KR102145918B1 - A light emitting device package - Google Patents

A light emitting device package Download PDF

Info

Publication number
KR102145918B1
KR102145918B1 KR1020140064921A KR20140064921A KR102145918B1 KR 102145918 B1 KR102145918 B1 KR 102145918B1 KR 1020140064921 A KR1020140064921 A KR 1020140064921A KR 20140064921 A KR20140064921 A KR 20140064921A KR 102145918 B1 KR102145918 B1 KR 102145918B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
electrode
disposed
Prior art date
Application number
KR1020140064921A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150137298A (en
Inventor
이용재
조인현
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140064921A priority Critical patent/KR102145918B1/en
Publication of KR20150137298A publication Critical patent/KR20150137298A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102145918B1 publication Critical patent/KR102145918B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Abstract

실시 예는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 칩; 및 상기 발광 칩의 측면과 하면 상에 배치되며, 상기 발광 칩의 상면, 상기 제1 전극, 및 상기 제2 전극을 노출하는 파장 변환부를 포함하며, 상기 파장 변환부는 상기 기판의 하면과 측면, 및 상기 발광 구조물의 측면과 접하며, 가장 자리로부터 중앙 방향으로 높이가 적어도 한번 계단적으로 증가한다.The embodiment includes a light emitting chip including a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate, and a first electrode and a second electrode disposed on the light emitting structure; And a wavelength converting unit disposed on the side and lower surfaces of the light emitting chip and exposing the upper surface, the first electrode, and the second electrode of the light emitting chip, and the wavelength converting unit includes a lower surface and a side surface of the substrate, and In contact with the side surface of the light emitting structure, the height increases stepwise from the edge toward the center at least once.

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light-emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes (LD) using a group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material of semiconductors are developed in thin film growth technology and device materials. Various colors such as blue and ultraviolet light can be implemented, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or by combining colors. Low power consumption, semi-permanent life, and fast response speed compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. , Safety and environmental friendliness.

광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescent Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Transmitting module for optical communication means, light-emitting diode backlight that replaces CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp) that constitutes the backlight of LCD (Liquid Crystal Display) display devices, and white light-emitting diode lighting that can replace fluorescent or incandescent light bulbs Applications are expanding to devices, automobile headlights and traffic lights.

조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.Light emitting device packages are widely used in lighting devices and display devices. The light emitting device package may generally include a body, lead frames positioned within the body, and a light emitting device (eg, an LED) positioned on one of the lead frames.

실시 예는 광속 및 지향각을 향상시키고, 후면 광속 비율을 낮출 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.An embodiment is to provide a light emitting device package capable of improving a light flux and a directivity angle and lowering a rear light flux ratio.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 칩; 및 상기 발광 칩의 측면과 하면 상에 배치되며, 상기 발광 칩의 상면, 상기 제1 전극, 및 상기 제2 전극을 노출하는 파장 변환부를 포함하며, 상기 파장 변환부는 상기 기판의 하면과 측면, 및 상기 발광 구조물의 측면과 접하며, 가장 자리로부터 중앙 방향으로 높이가 적어도 한번 계단적으로 증가한다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a light emitting chip including a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate, and a first electrode and a second electrode disposed on the light emitting structure; And a wavelength converting unit disposed on the side and lower surfaces of the light emitting chip and exposing the upper surface, the first electrode, and the second electrode of the light emitting chip, and the wavelength converting unit includes a lower surface and a side surface of the substrate, and In contact with the side surface of the light emitting structure, the height increases stepwise from the edge toward the center at least once.

상기 파장 변환부는 상기 발광 칩의 측면 및 하면 상에 배치되고, 상기 발광 칩의 상면, 상기 제1 전극, 및 상기 제2 전극을 노출하는 하단부; 및 상기 하단부의 상부면 상에 배치되는 상단부를 포함하며, 상기 상단부의 폭은 상기 하단부의 폭보다 작을 수 있다.The wavelength converter is disposed on the side and the lower surface of the light emitting chip, the upper surface of the light emitting chip, the first electrode, and a lower end exposing the second electrode; And an upper end disposed on an upper surface of the lower end, and a width of the upper end may be smaller than a width of the lower end.

상기 상단부의 측면은 상기 하단부의 측면으로부터 수평 방향으로 단차를 가질 수 있다.A side surface of the upper end may have a step in a horizontal direction from a side surface of the lower end.

상기 파장 변환부는 수지와 형광체가 혼합된 형태일 수 있다.The wavelength converter may be a mixture of a resin and a phosphor.

상기 상단부의 중심과 상기 하단부의 중심은 수직 방향으로 서로 정렬되며, 상기 수직 방향은 상기 기판의 하면과 수직인 방향일 수 있다.The center of the upper part and the center of the lower part are aligned with each other in a vertical direction, and the vertical direction may be a direction perpendicular to a lower surface of the substrate.

다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 칩; 상기 발광 칩의 측면과 하면 상에 배치되며, 상기 발광 칩의 상면, 상기 제1 전극, 및 상기 제2 전극을 노출하는 파장 변환부; 상기 파장 변환부의 측면 및 상부면 상에 배치되는 광 확산부; 및 상기 광 확산부의 상부면 상에 배치되는 렌즈를 포함하며, 상기 렌즈의 폭은 상기 광 확산부의 폭보다 작다.A light emitting device package according to another embodiment includes: a light emitting chip including a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate, and first and second electrodes disposed on the light emitting structure; A wavelength converter disposed on side surfaces and lower surfaces of the light emitting chip and exposing the upper surface, the first electrode, and the second electrode of the light emitting chip; A light diffusion unit disposed on a side surface and an upper surface of the wavelength conversion unit; And a lens disposed on an upper surface of the light diffusion unit, wherein a width of the lens is smaller than a width of the light diffusion unit.

상기 렌즈의 측면은 상기 광 확산부의 측면으로부터 수평 방향으로 단차를 가질 수 있다.A side surface of the lens may have a step in a horizontal direction from a side surface of the light diffusion unit.

상기 광 확산부는 수지 및 필러(filler)가 혼합된 형태이며, 상기 필러는 SiO2, Al2O3, Y2O3,BaSO4, TiO2, BN 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 렌즈는 수지 재질일 수 있다.The light diffusion part is in a form in which a resin and a filler are mixed, and the filler includes at least one selected from SiO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BaSO 4 , TiO 2 , BN, and the lens May be a resin material.

상기 파장 변환부의 상부면 상에 위치하는 상기 광 확산부의 제1 부분의 두께는 상기 파장 변환부의 측면 상에 위치하는 상기 광 확산부의 제2 부분의 두께와 동일할 수 있다.The thickness of the first portion of the light diffusion unit on the upper surface of the wavelength conversion unit may be the same as the thickness of the second portion of the light diffusion unit on the side surface of the wavelength conversion unit.

상기 파장 변환부의 중심, 상기 광 확산부의 중심, 및 상기 렌즈의 중심은 수직 방향으로 서로 정렬되며, 상기 수직 방향은 상기 기판의 하면과 수직인 방향일 수 있다.The center of the wavelength conversion unit, the center of the light diffusion unit, and the center of the lens may be aligned with each other in a vertical direction, and the vertical direction may be a direction perpendicular to a lower surface of the substrate.

실시 예는 광속 및 지향각을 향상시키고, 후면 광속 비율을 낮출 수 있다.The embodiment may improve the light flux and the directivity angle, and lower the rear light flux ratio.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면 사시도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 칩의 단면도를 나타낸다.
도 5a는 도 2에 도시된 파장 변환부의 일 실시 예에 따른 단면도이다.
도 5b는 도 2에 도시된 파장 변환부의 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 5c는 도 2에 도시된 파장 변환부의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타낸다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면 사시도를 나타낸다.
도 9는 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 10은 도 8에 도시된 파장 변환부, 광 확산부, 및 렌즈의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 11a 내지 도 11e는 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타낸다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 모듈의 단면도를 나타낸다.
도 13은 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 단면도를 나타낸다.
도 14는 사이즈가 1200㎛×600㎛인 발광 칩을 포함하는 발광 소자 패키지의 광속을 나타낸다.
도 15는 사이즈가 1050㎛×580㎛인 발광 칩을 포함하는 발광 소자 패키지의 광속을 나타낸다.
도 16은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional perspective view of the light emitting device package shown in FIG. 1 in the AB direction.
3 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 1.
4 is a cross-sectional view of the light emitting chip shown in FIG. 1.
5A is a cross-sectional view according to an embodiment of the wavelength converter shown in FIG. 2.
5B is a cross-sectional view according to another embodiment of the wavelength converter shown in FIG. 2.
5C is a cross-sectional view according to another embodiment of the wavelength converter shown in FIG. 2.
6A to 6C illustrate a method of manufacturing the light emitting device package shown in FIG. 1.
7 is a perspective view of a light emitting device package according to another embodiment.
8 is a cross-sectional perspective view of the light emitting device package shown in FIG. 7 in the AB direction.
9 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 7.
10 is a cross-sectional view of a wavelength converter, a light diffusion unit, and a lens shown in FIG. 8 in the AB direction.
11A to 11E illustrate a method of manufacturing the light emitting device package shown in FIG. 7.
12 is a cross-sectional view of a light emitting module according to an embodiment.
13 is a cross-sectional view of a light emitting module according to another embodiment.
14 shows the luminous flux of a light emitting device package including a light emitting chip having a size of 1200 μm×600 μm.
15 shows the luminous flux of a light emitting device package including a light emitting chip having a size of 1050 μm×580 μm.
16 illustrates a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
17 illustrates a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
18 illustrates a head lamp including a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and descriptions of the embodiments. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case of being described as being formed in, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, the standards for the top/top or bottom/bottom of each layer will be described based on the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In the drawings, the sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size. Also, the same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 AB 방향의 단면 사시도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 저면도를 나타낸다.1 shows a perspective view of a light emitting device package 100 according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional perspective view of the light emitting device package 100 shown in FIG. 1 in the AB direction, and FIG. 3 is a light emitting device shown in FIG. A bottom view of the device package 100 is shown.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 발광 칩(110), 및 파장 변환부(120)을 포함한다.1 to 3, the light emitting device package 100 includes a light emitting chip 110 and a wavelength converter 120.

