CN117795770A - 一种移相器、天线及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种移相器、天线及电子设备，其中，该移相器包括：相对设置的第一基板和第二基板；设置在第一基板和第二基板之间的可调介质层以及多个支撑柱；位于第一基板朝向可调介质层一侧的第一导电层；位于第二基板朝向可调介质层一侧的第二导电层，第一导电层的图案包括至少一个第一电极，第二导电层的图案包括至少一个第二电极，至少一个第一电极在第一基板上的正投影与至少一个第二电极在第一基板上正投影至少部分交叠；位于第一基板上的各个支撑柱在第一基板上的正投影，与第一导电层的图案在第一基板上的正投影互不交叠，多个支撑柱中靠近第一导电层的图案边缘的支撑柱与第一导电层的图案边缘之间等距离设置。
Description
本公开涉及通信技术领域，特别涉及一种移相器、天线及电子设备。
得益于新材料、新工艺及算法的进步，移相器已逐步表现出结构小巧、成本低廉、可重构等独特的优势，从而被广泛应用。对于液晶移相器，可以周期性引入液晶电容，通过控制液晶取向调节液晶层介电常数，从而调节单位长度支路总电容，进而达到移相的作用。如何提高移相器的移相性能成为急需解决的技术问题。
发明内容
本公开提供了一种移相器、天线及电子设备，用于保证支撑柱高度的均一性，提高移相器的移相性能。
第一方面，本公开实施例提供了一种移相器，其中，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
设置在所述第一基板和所述第二基板之间的可调介质层以及多个支撑柱；
位于所述第一基板朝向所述可调介质层一侧的第一导电层；
位于所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的第二导电层，其中，所述第一导电层的图案包括至少一个第一电极，所述第二导电层的图案包括至少一个第二电极，所述至少一个第一电极在所述第一基板上的正投影与所述至少一个第二电极在所述第一基板上正投影至少部分交叠；
其中：位于所述第一基板上的各个所述支撑柱在所述第一基板上的正投影，与所述第一导电层的图案在所述第一基板上的正投影互不交叠，且所述多个支撑柱中靠近所述第一导电层的图案边缘的支撑柱与所述第一导电层的图案边缘之间等距离设置。
在一种可能的实现方式中，所述多个支撑柱中靠近所述第一导电层的图案边缘的所述支撑柱与所述第一导电层的图案边缘之间相距第一距离，所述多个支撑柱中相邻两个所述支撑柱之间相距第二距离，所述第一距离与所述第二距离相等。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个第一电极包括间隔设置的第一子信号电极和第二子信号电极，所述第一子信号电极和所述第二子信号电极之间的区域设置有所述多个支撑柱。
在一种可能的实现方式中，所述多个支撑柱包括在所述第一基板上间隔设置的多个主支撑柱和多个辅支撑柱，各个所述主支撑柱背离所述第一基板的一端与所述第二基板接触设置，各个所述辅支撑柱背离所述第一基板的一端悬空设置。
在一种可能的实现方式中，各个所述主支撑柱靠近所述第一基板的一端与所述第一基板接触设置。
在一种可能的实现方式中，各个所述主支撑柱靠近所述第一基板的一端与所述第一基板之间设置有垫高层，且沿所述第一基板指向所述第二基板的方向，各个所述主支撑部的高度与各个所述辅支撑柱的高度相等。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个第二电极包括贴附在所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的贴片电极，所述第一子信号电极在所述第一基板上的正投影与所述贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠，所述第二子信号电极在所述第一基板上的正投影与所述贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个第一电极包括第一信号电极，所述至少一个第二电极包括第二信号电极，所述第一信号电极包括沿第一方向延伸的第一主体部，和与所述第一主体部连接且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多个第一分支部；
所述第二信号电极包括沿所述第一方向延伸的第二主体部，和与所述第二主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第二分支部，所述第一分支部在 所述第一基板上的正投影与相应的所述第二分支部在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个第一电极还包括位于所述第一基板朝向所述可调介质层一侧的多个间隔设置的第一接地电极，各个所述第一接地电极通过贯穿所述第一基板的过孔与设置在所述第一基板背离所述可调介质层一侧的第二接地电极连接，各个所述第一接地电极在所述第一基板上的正投影完全落入所述第二接地电极在所述第一基板上的正投影的区域范围内，且各个所述第一接地电极在所述第一基板上的正投影与所述贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个第一电极包括贴附在所述第一基板朝向所述可调介质层一侧的间隔设置的第一子贴片电极和第二子贴片电极，所述至少一个第二电极包括第三接地电极和第三信号电极，所述第三接地电极包括间隔设置的第一子接地电极和第二子接地电极，所述第三信号电极位于所述第一子接地电极和所述第二子接地电极之间，且所述第三信号电极在所述第一基板上正投影与所述第一子贴片电极在所述第一基板上的正投影部分交叠，并与所述第二子贴片电极在所述第一基板上的正投影部分交叠，所述第三接地电极和所述第一基板之间的区域设置有所述多个支撑柱。
