KR100689136B1 - Device for Ashing Resist, Method for Ashing Resist and Method for Manufacturing Semiconductor Device - Google Patents

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KR100689136B1 KR1020000054772A KR20000054772A KR100689136B1 KR 100689136 B1 KR100689136 B1 KR 100689136B1 KR 1020000054772 A KR1020000054772 A KR 1020000054772A KR 20000054772 A KR20000054772 A KR 20000054772A KR 100689136 B1 KR100689136 B1 KR 100689136B1
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Abstract

본 발명은, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해지며, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있게 되는 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 가열에 적용할 수 있는 레지스트 회화 장치 및 웨이퍼 승온 방법을 얻는다.According to the present invention, it is possible to raise the wafer temperature before the resist painting process to a desired temperature without degrading the processing capability of the resist painting apparatus. As a result, the wafer heating before the resist painting processing can be improved. The resist drawing apparatus and the wafer temperature raising method which can be applied to are obtained.

레지스트 회화 처리실(6)(진공부)와 대기부를 잇는 진공 예비실(4)에, 웨이퍼 가열용 램프(7)의 가열에 의한 웨이퍼 온도의 승온 수단을 설치하는 것을 특징으로 한다. 진공 예비실(4)이 대기로부터 진공으로 유도되는 동안 및 직전에 웨이퍼(1)가 처리되고 있는 경우에, 웨이퍼(1)를, 그 처리 시간 만큼 진공 예비실(4) 내에 체재시켜 해당 체재 시간 중에 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시킴 으로써 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이 레지스트 회화 처리개시직후에서 원하는 회화 속도를 얻는다. In the vacuum preliminary chamber 4 which connects the resist painting process chamber 6 (vacuum part) and the standby part, the temperature increase means of the wafer temperature by the heating of the wafer heating lamp 7 is provided. In the case where the wafer 1 is being processed during and immediately before the vacuum preliminary chamber 4 is led from the atmosphere to the vacuum, the wafer 1 is stayed in the vacuum preliminary chamber 4 by the processing time for the stay time. By raising the wafer temperature to a desired temperature during the process, a desired painting speed is obtained immediately after the start of the resist painting process without degrading the processing capability of the apparatus.

레지스트 회화 장치, 웨이퍼 승온 방법, 진공 예비실, 게이트 밸브Resist painting apparatus, wafer temperature raising method, vacuum reserve chamber, gate valve

Description

레지스트 회화 장치, 레지스트 회화 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 {Device for Ashing Resist, Method for Ashing Resist and Method for Manufacturing Semiconductor Device} Resist Painting Device, Resist Painting Method and Manufacturing Method of Semiconductor Device {Device for Ashing Resist, Method for Ashing Resist and Method for Manufacturing Semiconductor Device}

도1은 본 발명의 실시 형태 1에 관한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치(웨이퍼 가열용 램프가 진공 예비실의 내측에 있는 장치)를 설명하기 위한 개략도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic view for explaining a wafer-type resist painting apparatus (a device in which a wafer heating lamp is inside the vacuum reserve chamber) according to Embodiment 1 of the present invention.

도2는 본 발명의 실시 형태 2에 관한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치(웨이퍼 가열용 램프가 진공 예비실의 외측에 있는 장치)를 설명하기 위한 개략도. Fig. 2 is a schematic diagram for explaining a wafer-type resist painting apparatus (the apparatus in which the wafer heating lamp is on the outside of the vacuum reserve chamber) according to the second embodiment of the present invention.

도3 본 발명의 실시 형태 3에 관한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치(웨이퍼 온도 센서 및 램프 제어 유닛을 설치한 장치)의 진공 예비실을 설명하기 위한 단면도.FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a vacuum reserve chamber of a wafer-type resist painting apparatus (apparatus provided with a wafer temperature sensor and a lamp control unit) according to Embodiment 3 of the present invention. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 웨이퍼1: wafer

2 : 웨이퍼 캐리어2: wafer carrier

3 : 대기부 반송 아암3: waiting part return arm

4 : 진공 예비실4: vacuum reserve room

5 : 대기측 게이트 밸브5: Atmospheric Gate Valve

6 : 레지스트 회화 처리실6: resist painting processing chamber

7 : 웨이퍼 가열용 램프 7: wafer heating lamp                 

8 : 진공부 반송 아암8: vacuum conveyance arm

9 : 진공측 게이트 밸브9: vacuum side gate valve

10 : 처리 스테이지10: processing stage

11 : 온도 측정 센서11: temperature measuring sensor

12 : 제어 유닛12: control unit

본 발명은, 반도체 제조 장치인 레지스트 회화(灰化) 장치에 있어서의 웨이퍼 온도의 처리 전의 승온 기술에 관한 것으로, 특히 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해지며, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있게 되는 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 가열에 적용할 수 있는 레지스트 회화 장치 및 웨이퍼 승온 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature raising technique before processing wafer temperatures in a resist painting apparatus, which is a semiconductor manufacturing apparatus. In particular, the temperature of the wafer before the resist painting processing is desired without reducing the processing capability of the resist painting apparatus. The present invention relates to a resist painting apparatus and a wafer temperature raising method which can be applied to the heating of a wafer before a resist painting process, which can be raised to a level, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved.

레지스트 회화 장치에서의 회화 처리는, 보통 250℃ 정도의 온도로 승온된 웨이퍼 스테이지 상에서 행해진다. 종래의 레지스트 회화 장치로는, 실온으로 반송된 웨이퍼가 그대로 레지스트 회화 처리실의 고온의 웨이퍼 스테이지에 적재되고, 그 후에, 레지스트 회화 처리 전에 가열된 후에 레지스트 회화 처리가 시작되는 방법(제1 종래 기술)이나, 혹은 이러한 레지스트 회화 처리 전의 가열 없이 레지스트 회화 처리가 시작되는 방법(제2 종래 기술)이 이용되고 있었다. The painting treatment in the resist painting apparatus is usually performed on a wafer stage heated to a temperature of about 250 ° C. In the conventional resist painting apparatus, the wafer conveyed to room temperature is loaded onto the high temperature wafer stage of the resist painting processing chamber as it is, and after that, the resist painting processing is started after being heated before the resist painting processing (first prior art). In addition, a method (second prior art) in which a resist painting process is started without heating before such a resist painting process has been used.                         

또한, 웨이퍼 가열을 히터로 행하는 종래 기술로서는, 예를 들면, 일본 특허 공개 평10-189541호 공보(제3 종래 기술)에 기재된 것이 있다. Moreover, as a prior art which performs a wafer heating with a heater, there exist some which were described in Unexamined-Japanese-Patent No. 10-189541 (3rd prior art), for example.

또한, 레지스트 제거 그 자체에 자외선을 사용하는 오존 회화 장치의 종래 기술로서는, 예를 들면, 일본 특허 공개 평6-201448호 공보(제4 종래 기술)에 기재된 것이 있다. 이 특허는 레지스트 제거 그 자체에 자외선을 사용한다는 것으로, 「레지스트 제거 전의 예비 가열」이라는 생각은 전혀 포함되어 있지 않고, 모든 청구항에「오존」, 「자외선」이 포함되는 오존 회화 장치 한정의 특허이다. Moreover, as a prior art of the ozone painting apparatus which uses an ultraviolet-ray for resist removal itself, there exist some which were described in Unexamined-Japanese-Patent No. 6-201448 (4th prior art), for example. This patent uses ultraviolet light for resist removal itself, and does not include the idea of "preheating before resist removal", and is a patent for ozone painting apparatus-limited that includes "ozone" and "ultraviolet rays" in all claims. .

그러나, 웨이퍼 스테이지 상에서의 사전 가열을 수반하여 레지스트 회화 처리를 행하는 전자의 방법(제1 종래 기술)에서는 그 가열 시간이 장치의 처리 능력의 저하를 야기하는 원인이 된다고 하는 문제점이 있었다. However, in the former method (first conventional technique) for performing a resist painting process with preheating on a wafer stage, there is a problem that the heating time causes a decrease in the processing capability of the apparatus.

