KR102368282B1 - Clad materials for hermetic sealing of electronic components and method for the manufacture thereof - Google Patents

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Abstract

펀칭 가공성이 우수한, 코바르와 은계 납재로 이루어지는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 코바르층의 표면에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법에 의한 결정상 분포 측정으로부터 산출되는, 코바르 결정립의 전체 면적 중에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율을 99.0 내지 100.0%로 하고, 또한 해당 코바르 결정립의 평균 결정 입경을 0.5 내지 3.5㎛로 한다.An object of the present invention is to provide a clad material for airtight sealing of electronic components, comprising Kovar and a silver brazing material, which is excellent in punching workability, and a method for manufacturing the same. On the surface of the Kobar layer, the area ratio of the austenite phase occupied in the total area of the Kobar crystal grains calculated from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method is 99.0 to 100.0%, and the average of the Kobar crystal grains The crystal grain size is set to 0.5 to 3.5 µm.

Description

전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재 및 그 제조 방법 {CLAD MATERIALS FOR HERMETIC SEALING OF ELECTRONIC COMPONENTS AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF}Clad material for hermetic sealing of electronic components and manufacturing method thereof

본 발명은 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상세하게는, 펀칭 가공성이 우수한 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a clad material for hermetic sealing of electronic components and a method for manufacturing the same. In detail, it relates to a clad material for hermetic sealing of electronic components excellent in punching workability, and to a method for manufacturing the same.

코바르(Kovar)는 미국 웨스팅하우스사에 의하여 개발된 Fe-Ni-Co계 합금인데, 경질 유리나 세라믹스와 열팽창 특성이 넓은 온도 범위에서 일치하고 있는 점에서, 경질 유리나 세라믹스의 기밀 밀봉에 최적의 재료로서 알려져 있다. 그 때문에, 코바르에 은계 납을 클래드한 시일 링이나 리드는 세라믹스 패키지 등의 전자 부품의 기밀 밀봉재로서 널리 이용되고 있다.Kovar is an Fe-Ni-Co alloy developed by Westinghouse of the United States, and since its thermal expansion characteristics match that of hard glass or ceramics over a wide temperature range, it is an optimal material for hermetic sealing of hard glass or ceramics. is known as Therefore, the sealing ring and lead which clad silver-type lead on the kovar are widely used as a hermetic sealing material of electronic components, such as a ceramic package.

코바르에 은계 납을 클래드한 상기 시일 링이나 리드는 통상, 코바르와 은계 납재로 이루어지는 클래드 박판을 펀칭 가공함으로써 제조되는데, 코바르는 매우 질겨 가공·절삭이 어려운 재료이기 때문에, 상기 클래드 박판을 펀칭 가공하여 상기 시일 링이나 리드를 효율적으로 양산화하는 것은 반드시 용이하지는 않았다. 또한 최근의 전자 기기의 소형화에 수반하여, 클래드재의 펀칭 가공성의 향상에 대한 요구가 점점 높아지고 있다.The seal ring or lead clad with silver-based solder in kovar is usually manufactured by punching a thin clad plate made of kovar and silver-based brazing material. It has not always been easy to efficiently mass-produce the seal ring or lead by processing. Moreover, with the recent miniaturization of electronic devices, the request|requirement for the improvement of the punching processability of a clad material is increasing more and more.

따라서 이러한 상황을 감안하여 펀칭 가공성을 향상시킨, 코바르와 은계 납재로 이루어지는 클래드재에 관한 연구가 진행되고 있으며, 그러한 클래드재로서는, 예를 들어 Fe-Ni-Co계 합금 판재측의 평면 표면을 엑스선 회절로 측정했을 때, 엑스선 회절 도형에 있어서의 오스테나이트상의 결정면 (200), (111), (220), (311)과 마르텐사이트상의 결정면 (110), (200), (211)의 적분 강도의 총합에서 차지하는 마르텐사이트상의 결정면 (110), (200), (211)의 적분 강도의 합의 비율이 0.5% 이상 10% 이하이고, 또한 상기 마르텐사이트상의 적분 강도의 합의 비율이 0.5% 이상 10% 이하로 되는 깊이의 영역이, 상기 Fe-Ni-Co계 합금 판재측의 평면 최표면으로부터 두께 방향으로 총 두께의 10% 이내인 것을 특징으로 하는, 프레스 펀칭성이 우수한 봉착 재료가 보고되어 있다(특허문헌 1).Therefore, in view of this situation, research on a clad material made of Kovar and a silver-based brazing material with improved punching workability is in progress. Integration of crystal planes (200), (111), (220), (311) of the austenite phase and crystal planes (110), (200), (211) of the martensite phase in the X-ray diffraction diagram when measured by X-ray diffraction The ratio of the sum of the integrated strengths of the crystal planes 110, 200, and 211 of the martensite phase to the total strength is 0.5% or more and 10% or less, and the ratio of the sum of the integrated strengths of the martensite phase is 0.5% or more 10 % or less, a sealing material excellent in press punchability is reported, characterized in that the region of the depth is within 10% of the total thickness in the thickness direction from the planar outermost surface of the Fe-Ni-Co alloy sheet side. (Patent Document 1).

