KR102346156B1 - Light emitting device package - Google Patents

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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

실시 예의 발광 소자 패키지는 광을 방출하는 발광 소자와, 발광 소자의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함하는 제1 몰딩 부재 및 발광 소자의 측부에 배치되며 제1 형광체와 다른 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재를 포함한다.The light emitting device package of the embodiment includes a light emitting device emitting light, a first molding member disposed on the light emitting device, and a first molding member including a first phosphor, and a second phosphor different from the first phosphor disposed on the side of the light emitting device and a second molding member.

Description

발광 소자 패키지{Light emitting device package}Light emitting device package

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.A light emitting diode (LED) is a type of semiconductor device that converts electricity into infrared or light by using characteristics of a compound semiconductor to send and receive signals or used as a light source.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are in the spotlight as a core material for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties. have.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다. 이러한 발광 다이오드를 포함하는 기존의 발광 소자 패키지의 신뢰성을 개선시키기 위한 다각도의 연구가 진행되고 있다.Since these light emitting diodes do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in conventional lighting fixtures such as incandescent lamps and fluorescent lamps, they have excellent eco-friendliness, and have advantages such as long lifespan and low power consumption characteristics. are replacing them Various studies are being conducted to improve the reliability of a conventional light emitting device package including such a light emitting diode.

기존의 발광 소자 패키지의 경우 측면으로 블루 광이 새어나갈 수 있으며, 광의 색 균일도의 개선이 요구된다.In the case of a conventional light emitting device package, blue light may leak to the side, and improvement of color uniformity of light is required.

실시 예는 크랙이 발생하지 않고 균일성이 확보된 광을 방출할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of emitting light having uniformity without cracks occurring.

실시 예에 의한 발광 소자 패키지는, 광을 방출하는 발광 소자; 상기 발광 소자의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함하는 제1 몰딩 부재; 및 상기 발광 소자의 측부에 배치되며, 상기 제1 형광체와 다른 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 제2 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 측부를 감싸도록 배치될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a light emitting device emitting light; a first molding member disposed on the light emitting device and including a first phosphor; and a second molding member disposed on a side of the light emitting device and including a second phosphor different from the first phosphor. The second molding member may be disposed to surround a side portion of the light emitting device.

예를 들어, 상기 제2 몰딩 부재는 확산제를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 몰딩 부재는 충전제를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 몰딩 부재는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N(여기서, N은 2이상의 양의 정수) 형광체를 각각 포함하는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 나란한 방향으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부는 서로 다른 농도를 가질 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 다를 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 직교하는 방향에 대해 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%일 수 있다.For example, the second molding member may further include a diffusion agent. In addition, the second molding member may further include a filler. The second molding member may include second sub-first to second sub-N-th molding members each including second sub-first to second sub-N-th (where N is a positive integer greater than or equal to 2) phosphors. have. The second sub-first to second sub-N-th molding members may be disposed to overlap in a direction parallel to a thickness direction of the light emitting device. At least some of the second sub-first to second sub-N-th phosphors may have different concentrations. The types of at least some of the second sub-first to second sub-N-th phosphors may be different from each other. The second sub-first to second sub-N-th molding members may be disposed to be inclined with respect to a direction orthogonal to a thickness direction of the light emitting device. A concentration of at least one of the second sub-first to second sub-N-th phosphors may be 10% to 50%.

예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 발광 소자의 하부에 배치되며, 제3 형광체를 포함하는 제3 몰딩 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%일 수 있다. 상기 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 2개의 종류는 서로 다를 수 있다. 상기 제3 몰딩 부재는 레진을 포함할 수 있다. 상기 제3 몰딩 부재의 강성은 상기 제1 및 제2 몰딩 부재 각각의 강성보다 더 클 수 있다.For example, the light emitting device package may further include a third molding member disposed under the light emitting device and including a third phosphor. The concentration of at least one of the first, second, and third phosphors may be 10% to 50%. At least two types of the first, second, or third phosphors may be different from each other. The third molding member may include a resin. A rigidity of the third molding member may be greater than that of each of the first and second molding members.

예를 들어, 상기 발광 소자는 상기 제1 몰딩 부재의 아래에 배치된 기판; 상기 기판 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층; 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층에 연결된 제1 전극부; 및 상기 제2 도전형 반도체층에 연결된 제2 전극부를 포함하고, 상기 제3 몰딩 부재는 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 배치될 수 있다.For example, the light emitting device may include a substrate disposed under the first molding member; a first conductivity-type semiconductor layer disposed under the substrate; an active layer disposed under the first conductivity type semiconductor layer; a second conductivity-type semiconductor layer disposed under the active layer; a first electrode part connected to the first conductivity type semiconductor layer; and a second electrode part connected to the second conductivity type semiconductor layer, wherein the third molding member may be disposed between the first electrode part and the second electrode part.

예를 들어, 상기 발광 소자는 상기 측부보다 상기 상부로 더 많은 광을 방출할 수 있으며, 상기 제1 형광체의 농도는 상기 제2 형광체의 농도보다 클 수 있다. 상기 제2 몰딩 부재의 두께는 10 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있다.For example, the light emitting device may emit more light toward the upper portion than the side portion, and the concentration of the first phosphor may be greater than that of the second phosphor. The thickness of the second molding member may be 10 μm to 150 μm.

예를 들어, 상기 발광 소자는 상기 상부보다 상기 측부로 더 많은 광을 방출할 수 있으며, 상기 제2 형광체의 농도는 상기 제1 형광체의 농도보다 클 수 있다.For example, the light emitting device may emit more light toward the side than the upper portion, and the concentration of the second phosphor may be greater than that of the first phosphor.

예를 들어, 상기 제1 몰딩 부재의 제1 두께는 상기 제2 몰딩 부재의 제2 두께보다 더 두꺼울 수 있다. 상기 제1 몰딩 부재는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌크 형태를 갖고, 상기 제2 몰딩 부재는 디스펜싱 형태를 가질 수 있다.For example, a first thickness of the first molding member may be greater than a second thickness of the second molding member. The first molding member may have a film shape, a plate shape, or a bulk shape, and the second molding member may have a dispensing shape.

예를 들어, 상기 제1 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 상부에 배치된 제1 서브 제1 몰딩부; 및 상기 제1 서브 제1 몰딩부로부터 연장되어 상기 제2 몰딩 부재 위에 배치된 제1 서브 제2 몰딩부를 포함할 수 있다.For example, the first molding member may include a first sub-first molding part disposed on the light emitting device; and a first sub-second molding part extending from the first sub-first molding part and disposed on the second molding member.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자의 아래에 제3 몰딩 부재를 배치함으로써 크랙의 발생을 방지할 수 있고, 발광 소자의 측부 방향으로 블루 빛이 새어나감을 방지할 수 있고, 원하는 파장 대역을 갖는 광을 발광 소자의 측부 방향으로 출사시켜 광속을 향상시키고, 방출 광의 색의 균일성을 확보할 수 있고, 제2 몰딩 부재에 충전제 등을 포함시켜 더욱 개선된 강성을 가지며 확산제를 제2 몰딩 부재에 포함시켜 광의 확산 기능을 개선시킬 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may prevent the occurrence of cracks by arranging the third molding member under the light emitting device, prevent leakage of blue light in the lateral direction of the light emitting device, and provide a desired wavelength band. By emitting the light having a lateral direction of the light emitting element, the luminous flux can be improved, the color uniformity of the emitted light can be secured, and the second molding member has improved rigidity by including a filler or the like, and a diffusion agent is second molded It can be included in the member to improve the light diffusion function.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지를 I-I' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 3은 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 4는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 7은 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 8은 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 9는 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package shown in FIG. 1 taken along line II′.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
5A to 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device package shown in FIG. 2 .
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the first comparative example.
8 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second comparative example.
9 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third comparative example.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings to help the understanding of the present invention by giving examples, and to explain the present invention in detail. However, embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided in order to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed on "up (above)" or "below (on or under)" of each element, upper (upper) or lower (lower) (on or under) includes both elements in which two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are disposed between the two elements indirectly. In addition, when expressed as "up (up)" or "down (on or under)", the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element may be included.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.Also, as used hereinafter, relational terms such as “first” and “second,” “top/top/top” and “bottom/bottom/bottom” refer to any physical or logical relationship between such entities or elements or It may be used only to distinguish one entity or element from another, without requiring or implying an order.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size.

