KR102343864B1 - 소켓 인터포저 및 소켓 인터포저를 사용하는 컴퓨터 시스템 - Google Patents

소켓 인터포저 및 소켓 인터포저를 사용하는 컴퓨터 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 컴퓨터 시스템에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는 컴퓨터 시스템의 소켓 인터포저에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 소켓 인터포저는 서버 보드 상의 메모리 소켓의 제 1 폼 팩터에 맞는 제 1 커넥터들; 제 1 메모리 타입을 가지는 메모리 모듈의 제 2 폼 팩터에 맞는 제 2 커넥터들을 포함하는 적어도 하나의 온-보드 메모리 소켓; 그리고 상기 제 1 메모리 타입과 다른 제 2 메모리 타입을 갖는 메모리를 포함한다. 본 발명에 따른 소켓 인터포저는 다양한 메모리 타입가 메모리 양을 제공할 수 있어 개선된 성능과 유연성을 갖는다.

Description

소켓 인터포저 및 소켓 인터포저를 사용하는 컴퓨터 시스템{SOCKET INTERPOSER AND COMPUTER SYSTEM USING THE SOCKET INTERPOSER}
본 발명은 컴퓨터 시스템에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는 컴퓨터 시스템의 소켓 인터포저에 관한 것이다.
데이터 센터(data center) 및 서버 랙 환경(server rack environment)과 같은 최근의 서버 어플리케이션(server application)은 보통 클라이언트에 서비스들을 제공하는데 함께 협력하는 복수의 서버 노드들(server nodes)을 사용한다.
종래의 서버 머더보드들(server motherboards)은 보통 이러한 서버 노드들에서 사용된다. 서버 머더보드는 다양한 소자들(components), 하나 또는 그 이상의 프로세서들(예를 들어, CPUs), 외부 커뮤니케이션을 수행하기 위한 인터페이스에 맞는 복수의 소켓들을 갖는 적어도 하나의 회로 보드(circuit board)를 포함한다. CPU는 회로 보드 상의CPU 소켓들과 짝지어 지는 폼 팩터(form factor)를 갖는 커넥터들(connectors)을 포함한다. 또한 다른 소자들이 사용될 수도 있다. 이중 몇몇은 회로 보드에 병합될 수 있으며, 또는 회로 보드 상의 전용 소켓에 맞을 수 있다. 예를 들어, DRAM(dynamic random access memory)과 같은 메모리가 서버 보드들에 제공될 수 있을 것이다. DRAM은 DIMM(dual in line memory module) 폼 팩터를 갖는 모듈일 것이다. 따라서 DRAM 모듈들은 회로 보드 상의 DIMM 소켓들에 삽입될 것이다. 이러한 메모리는 CPU를 통하여 접근 가능할 것이다.
동작에 있어서, 각 서버 보드는 적어도 하나의 내부 CPU들을 이용하여 계산을 수행한다. DRAM을 포함하여 각 CPU를 위한 DIMM 모듈들은 전용 메모리 내의 아이템들(items)로의 보다 빠른 접근을 제공할 것이다. 외부 통신을 위한 데이터는 이더넷 인터페이스로부터 메모리 내의 위치(location)로 라우트(route)되거나 메모리 내의 위치로부터 이더넷 인터페이스로 라우트될 것이다. 이와 유사하게, CPU 명령들(commands), 요청들, 그리고 다른 정보들이 CPU로부터 이더넷 인터페이스로 라우트되거나 이더넷 인터페이스로부터 CPU로 라우트될 것이다. 따라서 서버 보드들은 개별적으로 또는 함께 원하는 동작들을 제공하기 위하여 동작할 것이다.
종래의 서버 보드들은 낮은 레이턴시 메모리 접근을 제공하기 위하여 DIMM 소켓들 내에 마운트된 DRAM을 사용할 것이다. 그러나, 몇몇의 서버 어플리케이션들은 다른 타입들의 메모리에서 좀더 잘 동작할 것이다. 예를 들어, 소정 어플리케이션은 플래시 메모리 또는 DRAM과 플래시 메모리를 함께 사용하는 것에 최적화되어 있을 것이다. 그러나, 종래의 다른 메모리 모듈들 뿐만 아니라 DRAM DIMM 메모리 모듈들 역시 그 타입들(types)과 제공될 수 있는 메모리의 양에 제한이 있다.
따라서, 개선된 성능과 유연성을 가진 서버 보드가 요구된다.
