KR102387740B1 - Method for manufacturing photomask, photomask, and method for manufacturing display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 각각의 막의 광학 특성을 그대로 살린 설계대로의 표시 장치 제조용 포토마스크를 실현하는 것을 과제로 한다. 투광부, 제1 투과 제어부 및 제2 투과 제어부를 포함하는 전사용 패턴을 구비하는 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법으로서, 제1 광학막 및 제1 레지스트막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비한 후, 제1 레지스트막에 제1 묘화를 행하고, 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 제1 레지스트 패턴을 사용해서 제1 광학막만을 에칭하고, 제1 광학막 패턴을 형성하는 공정과, 투명 기판 위에 제2 광학막을 형성한 후, 제2 광학막 위에 제2 레지스트막을 형성하여 제2 묘화를 행하고, 제2 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 제2 레지스트 패턴을 사용해서 제2 광학막만을 에칭하고, 제2 광학막 패턴을 형성하는 공정을 포함하고, 제2 레지스트 패턴은, 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 제2 투과 제어부의 에지에서 인접하는 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖는다.An object of the present invention is to realize a photomask for manufacturing a display device as designed in which the optical properties of each film are utilized as they are. A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device having a transfer pattern including a light transmitting part, a first transmission control part, and a second transmission control part, after preparing a photomask blank on which a first optical film and a first resist film are formed, the first A process of performing 1st drawing on a resist film and forming a 1st resist pattern, A process of etching only a 1st optical film using a 1st resist pattern, and forming a 1st optical film pattern, A 2nd process on a transparent substrate After the optical film is formed, a second resist film is formed on the second optical film to perform second drawing, and a second resist pattern is formed, and only the second optical film is etched using the second resist pattern, and the second a step of forming an optical film pattern, wherein the second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and provides a margin of a predetermined width to the first transmission control unit side adjacent to the edge of the second transmission control unit have additional dimensions.

Description

포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}The manufacturing method of a photomask, a photomask, and the manufacturing method of a display device TECHNICAL FIELD

본 발명은, 전자 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크로서, 특히 액정 패널이나 유기 EL(일렉트로루미네센스) 패널로 대표되는 표시 장치(플랫 패널 디스플레이)의 제조에 유용한 포토마스크 및 그 제조 방법과, 당해 포토마스크를 사용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a photomask useful for manufacturing an electronic device, particularly a display device (flat panel display) typified by a liquid crystal panel or an organic EL (electroluminescence) panel, and a method for manufacturing the same; The present invention relates to a method of manufacturing a display device using a photomask.

특허문헌 1에는, 차광부, 반투광부, 및 투광부를 포함하는 전사용 패턴이 투명 기판 위에 형성된 다계조 포토마스크로서, 급격한 상승의 형상을 갖는 레지스트 패턴을 피전사체 위에 형성 가능한 다계조 포토마스크에 관한 기술이 기재되어 있다.Patent Document 1 relates to a multi-gradation photomask in which a transfer pattern including a light-shielding portion, a semi-transmissive portion, and a light-transmitting portion is formed on a transparent substrate, wherein a resist pattern having a rapidly rising shape can be formed on an object to be transferred. The technique is described.

도 6은 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크의 구성을 나타내는 측단면도이다.6 is a side cross-sectional view showing the configuration of the multi-gradation photomask described in Patent Document 1. As shown in FIG.

이 다계조 포토마스크(200)는, 차광부(110), 반투광부(115) 및 투광부(120)를 포함하는 전사용 패턴을 구비한다. 차광부(110)는, 반투광막(101), 위상 시프트 조정막(102), 및 차광막(103)이 투명 기판(100) 위에 이 순서로 적층되어 이루어진다. 반투광부(115)는 반투광막(101)이 투명 기판(100) 위에 형성되어 이루어진다. 투광부(120)는, 투명 기판(100)이 노출되어 이루어진다. 차광부(110)와 투광부(120)의 경계에는, 반투광막(101) 위의 위상 시프트 조정막(102)이 부분적으로 노출되어 이루어지는 제1 위상 시프터부(111)가 형성되고, 차광부(110)와 반투광부(115)의 경계에는, 반투광막(101) 위의 위상 시프트 조정막(102)이 부분적으로 노출되어 이루어지는 제2 위상 시프터부(112)가 형성되어 있다.The multi-gradation photomask 200 includes a transfer pattern including a light blocking unit 110 , a semi-transmissive unit 115 , and a light transmitting unit 120 . The light shielding unit 110 is formed by laminating a semitransmissive film 101 , a phase shift adjusting film 102 , and a light shielding film 103 on the transparent substrate 100 in this order. The semi-transmissive part 115 is formed by forming the semi-transmissive film 101 on the transparent substrate 100 . The light-transmitting part 120 is formed by exposing the transparent substrate 100 . A first phase shifter 111 formed by partially exposing the phase shift adjustment film 102 on the semi-transmissive film 101 is formed at the boundary between the light-shielding portion 110 and the light-transmitting portion 120 , and the light-shielding portion At the boundary between 110 and the semi-transmissive portion 115 , the second phase shifter portion 112 in which the phase shift adjustment film 102 on the semi-transmissive film 101 is partially exposed is formed.

상기의 다계조 포토마스크(200)에서는, 투광부(120)를 투과한 노광광과 제1 위상 시프터부(111)를 투과한 노광광이 간섭함과 함께, 반투광부(115)를 투과한 노광광과 제2 위상 시프터부(112)를 투과한 노광광이 간섭한다. 이에 의해, 경계 부분의 노광광이 서로 상쇄된다. 이로 인해, 피전사체 위에 형성되는 레지스트 패턴의 측벽을 급격한 상승 형상으로 할 수 있다.In the multi-gradation photomask 200 , the exposure light transmitted through the light-transmitting unit 120 and the exposure light transmitted through the first phase shifter 111 interfere with each other and the exposure light transmitted through the semi-transmissive unit 115 . The light light and the exposure light passing through the second phase shifter unit 112 interfere. Thereby, the exposure light of the boundary part cancels out each other. For this reason, the side wall of the resist pattern formed on the to-be-transferred object can be made into a sharply rising shape.

도 7은 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도이다.7 is a side cross-sectional view showing a manufacturing process of the multi-gradation photomask described in Patent Document 1. FIG.

(포토마스크 블랭크 준비 공정)(Photomask blank preparation process)

우선, 투명 기판(100) 위에 반투광막(101), 위상 시프트 조정막(102), 차광막(103)이 이 순서로 형성되고, 최상층에 제1 레지스트막(104)이 형성된 포토마스크 블랭크(20)를 준비한다(도 7의 (a)).First, the translucent film 101, the phase shift adjustment film 102, and the light shielding film 103 are formed in this order on the transparent substrate 100, and the photomask blank 20 in which the 1st resist film 104 was formed in the uppermost layer. ) is prepared (FIG. 7 (a)).

(제1 레지스트 패턴 형성 공정)(First resist pattern forming step)

다음으로, 포토마스크 블랭크(20)에 대하여, 묘화·현상을 실시하고, 차광부(110)(도 6)의 형성 영역을 덮는 제1 레지스트 패턴(104p)을 형성한다.Next, with respect to the photomask blank 20, drawing and development are performed, and the 1st resist pattern 104p which covers the formation area of the light shielding part 110 (FIG. 6) is formed.

(제1 에칭 공정)(1st etching process)

다음으로, 제1 레지스트 패턴(104p)을 마스크로 하여, 차광막(103)을 에칭하고, 차광막 패턴(103p)을 형성한다(도 7의 (b)).Next, using the first resist pattern 104p as a mask, the light-shielding film 103 is etched to form a light-shielding film pattern 103p (FIG. 7(b)).

(제2 레지스트막 형성 공정)(Second resist film formation step)

다음으로, 제1 레지스트 패턴(104p)을 제거한 후, 차광막 패턴(103p) 및 노출된 위상 시프트 조정막(102)을 갖는 포토마스크 블랭크(20) 위의 전체면에, 제2 레지스트막(105)을 형성한다.Next, after removing the first resist pattern 104p, on the entire surface over the photomask blank 20 having the light-shielding film pattern 103p and the exposed phase shift adjustment film 102, the second resist film 105 to form

(제2 레지스트 패턴 형성 공정)(Second resist pattern forming step)

다음으로, 제2 레지스트막(105)을 묘화·현상하고, 차광부(110)의 형성 영역, 차광부(110)와 투광부(120)의 경계 부분에 위치하는 제1 위상 시프터부(111)의 형성 영역, 및 차광부(110)와 반투광부(115)의 경계 부분에 위치하는 제2 위상 시프터부(112)의 형성 영역을 각각 덮는 제2 레지스트 패턴(105p)을 형성한다(도 6, 도 7의 (c)).Next, the second resist film 105 is drawn and developed, and the first phase shifter 111 is located in the region where the light-shielding portion 110 is formed and at the boundary between the light-shielding portion 110 and the light-transmitting portion 120 . A second resist pattern 105p is formed to cover the formation region of , and the formation region of the second phase shifter 112 positioned at the boundary between the light blocking portion 110 and the semi-transmissive portion 115 (FIG. 6, 7(c)).

(제2 에칭 공정)(2nd etching process)

다음으로, 제2 레지스트 패턴(105p)을 마스크로 하여, 위상 시프트 조정막(102)을 에칭하여 위상 시프트 조정막 패턴(102p)을 형성함과 함께, 반투광부(115)와 제1 위상 시프터부(111)와 제2 위상 시프터부(112)를 형성한다(도 6, 도 7의 (d)).Next, using the 2nd resist pattern 105p as a mask, while etching the phase shift adjustment film 102 and forming the phase shift adjustment film pattern 102p, the semi-transmissive part 115 and a 1st phase shifter part (111) and the second phase shifter unit 112 are formed (Figs. 6 and 7 (d)).

(제3 레지스트막 형성 공정)(Third resist film formation step)

다음으로, 제2 레지스트 패턴(105p)을 제거한 후, 차광막 패턴(103p), 위상 시프트 조정막 패턴(102p), 노출된 반투광막(101)을 갖는 포토마스크 블랭크(20) 위의 전체면에, 제3 레지스트막(106)을 형성한다.Next, after removing the second resist pattern 105p, the light shielding film pattern 103p, the phase shift adjustment film pattern 102p, and the photomask blank 20 having the exposed semi-transmissive film 101 on the entire surface , a third resist film 106 is formed.

(제3 레지스트 패턴 형성 공정)(Third resist pattern forming step)

다음으로, 제3 레지스트막(106)을 묘화·현상하고, 투광부(120)의 형성 영역 이외의 영역을 덮는 제3 레지스트 패턴(106p)을 형성한다(도 7의 (e)).Next, the third resist film 106 is drawn and developed to form a third resist pattern 106p covering the region other than the formation region of the light-transmitting portion 120 (FIG. 7(e)).

(제3 에칭 공정)(3rd etching process)

다음으로, 제3 레지스트 패턴(106p)을 마스크로 하여 반투광막(101)을 에칭하여 반투광막 패턴(101p)을 형성함과 함께, 투명 기판(100)을 부분적으로 노출시켜서 투광부(120)를 형성한다(도 6, 도 7의 (f)).Next, using the third resist pattern 106p as a mask, the semi-transmissive film 101 is etched to form a semi-transmissive film pattern 101p, and the transparent substrate 100 is partially exposed to form the light-transmitting portion 120 . ) is formed (FIGS. 6 and 7 (f)).

(제3 레지스트 패턴 제거 공정)(Third resist pattern removal step)

다음으로, 제3 레지스트 패턴(106p)을 제거하고, 다계조 포토마스크(200)의 제조를 완료한다(도 7의 (g)).Next, the third resist pattern 106p is removed, and the manufacture of the multi-gradation photomask 200 is completed (FIG. 7(g)).

일본 특허공개 제2011-215614호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-215614

다계조 포토마스크(또는 그레이톤 마스크)의 전사용 패턴은, 차광부, 투광부, 및 반투광부라고 하는, 광투과율이 서로 다른 3개 이상의 부분을 갖고, 이에 의해 복수의 잔막 두께를 갖는 레지스트 패턴을 피전사체 위에 형성하려고 하는 것이다. 이 레지스트 패턴은, 피전사체 위에 형성된 박막의 가공 시에, 에칭 마스크로서 이용된다. 그 경우, 레지스트 패턴을 사용해서 제1 에칭을 행하고, 계속해서 레지스트 패턴을 감막하면, 감막 후의 레지스트 패턴은 제1 에칭 시와는 상이한 형상으로 된다. 이로 인해, 제1 에칭 시와 상이한 형상의 레지스트 패턴을 사용해서 제2 에칭을 행하는 것이 가능하게 된다. 이와 같이, 다계조 포토마스크는, 여러 장의 포토마스크에 해당하는 기능을 갖는 포토마스크라고도 말할 수 있는 것이며, 주로 표시 장치의 제조에 필요한 포토마스크의 장수를 저감시킬 수 있는 것으로서, 생산 효율의 향상에 기여하고 있다.The transfer pattern of the multi-gradation photomask (or gray tone mask) has three or more portions having different light transmittances, called a light-shielding portion, a light-transmitting portion, and a semi-transmissive portion, and thereby a resist pattern having a plurality of residual film thicknesses. is trying to form on the subject. This resist pattern is used as an etching mask at the time of processing the thin film formed on the to-be-transferred body. In that case, if the first etching is performed using the resist pattern and the resist pattern is subsequently reduced into a film, the resist pattern after the film reduction has a shape different from that at the time of the first etching. For this reason, it becomes possible to perform 2nd etching using the resist pattern of a shape different from the time of 1st etching. In this way, the multi-gradation photomask can also be said to be a photomask having a function corresponding to a plurality of photomasks, and can mainly reduce the number of photomasks required for manufacturing a display device, and is useful for improving production efficiency. are contributing

상기 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크는, 투명 기판이 노출된 투광부, 차광막을 사용한 차광부 외에, 노광광을 일부 투과하는 반투광막을 사용한 반투광부를 구비하는 전사용 패턴을 갖는다. 따라서, 예를 들어 반투광부의 광투과율을 적절히 제어함으로써, 피전사체 위에 형성되는 레지스트 패턴의 부분적인 두께를 제어할 수 있다. 또한, 상기 특허문헌 1의 다계조 포토마스크는, 위상 시프트부를 구비함으로써, 위상 시프트부에 인접하는 투광부, 또는 반투광부와의 경계에서의 광의 간섭 효과를 이용하여, 피전사체 위에 형성되는 광 강도 분포를 제어하고, 형성되는 레지스트 패턴의 측벽 경사를 억제하는 것을 의도하고 있다. 이와 같은 포토마스크를 사용하면, 얻고자 하는 디바이스(디스플레이 패널 등)의 제조 공정에 있어서, 상기 생산 효율의 향상 외에도, CD(Critical Dimension) 정밀도나, 생산 수율의 향상을 기대할 수 있어, 유리한 제조 조건을 얻을 수 있다.The multi-gradation photomask described in Patent Document 1 has a transfer pattern including a translucent portion with a transparent substrate exposed thereon, a light-shielding portion using a light-shielding film, and a semi-transmissive portion using a semi-transmissive film that partially transmits exposure light. Accordingly, for example, by appropriately controlling the light transmittance of the semi-transmissive portion, it is possible to control the partial thickness of the resist pattern formed on the transfer object. Moreover, the multi-gradation photomask of the said patent document 1 is provided with a phase shift part, The light intensity formed on the to-be-transferred object using the interference effect of the light at the boundary with the transmissive part adjacent to a phase shift part, or a semi-transmissive part. It is intended to control the distribution and suppress the sidewall inclination of the resist pattern to be formed. When such a photomask is used, in the manufacturing process of a device (display panel, etc.) to be obtained, in addition to the improvement of the production efficiency, it is possible to expect an improvement in CD (Critical Dimension) precision and production yield, and advantageous manufacturing conditions can get

그런데, 도 6에서 설명한 바와 같이, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크(200)는, 위상 시프터부(111, 112)를 반투광막(101)과 위상 시프트 조정막(102)의 적층에 의해 형성하고 있다. 이 방법에 의하면, 반투광부(115)에 요구되는 광투과율에 따라서 반투광막(101)의 재료나 막 두께가 결정되는 바, 또한, 이 반투광막(101) 위에 적층하는 위상 시프트 조정막(102)의 소재나 막 두께를 적절하게 선택함으로써, 위상 시프터부(111, 112)에 요구되는 광투과율이나 위상 시프트량을 달성해야만 한다. 그러나, 이와 같은 포토마스크 재료의 선택과 설계는, 반드시 용이한 것만은 아니다.By the way, as demonstrated in FIG. 6, the multi-gradation photomask 200 described in patent document 1 uses the phase shifter parts 111 and 112 by lamination|stacking of the semitransmissive film 101 and the phase shift adjustment film 102. is forming According to this method, the material and film thickness of the semi-transmissive film 101 are determined according to the light transmittance required for the semi-transmissive part 115, and a phase shift adjustment film ( By appropriately selecting the material and film thickness of 102), the light transmittance and phase shift amount required for the phase shifters 111 and 112 must be achieved. However, the selection and design of such a photomask material is not necessarily easy.

예를 들어, 반투광부(115)에 요구되는 광투과율에 따라서, 반투광막(101)의 소재와 막 두께를 결정한 경우, 이 위에 적층함으로써 적절한 광학 특성(광투과율, 위상 시프트량)을 달성할 수 있는 위상 시프트 조정막(102)을 탐색할 필요가 있다. 단, 각각의 막의 광투과율과 위상 시프트량은, 어느 것이나 막 두께에 따라서 변동하기 때문에, 이들 2개의 광학 특성을 각각 독립적으로 제어할 수는 없다. 즉, 단층의 반투광막(101)에서 원하는 광투과율을 갖는 반투광부(115)를 실현하고, 또한 이 반투광막(101)과 위상 시프트 조정막(102)의 적층에 의해, 원하는 광투과율과 위상 시프트량을 얻는 막 재료를 준비하는 것은, 큰 개발 부하를 요한다. 게다가, 반투광부(115)에 요구되는 광투과율은, 마스크 유저가 적용하는 프로세스나 얻고자 하는 제품에 따라 상이하여, 많은 베리에이션을 준비할 필요가 있다. 이로 인해, 단막과 적층막의 병용에 의해, 포토마스크의 각 사양을 정확하게 얻기 위한 설계는, 때로는 불가능하게 되는 경우가 발생할 수 있다.For example, when the material and film thickness of the semi-transmissive film 101 are determined according to the light transmittance required for the semi-transmissive part 115, appropriate optical properties (light transmittance, phase shift amount) can be achieved by laminating it thereon. It is necessary to search for a possible phase shift adjustment film 102 . However, since the light transmittance and phase shift amount of each film|membrane fluctuate|varies with film thickness either, these two optical characteristics cannot be controlled independently, respectively. That is, by realizing the semi-transmissive part 115 which has a desired light transmittance with the semi-transmissive film 101 of a single layer, and lamination|stacking this semi-transmissive film 101 and the phase shift adjustment film 102, the desired light transmittance and It requires a large development load to prepare the film|membrane material which obtains a phase shift amount. In addition, the light transmittance required for the semi-transmissive part 115 differs depending on the process applied by the mask user or the product to be obtained, so it is necessary to prepare many variations. For this reason, it may arise that the design for obtaining each specification of a photomask accurately may sometimes become impossible by the combined use of a single film and a laminated film.