실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)는 데카르트 좌표계를 이용하여 설명되지만, 다른 좌표계를 이용하여 설명될 수 있음은 물론이다. 데카르트 좌표계에서, 각 도면에 도시된 x축과, y축과, z축은 서로 직교한다.Although the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiment are described using a Cartesian coordinate system, it goes without saying that the description may be made using other coordinate systems. In the Cartesian coordinate system, the x-axis, y-axis, and z-axis shown in each figure are orthogonal to each other.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)를 I-I' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device package 100A according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package 100A shown in FIG. 1 taken along line I-I'.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)는 발광 소자(또는, 발광 소자 칩)(110), 제1 몰딩 부재(120) 및 제2 몰딩 부재(130)를 포함할 수 있다.1 and 2 , a light emitting device package 100A according to an embodiment includes a light emitting device (or a light emitting device chip) 110 , a first molding member 120 , and a second molding member 130 . may include

발광 소자(110)는 광을 방출한다. 발광 소자(110)는 상면 발광형(top view type) 발광 다이오드를 포함할 수도 있고, 측면 발광형(side view type) 발광 다이오드를 포함할 수도 있다. 또한, 발광 소자(110)는 발광 다이오드 칩(LED chip)일 수 있으며, 발광 다이오드 칩은 블루 LED 칩 또는 자외선 LED 칩으로 구성되거나 또는 레드 LED 칩, 그린 LED 칩, 블루 LED 칩, 엘로우 그린(Yellow green) LED 칩, 화이트 LED 칩 중에서 적어도 하나 또는 그 이상을 조합한 패키지 형태로 구성될 수도 있다.The light emitting device 110 emits light. The light emitting device 110 may include a top view type light emitting diode or a side view type light emitting diode. In addition, the light emitting device 110 may be a light emitting diode chip (LED chip), and the light emitting diode chip is composed of a blue LED chip or an ultraviolet LED chip, or a red LED chip, a green LED chip, a blue LED chip, a yellow green (Yellow) chip. It may be configured in the form of a package in which at least one or more of green) LED chips and white LED chips are combined.

제1 몰딩 부재(120)는 발광 소자(110)의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함한다. 예를 들어, 제1 몰딩 부재(120)는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌크 형태를 가질 수 있으나, 실시 예는 제1 몰딩 부재(120)의 특정한 형태에 국한되지 않는다. 제1 몰딩 부재(120)는 레진 등으로 구현될 수 있다.The first molding member 120 is disposed on the light emitting device 110 and includes a first phosphor. For example, the first molding member 120 may have a film shape, a plate shape, or a bulk shape, but the embodiment is not limited to a specific shape of the first molding member 120 . The first molding member 120 may be implemented with resin or the like.

제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)의 측부에 배치되며, 제2 형광체를 포함할 수 있다. 제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)의 측부를 감싸도록 배치될 수 있다. The second molding member 130 is disposed on the side of the light emitting device 110 and may include a second phosphor. The second molding member 130 may be disposed to surround the side of the light emitting device 110 .

예를 들어, 제2 몰딩 부재(130)는 디스펜싱(dispensing) 형태를 가질 수 있으나, 실시 예는 제2 몰딩 부재(130)의 특정한 형태에 국한되지 않는다. 여기서, 디스펜싱 형태에 대해서는 도 5a 내지 도 5d에 도시된 제조 공정에 대한 설명에서 자세히 살펴본다.For example, the second molding member 130 may have a dispensing shape, but the embodiment is not limited to a specific shape of the second molding member 130 . Here, the dispensing form will be described in detail in the description of the manufacturing process shown in FIGS. 5A to 5D .

제2 몰딩 부재(130)는 레진 등으로 구현될 수 있다.The second molding member 130 may be implemented with resin or the like.

또한, 제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)로부터 방출되는 광을 확산시키기 위한 확산제를 더 포함할 수 있다. 제2 몰딩 부재(130)에 첨가될 수 있는 확산체로서, 실리콘 수지(silicon resin: 굴절율 1.43), 폴리아크릴레이트 (polyacrylate: 굴절율 1.49), 폴리우레탄(polyurethane: 굴절율 1.51), 폴리에틸렌(polyethylene: 굴절율 1.54), 폴리프로필렌(polypropylene: 굴절율 1.46), 나일론(Nylon: 굴절율 1.54), 폴리스티렌(polystyrene: 굴절율 1.59), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate: 굴절율 1.49), 폴리카보네이트(polycarbonate: 굴절율 1.59) 등의 호모 중합체나 이들의 단량체의 공중합체 등과 같은 유기계 광확산제와, 실리카(silica: 굴절율 1.47), 알루미나(alumina: 굴절율 1.50∼1.56), 글래스(glass: 굴절율 1.51), 탄산칼슘(CaCO3: 굴절율 1.51), 탈크(talc: 굴절율 1.56), 마이카(mica: 굴절율 1.56), 황산바륨(BaSO4: 굴절율 1.63), 산화아연(ZnO: 굴절율 2.03), 산화세슘(CeO2: 굴절율 2.15), 이산화티탄(TiO2: 굴절율 2.50∼2.71), 산화철(2.90) 등의 무기계 광확산제, 또는 이들의 임의의 혼합물을 들 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, the second molding member 130 may further include a diffusing agent for diffusing the light emitted from the light emitting device 110 . As a diffuser that can be added to the second molding member 130 , silicone resin (refractive index 1.43), polyacrylate (refractive index 1.49), polyurethane (refractive index 1.51), polyethylene (refractive index) 1.54), polypropylene (refractive index 1.46), nylon (Nylon: refractive index 1.54), polystyrene (refractive index 1.59), polymethylmethacrylate (refractive index 1.49), polycarbonate (refractive index 1.59), etc. An organic light-diffusing agent such as a homopolymer or a copolymer of these monomers, silica (refractive index 1.47), alumina (refractive index 1.50 to 1.56), glass (refractive index 1.51), calcium carbonate (CaCO 3 : refractive index) 1.51), talc (refractive index 1.56), mica (mica: refractive index 1.56), barium sulfate (BaSO 4 : refractive index 1.63), zinc oxide (ZnO: refractive index 2.03), cesium oxide (CeO 2 : refractive index 2.15), titanium dioxide (TiO 2 : refractive index 2.50 to 2.71), an inorganic light diffusing agent such as iron oxide (2.90), or an arbitrary mixture thereof, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 제2 몰딩 부재(130)의 강성을 개선시키기 위해, 제2 몰딩 부재(130)에 충전제(filler)를 포함시킬 수 있다. 제2 몰딩 부재(130)에 첨가될 수 있는 충전제는 불활성의 물질일 수도 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, in order to improve the rigidity of the second molding member 130 , a filler may be included in the second molding member 130 . The filler that may be added to the second molding member 130 may be an inert material, but the embodiment is not limited thereto.

만일, 발광 소자(110)가 측부보다 상부로 더 많은 광을 방출하는 상면 발광형일 경우, 제1 몰딩 부재(120)에 포함되는 제1 형광체의 농도는 제2 몰딩 부재(130)에 포함되는 제2 형광체의 농도보다 클 수 있다. 이 경우, 제2 몰딩 부재(130)의 제2 두께(T2)가 10 ㎛보다 작다면 제2 몰딩 부재(130)에 포함될 수 있는 제2 형광체의 량이 감소하여 제2 형광체의 빛 보강 효과를 기대할 수 없을 수 있고, 제2 두께(T2)가 150 ㎛보다 크다면 발광 소자(110)의 측면을 통해 방출되는 빛보다 제2 형광체의 량이 많아짐으로써 빛 보강 효과가 감소할 수 있다. 따라서, 제2 몰딩 부재(130)의 제2 두께(T2)는 10 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.If the light emitting device 110 is a top emission type that emits more light upward than from the side, the concentration of the first phosphor included in the first molding member 120 is the first phosphor included in the second molding member 130 . 2 It may be greater than the concentration of the phosphor. In this case, if the second thickness T2 of the second molding member 130 is less than 10 μm, the amount of the second phosphor that can be included in the second molding member 130 is reduced, so that the light reinforcement effect of the second phosphor is expected. It may not be possible, and if the second thickness T2 is greater than 150 μm, the amount of the second phosphor may be greater than that of the light emitted through the side surface of the light emitting device 110 , so that the light reinforcement effect may be reduced. Accordingly, the second thickness T2 of the second molding member 130 may be 10 μm to 150 μm, but the embodiment is not limited thereto.