한 편, 처리 전 가열 없이 레지스트 회화 처리를 행하는 후자의 방법(제2 종래 기술)에서는, 웨이퍼 온도가 저온인 것에 의한 레지스트 회화 처리 개시 직후의 회 가속도의 저하가, 장치의 처리 능력의 저하를 야기하는 원인이 된다고 하는 문제점이 있었다. 또한, 상기한 어느 종래 기술에 있어서도, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도가 충분히 높지 않은 것이 주요 요인이 되어 장치의 처리 능력이 저하되어 버린다는 문제점도 있었다. On the other hand, in the latter method (second prior art) in which the resist painting process is performed without heating before the treatment, the decrease in the ash acceleration immediately after the start of the resist painting process due to the low wafer temperature causes the processing capacity of the apparatus to decrease. There was a problem of causing. In addition, in any of the above-described prior arts, the main factor is that the wafer temperature before the resist incineration process is not sufficiently high, and there is also a problem that the processing capacity of the apparatus is lowered.

이 때문에, 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리 전에 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 과제로 되고 있었다. For this reason, raising the wafer temperature to the desired temperature prior to the resist incineration treatment has been a problem without lowering the processing capability of the apparatus.

또한, 제3 종래 기술로서는, 웨이퍼 가열을 히터로 행하게 되어 있지만, 히 터 가열을 고진공 속에서 행하면 열전도도가 나쁘고, 승온 시간이 매우 길어져 버려, 그 결과, 처리 능력의 저하를 초래한다는 문제점이 있었다. In addition, in the third conventional technique, the wafer heating is performed by a heater, but when the heater heating is performed in a high vacuum, the thermal conductivity is poor, and the temperature increase time becomes very long, and as a result, there is a problem that the processing capacity is lowered. .

또한, 제4 종래 기술은 레지스트 제거 그 자체에 자외선을 사용하는 것으로 레지스트 제거 전의 예비 가열이라는 생각은 전혀 포함되어 있지 않다. In addition, the 4th prior art uses ultraviolet rays for resist removal itself, and the idea of preheating before resist removal is not included at all.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해지며, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있게 되는 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 가열에 적용할 수 있는 레지스트 회화 장치 및 웨이퍼 승온 방법을 얻는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to raise the wafer temperature before the resist painting process to a desired temperature without lowering the processing capability of the resist painting apparatus, and as a result, the processing capability of the apparatus is improved. An object of the present invention is to obtain a resist painting apparatus and a wafer temperature raising method which can be applied to wafer heating before the resist painting processing that can be performed.

본 발명의 일 태양에 따른 레지스트 회화 장치에 있어서, 대기부와 진공부인 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 진공 예비실의 내부에 웨이퍼 가열용 웨이퍼 가열용 램프를 가지는 것이다. In the resist painting apparatus according to one aspect of the present invention, there is provided a wafer heating lamp for wafer heating in the vacuum preliminary chamber interposed between the atmospheric portion and the resist painting processing chamber as the vacuum portion.

본 발명의 다른 태양에 따른 레지스트 회화 장치에 있어서, 대기부와 진공부인 상기 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 상기 진공 예비실의 외부에 웨이퍼 가열용 램프를 갖고, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 상기 진공 예비실의 외벽에 설치된 투과창을 거쳐서 웨이퍼에 부여하여 해당 웨이퍼를 가열하는 것이다. In the resist painting apparatus according to another aspect of the present invention, a wafer heating lamp is provided outside of the vacuum preliminary chamber interposed between the atmospheric portion and the resist painting processing chamber, which is a vacuum portion, and the wafer heating lamp is generated and output. Heating energy is applied to the wafer via a transmission window provided on the outer wall of the vacuum preliminary chamber to heat the wafer.

본 발명의 다른 태양에 따른 레지스트 회화 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 제어하여 웨이퍼의 승온 시퀀스를 설정할 수 있는 제어 유닛을 가지는 것이다. In the resist painting apparatus according to another aspect of the present invention, there is provided a control unit capable of controlling a heating energy generated and output by the wafer heating lamp to set a temperature rising sequence of the wafer.

본 발명의 다른 태양에 따른 레지스트 회화 장치에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 진공 예비실 내에서의 웨이퍼 온도의 승온 시퀀스 실행시에 피드백 모니터한 온도를, 상기 웨이퍼 가열용 램프의 승온 시퀀스의 설정 조건으로서 피드백하는 수단을 가지는 것이다. In the resist painting apparatus according to another aspect of the present invention, the control unit sets a condition for setting the temperature rising sequence of the lamp for heating the wafer by feedback monitoring the temperature at the time of performing the temperature rising sequence of the wafer temperature in the vacuum preliminary chamber. It has a means to feed back.

본 발명의 다른 태양에 따른 레지스트 회화 장치에 있어서, 상기 제어 유닛은, 웨이퍼의 기판 온도를 측정하는 온도 측정 센서에 의해 취득된 웨이퍼 온도의 데이타를 수취하여, 해당 측정 온도의 값을 기초로 상기 웨이퍼 가열용 램프의 조사 강도를 조정하여 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것이다. In the resist painting apparatus according to another aspect of the present invention, the control unit receives the data of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor that measures the substrate temperature of the wafer, and the wafer is based on the value of the measured temperature. The irradiation intensity of the heating lamp is adjusted to appropriately control the temperature increase rate and wafer temperature of the wafer.

본 발명의 다른 태양에 따른 레지스트 회화 장치에 있어서, 상기 제어 유닛은, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼가 상기 진공 예비실에 체재하고 있는 시간 내에, 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이 상기 웨이퍼 가열용 램프에 의한 웨이퍼의 가열 제어를 하는 수단을 가지는 것이다. In the resist painting apparatus according to another aspect of the present invention, the control unit is provided to the wafer heating lamp without degrading the processing capability of the apparatus within a time period during which the wafer before the resist painting processing is in the vacuum reserve chamber. Means for controlling heating of the wafer.

본 발명의 다른 태양에 따른 레지스트 회화 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 가열용 램프로서 적외선 램프를 사용하는 것이다. In the resist painting apparatus according to another aspect of the present invention, an infrared lamp is used as the wafer heating lamp.

본 발명의 일 태양에 따른 웨이퍼 승온 방법에 있어서, 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 캐리어와, 대기부에 설치되고 상기 웨이퍼 캐리어와 진공 예비실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 대기부 반송 아암과, 웨이퍼 가열용 램프에 의한 웨이퍼 온도의 승온 공정을 구비하여 후단의 상기 레지스트 회화 처리실에 연접된 상기 진공 예비실과, 상기 진공 예비실 내부와 대기부를 차단하는 게이트 밸브인 대기측 게이트 밸브와, 레지스트 회화 처리를 행하기 위한 레지스트 회화 처리실과, 대기부와 진공부인 상기 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 진공 예비실의 내부에 설치된 웨이퍼 가열용 램프와, 상기 진공 예비실과 상기 레지스트 회화 처리실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 진공부 반송 아암과, 상기 레지스트 회화 처리실 내부와 상기 진공 예비실을 차단하는 게이트 밸브인 진공측 게이트 밸브와, 상기 레지스트 회화 처리실에 설치되고 레지스트 회화 처리시에 웨이퍼가 적재되는 처리 스테이지를 구비한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치에 대하여, 상기 진공 예비실이 대기로부터 진공으로 유도되는 동안 및 직전에 웨이퍼가 처리되고 있는 경우에, 웨이퍼를 해당 웨이퍼의 처리 시간 만큼 상기 진공 예비실 내에 체재시켜 해당 체재 시간 중에 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 제어를 하는 것이다. In the wafer temperature raising method according to one aspect of the present invention, there is provided a wafer carrier for accommodating a wafer, an atmospheric portion conveying arm provided in the atmospheric portion and conveying the wafer between the wafer carrier and the vacuum reserve chamber, and a lamp for lamp heating. The vacuum preliminary chamber, which is connected to the resist painting process chamber at a subsequent stage, the atmospheric gate valve serving as a gate valve for blocking the inside of the vacuum preliminary chamber and the waiting section, and a resist for performing resist painting process. A lamp for heating a wafer provided in an interior of a vacuum preliminary chamber interposed between the painting preparatory chamber, the standby part and the resist painting preservation chamber, which is a vacuum unit, and a vacuum transfer carrier arm for transporting a wafer between the vacuum preliminary chamber and the resist precoating process chamber; Blocking the interior of the resist painting process chamber and the vacuum reserve chamber For a wafer-type resist painting apparatus having a vacuum-side gate valve serving as a gate valve and a processing stage provided in the resist painting processing chamber and loaded with a wafer during the resist painting processing, the vacuum preliminary chamber is guided to the vacuum from the atmosphere. And when the wafer is being processed immediately before, the wafer is stayed in the vacuum preliminary chamber for the processing time of the wafer, and the wafer temperature is raised to the desired temperature during the staying time.