본 발명의 일 목적은 다양한 메모리 타입과 메모리 양을 제공할 수 있는 소켓 인터포저 및 해당 소켓 인터포저를 사용하는 컴퓨터 시스템을 제공한는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 소켓 인터포저는 서버 보드 상의 메모리 소켓의 제 1 폼 팩터에 맞는 제 1 커넥터들; 제 1 메모리 타입을 가지는 메모리 모듈의 제 2 폼 팩터에 맞는 제 2 커넥터들을 포함하는 적어도 하나의 온-보드 메모리 소켓; 그리고 상기 제 1 메모리 타입과 다른 제 2 메모리 타입을 갖는 메모리를 포함한다.
실시 예로써, 상기 제 1 메모리 타입은 DRAM이고 상기 메모리는 플래시 메모리이다.
실시 예로써, 상기 메모리 모듈은 복수의 DRAM 메모리 소자들을 포함하는 듀얼 인 라인 메모리 모듈(DIMM)이다.
실시 예로써, 상기 제 1 커넥터들, 상기 제 2 커넥터들 및 상기 메모리 중 적어도 하나에 연결된 메모리 컨트롤러를 더 포함한다.
실시 예로써, 상기 메모리는 MRAM 및 STT-MRAM 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 상기 컴퓨터 시스템은 프로세서 폼 팩터를 가지는 적어도 하나의 프로세서 소켓 및 제 1 메모리 타입을 가지는 제 1 메모리 모듈의 제 1 폼 팩터를 가지는 적어도 하나의 메모리 소켓을 포함하는 회로 보드; 상기 프로세서 폼 팩터를 가지며 상기 적어도 하나의 프로세서 소켓에 연결된 적어도 하나의 프로세서; 그리고 적어도 하나의 소켓 인터포저를 포함하며, 상기 적어도 하나의 소켓 인터포저 각각은 제 1 커넥터들, 적어도 하나의 온-보드 메모리 소켓 그리고 적어도 하나의 메모리를 포함하며, 상기 제 1 커넥터들은 서버 보드 상의 상기 적어도 하나의 메모리 소켓의 상기 제 1 폼 팩터에 맞는 것을 특징으로 하며, 상기 적어도 하나의 온-보드 메모리 소켓은 제 2 메모리 타입을 갖는 제 2 메모리 모듈의 제 2 폼 팩터에 맞는 제 2 커넥터들을 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 메모리는 상기 제 2 메모리 타입과 다른 제 3 메모리 타입을 갖는다.
실시 예로써, 상기 제 1 메모리 타입은 DRAM이며, 제 2 메모리 타입은 DRAM이고, 상기 메모리는 플래시 메모리이다.
실시 예로써, 상기 제 1 메모리 타입과 상기 제 2 메모리 타입은 동일하다.
실시 예로써, 상기 제 1 메모리 모듈은 복수의 DRAM 소자들을 포함하는 듀얼 인 라인 메모리 모듈(DIMM)이다.
실시 예로써, 상기 소켓 인터포저는 상기 제 1 커넥터들, 상기 제 2 커넥터들 그리고 상기 적어도 하나의 메모리 중 적어도 하나에 연결된 메모리 컨트롤러를 더 포함한다.
본 발명에 따른 소켓 인터포저는 다양한 메모리 타입가 메모리 양을 제공할 수 있어 개선된 성능과 유연성을 갖는다.
도 1은 소켓 인터포저의 일 예의 단면의 형태를 보여주는 도면이다.
도 2는 소켓 인터포저가 사용되는 컴퓨터 시스템의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 6은 소켓 인터포저 및 컴퓨터 시스템과 유사한, 소켓 인터포저들 및 소켓 인터포저를 포함하는 컴퓨터 시스템들의 다양한 실시 예들을 각각 보여주는 도면들이다.
도 7은 컴퓨터 시스템에서 사용되는 소켓 인터포저의 일 예의 측면을 보여주는 도면이다.
도 8은 소켓 인터포저와 같은 소켓 인터포저를 제작하기 위한 방법의 일 예를 보여주는 순서도이다.
도 9는 소켓 인터포저와 같은 소켓 인터포저를 사용하기 위한 방법의 일 예를 보여주는 순서도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예들이 좀더 구체적으로 설명될 것이다.