또는, 발광 소자(110)가 상부보다 측부로 더 많은 광을 방출하는 측면 발광형일 경우, 제2 몰딩 부재(130)에 포함되는 제2 형광체의 농도는 제1 몰딩 부재(120)에 포함되는 제1 형광체의 농도보다 클 수 있다.Alternatively, when the light emitting device 110 is a side emission type that emits more light to the side than the top, the concentration of the second phosphor included in the second molding member 130 is the second phosphor included in the first molding member 120 . It may be greater than the concentration of 1 phosphor.

또한, 제1 몰딩 부재(120)의 제1 두께(T1)는 제2 몰딩 부재(130)의 제2 두께(T2)보다 더 두꺼울 수 있다. 제1 몰딩 부재(120)는 제1 서브 제1 몰딩부(122) 및 제1 서브 제2 몰딩부(124)를 포함할 수 있다. 제1 서브 제1 몰딩부(122)는 발광 소자(110)의 상부에 배치되고, 제1 서브 제2 몰딩부(124)는 제1 서브 제1 몰딩부(122)로부터 연장되어 제2 몰딩 부재(130) 위에 배치될 수 있다. 또는 비록 도시되지는 않았지만, 제1 몰딩 부재(120)는 발광 소자(110)의 위에만 배치되고, 제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)의 측부에 배치된 제2 서브 제1 몰딩부 및 제2 서브 제1 몰딩부로부터 제1 몰딩 부재(120)의 측부까지 연장되어 배치된 제2 서브 제2 몰딩부를 포함할 수 있다.Also, the first thickness T1 of the first molding member 120 may be thicker than the second thickness T2 of the second molding member 130 . The first molding member 120 may include a first sub-first molding part 122 and a first sub-second molding part 124 . The first sub-first molding part 122 is disposed on the light emitting device 110 , and the first sub-second molding part 124 extends from the first sub-first molding part 122 to the second molding member. 130 may be disposed above. Alternatively, although not shown, the first molding member 120 is disposed only on the light emitting device 110 , and the second molding member 130 is a second sub-first molding disposed on the side of the light emitting device 110 . and a second sub-second molding part extending from the second sub-first molding part to the side of the first molding member 120 .

한편, 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지는 제3 몰딩 부재를 더 포함할 수 있다. 제3 몰딩 부재는 발광 소자(110)의 하부에 배치되며, 제3 형광체를 포함할 수 있다. 이하, 제3 몰딩 부재를 포함하는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지를 도 3을 예시로 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Meanwhile, the light emitting device package according to another embodiment may further include a third molding member. The third molding member is disposed under the light emitting device 110 and may include a third phosphor. Hereinafter, a light emitting device package according to another embodiment including a third molding member will be described with reference to FIG. 3 , but the embodiment is not limited thereto.

도 3은 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 단면도를 나타낸다.3 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100B according to another embodiment.

도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100B)는 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120), 제2 몰딩 부재(130) 및 제3 몰딩 부재(140)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100B illustrated in FIG. 3 may include a light emitting device 110 , a first molding member 120 , a second molding member 130 , and a third molding member 140 .

발광 소자(110)는 기판(112), 발광 구조물(114), 제1 전극부(116) 및 제2 전극부(118)를 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 발광 소자(100A)는 도 3에 예시된 바와 같은 구조로 구현될 수 있다.The light emitting device 110 may include a substrate 112 , a light emitting structure 114 , a first electrode part 116 , and a second electrode part 118 . The light emitting device 100A shown in FIG. 2 may have a structure as illustrated in FIG. 3 .

기판(112)은 제1 몰딩 부재(120)의 아래에 배치될 수 있다. 기판(112)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(112)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시 예는 기판(112)의 물질에 국한되지 않는다.The substrate 112 may be disposed under the first molding member 120 . The substrate 112 may include a conductive material or a non-conductive material. For example, the substrate 112 may include at least one of sapphire (Al 2 0 3 ), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga 2 0 3 , GaAs, and Si. ) is not limited to the material of

발광 구조물(114)은 기판(112) 아래에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(114-1), 활성층(114-2) 및 제2 도전형 반도체층(114-3)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 114 is disposed under the substrate 112 and may include a first conductivity-type semiconductor layer 114-1, an active layer 114-2, and a second conductivity-type semiconductor layer 114-3. .

제1 도전형 반도체층(114-1)은 기판(112) 아래에 배치될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114-1)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114-1)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 may be disposed under the substrate 112 . The first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 may be implemented with a compound semiconductor of group III-V or group II-VI doped with a first conductivity type dopant. When the first conductivity-type semiconductor layer 114 - 1 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto.

예를 들어, 제1 도전형 반도체층(114-1)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114-1)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 114-1 has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may include a semiconductor material having The first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 may include any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, and InP. .

활성층(114-2)은 제1 도전형 반도체층(114-1)과 제2 도전형 반도체층(114-3) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(114-2)은 제1 도전형 반도체층(114-1)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(114-3)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(114-2)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(114-2)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW:Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 114 - 2 may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 and the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 . The active layer 114-2 includes electrons (or holes) injected through the first conductivity-type semiconductor layer 114-1 and holes (or electrons) injected through the second conductivity-type semiconductor layer 114-3. This is a layer that meets each other and emits light having an energy determined by an energy band unique to the material constituting the active layer 114 - 2 . The active layer 114 - 2 has a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, a multi-quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. At least one may be formed.

활성층(114-2)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer/barrier layer of the active layer 114-2 is formed in a pair structure of at least one of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs (InGaAs)/AlGaAs, GaP (InGaP)/AlGaP may be, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a bandgap energy lower than the bandgap energy of the barrier layer.

활성층(114-2)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(114-2)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed on and/or under the active layer 114 - 2 . The conductive cladding layer may be formed of a semiconductor having a higher bandgap energy than that of the barrier layer of the active layer 114 - 2 . For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, or a superlattice structure. In addition, the conductivity-type cladding layer may be doped with n-type or p-type.

실시 예에 의하면, 활성층(114-2)은 자외선 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 자외선 파장 대역이란, 100 ㎚ 내지 400 ㎚의 파장 대역을 의미한다. 특히, 활성층(114-2)은 100 ㎚ 내지 280 ㎚ 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 그러나, 실시 예는 활성층(114-2)에서 방출되는 광의 파장 대역에 국한되지 않는다.According to an embodiment, the active layer 114 - 2 may emit light in an ultraviolet wavelength band. Here, the ultraviolet wavelength band means a wavelength band of 100 nm to 400 nm. In particular, the active layer 114 - 2 may emit light in a wavelength band of 100 nm to 280 nm. However, the embodiment is not limited to a wavelength band of light emitted from the active layer 114 - 2 .

제2 도전형 반도체층(114-3)은 활성층(114-2) 아래에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114-3)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(114-3)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114-3)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114-3)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 may be disposed under the active layer 114 - 2 . The second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 may be formed of a semiconductor compound, and may be implemented as a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI. For example, the second conductivity type semiconductor layer 114-3 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) may include The second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 may be doped with a second conductivity type dopant. When the second conductivity-type semiconductor layer 114 - 3 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like.

제1 도전형 반도체층(114-1)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(114-3)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(114-1)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(114-3)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 114-1 may be implemented as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 114-3 may be implemented as a p-type semiconductor layer. Alternatively, the first conductivity-type semiconductor layer 114-1 may be implemented as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 114-3 may be implemented as an n-type semiconductor layer.

발광 구조물(114)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.The light emitting structure 114 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 전극부(116)는 제1 도전형 반도체층(114-1) 아래에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(114-1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극부(118)는 제2 도전형 반도체층(114-3) 아래에 배치되며, 제2 도전형 반도체층(114-3)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode part 116 may be disposed under the first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 and may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 . The second electrode part 118 may be disposed under the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 and may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 .

