KR102350554B1 - Apparatus for heating a wafer - Google Patents
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Abstract
웨이퍼 가열 장치는 테스트 장치로 웨이퍼를 로딩하기 전에 이송 암이 대기하는 위치의 상방에 배치되며, 상기 이송 암에 지지된 상기 웨이퍼를 일정 온도로 가열하기 위한 가열부와, 상기 가열부의 일측에 배치되며, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하기 위한 제1 온도 센서 및 상기 제1 온도 센서에서 측정된 온도에 따라 상기 웨이퍼가 상기 일정 온도를 유지하도록 상기 가열부를 제어하기 위한 제어부를 포함한다. 따라서, 상기 웨이퍼 가열 장치는 상기 웨이퍼 전체를 균일하게 가열할 수 잇다. The wafer heating apparatus is disposed above a position where a transfer arm waits before loading a wafer into the test apparatus, a heating part for heating the wafer supported by the transfer arm to a predetermined temperature, and one side of the heating part, , a first temperature sensor for measuring the temperature of the wafer, and a controller for controlling the heating unit so that the wafer maintains the constant temperature according to the temperature measured by the first temperature sensor. Accordingly, the wafer heating apparatus can uniformly heat the entire wafer.
Description
본 발명은 웨이퍼 가열 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 테스트 장치에서 테스트할 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하는 웨이퍼 가열 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer heating apparatus, and more particularly, to a wafer heating apparatus for heating a wafer to be tested in a test apparatus to a constant temperature.
일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정을 거친 웨이퍼는 양품인지 혹은 불량품인지의 여부를 판별하기 위한 테스트를 거치게 된다. 최근에는 상기 반도체 소자가 이용되는 환경이 다양화됨에 따라 상기 반도체 소자들이 상온에서뿐만 아니라 고온 환경에서 안정적인 기능을 수행하도록 요구된다. 따라서, 근래에는 상기 웨이퍼의 테스트를 고온 환경에서도 실시한다. In general, a wafer that has undergone a semiconductor device manufacturing process is subjected to a test to determine whether it is a good product or a defective product. Recently, as the environment in which the semiconductor device is used is diversified, the semiconductor device is required to perform a stable function not only at room temperature but also in a high temperature environment. Therefore, in recent years, the wafer is tested even in a high-temperature environment.
구체적으로, 대기에 노출되어 상온 상태를 유지하는 웨이퍼를 이송 암으로 이송하여 고온 상태의 웨이퍼 척에 로딩하고, 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 척에 로딩된 이후에, 온도 안정화 시간을 거쳐 웨이퍼에 대한 테스트 공정이 진행된다.Specifically, a wafer exposed to the atmosphere and maintained at room temperature is transferred to a transfer arm, loaded into a wafer chuck in a high temperature state, and after the wafer is loaded into the wafer chuck, a temperature stabilization time is passed to test the wafer this goes on
그런데, 상기 이송 암에 의해 이송되는 상기 웨이퍼는 상온 상태를 유지하고 상기 웨이퍼 척은 고온 상태를 유지하므로, 상온의 웨이퍼와 고온의 웨이퍼 척 간의 온도차에 의하여 웨이퍼 척의 온도 헌팅(Temp Hunting)이 발생될 수 있으며, 이로 인해 온도 안정화를 위한 시간이 지연될 수 있다. However, since the wafer transferred by the transfer arm maintains a room temperature state and the wafer chuck maintains a high temperature state, temperature hunting of the wafer chuck may occur due to the temperature difference between the wafer at room temperature and the high temperature wafer chuck. This may lead to a delay in time for temperature stabilization.
이를 해결하기 위해, 상기 이송 암에 히팅 수단을 구비하여 상기 웨이퍼를 가열한 상태로 상기 웨이퍼 척으로 로딩할 수 있다. 그러나, 상기 이송 암이 상기 웨이퍼의 하부면 전체를 지지하는 것이 아니라 일부만 지지하므로, 상기 이송 암의 히팅 수단에 의해 가열된 웨이퍼의 온도 분포가 불균일할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼가 가열된 상태로 상기 웨이퍼 척에 로딩되더라도 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 하기 위한 시간이 필요하다. 그러므로, 상기 웨이퍼의 테스트 공정에 소요되는 시간이 지연될 수 있다. To solve this problem, a heating means may be provided on the transfer arm to load the wafer into the wafer chuck in a heated state. However, since the transfer arm supports only a portion of the lower surface of the wafer rather than the entire lower surface, the temperature distribution of the wafer heated by the heating means of the transfer arm may be non-uniform. Therefore, even if the wafer is loaded into the wafer chuck in a heated state, it is necessary to take time to uniform the temperature distribution of the wafer. Therefore, the time required for the wafer test process may be delayed.