도 1은 소켓 인터포저(100)의 일 예의 단면의 형태를 보여주는 도면이다. 도 2는 소켓 인터포저(100)가 사용되는 컴퓨터 시스템(150)의 일 예를 보여주는 도면이다. 따라서, 도 2는 소켓 인터포저(100)가 동작할 수 있는 환경의 일 예를 보여준다. 컴퓨터 시스템(150)은 데이터 센터 또는 다른 서버 어플리케이션의 일부인 서버 보드(server board)일 것이다. 그러나, 다른 실시 예에 있어서, 컴퓨터 시스템(150)은 다른 환경에 놓여있을 수 있으며 또는 다른 기능들을 수행할 수도 있다. 따라서 컴퓨터 시스템(100) 및 소켓 인터포저(100)는 서버 팜(server farm) 내의 랙(rack)/서버(server) 환경 내에 있을 수 있으며 또는 이와 유사한 컴퓨팅 어플리케이션 내에 있을 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 컴퓨터 시스템(150)은 회로 보드(160), 외부 통신 인터페이스(170), 프로세서(180) 그리고 선택적 사우스브리지(182)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 컴퓨터 시스템(150) 내에는 입출력 인터페이스(input/output interface, 170)가 있다. 입출력 인터페이스(170)는 외부 통신을 위하여 필수적으로 사용된다. 입출력 인터페이스(170)는 입출력 포트(들)(input/output port(s), 174) 및 입출력 컨트롤러(input/output controller, 172)를 포함한다. 몇몇의 실시 예에 있어서, 입출력 컨트롤러(172)는 이더넷(Ethernet) 컨트롤러이다. 다른 실시 예들에 있어서, 외부 통신을 위하여 다른 프로토콜들을 사용하는 다른 컨트롤러들이 사용될 것이다.
회로 보드(160)는 소켓들(162, 164)을 포함한다. 회로 보드(166)는 또한 선택적 소켓 리소스들(optional socket resources, 168)과 관련된 선택적 소켓(166)을 포함할 것이다. 소켓(162)은 프로세서 소켓일 것이다. 프로세서(180)는 CPU일 것이며 프로세서 소켓(162)에 맞추어지는 폼 팩터(form factor)를 가지는 핀(pin)들을 가질 것이다. 따라서 프로세서(180)는 컴퓨터 시스템(160)이 서버 보드로써 기능하도록 하기 위하여 프로세서 소켓(162)에 삽입될 것이다. 회로 보드(160)는 또한 프로세서(180)/프로세서 소켓(162)을 위한 전용 메모리(163)를 포함할 것이다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 전용 메모리(163)는 회로 보드(160) 상의 DIMM 슬롯(slot) 에 삽입된 DIMM일 것이다. 그러나, 다른 실시 예들에 있어서, 전용 메모리(163)는 다른 형태로 제공될 것이다. 더욱이, 비록 도시되어 있지는 않으나, 많은 서버 보드들(150)은 복수의 소켓들 내에 있는 복수의 프로세서들을 포함할 것이다. 그러나, 간략한 설명을 위하여, 단지 몇몇의 소켓들 및 다른 소자들이 도 2에서는 도시되어 있다.
회로 보드(160)는 또한 메모리 소켓(memory socket, 164)을 포함한다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리 소켓(164)은 메모리/메모리 소켓(163)을 대신할 것이다. 따라서, 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리 소켓(164)은 DIMM 슬롯일 것이다. 소켓 인터포저(100)는 메모리 소켓(164)에 맞추어져 삽입될 것이다. 따라서, 소켓 인터포저(100) 및 메모리 모듈은 메모리(163)에 더하여 지거나 이를 대신할 것이다.
소켓 인터포저(100)는 온-보드 메모리 소켓(on-board memory socket, 110), 커넥터들(connectors, 120), 메모리(130) 그리고 선택적 메모리 소자(들)(optional additional component(s), 140)를 포함한다. 커넥터들(120)은 컴퓨터 시스템(150) 상의 메모리 소켓(164)에 맞도록 하는 특성 또는 폼 팩터를 가지는 복수의 핀들을 포함한다. 다시 말하면, 소켓 인터포저(100)는 소켓(164)에 삽입될 것이며 컴퓨터 시스템(150)에서 기능할 것이다. 소켓 인터포저(100)는 또한 메모리 소켓을 위하여 제공되는 공간 내에서 맞추어진 풋프린트(footprint)(또는, 발자국)를 가진다. 예를 들어, 만약 소켓(164)이 DIMM 소켓이라면, 소켓 인터포저(100)의 커넥터들(120)은 DIMM 모듈과 동일한 폼 팩터를 가질 것이다. 더욱이, 소켓 인터포저(100)는 DIMM 모듈과 실질적으로 동일한 풋프린트를 가질 것이다.
