KR20160107942A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20160107942A
KR20160107942A KR1020150031567A KR20150031567A KR20160107942A KR 20160107942 A KR20160107942 A KR 20160107942A KR 1020150031567 A KR1020150031567 A KR 1020150031567A KR 20150031567 A KR20150031567 A KR 20150031567A KR 20160107942 A KR20160107942 A KR 20160107942A
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이수민
김명정
박귀연
이유원
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

Provided is a light emitting device package which can prevent a crack, and can emit uniform light. The lighting emitting device package of an embodiment of the present invention comprises: a light emitting device for emitting light; a first molding member arranged on an upper part of the light emitting device, and including a first phosphor; and a second molding member arranged on a side part of the light emitting device, and including a second phosphor different from the first phosphor.

Description

발광 소자 패키지{Light emitting device package}A light emitting device package

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert the electricity into infrared rays or light by using the characteristics of compound semiconductors, exchange signals, or use as a light source.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Due to their physical and chemical properties, group III-V nitride semiconductors (III-V nitride semiconductors) are widely recognized as core materials for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) have.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다. 이러한 발광 다이오드를 포함하는 기존의 발광 소자 패키지의 신뢰성을 개선시키기 위한 다각도의 연구가 진행되고 있다.Since such a light emitting diode does not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in conventional lighting devices such as incandescent lamps and fluorescent lamps, it has excellent environmental friendliness, and has advantages such as long life and low power consumption characteristics. . Various studies have been conducted to improve the reliability of a conventional light emitting device package including such a light emitting diode.

기존의 발광 소자 패키지의 경우 측면으로 블루 광이 새어나갈 수 있으며, 광의 색 균일도의 개선이 요구된다.In the case of the conventional light emitting device package, blue light can leak out to the side, and improvement of color uniformity of light is required.

실시 예는 크랙이 발생하지 않고 균일성이 확보된 광을 방출할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of emitting light with uniformity without causing cracks.

실시 예에 의한 발광 소자 패키지는, 광을 방출하는 발광 소자; 상기 발광 소자의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함하는 제1 몰딩 부재; 및 상기 발광 소자의 측부에 배치되며, 상기 제1 형광체와 다른 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 제2 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 측부를 감싸도록 배치될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a light emitting element that emits light; A first molding member disposed on the light emitting device, the first molding member including a first phosphor; And a second molding member disposed on a side of the light emitting device, the second molding member including a second phosphor different from the first phosphor. The second molding member may be disposed to surround the side of the light emitting device.

예를 들어, 상기 제2 몰딩 부재는 확산제를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 몰딩 부재는 충전제를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 몰딩 부재는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N(여기서, N은 2이상의 양의 정수) 형광체를 각각 포함하는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 나란한 방향으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부는 서로 다른 농도를 가질 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 다를 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 직교하는 방향에 대해 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%일 수 있다.For example, the second molding member may further include a diffusing agent. In addition, the second molding member may further include a filler. The second molding member may include second sub first through second sub N th molding members each including second sub first through second sub N th (where N is a positive integer of 2 or more) phosphors have. The second sub first through second sub N th molding members may be disposed in a superimposed manner in a direction parallel to the thickness direction of the light emitting device. At least some of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials may have different concentrations. At least some kinds of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials may be different from each other. The second sub first through second sub N th molding members may be inclined with respect to a direction orthogonal to the thickness direction of the light emitting device. The concentration of at least one of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials may be 10% to 50%.

예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 발광 소자의 하부에 배치되며, 제3 형광체를 포함하는 제3 몰딩 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%일 수 있다. 상기 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 2개의 종류는 서로 다를 수 있다. 상기 제3 몰딩 부재는 레진을 포함할 수 있다. 상기 제3 몰딩 부재의 강성은 상기 제1 및 제2 몰딩 부재 각각의 강성보다 더 클 수 있다.For example, the light emitting device package may further include a third molding member disposed below the light emitting device and including a third phosphor. The concentration of at least one of the first, second, and third phosphors may be 10% to 50%. At least two kinds of the first, second, and third phosphors may be different from each other. The third molding member may comprise a resin. The rigidity of the third molding member may be greater than the rigidity of each of the first and second molding members.

예를 들어, 상기 발광 소자는 상기 제1 몰딩 부재의 아래에 배치된 기판; 상기 기판 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층; 상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층에 연결된 제1 전극부; 및 상기 제2 도전형 반도체층에 연결된 제2 전극부를 포함하고, 상기 제3 몰딩 부재는 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 배치될 수 있다.For example, the light emitting device may include a substrate disposed below the first molding member; A first conductive semiconductor layer disposed under the substrate; An active layer disposed below the first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer disposed under the active layer; A first electrode connected to the first conductive semiconductor layer; And a second electrode portion connected to the second conductive type semiconductor layer, and the third molding member may be disposed between the first electrode portion and the second electrode portion.

예를 들어, 상기 발광 소자는 상기 측부보다 상기 상부로 더 많은 광을 방출할 수 있으며, 상기 제1 형광체의 농도는 상기 제2 형광체의 농도보다 클 수 있다. 상기 제2 몰딩 부재의 두께는 10 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있다.For example, the light emitting element may emit more light to the upper portion than the side portion, and the concentration of the first phosphor may be larger than that of the second phosphor. The thickness of the second molding member may be between 10 μm and 150 μm.

예를 들어, 상기 발광 소자는 상기 상부보다 상기 측부로 더 많은 광을 방출할 수 있으며, 상기 제2 형광체의 농도는 상기 제1 형광체의 농도보다 클 수 있다.For example, the light emitting device may emit more light to the side than the top, and the concentration of the second phosphor may be greater than the concentration of the first phosphor.

예를 들어, 상기 제1 몰딩 부재의 제1 두께는 상기 제2 몰딩 부재의 제2 두께보다 더 두꺼울 수 있다. 상기 제1 몰딩 부재는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌크 형태를 갖고, 상기 제2 몰딩 부재는 디스펜싱 형태를 가질 수 있다.For example, the first thickness of the first molding member may be thicker than the second thickness of the second molding member. The first molding member may have a film shape, a plate shape, or a bulk shape, and the second molding member may have a dispensing shape.

예를 들어, 상기 제1 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 상부에 배치된 제1 서브 제1 몰딩부; 및 상기 제1 서브 제1 몰딩부로부터 연장되어 상기 제2 몰딩 부재 위에 배치된 제1 서브 제2 몰딩부를 포함할 수 있다.For example, the first molding member may include a first sub first molding portion disposed on the upper portion of the light emitting device; And a first sub second molding part extending from the first sub first molding part and disposed on the second molding member.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자의 아래에 제3 몰딩 부재를 배치함으로써 크랙의 발생을 방지할 수 있고, 발광 소자의 측부 방향으로 블루 빛이 새어나감을 방지할 수 있고, 원하는 파장 대역을 갖는 광을 발광 소자의 측부 방향으로 출사시켜 광속을 향상시키고, 방출 광의 색의 균일성을 확보할 수 있고, 제2 몰딩 부재에 충전제 등을 포함시켜 더욱 개선된 강성을 가지며 확산제를 제2 몰딩 부재에 포함시켜 광의 확산 기능을 개선시킬 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can prevent the occurrence of cracks by disposing the third molding member under the light emitting device and can prevent the blue light from leaking in the side direction of the light emitting device, The light emitted from the second molding member is emitted toward the side of the light emitting element to improve the luminous flux and to ensure uniformity of color of the emitted light and to provide the second molding member with a further improved rigidity by including a filler, So that the light diffusion function can be improved.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지를 I-I' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 3은 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 4는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 7은 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 8은 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 9는 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along line II 'of the light emitting device package shown in FIG.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
5A to 5D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device package shown in FIG.
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
7 is a cross-sectional view of the light emitting device package according to the first comparative example.
8 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second comparative example.
9 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third comparative example.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed on the "upper" or "on or under" of each element, on or under includes both elements being directly contacted with each other or one or more other elements being indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on" or "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "first" and "second," "upper / upper / upper," and "lower / lower / lower" But may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element, without necessarily requiring or implying an order.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)는 데카르트 좌표계를 이용하여 설명되지만, 다른 좌표계를 이용하여 설명될 수 있음은 물론이다. 데카르트 좌표계에서, 각 도면에 도시된 x축과, y축과, z축은 서로 직교한다.Although the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiments are described using a Cartesian coordinate system, they may be described using other coordinate systems. In the Cartesian coordinate system, the x-axis, the y-axis and the z-axis shown in each figure are orthogonal to each other.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)를 I-I' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package 100A according to one embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line I-I 'of the light emitting device package 100A shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)는 발광 소자(또는, 발광 소자 칩)(110), 제1 몰딩 부재(120) 및 제2 몰딩 부재(130)를 포함할 수 있다.1 and 2, a light emitting device package 100A according to an embodiment includes a light emitting device (or a light emitting device chip) 110, a first molding member 120, and a second molding member 130 .