발광 칩(110)는 빛을 발생하는 발광 소자(예컨대, LED)로서, 다면체 또는 원통형의 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 발광 칩(110)의 형상은 정육면체, 또는 직육면체 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting chip 110 is a light emitting device (eg, an LED) that generates light, and may have a polyhedral or cylindrical shape, but is not limited thereto. For example, the shape of the light emitting chip 110 may be a cube shape or a rectangular parallelepiped shape, but is not limited thereto.

발광 칩(110)은 수직형 발광 소자 또는 수평형 발광 소자, 예컨대, 플립 칩(Flip Chip) 형태의 발광 소자일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting chip 110 may be a vertical light emitting device or a horizontal light emitting device, such as a flip chip type light emitting device, but is not limited thereto.

도 4는 도 1에 도시된 발광 칩(110)의 단면도를 나타낸다.4 shows a cross-sectional view of the light emitting chip 110 shown in FIG. 1.

도 4를 참조하면, 발광 칩(110)은 기판(410), 발광 구조물(420), 전도층(430), 제1 전극(442), 제2 전극(444), 및 절연층(450)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the light emitting chip 110 includes a substrate 410, a light emitting structure 420, a conductive layer 430, a first electrode 442, a second electrode 444, and an insulating layer 450. Include.

기판(410)은 발광 구조물(420)을 지지한다.The substrate 410 supports the light emitting structure 420.

기판(410)은 투광성 기판, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘(Si) 기판, 산화아연(ZnO) 기판, 및 질화물 반도체 기판 중 어느 하나 또는 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN, SiC, GaP, InP, Ga203, 및 GaAs 중에서 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트(Template) 기판일 수 있다.The substrate 410 is a light-transmitting substrate, for example, a sapphire substrate, a silicon (Si) substrate, a zinc oxide (ZnO) substrate, and a nitride semiconductor substrate, or any one of GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN, SiC, GaP, InP, It may be a template substrate in which at least one of Ga 2 0 3 and GaAs is stacked.

발광 구조물(420)은 기판(410) 상에 배치되며, 빛을 발생한다. 예컨대, 발광 구조물(420)은 기판(410)의 상면(416) 상에 배치될 수 있다.The light emitting structure 420 is disposed on the substrate 410 and generates light. For example, the light emitting structure 420 may be disposed on the upper surface 416 of the substrate 410.

발광 구조물(420)은 복수의 3족 내지 5족 원소의 화합물 반도체층들(422,424,426)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 420 may include a plurality of compound semiconductor layers 422, 424 and 426 of Group 3 to Group 5 elements.

예컨대, 발광 구조물(420)은 제1 도전형 반도체층(422), 제2 도전형 반도체층(426), 및 제1 도전형 반도체층(422)과 제2 도전형 반도체층(426) 사이에 위치하는 활성층(424)을 포함할 수 있다.For example, the light emitting structure 420 may be formed between the first conductivity type semiconductor layer 422, the second conductivity type semiconductor layer 426, and the first conductivity type semiconductor layer 422 and the second conductivity type semiconductor layer 426. It may include an active layer 424 positioned thereon.

발광 구조물(420)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다. 예컨대, 발광 구조물(420) 측면은 기판(310)의 일면을 기준으로 일정 각도(예컨대, 0°보다 크고 90°보다 작거나 같은 각도)만큼 기울어진 경사면일 수 있다.The side surface of the light emitting structure 420 may become an inclined surface during an isolation etching process divided into unit chips. For example, the side surface of the light emitting structure 420 may be an inclined surface inclined by a certain angle (eg, greater than 0° and less than or equal to 90°) with respect to one surface of the substrate 310.

제1 도전형 반도체층(422)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체일 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 422 may be a compound semiconductor of a group 3-5 element doped with a first conductivity type dopant.

제1 도전형 반도체층(422)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 422 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example It may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, etc., and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te may be doped.

활성층(424)은 제2 도전형 반도체층(426) 및 제1 도전형 반도체층(422)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layer 424 emits light by energy generated in the recombination process of electrons and holes provided from the second conductivity type semiconductor layer 426 and the first conductivity type semiconductor layer 422. Can be generated.

활성층(424)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 활성층(424)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(Multi Quantum Well, MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 424 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). The active layer 424 may include any one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(424)이 다중 양자 우물 구조인 경우, 활성층(424)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층된 구조일 수 있다. 예컨대, 활성층(424)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 적어도 하나를 포함하는 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이때 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer 424 has a multiple quantum well structure, the active layer 424 may have a structure in which a plurality of well layers and a plurality of barrier layers are stacked. For example, the well layer/barrier layer of the active layer 424 has a structure including at least one of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP. However, it is not limited thereto. In this case, the well layer may be formed of a material having an energy band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(426)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체일 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 426 may be a compound semiconductor of a group 3-5 element doped with a second conductivity type dopant.

제2 도전형 반도체층(426)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 426 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example It may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, etc., and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, etc. may be doped.

활성층(424)과 제1 도전형 반도체층(422) 사이, 또는 활성층(424)과 제2 도전형 반도체층(426) 사이에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(clad layer, 미도시)이 배치될 수도 있으며, 클래드층은 AlGaN 또는 InAlGaN을 포함하는 반도체층일 수 있다.A clad layer doped with an n-type or p-type dopant (not shown) between the active layer 424 and the first conductivity-type semiconductor layer 422 or between the active layer 424 and the second conductivity-type semiconductor layer 426 ) May be disposed, and the cladding layer may be a semiconductor layer including AlGaN or InAlGaN.

상술한 설명에서는 제1 도전형 반도체층(422)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(426)이 p형 반도체층을 포함하는 것을 예시하였으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 도전형 반도체층(422)이 p형 반도체층을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(426)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한 제2 도전형 반도체층(426) 아래에 n형 또는 p형 반도체층이 더 배치될 수도 있다.In the above description, it has been exemplified that the first conductivity-type semiconductor layer 422 includes an n-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer 426 includes a p-type semiconductor layer, but the embodiment is not limited thereto. . The first conductivity-type semiconductor layer 422 may include a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 426 may include an n-type semiconductor layer. In addition, an n-type or p-type semiconductor layer may be further disposed under the second conductivity-type semiconductor layer 426.

이에 따라 발광 구조물(420)은 np, pn, npn, 또는 pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 제1 도전형 반도체층(422) 및 제2 도전형 반도체층(426) 내의 도펀트의 도핑 농도는 균일할 수도 있고, 불균일할 수도 있다. 즉 발광 구조물(420)은 다양하게 변형될 수 있으며, 발광 구조물(420)은 다양한 파장대의 빛을 발생할 수 있다.Accordingly, the light emitting structure 420 may include at least one of an np, pn, npn, or pnp junction structure. In addition, the doping concentration of the dopant in the first conductivity-type semiconductor layer 422 and the second conductivity-type semiconductor layer 426 may be uniform or non-uniform. That is, the light-emitting structure 420 may be variously deformed, and the light-emitting structure 420 may generate light in various wavelength bands.

전도층(430)은 제2 도전형 반도체층(426) 상에 배치될 수 있다.The conductive layer 430 may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 426.

전도층(430)은 제2 도전형 반도체층(426)과 제2 전극(444) 사이에 배치될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(330)과 오믹 접촉할 수 있다.The conductive layer 430 may be disposed between the second conductivity type semiconductor layer 426 and the second electrode 444, and may make ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 330.

전도층(430)은 전반사를 감소시킬 수 있고, 투광성이 좋기 때문에 활성층(424)으로부터 제2 도전형 반도체층(426)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다. 다른 실시 예에서 전도층(430)은 생략될 수 있다.Since the conductive layer 430 can reduce total reflection and has good light transmission properties, it is possible to increase the extraction efficiency of light emitted from the active layer 424 to the second conductivity type semiconductor layer 426. In another embodiment, the conductive layer 430 may be omitted.

전도층(430)은 제2 도전형 반도체층(426)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The conductive layer 430 is a metal material in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 426, such as Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V, or at least one of an alloy thereof may be included.

또한 전도층(430)은 발광 파장에 대해 투과율이 높은 투명한 산화물계 물질, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminium Zinc Oxide), ATO(Aluminium Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.In addition, the conductive layer 430 is a transparent oxide-based material having high transmittance with respect to the emission wavelength, such as ITO (Indium Tin Oxide), TO (Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide), IAZO. (Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), AZO (Aluminium Zinc Oxide), ATO (Aluminium Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, or Ni/IrOx/Au/ITO may be used to implement a single layer or multiple layers.

발광 구조물(420)은 제1 전극(442)을 배치시키기 위하여 제1 도전형 반도체층(422)의 일 영역을 노출하는 영역을 가질 수 있다. 예컨대, 발광 구조물(420)은 제2 도전형 반도체층(426), 활성층(424), 및 제1 도전형 반도체층(422)의 일부가 식각되어 제1 도전형 반도체층(422)의 일 영역을 노출하는 영역을 가질 수 있다.The light emitting structure 420 may have a region exposing one region of the first conductivity type semiconductor layer 422 to arrange the first electrode 442. For example, in the light emitting structure 420, a portion of the second conductivity type semiconductor layer 426, the active layer 424, and the first conductivity type semiconductor layer 422 is etched to form a region of the first conductivity type semiconductor layer 422. It can have an area that exposes.

제1 전극(442)은 제1 도전형 반도체층(422)의 노출 영역 상에 배치될 수 있고, 노출되는 제1 도전형 반도체층(422)과 접촉할 수 있다.The first electrode 442 may be disposed on the exposed area of the first conductivity type semiconductor layer 422 and may contact the exposed first conductivity type semiconductor layer 422.