온-보드 메모리 소켓(110)은 메모리 모듈을 위한 폼 팩터 뿐만 아니라 커넥터들을 포함한다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리 모듈(110)은 DIMM 모듈과 일치한다. 따라서, 소켓 인터포저(100)에 제공된 어레인지먼트(arrangement)/폼 팩터 그리고 영역(area)은 DIMM 모듈이 온-보드 메모리 소켓(110)에 삽입되도록 할 것이다. 소켓 인터포저(100)는 따라서 온-보드 메모리 소켓(110)을 위한 라이저(riser)를 포함할 것이며, 이는 메모리 소켓(164)이 원래 맞추어(fit) 졌었던 메모리 소켓(164)/모듈을 위한 회로 보드(160) 상의 할당된 공간에 소켓 인터포저(110) 및 다른 메모리 모듈이 있도록 하는 것을 가능케 할 것이다.
소켓 인터포저(100)는 또한 메모리(130)를 포함한다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리(130)는 온-보드 메모리 소켓에 삽입된 메모리 모듈과 다른 메모리 타입이다. 예를 들어, 온-보드 메모리 소켓(110)이 DRAM DIMM 모듈을 위한 것인 경우, 메모리(130)는 플래시 메모리와 같은 불휘발성 메모리일 것이다. 예를 들어, 플래시 메모리는 NAND 메모리, NOR 메모리, MRAM(magnetic random access memory), STT-MRAM(spin transfer torque MRAM) 또는 다른 메모리일 것이다. 반대로, 만약 온-보드 메모리 소켓(130)이 플래시 메모리 모듈과 함께 사용되기 위한 것이라면, 메모리(130)는 DRAM 메모리일 것이다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리(130)는 온-보드 메모리이다. 따라서, 메모리(130)는 소켓 인터포저(130)에 병합될 것이다. 이러한 실시 예들에 있어서, 온-보드 메모리(130)는 말단 사용자에 의하여 쉽게 변하지 않을 것이다. 다른 실시 예들에 있어서, 메모리(130)는, 예를 들어 추가적인 소켓을 경유하여, 소켓 인터포저(100)에 연결될 것이다.
소켓 인터포저(100)는 또한 선택적 추가 소자(들)(140)을 포함할 것이다. 선택적 추가 소자(들)(140)은 소켓 인터포저(100)의 기능성을 확장하기 위하여 사용될 것이다. 예를 들어, 선택적 추가 소자(들)은 메모리 인터페이스 및/또는 컨트롤러 또는 소켓 인터포저(100)가 서버 보드(150)에 의하여 사용되도록 하는 다른 소자를 포함할 것이다.
소켓 인터포저(100)는 컴퓨터 시스템(150)의 기능성을 강화할 것이다. 이미 존재하는 메모리 소켓(164)을 가지는 이미 존재하는 회로 보드(160)는 소켓 인터포저(100)을 통하여 추가적인 메모리를 제공받을 것이다. 예를 들어, 큰 DRAM 캐시(cache)를 가지는 DIMM NAND 플래시는 소켓 인터포저(100) 및 메모리 모듈을 사용하여 제공될 것이다. DIMM 상의 플래시 메모리는 메모리(130) 및 온-보드 소켓(110)에 연결된 메모리 모듈을 사용하는 DRAM 메모리를 위한 로컬 스왑 공간(local swap space)으로 사용될 것이다. 다른 실시 예들에 있어서, 로우 플래시 블록 스토리지(raw flash block storage)가 소켓 인터포저(100) 및 관련된 메모리 모듈을 사용하는 DRAM 메모리를 따라 제공될 것이다. 따라서, 다양한 타입(들)의 추가적인 메모리가 소켓 인터포저(100)를 통하여 제공될 것이다. 예를 들어, DRAM 모듈이 온-보드 메모리 소켓(110)에 삽입될 것이다. 이는 그렇지 않았다면 소켓(164)에 삽입될 수 있었던 메모리 모듈일 것이다. DRAM 모듈이 여전히 소켓 인터포저(110)를 통하여 프로세서(180)에 의하여 사용 가능할 것이다. 더욱이, 메모리(130)는 프로세서(180)에 의하여 사용 가능한 추가적인 메모리 리소스들을 제공할 것이다. 