KR102353469B1 - 액정 이상기, 액정안테나 및 액정 이상기의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 서로 대립되게 설치한 제1기판과 제2기판 및 상기 제1기판과 제2기판 사이에 위치한 액정막을 포함하고, 상기 제2기판을 향한 제1기판의 일측에 제1금속막층이 설치되고, 상기 제1기판을 향한 제2기판의 일측에 제2금속막층이 설치되며 상기 제1금속막층과 상기 제2금속막층은 패턴화된 금속막층이며, 상기 제1기판과 제2기판은 PCB판재인 액정 이상기를 제공한다. 본 발명은 또 액정 안테나를 제공하고 상기 액정 이상기를 포함하며 상기 액정 안테나는 또 안테나 방사소자를 포함한다. 본 발명은 또 액정 이상기 제조방법을 제공하며 상기 액정 이상기를 제조하는데 사용된다. 초고주파수 무선통신에서 기판재료의 유전율과 유전체 손실이 클수록 매개물 손실이 더 크고 신호도 더 나쁘다. 본 출원은 PCB판재를 액정 안테나의 기판으로 사용한다. PCB판재의 유전율과 유전체 손실은 액정 디스플레이 패널이 사용하는 유리기판보다 더욱 낮고 매개물 손실도 작아 액정 안테나의 초고주파수대에서의 이용 성능을 제고시킬 수 있다.

Description

액정 이상기, 액정안테나 및 액정 이상기의 제조방법

본 발명은 무선통신기술 분야에 관한 것으로, 구체적으로 액정 이상기, 액정 안테나 및 액정 이상기 제조방법에 관한 것이다.

세계 각 나라의 정보 네트워크의 발전이 나날이 새로워지고 있고 각 분야에서 중대한 변혁이 발생하고 있거나 앞으로 발생할 추세이다. 그 중 가장 핫한 기술은 바로 5G와 위성이동 인터넷 통신기술이다.

안테나는 통신 정보의 발신과 수신의 핵심 장비로서 정보 네트워크 성능 지표와 사용자 사용 효과에 영향을 미치는 중요한 요소로 되였였다.

현재, 고저주파수대(센티미터파 이하，예를 들어 주파수≤10GHz)의 무선 전자파 주파수 스펙트럼 자원이 부족하여 고주파수대 이상(센티미터파에서 테라헤르츠파까지，10GHz이상)의 주파수 스펙트럼만 개발 가능하다.

액정 이상기는 액정 안테나의 중요한 부품으로서, 초고주파수대 이상의 주파수 스펙트럼에 적합한 액정 이상기와 액정 안테나를 설계, 제작하는 것은 본 기술분야의 기술자들이 해결해야 할 과제이다.

상기 문제를 해결하기 위해 본 발명은 액정 이상기, 액정 안테나 및 액정 이상기의 제조방법을 제공한다.

본 발명은, 서로 대립되게 설치한 제1기판과 제2기판 및 상기 제1기판과 제2기판 사이에 위치한 액정막을 포함하고, 상기 제2기판을 향한 제1기판의 일측에 제1금속막층이 설치되고, 상기 제1기판을 향한 제2기판의 일측에 제2금속막층이 설치되며 상기 제1금속막층과 상기 제2금속막층은 패턴화된 금속막층이며, 상기 제1기판과 제2기판은 PCB판재인 액정 이상기를 제공한다.

바람직하게, 상기 제1금속막층과 제1기판 사이에 투광성을 구비하는 제1캐리어막이 구비되고, 상기 제2금속막층과 제2기판 사이에 투광성을 구비하는 제2캐리어막이 구비된다.

바람직하게, 상기 제1캐리어막과 제1기판 사이에 제1본드막이 구비되고, 상기 제2캐리어막과 제2기판 사이에 제2본드막이 구비된다.

바람직하게, 상기 PCB판재는 PTFE고주파수판이다.

바람직하게, 상기 제1금속막층과 제2금속막층은 구리층이다.

바람직하게, 상기 제1금속막층과 제2금속막층의 금속막층 두께는 2.0μm보다 작지 않다.

바람직하게, 상기 제1캐리어막과 제2캐리어막은 PI막이다.

바람직하게, 상기 제1캐리어막과 제1금속막층은 일체화된 동도금박 PI기재이고, 상기 제2캐리어막과 제2금속막층은 일체화된 동도금박 PI판재이다.

본 발명은 액정 안테나를 더 제공하고, 상기 액정 이상기를 포함하며, 상기 액정 안테나는 안테나 방사소자를 더 포함한다.

본 발명은 액정 이상기 제조방법을 더 제공하며 상기 액정 이상기를 제조하는데 사용된다. 상기 제조방법은 하기 단계를 포함한다:

S1: PCB판재의 제1기판을 제공하며, 제1기판에 제1금속막층이 구비되고, 제1금속막층에 제1얼라인마크가 구비되며, 제1기판에 제1스루홀이 구비되고, 상기 제1얼라인마크의 위치와 제1스루홀의 위치는 대응된다,

S2: PCB판재의 제2기판을 제공하며, 제2기판에 제2금속막층이 구비되고, 제2금속막층에 제2얼라인마크가 구비되며, 제2기판에 제2스루홀이 구비되고, 상기 제2얼라인마크의 위치와 제2스루홀의 위치는 대응된다,

S3: 제1스루홀과 제2스루홀을 각각 투과하여 제1얼라인마크와 제2얼라인마크를 이용해 제1기판과 제2기판에 대해 대위 본딩한다.

바람직하게, S3단계에서 CCD렌즈를 이용해 제1기판과 제2기판에 대해 대위 본딩한다.

바람직하게, 상기 제1얼라인마크는 금속 얼라인마크이고 상기 제1얼라인마크는 제1금속막층에 대한 노출, 식각을 통해 얻는다. 상기 제2얼라인마크는 금속 얼라인마크이고 상기 제2얼라인마크는 제2금속막층에 대한 노출, 식각을 통해 얻는다. 상기 제1금속막층과 제1기판 사이에 고투광성의 제1캐리어막을 설치하고, 상기 제1캐리어막은 제1얼라인마크의 지지층으로 사용되며, 상기 제2금속막층과 제2기판 사이에 고투광성의 제2캐리어막을 설치하고 상기 제2캐리어막은 제2얼라인마크의 지지층으로 사용된다.