발광 소자(110)는 광을 방출한다. 발광 소자(110)는 상면 발광형(top view type) 발광 다이오드를 포함할 수도 있고, 측면 발광형(side view type) 발광 다이오드를 포함할 수도 있다. 또한, 발광 소자(110)는 발광 다이오드 칩(LED chip)일 수 있으며, 발광 다이오드 칩은 블루 LED 칩 또는 자외선 LED 칩으로 구성되거나 또는 레드 LED 칩, 그린 LED 칩, 블루 LED 칩, 엘로우 그린(Yellow green) LED 칩, 화이트 LED 칩 중에서 적어도 하나 또는 그 이상을 조합한 패키지 형태로 구성될 수도 있다.The light emitting element 110 emits light. The light emitting device 110 may include a top view type light emitting diode or a side view type light emitting diode. The light emitting diode 110 may be a LED chip or a blue LED chip or an ultraviolet LED chip or may be a red LED chip, a green LED chip, a blue LED chip, an yellow green green LED chips, and white LED chips.

제1 몰딩 부재(120)는 발광 소자(110)의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함한다. 예를 들어, 제1 몰딩 부재(120)는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌크 형태를 가질 수 있으나, 실시 예는 제1 몰딩 부재(120)의 특정한 형태에 국한되지 않는다. 제1 몰딩 부재(120)는 레진 등으로 구현될 수 있다.The first molding member 120 is disposed on the light emitting device 110 and includes a first phosphor. For example, the first molding member 120 may have a film shape, a plate shape, or a bulk shape, but embodiments are not limited to any particular shape of the first molding member 120. The first molding member 120 may be made of resin or the like.

제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)의 측부에 배치되며, 제2 형광체를 포함할 수 있다. 제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)의 측부를 감싸도록 배치될 수 있다. The second molding member 130 is disposed on the side of the light emitting device 110 and may include a second phosphor. The second molding member 130 may be disposed to surround the side of the light emitting device 110.

예를 들어, 제2 몰딩 부재(130)는 디스펜싱(dispensing) 형태를 가질 수 있으나, 실시 예는 제2 몰딩 부재(130)의 특정한 형태에 국한되지 않는다. 여기서, 디스펜싱 형태에 대해서는 도 5a 내지 도 5d에 도시된 제조 공정에 대한 설명에서 자세히 살펴본다.For example, the second molding member 130 may have a dispensing shape, but the embodiment is not limited to a particular shape of the second molding member 130. Here, the dispensing shape will be described in detail in the description of the manufacturing process shown in Figs. 5A to 5D.

제2 몰딩 부재(120)는 레진 등으로 구현될 수 있다.The second molding member 120 may be made of resin or the like.

또한, 제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)로부터 방출되는 광을 확산시키기 위한 확산제를 더 포함할 수 있다. 제2 몰딩 부재(130)에 첨가될 수 있는 확산체로서, 실리콘 수지(silicon resin: 굴절율 1.43), 폴리아크릴레이트 (polyacrylate: 굴절율 1.49), 폴리우레탄(polyurethane: 굴절율 1.51), 폴리에틸렌(polyethylene: 굴절율 1.54), 폴리프로필렌(polypropylene: 굴절율 1.46), 나일론(Nylon: 굴절율 1.54), 폴리스티렌(polystyrene: 굴절율 1.59), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate: 굴절율 1.49), 폴리카보네이트(polycarbonate: 굴절율 1.59) 등의 호모 중합체나 이들의 단량체의 공중합체 등과 같은 유기계 광확산제와, 실리카(silica: 굴절율 1.47), 알루미나(alumina: 굴절율 1.50∼1.56), 글래스(glass: 굴절율 1.51), 탄산칼슘(CaCO3: 굴절율 1.51), 탈크(talc: 굴절율 1.56), 마이카(mica: 굴절율 1.56), 황산바륨(BaSO4: 굴절율 1.63), 산화아연(ZnO: 굴절율 2.03), 산화세슘(CeO2: 굴절율 2.15), 이산화티탄(TiO2: 굴절율 2.50∼2.71), 산화철(2.90) 등의 무기계 광확산제, 또는 이들의 임의의 혼합물을 들 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The second molding member 130 may further include a diffusing agent for diffusing light emitted from the light emitting device 110. As the diffuser to be added to the second molding member 130, a silicone resin (refractive index: 1.43), polyacrylate (refractive index: 1.49), polyurethane (refractive index: 1.51), polyethylene 1.54), polypropylene (refractive index 1.46), nylon (refractive index 1.54), polystyrene (refractive index 1.59), polymethylmethacrylate (refractive index 1.49), polycarbonate (Refractive index: 1.47), alumina (refractive index: 1.50 to 1.56), glass (refractive index: 1.51), calcium carbonate (CaCO 3 : refractive index: 1.45), and organic light diffusing agents such as a homopolymer or a copolymer of monomers thereof. (Refractive index: 1.55), mica (refractive index: 1.56), barium sulfate (BaSO 4 : refractive index: 1.63), zinc oxide (ZnO: refractive index: 2.03), cerium oxide (CeO 2 : refractive index: (TiO 2 : refractive index 2.50 to 2 . 71, iron oxide (2.90), or any mixture thereof, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 제2 몰딩 부재(130)의 강성을 개선시키기 위해, 제2 몰딩 부재(130)에 충전제(filler)를 포함시킬 수 있다. 제2 몰딩 부재(130)에 첨가될 수 있는 충전제는 불활성의 물질일 수도 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In order to improve the rigidity of the second molding member 130, a filler may be included in the second molding member 130. The filler that may be added to the second molding member 130 may be an inert material, but embodiments are not limited thereto.

만일, 발광 소자(110)가 측부보다 상부로 더 많은 광을 방출하는 상면 발광형일 경우, 제1 몰딩 부재(120)에 포함되는 제1 형광체의 농도는 제2 몰딩 부재(130)에 포함되는 제2 형광체의 농도보다 클 수 있다. 이 경우, 제2 몰딩 부재(130)의 제2 두께(T2)가 10 ㎛보다 작다면 제2 몰딩 부재(130)에 포함될 수 있는 제2 형광체의 량이 감소하여 제2 형광체의 빛 보강 효과를 기대할 수 없을 수 있고, 제2 두께(T2)가 150 ㎛보다 크다면 발광 소자(110)의 측면을 통해 방출되는 빛보다 제2 형광체의 량이 많아짐으로써 빛 보강 효과가 감소할 수 있다. 따라서, 제2 몰딩 부재(130)의 제2 두께(T2)는 10 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The concentration of the first fluorescent material contained in the first molding member 120 may be lower than the concentration of the first fluorescent material included in the second molding member 130. In the case of the top emission type in which the light emitting element 110 emits light more upward than the side, 2 phosphors. In this case, if the second thickness T2 of the second molding member 130 is less than 10 mu m, the amount of the second phosphor that can be included in the second molding member 130 is reduced, and the light-enhancing effect of the second phosphor is expected If the second thickness T2 is larger than 150 mu m, the amount of the second phosphor is larger than the light emitted through the side surface of the light emitting device 110, thereby reducing the light reinforcing effect. Thus, the second thickness T2 of the second molding member 130 may be between 10 m and 150 m, but the embodiment is not limited to this.