특허문헌 1에 기재된 상기 클래드재는, 판재 표면에 도입된 마르텐사이트상이 프레스 펀칭 가공 시에 파단을 진행하기 쉽게 하여 버의 발생을 억제하는 효과를 갖는다는 지견에 기초하여, Fe-Ni-Co계 합금의 판재 평면 최표면으로부터 특정한 깊이까지의 마르텐사이트상의 양을 특정한 범위 내로 조정하고 있는 점에 특징이 있다. 그리고 특허문헌 1에는, 마르텐사이트상의 조정에 대하여, Fe-Ni-Co계 합금의 판재 평면에 냉간 압연을 실시하며, 가공 유기 변태를 이용하여 행하는 것 및 압연 이외의 방법으로서는, 예를 들어 표면 연마, 쇼트 피닝 등의 방법에 의해서도 가공 유기 마르텐사이트상을 생성할 수 있는 것이 기재되어 있다.Based on the knowledge that the clad material described in Patent Document 1 has an effect of suppressing the generation of burrs by making it easier for the martensite phase introduced to the surface of the plate material to proceed to fracture during press punching processing, Fe-Ni-Co alloy It is characterized in that the amount of martensite phase from the outermost surface of the planar surface of the plate material to a specific depth is adjusted within a specific range. And, in patent document 1, cold rolling is performed on the plate|board material plane of a Fe-Ni-Co type|system|group with respect to the adjustment of a martensitic phase, and as a method other than carrying out using work-induced transformation and rolling, for example, surface grinding|polishing, , that a process-induced martensite phase can be produced also by methods, such as shot peening, is described.

일본 특허 제3531814호 공보Japanese Patent No. 3531814 Publication

특허문헌 1에 개시된 종래 기술에 있어서는, 공업적인 냉간 압연 장치를 사용하여 코바르의 오스테나이트상을 저온 영역에서 압연하고, 해당 압연 시의 온도나 압하율을 제어함으로써, 마르텐사이트상으로 가공 유기 변태시켜 결정립의 미세화를 행하고 있다. 그리고 결정립을 미세화함으로써 상기 클래드재의 펀칭 가공성의 향상을 실현시키고 있다.In the prior art disclosed in Patent Document 1, an austenite phase of Kovar is rolled in a low-temperature region using an industrial cold rolling apparatus, and the temperature and reduction ratio at the time of rolling are controlled, thereby processing-induced transformation into a martensitic phase. to refine the crystal grains. And by refining the crystal grains, the punching workability of the clad material is improved.

그러나 상기 종래 기술과 같이 클래드재를 압연 가공하는 것에 의한 가공 경화에 의하여 결정립의 미세화를 행하면, 펀칭 가공성이 양호한 마르텐사이트상이 많아지기는 하지만, 그것에 의하여 코바르 본래의 특징인 열팽창률이 크게 변화되어 버릴 우려가 있다.However, as in the prior art, when crystal grains are refined by work hardening by rolling the clad material, martensite phase with good punching workability increases, but the thermal expansion coefficient, which is characteristic of Kovar, is greatly changed. there is a risk of throwing it away.

또한 클래드재를 압연 가공만에 의하여 결정립의 미세화를 행하는 경우, 사용하는 냉간 압연 장치에 따라, 가공할 수 있는 클래드재의 두께 등이 제한되거나 가공 공정이 제한되거나 하기 때문에, 각종 크기의 클래드재를 높은 가공율로 양산화하는 것은 설비의 관점에서 반드시 용이하지는 않다.In addition, when the clad material is refined only by rolling processing, the thickness of the clad material that can be worked is limited or the processing process is limited depending on the cold rolling apparatus used. Mass production at a processing rate is not necessarily easy from the point of view of equipment.

이러한 상황을 감안하여 본 발명의 과제는, 높은 가공율로 양산화할 수 있고, 코바르 본래의 특징인 열팽창률을 유지하면서 펀칭 가공성이 우수한, 코바르와 은납재로 이루어지는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.In view of this situation, the subject of the present invention is for the hermetic sealing of electronic components, which can be mass-produced at a high processing rate and made of Kovar and silver brazing material, which can be mass-produced at a high processing rate, and has excellent punching workability while maintaining the thermal expansion coefficient, which is the original characteristic of Kovar. To provide a clad material and a method for manufacturing the same.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 상기 종래 기술과 같이 가공 경화에 의한 결정립의 미세화를 행하는 것이 아니라, 열처리에서 이어지는 냉간 압연 가공 후에 다시 열처리(300 내지 600℃)를 행함으로써, 마르텐사이트상을 유기시키지 않거나, 또는 거의 유기시키지 않고 오스테나이트상의 상태를 유지한 채 결정립의 미세화를 달성하여, 클래드재의 펀칭 가공성을 향상시키는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of earnest examinations to solve the above problems, the present inventors do not refine crystal grains by work hardening as in the prior art, but perform heat treatment (300 to 600° C.) again after cold rolling following heat treatment. , found that the punching workability of the clad material was improved by achieving refinement of crystal grains while maintaining the state of the austenite phase with little or no induction of the martensite phase, and thus completed the present invention.

