KR102353398B1 - 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 - Google Patents
산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102353398B1 KR102353398B1 KR1020197000886A KR20197000886A KR102353398B1 KR 102353398 B1 KR102353398 B1 KR 102353398B1 KR 1020197000886 A KR1020197000886 A KR 1020197000886A KR 20197000886 A KR20197000886 A KR 20197000886A KR 102353398 B1 KR102353398 B1 KR 102353398B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide
- sintered body
- oxide sintered
- less
- represented
- Prior art date
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 29
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 26
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 18
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 3
- -1 polywax Substances 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/761—Unit-cell parameters, e.g. lattice constants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/762—Cubic symmetry, e.g. beta-SiC
- C04B2235/764—Garnet structure A3B2(CO4)3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상, 및 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 포함하는 산화물 소결체.
Description
본 발명은 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃에 관한 것이다.
박막 트랜지스터 (TFT) 에 사용되는 아모르퍼스 (비정질) 산화물 반도체는, 범용의 아모르퍼스 실리콘 (a-Si) 에 비해서 높은 캐리어 이동도를 갖고, 광학 밴드 갭이 크며, 저온에서 성막할 수 있기 때문에, 대형·고해상도·고속 구동이 요구되는 차세대 디스플레이나, 내열성이 낮은 수지 기판 등으로의 적용이 기대되고 있다.
상기 산화물 반도체 (막) 의 형성에 있어서는, 스퍼터링 타깃을 스퍼터링하는 스퍼터링법이 바람직하게 이용되고 있다. 이것은, 스퍼터링법으로 형성된 박막이, 이온 플레이팅법이나 진공 증착법, 전자빔 증착법으로 형성된 박막에 비해서, 막면 방향 (막면 내) 에 있어서의 성분 조성이나 막두께 등의 면 내 균일성이 우수하여, 스퍼터링 타깃과 동일한 성분 조성의 박막을 형성할 수 있기 때문이다.
특허문헌 1 에는, In, Y 및 O 로 이루어지고, Y/(Y ＋ In) 이, 원자 농도로 2.0 ∼ 40 원자％, 체적 저항률이 5 × 10-2 Ω㎝ 이하인 산화물 소결체를 스퍼터링 타깃으로서 사용하는 것이 기재되어 있다. 또, Sn 원소의 함유량은, Sn/(In ＋ Sn ＋ 기타 전금속 (全金屬) 원자) 가, 원자 농도로 2.8 ∼ 20 원자％ 인 것이 기재되어 있다.
특허문헌 2 에는, In, Sn, Y 및 O 로 이루어지고, Y/(In ＋ Sn ＋ Y) 가, 원자 농도로 0.1 ∼ 2.0 원자％ 인 산화물 소결체, 이것을 사용한 스퍼터링 타깃이 기재되어 있다.
특허문헌 3 에는, YInO3 과 In2O3 의 격자 정수의 중간의 격자 정수를 갖는 소결체, 및 이것을 스퍼터링 타깃으로서 사용하는 것이 기재되어 있다.
특허문헌 4 에는, 산화인듐, 산화이트륨, 및 산화알루미늄 또는 산화갈륨을 함유하는 원료를 소결하여 얻어지는, A3B5O12 형 가닛 구조의 화합물을 함유하는 스퍼터링 타깃이 기재되어 있다.
본 발명의 목적은, 신규한 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃을 제공하는 것이다.
종래, 특허문헌 4 에 기재되어 있는 바와 같이, 산화이트륨과 산화갈륨으로 이루어지는 화합물은, A3B5O12 형의 가닛상을 포함한다고 생각되었다. 그러나, 본 발명자들이 예의 연구한 결과, A3B5O12 형의 가닛상이 아니고, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상을 주성분으로 하는 산화물 소결체에 있어서, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상이 출현하는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명에 의하면, 이하의 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 등이 제공된다.
1. In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상, 및
Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 포함하는 산화물 소결체.
2. In, Ga 및 Y 의 원자비가, 하기의 범위인 1 에 기재된 산화물 소결체.
In/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.60 이상 0.97 이하
Ga/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.01 이상 0.20 이하
Y/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.02 이상 0.20 이하
3. 상기 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, 상기 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비가, 1 ∼ 500 인 1 또는 2 에 기재된 산화물 소결체.
4. 추가로 정 (正) 4 가의 금속 원소를 함유하는 1 ∼ 3 중 어느 하나에 기재된 산화물 소결체.
5. 상기 정 4 가의 금속 원소가, 상기 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상 또는 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상에 고용되어 있는 4 에 기재된 산화물 소결체.
6. 상기 정 4 가의 금속 원소의 함유량이, 산화물 소결체 중의 전금속 원소에 대해서, 원자 농도로 100 ∼ 10000 ppm 인, 4 또는 5 에 기재된 산화물 소결체.
7. 상기 정 4 가의 금속 원소가 Sn 인 4 ∼ 6 중 어느 하나에 기재된 산화물 소결체.
8. 상대 밀도가 95 ％ 이상인 1 ∼ 7 중 어느 하나에 기재된 산화물 소결체.
9. 벌크 저항이, 30 mΩ·㎝ 이하인 1 ∼ 8 중 어느 하나에 기재된 산화물 소결체.
10. 1 ∼ 9 중 어느 하나에 기재된 산화물 소결체를 포함하는 스퍼터링 타깃.
11. 10 에 기재된 스퍼터링 타깃을 사용하는 산화물 반도체 박막의 제조 방법.
12. 11 에 기재된 산화물 반도체 박막을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 신규한 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃을 제공할 수 있다.
도 1 은, 실시예 1 의 산화물 소결체의 X 선 회절 패턴이다.
도 2 는, 실시예 12 의 산화물 소결체의 X 선 회절 패턴이다.
도 3 은, 본 발명의 TFT 의 일 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 본 발명의 TFT 의 일 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 2 는, 실시예 12 의 산화물 소결체의 X 선 회절 패턴이다.
도 3 은, 본 발명의 TFT 의 일 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 본 발명의 TFT 의 일 실시형태를 나타내는 도면이다.
본 발명의 산화물 소결체는, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상, 및 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 포함한다.
이로써, 소결체 밀도 (상대 밀도) 의 향상 및 체적 저항률 (벌크 저항) 의 저감을 실현할 수 있다. 또, 선팽창 계수를 작게, 열전도율을 크게 할 수 있다. 또, 분위기 소성로를 사용하여 산소 분위기라는 특수한 조건하나, 대기하 등에서 행하는 것과 같은 간편한 방법으로 소성한 경우여도, 체적 저항률도 낮고 소결체 밀도도 높은 소결체로 할 수 있다.