제2 전극(444)은 전도층(430)의 상면 상에 배치될 수 있으며, 전도층(430)과 접촉할 수 있다.The second electrode 444 may be disposed on the upper surface of the conductive layer 430 and may contact the conductive layer 430.

제1 전극(442) 및 제2 전극(444)은 전도성 금속, 예컨대, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.The first electrode 442 and the second electrode 444 are conductive metals such as Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo , Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V, or at least one of an alloy thereof may be included, and may have a single layer or multilayer structure.

절연층(450)은 발광 구조물(420)의 측면 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 절연층(450)은 발광 구조물(420)의 측면을 덮을 수 있다. 절연층(450)은 패시베이션층(passivation layer)과 혼용될 수 있다.The insulating layer 450 may be disposed on the side surface of the light emitting structure 420. For example, the insulating layer 450 may cover a side surface of the light emitting structure 420. The insulating layer 450 may be mixed with a passivation layer.

절연층(450)은 제1 도전형 반도체층(422)의 노출 영역 중에서 제1 전극(442)이 배치되는 부분을 제외한 나머지 부분 상에도 더 배치될 수 있다.The insulating layer 450 may be further disposed on a portion of the exposed area of the first conductivity type semiconductor layer 422 except for a portion where the first electrode 442 is disposed.

또한 절연층(450)은 전도층(430)의 상면 중에서 제2 전극(444)이 배치되는 영역을 제외한 전도층(430)의 나머지 영역 상에도 더 배치될 수 있다.In addition, the insulating layer 450 may be further disposed on the remaining regions of the conductive layer 430 except for a region in which the second electrode 444 is disposed among the upper surface of the conductive layer 430.

절연층(450)은 다이 본딩(die bonding), 예컨대, 플립 칩 본딩(Flip chip bonding)을 위하여 제1 전극(442)의 적어도 일 부분(예컨대, 제1 전극 패드), 및 제2 전극(444)의 적어도 일부분(예컨대, 제2 전극 패드)를 노출할 수 있다.The insulating layer 450 includes at least a portion of the first electrode 442 (eg, a first electrode pad) and a second electrode 444 for die bonding, eg, flip chip bonding. ) At least a portion (eg, a second electrode pad) may be exposed.

다른 실시 예에서 절연층(450)은 생략될 수 있다.In another embodiment, the insulating layer 450 may be omitted.

다른 실시 예에서는 제1 전극(442)은 다이 본딩을 위한 제1 전극 패드 및 전류 분산을 위하여 제1 전극 패드로부터 확장되는 제1 가지 전극을 포함할 수 있으며, 제2 전극(444)은 다이 본딩을 위한 제2 전극 패드 및 전류 분산을 위하여 제2 전극 패드로부터 확장되는 제2 가지 전극을 포함할 수 있다. 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극은 전류 분산을 위한 것이다.In another embodiment, the first electrode 442 may include a first electrode pad for die bonding and a first branch electrode extending from the first electrode pad for current distribution, and the second electrode 444 is die bonding. It may include a second electrode pad for and a second branch electrode extending from the second electrode pad for current distribution. The first branch electrode and the second branch electrode are for current distribution.

파장 변환부(120)는 발광 칩(110)의 외주면 상에 배치되며, 발광 칩(110)의 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)을 노출시킨다.The wavelength converter 120 is disposed on the outer circumferential surface of the light emitting chip 110, and exposes the first electrode 442 and the second electrode 444 of the light emitting chip 110.

예컨대, 파장 변환부(120)는 발광 칩(110)의 측면 및 하면 상에 배치될 수 있으며, 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)이 배치되는 발광 칩(110)의 상면을 노출할 수 있다.For example, the wavelength converter 120 may be disposed on the side and the bottom of the light emitting chip 110, and expose the top surface of the light emitting chip 110 on which the first electrode 442 and the second electrode 444 are disposed. can do.

예컨대, 파장 변환부(120)는 기판(410)의 하면(412) 및 측면(414)과 접할 수 있고, 발광 구조물(420)의 측면 상에 위치하는 절연층(450)의 일 부분과 접할 수 있다. 절연층(450)이 생략되는 경우에 파장 변환부(120)는 발광 구조물(420)의 측면에 접할 수 있다.For example, the wavelength converter 120 may contact the lower surface 412 and the side surface 414 of the substrate 410 and may contact a portion of the insulating layer 450 located on the side surface of the light emitting structure 420. have. When the insulating layer 450 is omitted, the wavelength converter 120 may contact the side surface of the light emitting structure 420.

파장 변환부(120)는 하면(203)과 측벽(202)을 포함하며, 발광 칩(110)이 삽입되고, 제1 전극(442)과 제2 전극(444)을 노출하는 홈(201)을 가질 수 있다.The wavelength conversion unit 120 includes a lower surface 203 and a side wall 202, the light emitting chip 110 is inserted, and a groove 201 exposing the first electrode 442 and the second electrode 444 is formed. Can have.

발광 칩(110)은 파장 변환부(120)의 홈(201) 내에 삽입될 수 있으며, 발광 칩(110)의 측면은 파장 변환부(120)의 홈(201)의 측벽(202)과 접할 수 있고, 발광 칩(110)의 하면은 파장 변환부(120)의 홈(201)의 하면(203)과 접할 수 있다.The light emitting chip 110 may be inserted into the groove 201 of the wavelength converter 120, and the side of the light emitting chip 110 may contact the sidewall 202 of the groove 201 of the wavelength converter 120. In addition, the lower surface of the light emitting chip 110 may contact the lower surface 203 of the groove 201 of the wavelength converter 120.

예컨대, 기판(410)의 하면(412)은 파장 변환부(120)의 홈(201)의 하면(203)과 접할 수 있고, 기판(410)의 측면과 발광 구조물(420)의 측면 상에 위치하는 절연층(450)의 일 부분은 파장 변환부(120)의 홈(201)의 측벽(202)과 접할 수 있다.For example, the lower surface 412 of the substrate 410 may be in contact with the lower surface 203 of the groove 201 of the wavelength converter 120 and is located on the side surface of the substrate 410 and the side surface of the light emitting structure 420 A portion of the insulating layer 450 may be in contact with the sidewall 202 of the groove 201 of the wavelength converter 120.

파장 변환부(120)은 발광 칩(110)으로부터 조사되는 빛의 파장을 변환시킬 수 있다.The wavelength converter 120 may convert a wavelength of light irradiated from the light emitting chip 110.

파장 변환부(120)은 투광성이고, 형광체와 혼합되어 소정 형태로 형성될 수 있다. 예컨대, 파장 변환부(120)는 몰딩(molding) 가능한 재질과 형광체가 혼합된 형태일 수 있다.The wavelength converter 120 is translucent and may be mixed with a phosphor to be formed in a predetermined shape. For example, the wavelength converter 120 may be in a form in which a material capable of molding and a phosphor are mixed.

파장 변환부(120)은 무색 투명한 고분자 물질과 형광체가 혼합된 형태일 수 있다. 예컨대, 무색 투명한 고분자 물질은 수지(resin) 또는 고무일 수 있다. 또한 예컨대, 파장 변환부(120)에 사용되는 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 글래스(glass), 글래스 세라믹(glass ceramic), 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 나일론 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 테프론 수지, 폴리스틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리올레핀 수지 등일 수 있다.The wavelength converter 120 may be a mixture of a colorless transparent polymer material and a phosphor. For example, the colorless and transparent polymer material may be resin or rubber. In addition, for example, the resin used for the wavelength converter 120 is a silicone resin, an epoxy resin, a glass, a glass ceramic, a polyester resin, an acrylic resin, a urethane resin, a nylon resin, a polyamide resin, a polyether resin. It may be a mid resin, a vinyl chloride resin, a polycarbonate resin, a polyethylene resin, a Teflon resin, a polystyrene resin, a polypropylene resin, a polyolefin resin, and the like.

또한 파장 변환부(120)는 적색 형광체, 녹색 형광체, 황색 형광체 등이 포함할 수 있으며, 1개 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.In addition, the wavelength converter 120 may include a red phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, and the like, and may include one or more types of phosphors.

예컨대, 형광체는 실리케이트(silicate)계 형광체, YAG계 형광체 또는 나이트라이드(Nitride)계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 실리케이트계 형광체는 Ca2SiO4:Eu, Sr2SiO4:Eu, Sr3SiO5:Eu, Ba2SiO4:Eu, 및 (Ca, Sr, Ba)2SiO4:Eu)일 수 있고, YAG계 형광체는 Y3Al5O12:Ce, (Y,Gd)3Al5O12:Ce)일 수 있고, 나이트라이드계 형광체는 Ca2Si5N8:Eu, CaAlSiN2:Eu, (Sr, Ca)AlSiN2:Eu, α,β-SiAlON:Eu일 수 있다For example, the phosphor may include at least one of a silicate-based phosphor, a YAG-based phosphor, or a nitride-based phosphor. For example, the silicate phosphor may be Ca 2 SiO 4 :Eu, Sr 2 SiO 4 :Eu, Sr 3 SiO 5 :Eu, Ba 2 SiO 4 :Eu, and (Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4 :Eu) And, the YAG-based phosphor may be Y 3 Al 5 O 12 :Ce, (Y,Gd) 3 Al 5 O 12 :Ce), and the nitride-based phosphor may be Ca 2 Si 5 N 8 :Eu, CaAlSiN 2 :Eu , (Sr, Ca)AlSiN 2 :Eu, may be α,β-SiAlON:Eu

파장 변환부(120)은 빛을 확산시키기 위한 확산 물질, 예컨대, SiO2, Al2O3, Y2O3,BaSO4, TiO2, BN 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The wavelength converter 120 may include a diffusion material for diffusing light, for example, at least one selected from SiO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BaSO 4 , TiO 2 , and BN.

도 5a는 도 2에 도시된 파장 변환부(120)의 일 실시 예에 따른 단면도이다.5A is a cross-sectional view of the wavelength converter 120 shown in FIG. 2 according to an embodiment.