단막과 적층막을 병용함으로써 발생하는 상기 문제점은, 반드시 위상 시프트 마스크로 한정되지 않고, 2개의 반투광막을 사용하여, 광투과율이 서로 다른 제1, 제2 반투광부를 갖는 다계조 포토마스크에 있어서도 마찬가지로 발생할 수 있는 문제이다.The above problems caused by using a single film and a laminated film in combination are not necessarily limited to a phase shift mask, but also in a multi-gradation photomask using two semi-transmissive films and having first and second semi-transmissive portions having different light transmittances. This is a problem that may arise.

본 발명의 목적은, 각각의 막이 갖는 광학 특성을, 그대로 포토마스크의 각 부분의 특성으로서 살릴 수 있는 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법, 표시 장치 제조용 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a photomask for display device manufacturing, a photomask for display device manufacturing, and a method for manufacturing a display device, which can utilize the optical properties of each film as it is as a characteristic of each part of the photomask as it is there is

(제1 형태)(1st form)

본 발명의 제1 형태는,A first aspect of the present invention is

투명 기판 위에 제1 광학막과 제2 광학막이 각각 패터닝되어 형성된 전사용 패턴을 구비하고, 상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판의 표면이 노출되는 투광부, 상기 투광부와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부, 및 상기 제1 투과 제어부와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부를 포함하고, 상기 제1 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제1 광학막을 갖고, 상기 제2 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제2 광학막을 갖는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법으로서,A first optical film and a second optical film are respectively patterned on a transparent substrate to provide a transfer pattern formed thereon, wherein the transfer pattern includes a light transmitting part to which a surface of the transparent substrate is exposed, and a portion adjacent to the light transmitting part. a first transmission control unit, and a second transmission control unit having a portion adjacent to the first transmission control unit, wherein the first transmission control unit has the first optical film formed on the transparent substrate, and the second transmission control unit includes: A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device having the second optical film formed on the transparent substrate, the method comprising:

상기 투명 기판 위에 상기 제1 광학막 및 제1 레지스트막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,preparing a photomask blank in which the first optical film and the first resist film are formed on the transparent substrate;

상기 제1 레지스트막에 대하여 제1 묘화를 행하고, 제1 레지스트 패턴을 형성하는, 제1 레지스트 패턴 형성 공정과,a first resist pattern forming step of performing first drawing on the first resist film to form a first resist pattern;

상기 제1 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제1 광학막을 에칭하고, 제1 광학막 패턴을 형성하는, 제1 패터닝 공정과,a first patterning process of etching the first optical film using the first resist pattern as a mask to form a first optical film pattern;

상기 제1 광학막 패턴을 포함하는 상기 투명 기판 위에 상기 제2 광학막을 형성하는 공정과,forming the second optical film on the transparent substrate including the first optical film pattern;

상기 제2 광학막 위에 제2 레지스트막을 형성하여 제2 묘화를 행하고, 제2 레지스트 패턴을 형성하는, 제2 레지스트 패턴 형성 공정과,a second resist pattern forming step of forming a second resist film on the second optical film to perform second writing to form a second resist pattern;

상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 광학막을 에칭하고, 제2 광학막 패턴을 형성하는, 제2 패터닝 공정을 포함하고,a second patterning process of etching the second optical film using the second resist pattern as a mask and forming a second optical film pattern;

상기 제1 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막만을 에칭하고,In the first patterning process, only the first optical film is etched,

상기 제2 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막만을 에칭하고, 또한,In the second patterning step, only the second optical film is etched, and further,

상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 상기 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 상기 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖는 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.The second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and has a dimension obtained by adding a margin of a predetermined width to the side of the first transmission control unit adjacent to the edge of the second transmission control unit. which is a method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device.

(제2 형태)(Second form)

본 발명의 제2 형태는,A second aspect of the present invention is

상기 제1 광학막은, Cr을 포함하고,The first optical film contains Cr,

상기 제2 광학막은, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 형태에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.Said 2nd optical film contains any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf, The manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture of the said 1st aspect characterized by the above-mentioned.

(제3 형태)(3rd form)

본 발명의 제3 형태는,A third aspect of the present invention is

투명 기판 위에 제1 광학막과 제2 광학막이 각각 패터닝되어 형성된 전사용 패턴을 구비하고, 상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판의 표면이 노출되는 투광부, 상기 투광부와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부, 및 상기 제1 투과 제어부와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부를 포함하고, 상기 제1 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제1 광학막을 갖고, 상기 제2 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제2 광학막을 갖는 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법으로서,A first optical film and a second optical film are respectively patterned on a transparent substrate to provide a transfer pattern formed thereon, wherein the transfer pattern includes a light transmitting part to which a surface of the transparent substrate is exposed, and a portion adjacent to the light transmitting part. a first transmission control unit, and a second transmission control unit having a portion adjacent to the first transmission control unit, wherein the first transmission control unit has the first optical film formed on the transparent substrate, and the second transmission control unit includes: A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device having the second optical film formed on the transparent substrate, the method comprising:

상기 투명 기판 위에 상기 제1 광학막, 에칭 마스크막, 및 제1 레지스트막이 형성된, 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,preparing a photomask blank in which the first optical film, the etching mask film, and the first resist film are formed on the transparent substrate;

상기 제1 레지스트막에 대하여 제1 묘화를 행하고, 제1 레지스트 패턴을 형성하는, 제1 레지스트 패턴 형성 공정과,a first resist pattern forming step of performing first drawing on the first resist film to form a first resist pattern;

상기 제1 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 에칭하고, 에칭 마스크막 패턴을 형성하는 공정과,etching the etching mask film using the first resist pattern as a mask to form an etching mask film pattern;

상기 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 광학막을 에칭하고, 제1 광학막 패턴을 형성하는, 제1 패터닝 공정과,a first patterning process of etching the first optical film using the etching mask film pattern as a mask to form a first optical film pattern;

상기 에칭 마스크막 패턴을 제거하는 공정과,removing the etching mask layer pattern;

상기 제1 광학막 패턴을 포함하는 상기 투명 기판 위에 상기 제2 광학막을 형성하는 공정과,forming the second optical film on the transparent substrate including the first optical film pattern;

상기 제2 광학막 위에 제2 레지스트막을 형성하여 제2 묘화를 행하고, 제2 레지스트 패턴을 형성하는, 제2 레지스트 패턴 형성 공정과,a second resist pattern forming step of forming a second resist film on the second optical film to perform second writing to form a second resist pattern;

상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 광학막을 에칭하고, 제2 광학막 패턴을 형성하는, 제2 패터닝 공정을 포함하고,a second patterning process of etching the second optical film using the second resist pattern as a mask and forming a second optical film pattern;

상기 제1 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막만을 에칭하고,In the first patterning process, only the first optical film is etched,

상기 제2 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막만을 에칭하고, 또한,In the second patterning step, only the second optical film is etched, and further,

상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 상기 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 상기 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖는 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.The second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and has a dimension obtained by adding a margin of a predetermined width to the side of the first transmission control unit adjacent to the edge of the second transmission control unit. which is a method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device.

(제4 형태)(4th form)

본 발명의 제4 형태는,A fourth aspect of the present invention is

상기 제1 광학막은, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하고,The first optical film includes any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf,

상기 제2 광학막은, Cr을 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제3 형태에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.Said 2nd optical film contains Cr, It is the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture of the said 3rd aspect characterized by the above-mentioned.

(제5 형태)(5th form)

본 발명의 제5 형태는,A fifth aspect of the present invention is

상기 제1 광학막과 상기 제2 광학막은, 서로의 에칭제에 대하여 내성을 갖는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제4 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.The said 1st optical film and the said 2nd optical film have resistance with respect to each other etching agent, It is a manufacturing method of the photomask for display device manufacture in any one of said 1st - 4th aspect characterized by the above-mentioned.

(제6 형태)(6th form)

본 발명의 제6 형태는,A sixth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한, 상기 제1 광학막의 광투과율을 T1(％)로 하고, 위상 시프트량을 φ1(도)로 할 때,When the light transmittance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for display device manufacture is T1 (%), and the phase shift amount is φ1 (degrees),

2≤T1≤402≤T1≤40

150≤φ1≤210150≤φ1≤210

인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제5 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the photomask for display device manufacture in any one of said 1st thru|or 5th aspect characterized by the above-mentioned.

(제7 형태)(7th form)

본 발명의 제7 형태는,A seventh aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제1 광학막의 표면 반사율을 SR1(％)로 할 때,When the surface reflectance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is SR1 (%),

2≤SR1≤202≤SR1≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제6 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 1st thru|or 6th aspect characterized by the above-mentioned.

(제8 형태)(8th form)

본 발명의 제8 형태는,An eighth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제1 광학막의 이면 반사율을 BR1(％)로 할 때,When the back reflectance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is BR1 (%),

2≤BR1≤202≤BR1≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제7 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the photomask for display device manufacture in any one of said 1st thru|or 7th aspect characterized by the above-mentioned.

(제9 형태)(9th form)

본 발명의 제9 형태는,A ninth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한, 상기 제2 광학막의 광투과율을 T2(％)로 하고, 위상 시프트량을 φ2(도)로 할 때,When the light transmittance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for display device manufacture is T2 (%), and the phase shift amount is φ2 (degrees),

10≤T2≤6010≤T2≤60

0<φ2≤900<φ2≤90

인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제8 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다. It is the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 1st - 8th aspect characterized by the above-mentioned.

(제10 형태)(10th form)

본 발명의 제10 형태는,A tenth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제2 광학막의 표면 반사율을 SR2(％)로 할 때When the surface reflectance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is SR2 (%)

2≤SR2≤202≤SR2≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제9 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 1st - 9th aspect characterized by the above-mentioned.

(제11 형태)(11th form)

본 발명의 제11 형태는,An eleventh aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제2 광학막의 이면 반사율을 BR2(％)로 할 때When the back reflectance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is BR2 (%)

2≤BR2≤202≤BR2≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제10 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 1st - 10th aspect characterized by the above-mentioned.

(제12 형태)(12th form)

본 발명의 제12 형태는,A twelfth aspect of the present invention is

상기 마진 영역의 폭을 M1(㎛)로 할 때,When the width of the margin region is M1 (㎛),

0.2≤M1≤1.00.2≤M1≤1.0

인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제11 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the photomask for display device manufacture in any one of said 1st - 11th aspect characterized by the above-mentioned.

(제13 형태)(13th form)

본 발명의 제13 형태는,A thirteenth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한, 상기 제1 투과 제어부의 마진 영역과 상기 제2 투과 제어부의 위상차 δ(도)가,The phase difference δ (degrees) between the margin region of the first transmission control unit and the second transmission control unit with respect to the representative wavelength light of exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is,

150≤δ≤210150≤δ≤210

인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제12 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 1st - 12th aspect characterized by the above-mentioned.

(제14 형태)(14th form)

본 발명의 제14 형태는,A fourteenth aspect of the present invention is

상기 전사용 패턴은, 대향하는 2방향으로부터 상기 제1 투과 제어부에 의해 끼워진 제2 투과 제어부를 포함하고,The transfer pattern includes a second transmission control unit sandwiched by the first transmission control unit from two opposing directions,

상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 상기 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 2개의 상기 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제13 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법이다.The second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and has a dimension obtained by adding a margin of a predetermined width to two sides of the first transmission control unit adjacent to the edge of the second transmission control unit. It is the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 1st - 13th aspect characterized by the above-mentioned.

(제15 형태)(15th form)

본 발명의 제15 형태는,A fifteenth aspect of the present invention is

투명 기판 위에 제1 광학막과 제2 광학막이 각각 패터닝되어 형성된 투광부, 제1 투과 제어부 및 제2 투과 제어부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 표시 장치 제조용 포토마스크로서,A photomask for manufacturing a display device having a transfer pattern including a light transmitting unit, a first transmission control unit, and a second transmission control unit formed by patterning a first optical film and a second optical film on a transparent substrate, respectively,

상기 전사용 패턴은, 상기 투광부, 상기 투광부와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부, 및 상기 제1 투과 제어부와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부를 포함하고,The transfer pattern includes the light-transmitting unit, a first transmission control unit having a portion adjacent to the light-transmitting unit, and a second transmission control unit having a portion adjacent to the first transmission control unit,

상기 투광부는, 상기 투명 기판의 표면이 노출되어 이루어지고,The light-transmitting part is made by exposing the surface of the transparent substrate,

상기 제1 투과 제어부에 있어서는, 상기 투명 기판 위에 상기 제1 광학막이 형성되고,In the first transmission control unit, the first optical film is formed on the transparent substrate,

상기 제2 투과 제어부에 있어서는, 상기 투명 기판 위에 상기 제2 광학막이 형성되고,In the second transmission control unit, the second optical film is formed on the transparent substrate,

상기 제1 투과 제어부는, 상기 제2 투과 제어부와 인접하는 에지를 따른 소정 폭의 부분에, 상기 제1 광학막과 상기 제2 광학막이 적층하는 소정 폭의 마진 영역을 가짐과 함께, 상기 마진 영역 이외의 부분에, 상기 제1 광학막만이 형성된 메인 영역을 갖는, 표시 장치 제조용 포토마스크이다.The first transmission control unit has a margin area of a predetermined width in which the first optical film and the second optical film are laminated in a portion of a predetermined width along an edge adjacent to the second transmission control unit, and the margin area It is a photomask for display device manufacturing which has a main area|region in which only the said 1st optical film was formed in the other part.

(제16 형태)(16th form)

본 발명의 제16 형태는,A sixteenth aspect of the present invention is

상기 제1 광학막은, Cr을 포함하고,The first optical film contains Cr,

상기 제2 광학막은, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제15 형태에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.The said 2nd optical film contains any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf, It is the photomask for display apparatus manufacture of the said 15th aspect characterized by the above-mentioned.

(제17 형태)(17th form)

본 발명의 제17 형태는,A seventeenth aspect of the present invention is

상기 제1 광학막은, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하고,The first optical film includes any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf,

상기 제2 광학막은, Cr을 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제15 형태에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.The said 2nd optical film contains Cr, It is the photomask for display apparatus manufacture of the said 15th aspect characterized by the above-mentioned.

(제18 형태)(18th form)

본 발명의 제18 형태는,The eighteenth aspect of the present invention is

상기 제1 광학막과 상기 제2 광학막은, 서로의 에칭제에 대하여 내성을 갖는 것을 특징으로 하는, 상기 제15 내지 제17 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.The said 1st optical film and the said 2nd optical film have tolerance with respect to each other etching agent, The said 15th - 17th aspect is characterized by the above-mentioned, It is the photomask for display device manufacture in any one of the said forms.

(제19 형태)(19th form)

본 발명의 제19 형태는,A nineteenth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한, 상기 제1 광학막의 광투과율을 T1(％)로 하고, 위상 시프트량을 φ1(도)로 할 때,When the light transmittance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for display device manufacture is T1 (%), and the phase shift amount is φ1 (degrees),

2≤T1≤402≤T1≤40

150≤φ1≤210150≤φ1≤210

인 것을 특징으로 하는, 상기 제15 내지 제18 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display device manufacture in any one of said 15th - 18th aspect characterized by the above-mentioned.

(제20 형태)(Form 20)

본 발명의 제20 형태는,A twentieth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제1 광학막의 표면 반사율을 SR1(％)로 할 때,When the surface reflectance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is SR1 (%),

2≤SR1≤202≤SR1≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제15 내지 제19 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 15th - 19th aspect characterized by the above-mentioned.

(제21 형태)(21st form)

본 발명의 제21 형태는,A twenty-first aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제1 광학막의 이면 반사율을 BR1(％)로 할 때,When the back reflectance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is BR1 (%),

2≤BR1≤202≤BR1≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제15 내지 제20 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display device manufacture in any one of said 15th - 20th aspect characterized by the above-mentioned.

(제22 형태)(22nd form)

본 발명의 제22 형태는,A twenty-second aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한, 상기 제2 광학막의 광투과율을 T2(％)로 하고, 위상 시프트량을 φ2(도)로 할 때,When the light transmittance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for display device manufacture is T2 (%), and the phase shift amount is φ2 (degrees),

10≤T2≤6010≤T2≤60

0<φ2≤900<φ2≤90

인 것을 특징으로 하는, 상기 제15 내지 제21 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 15th - 21st aspects characterized by the above-mentioned.

(제23 형태)(23rd form)

본 발명의 제23 형태는,A twenty-third aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제2 광학막의 표면 반사율을 SR2(％)로 할 때When the surface reflectance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is SR2 (%)

2≤SR2≤202≤SR2≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제15 내지 제22 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 15th - 22nd aspect characterized by the above-mentioned.

(제24 형태)(24th form)

본 발명의 제24 형태는,A twenty-fourth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한 상기 제2 광학막의 이면 반사율을 BR2(％)로 할 때When the back reflectance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is BR2 (%)

2≤BR2≤202≤BR2≤20

인 것을 특징으로 하는 상기 제15 내지 제23 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 15th - 23rd aspect characterized by the above-mentioned.