즉, 본 발명은, 은계 납재층과 코바르층을 갖는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재이며,That is, the present invention is a clad material for hermetic sealing of electronic components having a silver-based brazing material layer and a Kovar layer,

해당 코바르층의 표면에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법에 의한 결정상 분포 측정으로부터 산출되는, 코바르 결정립의 전체 면적 중에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율이 99.0 내지 100.0%이고, 또한 해당 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛인, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재이다.On the surface of the Kobar layer, the area ratio of the austenite phase to the total area of the Kobar crystal grains calculated from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method is 99.0 to 100.0%, and the average of the Kovar crystal grains It is a clad material for hermetic sealing of an electronic component whose crystal grain diameter is 0.5-3.5 micrometers.

또한 본 발명의 다른 양태는, 상기 클래드재의 제조 방법에 대해서이며, 즉,Another aspect of the present invention relates to a method for manufacturing the clad material, that is,

은계 납재층과 코바르층을 접합하여 적층체를 형성하는 제1 공정과,A first step of bonding the silver-based brazing material layer and the Kovar layer to form a laminate;

상기 적층체를 열처리, 냉간 압연하는 제2 공정과,a second step of heat-treating and cold rolling the laminate;

제2 공정에 이어서 다시 상기 적층체를 열처리하는 제3 공정3rd process of heat-processing the said laminated body again following the 2nd process

을 포함하는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of the clad material for hermetic sealing of an electronic component containing.

본 발명에 따르면, 마르텐사이트상을 포함하고 있지 않거나, 또는 거의 포함하고 있지 않고 오스테나이트상이 유지된 상태에서 결정립의 미세화가 달성되어 있기 때문에, 높은 밀봉 신뢰성을 유지하면서 우수한 펀칭 가공성(쾌삭성)을 구비한, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재를 제공하는 것이 가능해진다. 또한 종래 기술과 같이 클래드재의 압연 가공에 의한 가공 경화에 기초하여 결정립의 미세화를 달성하는 방법과는 달리, 냉간 압연 장치의 성능 등에 따른 제약이 크지 않기 때문에 각종 클래드재를 높은 가공율로 양산화하는 것이 가능해진다.According to the present invention, excellent punching workability (free machinability) while maintaining high sealing reliability because the crystal grains are refined in a state in which the austenite phase is maintained with no or almost no martensite phase. It becomes possible to provide the provided clad material for hermetic sealing of an electronic component. In addition, unlike the method of achieving refinement of crystal grains based on work hardening by rolling processing of clad materials as in the prior art, there are no significant restrictions on the performance of cold rolling equipment, etc., so mass production of various clad materials at a high working rate is it becomes possible

상술한 바와 같이, 본 발명에 관한 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재(이하, 「클래드재」라 함)는 은계 납재층과 코바르층을 갖는다. 그리고 해당 클래드재는 코바르층의 표면에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법에 의한 결정상 분포 측정으로부터 산출되는, 코바르 결정립의 전체 면적에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율이 99.0 내지 100.0%이고, 또한 해당 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛인 것을 특징으로 한다. 본 발명은 이러한 특징을 가짐으로써, 해당 클래드재의 코바르층에 있어서 상변화를 일으키지 않고 오스테나이트상을 유지한 채 해당 오스테나이트상의 결정립이 미세화되어 있기 때문에, 본 발명에 따르면, 밀봉 신뢰성과 펀칭 가공성의 관점에서 우수한 성능을 발휘하는 클래드재를 얻는 것이 가능해진다.As described above, the clad material for hermetic sealing of electronic components according to the present invention (hereinafter referred to as "clad material") has a silver-based brazing material layer and a Kovar layer. And in the clad material, the area ratio of the austenite phase to the total area of the Kobar grains calculated from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method on the surface of the Kobar layer is 99.0 to 100.0%, and It is characterized in that the average crystal grain size of the crystal grains is 0.5 to 3.5 μm. According to the present invention, since the crystal grains of the austenite phase are refined while the austenite phase is maintained without causing a phase change in the Kovar layer of the clad material by having these characteristics, according to the present invention, sealing reliability and punching workability It becomes possible to obtain a clad material exhibiting excellent performance from the viewpoint of

상기 은계 납재층을 구성하는 은계 납재로서는, 은을 주성분으로 하는 납재이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 은-구리 합금(구리 농도 10 내지 30질량%), 은-구리-주석 합금(구리 농도 20 내지 40질량%, 주석 농도 1 내지 40질량%), 은-구리-인듐 합금(구리 농도 20 내지 40질량%, 인듐 농도 1 내지 40질량%), 은-구리-아연 합금(구리 농도 20 내지 40질량%, 아연 농도 1 내지 40질량%)을 들 수 있다. 또한 상기 은계 납재층의 두께는 통상 0.01 내지 0.1㎜이다.The silver-based brazing material constituting the silver-based brazing material layer is not particularly limited as long as it is a brazing material containing silver as a main component, for example, silver-copper alloy (copper concentration of 10 to 30 mass%), silver-copper-tin alloy (copper concentration of 20 -40 mass %, tin concentration 1-40 mass %), silver-copper-indium alloy (copper concentration 20-40 mass %, indium concentration 1-40 mass %), silver-copper-zinc alloy (copper concentration 20-40 mass %) mass %, zinc concentration 1-40 mass %) is mentioned. In addition, the thickness of the silver-based brazing filler metal layer is usually 0.01 to 0.1 mm.