예를 들어, 제1 전극부(116)는 제1 전극(116-1) 및 제1 패드(116-2)를 포함할 수 있다. 제1 전극(116-1)은 메사 식각(mesa etching)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(114-1)과 제1 패드(116-2) 사이에 배치되고, 제1 패드(116-2)는 제1 전극(116-1) 아래에 배치된다. 제1 패드(116-2)는 제1 전극(116-1)을 통해 제1 도전형 반도체층(114-1)과 전기적으로 연결된다. 제1 전극(116-1)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행함으로써 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(116-1) 위 또는 아래에 배치될 수도 있다.For example, the first electrode unit 116 may include a first electrode 116 - 1 and a first pad 116 - 2 . The first electrode 116-1 is disposed between the first conductivity-type semiconductor layer 114-1 exposed by mesa etching and the first pad 116-2, and the first pad 116- 2) is disposed under the first electrode 116 - 1 . The first pad 116 - 2 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 through the first electrode 116 - 1 . Since the first electrode 116 - 1 includes a material in ohmic contact to perform an ohmic role, a separate ohmic layer (not shown) may not need to be disposed, and a separate ohmic layer may be included in the first electrode 116 - 1 . ) may be placed above or below.

제2 전극부(118)는 제2 전극(118-1) 및 제2 패드(118-2)를 포함할 수 있다. 제2 전극(118-1)은 제2 도전형 반도체층(114-3)과 제2 패드(118-2) 사이에 배치되고, 제2 패드(118-2)는 제2 전극(118-1) 아래에 배치된다. 제2 전극(118-1)은 제2 도전형 반도체층(114-3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 패드(118-2)는 제2 전극(118-1)을 통해 제2 도전형 반도체층(114-3)과 전기적으로 연결된다.The second electrode unit 118 may include a second electrode 118 - 1 and a second pad 118 - 2 . The second electrode 118 - 1 is disposed between the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 and the second pad 118 - 2 , and the second pad 118 - 2 is the second electrode 118 - 1 . ) is placed below. The second electrode 118 - 1 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 . The second pad 118 - 2 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 through the second electrode 118 - 1 .

제2 전극(118-1)은 투명 전극(미도시) 및 광 반사층(미도시)을 포함할 수 있다. 광 반사층은 은(Ag)과 같은 반사 물질로 이루어질 수 있다. 투명 전극은 광 반사층과 제2 도전형 반도체층(114-3) 사이에 배치되고, 광 반사층은 투명 전극 아래에 배치될 수 있다. 투명 전극은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수 있다. 예를 들어, 투명 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The second electrode 118 - 1 may include a transparent electrode (not shown) and a light reflection layer (not shown). The light reflective layer may be made of a reflective material such as silver (Ag). The transparent electrode may be disposed between the light reflective layer and the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 , and the light reflective layer may be disposed under the transparent electrode. The transparent electrode may be a transparent conductive oxide (TCO). For example, transparent electrodes include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin (IGTO). oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO. It may include, but is not limited to these materials.

또한, 제2 전극(118-1)은 오믹 특성을 가질 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(114-3)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 만일, 제2 전극(118-1)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.In addition, the second electrode 118 - 1 may have an ohmic characteristic and may include a material in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 114 - 3 . If the second electrode 118 - 1 performs an ohmic role, a separate ohmic layer (not shown) may not be formed.

제1 및 제2 전극(116-1, 118-1) 각각은 활성층(114-2)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(114-1, 114-3) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(116-1, 118-1) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.Each of the first and second electrodes 116 - 1 and 118 - 1 may reflect or transmit light emitted from the active layer 114 - 2 without absorbing it, and the first and second conductivity type semiconductor layer 114 . -1, 114-3) may be formed of any material that can be grown in good quality. For example, each of the first and second electrodes 116-1 and 118-1 may be formed of a metal, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and optional combinations thereof.

발광 소자(110)의 두께 방향과 나란한 방향(예를 들어, z축 방향)과 직교하는 방향(예를 들어, y축 방향)으로 서로 이격된 제1 및 제2 패드(116-2, 118-2) 각각은 전기적 전도성을 갖는 금속 물질을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 전극(116-1, 118-1) 각각의 물질과 동일하거나 다른 물질을 포함할 수 있다.First and second pads 116 - 2 and 118 - spaced apart from each other in a direction (eg, y-axis direction) orthogonal to a direction (eg, z-axis direction) parallel to the thickness direction of the light emitting device 110 . 2) Each of the first and second electrodes 116-1 and 118-1 may include a metal material having electrical conductivity, and may include the same or a different material from each of the first and second electrodes 116-1 and 118-1.

도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100B)는 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 구조이기 때문에, 활성층(114-2)에서 방출된 광은 제1 전극(116-1), 제1 도전형 반도체층(114-1) 및 기판(112)을 통해 출사될 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(116-1), 제1 도전형 반도체층(114-1) 및 기판(112)은 광 투과성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 도전형 반도체층(114-3)과 제2 전극(118-1)은 광 투과성이나 비투과성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으나, 실시 예는 특정한 물질에 국한되지 않을 수 있다.Since the light emitting device package 100B illustrated in FIG. 3 has a flip chip bonding structure, light emitted from the active layer 114-2 is transmitted to the first electrode 116-1 and the first conductivity type semiconductor layer. It may be emitted through the 114 - 1 and the substrate 112 . To this end, the first electrode 116 - 1 , the first conductivity type semiconductor layer 114 - 1 and the substrate 112 may be made of a material having light transmittance. In this case, the second conductivity-type semiconductor layer 114-3 and the second electrode 118-1 may be made of a material having a light transmittance or non-transmission property or a material having a reflectivity, but the embodiment is not limited to a specific material. can

특히, 도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100B)의 경우, 제3 몰딩 부재(140)는 제1 전극부(116)와 제2 전극부(118) 사이에 배치될 수 있다.In particular, in the case of the light emitting device package 100B illustrated in FIG. 3 , the third molding member 140 may be disposed between the first electrode part 116 and the second electrode part 118 .

제1, 제2 및 제3 몰딩 부재(120, 130, 140)에 포함되는 제1, 제2 및 제3 형광체 각각의 농도가 10% 보다 작을 경우 형광체 고유의 역할인 파장 변환 능력이 저하될 수 있고, 50%보다 크면 형광체의 점성이 높아지고 구현되기 어려울 수 있다. 따라서, 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.When the concentration of each of the first, second, and third phosphors included in the first, second, and third molding members 120 , 130 , and 140 is less than 10%, the wavelength conversion ability, which is an intrinsic role of the phosphor, may be reduced. If it is greater than 50%, the viscosity of the phosphor may increase and it may be difficult to implement. Accordingly, the concentration of at least one of the first, second, or third phosphor may be 10% to 50%, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 제3 몰딩 부재(140)는 레진을 포함할 수 있으며, 실리콘으로 구현될 수 있다.In addition, the third molding member 140 may include a resin and may be implemented with silicon.

제1, 제2 또는 제3 형광체는 형광 물질(fluorescent material) 또는 인광 물질(phosphor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first, second, or third phosphor may include at least one of a fluorescent material and a phosphorescent material.

또한, 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 형광체의 종류가 서로 다를 수도 있고, 제1 형광체의 종류와 제2 또는 제3 형광체의 종류는 동일하지만, 제3 형광체의 종류는 제2 형광체의 종류와 다를 수 있다.Also, the types of at least some of the first, second, or third phosphors may be the same as or different from each other. For example, the types of the first, second, and third phosphors may be different from each other, and the type of the first phosphor is the same as that of the second or third phosphor, but the type of the third phosphor is the type of the second phosphor. may be different from

또한, 제3 몰딩 부재(140)의 강성은 제1 및 제2 몰딩 부재(120, 130) 각각의 강성보다 더 클 수 있다. 이는, 후술되는 바와 같이 발광 구조물(114)의 크랙을 방지하기 위해서이다.Also, the rigidity of the third molding member 140 may be greater than that of each of the first and second molding members 120 and 130 . This is to prevent cracks in the light emitting structure 114 as will be described later.

도 4는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)의 단면도를 나타낸다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100C according to another embodiment.