본 발명은 테스트 장치에서 테스트할 웨이퍼를 균일하게 가열하기 위한 웨이퍼 가열 장치를 제공한다.The present invention provides a wafer heating apparatus for uniformly heating a wafer to be tested in a test apparatus.
본 발명에 따른 웨이퍼 가열 장치는 테스트 장치로 웨이퍼를 로딩하기 전에 이송 암이 대기하는 위치의 상방에 배치되며, 상기 이송 암에 지지된 상기 웨이퍼를 일정 온도로 가열하기 위한 가열부와, 상기 가열부의 일측에 배치되며, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하기 위한 제1 온도 센서 및 상기 제1 온도 센서에서 측정된 온도에 따라 상기 웨이퍼가 상기 일정 온도를 유지하도록 상기 가열부를 제어하기 위한 제어부를 포함할 수 있다. A wafer heating apparatus according to the present invention includes a heating unit for heating the wafer supported on the transfer arm to a predetermined temperature, which is disposed above a position where a transfer arm waits before loading a wafer into a test apparatus, and the heating unit It may include a first temperature sensor for measuring the temperature of the wafer, and a controller for controlling the heating unit so that the wafer maintains the constant temperature according to the temperature measured by the first temperature sensor. .
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 가열부는 상기 웨이퍼에 대응하도록 다수개의 발열체가 일정한 형태로 배열될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a plurality of heating elements may be arranged in a predetermined shape to correspond to the wafer in the heating unit.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼의 온도 분포를 확인하기 위해 상기 제1 온도 센서는 다수개가 구비되어 상기 웨이퍼 각 지점의 온도를 측정하며, 상기 제어부는 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 하기 위해 상기 다수개의 발열체들을 각각 제어할 수 있다. According to embodiments of the present invention, a plurality of first temperature sensors are provided to measure the temperature of each point of the wafer in order to check the temperature distribution of the wafer, and the control unit uniformly distributes the temperature distribution of the wafer. In order to do this, the plurality of heating elements may be controlled, respectively.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼 가열 장치는 상기 가열부의 온도가 과도하게 높아지는 것을 확인하기 위해 상기 가열부의 온도를 측정하기 위한 제2 온도 센서를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the wafer heating apparatus may further include a second temperature sensor for measuring the temperature of the heating part in order to confirm that the temperature of the heating part is excessively increased.
본 발명에 따른 웨이퍼 가열 장치는 웨이퍼가 테스트 장치의 웨이퍼 척에 로딩되기 전에 상기 웨이퍼의 상방에서 상기 웨이퍼 전체를 가열한다. 따라서, 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 척에 안착될 때, 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼 척의 온도 차이로 인한 헌팅(hunting)을 최소화할 수 있다. The wafer heating apparatus according to the present invention heats the entire wafer from above before the wafer is loaded into the wafer chuck of the test apparatus. Accordingly, when the wafer is seated on the wafer chuck, hunting due to a temperature difference between the wafer and the wafer chuck can be minimized.
또한, 상기 웨이퍼 가열 장치는 상기 웨이퍼 각 지점의 온도를 측정하고, 제어부가 상기 발열체들을 각각 제어할 수 있다. 그러므로, 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 할 수 있다. In addition, the wafer heating apparatus may measure the temperature of each point of the wafer, and the controller may control each of the heating elements. Therefore, the temperature distribution of the wafer can be made uniform.
상기 헌팅을 최소화하고, 상기 웨이퍼 온도 분포를 균일하게 할 필요가 없으므로, 상기 웨이퍼의 테스트를 신속하게 수행할 수 있다. Since the hunting is minimized and there is no need to make the wafer temperature distribution uniform, the wafer can be tested quickly.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가열 장치를 설명하기 위한 측면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 가열부를 설명하기 위한 블록도이다. 1 is a side view for explaining a wafer heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating the heating unit illustrated in FIG. 1 .
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가열 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a wafer heating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged than the actual size for clarity of the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or a combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가열 장치를 설명하기 위한 측면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 가열부를 설명하기 위한 블록도이다. 1 is a side view for explaining a wafer heating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram for explaining the heating unit shown in FIG. 1 .