또는, 발광 소자(110)가 상부보다 측부로 더 많은 광을 방출하는 측면 발광형일 경우, 제2 몰딩 부재(130)에 포함되는 제2 형광체의 농도는 제1 몰딩 부재(120)에 포함되는 제1 형광체의 농도보다 클 수 있다.The concentration of the second fluorescent material contained in the second molding member 130 may be lower than the concentration of the second fluorescent material included in the first molding member 120. In this case, 1 phosphor.

또한, 제1 몰딩 부재(120)의 제1 두께(t1)는 제2 몰딩 부재(130)의 제2 두께(t2)보다 더 두꺼울 수 있다. 제1 몰딩 부재(120)는 제1 서브 제1 몰딩부(122) 및 제1 서브 제2 몰딩부(124)를 포함할 수 있다. 제1 서브 제1 몰딩부(122)는 발광 소자(110)의 상부에 배치되고, 제1 서브 제2 몰딩부(124)는 제1 서브 제1 몰딩부(122)로부터 연장되어 제2 몰딩 부재(130) 위에 배치될 수 있다. 또는 비록 도시되지는 않았지만, 제1 몰딩 부재(120)는 발광 소자(110)의 위에만 배치되고, 제2 몰딩 부재(130)는 발광 소자(110)의 측부에 배치된 제2 서브 제1 몰딩부 및 제2 서브 제1 몰딩부로부터 제1 몰딩 부재(120)의 측부까지 연장되어 배치된 제2 서브 제2 몰딩부를 포함할 수 있다.The first thickness t1 of the first molding member 120 may be thicker than the second thickness t2 of the second molding member 130. [ The first molding member 120 may include a first sub first molding part 122 and a first sub second molding part 124. The first sub first molding part 122 is disposed on the upper portion of the light emitting device 110 and the first sub second molding part 124 extends from the first sub first molding part 122, (Not shown). The first molding member 120 is disposed only on the light emitting device 110 and the second molding member 130 is disposed on the side of the light emitting device 110, And a second sub second molding section extending from the second sub first molding section to the side of the first molding member 120.

한편, 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지는 제3 몰딩 부재를 더 포함할 수 있다. 제3 몰딩 부재는 발광 소자(110)의 하부에 배치되며, 제3 형광체를 포함할 수 있다. 이하, 제3 몰딩 부재를 포함하는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지를 도 3을 예시로 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Meanwhile, the light emitting device package according to another embodiment may further include a third molding member. The third molding member is disposed below the light emitting device 110 and may include a third phosphor. Hereinafter, the light emitting device package according to another embodiment including the third molding member will be described with reference to FIG. 3 as an example, but the embodiment is not limited thereto.

도 3은 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 단면도를 나타낸다.3 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100B according to another embodiment.

도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100B)는 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120), 제2 몰딩 부재(130) 및 제3 몰딩 부재(140)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100B illustrated in FIG. 3 may include a light emitting device 110, a first molding member 120, a second molding member 130, and a third molding member 140.

발광 소자(110)는 기판(112), 발광 구조물(114), 제1 전극부(116) 및 제2 전극부(118)를 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 발광 소자(100A)는 도 3에 예시된 바와 같은 구조로 구현될 수 있다.The light emitting device 110 may include a substrate 112, a light emitting structure 114, a first electrode unit 116, and a second electrode unit 118. The light emitting device 100A shown in FIG. 2 may be implemented with a structure as illustrated in FIG.

기판(112)은 제1 몰딩 부재(120)의 아래에 배치될 수 있다. 기판(112)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(112)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시 예는 기판(112)의 물질에 국한되지 않는다.The substrate 112 may be disposed under the first molding member 120. The substrate 112 may comprise a conductive material or a non-conductive material. For example, the substrate 112 may comprise at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga 2 O 3 , GaAs and Si, ). ≪ / RTI >

발광 구조물(114)은 기판(112) 아래에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(114-1), 활성층(114-2) 및 제2 도전형 반도체층(114-3)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 114 may be disposed under the substrate 112 and may include a first conductive semiconductor layer 114-1, an active layer 114-2, and a second conductive semiconductor layer 114-3 .

제1 도전형 반도체층(114-1)은 기판(112) 아래에 배치될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114-1)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114-1)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductive semiconductor layer 114-1 may be disposed under the substrate 112. [ The first conductive semiconductor layer 114-1 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V or a group II-VI doped with a first conductive dopant. When the first conductivity type semiconductor layer 114-1 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as n-type dopants, but is not limited thereto.

예를 들어, 제1 도전형 반도체층(114-1)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(114-1)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 114-1 may be formed of Al x In y Ga (1-xy) N (0 x 1, 0 y 1, 0 x + y 1) And the like. The first conductive semiconductor layer 114-1 may include one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, .

활성층(114-2)은 제1 도전형 반도체층(114-1)과 제2 도전형 반도체층(114-3) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(114-2)은 제1 도전형 반도체층(114-1)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(114-3)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(114-2)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(114-2)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW:Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 114-2 may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 114-1 and the second conductivity type semiconductor layer 114-3. The active layer 114-2 is formed by injecting electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 114-1 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 114-3, And emits light having an energy determined by the energy band inherent to the material of the active layer 114-2. The active layer 114-2 may be a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure Or at least one of them may be formed.

활성층(114-2)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer / barrier layer of the active layer 114-2 is formed of any one or more pairs of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP But is not limited to. The well layer may be formed of a material having a band gap energy lower than the band gap energy of the barrier layer.

활성층(114-2)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(114-2)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 114-2. The conductive cladding layer may be formed of a semiconductor having a band gap energy higher than the band gap energy of the barrier layer of the active layer 114-2. For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, superlattice structure, or the like. Further, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

실시 예에 의하면, 활성층(114-2)은 자외선 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 자외선 파장 대역이란, 100 ㎚ 내지 400 ㎚의 파장 대역을 의미한다. 특히, 활성층(114-2)은 100 ㎚ 내지 280 ㎚ 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 그러나, 실시 예는 활성층(114-2)에서 방출되는 광의 파장 대역에 국한되지 않는다.According to the embodiment, the active layer 114-2 can emit light in the ultraviolet wavelength band. Here, the ultraviolet wavelength band means a wavelength band of 100 nm to 400 nm. In particular, the active layer 114-2 can emit light in a wavelength band of 100 nm to 280 nm. However, the embodiment is not limited to the wavelength band of the light emitted from the active layer 114-2.

제2 도전형 반도체층(114-3)은 활성층(114-2) 아래에 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114-3)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(114-3)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114-3)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(114-3)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 114-3 may be disposed under the active layer 114-2. The second conductivity type semiconductor layer 114-3 may be formed of a semiconductor compound and may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V or II-VI group. For example, the second conductivity type semiconductor layer 114-3 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . ≪ / RTI > The second conductive type semiconductor layer 114-3 may be doped with a second conductive type dopant. When the second conductivity type semiconductor layer 114-3 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

제1 도전형 반도체층(114-1)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(114-3)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(114-1)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(114-3)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.The first conductive semiconductor layer 114-1 may be an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 114-3 may be a p-type semiconductor layer. Alternatively, the first conductivity type semiconductor layer 114-1 may be a p-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 114-3 may be an n-type semiconductor layer.

발광 구조물(114)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.The light emitting structure 114 may be formed of any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 전극부(116)는 제1 도전형 반도체층(114-1) 아래에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(114-1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극부(118)는 제2 도전형 반도체층(114-3) 아래에 배치되며, 제2 도전형 반도체층(114-3)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode portion 116 is disposed under the first conductive semiconductor layer 114-1 and may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 114-1. The second electrode portion 118 may be disposed under the second conductive type semiconductor layer 114-3 and may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 114-3.