바람직하게, 상기 S1단계의 제작방법은 하기 단계를 포함한다:

제1기판을 제공하고, 상기 제1기판에 제1본드막을 설치하고, 제1기판에서 제1스루홀을 제작하며, 제1본드막에서 제1오픈홀을 제작하고, 상기 제1스루홀과 제1오픈홀의 위치는 대응된다.

제1캐리어막을 제1오픈홀을 구비한 제1본드막에 본딩하며；제1금속막층은 제1캐리어막이 제1기판과 등진 일면에 위치한다.

제1금속막층에 대해 패턴화 처리를 하여 제1얼라인마크를 포함한 패턴화된 제1금속막층을 얻는다.

상기 S2단계의 제작방법은 하기 단계를 포함한다:

제2기판을 제공하고, 상기 제2기판에 제2본드막을 설치하고, 제2기판에서 제2스루홀을 제작하며, 제2본드막에서 제2오픈홀을 제작하고, 상기 제2스루홀과 제2오픈홀의 위치는 대응된다.

제2캐리어막을 제2오픈홀을 구비한 제2본드막에 본딩하며；제2금속막층은 제2캐리어막이 제2기판과 등진 일면에 위치한다.

제2금속막층에 대해 패턴화 처리를 하여 제2얼라인마크를 포함한 패턴화된 제2금속막층을 얻는다.

바람직하게, 상기 제1스루홀의 크기는 제1얼라인마크를 완전히 커버하며；상기 제2스루홀의 크기는 제2얼라인마크를 완전히 커버한다.

바람직하게, S3단계에서 제1기판과 제2기판에 대해 대위 본딩을 할 경우 대편의 기판으로 제작하며；S3단계 후 가열압축을 통해 셀을 제작하는 단계를 포함하며 다수의 빈 셀을 제작한 다음 소편 절단 공정을 통해 단일 입자 예를 들어 청구항1에 설명한 액정 이상기의 빈 셀을 얻는다.

바람직하게, 상기 제1얼라인마크, 제2얼라인마크, 제1스루홀과 제2스루홀은 큰 기판 제작 시 대편 기판의 가장자리 위치에 설치하고 소편 절단 시 상기 제1얼라인마크, 제2얼라인마크, 제1스루홀과 제2스루홀은 절단된다.

종래기술과 비교해 볼때 본 발명은 아래와 같은 유익한 효과가 있다.

초고주파수 무선통신에서 기판재료의 유전율과 유전체 손실이 클수록 매개물 손실이 더 크고 신호도 더 나쁘다. 본 출원은 PCB판재를 액정 안테나의 기판으로 사용한다. PCB판재의 유전율과 유전체 손실은 액정 디스플레이 패널이 사용하는 유리기판보다 더욱 낮고 매개물 손실도 작아 액정 안테나의 초고주파수대에서의 이용 성능을 제고시킬 수 있다.

나아가서, PCB판재가 투광성이 없어 투광조표방법으로 두 개의 기판에 대해 대위 본딩하는데 불리하여 정확히 대위를 할 수 없으므로 안테나의 설계 요구를 만족시키지 못해 안테나의 성능을 대폭 감소시킬 수 있다. 하지만 본 출원은 제1금속막층과 제2금속막층에 각각 얼라인마크를 설치하고, 제1기판과 제2기판에 얼라인마크 위치와 대응되는 스루홀을 각각 설치하여 개진 후 투광조표방법으로 두 개의 기판에 대해 대위 본딩을 할 수 있다.

더 나아가서, 절차와 공정을 간편화하기 위해 얼라인마크는 대응되는 금속막층에 대해 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크이고；금속 얼라인마크의 크기가 스루홀의 크기보다 작아 금속막층과 대응되는 기판 사이에 투광성이 있는 캐리어막을 설치하여 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크를 지지할 수 있는 동시에 투광성이 있는 캐리어막은 투광조표 대위 본딩에 영향을 미치지 않는다.

도1은 본 발명의 실시예1에 따른 액정 이상기의 구조 개략도이다.
도2는 본 발명의 실시예1에 따른 액정 이상기의 대위 본딩 시 제1기판, 제1금속막층, 제1캐리어막의 구조 개략도이다.
도3은 본 발명의 실시예1에 따른 액정 이상기의 대위 본딩 시 제1기판, 제1금속막층, 제1캐리어막과 제1본드막의 하나의 구조 개략도이다.
도4는 본 발명의 실시예1에 따른 액정 이상기의 대위 본딩 시 제1기판, 제1금속막층, 제1캐리어막과 제1본드막의 또 다른 하나의 구조 개략도이다.
도5는 본 발명의 실시예1에 따른 액정 이상기의 대위 본딩 시 대편의 기판의 제1기판 구조 개략도이다.
도6은 본 발명의 실시예3에 따른 액정 이상기의 제조방법 흐름도이다.
도7은 본 발명의 실시예3에 따른 액정 이상기의 제조방법 중 S1단계의 흐름도이다.

본 발명의 목적, 기술방안과 장점을 보다 명확하게 설명하기 위해 도면과 결합해서 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 설명한 실시예는 단지 본 발명의 일부 실시예일뿐, 전부의 실시예가 아님은 자명한 것이다. 본 발명의 실시예에 기초하여, 본 기술분야의 당업자들이 창조성 노동을 거치지 않은 전제 하에서 획득한 모든 기타 실시예는 모두 본 발명의 청구 범위에 속한다.

다음, 도면과 실시예를 결합해서 본 발명에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.

실시예1:

도1은 본 발명의 실시예1로서, 본 구체적인 실시예는 액정 이상기에 관한 것이다. 액정 이상기는 대립되게 설치한 제1기판(11)과 제2기판(12)을 포함하고, 제1기판(11)과 제2기판(12) 사이에 위치한 액정막(50)을 더 포함한다.

제1기판(11)과 제2기판(12) 사이에 실란트(40)을 더 구비하며 실란트(40)은 제1기판(11)과 제2기판(12)의 가장자리에 위치하고 액정막(50)을 밀폐시키는데 사용된다. 바람직하게, 액정막(50)에는 스페이서와 에폭시 실란트(40)을 함유한 지지물이 분포되어 있다.

제1기판(11)에는 제1전도막이 설치되고, 제2기판(12)에는 제2전도막이 설치된다.

상기 제2기판(12)을 향한 제1기판(11)의 일측에 제1금속막층(21)이 설치되고, 상기 제1기판(11)을 향한 제2기판(12)의 일측에 제2금속막층(22)이 설치된다.