상기 코바르층을 구성하는 코바르는 상술한 바와 같이 Fe-Ni-Co계 합금이며, 그 조성은 Fe(54질량%), Ni(29질량%), Co(17질량%), 그 외에 Si, Mn 등이 미량 포함된다. 또한 상기 코바르층의 두께는 통상 0.1 내지 0.6㎜이다.As described above, Kovar constituting the Kovar layer is a Fe-Ni-Co alloy, and its composition is Fe (54 mass %), Ni (29 mass %), Co (17 mass %), Si, Trace amounts of Mn and the like are included. In addition, the thickness of the Kovar layer is usually 0.1 to 0.6 mm.

상술한 바와 같이 본 발명의 클래드재는 코바르층의 표면에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법{EBSD(electron backscattering diffraction)법}에 의한 결정상 분포 측정으로부터 산출되는, 코바르 결정립의 전체 면적 중에서 차지하는 오스테나이트상(γ:fcc)의 면적의 비율이 99.0 내지 100.0%인 것을 특징으로 한다. 이는, 해당 클래드재가 오스테나이트 단상이거나, 압연 시에 가공 유기 마르텐사이트 변태를 일으켜 생성된 마르텐사이트상(α':bcc)이 1% 미만인 것을 의미한다. 본 발명에 있어서는, 오스테나이트상의 면적 비율이 99.0% 미만이면 클래드재가 양호한 펀칭 가공성을 얻는 것이 곤란해지고, 또한 마르텐사이트상이 많아지기 때문에 열팽창률이 대폭 변화될 우려가 있다.As described above, in the clad material of the present invention, the austenite occupied by the total area of the Kovar grains is calculated from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method (EBSD (electron backscattering diffraction) method) on the surface of the Kobar layer. It is characterized in that the ratio of the area of the phase (γ:fcc) is 99.0 to 100.0%. This means that the clad material is an austenite single phase, or that the martensitic phase (α′:bcc) generated by processing-induced martensitic transformation during rolling is less than 1%. In the present invention, when the area ratio of the austenite phase is less than 99.0%, it becomes difficult for the clad material to obtain good punching workability, and since the martensite phase increases, there is a fear that the coefficient of thermal expansion is significantly changed.

또한 본 발명의 클래드재는 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛인 것을 특징으로 한다. 바람직하게는, 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.7 내지 3.4㎛인 클래드재가 사용된다. 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛의 범위 외이면 높은 펀칭 가공성을 얻는 것이 곤란해진다.In addition, the clad material of the present invention is characterized in that the average grain size of Kovar grains is 0.5 to 3.5 µm. Preferably, a clad material having an average grain size of Kovar grains of 0.7 to 3.4 µm is used. When the average grain size of the Kovar grains is outside the range of 0.5 to 3.5 µm, it becomes difficult to obtain high punching workability.

본 발명에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법에 의한 결정상 분포 측정으로부터 코바르 결정립의 전체 면적 중에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율을 산출하기 위해서는, 통상, 이하와 같이 하여 행한다.In this invention, in order to calculate the area ratio of the austenite phase which occupies in the total area of a Kobar crystal grain from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method, it carries out normally as follows.

먼저, 측정 대상으로 되는 클래드재의 코바르층의 표면에 기계 연마, 전해 연마 등의 표면 처리를 실시하여, 압연 모양 등에 기초하는 미소 요철을 제거한다. 다음으로, EBSD를 부속하는 주사형 전자 현미경을 사용하여 상기 표면의 조직 관찰을 행하여, 스텝 크기 0.1㎛에서 코바르상의 표면 소정의 측정 면적 내의 전 픽셀의 방위를 측정하고, 인접하는 픽셀 간의 방위 차가 15° 이상인 경계를 결정립계로 간주하여, 상기 측정 면적에 있어서 결정립을 특정한다. 계속해서, 오스테나이트상의 결정립 중의 픽셀 수를 카운트하고 1픽셀당 면적을 곱함으로써 오스테나이트상의 각 결정립당 면적을 산출하고, 이를 합계함으로써 오스테나이트상의 결정립의 총 면적을 구할 수 있다. 마찬가지로 하여 마르텐사이트상의 결정립의 총 면적을 구할 수 있다. 그리고 이와 같이 하여 구한 오스테나이트상의 결정립의 총 면적을 오스테나이트상과 마르텐사이트상의 결정립 총 면적으로 나누고 100배 함으로써, 오스테나이트상의 면적률(%)을 산출한다.First, the surface of the Kovar layer of the clad material to be measured is subjected to surface treatment such as mechanical polishing or electrolytic polishing to remove minute irregularities based on the rolling pattern or the like. Next, the structure of the surface is observed using the scanning electron microscope attached to the EBSD, the orientation of all pixels within a predetermined measurement area on the surface of the Kovar image is measured at a step size of 0.1 µm, and the orientation difference between adjacent pixels is A boundary of 15° or more is regarded as a grain boundary, and a grain is specified in the measurement area. Subsequently, by counting the number of pixels in the grains of the austenite phase and multiplying the area per pixel, the area per each grain of the austenite phase is calculated, and the total area of the grains of the austenite phase can be obtained by summing them. Similarly, the total area of the crystal grains of the martensite phase can be calculated. Then, the area ratio (%) of the austenite phase is calculated by dividing the total area of the crystal grains of the austenite phase obtained in this way by the total area of the crystal grains of the austenite phase and the martensite phase and multiplying by 100.