예를 들어, 제1 전극부(116)는 제1 전극(116-1) 및 제1 패드(116-2)를 포함할 수 있다. 제1 전극(116-1)은 메사 식각(mesa etching)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(114-1)과 제1 패드(116-2) 사이에 배치되고, 제1 패드(116-2)는 제1 전극(116-1) 아래에 배치된다. 제1 패드(116-2)는 제1 전극(116-1)을 통해 제1 도전형 반도체층(114-1)과 전기적으로 연결된다. 제1 전극(116-1)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행함으로써 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(116-1) 위 또는 아래에 배치될 수도 있다.For example, the first electrode unit 116 may include a first electrode 116-1 and a first pad 116-2. The first electrode 116-1 is disposed between the first conductive type semiconductor layer 114-1 and the first pad 116-2 exposed by mesa etching and the first pad 116- 2 are disposed under the first electrode 116-1. The first pad 116-2 is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 114-1 through the first electrode 116-1. The first electrode 116-1 may include an ohmic contact material and function as an ohmic layer so that a separate ohmic layer (not shown) may not be disposed, and a separate ohmic layer may be provided between the first electrode 116-1 ) Or above.

제2 전극부(118)는 제2 전극(118-1) 및 제2 패드(118-2)를 포함할 수 있다. 제2 전극(118-1)은 제2 도전형 반도체층(114-3)과 제2 패드(118-2) 사이에 배치되고, 제2 패드(118-2)는 제2 전극(118-1) 아래에 배치된다. 제2 전극(118-1)은 제2 도전형 반도체층(114-3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 패드(118-2)는 제2 전극(118-1)을 통해 제2 도전형 반도체층(114-3)과 전기적으로 연결된다.The second electrode portion 118 may include a second electrode 118-1 and a second pad 118-2. The second electrode 118-1 is disposed between the second conductive type semiconductor layer 114-3 and the second pad 118-2 and the second pad 118-2 is disposed between the second electrode 118-1 ). The second electrode 118-1 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 114-3. The second pad 118-2 is electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 114-3 through the second electrode 118-1.

제2 전극(118-1)은 투명 전극(미도시) 및 광 반사층(미도시)을 포함할 수 있다. 광 반사층은 은(Ag)과 같은 반사 물질로 이루어질 수 있다. 투명 전극은 광 반사층과 제2 도전형 반도체층(114-3) 사이에 배치되고, 광 반사층은 투명 전극 아래에 배치될 수 있다. 투명 전극은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수 있다. 예를 들어, 투명 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.The second electrode 118-1 may include a transparent electrode (not shown) and a light reflecting layer (not shown). The light reflection layer may be made of a reflective material such as silver (Ag). The transparent electrode may be disposed between the light reflection layer and the second conductivity type semiconductor layer 114-3, and the light reflection layer may be disposed below the transparent electrode. The transparent electrode may be a transparent conductive oxide (TCO). For example, the transparent electrode may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO) at least one of NiO, IrOx, Au, ITO, AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, And is not limited to these materials.

또한, 제2 전극(118-1)은 오믹 특성을 가질 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(114-3)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 만일, 제2 전극(118-1)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.Also, the second electrode 118-1 may have an ohmic characteristic and may include a material that makes an ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 114-3. If the second electrode 118-1 performs an ohmic function, a separate ohmic layer (not shown) may not be formed.

제1 및 제2 전극(116-1, 118-1) 각각은 활성층(114-2)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(114-1, 114-3) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(116-1, 118-1) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.Each of the first and second electrodes 116-1 and 118-1 can reflect or transmit the light emitted from the active layer 114-2 without absorbing it and the first and second conductivity type semiconductor layers 114 -1, < / RTI > 114-3). For example, each of the first and second electrodes 116-1 and 118-1 may be formed of a metal such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Hf, and combinations thereof.

발광 소자(110)의 두께 방향과 나란한 방향(예를 들어, z축 방향)과 직교하는 방향(예를 들어, y축 방향)으로 서로 이격된 제1 및 제2 패드(116-2, 118-2) 각각은 전기적 전도성을 갖는 금속 물질을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 전극(116-1, 118-1) 각각의 물질과 동일하거나 다른 물질을 포함할 수 있다.The first and second pads 116-2 and 118-n spaced from each other in a direction (for example, the y-axis direction) perpendicular to the thickness direction of the light emitting element 110 (for example, the z- 2 may each comprise a metallic material having electrical conductivity and may comprise the same or different material than the material of each of the first and second electrodes 116-1 and 118-1.

도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100B)는 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 구조이기 때문에, 활성층(114-2)에서 방출된 광은 제1 전극(116-1), 제1 도전형 반도체층(114-1) 및 기판(112)을 통해 출사될 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(116-1), 제1 도전형 반도체층(114-1) 및 기판(112)은 광 투과성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 도전형 반도체층(114-3)과 제2 전극(118-1)은 광 투과성이나 비투과성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으나, 실시 예는 특정한 물질에 국한되지 않을 수 있다.Since the light emitting device package 100B illustrated in FIG. 3 has a flip chip bonding structure, the light emitted from the active layer 114-2 is transmitted through the first electrode 116-1, (114-1) and the substrate (112). For this, the first electrode 116-1, the first conductivity type semiconductor layer 114-1, and the substrate 112 may be made of a light-transmitting material. Here, the second conductivity type semiconductor layer 114-3 and the second electrode 118-1 may be made of a light-transmissive or non-transmissive material or a reflective material, but the embodiments are not limited to specific materials .

특히, 도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100B)의 경우, 제3 몰딩 부재(140)는 제1 전극부(116)와 제2 전극부(118) 사이에 배치될 수 있다.In particular, in the case of the light emitting device package 100B illustrated in FIG. 3, the third molding member 140 may be disposed between the first electrode portion 116 and the second electrode portion 118.

제1, 제2 및 제3 몰딩 부재(120, 130, 140)에 포함되는 제1, 제2 및 제3 형광체 각각의 농도가 10% 보다 작을 경우 형광체 고유의 역할인 파장 변환 능력이 저하될 수 있고, 50%보다 크면 형광체의 점성이 높아지고 구현되기 어려울 수 있다. 따라서, 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.If the concentration of each of the first, second, and third phosphors included in the first, second, and third molding members 120, 130, and 140 is less than 10%, the wavelength conversion capability, If it is larger than 50%, the viscosity of the phosphor increases and it may be difficult to realize. Accordingly, the concentration of at least one of the first, second, and third phosphors may be 10% to 50%, but the embodiments are not limited thereto.

또한, 제3 몰딩 부재(140)는 레진을 포함할 수 있으며, 실리콘으로 구현될 수 있다.In addition, the third molding member 140 may include a resin, and may be embodied as silicon.

제1, 제2 또는 제3 형광체는 형광 물질(fluorescent material) 또는 인광 물질(phosphor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first, second, or third phosphors may include at least one of a fluorescent material and a phosphor.

또한, 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 형광체의 종류가 서로 다를 수도 있고, 제1 형광체의 종류와 제2 또는 제3 형광체의 종류는 동일하지만, 제3 형광체의 종류는 제2 형광체의 종류와 다를 수 있다.Also, at least some of the types of the first, second, and third phosphors may be the same or different from each other. For example, the types of the first, second and third phosphors may be different from each other, and the types of the first and second phosphors are different from those of the second and third phosphors. ≪ / RTI >

또한, 제3 몰딩 부재(140)의 강성은 제1 및 제2 몰딩 부재(120, 130) 각각의 강성보다 더 클 수 있다. 이는, 후술되는 바와 같이 발광 구조물(114)의 크랙을 방지하기 위해서이다.Also, the rigidity of the third molding member 140 may be greater than the rigidity of the first and second molding members 120 and 130, respectively. This is to prevent cracking of the light emitting structure 114 as described later.

도 4는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)의 단면도를 나타낸다.4 shows a cross-sectional view of a light emitting device package 100C according to another embodiment.

도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120) 및 제3 몰딩 부재(130)를 포함한다.The light emitting device package 100C shown in FIG. 4 includes a light emitting device 110, a first molding member 120, and a third molding member 130.

