KR102353683B1 - 초박형 터치 센서들 - Google Patents

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Abstract

초박형 스택업들을 갖는 터치 스크린들은 보다 낮은 프로파일의 디바이스를 제공할 수 있고, 디스플레이와 커버 글래스 사이의 거리를 감소시킴으로써 디스플레이 상의 광학 이미지를 개선시킬 수 있으며, 디바이스의 중량을 감소시킬 수 있다. 일부 예들에서, 스택업으로부터 플렉스 회로 접속부를 제거함으로써, 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있고 그리고/또는 경계 영역이 감소될 수 있다. 터치 회로부로의 터치 전극들의 라우팅을 가능하게 하기 위해 가요성 기판이 사용될 수 있다. 실드 층을 포함하는 일부 예들에서, 실드 층을 터치 센서 패널 상의 실드 전극으로 라우팅함으로써 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있다. 실드 층은 이어서 가요성 기판을 통해 터치 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 센서 패널 또는 그의 일 부분은 편광기와 통합될 수 있다.

Description

초박형 터치 센서들{ULTRA-THIN TOUCH SENSORS}
관련 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은 2018년 12월 19일자로 출원된 미국 가특허 출원 제62/782,264호의 35 USC 119(e)에 따른 이익을 주장하며, 이 미국 가특허 출원의 내용은 모든 목적들을 위해 그 전체가 참고로 본 명세서에 포함된다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 터치 스크린들에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초박형 스택업들(ultra-thin stack-ups)을 갖는 터치 스크린들에 관한 것이다.
버튼 또는 키, 마우스, 트랙볼, 조이스틱, 터치 센서 패널, 터치 스크린 등과 같은, 많은 타입의 입력 디바이스들이 컴퓨팅 시스템에서 동작들을 수행하기 위해 현재 이용가능하다. 특히, 터치 스크린들은 그들의 동작의 용이성 및 범용성뿐만 아니라, 그들의 인하되는 가격 때문에 대중적이다. 터치 스크린들은 터치 감응형 표면을 갖는 투명한 패널일 수 있는 터치 센서 패널, 및 액정 디스플레이(LCD), 발광 다이오드(LED) 디스플레이 또는 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이와 같은 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있으며, 디스플레이 디바이스는, 터치 감응형 표면이 디스플레이 디바이스의 가시 영역의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록, 부분적으로 또는 완전히 패널의 뒤에 위치될 수 있다. 터치 스크린들은 사용자가, 흔히 디스플레이 디바이스에 의해 디스플레이되고 있는 사용자 인터페이스(UI)에 의해 지시된 위치에서 손가락, 스타일러스 또는 다른 물체를 사용하여 터치 센서 패널을 터치함으로써 다양한 기능들을 수행하도록 허용할 수 있다. 일반적으로, 터치 스크린들은 터치 센서 패널 상의 터치 및 터치의 위치를 인식할 수 있고, 그 다음 컴퓨팅 시스템은 터치 시에 나타나는 디스플레이에 따라 터치를 해석할 수 있고, 이후에 터치에 기초하여 하나 이상의 작업들을 수행할 수 있다. 일부 터치 감지 시스템들의 경우에, 디스플레이 상의 물리적 터치는 터치를 검출하는 데 필요하지 않다. 예를 들어, 일부 용량성 타입의 터치 감지 시스템들에서, 터치를 검출하기 위해 사용된 프린징 전계(fringing electrical field)는 디스플레이의 표면 너머로 연장될 수 있으며, 표면 가까이로 접근하는 물체들은 표면을 실제로 터치하지 않고서 표면 가까이에서 검출될 수 있다.
용량성 터치 센서 패널들은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)과 같은 재료들로 제조된 부분적으로 또는 완전히 투명하거나 불투명한 전도성 플레이트들(예컨대, 터치 전극들)의 매트릭스에 의해 형성될 수 있다. 전술된 바와 같이, 일부 용량성 터치 센서 패널들이 터치 스크린을 형성하도록 디스플레이 상에 오버레이될 수 있는 것은 그들의 실질적인 투명성에 부분적으로 기인한다. 일부 터치 스크린들은 터치 감지 회로부를 디스플레이 픽셀 스택업(stack-up)(즉, 디스플레이 픽셀들을 형성하는 적층된 재료 층들) 내로 적어도 부분적으로 통합시킴으로써 형성될 수 있다.
본 발명은 초박형 스택업들을 갖는 터치 스크린들에 관한 것이다. 터치 스크린의 두께를 감소시키는 것은 보다 낮은 프로파일의 디바이스를 제공할 수 있고, 디스플레이와 커버 글래스 사이의 거리를 감소시킴으로써 디스플레이 상의 광학 이미지를 개선시킬 수 있으며, 디바이스의 중량을 감소시킬 수 있다. 일부 예들에서, 스택업으로부터 플렉스 회로 접속부를 제거함으로써, 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있고 그리고/또는 경계 영역이 감소될 수 있다. 터치 회로부로의 터치 전극들의 라우팅을 가능하게 하기 위해 가요성 기판이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린 스택업은 터치 센서 패널과 디스플레이 사이에 실드 층을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층을 터치 센서 패널 상의 실드 전극으로 라우팅함으로써 실드 층을 포함하는 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있다. 실드 층은 이어서 가요성 기판을 통해 터치 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 터치 센서 패널 또는 그의 일 부분은 편광기와 통합될 수 있다. 터치 센서 패널을 편광기와 통합시키는 것은 터치 스크린 스택업의 두께를 감소시킬 수 있는데, 그 이유는 터치 센서 패널 및 편광기 각각에 대한 별개의 기판들 대신에 터치 센서 패널 및 편광기에 대해 하나의 기판이 사용될 수 있기 때문이다.
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른 초박형 스택업들을 갖는 터치 스크린들을 포함할 수 있는 예시적인 시스템들을 예시한다.
도 2는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린을 포함하는 예시적인 컴퓨팅 시스템을 예시한다.
도 3a는 본 발명의 예들에 따른, 터치 노드 전극 및 감지 회로의 자기-용량 측정부에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 예시한다.
도 3b는 본 발명의 예들에 따른, 상호-용량 구동 라인 및 감지 라인 및 감지 회로에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 예시한다.
도 4a는 본 개시내용의 예들에 따른, 행들 및 열들로 배열된 터치 전극들을 갖는 터치 스크린을 예시한다.
도 4b는 본 개시내용의 예들에 따른, 픽셀형 터치 노드 전극 구성으로 배열된 터치 노드 전극들을 갖는 터치 스크린을 예시한다.
도 5a는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 감응형 디바이스에서 사용될 수 있는 예시적인 터치 스크린을 예시한다.
도 5b는 본 개시내용의 예들에 따른 예시적인 편광기 스택업을 예시한다.
도 6a 내지 도 6d는 본 개시내용의 예들에 따른 가요성 기판을 갖는 터치 스크린 스택업들의 예들을 예시한다.
도 7a 내지 도 7j는 본 개시내용의 예들에 따른 가요성 기판들 및 라우팅의 예들을 예시한다.
도 8a 및 도 8b는 본 개시내용의 터치 센서 패널 예들로 라우팅되는 실드 층을 갖는 터치 스크린 스택업의 예를 예시한다.
도 9 및 도 10은 본 개시내용의 예들에 따른 통합형 터치 센서 패널 및 편광기의 예들을 예시한다.
도 11은 본 개시내용의 예들에 따른 통합형 터치 센서 패널 및 편광기를 형성하기 위한 예시적인 프로세스를 예시한다.
예들의 다음의 설명에서, 본 명세서의 일부를 형성하는 첨부된 도면들이 참조되고, 실행될 수 있는 특정 예들이 도면들 내에서 예시로서 도시된다. 개시된 예들의 범주로부터 벗어남이 없이 구조적 변경이 이루어질 수 있고 다른 예들이 사용될 수 있음이 이해될 것이다.
본 발명은 초박형 스택업들을 갖는 터치 스크린들에 관한 것이다. 터치 스크린의 두께를 감소시키는 것은 보다 낮은 프로파일의 디바이스를 제공할 수 있고, 디스플레이와 커버 글래스 사이의 거리를 감소시킴으로써 디스플레이 상의 광학 이미지를 개선시킬 수 있으며, 디바이스의 중량을 감소시킬 수 있다. 일부 예들에서, 스택업으로부터 플렉스 회로 접속부를 제거함으로써, 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있고 그리고/또는 경계 영역이 감소될 수 있다. 터치 회로부로의 터치 전극들의 라우팅을 가능하게 하기 위해 가요성 기판이 사용될 수 있다.
일부 예들에서, 터치 스크린 스택업은 터치 센서 패널과 디스플레이 사이에 실드 층을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층을 터치 센서 패널 상의 실드 전극으로 라우팅함으로써 실드 층을 포함하는 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있다. 실드 층은 이어서 가요성 기판을 통해 터치 감지 회로부로 라우팅될 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 터치 센서 패널 또는 그의 일 부분은 편광기와 통합될 수 있다. 터치 센서 패널을 편광기와 통합시키는 것은 터치 스크린 스택업의 두께를 감소시킬 수 있는데, 그 이유는 터치 센서 패널 및 편광기 각각에 대한 별개의 기판들 대신에 터치 센서 패널 및 편광기에 대해 하나의 기판이 사용될 수 있기 때문이다.
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른 초박형 스택업들을 갖는 터치 스크린들을 포함할 수 있는 예시적인 시스템들을 예시한다. 도 1a는 본 개시내용의 예들에 따른 초박형 스택업들로 구현될 수 있는 터치 스크린(124)을 포함하는 예시적인 모바일 전화기(136)를 예시한다. 도 1b는 본 개시내용의 예들에 따른 초박형 스택업들로 구현될 수 있는 터치 스크린(126)을 포함하는 예시적인 디지털 미디어 플레이어(140)를 예시한다. 도 1c는 본 개시내용의 예들에 따른 초박형 스택업들로 구현될 수 있는 터치 스크린(128)을 포함하는 예시적인 개인 컴퓨터(144)를 예시한다. 도 1d는 본 개시내용의 예들에 따른 초박형 스택업들로 구현될 수 있는 터치 스크린(130)을 포함하는 예시적인 태블릿 컴퓨팅 디바이스(148)를 예시한다. 도 1e는, 터치 스크린(132)을 포함하고 스트랩(152)을 사용하여 사용자에게 부착될 수 있으며, 본 개시내용의 예들에 따른 초박형 스트랩들로 구현될 수 있는 예시적인 웨어러블 디바이스(150)를 예시한다. 초박형 스택업들을 갖는 터치 스크린이 다른 디바이스들에서도 마찬가지로 구현될 수 있다는 것이 이해된다.
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 자기-용량에 기초할 수 있다. 자기-용량 기반 터치 시스템은, 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스 또는 전도성 재료의 개별 플레이트들의 그룹들을 포함하여, (도 4b를 참조하여 아래에서 기술되는 바와 같은) 터치 전극들로 또는 터치 노드 전극들로 지칭될 수 있는 더 큰 전도성 영역들을 형성할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린은 복수의 개별적인 터치 전극들을 포함할 수 있으며, 각각의 터치 전극은 터치 또는 근접이 감지될 터치 스크린 상의 고유한 위치(예컨대, 터치 노드)를 식별하거나 나타내고, 각각의 터치 노드 전극은 터치 스크린/패널 내의 다른 터치 노드 전극들로부터 전기적으로 분리되어 있다. 그러한 터치 스크린은 픽셀형 자기-용량 터치 스크린으로 지칭될 수 있지만, 일부 예들에서 터치 스크린 상의 터치 노드 전극들은 터치 스크린 상에서 자기-용량 스캔 이외의 스캔(예컨대, 상호-용량 스캔)을 수행하는 데 사용될 수 있음이 이해된다. 동작 동안, 터치 노드 전극은 교류 전류(AC) 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-용량이 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드 전극에 접근함에 따라, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-용량은 변화할 수 있다(예컨대, 증가할 수 있다). 터치 노드 전극의 자기-용량에서의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하여 올 때 그들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다. 일부 예들에서, 자기-용량 기반 터치 시스템의 터치 노드 전극들은 전도성 재료의 행들 및 열들로 형성될 수 있으며, 위에서와 유사하게, 행들 및 열들의 접지에 대한 자기-용량의 변화가 검출될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린은 다중 터치, 단일 터치, 프로젝션 스캔, 풀-이미징(full-imaging) 다중 터치, 용량성 터치 등일 수 있다.