제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)은 모두 패턴화된 금속막층이다.

제1기판(11)과 제2기판(12)은 안정성과 절연효과가 비교적 좋은 동시에 유전손실이 가장 작은 재료를 선택하는데, 제1기판(11)과 제2기판(12)은 유리기판, 용융 실리카, ABS, 세라믹기재와 세라믹 열경화성 폴리머 복합재료일 수 있다. 본 실시예에서 제1기판(11)과 제2기판(12)은 바람직하게 PCB판재이다.

초고주파수 무선통신에서 기판재료의 유전율과 유전체 손실이 클수록 매개물 손실이 더 크고 신호도 더 나쁘다. 본 출원은 PCB판재를 액정 안테나의 기판으로 사용한다. PCB판재의 유전율과 유전체 손실은 액정 디스플레이 패널이 사용하는 유리기판보다 더욱 낮고 매개물 손실도 작아 액정 이상기 및 액정 안테나의 초고주파수대에서의 이용 성능을 제고할 수 있다.

액정 이상기 기판으로 사용되는 PCB판재는 FR4（에폭시수지 유리섬유）판, PTFE（테프론）판, PPS（폴리페닐렌 설파이드）, PS（폴리스티렌）, PPO（폴리페닐렌 옥시드）등 판재일 수 있지만, PCB판재는 바람직하게 고주파수판이며, PTFE고주파수판을 사용할 경우, 더 좋은 효과를 가진다. PCB판재 중 PTFE고주파수판은 보다 낮은 유전율과 유전체 손실을 구비하며, 매개물 손실도 작아 액정 이상기 및 액정 안테나의 초고주파수대에서의 이용 성능을 제고할 수 있다.

제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)은 전도율과 투자율이 높은 금속재료를 사용하므로 알루미늄, 구리, 은, 금, 카드뮴, 크롬, 몰리브덴, 니오브, 니켈, 철 등 금속을 이용할 수 있는데, 바람직하게 은, 구리, 금, 알루미늄 및 그들의 합금을 이용할 수 있다.

무선통신의 손실이 낮을수록 그 성능이 좋은 것이며, 마찬가지로 삽입 손실(도체 손실 포함)이 낮을수록 그 성능이 좋다. 액정 이상기에 사용되는 금속재료는 전도율과 투자율이 높은 재료를 요구하므로 일반적으로 은, 구리, 금, 알루미늄 및 그들의 합금을 이용할 수 있다.

금속재료인 은, 구리, 금, 알루미늄 및 그들의 합금 중 은과 금의 전도율이 가장 높지만 원가가 높다. 가성비가 가장 좋은 방안으로서, 금속막층의 금속재료는 바람직하게 구리재료를 이용한다. 제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)의 재료는 구리를 이용한다.

기존의 금속재료 및 금속막층 두께와 도체 손실은 일정한 연관성이 존재하는데 표피효과가 바로 그 도체 손실을 나타내고 있다. 교류전류가 표피효과를 가지고 있어 표피효과가 간접적으로 도체의 저항을 증대시키고 에너지 열 소모도 따라서 증대된다. 마이크로파 등 고주파수대의 주파수대에서 표피효과가 가장 뚜렷하다. 서로 다른 금속재료는 서 다른 표피 깊이를 가지고 있다.

표피효과：도체에 교류전류 또는 교류전자장이 존재할 경우 도체 내부의 전류 분포가 불균형을 이뤄 전류가 도체의 외부 표피부분에 집중되어 있어 도체 표면과 가까울수록 전류 밀도가 더욱 크고 도체 내부의 전류는 실제로 매우 작다. 따라서, 도체의 저항이 증가되고 그의 소모 출력도 증가된다. 상기 현상을 표피효과(skin effect)라고 부른다.

표피 깊이 δ는 아래의 식으로 구할 수 있다:

δ＝(1/πμσ)^1/2

그 중, μ는 금속재료의 투자율을 표시하고, σ는 도체의 전도율을 표시하며, f는 액정 안테나가 송수신하는 신호의 주파수를 표시한다.

액정 이상기에 사용되는 금속재료는 전도율과 투자율이 높은 재료를 요구하므로 일반적으로 은, 구리, 금, 알루미늄 및 그들의 합금을 이용할 수 있다. 때문에 액정 이상기와 액정 안테나가 요구하는 표피효과는 일반적으로 대응되는 제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)의 금속막층 두께가 각각 표피 깊이 δ의 3배 내지5배 사이에 있어야 한다. 금속막층의 두께는 μm급의 두께에 도달해야 액정 안테나의 성능을 비교적 양호하게 보장할 수 있다.

제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)이 모두 구리층일 경우, 제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)의 금속막층 두께는 2.0μm보다 작지 않다.

두 개의 기판에 대해 대위 본딩 시, 대위 본딩 부분에 대해 두 개의 기판의 뒷면（즉 기판이 대응되는 금속막층과 등진 일면）에서 투광조표를 해야 한다. PCB판재는 투광성이 없어 투광조표방법으로 두 개의 기판에 대해 대위 본딩하는데 불리하여 정확히 대위를 할 수 없으므로, 안테나의 설계 요구를 만족시키지 못해 안테나의 성능을 대폭 감소시킬 수 있다. 수동으로 블라인드 본딩할 경우, 본딩의 정밀도를 보장할 수 없다. 이러한 문제를 해결하기 위해 액정 이상기의 제조공정에서, 제1기판과 제2기판에 대해 대위 본딩 시, 제1금속막층(21)에 제1얼라인마크(212)를 구비하고, 상기 제2금속막층(22)에 제2얼라인마크를 구비하여, 제1기판(11)에서 제1얼라인마크(212)와 대응되는 위치에 제1스루홀(111)을 설치하고, 제2기판(12)에서 제2얼라인마크와 대응되는 위치에서 제2스루홀을 설치한다.

얼라인마크는 원형 표시일 수 있다. 또는 얼라인마크는 서로 수직된 두 개의 방향에서의 표시선을 더 포함할 수 있는데, 예를 들면 얼라인마크는 십자표, 또는 90도 각으로 된 두 개의 선일 수도 있다.

본 출원은 제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)에 얼라인마크를 각각 설치하고, 제1기판(11)과 제2기판(12)에 얼라인마크 위치와 대응되는 스루홀을 각각 설치함으로써, 투광 문제를 해결하여 대위 본딩 부분이 투광조표를 통해 두 개의 기판에 대해 대위 본딩을 할 수 있도록 함으로써, 두 개의 기판의 본딩을 통한 셀 제작 공정의 과정을 실현한다.