본 발명의 소결체 (산화물 소결체) 에 의해서, 강도가 높은 스퍼터링 타깃 (타깃) 을 얻을 수 있고, 열응력에 의해서 마이크로 크랙을 발생시키지 않으며, 치핑이나 이상 방전을 일으키지 않고, 대파워에서의 스퍼터링이 가능한 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다.
본 발명의 소결체는 타깃의 강도가 높다. 또 열전도율이 높고, 선팽창 계수가 작기 때문에, 열응력을 억제할 수 있고, 그 결과, 타깃의 마이크로 크랙이나 치핑의 발생을 억제하여, 노듈이나 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.
추가로, 본 발명의 소결체에 의해서, 고이동도이고, TFT 제조 프로세스 과정에서 산화물 반도체층의 적층 후에 행해지는 화학 기상 성장 프로세스 (CVD 프로세스) 나 TFT 제작 후의 가열 처리 등에서의 열에 의한 특성에 대한 열화가 적어, 고성능의 TFT 를 얻을 수 있다.
In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상 및 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상은, 예를 들어 X 선 회절 (XRD) 법에 의해서, XRD 차트로부터 검출할 수 있다.
본 발명의 소결체는, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상이 주성분인 것이 바람직하다.
In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비 (In2O3/Y3In2Ga3O12) 는, 1 ∼ 500 이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 300 이며, 더욱 바람직하게는 7 ∼ 290 이다.
상기 범위 내임으로써, 안정적인 스퍼터를 행할 수 있다.
In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비 (In2O3/Y3In2Ga3O12) 는, 예를 들어 XRD 측정으로부터 산출할 수 있다.
구체적으로는, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크가 나타내는 피크 강도 (2θ/θ ＝ 30 ∼ 31°부근, 예를 들어, 29.5 ∼ 31°) 와, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크가 나타내는 피크 강도 (2θ/θ ＝ 32°부근, 예를 들어, 31.1 ∼ 32.5°) 를 사용하여, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크가 나타나는 피크 강도를, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크가 나타나는 피크 강도로 나눔으로써 구할 수 있다.
In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상에, Y, Ga, 또는 Y 및 Ga 가 고용되어 있어도 된다. In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상에, Y 및 Ga 가 고용되어 있는 것이 바람직하다. 고용은, 치환형 고용이 바람직하다.
이로써, 안정적인 스퍼터를 행할 수 있다.
Y, Ga, 또는 Y 및 Ga 의 고용은, 예를 들어 XRD 측정을 이용하여, 빅스바이트상의 격자 정수 (定數) 로부터 동정 (同定) 할 수 있다.
In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 격자 정수가, 예를 들어, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상만의 격자 정수보다 작게 되어 있으면, Ga 의 고용이 우위적으로 작용하고, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상만의 격자 정수보다 크게 되어 있으면, Y 의 고용이 우위적으로 작용한다.
여기서,「격자 정수」란, 단위 격자의 격자축의 길이로 정의되고, 예를 들어 X 선 회절법에 의해서 구할 수 있다.
또, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 구성하는 각 사이트에, Y, In, Ga, 또는 Y, In 및 Ga 가 고용되어 있어도 된다.
이들 금속 원소가 고용되어 있는 것은, 산화물 소결체에 함유되는 가닛상이, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 조성으로부터 조금 벗어나 나타남으로써 확인할 수 있다. 구체적으로는, 리드 벨트 해석으로 확인할 수 있다.
이로써, 안정적인 스퍼터를 행할 수 있다.
Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 평균 입경은, 15 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 8 ㎛ 이하이고, 특히 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다. 하한치에 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 0.1 ㎛ 이상이다.
Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 평균 입경이 15 ㎛ 이하인 경우, 방전을 안정화시키기 쉬워진다.
Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 평균 입경은, 예를 들어, 전자 프로브 미소 분석기 (EPMA) 에 의해서, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 특정하고, 그 최대 직경을 직경으로 하는 원을 가정하여, 그 직경의 평균치로서 구할 수 있다.
산화물 소결체에 함유되는 In 원소, Y 원소 및 Ga 원소에 대한 In 원소의 원자비 In/(In ＋ Y ＋ Ga) 는, 0.60 이상 0.97 이하인 것이 바람직하고, 0.70 이상 0.96 이하가 보다 바람직하며, 0.75 이상 0.95 이하가 더욱 바람직하다.
In/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.60 미만인 경우, 형성되는 산화물 반도체 박막을 포함하는 TFT 의 이동도가 작아질 우려가 있다. In/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.97 초과인 경우, TFT 의 안정성이 얻어지지 않을 우려나, 도전화되어 반도체가 되기 어려울 우려가 있다.
산화물 소결체에 함유되는 In 원소, Y 원소 및 Ga 원소에 대한 Ga 원소의 원자비 Ga/(In ＋ Y ＋ Ga) 는, 0.01 이상 0.20 이하인 것이 바람직하고, 0.02 이상 0.15 이하가 보다 바람직하고, 0.02 이상 0.12 이하가 더욱 바람직하다.
Ga/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.01 미만인 경우, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상이 형성되지 않고, 소결체의 벌크 저항이 높아지거나, 소결체 밀도 및 소결체 강도가 낮고, 그 때문에 스퍼터시의 열에 의한 균열 등이 발생하기 쉬워지거나, 안정적인 스퍼터링을 할 수 없게 될 우려가 있다. 한편, Ga/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.20 초과인 경우, 형성되는 산화물 반도체 박막을 포함하는 TFT 의 이동도가 작아질 우려가 있다.
산화물 소결체에 함유되는 In 원소, Y 원소 및 Ga 원소에 대한 Y 원소의 원자비 Y/(In ＋ Y ＋ Ga) 는, 0.02 이상 0.20 이하인 것이 바람직하고, 0.02 이상 0.18 이하가 보다 바람직하며, 0.03 이상 0.16 이하가 더욱 바람직하다.
Y/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.02 미만인 경우, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상이 형성되지 않아, 소결체의 벌크 저항이 높아지거나, 소결체 밀도 및 소결체 강도가 낮고, 그 때문에 스퍼터시의 열에 의한 균열 등이 발생되기 쉬워지거나, 안정적인 스퍼터링을 할 수 없게 될 우려가 있다. 한편, Y/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.20 초과인 경우, 형성되는 산화물 반도체 박막을 포함하는 TFT 의 이동도가 작아질 우려가 있다.