도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120) 및 제2 몰딩 부재(130)를 포함한다.The light emitting device package 100C illustrated in FIG. 4 includes a light emitting device 110 , a first molding member 120 , and a second molding member 130 .

도 2에 도시된 제2 몰딩 부재(130)는 단일층 구조를 갖는 반면, 도 4에 도시된 제2 몰딩 부재(130)는 복수개의 층 구조를 갖는다. 이를 제외하면, 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다. 즉, 도 4에 도시된 발광 소자(110) 및 제1 몰딩 부재(120)는 도 2에 도시된 발광 소자(110) 및 제1 몰딩 부재(120)와 각각 동일하다.The second molding member 130 illustrated in FIG. 2 has a single-layer structure, while the second molding member 130 illustrated in FIG. 4 has a plurality of layer structures. Except for this, the light emitting device package 100C shown in FIG. 4 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 , and thus overlapping descriptions will be omitted. That is, the light emitting device 110 and the first molding member 120 shown in FIG. 4 are the same as the light emitting device 110 and the first molding member 120 shown in FIG. 2 , respectively.

도 4에 도시된 제2 몰딩 부재(130)는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 여기서, N은 2 이상의 양의 정수이다. 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체를 각각 포함할 수 있다. 도 4에 예시된 바와 같이, N=5인 경우, 제2 몰딩 부재(130)는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A, 130B, 130C, 130D, 130E)를 포함할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 이하, N=5인 것으로 가정하여 설명하지만, N이 5보다 크거나 작은 경우에도 아래의 설명은 적용될 수 있음은 물론이다.The second molding member 130 illustrated in FIG. 4 may include second sub-first to second sub-N-th molding members. Here, N is a positive integer of 2 or more. The second sub-first to second sub-N-th molding members may include second sub-first to second sub-N-th phosphors, respectively. As illustrated in FIG. 4 , when N=5, the second molding member 130 may include the second sub-first to second sub-fifth molding members 130A, 130B, 130C, 130D, and 130E. However, the embodiment is not limited thereto. Hereinafter, it will be described on the assumption that N=5, but it goes without saying that the following description may be applied even when N is greater than or less than 5.

또한, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다. 또한, 제1, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 또는 제3 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다. 실시 예에 의하면, 제1 형광체와 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체는 다른 조성을 가질 수 있다. 다만, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 각각의 조성의 종류에 특정한 제한은 없다. 예를 들어, 제1 형광체의 조성과 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체의 조성이 동일할 경우 제1 형광체의 농도와 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체의 농도를 다르게 할 수 있다.Also, types of at least some of the second sub-first to second sub-N-th phosphors may be the same as or different from each other. Also, types of at least some of the first, second sub-first to second sub-N-th or third phosphors may be the same as or different from each other. According to an embodiment, the first phosphor and the second sub-first to second sub-N-th phosphors may have different compositions. However, there is no specific limitation on the type of composition of each of the second sub-first to second sub-N-th phosphors. For example, when the composition of the first phosphor and the composition of the second sub-first to second sub-N-th phosphors are the same, the concentrations of the first phosphor and the concentrations of the second sub-first to second sub-N-th phosphors are different. can do.

또한, 제1, 제2, 제3 형광체 또는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체로는 발광 소자에서 발생된 빛을 백색광으로 변환시킬 수 있는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 파장변환수단인 형광물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 국한되지 않는다.In addition, the first, second, third phosphors or the second sub-first to second sub-N-th phosphors are YAG-based, TAG-based, silicate-based, and sulfide-based phosphors capable of converting light generated from a light emitting device into white light. Alternatively, a fluorescent material that is any one of the nitride-based wavelength conversion means may be included, but the embodiment is not limited to the type of the phosphor.

YAG 및 TAG계 형광물질에는 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택하여 사용가능하며, Silicate계 형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다.YAG and TAG-based fluorescent materials can be used by selecting from (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce, The silicate-based fluorescent material can be selected from (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl).

또한, Sulfide계 형광물질에는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서 선택하여 사용가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16, 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3, 형광체 성분 중에서 선택하여 사용 할 수 있다.In addition, the Sulfide-based fluorescent material can be selected from (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, and the Nitride-based fluorescent material is (Sr, Ca, Si, Al , O)N:Eu (e.g. CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) or (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16 based on Ca-α SiAlON:Eu, where M is Eu, Tb , Yb, or Er at least one material, and can be used by selecting from among 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3, phosphor components.

적색 형광체로는, N(예,CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체를 사용할 수 있다. 이러한 질화물계 적색 형광체는 황화물(Sulfide)계 형광체보다 열, 수분 등의 외부 환경에 대한 신뢰성이 우수할 뿐만 아니라 변색 위험이 작다.As the red phosphor, a nitride-based phosphor including N (eg, CaAlSiN3:Eu) may be used. Such a nitride-based red phosphor has superior reliability to external environments such as heat and moisture, and has a lower risk of discoloration than a sulfide-based phosphor.

예를 들어, 제1 형광체는 가넷(Garnets) 계열 형광체, 실리케이드 (Silicates)계열, 황화물 (Sulfides)계열, 산질화물(Oxynitrides) 계열, 질화물(Nitrides) 계열, 알루미네이트(Aluminates)계열 등이 사용될 수 있다. 제2 및 제3 형광체 역시 제1 형광체와 동일한 조성을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 형광체 각각에 포함될 수 있는 가넷 계열의 형광체로서 Y3Al5O12:Ce3+, Tb3Al5O12:Ce3+등의 형광체등이 있다. 또한, 실리케이드 계열의 형광체는 (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+, (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu2+등의 형광체 등이 있고 D=F,Cl,S,N,Br의 조성을 가질 수 있다. 황화물 계열의 형광체는 (Ca,Sr)S:Eu2+, (Sr,Ca)Ga2S4:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다. 산질화물 계열의 형광체는 β-SiAlON:Eu2+, Ba3Si6O12N2:Eu2+, SrSi2O2N2:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다. 질화물 계열의 형광체는 CaAlSiN3:Eu2+, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+, Sr2Si5N8:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다.For example, as the first phosphor, Garnets-based phosphors, silicates-based phosphors, sulfides-based phosphors, oxynitrides-based phosphors, nitrides-based phosphors, aluminates-based phosphors, etc. may be used. can The second and third phosphors may also have the same composition as the first phosphor. As garnet-based phosphors that may be included in each of the first to third phosphors, there are phosphors such as Y3Al5O12:Ce3+, Tb3Al5O12:Ce3+, and the like. In addition, silicate-based phosphors include phosphors such as (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+, (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu2+, and D=F,Cl,S , may have a composition of N, Br. The sulfide-based phosphor may have a composition such as (Ca,Sr)S:Eu2+, (Sr,Ca)Ga2S4:Eu2+, or the like. The oxynitride-based phosphor may have a composition of β-SiAlON:Eu2+, Ba3Si6O12N2:Eu2+, SrSi2O2N2:Eu2+, or the like. The nitride-based phosphor may have a composition such as CaAlSiN3:Eu2+, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+, Sr2Si5N8:Eu2+, or the like.

알루미네이트 계열의 형광체는 (Mg,Sr)Al2O4:Eu2+, BaMg2Al16O27:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다. 전술한 계열과 같은 파장 변환 수단이 되는 형광물질이 제1 및 제2 형광체에 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 국한되지 않는다.The aluminate-based phosphor may have a composition such as (Mg,Sr)Al2O4:Eu2+, BaMg2Al16O27:Eu2+, or the like. The first and second phosphors may include a fluorescent material serving as a wavelength conversion means as in the above series, but the embodiment is not limited to the type of the phosphor.

또한, 도 4에 예시된 바와 같이 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A 내지 130E)(N=5)는 발광 소자(110)의 두께 방향(예를 들어 z축 방향)과 나란한 방향으로 중첩되어 배치될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 도 4에 예시된 바와 달리 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A 내지 130E)는 발광 소자(110)의 두께 방향과 직교하는 방향(예를 들어 x축 방향 또는 y축 방향)으로 중첩되어 배치될 수도 있다.In addition, as illustrated in FIG. 4 , the second sub-first to second sub-fifth molding members 130A to 130E (N=5) have a thickness direction (eg, z-axis direction) of the light emitting device 110 and They may be overlapped in a parallel direction, but the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, unlike illustrated in FIG. 4 , the second sub-first to second sub-fifth molding members 130A to 130E are formed in a direction perpendicular to the thickness direction of the light emitting device 110 (for example, It may be arranged to overlap in the x-axis direction or the y-axis direction).