대위 본딩 시, CCD렌즈를 이용해 제1기판(11)과 제2기판(12)에 대해 대위 본딩을 할 수 있다. 제1기판(11)을, 예를 들어, CCD렌즈는 제1금속막층(21) 뒷면의 제1기판(11)에서 투광조표를 하여 제1기판(11)의 제1스루홀(111)을 투과해 CCD렌즈가 제1얼라인마크(212)을 볼 수 있도록 한다.

바람직하게, 제1스루홀(111)의 크기는 제1얼라인마크(212)를 완전히 커버한다. 아날로그 평면이 있다고 가정하면, 상기 평면이 예를 들어 제1기판(11)이 소재한 평면일 경우, 제1스루홀(111)이 상기 평면에서의 투영이 제1얼라인마크(212)가 상기 평면에서의 투영을 완전히 커버할 수 있다. 마찬가지로 제2스루홀의 크기도 제2얼라인마크를 완전히 커버한다.

다음, 제1얼라인마크(212)와 제2얼라인마크에 대해 설명한다:

제1얼라인마크(212)는 제1금속막층(21)이 제1기판(11)과 가까운 일면에 설치되어 제1스루홀(111)을 투과하여 볼 수 있도록 한다. 예를 들어, 바이어홀을 제작하여 얼라인마크로 이용하거나 또는 국부의 투명구역을 얼라인마크로 이용하거나 또는 레이저를 통해 얼라인마크를 제작하는 방법 등으로 제작한다. 마찬가지로 제2얼라인마크도 제2금속막층(22)이 제2기판(12)와 가까운 일면에 설치되어 제2스루홀을 투과하여 볼 수 있도록 한다.

그러나 보다 바람직하게, 절차와 공정을 간편화하기 위해 얼라인마크는 대응되는 금속막층이 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크이다. 구체적으로, 제1얼라인마크(212)는 제1금속막층(21)에 대한 노출, 식각을 통해 얻은 것이고, 제2얼라인마크는 제2금속막층(22)에 대한 노출, 식각을 통해 얻은 것이며, 제1얼라인마크(212)와 제2얼라인마크는 금속 얼라인마크이다. 여기에서 이해할 수 있는 것은, 상기 제1얼라인마크(212)와 제2얼라인마크의 위치는 대응된다.

더 나아가서, 제1기판(11)은 예를 들어서, 도2에 도시한바와 같이, 제1금속막층(21)과 제1기판(11) 사이에 투광성이 있는 제1캐리어막(71)이 구비된다. 금속 얼라인마크의 크기는 통상적으로 스루홀의 크기보다 작고, 금속막층과 대응되는 기판 사이에 투광성이 있는 캐리어막을 설치하여 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크를 지지하도록 하는 동시에 투광성이 있는 캐리어막이 투광조표 대위 본딩에 영향을 주지 않는다. 마찬가지로, 제2금속막층(22)과 제2기판(12) 사이에 투광성이 있는 제2캐리어막이 구비된다.

제1캐리어막(71)과 제2캐리어막은 PI(폴리이미드)막, PET(페트류재료)막, 또는 PE(폴리에틸렌)막일 수 있고 양호한 투광성이 있다. 다만, 보다 바람직하게, 제1캐리어막(71)과 제2캐리어막은 PI막이고 PI는 보다 좋은 투광성과 내고온성이 높은 등 장점을 가지고 있다.

실제 응용에서, 일체화된 동도금박PI기재, 즉 PI기재막에 동박이 도금된 기재를 사용할 수 있으며, 동도금박PI기재는 제1캐리어막(71)과 제1금속막층(21)을 대체할 수 있으며 제1캐리어막(71)과 제1금속막층(21)을 일체화되게 설치할 수 있다. 동도금박PI기재는 본드막에 의해 대응되는 기판에 부착할 수 있다. 도3에 도시한바와 같이, 제1캐리어막(71)과 제1기판(11) 사이에 제1본드막(61)이 구비되고, 제1캐리어막(71)과 제1기판(11)은 제1본드막(61)에 의해 본딩된다. 마찬가지로, 제2캐리어막과 제2기판(12) 사이에 제2본드막이 구비된다. 또는 기타 실시예에서, 우선 캐리어막, 예를 들면 PI막을 기판에 부착시킨 다음 캐리어막에서 금속막층을 제작 또는 설치한다. 하지만, 동도금박PI기재를 사용하는 방안에 비해, 동도금박PI기재는 일반적으로 기존의 판재로서, 직접 구입이 가능하여 우선 캐리어막, 예를 들면 PI막을 기판에 부착시킨 다음 캐리어막에서 금속막층을 제작 또는 설치하는 방안에 비 원가가 낮고 시간이 절약되는 장점을 가지고 있다.

제1본드막(61)과 제2본드막은 PCB판재가 자주 사용하는 불투명 접착제이거나 또는 투광성이 있는 광학 접착제일 수 있다.

제1본드막(61)과 제2본드막이 불투명 본드막일 경우, 도4에 도시한바와 같이, 상기 제1본드막(61)과 제1얼라인마크(212)가 대응되는 위치에 제1오픈홀(611)이 설치되고, 상기 제2본드막과 제2얼라인마크가 대응되는 위치에 제2오픈홀이 설치된다. 제1오픈홀(611)과 제2오픈홀의 설치는 제1본드막(61)과 제2본드막이 투광조표 대위 본딩에 영향을 주지 않도록 한다.

제1오픈홀(611)의 크기는 제1얼라인마크(212)를 완전히 커버한다. 아날로그 평면이 있다고 가정하면, 상기 평면이 예를 들어, 제1기판(11)이 소재한 평면일 경우, 제1스루홀(611)이 상기 평면에서의 투영이 제1얼라인마크(212)가 상기 평면에서의 투영을 완전히 커버할 수 있다. 마찬가지로, 제2스루홀의 크기도 제2얼라인마크를 완전히 커버한다. 바람직하게, 제1오픈홀(611)은 제1기판(11)의 제1스루홀(111)보다 작지 않고, 제2오픈홀은 제2기판(12)의 제2스루홀보다 작지 않다.