(제25 형태)(25th form)

본 발명의 제25 형태는,A twenty-fifth aspect of the present invention is

상기 마진 영역의 폭을 M1(㎛)로 할 때,When the width of the margin region is M1 (㎛),

0.2≤M1≤1.00.2≤M1≤1.0

인 것을 특징으로 하는, 상기 제15 내지 제24 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 15th - 24th aspect characterized by the above-mentioned.

(제26 형태)(26th form)

본 발명의 제26 형태는,A twenty-sixth aspect of the present invention is

상기 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대한, 상기 제1 투과 제어부의 마진 영역과 상기 제2 투과 제어부의 위상차 δ(도)가,The phase difference δ (degrees) between the margin region of the first transmission control unit and the second transmission control unit with respect to the representative wavelength light of exposure light used for exposure of the photomask for manufacturing a display device is,

150≤δ≤210150≤δ≤210

인 것을 특징으로 하는, 상기 제15 내지 제25 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.It is the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 15th - 25th aspect characterized by the above-mentioned.

(제27 형태)(27th form)

본 발명의 제27 형태는,A twenty-seventh aspect of the present invention is

상기 전사용 패턴은, 대향하는 2방향으로부터 상기 제1 투과 제어부에 의해 끼워진 제2 투과 제어부를 포함하고, 상기 제1 투과 제어부와 상기 제2 투과 제어부의 각각의 인접 부분에 있어서의 상기 제1 투과 제어부측에, 상기 마진 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 상기 제15 내지 제26 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크이다.The transfer pattern includes a second transmission control unit sandwiched by the first transmission control unit from two opposing directions, and the first transmission in each adjacent portion of the first transmission control unit and the second transmission control unit. The said margin region is formed in the control part side, It is the photomask for display apparatus manufacture in any one of said 15th - 26th aspect characterized by the above-mentioned.

(제28 형태)(28th form)

본 발명의 제28 형태는,A twenty-eighth aspect of the present invention is

상기 제1 내지 제14 형태 중 어느 하나에 기재된 제조 방법에 의한 표시 장치 제조용 포토마스크를 준비하는 공정과,A step of preparing a photomask for manufacturing a display device according to the manufacturing method according to any one of the first to 14th aspects;

노광 장치에 의해, 상기 표시 장치 제조용 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을 노광하는 공정A step of exposing the transfer pattern included in the photomask for manufacturing a display device by means of an exposure apparatus

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 제조 방법이다.A method of manufacturing a display device, comprising:

(제29 형태)(29th form)

본 발명의 제29 형태는,A twenty-ninth aspect of the present invention is

상기 제15 내지 제27 형태 중 어느 하나에 기재된 표시 장치 제조용 포토마스크를 준비하는 공정과,A step of preparing the photomask for manufacturing a display device according to any one of the above 15th to 27th aspects;

노광 장치에 의해, 상기 표시 장치 제조용 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을 노광하는 공정A step of exposing the transfer pattern included in the photomask for manufacturing a display device by means of an exposure apparatus

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 제조 방법이다.A method of manufacturing a display device, comprising:

본 발명에 의하면, 각각의 막이 갖는 광학 특성을, 그대로 포토마스크의 각 부분의 특성으로서 살릴 수 있기 때문에, 설계의 자유도가 큰 동시에, 설계대로의 특성을 충실하게 발휘하는 표시 장치 제조용 포토마스크를 실현하는 것이 가능하게 된다.According to the present invention, since the optical properties of each film can be used as it is as the properties of each part of the photomask, a photomask for manufacturing a display device that has a large degree of freedom in design and faithfully exhibits the characteristics as designed is realized. it becomes possible to

도 1의 (a) 내지 (e)는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도(제1)이다.
도 2의 (f) 내지 (i)는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도(제2)이다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 4의 (a) 내지 (f)는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도(제1)이다.
도 5의 (g) 내지 (k)는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도(제2)이다.
도 6은, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 7의 (a) 내지 (g)는, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도이다.1A to 1E are side cross-sectional views (first) showing a manufacturing process of a photomask for manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.
2(f) to (i) are side cross-sectional views (second) showing a manufacturing process of the photomask for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.
3 is a side cross-sectional view showing the configuration of a photomask for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
4A to 4F are side cross-sectional views (first) showing a manufacturing process of a photomask for manufacturing a display device according to a second embodiment of the present invention.
5 (g) to (k) are side cross-sectional views (second) showing a manufacturing process of a photomask for manufacturing a display device according to a second embodiment of the present invention.
6 is a side cross-sectional view showing the configuration of the multi-gradation photomask described in Patent Document 1. As shown in FIG.
7(a) to (g) are side cross-sectional views showing a manufacturing process of the multi-gradation photomask described in Patent Document 1. FIG.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail, referring drawings.

<제1 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법><Method for manufacturing a photomask for manufacturing a display device according to the first embodiment>

본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법은, 이하와 같다.The manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture which concerns on 1st Embodiment of this invention is as follows.

투명 기판 위에 제1 광학막과 제2 광학막이 각각 패터닝되어 형성된 전사용 패턴을 구비하고, 상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판의 표면이 노출되는 투광부, 상기 투광부와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부, 및 상기 제1 투과 제어부와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부를 포함하고, 상기 제1 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제1 광학막을 갖고, 상기 제2 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제2 광학막을 갖는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법으로서,A first optical film and a second optical film are respectively patterned on a transparent substrate to provide a transfer pattern formed thereon, wherein the transfer pattern includes a light transmitting part to which a surface of the transparent substrate is exposed, and a portion adjacent to the light transmitting part. a first transmission control unit, and a second transmission control unit having a portion adjacent to the first transmission control unit, wherein the first transmission control unit has the first optical film formed on the transparent substrate, and the second transmission control unit includes: A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device having the second optical film formed on the transparent substrate, the method comprising:

상기 투명 기판 위에 상기 제1 광학막 및 제1 레지스트막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,preparing a photomask blank in which the first optical film and the first resist film are formed on the transparent substrate;

상기 제1 레지스트막에 대하여 제1 묘화를 행하고, 제1 레지스트 패턴을 형성하는, 제1 레지스트 패턴 형성 공정과,a first resist pattern forming step of performing first drawing on the first resist film to form a first resist pattern;

상기 제1 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제1 광학막을 에칭하고, 제1 광학막 패턴을 형성하는, 제1 패터닝 공정과,a first patterning process of etching the first optical film using the first resist pattern as a mask to form a first optical film pattern;

상기 제1 광학막 패턴을 포함하는 상기 투명 기판 위에 상기 제2 광학막을 형성하는 공정과,forming the second optical film on the transparent substrate including the first optical film pattern;

상기 제2 광학막 위에 제2 레지스트막을 형성하여 제2 묘화를 행하고, 제2 레지스트 패턴을 형성하는, 제2 레지스트 패턴 형성 공정과,a second resist pattern forming step of forming a second resist film on the second optical film to perform second writing to form a second resist pattern;

상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 광학막을 에칭하고, 제2 광학막 패턴을 형성하는, 제2 패터닝 공정을 포함하고,a second patterning process of etching the second optical film using the second resist pattern as a mask and forming a second optical film pattern;

상기 제1 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막만을 에칭하고,In the first patterning process, only the first optical film is etched,

상기 제2 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막만을 에칭하고, 또한,In the second patterning step, only the second optical film is etched, and further,

상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 상기 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 상기 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖는 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.The second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and has a dimension obtained by adding a margin of a predetermined width to the side of the first transmission control unit adjacent to the edge of the second transmission control unit. A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device.

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도이다.1 and 2 are side cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a photomask for manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.

또한, 도면 중의 A 영역은 투광부에 대응하는 영역, B 영역은 제1 투과 제어부에 대응하는 영역, C 영역은 제2 투과 제어부에 대응하는 영역이다. 바꾸어 말하면, A 영역은 투광부의 형성이 예정되어 있는 영역, B 영역은 제1 투과 제어부의 형성이 예정되어 있는 영역, C 영역은 제2 투과 제어부의 형성이 예정되어 있는 영역이다.In the figure, area A corresponds to the light transmitting unit, area B corresponds to the first transmission control unit, and area C corresponds to the second transmission control unit. In other words, region A is a region in which the light transmitting part is scheduled to be formed, region B is a region in which formation of the first transmission control unit is scheduled, and region C is a region in which formation of the second transmission control unit is scheduled.

(포토마스크 블랭크 준비 공정)(Photomask blank preparation process)

우선, 도 1의 (a)에 도시한 포토마스크 블랭크(1)를 준비한다. 이 포토마스크 블랭크(1)는, 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3)을 형성하고, 또한 그 제1 광학막(3) 위에 제1 레지스트막(4)을 적층하여 형성한 것이다.First, the photomask blank 1 shown in Fig. 1A is prepared. This photomask blank 1 is formed by forming a first optical film 3 on a transparent substrate 2 and laminating a first resist film 4 on the first optical film 3 .

투명 기판(2)은, 석영 유리 등의 투명 재료를 사용해서 구성할 수 있다. 투명 기판(2)의 크기나 두께에 제한은 없다. 포토마스크 블랭크(1)가 표시 장치의 제조에 사용되는 것이면, 1변의 길이가 300 내지 1800㎜, 두께가 5 내지 16㎜ 정도의 사각형의 주면을 갖는 투명 기판(2)을 사용할 수 있다.The transparent substrate 2 can be configured using a transparent material such as quartz glass. There is no limit to the size or thickness of the transparent substrate 2 . As long as the photomask blank 1 is used for manufacturing a display device, a transparent substrate 2 having a rectangular main surface having a side length of 300 to 1800 mm and a thickness of about 5 to 16 mm can be used.

제1 광학막(3)은, 표시 장치 제조용 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광(이하, 단순히 「노광광」이라고도 함)에 대하여 소정의 광투과율을 갖는 반투광막으로 할 수 있다. 또한, 제1 광학막(3)은, 노광광에 대하여 소정의 광투과율을 가짐과 함께, 투과 시에 노광광의 위상을 실질적으로 반전하는 위상 시프트막으로 할 수 있다. 또한, 제1 광학막(3)은, 노광광에 대한 위상 시프트량이 낮은, 저위상 반투광막으로 할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 제1 광학막(3)을 상기 위상 시프트 작용이 있는 위상 시프트막으로 한다.The first optical film 3 may be a semi-transmissive film having a predetermined light transmittance with respect to exposure light (hereinafter simply referred to as “exposure light”) used for exposure of a photomask for manufacturing a display device. Moreover, while the 1st optical film 3 has a predetermined|prescribed light transmittance with respect to exposure light, it can be set as the phase shift film which inverts the phase of exposure light substantially at the time of transmission. Moreover, the 1st optical film 3 can be set as the low-phase semitransmissive film|membrane with a low amount of phase shift with respect to exposure light. In this embodiment, let the 1st optical film 3 be a phase shift film with the said phase shift action|action.

위상 시프트막으로서의 제1 광학막(3)은, 노광광에 포함되는 광의 대표 파장(예를 들어, i선, h선, g선 중 어느 하나로서, 여기에서는 i선으로 함)에 대한 광투과율 T1(％)와, 위상 시프트량 φ1(도)를 갖는 것으로 한다. 그 경우, 노광광의 대표 파장광에 대한 제1 광학막(3)의 광투과율 T1(％)와 위상 시프트량 φ1(도)는, 바람직하게는 The 1st optical film 3 as a phase shift film|membrane has the light transmittance with respect to the representative wavelength (for example, it is any one of i line|wire, h line|wire, and g line|wire, and set it as i line|wire here) of the light contained in exposure light. It shall have T1 (%) and phase shift amount (phi) 1 (degree). In that case, the light transmittance T1 (%) of the 1st optical film 3 with respect to the representative wavelength light of exposure light, and phase shift amount phi 1 (degree), Preferably

2≤T1≤40, 2≤T1≤40,

150≤φ1≤210이다.150≤φ1≤210.

광투과율 T1의 보다 바람직한 범위는,A more preferable range of the light transmittance T1 is,

2≤T1≤10, 더욱 바람직하게는, 3≤T1≤8이며, 또는,2≤T1≤10, more preferably 3≤T1≤8, or

30≤T1≤4030≤T1≤40

이어도 된다.may be

또한, 위상 시프트량 φ1에 대해서는, 보다 바람직하게는,Moreover, about phase shift amount (phi) 1, More preferably,

165≤φ1≤195165≤φ1≤195

이다. 본 명세서에서 기술하는 막의 광투과율은, 투명 기판(2)의 광투과율을 100％로 했을 때의 값이다.am. The light transmittance of the film described in this specification is a value when the light transmittance of the transparent substrate 2 is 100%.

또한, 위상 시프트막으로서의 제1 광학막(3)은, i선, h선, g선의 광에 대한 위상 시프트량의 편차가 40도 이하인 것이 바람직하다. 또한, 제1 광학막은, i선 내지 g선의 파장 영역에서의 광투과율의 편차가 2 내지 8％인 것이 바람직하다.Moreover, as for the 1st optical film 3 as a phase shift film, it is preferable that the dispersion|variation of the phase shift amount with respect to the light of i line|wire, h line|wire, and g line|wire is 40 degrees or less. Moreover, it is preferable that the dispersion|variation in the light transmittance of the 1st optical film|membrane in the wavelength range of the i line|wire - g line|wire is 2 to 8 %.

제1 광학막(3)의 재료는, 예를 들어 Cr, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 함유하는 막으로 할 수 있으며, 이들 화합물(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 탄화질화물, 산화질화탄화물 등)로부터 적절한 것을 선택할 수 있다. 제1 광학막(3)의 재료는, 특히 Cr의 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, Cr을 함유하는 막의 경우, Cr의 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 중, 1종 또는 복수종을 함유하는 것이 바람직하다. 본 제1 실시 형태에서는, 제1 광학막(3)이 Cr을 포함하는 막 재료, 예를 들어 Cr 화합물을 포함하는 막 재료로 형성되어 있는 것으로 한다. 또한, 제1 광학막(3)은, Si를 함유하지 않는 막으로 할 수 있다. 제1 광학막(3)을, Si를 함유하지 않는 막으로 하면, 제1 광학막(3)과 제1 레지스트막(4)의 밀착성이 높아지는 점에서 유리해진다.The material of the first optical film 3 may be, for example, a film containing any one of Cr, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf, and these compounds (eg, For example, an appropriate one can be selected from oxides, nitrides, carbides, oxynitrides, carbonitrides, oxynitrides and carbides). The material of the 1st optical film 3 can use especially preferably the compound of Cr. Specifically, in the case of a film containing Cr, it is preferable to contain one or more types of Cr oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitrides and carbides. In this first embodiment, it is assumed that the first optical film 3 is formed of a film material containing Cr, for example, a film material containing a Cr compound. In addition, the 1st optical film 3 can be made into the film|membrane which does not contain Si. When the first optical film 3 is a film containing no Si, it is advantageous in that the adhesion between the first optical film 3 and the first resist film 4 is increased.

제1 광학막(3)의 그 밖의 막 재료로서는, Si의 화합물(SiON 등), 또는 전이 금속 실리사이드(예를 들어 Mo, Ti, W, Ta 등의 실리사이드)나, 그 화합물을 사용할 수 있다. 전이 금속 실리사이드의 화합물로서는, 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 MoSi의 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 등이 예시된다.As another film material of the first optical film 3 , a compound of Si (such as SiON) or a transition metal silicide (such as a silicide of Mo, Ti, W, or Ta) or a compound thereof can be used. Examples of the transition metal silicide compound include oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitridation carbides, and preferably MoSi oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitridation carbides.

제1 광학막(3)의 성막 방법에는, 예를 들어 스퍼터법 등, 공지된 방법을 이용할 수 있다.A well-known method, such as a sputtering method, can be used for the film-forming method of the 1st optical film 3, for example.

또한, 제1 광학막(3)은 포토마스크 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대하여, 표면 반사율 SR1(％)의 값이,In addition, in the first optical film 3, the value of the surface reflectance SR1 (%) with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for photomask exposure,

2≤SR1≤202≤SR1≤20

인 것이 바람직하다. 또한, 제1 광학막의 이면 반사율 BR1(％)의 값이,It is preferable to be In addition, the value of the back surface reflectance BR1 (%) of the first optical film is,

2≤BR1≤202≤BR1≤20

인 것이 바람직하다.It is preferable to be

제1 광학막(3)의 표면 및 이면의 광학적인 반사율은, 제1 광학막(3)의 조성 및 막 두께에 의해 조정할 수 있다. 예를 들어, 상기 재료에 의해 제1 광학막(3)을 성막할 때에, 제1 광학막(3)의 두께 방향으로, 연속적 또는 불연속적으로 조성이 변화되는 적층 구조를 채용함으로써, 표면 반사율 SR1, 이면 반사율 BR1을 상기 원하는 범위로 할 수 있다. 방법으로서는, 예를 들어 스퍼터 장치에 있어서, 첨가하는 가스의 종류나 유량을 변화시킴으로써, 두께 방향으로 조성 변화가 있는 막을 형성하는 것이 가능하다.The optical reflectance of the front and back surfaces of the first optical film 3 can be adjusted by the composition and the film thickness of the first optical film 3 . For example, when forming the first optical film 3 with the above material, by adopting a laminated structure in which the composition changes continuously or discontinuously in the thickness direction of the first optical film 3, the surface reflectance SR1 , the backside reflectance BR1 can be set within the desired range. As a method, for example, in a sputtering apparatus, it is possible to form a film|membrane with a composition change in the thickness direction by changing the kind and flow volume of the gas to be added.

이에 의해, 조성 변화에 의한 굴절률의 변화, 광 흡수의 제어, 및 박막 간섭을 발생시켜, 표면 반사율 SR1 또는 이면 반사율 BR1을 제어할 수 있다.Thereby, a change in the refractive index due to a change in composition, control of light absorption, and thin film interference are generated, so that it is possible to control the surface reflectance SR1 or the back reflectance BR1.

또한, 제1 광학막(3)의 표면 반사율 SR1과 이면 반사율 BR1은,In addition, the surface reflectance SR1 and the back reflectance BR1 of the first optical film 3 are,

2≤SR1/BR1≤102≤SR1/BR1≤10

의 관계를 만족시키는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable to satisfy the relationship of

여기서, 제1 광학막(3)의 표면이란, 제1 광학막(3)이 노출되는 측의 면이다. 따라서, 상기 표면 반사율 SR1은, 제1 광학막(3)이 제2 광학막(5)과 적층되지 않고 단막으로서 형성되어 있는 부분의 반사율이다.Here, the surface of the 1st optical film 3 is a surface on the side to which the 1st optical film 3 is exposed. Therefore, the said surface reflectance SR1 is the reflectance of the part where the 1st optical film 3 is not laminated|stacked with the 2nd optical film 5, but is formed as a single film.