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 상호-용량에 기초할 수 있다. 상호-용량 기반 터치 시스템은, (양면형 구성으로) 상이한 층들 상에서 서로 교차할 수 있거나 (예컨대, 도 4a를 참조하여 아래에서 기술되는 바와 같이) 동일한 층 상에서 서로 인접할 수 있는 구동 및 감지 라인들로서 배열되는 전극들을 포함할 수 있다. 교차하거나 인접하는 위치들은 터치 노드들을 형성할 수 있다. 동작 동안, 구동 라인은 AC 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드의 상호-용량이 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드에 접근함에 따라, 터치 노드의 상호-용량이 변화할 수 있다(예컨대, 감소할 수 있다). 터치 노드의 상호-용량의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하여 올 때 그들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다. 본 명세서에 기술된 바와 같이, 일부 예들에서, 상호-용량 기반 터치 시스템은 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스로부터 터치 노드들을 형성할 수 있다.
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 상호-용량 및/또는 자기-용량에 기초할 수 있다. 전극들은 (예컨대, 도 4b의 터치 스크린(402) 내의 터치 노드 전극들(408)에서와 같이) 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스로서, 또는 (예컨대, 도 4a의 터치 스크린(400) 내의 행 터치 전극들(404) 및 열 터치 전극들(406)에서와 같이) 구동 라인들 및 감지 라인들로서, 또는 다른 패턴으로 배열될 수 있다. 전극들은 상호-용량 또는 자기-용량 감지 또는 상호-용량 감지와 자기-용량 감지의 조합에 대해 구성가능할 수 있다. 예를 들어, 하나의 동작 모드에서, 전극들은 전극들 사이의 상호-용량을 감지하도록 구성될 수 있고, 상이한 동작 모드에서, 전극들은 전극들의 자기-용량을 감지하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 전극들 중 일부는 그들 사이의 상호-용량을 감지하도록 구성될 수 있고, 전극들 중 일부는 그의 자기-용량을 감지하도록 구성될 수 있다.
도 2는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린을 포함하는 예시적인 컴퓨팅 시스템을 예시하지만, 예시된 터치 스크린(220)(터치 센서 패널을 포함함)이 그 대신에 터치 센서 패널만일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 컴퓨팅 시스템(200)은, 예를 들어, 모바일 폰, 태블릿, 터치패드, 휴대용 또는 데스크톱 컴퓨터, 휴대용 미디어 플레이어, 웨어러블 디바이스, 또는 터치 스크린 또는 터치 센서 패널을 포함하는 임의의 모바일 또는 비-모바일 컴퓨팅 디바이스 내에 포함될 수 있다. 컴퓨팅 시스템(200)은 하나 이상의 터치 프로세서들(202), 주변기기들(204), 터치 제어기(206), 및 터치 감지 회로부(하기에서 더 상세히 기술됨)를 포함하는 터치 감지 시스템을 포함할 수 있다. 주변기기들(204)은 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 다른 타입의 메모리 또는 저장소, 감시 타이머(watchdog timer) 등을 포함할 수 있지만, 이로 제한되지 않는다. 터치 제어기(206)는 하나 이상의 감지 채널(208), 채널 스캔 로직(210) 및 구동기 로직(214)을 포함할 수 있지만, 이로 제한되지 않는다. 채널 스캔 로직(210)은 RAM(212)에 액세스하고, 감지 채널들로부터 데이터를 독자적으로 판독하고 감지 채널들에 제어를 제공할 수 있다. 게다가, 채널 스캔 로직(210)은 아래에 더 상세하게 기술되는 바와 같이, 터치 스크린(220)의 터치 감지 회로부의 구동 영역에 선택적으로 인가될 수 있는 다양한 주파수들 및/또는 위상들로 자극 신호(216)를 생성하기 위해 구동기 로직(214)을 제어할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 제어기(206), 터치 프로세서(202), 및 주변기기들(204)은 단일 주문형 집적 회로(ASIC) 내에 통합될 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(220) 자체와 통합될 수 있다.
도 2에 도시된 아키텍처는 컴퓨팅 시스템(200)의 단지 하나의 예시적인 아키텍처일 뿐이고, 시스템은 도시된 것보다 더 많거나 더 적은 컴포넌트들을 가질 수 있거나, 또는 컴포넌트들의 상이한 구성을 가질 수 있음이 명백할 것이다. 도 2에 도시된 다양한 컴포넌트들은 하나 이상의 신호 프로세싱 및/또는 주문형 집적 회로들을 포함하는 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다.
컴퓨팅 시스템(200)은, 터치 프로세서(202)로부터 출력들을 수신하고 그 출력들에 기초하여 작업들을 수행하기 위한 호스트 프로세서(228)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 호스트 프로세서(228)는 프로그램 저장소(232) 및, 액정 디스플레이(LCD) 구동기 또는 보다 일반적으로, 디스플레이 구동기(234)와 같은, 디스플레이 제어기에 접속될 수 있다. 본 개시내용의 일부 예들이 LCD 디스플레이들을 참조하여 설명되지만, 본 개시내용의 범위는 그렇게 제한되지 않으며, 유기 LED(OLED), 액티브-매트릭스 유기 LED(AMOLED) 및 패시브-매트릭스 유기 LED(PMOLED) 디스플레이들을 포함한, 발광 다이오드(LED) 디스플레이들과 같은, 다른 타입의 디스플레이들로 연장될 수 있다는 것이 이해된다. 디스플레이 구동기(234)는 선택(예컨대, 게이트) 라인들을 통해 전압들을 각각의 픽셀 트랜지스터에 제공할 수 있고, 픽셀 디스플레이 이미지를 제어하기 위해 이러한 동일한 트랜지스터들에 데이터 라인들을 따라 데이터 신호들을 제공할 수 있다.
호스트 프로세서(228)는 터치 스크린(220) 상에 사용자 인터페이스(UI)의 디스플레이 이미지와 같은 디스플레이 이미지를 생성하기 위해 디스플레이 구동기(234)를 사용할 수 있고, 디스플레이된 UI에 대한 터치 입력과 같은 터치 스크린(220) 상에서의 또는 그 근처에서의 터치를 검출하기 위해 터치 프로세서(202) 및 터치 제어기(206)를 사용할 수 있다. 터치 입력은, 커서 또는 포인터와 같은 물체를 이동시키는 것, 스크롤링 또는 패닝(panning)하는 것, 제어 설정을 조정하는 것, 파일 또는 문서를 여는 것, 메뉴를 보는 것, 선택을 행하는 것, 명령어들을 실행시키는 것, 호스트 디바이스에 접속된 주변기기 디바이스를 동작시키는 것, 전화 호출을 받는 것, 전화 호출을 거는 것, 전화 호출을 종료하는 것, 볼륨 또는 오디오 설정을 변경하는 것, 주소, 자주 다이얼링되는 번호, 받은 호출, 부재중 호출과 같은 전화 통신과 관련된 정보를 저장하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크에 로그인하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크의 제한된 영역들에의 허가된 개인의 액세스를 허용하는 것, 컴퓨터 데스크톱의 사용자 선호 배열과 연관된 사용자 프로파일을 로딩하는 것, 웹 콘텐츠에의 액세스를 허용하는 것, 특정 프로그램을 론칭(launching)하는 것, 메시지를 암호화 또는 디코딩하는 것 등을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는 작업들을 수행하기 위해 프로그램 저장소(232)에 저장된 컴퓨터 프로그램들에 의해 사용될 수 있다. 호스트 프로세서(228)는, 또한, 터치 프로세싱에 관련되지 않을 수도 있는 추가 기능들을 수행할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 기능들 중 하나 이상은 메모리(예컨대, 도 2의 주변기기들(204) 중 하나)에 저장되고 터치 프로세서(202)에 의해 실행되거나, 또는 프로그램 저장소(232)에 저장되고 호스트 프로세서(228)에 의해 실행되는 펌웨어에 의해 수행될 수 있음에 유의한다. 펌웨어는, 또한, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치(fetch)할 수 있고 명령어들을 실행시킬 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 내장 시스템, 또는 기타 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 임의의 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내에 저장되고/되거나 전송될 수 있다. 본 명세서의 맥락에서, "비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 포함하거나 저장할 수 있는 (신호들을 제외한) 임의의 매체일 수 있다. 일부 예들에서, RAM(212) 또는 프로그램 저장소(232)(또는 둘 모두)는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체일 수 있다. RAM(212) 및 프로그램 저장소(232) 중 하나 또는 둘 모두는, 터치 프로세서(202) 또는 호스트 프로세서(228) 또는 둘 모두에 의해 실행될 때, 컴퓨팅 시스템(200)을 포함하는 디바이스로 하여금 본 발명의 하나 이상의 예들의 하나 이상의 기능들 및 방법들을 수행하게 할 수 있는 명령어들을 내부에 저장하고 있을 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 적외선, 또는 반도체 시스템, 장치 또는 디바이스, 휴대용 컴퓨터 디스켓(자기), 랜덤 액세스 메모리(RAM)(자기), 판독 전용 메모리(ROM)(자기), 소거가능한 프로그래밍가능 판독 전용 메모리(EPROM)(자기), CD, CD-R, CD-RW, DVD, DVD-R, 또는 DVD-RW와 같은 휴대용 광학 디스크, 또는 콤팩트 플래시 카드, 보안 디지털 카드, USB 메모리 디바이스, 메모리 스틱과 같은 플래시 메모리 등을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는다.
펌웨어는, 또한, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치할 수 있고 명령어들을 실행시킬 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 내장 시스템, 또는 기타 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 임의의 전송 매체 내에서 전파될 수 있다. 본 명세서의 맥락에서, "전송 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 전달, 전파 또는 전송할 수 있는 임의의 매체일 수 있다. 전송 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 또는 적외선의 유선 또는 무선 전파 매체를 포함할 수 있지만, 이로 제한되지 않는다.