在一种可能的实现方式中，所述第三接地电极和所述第三信号电极之间的区域设置有所述多个支撑。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个第二电极包括贴附在所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的间隔设置的第三子贴片电极和第四子贴片电极，所述至少一个第一电极包括第四接地电极和第四信号电极，所述第四接地电极包括间隔设置的第三子接地电极和第四子接地电极，所述第四信号电极位于所述第三子接地电极和所述第四子接地电极之间，所述第三子接地电极包括沿第三方向延伸的第三主体部，和与所述第三主体部连接且沿与所述第三方向相交的第四方向延伸的多个第三分支部，所述第四子接地电极包括沿所述第三方向延伸的第四主体部，和与所述第四主体部连接且沿与所述第 四方向延伸的多个第四分支部，所述第三分支部在所述第一基板上的正投影与所述第三子贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述第四分支部在所述第一基板上的正投影与所述第四贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠，所述第四信号电极包括沿所述第三方向延伸的第五主体部，和与所述第五主体部连接且沿所述第四方向延伸的多个第五分支部，所述第五分支部在所述第一基板上的正投影与所述第三子贴片电极和所述第四子贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个第二电极包括贴附在所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的贴片电极，所述至少一个第一电极包括第五接地电极和第五信号电极，所述第五接地电极包括间隔设置的第五子接地电极和第六子接地电极，所述第五信号电极位于所述第五子接地电极和所述第六子接地电极之间，且所述第五信号电极在所述第一基板上正投影完全落入所述贴片电极在所述第一基板上的正投影的区域范围内。
第二方面，本公开实施例还提供了一种天线，其中，包括：
如上面任一项所述的移相器；
分别与所述移相器耦接的馈电单元和辐射单元，所述馈电单元被配置为将接收到的射频信号耦合到所述移相器，所述移相器被配置为将所述射频信号进行移相，获得移相后的信号，并将所述移相后的信号耦合到所述辐射单元，以使所述辐射单元将所述移相后的信号所对应的电磁波信号辐射出去。
在一种可能的实现方式中，还包括位于所述第二基板背离所述可调介质层一侧的第二介质基板，以及位于所述第二介质基板和所述第二基板之间的第三导电层，所述第三导电层的图案包括第六接地电极。
在一种可能的实现方式中，所述辐射单元和所述馈电单元均位于所述第二介质基板背离所述第二基板的一侧，且同层间隔制作，其中，所述辐射单元在所述第二基板上的正投影与所述馈电单元在所述第二基板上的正投影互不交叠。
在一种可能的实现方式中，所述第三导电层包括贯穿其厚度方向的第一 过孔和第二过孔，所述第一过孔在所述第二基板上的正投影完全落入所述馈电单元在所述第二基板上的正投影的区域范围内，所述第二过孔在所述第二基板上的正投影完全落入所述辐射单元在所述第二基板上的正投影的区域范围内。
在一种可能的实现方式中，还包括位于所述第一基板背离所述可调介质层一侧的第一介质基板，以及位于所述第一介质基板和所述第一基板之间的第四导电层，所述第四导电层的图案包括第七接地电极，所述馈电单元位于所述第二介质基板背离所述第二基板的一侧，所述辐射单元位于所述第一介质基板背离所述第一基板的一侧，且所述馈电单元在所述第一基板上的正投影与所述辐射单元在所述第一基板上正投影互不交叠。
在一种可能的实现方式中，所述第三导电层开设有第三过孔，所述第四导电层开设有第四过孔，且所述第三过孔在所述第一基板上的正投影与所述第四过孔在所述第一基板上的正投影互不交叠。
第三方面，本公开实施例还提供了一种电子设备，其中，包括：
阵列排布的如上面任一项所述的天线、功分网络和馈电网络。
图1为相关技术中液晶移相器中支撑柱高度与支撑柱距离铜走线的距离之间的测试示意图；
图2为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图3为沿图2中AA方向的其中一种剖面结构示意图；
图4为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图5为沿图4中BB方向的其中一种剖面结构示意图；
图6为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种剖面结构示意图；
图7为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种剖面结构示意图；
图8为沿图2中CC方向的其中一种剖面结构示意图；
图9为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图10为沿图9中DD方向的其中一种剖面结构示意图；
图11为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图12为沿图11中EE方向的其中一种剖面结构示意图；
图13为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图14为沿图13中FF方向的其中一种剖面结构示意图；
图15为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图16为沿图15中GG方向的其中一种剖面结构示意图；
图17为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图18为沿图17中HH方向的其中一种剖面结构示意图；
图19为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图20为沿图19中II方向的其中一种剖面结构示意图；
图21为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图22为图21对应的其中一种立体结构示意图；
图23为本公开实施例提供的一种移相器的其中一种俯视结构示意图；
图24为沿图23中JJ方向的其中一种剖面结构示意图；
图25为本公开实施例提供的一种移相器阵列的其中一种俯视结构示意图；
图26为本公开实施例提供的一种天线的其中一种俯视结构示意图；
图27为沿图26中KK方向的其中一种剖面结构示意图；
图28为本公开实施例提供的一种天线的其中一种俯视结构示意图；
图29为沿图28中LL方向的其中一种剖面结构示意图；
图30为本公开实施例提供的一种电子设备的其中一种分布结构示意图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所 描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
根据电容计算公式，本发明人在实际研究中发现，上下基板之间交叠电容的间距对移相器的性能起着至关重要的影响。结合液晶移相器的膜层结构，上下基板之间的支撑柱高度的均一性在很大程度上影响了交叠电容的间距均一性，从而影响移相性能。
在实际应用中，液晶移相器中传输线或者电极对应的金属膜层厚度往往较厚，通常在2μm以上，这种情况下，传输线或者电极周边的支撑柱(PS)高度将会受到金属膜层的影响。如图1所示为支撑柱高度与支撑柱距离铜(Cu)走线的距离之间的测试示意图，距离铜走线的距离越近，支撑柱的高度相对较高。而传统情况下，在进行支撑柱设计时，仅确保支撑柱与金属传输线或电极不出现重叠部分，并未考虑到这种情况，所设计制作出的支撑柱高度均一性在12.4％左右，均一性较低，从而降低了移相器的移相性能。
鉴于此，本公开实施例提供了一种移相器、天线及电子设备，用于保证支撑柱高度的均一性，提高移相器的移相性能。
结合图2和图3所示，其中，图2为本公开实施例提供的移相器的其中一种俯视示意图，图3为沿图2中AA方向的其中一种剖面结构示意图，该移相器包括：
相对设置的第一基板10和第二基板20；
设置在所述第一基板10和所述第二基板20之间的可调介质层30以及多 个支撑柱40；
位于所述第一基板10朝向所述可调介质层30一侧的第一导电层50；
位于所述第二基板20朝向所述可调介质层30一侧的第二导电层60，其中，所述第一导电层50的图案包括至少一个第一电极51，所述第二导电层60的图案包括至少一个第二电极61，所述至少一个第一电极51在所述第一基板10上的正投影与所述至少一个第二电极61在所述第一基板10上正投影至少部分交叠；
其中：位于所述第一基板10上的各个所述支撑柱40在所述第一基板10上的正投影，与所述第一导电层50的图案在所述第一基板10上的正投影互不交叠，且所述多个支撑柱40中靠近所述第一导电层50的图案边缘的支撑柱40与所述第一导电层50的图案边缘之间等距离设置。
在具体实施过程中，本公开实施例提供的移相器包括相对设置的第一基板10和第二基板20，第一基板10和第二基板20可以为玻璃基板，还可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)，还可以液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer，LCP)，当然，还可以根据实际应用需要来设置第一基板10和第二基板20，在此不做限定。
本公开实施例提供的移相器还包括设置在第一基板10和第二基板20之间的可调介质层30以及多个支撑柱40。在其中一种示例性实施例中，可调介质层30可以为液晶层，相应的移相器为液晶移相器，该液晶层的液晶分子可以为正性液晶分子，还可以为负性液晶分子，在此不做限定。第一基板10和第二基板20之间还设置有多个支撑柱40，保证了可调介质层30的盒厚。
本公开实施例提供的移相器还包括位于第一基板10朝向可调介质层30一侧的第一导电层50，以及位于第二基板20朝向可调介质层30一侧的第二导电层60。在其中一种示例性实施例中，第一导电层50可以位于第一基板10朝向可调介质层30一侧的表面，第二导电层60可以位于第二基板20朝向可调介质层30一侧的表面。关于第一导电层50和第二导电层60的材料可以相同，也可以不同。比如，第一导电层50的材料可以是氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、铜(Cu)或是银(Ag)等，第二导电层60的材料可以是ITO、Cu或是Ag等，不同的材料其电导率不同，损耗不一样，在实际应用中，可以根据移相器的移相度的需求选择第一导电层50和第二导电层60的材料，在此不做限定。
在具体实施过程中，第一导电层50的图案包括至少一个第一电极51，至少一个第一电极51可以为一个，还可以为多个，在此不做限定；第二导电层60的图案包括至少一个第二电极61，至少一个第二电极61可以为一个，还可以为多个，在此不做限定。在其中一种示例性实施例中，如图2所示，第一导电层50的图案包括两条传输线，这两条传输线上传输的可以是差分信号，相应地，至少一个第一电极51可以包括两个信号电极；第二导电层60的图案包括贴片电极610，相应的，至少一个第二电极61包括三个贴片电极。此外，第一导电层50的至少一个第一电极51在第一基板10上的正投影与至少一个第二电极61在第一基板10上的正投影至少部分交叠，相应地，在对应的交叠区域形成可调电容。在其中一种示例性实施例中，通过给可调电容对应电极施加不同的电压，二者之间将会产生垂直电场，驱动液晶层的液晶分子发生偏转，从而改变液晶层的介电常数，进而改变移相器的移相度。
仍结合图2和图3所示，位于第一基板10上的各支撑柱40在第一基板10上的正投影，与第一导电层50的图案在第一基板10上的正投影互不交叠，且多个支撑柱40中靠近第一导电层50的图案边缘的支撑柱40与第一导电层50的图案边缘之间等距离设置。也就是说，位于第一基板10上的各支撑柱40不仅与第一导电层50的图案互不交叠，而且第一导电层50的图案周边均保持支撑柱40与相应图案的边缘等间距设置。如此一来，保证了支撑柱40高度的均一性，提高了移相器的移相性能。比如，将间距设置在800μm以上，在其中一种示例性实施例中，位于第一导电层50的图案边缘的支撑柱40，均与相应图案边缘之间间距900μm。当然，还可以根据实际应用需要来设置支撑柱40与第一导电层50的图案的边缘之间的距离，在此不做限定。
在本公开实施例中，仍结合图2所示，所述多个支撑柱40中靠近所述第 一导电层50的图案边缘的所述支撑柱40与所述第一导电层50的图案边缘之间相距第一距离，所述多个支撑柱40中相邻两个所述支撑柱40之间相距第二距离，所述第一距离与所述第二距离相等。如图2中所示，d1表示第一距离，d2表示第二距离，d1＝d2。如此一来，实现了支撑柱40的均匀分布，从而保证了移相器的盒厚均一性。
在本公开实施例中，结合图4和图5所示，其中，图4为本公开实施例提供的移相器的其中一种俯视结构示意图，图5为沿图4中BB方向的其中一种剖面结构示意图。所述至少一个第一电极51包括间隔设置的第一子信号电极511和第二子信号电极512，所述第一子信号电极511和所述第二子信号电极512之间的区域设置有所述多个支撑柱40。仍结合图4所示，支撑柱40不仅可以设置在第一基板10的两子信号电极之间，还可以设置在两相邻第二电极61之间，此外，满足靠近第一导电层50的图案边缘的支撑柱40等间距设置，从而在保证支撑柱40高度均一性的同时，提高了支撑柱40对移相器的支撑强度。
在本公开实施例中，结合图6和图7所示，所述多个支撑柱40包括在所述第一基板10上间隔设置的多个主支撑柱41和多个辅支撑柱42，各个所述主支撑柱41背离所述第一基板10的一端与所述第二基板20接触设置，各个所述辅支撑柱42背离所述第一基板10的一端悬空设置。在具体实施过程中，多个支撑柱40包括在第一基板10上间隔设置的多个主支撑柱41和多个辅支撑柱42，对于多个主支撑柱41和多个辅支撑柱42的具体个数可以根据实际应用需要来设置，在此不做限定。其中，各个主支撑柱41背离第一基板10的一端与第二基板20接触设置，各个辅支撑柱42背离第一基板10的一端悬空设置。
在具体实施过程中，主支撑柱41可以有以下几种设置方式，但又仅限于以下几种设置方式。
在其中一种示例性实施例中，仍结合图6所示，各个主支撑柱41靠近第一基板10的一端与第一基板10接触设置，且各个辅支撑柱42背离第一基板 10的一端悬空设置，这样的话，在将第一基板10与第二基板20对盒后，可以先利用主支撑柱41对液晶盒进行支撑；当受到外力挤压或者温度变化等因素导致液晶盒压缩时，可以利用辅支撑柱42对液晶盒进行辅助支撑，从而提高了支撑柱40的支撑能力，进而维持了液晶移相器的盒厚均一性。
在其中一种示例性实施例中，仍结合图7所示，各个所述主支撑柱41靠近所述第一基板10的一端与所述第一基板10之间设置有垫高层70，且沿所述第一基板10指向所述第二基板20的方向，各个所述主支撑部的高度与各个所述辅支撑柱42的高度相等。这样的话，不仅可以通过垫高层70对第一导电层50的图案周边进行缺陷填充，保证了后续膜层制备的稳定性，而且还可以保证各个主支撑柱41的高度与各个辅支撑柱42的高度相等，从而在保证支撑柱高度的均一性的同时，提高了支撑柱40的制作效率，进而提高了移相器的制作效率。在其中一种示例性实施例中，垫高层70的厚度和第一电极51的厚度可以为大致相等，还可以是垫高层70的厚度稍高于第一电极51的厚度，从而保证了后续膜层制备的平坦性，从而在保证支撑柱高度均一性的同时，提高了移相器的制作效率。
需要说明的是，本公开实施例中关于支撑柱40的相关方案适用于各类基于液晶交叠电容的移相器设计，实现了对电容间距的工艺波动的较好控制，保证了相应移相器的整体性能。在具体实施过程中，本公开实施例提供的移相器可以是双线结构移相器，还可以是单线结构移相器。
对于双线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，如图8所示为沿图2中CC方向的其中一种剖面结构示意图，所述至少一个第二电极61包括贴附在所述第二基板20朝向所述可调介质层30一侧的贴片电极610，所述第一子信号电极511在所述第一基板10上的正投影与所述贴片电极610在所述第一基板10上的正投影至少部分交叠，所述第二子信号电极512在所述第一基板10上的正投影与所述贴片电极610在所述第一基板10上的正投影至少部分交叠。在其中一种示例性实施例中，贴片电极610可以贴附在第二基板20朝向可调介质层30一侧的表面。仍结合图8所示，第一子信号电极511与贴片电 极610的交叠区域，以及第二子信号电极512与贴片电极610的交叠区域均形成了可调电容。此外，仍结合图8所示，第一基板10背离可调介质层30的一侧表面还设置有接地电极，从而为第一子信号电极511和第二子信号电极512提供参考地，以便形成类似微带传输线结构。
对于双线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，如图9和图10所示，其中，图9为移相器的其中一种俯视结构示意图，图中未示意出支撑柱；图10为沿图9中DD方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，所述至少一个第一电极51包括第一信号电极80，所述至少一个第二电极61包括第二信号电极90，所述第一信号电极80包括沿第一方向延伸的第一主体部81，和与所述第一主体部81连接且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多个第一分支部82；
所述第二信号电极90包括沿所述第一方向延伸的第二主体部91，和与所述第二主体部91连接且沿所述第二方向延伸的多个第二分支部92，所述第一分支部82在所述第一基板10上的正投影与相应的所述第二分支部92在所述第一基板10上的正投影至少部分交叠。
仍结合图9和图10所示，至少一个第一电极51包括第一信号电极80，至少一个第二电极61包括第二信号电极90，第一信号电极80包括沿第一方向延伸的第一主体部81，和与第一主体部81连接且沿与第一方向相交的第二方向延伸的多个第一分支部82，第一方向如图9中箭头X1所示的方向，第二方向如图9中箭头Y1所示的方向。对于多个第一分支部82的个数，可以根据对移相器的移相度的实际需求来设置，在此不做限定。此外，第二信号电极90包括沿第一方向延伸的第二主体部91，和与第二主体部91连接且沿第二方向延伸的多个第二分支部92。对于多个第二分支部92的个数，可以根据对移相器的移相度的实际需求来设置。第一分支部82在第一基板10上的正投影与相应的第二分支部92在第一基板10上的正投影至少部分交叠，这样的话，第一分支部82与第二分支部92的交叠区域可以形成相应的可调电容，从而保证了移相器的移相性能。在实际应用中，可以根据对移相器的移 相度的实际需求来设置第一分支部82与第二分支部92的个数以及二者的交叠面积，在此不做详述。
对于双线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，如图11和图12所示，其中，图11为移相器的其中一种俯视结构示意图，图中未示意出支撑柱；图12为沿图11中EE方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，所述至少一个第一电极51还包括位于所述第一基板10朝向所述可调介质层30一侧的多个间隔设置的第一接地电极100，各个所述第一接地电极100通过贯穿所述第一基板10的过孔与设置在所述第一基板10背离所述可调介质层30一侧的第二接地电极200连接，各个所述第一接地电极100在所述第一基板10上的正投影完全落入所述第二接地电极200在所述第一基板10上的正投影的区域范围内，且各个所述第一接地电极100在所述第一基板10上的正投影与所述贴片电极610在所述第一基板10上的正投影至少部分交叠。
仍结合图11和图12所示，至少一个第一电极51除了包括间隔设置的第一子信号电极511和第二子信号电极512之外，还包括位于第一基板10朝向可调介质层30一侧的多个间隔设置的第一接地电极100。在其中一种示例性实施例中，各个第一接地电极100可以位于第一基板10朝向可调介质层30一侧的表面。各个第一接地电极100通过贯穿第一基板10的过孔与设置在第一基板10背离可调介质层30一侧的第二接地电极200电连接，从而为第一子信号电极511和第二子信号电极512提供参考地，以便形成类似微带传输线的结构。此外，各个第一接地电极100在第一基板10上的正投影完全落入第二接地电极200在第一基板10上的正投影的区域范围内，从而提高了移相器的使用性能。而且，除了第一子信号电极511与贴片电极610在交叠区域形成可调电容，以及第二子信号电极512与贴片电极610在交叠区域形成可调电容之外，由于各个第一接地电极100在第一基板10上的正投影与贴片电极610在第一基板10上的正投影至少部分交叠，这样的话，各个第一接地电极100和贴片电极610在交叠区域也可以形成可调电容，从而保证了移相器的移相性能。