또한, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 형광체 중 적어도 일부는 서로 다른 농도를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 형광체 각각의 농도가 10% 보다 작을 경우 형광체 고유의 역할인 파장 변환 능력이 저하될 수 있고, 50%보다 크면 형광체의 점성이 높아지고 구현되기 어려울 수 있다. 따라서, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 형광체 각각의 농도는 10% 내지 50%일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Also, at least some of the first to second sub-fifth phosphors may have different concentrations. For example, if the concentration of each of the second sub-first to second sub-fifth phosphors is less than 10%, the wavelength conversion ability, which is an inherent role of the phosphor, may be reduced. It can be difficult. Accordingly, the concentration of each of the second sub-first to second sub-fifth phosphors may be 10% to 50%, but embodiments are not limited thereto.

또한, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A 내지 130E)는 발광 소자(110)의 두께 방향(예를 들어, z축 방향)과 직교하는 방향(예를 들어, x축 방향 또는 y축 방향)에 대해 소정의 각도(θ)로 경사지게 배치될 수 있다.In addition, the second sub-first to second sub-fifth molding members 130A to 130E may be formed in a direction (eg, the x-axis direction) orthogonal to the thickness direction (eg, the z-axis direction) of the light emitting device 110 . Alternatively, it may be disposed to be inclined at a predetermined angle θ with respect to the y-axis direction.

이하, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 제조 방법에 대해 첨부된 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)는 도 5a 내지 도 5d에 도시된 바와 다른 방법으로 제조될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 3 및 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100B, 100C)는 도 5a 내지 도 5d에 도시된 제조 공정을 변형하여 제조될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 will be described with reference to FIGS. 5A to 5D , but the embodiment is not limited thereto. That is, of course, the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 may be manufactured by a method different from that shown in FIGS. 5A to 5D . Also, it goes without saying that the light emitting device packages 100B and 100C shown in FIGS. 3 and 4 may be manufactured by modifying the manufacturing process shown in FIGS. 5A to 5D .

도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.5A to 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device package 100A illustrated in FIG. 2 .

도 5a를 참조하면, 지지체(200) 위에 복수 개의 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)를 일정한 간격으로 형성한다. 여기서, 복수 개의 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3) 각각은 도 2에 도시된 발광 소자(110)에 해당하며 예를 들어 도 3에 예시된 바와 같은 구성을 가질 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 도 3에 도시된 발광 소자(110)의 제조 방법은 일반적인 사항이므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.Referring to FIG. 5A , a plurality of light emitting devices 110 - 1 , 110 - 2 , and 110 - 3 are formed on the support 200 at regular intervals. Here, each of the plurality of light emitting devices 110-1, 110-2, 110-3 corresponds to the light emitting device 110 shown in FIG. 2 and may have, for example, a configuration as illustrated in FIG. 3, Examples are not limited thereto. Since the manufacturing method of the light emitting device 110 shown in FIG. 3 is a general matter, a detailed description thereof will be omitted.

여기서, 지지체(200)는 점착력(또는, 접착력)을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 다양한 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 지지체(200)는 발포 필름, 자외선(UV) 필름, 이형 필름 등일 수 있다.Here, the support 200 may be made of a material having adhesive force (or adhesive force), and may have various characteristics. For example, the support 200 may be a foam film, an ultraviolet (UV) film, a release film, or the like.

이후, 도 5b를 참조하면, 지지체(200) 위에서, 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3) 사이에 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 형성한다. 여기서, 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4) 각각은 도 2에 도시된 제2 몰딩 부재(130)에 해당할 수 있다. 예를 들어, 제2 형광체를 포함하는 액상의 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3) 사이의 공간에 디스펜싱 방식으로 채울 수 있다. 즉, 제2 형광체와 레진 등을 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)로서 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)의 사이의 공간에 채운 후, 접착 및 경화시킴으로써 디스펜싱 형태의 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 형성할 수 있다.Then, referring to FIG. 5B , on the support 200 , the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130- are disposed between the light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3. 4) is formed. Here, each of the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4 may correspond to the second molding member 130 illustrated in FIG. 2 . For example, the liquid second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4 including the second phosphor are interposed between the light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3. It can be filled in the space of the dispensing method. That is, a space between the light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3 using the second phosphor and resin as the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4. After filling, the dispensing type second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4 may be formed by adhesion and curing.

이후, 도 5c를 참조하면, 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)와 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4) 위에 제1 몰딩 부재(120)를 형성한다. 예를 들어, 제1 몰딩 부재(120)는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌트 형태로 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)와 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4) 위에 경화 및 접착시킬 수 있다.Thereafter, referring to FIG. 5C , the first molding member is disposed on the light emitting devices 110-1, 110-2, 110-3 and the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4. (120) is formed. For example, the first molding member 120 includes the light emitting devices 110-1, 110-2, 110-3 and the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, 130-4) can be cured and adhered.

이후, 도 5d를 참조하면, 지지체(200)와 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)와 제1 몰딩 부재(120)와 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 서로 분리시킨다. 이때, 제2 몰딩 부재(130-2)는 발광 소자(110-1, 110-2)의 각 측부에 배치되도록 절단되고, 제2 몰딩 부재(130-3)는 발광 소자(110-2, 110-3)의 각 측부에 배치되도록 절단될 수 있다.Thereafter, referring to FIG. 5D , the support 200, the light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3, the first molding member 120, and the second molding members 130-1, 130-2, 130-3 and 130-4) are separated from each other. At this time, the second molding member 130-2 is cut to be disposed on each side of the light-emitting devices 110-1 and 110-2, and the second molding member 130-3 is formed on the light-emitting devices 110-2 and 110-2. -3) can be cut to be placed on each side.

이후, 지지체(200)를 제거하면, 도 2에 도시된 바와 같은 발광 소자 패키지(100A)가 획득될 수 있다.Thereafter, when the support 200 is removed, a light emitting device package 100A as shown in FIG. 2 may be obtained.

이하, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)를 포함하는 또 다른 실시 예의 발광 소자 패키지(300)를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, the light emitting device package 300 of another embodiment including the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 will be described with reference to the accompanying drawings.

도 6은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(300)의 단면도를 나타낸다.6 is a cross-sectional view of a light emitting device package 300 according to another embodiment.

도 6에 도시된 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(300)는 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120), 제2 몰딩 부재(130), 패키지 몸체(310) 및 절연부(320)를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120) 및 제2 몰딩 부재(130)를 포함하는 발광 소자 패키지(100A)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)에 해당하므로, 이들 각각에 대한 중복되는 설명을 생략한다. 다만, 도 2에 도시된 제2 몰딩 부재(130)의 측면은 발광 소자(100A)의 두께 방향과 나란한 방향으로 수직으로 형성되어 있는 반면, 도 6에 도시된 제2 몰딩 부재(130)의 측면은 두께 방향과 나란한 방향으로 기준으로 소정의 각도로 경사지게 형성되어 있다. 이는 발광 소자(110)로부터 방출되어 제2 몰딩 부재(130)를 투과한 광이 발광 소자(110)의 상부 방향으로 진행하도록 하기 위함이다.The light emitting device package 300 according to another embodiment shown in FIG. 6 includes a light emitting device 110 , a first molding member 120 , a second molding member 130 , a package body 310 , and an insulating part 320 . ) may be included. Here, since the light emitting device package 100A including the light emitting device 110 , the first molding member 120 and the second molding member 130 corresponds to the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 , each of them A redundant description of the will be omitted. However, the side surface of the second molding member 130 shown in FIG. 2 is vertically formed in a direction parallel to the thickness direction of the light emitting device 100A, while the side surface of the second molding member 130 shown in FIG. 6 . The silver is formed to be inclined at a predetermined angle based on a direction parallel to the thickness direction. This is to allow light emitted from the light emitting device 110 and passing through the second molding member 130 to travel upward of the light emitting device 110 .

또는, 도 3 또는 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100B, 100C)가 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A) 대신에 도 6에 예시된 바와 같이 패키지 몸체(310)의 내부에 배치될 수 있다.Alternatively, the light emitting device packages 100B and 100C shown in FIG. 3 or 4 may be disposed inside the package body 310 as illustrated in FIG. 6 instead of the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 . have.

패키지 몸체(310)는 제1 몸체부(312) 및 제2 몸체부(314)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 몸체부(312, 314) 각각은 도전형 물질 예를 들어, 금속 물질로 이루어질 수 있으나, 실시 예는 패키지 몸체(310)의 재질에 국한되지 않는다.The package body 310 may include a first body portion 312 and a second body portion 314 . Each of the first and second body parts 312 and 314 may be made of a conductive material, for example, a metal material, but the embodiment is not limited to the material of the package body 310 .

제1 및 제2 몸체부(312, 314)는 절연부(320)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 절연부(320)는 전기적인 절연성을 갖는 물질 예를 들어 SiO2, TiO2, ZrO2, Si3N4, Al2O3, 또는 MgF2 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 실시 예는 절연부(320)의 물질에 국한되지 않는다.The first and second body parts 312 and 314 may be electrically separated from each other by the insulating part 320 . The insulating part 320 may include at least one of an electrically insulating material, for example, SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , or MgF 2 , but the embodiment provides insulation It is not limited to the material of part 320 .

만일, 발광 소자(110)가 도 3에 예시된 바와 같이 구현될 경우, 제1 몸체부(312)는 제2 패드(118-2)와 전기적으로 연결되고, 제2 몸체부(314)는 제1 패드(116-2)와 전기적으로 연결될 수 있다.If the light emitting device 110 is implemented as illustrated in FIG. 3 , the first body 312 is electrically connected to the second pad 118-2, and the second body 314 is 1 may be electrically connected to the pad 116 - 2 .

이하, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지와 비교 례에 의한 발광 소자 패키지를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 비교 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment and a light emitting device package according to a comparative example will be compared and described with reference to the accompanying drawings.

도 7은 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.7 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the first comparative example.

도 7에 도시된 바와 달리, 도 3에 도시된 발광 소자 패키지(100B)의 경우 제1 및 제2 전극부(116, 118) 사이에 제3 몰딩 부재(140)가 배치된다. 이를 제외하면, 도 7에 도시된 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 도 3에 도시된 발광 소자 패키지(100B)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.Unlike that shown in FIG. 7 , in the case of the light emitting device package 100B shown in FIG. 3 , the third molding member 140 is disposed between the first and second electrode parts 116 and 118 . Except for this, since the light emitting device package according to the first comparative example shown in FIG. 7 is the same as the light emitting device package 100B shown in FIG. 3 , the overlapping description will be omitted.

도 7에 도시된 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우, 제1 및 제2 전극부(116, 118) 사이에 제3 몰딩 부재(140) 대신에 공기(A)가 배치된다. 따라서, 도시된 바와 같이 발광 구조물(114)에 크랙(C:Crack)이 발생할 수 있다. 그러나, 도 3에 도시된 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 경우 제1 및 제2 전극부(116, 118) 사이에 제3 몰딩 부재(140)가 배치된다. 제3 몰딩 부재(140)는 전술한 바와 같이 제1 및 제2 몰딩 부재(120, 130)의 강성보다 더 큰 강성을 갖는다. 따라서, 크랙(C)의 발생이 방지될 수 있다.In the case of the light emitting device package according to the first comparative example shown in FIG. 7 , air A is disposed between the first and second electrode parts 116 and 118 instead of the third molding member 140 . Accordingly, as illustrated, a crack (C:Crack) may occur in the light emitting structure 114 . However, in the case of the light emitting device package 100B according to another embodiment shown in FIG. 3 , the third molding member 140 is disposed between the first and second electrode parts 116 and 118 . As described above, the third molding member 140 has a greater rigidity than that of the first and second molding members 120 and 130 . Accordingly, the occurrence of cracks C can be prevented.

도 8은 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.8 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second comparative example.

도 1에 도시된 바와 달리, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우 제2 몰딩 부재(130)를 포함하지 않는다. 이를 제외하면, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.Unlike the case shown in FIG. 1 , the light emitting device package according to the second comparative example shown in FIG. 8 does not include the second molding member 130 . Except for this, since the light emitting device package according to the second comparative example shown in FIG. 8 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIGS. 1 and 2 , the overlapping description will be omitted.

일반적으로 발광 소자(110)는 상부 방향(예를 들어, z축 방향)(302)과 측부 방향(예를 들어 y축 및 x축 방향)(304)으로 광을 방출할 수 있다. 이때, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 제2 몰딩 부재(130)를 포함하지 않기 때문에, 발광 소자(110)로부터 측부 “‡향(304)으로 블루(blue) 빛이 새어나갈 수 있다. 그러나, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)는 발광 소자(110)의 측부에 제2 몰딩 부재(130)를 배치함으로써, 발광 소자(110)의 측부 방향으로 블루 빛이 새어나감을 방지할 수 있다.In general, the light emitting device 110 may emit light in an upper direction (eg, a z-axis direction) 302 and a side direction (eg, a y-axis and an x-axis direction) 304 . At this time, since the light emitting device package according to the second comparative example shown in FIG. 8 does not include the second molding member 130 , blue light is emitted from the light emitting device 110 to the side “‡ direction 304 . can leak However, in the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiment, by disposing the second molding member 130 on the side of the light emitting device 110 , blue light leaks in the side direction of the light emitting device 110 . can prevent

또한, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 경우, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지와 비교할 때, 제2 몰딩 부재(130)의 존재로 인해, 강성이 더욱 개선될 수 있다. 또한, 제2 몰딩 부재(130)에 충전제 등이 포함될 경우, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 강성이 더욱 개선될 수 있다.In addition, in the case of the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiment, compared with the light emitting device package according to the second comparative example shown in FIG. 8 , due to the presence of the second molding member 130 , the rigidity This can be further improved. In addition, when the second molding member 130 includes a filler, the rigidity of the light emitting device package according to the embodiment may be further improved.

도 9는 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.9 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third comparative example.

도 1에 도시된 바와 달리, 도 9에 도시된 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우 제2 몰딩 부재(130) 대신에 리플렉터(160)가 발광 소자(110)의 측부에 배치된다. 이를 제외하면, 도 9에 도시된 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.1 , in the case of the light emitting device package according to the third comparative example shown in FIG. 9 , the reflector 160 is disposed on the side of the light emitting device 110 instead of the second molding member 130 . Except for this, since the light emitting device package according to the third comparative example shown in FIG. 9 is the same as the light emitting device package shown in FIG. 1 , the overlapping description will be omitted.

도 9에 도시된 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우, 발광 소자(110)의 측부 방향(예를 들어, y축 방향)으로 새어 나가는 빛을 리플렉터(160)를 이용하여 반사시킴으로써, 발광 소자(110)의 측부 방향(304)으로 블루 빛이 새어나감을 방지할 수 있다. 그러나, 리플렉터(160)는 발광 소자(110)의 측부 방향(304)으로 새어나가는 광을 흡수하여, 전체적인 광 추출 효율을 감소시킬 수 있다. 그러나, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 경우, 리플렉터(160) 대신에 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재(130)를 발광 소자(110)의 측부에 배치한다. 따라서, 실시 예에 의하면, 리플렉터에 의한 광 흡수가 방지될 수 있고 원하는 파장 대역을 갖는 광이 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 측부 방향으로도 출사될 수 있어, 광속이 향상되고, 발광 소자 패키지로부터 방출되는 광의 색의 균일성이 확보될 수 있다.In the case of the light emitting device package according to the third comparative example shown in FIG. 9 , the light leaking in the side direction (eg, the y-axis direction) of the light emitting device 110 is reflected by using the reflector 160 to emit light. It is possible to prevent the blue light from leaking in the side direction 304 of the device 110 . However, the reflector 160 may absorb light leaking in the side direction 304 of the light emitting device 110 , thereby reducing overall light extraction efficiency. However, in the case of the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiment, the second molding member 130 including the second phosphor is disposed on the side of the light emitting device 110 instead of the reflector 160 . Therefore, according to the embodiment, light absorption by the reflector can be prevented and light having a desired wavelength band can be emitted also in the side direction of the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C, so that the luminous flux is improved and light emission is achieved Uniformity of color of light emitted from the device package may be secured.

또한, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 경우 확산제를 제2 몰딩 부재(130)에 포함시키므로써, 다양한 기능 예를 들어 광의 확산 기능을 개선시킬 수 있다.In addition, in the case of the light emitting device package according to the embodiment, by including the diffusion agent in the second molding member 130 , various functions, for example, the diffusion function of light can be improved.

또한, 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.In addition, a plurality of light emitting device packages according to another embodiment may be arranged on a substrate, and optical members such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet may be disposed on a light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member may function as a backlight unit.

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.In addition, it may be implemented as a display device, an indicator device, and a lighting device including the light emitting device package according to the embodiment.

여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflecting plate disposed on the bottom cover, a light emitting module emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflecting plate and guiding light emitted from the light emitting module in front of the light guide plate An optical sheet including prism sheets disposed thereon, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, and a color filter disposed in front of the display panel may include Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.In addition, the lighting device includes a light source module including a substrate and a light emitting device package according to an embodiment, a heat sink for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit that processes or converts an electrical signal received from the outside and provides the light source module to the light source module may include For example, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp.

해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.The head lamp includes a light emitting module including light emitting device packages disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and a lens that refracts light reflected by the reflector forward. , and a shade that blocks or reflects a portion of light reflected by the reflector and directed to the lens to form a light distribution pattern desired by the designer.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is merely an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100A, 100B, 100C, 300: 발광 소자 패키지
110, 110-1, 110-2, 110-3: 발광 소자
112: 기판 114: 발광 구조물
114-1: 제1 도전형 반도체층 114-2: 활성층
114-3: 제2 도전형 반도체층 116: 제1 전극부
116-1: 제1 전극 116-2: 제1 패드
118: 제2 전극부 118-1: 제2 전극
118-2: 제2 패드 120: 제1 몰딩 부재
122: 제1 서브 제1 몰딩부 124: 제1 서브 제2 몰딩부
130, 130-1, 130-2, 130-3, 130-4, 130A, 130B, 130C, 130D, 130E: 제2 몰딩 부재
140: 제3 몰딩 부재 160: 리플렉터
200: 지지체 310: 패키지 몸체
312: 제1 몸체부 314: 제2 몸체부
320: 절연부100A, 100B, 100C, 300: light emitting device package
110, 110-1, 110-2, 110-3: light emitting device
112: substrate 114: light emitting structure
114-1: first conductivity type semiconductor layer 114-2: active layer
114-3: second conductivity type semiconductor layer 116: first electrode part
116-1: first electrode 116-2: first pad
118: second electrode part 118-1: second electrode
118-2: second pad 120: first molding member
122: first sub-first molding part 124: first sub-second molding part
130, 130-1, 130-2, 130-3, 130-4, 130A, 130B, 130C, 130D, 130E: second molding member
140: third molding member 160: reflector
200: support 310: package body
312: first body 314: second body
320: insulation

Claims (24)

삭제delete 광을 방출하는 발광 소자;
상기 발광 소자의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함하는 제1 몰딩 부재; 및
상기 발광 소자의 측부에 배치되며, 상기 제1 형광체와 다른 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재를 포함하고,
상기 제2 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 측부를 감싸도록 배치되고,
상기 제2 몰딩 부재는 확산제 또는 충전제를 더 포함하고,
상기 제1 몰딩 부재의 제1 두께는 상기 제2 몰딩 부재의 제2 두께보다 더 두껍고,
상기 제1 몰딩 부재는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌크 형태를 갖고, 상기 제2 몰딩 부재는 디스펜싱 형태를 갖고,
상기 제1 몰딩 부재는
상기 발광 소자의 상부에 배치된 제1 서브 제1 몰딩부; 및
상기 제1 서브 제1 몰딩부로부터 연장되어 상기 제2 몰딩 부재 위에 배치된 제1 서브 제2 몰딩부를 포함하고,
상기 발광 소자가 상기 측부보다 상기 상부로 더 많은 광을 방출하는 경우 상기 제1 형광체의 농도는 상기 제2 형광체의 농도보다 크거나, 상기 발광 소자가 상기 상부보다 상기 측부로 더 많은 광을 방출하는 경우 상기 제2 형광체의 농도는 상기 제1 형광체의 농도보다 큰 발광 소자 패키지.a light emitting element emitting light;
a first molding member disposed on the light emitting device and including a first phosphor; and
and a second molding member disposed on the side of the light emitting device and including a second phosphor different from the first phosphor,
The second molding member is disposed to surround the side of the light emitting device,
The second molding member further comprises a diffusion agent or a filler,
a first thickness of the first molding member is greater than a second thickness of the second molding member;
The first molding member has a film shape, a plate shape, or a bulk shape, and the second molding member has a dispensing shape,
The first molding member is
a first sub-first molding part disposed on the light emitting device; and
a first sub-second molding part extending from the first sub-first molding part and disposed on the second molding member;
When the light emitting device emits more light to the upper portion than the side, the concentration of the first phosphor is greater than the concentration of the second phosphor, or the light emitting device emits more light to the side than the upper portion In this case, the concentration of the second phosphor is greater than the concentration of the first phosphor in the light emitting device package. 삭제delete 삭제delete 광을 방출하는 발광 소자;
상기 발광 소자의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함하는 제1 몰딩 부재; 및
상기 발광 소자의 측부에 배치되며, 상기 제1 형광체와 다른 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재를 포함하고,
상기 제2 몰딩 부재는
제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N(여기서, N은 2이상의 양의 정수) 형광체를 각각 포함하는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재를 포함하고,
상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 나란한 방향으로 중첩되어 배치되고,
상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부는 서로 다른 농도를 갖고,
상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 다르고,
상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 직교하는 방향에 대해 경사지게 배치된 발광 소자 패키지.a light emitting element emitting light;
a first molding member disposed on the light emitting device and including a first phosphor; and
and a second molding member disposed on the side of the light emitting device and including a second phosphor different from the first phosphor,
The second molding member is
second sub-first to second sub-N-th (where N is a positive integer greater than or equal to 2) second sub-first to second sub-N-th molding members each including phosphors,
The second sub-first to second sub-N-th molding members are disposed to overlap in a direction parallel to a thickness direction of the light emitting device,
At least some of the second sub-first to second sub-N-th phosphors have different concentrations,
The types of at least some of the second sub-first to second sub-N-th phosphors are different from each other,
The second sub-first to second sub-N-th molding members are disposed to be inclined with respect to a direction orthogonal to a thickness direction of the light emitting device. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 광을 방출하는 발광 소자;
상기 발광 소자의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함하는 제1 몰딩 부재;
상기 발광 소자의 측부에 배치되며, 상기 제1 형광체와 다른 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재; 및
상기 발광 소자의 하부에 배치되며, 제3 형광체를 포함하는 제3 몰딩 부재를 포함하고,
상기 제3 몰딩 부재의 강성은 상기 제1 및 제2 몰딩 부재 각각의 강성보다 더 큰 발광 소자 패키지.a light emitting element emitting light;
a first molding member disposed on the light emitting device and including a first phosphor;
a second molding member disposed on a side of the light emitting device and including a second phosphor different from the first phosphor; and
and a third molding member disposed under the light emitting device and including a third phosphor,
The rigidity of the third molding member is greater than that of each of the first and second molding members. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제10 항에 있어서, 상기 발광 소자는
상기 제1 몰딩 부재의 아래에 배치된 기판;
상기 기판 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층;
상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층에 연결된 제1 전극부; 및
상기 제2 도전형 반도체층에 연결된 제2 전극부를 포함하고,
상기 제3 몰딩 부재는 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The method of claim 10, wherein the light emitting device
a substrate disposed under the first molding member;
a first conductivity-type semiconductor layer disposed under the substrate;
an active layer disposed under the first conductivity type semiconductor layer;
a second conductivity-type semiconductor layer disposed under the active layer;
a first electrode part connected to the first conductivity type semiconductor layer; and
a second electrode part connected to the second conductivity-type semiconductor layer;
The third molding member is a light emitting device package disposed between the first electrode part and the second electrode part. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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