도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 가열 장치(100)는 이송 암(10)에 지지된 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 것으로, 가열부(110), 제1 온도 센서(120), 제2 온도 센서(130) 및 제어부(140)를 포함한다. 1 and 2 , the
테스트 장치(10)는 반도체 소자의 제조 공정이 수행된 웨이퍼(W)의 불량 여부를 검사하기 위한 것으로, 내부에 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 웨이퍼 척(22)을 갖는다. 웨이퍼(W)가 고온 환경에서 안정적인 기능을 수행하는지 확인하기 위해 웨이퍼 척(22)은 일정한 고온으로 유지된다. The
테스트 장치(20)에서 웨이퍼(W)에 대한 테스트가 이루어지는 동안, 이송 암(10)은 웨이퍼(W)를 테스트 장치(20)의 웨이퍼 척(22)으로 웨이퍼(W)를 로딩하기 전에 대기한다. While the test is performed on the wafer W in the
가열부(110)는 이송 암(10)이 대기하는 대기 위치의 상방에 배치된다. 가열부(110)는 이송 암(10)에 지지된 웨이퍼(W)를 일정 온도로 가열한다. 상기 일정 온도는 웨이퍼 척(22)의 온도와 실질적으로 동일할 수 있다. The
가열부(110)는 다수의 발열체들(112)로 이루어질 수 있다. 발열체들(112)은 웨이퍼(W)와 대응하도록 일정한 형태로 배열될 수 있다. 예를 들면, 발열체들(112)은 격자 형태, 방사 형태, 동심원 형태 등으로 배열될 수 있다. 발열체들(112)의 예로는 세라믹 히터, 발열 코일, 램프 등을 들 수 있다. The
또한, 발열체들(112)은 단층으로 배열될 수도 있지만, 다층으로 배열될 수도 있다. 발열체들(112)이 다층으로 배열되는 경우, 발열체들(112)을 보다 조밀하게 배치할 수 있으므로, 발열체들(112)의 가열 효과를 높일 수 있다. In addition, the
한편, 가열부(110)는 하나의 발열체(112)로 이루어질 수 있다. 이때, 발열체(112)는 웨이퍼(W)와 대응하도록 원판 형태를 가질 수 있다. Meanwhile, the
제1 온도 센서(120)는 가열부(110)의 일측에 배치되며, 가열부(110)에 의해 가열되는 웨이퍼(W)의 온도를 측정한다. The
일 예로, 제1 온도 센서(120)는 다수가 구비되어 웨이퍼(W)의 각 지점의 온도를 측정할 수 있다. 이때, 다수의 제1 온도 센서(120)들은 가열부(110)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 웨이퍼(W)의 각 지점의 온도를 측정함으로써 웨이퍼(W)의 온도 분포를 확인할 수 있다. For example, a plurality of
다른 예로, 제1 온도 센서(120)는 하나가 구비되어 웨이퍼(W)의 특정 지점의 온도를 측정할 수 있다. As another example, one
제2 온도 센서(130)는 가열부(110)의 온도를 측정한다. 제1 온도 센서(120)의 이상으로 인해 웨이퍼(W)의 온도를 측정하지 못하는 경우, 가열부(110)가 웨이퍼(W)를 과도하게 가열할 수 있다. 이때, 제2 온도 센서(130)가 가열부(110)의 온도를 측정함으로써 가열부(110)의 온도가 과도하게 높아지는 것을 확인할 수 있다. The
제어부(140)는 가열부(110), 제1 온도 센서(120) 및 제2 온도 센서(130)와 연결된다.The
제어부(140)는 제1 온도 센서(120)에서 측정된 온도에 따라 웨이퍼(W)가 상기 일정 온도를 유지하도록 가열부(110)를 제어한다. The
예를 들면, 제1 온도 센서(120)에서 측정된 온도가 상기 일정 온도보다 낮은 경우, 제어부(140)는 가열부(110)가 웨이퍼(W)를 가열하도록 제어한다. 제1 온도 센서(120)에서 측정된 온도가 상기 일정 온도보다 높은 경우, 제어부(140)는 가열부(110)의 작동을 중단시켜 웨이퍼(W)를 가열하지 않도록 제어한다.For example, when the temperature measured by the
따라서, 이송 암(10)에 지지된 웨이퍼(W)가 웨이퍼 척(22)의 온도와 실질적으로 동일한 상기 일정 온도로 가열된 상태로 웨이퍼 척(22)에 로딩된다. 그러므로, 웨이퍼 척(22)과 웨이퍼(W)의 온도 차이로 인한 헌팅(hunting)을 최소화할 수 있다. Accordingly, the wafer W supported by the
또한, 제1 온도 센서(120)가 다수개 구비되어 웨이퍼(W)의 온도 분포를 측정하는 경우, 제어부(140)는 웨이퍼(W)의 온도 분포를 균일하게 하기 위해 발열체들(112)을 각각 제어한다. In addition, when a plurality of
예를 들면, 제1 온도 센서(120)에서 측정된 웨이퍼(W)의 온도 분포가 불균일한 경우, 제어부(140)는 웨이퍼(W)에서 평균 온도보다 낮은 부위는 발열체들(112)을 작동시켜 가열하도록 제어하고, 웨이퍼(W)에서 평균 온도보다 높은 부위는 발열체들(112)의 작동을 중단시켜 가열하지 않도록 제어한다. For example, when the temperature distribution of the wafer W measured by the
따라서, 이송 암(10)에 지지된 웨이퍼(W)는 온도 분포가 균일한 상태로 웨이퍼 척(22)에 로딩될 수 있다. 그러므로, 웨이퍼 척(22)에서 웨이퍼(W)의 온도 분포를 균일하게 할 필요가 없거나, 웨이퍼(W)의 온도 분포 균일화에 소요되는 시간을 최소화할 수 있다.Accordingly, the wafer W supported by the
그리고, 가열부(110)가 웨이퍼(W)를 과도하게 가열하여 제2 온도 센서(130)에서 측정되는 온도가 과도하게 높은 경우, 제어부(140)는 가열부(110)의 작동이 중단되도록 제어한다. 따라서, 가열부(110)가 웨이퍼(W)를 과도하게 가열하는 것을 방지할 수 있다. And, when the
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 가열 장치는 이송 암에 지지된 웨이퍼를 테스트 장치의 웨이퍼 척과 동일한 온도로 균일하게 가열하여 상기 웨이퍼 척에 로딩한다. 따라서, 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼 척의 온도 차이로 인한 헌팅(hunting)을 최소화할 수 있고, 별도로 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일할 필요가 없다. 상기 헌팅을 최소화하고, 상기 웨이퍼 온도 분포를 균일하게 할 필요가 없으므로, 상기 웨이퍼의 테스트를 신속하게 수행할 수 있다. As described above, in the wafer heating apparatus according to the present invention, the wafer supported by the transfer arm is uniformly heated to the same temperature as that of the wafer chuck of the test apparatus, and the wafer is loaded onto the wafer chuck. Accordingly, hunting due to a temperature difference between the wafer and the wafer chuck can be minimized, and there is no need to separately uniformly distribute the temperature of the wafer. Since the hunting is minimized and there is no need to make the wafer temperature distribution uniform, the wafer can be tested quickly.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. You will understand that you can.
100 : 웨이퍼 가열 장치 110 : 가열부
112 ; 발열체 120 : 제1 온도 센서
130 : 제2 온도 센서 140 : 제어부
10 : 이송 암 20 : 테스트 장치
22 : 웨이퍼 척 W : 웨이퍼100: wafer heating device 110: heating unit
112 ; Heating element 120: first temperature sensor
130: second temperature sensor 140: control unit
10: transfer arm 20: test device
22: wafer chuck W: wafer
Claims (4)
상기 가열부의 일측에 배치되며, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하기 위한 제1 온도 센서; 및
상기 제1 온도 센서에서 측정된 온도에 따라 상기 웨이퍼가 상기 일정 온도를 유지하도록 상기 가열부를 제어하기 위한 제어부를 포함하고,
상기 가열부의 온도가 과도하게 높아지는 것을 확인하기 위해 상기 가열부의 온도를 측정하기 위한 제2 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열 장치. It is disposed above a position where a transfer arm waits before loading a wafer into the test apparatus, and is supported on the transfer arm to minimize hunting due to a temperature difference between the wafer chuck and the wafer supporting the wafer in the test apparatus. a heating unit for heating the wafer to a predetermined temperature;
a first temperature sensor disposed on one side of the heating unit and configured to measure a temperature of the wafer; and
A control unit for controlling the heating unit so that the wafer maintains the constant temperature according to the temperature measured by the first temperature sensor,
Wafer heating apparatus, characterized in that it further comprises a second temperature sensor for measuring the temperature of the heating part in order to confirm that the temperature of the heating part is excessively high.
상기 제어부는 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 하기 위해 상기 다수개의 발열체들을 각각 제어하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열 장치. According to claim 2, wherein a plurality of the first temperature sensor is provided to check the temperature distribution of the wafer to measure the temperature of each point of the wafer,
The controller is a wafer heating apparatus, characterized in that for controlling each of the plurality of heating elements to uniform the temperature distribution of the wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150075745A KR102350554B1 (en) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | Apparatus for heating a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150075745A KR102350554B1 (en) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | Apparatus for heating a wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160141195A KR20160141195A (en) | 2016-12-08 |
| KR102350554B1 true KR102350554B1 (en) | 2022-01-17 |
Family
ID=57576781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150075745A KR102350554B1 (en) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | Apparatus for heating a wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102350554B1 (en) |
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2015
- 2015-05-29 KR KR1020150075745A patent/KR102350554B1/en active IP Right Grant
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| KR20160141195A (en) | 2016-12-08 |
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