对于单线结构移相器，其可以是共面波导(Coplanar Waveguide，CPW)结构的移相器，在其中一种示例性实施例中，如图13和图14所示，其中，图13所示为移相器的其中一种俯视结构示意图，图14所示为沿图13中FF方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，所述至少一个第一电极51包括贴附在所述第一基板10朝向所述可调介质层30一侧表面的间隔设置的第一子贴片电极611和第二子贴片电极612，所述至少一个第二电极61包括第三接地电极300和第三信号电极400，所述第三接地电极300包括间隔设置的第一子接地电极301和第二子接地电极302，所述第三信号电极400位于所述第一子接地电极301和所述第二子接地电极302之间，且所述第三信号电极400在所述第一基板10上正投影与所述第一子贴片电极611在所述第一基板10上的正投影部分交叠，并与所述第二子贴片电极612在所述第一基板10上的正投影部分交叠，所述第三接地电极300和所述第一基板10之间的区域设置有所述多个支撑柱40。
仍结合图13和图14所示，至少一个第一电极51包括贴附在第一基板10朝向可调介质层30一侧的间隔设置的第一子贴片电极611和第二子贴片电极612；至少一个第二电极61包括第三接地电极300和第三信号电极400，第三接地电极300包括间隔设置的第一子接地电极301和第二子接地电极302，第三信号电极400位于第一子接地电极301和第二子接地电极302之间，且彼此无交叠。在其中一种示例性实施例中，信号电极和接地电极可以均位于第二基板20朝向可调介质层30一侧的表面，相应地，该移相器结构实质上可以为基于波导的共面移相器。此外，第三信号电极400在第一基板10上正投影与第一子贴片电极611在第一基板10上的正投影部分交叠，并与第二子贴片电极612在第一基板10上的正投影部分交叠。这样的话，第三信号电极400与第一子贴片电极611的交叠区域可以形成可调电容，第三信号电极400与第二子贴片电极612的交叠区域也可以形成可调电容。此外，第一子接地电极301在第一基板10上的正投影可以与第一子贴片电极611在第一基板10上的正投影部分交叠，第二子接地电极302在第一基板10上的正投影可以与 第二子贴片电极612在第一基板10上的正投影部分交叠，相应地，第一子接地电极301和第一子贴片电极611的交叠区域也可以形成可调电容，第二子接地电极302和第二子贴片电极612的交叠区域也可以形成可调电容，从而保证了移相器的移相性能。
对于单线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，第三接地电极300在第一基板10上的投影面积较大时，可以将支撑柱40设置在第三接地电极300和第一基板10之间的区域，相应地，支撑柱40的分布情况可以是如图15和图16所示，其中，图15所示为移相器的其中一种俯视结构示意图，图16为沿图15中GG方向的其中一种剖面结构示意图。
对于单线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，如图17和图18所示，其中，图17所示为移相器的其中一种俯视结构示意图，图18所示为沿图17中HH方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，所述第三接地电极300和所述第三信号电极400之间的区域设置有所述多个支撑柱40，如此一来，提高了移相器的支撑性能。
对于单线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，如图19和图20所示，其中，图19所示为移相器的其中一种俯视结构示意图，图20所示为沿图19中II方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，可以将第一子贴片电极611和第二子贴片电极612设置在第二基板20朝向可调介质层30一侧表面，将第三接地电极300和第三信号电极400设置在第一基板10朝向可调介质层30的一侧表面。需要说明的是，还可以通过第一驱动线输入第一驱动电压，还可以通过第二驱动线将第一子接地电极301、第二子接地电极302和第三信号电极400串联为低频等势体；还可以通过第三驱动线输入第二驱动电压，还可以通过第四驱动线将第一子贴片电极611和第二子贴片电极612串联为低频等势体。
对于单线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，如图21和图22所示，其中，图21所示为移相器的其中一种俯视结构示意图，图22为图21对应的其中一种立体结构示意图。具体来讲，所述至少一个第二电极61包括贴 附在所述第二基板20朝向所述可调介质层30一侧的间隔设置的第三子贴片电极613和第四子贴片电极614；在其中一种示例性实施例中，第三子贴片电极613和第四子贴片电极614均贴附在第二基板20朝向可调介质层30一侧的表面。所述至少一个第一电极51包括第四接地电极400和第四信号电极600，所述第四接地电极400包括间隔设置的第三子接地电极501和第四子接地电极502，所述第四信号电极600位于所述第三子接地电极501和所述第四子接地电极502之间，所述第三子接地电极501包括沿第三方向延伸的第三主体部5011，和与所述第三主体部5011连接且沿与所述第三方向相交的第四方向延伸的多个第三分支部5012，所述第四子接地电极502包括沿所述第三方向延伸的第四主体部5021，和与所述第四主体部5021连接且沿与所述第四方向延伸的多个第四分支部5022，所述第三分支部5012在所述第一基板10上的正投影与所述第三子贴片电极613在所述第一基板10上的正投影至少部分重叠，所述第四分支部5022在所述第一基板10上的正投影与所述第四贴片电极在所述第一基板10上的正投影至少部分交叠，所述第四信号电极600包括沿所述第三方向延伸的第五主体部601，和与所述第五主体部601连接且沿所述第四方向延伸的多个第五分支部602，所述第五分支部602在所述第一基板10上的正投影与所述第三子贴片电极613和所述第四子贴片电极614在所述第一基板10上的正投影至少部分交叠。
仍结合图21和图22所示，第三方向如图21中箭头X2所示的方向，第四方向如图21中箭头Y2所示的方向；第四接地电极400中的第三子接地电极501具有可调谐的多个第三分支部5012，第四接地电极400中的第四子接地电极502具有可调谐的多个第四分支部5022，第四信号电极600具有可调谐的多个第五分支部602，不仅可以通过第三子贴片电极613与相应第三分支部5012和第五分支部602部分交叠形成可调电容，而且还可以通过第四子贴片电极614与相应第四分支部5022和第五分支部602部分交叠形成可调电容，从而保证了移相器的移相性能。
对于单线结构移相器，在其中一种示例性实施例中，如图23和图24示， 其中，图23为移相器的其中一种俯视结构示意图，图24为沿图23中JJ方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，所述至少一个第二电极61包括贴附在所述第二基板20朝向所述可调介质层30一侧的贴片电极610，所述至少一个第一电极51包括第五接地电极700和第五信号电极703，所述第五接地电极700包括间隔设置的第五子接地电极701和第六子接地电极702，所述第五信号电极703位于所述第五子接地电极701和所述第六子接地电极702之间，且所述第五信号电极703在所述第一基板10上正投影完全落入所述贴片电极610在所述第一基板10上的正投影的区域范围内。