제1스루홀111, 제2스루홀, 및 제1오픈홀611, 제2오픈홀의 제작은 바람직하게 캐리어막 본딩 전에 하여 스루홀 또는 오픈홀 제작 시 캐리어막 또는 금속막층에 손상을 입히는 것을 방지한다.

대위 본딩 시, 제1기판과 제2기판은 일반적으로 대편의 기판이다. 대위 본딩 단계 후, 액정 이상기의 제작방법은 가열압축을 통한 셀 제작, 소편의 절단, 액 주입 및 개구부 밀폐, 바인딩 등 단계를 더 포함한다. 여기에서 설명해야 할 점은, 상기 제1얼라인마크(212), 제2얼라인마크, 제1스루홀(111), 제2스루홀의 설치 및 제1오픈홀(611), 제2오픈홀의 설치는 액정 이상기에서 두 개의 기판에 대해 대위 본딩 시, 대위 본딩 부분이 기판의 뒷면에서 투광조표를 하여 제1기판과 제2기판의 정확한 대위를 실현하기 위해서이다.

따라서, 제1얼라인마크(212), 제2얼라인마크, 제1스루홀(111)과 제2스루홀은 통상적으로 액정 이상기 제품의 가장자리에 설치하며, 후속의 소편의 절단 시, 제1얼라인마크(212), 제2얼라인마크, 제1스루홀(111)과 제2스루홀은 통상적으로 절단된다.

액정 이상기는 상기 액정막(50)의 양측에 각각 설치된 제1배향막(31)과 제2배향막(32)를 더 포함한다. 패턴화된 금속막층이 형성된 제1기판(11)에서 제1배향막(31)을 제작하고, 패턴화된 금속막층이 형성된 제2기판(12)에서 제2배향막(32)을 제작한다. 배향막은 액정막 (50)의 액정 분자의 초기 편향각도의 한정에 사용된다.

구체적인 일 실시예에서, 패턴화된 제2금속막층(22)의 금속패턴(211)은 이상기 전극을 포함하며, 이상기 전극은 평면 송전선이고, 평면 송전선은 마이크로파 신호 전송에 사용된다. 평면 송전선은 바람직하게 마이크로스트립선이다. 마이크로스트립선의 형상은 뱀모양 또는 나선형일 수 있고, 마이크로스트립선의 형상에 대해서 제한하지는 않으며, 마이크로 신호 전송만 실현할 수 있으면 된다. 패턴화된 제1금속막층(21)의 금속패턴(211)은 접지전극을 포함하며, 액정 이상기는 오프셋선을 더 포함한다. 일 실시예에서, 오프셋선은 제2기판(12)의 제2금속막층(22)에 설치될 수 있다. 오프셋선을 통해 마이크로스트립선과 접지전극 사이에 전압을 가하여 액정의 유효 유전율을 개변시켜 마이크로파 신호의 페이즈를 개변할 수 있다.

마이크로스트립선과 접지선 사이에 전기장을 가하지 않을 경우, 액정 분자는 제1배향막과 제2배향막의 작용하에 미리 설정한 방향으로 배열 분포된다. 마이크로스트립선과 접지선 사이에 전기장을 가할 경우, 전기장이 액정막(50) 속의 액정 분자 방향의 편향을 구동한다.

마이크로파 신호는 마이크로스트립선과 접지전극 사이에서 전송된다. 마이크로파 신호의 전송 과정에서 액정 분자 방향의 편향에 의해 페이즈가 개변되어 마이크로파 신호의 이상 기능을 실현할 수 있다. 마이크로스트립선과 접지전극의 전압을 제어하여 액정막(50)의 액정의 편향 각도를 제어함으로써 이상과정에서 조정하는 페이즈를 제어할 수 있다.

액정재료의 유전율 이방성과 저전력 소비량 특성을 이용해 액정막(50)에 가하는 전압 제어를 통해 액정의 유효 유전율을 개변시켜 이상과정에서 조정하는 페이즈를 제어할 수 있다. 특별 제작한 정전기 전기용량이 서로 다른 액정 안테나 소자를 통해 이원화 도형을 형성한다. 안테나가 접수 또는 발송하는 전자파에 각 안테나 소자의 정전기 전기용량과 해당되는 페이즈차를 부여하여 정전기 전기용량이 서로 다른 안테나 소자로 형성된 이원화 도형이 특정 방향에서 강한 지향성(파속 스캔)을 구비하여 안테나가 접수 또는 발송하는 전자파와 주파수 신호(전압 신호)사이의 상호 전환 기능을 실현한다.

종래기술에 비해, 본 발명은 아래와 같은 유익한 효과가 있다:

초고주파수 무선통신에서 기판재료의 유전율과 유전체 손실이 클수록 매개물 손실이 더 크고 신호도 더 나쁘다. 본 출원은 PCB판재를 액정 안테나의 기판으로 사용한다. PCB판재의 유전율과 유전체 손실은 액정 디스플레이 패널이 사용하는 유리기판보다 더욱 낮고 매개물 손실도 작아 액정 안테나의 초고주파수대에서의 이용 성능을 제고할 수 있다.

나아가서, PCB판재 중 PTFE고주파수판이고, PTFE고주파수판은 보다 낮은 유전율과 유전체 손실이 있고 매개물 손실도 작아 액정 이상기 및 액정 안테나의 초고주파수대에서의 응용의 성능을 높일 수 있다.

PCB판재가 투광성이 없어 투광조표방법으로 두 개의 기판에 대해 대위 본딩하는데 불리하여 정확히 대위를 할 수 없으므로 안테나의 설계 요구를 만족시키지 못해 안테나의 성능을 대폭 감소시킬 수 있다. 하지만 본 출원은 나아가서 제1금속막층과 제2금속막층에 각각 얼라인마크를 설치하고, 제1기판과 제2기판에 얼라인마크 위치와 대응되는 스루홀을 각각 설치하여 개진 후 투광조표방법으로 두 개의 기판에 대해 대위 본딩을 할 수 있다. 절차와 공정을 간편화하기 위해 얼라인마크는 대응되는 금속막층에 대해 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크이고；금속 얼라인마크의 크기가 스루홀의 크기보다 작아 금속막층과 대응되는 기판 사이에 투광성이 있는 캐리어막을 설치하여 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크를 지지할 수 있도록 하는 동시에 투광성이 있는 캐리어막은 또 투광조표 대위 본딩에 영향을 미치지 않는다.