본 발명의 산화물 소결체는, 추가로 정 4 가의 금속 원소를 함유하는 것이 바람직하다.
이로써, 보다 안정적으로 스퍼터링을 행할 수 있다.
정 4 가의 금속 원소로는, Sn, Ti, Zr, Hf, Ce, Ge 등을 들 수 있다.
상기 정 4 가의 금속 원소 중 Sn 이 바람직하다. Sn 의 도핑 효과에 의해서 벌크 저항이 저하되어, 보다 안정적으로 스퍼터링을 행할 수 있다.
정 4 가의 금속 원소는, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상 또는 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상에 고용되어 있는 것이 바람직하고, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상에 고용되어 있는 것이 보다 바람직하다. 고용은, 치환형 고용이 바람직하다.
이로써, 보다 안정적으로 스퍼터링을 행할 수 있다.
정 4 가의 금속 원소의 고용에 대해서는, 예를 들어, 산화물 소결체의 벌크 저항으로부터 동정할 수 있다. 정 4 가의 금속 원소를 첨가하지 않는 경우나 고용되어 있지 않을 때의 산화물 소결체의 벌크 저항은 높아, 이상 방전의 원인이 되는 경우도 있다. 정 4 가의 금속 원소를 첨가하고, 고용된 경우에는, 산화물 소결체의 벌크 저항이 저하되어, 안정적인 스퍼터링 상태가 얻어지게 된다.
정 4 가의 금속 원소의 함유량은, 산화물 소결체 중의 전금속 원소에 대해서, 원자 농도로 100 ∼ 10000 ppm 이 바람직하고, 보다 바람직하게는 500 ppm 이상 8000 ppm 이하이며, 더욱 바람직하게는 800 ppm 이상 6000 ppm 이하이다.
정 4 가의 금속 원소의 함유량이 100 ppm 미만인 경우, 벌크 저항이 저하되지 않을 우려가 있다. 한편, 정 4 가의 금속 원소의 함유량이 10000 ppm 초과인 경우, 형성되는 산화물 반도체 박막이 고캐리어 상태가 되어 TFT 가 도통할 우려나, 온/오프치가 작아질 우려가 있다.
본 발명의 산화물 소결체는, 상대 밀도가 95 ％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 96 ％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 97 ％ 이상이고, 특히 바람직하게는 98 ％ 이상이다. 상한치는 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 100 ％ 이다.
산화물 소결체의 상대 밀도가 95 ％ 이상인 경우, 타깃으로서 사용했을 때, 이상 방전의 원인이나 노듈 발생의 기점이 되는 공극을 감소시킬 수 있다.
상대 밀도는, 예를 들어, 아르키메데스법으로 측정한 산화물 소결체의 실측 밀도를, 산화물 소결체의 이론 밀도로 나눈 값을 백분율로 하여 산출할 수 있다.
예를 들어, 산화물 소결체의 원료 분말로서, 산화물 A, 산화물 B, 산화물 C, 산화물 D 를 사용한 경우에 있어서, 산화물 A, 산화물 B, 산화물 C, 산화물 D 의 사용량 (주입량) 을 각각 a(g), b(g), c(g), d(g) 로 하면, 이론 밀도는 아래와 같이 적용시킴으로써 산출할 수 있다.
이론 밀도 ＝ (a ＋ b ＋ c ＋ d)/((a/산화물 A 의 밀도) ＋ (b/산화물 B 의 밀도) ＋ (c/산화물 C 의 밀도) ＋ (d/산화물 D 의 밀도))
또한, 각 산화물의 밀도는, 밀도와 비중은 거의 동등한 점에서, 화학 편람 기초편 I 일본 화학회편 개정 2 판 (마루젠 주식회사) 에 기재되어 있는 산화물의 비중의 값을 사용하면 된다. 또한, 이론 밀도는, 각 산화물의 중량비를 사용하여 아래와 같이 산출할 수도 있다.
이론 밀도 ＝ 1/((산화물 A 의 중량비/산화물 A 의 밀도) ＋ (산화물 B 의 중량비/산화물 B 의 밀도) ＋ (산화물 C 의 중량비/산화물 C 의 밀도) ＋ (산화물 D 의 중량비/산화물 D 의 밀도))
본 발명의 산화물 소결체는, 벌크 저항이, 바람직하게는 30 mΩ·㎝ 이하이고, 보다 바람직하게는 15 mΩ·㎝ 이하이며, 더욱 바람직하게는 10 mΩ·㎝ 이하이다. 하한치는 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 1 mΩ·㎝ 이상이다.
산화물 소결체의 벌크 저항이 30 mΩ·㎝ 이하인 경우, 대파워에서의 성막시에, 타깃의 대전에 의한 이상 방전이 잘 발생되지 않고, 또, 플라즈마 상태가 안정되어 스파크가 잘 발생되지 않게 된다. 또, 펄스 DC 스퍼터 장치를 사용하는 경우, 더욱 플라즈마가 안정되어 이상 방전 등의 문제도 없어, 안정적으로 스퍼터할 수 있게 된다.
벌크 저항은, 예를 들어, 4 탐침법에 기초하여 측정할 수 있다.
본 발명의 산화물 소결체는, 3 점 굽힘 강도가, 120 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 140 ㎫ 이상이 보다 바람직하며, 150 ㎫ 이상이 더욱 바람직하다.
산화물 소결체의 3 점 굽힘 강도가 120 ㎫ 미만인 경우, 대파워에서 스퍼터 성막했을 때, 타깃의 강도가 약하여, 타깃이 균열되거나, 치핑을 일으켜, 치핑된 파편이 타깃 위로 비산하여 이상 방전의 원인이 될 우려가 있다.
3 점 굽힘 강도는, 예를 들어 JIS R 1601「파인 세라믹스의 실온 굽힘 강도 시험」에 준해서 시험할 수 있다.
구체적으로는, 폭 4 ㎜, 두께 3 ㎜, 길이 40 ㎜ 의 표준 시험편을 사용하여, 일정 거리 (30 ㎜) 에 배치된 2 지점 위에 시험편을 두고, 지점간의 중앙으로부터 크로스 헤드 속도 0.5 ㎜/분 하중을 가하고, 파괴되었을 때의 최대 하중으로부터, 굽힘 강도를 산출할 수 있다.