仍结合图23和图24所示，设置在第一基板10朝向可调介质层30一侧表面的第五信号电极703在第一基板10上的正投影，完全落入贴附在第二基板20朝向可调介质层30一侧表面的贴片电极610在第一基板10上的正投影的区域范围内，这样的话，该贴片电极610与第五信号电极703在交叠区域可以形成可调电容。此外，设置在第一基板10朝向可调介质层30一侧表面的第五接地电极700中的第五子接地电极701和第六子接地电极702中，第五子接地电极701在第一基板10上的正投影与贴片电极610在第一基板10上的正投影部分交叠，从而可以在第五子接地电极701和贴片电极610的交叠区域形成可调电容；第六子接地电极702在第一基板10上的正投影与贴片电极610在第一基板10上的正投影部分交叠，从而可以在第六子接地电极702和贴片电极610的交叠区域形成可调电容。如此一来，保证了移相器的移相性能。
在本公开实施例中，除了上述提及的相关膜层之外，移相器还可以设置用于保证相邻电极之间绝缘设置的钝化层，还可以在可调介质层30靠近第一基板10的一侧设置配向层，以及在可调介质层30靠近第二基板20的一侧设置配向层。在其中一种示例性实施例中，该配向层可以是聚酰亚胺(PI)膜。钝化层的材料可以是氮化硅(SiN)，还可以是氧化硅(SiO)，在此不做限定。对于移相器中的可调介质层30为液晶的情况，可以通过预先设置的配向层，使得液晶中液晶分子按照预设角度倾斜。这样的话，在向相关电极加载驱动 电压之后，提高了液晶的介电常数的调整效率，从而提高了移相效率。当然，还可以根据实际应用需要来设置移相器的其它膜层，具体可以参照相关技术中的具体设置，在此不做详述。
此外，可以按照以下制作方法来制备本公开实施例的移相器。对于第一基板10上的相关膜层制备过程可以是，首先，利用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)方式在第一基板10上沉积Al/Mo金属膜层；然后，通过具有特殊图案(Pattern)的光罩结合刻蚀工艺形成特定掩膜板(Mask)用于后续工艺所用标识；然后，利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方式在上述膜层形成SiNx膜层，该SiNx膜层介电常数控制在2-4之间，以减少对移相器移相度及插入损耗的影响；然后，沉积ITO膜层，形成线宽在10μm，线间距在5μm的驱动走线；此外，该驱动走线还可以是利用MoNb/Cu膜层形成的阵列导线，结合薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件形成有源矩阵(Active Matrix，AM)驱动阵列膜层；
然后，在通过电镀工艺在上述膜层上形成传输线膜层，可以是先利用PVD方式形成一整层种子层，在该种子层上形成图案化光刻(PR)胶，PR胶高度可以略高于所需金属膜层的厚度，然后在未形成PR胶的地方通过电镀完成图案化金属膜层生长，最后再将PR胶剥离并完成种子层刻蚀，从而形成所需图案的传输线膜层；然后，可以在上述膜层上沉积一层负应力膜层，该负应力膜层可以是SiNx，从而缓解过厚的金属传输线层搜造成的内应力，同时起到保护金属膜层的作用，防止与液晶或空气接触产生化学反应；然后，制备支撑柱40，可以在第一基板10不与金属传输线或电极交叠的空间形成柱状支撑物，可以采用PS/OC材料，支撑柱40的截面形状可以是方形、圆形等；金属传输线或电极周围的支撑柱40保持距离金属边缘800μm以上等间距排布；制备完支撑柱40之外，利用喷墨打印(Inkjet)工艺方式将PI膜层均匀铺设在上述膜层上方，而后借助OA设备完成PI膜层的光配向工序。相应地，还可以采用相似工艺在第二基板20上制备除支撑柱40之外的其它膜层，具体过程不再详述；然后，可以在器件周边涂覆封框胶、滴入液晶并进行对盒以 完成整个器件的制备。还可以是在器件周边涂覆封框胶，对盒后采用灌晶方式注入液晶，完成对整个器件的制备。
需要说明的是，基于本公开实施例提供的移相器，多个移相器阵列排布可以组成如图25所示的移相器阵列。其中，区域Q表示一个移相器。在具体实施过程中，该移相器阵列中的各个移相器可以为基于CPW的共面移相器，还可以为基于CPW的异面移相器。其中，对于共面移相器，信号电极和接地电极位于同一基板的同一表面，即位于可调介质层30内部的同侧，存在交叠电极片分别与之形成投影正交面积，从而形成可调电容。而对于异面移相器，信号电极和接地电极位于可调介质层30内部的两侧，交叠电极片由信号电极和/或接地电极伸出枝节形成，并形成投影正交面积，从而形成可调电容。
基于同一公开构思，如图26所示，本公开实施例提供了一种天线，该天线包括：
如上面所述的移相器800；
分别与所述移相器800耦接的馈电单元900和辐射单元1000，所述馈电单元900被配置为将接收到的射频信号耦合到所述移相器800，所述移相器800被配置为将所述射频信号进行移相，获得移相后的信号，并将所述移相后的信号耦合到所述辐射单元1000，以使所述辐射单元1000将所述移相后的信号所对应的电磁波信号辐射出去。
在具体实施过程中，对于本公开实施例提供的一种天线中的移相器800的具体结构可以参照前述相关部分的描述。该天线解决问题的原理与前述移相器800相似，因此该天线的实施可以参见前述移相器800的实施，重复之处不再赘述。
本公开实施例提供的天线还包括分别与移相器800耦接的馈电单元900和辐射单元1000，其中，馈电单元900被配置为将接收到的射频信号耦合到移相器800，这样的话，移相器800可以将该射频信号进行移相，从而获得移相后的信号。然后，移相器800可以将该移相后的信号耦合到辐射单元1000，然后，辐射单元1000将该移相后的信号所对应的电磁波信号辐射出去，从而 实现了天线的通信功能。
在本公开实施例中，所述天线还包括位于所述第二基板20背离所述可调介质层30一侧的第二介质基板812，以及位于所述第二介质基板812和所述第二基板20之间的第三导电层813，所述第三导电层813的图案包括第六接地电极814。
在具体实施过程中，天线还包括位于第二基板20背离可调介质层30一侧的第二介质基板812，该第二介质基板812可以是玻璃基板，还可以是印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)，还可以是硬质泡沫板等。天线还包括位于第二介质基板812和第二基板20之间的第三导电层813，该第三导电层813的图案包括第六接地电极814。在其中一种示例性实施例中，可调介质层30为液晶，相应的天线为液晶天线，第六接地电极814可以是附着在第二介质基板812上，然后，通过粘合剂等形式与第一基板10和第二基板20组成的液晶盒装配在一起。在其中一种示例性实施例中，可以是在液晶盒的第二基板20背离可调介质层30的一侧表面直接通过电镀等方式形成第六接地电极814，然后，再与第二介质基板812进行装配。
在本公开实施例中，可以按照以下实现方式来设置辐射单元1000和馈电单元900，但又不仅限于以下实现方式。
在其中一种示例性实施例中，辐射单元1000和馈电单元900可以位于第二基板20的同一侧，如图27所示为沿图26中KK方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，所述辐射单元1000和所述馈电单元900均位于所述第二介质基板812背离所述第二基板20的一侧，且同层间隔制作，其中，所述辐射单元1000在所述第二基板20上的正投影与所述馈电单元900在所述第二基板20上的正投影互不交叠。在实际制备过程中，可以同层制作辐射单元1000和馈电单元900，从而简化了天线的制作工艺。
仍结合图27所示，所述第三导电层813包括贯穿其厚度方向的第一过孔8131和第二过孔8132，所述第一过孔8131在所述第二基板20上的正投影完全落入所述馈电单元900在所述第二基板20上的正投影的区域范围内，所述 第二过孔8132在所述第二基板20上的正投影完全落入所述辐射单元1000在所述第二基板20上的正投影的区域范围内。
在具体实施过程中，馈电单元900接收的射频信号可以通过第一过孔8131耦合到移相器800，经移相器800对射频信号进行移相后的射频信号，可以再通过第二过孔8132耦合到辐射单元1000。此外，在该实现方式中，馈电单元900和辐射单元1000除了通过过孔这种耦合缝隙的方式之外，还可以通过耦合电容、金属化过孔、波导、空口馈电等方式与移相器800进行信号传输，具体实现方式可以参照相关技术中的描述，在此不做详述。
在其中一种示例性实施例中，结合图28和图29所示，其中，图28为本公开实施提供的天线的其中一种俯视结构示意图，图29所示为沿图28中LL方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，馈电单元900可以位于第二基板20的一侧，辐射单元1000可以位于第一基板10的一侧。天线还包括位于所述第一基板10背离所述可调介质层30一侧的第一介质基板811，以及位于所述第一介质基板811和所述第一基板10之间的第四导电层815，所述第四导电层815的图案包括第七接地电极816，所述馈电单元900位于所述第二介质基板812背离所述第二基板20的一侧，所述辐射单元1000位于所述第一介质基板811背离所述第一基板10的一侧，且所述馈电单元900在所述第一基板10上的正投影与所述辐射单元1000在所述第一基板10上正投影互不交叠。
仍结合图29所示，天线还包括位于第一基板10背离可调介质层30一侧的第一介质基板811，以及位于第一介质基板811和第一基板10之间的第四导电层815，第四导电层815的图案包括第七接地电极816。第一介质基板811可以是玻璃基板，还可以是印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)，还可以是硬质泡沫板等。此外，馈电单元900可以位于第二介质基板812背离第二基板20的一侧，辐射单元1000可以位于第一介质基板811背离第一基板10的一侧，而且馈电单元900在第一基板10上的正投影与辐射单元1000在第一基板10上的正投影互不交叠，从而保证了天线的使用性能。
仍结合图29所示，所述第三导电层813开设有第三过孔8133，所述第四导电层815开设有第四过孔8134，且所述第三过孔8133在所述第一基板10上的正投影与所述第四过孔8134在所述第一基板10上的正投影互不交叠。这样的话，馈电单元900接收的射频信号可以通过第三过孔8133耦合到移相器800，经移相器800对射频信号进行移相后的射频信号，可以通过第四过孔8134耦合到辐射单元1000。此外，在该实现方式中，馈电单元900和辐射单元1000除了通过过孔这种耦合缝隙的方式之外，还可以通过耦合电容、金属化过孔、波导、空口馈电等方式与移相器800进行信号传输，具体实现方式可以参照相关技术中的描述，在此不做详述。
需要说明的是，对于天线的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
基于同一公开构思，如图30所示，本公开实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括：
阵列排布的如上面任一项所述的天线2000、功分网络3000和馈电网络4000。
在具体实施过程中，功分网络3000和馈电网络4000可以为同一网络结构。而且，对于功分网络3000和馈电网络4000的具体结构，可以参照相关技术中的具体实施，在此不做详述。此外，该电子设备解决问题的原理与前述天线相似，因此该电子设备的实施可以参见前述天线的实施，重复之处不再赘述。
尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (20)
- 一种移相器，其中，包括：相对设置的第一基板和第二基板；设置在所述第一基板和所述第二基板之间的可调介质层以及多个支撑柱；位于所述第一基板朝向所述可调介质层一侧的第一导电层；位于所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的第二导电层，其中，所述第一导电层的图案包括至少一个第一电极，所述第二导电层的图案包括至少一个第二电极，所述至少一个第一电极在所述第一基板上的正投影与所述至少一个第二电极在所述第一基板上正投影至少部分交叠；其中：位于所述第一基板上的各个所述支撑柱在所述第一基板上的正投影，与所述第一导电层的图案在所述第一基板上的正投影互不交叠，且所述多个支撑柱中靠近所述第一导电层的图案边缘的支撑柱与所述第一导电层的图案边缘之间等距离设置。
- 如权利要求1所述的移相器，其中，所述多个支撑柱中靠近所述第一导电层的图案边缘的所述支撑柱与所述第一导电层的图案边缘之间相距第一距离，所述多个支撑柱中相邻两个所述支撑柱之间相距第二距离，所述第一距离与所述第二距离相等。
- 如权利要求2所述的移相器，其中，所述至少一个第一电极包括间隔设置的第一子信号电极和第二子信号电极，所述第一子信号电极和所述第二子信号电极之间的区域设置有所述多个支撑柱。
- 如权利要求3所述的移相器，其中，所述多个支撑柱包括在所述第一基板上间隔设置的多个主支撑柱和多个辅支撑柱，各个所述主支撑柱背离所述第一基板的一端与所述第二基板接触设置，各个所述辅支撑柱背离所述第一基板的一端悬空设置。
- 如权利要求4所述的移相器，其中，各个所述主支撑柱靠近所述第一基板的一端与所述第一基板接触设置。
- 如权利要求4所述的移相器，其中，各个所述主支撑柱靠近所述第一基板的一端与所述第一基板之间设置有垫高层，且沿所述第一基板指向所述第二基板的方向，各个所述主支撑部的高度与各个所述辅支撑柱的高度相等。
- 如权利要求3-6任一项所述的移相器，其中，所述至少一个第二电极包括贴附在所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的贴片电极，所述第一子信号电极在所述第一基板上的正投影与所述贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠，所述第二子信号电极在所述第一基板上的正投影与所述贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
- 如权利要求2所述的移相器，其中，所述至少一个第一电极包括第一信号电极，所述至少一个第二电极包括第二信号电极，所述第一信号电极包括沿第一方向延伸的第一主体部，和与所述第一主体部连接且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多个第一分支部；所述第二信号电极包括沿所述第一方向延伸的第二主体部，和与所述第二主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第二分支部，所述第一分支部在所述第一基板上的正投影与相应的所述第二分支部在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
- 如权利要求7所述的移相器，其中，所述至少一个第一电极还包括位于所述第一基板朝向所述可调介质层一侧的多个间隔设置的第一接地电极，各个所述第一接地电极通过贯穿所述第一基板的过孔与设置在所述第一基板背离所述可调介质层一侧的第二接地电极连接，各个所述第一接地电极在所述第一基板上的正投影完全落入所述第二接地电极在所述第一基板上的正投影的区域范围内，且各个所述第一接地电极在所述第一基板上的正投影与所述贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
- 如权利要求2所述的移相器，其中，所述至少一个第一电极包括贴附在所述第一基板朝向所述可调介质层一侧的间隔设置的第一子贴片电极和第二子贴片电极，所述至少一个第二电极包括第三接地电极和第三信号电极，所述第三接地电极包括间隔设置的第一子接地电极和第二子接地电极，所述 第三信号电极位于所述第一子接地电极和所述第二子接地电极之间，且所述第三信号电极在所述第一基板上正投影与所述第一子贴片电极在所述第一基板上的正投影部分交叠，并与所述第二子贴片电极在所述第一基板上的正投影部分交叠，所述第三接地电极和所述第一基板之间的区域设置有所述多个支撑柱。
- 如权利要求10所述的移相器，其中，所述第三接地电极和所述第三信号电极之间的区域设置有所述多个支撑。
- 如权利要求2所述的移相器，其中，所述至少一个第二电极包括贴附在所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的间隔设置的第三子贴片电极和第四子贴片电极，所述至少一个第一电极包括第四接地电极和第四信号电极，所述第四接地电极包括间隔设置的第三子接地电极和第四子接地电极，所述第四信号电极位于所述第三子接地电极和所述第四子接地电极之间，所述第三子接地电极包括沿第三方向延伸的第三主体部，和与所述第三主体部连接且沿与所述第三方向相交的第四方向延伸的多个第三分支部，所述第四子接地电极包括沿所述第三方向延伸的第四主体部，和与所述第四主体部连接且沿与所述第四方向延伸的多个第四分支部，所述第三分支部在所述第一基板上的正投影与所述第三子贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，所述第四分支部在所述第一基板上的正投影与所述第四贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠，所述第四信号电极包括沿所述第三方向延伸的第五主体部，和与所述第五主体部连接且沿所述第四方向延伸的多个第五分支部，所述第五分支部在所述第一基板上的正投影与所述第三子贴片电极和所述第四子贴片电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠。
- 如权利要求2所述的移相器，其中，所述至少一个第二电极包括贴附在所述第二基板朝向所述可调介质层一侧的贴片电极，所述至少一个第一电极包括第五接地电极和第五信号电极，所述第五接地电极包括间隔设置的第五子接地电极和第六子接地电极，所述第五信号电极位于所述第五子接地电极和所述第六子接地电极之间，且所述第五信号电极在所述第一基板上正 投影完全落入所述贴片电极在所述第一基板上的正投影的区域范围内。
- 一种天线，其中，包括：如权利要求1-13任一项所述的移相器；分别与所述移相器耦接的馈电单元和辐射单元，所述馈电单元被配置为将接收到的射频信号耦合到所述移相器，所述移相器被配置为将所述射频信号进行移相，获得移相后的信号，并将所述移相后的信号耦合到所述辐射单元，以使所述辐射单元将所述移相后的信号所对应的电磁波信号辐射出去。
- 如权利要求14所述的天线，其中，还包括位于所述第二基板背离所述可调介质层一侧的第二介质基板，以及位于所述第二介质基板和所述第二基板之间的第三导电层，所述第三导电层的图案包括第六接地电极。
- 如权利要求15所述的天线，其中，所述辐射单元和所述馈电单元均位于所述第二介质基板背离所述第二基板的一侧，且同层间隔制作，其中，所述辐射单元在所述第二基板上的正投影与所述馈电单元在所述第二基板上的正投影互不交叠。
- 如权利要求16所述的天线，其中，所述第三导电层包括贯穿其厚度方向的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔在所述第二基板上的正投影完全落入所述馈电单元在所述第二基板上的正投影的区域范围内，所述第二过孔在所述第二基板上的正投影完全落入所述辐射单元在所述第二基板上的正投影的区域范围内。
- 如权利要求15所述的天线，其中，还包括位于所述第一基板背离所述可调介质层一侧的第一介质基板，以及位于所述第一介质基板和所述第一基板之间的第四导电层，所述第四导电层的图案包括第七接地电极，所述馈电单元位于所述第二介质基板背离所述第二基板的一侧，所述辐射单元位于所述第一介质基板背离所述第一基板的一侧，且所述馈电单元在所述第一基板上的正投影与所述辐射单元在所述第一基板上正投影互不交叠。
- 如权利要求18所述的天线，其中，所述第三导电层开设有第三过孔，所述第四导电层开设有第四过孔，且所述第三过孔在所述第一基板上的正投 影与所述第四过孔在所述第一基板上的正投影互不交叠。
- 一种电子设备，其中，包括：阵列排布的如权利要求14-19任一项所述的天线、功分网络和馈电网络。
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