JP3297416B2 - Resist ashing apparatus and wafer heating method - Google Patents
Resist ashing apparatus and wafer heating methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
であるレジスト灰化装置におけるウエハー温度の処理前
の昇温技術に係り、特にレジスト灰化装置の処理能力を
低下させることなくレジスト灰化処理前のウエハー温度
を所望の温度まで上昇させることが可能となり、その結
果、装置の処理能力を向上させることができるようにな
るレジスト灰化処理前のウエハー加熱に適用できるレジ
スト灰化装置およびウエハー昇温方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for increasing the temperature of a wafer before processing in a resist ashing apparatus, which is a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a resist ashing processing without reducing the processing capacity of the resist ashing apparatus. It is possible to raise the temperature of the previous wafer to a desired temperature, and as a result, it is possible to improve the processing capability of the apparatus. It concerns the warming method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レジスト灰化装置での灰化処理は、通常
２５０℃程度の温度に昇温されたウエハーステージ上で
行われる。従来のレジスト灰化装置では、室温で搬送さ
れたウエハーがそのままレジスト灰化処理室の高温のウ
エハーステージに載置され、その後に、レジスト灰化処
理前に加熱された後にレジスト灰化処理が開始される方
法（第１従来技術）か、あるいはこのようなレジスト灰
化処理前の加熱なしにレジスト灰化処理が開始される方
法（第２従来技術）が用いられていた。2. Description of the Related Art Ashing processing in a resist ashing apparatus is usually performed on a wafer stage heated to a temperature of about 250.degree. With conventional resist ashing equipment, a wafer transported at room temperature is placed on a high-temperature wafer stage in a resist ashing processing chamber, and then heated before the resist ashing processing, and then the resist ashing processing starts. (First prior art) or a method in which resist ashing is started without heating before such resist ashing (second prior art).
【０００３】また、ウエハー加熱をヒータで行う従来技
術としては、例えば、特開平１０−１８９５４１号公報
（第３従来技術）に記載のものがある。As a conventional technique for heating a wafer with a heater, for example, there is a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-189541 (third conventional technique).
【０００４】また、レジスト除去そのものに紫外線を使
用するオゾン・アッシャの従来技術としては、例えば、
特開平６−２０１４４８号公報（第４従来技術）に記載
のものがある。この特許はレジスト除去そのものに紫外
線を使用するというもので、「レジスト除去前の予備加
熱」という考えはまったく含まれておらず、全ての請求
項に「オゾン」「紫外線」が含まれるオゾン・アッシャ
限定の特許である。[0004] Further, as a conventional technique of ozone asher using ultraviolet rays for removing the resist itself, for example,
There is one described in JP-A-6-201448 (fourth prior art). This patent uses ultraviolet light for resist removal itself, and does not include the concept of "preheating before resist removal" at all, and all claims contain "ozone" and "ultraviolet light". It is a limited patent.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
ーステージ上での事前加熱を伴ってレジスト灰化処理行
う前者の方法（第１従来技術）ではその加熱時間が、装
置の処理能力の低下を引き起こす原因になるという問題
点があった。However, in the former method (first prior art) of performing a resist ashing process with preheating on a wafer stage, the heating time causes a reduction in the processing capability of the apparatus. There was a problem of becoming.
【０００６】一方、処理前加熱なしでレジスト灰化処理
行う後者の方法（第２従来技術）では、ウエハー温度が
低温であることによるレジスト灰化処理開始直後の灰加
速度の低下が、装置の処理能力の低下を引き起こす原因
になるという問題点があった。また、上記のいずれの従
来技術においても、レジスト灰化処理前のウエハー温度
が十分に高くないことに主因して装置の処理能力が低下
してしまうという問題点もあった。On the other hand, in the latter method (second prior art) in which resist ashing is performed without heating before processing, a decrease in the ash acceleration immediately after the start of the resist ashing due to a low wafer temperature is caused by the processing of the apparatus. There is a problem that it causes a decrease in ability. Further, in any of the above-described conventional techniques, there is also a problem that the processing capability of the apparatus is reduced mainly because the wafer temperature before the resist ashing process is not sufficiently high.
【０００７】このため、装置の処理能力を低下させるこ
となく、レジスト灰化処理前にウエハー温度を所望の温
度にまで上昇させることが課題となっていた。For this reason, it has been a problem to raise the wafer temperature to a desired temperature before the resist ashing process without lowering the processing capability of the apparatus.
【０００８】また、第３従来技術では、ウエハー加熱を
ヒータで行うことになっているが、ヒータ加熱を高真空
中で行うと熱伝導度が悪く、昇温時間が非常に長くなっ
てしまい、その結果、処理能力の低下をもたらすという
問題点があった。In the third prior art, the wafer is heated by a heater. However, if the heater is heated in a high vacuum, the thermal conductivity is poor, and the temperature rise time becomes very long. As a result, there is a problem that the processing capacity is reduced.
【０００９】また、第４従来技術はレジスト除去そのも
のに紫外線を使用するものでレジスト除去前の予備加熱
という考えはまったく含まれていない。The fourth prior art uses ultraviolet rays for removing the resist itself, and does not include the idea of preheating before removing the resist at all.
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、レジスト灰化装置の処理能力を
低下させることなくレジスト灰化処理前のウエハー温度
を所望の温度まで上昇させることが可能となり、その結
果、装置の処理能力を向上させることができるようにな
るレジスト灰化処理前のウエハー加熱に適用できるレジ
スト灰化装置およびウエハー昇温方法を得ることを目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to raise the wafer temperature before a resist ashing process to a desired temperature without lowering the processing capacity of a resist ashing device. Accordingly, an object of the present invention is to provide a resist ashing apparatus and a wafer heating method applicable to heating of a wafer before a resist ashing process, whereby the processing capability of the apparatus can be improved.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明にかかるレジスト灰化装置は、大気部と真空部で
あるレジスト灰化処理室の間に介設された真空予備室の
内部にウエハー加熱用のウエハー加熱用ランプを有する
ものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a resist ashing apparatus comprising: a vacuum preparatory chamber provided between a resist ashing processing chamber, which is an atmosphere part and a vacuum part; Has a wafer heating lamp for heating the wafer.
【００１２】[0012]
【００１３】請求項２記載の発明にかかるレジスト灰化
処置装置は、上記請求項１に記載の発明において、前記
ウエハー加熱用ランプが生成・出力する加熱エネルギー
を制御してウエハーの昇温シーケンスを設定できる制御
ユニットを有するものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a resist ashing treatment apparatus according to the first aspect of the present invention, wherein the heating energy generated and output by the wafer heating lamp is controlled to execute a wafer temperature increasing sequence. It has a control unit that can be set.
【００１４】請求項３記載の発明にかかるレジスト灰化
装置は、上記請求項２に記載の発明において、前記制御
ユニットは、前記真空予備室内でのウエハー温度の昇温
シーケンス実行時にフィードバックモニタした温度を、
前記ウエハー加熱用ランプの昇温シーケンスの設定条件
としてフィードバックする手段を有するものである。According to a third aspect of the present invention, in the resist ashing apparatus according to the second aspect of the present invention, the control unit controls the temperature by feedback monitoring during execution of a wafer temperature increasing sequence in the vacuum preliminary chamber. To
The apparatus has means for feeding back as a setting condition of the temperature raising sequence of the wafer heating lamp.
【００１５】請求項４記載の発明にかかるレジスト灰化
装置は、上記請求項２に記載の発明において、前記制御
ユニットは、ウエハーの基板温度を測定する測定温度セ
ンサにより取得されたウエハー温度のデータを受け取り
当該測定温度の値を基に前記ウエハー加熱用ランプの照
射強度を調整してウエハーの昇温速度およびウエハー温
度を適切に制御するものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the resist ashing apparatus according to the second aspect , the control unit is configured to control the wafer temperature data acquired by a measurement temperature sensor for measuring a wafer substrate temperature. And the irradiation intensity of the wafer heating lamp is adjusted based on the measured temperature value to appropriately control the wafer heating rate and the wafer temperature.
【００１６】請求項５記載の発明にかかるレジスト灰化
装置は、上記請求項２乃至４のいずれか一項に記載の発
明において、前記制御ユニットは、レジスト灰化処理前
のウエハーが前記真空予備室に滞在している時間内に、
装置の処理能力を低下させることなく前記ウエハー加熱
用ランプによるウエハーの加熱制御を行う手段を有する
ものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the resist ashing apparatus according to any one of the second to fourth aspects, the control unit is arranged so that the wafer before the resist ashing process is applied to the vacuum backup. During the time you stay in the room,
The apparatus has means for controlling the heating of the wafer by the wafer heating lamp without lowering the processing capability of the apparatus.
【００１７】請求項６記載の発明にかかるレジスト灰化
装置は、上記請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発
明において、前記ウエハー加熱用ランプとして赤外線ラ
ンプを使用するものである。[0017] 6. resist ashing apparatus according to the invention described is the invention according to any one of the claims 1 to 5, is to use an infrared lamp as the wafer heating lamps.
【００１８】請求項７記載の発明にかかるウエハー昇温
方法は、ウエハー加熱用ランプによるウエハー温度の昇
温工程を備え後段のレジスト灰化処理室に連接された真
空予備室と、前記真空予備室内部と大気部とを遮断する
ゲートバルブである大気側ゲートバルブと、レジスト灰
化処理を行うためのレジスト灰化処理室と、大気部と真
空部である前記レジスト灰化処理室の間に介設された真
空予備室の内部に設けられたウエハー加熱用のウエハー
加熱用ランプと、前記真空予備室と前記レジスト灰化処
理室間でウエハーを搬送する真空部搬送アームと、前記
レジスト灰化処理室内部と前記真空予備室とを遮断する
ゲートバルブである真空側ゲートバルブと、前記レジス
ト灰化処理室に設けられレジスト灰化処理時にウエハー
の載置する処理ステージを備えた枚葉式のレジスト灰化
装置に対して、前記真空予備室が大気から真空に引かれ
る間、および直前にウエハーが処理されている場合に、
ウエハーを、当該ウエハーの処理時間分だけ前記真空予
備室内に滞在させ当該滞在時間中にウエハー温度を所望
の温度まで上昇させる制御を行うものである。The wafer heated method according to the invention of claim 7, wherein includes a preliminary vacuum chamber which is connected to the resist ashing chamber of the subsequent stage comprises a heating step of the wafer temperature by c Eha heating lamp, said auxiliary vacuum An atmosphere-side gate valve that is a gate valve that shuts off an indoor portion and an atmosphere portion, a resist ashing process chamber for performing a resist ashing process, and an atmosphere portion and a resist ashing process chamber that is a vacuum portion. A wafer heating lamp provided inside the intervening vacuum preparatory chamber for heating a wafer, a vacuum transfer arm for transferring a wafer between the vacuum preparatory chamber and the resist ashing processing chamber, and the resist ashing A vacuum side gate valve which is a gate valve for shutting off the inside of the processing chamber from the vacuum preparatory chamber, and a processing valve provided in the resist ashing processing chamber and for mounting a wafer during the resist ashing processing. The resist ashing apparatus of a single wafer having a chromatography di, while the lock chamber is evacuated from the atmosphere, and when the wafer is being processed immediately before,
The wafer is kept in the pre-vacuum chamber for the processing time of the wafer, and control is performed to raise the wafer temperature to a desired temperature during the stay time.
【００１９】[0019]
【００２０】請求項８記載の発明にかかるウエハー昇温
方法は、上記請求項７に記載の発明において、前記ウエ
ハー加熱用ランプが生成・出力する加熱エネルギーを制
御してウエハーの昇温シーケンスを設定できる制御工程
を有するものである。According to an eighth aspect of the present invention, in the method for increasing the temperature of a wafer according to the seventh aspect of the present invention, the heating energy generated and output by the wafer heating lamp is controlled to set a sequence for increasing the temperature of the wafer. It has a control step that can be performed.
【００２１】請求項９記載の発明にかかるウエハー昇温
方法は、上記請求項８に記載の発明において、前記制御
工程は、前記真空予備室内でのウエハー温度の昇温シー
ケンス実行時にフィードバックモニタした温度を、前記
ウエハー加熱用ランプの昇温シーケンスの設定条件とし
てフィードバックする工程を有するものである。According to a ninth aspect of the present invention, in the method of the eighth aspect , the control step includes the step of performing a temperature feedback-monitored at the time of executing a temperature increasing sequence of the wafer temperature in the vacuum preliminary chamber. As a setting condition of the temperature raising sequence of the wafer heating lamp.
【００２２】請求項１０記載の発明にかかるウエハー昇
温方法は、上記請求項８に記載の発明において、前記制
御工程は、ウエハーの基板温度を測定する測定温度セン
サにより取得されたウエハー温度のデータを受け取り当
該測定温度の値を基に照射強度を調整してウエハーの昇
温速度およびウエハー温度を適切に制御するものであ
る。According to a tenth aspect of the present invention, in the method of the eighth aspect , the control step comprises the step of controlling the wafer temperature data obtained by a measurement temperature sensor for measuring a substrate temperature of the wafer. And the irradiation intensity is adjusted based on the measured temperature value to appropriately control the wafer heating rate and the wafer temperature.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下に示す各実施の形態の特徴
は、レジスト灰化処理室６（真空部）と大気部をつなぐ
真空予備室４に、ウエハー加熱用ランプ７によりウエハ
ー温度を昇温させる手段を設け、真空予備室４が大気か
ら真空に引かれる間、および直前にウエハー１が処理さ
れている場合に、ウエハー１を、その処理時間分だけ真
空予備室４内に滞在させ当該滞在時間中にウエハー温度
を所望の温度まで上昇させるような構成となっているこ
とにある。すなわち、真空予備室４にウエハー加熱用ラ
ンプ７を設けることにより、レジスト灰化処理前のウエ
ハー１が真空予備室４に滞在している時間内は、装置の
処理能力を低下させることなく、ウエハー加熱用ランプ
７によるウエハー１の加熱が可能となる。その結果、装
置の処理能力を低下させることなくレジスト灰化処理開
始直後から所望の灰化速度を得ることができるようにな
るといった効果を奏する。以下、本発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The feature of each embodiment described below is that the wafer temperature is increased by a wafer heating lamp 7 in a pre-vacuum chamber 4 connecting a resist ashing processing chamber 6 (vacuum section) and an atmosphere section. Means for causing the wafer 1 to stay in the vacuum preparatory chamber 4 for the processing time while the vacuum preparatory chamber 4 is being evacuated from the atmosphere and immediately before and when the wafer 1 is being processed. The configuration is such that the wafer temperature is raised to a desired temperature during time. That is, by providing the wafer heating lamp 7 in the vacuum preparatory chamber 4, the wafer 1 before the resist ashing process stays in the vacuum preparatory chamber 4 without lowering the processing capacity of the apparatus, and The heating of the wafer 1 by the heating lamp 7 becomes possible. As a result, the desired ashing rate can be obtained immediately after the start of the resist ashing process without reducing the processing capability of the apparatus. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００２４】実施の形態１．以下、この発明の実施の形
態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明
の実施の形態１に係る枚葉式のレジスト灰化装置を説明
するための概略図である。図１において、１はウエハ
ー、２はウエハーキャリア、３は大気部搬送アーム、４
は真空予備室、５は大気側ゲートバルブ、６はレジスト
灰化処理室、７はウエハー加熱用ランプ、８は真空部搬
送アーム、９は真空側ゲートバルブ、１０は処理ステー
ジを示している。Embodiment 1 Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a single-wafer resist ashing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a wafer, 2 denotes a wafer carrier, 3 denotes an atmospheric transfer arm, 4
Denotes a vacuum spare chamber, 5 denotes an atmosphere side gate valve, 6 denotes a resist ashing processing chamber, 7 denotes a wafer heating lamp, 8 denotes a vacuum transfer arm, 9 denotes a vacuum side gate valve, and 10 denotes a processing stage.
【００２５】図１を参照すると、本実施の形態の枚葉式
のレジスト灰化装置は、ウエハー１を収納するウエハー
キャリア２と、大気部に設けられウエハーキャリア２と
真空予備室４間でウエハー１を搬送する大気部搬送アー
ム３と、ウエハー加熱用ランプ７の加熱によるウエハー
温度の昇温手段を備え後段のレジスト灰化処理室６に連
接された真空予備室４と、真空予備室４内部と大気部と
を遮断するゲートバルブである大気側ゲートバルブ５
と、レジスト灰化処理を行うためのレジスト灰化処理室
６と、真空予備室４の内側に設けられたウエハー加熱用
ランプ７と、真空予備室４とレジスト灰化処理室６間で
ウエハー１を搬送する真空部搬送アーム８と、レジスト
灰化処理室６内部と真空予備室４とを遮断するゲートバ
ルブである真空側ゲートバルブ９と、レジスト灰化処理
室６に設けられレジスト灰化処理時にウエハー１の載置
する処理ステージ１０を備えている点に特徴を有してい
る。Referring to FIG. 1, a single wafer type resist ashing apparatus according to the present embodiment includes a wafer carrier 2 for accommodating a wafer 1 and a wafer carrier 2 provided in the atmosphere and a vacuum preparatory chamber 4. 1, a vacuum preparatory chamber 4 provided with an atmosphere transport arm 3 for transporting the wafer 1, a means for raising the wafer temperature by heating a wafer heating lamp 7, and connected to a resist ashing processing chamber 6 at the subsequent stage, and the inside of the vacuum preparatory chamber 4. Gate valve 5 that is a gate valve that shuts off the air and the atmosphere.
A resist ashing chamber 6 for performing a resist ashing process, a wafer heating lamp 7 provided inside the vacuum preliminary chamber 4, and a wafer 1 between the vacuum preliminary chamber 4 and the resist ashing chamber 6. Transfer arm 8, a vacuum side gate valve 9 which is a gate valve for shutting off the inside of the resist ashing processing chamber 6 and the vacuum preparatory chamber 4, and a resist ashing process provided in the resist ashing processing chamber 6. It is characterized by having a processing stage 10 on which the wafer 1 is sometimes placed.
【００２６】次に本実施の形態の枚葉式のレジスト灰化
装置の動作（ウエハー昇温方法）について説明する。図
１を参照すると、本実施の形態では、まず、レジスト灰
化処理されるウエハー１は、ウエハーキャリア２から大
気部搬送アーム３により取り出され、大気状態にある真
空予備室４に搬入される。続いて、ウエハー１が搬送さ
れた後、真空予備室４の大気側になる大気側ゲートバル
ブ５が閉じられ、真空予備室４は真空ポンプ（図示せ
ず）により、真空部であるレジスト灰化処理室６の真空
度に見合った圧力になるまで排気される。この排気時
間、および連続処理中においては直前にレジスト灰化処
理室６で処理されているウエハー１の処理が終了するま
での時間中は、レジスト灰化処理前のウエハー１は真空
予備室４に滞在することになる。この滞在期間中に、真
空予備室４内に設けられたウエハー加熱用ランプ７によ
り、ウエハー１を所望の温度まで加熱する。その後、ウ
エハー１は真空予備室４内になる真空部搬送アーム８に
より、真空側にある真空側ゲートバルブ９を介して、レ
ジスト灰化処理室６内に設置されている高温に保持され
た処理ステージ１０に載置され、レジスト灰化処理を受
ける。この時、ウエハー１は所望の温度まで加熱されて
いるため、レジスト灰化速度を低下させることなく、レ
ジスト灰化処理が実行できる。Next, the operation (wafer heating method) of the single wafer type resist ashing apparatus of this embodiment will be described. Referring to FIG. 1, in the present embodiment, first, a wafer 1 to be subjected to a resist ashing process is taken out of a wafer carrier 2 by an atmospheric transfer arm 3 and carried into a vacuum preliminary chamber 4 in an atmospheric state. Subsequently, after the wafer 1 is transferred, the atmosphere side gate valve 5 which is on the atmosphere side of the vacuum preparatory chamber 4 is closed, and the vacuum preparatory chamber 4 is ashed by a vacuum pump (not shown) as a resist in a vacuum section. Evacuation is performed until the pressure reaches a level corresponding to the degree of vacuum in the processing chamber 6. During this evacuation time and during the continuous processing until the processing of the wafer 1 that has been processed in the resist ashing processing chamber 6 immediately before is completed, the wafer 1 before the resist ashing processing is placed in the vacuum preparatory chamber 4. Will stay. During this stay period, the wafer 1 is heated to a desired temperature by the wafer heating lamp 7 provided in the pre-vacuum chamber 4. Thereafter, the wafer 1 is held at a high temperature set in the resist ashing processing chamber 6 via a vacuum side gate valve 9 on the vacuum side by a vacuum section transfer arm 8 which is in the vacuum preparatory chamber 4. It is placed on the stage 10 and undergoes a resist ashing process. At this time, since the wafer 1 is heated to a desired temperature, the resist ashing process can be performed without lowering the resist ashing speed.
【００２７】以上説明したように実施の形態１によれ
ば、レジスト灰化装置の処理能力を低下させることな
く、レジスト灰化処理前のウエハー温度を所望の温度ま
で上昇させることが可能となる。その結果、レジスト灰
化に必要な処理時間が短縮できることになり、その結
果、装置の処理能力を向上させることができるようにな
るといった効果を奏する。As described above, according to the first embodiment, it is possible to raise the wafer temperature before the resist ashing process to a desired temperature without reducing the processing capability of the resist ashing device. As a result, the processing time required for resist incineration can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved.
【００２８】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図面に基づいて詳細に説明する。図２は、本発明
の実施の形態２に係る枚葉式のレジスト灰化装置を説明
するための概略図である。図２において、１はウエハ
ー、２はウエハーキャリア、３は大気部搬送アーム、４
は真空予備室、５は大気側ゲートバルブ、６はレジスト
灰化処理室、７はウエハー加熱用ランプ、８は真空部搬
送アーム、９は真空側ゲートバルブ、１０は処理ステー
ジを示している。Embodiment 2 Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a single-wafer resist ashing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a wafer, 2 denotes a wafer carrier, 3 denotes an atmospheric transfer arm, 4
Denotes a vacuum spare chamber, 5 denotes an atmosphere side gate valve, 6 denotes a resist ashing processing chamber, 7 denotes a wafer heating lamp, 8 denotes a vacuum transfer arm, 9 denotes a vacuum side gate valve, and 10 denotes a processing stage.
【００２９】図２を参照すると、本実施の形態の枚葉式
のレジスト灰化装置は、ウエハー１を収納するウエハー
キャリア２と、大気部に設けられウエハーキャリア２と
真空予備室４間でウエハー１を搬送する大気部搬送アー
ム３と、ウエハー加熱用ランプ７の加熱によるウエハー
温度の昇温手段を備え後段のレジスト灰化処理室６に連
接された真空予備室４と、真空予備室４内部と大気部と
を遮断するゲートバルブである大気側ゲートバルブ５
と、レジスト灰化処理を行うためのレジスト灰化処理室
６と、真空予備室４の外側（外側壁）に設けられたウエ
ハー加熱用ランプ７と、真空予備室４とレジスト灰化処
理室６間でウエハー１を搬送する真空部搬送アーム８
と、レジスト灰化処理室６内部と真空予備室４とを遮断
するゲートバルブである真空側ゲートバルブ９と、レジ
スト灰化処理室６に設けられレジスト灰化処理時にウエ
ハー１の載置する処理ステージ１０を備えている点に特
徴を有している。Referring to FIG. 2, a single-wafer resist ashing apparatus according to the present embodiment includes a wafer carrier 2 for accommodating a wafer 1 and a wafer carrier 2 provided in the atmosphere and between the wafer carrier 2 and the vacuum preparatory chamber 4. 1, a vacuum preparatory chamber 4 provided with an atmosphere transport arm 3 for transporting the wafer 1, a means for raising the wafer temperature by heating a wafer heating lamp 7, and connected to a resist ashing processing chamber 6 at the subsequent stage, and the inside of the vacuum preparatory chamber 4. Gate valve 5 that is a gate valve that shuts off the air and the atmosphere.
A resist ashing process chamber 6 for performing a resist ashing process, a wafer heating lamp 7 provided outside (outside wall) of the vacuum preparatory chamber 4, a vacuum preparatory room 4, and a resist ashing process chamber 6. Vacuum transport arm 8 for transporting wafer 1 between
A vacuum side gate valve 9 which is a gate valve for shutting off the inside of the resist ashing processing chamber 6 from the vacuum preparatory chamber 4, and a processing provided in the resist ashing processing chamber 6 for mounting the wafer 1 during the resist ashing processing The feature is that the stage 10 is provided.
【００３０】本実施の形態では、図２には示していない
が、真空予備室４のウエハー加熱用ランプ７を設置した
外壁には石英製の透過窓があり、この窓を介してウエハ
ー加熱用ランプ７の光をウエハー１に照射し、ウエハー
１を加熱できるような構成となっている。In the present embodiment, although not shown in FIG. 2, a quartz transmission window is provided on the outer wall of the vacuum preparatory chamber 4 where the wafer heating lamp 7 is installed. The light from the lamp 7 is applied to the wafer 1 so that the wafer 1 can be heated.
【００３１】本実施の形態のレジスト灰化装置では、レ
ジスト灰化装置の処理能力を低下させることなく、レジ
スト灰化処理前のウエハー温度を所望の温度まで上昇さ
せることが可能となる。その結果、レジスト灰化に必要
な処理時間が短縮できることになり、その結果、装置の
処理能力を向上させることができるようになる。さらに
加えて、実施の形態１のレジスト灰化装置に比べて、ウ
エハー加熱用ランプ７によるウエハー１の加熱効率は下
がるものの、ウエハー加熱用ランプ７が大気側にあるた
めウエハー加熱用ランプ７交換等のメンテナンス性につ
いては本実施の形態のほうが優れていると考えられる。In the resist ashing apparatus of the present embodiment, the wafer temperature before the resist ashing processing can be increased to a desired temperature without lowering the processing capacity of the resist ashing apparatus. As a result, the processing time required for resist ashing can be reduced, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved. In addition, although the heating efficiency of the wafer 1 by the wafer heating lamp 7 is lower than that of the resist ashing apparatus of the first embodiment, since the wafer heating lamp 7 is on the atmosphere side, the wafer heating lamp 7 needs to be replaced. It is considered that the present embodiment is superior in terms of maintainability.
【００３２】実施の形態３．以下、この発明の実施の形
態３を図面に基づいて詳細に説明する。図３は、本発明
の実施の形態３に係る枚葉式のレジスト灰化装置の真空
予備室４を説明するための断面図である。図３におい
て、１はウエハー、４は真空予備室、５は大気側ゲート
バルブ、６はレジスト灰化処理室、７はウエハー加熱用
ランプ、８は真空部搬送アーム、９は真空側ゲートバル
ブ、１０は処理ステージ、１１は温度測定センサ、１２
は制御ユニットを示している。Embodiment 3 FIG. Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a pre-vacuum chamber 4 of a single-wafer resist ashing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 3, 1 is a wafer, 4 is a vacuum preparatory chamber, 5 is an atmosphere side gate valve, 6 is a resist ashing processing chamber, 7 is a wafer heating lamp, 8 is a vacuum transfer arm, 9 is a vacuum side gate valve, 10 is a processing stage, 11 is a temperature measurement sensor, 12
Indicates a control unit.
【００３３】図３を参照すると、本実施の形態の枚葉式
のレジスト灰化装置は、ウエハー加熱用ランプ７の加熱
によるウエハー温度の昇温手段を備え後段のレジスト灰
化処理室６に連接された真空予備室４と、真空予備室４
内部と大気部とを遮断するゲートバルブである大気側ゲ
ートバルブ５と、レジスト灰化処理を行うためのレジス
ト灰化処理室６と、真空予備室４の外側（外側壁）に設
けられたウエハー加熱用ランプ７と、真空予備室４とレ
ジスト灰化処理室６間でウエハー１を搬送する真空部搬
送アーム８と、レジスト灰化処理室６内部と真空予備室
４とを遮断するゲートバルブである真空側ゲートバルブ
９と、レジスト灰化処理室６に設けられレジスト灰化処
理時にウエハー１の載置する処理ステージ１０と、ウエ
ハー１の基板温度を測定する温度測定センサ１１と、ウ
エハー加熱用ランプ７の制御ユニット１２を備えている
点に特徴を有している。温度測定センサ１１としては例
えばウエハー１からの熱輻射エネルギーを計測してウエ
ハー１の温度を求めるセンサや、ウエハー１の直近に接
触状態で設けられた熱電対などを用いることができる。
ウエハー加熱用ランプ７の制御ユニット１２としては例
えばウエハー加熱用ランプ７に与える電力を制御する電
力コントローラを用いることができる。Referring to FIG. 3, the single-wafer resist ashing apparatus according to the present embodiment is provided with a means for raising the wafer temperature by heating a wafer heating lamp 7 and is connected to a subsequent resist ashing processing chamber 6. Vacuum preparatory chamber 4 and vacuum preparatory chamber 4
An atmosphere side gate valve 5 which is a gate valve for shutting off the inside and the atmosphere, a resist ashing process chamber 6 for performing a resist ashing process, and a wafer provided outside the vacuum preparatory chamber 4 (outside wall). A heating lamp 7, a vacuum transfer arm 8 for transferring the wafer 1 between the vacuum preparatory chamber 4 and the resist ashing chamber 6, and a gate valve for shutting off the inside of the resist ashing chamber 6 and the vacuum preparatory chamber 4. A vacuum side gate valve 9, a processing stage 10 provided in the resist ashing processing chamber 6, on which the wafer 1 is mounted during the resist ashing processing, a temperature measurement sensor 11 for measuring the substrate temperature of the wafer 1, It is characterized in that a control unit 12 for the lamp 7 is provided. As the temperature measurement sensor 11, for example, a sensor for measuring the temperature of the wafer 1 by measuring thermal radiation energy from the wafer 1 or a thermocouple provided in close contact with the wafer 1 can be used.
As the control unit 12 of the wafer heating lamp 7, for example, a power controller that controls the power applied to the wafer heating lamp 7 can be used.
【００３４】次にレジスト灰化装置の動作（ウエハー昇
温方法）について説明する。本実施の形態では、温度測
定センサ１１により取得されたウエハー温度はウエハー
加熱用ランプ７の制御ユニット１２に送られる。ウエハ
ー加熱用ランプ７の制御ユニット１２はこの測定温度の
値を基に照射強度を調整する。これにより、ウエハー１
の昇温速度およびウエハー温度を適切に制御することが
可能になる。Next, the operation of the resist ashing apparatus (wafer heating method) will be described. In the present embodiment, the wafer temperature acquired by the temperature measurement sensor 11 is sent to the control unit 12 of the wafer heating lamp 7. The control unit 12 of the wafer heating lamp 7 adjusts the irradiation intensity based on the measured temperature value. Thereby, the wafer 1
It is possible to appropriately control the temperature rising speed and the wafer temperature.
【００３５】なお、本発明が上記各実施形態に限定され
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施形態は
適宜変更され得ることは明らかである。また上記構成部
材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、
本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にするこ
とができる。また、各図において、同一構成要素には同
一符号を付している。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and that the embodiments can be appropriately modified within the scope of the technical idea of the present invention. Further, the number, position, shape, and the like of the constituent members are not limited to the above-described embodiment,
The number, position, shape, and the like suitable for carrying out the present invention can be obtained. In each drawing, the same components are denoted by the same reference numerals.