터치 스크린(220)은, 본 명세서에서 터치 노드들로 지칭되는, 터치 스크린의 다수의 별개의 위치들에서 터치 정보를 도출하는 데 사용될 수 있다. 터치 스크린(220)은 복수의 구동 라인들(222) 및 복수의 감지 라인들(223)을 갖는 용량성 감지 매체를 포함할 수 있는 터치 감지 회로부를 포함할 수 있다. 용어 "라인들"은, 때때로, 당업자가 용이하게 이해할 바와 같이, 본 명세서에서 단순한 전도성의 경로들을 의미하기 위해 사용되고, 엄격하게 선형인 요소들로 제한되지 않지만, 방향을 변화시키는 경로들을 포함하고, 상이한 크기, 형상, 재료들 등의 경로들을 포함한다는 것에 유의해야 한다. 구동 라인들(222)은 구동 인터페이스(224)를 통해 구동기 로직(214)으로부터의 자극 신호들(216)에 의해 구동될 수 있고, 감지 라인들(223)에서 생성된 결과적인 감지 신호들(217)은 감지 인터페이스(225)를 통해 터치 제어기(206) 내의 감지 채널들(208)로 송신될 수 있다. 이러한 방식으로, 구동 라인들 및 감지 라인들은 용량성 감지 노드들을 형성하도록 상호작용할 수 있는 터치 감지 회로부의 일부일 수 있고, 용량성 감지 노드들은 터치 화소들(터치 픽셀들)로서 간주될 수 있고 본 명세서에서 터치 노드들(226, 227)과 같은 터치 노드들로 지칭될 수 있다. 이러한 이해 방식은 터치 스크린(220)이 터치의 "이미지"("터치 이미지")를 캡처하는 것처럼 보일 때, 특히 유용할 수 있다. 다시 말하면, 터치 제어기(206)가, 터치가 터치 스크린 내의 각각의 터치 노드들에서 검출되었는지의 여부를 결정한 후에, 터치가 발생한 터치 스크린 내의 터치 노드들의 패턴은 터치의 "이미지"(예를 들면, 터치 스크린을 터치하는 손가락의 패턴)로서 간주될 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 다른 전기 컴포넌트에 "커플링된" 또는 "그에 접속된" 전기 컴포넌트는 커플링된 컴포넌트들 사이의 통신 또는 동작을 위한 전기 경로를 제공하는 직접 또는 간접 접속부를 포괄한다. 따라서, 예를 들어, 구동 라인들(222)은 구동기 로직(214)에 직접 접속되거나 구동 인터페이스(224)를 통해 구동 로직(214)에 간접적으로 접속될 수 있고, 감지 라인들(223)은 감지 채널들(208)에 직접 접속되거나 감지 인터페이스(225)를 통해 감지 채널들(208)에 간접적으로 접속될 수 있다. 어느 경우든, 터치 노드들을 구동 및/또는 감지하기 위한 전기 경로가 제공될 수 있다.
도 3a는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드 전극(302) 및 감지 회로(314)(예컨대, 감지 채널(208)에 대응함)의 자기-용량 측정부에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(300)를 예시한다. 터치 노드 전극(302)은 터치 스크린(400)의 터치 전극(404 또는 406) 또는 터치 스크린(402)의 터치 노드 전극(408)에 대응할 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 그와 연관된 접지에 대한 고유한 자기-용량을 가질 수 있고, 또한 손가락(305)과 같은 물체가 전극에 근접해 있거나 터치하는 경우에 형성되는 접지에 대한 부가적인 자기-용량을 가질 수 있다. 터치 노드 전극(302)의 접지에 대한 총 자기-용량은 용량(304)으로 예시될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 감지 회로(314)에 커플링될 수 있다. 감지 회로(314)는 연산 증폭기(308), 피드백 저항기(312) 및 피드백 커패시터(310)를 포함할 수 있지만, 다른 구성들이 채용될 수 있다. 예를 들어, 피드백 저항기(312)는 가변 피드백 저항기에 의해 야기될 수 있는 기생 용량 효과를 최소화하기 위해 스위치드-커패시터 저항기(switched capacitor resistor)에 의해 대체될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 연산 증폭기(308)의 반전 입력(-)에 커플링될 수 있다. AC 전압원(306)(Vac)이 연산 증폭기(308)의 비-반전 입력(+)에 커플링될 수 있다. 터치 센서 회로(300)는 터치 센서 패널을 터치하거나 그에 근접한 손가락 또는 물체에 의해 유도된 터치 노드 전극(302)의 총 자기-용량(304)에서의 변화들(예컨대, 증가들)을 감지하도록 구성될 수 있다. 출력(320)은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 프로세서에 의해 사용될 수 있거나, 또는 출력은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 별개의 로직 네트워크 내에 입력될 수 있다.
도 3b는 본 개시내용의 예들에 따른, 상호-용량 구동 라인(322) 및 감지 라인(326) 및 감지 회로(314)(예컨대, 감지 채널(208)에 대응함)에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(350)를 예시한다. 구동 라인(322)은 자극 신호(306)(예컨대, AC 전압 신호)에 의해 자극될 수 있다. 자극 신호(306)는 구동 라인(322)과 감지 라인 사이의 상호-용량(324)을 통해 감지 라인(326)에 용량성으로 커플링될 수 있다. 손가락 또는 물체(305)가 구동 라인(322)과 감지 라인(326)의 교차점에 의해 생성되는 터치 노드에 접근하는 경우, 상호-용량(324)이 변화할 수 있다(예컨대, 감소될 수 있다). 상호-용량(324)의 이러한 변화는, 본 명세서에 기술되는 바와 같이, 터치 노드에서의 터치 또는 근접 이벤트를 나타내기 위해 검출될 수 있다. 감지 라인(326) 상에 커플링되는 감지 신호는 감지 회로(314)에 의해 수신될 수 있다. 감지 회로(314)는 피드백 저항기(312) 및 피드백 커패시터(310) 중 적어도 하나와 연산 증폭기(308)를 포함할 수 있다. 도 3b는 저항성 및 용량성 피드백 요소들 양측 모두가 활용되는 일반적인 경우를 예시한다. 감지 신호(Vin이라고 지칭됨)는 연산 증폭기(308)의 반전 입력 내로 입력될 수 있고, 연산 증폭기의 비-반전 입력은 기준 전압 Vref에 커플링될 수 있다. 연산 증폭기(308)는 그의 출력을 전압 Vo로 구동하여 Vin을 Vref와 실질적으로 동일하게 유지시킬 수 있고, 따라서, Vin을 일정하게 유지시키거나 사실상 접지된 것으로 유지할 수 있다. 당업자라면 이 문맥에서 동일하다는 것이 최대 15%의 편차를 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 저항기(312) 및/또는 커패시터(310)로 구성된 감지 회로(314)의 이득은, 주로, 상호-용량(324)과 피드백 임피던스 비율의 함수일 수 있다. 감지 회로(314)의 출력 Vo는 곱셈기(328) 내에 공급됨으로써 필터링될 수 있고 헤테로다인(heterodyne) 또는 호모다인(homodyne)될 수 있는데, 여기서 Vo는 국부 발진기(330)와 곱해져서 Vdetect를 생성하게 할 수 있다. Vdetect는 필터(332) 내에 입력될 수 있다. 당업자는 필터(332)의 배치가 변화될 수 있다는 것을 인식할 것이고; 따라서, 도시된 바와 같이, 필터가 곱셈기(328) 뒤에 배치될 수 있거나, 또는 2개의 필터들, 즉 곱셈기 앞의 하나의 필터 및 곱셈기 뒤의 다른 하나의 필터가 채용될 수 있다. 일부 예들에서는, 필터가 전혀 없을 수 있다. Vdetect의 직류(DC) 부분은 터치 또는 근접 이벤트가 발생했는지의 여부를 결정하는 데 사용될 수 있다. 도 3a 및 도 3b가 곱셈기(328)에서의 복조가 아날로그 도메인에서 발생함을 나타내지만, 출력 Vo는 아날로그-디지털 컨버터(ADC)에 의해 디지털화될 수 있고 블록들(328, 332 및 330)은 디지털 방식으로 구현될 수 있음(예컨대, 328은 디지털 복조기일 수 있고, 332는 디지털 필터일 수 있으며, 330은 디지털 NCO(Numerical Controlled Oscillator)일 수 있음)에 유의한다.
도 2를 다시 참조하면, 일부 예들에서, 터치 스크린(220)은 터치 감지 시스템의 터치 감지 회로 요소들이 디스플레이의 디스플레이 픽셀 스택업들 내에 통합될 수 있는 통합형 터치 스크린일 수 있다. 터치 스크린(220) 내의 회로 요소들은, 예를 들어, 하나 이상의 픽셀 트랜지스터들(예컨대, 박막 트랜지스터(TFT)들), 게이트 라인들, 데이터 라인들, 픽셀 전극들, 및 공통 전극들과 같은, LCD 또는 다른 디스플레이들(LED 디스플레이, OLED 디스플레이 등)에 존재할 수 있는 요소들을 포함할 수 있다. 주어진 디스플레이 픽셀에서, 픽셀 전극과 공통 전극 사이의 전압은 디스플레이 픽셀의 휘도(luminance)를 제어할 수 있다. 픽셀 전극 상의 전압은 픽셀 트랜지스터를 통해 데이터 라인에 의해 공급될 수 있으며, 이는 게이트 라인에 의해 제어될 수 있다. 회로 요소들은 전체 커패시터, 전체 트랜지스터 등과 같은 전체 회로 컴포넌트들로 제한되는 것이 아니라, 평행 플레이트 커패시터의 2개의 플레이트들 중 단 하나와 같은, 회로부의 부분들을 포함할 수 있음에 유의한다.
도 4a는 본 발명의 예들에 따른, 행들 및 열들로 배열된 터치 전극들(404, 406)을 갖는 터치 스크린(400)을 도시한다. 구체적으로, 터치 스크린(400)은 행들로서 배치되는 복수의 터치 전극들(404), 및 열들로서 배치되는 복수의 터치 전극들(406)을 포함할 수 있다. 터치 전극들(404) 및 터치 전극들(406)은 터치 스크린(400) 상의 동일한 또는 상이한 재료 층들 상에 있을 수 있고, 도 4a에 예시된 바와 같이, 서로 교차할 수 있다. 일부 예들에서, 전극들은 (부분적으로 또는 완전히) 투명한 기판의 반대편 면들 상에 그리고 ITO와 같은 (부분적으로 또는 완전히) 투명한 반도체 재료로 형성될 수 있지만, 다른 재료들이 가능하다. 일부 예들에서, 전도성 플레이트들은 전도성 중합체, 금속 메시, 그래핀, 나노와이어(예컨대, 은 나노와이어) 또는 나노튜브(예컨대, 탄소 나노튜브)를 포함하는 다른 재료로 형성될 수 있다. 기판의 상이한 면들 상의 층들 상에 디스플레이되는 전극들은 본 명세서에서 양면형 센서로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린(400)은 터치 스크린(400) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 전극들(404, 406)의 자기-용량을 감지할 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(400)은 터치 스크린(400) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 전극들(404, 406) 사이의 상호-용량을 감지할 수 있다.
도 4b는 본 발명의 예들에 따른, 픽셀형 터치 노드 전극 구성으로 배열된 터치 노드 전극들(408)을 갖는 터치 스크린(402)을 예시한다. 구체적으로, 터치 스크린(402)은, 전술된 바와 같이, 복수의 개별적인 터치 노드 전극들(408)을 포함할 수 있으며, 각각의 터치 노드 전극은 터치 또는 근접(즉, 터치 또는 근접 이벤트)이 감지될 터치 스크린 상의 고유한 위치를 식별하거나 나타내고, 각각의 터치 노드 전극은 터치 스크린/패널 내의 다른 터치 노드 전극들로부터 전기적으로 분리되어 있다. 터치 노드 전극들(408)은 터치 스크린(402) 상의 동일한 또는 상이한 재료 층들 상에 있을 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린(402)은 터치 스크린(402) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 노드 전극들(408)의 자기-용량을 감지할 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(402)은 터치 스크린(402) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 노드 전극들(408) 사이의 상호-용량을 감지할 수 있다.