또한, 제1 광학막(3)의 이면이란, 투명 기판(2)이 존재하는 측의 면이다. 상기 이면 반사율 BR1이란, 제1 광학막(3)이 제2 광학막(5)과 적층되지 않고, 단막으로서 형성되어 있는 부분에 대하여, 투명 기판(2)의 이면측으로부터 광을 입사한 경우의 반사율이다. 또한, 투명 기판(2)의 표면에 의한 반사광은 여기에서는 제외하고 생각한다.In addition, the back surface of the 1st optical film 3 is the surface on the side where the transparent substrate 2 exists. The back reflectance BR1 refers to a case in which the first optical film 3 is not laminated with the second optical film 5 and light is incident on a portion formed as a single film from the back surface side of the transparent substrate 2 is the reflectance. In addition, the reflected light by the surface of the transparent substrate 2 is excluded here.

상기한 바와 같이 제1 광학막(3)의 표면 반사율 SR1, 이면 반사율 BR1이 억제되어 있는 경우, 묘화 시의 정재파가 발생하기 어렵고, 또한, 노광 시에 노광 장치 내에서 발생하는 미광, 플레어를 억제할 수 있다. 이 때문에, 패턴의 CD 정밀도를 높게 유지할 수 있다.As described above, when the surface reflectance SR1 and the back reflectance BR1 of the first optical film 3 are suppressed, a standing wave at the time of writing is less likely to occur, and stray light and flare generated in the exposure apparatus during exposure are suppressed. can do. For this reason, the CD precision of a pattern can be maintained high.

제1 레지스트막(4)은, EB(Electron Beam) 레지스트, 포토레지스트 등을 사용해서 형성하는 것이 가능하다. 여기에서는 일례로서 포토레지스트를 사용하는 것으로 한다. 제1 레지스트막(4)은, 제1 광학막(3) 위에 포토레지스트를 도포함으로써 형성할 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형, 네가티브형 중 어느 하나여도 되지만, 여기에서는 포지티브형의 포토레지스트를 사용하는 것으로 한다. 제1 레지스트막(4)의 막 두께는, 5000 내지 10000Å 정도로 할 수 있다.The first resist film 4 can be formed using an EB (electron beam) resist, a photoresist, or the like. Here, it is assumed that a photoresist is used as an example. The first resist film 4 can be formed by coating a photoresist on the first optical film 3 . The photoresist may be either a positive type or a negative type, but a positive type photoresist is used here. The film thickness of the first resist film 4 can be about 5000 to 10000 angstroms.

(제1 레지스트 패턴 형성 공정)(First resist pattern forming step)

다음으로, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트막(4)을 패터닝함으로써, 제1 레지스트 패턴(4a)을 형성한다. 이 공정에서는 상기의 포토마스크 블랭크(1)에 대하여 묘화 장치를 사용해서 원하는 패턴을 묘화(제1 묘화)한다. 묘화를 위한 에너지선에는, 전자 빔이나 레이저 빔 등이 사용되지만, 여기서는 레이저 빔(파장 410 내지 420㎚)을 사용하는 것으로 한다. 포토마스크 블랭크(1)에 대하여 묘화를 행한 후, 제1 레지스트막(4)을 현상함으로써, 제1 레지스트 패턴(4a)이 형성된다. 제1 레지스트 패턴(4a)은, 제1 투과 제어부의 형성 영역(B 영역)을 덮고, 그 밖의 영역(A 영역, C 영역)에 개구를 갖는 형상으로 한다.Next, as shown in Fig. 1B, the first resist film 4 is patterned to form a first resist pattern 4a. At this process, a desired pattern is drawn (1st drawing) with respect to said photomask blank 1 using a drawing apparatus. Although an electron beam, a laser beam, etc. are used for the energy beam for drawing, it is assumed here that a laser beam (wavelength 410-420 nm) is used. After writing is performed on the photomask blank 1, the first resist film 4 is developed to form a first resist pattern 4a. The first resist pattern 4a covers the formation region (region B) of the first transmission control unit and has an opening in the other regions (region A and region C).

(제1 패터닝 공정)(1st patterning process)

다음으로, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트 패턴(4a)을 마스크로 하여 제1 광학막(3)을 에칭함으로써, 제1 광학막 패턴(3a)을 형성한다. 이때, 제1 레지스트 패턴(4a)의 개구부에 노출되어 있는 제1 광학막(3)이 에칭에 의해 제거된다. 제1 광학막(3)의 에칭은, 드라이 에칭이어도 웨트 에칭이어도 된다. 상기의 포토마스크 블랭크(1)에서는 Cr 화합물을 포함하는 막으로 제1 광학막(3)을 형성하고 있으므로, Cr용 에칭액을 사용한 웨트 에칭을 바람직하게 적용할 수 있다. 이에 의해, 투명 기판(2) 위의 제1 광학막(3)이 패터닝되어 제1 광학막 패턴(3a)이 형성된다.Next, as shown in FIG. 1C , the first optical film 3 is etched using the first resist pattern 4a as a mask to form the first optical film pattern 3a. At this time, the first optical film 3 exposed in the opening of the first resist pattern 4a is removed by etching. The etching of the first optical film 3 may be dry etching or wet etching. In the photomask blank 1 described above, since the first optical film 3 is formed of a film containing a Cr compound, wet etching using an etching solution for Cr can be preferably applied. Thereby, the first optical film 3 on the transparent substrate 2 is patterned to form the first optical film pattern 3a.

제1 패터닝 공정에서 에칭의 대상으로 되는 것은 제1 광학막(3)만이다. 또한, 제1 패터닝 공정보다 후의 공정에는, 제1 광학막(3)을 에칭하는 공정이 존재하지 않는다. 이로 인해, 제1 광학막 패턴(3a)의 형상은 이 단계에서 획정한다. 따라서, 본 실시 형태의 제조 방법에 의해 얻어지는 표시 장치 제조용 포토마스크의, 제1 투과 제어부의 영역은, 제1 패터닝 공정에서 획정한다.Only the first optical film 3 is subjected to etching in the first patterning process. In addition, the process of etching the 1st optical film 3 does not exist in a process after a 1st patterning process. For this reason, the shape of the first optical film pattern 3a is defined at this stage. Therefore, in the photomask for display device manufacturing obtained by the manufacturing method of this embodiment, the area|region of the 1st transmission control part is defined in a 1st patterning process.

또한, 웨트 에칭은, 막 단면에 근소한 사이드 에칭을 발생시키는 경우가 있지만, 도면에서는 그 점을 생략하였다. 이 근소한 사이드 에칭이 CD 정밀도에 미치는 영향을 고려할 필요가 있는 경우에는, 상기의 묘화 장치를 사용해서 묘화할 때 미리 묘화 데이터에 데이터 가공을 실시해 두면 된다. 구체적으로는, 사이드 에칭에 의한 패턴 치수의 감소분을 상쇄하도록, 제1 레지스트 패턴(4a)의 개구 치수를 작게 해 두면 된다.In addition, although the wet etching may generate slight side etching in the film|membrane cross section, that point is abbreviate|omitted in the figure. When it is necessary to consider the influence of this slight side etching on CD precision, what is necessary is just to perform data processing on writing data in advance when writing using the said writing apparatus. Specifically, the opening size of the first resist pattern 4a may be made small so as to offset the decrease in the pattern size due to the side etching.

(제1 레지스트 박리 공정)(First resist stripping step)

다음으로, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트 패턴(4a)을 박리한다. 이에 의해, 제1 광학막 패턴(3a)을 갖는 투명 기판(2)이 얻어진다.Next, as shown in Fig. 1D, the first resist pattern 4a is peeled off. Thereby, the transparent substrate 2 which has the 1st optical film pattern 3a is obtained.

(제2 광학막 형성 공정)(Second optical film formation process)

다음으로, 도 1의 (e)에 도시한 바와 같이, 제1 광학막 패턴(3a)을 포함하는 투명 기판(2) 위에 제2 광학막(5)을 형성한다. 제2 광학막(5)은, 투명 기판(2)의 전사용 패턴 형성 영역 전체에 소정의 성막 방법에 의해 형성한다. 제2 광학막(5)의 성막 방법으로서는, 상기의 제1 광학막(3)과 마찬가지로, 스퍼터법 등의 공지된 방법을 적용할 수 있다.Next, as shown in FIG. 1E , a second optical film 5 is formed on the transparent substrate 2 including the first optical film pattern 3a. The second optical film 5 is formed in the entire transfer pattern formation region of the transparent substrate 2 by a predetermined film forming method. As a film-forming method of the 2nd optical film 5, like the said 1st optical film 3, well-known methods, such as a sputtering method, are applicable.

제2 광학막(5)은, 노광광에 대하여 소정의 광투과율을 갖는 반투광막으로 할 수 있다. 또한, 제2 광학막(5)은, 노광광에 대하여 소정의 광투과율을 가짐과 함께, 투과 시에 노광광의 위상을 실질적으로 반전하는 위상 시프트막으로 할 수 있다. 또한, 제2 광학막(5)은, 노광광에 대한 위상 시프트량이 낮은, 저위상 반투광막으로 할 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 저위상 반투광막을, 단순히 반투광막이라고도 한다. 제2 광학막(5)은, 이것을 위상 시프트막으로 할지, 혹은 저위상 반투광막으로 할지에 따라, 바람직한 광학 특성이 이하와 같이 상이하다.The second optical film 5 may be a semi-transmissive film having a predetermined light transmittance with respect to the exposure light. Moreover, while the 2nd optical film 5 has a predetermined|prescribed light transmittance with respect to exposure light, it can be set as the phase shift film which inverts the phase of exposure light substantially at the time of transmission. Moreover, the 2nd optical film 5 can be set as the low-phase semitransmissive film|membrane with a low phase shift amount with respect to exposure light. In this specification, the low-phase semi-transmissive film is also simply referred to as a semi-transmissive film. The 2nd optical film 5 differs in preferable optical characteristic as follows according to whether this shall be made into a phase shift film or a low-phase semitransmissive film.

즉, 위상 시프트막으로서의 제2 광학막(5)은, 노광광에 포함되는 광의 대표 파장(예를 들어, i선, h선, g선 중 어느 하나로서, 여기에서는 i선으로 함)에 대한 광투과율 T2(％)와, 위상 시프트량 φ2(도)를 갖는 것으로 한다. 그 경우, 노광광의 대표 파장광에 대한 제2 광학막(5)의 광투과율 T2(％)와 위상 시프트량 φ2(도)는, 바람직하게는 2≤T2≤10, 150≤φ2≤210이며, 보다 바람직하게는, 3≤T2≤8, 165≤φ2≤195이다.That is, the 2nd optical film 5 as a phase shift film is with respect to the representative wavelength of the light contained in exposure light (for example, it is any one of i line|wire, h line|wire, and g line|wire, and let it be i line|wire here). It shall have light transmittance T2 (%) and phase shift amount (phi)2 (degree). In that case, the light transmittance T2 (%) and the phase shift amount φ2 (degrees) of the second optical film 5 with respect to the light of the representative wavelength of the exposure light are preferably 2≤T2≤10, 150≤φ2≤210, More preferably, 3 ? T2 ? 8 and 165 ? 2 ? 195.

또한, 위상 시프트막으로서의 제2 광학막(5)은, 상기 제1 광학막(3)과 마찬가지로, i선, h선, g선의 광에 대한 위상 시프트량의 편차가 40도 이하인 것이 바람직하다.Moreover, as for the 2nd optical film 5 as a phase shift film, it is preferable similarly to the said 1st optical film 3 that the dispersion|variation of the phase shift amount with respect to the light of i line|wire, h line|wire, and g line|wire is 40 degrees or less.

이에 반하여, 저위상 반투광막으로서의 제2 광학막(5)은, 노광광의 대표 파장광에 대한, 제2 광학막(5)의 광투과율을 T2(％)로 하고, 위상 시프트량을 φ2(도)로 할 때, 바람직하게는 10≤T2≤60, 0<φ2≤90이며, 보다 바람직하게는, 20≤T2≤50, 5≤φ2≤60이다.On the other hand, in the second optical film 5 as the low-phase semitransmissive film, the light transmittance of the second optical film 5 with respect to the representative wavelength light of the exposure light is T2 (%), and the phase shift amount is φ2 ( degree), preferably 10≤T2≤60 and 0<ϕ2≤90, more preferably 20≤T2≤50 and 5≤ϕ2≤60.

또한, 저위상 반투광막으로서의 제2 광학막(5)은, i선 내지 g선의 파장 영역에서의 광투과율의 편차가 0 내지 8％인 것이 바람직하다. 여기서 기술하는 제2 광학막(5)의 광투과율의 편차는, i선에 대한 투과율을 Ti(％), g선에 대한 투과율을 Tg(％)로 할 때의, Ti와 Tg의 차의 절대값이다.Moreover, it is preferable that the dispersion|variation in the light transmittance of the 2nd optical film 5 as a low-phase semitransmissive film|membrane in the wavelength range of i-line to g-line is 0 to 8%. The deviation of the light transmittance of the second optical film 5 described here is the absolute difference between Ti and Tg when the transmittance for the i-line is Ti (%) and the transmittance for the g-line is Tg (%). is the value

따라서, 이들 조건을 만족하도록, 제2 광학막(5)의 막질 및 막 두께를 조정하는 것이 바람직하다. 제2 광학막(5)의 막 두께는, 원하는 광투과율에 따라 변화하고, 대략 50 내지 500Å의 범위로 할 수 있다. 본 제1 실시 형태에서는, 제2 광학막(5)을 저위상 반투광막으로 한다.Therefore, it is preferable to adjust the film quality and film thickness of the second optical film 5 so as to satisfy these conditions. The film thickness of the second optical film 5 varies depending on the desired light transmittance, and can be in the range of approximately 50 to 500 angstroms. In the first embodiment, the second optical film 5 is a low-phase semitransmissive film.

제2 광학막(5)의 재료는, 예를 들어 Cr, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 함유하는 막으로 할 수 있으며, 이들 화합물(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 탄화질화물, 산화질화탄화물 등)로부터 적절한 것을 선택할 수 있다.The material of the second optical film 5 may be, for example, a film containing any one of Cr, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf, and these compounds (eg, For example, an appropriate one can be selected from oxides, nitrides, carbides, oxynitrides, carbonitrides, oxynitrides and carbides).

제2 광학막(5)의 그 밖의 막 재료로서는, Si의 화합물(SiON 등), 또는 전이 금속 실리사이드(예를 들어 Mo, Ti, W, Ta 등의 실리사이드)나, 그 화합물을 사용할 수 있다. 전이 금속 실리사이드의 화합물로서는, 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 MoSi의 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 등이 예시된다.As another film material of the second optical film 5, a compound of Si (such as SiON) or a transition metal silicide (such as a silicide of Mo, Ti, W, or Ta) or a compound thereof can be used. Examples of the transition metal silicide compound include oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitridation carbides, and preferably MoSi oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitridation carbides.

제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)은, 서로의 에칭제에 대하여 내성을 갖는 재료로 하는 것이 바람직하다. 즉, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)은, 서로 에칭 선택성을 갖는 재료로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 광학막(3)이 Cr을 포함하는 막인 경우에는, 제2 광학막(5)은 Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하는 막으로 한다.It is preferable to make the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5 into the material which has resistance with respect to each other etching agent. That is, it is preferable that the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5 use the material which has mutually etching selectivity. For example, when the first optical film 3 is a film containing Cr, the second optical film 5 contains any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf. do it with a curtain

예를 들어, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)은, 한쪽을 Cr 함유 재료, 다른 쪽을 Si 함유 재료로 하는 조합이 바람직하다. 구체적으로는, 제1 광학막(3)에 Cr 함유 재료를 사용한 경우에는, 제2 광학막(5)에 Si 함유 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 제1 광학막(3)에 Si 함유 재료를 사용한 경우에는, 제2 광학막(5)에 Cr 함유 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 본 제1 실시 형태에서는, 제1 광학막(3)에 Cr 화합물을 사용하고 있으므로, 제2 광학막(5)에 MoSi 화합물을 사용하도록 한다.For example, as for the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5, the combination which makes one of the Cr-containing material and the other of the Si-containing material is preferable. Specifically, when a Cr-containing material is used for the first optical film 3 , it is preferable to use a Si-containing material for the second optical film 5 , and a Si-containing material is used for the first optical film 3 . When used, it is preferable to use a Cr-containing material for the second optical film 5 . In this first embodiment, since the Cr compound is used for the first optical film 3 , the MoSi compound is used for the second optical film 5 .

제2 광학막(5)에 대해서도, 제1 광학막(3)과 마찬가지로, 포토마스크 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대하여, 표면 반사율 SR2(％)의 값이,Also about the second optical film 5, similarly to the first optical film 3, the value of the surface reflectance SR2 (%) with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for photomask exposure,

2≤SR2≤202≤SR2≤20

인 것이 바람직하다. 또한, 제2 광학막의 이면 반사율 BR2(％)의 값이,It is preferable to be In addition, the value of the back surface reflectance BR2 (%) of the second optical film is

2≤BR2≤202≤BR2≤20

인 것이 바람직하다.It is preferable to be

제2 광학막(5)의 표면 반사율 SR2, 이면 반사율 BR2를 조정하는 수단은, 제1 광학막(3)의 경우와 마찬가지이다.Means for adjusting the surface reflectance SR2 and the back reflectance BR2 of the second optical film 5 are the same as in the case of the first optical film 3 .

또한, 제2 광학막(5)의 표면 반사율 SR2와 이면 반사율 BR2의 관계는, 보다 바람직하게는,Further, the relationship between the surface reflectance SR2 and the back reflectance BR2 of the second optical film 5 is more preferably,

2≤SR2/BR2≤102≤SR2/BR2≤10

이다.am.

여기서, 제2 광학막(5)의 표면이란, 제2 광학막(5)이 노출되는 측의 면이다. 상기 표면 반사율 SR2는, 제2 광학막(5)이 제1 광학막(3)과 적층되지 않고 단막으로서 형성되어 있는 부분의 반사율이다.Here, the surface of the 2nd optical film 5 is a surface on the side to which the 2nd optical film 5 is exposed. The said surface reflectance SR2 is the reflectance of the part where the 2nd optical film 5 is not laminated|stacked with the 1st optical film 3 but is formed as a single film.

또한, 제2 광학막(5)의 이면이란, 투명 기판(2)이 존재하는 측의 면이다. 상기 이면 반사율 BR2란, 제2 광학막(5)이 제1 광학막(3)과 적층되지 않고 단막으로서 형성되어 있는 부분에 대하여, 투명 기판의 이면측으로부터 광을 입사한 경우의 반사율이다. 또한, 투명 기판의 표면에 의한 반사광은 여기에서는 제외하고 생각한다.In addition, the back surface of the 2nd optical film 5 is a surface on the side where the transparent substrate 2 exists. The back reflectance BR2 is a reflectance when light is incident from the back side of the transparent substrate to a portion where the second optical film 5 is not laminated with the first optical film 3 and is formed as a single film. In addition, the reflected light by the surface of a transparent substrate is excluded here.

제2 광학막(5)에 대해서도, 제1 광학막(3)과 마찬가지로, 표면 반사율 SR2, 이면 반사율 BR2가 억제되어 있는 경우, 묘화 시의 정재파가 발생하기 어렵고, 또한, 노광 시에 노광 장치 내에서 발생하는 미광, 플레어를 억제할 수 있다. 이 때문에, 패턴의 CD 정밀도를 높게 유지할 수 있다.Also about the 2nd optical film 5, similarly to the 1st optical film 3, when surface reflectance SR2 and back surface reflectance BR2 are suppressed, it is hard to generate|occur|produce a standing wave at the time of drawing, and also in the exposure apparatus at the time of exposure. It is possible to suppress stray light and flare generated from For this reason, the CD precision of a pattern can be maintained high.

(제2 레지스트막 형성 공정)(Second resist film formation step)

다음으로, 도 2의 (f)에 도시한 바와 같이, 제2 광학막(5) 위에 제2 레지스트막(6)을 적층하여 형성한다. 제2 레지스트막(6)은, 상기 제1 레지스트막(4)과 마찬가지로, 포토레지스트를 도포함으로써 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 2(f) , a second resist film 6 is laminated on the second optical film 5 to be formed. The second resist film 6 can be formed by applying a photoresist similarly to the first resist film 4 .

(제2 레지스트 패턴 형성 공정)(Second resist pattern forming step)

다음으로, 도 2의 (g)에 도시한 바와 같이, 제2 레지스트막(6)을 패터닝함으로써, 제2 레지스트 패턴(6a)을 형성한다. 이 공정에서는 포토마스크 블랭크(1)에 대하여, 상기 제1 묘화와 마찬가지로, 묘화 장치를 사용해서 원하는 패턴을 묘화(제2 묘화)한 후, 제2 레지스트막(6)을 현상함으로써, 제2 레지스트 패턴(6a)을 형성한다.Next, as shown in Fig. 2G, the second resist film 6 is patterned to form a second resist pattern 6a. In this process, similarly to the said 1st drawing, after drawing a desired pattern using a drawing apparatus (2nd drawing) with respect to the photomask blank 1, by developing the 2nd resist film 6, a 2nd resist A pattern 6a is formed.

제2 레지스트 패턴(6a)은, 표시 장치 제조용 포토마스크의 투광부를 형성하기 위한 레지스트 패턴으로서, 투광부에 대응하는 영역(A 영역)에 개구를 갖는다. 또한, 제2 레지스트 패턴(6a)은, 제2 투과 제어부의 형성 영역(C 영역)을 덮음과 함께, 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 2개의 제1 투과 제어부(B 영역)측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖는다. 이 소정 폭의 마진 부분을 마진 영역이라 하고, 이 마진 영역의 폭을 M1(㎛)로 하면, 바람직하게는 0.2≤M1≤1.0이며, 보다 바람직하게는, 0.2≤M1≤0.8이다.The second resist pattern 6a is a resist pattern for forming a light-transmitting portion of a photomask for manufacturing a display device, and has an opening in a region (region A) corresponding to the light-transmitting portion. Further, the second resist pattern 6a covers the formation region (region C) of the second transmission control unit and is provided on the side of the two first transmission control units (region B) adjacent to the edges of the second transmission control unit (region B). It has a dimension plus a margin of width. If the margin portion of this predetermined width is referred to as a margin region, and the width of the margin region is M1 (μm), preferably 0.2 ? M1 ? 1.0, and more preferably 0.2 ? M1 ? 0.8.

마진 영역의 폭 M1의 치수는, 제1 레지스트 패턴(3a)과 제2 레지스트 패턴(6a)의 사이에서 발생할 수 있는 얼라인먼트 어긋남량을 고려하여 결정할 수 있다. 즉, FPD(Flat Panel Display)용 등의 묘화 장치를 사용하여, 동일한 투명 기판을 대상으로 2회 이상의 묘화를 실시하는 경우, 각 회의 투명 기판의 위치 정렬은 얼라인먼트 마크를 사용해서 정확하게 행하지만, 각 회에서 투명 기판의 위치를 완전히 일치시키는 것은 곤란하며, 상대적인 얼라인먼트 어긋남이 어느 정도는 발생하는 일은 피할 수 없다. 이에 반하여, 제조 공정에서 발생할 수 있는 얼라인먼트 어긋남량을 고려하여 마진의 폭 M1을 설정해 둠으로써, 패턴 정밀도가 유지된다. 또한, 상기의 마진에 대해서는 후단에서 다시 설명한다.The dimension of the width M1 of the margin region can be determined in consideration of the amount of misalignment that may occur between the first resist pattern 3a and the second resist pattern 6a. That is, when drawing is performed twice or more on the same transparent substrate using a drawing device such as for a flat panel display (FPD), the position alignment of the transparent substrate each time is accurately performed using an alignment mark, but each It is difficult to completely match the positions of the transparent substrates in the circuit, and it is unavoidable that a relative misalignment occurs to some extent. On the other hand, pattern precision is maintained by setting the width M1 of the margin in consideration of the amount of alignment deviation that may occur in the manufacturing process. In addition, the above-mentioned margin will be described again later.

(제2 패터닝 공정)(Second patterning process)

다음으로, 도 2의 (h)에 도시한 바와 같이, 제2 레지스트 패턴(6a)을 마스크로 하여, 제2 레지스트 패턴(6a)의 개구부에 노출되어 있는 제2 광학막(5)을 에칭함으로써, 제2 광학막 패턴(5a)을 형성한다. 이때, 에칭의 대상으로 되는 것은 제2 광학막(5)만이다. 이에 의해, 투광부에 대응하는 영역(A 영역)에는, 투명 기판(2) 위의 제2 광학막(5)이 에칭에 의해 제거됨으로써, 투명 기판(2)의 표면을 노출하여 이루어지는 투광부가 형성된다. 또한, 제1 투과 제어부에 대응하는 영역(B 영역)에 있어서는, 마진 영역 이외의 영역(메인 영역)에서 제2 광학막(5)이 에칭에 의해 제거된다. 이 공정에서도 에칭액을 사용한 웨트 에칭을 바람직하게 적용할 수 있다. 이 경우, 노광광의 대표 파장광에 대한, 제1 투과 제어부의 마진 영역과, 제2 투과 제어부(C 영역)의 위상차 δ(도)가, 150≤δ≤210인 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 2H, using the second resist pattern 6a as a mask, the second optical film 5 exposed in the opening of the second resist pattern 6a is etched. , to form a second optical film pattern 5a. At this time, only the second optical film 5 is subjected to etching. As a result, in the region (region A) corresponding to the light-transmitting portion, the second optical film 5 on the transparent substrate 2 is removed by etching to form a light-transmitting portion exposing the surface of the transparent substrate 2 . do. In addition, in the region (region B) corresponding to the first transmission control unit, the second optical film 5 is removed by etching in a region (main region) other than the margin region. Also in this step, wet etching using an etching solution can be preferably applied. In this case, it is preferable that the phase difference δ (degrees) between the margin region of the first transmission control unit and the second transmission control unit (region C) with respect to the representative wavelength light of the exposure light is 150≤δ≤210.

(제2 레지스트 박리 공정)(Second resist stripping step)

다음으로, 도 2의 (i)에 도시한 바와 같이, 제2 레지스트 패턴(6a)을 박리한다.Next, as shown in Fig. 2(i), the second resist pattern 6a is peeled off.

이상의 공정에 의해, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)가 완성된다.By the above process, the photomask 9 for display apparatus manufacture is completed.

전술한 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 공정에는 2회의 에칭 공정이 포함되지만, 어느 쪽의 에칭 공정에서도 에칭의 대상으로 되는 것은 하나의 막만이다. 즉, 본 실시 형태에 있어서는, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)을 적층한 상태에서, 이들 2개의 막을 동일한 에칭제에 의해 연속적으로 에칭하는 일은 없다.Although the manufacturing process of the photomask for display device manufacture mentioned above includes two etching processes, in either etching process, only one film|membrane becomes the object of etching. That is, in this embodiment, in the state which laminated|stacked the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5, these two films are not continuously etched by the same etching agent.

가령, 적층 구조를 이루는 2개의 막을 동일한 에칭제에 의해 연속적으로 웨트 에칭하면, 에칭 시간이 상대적으로 길어지게 되어, 사이드 에칭의 양도 많아지기 쉽다. 사이드 에칭은, 형성되는 패턴의 CD(Critical Dimension)에 영향을 미친다. 사이드 에칭에 관해서는, 미리 묘화 데이터에 사이징을 실시하는 등의 대응을 취함으로써, CD의 감소를 경감시킬 수 있다. 단, 그 경우에도, 사이드 에칭의 양이 많아짐에 따라 발생하는, 면 내의 CD 변화 편차를 해소하는 것은 어렵다. 이 점, 본 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법에서는, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)의 적층 부분을 연속적으로 에칭하는 공정을 갖지 않으므로, 최종적으로 형성되는 전사용 패턴의 CD 정밀도를 높게 유지할 수 있는 장점이 있다.For example, if the two films forming the laminated structure are continuously wet-etched with the same etchant, the etching time becomes relatively long, and the amount of side etching tends to increase. The side etching affects the CD (Critical Dimension) of the pattern to be formed. Regarding side etching, by taking measures such as sizing the writing data in advance, the decrease in CD can be reduced. However, even in that case, it is difficult to eliminate the in-plane CD variation variation that occurs as the amount of side etching increases. In this regard, in the method for manufacturing the photomask for manufacturing a display device according to the present embodiment, there is no step of continuously etching the laminated portion of the first optical film 3 and the second optical film 5, so that the finally formed There is an advantage in that the CD precision of the transfer pattern can be maintained high.

<실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 구성><Configuration of photomask for manufacturing display device according to the embodiment>

계속해서, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 구성에 대하여, 도 3을 이용해서 설명한다.Then, the structure of the photomask for display apparatus manufacture which concerns on embodiment of this invention is demonstrated using FIG.

도시한 표시 장치 제조용 포토마스크(9)는, 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)이 각각 패터닝되어 형성된 투광부(10), 제1 투과 제어부(11) 및 제2 투과 제어부(12)를 포함하는 전사용 패턴을 구비한다. 이 전사용 패턴은, 투광부(10), 투광부(10)와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부(11), 및 제1 투과 제어부(11)와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부(12)를 포함한다. 투광부(10)는, 투명 기판(2)의 표면이 노출된 부분으로 되어 있다. 제1 투과 제어부(11)에 있어서는, 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3)이 형성되어 있다. 제2 투과 제어부(12)에 있어서는, 투명 기판(2) 위에 제2 광학막(5)이 형성되어 있다. 또한, 제1 투과 제어부(11)는, 제2 투과 제어부(12)와 인접하는 에지를 따른 소정 폭의 부분에, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)이 적층하는 소정 폭의 마진 영역(13)을 가짐과 함께, 마진 영역(13) 이외의 부분에, 제1 광학막(3)만이 형성된 메인 영역(14)을 갖는다.The illustrated photomask 9 for manufacturing a display device includes a light transmitting part 10 and a first transmission control part 11 formed by patterning a first optical film 3 and a second optical film 5 on a transparent substrate 2 , respectively. ) and a transfer pattern including a second transmission control unit 12 . This transfer pattern includes a transmissive portion 10 , a first transmission control unit 11 having a portion adjacent to the light transmitting portion 10 , and a second transmission control unit 11 having a portion adjacent to the first transmission control unit 11 ( 12) is included. The light-transmitting portion 10 is a portion in which the surface of the transparent substrate 2 is exposed. In the first transmission control unit 11 , the first optical film 3 is formed on the transparent substrate 2 . In the second transmission control unit 12 , the second optical film 5 is formed on the transparent substrate 2 . In addition, the first transmission control unit 11 has a predetermined width in which the first optical film 3 and the second optical film 5 are laminated in a portion of a predetermined width along an edge adjacent to the second transmission control unit 12 . It has a main area 14 in which only the first optical film 3 is formed in portions other than the margin area 13 .

여기서, 본 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크(9)에 있어서, 제1 투과 제어부(11)의 마진 영역(13)의 폭을 M1(㎛)로 하면, 바람직하게는 0.2≤M1≤1.0이며, 보다 바람직하게는, 0.2≤M1≤0.8이다. 제1 투과 제어부(11)에 있어서, 마진 영역(13)에는, 제1 광학막(3) 위에 제2 광학막(5)이 적층하여 형성되고, 마진 영역(13) 이외의 영역인 메인 영역(14)에서는, 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3)만이 형성되어 있다.Here, in the photomask 9 for manufacturing a display device according to the present embodiment, if the width of the margin region 13 of the first transmission control unit 11 is M1 (µm), preferably 0.2≤M1≤1.0. , more preferably 0.2≤M1≤0.8. In the first transmission control unit 11 , the margin region 13 is formed by laminating a second optical film 5 on the first optical film 3 , and is a main region ( In 14), only the first optical film 3 is formed on the transparent substrate 2 .

제2 투과 제어부(12)에 있어서는, 투명 기판(2) 위에 제2 광학막(5)만이 형성되어 있다.In the second transmission control unit 12 , only the second optical film 5 is formed on the transparent substrate 2 .

표시 장치 제조용 포토마스크(9)의 전사용 패턴은, 대향하는 2방향으로부터 제1 투과 제어부(11)에 의해 끼워진 제2 투과 제어부(12)를 포함하고 있다. 그리고, 상기의 마진 영역(13)은, 제1 투과 제어부(11)와 제2 투과 제어부(12)의 각각의 인접 부분에 있어서의 제1 투과 제어부(11)측에 형성되어 있다.The transfer pattern of the photomask 9 for display device manufacturing includes the second transmission control unit 12 sandwiched by the first transmission control unit 11 from two opposing directions. And the above-mentioned margin area|region 13 is formed in the 1st transmission control part 11 side in each adjacent part of the 1st transmission control part 11 and the 2nd transmission control part 12. As shown in FIG.

본 실시 형태에 있어서는, 전술한 바와 같이, 제1 광학막(3)이 위상 시프트막, 제2 광학막(5)이 저위상 반투광막으로 되어 있다. 이 경우, 노광광의 대표 파장광에 대한 제1 투과 제어부(11)의 광투과율 T1(％)는, 바람직하게는In this embodiment, as mentioned above, the 1st optical film 3 is a phase shift film, and the 2nd optical film 5 is a low-phase semitransmissive film. In this case, the light transmittance T1 (%) of the first transmission control unit 11 with respect to the representative wavelength light of the exposure light is preferably

2≤T1≤402≤T1≤40

이고, 보다 바람직하게는,and, more preferably,

2≤T1≤10, 더욱 바람직하게는, 3≤T1≤8,2≤T1≤10, more preferably 3≤T1≤8,

또는,or,

30≤T1≤4030≤T1≤40

이다.am.

제1 투과 제어부(11)를 투과한 노광광은, 피전사체 위에 형성된 레지스트막을 실질적으로 감광하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 제1 투과 제어부(11)는, 포토마스크에 있어서 차광부와 유사한 기능을 발휘하는 것이 바람직하다.It is preferable that the exposure light transmitted through the first transmission control unit 11 does not substantially sensitize the resist film formed on the transfer target body. That is, it is preferable that the 1st transmission control part 11 exhibits the function similar to the light-shielding part in a photomask.

또한 그 경우, 노광광의 대표 파장광에 대한 제1 광학막(3)의 위상 시프트량 φ1(도)는, 바람직하게는 150≤φ1≤210이다. 이에 의해, 제1 투과 제어부(11)와 투광부(10)의 인접 부분(도 3의 P의 부분)에서는, 양쪽을 투과하는 노광광의 위상이 거의 반전하는 관계로 되고, 이 반대 위상의 광이 서로 간섭함으로써, 투과광의 강도가 저하된다. 그 결과, 패턴의 콘트라스트를 향상시키는 일이 가능하게 되는, 소위 위상 시프트 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 피전사체 위에 형성되는 레지스트 패턴의 측면 형상의 경사(쓰러짐)를 저감시켜, 피전사체의 표면에 대하여 수직에 가까운 측면 형상을 갖는 레지스트 패턴으로 할 수 있다.In addition, in that case, the phase shift amount phi 1 (degrees) of the 1st optical film 3 with respect to the representative wavelength light of exposure light becomes like this. Preferably it is 150 ≤ phi 1 ≤ 210. As a result, in the portion adjacent to the first transmission control unit 11 and the light projection unit 10 (the portion P in FIG. 3 ), the phases of the exposure light passing through both are substantially inverted, and the light of the opposite phase is By interfering with each other, the intensity of transmitted light is lowered. As a result, the so-called phase shift effect which becomes possible to improve the contrast of a pattern can be acquired. Accordingly, the inclination (falling down) of the side surface shape of the resist pattern formed on the transfer object can be reduced, and a resist pattern having a side surface shape close to perpendicular to the surface of the transfer object can be obtained.

또한, 상기에서 설명한 대로, 제1 광학막(3)은 포토마스크 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대하여, 표면 반사율 SR1의 값이,In addition, as described above, the first optical film 3 has a value of the surface reflectance SR1 with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for photomask exposure,

2≤SR1≤202≤SR1≤20

인 것이 바람직하다. 또한, 제1 광학막(3)의 이면 반사율 BR1의 값이,It is preferable to be In addition, the value of the back surface reflectance BR1 of the first optical film 3 is,

2≤BR1≤202≤BR1≤20

인 것이 바람직하다.It is preferable to be

또한, 제1 광학막(3)의 표면 반사율 SR1과 이면 반사율 BR1은,In addition, the surface reflectance SR1 and the back reflectance BR1 of the first optical film 3 are,

2≤SR1/BR1≤102≤SR1/BR1≤10

의 관계를 만족시키는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable to satisfy the relationship of

또한, 제2 광학막(5)이 저위상 반투광막인 경우, 노광광의 대표 파장광에 대한, 제2 광학막(5)의 광투과율 T2(％)와 위상 시프트량 φ2(도)는, 바람직하게는 10≤T2≤60, 0<φ2≤90이다.In addition, when the 2nd optical film 5 is a low-phase semitransmissive film, the light transmittance T2 (%) of the 2nd optical film 5 with respect to the representative wavelength light of exposure light, and phase shift amount φ2 (degrees), Preferably, 10≤T2≤60 and 0<φ2≤90.

한편, 제1 투과 제어부(11)와 제2 투과 제어부(12)의 인접 부분(도 3의 Q의 부분)에서도, 양쪽을 투과하는 노광광의 위상은, 거의 반전하는 관계로 된다. 또한, Q의 부분에서는 제1 광학막(3) 위에 제2 광학막(5)이 적층하고, 그 막들끼리가 접촉하는 계면의 부분에서는, 막 재료에 의해, 그곳을 투과하는 광의 위상에 어긋남이 발생할 수 있다. 이로 인해, 제1 투과 제어부(11)에 있어서는, 마진 영역(13)과 메인 영역(14)의 상호의 위상차를 정확하게 예측하는 일은 어렵다. 그러나, 마진 영역(13)과 메인 영역(14)의 노광광에 대한 위상차를 대략 180도로 하는 것은 가능하며, 이 위상차 δ를, 바람직하게는 150≤δ≤210으로 하고, 여기에서도 광의 간섭을 발생시켜서, 콘트라스트 향상의 효과를 얻을 수 있다.On the other hand, also in the adjacent portions of the first transmission control unit 11 and the second transmission control unit 12 (the portion Q in FIG. 3 ), the phases of the exposure light passing through both are substantially inverted. Further, in the portion of Q, the second optical film 5 is laminated on the first optical film 3, and in the portion of the interface where the films are in contact, the phase shift of the light passing therethrough is prevented by the film material. can occur For this reason, in the 1st transmission control part 11, it is difficult to predict the mutual phase difference of the margin area|region 13 and the main area|region 14 correctly. However, it is possible to make the phase difference between the margin region 13 and the main region 14 approximately 180 degrees to the exposure light, and this phase difference δ is preferably 150 ≤ δ ≤ 210, and interference of light occurs here as well. By doing so, the effect of improving the contrast can be obtained.

전술한 제1 광학막(3)에 의한 위상 시프트 효과는, 모두, 본 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크(9)를 사용하여, 그 전사용 패턴을 피전사체에 전사함으로써 얻고자 하는 디바이스의 정밀도나 수율을 높게 유지하는 데 기여한다.The phase shift effect by the 1st optical film 3 mentioned above uses the photomask 9 for display apparatus manufacture which concerns on all this embodiment, and transfers the pattern for transfer to the to-be-transferred device of the device to be obtained. It contributes to maintaining high precision or yield.

따라서, 마진 영역(13)의 폭 M1은, 얼라인먼트 어긋남을 흡수하는 치수로 하는 이외에, 제1 광학막(3)에 의해 얻어지는 위상 시프트 효과를 감안하여 설계하는 것이 바람직하다. 마진 영역(13)의 폭 M1(㎛)은, 바람직하게는 0.5≤M1≤1.0으로 할 수 있다.Therefore, it is preferable to design the width M1 of the margin area|region 13 in consideration of the phase shift effect obtained by the 1st optical film 3 other than setting it as the dimension which absorbs an alignment shift. The width M1 (μm) of the margin region 13 may preferably be 0.5≦M1≦1.0.

또한, 제2 광학막(5)을 저위상 반투광막으로 하고, 이에 의해 제2 투과 제어부(12)를 저위상 반투광부로 한 경우, 본 실시 형태의 표시 장치 제조용 포토마스크(9)는, 다계조 포토마스크로서 기능할 수 있다. 즉, 피전사체 위에 형성된 레지스트막(여기서는 포지티브형 레지스트라 가정함)에 대하여, 본 실시 형태의 표시 장치 제조용 포토마스크(9)가 구비하는 전사용 패턴의 투과광은, 투광부(10), 제1 투과 제어부(11), 제2 투과 제어부(12)에서 각각 서로 다른 강도로 된다. 이로 인해, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)를 사용해서 피전사체 위의 레지스트막을 노광한 후, 현상하면, 레지스트 잔막이 없는 부분과, 레지스트 잔막이 소정량 있는 부분과, 레지스트 잔막이 그 소정량보다 얇은 부분을 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 제1 광학막(3)의 위상 시프트 작용에 의해, 측면 형상의 경사가 적은, 유리한 형상의 레지스트 패턴으로 할 수 있다.In addition, when the second optical film 5 is a low-phase semi-transmissive film, and thereby the second transmission control unit 12 is a low-phase semi-transmissive portion, the photomask 9 for manufacturing a display device of the present embodiment is, It can function as a multi-gradation photomask. That is, the transmitted light of the transfer pattern provided in the photomask 9 for manufacturing a display device of the present embodiment with respect to the resist film formed on the transfer object (assuming a positive resist here) is transmitted through the light-transmitting portion 10 and the first transmission. The control unit 11 and the second transmission control unit 12 have different strengths, respectively. For this reason, when the resist film on the transfer object is exposed using the photomask 9 for manufacturing a display device and then developed, the portion without the resist residual film, the portion with the resist residual film by a predetermined amount, and the resist residual film by the predetermined amount A resist pattern having a thin portion can be formed. Moreover, by the phase shift action|action of the 1st optical film 3, it can be set as the resist pattern of an advantageous shape with little inclination of a side shape.

제2 광학막(5)에 대해서도, 제1 광학막(3)과 마찬가지로, 포토마스크 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장광에 대하여, 표면 반사율 SR2의 값이,Also with respect to the second optical film 5, similarly to the first optical film 3, the value of the surface reflectance SR2 with respect to the representative wavelength light of the exposure light used for photomask exposure,

2≤SR2≤202≤SR2≤20

인 것이 바람직하다. 또한, 제2 광학막(5)의 이면 반사율 BR2의 값이,It is preferable to be In addition, the value of the back surface reflectance BR2 of the second optical film 5 is,

2≤BR2≤202≤BR2≤20

인 것이 바람직하다.It is preferable to be

또한, 제2 광학막(5)의 표면 반사율 SR2와 이면 반사율 BR2는,In addition, the surface reflectance SR2 and the back reflectance BR2 of the second optical film 5 are,

2≤SR2/BR2≤102≤SR2/BR2≤10

의 관계를 만족시키는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable to satisfy the relationship of

표시 장치 제조용 포토마스크(9)의 전사용 패턴에 있어서, 패턴 선폭(CD)은 1.5㎛ 이상의 경우가 많다. 따라서, 예를 들어 제1 투과 제어부(11)의 패턴 폭 치수를 CD1(㎛)로 하고, CD1≥3인 것으로 하면, 마진 영역(13)의 폭 M1은, 메인 영역(14)의 치수 M2에 비하여 충분히 작은 것으로 되어, 바람직하다.In the transfer pattern of the photomask 9 for display device manufacture, the pattern line width CD is 1.5 micrometers or more in many cases. Therefore, for example, assuming that the pattern width dimension of the first transmission control unit 11 is CD1 (μm) and CD1≧3, the width M1 of the margin region 13 is equal to the dimension M2 of the main region 14 . It becomes a thing small enough compared with it, and it is preferable.

본 실시 형태의 표시 장치 제조용 포토마스크(9)에 있어서, 제1 투과 제어부(11)의 치수 CD1은, 바람직하게는 CD1≥5이다. 즉, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)의 제1 투과 제어부(11)는, 대부분의 부분(메인 영역(14))이, 투명 기판(2) 위에 형성된 제1 광학막(3)만에 의해 형성되고, 제2 투과 제어부(12)는, 투명 기판(2) 위에 형성된 제2 광학막(5)만에 의해 형성된다. 따라서, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)로 되었을 때, 각 막이 구비하는 광학 특성(투과율, 위상 시프트량)을 그대로 발휘시킬 수 있다. 즉, 제1 광학막(3), 제2 광학막(5)과 같은, 각각의 막이 갖는 광학 특성을, 그대로 포토마스크의 각 부분의 특성으로서 살릴 수 있다. 이로 인해, 설계의 자유도가 큰 동시에, 설계대로의 특성을 충실하게 발휘하는 표시 장치 제조용 포토마스크(9)를 실현할 수 있다.In the photomask 9 for display device manufacture of this embodiment, the dimension CD1 of the 1st transmission control part 11 becomes like this. Preferably CD1≥5. That is, most of the first transmission control unit 11 of the photomask 9 for display device manufacturing (main region 14) is formed by only the first optical film 3 formed on the transparent substrate 2 . and the second transmission control unit 12 is formed by only the second optical film 5 formed on the transparent substrate 2 . Therefore, when it is set as the photomask 9 for display device manufacture, the optical characteristic (transmittance, phase shift amount) with which each film|membrane is equipped can be exhibited as it is. That is, the optical characteristics of each film, such as the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5, can be utilized as the characteristic of each part of a photomask as it is. For this reason, while the degree of freedom in design is large, the photomask 9 for display device manufacture which exhibits the characteristic as designed faithfully can be implement|achieved.

<제2 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법><Method for manufacturing a photomask for manufacturing a display device according to the second embodiment>

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법은, 이하와 같다.The manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture which concerns on 2nd Embodiment of this invention is as follows.

투명 기판 위에 제1 광학막과 제2 광학막이 각각 패터닝되어 형성된 전사용 패턴을 구비하고, 상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판의 표면이 노출되는 투광부, 상기 투광부와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부, 및 상기 제1 투과 제어부와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부를 포함하고, 상기 제1 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제1 광학막을 갖고, 상기 제2 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제2 광학막을 갖는 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법으로서,A first optical film and a second optical film are respectively patterned on a transparent substrate to provide a transfer pattern formed thereon, wherein the transfer pattern includes a light transmitting part to which a surface of the transparent substrate is exposed, and a portion adjacent to the light transmitting part. a first transmission control unit, and a second transmission control unit having a portion adjacent to the first transmission control unit, wherein the first transmission control unit has the first optical film formed on the transparent substrate, and the second transmission control unit includes: A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device having the second optical film formed on the transparent substrate, the method comprising:

상기 투명 기판 위에 상기 제1 광학막, 에칭 마스크막, 및 제1 레지스트막이 형성된, 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,preparing a photomask blank in which the first optical film, the etching mask film, and the first resist film are formed on the transparent substrate;

상기 제1 레지스트막에 대하여 제1 묘화를 행하고, 제1 레지스트 패턴을 형성하는, 제1 레지스트 패턴 형성 공정과,a first resist pattern forming step of performing first drawing on the first resist film to form a first resist pattern;

상기 제1 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 에칭하고, 에칭 마스크막 패턴을 형성하는 공정과,etching the etching mask film using the first resist pattern as a mask to form an etching mask film pattern;

상기 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 광학막을 에칭하고, 제1 광학막 패턴을 형성하는, 제1 패터닝 공정과,a first patterning process of etching the first optical film using the etching mask film pattern as a mask to form a first optical film pattern;

상기 에칭 마스크막 패턴을 제거하는 공정과,removing the etching mask layer pattern;

상기 제1 광학막 패턴을 포함하는 상기 투명 기판 위에 상기 제2 광학막을 형성하는 공정과,forming the second optical film on the transparent substrate including the first optical film pattern;

상기 제2 광학막 위에 제2 레지스트막을 형성하여 제2 묘화를 행하고, 제2 레지스트 패턴을 형성하는, 제2 레지스트 패턴 형성 공정과,a second resist pattern forming step of forming a second resist film on the second optical film to perform second writing to form a second resist pattern;

상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 광학막을 에칭하고, 제2 광학막 패턴을 형성하는, 제2 패터닝 공정을 포함하고,a second patterning process of etching the second optical film using the second resist pattern as a mask and forming a second optical film pattern;

상기 제1 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막만을 에칭하고,In the first patterning process, only the first optical film is etched,

상기 제2 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막만을 에칭하고, 또한,In the second patterning step, only the second optical film is etched, and further,

상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 상기 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 상기 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖는 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.The second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and has a dimension obtained by adding a margin of a predetermined width to the side of the first transmission control unit adjacent to the edge of the second transmission control unit. A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device.

도 4 및 도 5는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 공정을 나타내는 측단면도이다.4 and 5 are side cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a photomask for manufacturing a display device according to a second embodiment of the present invention.

이 제2 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 실시 형태와 서로 대응하는 부분에 동일한 부호를 부여하여 설명한다.In this 2nd Embodiment, the same code|symbol is attached|subjected to the part which mutually corresponds to the said 1st Embodiment, and it demonstrates.

(포토마스크 블랭크 준비 공정)(Photomask blank preparation process)

우선, 도 4의 (a)에 도시한 포토마스크 블랭크(1)를 준비한다. 이 포토마스크 블랭크(1)는, 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3) 및 에칭 마스크막(7)을 순서대로 적층하여 형성하고, 또한 그 에칭 마스크막(7)의 위에 제1 레지스트막(4)을 적층하여 형성한 것이다. 제1 실시 형태와의 차이는, 에칭 마스크막(7)이 형성되어 있는 점이다.First, the photomask blank 1 shown in Fig. 4A is prepared. The photomask blank 1 is formed by sequentially stacking a first optical film 3 and an etching mask film 7 on a transparent substrate 2, and a first resist on the etching mask film 7 It is formed by laminating|stacking the film|membrane (4). The difference from the first embodiment is that the etching mask film 7 is formed.

제2 실시 형태의 포토마스크 블랭크(1)에 적용하는 투명 기판(2)은, 제1 실시 형태와 마찬가지이다.The transparent substrate 2 applied to the photomask blank 1 of 2nd Embodiment is the same as that of 1st Embodiment.

제1 광학막(3)은, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 노광광에 대하여 소정의 광투과율을 갖는 반투광막으로 할 수 있다. 또한, 제1 광학막(3)은, 노광광에 대하여 소정의 광투과율을 가짐과 함께, 투과 시에 노광광의 위상을 실질적으로 반전하는 위상 시프트막으로 할 수 있다. 본 제2 실시 형태에 있어서도, 제1 광학막(3)을 위상 시프트 작용이 있는 위상 시프트막으로 한다. 또한, 제1 광학막(3)의 표면 반사율 SR1, 이면 반사율 BR1에 대해서는 제1 실시 형태와 마찬가지이다.The first optical film 3 can be a semi-transmissive film having a predetermined light transmittance with respect to the exposure light, similarly to the first embodiment. Moreover, while the 1st optical film 3 has a predetermined|prescribed light transmittance with respect to exposure light, it can be set as the phase shift film which inverts the phase of exposure light substantially at the time of transmission. Also in this 2nd Embodiment, let the 1st optical film 3 be a phase shift film with a phase shift action|action. In addition, about the surface reflectance SR1 and back surface reflectance BR1 of the 1st optical film 3, it is the same as that of 1st Embodiment.

제1 광학막(3)은, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 함유하는 막으로 할 수 있으며, 이들 화합물(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 탄화질화물, 산화질화탄화물 등)로부터 적절한 것을 선택할 수 있다.The first optical film 3 can be a film containing any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf, and these compounds (eg, oxide, nitride, carbide) , oxynitride, carbonitride, oxynitride carbide, etc.) may be appropriately selected.

특히, 제1 광학막(3)의 바람직한 재료로서, Si의 화합물(SiON 등), 또는 전이 금속 실리사이드(예를 들어 Mo, Ti, W, Ta 등의 실리사이드 등)나, 그 화합물을 사용할 수 있다. 전이 금속 실리사이드의 화합물로서는, 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 MoSi의 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 등이 예시된다. 본 제2 실시 형태에 있어서는, 제1 광학막(3)이 Si를 포함하는 막 재료, 예를 들어 MoSi를 포함하는 막 재료로 형성되어 있는 것으로 한다.In particular, as a preferable material for the first optical film 3, a compound of Si (SiON, etc.) or a transition metal silicide (eg, a silicide such as Mo, Ti, W, Ta, etc.) or a compound thereof can be used. . Examples of the transition metal silicide compound include oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitridation carbides, and preferably MoSi oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitridation carbides. In the second embodiment, it is assumed that the first optical film 3 is formed of a film material containing Si, for example, a film material containing MoSi.

에칭 마스크막(7)은, 제1 광학막(3)과의 사이에서, 서로의 에칭제에 대하여 내성을 갖는 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 에칭 마스크막(7)과 제1 광학막(3)은, 서로 에칭 선택성이 있는 재료로 형성하는 것이 바람직하다.The etching mask film 7 is preferably formed of a material having resistance to each other's etching agents between the first optical film 3 and the first optical film 3 . That is, the etching mask film 7 and the first optical film 3 are preferably formed of a material having mutual etching selectivity.

본 제2 실시 형태에서는, Si를 포함하는 막으로 제1 광학막(3)을 형성하고 있기 때문에, 이것과 에칭 선택성이 있는 재료로서, 예를 들어 Cr을 포함하는 막 재료로 에칭 마스크막(7)을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 에칭 마스크막(7)은, Cr의 화합물, 예를 들어 Cr의 산화물, 질화물, 산화질화물, 산화질화탄화물 중, 1종 또는 복수 종을 함유하는 것이 바람직하다. 이 경우, 에칭 마스크막(7)은, Si를 함유하지 않는 막으로 할 수 있다. 에칭 마스크막(7)을, Si를 함유하지 않는 막으로 하면, Si를 함유하는 경우에 비하여, 제1 레지스트막(4)과의 밀착성이 높아지는 점에서 유리해진다. 즉, 에칭 마스크막과 레지스트막의 밀착성은, 제1 광학막(3)과 레지스트막의 밀착성보다도 큰 것이 바람직하다.In the second embodiment, since the first optical film 3 is formed of a film containing Si, the etching mask film 7 is made of, for example, a film material containing Cr as a material having an etching selectivity with this film. ) can be formed. Specifically, the etching mask film 7 preferably contains one or more types of Cr compounds, for example, Cr oxides, nitrides, oxynitrides, and oxynitride carbides. In this case, the etching mask film 7 may be a film not containing Si. When the etching mask film 7 is a film not containing Si, it is advantageous in that the adhesion to the first resist film 4 is increased compared to the case in which Si is contained. That is, it is preferable that the adhesiveness of an etching mask film and a resist film is larger than the adhesiveness of the 1st optical film 3 and a resist film.