실시예2:

본 구체적인 실시예는 액정 안테나에 관한 것으로, 상기 액정 안테나는 실시예1의 상기 액정 이상기를 포함한다. 액정 안테나는 안테나 방사소자를 더 포함하는데, 안테나 방사소자는 마이크로파 신호를 방사하여 마이크로파 신호의 피드 인과 피드 아웃을 실현하는데 이용된다.

본 실시예에서, 상기 제2기판(12)과 멀리 떨어진 제1기판(11)의 일측에 안테나 방사소자를 설치한다. 안테나 방사소자는 고전도성 재료로 제작한다. 안테나 방사소자는 구형, 원형, 또는 장방형의 칩이며 면취할 수 있고 또 칩공정을 통해 액정 이상기에 부착할 수 있다. 또는 보다 바람직한 방안은, 안테나 방사소자는 제2기판(12)와 멀리 떨어진 상기 제1기판(11)의 일측에 설치한 패턴화된 제3금속막층이다.

실시예3:

본 구체적인 실시예는 실시예1과 마찬가지로 액정 이상기의 제조방법에 관한 것이다. 도6에 도시한바와 같이, 상기 액정 이상기의 제조방법은 하기 단계를 포함한다:

S1：PCB판재의 제1기판(11)을 제공하고, 제1기판(11)에 제1금속막층(21)이 구비되며,

제1금속막층(21)에 제1얼라인마크(212)가 구비되고, 제1기판(11)에 제1스루홀(111)이 구비되며, 상기 제1얼라인마크(212)의 위치는 제1스루홀(111)의 위치와 대응된다.

S2：PCB판재의 제2기판(12)을 제공하고, 제2기판(12)에 제2금속막층(22.이 구비되며，제2금속막층(22)에 제2얼라인마크가 구비되고, 제2기판(12)에 제2스루홀이 구비되며, 상기 제2얼라인마크의 위치는 제2스루홀의 위치와 대응된다,

S3：대위 본딩 부분이 제1스루홀(111)과 제2스루홀을 각각 투과하여 제1얼라인마크(212)와 제2얼라인마크를 이용해 제1기판(11)과 제2기판(12)에 대해 대위 본딩한다.

여기에서 설명해야 할 점은, S1단계와 S2단계의 선후순서는 조정할 수 있다.

구체적으로, S3단계에서 액정 디스플레이 패널 대위 본딩 시 자주 사용되는 CCD를 이용해 투광 대위를 하여 정확히 본딩한다. CCD렌즈를 이용해 CCD렌즈가 제1스루홀(111)과 제2스루홀을 각각 투과하여 제1얼라인마크(212)와 제2얼라인마크를 이용해 제1기판(11)과 제2기판(12)에 대해 먼저 대위를 하고, 대위 후 서서히 본딩 상태로 이동한다.

제1얼라인마크(212)와 제2얼라인마크의 제작공정에 대한 설명은 아래와 같다:

제1얼라인마크(212)를 제1금속막층(21)이 제1기판(11)과 가까운 일면에 설치하여, 제1스루홀(111)을 투과하여 볼 수 있도록 한다. 예를 들어, 바이어홀을 제작하여 얼라인마크로 이용하거나, 또는 국부의 투명구역을 얼라인마크로 이용하거나, 또는 레이저를 통해 얼라인마크를 제작하는 방법 등으로 제작한다. 마찬가지로 제2얼라인마크도 제2금속막층(22)이 제2기판(12)과 가까운 일면에 설치하여 제2스루홀을 투과하여 볼 수 있도록 한다.

하지만 보다 바람직하게는, 절차와 공정을 간편화하기 위해, 얼라인마크는 대응되는 금속막층에 대해 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크이다. 구체적으로 제1얼라인마크(212)는 제1금속막층(21)에 대한 노출, 식각을 통해 얻은 것이고, 제2얼라인마크는 제2금속막층(22)에 대한 노출, 식각을 통해 얻은 것이며, 제1얼라인마크(212)와 제2얼라인마크는 모두 금속 얼라인마크이다.

금속 얼라인마크의 크기는 통상적으로 스루홀의 크기보다 작게 설치하여 스루홀을 투과하여 투광조표를 할 수 있도록 한다. 노출, 식각 후, 금속 얼라인마크 주변의 금속은 식각되어 금속 얼라인마크가 지지력이 없도록 한다. 개선 방안으로서, 제1금속막층(21)과 제1기판(11) 사이에 투광성이 있는 제1캐리어막(71)이 구비되고, 제2금속막층(22)과 제2기판(12) 사이에 투광성이 있는 제2캐리어막이 구비된다. 금속막층과 대응되는 기판 사이에 투광성이 있는 캐리어막을 설치하여 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크를 지지할 수 있도록 하는 동시에, 투광성을 구비하는 캐리어막은 투광조표 대위 본딩에 영향을 주지 않는다.

제1캐리어막(71)과 제2캐리어막은 PI막, PET막, 또는 PE막일 수 있고 양호한 투광성을 가진다. 하지만 보다 바람직하게, 제1캐리어막(71)과 제2캐리어막은 PI막이고 PI는 보다 좋은 투광성과 내고온성 등 장점이 있어 후속의 배향막 제작 공정에서 고온, 건조를 견딜 수 있다.

실제 응용에서, 동도금박PI기재를 금속막층과 캐리어막으로 사용할 수 있다. 동도금박PI기재는 바로 PI기재막에 동박막이 중첩되어 있는 것이고, 동도금박PI기재는 본드막을 통해 대응되는 기판과 본딩된다. 구체적으로, 제1캐리어막(71)과 제1기판(11) 사이에 제1본드막(61)이 구비되고, 제2캐리어막과 제2기판(12) 사이에 제2본드막이 구비된다.

또는, 기타 실시예에서 우선 캐리어막, 예를 들어 PI막을 기판에 부착 후, 캐리어막에서 금속막층을 제작 또는 설치한다.

따라서, 나아가서, 도7에 도시한바와 같이, S1단계의 제작방법은 하기 단계를 포함한다:

S11：제1기판(11)을 제공하고, 상기 제1기판(11)에 제1본드막(61)을 설치하고, 제1기판(11)에서 제1스루홀(111)을 제작하며, 제1본드막(61)에서 제1오픈홀(611)을 제작하고, 상기 제1스루홀(111)과 제1오픈홀(611)의 위치는 대응된다.

S12：제1캐리어막(71)을 제1오픈홀(611)이 구비된 제1본드막(61)에 본딩하고；제1금속막층(21)은 제1캐리어막(71)이 제1기판(11)과 등진 일면에 위치한다.