본 발명의 산화물 소결체는, 선팽창 계수가 9.0 × 10-6 K-1 이하인 것이 바람직하고, 8.5 × 10-6 K-1 이하가 보다 바람직하며, 8.0 × 10-6 K-1 이하가 더욱 바람직하다. 하한치는 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 5.0 × 10-6 K-1 이상이다.
산화물 소결체의 선팽창 계수가 9.0 × 10-6 K-1 을 초과할 경우, 대파워에서 스퍼터링 중에 가열되어 타깃이 팽창되고, 본딩되어 있는 구리판측과의 사이에서 변형이 일어나, 응력에 의해서 타깃에 마이크로 크랙이 발생되거나, 균열 또는 치핑에 의해서 이상 방전의 원인이 될 우려가 있다.
선팽창 계수는, 예를 들어 폭 5 ㎜, 두께 5 ㎜, 길이 10 ㎜ 의 표준 시험편을 사용하여, 승온 속도를 5 ℃/분으로 세트하고, 300 ℃ 에 이르렀을 때의 열팽창에 의한 변위를, 위치 검출기로 검출함으로써 구할 수 있다.
본 발명의 산화물 소결체는, 열전도율이 5.0 W/m·K 이상인 것이 바람직하고, 5.5 W/m·K 이상이 보다 바람직하며, 6.0 W/m·K 이상이 더욱 바람직하고, 6.5 W/m·K 이상이 가장 바람직하다.
상한치는 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 10 W/m·K 이하이다.
산화물 소결체의 열전도율이 5.0 W/m·K 미만인 경우, 대파워에서 스퍼터링 성막했을 때, 스퍼터 면과 본딩된 면의 온도가 상이하여, 내부 응력에 의해서 타깃에 마이크로 크랙이나 균열, 치핑이 발생될 우려가 있다.
열전도율은, 예를 들어 직경 10 ㎜, 두께 1 ㎜ 의 표준 시험편을 사용하여, 레이저 플래시법에 의해서 비열 용량과 열확산율을 구하고, 여기에 시험편의 밀도를 곱함으로써 산출할 수 있다.
본 발명의 산화물 소결체는, 영률이 200 ㎬ 이하인 것이 바람직하고, 190 ㎬ 이하가 보다 바람직하며, 185 ㎬ 이하가 더욱 바람직하고, 180 ㎬ 이하가 가장 바람직하다.
영률의 하한치는 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 100 ㎬ 이상이다.
산화물 소결체의 영률이 200 ㎬ 이하이면, 스퍼터링 중에 발생되는 열응력으로도 균열되지 않아 바람직하다.
영률은, 예를 들어 초음파 펄스 반사법에 의한 음속 측정으로부터 구할 수 있다.
본 발명의 산화물 소결체는, 본질적으로, In, Y, Ga, 및 임의로 정 4 가의 금속 원소로 이루어져 있고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 그 밖에 불가피 불순물을 함유해도 된다.
본 발명의 산화물 소결체의 금속 원소의, 예를 들어, 90 원자％ 이상, 95 원자％ 이상, 98 원자％ 이상, 99 원자％ 이상 또는 100 원자％ 가, In, Y 및 Ga, 또는 In, Y, Ga 및 정 4 가의 금속 원소로 이루어져 있어도 된다.
본 발명의 산화물 소결체는, 결정상으로서 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상, 및 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 포함하면 되고, 이들 결정상만으로 이루어져 있어도 된다.
본 발명의 산화물 소결체는, In 원소를 함유하는 원료 분말, Y 원소를 함유하는 원료 분말, 및 Ga 원소를 함유하는 원료 분말의 혼합 분말을 조제하는 공정, 혼합 분말을 성형하여 성형체를 제조하는 공정, 및 성형체를 소성하는 공정에 의해서 제조할 수 있다.
혼합 분말은, 정 4 가의 금속 원소를 함유하는 원료 분말을 포함해도 된다.
원료 분말은 산화물 분말이 바람직하다. 즉, In 원소를 함유하는 원료 분말은, 산화인듐분말이 바람직하고, Y 원소를 함유하는 원료 분말은, 산화이트륨 분말이 바람직하며, Ga 원소를 함유하는 원료 분말은, 산화갈륨 분말이 바람직하다. 정 4 가의 금속 원소를 함유하는 원료 분말은, 정 4 가의 금속 원소의 산화물 분말이 바람직하고, 그 중에서도 산화주석 분말이 바람직하다.
원료 분말의 혼합비는, 예를 들어 얻고자 하는 소결체의 원자비에 대응시킨다.
원료 분말의 평균 입경은, 바람직하게는 0.1 ∼ 1.2 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 1.0 ㎛ 이하이다. 원료 분말의 평균 입경은 레이저 회절식 입도 분포 장치 등으로 측정할 수 있다.
원료의 혼합, 성형 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 이용하여 행할 수 있다. 또, 혼합할 때에는 바인더를 첨가해도 된다.
원료의 혼합은, 예를 들어, 볼 밀, 비즈 밀, 제트 밀 또는 초음파 장치 등의 공지된 장치를 사용하여 행할 수 있다. 분쇄 시간은 적절히 조정하면 되지만, 6 ∼ 100 시간 정도가 바람직하다.
성형 방법은, 예를 들어, 혼합 분말을 가압 성형하여 성형체로 할 수 있다. 이 공정에 의해서, 제품의 형상 (예를 들어, 스퍼터링 타깃으로서 바람직한 형상) 으로 성형할 수 있다.
원료를 성형형에 충전하고, 통상적으로 금형 프레스 또는 냉간 정수압 프레스 (CIP) 에 의해서, 예를 들어 1000 ㎏/㎠ 이상의 압력으로 성형을 실시하여, 성형체를 얻을 수 있다.
또한, 성형 처리시에 있어서는, 폴리비닐알코올이나 폴리에틸렌글리콜, 메틸셀룰로오스, 폴리왁스, 올레산, 스테아르산 등의 성형 보조제를 사용해도 된다.
얻어진 성형체를, 예를 들어 1200 ∼ 1650 ℃ 의 소결 온도에서 10 시간 이상 소결하여 소결체를 얻을 수 있다.
소결 온도는, 바람직하게는 1350 ∼ 1600 ℃, 보다 바람직하게는 1400 ∼ 1600 ℃, 더욱 바람직하게는 1450 ∼ 1600 ℃ 이다. 소결 시간은, 바람직하게는 10 ∼ 50 시간, 보다 바람직하게는 12 ∼ 40 시간, 더욱 바람직하게는 13 ∼ 30 시간이다.