도 5a를 참조하면, 파장 변환부(120)은 130°이상의 지향각 특성을 얻고, 후면 광속 비율을 낮추기 위하여 가장 자리로부터 중앙 방향으로 높이가 적어도 한번 계단적으로 증가할 수 있다. 여기서 후면 광속 비율이라 함은 지향각이 0°인 선을 기준으로 후방으로 조사되는 빛의 광속의 비율을 의미할 수 있다.Referring to FIG. 5A, in order to obtain a beam angle characteristic of 130° or more, the wavelength converter 120 may stepwise increase in height from the edge toward the center at least once to lower the rear light flux ratio. Here, the rear luminous flux ratio may mean a ratio of the luminous flux of light irradiated to the rear based on a line having a directivity angle of 0°.

파장 변환부(120)는 빛을 굴절시키는 렌즈 역할을 할 수 있다.The wavelength converter 120 may function as a lens that refracts light.

파장 변환부(120)은 하단부(122), 및 하단부(122)의 상부면 상에 배치되는 상단부(124)를 포함할 수 있다.The wavelength converter 120 may include a lower end 122 and an upper end 124 disposed on an upper surface of the lower end 122.

하단부(122)는 하부면에 발광 칩(110)이 삽입되는 홈(201)을 가질 수 있으며, 홈(201)은 하면(203)과 측벽(202)을 포함할 수 있다.The lower end 122 may have a groove 201 into which the light emitting chip 110 is inserted on a lower surface, and the groove 201 may include a lower surface 203 and a side wall 202.

상단부(124)의 폭(D2)은 하단부(122)의 폭(D1)보다 작다(D2<D1). 예컨대, 상단부(124)의 폭(D2)은 하단부(122)의 폭(D1)의 50% ~90%일 수 있다. 상단부(124)의 폭(D2)이 하단부(122)의 폭(D1)보다 작기 때문에, 광 지향각을 향상시킬 수 있으며, 후면 광속 비율을 낮출 수 있다.The width D2 of the upper part 124 is smaller than the width D1 of the lower part 122 (D2<D1). For example, the width D2 of the upper part 124 may be 50% to 90% of the width D1 of the lower part 122. Since the width D2 of the upper end 124 is smaller than the width D1 of the lower end 122, the light directivity angle can be improved, and the rear light flux ratio can be lowered.

하단부(122)는 발광 칩(110)의 측면 및 하면 상에 배치되고, 상기 발광 칩(110)의 상면, 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)을 노출할 수 있다.The lower part 122 is disposed on the side and the lower surface of the light emitting chip 110 and may expose the upper surface, the first electrode 442 and the second electrode 444 of the light emitting chip 110.

상단부(124)는 발광 칩(110)의 하면 상에 위치하는 하단부(122)의 일 부분 상에 배치될 수 있다.The upper end 124 may be disposed on a portion of the lower end 122 positioned on the lower surface of the light emitting chip 110.

상단부(124)의 외주면의 형상은 하단부(122)의 외주면의 형상과 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the outer circumferential surface of the upper part 124 may be the same as the shape of the outer circumferential surface of the lower part 122, but is not limited thereto.

상단부(124) 및 하단부(122) 각각의 형상은 다면체 또는 원통형일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상단부(124) 및 하단부(122) 각각의 형상은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 육면체일 수 있다.Each of the upper portion 124 and the lower portion 122 may have a polyhedral shape or a cylindrical shape, but is not limited thereto. For example, the shape of each of the upper part 124 and the lower part 122 may be a hexahedron as shown in FIGS. 1 and 2.

균일한 배광을 위하여 상단부(124)의 중심과 하단부(122)의 중심은 수직 방향으로 서로 정렬될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서 수직 방향은 기판(410)의 하면(412)과 수직인 방향일 수 있다.For uniform light distribution, the center of the upper part 124 and the center of the lower part 122 may be aligned with each other in a vertical direction, but the present invention is not limited thereto. Here, the vertical direction may be a direction perpendicular to the lower surface 412 of the substrate 410.

예컨대, 상단부(124)의 중심과 하단부(122)의 중심은 제1 기준선(501)에 정렬될 수 있으며, 제1 기준선(501)은 상단부(124)의 중심과 하단부(122)의 중심을 지나고 상단부(124)와 하단부(122) 각각의 상부면과 수직일 수 있다.For example, the center of the upper part 124 and the center of the lower part 122 may be aligned with the first reference line 501, and the first reference line 501 passes through the center of the upper part 124 and the center of the lower part 122 It may be perpendicular to the upper surface of each of the upper portion 124 and the lower portion 122.

상단부(124)와 하단부(122)는 수평 방향으로 단차(P1)가 존재할 수 있다.The upper part 124 and the lower part 122 may have a step P1 in the horizontal direction.

상단부(124)의 측면(124a)은 하단부(122)의 측면(122a)으로부터 수평 방향으로 단차(P1)를 가질 수 있다. 예컨대, 상단부(124)의 측면(124a)은 하단부(122)의 측면(122a)으로부터 수평 방향으로 단차(P1)만큼 이격하여 위치할 수 있다. 여기서 수평 방향은 발광 칩(110)의 하면 또는 기판(410)의 하면(412)과 평행한 방향일 수 있다.The side surface 124a of the upper end portion 124 may have a step P1 in the horizontal direction from the side surface 122a of the lower end portion 122. For example, the side surface 124a of the upper part 124 may be located horizontally apart from the side surface 122a of the lower part 122 by a step P1. Here, the horizontal direction may be a direction parallel to the lower surface of the light emitting chip 110 or the lower surface 412 of the substrate 410.

예컨대, 상단부(124)의 측면(124a)은 하단부(122)의 측면(122a)으로부터 수평 방향으로 단차(P1)만큼 이격하여 위치할 수 있다.For example, the side surface 124a of the upper part 124 may be located horizontally apart from the side surface 122a of the lower part 122 by a step P1.

상단부(124)와 하단부(122)는 수평 방향으로 단차(P1)가 존재하기 때문에, 실시 예는 단차가 없는 경우와 비교할 때, 지향각을 향상시킬 수 있으며, 후면 광속 비율을 낮출 수 있다.Since the upper end 124 and the lower end 122 have a step P1 in the horizontal direction, the embodiment can improve the directivity angle and lower the rear light flux ratio as compared to the case where there is no step.

발광 칩(110)의 상면을 기준으로, 파장 변환부(120)의 하단부(122)의 상부면(122b)은 발광 칩(110)의 하면보다 높이가 높거나 동일할 수 있다.With respect to the upper surface of the light emitting chip 110, the upper surface 122b of the lower end portion 122 of the wavelength converter 120 may have a height higher than or equal to the lower surface of the light emitting chip 110.

상단부(124)의 상부면(124b)은 하단부(122)의 상부면(122b)과 평행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The upper surface 124b of the upper part 124 may be parallel to the upper surface 122b of the lower part 122, but is not limited thereto.

파장 변환부(120)의 상단부(124)의 상부면(124b)과 홈(201)의 하면(203) 간의 제1 두께(t1)는 파장 변환부(120)의 측면(122a)과 홈(201)의 측벽(202) 간의 제2 두께(t2)보다 두껍다. 제1 두께(t1)가 제2 두께(t2)보다 두꺼운 이유는 지향각을 향상시키기 위함이며, 제2 두께(t2)와 제1 두께(t1)의 비율(t2:t1)은 1: 1.5 ~ 3일 수 있다. 제2 두께(t2)와 제1 두께(t1)의 비율(t2:t1)이 1미만일 경우에는 지향각이 130 미만으로 감소할 수 있다. 반면에 제2 두께(t2)와 제1 두께(t1)의 비율(t2:t1)이 3을 초과할 경우에는 광속이 감소할 수 있다.The first thickness t1 between the upper surface 124b of the upper end 124 of the wavelength converter 120 and the lower surface 203 of the groove 201 is the side surface 122a and the groove 201 of the wavelength converter 120 ) Is thicker than the second thickness t2 between the sidewalls 202. The reason why the first thickness t1 is thicker than the second thickness t2 is to improve the directivity angle, and the ratio of the second thickness t2 to the first thickness t1 (t2:t1) is 1: 1.5 ~ It can be 3. When the ratio (t2:t1) of the second thickness t2 to the first thickness t1 is less than 1, the directivity angle may decrease to less than 130. On the other hand, when the ratio (t2:t1) of the second thickness t2 and the first thickness t1 exceeds 3, the luminous flux may decrease.

상단부(124)의 측면(124a)과 하단부(122)의 상부면(122b) 사이의 각도(θ1)는 90°보다 크거나 같고, 180°보다 작을 수 있다.The angle θ1 between the side surface 124a of the upper end 124 and the upper surface 122b of the lower end 122 may be greater than or equal to 90°, and may be less than 180°.

도 5b는 도 2에 도시된 파장 변환부(120)의 다른 실시 예에 따른 단면도이다. 도 5a와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 중복을 피하기 위하여 설명을 간략하게 하거나 생략한다.5B is a cross-sectional view of the wavelength converter 120 shown in FIG. 2 according to another embodiment. The same reference numerals as in FIG. 5A denote the same configuration, and the description of the same configuration is simplified or omitted to avoid redundancy.

도 5b를 참조하면, 광속을 향상시키기 위하여 상단부(124)의 측면(124a)과 상단부(124)의 상부면(124b)이 만나는 모서리 부분(R1)은 곡면일 수 있다. 모서리 부분(R1)의 곡률은 반지름이 5㎛ ~ 10㎛인 원의 곡률과 동일할 수 있다. 모서리 부분(R1)의 곡률이 5㎛ 미만이거나, 10㎛를 초과할 경우에는 광속 및 지향각이 감소할 수 있다.Referring to FIG. 5B, in order to improve the light flux, a corner portion R1 where the side surface 124a of the upper end 124 and the upper surface 124b of the upper end 124 meet may be curved. The curvature of the corner portion R1 may be the same as the curvature of a circle having a radius of 5 μm to 10 μm. When the curvature of the corner portion R1 is less than 5 μm or exceeds 10 μm, the light flux and the directivity angle may decrease.

