CN113950772B - 移相器及其制备方法、天线 - Google Patents

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Abstract

一种移相器及其制备方法、天线，属于通信技术领域。移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的介质层；第一基板包括：第一基底(10)，设置在第一基底(10)靠近介质层一侧的参考电极；第二基板包括：第二基底(20)，设置在第二基底(20)靠近介质层一侧的延时线(21)和偏置线(24)，偏置线(21)、延时线(24)均匀与参考电极在第一基底(10)上的正投影至少部分重叠；延时线(21)用于对微波信号进行传输，并限定出微波传输区域；当参考电极、延时线(21)、偏置线(24)被施加电信号时，参考电极分别与延时线(21)、偏置线(24)之间所形成的电场覆盖所述微波传输区域。

Description

移相器及其制备方法、天线
技术领域
本发明属于通信技术领域，具体涉及一种移相器及其制备方法、天线
背景技术
移相器是用来改变电磁波信号相位的器件。理想的移相器有很小的插入损耗，而且在不同的相位状态有几乎相同的损耗，以达到幅度的平衡。移相器有电控、光控、磁控、机械控制等几种类型。移相器的基本功能是借助于控制偏压来改变微波信号的传输相位。分为数字式和模拟式(相移量连续可调)，数字式移相器是相控阵天线中重要部件，用于控制天线阵中各路信号的相位，可使辐射波束进行电扫描；也常用于在数字通信系统，作为相位调制器。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器及其制备方法、天线。
第一方面，本发明实施例提供一种移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的参考电极；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近介质层一侧的延时线，所述延时线与所述参考电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述延时线用于对微波信号进行传输，并限定出微波传输区域；其中，
所述第二基板还包括：设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的至少一条偏置线，所述偏置线与所述参考电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述偏置线与所述延时线在所述第二基底上的正投影无重叠；
当所述参考电极、所述延时线、所述偏置线被施加电信号时，所述参考电极分别与所述延时线、所述偏置线之间所形成的电场区域覆盖所述微波传输区域。
可选地，所述偏置线与所述延时线通过偏置连接线电连接。
可选地，所述偏置线与所述偏置连接线同层设置，且材料相同。
可选地，所述第二基板还包括：设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的偏置信号引入线，所述偏置信号引入线与所述延时线连接。
可选地，所述第二基板还包括：设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的偏置信号引入线，所述偏置信号引入线与所述偏置线连接和所述延时线连接。
可选地，所述偏置信号引入线与所述偏置线同层设置，且材料相同。
可选地，在所述延时线的迹向的两相对侧均设置有至少一条所述偏置线。
可选地，位于所述延时线的迹向的两相对侧均设置有多条所述偏置线，且位于所述延时线的迹向的两相对侧的所述偏置线条数相同。
可选地，所述延时线的迹向的两相对侧设置的所述偏置线的条数均为2-8条。
可选地，所述延时线的迹向的两相对侧设置的所述偏置线的条数均为3条。
可选地，对于所述偏置线上具有法线、且法线与所述偏置线的其它部分具有交点的点，该点到其法线和所述偏置线的其它部分的交点中最近的一者的距离为20μm-75μm。
可选地，对于所述延时线上具有法线、且法线与所述延时线的其它部分具有交点的点，该点到其法线和所述延时线的其它部分的交点中最近的一者的距离为100μm-350μm。
可选地，各个所述偏置线与所述延时线平行设置。
可选地，所述偏置线的电阻率小于14500000siemens/m
可选地，所述偏置线的材料包括氧化铟锡、镍、氮化钽、铬、氧化铟、氧化锡中的任一种。