도 5a는 본 개시내용의 예들에 따른, 모바일 폰, 태블릿, 터치패드, 휴대용 컴퓨터, 휴대용 미디어 플레이어, 웨어러블 디바이스 또는 이와 유사한 것과 같은, 터치 감응형 디바이스에 사용될 수 있는 예시적인 터치 스크린을 예시한다. 터치 스크린(500)은 디스플레이(502), 편광기(504), 터치 센서 패널(520) 및 커버 글래스(508)(전방 결정(front crystal)이라고도 지칭됨)를 포함하는 스택업을 포함할 수 있다. 디스플레이(502)는 터치 스크린 상에 이미지를 생성할 수 있다. 편광기(504)는 디스플레이(502)로부터 방출된 광의 휘도를 제어하는 데 사용될 수 있다. 커버 글래스(508)는 터치 스크린의 컴포넌트들을 보호하기 위해 터치 스크린의 최외층으로서 사용될 수 있다. 터치 센서 패널(520)은, 투명 플라스틱 기판(506)과 같은, 유전체의 대향 측면들 상에 패터닝된 투명 전도성 재료(512)의 행들 및 열들(터치 전극들)로 형성될 수 있다. 전도성 재료(512)의 표현이 (예시의 간단함을 위해) 기판(506)의 양쪽 측면에 동일한 배향을 갖는 전극들의 도 5a의 단면도에서의 모습을 제공하지만, 기판(506)의 대향 측면들 상의 행들 및 열들이 (예컨대, 도 4b와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이) 행-열 패턴으로 수직일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 터치 센서 패널(520)은 투명 전도성 재료(512) 위에 배치된 패시베이션 층들(516)을 또한 포함할 수 있다. 투명 플라스틱 기판(506)은 투명 전도성 재료(512)의 행들과 열들 사이의 유전체 층으로서 기능할 수 있다. 유전체에 의해 분리된, 전도성 재료의 행들 및 열들 사이의 교차점들은 (예컨대, 도 4a와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이) 감지 영역들 또는 노드들을 형성할 수 있다. 양면 행-열 패턴이 도 5a에 도시되어 있지만, 다른 패터닝이 가능하다. 예를 들어, 전극들이 브리지들을 사용하여 행-열 패턴으로 또는 픽셀형 패턴으로(예컨대, 도 4b와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이) 일 측면 상에 패터닝될 수 있다. 투명 플라스틱 기판은 사이클로 올레핀 중합체(COP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 투명 폴리이미드(CPI) 또는 이와 유사한 것과 같은 상이한 재료들로 제조될 수 있다. 투명 전도성 재료는, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 은 나노와이어(AgNW)일 수 있다. 디스플레이(502), 편광기(504), 터치 센서 패널(520) 및 커버 글래스(508)는 광학적으로 투명한 접착제(OCA) 층들(510)에 의해 커플링될(예컨대, 함께 라미네이팅될) 수 있다.
도 5b는 본 개시내용의 예들에 따른 예시적인 편광기 스택업을 예시한다. 편광기(504)는, 요오드로 도핑된 폴리비닐 알코올(PVA) 막(530)과 같은, 편광 층을 포함할 수 있다. 본 개시내용에서의 예들이 요오드로 도핑된 PVA 막을 지칭하지만, 편광 층이 요오드로 도핑된 PVA 막으로 제한되지 않으며, 임의의 적당한 편광 재료가 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 편광기 PVA 막(530)은 PVA 막(530)을 보호하기 위해 기판 층들(532, 534) 사이에 배치될 수 있다. 기판 층들은 COP, PC, 아크릴, 트라이아세틸 셀룰로오스(TAC) 또는 이와 유사한 것을 포함하는 재료들로 제조될 수 있다. 편광기(504)는 기판(532) 상에 배치된 하드 코트 층(536), 및 반파장판 및/또는 1/4 파장판(도시되지 않음)과 같은 하나 이상의 파장판(지연기) 코팅 층을 포함하는 부가의 보호 층들을 또한 포함할 수 있다. PVA 막, 다양한 기판들, 보호 층들 및 파장판 층들은 접착제들(도시되지 않음)을 사용하여 라미네이션 프로세스를 통해 커플링될 수 있다. 일부 예들에서, PVA 막(530)은 5 내지 35 μm일 수 있고, 기판 층들은 15 내지 50 μm일 수 있다.
도 5a를 다시 참조하면, 일부 실시예들에서, 터치 전극들(전도성 재료(512))은 터치 스크린의 가시 영역(예컨대, 디스플레이(502) 아래에 배치됨) 밖의 터치 감지 회로부(예컨대, 터치 제어기(206))로 라우팅될 수 있다. 예를 들어, 도 5a는 터치 센서 패널(520)에 커플링될 수 있는 가요성 인쇄 회로(FPC)(550)(본 명세서에서 "플렉스 회로"라고도 지칭됨)를 예시한다. 일부 예들에서, 커플링은 본딩 패드 또는 전도성 막(514)(예컨대, 이방성 전도성 막(ACF))을 통해 이루어질 수 있다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 플렉스 회로(550)는 터치 센서 패널(520)의 하나 이상의 상이한 측면에 커플링하는 하나의 또는 다수의 탭을 포함할 수 있다. 탭들의 개수는 터치 전극들을 형성하는 전도성 재료의 패턴 및 기판(506)의 에지들로의 터치 전극들의 라우팅에 의존할 수 있다. 일부 예들에서, 기판(506)의 일 측면 상의 터치 전극들(예컨대, 행들)은 터치 센서 패널의 일 측면으로 라우팅될 수 있고, 기판(506)의 다른 측면 상의 터치 전극들(예컨대, 열들)은 터치 센서 패널의 상이한 측면으로 라우팅될 수 있다. 그러한 예에서, 2개의 플렉스 회로 탭이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 보다 많은 또는 보다 적은 플렉스 회로들이 사용될 수 있다.
그렇지만, 터치 센서 패널(520)에 대한 플렉스 회로(550) 접속은 터치 스크린 스택업(500)의 두께를 증가시킬 수 있다. 부가적으로, 플렉스 회로(550)를 터치 센서 패널(520)에 접속시키는 것은 디스플레이 및/또는 터치 감지를 위해 사용되지 않을 수 있는 터치 스크린의 활성 터치 및 디스플레이 영역 주위의 경계 영역을 요구할 수 있다. 일부 예들에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 스택업으로부터 플렉스 회로를 제거함으로써, 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있고 그리고/또는 경계 영역이 감소될 수 있다. 그 대신에, 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 가요성 기판을 사용하여 형성될 수 있다(예컨대, 스택업에서의 단일 층 강성 기판을 가요성 기판으로 대체함). 터치 전극들은 가요성 인쇄 회로보다는 가요성 기판을 사용하여 터치 센서 패널로부터 터치 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 터치 스크린의 두께를 감소시키는 것은 보다 낮은 프로파일의 디바이스를 제공할 수 있고, 디바이스의 중량을 감소시킬 수 있다. 부가적으로, 디스플레이와 커버 글래스 사이의 거리를 감소시키는 것은 디스플레이 상의 광학 이미지를 개선시킬 수 있고 그리고/또는 터치 스크린의 굽힘 동안 기계적 변형을 감소시킬 수 있다.
도 5a에 예시되지 않았지만, 일부 예들에서, 터치 스크린 스택업은 터치 시스템들과 디스플레이 시스템들 사이의 간섭을 감소시키기 위해 터치 센서 패널과 디스플레이 사이에 실드 층을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층을 라우팅하는 것은 플렉스 회로(또는 기존의 플렉스 회로의 다른 탭)를 또한 요구할 수 있다. 일부 예들에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 실드 층을 터치 센서 패널 상의 실드 전극으로 라우팅함으로써 실드 층을 포함하는 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있다. (실드 전극을 통한) 실드 층은 이어서 터치 센서 패널의 가요성 기판을 통해 터치 감지 회로부(예컨대, 터치 제어기(206))로 라우팅될 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 터치 센서 패널(520) 또는 그의 일 부분은 편광기(504)와 통합될 수 있다. 터치 센서 패널(520)을 편광기(504)와 통합시키는 것은 터치 스크린 스택업의 두께를 감소시킬 수 있는데, 그 이유는 하나의 기판이 터치 센서 패널의 투명 플라스틱 기판(506) 및 편광기의 기판(532) 대신에 사용될 수 있기 때문이다. 터치 스크린의 두께를 감소시키는 것은 디바이스의 중량을 감소시키는 부가 이점을 또한 제공한다. 부가적으로, 디스플레이와 커버 글래스 사이의 거리를 감소시키는 것은 디스플레이 상의 광학 이미지를 개선시킬 수 있고 그리고/또는 터치 스크린의 굽힘 동안 기계적 변형을 감소시킬 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 본 개시내용의 예들에 따른 가요성 기판을 갖는 터치 스크린 스택업들의 예들을 예시한다. 일부 예들에서, 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 스택업은 터치 센서 패널로부터 빙돌아 디스플레이의 반대편 측면으로 플렉스(flex)(랩-어라운드(wrap-around))하도록 구성된 가요성 기판을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 스택업은 풀 랩-어라운드(full wrap-around)를 포함하지 않을 수 있지만, 터치 스크린의 가시 영역을 넘어(스택업의 디스플레이/터치 전극 영역을 넘어), 적어도 부분적으로, 연장되는 가요성 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 6d는 플렉스 회로에 대한 접속을 위해 스택업으로부터 연장되는 짧은 탭을 도시한다. 후자의 구현은 도 6a 내지 도 6c에 도시된 풀 랩-어라운드만큼의 가요성을 기판에 요구하지 않으면서 스택업으로부터 플렉스 회로를 제거할 수 있다(이로써 스택업의 높이를 감소시킴).
도 6a는 터치 스크린(600)이 디스플레이(602), 편광기(604), 터치 센서 패널(620)(예컨대, 터치 전극들(612), 기판(606) 상에 배치된 패시베이션 층들(616)을 포함함), 커버 글래스(608) 및 하나 이상의 접착제 층(610)을 포함할 수 있다. 터치 스크린(600)은 터치 스크린(500)과 유사할 수 있고, 설명의 편의를 위해 일부 차이들이 아래에서 설명될 것이다. 스택업에서의 강성/평면 기판(606) 및 터치 센서 패널(520)을 터치 감지 회로부와 접속시키기기 위한 플렉스 회로(550)를 갖는 도 5a와는 달리, 터치 센서 패널(620)은 스택업에 플렉스 회로 접속부를 포함시키지 않으면서 터치 감지 회로부와 접속될 수 있다. 그 대신에, 터치 스크린(600)의 터치 센서 패널(620)은 가요성 재료로 형성된 기판(606)을 포함할 수 있다. 스택업 내의 기판의 일 부분(도 6b에서 606A로 라벨링됨)은 (다른 강성 층들을 포함할 수 있는) 스택업 내에서의 그의 배치로 인해 평면일 수 있다. 스택업의 외부에 있는 기판의 일 부분(도 6b에서 606B로 라벨링됨)은 터치 센서 패널(620)로부터 디스플레이(602) 아래로 구부러지도록 비-평면이고 가요성일 수 있다. 일부 예들에서, 기판의 일 부분(도 6b에서 606C로 라벨링됨)은 디스플레이(602) 아래에의 그의 배치로 인해 평면일 수 있다. 가요성 기판(606)은 터치 스크린(620)의 터치 전극들을 디스플레이(602) 아래의(예컨대, 인쇄 회로 보드(PCB)(648) 상의) 터치 감지 회로부로 라우팅할 수 있다. 도 6a는 터치 센서 패널 아래에 편광기를 도시하지만, 일부 예들에서, 편광기는 터치 센서 패널 위에 배치될 수 있다.