도 2에 도시된 제2 몰딩 부재(130)는 단일층 구조를 갖는 반면, 도 4에 도시된 제2 몰딩 부재(130)는 복수개의 층 구조를 갖는다. 이를 제외하면, 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다. 즉, 도 4에 도시된 발광 소자(110) 및 제1 몰딩 부재(120)는 도 2에 도시된 발광 소자(110) 및 제1 몰딩 부재(120)와 각각 동일하다.The second molding member 130 shown in Fig. 2 has a single layer structure, while the second molding member 130 shown in Fig. 4 has a plurality of layer structures. Except for this, since the light emitting device package 100C shown in FIG. 4 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIG. 2, a duplicate description will be omitted. That is, the light emitting device 110 and the first molding member 120 shown in FIG. 4 are the same as the light emitting device 110 and the first molding member 120 shown in FIG.

도 4에 도시된 제2 몰딩 부재(130)는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 여기서, N은 2 이상의 양의 정수이다. 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체를 각각 포함할 수 있다. 도 4에 예시된 바와 같이, N=5인 경우, 제2 몰딩 부재(130)는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A, 130B, 130C, 130D, 130E)를 포함할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 이하, N=5인 것으로 가정하여 설명하지만, N이 5보다 크거나 작은 경우에도 아래의 설명은 적용될 수 있음은 물론이다.The second molding member 130 shown in FIG. 4 may include the second sub first through second sub N-th molding members. Here, N is a positive integer of 2 or more. And the second sub first through second sub N-th molding members may include the second sub first through second sub n-th fluorescent materials, respectively. 4, when N = 5, the second molding member 130 may include the second sub first through second sub fifth molding members 130A, 130B, 130C, 130D, and 130E. However, the embodiment is not limited to this. Hereinafter, it is assumed that N = 5, but it goes without saying that even when N is greater than or less than 5, the following description can be applied.

또한, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다. 또한, 제1, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 또는 제3 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다. 실시 예에 의하면, 제1 형광체와 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체는 다른 조성을 가질 수 있다. 다만, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 각각의 조성의 종류에 특정한 제한은 없다. 예를 들어, 제1 형광체의 조성과 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체의 조성이 동일할 경우 제1 형광체의 농도와 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체의 농도를 다르게 할 수 있다.At least some kinds of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials may be the same or different from each other. At least some kinds of the first and second sub first to second sub-N or third phosphors may be the same or different from each other. According to the embodiment, the first phosphor and the second sub first through second sub n-th fluorescent materials may have different compositions. However, there is no particular limitation on the kind of the composition of each of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials. For example, when the composition of the first phosphor and the composition of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials are the same, the concentration of the first fluorescent material and the concentration of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials may be different can do.

또한, 제1, 제2, 제3 형광체 또는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체로는 발광 소자에서 발생된 빛을 백색광으로 변환시킬 수 있는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 파장변환수단인 형광물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 국한되지 않는다.The first, second, third phosphor or the second sub first through second sub n-th fluorescent materials may be YAG, TAG, silicate, or sulfide-based materials capable of converting light generated in the light- Or a nitride-based material, but the embodiment is not limited to the kind of the phosphor.

YAG 및 TAG계 형광물질에는 (Y, Tb, Lu, Sc ,La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택하여 사용가능하며, Silicate계 형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다.YAG and TAG fluorescent materials can be selected from among (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd and Sm) 3 (Al, Ga, In, (Sr, Ba, Ca, Mg) 2SiO4: (Eu, F, Cl) may be used as the silicate-based fluorescent material.

또한, Sulfide계 형광물질에는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서 선택하여 사용가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16, 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3, 형광체 성분 중에서 선택하여 사용 할 수 있다.The phosphor can be selected from (Ca, Sr) S: Eu, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2S4: Eu, (Si, Al) 12 (O, N) 16, where M is Eu, Tb (O, N) , Yb or Er and 0.05 <(x + y) <0.3, 0.02 <x <0.27 and 0.03 <y <0.3, respectively.

적색 형광체로는, N(예,CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체를 사용할 수 있다. 이러한 질화물계 적색 형광체는 황화물(Sulfide)계 형광체보다 열, 수분 등의 외부 환경에 대한 신뢰성이 우수할 뿐만 아니라 변색 위험이 작다.As the red phosphor, a nitride-based phosphor including N (for example, CaAlSiN3: Eu) can be used. Such a nitride-based red phosphor is more excellent in reliability against external environment such as heat and moisture than a sulfide-based phosphor, and has a small risk of discoloration.

예를 들어, 제1 형광체는 가넷(Garnets) 계열 형광체, 실리케이드 (Silicates)계열, 황화물 (Sulfides)계열, 산질화물(Oxynitrides) 계열, 질화물(Nitrides) 계열, 알루미네이트(Aluminates)계열 등이 사용될 수 있다. 제2 및 제3 형광체 역시 제1 형광체와 동일한 조성을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 형광체 각각에 포함될 수 있는 가넷 계열의 형광체로서 Y3Al5O12:Ce3+, Tb3Al5O12:Ce3+등의 형광체등이 있다. 또한, 실리케이드 계열의 형광체는 (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu2+, (Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu2+등의 형광체 등이 있고 D=F,Cl,S,N,Br의 조성을 가질 수 있다. 황화물 계열의 형광체는 (Ca,Sr)S:Eu2+, (Sr,Ca)Ga2S4:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다. 산질화물 계열의 형광체는 β-SiAlON:Eu2+, Ba3Si6O12N2:Eu2+, SrSi2O2N2:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다. 질화물 계열의 형광체는 CaAlSiN3:Eu2+, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+, Sr2Si5N8:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다.For example, the first phosphor may be a garnet fluorescent material, a silicate fluorescent material, a sulfide fluorescent material, an oxynitrides fluorescent material, a nitride fluorescent material, an aluminate fluorescent material, or the like. . The second and third phosphors may have the same composition as the first phosphor. Examples of the garnet fluorescent material that can be included in each of the first to third phosphors include phosphors such as Y3Al5O12: Ce3 +, Tb3Al5O12: Ce3 +, and the like. Phosphors such as (Sr, Ba, Ca) 2SiO4: Eu2 +, (Sr, Ba, Ca, Mg, Zn) 2Si (OD) 4: Eu2 + , N, and Br. The sulfide-based phosphor may have a composition of (Ca, Sr) S: Eu 2+, (Sr, Ca) Ga 2 S 4: Eu 2+. The oxynitride-based fluorescent material may have a composition of? -SiAlON: Eu2 +, Ba3Si6O12N2: Eu2 +, SrSi2O2N2: Eu2 +, or the like. The nitride-based fluorescent material may have a composition of CaAlSiN3: Eu2 +, (Sr, Ca) AlSiN3: Eu2 +, Sr2Si5N8: Eu2 + and the like.

알루미네이트 계열의 형광체는 (Mg,Sr)Al2O4:Eu2+, BaMg2Al16O27:Eu2+ 등의 조성을 가질 수 있다. 전술한 계열과 같은 파장 변환 수단이 되는 형광물질이 제1 및 제2 형광체에 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 국한되지 않는다.The aluminate-based phosphor may have a composition of (Mg, Sr) Al2O4: Eu2 +, BaMg2Al16O27: Eu2 +, and the like. The first and second phosphors, which are the same wavelength converting means as the above-mentioned series, may be included in the fluorescent material, but the embodiment is not limited to the kind of the fluorescent material.

또한, 도 4에 예시된 바와 같이 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A 내지 130E)(N=5)는 발광 소자(110)의 두께 방향(예를 들어 z축 방향)과 나란한 방향으로 중첩되어 배치될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 도 4에 예시된 바와 달리 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A 내지 130E)는 발광 소자(110)의 두께 방향과 직교하는 방향(예를 들어 x축 방향 또는 y축 방향)으로 중첩되어 배치될 수도 있다.4, the second sub first through second sub fifth molding members 130A through 130E (N = 5) are formed in the thickness direction (for example, the z axis direction) of the light emitting element 110 But they are not limited thereto. 4, the second sub first through second sub fifth molding members 130A through 130E are arranged in a direction perpendicular to the thickness direction of the light emitting device 110 (for example, x-axis direction or y-axis direction).