한편, 코바르 결정립의 평균 결정 입경의 측정은 JIS G 0551에 준거하여 행하면 된다. 구체적으로는, 절단법에 따르면, 클래드재의 코바르상의 표면에 기계 연마 등의 표면 처리를 실시하여 결정립을 관찰하기 쉬운 상태로 한 후, 코바르층의 금속 조직에 대하여 EBSD를 부속하는 주사형 전자 현미경을 사용하여 사진 촬영하고, 촬영된 금속 조직의 결정립계를 따라 펜 등을 사용하여 선을 그어 결정립계를 현재화시키고, 직교하는 2개의 직선을 그어, 이들 선으로 절단되는 결정립의 수를 측정하고, 그 후, 이들 선의 길이를 측정하여 그들의 길이와 결정립의 수를 소정의 식에 삽입함으로써, 코바르 결정립의 평균 입자경이 산출된다.In addition, what is necessary is just to measure the average grain size of a Kovar crystal grain based on JISG0551. Specifically, according to the cutting method, the surface of the Kovar phase of the clad material is subjected to surface treatment such as mechanical polishing to make the crystal grains easy to observe, and then, after the EBSD is attached to the metal structure of the Kovar layer, the scanning electron Take a picture using a microscope, draw a line using a pen or the like along the grain boundary of the photographed metal structure to make the grain boundary visible, draw two orthogonal straight lines to measure the number of grains cut by these lines, Then, by measuring the length of these lines and inserting their length and the number of crystal grains into a predetermined formula, the average particle diameter of Kovar crystal grains is computed.

본 발명의 클래드재는, 펀칭 가공성을 손상시키지 않는 범위에서 은계 납재층과 코바르층 사이, 및/또는 코바르층 상에 중간층을 형성함으로써, 3층 이상의 다층 구조체로 할 수 있다.The clad material of the present invention can be made into a multilayered structure of three or more layers by forming an intermediate layer between the silver-based brazing filler metal layer and the Kovar layer and/or on the Kovar layer within the range that does not impair punching workability.

상기 클래드재는, 통상의 펀칭 가공, 즉, 원하는 전자 부품의 기밀 밀봉재(예를 들어 시일 링이나 리드)의 윤곽 형상으로 이루어지는 구멍형을 갖는 다이와, 해당 구멍형에 감입되는 펀치로 이루어지는 금형을 구비한 프레스기를 사용하여 펀칭함으로써, 소정 형상의 전자 부품의 기밀 밀봉재가 얻어진다. 본 발명의 클래드재는, 특히 전자 부품의 기밀 밀봉재를 제조하기 위하여 사용되고, 특히 바람직하게는 시일 링을 제조하기 위하여 사용된다. 펀칭 가공을 행하는 경우에는, 상기 코바르층으로부터 상기 은계 납재층의 방향으로 펀칭 가공을 하는 것이 양호한 펀칭성을 얻는 데 있어서 바람직하다.The clad material is processed by normal punching, that is, a die having a hole shape formed in the outline shape of a desired airtight sealing material (for example, a seal ring or a lead) of an electronic component, and a mold comprising a punch fitted into the hole shape. By punching using a press machine, the hermetic sealing material of the electronic component of a predetermined shape is obtained. The clad material of the present invention is particularly preferably used for manufacturing a hermetic sealing material for electronic components, and particularly preferably for manufacturing a seal ring. When punching is performed, it is preferable to perform punching in the direction from the Kovar layer to the silver-based brazing filler metal layer in order to obtain good punchability.

다음으로, 본 발명에 관한 클래드재의 제조 방법에 대하여 설명한다. 해당제조 방법은, 은계 납재층과 코바르층을 접합하여 적층체를 형성하는 제1 공정과, 상기 적층체를 열처리, 냉간 압연하는 제2 공정과, 제2 공정에 이어서 다시 상기 적층체를 열처리하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.Next, the manufacturing method of the clad material which concerns on this invention is demonstrated. The manufacturing method includes a first step of bonding a silver brazing material layer and a Kovar layer to form a laminate, a second step of heat-treating and cold rolling the laminate, and a second step, followed by heat treatment of the laminate again It is characterized in that it includes a third process.

제1 공정에 있어서는, 은계 납재층과 코바르층을 접합하여 적층체를 형성하는데, 그 구체적인 방법은 특별히 한정되지 않는다. 일반적으로는, 먼저, 은계 납재층과 코바르층의 각 층을 구성하는 판재를 각각 준비하고, 그들의 표면을 적절히 연마 등을 행하여 균질화한 후, 은계 납재층과 코바르층을 적층하고, 예를 들어 주위를 용접한 후, 접합을 위한 냉간 압접을 행하거나, 또는, 예를 들어 은계 납재층과 코바르층의 맞닿음면에 레이저를 조사하고, 접합을 위한 냉간 압접을 행함으로써, 적층된 층의 접합면을 전체면 또는 부분적으로 접합하여 적층체를 형성한다.In the first step, the silver-based brazing material layer and the Kovar layer are joined to form a laminate, but the specific method is not particularly limited. Generally, first, plate materials constituting each layer of the silver-based brazing material layer and the Kovar layer are prepared, respectively, and their surfaces are appropriately polished to homogenize, and then the silver-based brazing material layer and the Kovar layer are laminated, for example For example, after welding the periphery, cold pressing is performed for bonding, or, for example, a laser is irradiated to the abutting surface of the silver-based brazing material layer and the Kovar layer, and cold pressing is performed for bonding. A laminate is formed by bonding all or part of the bonding surfaces of the