第二方面，本发明实施例提供一种移相器的制备方法，其包括形成第一基板和第二基板，以及在所述第一基板和所述第二基板之间形成介质层的步骤；其中，
形成所述第一基板的步骤包括：在第一基底上形成包括参考电极的图形；
形成所述第二基板的步骤包括：在第二基底上形成包括延时线和偏置线的图形；所形成的所述延时线、所述偏置线均与所述参考电极在第一基底上的正投影至少部分重叠，并在给所述延时线和所述偏置线施加电信号时，所述延时线和所述偏置线均能够与所述参考电极之间形成电场，且所形成的电场区域能够覆盖微波信号的微波传输区域。
第三方面，本发明实施例提供一种天线，其包括上述的移相器。
可选地，所述天线还包括设置在第一基底背离液晶层一侧的贴片电极，在所述参考电极对应贴片电极的位置设置有开口。
附图说明
图1为一种移相器的结构示意图。
图2为一种移相器的第二基板的结构俯视图。
图3为本发明实施例的移相器的第二基板的一种俯视图。
图4为图3所示的第二基板的侧视图。
图5为本发明实施例的移相器的延时线的示意图。
图6为本发明实施例的移相器的偏置线的示意图。
图7为本发明实施例的移相器的第二基板的另一种俯视图。
图8为本发明实施例的移相器的第二基板的另一种俯视图。
图9为本发明实施例的移相器的第一基板的俯视图。
图10为本发明实施例的移相器的制备方法的流程图。
图11为本发明实施例的天线的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1示意出一种移相器的结构，如图1和2所示，移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层30。其中，第一基板包括第一基底10，设置在第一基底10靠近液晶层30一侧的接地电极11，设置在接地电极11靠近液晶层30一侧的第一配向层12。第二基板包括第二基底20，设置在第二基底20靠近液晶层30一侧的延时线21和偏置信号引入线22，设置在延时线21和偏置信号引入线22靠近液晶层30一侧的第二配向层23。延时线21和接地电极11在第一基底10上的正投影至少部分重叠，当偏置信号引入线22将直流偏压引入至延时线21上时，延时线21和接地电极11之间将会形成直流电场，以使液晶层30的液晶分子轴向发生偏转，改变液晶层30的相对介电常数，微波信号沿延时线21的走向，接地电极11和延时线21之间传播，此时由于液晶层30的相对介电常数发生改变，从而使得微波信号的相位发生改变。
当然，如图1所示，移相器不仅包括上述结构，而且还包括用于维持液晶盒盒厚(第一基板和第二基板之间的盒厚)的支撑柱40，以及用于对液晶盒进行密封的封框胶50等结构，在此不一一说明。
发明人发现，图1中所示的移相器，微波信号传输时的空间边界(也即微波传输区域Q1)远远超出了延时线21所在区域，如图2所示，延时线21与接地电极11在施加直流偏压所产生的直流电场的区域Q2在延时线21附近，导致施加直流偏压时液晶层30发生相对介电常数变化的电场区域Q2偏小，而并不能完全覆盖整个微波传输区域Q1，因此距离导体延时线21较远处的液晶分子轴向始终不发生变化，不参与移相过程，使移相角度偏小，而为达到一定的移相角度，则需要增加延时线21的长度，这样一来必然带来插入损耗增大的问题。
为解决上述问题，在本发明实施例中提供以下技术方案。
在描述下述实施例之前，需要说明的是，在下述实施例中所提供移相器中的介质层包括但不限于液晶层30，仅以介质层为液晶层30为例进行说明。移相器中的参考电极包括但不限于接地电极11，只要能够与延时线21形成电流回路即可，在本发明实施例中仅以参考电极为接地电极11为例进行说明。
第一方面，如图1、3-4所示，本发明实施例提供一种移相器，该移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层30。其中，第一基板包括第一基底10，设置在第一基底10靠近液晶层30一侧的接地电极11。第二基板包括第二基底20，设置在第二基底20靠近液晶层30一侧的延时线21，延时线21与接地电极11在第一基底10上的正投影只是部分重叠。当延时线21施加直流偏压，并与接地电极11产生电场时，该电场区域Q2决定了液晶层30中液晶分子发生偏转的区域，微波信号沿着延时线21进行传输，此时延时线21则限定了微波信号的微波传输区域Q1。
在本发明实施例中，在第二基底20靠近液晶层30的一侧还设置有偏置线24，且偏置线24与接地电极11在第一基底10上的正投影至少部分重叠，延时线21和偏置线24在第二基底20上的正投影无重叠；并在给延时线21施加直流偏压的同时给偏置线24施加同样的直流偏压，以使延时线21和偏置线24均能够与接地电极11之间形成电场，且所形成的电场区域Q2能够覆盖微波信号的微波传输区域Q1，从而使得微波信号在沿延时线21进行传输时，延时线21周边的液晶层30的液晶分子均能够发生偏转，以使微波信号充分移相，进而增大移相器的移相角度。
在此需要说明的是，本发明实施例中偏置线24采用的是高阻材料，在给偏置线24施加直流偏压时，其与接地电极11所形成的电场仅用于驱动液晶层30的液晶分子偏转，而对于移相器所传输的微波信号而言，相当于开路，也就是说，微波信号仅沿着延时线21进行传输。
在一些实施例中，偏置线24的电导率小于14500000siemens/m(西门子/米)，而根据移相器的尺寸等选用电导率值越低的偏置线24越好。
在一些实施例中，偏置线24的材料包括但不限于ITO氧化铟锡，Ni镍，TaN氮化钽，Cr铬，In2O3氧化铟，Sn2O3氧化锡。优选的，采用ITO材料。
在一些实施例中，在延时线21的迹向的两侧均设置有至少一条偏置线24。其中，延时线21的迹向是指延时线21的轨迹走向(图5中所示的Z方向)，例如延时线21为蛇形，也即延时线21的轨迹走向即延时线21的迹向为蛇形。
在一些实施例中，位于延时线21的迹向两侧的偏置线24的条数均为多条，且多条偏置线24与延时线21平行设置。之所以如此设置，是为了拓展延时线21两侧的直流电场区域。而且将偏置线24与延时线21平行设置，可以使得偏置线24与接地电极11所形成的直流拓展电场，与延时线21与接地电极11所形成的电场的延伸方向相同，进而使得在偏置线24、延时线21被施加直流偏压，与接地电极11所形成的电场区域Q2足够覆盖微波传输区域Q1，以便微波信号能够充分移相。
进一步的，位于延时线21的迹向同一侧的任意两相邻偏置线24之间的间距相同，这样一来，可以使得形成延时线21两侧的拓展电场均匀，从而微波信号的移相效果更好。
另外，位于延时线21的迹向两侧的偏置线24的数量可以相同，也可以不同，在本发明实施例中，如图3所示，以位于延时线21的迹向两侧的偏置线24的数量相同为例进行说明。
在一些实施例中，位于延时线21的迹向两侧的偏置线24的条数包括但不限于2-8条，可以根据具体移相器的尺寸进行设定。优选的，位于延时线21的迹向两侧的偏置线24的条数均为3条。如图3所示，在本发明实施例中以位于延时线21的迹向两侧的偏置线24的条数均为3条为例进行说明。
在一个示例中，移相器的第一基底10靠近液晶层30的一侧设置有接地电极11，第二基底20靠近液晶层30的一侧设置有弓字型延时线21，在沿线的迹向两侧均设置有3条偏置线24。延时线21的线间距是指延时线21上具有法线、且法线与延时线21的其它部分具有交点的点，该点到其法线和延时线21的其它部分的交点中最近的一者的距离，也即如图5所示的d1则代表延时线21的线间距；偏置线24的线间距是指偏置线24上具有法线、且法线与偏置线24的其它部分具有交点的点，该点到其法线和偏置线24的其它部分的交点中最近的一者的距离，也即如图6所示的d2则代表偏置线24的线间距。
其中，延时线21的线宽在160μm-240μm左右，延时线21的线间距在100μm-350μm左右，延时线21的厚度在0.1μm-100μm左右；偏置线24的线宽在2μm-8μm左右，偏置线24的厚度在30nm-2000nm，偏置线24的线间距在20μm-75μm左右；相邻设置的偏置线24之间的间距，以及偏置线24与延时线21之间的间距在15μm-50μm；微波传输区域Q1的宽度在100μm-500μm；移相器的第一基板和第二基板之间的盒厚在70μm-300μm；按照上述给出的参数范围进行仿真实验，所得到的仿真结果，相较未设置偏置线24的移相器而言，本发明实施例的移相器的移相角度增加1/3，同时，间接减小了1/3的插入损耗。
在一些实施例中，偏置线24通过偏置线24连接线与延时线21连接。具体的，如图7所示，当延时线21的迹向两侧均设置多条偏置线24时，位于延时线21的迹向同一侧的各个偏置线24一条偏置连接线25连接。其中，偏置线24和偏置连接线25可以同层设置，且采用相同材料，这样一来，可以通过一次构图工艺形成偏置线24和偏置连接线25，从而可以简化工艺步骤，此时所形成的偏置线24和偏置连接线25则为一体成型结构。当然，偏置线24和偏置连接线25也可以采用不同材料，在此种情况下，可以将偏置连接线25与延时线21采用相同的材料，在形成延时线21的同时形成与之连接的偏置连接线25，偏置连接线25同时还与偏置线24连接。此外，偏置连接线25也可以与偏置线24、延时线21均采用不同的材料，此时可以在偏置连接线25与偏置线24和延时线21之间分别设置层间绝缘层，之后通过贯穿层间绝缘层的过孔分别于偏置线24和延时线21连接，从而完成偏置线24和延时线21的电连接。
其中，图7中仅示意出偏置线24与偏置连接线25同层设置为例，且偏置连接线25连接在偏置线24的中间区域，而实际上偏置线24和偏置连接线25的连接位置在本发明实施例中并做限制。
在上述结构的基础上，该移相器还包括偏置信号引入线22，偏置信号引入线22与延时线21的一端连接，用于为延时线21施加直流偏压。在一些实施例中，偏置信号引入线22与偏置线24同层设置，且材料相同，此时则无需单独的构图工艺形成偏置信号引入线22，从而可以降低工艺成本，提高生产效率。当然，偏置信号引入线22与偏置线24也可以采用不同的材料形成，只要是能够为延时线21加载直流偏压即可，在本发明实施例的偏置信号引入线22的材料采用与偏置线24相同的材料并不构成对保护范围的限制。
在一些实施例中，如图8所示，移相器包括偏置信号引入线22，该偏置信号引入线22分别与延时线21和偏置线24连接，用于为延时线21和偏置线24提供直流偏压。
其中，偏置信号引入线22与偏置线24同层设置，且材料相同，也即在形成偏置线24的同时形成偏置信号引入线22，此时，所形成的偏置信号引入线22和偏置线24为一体结构，从而可以降低工艺成本，提高生产效率。
在一些实施例中，延时线21的材料可以采用高电导率的铜、铝、金等材料。
在一些实施例中，如图9所示，接地电极11包括但不限于面状电极，其材料包括但不限于采用铝、银、金、铬、钼、镍或铁等金属制成。在此需要说明的是，为了使得外部微波信号能够馈入移相器中的液晶层30，在接地电极11上设置有至少一个开口111。
在一些实施例中，在接地电极11靠近液晶层30的一侧设置有第一配向层12，在延时线21靠近液晶层30的一侧设置有第二配向层23，第一配向层12和第二配向层23决定了液晶层30中液晶分子的初始预倾角。
在一些实施例中，第一基底10和第二基底20可以采用厚度为100μm-1000μm的玻璃基板，也可采用蓝宝石衬底，还可以使用厚度为10μm-500μm的聚对苯二甲酸乙二酯基板、三聚氰酸三烯丙酯基板和聚酰亚胺透明柔性基板。具体的，第一基底10和第二基底20可以采用介电损耗极低的高纯度石英玻璃。相比于普通玻璃基板，第一基底10和第二基底20采用石英玻璃可以有效减小对微波的损耗，使移相器具有低的功耗和高的信噪比。
在一些实施例中，液晶层30中的液晶分子为正性液晶分子或负性液晶分子，需要说明的是，当液晶分子为正性液晶分子时，本发明具体实施例液晶分子长轴方向与第二电极之间的夹角大于0°小于等于45°。当液晶分子为负向液晶分子时，本发明具体实施例液晶分子长轴方向与第二电极之间的夹角大于45°小于90°，保证了液晶分子发生偏转后，改变液晶层30的介电常数，以达到移相的目的。
当然，本发明实施例中的移相器，不仅包括上述结构，而且还包括位于第二配向层23靠近液晶层30一侧的支撑柱40，用于维持第一基板和第二基板所形成液晶盒的盒厚。而且在第一基板和第二基板之间还设置有封框胶50，用于对液晶盒进行密封。
第二方面，本发明实施例还提供一种移相器的制备方法，该方法可用于制备上述任一移相器。该方法包括：形成第一基板和第二基板，以及在第一基板和第二基板之间形成液晶层30的步骤。其中，形成第一基板的步骤包括：在第一基底10上形成包括接地电极11的图形；形成第二基板的步骤包括：在第二基底20上形成包括延时线21和偏置线24的图形；所形成的延时线21、偏置线24均与接地电极11在第一基底10上的正投影至少部分重叠，并在给延时线21施加直流偏压的同时给偏置线24施加同样的直流偏压，以使延时线21和偏置线24均能够与接地电极11之间形成电场，且所形成的电场能够覆盖微波信号的微波传输区域Q1，从而使得微波信号在沿延时线21进行传输时，延时线21周边的液晶层30的液晶分子均能够发生偏转，以使微波信号充分移相，进而增大移相器的移相角度。
如图10所示，以下提供一种具体移相器的制备方法的示例，以便对本发明实施例的移相器的制备方法更好的理解，但应当理解的是，以下所给出的制备方法并不构成对本发明实施例保护范围的限制。其中，对于第一基板和第二基板的制备并无先后顺序，在下述描述中，以先制备第一基板为例进行说明。
S11、提供第一基底10，并通过构图工艺，在第一基底10上形成包括接地电极11的图形。
其中，第一基底10可以选用玻璃基板，也可采用蓝宝石衬底，还可以使用聚对苯二甲酸乙二酯基板、三聚氰酸三烯丙酯基板和聚酰亚胺透明柔性基板。具体的，第一基底10可以采用介电损耗极低的高纯度石英玻璃。相比于普通玻璃基板，第一基底10采用石英玻璃可以有效减小对微波的损耗，使移相器具有低的功耗和高的信噪比。
步骤S11具体的可以包括：对第一基底10进行清洗，通过包括但不限于磁控溅射的方式在第一基底10上形成第一金属材料层，并在第一金属材料层背离基底的一侧进行采用旋涂或者喷涂的方式进行涂胶，之后依次进行前烘，曝光，显影，后烘，湿法刻蚀或干法刻蚀，以形成包括接地电极11的图形。
S12、在形成有接地电极11的第一基底10上，形成第一配向层12，以形成第一基板。
步骤S12具体可以包括：在形成有接地电极11的第一基底10上，印刷配向液(PI液)，加热蒸发溶剂，热固化，摩擦或光配向工艺形成第一配向层12，至此完成第一基板的制备。
S13、提供第二基底20，并通过构图工艺，在第二基底20上形成包括偏置线24的图形。当然，在该步骤中形成偏置线24的同时还可以形成偏置信号引入线22，以及将偏置线24连接的偏置连接线25。
其中，第二基底20可以选用与第一基底10相同的材质，故在此不再重复赘述。偏置线24的材料选用导电率较小的材料，例如ITO，在本发明实施例中以ITO为例进行说明。
步骤S13，具体可以包括：对第二基底20进行清洗，通过包括但不限于磁控溅射的方式形成ITO材料层，并在ITO材料层上采用旋涂或喷涂方式进行涂胶，之后依次采用前烘，曝光，显影，后烘，湿法刻蚀或干法刻蚀，形成包括偏置线24、偏置信号引入线22及偏置连接线25的图形。
S14、在形成有偏置线24的第二基底20上，通过构图工艺形成包括延时线21的图形。
步骤S14具体可以包括：通过包括但不限于磁控溅射的方式在偏置线24所在层上形成第二金属材料层，并在第二金属材料层背离基底的一侧进行采用旋涂或者喷涂的方式进行涂胶，之后依次进行前烘，曝光，显影，后烘，湿法刻蚀或干法刻蚀，以形成包括延时线21的图形。
其中，第二金属材料层的材料与第一金属材料层的材料可以是相同的，故在此不再重复赘述。
S15、在形成有延时线21的第二基底20上，形成第二配向层23，以形成第二基板。
步骤S15具体可以包括：在形成有延时线21的第二基底20上，印刷PI液，加热蒸发溶剂，热固化，摩擦或光配向工艺形成第二配向层23，至此完成第二基板的制备。
S16、在形成有第二配向层23的第二基底20上，通过构图工艺形成包括支撑柱40的图形。
步骤S15具体可以包括：通过旋涂或喷涂工艺在形成有第二配向层23的第二基底20上进行涂胶，之后依次进行前烘，曝光，显影，后烘，以形成包括支撑柱40的图形。
S17、在第一基板上具有第一配向层12的一侧涂覆封框胶50，在第二基底20上具有第二配向层23的一侧滴注液晶分子，以形成液晶层30，将形成有封框胶50的第一基板与形成有液晶层30的第二基板对盒。
步骤S17具体可以包括：在第一基板上具有第一配向层12的一侧涂覆封框胶50，在第二基底20上具有第二配向层23的一侧滴注液晶分子，以形成液晶层30；将第一基板和第二基板传送至真空对盒腔进行对位和真空压合，紫外光固化，热固化，形成液晶盒。步骤S17也可以采用真空灌晶(VIF)工艺成盒，具体的，先将第一基板和第二基板真空对盒，切割，加热抽真空清除水汽，真空灌晶，通过封框胶50进行封口，最后对封框胶50进行紫外固化和热固化。
至此完成本发明实施例中的移相器的制备。当然，上述步骤并非制备移相器的所有步骤，制备移相器还可以包括在形成移相器的液晶盒之后，将柔性线路板(FPC)与液晶盒进行绑定的步骤。
第三方面，如图11所示，本发明实施例提供一种天线，该天线包括但不限于接收天线，在本发明实施例中，以该天线为接收天线为例进行说明。该天线包括上述的任意一种移相器，以及设置在第一基底10背离接地电极11一侧的贴片电极13，在接地电极11与贴片电极13对应的位置设置有开口111。贴片电极13用于通过接地电极11的开口111将微波信号馈入移相器的液晶层30中。
由于，在本发明实施例天线中，在第二基底20靠近液晶层30的一侧还设置有偏置线24，且偏置线24与接地电极11在第一基底10上的正投影至少部分重叠，并在给延时线21施加直流偏压的同时给偏置线24施加同样的直流偏压，以使延时线21和偏置线24均能够与接地电极11之间形成电场，且所形成的电场能够覆盖微波信号的微波传输区域Q1，从而使得微波信号在沿延时线21进行传输时，延时线21周边的液晶层30的液晶分子均能够发生偏转，以使微波信号充分移相，进而增大移相器的移相角度。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的参考电极；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近介质层一侧的延时线，所述延时线与所述参考电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述延时线用于对微波信号进行传输，并限定出微波传输区域；其中，
所述第二基板还包括：设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的至少一条偏置线，所述偏置线与所述参考电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述偏置线与所述延时线在所述第二基底上的正投影无重叠；
在所述延时线的迹向的两侧均设置有至少一条所述偏置线，且各个所述偏置线与所述延时线的迹向相同；
当所述参考电极、所述延时线、所述偏置线被施加电信号时，所述参考电极分别与所述延时线、所述偏置线之间所形成的电场区域覆盖所述微波传输区域。
2.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述偏置线与所述延时线通过偏置连接线电连接。
3.根据权利要求2所述的移相器，其中，所述偏置线与所述偏置连接线同层设置，且材料相同。
4.根据权利要求2或3所述的移相器，其中，所述第二基板还包括：设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的偏置信号引入线，所述偏置信号引入线与所述延时线连接。
5.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第二基板还包括：设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的偏置信号引入线，所述偏置信号引入线与所述偏置线连接和所述延时线连接。
6.根据权利要求5所述的移相器，其中，所述偏置信号引入线与所述偏置线同层设置，且材料相同。
7.根据权利要求1所述的移相器，其中，在所述延时线的迹向的两相对侧均设置有至少一条所述偏置线。
8.根据权利要求1所述的移相器，其中，位于所述延时线的迹向的两相对侧均设置有多条所述偏置线，且位于所述延时线的迹向的两相对侧的所述偏置线条数相同。
9.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述延时线的迹向的两相对侧设置的所述偏置线的条数均为2-8条。
10.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述延时线的迹向的两相对侧设置的所述偏置线的条数均为3条。
11.根据权利要求1、2、3、5、6、7、8、9、10中任一项所述的移相器，其中，对于所述偏置线上具有法线、且法线与所述偏置线的其它部分具有交点的点，该点到其法线和所述偏置线的其它部分的交点中最近的一者的距离为20μm-75μm。
12.根据权利要求1、2、3、5、6、7、8、9、10中任一项所述的移相器，其中，对于所述延时线上具有法线、且法线与所述延时线的其它部分具有交点的点，该点到其法线和所述延时线的其它部分的交点中最近的一者的距离为100μm-350μm。
13.根据权利要求1所述的移相器，其中，各个所述偏置线与所述延时线平行设置。
14.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述偏置线的电阻率小于14500000siemens/m。
15.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述偏置线的材料包括氧化铟锡、镍、氮化钽、铬、氧化铟、氧化锡中的任一种。
16.一种移相器的制备方法，其包括形成第一基板和第二基板，以及在所述第一基板和所述第二基板之间形成介质层的步骤；其中，
形成所述第一基板的步骤包括：在第一基底上形成包括参考电极的图形；
形成所述第二基板的步骤包括：在第二基底上形成包括延时线和偏置线的图形；所形成的所述延时线、所述偏置线均与所述参考电极在第一基底上的正投影至少部分重叠，并在给所述延时线和所述偏置线施加电信号时，所述延时线和所述偏置线均能够与所述参考电极之间形成电场，且所形成的电场区域能够覆盖微波传输区域。
17.一种天线，其包括：权利要求1-15中任一项所述的移相器。
18.根据权利要求17所述的天线，其中，所述天线还包括设置在第一基底背离液晶层一侧的贴片电极，在所述参考电极对应贴片电极的位置设置有开口。
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