소결 온도가 1200 ℃ 미만 또는 소결 시간이 10 시간 미만이면, 소결이 충분히 진행하지 않기 때문에, 타깃의 전기 저항이 충분히 내려가지 않아, 이상 방전의 원인이 될 우려가 있다. 한편, 소결 온도가 1650 ℃ 를 초과하거나, 또는, 소결 시간이 50 시간을 초과하면, 현저한 결정립 성장에 의해서 평균 결정립 직경의 증대나, 조대 공공 (空孔) 의 발생을 초래하여, 소결체 강도의 저하나 이상 방전의 원인이 될 우려가 있다.
상압 소결법에서는, 통상적으로 성형체를 대기 분위기, 또는 산소 가스 분위기에서 소결한다. 산소 가스 분위기는, 산소 농도가, 예를 들어 10 ∼ 50 체적％ 의 분위기인 것이 바람직하다. 승온 과정을 대기 분위기하에서 행하였다고 해도, 소결체 밀도를 높일 수 있다.
또한, 소결시에 있어서의 승온 속도는, 800 ℃ 부터 소결 온도 (1200 ∼ 1650 ℃) 까지를 50 ∼ 150 ℃/시간으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 산화물 소결체에 있어서 800 ℃ 부터 위의 온도 범위는, 소결이 가장 진행되는 범위이다. 이 온도 범위에서의 승온 속도가 50 ℃/시간보다 느려지면, 결정립 성장이 현저해져, 고밀도화를 달성할 수 없을 우려가 있다. 한편, 승온 속도가 150 ℃/시간보다 빨라지면, 성형체에 온도 분포가 발생되어 소결체가 휘거나 균열되거나 할 우려가 있다.
800 ℃ 부터 소결 온도에 있어서의 승온 속도는, 바람직하게는 60 ∼ 140 ℃/시간, 보다 바람직하게는 70 ∼ 130 ℃/시간이다.
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 상기 서술한 산화물 소결체를 사용하여 제작할 수 있다. 이로써, 산화물 반도체 박막을, 스퍼터링법 등의 진공 프로세스로 제조할 수 있다.
예를 들어, 소결체를, 절삭 또는 연마 가공하여, 백킹 플레이트에 본딩함으로써 스퍼터링 타깃을 제작할 수 있다.
예를 들어, 절단 가공함으로써, 소결체 표면의, 고산화 상태의 소결부나, 요철된 면을 제거할 수 있다. 또, 지정된 크기로 할 수 있다.
표면을 ＃200 번, 혹은 ＃400 번, 나아가서는 ＃800 번의 연마를 행해도 된다. 이로써, 스퍼터링 중의 이상 방전이나 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
본딩 방법으로는, 예를 들어 금속 인듐에 의해서 접합하는 것을 들 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 직류 (DC) 스퍼터링법, 고주파 (RF) 스퍼터링법, 교류 (AC) 스퍼터링법, 펄스 DC 스퍼터링법 등에 적용할 수 있다.
상기 스퍼터링 타깃을 사용하여 제막 (製膜) 함으로써, 산화물 반도체 박막을 얻을 수 있다. 이로써, TFT 에 사용했을 때 우수한 TFT 성능이 발휘되는 박막을 형성할 수 있다.
제막 (製膜) 은, 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 펄스 레이저 증착법 등에 의해서 행할 수 있다.
본 발명의 TFT 는, 상기 서술한 산화물 반도체 박막을 포함한다. 산화물 반도체 박막은, 예를 들어 채널층으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
TFT 의 소자 구성은 특별히 한정되지 않고, 공지된 각종 소자 구성을 채용할 수 있다. 본 발명 TFT 는, 예를 들어 액정 디스플레이나 유기 일렉트로 루미네선스 디스플레이 등의 표시 장치 등에 사용할 수 있다.
도 3 에 본 발명의 TFT 의 일례를 나타낸다. 이 TFT 에서는, 실리콘 웨이퍼 (게이트 전극) (20) 상에 있는 게이트 절연막 (30) 에, 본 발명의 스퍼터링 타깃을 사용하여 얻어지는 반도체막 (40) 을 형성하고, 층간 절연막 (70, 70a) 이 형성되어 있다. 반도체막 (40) 상의 70a 는 채널층 보호층으로서 작용하는 것이다. 반도체막 상에 소스 전극 (50) 과 드레인 전극 (60) 이 형성되어 있다.
도 4 에 본 발명의 TFT 의 일례를 나타낸다. 이 TFT 에서는, 실리콘 웨이퍼 (게이트 전극) (20) 상에 있는 게이트 절연막 (예를 들어, SiO2) (30) 에, 본 발명의 스퍼터링 타깃을 사용하여 얻어지는 반도체막 (40) 을 형성하고, 반도체막 (40) 상에 소스 전극 (50) 과 드레인 전극 (60) 을 형성하고, 반도체막 (40), 소스 전극 (50) 및 드레인 전극 (60) 상에 보호층 (70b) (예를 들어, CVD 성막한 SiO2 막) 이 형성되어 있다.
실리콘 웨이퍼 (20) 및 게이트 절연막 (30) 은, 열산화막이 부착된 실리콘 웨이퍼를 사용하여, 실리콘 웨이퍼를 게이트 전극으로 하고, 열산화막 (SiO2) 을 게이트 절연막으로 해도 된다.
또, 도 3 및 도 4 에 있어서, 유리 등의 기판 상에 게이트 전극 (20) 을 형성해도 된다.
반도체막은, 밴드 갭이 3.0 eV 이상인 것이 바람직하다. 밴드 갭이 3.0 eV 이상인 경우, 파장이 420 ㎚ 부근부터 장파장측의 광을 흡수하지 않게 된다. 이로써, 유기 EL 이나 TFT-LCD 의 광원으로부터의 광을 광 흡수하지 않아, TFT 의 채널층으로서 사용했을 때, TFT 의 광에 의한 오작동 등이 없어 광 안정성을 향상시킬 수 있다. 바람직하게는 3.1 eV 이상, 보다 바람직하게는 3.3 eV 이상이다.
본 발명의 TFT 에 있어서, 드레인 전극, 소스 전극 및 게이트 전극의 각 전극을 형성하는 재료에 특별히 제한은 없고, 일반적으로 사용되고 있는 재료를 임의로 선택할 수 있다. 예를 들어, 산화인듐주석 (ITO), 산화인듐아연 (IZO), ZnO, SnO2 등의 투명 전극이나, Al, Ag, Cu, Cr, Ni, Mo, Au, Ti, Ta 등의 금속 전극, 또는 이것들을 함유하는 합금의 금속 전극이나 적층 전극을 사용할 수 있다. 또, 실리콘 웨이퍼를 기판으로서 사용해도 되고, 그 경우에는 실리콘 웨이퍼가 전극으로도 작용한다.