본 발명의 다른 태양에 따른 웨이퍼 승온 방법에 있어서, 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 캐리어와, 대기부에 설치되고 상기 웨이퍼 캐리어와 진공 예비실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 대기부 반송 아암과, 웨이퍼 가열용 램프에 의한 웨이퍼 온도의 승온 공정을 구비하여 후단의 상기 레지스트 회화 처리실에 연접된 상기 진공 예비실과, 상기 진공 예비실 내부와 대기부를 차단하는 게이트 밸브인 대기측 게이트 밸브와, 레지스트 회화 처리를 행하기 위한 레지스트 회화 처리실과, 대기부와 진공부인 상기 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 상기 진공 예비실의 외부에 설치된 웨이퍼 가열용 웨이퍼 가열용 램프와, 상기 진공 예비실과 상기 레지스트 회화 처리실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 진공부 반송 아암과, 상기 레지스트 회화 처리실 내부와 상기 진공 예비실을 차단하는 게이트 밸브인 진공측 게이트 밸브와, 상기 레지스트 회화 처리실에 설치되고 레지스트 회화 처리시에 웨이퍼가 적재되는 처리 스테이지를 구비한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치에 대하여, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 상기 진공 예비실의 외벽에 설치된 투과창을 거쳐서 웨이퍼에 부여하여 해당 웨이퍼를 가열하고, 상기 진공 예비실이 대기로부터 진공으로 유도되는 동안 및 직전에 웨이퍼가 처리되고 있는 경우에, 웨이퍼를, 해당 웨이퍼의 처리 시간 만큼 상기 진공 예비실 내에 체재시켜 해당 체재 시간 중에 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 제어를 하는 것이다. In the wafer heating method according to another aspect of the present invention, there is provided a wafer carrier for accommodating a wafer, a standby carrier carrying arm that is provided in the standby part and transfers the wafer between the wafer carrier and the vacuum reserve chamber, and a lamp for lamp heating. The vacuum preliminary chamber, which is connected to the resist painting process chamber at a subsequent stage, the atmospheric gate valve serving as a gate valve for blocking the inside of the vacuum preliminary chamber and the waiting section, and a resist for performing resist painting process. A wafer heating lamp for wafer heating provided outside of the vacuum preliminary chamber interposed between the painting preparatory chamber, the atmospheric part and the resist painting preparative chamber, which is a vacuum unit, and a vacuum unit for conveying the wafer between the vacuum preliminary chamber and the resist painting preservation chamber. Carrying arm, the inside of the resist painting processing chamber and the The wafer heating lamp includes a vacuum-type gate valve which is a gate valve that blocks an empty preliminary chamber, and a processing stage provided in the resist painting processing chamber and in which a wafer is loaded during a resist painting processing. When the generated and output heating energy is applied to the wafer via a transmission window provided on the outer wall of the vacuum preliminary chamber to heat the wafer, and the wafer is being processed during and immediately before the vacuum preliminary chamber is led to the vacuum from the atmosphere. The wafer is held in the vacuum preliminary chamber for the processing time of the wafer to control the wafer temperature to a desired temperature during the staying time.

본 발명의 다른 태양에 따른 웨이퍼 승온 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 제어 하여 웨이퍼의 승온 시퀀스를 설정할 수 있는 제어 공정을 가지는 것이다. In the wafer temperature raising method which concerns on another aspect of this invention, it has a control process which can set the temperature rising sequence of a wafer by controlling the heating energy which the said lamp for lamp heating produces and outputs.

본 발명의 다른 태양에 따른 웨이퍼 승온 방법에 있어서, 상기 제어 공정은, 상기 진공 예비실 내에서의 웨이퍼 온도의 승온 시퀀스 실행시에 피드백 모니터한 온도를, 상기 웨이퍼 가열용 램프의 승온 시퀀스의 설정 조건으로서 피드백하는 공정을 가지는 것이다. In the wafer temperature raising method which concerns on another aspect of this invention, the said control process is the setting conditions of the temperature rising sequence of the said lamp heating lamp the temperature which feedback-monitored at the time of performing the temperature rising sequence of the wafer temperature in the said vacuum preliminary chamber. It has a process of feeding back as a.

본 발명의 다른 태양에 따른 웨이퍼 승온 방법에 있어서, 상기 제어 공정은, 웨이퍼의 기판 온도를 측정하는 온도 측정 센서에 의해 취득된 웨이퍼 온도의 데이타를 수취하고 해당 측정 온도의 값을 기초로 조사 강도를 조정하여 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것이다. In the wafer temperature raising method according to another aspect of the present invention, the control step receives data of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor that measures the substrate temperature of the wafer and adjusts the irradiation intensity based on the value of the measured temperature. By adjusting, the temperature increase rate and wafer temperature of a wafer are appropriately controlled.

이하에 도시한 각 실시의 형태의 특징은, 레지스트 회화 처리실(6)(진공부)과 대기부를 잇는 진공 예비실(4)에, 웨이퍼 가열용 램프(7)에 의해 웨이퍼 온도를 승온시키는 수단을 설치하여, 진공 예비실(4)이 대기로부터 진공으로 유도되는 동안 및 직전에 웨이퍼(1)가 처리되고 있는 경우에, 웨이퍼(1)를, 그 처리 시간 만큼 진공 예비실(4) 내에 체재시켜 해당 체재 시간 중에 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 구성으로 되어 있는 것에 있다. 즉, 진공 예비실(4)에 웨이퍼 가열용 램프(7)를 설치함으로써, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼(1)가 진공 예비실(4)에 체재하고 있는 시간내는, 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 웨이퍼 가열용 램프(7)에 의한 웨이퍼(1)의 가열이 가능해진다. 그 결과, 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이 레지스트 회화 처리 개시 직후에서 원하는 회화 속도를 얻을 수 있게 되는 효과를 발휘한다. 이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 기초로 하여 상세히 설명한다. The characteristic of each embodiment shown below is the means which raises a wafer temperature by the wafer heating lamp 7 to the vacuum preliminary chamber 4 which connects the resist painting process chamber 6 (vacuum part) and the atmospheric | division part. In the case where the wafer 1 is being processed while the vacuum preliminary chamber 4 is guided to the vacuum from the atmosphere and immediately before, the wafer 1 is kept in the vacuum preliminary chamber 4 for the processing time. It is a structure which raises a wafer temperature to desired temperature during the said stay time. That is, by providing the wafer heating lamp 7 in the vacuum preliminary chamber 4, during the time when the wafer 1 before the resist painting process stays in the vacuum preliminary chamber 4, the processing capacity of the apparatus is lowered. Without this, the wafer 1 can be heated by the wafer heating lamp 7. As a result, the desired painting speed can be obtained immediately after the start of the resist painting process without degrading the processing capability of the apparatus. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail based on drawing.

실시 형태 1. Embodiment 1.