도 6b는 도 6a의 터치 스크린(600)의 랩-어라운드 가요성 기판의 예의 부가의 세부사항들을 예시한다. 도 6b에 예시된 기판은 CPI, COP(예컨대, 부분적으로 결정화되고 부분적으로 비정질임), 또는 PET와 같은 가요성 재료로 형성될 수 있다. 가요성 재료들에 의해 제공되는 가요성은 기판(예컨대, 기판의 부분(606B))의 굽힘을 가능하게 해줄 수 있다. 일부 예들에서, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 기판의 부분(606B)의 굽힘은 기판의 실질적으로 평면인 부분들(606A 및 606C)들 사이에 180도 굽힘을 제공할 수 있다. 평면 부분(606A)은 터치 센서 패널의 터치 전극들(612)을 포함할 수 있고, 터치 스크린의 디스플레이 위에 배치될 수 있다. 평면 부분(606A)은 터치 전극들(612) 위에 패시베이션 층(662)(예컨대, 패시베이션 층(616)에 대응함)을 또한 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 스택업 두께를 감소시키기 위해, 스택업이 터치 센서 패널 위의 접착제 층(예컨대, 접착제 층(610)에 대응함) 및 별개의 패시베이션 층(예컨대, 패시베이션 층(616)에 대응함) 둘 모두를 포함할 필요는 없도록 패시베이션 층(662)은 접착제 및 패시베이션 속성들 둘 모두를 갖는 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 평면 부분(606C)은 터치 스크린의 디스플레이 아래에(가시 영역 밖에) 배치될 수 있다. 일부 예들에서, 기판은 기판의 굽힘을 위한 성능을 개선시킬 수 있는 보호 코팅(예컨대, 하드 코팅(660))을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하드 코팅(660)은 개선된 접착력 및/또는 터치 전극들의 퇴적을 위한 화학적 상용성을 제공하기 위해 코팅 층(반드시 하드인 것은 아님)으로 대체(또는 보강)될 수 있다.
도 6a와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 가요성 기판(606)은 터치 스크린(620)의 터치 전극들을 디스플레이(602) 아래의 터치 감지 회로부로 라우팅할 수 있다. 예를 들어, 가요성 기판은 터치 전극들(612)을 터치 센서 패널(620)로부터 터치 감지 회로부로 라우팅하는 라우팅(644)을 포함할 수 있다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 라우팅(644)은 가요성일 수 있고 기판의 부분(606 B) 상에 배치될 수 있다. 라우팅(644)은 (예컨대, 기판의 부분(606A) 상의) 제1 상호접속 인터페이스에서 터치 전극들(612)에 전기적으로 커플링될 수 있다. 라우팅(644)은 (예컨대, 기판의 부분(606C) 상의) 제2 상호접속 인터페이스를 통해 터치 감지 회로부(도시되지 않음)에 전기적으로 커플링될 수 있다. 부가적으로, 부식을 방지하기 위해 그리고/또는 라우팅(644) 및 가요성 기판(606)에 기계적 안정성을 제공하기 위해 보호 코팅(642)이 포함될 수 있다.
설명의 용이함을 위해, 도 6b는 기판(606A)의 일 측면 상의 터치 전극들(612)을 예시하지만, (예컨대, 도 6a의 양면 터치 센서 패널(620)과 같은) 양면 터치 센서 패널들의 경우, 부가의 터치 전극들(612)이 가요성 기판을 통해 배치 및 라우팅될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, (도 6a에 도시되어 있지만 도 6b에 도시되지 않은) 가요성 기판의 반대편 측면 상의 터치 전극들(612)은 (예컨대, 도 6b에 도시된 부분(606B)에서의 가요성 기판의 내부 부분을 따라) 기판의 부분(606A)으로부터 부분(606B)으로 부분(606C)으로 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들(612), 하드 코팅(660), 라우팅 트레이스(644) 및/또는 보호 층(642)은 그러한 스택업을 위해 기판(606)의 제2 측면 상에 미러링될 수 있다.
일부 예들에서, 기판의 제2 반대편 측면 상의 터치 전극들은 터치 센서 패널의 다른 에지에서의 랩-어라운드 굽힘(wrap-around bend)을 통해 라우팅될 수 있다. 예를 들어, 도 6c는 양면 터치 센서 패널을 포함하고 터치 센서 패널의 다수의 상이한 에지들을 랩 어라운드하는, 도 6a의 터치 스크린(600)의 가요성 기판의 예의 부가의 세부사항들을 예시한다. 도 6c의 기판은 CPI, COP, 또는 PET와 같은 가요성 재료로 형성될 수 있다. 가요성 재료들에 의해 제공되는 가요성은 기판(예컨대, 기판의 부분들(606B/606B'))의 굽힘을 가능하게 할 수 있다. 일부 예들에서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 기판의 제1 측면 상의 부분(606B)의 굽힘은 기판의 실질적으로 평면인 부분들(606A 및 606C) 사이에서 180도 굽힘을 제공할 수 있고, (기판의 제1 측면과 상이한) 기판의 제2 측면 상의 부분(606B')의 굽힘은 기판의 실질적으로 평면인 부분들(606A 및 606C) 사이에서 180도 굽힘을 제공할 수 있다. 일부 예들에서, 굽힘이 일어나는 기판의 제1 측면 및 제2 측면은 (예시의 간단함을 위해) 도 6c에 예시된 바와 같이 반대편 측면들 상에 있을 수 있다. 일부 예들에서, 굽힘이 일어나는 기판의 제1 측면 및 제2 측면은 인접한 측면들 상에 있을 수 있다. 도 6c에서 기판의 2개의 측면에 굽힘이 예시되어 있지만, 굽힘이 기판의 보다 적은 또는 보다 많은 측면들에서 일어날 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 부가적으로, 본 명세서에서 설명된 굽힘은 (예컨대, 터치 스크린 주위의 경계 영역을 감소시키기 위해) 기판의 전체 측면을 따라 또는 (예컨대, 다른 컴포넌트(예컨대, 카메라 또는 다른 센서 또는 회로부)에 근접한 경계 영역을 감소시키기 위해) 기판의 일 부분에 대해서만 일어날 수 있다.
평면 부분(606A)은 터치 센서 패널의 터치 전극들(612)을 포함할 수 있고, 터치 스크린의 디스플레이 위에 배치될 수 있다(예컨대, 터치 전극들 및/또는 평면 부분(606A)은 디스플레이와 경계를 접할(coterminous) 수 있다). 양면 터치 센서 패널들에서, 터치 전극들(612)은 (예컨대, 도 6a와 관련하여 설명된 바와 같이, 행-열 패턴으로) 기판의 반대편 측면들 상의 전극들을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 기판은 기판의 굽힘을 위한 성능을 개선시킬 수 있는 보호 코팅(예컨대, 하드 코팅(660))을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하드 코팅(660)은 개선된 접착력 및/또는 터치 전극들의 퇴적을 위한 화학적 상용성을 제공하기 위해 코팅 층(반드시 하드인 것은 아님)으로 대체(또는 보강)될 수 있다. 평면 부분(606A)은 터치 전극들(612) 위에(예컨대, 기판의 양쪽 측면 상에) 하나 이상의 층을 또한 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하나 이상의 층은 기판의 양쪽 측면 상의 터치 전극들(612) 위에 패시베이션 층(예컨대, 패시베이션 층(616)에 대응함) 및 접착제 층(예컨대, 접착제 층(610)에 대응함)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 스택업 두께를 감소시키기 위해, 스택업이 접착제 층(예컨대, 접착제 층(610)에 대응함) 및 별개의 패시베이션 층(예컨대, 패시베이션 층(616)에 대응함) 둘 모두를 포함할 필요는 없도록 보호/접착제 층(672)은 접착제 및 패시베이션 속성들 둘 모두를 갖는 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 평면 부분(606C)은 터치 스크린의 디스플레이 아래에(가시 영역 밖에) 배치될 수 있다.
가요성 기판은 터치 스크린(600)의 터치 전극들(612)을 디스플레이(602) 아래의 터치 감지 회로부로 라우팅할 수 있다. 예를 들어, 가요성 기판은 터치 전극들(612)을 터치 센서 패널(620)의 일 측면으로부터 터치 감지 회로부로 라우팅하기 위해 가요성 기판의 제1 측면 상의 라우팅(644)을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 가요성 기판은 터치 전극들(612)을 터치 센서 패널(620)의 제2 반대편 측면으로부터 터치 감지 회로부로 라우팅하기 위해 가요성 기판의 제2 측면 상의 라우팅(644')을 포함할 수 있다. 도 6c에 도시된 바와 같이, 라우팅(644, 644')은 가요성일 수 있고 기판의 부분들(606B, 606B')상에 배치될 수 있다. 라우팅(644, 644')은 (예컨대, 기판의 부분(606A)의 2개의 단부 상의) 제1 상호접속 인터페이스들에서 터치 전극들(612)에 전기적으로 커플링될 수 있다. 라우팅(644, 644')은 (예컨대, 기판의 부분들(606C, 606C')상의) 제2 상호접속 인터페이스들을 통해 터치 감지 회로부(도시되지 않음)에 전기적으로 커플링될 수 있다. 일부 예들에서, 보호/접착제 층(672)은, 부식으로부터의 보호를 제공하고 그리고/또는 라우팅(644, 644') 및 가요성 기판(606)에 대한 기계적 안정성을 제공하기 위해, 부분(606A)으로부터 부분(606B, 606B', 606C, 606C')까지 연장될 수 있다. 일부 예들에서, 부식을 방지하기 위해 그리고/또는 라우팅(644, 644') 및 가요성 기판(606)에 기계적 안정성을 제공하기 위해 별개의 보호 코팅(예컨대, 도 6b의 보호 코팅(642)에 대응함)이 포함될 수 있다.
위에서 논의된 바와 같이, 기판의 굽은(flexed) 부분(606B)(부분(606B)의 굽힘 영역)에서의 라우팅은 신뢰성을 위해 가요성일 수 있다. 도 7a 내지 도 7j는 본 개시내용의 예들에 따른 가요성 기판들 및 라우팅의 예들을 예시한다. 도 7a 내지 도 7j는 굽힘 이전의 평면 기판(706)을 예시한다. 예시 및 설명의 간단함을 위해, 하나의 터치 전극(예컨대, 터치 전극(712))의 라우팅이 도시되어 있지만, 부가의 터치 전극들에 대한 라우팅이 포함될 수 있다는 것이 이해된다. 도 7a는 ITO로 형성된 터치 전극들(712)을 갖는 그리고 구리 종단된 본드 패드를 통해 터치 감지 회로부에 대한 인터커넥트를 위한 기판(706)을 가로질러(부분(706A)으로부터 부분(706C)까지) 연장된 본드 패드를 형성하는 구리 종단된 ITO 라우팅을 갖는 예를 도시한다. 터치 전극(712)은, 예를 들어, ITO로 형성된 라우팅 트레이스에 의해 부분(706A)에서의 구리 종단된 ITO와 접속될 수 있다.
일부 예들에서, 라우팅의 가요성은 ITO와 비교하여 개선된 가요성을 갖는 재료들을 선택함으로써 개선될 수 있다. 예를 들어, 부분(706B)의 굽힘 영역에서의 구리 종단된 ITO는, 은(또는 구리) 페이스트와 같은, 가요성 도체로 대체될 수 있다. 도 7b는 부분(706C)에 구리 종단된 ITO 본드 패드(및, 예를 들어, ITO로 형성된 라우팅 트레이스에 의해 부분(706A)에서의 터치 전극들(712)에 커플링될 수 있는 부분(706A)에서의 구리 종단된 ITO 본드 패드)를 갖지만, 부분(706B)의 굽힘 영역에 ITO(및 구리)를 갖지 않는 예를 예시한다. 그 대신에, 은 페이스트가 부분(706B)에서의 라우팅에 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 구리가 본드 패드들로부터도 생략될 수 있다. 예를 들어, 도 7c는 구리 종단 없이 ITO 본드 패드들을 갖는 예를 예시한다. 일부 예들에서, 예를 들어, 도 7d에 예시된 바와 같이, 은 페이스트는 (ITO 및/또는 구리 없이) 본드 패드들을 형성할 수 있다.