S13：제1금속막층(21)에 대해 패턴화 처리를 하여 제1얼라인마크(212)를 포함한 패턴화된 제1금속막층(21)을 얻는다.

여기에서 설명해야 할 점은, S11단계에서 제1스루홀(111)과 제1오픈홀(611)은 동시 제작이 가능하고, 또는 선후 제작도 가능하다.

S12단계에서, 제1금속막층(21)과 제1캐리어막(71)은 일체화로 될 수 있고, 제1캐리어막(71)과 제1본드막(61)에 대해 본딩한다. 예를 들어, 직접 동도금박PI기재를 이용해 동도금박PI기재와 제1본드막(61)을 본딩할 수 있다. 또는 먼저 독립된 제1캐리어막(71)을 제1오픈홀(611)이 구비된 제1본드막(61)에 본딩한 후, 제1캐리어막(71)에서 제1금속막층(21)을 제작 또는 설치할 수 있다.

마찬가지로, S2단계의 제작방법은 하기 단계를 포함한다:

S21：제2기판(12)을 제공하고, 상기 제2기판(12)에 제2본드막을 설치하고, 제2기판(12)에서 제2스루홀을 제작하며, 제2본드막에서 제2오픈홀을 제작하고 상기 제2스루홀과 제2오픈홀의 위치는 대응된다.

S22：제2캐리어막을 제2오픈홀이 구비된 제2본드막에 본딩하고；제2금속막층(22)은 제2캐리어막이 제2기판(12)와 등진 일면에 위치한다.

S23：제2금속막층(22)에 대해 패턴화 처리를 하여 제2얼라인마크를 포함한 패턴화된 제2금속막층(22)을 얻는다.

여기에서 설명해야 할 점은, S21단계에서 제2스루홀과 제2오픈홀은 동시 제작이 가능하고, 또한 선후 제작도 가능하다.

S22단계에서, 제2금속막층(22)와 제2캐리어막은 일체화로 될 수 있고, 제2캐리어막과 제2본드막에 대해 본딩한다. 예를 들어, 직접 동도금박PI기재를 이용해 동도금박PI기재와 제2본드막을 본딩할 수 있다. 또는 먼저 독립된 제2캐리어막을 제2오픈홀이 구비된 제2본드막에 본딩한 후 제2캐리어막에서 제2금속막층(22)를 제작 또는 설치할 수 있다.

여기에서 설명해야 할 점은, S3단계에서 제1기판(11)과 제2기판(12)에 대해 대위 본딩 전에 액정 이상기의 제작방법은, 제1금속막층(21)과 제2금속막층(22)에 대한 구체적인 패턴화 처리 공정 및 금속막층에 대한 패턴화 처리 후의 배향막과 실란트(40) 제작 공정 단계도 더 포함한다.

금속막층에 대한 패턴화 처리 공정방법은 본 기술분야의 당업자들에게 있어 자명한 것이며, 접착제 도포, 프리큐어, 노출, 현상, 식각, 탈막 공정을 통해 얻을 수 있다.

배향막은 종래기술의 PI마찰공정을 이용해 제작하여 표면에 일정방향의 홈을 형성하게 한다. 예를 들어 APR판을 이용해 미리 설정해 놓은 적정한 일정 방향의 액체를 대응되는 금속 패턴을 구비한 기판 위에 복사 인쇄할 수 있고, 고온 건조를 통해 충분히 반응시키는 동시에 용매를 휘발시켜 최종적으로 고체 상태의 일정 방향의 막을 형성한다. 배향막에 대해 린트 또는 면을 이용해 한 방향으로 갈아서 최종적으로 액정 분자를 미리 설정한 마찰방향에 따라 평행 배열시킨다. 여기서, 이에 대한 설명은 생략한다.

실란트(40)의 제작공정 단계는, 본 기술분야의 당업자에게 있어서 자명한 것이므로, 설명을 생략한다.

S3단계 후, 액정 이상기의 제작방법은 또 가열압축을 통한 셀 제작, 소편의 절단, 액 주입 및 개구부 밀폐, 바인딩 등 단계를 포함한다.

대위 본딩 시, 제1기판(11)과 제2기판(12)은 통상적으로 큰 기판을 이용하므로, S3단계에서 제1기판(11)과 제2기판(12)에 대해 대위 본딩 시 큰 기판을 이용해 제작한다. S3단계의 대위 본딩 후, 액정 이상기의 제작방법은 가열압축을 통한 셀 제작, 소편의 절단, 액 주입 및 개구부 밀폐, 바인딩 등 단계를 더 포함한다.

가열압축을 통한 셀 제작 후 본딩한 기판에 대해, 고온, 고압 공정으로 고체화를 하여 일정한 셀 두께의 간격을 형성하며 충분한 고체화 후 최종적으로 접착 정도가 높고 기계 강도가 강한 다수의 빈 셀（CELL）을 형성한다. 다음 소편의 절단 공정을 통해 다수의 단일 입자의 액정 이상기의 빈 셀을 얻는다.

여기에서 설명해야 할 점은, 상기 제1얼라인마크(212), 제2얼라인마크, 제1스루홀(111), 제2스루홀의 설치 및 제1오픈홀(611), 제2오픈홀의 설치는 액정 이상기의 두 개의 기판의 대위 본딩 시, 대위 본딩 부분의 기판 뒷면에서의 투광조표 작업이 용이하도록 하여 제1기판과 제2기판의 정확한 대위를 위한 것이다.

따라서, 제1얼라인마크(212), 제2얼라인마크, 제1스루홀(111)과 제2스루홀은 통상적으로 액정 이상기 제품의 가장자리에 설치한다. 도5는 큰 기판의 제1기판(11) 안내도로서, 큰 기판에는 다수의 독립된 소자를 포함하고, 제1스루홀(111)은 큰 기판의 가장자리에 위치하고 있다. 도5는 단지 4개의 독립된 소자만 나타내고 있고 매개 소자는 독립된 실란트(40)을 포함하지만 그 수량은 이에 한하지 않는다. 후속의 소편 절단 시, 제1얼라인마크(212), 제2얼라인마크, 제1스루홀(111)과 제2스루홀은 절단되고 액정 이상기 제품 속에 존재하지 않는다.