본 발명의 TFT 에 있어서, 백 채널 에치형 (보텀 게이트형) 의 TFT 인 경우, 드레인 전극, 소스 전극 및 채널층 상에 보호막을 형성하는 것이 바람직하다. 보호막을 형성함으로써, TFT 가 장시간 구동한 경우여도 내구성이 향상되기 쉬워진다. 또한, 톱 게이트형의 TFT 인 경우, 예를 들어 채널층 상에 게이트 절연막을 형성한 구조가 된다.
보호막 또는 절연막은, 예를 들어 CVD 에 의해서 형성할 수 있지만, 그 때에 고온도에 의한 프로세스가 되는 경우가 있다. 또, 보호막 또는 절연막은, 성막 직후에는 불순물 가스를 함유하는 경우가 많아, 가열 처리 (어닐 처리) 를 행하는 것이 바람직하다. 가열 처리에 의해서 그 불순물 가스들을 없앰으로써 안정적인 보호막 또는 절연막이 되어, 내구성이 높은 TFT 소자를 형성하기 쉬워진다.
본 발명의 산화물 반도체 박막을 사용함으로써, CVD 프로세스에 있어서의 온도의 영향, 및 그 후의 가열 처리에 의한 영향을 잘 받지 않게 되기 때문에, 보호막 또는 절연막을 형성한 경우여도, TFT 특성의 안정성을 향상시킬 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예를 사용하여 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.
실시예 1 ∼ 14
(산화물 소결체의 제조)
산화인듐분말, 산화갈륨 분말, 산화이트륨 분말 및 산화주석 분말을, 표 1 및 2 에 나타내는 산화물 소결체의 원자비 및 Sn 원자 농도가 되도록 칭량하여, 폴리에틸렌제의 포트에 넣고, 건식 볼 밀에 의해서 72 시간 혼합 분쇄하여, 혼합 분말을 제조하였다.
이 혼합 분말을 금형에 넣고, 500 ㎏/㎠ 의 압력으로 프레스 성형체로 하였다. 이 성형체를 2000 ㎏/㎠ 의 압력으로 CIP 에 의해서 치밀화를 행하였다. 다음으로, 이 성형체를 상압 소성로에 설치하여, 대기 분위기하에서, 350 ℃ 에서 3 시간 유지한 후에, 100 ℃/시간으로 승온하고, 1450 ℃ 에서 20 시간 소결하고, 그 후, 방치하고 냉각시켜, 산화물 소결체 (소결체) 를 얻었다.
(XRD 의 측정)
얻어진 소결체에 대해서, X 선 회절 측정 장치 Smartlab 에 의해서, 아래의 조건에서, 소결체의 X 선 회절 (XRD) 을 측정하였다. 얻어진 XRD 차트를 JADE6 에 의해서 분석하여, 소결체 중의 결정상을 구하였다. 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다. 표 1 및 2 중,「In2O3」은「In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상」을 나타내고,「Y3In2Ga3O12」는「Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상」을 나타낸다.
·장치 : Smartlab (주식회사 리가쿠 제조)
·X 선 : Cu-Kα선 (파장 1.5418 Å, 그라파이트모노크로메이터로 단색화)
·2θ-θ 반사법, 연속 스캔 (2.0°/분)
·샘플링 간격 : 0.02°
·슬릿 DS (발산 슬릿), SS (산란 슬릿), RS (수광 슬릿) : 1.0 ㎜
실시예 1 에 대해서, 얻어진 소결체의 XRD 차트를 도 1 에 나타낸다. 도 1 중, 강도 5500 이상인 부분은 생략하였다.
도 1 로부터, 실시예 1 의 소결체는,「In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상」및「Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상」을 갖는 것을 알 수 있었다.
또, 실시예 12 에 대해서, 얻어진 소결체의 XRD 차트를 도 2 에 나타낸다. 도 2 중, 강도 10500 이상인 부분은 생략하였다. 도 2 로부터, 실시예 12 의 소결체는,「In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상」및「Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상」을 갖는 것을 알 수 있었다.
도 1 에 있어서의, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 (2θ/θ ＝ 30 ∼ 31°부근) 의 강도와, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 (2θ/θ ＝ 32°부근) 의 강도를, 베이스의 영향을 배제하여 사용하였다.
In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비 (In2O3/Y3In2Ga3O12) 는, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도가 나타나는 2θ/θ ＝ 30 ∼ 31°부근의 피크 강도를, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도가 나타나는 2θ/θ ＝ 32°부근의 피크 강도로 나눔으로써 구하였다.
실시예 1 의 소결체에 있어서, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비 (In2O3/Y3In2Ga3O12) 는 71.09 였다.
도 2 로부터 동일하게 산출하였다. 실시예 12 의 소결체에 있어서, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비 (In2O3/Y3In2Ga3O12) 는 10.86 이었다.
상기 서술한 실시예 2 ∼ 11 및 13 ∼ 14 의 소결체에 있어서, In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비 (In2O3/Y3In2Ga3O12) 를 동일하게 구하였다. 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다.
또, 실시예 2 ∼ 11 및 13 ∼ 14 의 소결체는, XRD 차트로부터,「In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상」및「Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상」을 갖는 것을 알 수 있었다.
또, XRD 의 측정으로부터,「In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상」의 빅스바이트 구조의 격자 정수를 구하였다. 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다.
얻어진 격자 정수로부터, 실시예 1 및 2 의 소결체는 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상에 Y 및 Ga 가 고용되어 있는 것을 알 수 있고, 실시예 1 의 소결체는 Y 의 고용이 우위적으로 작용하고, 실시예 2 의 소결체는 Ga 의 고용이 우위적으로 작용하는 것을 알 수 있었다.
또, 실시예 3 ∼ 14 의 소결체에 있어서는, 얻어진 격자 정수로부터 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상에 Y, Ga 및 Sn 이 고용되어 있는 것을 알 수 있었다.
(Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 평균 입경의 측정)
상기 서술한 소결체에 대해서, 전자 프로브 미소 분석기 (EPMA) 에 의해서, 소결체 중의 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 50 ㎛ × 50 ㎛ 의 시야 중에서 특정하고, 가닛상의 최대 직경을 직경으로 하는 원 (외접원) 을 가정하여, 소결체에 함유되는 복수의 가닛상의 직경의 평균치를 가닛상의 평균 입경으로 하였다. 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다.