다음으로, 제2 공정으로서, 제1 공정에서 얻어진 상기 적층체에 대하여 열처리 및 냉간 압연을 행한다. 통상, 열처리는 500 내지 800℃의 범위에서 1 내지 60분 간 행하며, 그 후, 실온으로 냉각하여 냉간 압연을 행한다. 이러한 열처리, 냉간 압연을 행함으로써, 접합이 확실해져, 신뢰도가 높은 적층체가 된다.Next, as a 2nd process, heat processing and cold rolling are performed with respect to the said laminated body obtained by the 1st process. Usually, the heat treatment is performed in the range of 500 to 800° C. for 1 to 60 minutes, and then cooled to room temperature and cold rolling is performed. By performing such heat treatment and cold rolling, bonding is ensured and a highly reliable laminate is obtained.

마지막으로, 제3 공정으로서, 제2 공정에 이어서 다시 상기 적층체에 대하여 열처리 및 필요에 따라 냉간 압연을 행한다. 이것에 의하여, 펀칭 가공성이 우수한 본 발명의 클래드재를 얻을 수 있다. 제3 공정에서 행하는 열처리는, 300 내지 600℃, 바람직하게는 400 내지 550℃의 범위에서 1 내지 60분 간 행하는 것을 필요로 한다. 300 내지 600℃의 범위 외의 온도이면, 결정립이 조대화되어 결정립의 미세화가 충분히 행해지지 않기 때문에, 펀칭 가공성이 향상되지 않아, 마르텐사이트상이 많이 생성되어, 코바르의 열팽창률을 유지하는 것이 곤란해질 우려가 있다. 또한 상기 냉간 압연을 행하는 경우, 1회의 압하율을 30% 이상으로 하면 용접부 등에 크랙이 발생할 우려가 있기 때문에, 1회의 압하율은 30% 미만으로 하는 것이 바람직하다.Finally, as the third step, following the second step, heat treatment and, if necessary, cold rolling are performed on the laminate again. Thereby, the clad material of the present invention excellent in punching workability can be obtained. The heat treatment performed in the third step is 300 to 600°C, preferably 400 to 550°C, and requires to be performed for 1 to 60 minutes. If the temperature is outside the range of 300 to 600°C, the crystal grains become coarse and the grain refinement is not sufficiently performed, so the punching workability does not improve, and a large amount of martensite phase is generated, making it difficult to maintain the Cobar's coefficient of thermal expansion. There are concerns. In the case of performing the cold rolling, if the reduction ratio at one time is 30% or more, there is a risk of cracks occurring in the welded portion or the like. Therefore, the reduction ratio at one time is preferably less than 30%.

상기 열처리를 행한 후에는 성능이나 두께의 조정을 목적으로 하는 냉간 압연을 행하는 것이 바람직하다. 단, 마르텐사이트상의 생성을 방지하기 위하여, 이 경우의 압하율은 20% 미만으로 하는 것이 바람직하다.After performing the heat treatment, it is preferable to perform cold rolling for the purpose of adjusting the performance or thickness. However, in order to prevent the formation of the martensite phase, the reduction ratio in this case is preferably less than 20%.

이와 같이 하여, 코바르 결정립의 전체 면적에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율이 99.0 내지 100.0%이고, 또한 해당 오스테나이트상의 결정립 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛인, 펀칭 가공성이 우수한 클래드재를 공업적으로 안정되게 제공할 수 있다.In this way, industrially, a clad material excellent in punching workability, in which the area ratio of the austenite phase to the total area of the Kovar grains is 99.0 to 100.0%, and the average grain size of the austenite phase is 0.5 to 3.5 µm, is industrially produced. can be provided stably.

이하, 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of Examples. In addition, this invention is not limited to these.

실시예Example

(실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 4)(Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 4)

폭 15㎜, 두께 1.5㎜의 코바르 합금(닛폰 야킨사 제조, 상품명: NAS29CO)으로 이루어지는 코바르층에, 폭 15㎜, 두께 0.40㎜의 은계 납재(은-85질량% 구리 합금)로 이루어지는 은계 납재층을 클래드하고, 표 1에 기재된 조건에서 열처리한 후{열처리 (1)}, 실온까지 냉각하고, 표 1에 기재된 압하율로 압연하여 클래드 모재를 제작하였다{압연 (1)}. 이어서, 해당 클래드 모재를 표 1에 기재된 조건에서 다시 열처리한 후{열처리 (2)}, 실온까지 냉각하고, 표 1에 기재된 압하율로 압연하여{압연 (2)}, 클래드재를 제작하였다. 이때의 코바르층의 두께는 0.15㎜, 은계 납재층의 두께는 0.04㎜였다.A silver-based brazing material (silver-85 mass% copper alloy) having a width of 15 mm and a thickness of 0.40 mm in a Kovar layer made of a Kovar alloy (product name: NAS29CO, manufactured by Nippon Yakin Corporation) having a width of 15 mm and a thickness of 1.5 mm The brazing filler metal layer was clad and heat-treated under the conditions shown in Table 1 {heat treatment (1)}, cooled to room temperature, and rolled at the reduction ratio shown in Table 1 to prepare a clad base material {rolling (1)}. Next, the clad base material was heat-treated again under the conditions shown in Table 1 {heat treatment (2)}, cooled to room temperature, and rolled at the reduction ratio shown in Table 1 {rolling (2)} to prepare a clad material. At this time, the thickness of the Kovar layer was 0.15 mm, and the thickness of the silver-based brazing material layer was 0.04 mm.