종래기술에 비해, 본 발명은 아래와 같은 유익한 효과가 있다:

본 발명은 PCB판재를 기판으로 이용해 액정 디스플레이 패널과 결합한 제작방법을 통해 액정 이상기를 양산하는 방법에 관한 것으로, PCB판재의 유전율과 유전체 손실은 액정 디스플레이 패널이 사용하는 유리기판보다 더욱 낮고 매개물 손실도 작아 액정 이상기의 초고주파수대에서의 이용 성능을 제고시킬 수 있다.

본 발명은 또한, 기존의 불투명 PCB판재가 액정 디스플레이 패널의 투광 대위 본딩 부품을 이용해 두 개의 기판에 대해 정확한 본딩을 할 수 없는 문제점을 해결하고, 제1금속막층과 제2금속막층에 얼라인마크를 각각 설치하는 것을 통해 제1기판과 제2기판에 얼라인마크의 위치와 대응되는 스루홀을 각각 설치함으로써 개진 후 투광조표를 이용해 두 개의 기판에 대해 대위 본딩을 할 수 있다.

절차와 공정을 간편화하기 위해, 얼라인마크는 대응되는 금속막층에 대해 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크이고；금속 얼라인마크의 크기가 스루홀의 크기보다 작아 금속막층과 대응되는 기판 사이에 투광성이 있는 캐리어막을 설치하여 노출, 식각을 통해 얻은 금속 얼라인마크를 지지할 수 있도록 하는 동시에 투광성이 있는 캐리어막은 또한 투광조표 대위 본딩에 영향을 미치지 않는다.

마지막으로 설명해야 할 점은, 상기 실시예는 단지 본 발명의 실시예의 기술방안에 대한 설명일뿐, 이에 제한되지 않는다. 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세한 설명을 진행하였지만 본 기술분야의 당업자들은 여전히 본 발명의 실시예의 기술방안에 대해 수정 또는 동등한 교체를 할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 이러한 수정 또는 동등한 교체는 수정 후의 기술방안이 본 발명의 실시예의 기술방안의 범위를 벗어나도록할 수 없다.

11-제1기판, 21-제1금속막층, 31-제1배향막, 12-제2기판, 22-제2금속막층, 32-제2배향막, 111-제1스루홀, 211-금속 패턴, 212-제1얼라인마크, 40-실란트, 50-액정막, 61-제1본드막, 611-제1오픈홀, 71-제1캐리어막.

Claims (10)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 액정 이상기의 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은:
   S1: PCB판재의 제1기판을 제공하며, 제1기판에 제1금속막층이 구비되고, 제1금속막층에 제1얼라인마크가 구비되며, 제1기판에 제1스루홀이 구비되고, 상기 제1얼라인마크의 위치와 제1스루홀의 위치는 대응되는 단계,
   S2: PCB판재의 제2기판을 제공하며, 제2기판에 제2금속막층이 구비되고, 제2금속막층에 제2얼라인마크가 구비되며, 제2기판에 제2스루홀이 구비되고, 상기 제2얼라인마크의 위치와 제2스루홀의 위치는 대응되는 단계,
   S3: 제1스루홀과 제2스루홀을 각각 투과하여 제1얼라인마크와 제2얼라인마크를 이용해 제1기판과 제2기판에 대해 대위 본딩하는 단계를 포함하며;
   상기 제1얼라인마크는 금속 얼라인마크이고 상기 제1얼라인마크는 제1금속막층에 대한 노출, 식각을 통해 얻고, 상기 제2얼라인마크는 금속 얼라인마크이고 상기 제2얼라인마크는 제2금속막층에 대한 노출, 식각을 통해 얻고, 상기 제1금속막층과 제1기판 사이에 고투광성의 제1캐리어막을 설치하고 상기 제1캐리어막은 제1얼라인마크의 지지층으로 사용되며 상기 제2금속막층과 제2기판 사이에 고투광성의 제2캐리어막을 설치하고 상기 제2캐리어막은 제2얼라인마크의 지지층으로 사용되는 액정 이상기 제조방법.
6. 청구항 5에 있어서,
   상기 제1캐리어막과 제2캐리어막은 PI막인 액정 이상기 제조방법.
7. 청구항 5에 있어서,
   상기 S1단계의 제작방법은:
   제1기판을 제공하고 상기 제1기판에 제1본드막을 설치하고 제1기판에서 제1스루홀을 제작하며 제1본드막에서 제1오픈홀을 제작하고 상기 제1스루홀과 제1오픈홀의 위치는 대응되는 단계,
   제1캐리어막을 제1오픈홀을 구비한 제1본드막에 본딩하며；제1금속막층은 제1캐리어막이 제1기판과 등진 일면에 위치하는 단계,
   제1금속막층에 대해 패턴화 처리를 하여 제1얼라인마크를 포함한 패턴화된 제1금속막층을 얻는 단계,를 포함하며,
   상기 S2단계의 제작방법은:
   제2기판을 제공하고 상기 제2기판에 제2본드막을 설치하고 제2기판에서 제2스루홀을 제작하며 제2본드막에서 제2오픈홀을 제작하고 상기 제2스루홀과 제2오픈홀의 위치는 대응되는 단계,
   제2캐리어막을 제2오픈홀을 구비한 제2본드막에 본딩하며；제2금속막층은 제2캐리어막이 제2기판과 등진 일면에 위치하는 단계,
   제2금속막층에 대해 패턴화 처리를 하여 제2얼라인마크를 포함한 패턴화된 제2금속막층을 얻는 단계를 포함하는 액정 이상기 제조방법.
8. 청구항 7에 있어서,
   상기 제1스루홀의 크기는 제1얼라인마크를 완전히 커버하며；상기 제2스루홀의 크기는 제2얼라인마크를 완전히 커버하는 액정 이상기 제조방법.
9. 청구항 5에 있어서,
   S3단계에서 제1기판과 제2기판에 대해 대위 본딩을 할 경우 대편의 기판으로 제작하며；S3단계 후 가열압축을 통해 셀을 제작하는 단계를 포함하며 다수의 빈 셀을 제작한 다음 소편 절단 공정을 통해 단일 입자의 액정 이상기의 빈 셀을 얻는 액정 이상기 제조방법.
10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1얼라인마크, 제2얼라인마크, 제1스루홀과 제2스루홀은 큰 기판 제작 시 대편 기판의 가장자리 위치에 설치하고 소편 절단 시 상기 제1얼라인마크, 제2얼라인마크, 제1스루홀과 제2스루홀은 절단되는 액정 이상기 제조방법.

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