(상대 밀도의 측정)
상기 서술한 소결체에 대해서, 아르키메데스법으로 측정한 실측 밀도를, 각 구성 원소의 산화물의 밀도 및 중량비로부터 산출되는 이론 밀도로 나눈 값을, 백분율로 하여 산출하였다. 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다.
또한, 각 원료 분말의 밀도는, 밀도와 비중은 거의 동등한 점에서, 화학 편람 기초편 I 일본 화학회편 개정 2 판 (마루젠 주식회사) 에 기재되어 있는 산화물의 비중의 값을 사용하였다.
(벌크 저항의 측정)
상기 서술한 소결체의 벌크 저항 (도전성) 을, 저항률계 로레스타 (미츠비시 화학 주식회사 제조, 로레스타 AX MCP-T370) 를 사용하고, 4 탐침법 (JIS R 1637) 에 기초하여 측정하였다. 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다.
실시예 1 ∼ 14 에 대해서, 상압 소성로를 사용한 대기 분위기하에서의 소성 방법은, HIP (Hot Isostatic Press), 방전 플라즈마 소결 (SPS) 또는 분위기 소성로를 사용하는 기술보다, 소결체 밀도가 잘 올라가지 않는 방법임에도 불구하고, 간편한 상압 소성로를 사용한 대기 분위기하에서의 소성으로, 고밀도인 실시예 1 ∼ 14 의 소결체를 얻을 수 있었다.
(선팽창 계수, 열전도율 및 영률의 측정)
실시예 2 및 실시예 11 에서 제조한 소결체에 대해서, 선팽창 계수, 열전도율 및 영률을 각각 측정하였다. 결과를 표 3 에 나타낸다.
선팽창 계수는, 얻어진 소결체를 폭 5 ㎜, 두께 5 ㎜, 길이 10 ㎜ 로 절단한 것을 표준 시험편으로 사용하여, 승온 속도를 10 ℃/분으로 세트하고, 30 ℃ ∼ 300 ℃ 의 평균 열팽창률을 열기계 분석법에 의해서, 열기계 분석 장치 TMA7100 ((주) 히타치 하이테크 사이언스) 로 계측하였다.
열전도율은, 얻어진 소결체를 직경 10 ㎜, 두께 2 ㎜ 로 잘라낸 것을 표준 시험편으로 사용하여, 레이저 플래시법에 의해서, 비열 용량을 열 정수 측정 장치 (알박 이공 (理工) 제조 TC-9000 특형) 및 열확산율을 열 물성 측정 장치 (쿄토 전자 공업 제조 LFA501) 를 사용하여 구하고, 이것에 시험편의 외형 치수, 중량 측정으로부터 구한 밀도를 곱함으로써 산출하였다.
영률은, 얻어진 소결체를 직경 20 ㎜, 두께 5 ㎜ 로 잘라낸 것을 표준 시험편으로 사용하여, 초음파 탐상 장치 (㎩nametrics 사 제조, 5900PR) 로 실온, 대기중, 판두께 방향의 측정으로부터 구하였다.
비교예 1
산화인듐분말, 산화갈륨 분말을, 각각, 95 : 5 wt％ (In/(In ＋ Ga) ＝ 0.928, Ga/(In ＋ Ga) ＝ 0.072) 가 되도록 칭량하고, 폴리에틸렌제의 포트에 넣고, 건식 볼 밀에 의해서 72 시간 혼합 분쇄하여, 혼합 분말을 제조하였다.
이 혼합 분말을 금형에 넣고, 500 ㎏/㎠ 의 압력으로 프레스 성형체로 하였다. 이 성형체를 2000 ㎏/㎠ 의 압력으로 CIP 에 의해서 치밀화를 행하였다. 다음으로, 이 성형체를 상압 소성로에 설치하여, 대기 분위기하에서, 350 ℃ 에서 3 시간 유지한 후에, 100 ℃/시간으로 승온하고, 1430 ℃ 에서 28 시간 소결하고, 그 후, 방치하고 냉각시켜, 산화물 소결체 (소결체) 를 얻었다.
얻어진 산화물 소결체에 대해서, 실시예 1 과 동일한 평가를 행하였다. 그 결과, 얻어진 소결체의 결정 구조는 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트 구조뿐인 것을 확인하였다. 빅스바이트 구조의 격자 정수 (Å) ＝ 10.0686 Å, 상대 밀도 (％) ＝ 96.0 ％, 벌크 저항 ＝ 3.6 mΩ㎝ 였다.
또, 얻어진 산화물 소결체에 대해서, 실시예 2 와 동일하게 하여 선팽창 계수 및 열전도율을 평가하였다. 측정된 선팽창 계수, 열전도율의 결과를 표 3 에 나타낸다.
(스퍼터링 타깃의 제조)
실시예 1 ∼ 14 의 소결체에 대해서, 스퍼터링 타깃을 제작하였다.
실시예 15
얻어진 실시예 5 의 스퍼터링 타깃을 사용하여, 열산화막 부착 실리콘 기판 상에 채널 형상의 메탈 마스크를 사용하여, 산화물 반도체층 (채널층) 을 스퍼터링에 의해서 성막하였다. 스퍼터링 조건은, 스퍼터압 ＝ 1 ㎩, 산소 분압 ＝ 5 ％, 기판 온도 ＝ 실온에서 행하고, 막두께는 50 ㎚ 로 설정하였다. 다음으로, 소스·드레인 형상의 메탈 마스크를 사용하여, 금 전극을 50 ㎚ 성막하였다. 마지막으로, 공기 중 300 ℃, 1 시간의 조건에서 어닐함으로써, 채널 길이 200 ㎛, 채널 폭 1000 ㎛ 의 보텀 게이트, 톱 콘택트의 간이형 TFT 를 얻었다. 어닐 조건으로는, 250 ℃ ∼ 450 ℃, 0.5 시간 ∼ 10 시간의 범위에서 채널 도핑의 효과를 보면서 적절히 선택하였다. 어닐 후의 박막의 X 선 회절 결과로부터, 박막은 결정화되어 있고, 그 결정 구조는 In2O3 형의 빅스바이트 구조였다.
얻어진 TFT 의 특성을 평가한 결과, 이동도 ＝ 28 ㎠/V·sec, 전류치가 10-8 A 를 초과하는 게이트 전압의 값 Vth ＞ 0.51 V, S 값 (Swing Factor) ＝ 0.71 이었다.