제1 레지스트막(4)에 대해서는, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지이다.The first resist film 4 is the same as in the first embodiment.

(제1 레지스트 패턴 형성 공정)(First resist pattern forming step)

다음으로, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트막(4)을 패터닝함으로써, 제1 레지스트 패턴(4a)을 형성한다. 이 공정에서는 상기의 포토마스크 블랭크(1)에 대하여, 묘화 장치를 사용해서 원하는 패턴을 묘화(제1 묘화)한다. 묘화에 사용하는 에너지선은, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 포토마스크 블랭크(1)에 대하여 묘화를 행한 후, 현상함으로써, 제1 레지스트 패턴(4a)이 형성된다. 제1 레지스트 패턴(4a)은, 제1 투과 제어부의 형성 영역(B 영역)을 덮고, 그 밖의 영역(A 영역, C 영역)에 개구를 갖는 형상으로 한다.Next, as shown in Fig. 4B, the first resist film 4 is patterned to form a first resist pattern 4a. At this process, a desired pattern is drawn (1st drawing) with respect to said photomask blank 1 using a drawing apparatus. The energy ray used for drawing is the same as that of the said 1st Embodiment. After drawing with respect to the photomask blank 1, the 1st resist pattern 4a is formed by developing. The first resist pattern 4a covers the formation region (region B) of the first transmission control unit and has an opening in the other regions (region A and region C).

(에칭 마스크막 패턴 형성 공정)(etching mask film pattern formation process)

다음으로, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트 패턴(4a)을 마스크로 하여 에칭 마스크막(7)을 에칭함으로써, 에칭 마스크막 패턴(7a)을 형성한다. 이때, 제1 레지스트 패턴(4a)의 개구부에 노출되어 있는 에칭 마스크막(7)이 에칭에 의해 제거된다. 에칭 마스크막(7)의 에칭은, 드라이 에칭이어도 웨트 에칭이어도 된다. 본 실시 형태에서는, Cr을 함유하는 막으로 에칭 마스크막(7)을 형성하고 있으므로, Cr용 에칭액을 사용한 웨트 에칭을 바람직하게 적용할 수 있다.Next, as shown in Fig. 4C, the etching mask film 7 is etched using the first resist pattern 4a as a mask to form an etching mask film pattern 7a. At this time, the etching mask film 7 exposed in the opening of the first resist pattern 4a is removed by etching. The etching of the etching mask film 7 may be dry etching or wet etching. In this embodiment, since the etching mask film 7 is formed of the film containing Cr, wet etching using the etching liquid for Cr can be applied preferably.

(제1 패터닝 공정)(1st patterning process)

다음으로, 앞의 공정과는 에칭제를 바꾸어, 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이, 에칭 마스크막 패턴(7a)을 마스크로 하여 제1 광학막(3)을 에칭함으로써, 제1 광학막 패턴(3a)을 형성한다. 이때, 에칭 마스크막 패턴(7a)의 개구부에 노출되어 있는 제1 광학막(3)이 에칭에 의해 제거된다. 본 실시 형태에서는, Si를 함유하는 막(예를 들어, MoSi 함유막)으로 제1 광학막(3)을 형성하고 있으므로, 불산을 포함하는 에칭액을 사용한 웨트 에칭을 바람직하게 적용할 수 있다.Next, the first optical film 3 is etched using the etching mask film pattern 7a as a mask by changing the etching agent from the previous step, as shown in Fig. 4(d), whereby the first optical A film pattern 3a is formed. At this time, the first optical film 3 exposed in the opening of the etching mask film pattern 7a is removed by etching. In this embodiment, since the 1st optical film 3 is formed of the film|membrane containing Si (for example, MoSi containing film|membrane), wet etching using the etching liquid containing hydrofluoric acid can be applied preferably.

제1 패터닝 공정에서는, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제1 광학막(3)만을 에칭의 대상으로 하기 위해서, 제1 광학막 패턴(3a)의 형상이나 제1 투과 제어부의 영역은 이 단계에서 획정한다.In the first patterning step, as in the first embodiment, in order to target only the first optical film 3 to be etched, the shape of the first optical film pattern 3a and the region of the first transmission control unit are determined in this step. define

(제1 레지스트 박리 공정)(1st resist stripping process)

다음으로, 도 4의 (e)에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트 패턴(4a)을 박리한다. 제1 레지스트 패턴(4a)의 박리는, 에칭 마스크막 패턴(7a)을 형성한 후에, 또한 제1 광학막(3)의 에칭을 행하기 전에 행해도 된다.Next, as shown in Fig. 4E, the first resist pattern 4a is peeled off. The peeling of the first resist pattern 4a may be performed after forming the etching mask film pattern 7a and before etching the first optical film 3 .

(에칭 마스크막 패턴 제거 공정)(etching mask film pattern removal process)

다음으로, 도 4의 (f)에 도시한 바와 같이, 에칭 마스크막 패턴(7a)을 제거한다. 이에 의해, 제1 광학막 패턴(3a)을 갖는 투명 기판(2)이 얻어진다.Next, as shown in Fig. 4(f), the etching mask film pattern 7a is removed. Thereby, the transparent substrate 2 which has the 1st optical film pattern 3a is obtained.

(제2 광학막 형성 공정)(Second optical film formation process)

다음으로, 도 5의 (g)에 도시한 바와 같이, 제1 광학막 패턴(3a)을 포함하는 투명 기판(2) 위에 제2 광학막(5)을 형성한다. 제2 광학막(5)은, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 스퍼터법 등의 공지된 방법을 적용하여, 투명 기판(2) 위의, 전사용 패턴 형성 영역 전체에 형성한다.Next, as shown in FIG. 5G , a second optical film 5 is formed on the transparent substrate 2 including the first optical film pattern 3a. As in the first embodiment, the second optical film 5 is formed over the entire transfer pattern formation area on the transparent substrate 2 by applying a known method such as a sputtering method.

본 제2 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제2 광학막(5)을 저위상 반투광막으로 한다. 또한, 제2 광학막(5)의 표면 반사율 SR2, 이면 반사율 BR2에 대해서는 제1 실시 형태와 마찬가지이다.In the second embodiment, as in the first embodiment, the second optical film 5 is a low-phase semitransmissive film. In addition, about the surface reflectance SR2 of the 2nd optical film 5, and the back surface reflectance BR2, it is the same as that of 1st Embodiment.

제2 광학막(5)은, 예를 들어 Cr, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 함유하는 막으로 할 수 있으며, 이들 화합물(예를 들어, 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 탄화질화물, 산화질화탄화물 등)로부터 적절한 것을 선택할 수 있다.The second optical film 5 may be, for example, a film containing any one of Cr, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf, and these compounds (eg, oxide, nitride, carbide, oxynitride, carbonitride, oxynitride carbide, etc.) can be appropriately selected.

단, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)은, 서로의 에칭제에 대하여 내성을 갖는 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)은, 서로 에칭 선택성을 갖는 재료로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 광학막(3)이 Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하는 막인 경우에는, 제2 광학막(5)은 그와 상이한 재료인 Cr을 포함하는 막으로 한다.However, it is preferable to form the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5 from the material which has resistance with respect to each other etching agent. That is, it is preferable that the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5 use the material which has mutually etching selectivity. For example, when the first optical film 3 is a film including any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf, the second optical film 5 is different It is set as the film|membrane containing Cr which is a material.

따라서, 예를 들어 제1 광학막(3)에 Si 함유 재료를 사용한 경우에는, 제2 광학막(5)에 Cr 함유 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 구체예를 들자면, 제1 광학막(3)에 MoSi 함유 재료를 사용한 경우에는, 제2 광학막(5)에 Cr 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.Therefore, for example, when a Si-containing material is used for the first optical film 3 , it is preferable to use a Cr-containing material for the second optical film 5 . To give a specific example, when a MoSi-containing material is used for the first optical film 3 , it is preferable to use a Cr compound for the second optical film 5 .

이후에는, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제2 레지스트막 형성 공정(도 5의 (h)), 제2 레지스트 패턴 형성 공정(도 5의 (i)), 제2 패터닝 공정(도 5의 (j)), 제2 레지스트 박리 공정(도 5의 (k))을 순서대로 행함으로써, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)가 완성된다.Thereafter, similarly to the first embodiment, a second resist film forming step (FIG. 5(h)), a second resist pattern forming step (FIG. 5(i)), and a second patterning step (FIG. 5( j)) and the second resist stripping step (FIG. 5(k)) are sequentially performed to complete the photomask 9 for manufacturing a display device.

본 제2 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법에 있어서는, 제1 레지스트 박리 공정(도 4의 (e)) 후의 에칭 마스크막 패턴 제거 공정(도 4의 (f))에서 에칭 마스크막 패턴(7a)을 제거하고 있지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 레지스트 박리 공정(도 4의 (e))의 후에 포토리소그래피 공정을 추가함으로써, 에칭 마스크막 패턴(7a)의 일부를 남기고, 그것을 패터닝에 사용해도 된다. 구체적으로는, 예를 들어 에칭 마스크막(7)을 차광막으로 하고, 이것을 상기 포토리소그래피 공정에서 패터닝함으로써, 전사용 패턴 이외의 영역(포토마스크의 외측 테두리 근방 등)에, 마스크 패턴 등을 형성해도 된다. 물론, 전사용 패턴 내의 특정 부분에, 에칭 마스크막 패턴(7a)의 일부를 잔류시켜도 된다.In the method for manufacturing the photomask for manufacturing a display device according to the second embodiment, the etching mask film is performed in the etching mask film pattern removal step (FIG. 4F) after the first resist stripping step (FIG. 4E) Although the pattern 7a is removed, it is not limited to this. For example, by adding a photolithography step after the first resist stripping step (FIG. 4E), a part of the etching mask film pattern 7a may be left and used for patterning. Specifically, for example, by using the etching mask film 7 as a light-shielding film and patterning this in the photolithography step, a mask pattern or the like may be formed in a region other than the transfer pattern (near the outer edge of the photomask, etc.) do. Of course, a part of the etching mask film pattern 7a may be left in a specific portion in the transfer pattern.

또한, 본 제2 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법에서는, 상기 제1 실시 형태와 중복되는 설명을 생략하였다. 따라서, 제1 실시 형태에 따른 제조 방법에서 기술한 내용 중, 특별히 지장이 없는 것에 대해서는, 제2 실시 형태에도 마찬가지로 적용되는 것으로 한다.In addition, in the manufacturing method of the photomask for display apparatus manufacture which concerns on this 2nd Embodiment, the description which overlaps with the said 1st Embodiment is abbreviate|omitted. Therefore, among the contents described in the manufacturing method according to the first embodiment, the contents that do not have a particular problem are to be similarly applied to the second embodiment.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크(9)(도 3)는, 상기 제1 실시 형태에 따른 제조 방법, 또는 상기 제2 실시 형태에 따른 제조 방법 중 어느 것에 따라서 제조해도 된다.In addition, you may manufacture the photomask 9 (FIG. 3) for display device manufacture which concerns on embodiment of this invention according to either the manufacturing method which concerns on said 1st Embodiment, or the manufacturing method which concerns on said 2nd embodiment. .

본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크(9)에 있어서, 제1 투과 제어부(11)는, 마진 영역(13)을 제외하고, 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3)만이 형성되고, 제2 투과 제어부(12)는, 투명 기판(2) 위에 제2 광학막(5)만이 형성되어 있다. 이로 인해, 제1 투과 제어부(11)의 메인 영역(14)에서는, 제1 광학막(3)이 갖는 광학 특성이 발휘되고, 제2 투과 제어부(12)에서는, 제2 광학막(5)이 갖는 광학 특성이 발휘된다.In the photomask 9 for manufacturing a display device according to the embodiment of the present invention, the first transmission control unit 11 includes only the first optical film 3 on the transparent substrate 2 except for the margin region 13 . is formed, and in the second transmission control unit 12 , only the second optical film 5 is formed on the transparent substrate 2 . For this reason, in the main area 14 of the 1st transmission control part 11, the optical characteristic which the 1st optical film 3 has is exhibited, and in the 2nd transmission control part 12, the 2nd optical film 5 is The optical properties possessed are exhibited.

또한, 제1 투과 제어부(11)와 제2 투과 제어부(12)가 인접하는 부분에 있어서, 제1 투과 제어부(11)측의 에지 부분으로 되는 마진 영역(13)에는, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)에 의한 미세 폭의 적층 부분이 존재한다. 단, 이 적층 부분은 실질적으로 차광부로서 기능하는 부분이기 때문에, 적층에 의한 광투과율의 저하는 문제로 되지 않고, 전술한 위상 시프트 효과에 의해 광 강도 분포의 샤프한 변화가 얻어지는 장점이 있다.Further, in the portion where the first transmission control unit 11 and the second transmission control unit 12 are adjacent to each other, in the margin region 13 serving as the edge portion on the side of the first transmission control unit 11, the first optical film 3 ) and a fine-width laminated portion by the second optical film 5 are present. However, since this lamination|stacking part is a part substantially functioning as a light-shielding part, the fall of the light transmittance by lamination|stacking does not become a problem, and there exists an advantage that a sharp change of light intensity distribution is acquired by the phase shift effect mentioned above.

또한, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)를 얻기 위한 포토마스크 블랭크(1)는, 제1 실시 형태에서는 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3) 및 제1 레지스트막(4)이 형성되고(도 1의 (a)), 제2 실시 형태에서는 투명 기판(2) 위에 제1 광학막(3), 에칭 마스크막(7) 및 제1 레지스트막(4)이 형성된 구성(도 4 (a))으로 되어 있다. 단, 어느 실시 형태에 있어서도, 최종적으로 전사용 패턴을 형성하는 광학막으로 되는 것은, 투명 기판(2) 위에 형성된 제1 광학막(3)만이다. 따라서, 상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 제1 광학막(3)을 위상 시프트막으로 하는 것이 유리하다. 그 이유는 다음과 같다. 일반적으로, 반투광막(저위상 반투광막)은, 다양한 광투과율의 것이 시장의 요구로서 있을 수 있기 때문에, 미리 제조해 둘 수 없다. 이에 반하여, 위상 시프트막은, 시장에서 요구되는 사양이 거의 일정하다. 이로 인해, 본 발명의 실시 형태와 같이, 제1 광학막(3)을 위상 시프트막으로서 투명 기판(2) 위에 형성한 포토마스크 블랭크(1)를 미리 준비해 둠으로써, 생산 효율이 높아지게 되어, 단납기로 마스크 유저의 수요에 부응할 수 있다.In addition, as for the photomask blank 1 for obtaining the photomask 9 for display apparatus manufacture, the 1st optical film 3 and the 1st resist film 4 are formed on the transparent substrate 2 in 1st Embodiment, (FIG. 1(a)), in the second embodiment, a configuration in which the first optical film 3, the etching mask film 7, and the first resist film 4 are formed on the transparent substrate 2 (Fig. 4(a)) )) is made. However, in any embodiment, only the 1st optical film 3 formed on the transparent substrate 2 becomes the optical film which finally forms the pattern for transcription|transfer. Therefore, as demonstrated in the said embodiment, it is advantageous to use the 1st optical film 3 as a phase shift film. The reason for this is as follows. In general, the semi-transmissive film (low-phase semi-transmissive film) cannot be prepared in advance because there may be ones of various light transmittances as market demands. On the other hand, as for the phase shift film, the specification calculated|required by the market is substantially constant. For this reason, by preparing in advance the photomask blank 1 which formed the 1st optical film 3 as a phase shift film on the transparent substrate 2 like embodiment of this invention, production efficiency becomes high, however, We can meet the demand of mask users by delivery time.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크(9)의 제조 방법에 의하면, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)이, 각각 단일의 막을 에칭하는 공정에 의해 패터닝된다. 즉, 제1 광학막(3)과 제2 광학막(5)을 적층한 2개의 막을 동일한 에칭제로 연속적으로 에칭하는 공정이 없다. 이로 인해, CD 정밀도가 충분히 높은 전사용 패턴을 형성할 수 있다.Moreover, according to the manufacturing method of the photomask 9 for display device manufacture which concerns on embodiment of this invention, the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5 are patterned by the process of etching a single film|membrane, respectively. do. That is, there is no step of continuously etching the two films in which the first optical film 3 and the second optical film 5 are laminated with the same etchant. For this reason, a transfer pattern with sufficiently high CD precision can be formed.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 제조 방법에 의해 얻어지는 표시 장치 제조용 포토마스크(9)는, 제2 투과 제어부(12)에 인접하는 제1 투과 제어부(11)의 에지에서, 위상 시프트 효과에 의한 콘트라스트 향상이 얻어지는 한편, 에지 이외의 부분에 있어서는, 단일의 막에 대하여 설계된 광학 특성이 각각 정확하게 발휘되는 장점이 있다.Moreover, the photomask 9 for display apparatus manufacture obtained by the manufacturing method which concerns on embodiment of this invention is the edge of the 1st transmission control part 11 adjacent to the 2nd transmission control part 12, By the phase shift effect While contrast enhancement is obtained, there is an advantage in that, in portions other than the edge, the optical properties designed for a single film are each accurately exhibited.

본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치 제조용 포토마스크(9)는, 표시 장치 등의 제조에 있어서, 사용하는 포토마스크의 장수를 적게 하는 다계조 포토마스크로서 유용한 동시에, 피전사체 위에 형성되는 레지스트 패턴의 형상이, 상기 위상 시프트 효과에 의해 측면 경사가 적은 형상으로 된다는 이점이 있다. 이로 인해, 표시 장치의 TFT(Thin Film Transistor) 레이어 등에 유용하다.The photomask 9 for manufacturing a display device according to the embodiment of the present invention is useful as a multi-gradation photomask for reducing the number of photomasks used in manufacturing a display device, etc. There is an advantage that a shape becomes a shape with few side inclinations by the said phase shift effect. For this reason, it is useful for a TFT (Thin Film Transistor) layer of a display device, etc.

이와 같은 용도에 있어서는, 대향하는 2방향으로부터 제1 투과 제어부(11)에 의해 제2 투과 제어부(12)를 끼우는 형태의 전사용 패턴이 이용된다. 이와 같은 전사용 패턴에 있어서는, 특히 위상 시프트 효과에 의해 높은 콘트라스트로 레지스트 패턴의 측면 형상을 형성할 수 있기 때문에, 유효하다. 또한, 제1 투과 제어부(11)에 의해, 제2 투과 제어부(12)를 둘러싸는 형태의 전사 패턴에, 본 발명을 적용할 수도 있다.In such a use, the transfer pattern of the form which pinches|interposes the 2nd transmission control part 12 by the 1st transmission control part 11 from two opposing directions is used. In such a transfer pattern, it is effective especially since the side shape of a resist pattern can be formed with high contrast by a phase shift effect. In addition, the present invention can also be applied to a transfer pattern in the form of surrounding the second transmission control unit 12 by the first transmission control unit 11 .

물론, 컬러 필터 등에 사용되는, 감광성 수지에 의한 입체 형상을 형성하는(포토스페이서 등) 용도에 제공해도 무방하다.Of course, you may provide for the use which forms the three-dimensional shape by the photosensitive resin used for a color filter etc. (photospacer etc.).

또한 본 발명은, 상기 제1 실시 형태 또는 제2 실시 형태의 제조 방법에 의한 표시 장치 제조용 포토마스크(9), 또는 상기 실시 형태의 표시 장치 제조용 포토마스크(9)를 준비하는 공정과, 노광 장치에 의해, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)가 갖는 전사용 패턴을 노광하는 공정을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법으로서 실현해도 된다. 표시 장치의 제조 방법에서는, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)를 다계조 포토마스크로서 사용하는 것이 바람직하다. 그 경우에는, 노광 장치에 부착한 표시 장치 제조용 포토마스크(9)를 통해서, 피전사체 위의 포토레지스트막을 노광함으로써, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)의 전사용 패턴을 피전사체에 전사한다. 이에 의해, 피전사체 위에는, 투광부(10), 제1 투과 제어부(11) 및 제2 투과 제어부(12)의 광투과율의 차이에 따라, 복수의 잔막 두께를 갖는 입체 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이와 같은 공정을 포함하는 표시 장치의 제조 방법에, 표시 장치 제조용 포토마스크(9)는 유리하게 사용된다.Moreover, this invention provides the process of preparing the photomask 9 for display apparatus manufacture by the manufacturing method of the said 1st Embodiment or 2nd Embodiment, or the photomask 9 for display apparatus manufacture of the said embodiment, Exposure apparatus By this, you may implement|achieve as a manufacturing method of a display device including the process of exposing the transfer pattern which the photomask 9 for display device manufacturing has. In the manufacturing method of a display device, it is preferable to use the photomask 9 for display device manufacture as a multi-gradation photomask. In that case, the transfer pattern of the photomask 9 for display device manufacture is transferred to the transfer object by exposing the photoresist film on the transfer object through the photomask 9 for display apparatus manufacture attached to the exposure apparatus. Thereby, a three-dimensional resist pattern having a plurality of residual film thicknesses is formed on the transfer object according to the difference in light transmittance of the light transmitting unit 10 , the first transmission control unit 11 , and the second transmission control unit 12 . can The photomask 9 for display device manufacturing is advantageously used in the manufacturing method of a display device including such a process.

본 발명의 표시 장치 제조용 포토마스크는, LCD(Liquid Crystal Display)용, 혹은 FPD(Flat Panel Display)용으로서 알려진 노광 장치를 사용한 노광에 바람직하게 사용할 수 있다. 이러한 종류의 노광 장치로서는, 예를 들어 i선, h선, g선 중 어느 하나를 노광광으로 하고, 또한 바람직하게는 i선, h선, g선의 모두를 포함하는 노광광을 사용하고, 개구수(NA)가 0.08 내지 0.15, 코히런트 팩터(σ)가 0.7 내지 0.9 정도의 등배 광학계를 갖는, 프로젝션 노광 장치가 사용된다. 물론, 본 발명의 표시 장치 제조용 포토마스크는, 프록시미티 노광용의 포토마스크로서도 사용 가능하다.The photomask for display device manufacture of this invention can be used suitably for exposure using the known exposure apparatus for LCD (Liquid Crystal Display) or FPD (Flat Panel Display) objects. As this type of exposure apparatus, for example, any one of i-line, h-line and g-line is used as exposure light, and exposure light including all of i-line, h-line and g-line is preferably used, and the aperture A projection exposure apparatus having an equal magnification optical system with a number NA of 0.08 to 0.15 and a coherent factor ? of about 0.7 to 0.9 is used. Of course, the photomask for display device manufacture of this invention can be used also as a photomask for proximity exposure.

본 발명의 표시 장치 제조용 포토마스크는 특히, 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치 등을 포함하는 표시 장치의 제조용으로서 바람직하다. 또한, 본 발명의 표시 장치 제조용 포토마스크는, 이들 표시 장치의 다양한 부위(콘택트 홀, 박막 트랜지스터의 S(Source)/D(Drain) 레이어, 컬러 필터의 포토스페이서용 레이어 등)의 형성에 사용 가능하다.The photomask for display apparatus manufacture of this invention is suitable for manufacture of the display apparatus containing especially a liquid crystal display device, an organic electroluminescent display, etc. In addition, the photomask for manufacturing a display device of the present invention can be used to form various parts of these display devices (contact holes, S (Source)/D (Drain) layers of thin film transistors, photospacer layers of color filters, etc.) Do.

또한, 본 발명의 표시 장치 제조용 포토마스크는, 본 발명의 작용 효과를 발휘하는 범위에서, 제1 광학막(3)이나 제2 광학막(5) 외에, 추가의 막이나 막 패턴을 갖는 것이어도 된다. 예를 들어, 투명 기판(2)의 표면(전사용 패턴면)측, 또는 이면측에, 광학 필터막, 도전막, 절연막, 반사 방지막 등을 배치해도 된다.Moreover, the photomask for display device manufacture of this invention may have an additional film|membrane or film pattern in addition to the 1st optical film 3 and the 2nd optical film 5 within the range which exhibits the effect of this invention. do. For example, an optical filter film, an electrically conductive film, an insulating film, an antireflection film, etc. may be arrange|positioned on the front surface (transfer pattern surface) side, or the back surface side of the transparent substrate 2 .

1: 포토마스크 블랭크
2: 투명 기판
3: 제1 광학막
3a: 제1 광학막 패턴
4: 제1 레지스트막
4a: 제1 레지스트 패턴
5: 제2 광학막
5a: 제2 광학막 패턴
6: 제2 레지스트막
6a: 제2 레지스트 패턴
7: 에칭 마스크막
7a: 에칭 마스크막 패턴
9: 표시 장치 제조용 포토마스크
10: 투광부
11: 제1 투과 제어부
12: 제2 투과 제어부
13: 마진 영역
14: 메인 영역1: Photomask blank
2: Transparent substrate
3: first optical film
3a: first optical film pattern
4: first resist film
4a: first resist pattern
5: second optical film
5a: second optical film pattern
6: second resist film
6a: second resist pattern
7: Etching mask film
7a: etching mask film pattern
9: Photomask for manufacturing display devices
10: light emitter
11: first transmission control unit
12: second transmission control unit
13: margin area
14: main area

Claims (29)

투명 기판 위에 제1 광학막과 제2 광학막이 각각 패터닝되어 형성된 전사용 패턴을 구비하고, 상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판의 표면이 노출되는 투광부, 상기 투광부와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부, 및 상기 제1 투과 제어부와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부를 포함하고, 상기 제1 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제1 광학막을 갖고, 상기 제2 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제2 광학막을 갖는 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법으로서,
상기 투명 기판 위에 상기 제1 광학막 및 제1 레지스트막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
상기 제1 레지스트막에 대하여 제1 묘화를 행하고, 제1 레지스트 패턴을 형성하는, 제1 레지스트 패턴 형성 공정과,
상기 제1 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제1 광학막을 에칭하고, 제1 광학막 패턴을 형성하는, 제1 패터닝 공정과,
상기 제1 광학막 패턴을 포함하는 상기 투명 기판 위에 형성한 제2 광학막 위에 제2 레지스트막을 형성하여 제2 묘화를 행하고, 제2 레지스트 패턴을 형성하는, 제2 레지스트 패턴 형성 공정과,
상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 광학막을 에칭하고, 제2 광학막 패턴을 형성하는, 제2 패터닝 공정을 포함하고,
상기 제1 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막만을 에칭하고,
상기 제2 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막만을 에칭하고, 또한
상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 상기 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 상기 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖고,
상기 제1 투과 제어부는, 상기 제2 투과 제어부와 인접하는 에지를 따른 상기 소정 폭의 부분에, 상기 제1 광학막과 상기 제2 광학막이 적층하는 마진 영역을 갖고,
상기 마진 영역의 상기 소정 폭을 M1로 할 때, 0.2㎛≤M1≤1.0㎛ 이고,
i선, h선, g선 중 어느 하나인 대표 파장광에 대한 상기 제2 광학막의 표면 반사율을 SR2(％)로 할 때
2≤SR2≤20
인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.A first optical film and a second optical film are provided on a transparent substrate with a transfer pattern formed by patterning, respectively, wherein the transfer pattern includes a light-transmitting part to which a surface of the transparent substrate is exposed, and a portion adjacent to the light-transmitting part. a first transmission control unit, and a second transmission control unit having a portion adjacent to the first transmission control unit, wherein the first transmission control unit has the first optical film formed on the transparent substrate, and the second transmission control unit includes: A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device having the second optical film formed on the transparent substrate, the method comprising:
preparing a photomask blank in which the first optical film and the first resist film are formed on the transparent substrate;
a first resist pattern forming step of performing first drawing on the first resist film to form a first resist pattern;
a first patterning process of etching the first optical film using the first resist pattern as a mask to form a first optical film pattern;
a second resist pattern forming step of forming a second resist film on the second optical film formed on the transparent substrate including the first optical film pattern, performing second writing, and forming a second resist pattern;
a second patterning process of etching the second optical film using the second resist pattern as a mask and forming a second optical film pattern;
In the first patterning process, only the first optical film is etched,
In the second patterning step, only the second optical film is etched, and
The second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and has a dimension obtained by adding a margin of a predetermined width to the side of the first transmission control unit adjacent to the edge of the second transmission control unit,
The first transmission control unit has, in a portion of the predetermined width along an edge adjacent to the second transmission control unit, a margin region in which the first optical film and the second optical film are laminated,
When the predetermined width of the margin region is M1, 0.2㎛≤M1≤1.0㎛,
When the surface reflectance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of any one of i-line, h-line, and g-line is SR2 (%)
2≤SR2≤20
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that. 제1항에 있어서,
상기 제1 광학막은, Cr을 포함하고,
상기 제2 광학막은, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.According to claim 1,
The first optical film contains Cr,
The second optical film comprises any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf, a method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device. 투명 기판 위에 제1 광학막과 제2 광학막이 각각 패터닝되어 형성된 전사용 패턴을 구비하고, 상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판의 표면이 노출되는 투광부, 상기 투광부와 인접하는 부분을 갖는 제1 투과 제어부, 및 상기 제1 투과 제어부와 인접하는 부분을 갖는 제2 투과 제어부를 포함하고, 상기 제1 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제1 광학막을 갖고, 상기 제2 투과 제어부에는, 상기 투명 기판 위에 형성된 상기 제2 광학막을 갖는 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법으로서,
상기 투명 기판 위에 상기 제1 광학막, 에칭 마스크막, 및 제1 레지스트막이 형성된, 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
상기 제1 레지스트막에 대하여 제1 묘화를 행하고, 제1 레지스트 패턴을 형성하는, 제1 레지스트 패턴 형성 공정과,
상기 제1 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 에칭하고, 에칭 마스크막 패턴을 형성하는 공정과,
상기 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 광학막을 에칭하고, 제1 광학막 패턴을 형성하는, 제1 패터닝 공정과,
상기 에칭 마스크막 패턴을 제거하는 공정과,
상기 제1 광학막 패턴을 포함하는 상기 투명 기판 위에 형성한 제2 광학막 위에 제2 레지스트막을 형성하여 제2 묘화를 행하고, 제2 레지스트 패턴을 형성하는, 제2 레지스트 패턴 형성 공정과,
상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 제2 광학막을 에칭하고, 제2 광학막 패턴을 형성하는, 제2 패터닝 공정을 포함하고,
상기 제1 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막만을 에칭하고,
상기 제2 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막만을 에칭하고, 또한
상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 제2 투과 제어부의 형성 영역을 덮음과 함께, 상기 제2 투과 제어부의 에지에 인접하는 상기 제1 투과 제어부측에, 소정 폭의 마진을 더한 치수를 갖고,
상기 제1 투과 제어부는, 상기 제2 투과 제어부와 인접하는 에지를 따른 상기 소정 폭의 부분에, 상기 제1 광학막과 상기 제2 광학막이 적층하는 마진 영역을 갖고,
상기 마진 영역의 상기 소정 폭을 M1로 할 때, 0.2㎛≤M1≤1.0㎛ 인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.A first optical film and a second optical film are provided on a transparent substrate with a transfer pattern formed by patterning, respectively, wherein the transfer pattern includes a light-transmitting part to which a surface of the transparent substrate is exposed, and a portion adjacent to the light-transmitting part. a first transmission control unit, and a second transmission control unit having a portion adjacent to the first transmission control unit, wherein the first transmission control unit has the first optical film formed on the transparent substrate, and the second transmission control unit includes: A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device having the second optical film formed on the transparent substrate, the method comprising:
preparing a photomask blank in which the first optical film, the etching mask film, and the first resist film are formed on the transparent substrate;
a first resist pattern forming step of performing first drawing on the first resist film to form a first resist pattern;
etching the etching mask film using the first resist pattern as a mask to form an etching mask film pattern;
a first patterning process of etching the first optical film using the etching mask film pattern as a mask to form a first optical film pattern;
removing the etching mask layer pattern;
a second resist pattern forming step of forming a second resist film on the second optical film formed on the transparent substrate including the first optical film pattern, performing second writing, and forming a second resist pattern;
a second patterning process of etching the second optical film using the second resist pattern as a mask and forming a second optical film pattern;
In the first patterning process, only the first optical film is etched,
In the second patterning step, only the second optical film is etched, and
The second resist pattern covers the formation region of the second transmission control unit and has a dimension obtained by adding a margin of a predetermined width to the side of the first transmission control unit adjacent to the edge of the second transmission control unit,
The first transmission control unit has, in a portion of the predetermined width along an edge adjacent to the second transmission control unit, a margin region in which the first optical film and the second optical film are laminated,
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that when the predetermined width of the margin region is M1, 0.2 μm≦M1≦1.0 μm. 제3항에 있어서,
상기 제1 광학막은, Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, Hf 중 어느 하나를 포함하고,
상기 제2 광학막은, Cr을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.4. The method of claim 3,
The first optical film includes any one of Si, Mo, Ni, Ta, Zr, Al, Ti, Nb, and Hf,
The second optical film, characterized in that it contains Cr, a method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 광학막과 상기 제2 광학막은, 서로의 에칭제에 대하여 내성을 갖는 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The method for manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that the first optical film and the second optical film have resistance to each other's etching agents. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
i선, h선, g선 중 어느 하나인 대표 파장광에 대한, 상기 제1 광학막의 광투과율을 T1(％)로 하고, 위상 시프트량을 φ1(도)로 할 때,
2≤T1≤40
150≤φ1≤210
인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
When the light transmittance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of any one of i-line, h-line, and g-line is T1 (%), and the phase shift amount is φ1 (degrees),
2≤T1≤40
150≤φ1≤210
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
i선, h선, g선 중 어느 하나인 대표 파장광에 대한 상기 제1 광학막의 표면 반사율을 SR1(％)로 할 때,
2≤SR1≤20
인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
When the surface reflectance of the first optical film with respect to the representative wavelength light of any one of i-line, h-line, and g-line is SR1 (%),
2≤SR1≤20
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
i선, h선, g선 중 어느 하나인 대표 파장광에 대한 상기 제1 광학막의 이면 반사율을 BR1(％)로 할 때,
2≤BR1≤20
인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
When the back reflectance of the first optical film with respect to light of a representative wavelength of any one of i-line, h-line, and g-line is BR1 (%),
2≤BR1≤20
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
i선, h선, g선 중 어느 하나인 대표 파장광에 대한, 상기 제2 광학막의 광투과율을 T2(％)로 하고, 위상 시프트량을 φ2 (도)로 할 때,
10≤T2≤60
0<φ2≤90
인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
When the light transmittance of the second optical film with respect to the representative wavelength light of any one of i-line, h-line, and g-line is T2 (%), and the phase shift amount is φ2 (degrees),
10≤T2≤60
0<φ2≤90
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that. 삭제delete 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
i선, h선, g선 중 어느 하나인 대표 파장광에 대한 상기 제2 광학막의 이면 반사율을 BR2(％)로 할 때
2≤BR2≤20
인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
When the back reflectance of the second optical film with respect to light of a representative wavelength of any one of i-line, h-line, and g-line is BR2 (%)
2≤BR2≤20
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 투과 제어부의 패턴 폭 치수 CD1은, CD1≥3㎛인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that the pattern width dimension CD1 of the first transmission control unit is CD1≧3 μm. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
i선, h선, g선 중 어느 하나인 대표 파장광에 대한, 상기 제1 투과 제어부의 마진의 영역과 상기 제2 투과 제어부의 위상차 δ(도)가,
150≤δ≤210 인 것을 특징으로 하는, 표시 장치 제조용 포토마스크의 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The phase difference δ (degrees) between the margin region of the first transmission control unit and the second transmission control unit with respect to the representative wavelength light of any one of i-line, h-line, and g-line,
A method of manufacturing a photomask for manufacturing a display device, characterized in that 150≤δ≤210. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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