이하, 본 발명의 실시 형태 1을, 도면을 기초로 하여 상세히 설명한다. 도1은 본 발명의 실시 형태 1에 관한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 도1에 있어서, 1는 웨이퍼, 2는 웨이퍼 캐리어, 3는 대기부 반송 아암, 4는 진공 예비실, 5는 대기측 게이트 밸브, 6은 레지스트 회화 처리실, 7은 웨 이퍼 가열용 램프, 8는 진공부 반송 아암, 9은 진공측 게이트 밸브, 10는 처리 스테이지를 도시하고 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 1 of this invention is described in detail based on drawing. 1 is a schematic diagram for explaining a wafer-type resist painting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. In Fig. 1, 1 is a wafer, 2 is a wafer carrier, 3 is a standby conveyance arm, 4 is a vacuum reserve chamber, 5 is an atmospheric gate valve, 6 is a resist painting process chamber, 7 is a wafer heating lamp, 8 is A vacuum conveyance arm, 9 shows a vacuum side gate valve, and 10 shows a process stage.

도1을 참조하면, 본 실시 형태의 웨이퍼형 레지스트 회화 장치는, 웨이퍼(1)를 수납하는 웨이퍼 캐리어(2)와, 대기부에 설치되고 웨이퍼 캐리어(2)와 진공 예비실(4) 사이에서 웨이퍼(1)를 반송하는 대기부 반송 아암(3)과, 웨이퍼 가열용 램프(7)의 가열에 의한 웨이퍼 온도의 승온 수단을 구비하여 후단의 레지스트 회화 처리실(6)에 연접된 진공 예비실(4)과, 진공 예비실(4) 내부와 대기부를 차단하는 게이트 밸브인 대기측 게이트 밸브(5)와, 레지스트 회화 처리를 행하기 위한 레지스트 회화 처리실(6)과, 진공 예비실(4)의 내측에 설치된 웨이퍼 가열용 램프(7)와, 진공 예비실(4)과 레지스트 회화 처리실(6) 사이에서 웨이퍼(1)를 반송하는 진공부 반송 아암(8)과, 레지스트 회화 처리실(6) 내부와 진공 예비실(4)을 차단하는 게이트 밸브인 진공측 게이트 밸브(9)와, 레지스트 회화 처리실(6)에 설치되고 레지스트 회화 처리시에 웨이퍼(1)가 적재된 처리 스테이지(10)를 구비하고 있는 점에 특징을 가지고 있다. Referring to Fig. 1, the wafer-type resist painting apparatus of the present embodiment includes a wafer carrier 2 for accommodating the wafer 1, and is provided between the wafer carrier 2 and the vacuum preliminary chamber 4 in the atmospheric portion. The vacuum preliminary chamber provided with the standby part conveyance arm 3 which conveys the wafer 1, and the temperature increase means of the wafer temperature by the heating of the wafer heating lamp 7, and connected to the resist painting process chamber 6 of the rear end ( 4), the atmospheric side gate valve 5 which is a gate valve which cuts the inside of the vacuum preliminary chamber 4 and the atmospheric part, the resist painting process chamber 6 for performing a resist induction process, and the vacuum preliminary chamber 4 The wafer heating lamp 7 provided inside, the vacuum conveyance arm 8 for conveying the wafer 1 between the vacuum preliminary chamber 4 and the resist painting processing chamber 6, and inside the resist painting processing chamber 6. And a vacuum side gate valve 9 which is a gate valve for blocking the vacuum reserve chamber 4, It is characterized in that it is provided in the resist painting processing chamber 6 and has a processing stage 10 on which the wafer 1 is loaded during the resist painting processing.

다음에 본 실시 형태의 웨이퍼형 레지스트 회화 장치의 동작(웨이퍼 승온 방법)에 관해서 설명한다. 도1를 참조하면, 본 실시 형태에서는, 우선, 레지스트 회화 처리되는 웨이퍼(1)는, 웨이퍼 캐리어(2)로부터 대기부 반송 아암(3)에 의해 추출되고, 대기 상태에 있는 진공 예비실(4)에 반입된다. 계속해서, 웨이퍼(1)가 반송된 후, 진공 예비실(4)의 대기측으로 되는 대기측 게이트 밸브(5)가 폐쇄되고, 진공 예비실(4)은 진공 펌프(도시하지 않음)에 의해, 진공부인 레지스트 회화 처리 실(6)의 진공도에 적당한 압력이 될 때까지 배기된다. 이 배기 시간, 및 연속 처리 중에 있어 서는 직전에 레지스트 회화 처리실(6)에서 처리되고 있는 웨이퍼(1)의 처리가 종료하기까지의 시간 중에는 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼(1)는 진공 예비실(4)에 체재하게 된다. 이 체재 기간 동안에, 진공 예비실(4) 내에 설치된 웨이퍼 가열용 램프(7)에 의해, 웨이퍼(1)를 원하는 온도까지 가열한다. 그 후, 웨이퍼(1)는 진공 예비실(4) 내에되는 진공부 반송 아암(8)에 의해, 진공측에 있는 진공측 게이트 밸브(9)를 거쳐서, 레지스트 회화 처리실(6) 내에 설치되어 있는 고온으로 유지된 처리 스테이지(10)에 적재되고, 레지스트 회화 처리를 받는다. 이때, 웨이퍼(1)는 원하는 온도까지 가열되어 있기 때문에, 레지스트 회화 속도를 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리를 실행할 수 있다. Next, the operation (wafer temperature raising method) of the wafer-type resist drawing apparatus of the present embodiment will be described. Referring to Fig. 1, in the present embodiment, first, the wafer 1 subjected to resist painting is extracted from the wafer carrier 2 by the atmospheric transfer arm 3, and the vacuum preliminary chamber 4 is in the standby state. Imported into). Subsequently, after the wafer 1 is conveyed, the atmospheric side gate valve 5 which becomes the atmospheric side of the vacuum reserve chamber 4 is closed, and the vacuum reserve chamber 4 is closed by a vacuum pump (not shown), The evacuation is carried out until a pressure suitable for the degree of vacuum of the resist painting process chamber 6 serving as the vacuum portion is reached. During this evacuation time and the time until the processing of the wafer 1 being processed in the resist painting processing chamber 6 before the end of the continuous processing is completed, the wafer 1 before the resist painting processing is subjected to the vacuum preliminary chamber 4. You will stay at. During this stay period, the wafer 1 is heated to a desired temperature by a wafer heating lamp 7 provided in the vacuum preliminary chamber 4. Subsequently, the wafer 1 is provided in the resist painting processing chamber 6 via the vacuum side gate valve 9 on the vacuum side by the vacuum conveyance arm 8 in the vacuum preliminary chamber 4. It is mounted on the processing stage 10 maintained at high temperature, and subjected to resist painting. At this time, since the wafer 1 is heated to a desired temperature, the resist painting process can be performed without lowering the resist painting speed.

이상 설명한 바와 같이 실시 형태 1에 따르면, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 레지스트 회화에 필요한 처리 시간을 단축할 수 있게 되고, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있게 된다는 효과를 발휘한다. As described above, according to Embodiment 1, it is possible to raise the wafer temperature before the resist painting process to a desired temperature without lowering the processing capability of the resist painting apparatus. As a result, the processing time required for resist painting can be shortened, and as a result, the processing ability of the apparatus can be improved.

실시 형태 2. Embodiment 2.

이하, 본 발명의 실시 형태 2를 도면을 기초로 하여 상세히 설명한다. 도2는, 본 발명의 실시 형태 2에 관한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 도2에 있어서, 1는 웨이퍼, 2는 웨이퍼 캐리어, 3는 대기부 반송 아암, 4는 진공 예비실, 5은 대기측 게이트 밸브, 6는 레지스트 회화 처리실, 7은 웨 이퍼 가열용 램프, 8는 진공부 반송 아암, 9은 진공측 게이트 밸브, 10는 처리 스테이지를 도시하고 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 2 of this invention is described in detail based on drawing. 2 is a schematic view for explaining a wafer-type resist painting apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. In Fig. 2, 1 is a wafer, 2 is a wafer carrier, 3 is a standby conveyance arm, 4 is a vacuum reserve chamber, 5 is an atmospheric gate valve, 6 is a resist painting process chamber, 7 is a wafer heating lamp, 8 is A vacuum conveyance arm, 9 shows a vacuum side gate valve, and 10 shows a process stage.