산업상 이용가능성
본 발명의 산화물 소결체는 스퍼터링 타깃에 사용할 수 있고, 본 발명의 스퍼터링 타깃은, 산화물 반도체 박막 및 박막 트랜지스터의 제조에 이용할 수 있다.
상기에 본 발명의 실시형태 및/또는 실시예를 몇 가지 상세하게 설명했지만, 당업자는, 본 발명의 신규한 교시 및 효과로부터 실질적으로 벗어나지 않고, 이들 예시인 실시형태 및/또는 실시예에 많은 변경을 가하는 것이 용이하다. 따라서, 이 많은 변경들은 본 발명의 범위에 포함된다.
본원의 파리 우선의 기초가 되는 일본 출원 명세서의 내용을 모두 여기에 원용한다.
Claims (12)
- In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상, 및
Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상을 포함하는, 산화물 소결체. - 제 1 항에 있어서,
In, Ga 및 Y 의 원자비가, 하기의 범위인, 산화물 소결체.
In/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.60 이상 0.97 이하
Ga/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.01 이상 0.20 이하
Y/(In ＋ Y ＋ Ga) 가 0.02 이상 0.20 이하 - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상의 최대 피크 강도의, 상기 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상의 최대 피크 강도에 대한, 피크 강도비가, 1 ∼ 500 인, 산화물 소결체. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
추가로 정 4 가의 금속 원소를 함유하는, 산화물 소결체. - 제 4 항에 있어서,
상기 정 4 가의 금속 원소가, 상기 In2O3 으로 나타내는 빅스바이트상 또는 Y3In2Ga3O12 로 나타내는 가닛상에 고용되어 있는, 산화물 소결체. - 제 4 항에 있어서,
상기 정 4 가의 금속 원소의 함유량이, 산화물 소결체 중의 전금속 (全金屬) 원소에 대해서, 원자 농도로 100 ∼ 10000 ppm 인, 산화물 소결체. - 제 4 항에 있어서,
상기 정 4 가의 금속 원소가 Sn 인, 산화물 소결체. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상대 밀도가 95 ％ 이상인, 산화물 소결체. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
벌크 저항이, 30 mΩ·㎝ 이하인, 산화물 소결체. - 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 산화물 소결체를 포함하는 스퍼터링 타깃.
- 제 10 항에 기재된 스퍼터링 타깃을 사용하는 산화물 반도체 박막의 제조 방법.
- 제 11 항에 기재된 산화물 반도체 박막을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016121063 | 2016-06-17 | ||
| JPJP-P-2016-121063 | 2016-06-17 | ||
| PCT/JP2017/022276 WO2017217529A1 (ja) | 2016-06-17 | 2017-06-16 | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190019137A KR20190019137A (ko) | 2019-02-26 |
| KR102353398B1 true KR102353398B1 (ko) | 2022-01-19 |
Family
ID=60664172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197000886A KR102353398B1 (ko) | 2016-06-17 | 2017-06-16 | 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11328911B2 (ko) |
| JP (1) | JP6885940B2 (ko) |
| KR (1) | KR102353398B1 (ko) |
| CN (1) | CN109311756B (ko) |
| TW (1) | TWI778964B (ko) |
| WO (1) | WO2017217529A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5977893B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2016-08-24 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット |
| TWI725685B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-04-21 | 日本商出光興產股份有限公司 | 燒結體 |
| WO2023189834A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、結晶酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000169219A (ja) | 1998-12-09 | 2000-06-20 | Jiomatetsuku Kk | 金属酸化物焼結体およびその用途 |
| WO2010032432A1 (ja) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | 出光興産株式会社 | 酸化イットリウムを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット |
| WO2015098060A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272597A (ja) | 1985-09-25 | 1987-04-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガ−ネツト単結晶 |
| JP3803132B2 (ja) * | 1996-01-31 | 2006-08-02 | 出光興産株式会社 | ターゲットおよびその製造方法 |
| JP2007112951A (ja) | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Fujifilm Corp | 無機化合物及びこれを含む組成物と成形体、発光装置、固体レーザ装置 |
| EP2096188B1 (en) | 2006-12-13 | 2014-01-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target |
| CN101688586A (zh) | 2007-07-03 | 2010-03-31 | 盖茨公司 | 动力传输带 |
| KR20150098060A (ko) | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 엘지전자 주식회사 | 영상 표시 기기 및 그의 동작 방법 |
| WO2018043323A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 出光興産株式会社 | 新規ガーネット化合物、それを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット |
-
2017
- 2017-06-16 US US16/310,388 patent/US11328911B2/en active Active
- 2017-06-16 KR KR1020197000886A patent/KR102353398B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-16 JP JP2018524029A patent/JP6885940B2/ja active Active
- 2017-06-16 TW TW106120191A patent/TWI778964B/zh active
- 2017-06-16 WO PCT/JP2017/022276 patent/WO2017217529A1/ja active Application Filing
- 2017-06-16 CN CN201780036417.5A patent/CN109311756B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000169219A (ja) | 1998-12-09 | 2000-06-20 | Jiomatetsuku Kk | 金属酸化物焼結体およびその用途 |
| WO2010032432A1 (ja) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | 出光興産株式会社 | 酸化イットリウムを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット |
| WO2015098060A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6885940B2 (ja) | 2021-06-16 |
| US20190218145A1 (en) | 2019-07-18 |
| WO2017217529A1 (ja) | 2017-12-21 |
| CN109311756A (zh) | 2019-02-05 |
| JPWO2017217529A1 (ja) | 2019-04-04 |
| CN109311756B (zh) | 2022-07-22 |
| US11328911B2 (en) | 2022-05-10 |
| TWI778964B (zh) | 2022-10-01 |
| TW201816156A (zh) | 2018-05-01 |
| KR20190019137A (ko) | 2019-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8598578B2 (en) | Sputtering target and thin film transistor equipped with same | |
| JP6426309B2 (ja) | 新規ガーネット化合物、それを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット | |
| US20210355033A1 (en) | Oxide sintered body, sputtering target and oxide semiconductor film | |
| KR102353398B1 (ko) | 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃 | |
| JP2019064859A (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、非晶質酸化物半導体薄膜、および薄膜トランジスタ | |
| JP6326560B1 (ja) | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット | |
| JP2017178740A (ja) | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット | |
| JP2017222526A (ja) | 酸化物焼結体 | |
| JP2019077594A (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜、および薄膜トランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |