KR102356407B1 - Copper foil for laser processing, carrier-foil-supported copper foil for laser processing, copper-clad laminate, and process for producing printed wiring board - Google Patents

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Abstract

레이저 가공성이 우수하고, 배선 패턴을 양호하게 형성하는 것이 가능한 레이저 가공용 구리 박, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박, 구리클래드 적층체 및 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위해서, 본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박은, 구리 에칭액에 대한 에칭성을 가짐과 함께, 그 에칭 속도가 구리 박보다도 느리고, 또한, 적외선 레이저광을 흡수하는 난용성 레이저 흡수층을 구리 박의 표면에 형성한다.It aims at providing the manufacturing method of the copper foil for laser processing, copper foil for laser processing with carrier foil, copper clad laminated body, and a printed wiring board which is excellent in laser processability and can form a wiring pattern favorably. In order to achieve this objective, the copper foil for laser processing which concerns on this invention has etching property with respect to a copper etching liquid, the etching rate is slower than copper foil, and a scarcely soluble laser absorption layer which absorbs infrared laser beam is copper It is formed on the surface of the foil.

Figure R1020157023938
Figure R1020157023938

Description

레이저 가공용 구리 박, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박, 구리클래드 적층체 및 프린트 배선판의 제조 방법{COPPER FOIL FOR LASER PROCESSING, CARRIER-FOIL-SUPPORTED COPPER FOIL FOR LASER PROCESSING, COPPER-CLAD LAMINATE, AND PROCESS FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD} Copper foil for laser processing, copper foil for laser processing with carrier foil, copper clad laminate and manufacturing method of a printed wiring board TECHNICAL FIELD PRINTED WIRING BOARD}

본건 발명은, 레이저 가공용 구리 박에 관한 것으로, 특히, 프린트 배선판의 제조 재료에 적합한 레이저 가공용 구리 박, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박, 구리클래드 적층체 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a copper foil for laser processing, and more particularly, to a copper foil for laser processing suitable for a material for manufacturing a printed wiring board, a copper foil for laser processing with carrier foil, a copper clad laminate, and a method for manufacturing a printed wiring board.

종래부터 전자 기기 및 전기 기기의 고기능화, 콤팩트화에 수반하여, 프린트 배선판의 다층화가 진전되고 있다. 다층 프린트 배선판은, 절연층을 개재해서 배선층을 3층 이상 적층한 것으로, 각 배선 층간을 비아 홀이나 스루 홀 등의 층간 접속 수단에 의해 전기적으로 접속한 것이다. 프린트 배선판의 제조 방법으로서, 빌드업법이 알려져 있다. 빌드업법이란, 내층 회로 상에 절연층을 개재해서 배선층을 적층하고, 층간 접속을 행하면서 다층화해 나가는 제조 방법을 말한다. 예를 들어, 모디파이드-세미 에디티브법(MSAP법) 등에 의해 초 고정밀한 배선 패턴을 형성하는 경우, 다음과 같은 수순으로, 빌드 업 프린트 배선판이 제조된다. 먼저, 내층 회로를 구비하는 코어 기판 등에, 절연층을 개재해서 구리 박을 적층하여, 레이저 가공 등에 의해 비아 홀 등을 형성하고, 무전해 도금법에 의해 층간 접속을 행한다. 이어서, 시드층(구리 박+무전해 도금층) 상에 배선 패턴에 따라서 도금 레지스트를 형성하고, 전해 도금을 행한 후, 도금 레지스트와 함께 도금 레지스트 아래의 시드층을 에칭에 의해 제거한다. 이상의 공정을 필요 횟수 반복함으로써, 원하는 배선층수를 갖는 빌드 업 다층 프린트 배선판을 얻을 수 있다. Conventionally, multilayering of a printed wiring board is advancing with high functionalization and compactization of an electronic device and an electric device. A multilayer printed wiring board laminates|stacks three or more wiring layers via an insulating layer, and electrically connects each wiring layer by interlayer connection means, such as a via hole and a through hole. As a manufacturing method of a printed wiring board, the build-up method is known. The build-up method refers to a manufacturing method in which wiring layers are laminated on an inner circuit with an insulating layer interposed therebetween and multilayered while performing interlayer connection. For example, when an ultra-high-definition wiring pattern is formed by a modified semi-additive method (MSAP method) or the like, a build-up printed wiring board is manufactured in the following procedure. First, copper foil is laminated on a core substrate or the like having an inner layer circuit with an insulating layer interposed therebetween, via holes or the like are formed by laser processing or the like, and interlayer connection is performed by electroless plating. Next, a plating resist is formed on the seed layer (copper foil + electroless plating layer) according to a wiring pattern, and after electrolytic plating, the seed layer under the plating resist together with the plating resist is removed by etching. By repeating the above process a necessary number of times, the buildup multilayer printed wiring board which has the desired number of wiring layers can be obtained.

최근, 배선 패턴의 미세화에 수반하여, 톱 직경이 100㎛ 이하인 마이크로 비아 홀에 의해 층간 접속이 행해지도록 되어 오고 있다. 이러한 마이크로 비아 홀은, 일반적으로, 탄산 가스 레이저 등을 사용해서 레이저 가공에 의해 천공 가공된다. 이때, 구리 박 상으로부터 탄산 가스 레이저 등을 직접 조사하여, 구리 박과 절연층을 동시에 천공하는 Cu 다이렉트법이 채용되는 경우가 많다. 그러나, 구리는, 탄산 가스 레이저 등의 원적외선 내지 적외선의 파장 영역의 레이저광의 흡수율이 지극히 낮기 때문에, Cu 다이렉트법에 의해 마이크로 비아 홀을 형성하는 경우에는, 사전에 흑화 처리 등의 구리 박 표면의 레이저광 흡수율을 높이기 위한 전처리를 행할 필요가 있었다. In recent years, with the miniaturization of wiring patterns, interlayer connection has been made by means of microvia holes having a top diameter of 100 µm or less. These microvia holes are generally drilled by laser processing using a carbon dioxide laser or the like. At this time, the Cu direct method in which a carbon dioxide laser or the like is directly irradiated from the copper foil onto the copper foil and simultaneously punctures the copper foil and the insulating layer is employed in many cases. However, since copper has an extremely low absorption rate of laser light in the wavelength region of far-infrared to infrared rays such as a carbon dioxide laser, when forming microvia holes by the Cu direct method, a laser on the surface of copper foil such as blackening treatment in advance It was necessary to perform pretreatment for increasing the light absorptivity.

그러나, 구리 박의 표면에 대하여 흑화 처리를 실시한 경우, 구리 박의 표면이 에칭되는 점에서, 구리 박의 두께가 감소됨과 함께 두께에 편차가 발생한다. 이로 인해, 시드층을 제거할 때에는, 시드층의 가장 두꺼운 부분에 따라 에칭 타임을 설정할 필요가 있어, 직선성이 높은 양호한 선 폭의 배선 패턴을 형성하는 것이 곤란해진다. However, when the blackening process is performed with respect to the surface of copper foil, since the surface of copper foil is etched, while the thickness of copper foil decreases, a dispersion|variation generate|occur|produces in thickness. For this reason, when removing the seed layer, it is necessary to set the etching time according to the thickest part of the seed layer, and it becomes difficult to form a wiring pattern having a good line width with high linearity.

한편, 특허문헌 1에는, 레이저 가공 시의 전처리가 불필요한 기술로서, 구리 박 표면에, Sn과 Cu를 주체로 하는 합금층을 형성한 구리 박이 기재되어 있다. 특허문헌 1에 의하면, 동일한 실온, 동일한 표면 거칠기의 경우, Cu와 비교하면 Sn은, 그 레이저 흡수율이 2배 이상 높기 때문에, 구리 박 표면에 Sn과 Cu를 주체로 하는 합금층을 형성함으로써, 흑화 처리 등의 전처리를 행하지 않고, 구리 박 표면에 직접 레이저광을 조사하여, 직경 100㎛의 비아 홀을 형성할 수 있다고 하고 있다. On the other hand, in patent document 1, the copper foil which formed the alloy layer which has Sn and Cu as a main body on the copper foil surface is described as a technique unnecessary at the time of the pre-processing at the time of laser processing. According to Patent Document 1, in the case of the same room temperature and the same surface roughness, Sn has a laser absorptivity twice or more higher than that of Cu. It is said that a via hole having a diameter of 100 µm can be formed by irradiating a laser beam directly on the surface of the copper foil without performing a pretreatment such as treatment.

일본 특허 공개 제2001-226796호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-226796

그러나, 특허문헌 1에 기재된 레이저 천공 가공용의 구리 박은, 구리 박의 표면에 증착 또는 도금에 의해 금속 Sn층을 형성하고, 그 후, 열에 의한 확산 처리에 의해, 구리 박의 표면에 Sn과 Cu를 합금화한 합금층으로 하는 방법을 채용하고 있다. 이로 인해, 당해 합금층에서는 그 두께 방향에 있어서 Sn의 함유량에 분포가 발생하여, 당해 구리 박의 두께 방향에 있어서의 에칭 속도에는 편차가 발생한다고 생각된다. 또한, 당해 구리 박의 최표면은 Sn의 함유량이 지극히 높고, 특허문헌 1에 기재된 구리 박은, 표층으로부터 순서대로 Sn층, Sn과 Cu의 합금층, 구리층의 3층 구성을 갖는다고 생각된다. 금속 Sn층은 일반적인 구리 박에 대한 에칭액에 대한 용해성이 없기 때문에, 이 특허문헌 1에 기재된 구리 박을 사용한 경우, 최표면을 에칭에 의해 용해 제거하는 것은 곤란하다. 따라서, 특허문헌 1에 기재된 구리 박을 사용한 경우, 에칭 처리 시에는, 미리, Sn을 용해할 수 있는 금속 Sn층의 에칭액에 의해 구리 박의 최표면을 제거한 후에, 그 하층을 에칭할 필요가 있어, 에칭의 공정이 번잡해진다. 또한, 특허문헌 1에 기재된 Sn과 Cu의 합금층은, 열 확산에 의해 합금화된 층이기 때문에, 두께 방향에 있어서의 금속 조성이 불균일하다고 생각되고, 두께 방향에 있어서의 에칭 속도에 편차가 발생할 수 있다. 이로 인해, 에칭 시에, 구리 박을 균일한 두께로 에칭할 수 없어, 구리 박의 두께에 편차가 발생할 우려가 있다. 또한, 당해 합금층의 표면은, Sn의 함유량이 높은 경우, 전해 구리 도금에 의해 형성되는 배선 패턴부보다도 에칭 속도가 느려진다고 생각된다. 이로 인해, 시드층을 제거할 때에 배선 패턴부 쪽이 빠르게 에칭되고, 선 폭이 가늘어져, 양호한 배선 패턴을 얻는 것은 곤란하다. However, the copper foil for laser drilling described in Patent Document 1 forms a metal Sn layer by vapor deposition or plating on the surface of the copper foil, and then, by diffusion treatment with heat, Sn and Cu on the surface of the copper foil A method of forming an alloyed alloy layer is employed. For this reason, in the said alloy layer, distribution generate|occur|produces in content of Sn in the thickness direction, and it is thought that dispersion|variation generate|occur|produces in the etching rate in the thickness direction of the said copper foil. Moreover, content of Sn is extremely high in the outermost surface of the said copper foil, and it is thought that the copper foil of patent document 1 has three-layer structure of a Sn layer, the alloy layer of Sn and Cu, and a copper layer in order from the surface layer. Since metallic Sn layer does not have the solubility with respect to the etching liquid with respect to common copper foil, when the copper foil of this patent document 1 is used, it is difficult to dissolve and remove an outermost surface by etching. Therefore, when the copper foil of patent document 1 is used, after removing the outermost surface of copper foil with the etching liquid of the metal Sn layer which can melt|dissolve Sn in advance at the time of an etching process, it is necessary to etch the lower layer, , the etching process becomes complicated. In addition, since the alloy layer of Sn and Cu described in Patent Document 1 is a layer alloyed by thermal diffusion, the metal composition in the thickness direction is considered to be non-uniform, and variations may occur in the etching rate in the thickness direction. have. For this reason, at the time of etching, copper foil cannot be etched with uniform thickness, but there exists a possibility that dispersion|variation may arise in the thickness of copper foil. Moreover, when content of Sn is high, it is thought that the etching rate becomes slower than the wiring pattern part formed by electrolytic copper plating on the surface of the said alloy layer. For this reason, when the seed layer is removed, the wiring pattern part is etched quickly, and the line width becomes narrow, making it difficult to obtain a good wiring pattern.

따라서, 본건 발명은, 레이저 가공성이 우수하고, 배선 패턴을 양호하게 형성하는 것이 가능한 레이저 가공용 구리 박, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박, 구리클래드 적층체 및 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. Therefore, the present invention is excellent in laser processability and the purpose of providing a method for manufacturing a copper foil for laser processing, a copper foil for laser processing with a carrier foil, a copper clad laminate, and a printed wiring board capable of forming a wiring pattern satisfactorily do.

본 발명자들은, 예의 연구를 행한 결과, 이하의 레이저 가공용 구리 박을 채용함으로써 상기 목적을 달성하는 것에 이르렀다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly researching, the present inventors came to achieve the said objective by employ|adopting the following copper foils for laser processing.

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박은, 구리 에칭액에 대한 에칭성을 가짐과 함께, 그 에칭 속도가 구리 박보다도 느리고, 또한, 적외선 레이저광을 흡수하는 난용성 레이저 흡수층을 구리 박의 표면에 구비한 것을 특징으로 한다. The copper foil for laser processing according to the present invention has an etching property with respect to a copper etching solution, the etching rate is slower than that of copper foil, and a scarcely soluble laser absorption layer absorbing infrared laser light is provided on the surface of the copper foil characterized.

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 상기 난용성 레이저 흡수층은, 주석 함유량이 25질량% 이상 50질량% 이하인 전해 도금법에 의해 형성된 전해 구리-주석 합금층인 것이 바람직하다. Copper foil for laser processing according to the present invention WHEREIN: It is preferable that the said sparingly soluble laser absorption layer is an electrolytic copper-tin alloy layer formed by the electrolytic plating method whose tin content is 25 mass % or more and 50 mass % or less.

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 상기 난용성 레이저 흡수층의 두께는, 3㎛ 이하인 것이 바람직하다. The copper foil for laser processing which concerns on this invention WHEREIN: It is preferable that the thickness of the said sparingly soluble laser absorption layer is 3 micrometers or less.

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 상기 구리 박의 두께는, 7㎛ 이하인 것이 바람직하다. Copper foil for laser processing which concerns on this invention WHEREIN: It is preferable that the thickness of the said copper foil is 7 micrometers or less.

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 상기 구리 박의 다른 쪽의 표면에는, 조화 처리층 및 프라이머 수지층 중 적어도 어느 하나를구비하는 것이 바람직하다. Copper foil for laser processing which concerns on this invention WHEREIN: It is preferable to provide at least any one of a roughening process layer and a primer resin layer on the other surface of the said copper foil.

본건 발명에 관한 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박은, 상기 난용성 레이저 흡수층 상에 캐리어 박을 박리 가능하게 구비하는 것을 특징으로 한다. The copper foil for laser processing with carrier foil which concerns on this invention is equipped with carrier foil so that peeling is possible on the said sparingly soluble laser absorption layer, It is characterized by the above-mentioned.

본건 발명에 관한 구리클래드 적층체는, 상기 적외선 레이저광이 조사되는 측에, 상기 난용성 레이저 흡수층이 배치되도록, 상기 레이저 가공용 구리 박과, 절연층 구성 재료가 적층된 것을 특징으로 한다. The copper clad laminate according to the present invention is characterized in that the copper foil for laser processing and the insulating layer constituent material are laminated so that the sparingly soluble laser absorption layer is disposed on the side to which the infrared laser beam is irradiated.

본건 발명에 관한 프린트 배선판의 제조 방법은, 구리 에칭액에 대한 에칭성을 가짐과 함께, 그 에칭 속도가 구리 박보다도 느리고, 또한, 적외선 레이저광을 흡수하는 레이저 흡수층을 구리 박의 표면에 구비한 레이저 가공용 구리 박과, 다른 도체층이 절연층을 개재해서 적층된 적층체에 대하여, 적외선 레이저광을 난용성 레이저 흡수층에 직접 조사해서 층간 접속용의 비아 홀을 형성하고, 비아 홀 내의 스미어를 제거하는 디스미어 공정 및/또는 무전해 도금 공정의 전처리로서의 마이크로 에칭 공정에 있어서, 당해 난용성 레이저 흡수층을 당해 구리 박의 표면으로부터 제거하는 것을 특징으로 한다. The manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention has etching property with respect to copper etching liquid, the etching rate is slower than copper foil, and the laser which equipped the laser absorption layer which absorbs infrared laser beam on the surface of copper foil. With respect to a laminate in which a copper foil for processing and another conductor layer are laminated through an insulating layer, an infrared laser beam is directly irradiated to the poorly soluble laser absorption layer to form a via hole for interlayer connection, and the smear in the via hole is removed. The micro-etching process as a pretreatment of a desmear process and/or an electroless-plating process WHEREIN: The said poorly soluble laser absorption layer is removed from the surface of the said copper foil, It is characterized by the above-mentioned.

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박은, 레이저 가공성이 우수하고, 또한, 그 후의 에칭 처리에 있어서, 두께 방향으로 균일한 에칭 속도가 얻어진다. 또, 탄산 가스 레이저를 사용한 구리클래드 적층판의 레이저 가공용 구리 박의 직접 천공 가공이 가능하게 되고, 레이저광 흡수 효율을 높이기 위한 흑화 처리 등의 전처리가 불필요하게 되어, 공정을 삭감함으로써 토탈 제조 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 난용성 레이저 흡수층을 에칭 레지스트로서 기능시킬 수 있기 때문에, 배선 패턴 형성 전의 각종 에칭 공정에 있어서 구리 박(층)의 표면이 용해되어, 구리 박(층)의 두께에 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로 인해, 양호한 에칭 팩터로 배선 패턴을 형성할 수 있다. The copper foil for laser processing which concerns on this invention is excellent in laser workability, and the etching process after that WHEREIN: An etching rate uniform in the thickness direction is obtained. In addition, direct drilling of the copper foil for laser processing of a copper clad laminate using a carbon dioxide laser becomes possible, and pretreatment such as blackening treatment for increasing laser light absorption efficiency becomes unnecessary, and the total manufacturing cost is reduced by reducing the process can do. In addition, since the poorly soluble laser absorption layer can function as an etching resist, the surface of the copper foil (layer) is dissolved in various etching steps before the wiring pattern is formed, thereby preventing the occurrence of variation in the thickness of the copper foil (layer) can do. For this reason, a wiring pattern can be formed with a favorable etching factor.

도 1은 본건 발명에 관한 전해 금속박의 주석 함유량과 에칭 속도의 관계를 도시하는 도면이다.
도 2는 본건 발명에 관한 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 실시예와 비교예 1에서 제작한 구리클래드 적층판에 있어서의 전해 구리 박의 에칭성을 평가하기 위한 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the relationship between the tin content of the electrolytic metal foil which concerns on this invention, and an etching rate.
It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention.
It is a figure for evaluating the etching property of the electrolytic copper foil in the copper clad laminated board produced by the Example and the comparative example 1. FIG.

이하, 본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박, 구리클래드 적층판 및 프린트 배선판의 제조 방법의 실시 형태를 순서대로 설명한다. Hereinafter, embodiment of the manufacturing method of the copper foil for laser processing which concerns on this invention, the copper foil for laser processing with carrier foil, a copper clad laminated board, and a printed wiring board is demonstrated in order.

1. 레이저 가공용 구리 박 1. Copper foil for laser processing

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박은, 구리 에칭액에 대한 에칭성을 가짐과 함께, 그 에칭 속도가 구리 박보다도 느리고, 또한, 적외선 레이저광을 흡수하는 난용성 레이저 흡수층을 구리 박의 표면에 구비한 것을 특징으로 한다. 본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박은, 프린트 배선판의 제조 공정에 있어서, Cu 다이렉트법에 의해, 흑화 처리 등의 전처리를 행하지 않고, 레이저 가공용 구리 박의 표면에 대하여, 레이저광을 직접 조사하여, 마이크로 비아 홀 등의 미세 구멍을 레이저 가공에 의해 형성 가능하게 한 것이다. The copper foil for laser processing according to the present invention has an etching property with respect to a copper etching solution, the etching rate is slower than that of copper foil, and a scarcely soluble laser absorption layer absorbing infrared laser light is provided on the surface of the copper foil characterized. In the copper foil for laser processing according to the present invention, the copper foil for laser processing according to the present invention is directly irradiated with a laser beam to the surface of the copper foil for laser processing by the Cu direct method without pretreatment such as blackening treatment by the Cu direct method, It is made possible to form micropores, such as a hole, by laser processing.

여기서, 당해 난용성 레이저 흡수층은, 예를 들어 적외선 레이저광에 대한 흡수성을 갖는 적외선 레이저 흡수성 금속 재료를 포함하는 구리층이며, 당해 적외선 흡수성 재료를 구리층 내에 함유시킴으로써, 구리 에칭액에 대한 에칭 속도를 구리 박의 에칭 속도보다도 느리게 할 수 있는 적외선 레이저 흡수성 금속 재료를 포함하는 구리층으로 하는 것이 바람직하다. 이 당해 난용성 레이저 흡수층의 구체적인 예로서, 예를 들어 전해 도금법에 의해 형성된 주석을 25질량% 이상 50질량% 이하 함유하는 전해 구리-주석 합금층을 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 주로, 난용성 레이저 흡수층으로서, 이 전해 구리-주석 합금층을 사용하는 것으로서, 이하, 설명한다. Here, the sparingly soluble laser absorbing layer is, for example, a copper layer containing an infrared laser absorbing metal material having absorptivity to infrared laser light, and by containing the infrared absorbing material in the copper layer, the etching rate with respect to the copper etching solution is increased. It is preferable to set it as the copper layer containing the infrared laser absorbing metal material which can be made slower than the etching rate of copper foil. As a specific example of this poorly soluble laser absorption layer, the electrolytic copper-tin alloy layer containing 25 mass % or more and 50 mass % or less of the tin formed by the electrolytic plating method is mentioned, for example. In this embodiment, mainly as a poorly soluble laser absorption layer, this electrolytic copper-tin alloy layer is used, and it demonstrates below.

1-1. 전해 구리-주석 합금층 1-1. Electrolytic copper-tin alloy layer

먼저, 전해 구리-주석 합금층에 대해서 설명한다. 주석은 구리와 비교하면, 원적외선 내지 적외선 파장 영역의 파장을 갖는 레이저광(탄산 가스 레이저광 등)의 흡수율이 높다. 즉, 당해 전해 구리-주석 합금층을 레이저광 흡수층으로서 기능시킬 수 있어, 상술한 바와 같이, Cu 다이렉트법에 의해 천공 가공할 때의 전처리를 불필요하게 할 수 있다. 또한, 본건 발명에 있어서, 전해 구리-주석 합금층은, 천공 가공 후, 배선 패턴 형성 전에 행해지는 디스미어 공정이나 마이크로 에칭 공정 등에서 행해지는 각종 에칭 처리에 있어서, 구리 박의 표면이 에칭되는 것을 방지하기 위한 에칭 레지스트층으로서도 기능시킬 수 있다. 당해 전해 구리-주석 합금층은, 이들 배선 패턴 형성 전에 행해지는 각종 에칭 처리에 있어서 에칭된다. 그러나, 당해 전해 구리-주석 합금층이 용해 제거되는 타이밍은, 그 주석 함유량이나 두께에 따라 제어할 수 있다. 이로 인해, 층간 접속을 위한 무전해 도금 공정의 전 단계까지의 사이에, 구리 박의 표면을 용해 시키지 않고, 전해 구리-주석 합금층 만을 용해 제거하는 것도 가능해진다. 따라서, 예를 들어 MSAP법에 의해 배선 패턴을 형성하는 경우에는, 당초의 두께를 유지한 상태의 구리 박 상에 무전해 도금 피막을 형성할 수 있어, 균일한 두께의 시드층을 얻을 수 있다. First, an electrolytic copper-tin alloy layer is demonstrated. Compared with copper, tin has a high absorption rate of laser light (carbon dioxide laser light, etc.) having a wavelength in the far-infrared to infrared wavelength range. That is, the said electrolytic copper-tin alloy layer can be made to function as a laser beam absorption layer, and as mentioned above, the pretreatment at the time of drilling by Cu direct method can be made unnecessary. In addition, in the present invention, the electrolytic copper-tin alloy layer prevents the surface of the copper foil from being etched in the various etching processes performed in the desmear process or the micro-etching process performed before the wiring pattern formation after the drilling process. It can also function as an etching resist layer for The said electrolytic copper-tin alloy layer is etched in the various etching processes performed before these wiring pattern formation. However, the timing at which the said electrolytic-copper-tin alloy layer is melt|dissolved and removed is controllable according to the tin content and thickness. For this reason, it becomes possible to dissolve and remove only the electrolytic copper-tin alloy layer without dissolving the surface of the copper foil until the previous stage of the electroless plating process for interlayer connection. Therefore, for example, when forming a wiring pattern by the MSAP method, an electroless plating film can be formed on the copper foil of the state which maintained the original thickness, and the seed layer of uniform thickness can be obtained.

(1) 주석 함유량 (1) Tin content

본건 발명에 있어서, 난용성 레이저 흡수층으로서 전해 구리-주석 합금층을 사용하는 경우, 당해 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량을 25질량% 이상으로 하는 것은, 상술한 에칭 레지스트로서의 기능을 발휘시키기 위해서이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량이 25질량% 미만인 경우, 전해 구리-주석 합금층의 에칭 속도는, 주석 함유량이 0질량%의 전해 구리 박과 비교하면 빨라진다. 한편, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량이 25질량% 이상이 되면 그 에칭 속도는 주석을 함유하지 않는 통상의 전해 구리 박과 비교하면 느려진다. 따라서, 당해 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량을 25질량% 이상으로 함으로써, 상술한 바와 같이, 전해 구리-주석 합금층을 에칭 레지스트로서 기능시킬 수 있어, 상기 배선 패턴 형성 전에 행해지는 각종 에칭 처리 시에, 구리 박이 용해되어, 구리 박의 두께에 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이 명세서는, 구리-주석 합금층 중의 구리와 주석의 합계 함유량을 100질량%로 했을 때의 특정한 주석 질량%에 관한 발명에 대해서 기재하고 있다. In the present invention, when an electrolytic copper-tin alloy layer is used as the sparingly soluble laser absorption layer, the tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer is 25% by mass or more, in order to exhibit the function as the etching resist described above. to be. As shown in FIG. 1, when the tin content in an electrolytic-copper-tin alloy layer is less than 25 mass %, the etching rate of an electrolytic-copper-tin alloy layer becomes quick compared with the electrolytic copper foil of 0 mass % of tin content. On the other hand, when the tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer becomes 25 mass % or more, the etching rate becomes slow compared with the normal electrolytic copper foil which does not contain a tin. Therefore, by setting the tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer to be 25 mass% or more, as described above, the electrolytic copper-tin alloy layer can function as an etching resist, and various etching treatments performed before forming the wiring pattern. When the copper foil is melted, it is possible to prevent the occurrence of variation in the thickness of the copper foil. In addition, this specification is describing about invention regarding the specific tin mass % when the sum total content of copper and tin in a copper- tin alloy layer is 100 mass %.

또한, 전해 구리-주석 합금층은, 전해 도금법에 의해 구리 박의 표면에 석출시켜서 얻은 구리 주석 합금으로 구성되기 때문에, 두께 방향에 있어서의 금속 조성이 균일해져, 당해 전해 구리-주석 합금층의 에칭 속도를 두께 방향에 있어서 균일하게 할 수 있다. 따라서, 상기 배선 패턴 형성 전에 행해지는 각종 에칭 처리에 있어서, 전해 구리-주석 합금층을 두께 방향으로 균일한 속도로 용해시킬 수 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 주석의 함유량이 많아질수록 에칭 속도는 느려진다. 이로 인해, 전술한 바와 같이, 당해 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량 및 두께를 조정함으로써, 전해 구리-주석 합금층을 적절한 타이밍에서 용해 제거시킬 수 있다. 따라서, 예를 들어 층간 접속을 위한 무전해 도금 공정 전에 전해 구리-주석 합금층만을 용해시키면, 당초의 두께를 유지한 상태의 구리 박 표면에 무전해 도금 피막을 형성할 수 있다. 이로 인해, 예를 들어 MSAP법에 의해 배선 패턴을 형성하는 경우, 균일한 두께의 시드층을 형성할 수 있으므로, 배선 패턴 형성 후의 플래시 에칭 공정 등에 있어서 시드층을 제거할 때에 시드층은 두께 방향에 있어서 균일한 조성을 갖기 때문에, 균일한 에칭 속도로 시드층을 용해 제거할 수 있다. 이상으로부터, 에칭 팩터의 양호한 배선 패턴을 형성하는 것이 가능해진다. 또한, MSAP법에 한하지 않고, 서브 트랙티브법 등의 에칭 공정을 포함하는 방법으로 배선 패턴을 형성하는 경우에도 동일한 것을 말할 수 있다. 즉, 레이저 천공 가공 후의 디스미어 공정 등에 있어서, 전해 구리-주석 합금층을 제거하고, 초기의 두께를 유지한 상태의 구리 박(층)을 노출할 수 있기 때문에, 균일한 두께의 도체층을 얻을 수 있어, 에칭 팩터의 양호한 배선 패턴을 형성할 수 있다. In addition, since the electrolytic copper-tin alloy layer is composed of a copper-tin alloy obtained by precipitating on the surface of copper foil by an electrolytic plating method, the metal composition in the thickness direction becomes uniform, and the electrolytic copper-tin alloy layer is etched The speed can be made uniform in the thickness direction. Therefore, in the various etching treatments performed before the formation of the wiring pattern, the electrolytic copper-tin alloy layer can be dissolved at a uniform rate in the thickness direction. As shown in FIG. 1, the etching rate becomes slow, so that content of tin increases. For this reason, as mentioned above, by adjusting the tin content and thickness in the said electrolytic-copper-tin alloy layer, an electrolytic-copper-tin alloy layer can be melt|dissolved and removed at an appropriate timing. Therefore, for example, if only the electrolytic copper-tin alloy layer is dissolved before the electroless plating process for interlayer connection, an electroless plating film can be formed on the copper foil surface in a state in which the original thickness is maintained. For this reason, for example, when a wiring pattern is formed by the MSAP method, a seed layer with a uniform thickness can be formed. Since it has a uniform composition, it is possible to dissolve and remove the seed layer at a uniform etching rate. From the above, it becomes possible to form a wiring pattern favorable to the etching factor. In addition, the same thing can be said also when forming a wiring pattern by the method including etching processes, such as a subtractive method, not limited to the MSAP method. That is, in the desmear process after laser drilling, etc., the electrolytic copper-tin alloy layer is removed and the copper foil (layer) in a state of maintaining the initial thickness can be exposed, so that a conductor layer with a uniform thickness can be obtained. Therefore, it is possible to form a good wiring pattern of the etching factor.

여기서, 주석을 함유하지 않는 전해 구리 박의 에칭 속도를 100으로 했을 경우, 주석 함유량이 50질량%를 초과하는 전해 구리-주석 합금 박의 에칭 속도는 3미만이 된다. 따라서, 당해 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량이 50질량%를 초과하면, 구리 에칭액에 대한 에칭 속도가 지나치게 느려져 버리기 때문에, 상기 배선 패턴 형성 전에 행해지는 각종 에칭 처리 시에, 전해 구리-주석 합금층을 용해 제거하는 것이 곤란해진다. 특히, 도 1에 도시한 바와 같이, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량이 70질량%를 초과하는 경우, 구리 에칭액에 대한 전해 구리-주석 합금 박의 에칭 속도가 0㎛가 되기 때문에, 일반적인 구리 에칭액에서는 전해 구리-주석 합금층을 구리 박의 표면으로부터 제거할 수 없게 된다. 이들의 경우, 전해 구리-주석 합금층을 제거하기 위한 에칭 공정을 별도 설치할 필요가 발생하여, 바람직하지 않다. 당해 관점에서, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량은, 45질량% 이하인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 35질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이때, 구리 에칭액에 대한 전해 구리 박의 에칭 속도를 100으로 했을 때, 전해 구리-주석 합금 박의 에칭 속도는, 각각 4(주석 함유량:45질량%), 13(주석 함유량:40질량%), 25(주석 함유량:35질량%)가 된다. 이로 인해, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량을 상기의 바람직한 범위로 함으로써, 상기 배선 패턴 형성 전에 행해지는 각종 에칭 처리에 있어서 전해 구리-주석 합금층을 제거하는 것이 용이해진다. Here, when the etching rate of the electrolytic copper foil which does not contain a tin is 100, the etching rate of the electrolytic-copper-tin alloy foil in which a tin content exceeds 50 mass % becomes less than 3. Therefore, when the tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer exceeds 50% by mass, the etching rate with respect to the copper etching solution becomes too slow, so at the time of various etching treatments performed before the formation of the wiring pattern, the electrolytic copper-tin alloy It becomes difficult to dissolve and remove the layer. In particular, as shown in Fig. 1, when the tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer exceeds 70% by mass, the etching rate of the electrolytic copper-tin alloy foil with respect to the copper etching solution becomes 0 µm, so the general copper The etchant cannot remove the electrolytic copper-tin alloy layer from the surface of the copper foil. In these cases, it is necessary to separately provide an etching process for removing the electrolytic copper-tin alloy layer, which is not preferable. It is preferable that it is 45 mass % or less, as for the tin content in the said viewpoint to an electrolytic-copper-tin alloy layer, It is more preferable that it is 40 mass % or less, It is more preferable that it is 35 mass % or less. At this time, when the etching rate of the electrolytic copper foil with respect to copper etching liquid is 100, the etching rate of electrolytic copper- tin alloy foil is 4 (tin content: 45 mass %), respectively 13 (tin content: 40 mass %), 25 (tin content: 35 mass %). For this reason, by making tin content in an electrolytic-copper-tin alloy layer into said preferable range, it becomes easy to remove an electrolytic-copper-tin alloy layer in various etching processes performed before the said wiring pattern formation.

한편, 주석 함유량이 25질량% 미만이 되는 경우, 구리 에칭액에 대한 전해 구리-주석 합금 박의 에칭 속도가 주석을 함유하지 않는 구리 박의 에칭 속도보다도 빨라지기 때문에, 에칭 레지스트로서 기능시키기 위해서는, 전해 구리-주석 합금층의 두께를 두껍게 할 필요가 있고, 에칭에 의해 제거되는 구리량이 증가하기 때문에, 경제적으로 바람직하지 않다. 단, 도 1에 도시하는 에칭 속도는, 주석 함유량(질량%)의 다른 전해 구리-주석 합금 박(두께:3㎛)을 제작하여, 각 전해 구리-주석 합금 박을 황산-과산화수소계 에칭액에 30초간 침지하여, 수세, 건조한 후, 단면 관찰에 의해 두께를 측정하고, 에칭에 의해 감소한 두께에 기초해서 구한 단위 시간당의 에칭량(㎛)으로서 구한 값이다. 또한, 여기에서 말하는 주석 함유량은, 이하와 같은 방법으로 측정할 수 있다. 「구리 박/전해 구리-주석 합금층」의 층 구성을 구비하는 레이저 가공용 구리 박인 경우, 시료가 되는 레이저 가공용 구리 박을 전체 용해한 용액을, ICP분석법, 형광 X선 장치, 적정 정량법 등을 사용해서 전체 구리 함유량을 측정하고, 이 전체 구리 함유량으로부터 「구리 박의 단면 두께로부터 환산한 구리량」을 차감함으로써 산출한 「전해 구리-주석 합금층에 포함되는 구리량」과 「전체 용해액 중의 주석 함유량」으로부터 주석 함유량(질량%)을 산출할 수 있다. 또한, 미리 단면 관찰 등에 의해 구리 박의 두께를 알고 있는 경우에는, 형광 X선 막 두께 측정기를 사용하고, 2층 박으로서 정의한 박의 조성 분석을 행하여, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량(질량%)을 산출할 수 있다. On the other hand, when the tin content is less than 25% by mass, the etching rate of the electrolytic copper-tin alloy foil with respect to the copper etching solution becomes faster than the etching rate of the copper foil containing no tin. Since it is necessary to increase the thickness of the copper-tin alloy layer and the amount of copper removed by etching increases, it is not economically preferable. However, the etching rate shown in FIG. 1 produces another electrolytic copper-tin alloy foil (thickness: 3 µm) having a tin content (mass%), and each electrolytic copper-tin alloy foil is dissolved in a sulfuric acid-hydrogen peroxide-based etchant for 30 It is a value calculated|required as the amount of etching per unit time (micrometer) calculated|required based on the thickness which was immersed for a second, washed with water, and dried, the thickness was measured by cross-sectional observation, and was calculated|required based on the thickness reduced by etching. In addition, tin content here can be measured by the following method. In the case of a copper foil for laser processing having a layer structure of "copper foil / electrolytic copper-tin alloy layer", a solution in which the entire copper foil for laser processing as a sample is dissolved, ICP analysis method, fluorescence X-ray apparatus, titration method, etc. "The amount of copper contained in the electrolytic copper-tin alloy layer" and "tin content in the total solution" calculated by measuring total copper content and subtracting "the amount of copper converted from the cross-sectional thickness of copper foil" from this total copper content ', the tin content (mass %) can be calculated. In addition, when the thickness of copper foil is known beforehand by cross-sectional observation etc., composition analysis of the foil defined as two-layer foil is performed using a fluorescent X-ray film thickness meter, and tin content (mass) in an electrolytic copper-tin alloy layer %) can be calculated.

(3) 전해 구리-주석 합금층의 두께 (3) the thickness of the electrolytic copper-tin alloy layer

전해 구리-주석 합금층의 두께는, 당해 레이저 가공용 구리 박의 두께 및 용도에 따라 적당하고, 적절한 값으로 할 수 있다. 그러나, 당해 전해 구리-주석 합금층을 배선 패턴 형성 전의 적절한 단계에서 에칭에 의해 용해 제거하는 것 등을 고려하면, 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 한편, 당해 전해 구리-주석 합금층의 두께가 0.1㎛ 미만이 되면, 레이저광의 흡수율을 향상시킨다고 하는 목적을 달성하는 것이 곤란해짐과 함께, 배선 패턴 형성 전에 행해지는 각종 에칭 처리에 있어서 당해 전해 구리-주석 합금층을 구리 박의 에칭 레지스트로서 충분히 기능시킬 수 없게 되는 경우가 있다. 따라서, 당해 관점에서 전해 구리-주석 합금층의 두께는, 0.3㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 전술한 바와 같이, 구리 에칭액에 대한 에칭 속도는 당해 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량에 따라 변화하기 때문에, 당해 전해 구리-주석 합금층의 두께는 그 주석 함유량에 따라, 적당하고, 적절한 값으로 하는 것이 바람직하다. The thickness of an electrolytic-copper-tin alloy layer is suitable according to the thickness and use of the said copper foil for laser processing, and can be made into an appropriate value. However, considering that the electrolytic copper-tin alloy layer is dissolved and removed by etching at an appropriate stage before wiring pattern formation, it is preferably 3 µm or less, and more preferably 2 µm or less. On the other hand, when the thickness of the electrolytic copper-tin alloy layer is less than 0.1 µm, it becomes difficult to achieve the objective of improving the absorption rate of laser light, and in the various etching treatments performed before wiring pattern formation, the electrolytic copper- It may become impossible to make a tin alloy layer fully function as an etching resist of copper foil. Therefore, from the said viewpoint, it is preferable that it is 0.3 micrometer or more, and, as for the thickness of an electrolytic-copper-tin alloy layer, it is more preferable that it is 0.5 micrometer or more. In addition, as described above, since the etching rate with respect to the copper etching solution changes with the tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer, the thickness of the electrolytic copper-tin alloy layer is appropriate depending on the tin content, and It is preferable to set it as a value.

(4) 구리 에칭액 (4) copper etchant

본건 발명에 있어서, 구리 에칭액으로서는, 구리에 대한 에칭액으로서 일반적으로 사용되고 있는 에칭액이라면, 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있다. 예를 들어, 염화동계 에칭액, 염화철계 에칭액, 황산-과산화수소수계 에칭액, 과황산나트륨계 에칭액, 과황산암모늄계 에칭액, 과황산칼륨계 에칭액 등, 각종 구리 에칭액을 사용할 수 있다. In this invention, if it is an etching liquid generally used as an etching liquid with respect to copper as a copper etching liquid, it can use without specifically limiting. For example, various copper etching liquids, such as a copper chloride type etching liquid, an iron chloride type etching liquid, a sulfuric acid-hydrogen peroxide type etching liquid, a sodium persulfate type etching liquid, an ammonium persulfate type etching liquid, a potassium persulfate type etching liquid, can be used.

1-2. 구리 박 1-2. copper foil

이어서, 구리 박에 대해서 설명한다. 본건 발명에 있어서, 구리 박이란 구리의 함유량이 99질량% 이상인 금속박을 말하고, 불가피 불순물을 제거하여 주석을 함유하지 않는 주석 비함유 구리 박을 가리킨다. 당해 구리 박은, 전해 구리 박 및 압연 구리 박 중 어느 것이어도 된다. 그러나, 경제성 및 생산 효율을 고려하면, 전해 구리 박인 것이 보다 바람직하다. Next, copper foil is demonstrated. In this invention, copper foil means the metal foil whose copper content is 99 mass % or more, removes an unavoidable impurity, and points out the tin non-containing copper foil which does not contain a tin. Any of an electrolytic copper foil and a rolled copper foil may be sufficient as the said copper foil. However, when economical efficiency and production efficiency are considered, it is more preferable that it is an electrolytic copper foil.

당해 구리 박은, 다층 프린트 배선판을 제조할 때에, 절연층 구성 재료에 접착되어 시드층의 일부 등을 구성하는 층이다. 당해 구리 박의 두께는, 일반 프린트 배선판 재료로서 시판되어 있는 구리 박과 동일한 두께로 할 수 있다. 그러나, 예를 들어 MSAP법이나 서브 트랙티브법 등의 에칭 공정을 포함하는 방법에 의해 배선 패턴을 형성하는 경우, 보다 양호한 에칭 팩터를 얻는다고 하는 관점에서, 당해 구리 박은 얇은 쪽이 바람직하고, 7㎛ 이하인 것이 바람직하다. 특히, 당해 레이저 가공용 구리 박을 사용해서 MSAP법에 의해 배선 패턴을 형성하는 경우에는, 보다 미세한 배선 패턴을 양호한 에칭 팩터로 형성한다고 하는 관점에서, 당해 구리 박의 두께는 3㎛ 이하의 극박 전해 구리 박인 것이 보다 바람직하고, 2㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 단, 당해 구리 박의 두께가 7㎛ 이하인 경우에는, 핸들링 시에 주름, 균열 등의 문제를 야기하지 않도록 후술하는 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. The said copper foil is a layer which adhere|attaches to an insulating layer constituent material, and comprises a part of a seed layer, etc., when manufacturing a multilayer printed wiring board. The thickness of the said copper foil can be made into the same thickness as the copper foil marketed as a general printed wiring board material. However, for example, when forming a wiring pattern by a method including an etching process such as the MSAP method or the subtractive method, from the viewpoint of obtaining a better etching factor, the copper foil is preferably thinner and 7 µm It is preferable that it is below. In particular, when forming a wiring pattern by the MSAP method using the said copper foil for laser processing, from a viewpoint of forming a finer wiring pattern with a favorable etching factor, the thickness of the said copper foil is 3 micrometers or less ultra-thin electrolytic copper It is more preferable that it is foil, and it is still more preferable that it is 2 micrometers or less. However, when the thickness of the said copper foil is 7 micrometers or less, it is preferable to use in the form of the copper foil for laser processing with carrier foil mentioned later so as not to cause problems, such as wrinkles and cracks, at the time of handling.

또한, 에칭 팩터를 양호하게 한다라고 하는 관점에서, 당해 구리 박의 층간 절연층에 접착되는 측의 면, 즉 전해 구리-주석 합금층이 형성되는 면과 반대측의 면(이하, 접착면)은 평활한 것이 바람직하다. 구체적으로는, 당해 접착면의 표면 거칠기(Rzjis)는, 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 단, 당해 구리 박의 접착면에 다음에 설명하는 조화 처리층이 형성되는 경우, 당해 접착면의 표면 거칠기란, 조화 처리층을 형성한 후의 접착면의 표면 거칠기를 가리킨다. In addition, from the viewpoint of improving the etching factor, the surface on the side to be adhered to the interlayer insulating layer of the copper foil, that is, the surface on the opposite side to the surface on which the electrolytic copper-tin alloy layer is formed (hereinafter referred to as the adhesive surface) is smooth it is preferable to do Specifically, it is preferable that it is 3 micrometers or less, and, as for the surface roughness (Rzjis) of the said bonding surface, it is more preferable that it is 2 micrometers or less. However, when the roughening process layer demonstrated next is formed in the adhesive surface of the said copper foil, the surface roughness of the said adhesive surface points out the surface roughness of the adhesive surface after forming a roughening process layer.

1-3. 조화 처리층 1-3. harmonic treatment layer

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 구리 박의 접착면, 즉, 상기 전해 구리-주석 합금층이 형성되는 면과는 반대측의 면에 조화 처리층이 형성되어 있어도 된다. 구리 박의 접착면에 조화 처리층을 형성함으로써, 구리 박과 절연층의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 조화 처리층은, 구리 박의 표면(접착면)에 미세 금속 입자를 부착 형성시키는 방법, 에칭법으로 조화 표면을 형성하는 방법 등에 의해 형성할 수 있다. 조화 처리층을 형성하기 위한 방법은, 구리 박과 절연층의 밀착성을 물리적으로 향상시킬 수 있으면 어떤 방법으로 행해도 되고, 종래 공지의 조화 처리에 관한 다양한 방법을 채용할 수 있다. The copper foil for laser processing which concerns on this invention WHEREIN: The roughening process layer may be formed in the surface on the opposite side to the adhesive surface of copper foil, ie, the surface in which the said electrolytic-copper-tin alloy layer is formed. By providing a roughening process layer in the adhesive surface of copper foil, the adhesiveness of copper foil and an insulating layer can be improved. A roughening process layer can be formed by the method of making a fine metal particle adhere to the surface (adhesion surface) of copper foil, the method of forming a roughening surface by an etching method, etc. As long as the adhesiveness of copper foil and an insulating layer can be physically improved, the method for forming a roughening process layer may be performed by any method, and various methods regarding a conventionally well-known roughening process can be employ|adopted.

1-4. 프라이머 수지층 1-4. Primer resin layer

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 구리 박의 상기 접착면에, 프라이머 수지층이 형성되어 있어도 된다. 본건 발명에 있어서, 프라이머 수지층이란, 구리 박과 절연층 구성 재료의 양쪽에 대하여 양호한 밀착성을 갖는 접착제층이다. 예를 들어, 프라이머 수지층으로서, 에폭시 수지, 방향족 폴리아미드 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 층으로 할 수 있다. 당해 프라이머 수지층을 구리 박의 접착면에 형성함으로써, 구리 박을 절연층 구성 재료와 양호하게 밀착시킬 수 있다. The copper foil for laser processing which concerns on this invention WHEREIN: The primer resin layer may be formed in the said adhesive surface of copper foil. In this invention, a primer resin layer is an adhesive bond layer which has favorable adhesiveness with respect to both copper foil and an insulating layer constituent material. For example, as a primer resin layer, it can be set as the layer which consists of a resin composition containing an epoxy resin and an aromatic polyamide resin. By forming the said primer resin layer on the adhesive surface of copper foil, copper foil can be made to closely_contact|adhere to an insulating layer constituent material favorably.

프라이머 수지층의 두께는, 구리 박과 절연층 구성 재료의 밀착성을 향상시킬 수 있으면, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 예를 들어 0.5㎛ 이상 10㎛ 이하의 범위 내로 할 수 있다. 또한, 구리 박의 접착면에 조화 처리층과 프라이머 수지층이 동시에 형성되어 있어도 된다. The thickness of the primer resin layer is not particularly limited as long as the adhesiveness between the copper foil and the insulating layer constituent material can be improved, but for example, it can be in the range of 0.5 µm or more and 10 µm or less. Moreover, the roughening process layer and the primer resin layer may be formed simultaneously in the adhesive surface of copper foil.

1-5. 레이저 가공용 구리 박의 제조 방법 1-5. Manufacturing method of copper foil for laser processing

본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 난용성 레이저 흡수층이 상술한 전해 구리-주석 합금층인 경우, 예를 들어 구리 이온과 주석 이온을 포함하는 전해액을 사용하고, 상기 구리 박 상에 전해 도금법에 의해 주석 함유량이 25질량% 이상 50질량% 이하인 전해 구리-주석 합금층을 적층한 레이저 가공용 구리 박을 얻을 수 있으면, 그 제조 방법은 특별히 한정되는 것이 아니다. 또한, 구리 박의 접착면에는 상술한 조화 처리층, 프라이머 수지층 외에, 방청 처리층, 실란 커플링 처리층 등, 필요에 따라 각종 표면 처리 층을 형성해도 되는 것은 물론이다. In the copper foil for laser processing according to the present invention, when the sparingly soluble laser absorption layer is the above-mentioned electrolytic copper-tin alloy layer, for example, an electrolytic solution containing copper ions and tin ions is used, and the electrolytic plating method on the copper foil The manufacturing method will not be specifically limited if tin content can obtain the copper foil for laser processing which laminated|stacked the electrolytic-copper-tin alloy layer whose tin content is 25 mass % or more and 50 mass % or less. In addition, it goes without saying that you may provide various surface treatment layers as needed, such as a rust prevention process layer and a silane coupling process layer, in the adhesive surface of copper foil other than the roughening process layer and primer resin layer mentioned above.

2. 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박 2. Copper foil for laser processing with carrier foil

이어서, 본건 발명에 관한 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박(이하, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박)에 대해서 설명한다. 당해 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박은, 상기 레이저 가공용 구리 박의 난용성 레이저 흡수층 상에 캐리어 박을 박리 가능하게 구비한 것이며, 캐리어 박/박리층/레이저 가공용 구리 박(난용성 레이저 흡수층/구리 박)과 같이 각 층이 적층된 것이다. 당해 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 캐리어 박에 관한 구성 이외는, 상술한 레이저 가공용 구리 박과 동일한 구성을 채용할 수 있기 때문에, 여기서는 캐리어 박에 관한 구성에 대해서만 설명한다. Next, the copper foil for laser processing with carrier foil (henceforth copper foil for laser processing with carrier foil) which concerns on this invention is demonstrated. The copper foil for laser processing with carrier foil is provided so that carrier foil is peelable on the sparingly-soluble laser absorption layer of the copper foil for laser processing, carrier foil / peeling layer / copper foil for laser processing (slightly soluble laser absorption layer / copper foil) Each layer is stacked as shown. The said copper foil for laser processing with carrier foil WHEREIN: Since the structure similar to the copper foil for laser processing mentioned above except the structure regarding carrier foil is employable, only the structure regarding carrier foil is demonstrated here.

2-1. 캐리어 박 2-1. carrier foil

캐리어 박은, 레이저 가공용 구리 박에 박리 가능하게 설치된 금속박이며, 레이저 가공용 구리 박이 상술한 바와 같이 7㎛ 이하인 두께의 극박 구리 박인 경우, 캐리어 박에 의해 레이저 가공용 구리 박을 지지함으로써, 주름이나 균열 등을 방지하여, 그 핸들링성을 향상시킬 수 있다. 캐리어 박을 구성하는 재료는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 캐리어 박 상에 박리 층을 개재하여 전석에 의해, 상기 전해 구리-주석 합금층 및 구리 박을 형성 가능하게 하기 위해서, 도전성을 갖는 금속 재료인 것이 바람직하다. 예를 들어, 구리 박, 구리 합금 박, 알루미늄 박, 알루미늄 박의 표면에 구리 혹은 아연 등의 금속 도금층이 형성된 복합 박, 스테인리스 박, 표면을 메탈 코팅한 수지 필름 등을 사용할 수 있다. 이들 재료 중에서도, 구리 박을 캐리어 박으로서 적절하게 사용할 수 있다. 구리 박을 캐리어 박으로서 사용함으로써, 레이저 가공용 구리 박으로부터 캐리어 박을 박리한 후, 이것을 구리 원료로서 재이용할 수 있기 때문에, 자원 보전의 관점에서 바람직하다. Carrier foil is a metal foil provided so as to be peelable on the copper foil for laser processing, and when the copper foil for laser processing is an ultra-thin copper foil with a thickness of 7 µm or less as described above, by supporting the copper foil for laser processing with a carrier foil, wrinkles and cracks, etc. By preventing it, its handling property can be improved. The material constituting the carrier foil is not particularly limited, but in order to enable the formation of the electrolytic copper-tin alloy layer and the copper foil by electrodeposition on the carrier foil with a release layer interposed therebetween, it is a metallic material having conductivity it is preferable For example, copper foil, copper alloy foil, aluminum foil, composite foil in which a metal plating layer such as copper or zinc is formed on the surface of the aluminum foil, stainless foil, a resin film having a metal coating on the surface, etc. can be used. Among these materials, copper foil can be suitably used as carrier foil. After peeling carrier foil from the copper foil for laser processing by using copper foil as carrier foil, since this can be reused as a copper raw material, it is preferable from a viewpoint of resource conservation.

캐리어 박의 두께는, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 예를 들어 5㎛ 이상 100㎛ 이하로 할 수 있다. 캐리어 박의 두께가 5㎛ 미만인 경우, 캐리어 박의 두께가 얇아, 7㎛ 이하의 두께의 극박 레이저 가공용 구리 박의 핸들링성을 향상시킨다고 하는 캐리어 박 본래의 목적을 달성할 수 없어, 바람직하지 않다. 또한, 자원 보전의 관점 등에서, 캐리어 박의 두께는 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 35㎛ 이하의 두께에서도 적용 가능하다. Although the thickness of carrier foil is not specifically limited, For example, it can be 5 micrometers or more and 100 micrometers or less. When the thickness of carrier foil is less than 5 micrometers, the thickness of carrier foil is thin, and the original objective of carrier foil of improving the handling property of the copper foil for ultra-thin laser processing of 7 micrometers or less cannot be achieved, and it is not preferable. In addition, from a viewpoint of resource conservation etc., it is preferable that the thickness of carrier foil is 100 micrometers or less, and it is applicable also in the thickness of 35 micrometers or less.

2-2. 박리층 2-2. release layer

당해 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박은, 소위 필러블 타입의 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박이다. 박리층에는, 캐리어 박을 레이저 가공용 구리 박에 대하여 수작업으로 간이하게 박리 가능하게 함과 함께, 캐리어 박이 박리될 때까지의 동안은 캐리어 박과 레이저 가공용 구리 박에 적절한 밀착 강도로 밀착시키는 것이 요구된다. 이러한 박리층으로서, 예를 들어 무기제로 구성되는 무기 박리층, 유기제로 구성되는 유기 박리층을 들 수 있다. The said copper foil for laser processing with carrier foil is a so-called peelable type copper foil for laser processing with carrier foil. In the peeling layer, while enabling the carrier foil to be easily peeled by hand with respect to the copper foil for laser processing, it is required to adhere to the carrier foil and the copper foil for laser processing with an appropriate adhesion strength until the carrier foil is peeled off. . As such a peeling layer, the inorganic peeling layer comprised from an inorganic material, and the organic peeling layer comprised from an organic agent are mentioned, for example.

(1) 무기 박리층 (1) inorganic release layer

무기 박리층을 구성하는 무기제로서, 예를 들어 크롬, 니켈, 몰리브덴, 탄탈륨, 바나듐, 텅스텐, 코발트 및 이들 산화물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. As the inorganic agent constituting the inorganic release layer, for example, one or two or more selected from chromium, nickel, molybdenum, tantalum, vanadium, tungsten, cobalt, and oxides thereof can be used.

(2) 유기 박리층 (2) organic release layer

유기 박리층을 구성하는 유기제로서, 예를 들어 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물, 카르복실산 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 박리층은 무기 박리층 및 유기 박리층 중 어느 것이어도 되지만, 캐리어 박의 박리 특성이 안정된다고 하는 관점에서 유기 박리층인 것이 바람직하다. As the organic agent constituting the organic release layer, for example, one selected from a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound, and a carboxylic acid, or two or more of them can be used in combination. Although any of an inorganic peeling layer and an organic peeling layer may be sufficient as a peeling layer, it is preferable that it is an organic peeling layer from a viewpoint that the peeling characteristic of carrier foil is stable.

질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물, 카르복실산으로서 보다 구체적으로는, 이하의 화합물을 채용하는 것이 바람직하다. 질소 함유 화합물로서, 예를 들어, 오르토트리아졸류, 아미노트리아졸류, 이미다졸류, 이들의 염, 혹은 유도체 등을 들 수 있다. 특히, 오르토트리아졸류인 카르복시벤조트리아졸, 아미노트리아졸류인 3-아미노-1H-1, 2, 4-트리아졸, 트리아졸 유도체인 N', N'-비스(벤조트리아졸릴메틸)우레아를 들 수 있다. 이들 중 어느 1종 이상을 사용해서 질소 함유 화합물로 구성되는 유기 박리층을 형성할 수 있다. More specifically, the following compounds are preferably employed as the nitrogen-containing organic compound, the sulfur-containing organic compound, and the carboxylic acid. Examples of the nitrogen-containing compound include orthotriazoles, aminotriazoles, imidazoles, salts thereof, or derivatives thereof. In particular, carboxybenzotriazole as orthotriazoles, 3-amino-1H-1, 2,4-triazole as aminotriazoles, and N' and N'-bis(benzotriazolylmethyl)urea as triazole derivatives are mentioned. can Any one or more of these can be used to form an organic release layer composed of a nitrogen-containing compound.

황 함유 화합물로서, 예를 들어, 티아졸, 머캅토벤조티아졸, 디벤조아질디설피드, 머캅토벤조티아졸의 시클로헥실아민염, 머캅토벤조티아졸의 디시클로헥실아민염, 티오시아누르산 및 2-벤즈이미다졸티올 등을 들 수 있다. 황 함유 화합물을 사용해서 유기 박리층을 형성하는 경우는, 이들 중에서도, 특히, 머캅토벤조티아졸 및 티오시아누르산을 사용하는 것이 바람직하다. As the sulfur-containing compound, for example, thiazole, mercaptobenzothiazole, dibenzoazyldisulfide, cyclohexylamine salt of mercaptobenzothiazole, dicyclohexylamine salt of mercaptobenzothiazole, thiocyanur acid and 2-benzimidazolethiol; and the like. When forming an organic peeling layer using a sulfur-containing compound, it is especially preferable to use mercaptobenzothiazole and thiocyanuric acid among these.

카르복실산류로서, 예를 들어 고분자량 카르복실산을 들 수 있다. 고분자량 카르복실산 중에서도, 특히, 장쇄 탄화 수소의 모노카르복실산인 지방산을 사용하는 것이 바람직하다. 지방산은 포화 지방산이어도 되지만, 특히, 올레산, 리놀렌 산 등의 불포화 지방산을 사용하는 것이 바람직하다. As carboxylic acids, high molecular weight carboxylic acid is mentioned, for example. It is especially preferable to use the fatty acid which is a monocarboxylic acid of a long-chain hydrocarbon among high molecular weight carboxylic acids. Although the fatty acid may be a saturated fatty acid, it is especially preferable to use unsaturated fatty acids, such as an oleic acid and a linolenic acid.

(3) 박리층의 두께 (3) thickness of release layer

박리층의 두께는, 100nm 이하인 것이 바람직하고, 50nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 소위 필러블 타입의 캐리어 박 구비 구리 박에서는, 일반적으로, 캐리어 박의 표면에 박리층을 형성하고, 전해 등의 방법에 의해, 박리 층을 개재하여 캐리어 박 상에 구리를 석출시켜서 전해 구리 박을 형성한다. 이때, 박리층의 두께가 100nm를 초과하면, 특히 유기계 박리층인 경우, 당해 박리층 상에 전해 구리 박을 형성하는 것이 곤란해진다. 또한, 이것과 동시에, 캐리어 박과 전해 구리 박의 밀착 강도가 저하된다. 따라서, 박리층의 두께는 100nm 이하인 것이 바람직하다. 균일한 두께의 박리층을 형성할 수 있으면, 박리층의 두께의 하한값은 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 1nm 미만이 되면, 균일한 두께로 박리층을 형성하는 것이 곤란해지고, 두께에 편차가 발생하게 된다. 이로 인해, 박리층의 두께는 1nm 이상인 것이 바람직하고, 2nm 이상인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 100 nm or less, and, as for the thickness of a peeling layer, it is more preferable that it is 50 nm or less. In a so-called peelable type copper foil with carrier foil, in general, a release layer is formed on the surface of the carrier foil, and copper is deposited on the carrier foil through the release layer by an electrolysis or the like method to form an electrolytic copper foil. to form At this time, when the thickness of a peeling layer exceeds 100 nm, in the case of an organic type peeling layer, it will become difficult to form an electrolytic copper foil on the said peeling layer. Moreover, simultaneously with this, the adhesive strength of carrier foil and electrolytic-copper foil falls. Therefore, the thickness of the release layer is preferably 100 nm or less. The lower limit of the thickness of the release layer is not particularly limited as long as a release layer having a uniform thickness can be formed. However, when the thickness is less than 1 nm, it becomes difficult to form a peeling layer with a uniform thickness, and a deviation occurs in the thickness. For this reason, it is preferable that it is 1 nm or more, and, as for the thickness of a peeling layer, it is more preferable that it is 2 nm or more.

2-3. 내열 금속층 2-3. heat-resistant metal layer

당해 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박은, 캐리어 박과 박리층 사이, 혹은, 박리층과 레이저 가공용 구리 박의 전해 구리-주석 합금층 사이에 내열 금속층을 형성하고, 캐리어 박/내열 금속층/박리층/레이저 가공용 구리 박의 층 구성, 혹은, 캐리어 박/박리층/내열 금속층/레이저 가공용 구리 박의 층 구성으로 하는 것도 바람직하다. The copper foil for laser processing with carrier foil forms a heat-resistant metal layer between the carrier foil and the peeling layer, or between the peeling layer and the electrolytic copper-tin alloy layer of the copper foil for laser processing, carrier foil / heat-resistant metal layer / peeling layer / laser It is also preferable to set it as the laminated constitution of the copper foil for a process or the laminated constitution of carrier foil / peeling layer / heat-resistant metal layer / copper foil for a laser process.

2-4. 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 제조 방법 2-4. Manufacturing method of copper foil for laser processing with carrier foil

캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 제조 방법은 특별히 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 캐리어 박의 표면에 박리층을 형성한 후, 박리 층을 개재하여 캐리어 박 상에 상기 전해 구리-주석 합금층, 구리 박을 전해 석출시키는 등, 상기 구성의 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박을 얻을 수 있으면 어떤 방법으로 제조해도 된다. The manufacturing method of the copper foil for laser processing with carrier foil is not specifically limited. For example, after forming a peeling layer on the surface of carrier foil, the said electrolytic copper-tin alloy layer and copper foil are electrolytically deposited on the carrier foil through a peeling layer, copper for laser processing with carrier foil of the said structure, etc. As long as foil can be obtained, you may manufacture it by any method.

2-5. 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 전해 구리-주석 합금층의 주석 함유량의 측정 방법 2-5. Method for measuring tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer of copper foil for laser processing with carrier foil

캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 경우, 「캐리어 박/박리층/전해 구리-주석 합금층/구리 박」의 층 구성을 구비하고 있다. 따라서, 전해 구리-주석 합금층의 주석 함유량의 측정을 행하기 위해서는, 이하와 같은 방법을 채용하는 것이 바람직하다. 본건 출원에 관한 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 경우, 캐리어 박을 박리하면 「박리층/전해 구리-주석 합금층/구리 박」의 층 구성이 된다. 그리고, 이때의 박리층은, 상술한 성분으로 구성되어 있기 때문에, 전해 구리-주석 합금층의 주석 함유량의 측정에 영향을 미치는 것이 아니다. 따라서, 「박리층/전해 구리-주석 합금층/구리 박」의 층 구성의 시료를 전체 용해한 용액을, ICP 분석법, 형광 X선 장치, 적정 정량법 등을 사용해서 전체 구리 함유량을 측정하고, 이 전체 구리 함유량으로부터 「구리 박의 단면 두께로부터 환산한 구리량」을 차감함으로써 산출한 「전해 구리-주석 합금층에 포함되는 구리량」과 「용해액 중의 주석 함유량」으로부터 주석 함유량(질량%)을 산출할 수 있다. 또한, 미리 단면 관찰 등에 의해 구리 박의 두께를 알고 있는 경우에는, 형광 X선 막 두께 측정기를 사용하고, 2층 박으로서 정의한 박의 조성 분석을 행하여, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량(질량%)을 산출할 수 있다. In the case of the copper foil for laser processing with carrier foil, the laminated constitution of "carrier foil / peeling layer / electrolytic copper- tin alloy layer / copper foil" is provided. Therefore, in order to measure the tin content of an electrolytic-copper-tin alloy layer, it is preferable to employ|adopt the following methods. In the case of the copper foil for laser processing with carrier foil which concerns on this application, when carrier foil is peeled, it will become the laminated constitution of "a peeling layer/electrolytic copper-tin alloy layer/copper foil." In addition, since the peeling layer at this time is comprised from the component mentioned above, it does not affect the measurement of the tin content of an electrolytic-copper-tin alloy layer. Therefore, the total copper content is measured using the ICP analysis method, the fluorescence X-ray apparatus, the titration method, etc. for the solution in which all the samples of the layer constitution of "exfoliation layer / electrolytic copper-tin alloy layer / copper foil" are dissolved, and this whole Tin content (mass %) is computed from "the amount of copper contained in the electrolytic copper-tin alloy layer" and "tin content in solution" computed by subtracting "the amount of copper converted from the cross-sectional thickness of copper foil" from copper content can do. In addition, when the thickness of copper foil is known beforehand by cross-sectional observation etc., composition analysis of the foil defined as two-layer foil is performed using a fluorescent X-ray film thickness meter, and tin content (mass) in an electrolytic copper-tin alloy layer %) can be calculated.

3. 구리클래드 적층체 3. Copper clad laminate

이어서, 본건 발명에 관한 구리클래드 적층체에 대해서 설명한다. 본건 발명에 관한 구리클래드 적층체는, 상기 난용성 레이저 흡수층이 상기 적외선 레이저광이 조사되는 측에 배치되도록, 상기 레이저 가공용 구리 박과, 절연층 구성 재료가 적층된 것을 특징으로 한다. 즉, 본건 발명에 관한 구리클래드 적층체는, 절연층 구성 재료와 상기 레이저 가공용 구리 박이 적층되어 있고, 절연층 구성 재료/구리 박/난용성 레이저 흡수층(전해 구리-주석 합금층)의 순서대로 적층된 층 구성을 갖는 적층체라면 어떤 것이어도 된다. 또한, 당해 구리클래드 적층체를 얻을 수 있으면, 그 제조 방법에 특별히 한정은 없다. 예를 들어, 소위 B 스테이지의 절연 수지 기재 또는 절연 수지층에 상기 레이저 가공용 구리 박 또는 캐리어 박 구비 구리 박의 구리 박측을 적층하고, 가열 가압함으로써 절연 수지 기재 또는 절연 수지층 상에 레이저 가공용 구리 박이 적층된 구리클래드 적층체를 얻을 수 있다. 또한, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박을 사용한 경우에는, 캐리어 박을 적절한 단계에서 제거하면 된다. Next, the copper clad laminated body which concerns on this invention is demonstrated. The copper clad laminate according to the present invention is characterized in that the copper foil for laser processing and the insulating layer constituent material are laminated so that the sparingly soluble laser absorbing layer is disposed on the side to which the infrared laser beam is irradiated. That is, in the copper clad laminate according to the present invention, an insulating layer constituent material and the above-mentioned copper foil for laser processing are laminated, and the insulating layer constituent material/copper foil/slightly soluble laser absorption layer (electrolytic copper-tin alloy layer) are laminated in this order. Any laminate may be used as long as it has a laminated structure. In addition, as long as the said copper clad laminated body can be obtained, there will be no limitation in particular in the manufacturing method. For example, by laminating the copper foil side of the copper foil for laser processing or copper foil with carrier foil on the so-called B-stage insulating resin substrate or insulating resin layer, and heating and pressing, the copper foil for laser processing is formed on the insulating resin substrate or insulating resin layer. A laminated copper clad laminate can be obtained. In addition, when the copper foil for laser processing with carrier foil is used, what is necessary is just to remove carrier foil at an appropriate stage.

4. 프린트 배선판의 제조 방법 4. Manufacturing method of printed wiring board

이어서, 본건 발명에 관한 프린트 배선판의 제조 방법을 설명한다. 여기에서는, 도 2를 참조하면서, 본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박(10)을 사용하고, MSAP 법에 의해 배선 패턴을 형성하는 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 여기에서 사용하는 레이저 가공용 구리 박(10)은, 프라이머 수지층(11)/구리 박(전해 구리 박층)(12)/전해 구리-주석 합금층(13)(난용성 레이저 흡수층)의 층 구성을 구비하는 것으로 하고, 구리 박(12)의 접착면에는 조화 처리층은 형성되어 있지 않은 것으로 한다. 또한, 이하에 있어서는, 배선층이 절연층을 개재해서 3층 이상 적층한 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 단, 본건 발명에 관한 프린트 배선판의 제조 방법은 다층 프린트 배선판의 제조 방법에 한정되는 것이 아니며, 양면 프린트 배선판을 제조할 때에도 적용 가능하다. Next, the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention is demonstrated. Here, referring to FIG. 2, using the copper foil 10 for laser processing which concerns on this invention, the case where a wiring pattern is formed by the MSAP method is mentioned as an example and demonstrated. In addition, the copper foil 10 for laser processing used here is a layer of primer resin layer 11/copper foil (electrolytic copper thin layer) 12/electrolytic copper-tin alloy layer 13 (slightly soluble laser absorption layer) It shall be provided with a structure, and the roughening process layer shall not be formed in the adhesive surface of the copper foil 12. In addition, below, the method of manufacturing the multilayer printed wiring board in which the wiring layer laminated|stacked 3 or more layers through the insulating layer is demonstrated. However, the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention is not limited to the manufacturing method of a multilayer printed wiring board, It is applicable also when manufacturing a double-sided printed wiring board.

먼저, 내층 회로(30)(다른 도체층) 상에 소위 B 스테이지의 절연층 구성 재료(20)을 개재하고, 접착면에 상기 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박(10)의 접착면측을 적층한다. 그리고, 가열 가압함으로써, 절연층 구성 재료(20)와 내층 회로(30) 및 레이저 가공용 구리 박(10)을 각각 밀착시킴으로써, 도 2의 (a)에 나타내는 적층체가 얻어진다. First, the so-called B-stage insulating layer constituent material 20 is interposed on the inner circuit 30 (another conductor layer), and the adhesive surface side of the copper foil 10 for laser processing with carrier foil is laminated on the adhesive surface. And the laminated body shown to Fig.2 (a) is obtained by making the insulating layer constituent material 20, the inner-layer circuit 30, and the copper foil 10 for laser processing each closely_contact|adhere by heating and pressurizing, respectively.

이어서, 최외층이 되는 전해 구리-주석 합금층(13)의 표면에 탄산 가스 레이저 등에 의해 적외선 레이저광을 직접 조사하고, 내층 회로(30)의 도체 패턴부(30a)를 저부로 하는 마이크로 비아 홀(40)을 형성한다[도 2의 (b) 참조]. Then, the surface of the electrolytic copper-tin alloy layer 13 serving as the outermost layer is directly irradiated with infrared laser light by a carbon dioxide laser or the like, and a microvia hole having the conductor pattern portion 30a of the inner circuit 30 as the bottom portion. (40) is formed (see Fig. 2 (b)).

마이크로 비아 홀(40)을 형성한 후, 디스미어 액을 사용해서 마이크로 비아 홀(40)의 저부에 잔존하는 스미어를 제거하는 디스미어 공정을 행한다[도 2의 (c) 참조). 디스미어 공정에서는, 적층체(100)를 팽윤 액에 침지한 후, 소위 디스미어 액(예를 들어, 알칼리성 과망간산 수용액 등)에 침지하여, 스미어를 제거한 후, 중화액(환원제)에 침지하여, 과망간산 칼륨을 환원해서 제거하는 중화 처리를 행한다. After forming the microvia hole 40, a desmear process of removing the smear remaining in the bottom of the microvia hole 40 using a desmear liquid is performed (refer FIG.2(c)). In the desmear step, after immersing the layered product 100 in the swelling liquid, immersed in a so-called desmear liquid (eg, alkaline permanganic acid aqueous solution, etc.) to remove the smear, and then immersed in a neutralizing liquid (reducing agent), A neutralization treatment for reducing and removing potassium permanganate is performed.

계속해서, 무전해 도금 공정의 전처리로서의 마이크로 에칭 공정을 행한다. 마이크로 에칭 공정에서는, 마이크로 에칭액(예를 들어, 황산-과산화수소 에칭액이나 과황산암모늄계 수용액 등)을 사용해서 마이크로 비아 홀(40)의 구멍 주위에 부착된 스플래쉬 등을 제거한다. 또한, 마이크로 비아 홀(40)의 저부에 스미어가 잔존하는 경우에는 이것을 제거한다[도 2의 (d) 참조]. Then, the micro-etching process as a pre-processing of an electroless-plating process is performed. In the micro-etching step, splashes adhering to the periphery of the micro-via hole 40 are removed using a micro-etching solution (eg, sulfuric acid-hydrogen peroxide etching solution, ammonium persulfate-based aqueous solution, etc.). In addition, when smear remains at the bottom of the micro-via hole 40, it is removed (refer to FIG. 2(d)).

이들 디스미어 공정 및 마이크로 에칭 공정에 있어서, 당해 적층체(100)의 표면은, 중화 액이나 마이크로 에칭액 등의 구리에 대하여 에칭성을 갖는 처리액에 접촉한다. 당해 전해 구리-주석 합금층(13)은, 구리 에칭액에 대한 에칭성을 갖기 때문에, 이들의 공정에 있어서 그 표면이 에칭된다. 당해 전해 구리-주석 합금층(13)의 두께나 주석 함유량에 의해, 구리 에칭액에 대한 에칭 속도가 변화하기 때문에, 이들을 조정함으로써 당해 전해 구리-주석 합금층(13)을 용해시키는 타이밍을 제어할 수 있다. 예를 들어, 마이크로 에칭 공정에 있어서, 구리 박(12)의 표면을 청정화할 필요가 있는 경우 등은, 당해 전해 구리-주석 합금층(13)의 두께나 재질 등을 조정함으로써, 디스미어 공정에 있어서 당해 전해 구리-주석 합금층(13)을 완전히 용해 제거시키는 것이 바람직하다. 한편, 구리 박(12)의 두께를 초기의 두께로 유지할 필요가 있는 경우에는, 디스미어 공정에서는 당해 전해 구리-주석 합금층(13)을 완전히 용해시키지 않고 잔존시켜 두고, 그 후의 마이크로 에칭 공정에 있어서 당해 전해 구리-주석 합금층(13)을 완전히 용해 제거시키면 된다. 당해 전해 구리-주석 합금층(13)을 용해 제거시키는 타이밍은, 당해 프린트 배선판에 요구되는 특성 등에 따라, 적당하고 적절한 타이밍으로 하면 된다. In these desmear processes and micro-etching processes, the surface of the said laminated body 100 comes into contact with the processing liquid which has etching property with respect to copper, such as a neutralization liquid and a micro-etching liquid. Since the said electrolytic copper-tin alloy layer 13 has etching property with respect to a copper etching liquid, the surface is etched in these processes. Since the etching rate with respect to copper etching liquid changes with the thickness and tin content of the said electrolytic-copper-tin alloy layer 13, the timing of dissolving the said electrolytic-copper-tin alloy layer 13 can be controlled by adjusting these. have. For example, in the micro-etching process, when it is necessary to clean the surface of the copper foil 12, by adjusting the thickness, material, etc. of the said electrolytic copper-tin alloy layer 13, to a desmear process Therefore, it is preferable to completely dissolve and remove the said electrolytic copper-tin alloy layer 13. On the other hand, when it is necessary to maintain the thickness of the copper foil 12 at the initial thickness, in the desmear process, the electrolytic copper-tin alloy layer 13 is left without completely dissolving, and in the subsequent micro-etching process In this case, what is necessary is just to completely melt|dissolve and remove the said electrolytic-copper-tin alloy layer 13. The timing at which the electrolytic copper-tin alloy layer 13 is dissolved and removed is appropriate and appropriate according to the characteristics required for the printed wiring board, and the like.

그리고, 무전해 도금 공정에 의해, 마이크로 비아 홀(40)의 구멍 내부와, 구리 박층(12) 상에 무전해 도금 피막을 형성하여, 층간 접속을 행한다(도시 생략). 그 후, 시드층(구리 박+무전해 도금 피막) 상에 도금 레지스트를 설치하고, 전해 도금법에 의해, 배선 패턴을 형성함과 함께, 비아 홀 내를 충전 도금한다. 그리고, 플래시 에칭 처리에 의해, 도금 레지스트와 함께, 도금 레지스트 아래의 시드층을 제거한다. 또한, 도 2에 있어서는, 무전해 도금 공정 이후의 공정에 대해서는 도시 생략하고 있다. 또한, 이하에 있어서 각 구성 요소에 대한 부호는 생략한다. Then, an electroless plating film is formed on the inside of the microvia hole 40 and on the copper thin layer 12 by an electroless plating process to perform interlayer connection (not shown). Thereafter, a plating resist is provided on the seed layer (copper foil + electroless plating film), a wiring pattern is formed by the electrolytic plating method, and the inside of the via hole is filled and plated. And the seed layer under the plating resist is removed together with a plating resist by a flash etching process. In addition, in FIG. 2, illustration is abbreviate|omitted about the process after an electroless-plating process. In addition, below, the code|symbol for each component is abbreviate|omitted.

상술한 바와 같이, 본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 의하면, 흑화 처리 등의 레이저광의 흡수율을 높이기 위한 전처리를 행하지 않고, 레이저광을 직접 조사하여, 천공 가공을 행할 수 있다. 이로 인해, 배선 패턴 형성 전의 에칭 처리의 횟수를 저감시킬 수 있다. 또한, 본건 발명에 의하면, 구리 박의 표면에 전해 구리-주석 합금층 등의 난용성 레이저 흡수층을 구비하기 때문에, 레이저 천공 가공 후, 배선 패턴 형성 전에 행해지는 각종 에칭 처리에 있어서, 구리 박의 표면이 에칭되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 난용성 레이저 흡수층으로서, 전해 구리-주석 합금층을 채용하는 경우는, 그 주석 함유량이나, 당해 전해 구리-주석 합금층의 두께를 적절히 조정함으로써, 전해 구리-주석 합금층을 용해 제거하는 타이밍을 제어할 수 있다. 도 2에 도시한 예에서는, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량이 비교적 많고, 디스미어 공정에서는 전해 구리-주석층이 용해되지 않는 경우를 나타냈다. 그러나, 도시예에 한정되는 것이 아니며, 당해 프린트 배선판에 요구되는 특성 등에 따라, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석량이나 두께를 조정해서 디스미어 공정에 있어서 전해 구리-주석 합금층을 용해 제거시켜도 된다. As mentioned above, according to the copper foil for laser processing which concerns on this invention, a laser beam is irradiated directly, and a drilling process can be performed, without performing pre-processing for increasing the absorption rate of laser beams, such as a blackening process. For this reason, the number of times of the etching process before wiring pattern formation can be reduced. Further, according to the present invention, since the surface of the copper foil is provided with a poorly soluble laser absorption layer such as an electrolytic copper-tin alloy layer, various etching treatments performed after laser drilling and before wiring pattern formation WHEREIN: The surface of the copper foil This can be prevented from being etched. In addition, as mentioned above, when employ|adopting an electrolytic copper-tin alloy layer as a sparingly soluble laser absorption layer, by adjusting the tin content and the thickness of the said electrolytic copper-tin alloy layer suitably, an electrolytic copper-tin alloy layer The timing of dissolving and removing can be controlled. In the example shown in FIG. 2, there was comparatively much tin content in an electrolytic-copper-tin alloy layer, and the case where an electrolytic-copper-tin layer did not melt|dissolve in the desmear process was shown. However, it is not limited to the example of illustration, According to the characteristic etc. requested|required of the said printed wiring board, you may dissolve and remove the electrolytic copper- tin alloy layer in a desmear process by adjusting the amount and thickness of the tin in an electrolytic-copper-tin alloy layer. .

이하, 실시예를 나타내 본건 발명을, 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본건 발명은 이하의 실시예에 제한되는 것이 아니다. Hereinafter, an Example is shown and this invention is demonstrated further more concretely. In addition, the present invention is not limited to the following examples.

실시예 Example

이 실시예에서는, 이하에 설명하는 방법으로 캐리어 박 레이저 가공용 구리 박을 제작하고, 그 후 구리클래드 적층체를 제작하여, 탄산 가스 레이저에 의한 레이저 천공 가공성 평가를 행함과 함께, 프린트 배선판의 제조 공정에 있어서, 배선 패턴 형성 전에 행해지는 에칭 처리에 제공했을 때의 구리 박(전해 구리 박층)의 두께의 편차 평가를 행했다. 이하, 차례로 설명한다. 또한, 평가의 방법 등에 대해서는 후술한다. In this Example, the copper foil for carrier foil laser processing is produced by the method demonstrated below, the copper clad laminated body is produced after that, and laser drilling processability evaluation by a carbon dioxide laser is performed, and the manufacturing process of a printed wiring board WHEREIN: Variation evaluation of the thickness of copper foil (electrolytic copper foil layer) at the time of using to the etching process performed before wiring pattern formation was performed. Hereinafter, they are sequentially described. In addition, the method of evaluation, etc. are mentioned later.

[캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 제작] [Production of copper foil for laser processing with carrier foil]

본 실시예에서는, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박을, 이하의 공정 A 내지 공정 E에 의해 제작했다. In this Example, the copper foil for laser processing with carrier foil was produced by the following processes A - E.

공정 A: 편면측의 표면 거칠기(Rzjis)가 0.6㎛의 두께 18㎛의 전해 구리 박을 캐리어 박으로서 사용하고, 다음과 같이 해서 박리층을 캐리어 박의 표면에 형성했다. 또한, 표면 거칠기(Rzjis)는, JIS B 0601에 준거하여, 선단 곡률 반경이 2㎛의 다이아몬드 스타일러스를 사용한 촉침식 표면 조도계에 의해 측정한 값이다. Step A: An electrolytic copper foil having a thickness of 18 µm with a surface roughness (Rzjis) of 0.6 µm on one side was used as the carrier foil, and a release layer was formed on the surface of the carrier foil as follows. In addition, the surface roughness Rzjis is the value measured with the stylus type surface roughness meter using a diamond stylus with a tip curvature radius of 2 micrometers based on JISB0601.

이 캐리어 박을 프리 황산 농도가 150g/l, 구리 농도가 10g/l, 카르복시벤조트리아졸 농도가 800ppm, 액온 30℃의 카르복시벤조트리아졸 함유 희황산 수용액에 대하여, 30초간 침지했다. 그 후, 캐리어 박을 끌어올림으로써, 캐리어 박의 표면에 부착되어 있던 오염 성분을 산 세정 제거함과 함께, 카르복시벤조트리아졸을 표면에 흡착시키고, 캐리어 박의 표면에 박리층을 형성하여, 박리층을 구비하는 캐리어 박으로 했다. Free sulfuric acid concentration of 150 g/l, copper concentration of this carrier foil was immersed for 30 second with respect to carboxybenzotriazole containing dilute sulfuric acid aqueous solution of 800 ppm and 30 degreeC liquid temperature of 150 g/l, copper concentration, and carboxybenzotriazole density|concentration. Then, by pulling up carrier foil, while acid washing removes the contaminant component adhering to the surface of carrier foil, carboxybenzotriazole is made to adsorb|suck to the surface, a peeling layer is formed on the surface of carrier foil, and a peeling layer It was set as carrier foil provided with.

공정 B: 이어서, 금속 성분 함유 전해액 중에서, 당해 박리층을 구비하는 캐리어 박을 캐소드 분극하고, 박리층의 표면에 내열 금속층을 형성하여, 내열 금속층과 박리층을 구비하는 캐리어 박으로 했다. 여기에서는, 니켈 전해액으로서, 황산 니켈(NiSO4·6H2O)을 330g/l, 염화 니켈(NiCl2·6H2O)을 45g/l, 붕산을 30g/l 포함하고, 욕 pH가 3인 와트 욕을 사용하여, 액온 45℃, 캐소드 전류 밀도 2.5A/dm2 에서 전해하고, 박리층의 표면에 두께 0.01㎛의 니켈층을 형성하여, 내열 금속층과 박리층을 구비하는 캐리어 박을 제작했다. Step B: Next, in the metal component-containing electrolyte solution, the carrier foil provided with the release layer was cathode-polarized, and a heat-resistant metal layer was formed on the surface of the release layer to obtain a carrier foil provided with the heat-resistant metal layer and the release layer. Here, as the nickel electrolyte solution, nickel sulfate containing (NiSO 4 · 6H 2 O) to 330g / l, nickel chloride (NiCl 2 · 6H 2 O) 45g / l, boric acid 30g / l, the bath pH 3 the Using a Watt bath, electrolysis was carried out at a liquid temperature of 45 ° C. and a cathode current density of 2.5 A/dm 2 , a nickel layer having a thickness of 0.01 μm was formed on the surface of the release layer, and a carrier foil having a heat-resistant metal layer and a release layer was produced. .

공정 C: 이어서, 하기 조성을 갖는 구리-주석 도금욕 중에서, 당해 내열 금속층과 박리층을 구비하는 캐리어 박을 하기 전해 조건에서 캐소드 분극하고, 내열 금속층의 표면에, 두께 0.7㎛의 전해 구리-주석 합금층을 형성했다. Step C: Next, in a copper-tin plating bath having the following composition, the carrier foil having the heat-resistant metal layer and the peeling layer is cathode-polarized under the following electrolytic conditions, and on the surface of the heat-resistant metal layer, an electrolytic copper-tin alloy having a thickness of 0.7 μm layer was formed.

(구리-주석 도금욕의 조성 및 전해 조건) (Composition of copper-tin plating bath and electrolysis conditions)

CuSO4·5H2O:157g/l(Cu 환산 40g/l) CuSO 4 5H 2 O: 157 g/l (Cu conversion 40 g/l)

SnSO4:127g/l(Sn 환산 70g/l) SnSO 4 :127g/l (Sn equivalent 70g/l)

C6H11O7Na:70g/l C 6 H 11 O 7 Na:70 g/l

프리 H2SO4:70g/l Free H 2 SO 4 :70 g/l

액온:35℃ Liquid temperature: 35 degrees Celsius

캐소드 전류 밀도:30A/dm2 Cathode current density: 30A/dm 2

공정 D: 이어서, 전해 구리-주석 합금층 등을 구비하는 캐리어 박을, 하기 조성의 구리 도금 욕 중에서, 하기 조건에서 캐소드 분극하고, 전해 구리-주석 금속층의 표면에 두께 2㎛의 전해 구리 박을 형성하여, 본건 발명에 관한 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박을 얻었다. Step D: Next, a carrier foil having an electrolytic copper-tin alloy layer or the like is cathode polarized under the following conditions in a copper plating bath of the following composition, and an electrolytic copper foil having a thickness of 2 μm is applied to the surface of the electrolytic copper-tin metal layer. It formed and obtained the copper foil for laser processing with carrier foil which concerns on this invention.

(구리 도금 욕의 조성 및 전해 조건) (Composition of copper plating bath and electrolytic conditions)

CuSO4·5H2O:255g/l(Cu 환산 65g/l) CuSO 4 5H 2 O: 255 g/l (Cu conversion 65 g/l)

프리 H2SO4:150g/l Free H 2 SO 4 :150 g/l

액온:45℃ Liquid temperature: 45 degrees Celsius

캐소드 전류 밀도:15A/dm2 Cathode current density: 15A/dm 2

공정 E: 본 실시예에서는, 또한 상기 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 전해 구리 박측의 면에 아연-니켈 합금 방청층을 형성하고, 전해 크로메이트 처리, 아미노계 실란 커플링제 처리를 실시하여, 캐리어 박 구비 표면 처리 레이저 가공용 구리 박을 얻었다. Step E: In this embodiment, a zinc-nickel alloy rust prevention layer is further formed on the surface of the electrolytic copper foil side of the copper foil for laser processing with carrier foil, and electrolytic chromate treatment and amino-based silane coupling agent treatment are performed, the carrier foil Copper foil for a surface treatment laser processing with a provision was obtained.

이 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박에 있어서, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량은 27.5 질량%이었다. 실시예의 주석 함유량은, 이하와 같이 하여 측정했다. 캐리어 박의 표면에 박리층을 형성하여, 당해 박리층의 표면에 내열 금속층을 형성하여, 당해 내열 금속층의 표면에 전해 구리-주석 합금층을 형성한 단계인 것을 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량 측정 시료로 했다. 그 후, 당해 시료의 전해 구리-주석 합금층을 캐리어 박으로부터 박리하고, 형광 X선 막 두께 측정기 XDAL-FD(피셔 인스트루먼츠제)를 사용해서 박의 조성 분석을 행하여, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량(질량%)을 산출했다. 또한, 이하의 비교예에 관해서도, 동일한 방법으로 주석 함유량의 측정을 행하고 있다. This copper foil for laser processing with carrier foil WHEREIN: Tin content in an electrolytic-copper-tin alloy layer was 27.5 mass %. The tin content of the Example was measured as follows. What is the step of forming a release layer on the surface of the carrier foil, forming a heat-resistant metal layer on the surface of the release layer, and forming an electrolytic copper-tin alloy layer on the surface of the heat-resistant metal layer, the tin content in the electrolytic copper-tin alloy layer It was set as the measurement sample. Thereafter, the electrolytic copper-tin alloy layer of the sample was peeled off from the carrier foil, and composition analysis of the foil was performed using a fluorescent X-ray film thickness meter XDAL-FD (manufactured by Fischer Instruments), and the electrolytic copper-tin alloy layer was Tin content (mass %) was computed. In addition, also about the following comparative example, the tin content is measured by the same method.

[구리클래드 적층판의 제작] [Production of copper clad laminate]

상술한 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박을 사용하여, 전해 구리 박의 접착면에, 절연 수지층 구성재로서 두께 100㎛인 FR-4의 프리프레그를 열간 프레스가공에 의해 접합했다. 그리고, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박의 캐리어 박을 박리 층을 개재시켜 떼어 냄으로써, 캐리어 박을 제거하여 구리클래드 적층판을 얻었다. Using the above-mentioned copper foil for laser processing with carrier foil, a prepreg of FR-4 having a thickness of 100 µm was bonded to the adhesive surface of the electrolytic copper foil by hot pressing as an insulating resin layer constituent material. And the carrier foil of the copper foil for laser processing with carrier foil was peeled off through the peeling layer, the carrier foil was removed and the copper clad laminated board was obtained.

비교예 comparative example

[비교예 1] [Comparative Example 1]

비교예 1에서는, 전해 구리-주석 합금층을 구비하고 있지 않는 것 이외는 실시예와 동일하게 하여 필러블 타입의 캐리어 박 구비 전해 구리 박을 제작했다. 그리고, 이 캐리어 박 구비 전해 구리 박을 사용하여, 실시예와 동일하게 하여 구리클래드 적층판을 제작했다. In Comparative Example 1, an electrolytic copper foil with carrier foil of a peelable type was produced in the same manner as in Examples except that the electrolytic copper-tin alloy layer was not provided. And using this electrolytic copper foil with carrier foil, it carried out similarly to an Example, and produced the copper-clad laminated board.

[비교예 2] [Comparative Example 2]

비교예 2에서는, 공정 C에 있어서, 하기 조성의 구리-주석 도금욕 중에서, 캐리어 박을 하기 전해 조건에서 캐소드 분극하고, 캐리어박 상에 박리층 및 내열 금속 층을 개재하여, 두께 0.7㎛의 전해 구리-주석 합금층을 형성한 것 이외는, 실시예와 동일하게 하여 캐리어 박 구비 전해 구리 박을 제작했다. 그리고, 이 캐리어 박 구비 전해 구리 박을 사용하여, 실시예와 동일하게 하여 구리클래드 적층판을 제작했다. In Comparative Example 2, in step C, in a copper-tin plating bath of the following composition, the carrier foil was cathode polarized under the following electrolysis conditions, and a peeling layer and a heat-resistant metal layer were interposed on the carrier foil, and the electrolysis having a thickness of 0.7 μm Except having formed the copper- tin alloy layer, it carried out similarly to the Example, and produced the electrolytic copper foil with carrier foil. And using this electrolytic copper foil with carrier foil, it carried out similarly to an Example, and produced the copper-clad laminated board.

(구리-주석 도금욕의 조성 및 전해 조건) (Composition of copper-tin plating bath and electrolysis conditions)

CuSO4·5H2O:79g/l(Cu 환산 20g/l) CuSO 4 5H 2 O: 79 g/l (Cu equivalent 20 g/l)

SnSO4:72g/l(Sn 환산 40g/l) SnSO 4 :72 g/l (Sn equivalent: 40 g/l)

H2SO4:70g/l H 2 SO 4 :70 g/l

액온:45℃ Liquid temperature: 45 degrees Celsius

캐소드 전류 밀도:15A/dm2 Cathode current density: 15A/dm 2

이 캐리어 박 구비 전해 구리 박에 있어서, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량은 12.9질량% 이었다. This electrolytic copper foil with carrier foil WHEREIN: Tin content in an electrolytic-copper-tin alloy layer was 12.9 mass %.

[비교예 3] [Comparative Example 3]

비교예 3에서는, 비교예 1의 캐리어 박 구비 전해 구리 박을 사용하여, 실시예와 동일한 방법으로 구리클래드 적층판을 제작했다. 그리고, 이 구리클래드 적층판의 구리 박의 표면에, 시판의 무전해 주석 도금액을 사용하여, 0.4㎛ 두께의 금속 주석층을 형성했다. 그리고, 당해 금속 주석층을 형성한 구리클래드 적층판을 200℃×30분의 조건에서 가열 처리하고, 전해 구리 박의 구리 성분과 금속 주석층의 주석 성분 사이에서 상호 확산을 일으키게 하여, 당해 구리 박의 표층에 주석-구리를 주체로 하는 확산 합금층을 구비하는 구리클래드 적층판을 얻었다. In Comparative Example 3, using the electrolytic copper foil with carrier foil of Comparative Example 1, a copper clad laminate was produced in the same manner as in Examples. Then, on the surface of the copper foil of this copper clad laminate, a metal tin layer having a thickness of 0.4 µm was formed using a commercially available electroless tin plating solution. Then, the copper clad laminate on which the metal tin layer is formed is heat-treated under the condition of 200° C. × 30 minutes to cause mutual diffusion between the copper component of the electrolytic copper foil and the tin component of the metal tin layer, and A copper-clad laminate having a surface layer of a diffusion alloy layer mainly composed of tin-copper was obtained.

[평가] [evaluation]

1. 평가 방법 1. Evaluation method

(1) 레이저 천공 가공성의 평가 (1) Evaluation of laser drilling workability

상기 실시예 및 비교예에서 제작한 각 구리클래드 적층판을 사용하여, 레이저 천공 가공 성능의 평가에는, 탄산 가스 레이저를 사용했다. 이때의 탄산 가스 레이저에 의한 천공 가공 조건은, 가공 에너지 6.9mJ, 펄스 폭 16μsec., 빔 직경 120㎛의 조건에서 행했다. Carbon dioxide gas laser was used for evaluation of laser drilling processing performance using each copper clad laminated board produced by the said Example and the comparative example. The drilling|boring processing conditions by the carbon dioxide laser at this time were performed on the conditions of a processing energy of 6.9 mJ, a pulse width of 16 microseconds, and a beam diameter of 120 micrometers.

(2) 구리 박의 두께의 편차 평가 (2) Evaluation of variation in thickness of copper foil

상기 실시예 및 비교예에서 제작한 각 구리클래드 적층판을 사용하여, 프린트 배선판을 제조 과정에서 일반적으로 행해지는 디스미어 공정 및 마이크로 에칭 공정과 동일한 처리를 행하고, 각 공정 전후에 있어서의 구리 박의 두께 변화를 평가했다. Using each of the copper clad laminates produced in the Examples and Comparative Examples, the same processing as the desmear process and micro-etching process generally performed in the manufacturing process of the printed wiring board is performed, and the thickness of the copper foil before and after each process change was evaluated.

디스미어 공정: 먼저, 디스미어 공정에서는, 팽윤 처리(팽윤 액:Rohm & Haas사제 MLB-211, 액온:75℃, 처리 시간:15분), 과망간산 칼륨의 알칼리성 수용액에 의한 산화 처리(산화 처리액:Rohm & Haas사제 MLB-213, 액온:80℃, 처리 시간:15분), 중화 처리(중화 처리액:Rohm & Haas사제 MLB-216, 온도:40℃, 처리 시간 15분)의 각 처리를 행하고, 그 후 수세하여, 건조한 후, 단면 관찰에 의해 두께를 측정했다. Desmear step: First, in the desmear step, swelling treatment (swelling solution: MLB-211 manufactured by Rohm & Haas, solution temperature: 75°C, treatment time: 15 minutes), oxidation treatment with an alkaline aqueous solution of potassium permanganate (oxidation treatment solution) : MLB-213 manufactured by Rohm & Haas, liquid temperature: 80 ° C, treatment time: 15 minutes), neutralization treatment (neutralization treatment liquid: MLB-216 manufactured by Rohm & Haas, temperature: 40 ° C, treatment time 15 minutes) After carrying out and washing with water after that and drying, the thickness was measured by cross-sectional observation.

마이크로 에칭 공정: 이어서, 마이크로 에칭 공정에서는 디스미어 공정 후의 각 구리클래드 적층판을 황산-과산화수소계 에칭액(미쓰비시 가스 가가꾸 가부시끼가이샤제 CPE800)에 액온 30℃의 조건에서, 60초간 침지하고, 수세하여, 건조한 후, 단면 관찰에 의해 두께를 측정했다. 또한, 단면 관찰에는 키엔스 가부시끼가이샤제의 VE-9800을 사용했다. Micro-etching step: Next, in the micro-etching step, each copper clad laminate after the desmear step is immersed in a sulfuric acid-hydrogen peroxide-based etching solution (CPE800 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) at a liquid temperature of 30° C. for 60 seconds, followed by washing with water. After drying, the thickness was measured by cross-sectional observation. In addition, VE-9800 manufactured by Keyence Corporation was used for cross-sectional observation.

2. 평가 결과 2. Evaluation results

(1) 레이저 천공 가공성의 평가 (1) Evaluation of laser drilling workability

표 1에, 각 구리클래드 적층판에 대하여 상기 가공 조건에서 비아 홀을 형성했을 때의 톱 직경을 나타낸다. 여기서, 톱 직경이란, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 비아 홀의 개구 직경을 말한다. 표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예와, 비교예 2 및 비교예 3에서 제작한 구리클래드 적층판에서는, 주석을 함유하는 전해 구리-주석 합금층을 최외층으로 하고, 이 전해 구리-주석 합금층에 레이저광을 조사하기 위해서, 흑화 처리 등의 레이저광의 흡수율을 높이기 위한 전처리를 행하지 않고, 레이저 가공에 의해 천공이 가능한 것이 확인되었다. 또한, 비교예 1에서 제작한 구리클래드 적층판에 대해서는, 레이저 가공에 의해 직접 천공할 수 없고, 흑화 처리 등의 어떠한 레이저광의 흡수율을 높이기 위한 전처리를 실시하지 않으면, 레이저 가공에 의해 마이크로 비아 홀을 형성할 수 없는 것이 확인되었다. Table 1 shows the top diameter of each copper clad laminate when via holes are formed under the above processing conditions. Here, the top diameter refers to the opening diameter of the via hole as shown in FIG. 2B . As shown in Table 1, in the copper clad laminates produced in Examples and Comparative Examples 2 and 3, the electrolytic copper-tin alloy layer containing tin was used as the outermost layer, and the electrolytic copper-tin alloy layer was added to the electrolytic copper-tin alloy layer. In order to irradiate a laser beam, it was confirmed that a perforation was possible by laser processing, without performing pre-processing for increasing the absorption rate of laser beam, such as a blackening process. In addition, in the copper clad laminate produced in Comparative Example 1, it cannot be directly drilled by laser processing, and microvia holes are formed by laser processing unless pretreatment for increasing the absorption rate of laser light such as blackening is performed. It was confirmed that it could not be done.

한편, 비교예 3의 전해 구리 박의 경우, 마이크로 비아 홀의 톱 직경은 99.5㎛이며, 톱 직경만 고려하면, 비교예 3의 전해 구리 박은, 실시예 및 비교예 2와 동등한 레이저 천공 가공성을 갖고 있다. 그러나, 비교예 3의 전해 구리 박은, 그 표면에 무전해 도금법에 의해 형성한 금속 주석층을 열확산에 의해, 구리와 주석을 상호 확산시킴으로써 얻은 확산 합금층을 구비하고 있다. 당해 확산 합금층에서는, 두께 방향에 있어서의 주석의 분포가 불균일하고, 표면에 가까울수록 주석의 분포가 많아진다. 따라서, 당해 확산 합금층에 레이저광을 조사한 경우, 융점이 낮은 주석이 용융해서 스플래쉬가 발생하기 쉬워져, 비아 홀의 주위에 부착하는 스플래쉬의 양이 많아진다. 이로 인해, 마이크로 에칭 공정 등에 따라서는 구멍 주위의 스플래쉬를 충분히 제거할 수 없고, 마이크로 에칭 공정 후도 스플래쉬가 구멍의 주위에 있어서 돌기부로서 잔존하는 것이 고려된다. 이 경우, 무전해 도금 공정에 의해 층간 접속을 도모하는 경우에, 당해 돌기부에 있어서 이상 석출을 야기할 가능성이 있어 바람직하지 않다. On the other hand, in the case of the electrolytic copper foil of Comparative Example 3, the top diameter of the microvia hole is 99.5 μm, and when only the top diameter is considered, the electrolytic copper foil of Comparative Example 3 has laser drilling properties equivalent to those of Examples and Comparative Example 2 . However, the electrolytic copper foil of Comparative Example 3 is provided with a diffusion alloy layer obtained by mutually diffusing copper and tin by thermal diffusion of a metal tin layer formed on the surface by an electroless plating method. In the said diffusion alloy layer, distribution of the tin in the thickness direction is non-uniform|heterogenous, and distribution of tin increases so that the surface is near. Therefore, when the said diffusion alloy layer is irradiated with a laser beam, tin with a low melting|fusing point melts, it becomes easy to generate|occur|produce splash, and the amount of splash adhering to the periphery of a via hole increases. For this reason, depending on the micro-etching process or the like, the splash around the hole cannot be sufficiently removed, and it is considered that the splash remains around the hole as a protrusion even after the micro-etching process. In this case, when interlayer connection is achieved by the electroless plating process, abnormal precipitation may be caused in the said projection part, and it is unpreferable.

[표 1][Table 1]

Figure 112015085341337-pct00001
Figure 112015085341337-pct00001

(2) 구리 박의 두께의 편차 평가 (2) Evaluation of variation in thickness of copper foil

이어서, 도 3에 실시예와 비교예 1의 구리클래드 적층판의 단면을 나타내는 FIB-SIM상을 나타낸다. 도 3에 도시한 바와 같이, 실시예에서 제작한 구리클래드 적층판은, 2㎛의 두께의 전해 구리 박층 상에 0.7㎛의 전해 구리-주석 합금층을 구비하고 있다. 당해 구리클래드 적층판에 대하여, 상술한 바와 같이, 디스미어 공정을 행한 경우, 전해 구리-주석 합금층의 표면은 용해하고, 전해 구리-주석 합금층의 두께는 0.21㎛ 감소했다. 이어서, 당해 구리클래드 적층판에 대하여, 상술한 바와 같이, 마이크로 에칭 공정을 실시한 경우, 전해 구리-주석 합금층의 표면은 용해하고, 전해 구리-주석 합금층의 두께는 0.38㎛ 감소했다. 이와 같이, 전해 구리-주석 합금층은 디스미어 공정 및 마이크로 에칭 공정 시에 용해되지만, 당해 전해 구리-주석 합금층이 존재함으로써, 구리 박의 두께에는 변화가 없고, 초기의 두께(2㎛)를 유지할 수 있다. 이에 대해, 비교예 1에서 제작한 구리클래드 적층판은, 전해 구리 박층 상에 전해 구리-주석 합금층을 구비하고 있지 않기 때문에, 디스미어 공정 시에는 0.10㎛, 마이크로 에칭 공정 시에 1.03㎛ 두께가 감소한다. 또한, 실시예에 있어서, 전해 구리-주석 합금층 중의 주석 함유량은 27.5질량%이며, 도 1에 도시한 바와 같이, 주석을 함유하지 않는 전해 구리 박과 비교하면 에칭 속도는 느리다. 이로 인해, 비교예 1의 구리클래드 적층판에서는, 실시예의 구리클래드 적층판과 비교하면, 에칭량도 커지고, 구리 박의 두께에 편차가 발생할 우려가 높아진다. Next, the FIB-SIM image which shows the cross section of the copper clad laminated board of Example and Comparative Example 1 is shown in FIG. As shown in FIG. 3, the copper clad laminated board produced in the Example is equipped with the electrolytic copper-tin alloy layer of 0.7 micrometer on the electrolytic copper thin layer of thickness 2 micrometer. As for the copper clad laminate, when the desmear process was performed as described above, the surface of the electrolytic copper-tin alloy layer was dissolved, and the thickness of the electrolytic copper-tin alloy layer decreased by 0.21 µm. Next, when the micro-etching process was performed on the copper clad laminate as described above, the surface of the electrolytic copper-tin alloy layer was dissolved, and the thickness of the electrolytic copper-tin alloy layer decreased by 0.38 µm. In this way, although the electrolytic copper-tin alloy layer is dissolved during the desmear process and the micro-etching process, there is no change in the thickness of the copper foil due to the presence of the electrolytic copper-tin alloy layer, and the initial thickness (2 µm) is can keep In contrast, in the copper clad laminate prepared in Comparative Example 1, since the electrolytic copper-tin alloy layer was not provided on the electrolytic copper thin layer, the thickness decreased by 0.10 µm during the desmear process and 1.03 µm during the micro-etching process. do. In addition, in an Example, the tin content in an electrolytic copper-tin alloy layer is 27.5 mass %, and as shown in FIG. 1, compared with the electrolytic copper foil which does not contain a tin, an etching rate is slow. For this reason, in the copper clad laminated board of the comparative example 1, compared with the copper clad laminated board of an Example, the etching amount also becomes large, and the possibility that a dispersion|variation arises in the thickness of copper foil increases.

한편, 도시는 생략했지만, 비교예 2의 구리클래드 적층판은, 주석 함유량이 12.9질량%의 전해 구리-주석 합금층을 구비하고, 도 1에 도시한 바와 같이, 당해 전해 구리-주석 합금층의 에칭 속도는 주석을 함유하고 있지 않은 전해 구리 박의 에칭 속도보다도 빠르다. 이로 인해, 비교예 2의 구리클래드 적층판은, 전해 구리 박층의 표면에 전해 구리-주석 합금층을 구비하지만, 디스미어 공정에서의 에칭량이 0.20㎛, 마이크로 에칭 공정에 있어서의 에칭량이 1.25㎛로 크고, 이 경우도 전해 구리 박층의 표면이 용해되어, 전해 구리 박층의 두께에 편차가 발생할 수 있다. On the other hand, although not illustrated, the copper clad laminate of Comparative Example 2 includes an electrolytic copper-tin alloy layer having a tin content of 12.9% by mass, and as shown in FIG. 1 , the electrolytic copper-tin alloy layer is etched. The rate is higher than the etching rate of the electrolytic copper foil containing no tin. For this reason, although the copper clad laminate of Comparative Example 2 has an electrolytic copper-tin alloy layer on the surface of the electrolytic copper thin layer, the etching amount in the desmear process is 0.20 µm and the etching amount in the micro-etching process is 1.25 µm, which is large. , also in this case, the surface of the thin electrolytic copper layer is melted, and a deviation may occur in the thickness of the electrolytic copper thin layer.

또한, 비교예 3에서 제작한 구리클래드 적층판에서는, 주석-구리를 주체로 하는 확산 합금층은, 전술한 바와 같이, 주석층과, 주석 구리 확산 합금층의 2층 구성을 갖기 때문에, 금속 주석층과, 주석 구리 확산 합금층에서는 각각 각 에칭액에 대한 에칭 속도가 상이하다. 특히, 최외층이 되는 금속 주석층은, 구리 박에 대한 일반적인 에칭 처리액에서는, 용해하는 것이 곤란하다(도 1 참조). 이로 인해, 디스미어 공정 및 마이크로 에칭 공정 후의 에칭량은 합쳐서 0.05㎛로 적고, 에칭 레지스트층으로서 기능하지만, 그 후의 배선 패턴 형성 후의 플래시 에칭 공정에 있어서, 시드층을 에칭에 의해 제거하는 것이 곤란해진다. 또한, 당해 구리 박에서는, 금속 주석층, 주석 구리 확산 합금층, 전해 구리 박층의 각 층에 있어서 에칭 속도가 상이하다고 생각되어, 두께 방향으로 균일하게 에칭하는 것이 곤란해진다. 또한, 구리 박에 대한 일반적인 에칭 처리액을 사용한 경우, 최외층이 되는 금속 주석층보다도, 전해 구리 도금에 의해 형성한 배선 패턴부 쪽이 에칭 속도가 빨라진다. 따라서, 에칭 팩터가 저하되고, 배선 패턴을 양호한 선 폭으로 형성하는 것이 곤란해진다. In addition, in the copper clad laminate produced in Comparative Example 3, since the diffusion alloy layer mainly composed of tin-copper has a two-layer configuration of a tin layer and a tin-copper diffusion alloy layer, as described above, a metal tin layer And, in a tin-copper diffusion alloy layer, the etching rate with respect to each etching liquid differs, respectively. In particular, it is difficult to melt|dissolve the metal tin layer used as the outermost layer in the general etching process liquid with respect to copper foil (refer FIG. 1). For this reason, the etching amount after the desmear process and the micro-etching process is as small as 0.05 µm in total, and functions as an etching resist layer, but in the subsequent flash etching process after wiring pattern formation, it becomes difficult to remove the seed layer by etching. . Moreover, in the said copper foil, in each layer of a metal tin layer, a tin copper diffusion alloy layer, and an electrolytic copper foil layer, it is thought that an etching rate differs, and it becomes difficult to etch uniformly in the thickness direction. Moreover, when the general etching process liquid with respect to copper foil is used, the direction of the wiring pattern part formed by electrolytic copper plating becomes faster than the metal tin layer used as outermost layer. Accordingly, the etching factor is lowered, and it becomes difficult to form a wiring pattern with a satisfactory line width.

이에 대해, 실시예의 구리클래드 적층판에 의하면, 디스미어 공정 및 마이크로 에칭 공정에 있어서, 전해 구리-주석 합금층을 용해 제거할 수 있기 때문에, 시드층을 제거할 때에는 전해 구리 박층과, 이 전해 구리 박층 상에 형성된 무전해 구리 도금 피막을 제거하면 된다. 이들은 모두 구리층이기 때문에, 에칭 속도에 큰 차는 보여지지 않는다. 또한, 전해 구리 도금에 의해 형성된 배선 패턴부의 에칭 속도와도 큰 차는 드러나지 않는다. 따라서, 본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박에 의하면, 양호한 에칭 팩터로 배선 패턴을 형성하는 것이 가능해진다. On the other hand, according to the copper clad laminate of the example, since the electrolytic copper-tin alloy layer can be dissolved and removed in the desmear process and the micro-etching process, when removing the seed layer, the electrolytic copper thin layer and this electrolytic copper thin layer What is necessary is just to remove the electroless copper plating film formed on it. Since these are all copper layers, a large difference in etching rate is not seen. Moreover, a large difference with the etching rate of the wiring pattern part formed by electrolytic copper plating is not revealed either. Therefore, according to the copper foil for laser processing which concerns on this invention, it becomes possible to form a wiring pattern with a favorable etching factor.

이상과 같이 본건 발명에 관한 레이저 가공용 구리 박을 사용함으로써 레이저 가공성이 우수하고, 또한, 그 후의 에칭 처리에 있어서, 두께 방향으로 균일한 에칭 속도가 얻어진다. 게다가, 탄산 가스 레이저를 사용한 구리클래드 적층판의 레이저 가공용 구리 박의 직접 천공 가공이 가능하게 되고, 레이저광 흡수 효율을 높이기 위한 흑화 처리 등의 전처리가 불필요하게 되어, 공정을 삭감함으로써 토탈 제조 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 전해 구리-주석 합금층을 에칭 레지스트로서 기능시킬 수 있기 때문에, 배선 패턴 형성 전의 각종 에칭 공정에 있어서 구리 박의 표면이 용해되고, 구리 박의 두께에 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 시드층을 제거할 때는, 구리 박 부분만 용해 제거하면 되기 때문에, 양호한 에칭 팩터로 배선 패턴을 형성할 수 있다. As mentioned above, it is excellent in laser workability by using the copper foil for laser processing which concerns on this invention, and the etching process after that WHEREIN: An etching rate uniform in the thickness direction is obtained. In addition, direct drilling of copper foil for laser processing of a copper clad laminate using a carbon dioxide laser becomes possible, and pretreatment such as blackening treatment for increasing laser light absorption efficiency becomes unnecessary, and the total manufacturing cost is reduced by reducing the process can do. In addition, since the electrolytic copper-tin alloy layer can function as an etching resist, it is possible to prevent the surface of the copper foil from dissolving in various etching steps before formation of the wiring pattern and occurrence of variation in the thickness of the copper foil. In addition, when removing the seed layer, since only the copper foil portion needs to be dissolved and removed, a wiring pattern can be formed with a good etching factor.

Claims (8)

구리 에칭액에 대한 에칭성을 가짐과 함께, 그 에칭 속도가 구리 박보다도 느리고, 또한, 적외선 레이저광을 흡수하는 난용성 레이저 흡수층을 구리 박의 표면에 구비하며,
상기 난용성 레이저 흡수층은, 주석 함유량이 25질량% 이상 50질량% 이하이고, 전해 도금법에 의해 형성되어 두께 방향에 있어서의 금속 조성이 균일한 전해 구리-주석 합금층인 것을 특징으로 하는, 레이저 가공용 구리 박.
It has etching property with respect to copper etching liquid, the etching rate is slower than copper foil, and is equipped with the sparingly soluble laser absorption layer which absorbs infrared laser beam on the surface of copper foil,
The sparingly soluble laser absorption layer is an electrolytic copper-tin alloy layer having a tin content of 25 mass% or more and 50 mass% or less, formed by an electrolytic plating method and having a uniform metal composition in the thickness direction, for laser processing copper foil.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 난용성 레이저 흡수층의 두께는, 3㎛ 이하인, 레이저 가공용 구리 박.The copper foil for laser processing according to claim 1, wherein the thickness of the sparingly soluble laser absorption layer is 3 µm or less. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 구리 박의 두께는, 7㎛ 이하인, 레이저 가공용 구리 박.The copper foil for laser processing of Claim 1 or 3 whose thickness of the said copper foil is 7 micrometers or less. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 구리 박의 다른 쪽의 표면에는, 조화 처리층 및 프라이머 수지층 중 적어도 어느 하나를 구비하는, 레이저 가공용 구리 박.The copper foil for laser processing of Claim 1 or 3 provided with at least any one of a roughening process layer and a primer resin layer on the other surface of the said copper foil. 제1항 또는 제3항에 기재된 레이저 가공용 구리 박의 상기 난용성 레이저 흡수층 상에 캐리어 박을 박리 가능하게 구비한 것을 특징으로 하는, 캐리어 박 구비 레이저 가공용 구리 박.The copper foil for laser processing with carrier foil was provided so that peeling was possible on the said hardly soluble laser absorption layer of the copper foil for laser processing of Claim 1 or 3 characterized by the above-mentioned. 상기 적외선 레이저광이 조사되는 측에 상기 난용성 레이저 흡수층이 배치되도록, 제1항 또는 제3항에 기재된 레이저 가공용 구리 박과, 절연층 구성 재료가 적층된 것을 특징으로 하는, 구리클래드 적층체. A copper clad laminate, wherein the copper foil for laser processing according to claim 1 or 3 and an insulating layer constituent material are laminated so that the sparingly soluble laser absorption layer is disposed on the side to which the infrared laser beam is irradiated. 주석 함유량이 25질량% 이상 50질량% 이하이고, 전해 도금법에 의해 형성되어 두께 방향에 있어서의 금속 조성이 균일한 전해 구리-주석 합금층으로, 구리 에칭액에 대한 에칭성을 가짐과 함께, 그 에칭 속도가 구리 박보다도 느리고, 또한, 적외선 레이저광을 흡수하는 난용성 레이저 흡수층을 구리 박의 표면에 구비한 레이저 가공용 구리 박과, 다른 도체층이 절연층을 개재해서 적층된 적층체에 대하여, 적외선 레이저광을 난용성 레이저 흡수층에 직접 조사해서 층간 접속용의 비아 홀을 형성하고, 비아 홀 내의 스미어를 제거하는 디스미어 공정 및/또는 무전해 도금 공정의 전처리로서의 마이크로 에칭 공정에 있어서, 당해 난용성 레이저 흡수층을 당해 구리 박의 표면으로부터 제거하는 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The tin content is 25 mass % or more and 50 mass % or less, it is an electrolytic copper-tin alloy layer formed by the electrolytic plating method and having a uniform metal composition in the thickness direction, and while having etching property to a copper etchant, the etching The speed is slower than that of copper foil, and the copper foil for laser processing in which a sparingly soluble laser absorption layer for absorbing infrared laser light is provided on the surface of the copper foil, and another conductor layer laminated through an insulating layer, infrared rays In the microetching process as a pretreatment of the desmear process and/or the electroless plating process of forming a via hole for interlayer connection by irradiating a laser beam directly to a sparingly soluble laser absorption layer, and removing smear in a via hole, the said poorly soluble A method for manufacturing a printed wiring board, wherein the laser absorption layer is removed from the surface of the copper foil.
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