일부 예들에서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 은(또는 구리) 페이스트를 사용하기보다는, 터치 전극들(712)로부터의 라우팅은 스퍼터링된 구리 또는 은 본드 패드를 통한 터치 감지 회로부에 대한 인터커넥트를 위해 기판(706)을 가로질러(부분(706A)으로부터 부분(706C)까지) 스퍼터링된 구리 또는 은을 통해 이루어질 수 있다. 도 7a 및 도 7b와 관련하여 위에서 설명된 바와 유사한 방식으로, ITO로 형성된 터치 전극(712)은, 예를 들어, 도 7c 내지 도 7e에서, ITO로 형성된 라우팅 트레이스에 의해 부분(706A)에서의 ITO에 접속될 수 있다.
비록 도 7a 내지 도 7e는 ITO로 형성된 터치 전극들(712)을 언급하지만, 터치 전극들이 다른 재료들(예컨대, 은 나노와이어)로 형성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 도 7f 내지 도 7j는 은 나노와이어로 형성될 수 있는 터치 전극들(712)을 포함할 수 있는 가요성 기판(706)을 예시한다. 도 7f 내지 도 7j에 나타낸 터치 전극(712)은, 예를 들어, 은 나노와이어로 형성된 라우팅 트레이스에 의해 부분(706A)에서의 은 나노와이어 재료에 접속될 수 있다. 일부 예들에서, 은 나노와이어 터치 전극들은 (예컨대, 도 7d와 관련하여 설명된 바와 같이) 은(또는 구리) 페이스트를 통해 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 은 나노와이어 터치 전극들은, 도 7f에 예시된 바와 같이, 구리 또는 은 트레이스들(예컨대, 스퍼터링된 은 또는 구리, 또는 인쇄된 은 잉크)를 통해 라우팅될 수 있다. 구리 또는 은은 부분(706C)에서의 상호접속을 위한 본드 패드들을 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 도 7g에 도시된 바와 같이, 가요성 라우팅을 위해 부분(706B)에서 은 나노와이어가 사용될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 부분(706C)에서의 상호접속을 위한 본드 패드는 구리 또는 은 페이스트(또는 잉크)로 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 부분들(706A 내지 706C)에서의 은 나노와이어는 (예컨대, 라우팅의 전도성을 개선시키기 위해), 예를 들어, 도 7h에 예시된 바와 같이, 은 페이스트 또는 잉크로 오버레이될 수 있다.
일부 예들에서, 굽힘 영역(부분(706B))에서의 라우팅은, 도 7i에 예시된 바와 같이, 은(또는 구리) 페이스트 또는 잉크(또는 다른 스퍼터링된 은 또는 구리)일 수 있다. 따라서, 도 7i는 도 7d 및 도 7e와 유사하지만, ITO 터치 전극보다는 은 나노와이어 터치 전극을 사용할 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅은 부분(706A 내지 706C)에서 은 나노와이어 및 은 페이스트(또는 잉크 또는 스퍼터링된 은 또는 구리) 둘 모두로 형성될 수 있으며, (도 7h에서와 같이 은 나노와이어가 은 페이스트 또는 잉크로 오버레이된 것과는 대조적으로) 은 나노와이어는, 예를 들어, 도 7j에 예시된 바와 같이 은 페이스트 또는 잉크를 오버레이한다.
도 7a 내지 도 7j가 가요성 기판에 대한(그리고 터치 전극들 및 본드 패드들에 대한) 라우팅을 위한 예시적인 옵션들을 예시하지만, 터치 전극들과 터치 감지 회로부 사이의 가요성 라우팅을 위해 다른 재료들 및 옵션들이 구현될 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 일부 예들에서, 가요성 기판이 터치 센서 패널로부터 터치 감지 회로부로 완전히 랩-어라운드하지는 않을 수 있다(예컨대, 디스플레이 후방에 배치됨). 일부 예들에서, 터치 스크린은, 적어도 부분적으로, 터치 스크린의 시각적 영역을 넘어 연장되는 가요성 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 6d는 플렉스 회로에 대한(그리고 후속하여, 도시되지 않은, 터치 감지 회로부에 대한) 접속을 위해 스택업으로부터 연장되는 짧은 가요성 탭을 도시한다. 도 6d는 도 6a의 터치 스크린(600)과 유사할 수 있는 터치 스크린(630)을 예시하고, 설명의 편의를 위해 일부 차이들이 아래에서 설명될 것이다. 가요성 기판(606)이 터치 센서 패널(620)로부터 디스플레이(602) 후방으로 랩어라운드하는 도 6a와는 달리, 도 6d에서, 가요성 기판(606)은 스택업으로부터 연장되는 탭(606D) 및 터치 센서 패널(620)의 터치 전극들(612)을 터치 감지 회로부로 라우팅하기 위해 탭(606D)에 커플링된 플렉스 회로(650)를 포함할 수 있다. 플렉스 회로(650)를 스택업의 외부에 있는 탭(606D)에 접속시키는 것은 가요성 회로가 스택업 내에서 커플링되는 도 5a에 비해 스택업의 높이를 감소시킬 수 있다. 도 6d는 하나의 짧은 가요성 탭 및 하나의 플렉스 회로를 도시하지만, 일부 예들에서, 부가의 가요성 탭들(및 대응하는 플렉스 회로들)이 기판의 부가의 측면 상에 구현될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
도 6a 내지 도 6d에서는 평면 터치 스크린으로서 주로 예시되어 있지만, 본 명세서에서 설명된 가요성 기판이 만곡형(curved), 가요성 또는 폴더블(foldable) 터치 센서들을 가능하게 해주기 위해 터치 전극들 및 다른 가요성 회로부를 또한 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 예들에서, 터치 스크린 스택업은 터치 시스템들과 디스플레이 시스템들 사이의 간섭을 감소시키기 위해 터치 센서 패널과 디스플레이 사이에 실드 층을 포함할 수 있다. 실드 층을 터치 센서 패널 상의 실드 전극으로 라우팅함으로써 실드 층을 포함하는 터치 스크린 스택업의 두께가 감소될 수 있다. 실드 층은 이어서 가요성 기판을 통해 터치 감지 회로부(예컨대, 터치 제어기(206))로 라우팅될 수 있다. 가요성 기판보다는 플렉스 회로들을 사용하는 일부 예들에서, 실드 층을 터치 감지 층으로 라우팅하는 것은 플렉스 회로들(또는 탭들)의 개수를 감소시킬 수 있으며, 이는 스택업의 두께를 감소시킬 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 본 개시내용의 터치 센서 패널 예들로 라우팅되는 실드 층을 갖는 터치 스크린 스택업의 예를 예시한다. 도 8a는 터치 스크린(800)이 디스플레이(802), 편광기(804), 터치 센서 패널(820)(예컨대, 기판(806)의 일 측면 상에 패터닝된 터치 전극들(812), 기판(806) 상에 배치된 패시베이션/접착제 층(816)을 포함함), 커버 글래스(608) 및 하나 이상의 접착제 층(810)을 포함할 수 있다. 터치 스크린(800)은 터치 스크린(600)과 유사할 수 있고, 설명의 편의를 위해 일부 차이들이 아래에서 설명될 것이다. 도 6a와 달리, 터치 스크린(800)은 그의 터치 센서 패널(820)(단면 터치 전극 패턴으로서 예시됨)과 디스플레이(802)(및/또는 편광기(804)) 사이에 실드 층(870)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층(870)은 ITO, 은 나노와이어 등과 같은 부분적으로 또는 완전히 투명한 재료로 형성될 수 있다. 실드 층(870)은 터치 센서 패널(820)과 디스플레이(802) 사이의 간섭을 감소시킬 수 있다.
터치 전극들(812)이 기판(806)의 제1 측면 상에 배치될 수 있고 실드 층(870)이 제1 측면의 반대편인 제2 측면 상에 배치될 수 있도록, 실드 층(870)은 적어도 기판(806)에 의해 터치 전극들(812)로부터 분리될 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층은 기판(806) 상에(단면 터치 전극 패턴을 위한 제2 측면 상에) 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층은 터치 전극들(812)이 형성되는 기판(806)과는 상이한, 스택업 내의 기판 상에 형성될 수 있다. 그러한 예들에서, 실드 층(870)은 접착제 층에 의해 터치 센서 패널(820)로부터 추가로 분리될 수 있다. 일부 예들에서, 상이한 기판은 편광기(804)의 기판일 수 있다. 편광기(804)의 기판을 사용하는 것은 스택업의 두께를 감소시킬 수 있다.
터치 스크린(800)은 실드 층(870)을 터치 센서 패널(820)의 기판(806)의 제2 측면으로부터 기판(806)의 제1 측면에 전기적으로 커플링시키기 위한 전도성 브리지(880)를 또한 포함한다. 예를 들어, 은(또는 구리) 페이스트가 터치 전극들을 포함하는 기판의 측면까지 기판(806)을 랩 어라운드할 수 있다. 실드 층(870)과 터치 센서 패널(820) 사이에 브리지를 형성하기 위해 다른 적당한 재료들(예컨대, 전도성 막들 등)이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 전도성 브리지(880)는 터치 센서 패널(820)의 기판(806)의 제1 측면 상의 전극("실드 전극")(882)에 접속될 수 있다. 일부 예들에서, 실드 전극(882)은 ITO로 형성될 수 있지만, 다른 재료들이 가능하다(예컨대, 은 나노와이어 등). 실드 전극(882)은 이어서 (예컨대, 터치 감지 자극 전압과 같은, 전압으로 실드를 구동하기 위해) 터치 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 전도성 브리지(880)의 랩어라운드(wraparound)는, 가요성 기판(806)이 연장되는 기점인 스택업의 에지와 반대편인, 기판(806)의 에지를 랩 어라운드할 수 있다. 따라서, 실드 층(870)은, 전도성 브리지(880) 및 실드 전극(882)을 통해, 터치 감지 회로부로 가요성 기판을 통해 (예컨대, PCB(848) 상의) 터치 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 전도성 브리지는 가요성 기판을 포함하지 않는 스택업에 사용될 수 있다. 그 대신에, 실드 전극은 플렉스 회로를 통해 터치 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 가요성 기판 또는 플렉스 회로가 사용되든지 간에, 전도성 브리지(880)는 스택업의 두께를 감소시킬 수 있는데, 그 이유는 실드 층을 터치 감지 회로부에 접속시키기 위해 별개의 플렉스 회로가 사용될 필요가 없기 때문이다.
도 8b는 본 개시내용의 예들에 따른 일부 부가의 세부사항들을 포함하는 터치 스크린(800)의 다른 도면을 예시한다. 예를 들어, 도 8b는 플렉스 커넥터를 사용함이 없이 터치 감지 회로부(도시되지 않음)에 대한 터치 센서 패널(820)의 접속을 가능하게 해주기 위한 터치 센서 패널(820)의 가요성 기판(806)에 관한 부가의 세부사항들을 예시한다. 기판(806)의 평면 부분은 터치 전극들(812)을 포함할 수 있다. 기판(806)의 평면 부분은 터치 전극들(612) 위에 패시베이션 층(817)(별개의 접착제 층(810)을 가짐, 함께 패시베이션/접착제 층(816)에 대응함)을 또한 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 기판은 기판의 굽힘을 위한 성능을 개선시킬 수 있는 보호 코팅(예컨대, 하드 코팅(860))을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하드 코팅(860)은 개선된 접착력 및/또는 터치 전극들의 퇴적을 위한 화학적 상용성을 제공하기 위해 코팅 층(반드시 하드인 것은 아님)으로 대체(또는 보강)될 수 있다. 굴절률 정합 층(index matching layer)은 광학 속성들을 매칭시키기 위해(예컨대, 상이한 굴절률들을 갖는 2개의 재료들 사이의 굴절률 변화를 감소시키기 위해) 하드 코팅(860)과 전도성 층들(예컨대, 터치 전극들(812), 실드 층(870), 실드 전극(882)) 사이에 배치될 수 있다. 가요성 기판(806)은 터치 전극들(812)을 터치 센서 패널(820)로부터 터치 감지 회로부로 라우팅하는 라우팅(844)을 또한 포함할 수 있다. 부가적으로, 부식을 방지하기 위해 그리고/또는 라우팅(844) 및 가요성 기판(806)에 기계적 안정성을 제공하기 위해 보호 코팅(842)이 포함될 수 있다.