또한, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 형광체 중 적어도 일부는 서로 다른 농도를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 형광체 각각의 농도가 10% 보다 작을 경우 형광체 고유의 역할인 파장 변환 능력이 저하될 수 있고, 50%보다 크면 형광체의 점성이 높아지고 구현되기 어려울 수 있다. 따라서, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 형광체 각각의 농도는 10% 내지 50%일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Further, at least some of the second sub first through second sub-fifth phosphors may have different concentrations. For example, when the concentration of each of the second sub first through second sub-fifth phosphors is less than 10%, the wavelength converting ability, which is a function inherent to the phosphor, may be deteriorated. When the concentration is larger than 50%, the viscosity of the phosphor is increased It can be difficult. Therefore, the concentration of each of the second sub first through second sub fifth phosphors may be 10% to 50%, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제5 몰딩 부재(130A 내지 130E)는 발광 소자(110)의 두께 방향(예를 들어, z축 방향)과 직교하는 방향(예를 들어, x축 방향 또는 y축 방향)에 대해 소정의 각도(θ)로 경사지게 배치될 수 있다.The second sub first through second sub fifth molding members 130A through 130E are arranged in a direction orthogonal to the thickness direction (for example, the z axis direction) of the light emitting element 110 Or in the y-axis direction) at a predetermined angle [theta].

이하, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 제조 방법에 대해 첨부된 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)는 도 5a 내지 도 5d에 도시된 바와 다른 방법으로 제조될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 3 및 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100B, 100C)는 도 5a 내지 도 5d에 도시된 제조 공정을 변형하여 제조될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a method for manufacturing the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 will be described with reference to FIGS. 5A to 5D, but the present invention is not limited to these embodiments. That is, it is needless to say that the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 can be manufactured by a method different from that shown in FIGS. 5A to 5D. It is needless to say that the light emitting device packages 100B and 100C shown in Figs. 3 and 4 can be manufactured by modifying the manufacturing process shown in Figs. 5A to 5D.

도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.5A to 5D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device package 100A shown in FIG.

도 5a를 참조하면, 지지체(200) 위에 복수 개의 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)를 일정한 간격으로 형성한다. 여기서, 복수 개의 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3) 각각은 도 2에 도시된 발광 소자(110)에 해당하며 예를 들어 도 3에 예시된 바와 같은 구성을 가질 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 도 3에 도시된 발광 소자(110)의 제조 방법은 일반적인 사항이므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.Referring to FIG. 5A, a plurality of light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3 are formed on a support 200 at regular intervals. Here, each of the plurality of light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3 corresponds to the light emitting device 110 shown in FIG. 2 and may have a configuration as illustrated in FIG. 3, for example. However, The embodiment is not limited to this. Since the manufacturing method of the light emitting device 110 shown in FIG. 3 is a general matter, a detailed description will be omitted here.

여기서, 지지체(200)는 점착력(또는, 접착력)을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 다양한 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 지지체(200)는 발포 필름, 자외선(UV) 필름, 이형 필름 등일 수 있다.Here, the support 200 may be made of a material having adhesive force (or adhesive force), and may have various properties. For example, the support 200 can be a foam film, an ultraviolet (UV) film, a release film, or the like.

이후, 도 5b를 참조하면, 지지체(200) 위에서, 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3) 사이에 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 형성한다. 여기서, 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3) 각각은 도 2에 도시된 제2 몰딩 부재(130)에 해당할 수 있다. 예를 들어, 제2 형광체를 포함하는 액상의 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3) 사이의 공간에 디스펜싱 방식으로 채울 수 있다. 즉, 제2 형광체와 레진 등을 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)로서 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)의 사이의 공간에 채운 후, 접착 및 경화시킴으로써 디스펜싱 형태의 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 형성할 수 있다.5B, the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-3 are disposed between the light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3 on the support 200, 4). Here, each of the second molding members 130-1, 130-2, and 130-3 may correspond to the second molding member 130 shown in FIG. For example, when the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4 in the liquid phase including the second phosphor are disposed between the light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3 In a dispensing manner. That is, the second phosphor and the resin are formed as the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4 in the space between the light emitting elements 110-1, 110-2, The second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4 of the dispensing type can be formed by bonding and curing them.

이후, 도 5c를 참조하면, 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)와 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4) 위에 제1 몰딩 부재(120)를 형성한다. 예를 들어, 제1 몰딩 부재(120)는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌트 형태로 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)와 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4) 위에 경화 및 접착시킬 수 있다.5C, the light emitting devices 110-1, 110-2, and 110-3 and the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, (120). For example, the first molding member 120 may include a light emitting device 110-1, 110-2, and 110-3 and a second molding member 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4.

이후, 도 5d를 참조하면, 지지체(200)와 발광 소자(110-1, 110-2, 110-3)와 제1 몰딩 부재(120)와 제2 몰딩 부재(130-1, 130-2, 130-3, 130-4)를 서로 분리시킨다. 이때, 제2 몰딩 부재(130-2)는 발광 소자(110-1, 110-2)의 각 측부에 배치되도록 절단되고, 제2 몰딩 부재(130-3)는 발광 소자(110-2, 110-3)의 각 측부에 배치되도록 절단될 수 있다.5D, the support 200, the light emitting devices 110-1, 110-2 and 110-3, the first molding member 120 and the second molding members 130-1, 130-2, 130-3, and 130-4. The second molding member 130-2 is cut to be disposed on each side of the light emitting devices 110-1 and 110-2 and the second molding member 130-3 is cut into the light emitting devices 110-2 and 110-3 -3). &Lt; / RTI &gt;

이후, 지지체(200)를 제거하면, 도 2에 도시된 바와 같은 발광 소자 패키지(100A)가 획득될 수 있다.Thereafter, when the support 200 is removed, a light emitting device package 100A as shown in Fig. 2 can be obtained.

이하, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)를 포함하는 또 다른 실시 예의 발광 소자 패키지(300)를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package 300 of another embodiment including the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 will be described with reference to the accompanying drawings.

도 6은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(300)의 단면도를 나타낸다.6 shows a cross-sectional view of a light emitting device package 300 according to still another embodiment.

도 6에 도시된 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(300)는 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120), 제2 몰딩 부재(130), 패키지 몸체(310) 및 절연부(320)를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자(110), 제1 몰딩 부재(120) 및 제2 몰딩 부재(130)를 포함하는 발광 소자 패키지(100A)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)에 해당하므로, 이들 각각에 대하 중복되는 설명을 생략한다. 다만, 도 2에 도시된 제2 몰딩 부재(130)의 측면은 발광 소자(100A)의 두께 방향과 나란한 방향으로 수직으로 형성되어 있는 반면, 도 6에 도시된 제2 몰딩 부재(130)의 측면은 두께 방향과 나란한 방향으로 기준으로 소정의 각도로 경사지게 형성되어 있다. 이는 발광 소자(110)로부터 방출되어 제2 몰딩 부재(130)를 투과한 광이 발광 소자(110)의 상부 방향으로 진행하도록 하기 위함이다.The light emitting device package 300 according to another embodiment shown in FIG. 6 includes a light emitting device 110, a first molding member 120, a second molding member 130, a package body 310, ). Since the light emitting device package 100A including the light emitting device 110, the first molding member 120 and the second molding member 130 corresponds to the light emitting device package 100A shown in FIG. 2, The description of which is omitted. 2 is perpendicular to the thickness direction of the light emitting device 100A while the side surface of the second molding member 130 shown in FIG. Are inclined at a predetermined angle with reference to a direction parallel to the thickness direction. This is to allow the light emitted from the light emitting element 110 and transmitted through the second molding member 130 to travel toward the upper side of the light emitting element 110.

또는, 도 3 또는 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100B, 100C)가 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A) 대신에 도 6에 예시된 바와 같이 패키지 몸체(310)의 내부에 배치될 수 있다.Alternatively, the light emitting device packages 100B and 100C shown in FIG. 3 or 4 may be disposed inside the package body 310 as illustrated in FIG. 6 instead of the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 have.

패키지 몸체(310)는 제1 몸체부(312) 및 제2 몸체부(314)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 몸체부(312, 314) 각각은 도전형 물질 예를 들어, 금속 물질로 이루어질 수 있으나, 실시 예는 패키지 몸체(310)의 재질에 국한되지 않는다.The package body 310 may include a first body portion 312 and a second body portion 314. Each of the first and second body portions 312 and 314 may be formed of a conductive material, for example, a metal material, but the embodiment is not limited to the material of the package body 310.

제1 및 제2 몸체부(312, 314)는 절연부(320)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 절연부(320)는 전기적인 절연성을 갖는 물질 예를 들어 SiO2, TiO2, ZrO2, Si3N4, Al2O3, 또는 MgF2 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 실시 예는 절연부(320)의 물질에 국한되지 않는다.The first and second body portions 312 and 314 may be electrically separated from each other by an insulating portion 320. The insulating portion 320 may include at least one of an electrically insulating material such as SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , or MgF 2 , But is not limited to the material of the portion 320.

만일, 발광 소자(110)가 도 3에 예시된 바와 같이 구현될 경우, 제1 몸체부(312)는 제2 패드(118-2)와 전기적으로 연결되고, 제2 몸체부(314)는 제1 패드(116-2)와 전기적으로 연결될 수 있다.3, the first body portion 312 is electrically connected to the second pad 118-2, and the second body portion 314 is electrically connected to the second pad 118-2. In the case where the light emitting element 110 is implemented as illustrated in FIG. 3, 1 pad 116-2.

이하, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지와 비교 례에 의한 발광 소자 패키지를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 비교 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment and a light emitting device package according to a comparative example will be described with reference to the accompanying drawings.

도 7은 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.7 is a cross-sectional view of the light emitting device package according to the first comparative example.

도 7에 도시된 바와 달리, 도 3에 도시된 발광 소자 패키지(100B)의 경우 제1 및 제2 전극부(116, 118) 사이에 제3 몰딩 부재(140)가 배치된다. 이를 제외하면, 도 7에 도시된 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 도 3에 도시된 발광 소자 패키지(100B)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.7, a third molding member 140 is disposed between the first and second electrode portions 116 and 118 in the light emitting device package 100B shown in FIG. Except for this, since the light emitting device package according to the first comparative example shown in FIG. 7 is the same as the light emitting device package 100B shown in FIG. 3, a duplicate description will be omitted.

도 7에 도시된 제1 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우, 제1 및 제2 전극부(116, 118) 사이에 제3 몰딩 부재(140) 대신에 공기(A)가 배치된다. 따라서, 도시된 바와 같이 발광 구조물(114)에 크랙(C:Crack)이 발생할 수 있다. 그러나, 도 3에 도시된 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 경우 제1 및 제2 전극부(116, 118) 사이에 제3 몰딩 부재(140)가 배치된다. 제3 몰딩 부재(140)는 전술한 바와 같이 제1 및 제2 몰딩 부재(120, 130)의 강성보다 더 큰 강성을 갖는다. 따라서, 크랙(C)의 발생이 방지될 수 있다.In the light emitting device package according to the first comparative example shown in FIG. 7, air A is disposed between the first and second electrode portions 116 and 118 instead of the third molding member 140. Therefore, a crack (C) may occur in the light emitting structure 114 as shown. However, in the case of the light emitting device package 100B according to another embodiment shown in FIG. 3, the third molding member 140 is disposed between the first and second electrode portions 116 and 118. The third molding member 140 has a greater stiffness than the rigidity of the first and second molding members 120 and 130 as described above. Therefore, the occurrence of the crack C can be prevented.

도 8은 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.8 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second comparative example.

도 1에 도시된 바와 달리, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우 제2 몰딩 부재(130)를 포함하지 않는다. 이를 제외하면, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.1, the light emitting device package according to the second comparative example shown in FIG. 8 does not include the second molding member 130. Except for this, since the light emitting device package according to the second comparative example shown in FIG. 8 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIGS. 1 and 2, a duplicated description will be omitted.

일반적으로 발광 소자(110)는 상부 방향(예를 들어, z축 방향)(302)과 측부 방향(예를 들어 y축 및 x축 방향)(304)으로 광을 방출할 수 있다. 이때, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 제2 몰딩 부재(130)를 포함하지 않기 때문에, 발광 소자(110)로부터 측부 “‡향(304)으로 블루(blue) 빛이 새어나갈 수 있다. 그러나, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)는 발광 소자(110)의 측부에 제2 몰딩 부재(130)를 배치함으로써, 발광 소자(110)의 측부 방향으로 블루 빛이 새어나감을 방지할 수 있다.Generally, the light emitting device 110 can emit light in an upward direction (e.g., a z-axis direction) 302 and a lateral direction (e.g., a y-axis and an x-axis direction) Since the light emitting device package according to the second comparative example shown in FIG. 8 does not include the second molding member 130, blue light is emitted from the light emitting device 110 to the side inclinations 304 I can leach out. However, in the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiments, the second molding member 130 is disposed on the side of the light emitting device 110 to emit blue light in the side direction of the light emitting device 110 Can be prevented.

또한, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 경우, 도 8에 도시된 제2 비교 례에 의한 발광 소자 패키지와 비교할 때, 제2 몰딩 부재(130)의 존재로 인해, 강성이 더욱 개선될 수 있다. 또한, 제2 몰딩 부재(130)에 충전제 등이 포함될 경우, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 강성이 더욱 개선될 수 있다.In the case of the light emitting device packages 100A, 100B and 100C according to the embodiment, as compared with the light emitting device package according to the second comparative example shown in Fig. 8, due to the presence of the second molding member 130, Can be further improved. In addition, when the second molding member 130 includes a filler or the like, the rigidity of the light emitting device package according to the embodiment can be further improved.

도 9는 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.9 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third comparative example.

도 1에 도시된 바와 달리, 도 9에 도시된 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우 제2 몰딩 부재(130) 대신에 리플렉터(160)가 발광 소자(110)의 측부에 배치된다. 이를 제외하면, 도 9에 도시된 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.1, in the light emitting device package according to the third comparative example shown in FIG. 9, a reflector 160 is disposed on the side of the light emitting element 110 instead of the second molding member 130. Except for this, the light emitting device package according to the third comparative example shown in FIG. 9 is the same as that of the light emitting device package shown in FIG. 1, so a duplicated description will be omitted.

도 9에 도시된 제3 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 경우, 발광 소자(110)의 측부 방향(예를 들어, y축 방향)으로 새어 나가는 빛을 리플렉터(160)를 이용하여 반사시킴으로써, 발광 소자(110)의 측부 방향(304)으로 블루 빛이 새어나감을 방지할 수 있다. 그러나, 리플렉터(160)는 발광 소자(110)의 측부 방향(304)으로 새어나가는 광을 흡수하여, 전체적인 광 추출 효율을 감소시킬 수 있다. 그러나, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 경우, 리플렉터(160) 대신에 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재(130)를 발광 소자(110)의 측부에 배치한다. 따라서, 실시 예에 의하면, 리플렉터에 의한 광 흡수가 방지될 수 있고 원하는 파장 대역을 갖는 광이 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 측부 방향으로도 출사될 수 있어, 광속이 향상되고, 발광 소자 패키지로부터 방출되는 광의 색의 균일성이 확보될 수 있다.In the case of the light emitting device package according to the third comparative example shown in FIG. 9, light leaking in the side direction (for example, the y axis direction) of the light emitting element 110 is reflected by using the reflector 160, It is possible to prevent blue light from leaking in the side direction 304 of the element 110. However, the reflector 160 absorbs light leaking in the lateral direction 304 of the light emitting element 110, thereby reducing the overall light extraction efficiency. However, in the case of the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiment, the second molding member 130 including the second phosphor is disposed on the side of the light emitting device 110 instead of the reflector 160. [ Therefore, according to the embodiment, light absorption by the reflector can be prevented and light having a desired wavelength band can be emitted also in the side direction of the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C, Uniformity of color of light emitted from the device package can be ensured.

또한, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 경우 확산제를 제2 몰딩 부재(130)에 포함시키므로써, 다양한 기능 예를 들어 광의 확산 기능을 개선시킬 수 있다.In addition, in the case of the light emitting device package according to the embodiment, by including the diffusing agent in the second molding member 130, it is possible to improve the light diffusion function of various functions.

또한, 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.In addition, a plurality of light emitting device packages according to another embodiment may be arrayed on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.Further, the display device, the indicating device, and the lighting device including the light emitting device package according to the embodiment can be realized.

여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module for emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflector for guiding light emitted from the light emitting module forward, An image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; and a color filter disposed in front of the display panel, . Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.In addition, the illumination device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package according to an embodiment, a heat sink for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electric signal provided from the outside, . For example, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a streetlight.

해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.The head lamp includes a light emitting module including light emitting device packages disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, a lens for refracting light reflected by the reflector forward And a shade that reflects off or reflects a portion of the light reflected by the reflector and directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100A, 100B, 100C, 300: 발광 소자 패키지
110, 110-1, 110-2, 110-3: 발광 소자
112: 기판 114: 발광 구조물
114-1: 제1 도전형 반도체층 114-2: 활성층
114-3: 제2 도전형 반도체층 116: 제1 전극부
116-1: 제1 전극 116-2: 제1 패드
118: 제2 전극부 118-1: 제2 전극
118-2: 제2 패드 120: 제1 몰딩 부재
122: 제1 서브 제1 몰딩부 124: 제1 서브 제2 몰딩부
130, 130-1, 130-2, 130-3, 130-4, 130A, 130B, 130C, 130D, 130E: 제2 몰딩 부재
140: 제3 몰딩 부재 160: 리플렉터
200: 지지체 310: 패키지 몸체
312: 제1 몸체부 314: 제2 몸체부
320: 절연부100A, 100B, 100C, 300: Light emitting device package
110, 110-1, 110-2, and 110-3:
112: substrate 114: light emitting structure
114-1: First conductive type semiconductor layer 114-2:
114-3: second conductivity type semiconductor layer 116: first electrode portion
116-1: first electrode 116-2: first pad
118: second electrode portion 118-1: second electrode
118-2: second pad 120: first molding member
122: first sub first molding part 124: first sub second molding part
130, 130-1, 130-2, 130-3, 130-4, 130A, 130B, 130C, 130D, 130E:
140: third molding member 160: reflector
200: support 310: package body
312: first body part 314: second body part
320:

Claims (24)

광을 방출하는 발광 소자;
상기 발광 소자의 상부에 배치되며, 제1 형광체를 포함하는 제1 몰딩 부재; 및
상기 발광 소자의 측부에 배치되며, 상기 제1 형광체와 다른 제2 형광체를 포함하는 제2 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지.A light emitting element for emitting light;
A first molding member disposed on the light emitting device, the first molding member including a first phosphor; And
And a second molding member disposed on a side of the light emitting device, the second molding member including a second phosphor different from the first phosphor. 제1 항에 있어서, 상기 제2 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 측부를 감싸도록 배치된 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the second molding member is disposed to surround a side of the light emitting device. 제1 항에 있어서, 상기 제2 몰딩 부재는 확산제를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the second molding member further comprises a diffusing agent. 제1 항 또는 제3 항에 있어서, 상기 제2 몰딩 부재는 충전제를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1 or 3, wherein the second molding member further comprises a filler. 제1 항에 있어서, 상기 제2 몰딩 부재는
제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N(여기서, N은 2이상의 양의 정수) 형광체를 각각 포함하는 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지.2. The apparatus of claim 1, wherein the second molding member
And second sub first through second sub Nth molding members each including a second sub first through second sub N th (where N is a positive integer of 2 or more) phosphors. 제5 항에 있어서, 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 나란한 방향으로 중첩되어 배치된 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 5, wherein the second sub first through second sub N th molding members are overlapped in a direction parallel to a thickness direction of the light emitting device. 제5 항에 있어서, 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부는 서로 다른 농도를 갖는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 5, wherein at least some of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials have different concentrations. 제5 항에 있어서, 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 일부의 종류는 서로 다른 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 5, wherein at least some kinds of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials are different from each other. 제5 항에 있어서, 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 몰딩 부재는 상기 발광 소자의 두께 방향과 직교하는 방향에 대해 경사지게 배치된 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 5, wherein the second sub first through second sub N th molding members are inclined with respect to a direction orthogonal to a thickness direction of the light emitting device. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자의 하부에 배치되며, 제3 형광체를 포함하는 제3 몰딩 부재를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, further comprising a third molding member disposed below the light emitting device, the third molding member including a third phosphor. 제10 항에 있어서, 상기 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%인 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 10, wherein the concentration of at least one of the first, second, and third phosphors is 10% to 50%. 제10 항에 있어서, 상기 제1, 제2 또는 제3 형광체 중 적어도 2개의 종류는 서로 다른 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 10, wherein at least two kinds of the first, second, and third phosphors are different. 제10 항에 있어서, 상기 제3 몰딩 부재는 레진을 포함하는 발광 소자 패키지.11. The light emitting device package according to claim 10, wherein the third molding member comprises a resin. 제10 항에 있어서, 상기 제3 몰딩 부재의 강성은 상기 제1 및 제2 몰딩 부재 각각의 강성보다 더 큰 발광 소자 패키지.11. The light emitting device package according to claim 10, wherein the rigidity of the third molding member is greater than the rigidity of each of the first and second molding members. 제10 항에 있어서, 상기 발광 소자는
상기 제1 몰딩 부재의 아래에 배치된 기판;
상기 기판 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층;
상기 활성층 아래에 배치된 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층에 연결된 제1 전극부; 및
상기 제2 도전형 반도체층에 연결된 제2 전극부를 포함하고,
상기 제3 몰딩 부재는 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The light emitting device according to claim 10, wherein the light emitting element
A substrate disposed below the first molding member;
A first conductive semiconductor layer disposed under the substrate;
An active layer disposed below the first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer disposed under the active layer;
A first electrode connected to the first conductive semiconductor layer; And
And a second electrode portion connected to the second conductivity type semiconductor layer,
And the third molding member is disposed between the first electrode portion and the second electrode portion. 제5 항에 있어서, 상기 제2 서브 제1 내지 제2 서브 제N 형광체 중 적어도 하나의 농도는 10% 내지 50%인 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 5, wherein the concentration of at least one of the second sub first through second sub n-th fluorescent materials is 10% to 50%. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 측부보다 상기 상부로 더 많은 광을 방출하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the light emitting element emits more light to the upper portion than the side portion. 제17 항에 있어서, 상기 제1 형광체의 농도는 상기 제2 형광체의 농도보다 큰 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 17, wherein a concentration of the first phosphor is larger than a concentration of the second phosphor. 제17 항에 있어서, 상기 제2 몰딩 부재의 두께는 10 ㎛ 내지 150 ㎛인 발광 소자 패키지.18. The light emitting device package according to claim 17, wherein the thickness of the second molding member is 10 mu m to 150 mu m. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 상부보다 상기 측부로 더 많은 광을 방출하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the light emitting element emits more light to the side than the top. 제20 항에 있어서, 상기 제2 형광체의 농도는 상기 제1 형광체의 농도보다 큰 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 20, wherein a concentration of the second phosphor is larger than a concentration of the first phosphor. 제1 항에 있어서, 상기 제1 몰딩 부재의 제1 두께는 상기 제2 몰딩 부재의 제2 두께보다 더 두꺼운 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the first thickness of the first molding member is thicker than the second thickness of the second molding member. 제1 항에 있어서, 상기 제1 몰딩 부재는 필름 형태, 플레이트 형태 또는 벌크 형태를 갖고, 상기 제2 몰딩 부재는 디스펜싱 형태를 갖는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the first molding member has a film shape, a plate shape, or a bulk shape, and the second molding member has a dispensing shape. 제1 항에 있어서, 상기 제1 몰딩 부재는
상기 발광 소자의 상부에 배치된 제1 서브 제1 몰딩부; 및
상기 제1 서브 제1 몰딩부로부터 연장되어 상기 제2 몰딩 부재 위에 배치된 제1 서브 제2 몰딩부를 포함하는 발광 소자 패키지.2. The apparatus of claim 1, wherein the first molding member
A first sub first molding part disposed above the light emitting device; And
And a first sub second molding part extending from the first sub first molding part and disposed on the second molding member.
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