도2를 참조하면, 본 실시 형태의 웨이퍼형 레지스트 회화 장치는, 웨이퍼(1)를 수납하는 웨이퍼 캐리어(2)와, 대기부에 설치되고 웨이퍼 캐리어(2)와 진공 예비실(4) 사이에서 웨이퍼(1)를 반송하는 대기부 반송 아암(3)과, 웨이퍼 가열용 램프(7)의 가열에 의한 웨이퍼 온도의 승온 수단을 구비하여 후단의 레지스트 회화 처리실(6)에 연접된 진공 예비실(4)과, 진공 예비실(4) 내부와 대기부를 차단하는 게이트 밸브인 대기측 게이트 밸브(5)와, 레지스트 회화 처리를 행하기 위한 레지스트 회화 처리실(6)과, 진공 예비실(4)의 외측(외측벽)에 설치된 웨이퍼 가열용 램프(7)와, 진공 예비실(4)과 레지스트 회화 처리실(6) 사이에서 웨이퍼(1)를 반송하는 진공부 반송 아암(8)과, 레지스트 회화 처리실(6) 내부와 진공 예비실(4)을 차단하는 게이트 밸브인 진공측 게이트 밸브(9)와, 레지스트 회화 처리실(6)에 설치되고 레지스트 회화 처리시에 웨이퍼(1)가 적재되는 처리 스테이지(10)를 구비하고 있는 점에 특징을 가지고 있다. Referring to Fig. 2, the wafer-type resist painting apparatus of the present embodiment includes a wafer carrier 2 that accommodates the wafer 1, and is provided between the wafer carrier 2 and the vacuum preliminary chamber 4 in the atmospheric portion. The vacuum preliminary chamber provided with the standby part conveyance arm 3 which conveys the wafer 1, and the temperature increase means of the wafer temperature by the heating of the wafer heating lamp 7, and connected to the resist painting process chamber 6 of the rear end ( 4), the atmospheric side gate valve 5 which is a gate valve which cuts the inside of the vacuum preliminary chamber 4 and the atmospheric part, the resist painting process chamber 6 for performing a resist induction process, and the vacuum preliminary chamber 4 Wafer heating lamp 7 provided on the outer side (outer wall), vacuum conveyance arm 8 for conveying wafer 1 between vacuum preliminary chamber 4 and resist painting processing chamber 6, and resist painting processing chamber ( 6) Vacuum side gate which is the gate valve which cuts off the inside and the vacuum reserve chamber 4 It has a feature on the bracket (9), and a point that a processing stage 10, which is installed on the resist painting chamber 6 and the wafer 1 is loaded on a resist painting process.

본 실시 형태에서는, 도2에는 도시하지 않았지만, 진공 예비실(4)의 웨이퍼 가열용 램프(7)를 설치한 외벽에는 석영제 투과창이 있어, 이 창을 거쳐서 웨이퍼 가열용 램프(7)의 빛을 웨이퍼(1)에 조사하여, 웨이퍼(1)를 가열할 수 있는 구성으로 되어 있다. In the present embodiment, although not shown in FIG. 2, a quartz transmission window is provided on the outer wall where the wafer heating lamp 7 of the vacuum preliminary chamber 4 is provided, and the light of the wafer heating lamp 7 passes through the window. The wafer 1 is irradiated to the wafer 1 to heat the wafer 1.

본 실시 형태의 레지스트 회화 장치에서는, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 레지스트 회화에 필요한 처리 시간을 단축할 수 있게 되어, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있게 된다. 또, 실시 형태 1의 레지스트 회화 장치에 비해, 웨이퍼 가열용 램프(7)에 의한 웨이퍼(1)의 가열 효율은 저하되지만, 웨이퍼 가열용 램프(7)가 대기측에 있기 때문에 웨이퍼 가열용 램프(7) 교환 등의 보수성에 대해서는 본 실시 형태의 쪽이 우수하다고 생각된다. In the resist painting apparatus of this embodiment, it is possible to raise the wafer temperature before resist painting processing to a desired temperature without degrading the processing capability of the resist painting apparatus. As a result, the processing time required for resist painting can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved. Moreover, compared with the resist drawing apparatus of Embodiment 1, the heating efficiency of the wafer 1 by the wafer heating lamp 7 is lowered, but the wafer heating lamp ( 7) Regarding water retention such as replacement, the present embodiment is considered to be superior.

실시 형태3. Embodiment 3.

이하, 본 발명의 실시 형태 3을 도면을 기초로 하여 상세히 설명한다. 도3은, 본 발명의 실시 형태 3에 관한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치의 진공 예비실(4)을 설명하기 위한 단면도이다. 도3에 있어서, 1는 웨이퍼, 4는 진공 예비실, 5은 대기측 게이트 밸브, 6는 레지스트 회화 처리실, 7은 웨이퍼 가열용 램프, 8는 진공부 반송 아암, 9은 진공측 게이트 밸브, 10는 처리 스테이지, 11는 온도 측정 센서, 12는 제어 유닛을 도시하고 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 3 of this invention is described in detail based on drawing. 3 is a cross-sectional view for explaining the vacuum preliminary chamber 4 of the wafer-type resist painting apparatus according to the third embodiment of the present invention. In Fig. 3, 1 is a wafer, 4 is a vacuum reserve chamber, 5 is a standby gate valve, 6 is a resist painting process chamber, 7 is a wafer heating lamp, 8 is a vacuum conveyance arm, 9 is a vacuum gate valve, 10 Is a processing stage, 11 is a temperature measuring sensor, and 12 is a control unit.

도3를 참조하면, 본 실시 형태의 웨이퍼형 레지스트 회화 장치는, 웨이퍼 가열용 램프(7)의 가열에 의한 웨이퍼 온도의 승온 수단을 구비하여 후단의 레지스트 회화 처리실(6)에 연접된 진공 예비실(4)과, 진공 예비실(4) 내부와 대기부를 차단하는 게이트 밸브인 대기측 게이트 밸브(5)와, 레지스트 회화 처리를 행하기 위한 레지스트 회화 처리실(6)과, 진공 예비실(4)의 외측(외측벽)에 설치된 웨이퍼 가열용 램프(7)와, 진공 예비실(4)과 레지스트 회화 처리실(6) 사이에서 웨이퍼(1)를 반송하는 진공부 반송 아암(8)과, 레지스트 회화 처리실(6) 내부와 진공 예비실(4) 을 차단하는 게이트 밸브인 진공측 게이트 밸브(9)와, 레지스트 회화 처리실(6)에 설치되고 레지스트 회화 처리시에 웨이퍼(1)가 적재되는 처리 스테이지(10)와, 웨이퍼(1)의 기판 온도를 측정하는 온도 측정 센서(11)와, 웨이퍼 가열용 램프(7)의 제어 유닛(12)를 구비하고 있는 점에 특징을 가지고 있다. 온도 측정 센서(11)로서는 예를 들면 웨이퍼(1)로부터의 열 복사 에너지를 계측하여 웨이퍼(1)의 온도를 구하는 센서나, 웨이퍼(1)의 인접 부근에 접촉상태로 설치된 열전쌍 등을 이용할 수 있다. 웨이퍼 가열용 램프(7)의 제어 유닛(12)으로서는 예를 들면 웨이퍼 가열용 램프(7)에 부여하는 전력을 제어하는 전력 제어기를 이용할 수 있다. Referring to Fig. 3, the wafer-type resist painting apparatus of the present embodiment is provided with a vacuum preliminary chamber which is connected to the resist painting processing chamber 6 at the rear end by a means for raising the wafer temperature by heating the lamp 7 for heating a wafer. (4), the atmospheric side gate valve 5 which is a gate valve which cuts the inside of the vacuum preliminary chamber 4, and the waiting part, a resist painting process chamber 6 for performing a resist induction process, and a vacuum preliminary chamber 4 A lamp heating lamp 7 provided on an outer side (outer wall) of the wafer, a vacuum conveyance arm 8 for conveying the wafer 1 between the vacuum preliminary chamber 4 and the resist painting processing chamber 6, and a resist painting processing chamber. (6) a vacuum stage gate valve 9 which is a gate valve for blocking the interior and the vacuum preliminary chamber 4, and a processing stage which is installed in the resist painting chamber 6 and on which the wafer 1 is loaded during the resist painting process ( 10) and on to measure the substrate temperature of the wafer 1 It has a characteristic in that it is equipped with the figure measuring sensor 11 and the control unit 12 of the wafer heating lamp 7. As the temperature measuring sensor 11, for example, a sensor for measuring the thermal radiation energy from the wafer 1 to obtain the temperature of the wafer 1, a thermocouple installed in a contact state near the wafer 1, or the like can be used. have. As the control unit 12 of the wafer heating lamp 7, for example, a power controller for controlling the power applied to the wafer heating lamp 7 can be used.

다음에 레지스트 회화 장치의 동작(웨이퍼 승온 방법)에 관해서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 온도 측정 센서(11)에 의해 취득된 웨이퍼 온도는 웨이퍼 가열용 램프(7)의 제어 유닛(12)에 보내여진다. 웨이퍼 가열용 램프(7)의 제어 유닛(12)은 이 측정 온도의 값을 기초로 조사 강도를 조정한다. 이에 따라, 웨이퍼(1)의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것이 가능하게 된다. Next, the operation (wafer temperature raising method) of the resist drawing apparatus will be described. In this embodiment, the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor 11 is sent to the control unit 12 of the wafer heating lamp 7. The control unit 12 of the wafer heating lamp 7 adjusts the irradiation intensity based on the value of this measurement temperature. Thereby, it becomes possible to appropriately control the temperature increase rate and wafer temperature of the wafer 1.

또, 본 발명이 상기 각 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서, 각 실시 형태는 적절하게 변경될 수 있음은 분명하다. 또한 상기 구성 부재의 수, 위치, 형상 등은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명을 실시하는 데에 있어서 적합한 수, 위치, 형상 등으로 할 수 있다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 부여하였다.  In addition, this invention is not limited to each said embodiment, It is clear that each embodiment can be changed suitably within the range of the technical idea of this invention. In addition, the number, position, shape, etc. of the said structural member are not limited to the said embodiment, It can be set as the suitable number, position, shape, etc. in implementing this invention. In addition, in each figure, the same code | symbol was attached | subjected to the same component.

본 발명의 일 태양에 따르면, 대기부와 진공부인 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 진공 예비실의 내부에 웨이퍼 가열용 웨이퍼 가열용 램프를 가지기 때문에, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에 행할 수 있다. According to one aspect of the present invention, the wafer heating lamp for wafer heating is provided inside the vacuum preliminary chamber interposed between the atmospheric portion and the resist painting processing chamber which is the vacuum portion, so that the wafer heating can be performed in a short time even under high vacuum.

따라서, 가열을 위해 진공도를 변경하는 필요가 없어지는 동시에, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에서 실행할 수 있다. 이에 따라, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 레지스트 회화에 필요한 처리 시간을 단축할 수 있게 되어, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다. Therefore, there is no need to change the degree of vacuum for heating, and wafer heating can be performed in a short time even under high vacuum. Thereby, it becomes possible to raise the wafer temperature before a resist painting process to a desired temperature, without reducing the processing capability of a resist painting apparatus. As a result, the processing time required for resist painting can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 대기부와 진공부인 상기 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 상기 진공 예비실의 외부에 웨이퍼 가열용 상기 웨이퍼 가열용 램프를 갖고, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 상기 진공 예비실의 외벽에 설치된 투과창을 거쳐서 웨이퍼에 부여하여 해당 웨이퍼를 가열하므로, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에서 행할 수 있다. 따라서, 가열을 위해 진공도를 변경하는 필요가 없어지는 동시에, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에서 실행할 수 있다. 이에 따라, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 레지스트 회화에 필요한 처리 시간을 단축할 수 있게 되어, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있게 된다. 또, 웨이퍼 가열용 램프에 의한 웨이퍼의 가열 효율은 저하되지만, 웨이퍼 가열용 램프가 대기측에 있기 때문에 웨이퍼 가열용 램프 교환 등의 보수성의 향상을 도모할 수 있다는 효과가 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer heating lamp for wafer heating outside of the vacuum preliminary chamber interposed between the atmospheric portion and the resist painting processing chamber that is a vacuum portion, and the wafer heating lamp generates and outputs the heating. Since energy is applied to the wafer via a transmission window provided on the outer wall of the vacuum preliminary chamber and the wafer is heated, wafer heating can be performed in a short time even under high vacuum. Therefore, there is no need to change the degree of vacuum for heating, and wafer heating can be performed in a short time even under high vacuum. Thereby, it becomes possible to raise the wafer temperature before a resist painting process to a desired temperature, without reducing the processing capability of a resist painting apparatus. As a result, the processing time required for resist painting can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved. Moreover, although the heating efficiency of the wafer by the wafer heating lamp falls, since the lamp for lamp heating is in the atmospheric side, there exists an effect that improvement in water retention, such as a lamp heating lamp replacement, can be aimed at.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 제어하여 웨이퍼의 승온 시퀀스를 설정할 수 있는 제어 유닛을 가지기 때문에, 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것이 가능해진다는 효과를 더 갖는다. According to the other aspect of this invention, since it has a control unit which can control the heating energy which the said wafer heating lamp produces | generates and outputs, and sets the temperature rising sequence of a wafer, it is possible to suitably control the temperature increase rate and wafer temperature of a wafer. It has the effect of becoming more.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 제어 유닛은, 상기 진공 예비실 내에서의 웨이퍼 온도의 승온 시퀀스 실행시에 피드백 모니터한 온도를, 상기 웨이퍼 가열용 램프의 승온 시퀀스의 설정 조건으로서 피드백하는 수단을 가지기 때문에, 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 피드백 제어하는 것이 가능해진다는 효과를 더 갖는다. According to another aspect of the present invention, the control unit includes means for feeding back the temperature monitored at the time of executing the temperature rising sequence of the wafer temperature in the vacuum preliminary chamber as a setting condition of the temperature rising sequence of the lamp for heating the wafer. Since it has, it has further the effect that it becomes possible to feedback-control the temperature increase rate and wafer temperature of a wafer suitably.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 제어 유닛은, 웨이퍼의 기판 온도를 측정하는 온도 측정 센서에 의해 취득된 웨이퍼 온도의 데이타를 수취하고 해당 측정 온도의 값을 기초로 조사 강도를 조정하여 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하므로, 온도 측정 센서에 의해 취득된 웨이퍼 온도의 값을 기초로 웨이퍼 가열용 램프의 제어 유닛이 조사 강도를 조정함으로써, 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것이 가능해진다는 효과를 더 갖는다. According to another aspect of the present invention, the control unit receives the data of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor for measuring the substrate temperature of the wafer and adjusts the irradiation intensity based on the value of the measured temperature to raise the temperature of the wafer. Since the speed and the wafer temperature are appropriately controlled, it is possible to appropriately control the temperature increase rate and the wafer temperature of the wafer by controlling the irradiation intensity by the control unit of the wafer heating lamp based on the value of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor. It has the effect of becoming more.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 제어 유닛은, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼가 상기 진공 예비실에 체재하고 있는 시간 내에, 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이 상기 웨이퍼 가열용 램프에 의한 웨이퍼의 가열 제어를 하는 수단을 가지기 때문에, 장치 처리 능력의 저하를 회피할 수 있다는 효과를 더 갖는다. According to another aspect of the present invention, the control unit controls heating of the wafer by the wafer heating lamp without degrading the processing capacity of the device within a time period during which the wafer before the resist painting process stays in the vacuum reserve chamber. Since it has a means to make it possible, it has the effect that the fall of apparatus processing capability can be avoided.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 웨이퍼 가열용 램프로서 적외선 램프를 사용하므로, 고진공 하에서도 웨이퍼 적외선 가열을 단시간에서 행할 수 있다. 따라서, 가열을 위해 진공도를 변경하는 필요가 없어지는 동시에, 고진공하에서도 적외선을 이용하여 웨이퍼 가열을 단시간에서 실행할 수 있다는 효과가 있다. According to another aspect of the present invention, since the infrared lamp is used as the wafer heating lamp, the wafer infrared heating can be performed in a short time even under high vacuum. Therefore, there is no need to change the degree of vacuum for heating, and there is an effect that the wafer heating can be performed in a short time using infrared rays even under high vacuum.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 캐리어와, 대기부에 설치되고 상기 웨이퍼 캐리어와 진공 예비실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 대기부 반송 아암과, 웨이퍼 가열용 램프의 가열에 의한 웨이퍼 온도의 승온 공정을 구비하여 후단의 상기 레지스트 회화 처리실에 연접된 상기 진공 예비실과, 상기 진공 예비실 내부와 대기부를 차단하는 게이트 밸브인 대기측 게이트 밸브와, 레지스트 회화 처리를 행하기 위한 레지스트 회화 처리실과, 대기부와 진공부인 상기 레지스트 회화 처리실 사이에 개재되다 진공 예비실의 내부에 설치된 웨이퍼 가열용 웨이퍼 가열용 램프와, 상기 진공 예비실과 상기 레지스트 회화 처리실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 진공부 반송 아암과, 상기 레지스트 회화 처리실 내부와 상기 진공 예비실을 차단하는 게이트 밸브인 진공측 게이트 밸브와, 상기 레지스트 회화 처리실에 설치되고 레지스트 회화 처리시에 웨이퍼가 얹어 놓은 처리 스테이지를 구비한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치에 대하여, 상기 진공 예비실이 대기로부터 진공으로 유도되는 동안 및 직전에 웨이퍼가 처리되고 있는 경우에, 웨이퍼를, 해당 웨이퍼의 처리 시간 만큼 상기 진공 예비실 내에 체재시켜 해당 체재 시간 중에 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 제어를 하기 때문에, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에서 행할 수 있다. 따라서, 가열을 위해 진공도를 변경하는 필요가 없어지는 동시에, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에서 실행할 수 있다. 이에 따라, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 레지스트 회화에 필요한 처리 시간을 단축할 수 있게 되고, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다. According to another aspect of the present invention, a wafer carrier for accommodating a wafer, a standby portion transport arm provided in the atmospheric portion and transferring the wafer between the wafer carrier and the vacuum reserve chamber, and wafer temperature by heating the lamp for heating the wafer A vacuum preliminary chamber connected to the resist painting process chamber at a subsequent stage, the atmospheric preliminary gate valve which is a gate valve for blocking the inside of the vacuum preliminary chamber, and a resist painting process chamber for performing a resist painting process; A wafer heating lamp for wafer heating interposed between the atmospheric portion and the resist painting processing chamber which is a vacuum portion, and a vacuum portion conveying arm for transferring a wafer between the vacuum preliminary chamber and the resist painting processing chamber; Blocking the interior of the resist painting process chamber and the vacuum reserve chamber Is a gate valve, and a wafer-type resist painting apparatus having a processing stage mounted in the resist painting processing chamber and mounted with a wafer during the resist painting processing, wherein the vacuum preliminary chamber is guided from the atmosphere to a vacuum. In the case where the wafer is being processed during and immediately before, the wafer is heated in the vacuum preliminary chamber for the processing time of the wafer and the wafer temperature is raised to the desired temperature during the staying time, so that the wafer is heated even under high vacuum. Can be performed in a short time. Therefore, there is no need to change the degree of vacuum for heating, and wafer heating can be performed in a short time even under high vacuum. Thereby, it becomes possible to raise the wafer temperature before a resist painting process to a desired temperature, without reducing the processing capability of a resist painting apparatus. As a result, the processing time required for resist painting can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 캐리어와, 대기부에 설치되고 상기 웨이퍼 캐리어와 진공 예비실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 대기부 반송 아암과, 웨이퍼 가열용 램프의 가열에 의한 웨이퍼 온도의 승온 공정을 구비하여 후단의 상기 레지스트 회화 처리실에 연접된 상기 진공 예비실과, 상기 진공 예비실 내부와 대기부를 차단하는 게이트 밸브인 대기측 게이트 밸브와, 레지스트 회화 처리를 행하기 위한 레지스트 회화 처리실과, 대기부와 진공부인 상기 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 상기 진공 예비실의 외부에 설치된 웨이퍼 가열용 웨이퍼 가열용 램프와, 상기 진공 예비실과 상기 레지스트 회화 처리실 사이에서 웨이퍼를 반송하는 진공부 반송 아암과, 상기 레지스트 회화 처리실 내부와 상기 진공 예비실을 차단하는 게이트 밸브인 진공측 게이트 밸브와, 상기 레지스트 회화 처리실에 설치되고 레지스트 회화 처리시에 웨이퍼가 얹어 놓은 처리 스테이지를 구비한 웨이퍼형 레지스트 회화 장치에 대하여, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 상기 진공 예비실의 외벽에 설치된 투과창을 거쳐서 웨이퍼에 부여하여 해당 웨이퍼를 가열하고, 상기 진공 예비실이 대기로부터 진공으로 유도되는 동안 및 직전에 웨이퍼가 처리되고 있는 경우에, 웨이퍼를 해당 웨이퍼의 처리 시간 만큼 상기 진공 예비실 내에 체재시켜 해당 체재 시간 중에 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 제어를 하기 때문에, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에서 행할 수 있다. 따라서, 가열을 위해 진공도를 변경하는 필요가 없어지는 동시에, 고진공 하에서도 웨이퍼 가열을 단시간에서 실행할 수 있다. 이에 따라, 레지스트 회화 장치의 처리 능력을 저하시키는 일 없이, 레지스트 회화 처리 전의 웨이퍼 온도를 원하는 온도까지 상승시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 레지스트 회화에 필요한 처리 시간을 단축할 수 있게 되어, 그 결과, 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있게 된다. 또, 웨이퍼 가열용 램프에 의한 웨이퍼의 가열 효율은 저하되지만, 웨이퍼 가열용 램프가 대기측에 있기 때문에 웨이퍼 가열용 램프등의 교환 등의 보수성의 향상을 도모할 수 있다는 효과가 있다. According to another aspect of the present invention, a wafer carrier for accommodating a wafer, a standby portion transport arm provided in the atmospheric portion and transferring the wafer between the wafer carrier and the vacuum reserve chamber, and wafer temperature by heating the lamp for heating the wafer A vacuum preliminary chamber connected to the resist painting process chamber at a subsequent stage, the atmospheric preliminary gate valve which is a gate valve for blocking the inside of the vacuum preliminary chamber, and a resist painting process chamber for performing a resist painting process; A wafer heating lamp for wafer heating provided outside of the vacuum preliminary chamber interposed between the resist preliminary processing chamber, which is a standby part and the vacuum unit, and a vacuum unit conveying arm for transferring a wafer between the vacuum preliminary chamber and the resist preliminary processing chamber; Between the resist painting chamber and the vacuum reserve chamber. The wafer heating lamp produces and outputs a wafer-type resist painting device having a vacuum-side gate valve serving as a gate valve and a processing stage provided in the resist painting processing chamber and mounted with a wafer at the time of resist painting processing. Energy is imparted to the wafer via a transmission window provided on the outer wall of the vacuum reserve chamber to heat the wafer, and when the wafer is being processed while and immediately before the vacuum reserve chamber is led from the atmosphere, the wafer is applied. Since the wafer stays in the vacuum preliminary chamber for the processing time of the wafer and the wafer temperature is raised to the desired temperature during the staying time, the wafer heating can be performed in a short time even under high vacuum. Therefore, there is no need to change the degree of vacuum for heating, and wafer heating can be performed in a short time even under high vacuum. Thereby, it becomes possible to raise the wafer temperature before a resist painting process to a desired temperature, without reducing the processing capability of a resist painting apparatus. As a result, the processing time required for resist painting can be shortened, and as a result, the processing capability of the apparatus can be improved. Moreover, although the heating efficiency of the wafer by the wafer heating lamp falls, since the wafer heating lamp is in the air | atmosphere, there exists an effect that improvement in water retention, such as replacement of a lamp for wafer heating, can be aimed at.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 제어하여 웨이퍼의 승온 시퀀스를 설정할 수 있는 제어 공정을 가지기 때문에, 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것이 가능해진다는 효과를 더 갖는다. According to the other aspect of this invention, since it has a control process which can control the heating energy which the said wafer heating lamp produces | generates and outputs, and sets the temperature rising sequence of a wafer, it is possible to appropriately control the temperature increase rate and wafer temperature of a wafer. It has the effect of becoming more.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 제어 공정은, 상기 진공 예비실 내에서의 웨이퍼 온도의 승온 시퀀스 실행시에 피드백 모니터한 온도를, 상기 웨이퍼 가열용 램프의 승온 시퀀스의 설정 조건으로서 피드백하는 공정을 가지기 때문에, 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 피드백 제어하는 것이 가능해진다는 효과를 더 갖는다. According to another aspect of the present invention, the control step includes a step of feeding back the temperature monitored at the time of executing the temperature rising sequence of the wafer temperature in the vacuum preliminary chamber as a setting condition of the temperature rising sequence of the lamp for heating the wafer. Since it has, it has further the effect that it becomes possible to feedback-control the temperature increase rate and wafer temperature of a wafer suitably.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 상기 제어 공정은, 웨이퍼의 기판 온도를 측정하는 온도 측정 센서에 의해 취득된 웨이퍼 온도의 데이타를 수취하고 해당 측정 온도의 값을 기초로 조사 강도를 조정하여 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하므로, 온도 측정 센서에 의해 취득된 웨이퍼 온도의 값을 기초로 웨이퍼 가열용 램프의 제어 유닛이 조사 강도를 조정함으로써, 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것이 가능해진다는 효과를 더 갖는다. According to another aspect of the present invention, the control step receives the data of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor for measuring the substrate temperature of the wafer, and adjusts the irradiation intensity based on the value of the measured temperature to raise the temperature of the wafer. Since the speed and the wafer temperature are appropriately controlled, it is possible to appropriately control the temperature increase rate and the wafer temperature of the wafer by controlling the irradiation intensity by the control unit of the wafer heating lamp based on the value of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor. It has the effect of becoming more.

Claims (12)

대기부와 진공부인 레지스트 회화 처리실 사이에 개재된 진공 예비실의 내부에 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열용 램프를 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 장치. And a wafer heating lamp for heating the wafer in the vacuum preliminary chamber interposed between the atmospheric portion and the resist painting processing chamber as the vacuum portion. 진공 예비실 내에 설치된 웨이퍼 가열용 램프와, A wafer heating lamp installed in the vacuum reserve chamber, 웨이퍼 상의 레지스트의 회화 처리가 행해지는 처리 스테이지와, A processing stage in which the painting process of the resist on the wafer is performed; 상기 웨이퍼 가열용 램프에 의해 가열된 상기 웨이퍼를 상기 처리 스테이지로 반송하는 진공부 반송 아암을 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 장치.It has a vacuum conveyance arm which conveys the said wafer heated by the said wafer heating lamp to the said process stage, The resist painting apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼 가열용 램프가 생성·출력하는 가열 에너지를 제어하여 상기 웨이퍼의 승온 시퀀스를 설정할 수 있는 제어 유닛을 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 장치. The resist painting apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a control unit capable of controlling heating energy generated and output by the wafer heating lamp to set a temperature rising sequence of the wafer. 제3항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 진공 예비실 내에서의 웨이퍼 온도의 승온 시퀀스 실행시에 피드백 모니터한 온도를, 상기 웨이퍼 가열용 램프의 승온 시퀀스의 설정 조건으로서 피드백하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 장치. 4. The control unit according to claim 3, wherein the control unit has a means for feeding back the temperature monitored at the time of performing the temperature rising sequence of the wafer temperature in the vacuum preliminary chamber as a setting condition of the temperature rising sequence of the wafer heating lamp. A resist painting apparatus characterized by the above-mentioned. 제3항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 웨이퍼의 기판 온도를 측정하는 온도 측정 센서에 의해 취득된 웨이퍼 온도의 데이타를 수취하여 해당 측정 온도의 값을 기초로 상기 웨이퍼 가열용 램프의 조사 강도를 조정하여 웨이퍼의 승온 속도 및 웨이퍼 온도를 적절히 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 장치. The said control unit receives the data of the wafer temperature acquired by the temperature measuring sensor which measures the board | substrate temperature of a wafer, and adjusts the irradiation intensity of the said lamp heating lamp based on the value of the said measured temperature. And appropriately controlling the temperature increase rate and the wafer temperature of the wafer. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼 가열용 램프로서 적외선 램프를 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 장치.The resist painting apparatus according to claim 1 or 2, wherein an infrared lamp is used as the wafer heating lamp. 진공 예비실 내에 설치된 웨이퍼 가열용 램프에 의해 웨이퍼를 가열하는 공정과,Heating the wafer by a wafer heating lamp provided in a vacuum preliminary chamber, 계속해서, 상기 웨이퍼를 레지스트 회화 처리실로 반송하는 공정과,Subsequently, conveying the wafer to a resist painting process chamber; 계속해서, 상기 웨이퍼 회화 처리 장치에서 상기 웨이퍼의 레지스트 회화 처리를 행하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 방법.Subsequently, it has a process of performing the resist painting process of the said wafer in the said wafer painting process apparatus. 진공 예비실 내에 설치된 웨이퍼 가열용 램프에 의해 웨이퍼를 가열하는 공정과,Heating the wafer by a wafer heating lamp provided in a vacuum preliminary chamber, 계속해서, 상기 웨이퍼를 레지스트 회화 처리실로 반송하는 공정과,Subsequently, conveying the wafer to a resist painting process chamber; 계속해서, 상기 레지스트 회화 처리실에서 상기 웨이퍼의 레지스트 회화 처리를 행하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.Subsequently, it has a process of performing the resist painting process of the said wafer in the said resist painting process chamber. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned. 진공 예비실 내에 설치된 웨이퍼 가열용 램프에 의해 웨이퍼를 가열하는 공정과,Heating the wafer by a wafer heating lamp provided in a vacuum preliminary chamber, 계속해서, 상기 웨이퍼 가열용 램프에 의해 가열된 상기 웨이퍼를 처리 스테이지로 반송하는 공정과,Subsequently, the process of conveying the said wafer heated by the said wafer heating lamp to a processing stage, 계속해서, 상기 처리 스테이지 상의 상기 웨이퍼에 대해 레지스트 회화 처리를 행하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 회화 방법.Subsequently, it has a process of performing a resist painting process with respect to the said wafer on the said process stage. 진공 예비실 내에 설치된 웨이퍼 가열용 램프에 의해 웨이퍼를 가열하는 공정과,Heating the wafer by a wafer heating lamp provided in a vacuum preliminary chamber, 계속해서, 상기 웨이퍼 가열용 램프에 의해 가열된 상기 웨이퍼를 처리 스테이지로 반송하는 공정과,Subsequently, the process of conveying the said wafer heated by the said wafer heating lamp to a processing stage, 계속해서, 상기 처리 스테이지 상의 상기 웨이퍼에 대해 레지스트 회화 처리를 행하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법. Subsequently, it has a process of performing a resist painting process with respect to the said wafer on the said process stage. 삭제delete 삭제delete
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