제작한 상기 클래드재의 코바르층의 압연면(표면)을 습식 연마 및 전해 연마하여 경면 상태에 마무리하고, 표면으로부터 5㎛의 깊이 위치에 대하여, 전자선 후방 산란 회절법(EBSD)에 의하여, EBSD 시스템(텍셈 래보러토리즈사 제조, 상품명: OIM 시스템)을 갖는 주사형 전자 현미경을 사용하여(니혼 덴시사 제조, 상품명: JSM-6500F) 코바르 결정립의 평균 결정 입경, 및 오스테나이트상과 마르텐사이트상의 결정립 면적을 측정하였다. 측정 면적에 대해서는, 30㎛×30㎛의 범위에서 행하고, 인접하는 픽셀 간의 방위 차가 15° 이상인 경계를 결정립계로 간주하고, 또한 주사 간격은 스텝 거리=0.1㎛로 하였다. 결정립은, 결정 방위 차가 15° 이상으로 정의하였다. 오스테나이트상과 마르텐사이트상의 구별은, EBSD법과 광학 현미경 사진에 의하여 구한 결정 방위 맵의 대조에 의하여 행하였으며, 광학 현미경 사진에 있어서, 오스테나이트상, 마르텐사이트상의 각각을 확인하였다. 한편, 코바르 결정의 평균 결정 입경은 JIS규격(JIS G0551)을 이용하여 산출하였다. 평균 결정 입경(㎛), 및 오스테나이트상과 마르텐사이트상과의 결정립 총 면적에 대한 오스테나이트상의 면적 비율(%)에 관한 결과를 표 2에 나타낸다.The rolled surface (surface) of the prepared Kovar layer of the clad material is wet-polished and electropolished to a mirror-finished state, and at a depth of 5 μm from the surface, electron beam backscattering diffraction (EBSD) is used to perform the EBSD system. Using a scanning electron microscope having (manufactured by Texem Laboratories, trade name: OIM System) (manufactured by Nippon Denshi Corporation, trade name: JSM-6500F), the average grain size of Kovar grains, and the austenite phase and martensite phase The grain area was measured. Regarding the measurement area, it was carried out in the range of 30 µm × 30 µm, a boundary with a difference in orientation between adjacent pixels of 15° or more was regarded as a grain boundary, and the scanning interval was set to step distance = 0.1 µm. The crystal grains were defined as having a crystal orientation difference of 15° or more. The austenite phase and the martensitic phase were distinguished by comparison of the crystal orientation map obtained by the EBSD method and the optical micrograph, and each of the austenite phase and the martensitic phase was confirmed in the optical micrograph. On the other hand, the average grain size of the Kobar crystal was calculated using the JIS standard (JIS G0551). Table 2 shows the results regarding the average grain size (µm) and the area ratio (%) of the austenite phase to the total grain area of the austenite phase and the martensite phase.

또한 5㎜의 원형의 금형을 사용하여, 프레스기(베스트사 제조)에 의하여, 펀치와 다이의 클리어런스를 5㎛로 하고, 실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 4에 관한 각 클래드재의 코바르층측으로부터 은계 납재층 방향으로의 수직 펀칭 가공의 프레스 시험을 행하였다. 해당 프레스 시험은 1㎜/s의 가압 속도로 행하였으며, 프레스 중의 응력 최댓값(N/㎟)과, 해당 응력 최댓값으로부터 펀칭 종료 시의 응력 변화를 해당 응력 최댓값으로부터의 응력 차(N/㎟)로서 산출하였다.Further, using a 5 mm round mold, using a press machine (manufactured by Best Company), the clearance between the punch and the die was set to 5 µm, and the Kovar layer side of each cladding material according to Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 was used. A press test of vertical punching in the direction of the silver-based brazing filler metal layer was performed. The press test was performed at a pressing speed of 1 mm / s, and the maximum stress during pressing (N / mm 2 ) and the stress change at the end of punching from the maximum stress value were calculated as the stress difference (N / mm 2 ) from the maximum stress value. calculated.

또한 프레스 후의 파단면에 대하여, 광학 현미경을 사용하여 파단면의 균열 및 버(8㎛ 이상의 것)의 유무를 각각 관찰하여 평가하였다. 평가한 결과를 표 2에 나타낸다.In addition, the fracture surface after pressing was evaluated by observing the presence or absence of cracks and burrs (things of 8 µm or more) on the fracture surface using an optical microscope, respectively. Table 2 shows the evaluation results.

Figure 112016115526023-pct00001
Figure 112016115526023-pct00001

Figure 112016115526023-pct00002
Figure 112016115526023-pct00002

(평가 결과)(Evaluation results)

표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 클래드재는, 그 코바르층 표면에 있어서의 오스테나이트상의 면적률이 99.3% 이상으로 높고, 또한 비교예 1, 2의 클래드재에 비하여, 평균 결정 입경이 작은 코바르 결정립에서 코바르층이 구성되어 있었다. 또한 프레스 시험의 결과, 실시예 1 내지 4의 클래드재는, 응력 차가 작고, 버의 발생도 없는 것부터, 양호한 프레스 펀칭 가공성을 나타내는 것이 확인되었다.As shown in Table 2, in the clad materials of Examples 1 to 4, the area ratio of the austenite phase on the surface of the Kobar layer was 99.3% or more, and the average crystallinity was higher than that of the clad materials of Comparative Examples 1 and 2. The Kovar layer was composed of Kovar grains with a small particle size. Further, as a result of the press test, it was confirmed that the clad materials of Examples 1 to 4 exhibited good press-punching workability because the difference in stress was small and no burrs were generated.

Claims (8)

은계 납재층과 코바르층을 갖는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재이며,
해당 코바르층의 표면에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법에 의한 결정상 분포 측정으로부터 산출되는, 코바르 결정립의 전체 면적 중에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율이 99.0 내지 100.0%이고, 또한 해당 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛인, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재.
It is a clad material for hermetic sealing of electronic components, which has a silver-based brazing material layer and a Kovar layer,
On the surface of the Kovar layer, the area ratio of the austenite phase to the total area of the Kovar crystal grains calculated from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method is 99.0 to 100.0%, and the average of the Kovar crystal grains A clad material for hermetic sealing of electronic components, having a crystal grain size of 0.5 to 3.5 µm.
제1항에 있어서,
시일 링을 제조하기 위하여 사용되는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재.
According to claim 1,
A clad material for hermetic sealing of electronic components, used for manufacturing a seal ring.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 코바르층으로부터 상기 은계 납재층으로의 펀칭 가공에 사용되는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재.
3. The method of claim 1 or 2,
A clad material for hermetic sealing of electronic components, which is used for punching from the Kovar layer to the silver-based brazing material layer.
은계 납재층과 코바르층을 갖는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재를 펀칭 가공하여 형성되는 기밀 밀봉재이며,
해당 코바르층의 표면에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법에 의한 결정상 분포 측정으로부터 산출되는, 코바르 결정립의 전체 면적 중에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율이 99.0 내지 100.0%이고, 또한 해당 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛인, 기밀 밀봉재.
It is a hermetic sealing material formed by punching a clad material for hermetic sealing of electronic components having a silver-based brazing material layer and a Kovar layer,
On the surface of the Kovar layer, the area ratio of the austenite phase to the total area of the Kovar crystal grains calculated from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method is 99.0 to 100.0%, and the average of the Kovar crystal grains A hermetic sealing material having a crystal grain size of 0.5 to 3.5 µm.
제4항에 있어서,
상기 코바르층으로부터 상기 은계 납재층으로 펀칭 가공하여 형성되는, 기밀 밀봉재.
5. The method of claim 4,
A hermetic sealing material formed by punching from the Kovar layer to the silver-based brazing material layer.
제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 기밀 밀봉재가 시일 링인, 기밀 밀봉재.
6. The method according to claim 4 or 5,
The hermetic sealant is a seal ring.
은계 납재층과 코바르층을 갖는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재의 제조 방법이며,
해당 은계 납재층과 해당 코바르층을 접합하여 적층체를 형성하는 제1 공정과,
해당 적층체를 열처리, 냉간 압연하는 제2 공정과,
제2 공정에 이어서 다시 해당 적층체를 열처리하는 제3 공정을 포함하고,
해당 코바르층의 표면에 있어서, 전자선 후방 산란 회절법에 의한 결정상 분포 측정으로부터 산출되는, 코바르 결정립의 전체 면적 중에서 차지하는 오스테나이트상의 면적 비율이 99.0 내지 100.0%이고, 또한 해당 코바르 결정립의 평균 결정 입경이 0.5 내지 3.5㎛인,
전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재의 제조 방법.
A method for manufacturing a clad material for hermetic sealing of electronic components, which has a silver-based brazing material layer and a Kovar layer,
A first step of bonding the silver-based brazing material layer and the Kovar layer to form a laminate;
A second step of heat-treating and cold-rolling the laminate;
a third process of heat-treating the laminate again following the second process;
On the surface of the Kovar layer, the area ratio of the austenite phase to the total area of the Kovar crystal grains calculated from the crystal phase distribution measurement by the electron beam backscattering diffraction method is 99.0 to 100.0%, and the average of the Kovar crystal grains having a crystal grain size of 0.5 to 3.5 μm,
A method for manufacturing a clad material for hermetic sealing of electronic components.
제7항에 있어서,
제2 공정에서의 열처리를 500 내지 800℃의 범위에서 행하고, 제3 공정에서의 열처리를 300 내지 600℃의 범위에서 행하는, 전자 부품의 기밀 밀봉용 클래드재의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
A method for producing a clad material for hermetic sealing of an electronic component, wherein the heat treatment in the second step is performed in a range of 500 to 800°C, and the heat treatment in the third step is performed in the range of 300 to 600°C.
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