【００３６】[0036]
【発明の効果】この発明の請求項１記載の発明は以上説
明したように、大気部と真空部であるレジスト灰化処理
室の間に介設された真空予備室の内部にウエハー加熱用
のウエハー加熱用ランプを有するので、高真空下でもウ
エハー加熱を短時間で行える。したがって、加熱のため
に真空度を変更する必要がなくなると同時に、高真空下
でもウエハー加熱を短時間で実行できる。これにより、
レジスト灰化装置の処理能力を低下させることなく、レ
ジスト灰化処理前のウエハー温度を所望の温度まで上昇
させることが可能となる。その結果、レジスト灰化に必
要な処理時間が短縮できることになり、その結果、装置
の処理能力を向上させることができるという効果があ
る。As described above, according to the first aspect of the present invention, the wafer preheating chamber is provided between the atmosphere part and the resist ashing processing chamber which is a vacuum part. Since the wafer heating lamp is provided, the wafer can be heated in a short time even under a high vacuum. Therefore, it is not necessary to change the degree of vacuum for heating, and the wafer can be heated in a short time even under a high vacuum. This allows
The wafer temperature before the resist ashing process can be increased to a desired temperature without reducing the processing capability of the resist ashing device. As a result, the processing time required for the resist ashing can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved.
【００３７】[0037]
【００３８】請求項２記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項１に記載の発明において、前記ウエハー
加熱用ランプが生成・出力する加熱エネルギーを制御し
てウエハーの昇温シーケンスを設定できる制御ユニット
を有するので、上記請求項１に記載の効果に加えて、ウ
エハーの昇温温度およびウエハー温度を適切に制御する
ことが可能になるという効果がある。According to the second aspect of the present invention, as described above, in the first aspect of the present invention, the heating energy generated and output by the wafer heating lamp can be controlled to set a wafer heating sequence. because it has a control unit, in addition to the effects described in claim 1, there is an effect that it becomes possible to properly control the heating temperature and wafer temperature of the wafer.
【００３９】請求項３記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項２に記載の発明において、前記制御ユニ
ットは、前記真空予備室内でのウエハー温度の昇温シー
ケンス実行時にフィードバックモニタした温度を、前記
ウエハー加熱用ランプの昇温シーケンスの設定条件とし
てフィードバックする手段を有するので、上記請求項２
に記載の効果に加えて、ウエハーの昇温温度およびウエ
ハー温度を適切にフィードバック制御することが可能に
なるという効果がある。According to a third aspect of the present invention, as described above, in the second aspect of the present invention, the control unit controls the temperature which is feedback-monitored during the execution of the temperature increasing sequence of the wafer temperature in the pre-vacuum chamber. A means for feeding back as a setting condition of the temperature raising sequence of the wafer heating lamp.
In addition to the effects described in (1), there is an effect that it is possible to appropriately perform feedback control of the wafer temperature and the wafer temperature.
【００４０】請求項４記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項２に記載の発明において、前記制御ユニ
ットは、ウエハーの基板温度を測定する温度測定センサ
により取得されたウエハー温度のデータを受け取り当該
測定温度の値を基に照射強度を調整してウエハーの昇温
速度およびウエハー温度を適切に制御するので、上記請
求項３に記載の効果に加えて、温度測定センサにより取
得されたウエハー温度の値を基にウエハー加熱用ランプ
の制御ユニットが照射強度を調整することにより、ウエ
ハーの昇温速度およびウエハー温度を適切に制御するこ
とが可能になるという効果がある。According to a fourth aspect of the present invention, as described above, in the second aspect of the present invention, the control unit converts the data of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor for measuring the substrate temperature of the wafer. 4. Since the irradiation intensity is adjusted based on the value of the received measurement temperature to appropriately control the rate of temperature rise of the wafer and the wafer temperature, the wafer acquired by the temperature measurement sensor in addition to the effect according to claim 3 above. By adjusting the irradiation intensity by the control unit of the wafer heating lamp based on the temperature value, it is possible to appropriately control the temperature rising rate of the wafer and the wafer temperature.
【００４１】請求項５記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項２乃至４のいずれか一項に記載の発明に
おいて、前記制御ユニットは、レジスト灰化処理前のウ
エハーが前記真空予備室に滞在している時間内に、装置
の処理能力を低下させることなく前記ウエハー加熱用ラ
ンプによるウエハーの加熱制御を行う手段を有するの
で、上記請求項２乃至４のいずれか一項に記載の効果に
加えて、装置処理能力の低下を回避できるという効果が
ある。[0041] As described claims 5 invention described the above, in the invention described in any one of the preceding claims 2 to 4, wherein the control unit resist ashing before wafer the lock chamber The apparatus according to any one of claims 2 to 4 , further comprising means for controlling heating of the wafer by the wafer heating lamp without lowering the processing capability of the apparatus during the time of staying in the apparatus. In addition to the above, there is an effect that a reduction in apparatus processing capacity can be avoided.
【００４２】請求項６記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発明に
おいて、前記ウエハー加熱用ランプとして赤外線ランプ
を使用するので、高真空下でもウエハー赤外線加熱を短
時間で行える。したがって、加熱のために真空度を変更
する必要がなくなると同時に、高真空下でも赤外線を用
いてウエハー加熱を短時間で実行できるという効果があ
る。As described above, in the invention according to the sixth aspect, in the invention according to any one of the first to fifth aspects, an infrared lamp is used as the lamp for heating the wafer. Wafer infrared heating can be performed in a short time. Therefore, it is not necessary to change the degree of vacuum for heating, and at the same time, there is an effect that the wafer can be heated using infrared rays in a short time even under high vacuum.
【００４３】請求項７記載の発明は以上説明したよう
に、ウエハー加熱用ランプの加熱によるウエハー温度の
昇温工程を備え後段のレジスト灰化処理室に連接された
真空予備室と、前記真空予備室内部と大気部とを遮断す
るゲートバルブである大気側ゲートバルブと、レジスト
灰化処理を行うためのレジスト灰化処理室と、大気部と
真空部である前記レジスト灰化処理室の間に介設された
真空予備室の内部に設けられたウエハー加熱用のウエハ
ー加熱用ランプと、前記真空予備室と前記レジスト灰化
処理室間でウエハーを搬送する真空部搬送アームと、前
記レジスト灰化処理室内部と前記真空予備室とを遮断す
るゲートバルブである真空側ゲートバルブと、前記レジ
スト灰化処理室に設けられレジスト灰化処理時にウエハ
ーの載置する処理ステージを備えた枚葉式のレジスト灰
化装置に対して、前記真空予備室が大気から真空に引か
れる間、および直前にウエハーが処理されている場合
に、ウエハーを、当該ウエハーの処理時間分だけ前記真
空予備室内に滞在させ当該滞在時間中にウエハー温度を
所望の温度まで上昇させる制御を行うので、高真空下で
もウエハー加熱を短時間で行える。したがって、加熱の
ために真空度を変更する必要がなくなると同時に、高真
空下でもウエハー加熱を短時間で実行できる。これによ
り、レジスト灰化装置の処理能力を低下させることな
く、レジスト灰化処理前のウエハー温度を所望の温度ま
で上昇させることが可能となる。その結果、レジスト灰
化に必要な処理時間が短縮できることになり、その結
果、装置の処理能力を向上させることができるという効
果がある。The invention according to claim 7 is as described above.
A is the gate valve for blocking the lock chamber, which is connected to the resist ashing chamber of the subsequent stage comprises a heating step of the wafer temperature by heating the c Eha heating lamps, and the preliminary vacuum chamber interior and the atmosphere portion An atmosphere-side gate valve, a resist ashing processing chamber for performing a resist ashing processing, and a vacuum preparatory chamber provided between the atmosphere ashing section and the resist ashing processing chamber that is a vacuum section are provided. A wafer heating lamp for heating a wafer, a vacuum transfer arm for transferring a wafer between the vacuum preparatory chamber and the resist ashing processing chamber, and a gate for shutting off the inside of the resist ashing processing chamber and the vacuum preparatory chamber A vacuum side gate valve which is a valve, a single-wafer resist ashing apparatus including a processing stage provided in the resist ashing processing chamber and mounting a wafer during the resist ashing processing, While the vacuum prechamber is being evacuated from the atmosphere and when a wafer is being processed immediately before, the wafer is allowed to stay in the vacuum prechamber for the processing time of the wafer, and the wafer temperature is controlled during the stay time. Since the control for raising the temperature to a desired temperature is performed, the wafer can be heated in a short time even under a high vacuum. Therefore, it is not necessary to change the degree of vacuum for heating, and the wafer can be heated in a short time even under a high vacuum. This makes it possible to increase the wafer temperature before the resist ashing process to a desired temperature without reducing the processing capability of the resist ashing device. As a result, the processing time required for the resist ashing can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved.
【００４４】[0044]
【００４５】請求項８記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項７に記載の発明において、前記ウエハー
加熱用ランプが生成・出力する加熱エネルギーを制御し
てウエハーの昇温シーケンスを設定できる制御工程を有
するので、上記請求項７に記載の効果に加えて、ウエハ
ーの昇温速度およびウエハー温度を適切に制御すること
が可能になるという効果がある。According to the eighth aspect of the present invention, as described above, in the seventh aspect of the present invention, the heating energy generated and outputted by the wafer heating lamp can be controlled to set a wafer heating sequence. Since the control step is provided, in addition to the effect described in the seventh aspect , there is an effect that it is possible to appropriately control the wafer heating rate and the wafer temperature.
【００４６】請求項９記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項８に記載の発明において、前記制御工程
は、前記真空予備室内でのウエハー温度の昇温シーケン
ス実行時にフィードバックモニタした温度を、前記ウエ
ハー加熱用ランプの昇温シーケンスの設定条件としてフ
ィードバックする工程を有するので、上記請求項８に記
載の効果に加えて、ウエハーの昇温速度およびウエハー
温度を適切にフィードバック制御することが可能になる
という効果がある。According to the ninth aspect of the present invention, as described above, in the invention of the eighth aspect , the control step includes controlling the temperature which is feedback-monitored at the time of executing the temperature increasing sequence of the wafer temperature in the vacuum preliminary chamber. Since the method has a step of feeding back as a setting condition of the temperature raising sequence of the wafer heating lamp, in addition to the effect of the above-described item 8 , it is possible to appropriately perform feedback control of the wafer temperature raising rate and the wafer temperature. Has the effect of becoming
【００４７】請求項１０記載の発明は以上説明したよう
に、上記請求項８に記載の発明において、前記制御工程
は、ウエハーの基板温度を測定する温度測定センサによ
り取得されたウエハー温度のデータを受け取り当該測定
温度の値を基に照射強度を調整してウエハーの昇温速度
およびウエハー温度を適切に制御するので、上記請求項
８に記載の効果に加えて、温度測定センサにより取得さ
れたウエハー温度の値を基にウエハー加熱用ランプの制
御ユニットが照射強度を調整することにより、ウエハー
の昇温速度およびウエハー温度を適切に制御することが
可能になるという効果がある。According to the tenth aspect of the present invention, as described above, in the eighth aspect of the present invention, the control step includes the step of converting the data of the wafer temperature acquired by the temperature measurement sensor for measuring the substrate temperature of the wafer. The irradiation intensity is adjusted based on the value of the received measurement temperature to appropriately control the wafer heating rate and the wafer temperature.
In addition to the effects described in 8 , the control unit of the wafer heating lamp adjusts the irradiation intensity based on the value of the wafer temperature acquired by the temperature measurement sensor, so that the wafer heating rate and the wafer temperature can be appropriately adjusted. There is an effect that control becomes possible.
【図１】 本発明の実施の形態１に係る枚葉式のレジス
ト灰化装置（ウエハー加熱用ランプが真空予備室の内側
にある装置）を説明するための概略図である。FIG. 1 is a schematic view for explaining a single-wafer resist ashing apparatus (an apparatus in which a wafer heating lamp is inside a pre-vacuum chamber) according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の実施の形態２に係る枚葉式のレジス
ト灰化装置（ウエハー加熱用ランプが真空予備室の外側
にある装置）を説明するための概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a single-wafer resist ashing apparatus (apparatus in which a wafer heating lamp is outside a vacuum prechamber) according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の実施の形態３に係る枚葉式のレジス
ト灰化装置（ウエハー温度センサおよびランプ制御ユニ
ットを設置した装置）の真空予備室を説明するための断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a pre-vacuum chamber of a single-wafer resist ashing apparatus (an apparatus provided with a wafer temperature sensor and a lamp control unit) according to a third embodiment of the present invention.
１ ウエハー、 ２ ウエハーキャリア、 ３ 大気部
搬送アーム、 ４ 真空予備室、 ５ 大気側ゲートバ
ルブ、 ６ レジスト灰化処理室、 ７ ウエハー加熱
用ランプ、 ８ 真空部搬送アーム、 ９ 真空側ゲー
トバルブ、 １０ 処理ステージ、 １１ 温度測定セ
ンサ、 １２ 制御ユニット。Reference Signs List 1 wafer, 2 wafer carrier, 3 atmosphere transfer arm, 4 vacuum preparatory chamber, 5 atmosphere side gate valve, 6 resist ashing processing chamber, 7 wafer heating lamp, 8 vacuum section transfer arm, 9 vacuum side gate valve, 10 Processing stage, 11 temperature measurement sensor, 12 control unit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 G03F 7/42 H01L 21/027 H01L 21/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/3065 G03F 7/42 H01L 21/027 H01L 21/26
Claims (10)
室の間に介設された真空予備室の内部にウエハーを加熱
するウエハー加熱用ランプを有することを特徴とするレ
ジスト灰化装置。1. A resist ashing apparatus comprising: a wafer heating lamp for heating a wafer inside a vacuum preparatory chamber interposed between an atmospheric part and a resist ashing processing chamber which is a vacuum part.
する加熱エネルギーを制御してウエハーの昇温シーケン
スを設定できる制御ユニットを有することを特徴とする
請求項１に記載のレジスト灰化装置。2. The method according to claim 1, wherein the lamp for heating the wafer is generated and output.
Heating energy by controlling the heating energy
Characterized in that it has a control unit that can set the
The resist ashing apparatus according to claim 1 .
でのウエハー温度の昇温シーケンス実行時にフィードバ
ックモニタした温度を、前記ウエハー加熱用ランプの昇
温シーケンスの設定条件としてフィードバックする手段
を有することを特徴とする請求項２に記載のレジスト灰
化装置。3. The pre-vacuum chamber, wherein the control unit is
Feedback during the wafer temperature rise sequence
The temperature monitored by the heat
Means for feeding back as setting conditions for temperature sequence
3. The resist ash according to claim 2, wherein:
Device .
度を測定する測定温度センサにより取得されたウエハー
温度のデータを受け取り当該測定温度の値を基に前記ウ
エハー加熱用ランプの照射強度を調整してウエハーの昇
温速度およびウエハー温度を適切に制御することを特徴
とする請求項２に記載のレジスト灰化装置。 4. The apparatus according to claim 1, wherein the control unit is configured to control a substrate temperature of the wafer.
Wafer acquired by measurement temperature sensor that measures temperature
The temperature data is received and the above temperature is measured based on the measured temperature value.
Adjust the irradiation intensity of the heating lamp to raise the wafer.
Characteristically controls temperature rate and wafer temperature
The resist ashing apparatus according to claim 2, wherein
前のウエハーが前記真空予備室に滞在している時間内
に、装置の処理能力を低下させることなく前記ウエハー
加熱用ランプによるウエハーの加熱制御を行う手段を有
することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に
記載のレジスト灰化装置。 5. The method according to claim 1, wherein the control unit performs a resist ashing process.
During the time when the previous wafer stays in the vacuum pre-chamber
The wafer without lowering the processing capacity of the apparatus.
Has means to control heating of wafer by heating lamp
The method according to any one of claims 2 to 4, wherein
The resist ashing apparatus as described in the above .
ランプを使用することを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれか一項に記載のレジスト灰化装置。 6. An infrared ray as said wafer heating lamp.
6. The method according to claim 1, wherein a lamp is used.
The resist ashing apparatus according to any one of the preceding claims .
度の昇温工程を備え後段のレジスト灰化処理室に連接さ
れた真空予備室と、前記真空予備室内部と大気部とを遮
断するゲートバルブである大気側ゲートバルブと、レジ
スト灰化処理を行うためのレジスト灰化処理室と、大気
部と真空部である前記レジスト灰化処理室の間に介設さ
れた真空予備室の内部に設けられたウエハー加熱用のウ
エハー加熱用ランプと、前記真空予備室と前記レジスト
灰化処理室間でウエハーを搬送する真空部搬送アーム
と、前記レジスト灰化処理室内部と前記真空予備室とを
遮 断するゲートバルブである真空側ゲートバルブと、前
記レジスト灰化処理室に設けられレジスト灰化処理時に
ウエハーの載置する処理ステージを備えた枚葉式のレジ
スト灰化装置に対して、 前記真空予備室が大気から真空に引かれる間、および直
前にウエハーが処理されている場合に、ウエハーを、当
該ウエハーの処理時間分だけ前記真空予備室内に滞在さ
せ当該滞在時間中にウエハー温度を所望の温度まで上昇
させる制御を行うことを特徴とするウエハー昇温方法 。7. A wafer temperature by a wafer heating lamp.
Temperature rise process and connected to the subsequent resist ashing chamber.
Vacuum prechamber, and the vacuum prechamber and the atmosphere are blocked.
An atmosphere-side gate valve, which is a gate valve to
A resist ashing chamber to perform strike ashing and air
Between the resist ashing chamber, which is a vacuum section and the vacuum section.
Wafer heating chamber provided inside the vacuum prechamber
Lamp for heating air, the vacuum preparatory chamber and the resist
Vacuum transfer arm for transferring wafers between ashing chambers
And the inside of the resist ashing processing chamber and the vacuum preliminary chamber
And the vacuum-side gate valve is a gate valve for shielding cross, before
It is installed in the resist ashing process chamber and is used during the resist ashing process.
Single-wafer cash register with a processing stage for placing wafers
For the stash asher, while the vacuum prechamber is evacuated from the atmosphere and immediately
If the wafer has been processed before,
The wafer stays in the vacuum preparatory chamber for the processing time of the wafer.
The wafer temperature to the desired temperature during the stay time
Controlling the temperature of the wafer .
する加熱エネルギーを制御してウエハーの昇温シーケン
スを設定できる制御工程を有することを特徴とする請求
項７に記載のウエハー昇温方法。 8. A method for generating and outputting a lamp for heating the wafer.
Heating energy by controlling the heating energy
Having a control step for setting the service
Item 8. The wafer heating method according to Item 7 .
ウエハー温度の昇温シーケンス実行時にフィードバック
モニタした温度を、前記ウエハー加熱用ランプの昇温シ
ーケンスの設定条件としてフィードバックする工程を有
することを特徴とする請求項８に記載のウエハー昇温方
法。9. The control step includes the step of :
Feedback when executing the wafer temperature rise sequence
The monitored temperature is used as the heating system for the wafer heating lamp.
There is a process to feed back as a setting condition
9. The method according to claim 8, wherein the temperature is raised.
Law .
を測定する測定温度センサにより取得されたウエハー温
度のデータを受け取り当該測定温度の値を基に照射強度
を調整してウエハーの昇温速度およびウエハー温度を適
切に制御することを特徴とする請求項８に記載のウエハ
ー昇温方法。 10. The method according to claim 10, wherein the controlling step comprises :
Wafer temperature obtained by the measurement temperature sensor that measures the temperature
Irradiation data based on the measured temperature value
Adjust the wafer heating rate and wafer temperature
9. The wafer according to claim 8, wherein the wafer is sharply controlled.
-How to raise the temperature .
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