도 5c는 도 2에 도시된 파장 변환부(120)의 다른 실시 예에 따른 단면도이다.5C is a cross-sectional view of the wavelength converter 120 shown in FIG. 2 according to another embodiment.

도 5c를 참조하면, 광속을 향상시키기 위하여 하단부(122)의 상부면(122b)과 상단부(124)의 측면(124a)이 만나는 모서리 부분(R2)은 곡면일 수 있다. 모서리 부분(R2)의 곡률은 반지름이 5㎛ ~ 10㎛인 원의 곡률과 동일할 수 있다. 모서리 부분(R1)의 곡률이 5㎛ 미만이거나, 10㎛를 초과할 경우에는 광속 및 지향각이 감소할 수 있다.Referring to FIG. 5C, in order to improve the luminous flux, a corner portion R2 where the upper surface 122b of the lower portion 122 and the side surface 124a of the upper portion 124 meet may be a curved surface. The curvature of the corner portion R2 may be the same as that of a circle having a radius of 5 μm to 10 μm. When the curvature of the corner portion R1 is less than 5 μm or exceeds 10 μm, the light flux and the directivity angle may decrease.

일반적으로 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(package body), 및 리드 프레임(lead frame)을 구비하지만, 실시 예는 패키지 몸체(package body), 및 리드 프레임(lead frame)을 구비하지 않고 파장 변환부(120)가 발광 칩(110)의 외부면에 직접적으로 밀착하기 때문에 패키지 몸체 및 리드 프레임에 의한 반사 또는 흡수로 인한 광 손실을 줄일 수 있어 광속을 향상시킬 수 있다.In general, a light emitting device package includes a package body and a lead frame, but the embodiment does not include a package body and a lead frame, and the wavelength conversion unit 120 Since) is in direct contact with the outer surface of the light emitting chip 110, light loss due to reflection or absorption by the package body and the lead frame can be reduced, thereby improving the luminous flux.

도 14는 사이즈가 1200㎛×600㎛인 발광 칩을 포함하는 발광 소자 패키지의 광속을 나타내고, 도 15는 사이즈가 1050㎛×580㎛인 발광 칩을 포함하는 발광 소자 패키지의 광속을 나타낸다.14 shows the luminous flux of a light emitting device package including a light emitting chip having a size of 1200 µm×600 µm, and FIG. 15 shows a luminous flux of a light emitting device package including a light emitting chip having a size of 1050 µm×580 µm.

REF1은 1200㎛×600㎛의 사이즈를 갖는 발광 칩, 패키지 몸체, 및 리드 프레임을 구비하는 발광 소자 패키지의 광속을 나타내고, REF2는 1050㎛×580㎛의 사이즈를 갖는 발광 칩, 패키지 몸체, 및 리드 프레임을 구비하는 발광 소자 패키지의 광속을 나타낸다.REF1 represents the light flux of a light emitting device package including a light emitting chip having a size of 1200 μm×600 μm, a package body, and a lead frame, and REF2 indicates a light emitting chip, package body, and lead having a size of 1050 μm×580 μm. It represents the luminous flux of a light emitting device package including a frame.

CASE 1 내지 CASE8은 파장 변환부(120)의 두께, 및 파장 변환부가 필러를 포함하는지 여부에 따른 광속을 나타낸다.CASE 1 to CASE8 represent the thickness of the wavelength conversion unit 120 and the luminous flux according to whether the wavelength conversion unit includes a filler.

도 14 및 도 15를 참조하면, 파장 변환부(120)의 두께는 100㎛ ~ 150㎛일 수 있다. REF1과 비교할 때, CASE 1 내지 CASE4는 패키지 몸체 및 리드 프레임에 기안하는 광 손실이 없기 때문에, 광속이 증가하는 것을 알 수 있다. 또한 REF2와 비교할 때, CASE 5 내지 CASE8은 광속이 증가하는 것을 알 수 있다.14 and 15, the thickness of the wavelength converter 120 may be 100 μm to 150 μm. Compared with REF1, it can be seen that the light flux of CASE 1 to CASE4 increases because there is no light loss originating in the package body and lead frame. In addition, compared with REF2, it can be seen that the luminous flux of CASE 5 to CASE8 increases.

CASE 1 내지 CASE8은 130°이상의 지향각 특성을 가질 수 있고, REF1과 REF2와 비교할 때, 후면 광속 비율이 낮은 것(예컨대, 5% 이하)을 알 수 있다.CASE 1 to CASE8 may have a beam angle characteristic of 130° or more, and when compared with REF1 and REF2, it can be seen that the rear light flux ratio is low (eg, 5% or less).

상술한 바와 같이, 실시 예는 광속을 향상시킬 수 있고, 130°이상의 지향각 특성을 얻을 수 있으며, 후면 광속 비율을 낮출 수 있다.As described above, the embodiment can improve the luminous flux, obtain a beam angle characteristic of 130° or more, and lower the rear luminous flux ratio.

도 6a 내지 도 6c는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 제조 방법을 나타낸다.6A to 6C illustrate a method of manufacturing the light emitting device package 100 shown in FIG. 1.

도 6a를 참조하면, 칩 어레이(chip array)를 위한 보드(board, 610) 상에 복수의 발광 칩들(110-1 내지 110-m, m>1인 자연수)을 서로 이격하여 배열시킨다. 복수의 발광 칩들(110-1 내지 110-m, m>1인 자연수) 각각은 도 4에 도시된 발광 칩일 수 있다.Referring to FIG. 6A, a plurality of light emitting chips 110-1 to 110-m, a natural number of m>1 on a board 610 for a chip array are arranged to be spaced apart from each other. Each of the plurality of light emitting chips 110-1 to 110 -m and a natural number of m>1 may be a light emitting chip shown in FIG. 4.

도 4에 도시된 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)이 보드(610)의 상부면에 대향하도록 발광 칩들(110-1 내지 110-m, m>1인 자연수)을 배열시킬 수 있다.Light-emitting chips 110-1 to 110-m, m>1 may be arranged so that the first electrode 442 and the second electrode 444 shown in FIG. 4 face the upper surface of the board 610. have.

도 6b를 참조하면, 파장 변환부(120)를 형성하기 위한 몰딩 물질(620)을 발광 칩들(110-1 내지 110-m, m>1인 자연수)이 배열된 보드(610)의 상부면 상에 도포한다. 다음으로 프레임(frame, 예컨대, 금형)을 이용하여 보드(610)의 상부면 상에 도포된 몰딩 물질(620)을 압착하여 파장 변환부(120)의 형상을 구현한다.6B, a molding material 620 for forming the wavelength converter 120 is formed on the top surface of the board 610 in which the light emitting chips 110-1 to 110-m, m>1 are arranged. Apply to Next, the shape of the wavelength converter 120 is implemented by compressing the molding material 620 applied on the upper surface of the board 610 using a frame (eg, a mold).

도 6c를 참조하면, 절단(sawing) 공정을 통하여 단위 발광 소자 패키지로 구분하며, 분류 공정을 통하여 규격에 맞는 발광 소자 패키지를 선택한다. Referring to FIG. 6C, a light emitting device package is divided into a unit light emitting device package through a sawing process, and a light emitting device package conforming to the standard is selected through a classification process.

디스펜싱(dispensing) 방식에 의하여 파장 변환부(120)를 형성하는 것이 아니라, 실시 예는 금형을 이용하는 압착 성형 방식을 이용하여 파장 변환부(120)를 형성하기 때문에 오차가 적은 치수를 갖는 파장 변환부를 구현할 수 있고, 이로 인하여 색균일도를 향상시킬 수 있다.The wavelength conversion unit 120 is not formed by a dispensing method, but the embodiment uses a compression molding method using a mold to form the wavelength conversion unit 120. It is possible to implement wealth, thereby improving color uniformity.

도 7은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 사시도를 나타내고, 도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지(200)의 AB 방향의 단면 사시도를 나타내고, 도 9는 도 7에 도시된 발광 소자 패키지(200)의 저면도를 나타내고, 도 10은 도 8에 도시된 파장 변환부(210), 광 확산부(220), 및 렌즈(230)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.7 is a perspective view of a light emitting device package 200 according to another embodiment, FIG. 8 is a cross-sectional perspective view of the light emitting device package 200 shown in FIG. 7 in the AB direction, and FIG. 9 is A bottom view of the light emitting device package 200 is shown, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the wavelength converter 210, the light diffusion unit 220, and the lens 230 shown in FIG. 8 in the AB direction.

도 7 내지 도 10을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 발광 칩(110), 파장 변환부(210), 광 확산부(220), 및 렌즈(230)를 포함한다. 발광 칩(110)은 도 4에서 설명한 바와 동일할 수 있다.7 to 10, the light emitting device package 200 includes a light emitting chip 110, a wavelength converter 210, a light diffusion unit 220, and a lens 230. The light emitting chip 110 may be the same as described in FIG. 4.

파장 변환부(210)는 발광 칩(110)의 외주면 상에 배치되며, 발광 칩(110)의 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)을 노출시킨다.The wavelength converter 210 is disposed on the outer peripheral surface of the light emitting chip 110 and exposes the first electrode 442 and the second electrode 444 of the light emitting chip 110.

파장 변환부(210)는 발광 칩(110)의 측면 및 하면 상에 배치될 수 있으며, 발광 칩(110)의 상면, 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)을 노출할 수 있다.The wavelength converter 210 may be disposed on the side and bottom surfaces of the light emitting chip 110, and may expose the upper surface, the first electrode 442 and the second electrode 444 of the light emitting chip 110.

예컨대, 파장 변환부(210)는 기판(410)의 하면(412) 및 측면(414)과 접할 수 있고, 발광 구조물(420)의 측면 상에 위치하는 절연층(450)의 일 부분과 접할 수 있다.For example, the wavelength converter 210 may contact the lower surface 412 and the side surface 414 of the substrate 410, and may contact a portion of the insulating layer 450 located on the side surface of the light emitting structure 420. have.

파장 변환부(210)은 하면(203)과 측벽(203)을 포함하며, 발광 칩(110)이 삽입되는 홈(201)을 가질 수 있다. 파장 변환부(210)의 홈(201)과 발광 칩(110)의 외주면과의 접촉, 및 파장 변환부(210)의 재질은 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 동일할 수 있다.The wavelength converter 210 includes a lower surface 203 and a side wall 203 and may have a groove 201 into which the light emitting chip 110 is inserted. The contact between the groove 201 of the wavelength converter 210 and the outer peripheral surface of the light emitting chip 110, and the material of the wavelength converter 210 may be the same as described in FIGS. 1 to 3.

도 5에 도시된 파장 변환부(120)와 비교할 때, 파장 변환부(210)의 상부면은 절곡된 구조 또는 단차를 갖지 않으며, 편평한 구조라는 것이 다르다.Compared with the wavelength conversion unit 120 shown in FIG. 5, the upper surface of the wavelength conversion unit 210 does not have a bent structure or a step difference, and has a flat structure.

도 5에 도시된 파장 변환부(120)의 상단부(124)의 상부면(124b)과 홈(201)의 하면(203) 간의 두께는 파장 변환부(120)의 측면(122a)과 홈(201)의 측벽(202) 간의 두께보다 크다. 반면에 도 10에 도시된 파장 변환부(210)의 상부면과 홈(201)의 하면(203) 간의 두께는 파장 변환부(210)의 측면과 홈(201)의 측벽(202) 간의 두께와 동일할 수 있다.The thickness between the upper surface 124b of the upper end 124 of the wavelength converter 120 and the lower surface 203 of the groove 201 shown in FIG. 5 is the side surface 122a and the groove 201 of the wavelength converter 120 ) Is greater than the thickness between the sidewalls 202. On the other hand, the thickness between the upper surface of the wavelength conversion unit 210 and the lower surface 203 of the groove 201 shown in FIG. 10 is the thickness between the sidewall 202 of the wavelength conversion unit 210 and the groove 201 It can be the same.

광 확산부(220)는 파장 변환부(210)의 외부면 상에 배치된다. 광 확산부(220)는 파장 변환부(210)의 측면 및 상부면 상에 배치될 수 있으며, 광 확산부(220)의 형상은 파장 변환부(210)의 형상과 동일할 수 있다.The light diffusion unit 220 is disposed on the outer surface of the wavelength conversion unit 210. The light diffusion unit 220 may be disposed on a side surface and an upper surface of the wavelength conversion unit 210, and the shape of the light diffusion unit 220 may be the same as that of the wavelength conversion unit 210.

광 확산부(220)는 투광성이고, 몰딩(molding) 가능한 재질과 필러(filler)가 혼합된 형태일 수 있다.The light diffusion unit 220 may be light-transmitting, and may be in a form in which a material capable of molding and a filler are mixed.

광 확산부(220)는 무색 투명한 고분자 물질과 필러가 혼합된 형태일 수 있다. 예컨대, 무색 투광한 고분자 물질은 수지일 수 있으며, 필러는 SiO2, Al2O3, Y2O3,BaSO4, TiO2, BN 중에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 광 확산부(220)의 수지는 파장 변환층(120)의 수지와 동일한 재질일 수 있다.The light diffusion unit 220 may be in a form in which a colorless transparent polymer material and a filler are mixed. For example, the colorless and transparent polymer material may be a resin, and the filler may be at least one selected from SiO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BaSO 4 , TiO 2 , and BN. The resin of the light diffusion unit 220 may be made of the same material as the resin of the wavelength conversion layer 120.

광 확산부(220)는 파장 변환부(210)로부터 출사되는 빛의 확산을 향상시키기는 역할을 할 수 있다. 빛의 균일한 확산을 위하여 광 확산부(220)의 두께는 균일할 수 있다.The light diffusion unit 220 may serve to improve diffusion of light emitted from the wavelength conversion unit 210. For uniform diffusion of light, the thickness of the light diffusion unit 220 may be uniform.

예컨대, 파장 변환부(210)의 상부면 상에 위치하는 광 확산부(220)의 제1 부분의 두께(T1)는 파장 변환부(210)의 측면 상에 위치하는 광 확산부(220)의 제2 부분의 두께(T2)와 동일할 수 있다(T1=T2). 광 확산부(220)의 제1 부분의 두께(T1)와 제2 부분의 두께(T2)가 동일하기 때문에, 실시 예는 색균일도를 향상시킬 수 있다.For example, the thickness T1 of the first portion of the light diffusion unit 220 located on the upper surface of the wavelength conversion unit 210 is the thickness T1 of the light diffusion unit 220 located on the side surface of the wavelength conversion unit 210 It may be the same as the thickness T2 of the second portion (T1=T2). Since the thickness T1 of the first portion and the thickness T2 of the second portion of the light diffusion unit 220 are the same, the embodiment may improve color uniformity.

제1 부분의 두께(T1) 및 제2 부분의 두께(T2)는 80㎛ ~ 150㎛일 수 있다. The thickness T1 of the first portion and the thickness T2 of the second portion may be 80 μm to 150 μm.

제1 부분의 두께(T1) 및 제2 부분의 두께(T2)가 80㎛ 미만일 경우에는 공정상 균일한 두께로 광 확산부(220)를 형성하기 어렵다. 또한 제1 부분의 두께(T1) 및 제2 부분의 두께(T2)가 150㎛ 초과할 경우에는 광속이 감소할 수 있다.When the thickness T1 of the first portion and the thickness T2 of the second portion are less than 80 μm, it is difficult to form the light diffusion unit 220 with a uniform thickness in the process. In addition, when the thickness T1 of the first portion and the thickness T2 of the second portion exceed 150 μm, the luminous flux may decrease.

다른 실시 예에서는 파장 변환부(210)의 상부면 상에 위치하는 광 확산부(220)의 제1 부분의 두께(T1)는 파장 변환부(210)의 측면 상에 위치하는 광 확산부(220)의 제2 부분의 두께(T2)와 다를 수 있다(T1≠T2).In another embodiment, the thickness T1 of the first portion of the light diffusion unit 220 disposed on the upper surface of the wavelength conversion unit 210 is the light diffusion unit 220 disposed on the side surface of the wavelength conversion unit 210 It may be different from the thickness T2 of the second portion of) (T1≠T2).

예컨대, 광 확산부(220)의 제1 부분의 두께(T1)는 광 확산부(220)의 제2 부분의 두께(T2)보다 두꺼울 수 있다(T1>T2). 광 확산부(220)의 제1 부분의 두께(T1)가 광 확산부(220)의 제2 부분의 두께(T2)보다 두꺼울 경우, 지향각을 향상시킬 수 있다.For example, the thickness T1 of the first portion of the light diffusion unit 220 may be thicker than the thickness T2 of the second portion of the light diffusion unit 220 (T1>T2). When the thickness T1 of the first portion of the light diffusion unit 220 is thicker than the thickness T2 of the second portion of the light diffusion unit 220, the directivity angle may be improved.

도 9에 도시된 바와 같이, 파장 변환부(210) 및 광 확산부(220) 각각은 발광 칩(110)의 상면, 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)을 노출할 수 있다.As shown in FIG. 9, each of the wavelength conversion unit 210 and the light diffusion unit 220 may expose the upper surface of the light emitting chip 110, the first electrode 442 and the second electrode 444.

렌즈(230)는 광 확산부(220)의 상부면(220b) 상에 배치되며, 광 확산부(220)로부터 출사되는 빛을 굴절시킨다.The lens 230 is disposed on the upper surface 220b of the light diffusion unit 220 and refracts light emitted from the light diffusion unit 220.

도 8에 도시된 렌즈(230)의 형상은 육면체(예컨대, 정육면체)이나, 이에 한정되는 것은 아니며, 돔형, 또는 원통형일 수 있다.The shape of the lens 230 shown in FIG. 8 is a hexahedron (eg, a regular hexahedron), but is not limited thereto, and may be a dome shape or a cylindrical shape.

렌즈(230)는 무색 투명한 고분자 물질, 예컨대, 수지일 수 있으며, 파장 변환층(120)의 수지와 동일한 재질일 수 있다.The lens 230 may be a colorless transparent polymer material, such as a resin, and may be the same material as the resin of the wavelength conversion layer 120.

균일한 배광을 위하여 렌즈(230)의 중심, 광 확산부(220)의 중심, 및 파장 변환부(210)의 중심은 수직 방향으로 서로 정렬될 수 있다. 예컨대, 렌즈(230)의 중심, 광 확산부(220)의 중심, 및 파장 변환부(210)의 중심은 제2 기준선(502)에 정렬될 수 있으며, 제2 기준선(502)은 렌즈(230)의 중심, 광 확산부(220)의 중심, 및 파장 변환부(210)의 중심을 지나고 렌즈(230), 광 확산부(220), 및 파장 변환부(210) 각각의 상부면과 수직일 수 있다.For uniform light distribution, the center of the lens 230, the center of the light diffusion unit 220, and the center of the wavelength converter 210 may be aligned with each other in a vertical direction. For example, the center of the lens 230, the center of the light diffusion unit 220, and the center of the wavelength converter 210 may be aligned with the second reference line 502, and the second reference line 502 is the lens 230 ), passing through the center of the light diffusion unit 220, and the center of the wavelength conversion unit 210 and perpendicular to the upper surface of each of the lens 230, the light diffusion unit 220, and the wavelength conversion unit 210 I can.

렌즈(230)의 측면(230a)과 광 확산부(220)의 측면(220a)은 수평 방향으로 단차(P2)가 존재할 수 있다. 여기서 수평 방향은 발광 칩(110)의 하면과 평행한 방향일 수 있다.The side surface 230a of the lens 230 and the side surface 220a of the light diffusion unit 220 may have a step P2 in the horizontal direction. Here, the horizontal direction may be a direction parallel to the lower surface of the light emitting chip 110.

렌즈(230)의 측면(230a)은 광 확산부(220)의 측면(220a)으로부터 수평 방향으로 단차(P2)를 가질 수 있다. 예컨대, 렌즈(230)의 측면(230a)은 광 확산부(220)의 측면(220a)으로부터 수평 방향으로 단차(P2)만큼 이격하여 위치할 수 있다.The side surface 230a of the lens 230 may have a step P2 in the horizontal direction from the side surface 220a of the light diffusion unit 220. For example, the side surface 230a of the lens 230 may be positioned horizontally apart from the side surface 220a of the light diffusion unit 220 by a step P2.

렌즈(230)의 폭(D3)은 광 확산부(220)의 폭(D4)보다 작을 수 있다(D3<D4).The width D3 of the lens 230 may be smaller than the width D4 of the light diffusion unit 220 (D3<D4).

렌즈(230)의 측면(230a)과 광 확산부(220)의 측면(220a)은 수평 방향으로 단차(P2)가 존재하기 때문에, 단차가 없는 경우와 비교할 때 실시 예는 지향각을 향상시킬 수 있다.Since the side surface 230a of the lens 230 and the side surface 220a of the light diffusion unit 220 have a step P2 in the horizontal direction, the embodiment can improve the beam angle compared to the case where there is no step difference. have.

도 11a 내지 도 11e는 도 7에 도시된 발광 소자 패키지(200)의 제조 방법을 나타낸다.11A to 11E illustrate a method of manufacturing the light emitting device package 200 shown in FIG. 7.

도 11a를 참조하면, 도 4에 도시된 제1 전극(442) 및 제2 전극(444)이 보드(610)의 상부면에 대향하도록 보드(610) 상에 발광 칩들(110-1 내지 110-m, m>1인 자연수)을 서로 이격하여 배열시킨다.Referring to FIG. 11A, light emitting chips 110-1 to 110-on the board 610 so that the first electrode 442 and the second electrode 444 shown in FIG. 4 face the upper surface of the board 610. m, m>1) are arranged apart from each other.

도 11b를 참조하면, 파장 변환부(210)를 형성하기 위한 몰딩 물질(620)을 발광 칩들(110-1 내지 110-m, m>1인 자연수)이 배열된 보드(610)의 상부면 상에 도포하고, 프레임(frame, 예컨대, 금형)을 이용하여 몰딩 물질(620)을 압착하여 파장 변환부(210)을 형성한다.Referring to FIG. 11B, a molding material 620 for forming the wavelength converter 210 is formed on the top surface of the board 610 in which the light emitting chips 110-1 to 110-m, m>1 are arranged. And compressing the molding material 620 using a frame (eg, a mold) to form the wavelength conversion unit 210.

도 11c를 참조하면, 파장 변환부(210)가 형성된 보드(610) 상에 광 확산부(220)를 형성하기 위한 몰딩 물질(710)을 도포하고, 프레임을 이용하여 몰딩 물질(710)을 압착하여 광 확산부(220)를 형성한다.Referring to FIG. 11C, a molding material 710 for forming the light diffusion unit 220 is applied on the board 610 on which the wavelength conversion unit 210 is formed, and the molding material 710 is compressed using a frame. Thus, the light diffusion unit 220 is formed.

도 11d를 참조하면, 절단(sawing) 공정을 통하여 도 11c의 결과물을 단위 발광 소자 패키지로 구분한다.Referring to FIG. 11D, the resultant of FIG. 11C is divided into unit light emitting device packages through a sawing process.

도 11e를 참조하면, 광 확산부(220) 상에 렌즈(230)를 형성한다.Referring to FIG. 11E, a lens 230 is formed on the light diffusion unit 220.

디스펜싱(dispensing) 방식에 의하여 파장 변환부(210), 및 광 확산부(220)를 형성하는 것이 아니라, 실시 예는 금형을 이용하는 압착 성형 방식을 이용하여 파장 변환부(210), 및 광 확산부(220)를 형성하기 때문에 오차가 적은 치수를 갖는 파장 변환부와 광 확산부를 구현할 수 있고, 이로 인하여 색균일도를 향상시킬 수 있다.Instead of forming the wavelength conversion unit 210 and the light diffusion unit 220 by a dispensing method, the embodiment is a wavelength conversion unit 210 and light diffusion using a compression molding method using a mold. Since the portion 220 is formed, a wavelength converting unit and a light diffusion unit having a dimension with little error can be implemented, and thus color uniformity can be improved.

도 12는 실시 예에 따른 발광 모듈(300)의 단면도를 나타낸다.12 is a cross-sectional view of the light emitting module 300 according to the embodiment.

도 12를 참조하면, 발광 모듈(300)은 기판(601), 및 발광 소자 패키지들(10-1 내지 10-4)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12, the light emitting module 300 may include a substrate 601 and light emitting device packages 10-1 to 10-4.

기판(601)은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)으로 구현될 수 있으며, 발광 소자 패키지들 각각의 발광 칩이 플립 칩 본딩될 수 있는 다양한 형태로 구현될 수 있다.The substrate 601 may be implemented as a printed circuit board, and may be implemented in various forms in which light emitting chips of each of the light emitting device packages can be flip chip bonded.

발광 소자 패키지들(10-1 내지 10-4) 각각은 도 1에 도시된 실시 예(100)일 수 있으며, 발광 소자 패키지들의 수는 2개 이상일 수 있다.Each of the light emitting device packages 10-1 to 10-4 may be the embodiment 100 shown in FIG. 1, and the number of light emitting device packages may be two or more.

기판(601)은 전기적으로 서로 분리되는 제1 도전층 및 제2 도전층을 포함할 수 있으며, 발광 소자 패키지들(10-1 내지 10-4) 각각의 발광 칩(110)의 제1 전극(442)은 제1 도전층과 본딩될 수 있고, 제2 전극(444)은 제2 도전층과 본딩될 수 있다.The substrate 601 may include a first conductive layer and a second conductive layer that are electrically separated from each other, and the first electrode of the light emitting chip 110 of each of the light emitting device packages 10-1 to 10-4 ( The 442 may be bonded to the first conductive layer, and the second electrode 444 may be bonded to the second conductive layer.

도 13은 다른 실시 예에 따른 발광 모듈(400)의 단면도를 나타낸다.13 is a cross-sectional view of a light emitting module 400 according to another embodiment.

도 13을 참조하면, 발광 모듈(400)은 기판(601), 및 발광 소자 패키지들(20-1 내지 20-4)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13, the light emitting module 400 may include a substrate 601 and light emitting device packages 20-1 to 20-4.

기판(601)은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)으로 구현될 수 있으며, 발광 소자 패키지들 각각의 발광 칩이 플립 칩 본딩될 수 있는 다양한 형태로 구현될 수 있다.The substrate 601 may be implemented as a printed circuit board, and may be implemented in various forms in which light emitting chips of each of the light emitting device packages can be flip chip bonded.

발광 소자 패키지들(10-1 내지 10-4) 각각은 도 7에 도시된 실시 예(200)일 수 있으며, 발광 소자 패키지들의 수는 2개 이상일 수 있다.Each of the light emitting device packages 10-1 to 10-4 may be the embodiment 200 shown in FIG. 7, and the number of light emitting device packages may be two or more.

도 16은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.16 illustrates a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 16을 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 16, the lighting device may include a cover 1100, a light source module 1200, a radiator 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include one or more of the member 1300 and the holder 1500.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may have a shape with a hollow and an open portion. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the radiator 1400. The cover 1100 may have a coupling portion that is coupled to the radiator 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 1100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is to sufficiently scatter and diffuse light from the light source module 1200 to emit it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, but is not limited thereto and may be opaque. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다. 광원부(1210)는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지들(100,200) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the radiator 1400, and heat generated from the light source module 1200 may be conducted to the radiator 1400. The light source module 1200 may include a light source unit 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250. The light source unit 1210 may include any one of the light emitting device packages 100 and 200 according to the embodiment.

부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.The member 1300 may be disposed on the upper surface of the radiator 1400 and has a plurality of light source units 1210 and a guide groove 1310 into which the connector 1250 is inserted. The guide groove 1310 may correspond to or be aligned with the substrate and the connector 1250 of the light source unit 1210.

부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflective material.

예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 may reflect light reflected on the inner surface of the cover 1100 and returning toward the light source module 1200 back toward the cover 1100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 1400 and the connection plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 1230 and the radiator 1400. The radiator 1400 may receive heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to radiate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.The holder 1500 blocks the receiving groove 1719 of the insulating part 1710 of the inner case 1700. Accordingly, the power supply unit 1600 accommodated in the insulating unit 1710 of the inner case 1700 may be sealed. The holder 1500 may have a guide protrusion 1510, and the guide protrusion 1510 may have a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 1200. The power supply unit 1600 may be accommodated in the storage groove 1919 of the inner case 1700, and may be sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension 1670.

가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 1630 may have a shape protruding from one side of the base 1650 to the outside. The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500. A number of parts may be disposed on one surface of the base 1650. A number of components include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source into a DC power source, a driving chip that controls the driving of the light source module 1200, and an electrostatic device (ESD) for protecting the light source module 1200. discharge) protection element, etc., but is not limited thereto.

연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 1670 may have a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension part 1670 may be inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and may receive an electrical signal from the outside. For example, the extension part 1670 may be the same as or less than the width of the connection part 1750 of the inner case 1700. Each end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the extension part 1670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the socket 1800. .

내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding unit together with a power supply unit 1600 therein. The molding portion is a portion in which the molding liquid is solidified, and allows the power supply unit 1600 to be fixed inside the inner case 1700.

도 17은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.17 illustrates a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.

도 17을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Referring to FIG. 17, the display device 800 includes a bottom cover 810, a reflector 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 emitting light, and a reflecting plate 820. ) And an optical sheet including a light guide plate 840 which is disposed in front of the light emitting module 830 and 835 and guides the light emitted from the light emitting module 830 and 835 to the front of the display device, and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840, A display panel 870 disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870, and disposed in front of the display panel 870 A color filter 880 may be included. Here, the bottom cover 810, the reflector 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 상술한 실시 예들(100,200) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module may include light emitting device packages 835 mounted on the substrate 830. Here, the substrate 830 may be a PCB or the like. The light emitting device package 835 may be any one of the above-described embodiments 100 and 200.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may accommodate components in the display device 800. In addition, the reflective plate 820 may be provided as a separate component as shown in the drawing, and may be provided in a form coated with a material having high reflectivity on the rear surface of the light guide plate 840 or the front surface of the bottom cover 810. .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflective plate 820 may be made of a material that has high reflectivity and is ultra-thin, and may be made of polyethylene terephtalate (PET).

그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.In addition, the light guide plate 830 may be formed of polymethylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PolyEthylene; PE).

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.In addition, the first prism sheet 850 may be formed of a light-transmitting and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be repeatedly provided in a stripe type with floors and valleys as shown.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In addition, in the second prism sheet 860, the directions of the ridges and valleys on one surface of the support film may be perpendicular to the direction of the ridges and valleys on one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to evenly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 1870.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Further, although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of polyester and polycarbonate-based materials, and the light projection angle may be maximized through refraction and scattering of light incident from the backlight unit. In addition, the diffusion sheet includes a support layer containing a light diffusing agent, a first layer and a second layer formed on the light exit surface (in the direction of the first prism sheet) and the light incidence surface (in the direction of the reflection sheet) and do not contain a light diffusing agent. It may include.

실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850, and the second prism sheet 860 form an optical sheet, and the optical sheet is formed of a different combination, for example, a micro lens array, or a diffusion sheet and a micro lens array. Or a combination of a single prism sheet and a micro lens array.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.The display panel 870 may include a liquid crystal display. In addition to the liquid crystal display panel 860, other types of display devices requiring a light source may be provided.

도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 18을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.18 illustrates a head lamp 900 including a light emitting device package according to an embodiment. Referring to FIG. 18, the head lamp 900 includes a light emitting module 901, a reflector 902, a shade 903, and a lens 904.

발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 상술한 실시 예들(100,200) 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module 901 may include a plurality of light emitting device packages (not shown) disposed on a substrate (not shown). In this case, the light emitting device package may be any one of the above-described embodiments 100 and 200.

리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.The reflector 902 reflects the light 911 irradiated from the light emitting module 901 in a predetermined direction, for example, forward 912.

쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.The shade 903 is disposed between the reflector 902 and the lens 904, and is reflected by the reflector 902 to block or reflect a part of the light directed to the lens 904 to form a light distribution pattern desired by the designer. As an example, one side portion 903-1 and the other side portion 903-2 of the shade 903 may have different heights.

발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.The light irradiated from the light emitting module 901 may be reflected by the reflector 902 and the shade 903 and then transmitted through the lens 904 to face the vehicle body. The lens 904 may refract light reflected by the reflector 902 forward.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 발광 칩 120,210: 파장 변환층
220: 광 확산층 230: 렌즈
410: 기판 420: 발광 구조물
430: 전도층 442: 제1 전극
444: 제2 전극 450: 절연층.110: light emitting chip 120,210: wavelength conversion layer
220: light diffusion layer 230: lens
410: substrate 420: light emitting structure
430: conductive layer 442: first electrode
444: second electrode 450: insulating layer.

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판, 상기 기판 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 칩;
상기 발광 칩의 측면과 하면 상에 배치되며, 상기 발광 칩의 상면, 상기 제1 전극, 및 상기 제2 전극을 노출하는 파장 변환부;
상기 파장 변환부의 측면 및 상부면 상에 배치되는 광 확산부; 및
상기 광 확산부의 상부면 상에 배치되는 렌즈를 포함하며,
상기 파장 변환부의 상부면 상에 위치하는 상기 광 확산부의 제1 부분의 제1 두께는 상기 파장 변환부의 측면 상에 위치하는 상기 광 확산부의 제2 부분의 제2 두께와 동일하고,
상기 파장 변환부의 상부면은 단차를 갖지 않는 편평한 구조이고,
상기 렌즈의 폭은 상기 광 확산부의 폭보다 작고,
상기 렌즈의 측면은 상기 광 확산부의 제2 부분의 측면으로부터 수평 방향으로 단차를 갖는 발광 소자 패키지.A light emitting chip including a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate, and first and second electrodes disposed on the light emitting structure;
A wavelength converter disposed on side surfaces and lower surfaces of the light emitting chip and exposing the upper surface, the first electrode, and the second electrode of the light emitting chip;
A light diffusion unit disposed on a side surface and an upper surface of the wavelength conversion unit; And
And a lens disposed on the upper surface of the light diffusion unit,
The first thickness of the first portion of the light diffusion unit positioned on the upper surface of the wavelength conversion unit is the same as the second thickness of the second portion of the light diffusion unit positioned on the side surface of the wavelength conversion unit,
The upper surface of the wavelength converter is a flat structure that does not have a step difference,
The width of the lens is smaller than the width of the light diffusion part,
A light emitting device package having a side surface of the lens having a step in a horizontal direction from a side surface of the second portion of the light diffusion unit. 제9항에 있어서,
상기 광 확산부는 투광성이고 수지와 필러(filler)가 혼합된 형태인 발광 소자 패키지.The method of claim 9,
The light diffusion unit is a light-emitting device package having a light-transmitting portion and a mixture of a resin and a filler. 제10항에 있어서,
상기 필러는 SiO2, Al2O3, Y2O3,BaSO4, TiO2, BN 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 렌즈는 수지 재질인 발광 소자 패키지.The method of claim 10,
The filler includes at least one selected from SiO 2 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , BaSO 4 , TiO 2 , and BN, and the lens is a light emitting device package made of a resin material. 삭제delete 제9항에 있어서,
상기 파장 변환부의 중심, 상기 광 확산부의 중심, 및 상기 렌즈의 중심은 수직 방향으로 서로 정렬되며, 상기 수직 방향은 상기 기판의 하면과 수직인 방향인 발광 소자 패키지.The method of claim 9,
The center of the wavelength conversion unit, the center of the light diffusion unit, and the center of the lens are aligned with each other in a vertical direction, and the vertical direction is a direction perpendicular to a lower surface of the substrate. 제9항, 제10항, 제11항, 또는 제13항에 있어서,
상기 광 확산부의 제1 부분의 제1 두께 및 제2 부분의 제2 두께는 80㎛ ~ 150㎛인 발광 소자 패키지.The method of claim 9, 10, 11, or 13,
A light emitting device package having a first thickness of a first portion of the light diffusion part and a second thickness of a second portion of 80 μm to 150 μm.
KR1020140064921A 2014-05-29 2014-05-29 A light emitting device package KR102145918B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140064921A KR102145918B1 (en) 2014-05-29 2014-05-29 A light emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140064921A KR102145918B1 (en) 2014-05-29 2014-05-29 A light emitting device package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150137298A KR20150137298A (en) 2015-12-09
KR102145918B1 true KR102145918B1 (en) 2020-08-19

Family

ID=54873250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140064921A KR102145918B1 (en) 2014-05-29 2014-05-29 A light emitting device package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102145918B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950762B2 (en) 2017-04-13 2021-03-16 Lightizer Co., Ltd Round chip scale package and manufacturing method therefor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042749A (en) * 2005-08-01 2007-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light emitting device, indicating device and lighting device using the light emitting device, and method of manufacturing the light emitting device
JP2007080860A (en) 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device
JP2007311674A (en) * 2006-05-22 2007-11-29 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2013012516A (en) 2011-06-28 2013-01-17 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2013519907A (en) 2010-02-12 2013-05-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Optoelectronic semiconductor devices, lighting devices and lenses
JP2013115360A (en) 2011-11-30 2013-06-10 Seiko Epson Corp Light irradiation device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101896687B1 (en) * 2012-01-31 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
KR20130104975A (en) * 2012-03-16 2013-09-25 삼성전자주식회사 Light emitting device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042749A (en) * 2005-08-01 2007-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light emitting device, indicating device and lighting device using the light emitting device, and method of manufacturing the light emitting device
JP2007080860A (en) 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device
JP2007311674A (en) * 2006-05-22 2007-11-29 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light-emitting device
JP2013519907A (en) 2010-02-12 2013-05-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Optoelectronic semiconductor devices, lighting devices and lenses
JP2013012516A (en) 2011-06-28 2013-01-17 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2013115360A (en) 2011-11-30 2013-06-10 Seiko Epson Corp Light irradiation device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150137298A (en) 2015-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102301869B1 (en) A light emitting device package
KR101850431B1 (en) Light emitting module, and illumination system
US9620691B2 (en) Light emitting device package
KR102024291B1 (en) Lamp unit and vehicle lamp apparatus for using the same
JP2014096591A (en) Light-emitting element
JP6516995B2 (en) Light emitting device, light emitting device package including the same, and lighting apparatus including the package
KR102279212B1 (en) A light emitting device package
KR102066620B1 (en) A light emitting device
JP2015012287A (en) Light-emitting element package
KR102114935B1 (en) Light emitting device module
KR102145918B1 (en) A light emitting device package
KR102346156B1 (en) Light emitting device package
KR102140273B1 (en) Light emitting device and light emitting device package including the same
KR102080779B1 (en) A light emitting device
KR20160014968A (en) A light emitting device package
KR102076240B1 (en) Light Emitting Device
KR102346157B1 (en) Light emitting device package
KR102209037B1 (en) A light emitting device
KR20140078250A (en) Light emitting device, method for fabricating the same, and lighting system
KR102034714B1 (en) A light emitting device
KR101977279B1 (en) Light Emitting Diode Package
KR101983779B1 (en) A light emitting device package
KR20110115320A (en) Light emitting device package, method for fabricating the same and lighting system including the same
KR102156376B1 (en) A light emitting device
KR102156375B1 (en) A light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant