not shown) on the first substrate 110 The first substrate 110 and the second substrate 170 may be reflected continuously so as to be incident on the polarizer 175 at a specific angle between the first substrate 110 and the second substrate 170 so as to maximize luminous efficiency .

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of a pixel of a general active matrix organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 일반적인 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도.2 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic electroluminescent device.

도 3은 종래의 상부발광 방식 유기전계 발광소자의 구동 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도.3 is a cross-sectional view of one pixel region including a driving thin film transistor of a conventional top emission type organic electroluminescent device.

도 4는 종래의 터치 센서가 부착된 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도.4 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device to which a conventional touch sensor is attached.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 단면도.5 is a cross-sectional view of a touch sensor type insoluble organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.

도 6a 내지 6b는 본 발명에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자에 있어 터치 센서의 동작을 설명한 간략한 단면도.FIGS. 6A and 6B are simplified cross-sectional views illustrating the operation of a touch sensor in a touch sensor type in-cell type organic electroluminescent device according to the present invention.

도 7a와 7b는 본 발명의 변형예에 따른 터치센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 평면도 일부를 각각 도시한 도면.FIGS. 7A and 7B are views each showing a part of a top view of a touch sensor type in-cell type organic electroluminescent device according to a modification of the present invention; FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉Description of the Related Art

101 : 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자101: touch sensor Insel type organic electroluminescent device

110 : 제 1 기판 113 : 반도체층110: first substrate 113: semiconductor layer

113a : 제 1 영역 113b : 제 2 영역113a: first region 113b: second region

116 : 게이트 절연막 120 : (구동 박막트랜지스터의)게이트 전극116: gate insulating film 120: gate electrode (of the driving thin film transistor)

123 : 층간절연막 125 : 반도체층 콘택홀 123: interlayer insulating film 125: semiconductor layer contact hole

133 : (구동 박막트랜지스터의)소스 전극 133: source electrode (of the driving thin film transistor)

136 : (구동 박막트랜지스터의)드레인 전극136: drain electrode (of the driving thin film transistor)

140 : 제 1 보호층 143 : 드레인 콘택홀140: first protective layer 143: drain contact hole

147 : 제 1 전극 150 : 버퍼패턴147: first electrode 150: buffer pattern

155 : 유기 발광층 158 : 제 2 전극(터치 제 1 전극)155: organic light emitting layer 158: second electrode (touch first electrode)

160 : 제 2 보호층 165 : 터치 제 2 전극160: second protection layer 165: touch second electrode

170 : 제 2 기판 175 : 편광판170: second substrate 175: polarizer

DA : 구동영역 E : 유기전계 발광 다이오드 DA: driving region E: organic light emitting diode

P : 화소영역 TS : 터치 센서P: pixel area TS: touch sensor

Claims (10)

  1. 표시영역 내에 다수의 화소영역이 정의되며, 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과, 전원배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결된 구동 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 제 1 기판과 이와 마주하는 투명한 제 2 기판을 포함하는 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자에 있어서, A switching thin film transistor connected to the gate thin film transistor and the data thin line, a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor, and an organic light emitting diode And a second transparent substrate facing the first substrate, wherein the first substrate and the second substrate are opposed to each other,
    상기 각 화소영역 내에 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 제 1 전극과;A first electrode formed in each pixel region in contact with a drain electrode of the driving thin film transistor;
    상기 각 화소영역을 둘러싸며 상기 제 1 전극의 테두리를 덮으며 형성된 버퍼패턴과;A buffer pattern surrounding each of the pixel regions and covering an edge of the first electrode;
    상기 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 형성된 유기 발광층과;An organic light emitting layer formed on the first electrode in the pixel region;
    상기 유기 발광층 위로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극과;A second electrode formed on the entire surface of the display region on the organic light emitting layer;
    상기 제 2 전극 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 1 물질층과;A first material layer formed on the entire surface of the display region above the second electrode;
    상기 제 1 물질층 상부로 다수의 상기 화소영역 중 다수의 특정 화소영역에 대응하여 형성된 터치 전극을 포함하며, 상기 제 2 전극과 상기 제 1 물질층과 상기 터치 전극은 터치 센서를 이루는 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자.And a touch electrode formed on the first material layer in correspondence with a plurality of specific pixel regions of the plurality of pixel regions, wherein the second electrode, the first material layer, and the touch electrode form a touch sensor. Touch Sensor Insel Type Organic Electroluminescent Device.
  2. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 유기 발광층은 적, 녹, 청색 유기 발광물질로 이루어지며 각 화소영역에는 순차적으로 적, 녹 및 청색 유기 발광층이 형성되어 적, 녹 및 청색을 각각 발광하는 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자.The organic light emitting layer is composed of red, green, and blue organic light emitting materials. Red, green, and blue organic light emitting layers are sequentially formed in each pixel region to emit red, green, and blue light. device.
  3. 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2,
    상기 특정 화소영역은, 상기 적, 녹 및 청색을 발광하는 화소영역 중 어느 하나의 색을 발광하는 화소영역이거나, 또는 상기 표시영역에서 1개 내지 10개의 화소영역의 이격간격을 가지며 배치된 화소영역인 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자.The specific pixel region may be a pixel region that emits light of any one of the red, green, and blue pixel regions, or a pixel region that is disposed with a spacing of one to ten pixel regions in the display region, Type organic electroluminescent device.
  4. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 특정 화소영역은, 상기 유기 발광층이 각 화소영역에 순차적으로 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하는 유기 발광 물질로 이루어지는 경우, 화이트의 유기 발광층이 형성되어 화이트를 발광하는 화소영역인 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자.The specific pixel region is a pixel region in which a white organic emission layer is formed to emit white when the organic emission layer is formed of an organic emission material that sequentially emits red, green, blue, and white in each pixel region Touch Sensor Insel Type Organic Electroluminescent Device.
  5. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 제 2 기판의 외측면에는 편광판이 구성된 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자.And a polarizer is formed on the outer surface of the second substrate.
  6. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1,
    상기 제 1 전극 하부에는 반사효율이 우수한 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로이루어진 반사판이 형성되며, A reflective plate made of aluminum (Al) or silver (Ag) having excellent reflection efficiency is formed under the first electrode,
    상기 제 1 전극은 애노드 전극을 역할을 할 수 있도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, The first electrode is made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), which is a transparent conductive material having a relatively large work function value so as to serve as an anode electrode,
    상기 제 2 전극은 캐소드 전극을 역할을 할 수 있도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질인 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 하나로 이루어지며,The second electrode may be formed of a metal material having a relatively low work function value such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), magnesium (Mg) Alloy (AlMg)
    상기 터치 전극은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자.Wherein the touch electrode is made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) which is a transparent conductive material.
  7. 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6,
    상기 제 1 전극과 상기 유기 발광층 사이에는 정공주입층(hole injection layer)과 정공수송층(hole transporting layer)이 형성되며, A hole injection layer and a hole transporting layer are formed between the first electrode and the organic light emitting layer,
    상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에는 전자수송층(electron transporting layer)과 전자주입층(electron injection layer)이 형성된 것이 특징인 유기전계 발광소자.Wherein an electron transporting layer and an electron injection layer are formed between the organic light emitting layer and the second electrode.
  8. 표시영역 내에 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상에 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과, 전원배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결된 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;A gate electrode and a data wiring intersecting each other on a first substrate having a plurality of pixel regions defined in the display region, a power supply wiring, a switching thin film transistor connected to the gate and the data wiring, and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor ; &Lt; / RTI &gt;
    상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 제 1 보호층을 형성하는 단계와;Forming a first passivation layer having a drain contact hole exposing a drain electrode of the driving thin film transistor;