전도성 브리지(880)는 상호접속부들에 의해 예시된 바와 같이 실드 층(870) 및 실드 전극(882)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 전도성 브리지(880)가 (예컨대, 스택업 내의) 실드 층(870)에 본딩될 수 있게 해주기 위해 전도성 브리지(880), 디스플레이(802), 편광기(804) 및 실드 층(882)을 포함하는 스택업의 측면이 터치 센서 패널(820)보다 넓을 수 있다. 전도성 브리지(880)는 이어서 실드 층(870)으로부터 기판(806)의 반대편 측면 상의 실드 전극(882)에 대응하는 본드 패드까지 기판(806)을 랩 어라운드할 수 있다.
비록 도 8a 및 도 8b는 편광기(804)의 상부 상에 배치된 실드 층(870)을 예시하지만, 일부 예들에서, 실드 층(870)은 편광기(804)의 상이한 층 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 실드 층은 편광기(804)의 반대편 측면 상에(예컨대, 편광기(804)와 디스플레이(802) 사이에) 배치될 수 있다. 그러한 경우에, 전도성 브리지(880)가 실드 층(870)에 본딩될 수 있게 해주기 위해 편광기가 스택업 내에서 좁아질 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층(870)은 디스플레이(802) 상에 배치되고 디스플레이(802)에 대한 플렉스 회로(도시되지 않음)를 통해 구동 회로부에 커플링될 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 터치 센서 패널 또는 그의 일 부분은 편광기와 통합될 수 있다. 터치 센서 패널을 편광기와 통합시키는 것은 터치 스크린 스택업의 두께를 감소시킬 수 있는데 그 이유는 보다 적은 기판들이 사용될 수 있기 때문이다.
도 9 및 도 10은 본 개시내용의 예들에 따른 통합형 터치 센서 패널 및 편광기의 예들을 예시한다. 도 9는 본 개시내용의 예들에 따른, 양면 터치 센서 패널(910)이 편광기 기판을 사용하여 형성되는 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(900)를 예시한다. 기판("COP"로 라벨링됨)을 포함하는, 통합된 터치 센서 패널을 갖지 않는 예시적인 편광기(예컨대, 도 5b의 편광기(504)에 대응함)는 도 9의 좌측에 재현되어 있다. 일부 예들에서, 동일한 기판이 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(900)에 대한 터치 센서 패널(910) 및 편광기 층들에 의해 공유될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 예시된 바와 같이, 기판 상에 편광기 층들(예컨대, PVA 막, TAC 등)을 형성하기 전에, 터치 전극들(904)이 기판(902)의 양쪽 측면 상에 배치될 수 있다. 터치 전극들(904)이 기판(902)의 양쪽 측면들 상에 도시되어 있지만, 일부 예들에서 (예컨대, 도 4b에 도시된 픽셀형 터치 전극 패턴 또는 브리지들을 사용하는 단면 행-열 터치 전극 패턴에 대해) 터치 전극들이 기판의 일 측면 상에 배치될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 터치 전극들(904)은 ITO, 또는 다른 적당한 재료들(예컨대, 은 나노와이어 등)로 형성될 수 있다. 패시베이션 층(906)은 터치 전극들(904) 상에 배치될 수 있다. 편광기 층들을 형성하기 전에 기판 상에 터치 전극들을 형성하는 것은 편광기 층들을 손상시킬 수 있는 (예컨대, ITO 퇴적 및 어닐링을 위한) 터치 전극들에 대한 고온 프로세싱 단계들을 가능하게 해줄 수 있다. 센서 패널(910)을 형성한 후에, 나머지 편광기 층들(예컨대, 하드 코트, PVA 막, TAC 층 등)이 터치 센서 패널(910) 상에 형성되어 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(900)를 형성할 수 있다.
도 10은 본 개시내용의 예들에 따른, 단면 터치 센서 패널(1010)이 편광기 기판을 사용하여 형성되는 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(1000)를 예시한다. 기판("COP"로 라벨링됨)을 포함하는, 통합된 터치 센서 패널을 갖지 않는 예시적인 편광기(예컨대, 도 5b의 편광기(504)에 대응함)는 도 10의 좌측에 재현되어 있다. 일부 예들에서, 동일한 기판이 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(1000)에 대한 터치 센서 패널(1010) 및 편광기 층들에 의해 공유될 수 있다. 예를 들어, 도 10에 예시된 바와 같이, 기판 상에 편광기 층들(예컨대, PVA 막, TAC 등)을 형성하기 전에 또는 후에, 터치 전극들(1004)이 기판(1002) 상의 하드 코트 층(1008) 상에 배치될 수 있다. 터치 전극들(1004)은 ITO, 또는 다른 적당한 재료들(예컨대, 은 나노와이어 등)로 형성될 수 있다. 도 10에 도시되어 있지 않지만, 일부 예들에서, 패시베이션 층이 터치 전극들(1004) 상에 배치될 수 있다.
부가적으로, 일부 예들에서, 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(1000)는 실드 층(1022)을 포함할 수 있다. 실드 층은 ITO 또는 다른 적당한 재료들(예컨대, 은 나노와이어)로 형성될 수 있고, 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(1000)의 하부 기판으로서 역할할 수 있는, 제2 기판(1020) 상에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 패시베이션 층(1024)은 실드 층(1022) 상에 배치될 수 있다. 일부 예들에서, (예컨대, 실드 층(870), 전도성 브리지(880), 및 실드 전극(882)에 대해 위에서 설명된 바와 같이) 실드 층(1022)은 전도성 브리지를 통해 터치 전극들(1004)을 포함하는 층에 커플링될 수 있다. 기판(1020), 실드 층(1022) 및 패시베이션 층(1024)은 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(1000)의 나머지에 (예컨대, 접착제, 라미네이션을 통해) 커플링될 수 있다.
일부 예들에서, 편광기 층들을 형성하기 전에 기판/하드 코드 상에 터치 전극들을 형성하는 것은 편광기 층들을 손상시킬 수 있는 (예컨대, ITO 퇴적 및 어닐링을 위한) 터치 전극들에 대한 고온 프로세싱 단계들을 가능하게 해줄 수 있다. 센서 패널(1010)을 형성한 후에, 나머지 편광기 층들(예컨대, PVA 막, TAC 층 등)이 터치 센서 패널(1010) 상에 형성되어 통합형 터치 센서 패널 및 편광기(1000)를 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들은 편광기 층들을 손상시키지 않으면서 수행될 수 있는 터치 전극들(예컨대, 은 나노와이어)에 대한 보다 저온 프로세싱 단계들을 사용하여 편광기 층들을 형성한 후에 기판/하드 코트 상에 형성될 수 있다.
도 11은 본 개시내용의 예들에 따른 통합된 터치 센서 패널 및 편광기를 형성하기 위한 예시적인 프로세스(1100)를 예시한다. 1105에서, 제1 기판이 형성될 수 있다. 제1 기판은 글래스 또는 투명 중합체(예컨대, COP)로 형성될 수 있다. 1110에서, 터치 센서 패널이 기판 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 9와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 터치 전극들은 터치 센서 패널(910)을 형성하도록 기판의 일 측면 또는 양쪽 측면 상에 퇴적될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들은 퇴적 및 어닐링을 통해 ITO로 형성될 수 있다. 부가적으로, 일부 예들에서, 터치 전극들을 보호하기 위해 그리고/또는 터치 센서 패널을 평탄화하기 위해 패시베이션 층이 터치 전극들 위에 퇴적될 수 있다. 1115에서, 편광기 층들이 터치 센서 패널 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 편광기 층들은, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 하나 이상의 하드 코트 층, 하나 이상의 접착제 층, 하나 이상의 광학 지연기 층(예컨대, HWP, QWP), 폴리비닐 알코올 층(예컨대, PVA 막 층), 및 트라이-아세틸 셀룰로오스 층을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 통합된 터치 센서 패널 및 편광기는 터치 센서 패널과 디스플레이 사이의 간섭을 감소시키기 위해 실드 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 1120에서, 실드 층이 제2 기판 상에 형성될 수 있다. 실드 층은 ITO 또는 다른 적당한 재료들(예컨대, 은 나노와이어)로 형성될 수 있다. 패시베이션 층이 실드 층 상에도 배치될 수 있다. 1125에서, 제2 기판(및 실드 층)이 (예컨대, 접착제 층 및 라미네이션 프로세스를 통해) 편광기 층들에 커플링될 수 있다.
도 11이 본 개시내용의 예들에 따른 통합형 터치 센서 패널 및 편광기를 형성하기 위한 예시적인 프로세스를 설명한다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 도 11의 통합형 터치 센서 패널 및 편광기는 실드 층 없이 형성될 수 있다(1120 및 1125를 생략함). 일부 예들에서, 터치 전극들은 1110에서 기판의 일 측면 상에 형성될 수 있고, 부가의 터치 전극들이 제2 기판의 일 측면 상에 형성될 수 있다. 제2 기판 및 터치 전극들이 1125에서 실드 층 대신에 커플링될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 단지 일 측면 상에 형성된 터치 전극들(예컨대, 픽셀형 터치 전극들)을 포함할 수 있다. 그러한 예들에서, 터치 전극들은 기판의 하드 코트 상에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, (예컨대, 도 10에 대해 위에서 설명된 바와 같이) 편광기가 먼저 기판 상에 형성될 수 있고, 이어서 터치 전극들이 편광기 상에 형성될 수 있다.
따라서, 전술된 바에 따르면, 본 개시내용의 일부 예들은 디스플레이 및 디스플레이 상에 배치된 터치 센서 패널을 포함하는 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 센서 패널은 가요성 재료로 형성된 기판 및 기판의 하나 이상의 표면 상에 형성된 터치 전극들을 포함할 수 있다. 터치 전극들을 포함하는 기판의 제1 부분은 평면일 수 있고, 기판의 제2 부분은 기판이 디스플레이의 치수를 넘어 연장되도록 비-평면일 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판의 제2 부분은 탭일 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판의 제2 부분은 터치 센서 패널로부터 터치 스크린 내의 상이한 층으로 랩 어라운드할 수 있다. 상이한 층은 디스플레이에 의해 터치 센서 패널로부터 분리될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 디스플레이의 치수 밖에서 기판의 제2 부분에 커플링되는 플렉스 회로를 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 기판의 제1 부분 상에 배치된 터치 전극들을 터치 감지 회로부로 라우팅하도록 구성된 기판의 제2 부분 상에 배치된 전도성 트레이스들을 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판의 제2 부분 상에 배치된 전도성 트레이스들은 기판의 제2 부분 내의 기판의 제1 측면 상에 배치된 제1 전도성 트레이스들 및 기판의 제2 부분 내의 기판의 제2 측면 상에 배치된 제2 전도성 트레이스들을 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 전도성 트레이스들은 기판의 제1 측면 상에 배치된 내부 코팅 층과 제1 전도성 트레이스들 위에 배치된 외부 코팅 층 사이에 배치될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 전도성 트레이스들은 기판의 제2 측면 상에 배치된 내부 코팅 층과 제2 전도성 트레이스들 위에 배치된 외부 코팅 층 사이에 배치될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 전극들은 인듐 주석 산화물로 형성될 수 있고, 기판의 제2 부분 상에 배치된 전도성 트레이스들은 인듐 주석 산화물 없이 형성될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 전극들은 은 나노와이어로 형성될 수 있고, 기판의 제2 부분 상에 배치된 전도성 트레이스들은 은 나노와이어로 형성될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판의 제1 부분은 디스플레이와 경계를 접할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판의 제3 부분은 평면이고 디스플레이에 의해 기판의 제1 부분으로부터 분리될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 기판의 제3 부분 상에 배치된 본딩 패드를 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 기판의 하나 이상의 표면 상에 배치된 코팅 층을 추가로 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 표면 상에 형성된 터치 전극들은 코팅 층 상에 배치될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 기판의 하나 이상의 표면 상에 배치된 보호 층을 추가로 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 표면 상에 형성된 터치 전극들은 보호 층 상에 배치될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판의 제2 부분과 디스플레이 사이에 갭이 형성될 수 있도록 기판의 제2 부분은 디스플레이로부터 분리될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판이 터치 스크린의 제1 측면과 상이한 터치 스크린의 제2 측면 상에서의 터치 스크린 내의 상이한 층으로 랩 어라운드함이 없이 기판이 터치 센서 패널로부터 터치 스크린의 제1 측면 상에서의 터치 스크린 내의 상이한 층으로 랩 어라운드할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판이 디스플레이의 제1 치수와 상이한 디스플레이의 제2 치수를 넘어 연장될 수 있도록 기판(예컨대, 606B')의 제4 부분은 비-평면일 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판의 제4 부분은 터치 센서 패널로부터 터치 스크린 내의 상이한 층으로 랩 어라운드할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 기판의 제2 부분 내의 기판의 제1 측면 상에 배치된 제1 전도성 트레이스들 및 기판의 제4 부분 내의 기판의 제1 측면의 반대편에 있는 기판의 제2 측면 상에 배치된 제2 전도성 트레이스들을 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 전도성 트레이스들은 기판의 제1 측면 상의 터치 전극들 중 제1 터치 전극들을 터치 감지 회로부로 라우팅하도록 구성될 수 있고, 제2 전도성 트레이스들은 기판의 제2 측면 상의 터치 전극들 중 제2 터치 전극들을 터치 감지 회로부로 라우팅하도록 구성될 수 있다.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 센서 패널, 실드 층 및 전도성 라우팅을 포함하는 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 센서 패널은 제1 기판 및 제1 기판의 제1 표면 상에 형성된 터치 전극들을 포함할 수 있다. 제1 기판은 터치 전극들을 실드 층으로부터 분리시킬 수 있다. 전도성 라우팅은 제1 기판의 제1 에지 주위의 실드 층을 제1 기판의 제1 측면으로 라우팅하도록 구성될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 실드 층은 제1 기판과 상이한 제2 기판 상에 배치될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 제2 기판을 포함하는 편광기를 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 편광기는 제1 기판을 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 터치 센서 패널과 실드 층 사이에 배치된 접착제 층을 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 터치 센서 패널과 실드 층 사이에 배치된 굴절률 정합 층을 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 실드 층은 제1 기판의 제2 측면 상에 배치될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 실드 층은 인듐 주석 산화물 또는 은 나노와이어를 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 전도성 라우팅은 은 페이스트를 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 터치 전극으로부터 분리된 제1 기판의 제1 측면 상의 실드 전극을 추가로 포함할 수 있다. 전도성 라우팅은 실드 층을 제1 기판의 제1 측면 상의 전극에 전기적으로 커플링시킬 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 실드 전극은 인듐 주석 산화물 또는 은 나노와이어를 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 제1 기판의 제2 에지 상에 배치된 가요성 커넥터를 추가로 포함할 수 있다. 가요성 커넥터는 터치 전극들 및 실드 층을 제1 기판의 제1 측면으로부터 터치 감지 회로부로 라우팅하도록 구성될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 전도성 라우팅이 터치 스크린의 디스플레이의 길이를 넘어 연장되지 않으면서 실드 층 상에 배치될 수 있도록 실드 층은 제1 기판의 제1 에지를 넘어 연장될 수 있다.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 스크린은 기판을 형성하는 단계; 기판 상에 터치 센서 패널을 형성하는 단계; 및 터치 센서 패널 상에 편광기 층들을 형성하는 단계를 포함하는 프로세스에 의해 준비될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판은 50μm 미만의 두께를 가질 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판 상에 터치 센서 패널을 형성하는 단계는 기판의 양쪽 측면 상에 터치 전극들을 퇴적시키는 단계를 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판 상에 터치 센서 패널을 형성하는 단계는 터치 전극들 위에 패시베이션 층을 퇴적시키는 단계를 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판은 투명 중합체로 형성될 수 있고, 터치 전극들은 인듐 주석 산화물로 형성된다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 편광기 층들은 폴리비닐 알코올 층, 트라이-아세틸 셀룰로오스 층, 및 하나 이상의 광학 지연기 층을 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 이 프로세스는 제2 기판 상에 실드 층을 형성하는 단계; 및 제2 기판을 편광기 층들에 커플링시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 기판 및 제2 기판 각각은 25 μm 이하의 두께를 가질 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 실드 층은 인듐 주석 산화물 또는 은 나노와이어로 형성될 수 있다. 위에서 개시된 예들 중 하나 이상에 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 기판은 접착제 층 및 라미네이션을 통해 편광기 층들에 커플링될 수 있다.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 스크린을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 기판을 형성하는 단계; 기판 상에 터치 센서 패널을 형성하는 단계; 및 터치 센서 패널 상에 편광기 층들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
개시된 예들이 첨부의 도면들을 참조하여 충분히 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 다양한 변경들 및 수정들이 명백할 것이라는 것에 주목하여야 한다. 그러한 변경들 및 수정들은 첨부된 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은 개시된 예들의 범주 내에 포함되는 것으로서 이해되어야 한다.

Claims (21)

  1. 터치 스크린으로서,
    디스플레이; 및
    상기 디스플레이 상에 배치된 터치 센서 패널을 포함하고, 상기 터치 센서 패널은,
    제1 부분 및 제2 부분을 포함하는 가요성 재료로 형성된 기판;
    상기 기판의 제1 표면 상에 형성된 복수의 제1 터치 전극;
    상기 복수의 제1 터치 전극을 터치 감지 회로부로 라우팅하도록 구성된 상기 기판의 제1 부분 상에 배치된 복수의 제1 전도성 트레이스; 및
    상기 복수의 제1 전도성 트레이스 상에 배치된 제1 보호 층을 포함하고,
    상기 복수의 제1 터치 전극을 포함하는 상기 기판의 제1 부분은 평면이고, 상기 복수의 제1 전도성 트레이스를 포함하는 상기 기판의 제2 부분은 상기 기판이 상기 디스플레이의 제1 치수를 넘어 연장되도록 비-평면인, 터치 스크린.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 제2 부분은 상기 터치 센서 패널로부터 상기 터치 스크린 내의 상이한 층으로 랩 어라운드하고, 상기 상이한 층은 상기 디스플레이에 의해 상기 터치 센서 패널로부터 분리되는, 터치 스크린.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 제1 표면 상에 배치된 제1 코팅 층을 더 포함하고,
    상기 기판의 제1 표면 상에 형성된 상기 복수의 제1 터치 전극은 상기 제1 코팅 층 상에 배치되는, 터치 스크린.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 코팅 층 상에 배치된 제2 보호 층을 더 포함하고,
    상기 기판의 제1 표면 상에 형성된 상기 복수의 제1 터치 전극은 상기 제2 보호 층 상에 배치되는, 터치 스크린.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 제2 부분과 상기 디스플레이 사이에 갭이 형성되도록 상기 기판의 제2 부분은 상기 디스플레이로부터 분리되는, 터치 스크린.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판이, 상기 터치 스크린의 제1 측면과 상이한, 상기 터치 스크린의 제2 측면 상에서의 상기 터치 스크린 내의 상이한 층으로 랩 어라운드함이 없이, 상기 기판이 상기 터치 센서 패널로부터 상기 터치 스크린의 상기 제1 측면 상에서의 상기 터치 스크린 내의 상기 상이한 층으로 랩 어라운드하는, 터치 스크린.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 터치 전극은 인듐 주석 산화물로 형성되고, 상기 복수의 제1 전도성 트레이스는 인듐 주석 산화물 없이 형성되는, 터치 스크린.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 터치 전극은 은 나노와이어로 형성되고, 상기 복수의 제1 전도성 트레이스는 은 나노와이어로 형성되는, 터치 스크린.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 제1 부분은 상기 디스플레이와 경계를 접하는(coterminous), 터치 스크린.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 제3 부분은 평면이고 상기 디스플레이에 의해 상기 기판의 제1 부분으로부터 분리되고, 상기 제3 부분은 상기 복수의 제1 전도성 트레이스의 적어도 일부를 포함하는, 터치 스크린.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 보호 층은 상기 복수의 제1 터치 전극 상에 추가로 배치되는, 터치 스크린.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 터치 센서 패널은:
    상기 기판의 제1 표면과 반대편에 있는 상기 기판의 제2 표면 상에 형성된 복수의 제2 터치 전극;
    상기 복수의 제2 터치 전극을 상기 터치 감지 회로부로 라우팅하도록 구성된 상기 기판의 제2 표면 상에 배치된 복수의 제2 전도성 트레이스; 및
    상기 복수의 제2 전도성 트레이스 상에 배치된 제2 보호 층을 더 포함하고,
    평면인 상기 기판의 제1 부분은 상기 복수의 제2 터치 전극을 포함하고,
    상기 복수의 제2 전도성 트레이스를 포함하는 상기 기판의 제3 부분은 상기 기판이, 상기 디스플레이의 제1 치수와 상이한, 상기 디스플레이의 제2 치수를 넘어 연장되도록 비-평면인, 터치 스크린.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 제3 부분은 상기 터치 센서 패널로부터 상기 터치 스크린 내의 상이한 층으로 랩 어라운드하는, 터치 스크린.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 제3 부분은 평면이고 상기 디스플레이에 의해 상기 기판의 제1 부분으로부터 분리되고, 상기 제3 부분은 상기 복수의 제2 전도성 트레이스의 적어도 일부를 포함하는, 터치 스크린.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 제2 표면 상에 배치된 제1 코팅 층을 더 포함하고,
    상기 기판의 제2 표면 상에 형성된 상기 복수의 제2 터치 전극은 상기 제1 코팅 층 상에 배치되는, 터치 스크린.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 코팅 층 상에 배치된 제2 보호 층을 더 포함하고,
    상기 기판의 제2 표면 상에 형성된 상기 복수의 제2 터치 전극은 상기 제2 보호 층 상에 배치되는, 터치 스크린.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 제3 부분과 상기 디스플레이 사이에 갭이 형성되도록 상기 기판의 제3 부분은 상기 디스플레이로부터 분리되는, 터치 스크린.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 제2 터치 전극은 인듐 주석 산화물로 형성되고, 상기 복수의 제2 전도성 트레이스는 인듐 주석 산화물 없이 형성되는, 터치 스크린.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 제2 터치 전극은 은 나노와이어로 형성되고, 상기 복수의 제2 전도성 트레이스는 은 나노와이어로 형성되는, 터치 스크린.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 제4 부분은 평면이고 상기 디스플레이에 의해 상기 기판의 제1 부분으로부터 분리되고, 상기 제4 부분은 상기 복수의 제2 전도성 트레이스의 적어도 일부를 포함하는, 터치 스크린.
  21. 제12항에 있어서,
    상기 제2 보호 층은 상기 복수의 제2 터치 전극 상에 추가로 배치되는, 터치 스크린.
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