    상기 제 1 보호층 위로 상기 각 화소영역 내에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하는 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode in each of the pixel regions over the first passivation layer to contact the drain electrode of the driving thin film transistor through the drain contact hole;
    상기 각 화소영역을 둘러싸며 상기 제 1 전극의 테두리를 덮는 버퍼패턴을 형성하는 단계와;Forming a buffer pattern surrounding each pixel region and covering a rim of the first electrode;
    상기 각 화소영역에 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 각각 형성하는 단계와;Forming an organic emission layer on the first electrode in each of the pixel regions;
    상기 유기 발광층 위로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계와;Forming a second electrode over the entire display area on the organic light emitting layer;
    상기 제 2 전극 상부로, 상기 표시영역 전면에 제 2 보호층을 형성하는 단계와;Forming a second passivation layer on the entire surface of the display region above the second electrode;
    상기 제 2 보호층 위로 상기 각 화소영역 중 특정 화소영역에 대응하여 터치 전극을 형성하는 단계와;Forming a touch electrode on the second protective layer corresponding to a specific pixel region of the pixel regions;
    상기 터치 전극과 마주하도록 상기 제 1 기판과 투명한 제 2 기판을 접착시키는 단계And bonding the first substrate and the second transparent substrate to face the touch electrode
    를 포함하는 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법.Type organic electroluminescent device.
  9. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8,
    상기 유기 발광층은 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광물질로 이루어지며, 상기 화소영역은 순차 반복적으로 적, 녹 및 청색 유기 발광층이 각각 형성되어 적, 녹, 및 청색을 발광하도록 하는 경우, 상기 특정 화소영역은 상기 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역 중 어느 한색을 발광하는 화소영역이거나, 또는 1개 내지 10개의 화소영역의 이격간격을 갖도록 배치된 화소영역이 되며, The organic light emitting layer is made of an organic light emitting material that emits red, green, and blue light. In the pixel region, red, green, and blue organic light emitting layers are sequentially and repeatedly formed to emit red, The specific pixel region is a pixel region that emits any one of the red, green, and blue light emitting pixel regions, or a pixel region that is disposed to have a separation distance of one to ten pixel regions,
    또는, 상기 유기 발광층은 적, 녹, 청색 이외에 화이트를 발광하는 유기 발광물질을 포함하며, 상기 화소영역은 순차 반복적으로 적, 녹, 청 및 화이트 유기 발광층이 각각 형성되어 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하도록 하는 경우, 상기 특정 화소영역은 상기 화이트를 발광하는 화소영역 것이 특징인 터치 센서 인셀 타입 유 기전계 발광소자의 제조 방법.Alternatively, the organic light emitting layer may include an organic luminescent material that emits white light in addition to red, green, and blue, and the pixel regions are sequentially and repeatedly formed with red, green, blue, and white organic light emitting layers, Wherein the specific pixel region is a pixel region that emits white light when the organic electroluminescence element is caused to emit light.
  10. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8,
    상기 제 2 기판의 외측면에 편광판을 부착하는 단계를 포함하는 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법.And attaching a polarizer to the outer surface of the second substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101520423B1 (en) 2011-04-21 2015-05-14 엘지디스플레이 주식회사 Touch sensor in-cell type liquid crystal display device and method of fabricating the same
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KR101976829B1 (en) * 2012-12-21 2019-05-13 엘지디스플레이 주식회사 Large Area Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR102076690B1 (en) 2013-04-19 2020-02-13 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus
KR102088416B1 (en) * 2013-04-19 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 Touch screen display device
KR102111625B1 (en) * 2013-06-28 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 Display device having touch sensor and manufacturing method thereof
JP6253923B2 (en) 2013-08-30 2017-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ Organic electroluminescence device with built-in touch sensor
KR102094807B1 (en) * 2013-11-27 2020-03-31 엘지디스플레이 주식회사 Fabricating Method Of Organic Light Emitting Diode Display
CN103928493B (en) * 2013-12-27 2017-09-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 A kind of organic light-emitting display device and preparation method thereof
US9927939B2 (en) 2014-08-13 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Touch panel and display apparatus including the same
KR20160043212A (en) 2014-10-10 2016-04-21 삼성디스플레이 주식회사 Touch screen panel and display device having the same
CN105097883A (en) 2015-08-03 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 Display panel, preparation method thereof and display device
US10026789B1 (en) 2016-06-17 2018-07-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Touch display substrate, touch display apparatus having the same, pixel arrangement, and fabricating method thereof
EP3316092B1 (en) * 2016-10-28 2020-05-13 LG Display Co., Ltd. Touch sensor integrated type electroluminescent display device
KR20180047368A (en) 2016-10-31 2018-05-10 삼성전자주식회사 Display apparatus and manufacturing method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003296032A (en) * 2002-04-03 2003-10-17 Pioneer Electronic Corp Display unit integrated touch panel device and method for manufacturing the same
JP4910780B2 (en) * 2007-03-02 2012-04-04 セイコーエプソン株式会社 Organic electroluminescence device with input function and electronic device
KR100932428B1 (en) * 2007-10-24 2009-12-17 한국표준과학연구원 touch screen using the tactile sensor and method for manufacturing the same
KR20090078446A (en) * 2008-01-15 2009-07-20 삼성전자주식회사 Organic light emitting dispaly and manufacturing method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190015002A (en) 2017-08-04 2019-02-13 경희대학교 산학협력단 Touch sensor in-cell type organic electroluminesence device
US10804337B2 (en) 2017-08-04 2020-10-13 University-Industry Cooperation Group Of Kyung Hee University Touch sensor in-cell type organic electroluminescent device
KR20190015159A (en) 2018-10-29 2019-02-13 경희대학교 산학협력단 Touch sensor in-cell type organic electroluminesence device

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KR20110020049A (en) 2011-03-02

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