예를 들어, 메모리(130)의 전부 또는 일부는 플래시 메모리일 것이다. DRAM과 플래시 메모리의 조합은 불휘발성 스토리지를 제공하는 동안에 레이턴시(latency) 그리고 프로세서(180) 및/또는 컴퓨터 시스템(150)의 성능의 다른 측면들을 향상시킬 것이다. 더욱이, 메모리(130)에서 제공되는 플래시의 양은 원하는 DRAM 대 플래시의 비율을 얻기 위하여 조정될 것이다. 이는 다양한 크기들의 온-보드 메모리들을 제공하는 것에 의하여 또는 메모리(130)를 위한 다양한 크기들의 소켓 및 플러그-인(plug-in) 메모리 모듈들을 사용하는 것에 의하여 수행될 것이다. 따라서 원하는 메모리 비율을 가지는 혼합(hybrid) 메모리가 제공될 것이다. 컴퓨터 시스템(150)의 성능이 더욱 개선될 것이다. 그 대신에, 플래시 메모리 모듈은 온-보드 메모리 소켓에 연결될 것이다. DRAM 또는 플래시와 같은 다른 메모리는 메모리(130)를 구성하거나 그 일부일 것이다. 따라서, 혼합 메모리가 소켓 인터포저(100)를 사용하는 것을 통하여 제공될 것이다. 다른 실시 예들에 있어서, 동일한 메모리 타입이 온-보드 소켓 인터포저(100)에 연결된 메모리 모듈 내에 있을 것이다. 더욱이, 소켓 인터포저(100)는 메모리(163)를 위한 전용 메모리 소켓에서 사용될 것이다. 메모리(163)는 온-보드 메모리 소켓(110)내에 삽입될 것이다. 메모리(163) 및 메모리(130)는 둘 다 프로세서(180)를 위하여 제공될 것이다. 따라서, 추가적인 메모리 리소스들이 컴퓨터 시스템(150)에 사용 가능하도록 구성될 것이며 컴퓨터 시스템(150)의 기능이 향상될 것이다.
도 3 내지 도 6은 소켓 인터포저(100) 및 컴퓨터 시스템(150)과 유사한, 소켓 인터포저들 및 소켓 인터포저를 포함하는 컴퓨터 시스템들의 다양한 실시 예들을 각각 보여주는 도면들이다. 도 3 내지 도 6에서는 유사한 소자들은 도 1 및 도 2와 유사한 번호를 사용하여 설명된다.
도 3은 컴퓨터 시스템(150')에서 사용되는 소켓 인터포저(100')의 일 예를 설명하는 도면이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100')와 컴퓨터 시스템(150')의 일 부분만이 도시되어 있다. 컴퓨터 시스템(150')은 데이터 센터 또는 다른 서버 어플리케이션의 일부인 서버 보드일 것이다. 따라서, 도 3의 설명에서, 컴퓨터 시스템(150')은 서버 보드(150')로 설명된다. 그러나, 다른 실시 예들에 있어서, 서버 보드(150')는 다른 환경 내에 놓여질 수 있으며, 또는 다른 기능들을 수행할 수 있을 것이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100')와 메모리 모듈(190)만이 도시되어 있다. 메모리 모듈(190)은 메모리(163)이거나 또는 다른 모듈일 것이다. 예를 들어, DRAM 또는 다른 DIMM 모듈이 메모리 모듈(190)을 위하여 사용될 것이다.
소켓 인터포저(100')는 온-보드 메모리 소켓(110), 커넥터들(120), 메모리(130) 그리고 소자들(140)과 유사한 온-보드 메모리 소켓(110'), 커넥터들(120), 메모리(130') 그리고 컨트롤러(140')를 각각 포함한다. 온-보드 메모리 소켓(110')은 커넥터들(112)을 포함한다. 커넥터들(112)은 컴퓨터 시스템(150')을 위한 메모리 모듈(190)에 맞추어진 특성 또는 폼 팩터를 갖는 복수의 핀들을 포함한다. 예를 들어, 메모리 모듈(190)은 DRAM DIMM 모듈, 플래시 모듈 또는 다른 메모리일 것이다. 따라서, 온-보드 메모리 소켓(110')의 풋프린트(footprint) 및 폼 팩터 그리고 커넥터들(112)의 특성은 메모리 모듈(190)을 위한 것일 것이다. 예를 들어, 만약 메모리 모듈(190)이 DRAM DIMM인 경우에, 풋프린트 및 커넥터들(112)과 같은 온-보드 메모리 소켓(110')의 특성들은 DRAM DIMM이 소켓에 삽입 되도록 맞추어지는 것일 것이다.
커넥터들(120)은 상술한 바와 같은 특성이 있다. 따라서, 소켓 인터포저(100')는 컴퓨터 시스템(150) 상의 메모리 소켓(164)에 삽입될 것이다. 소켓 인터포저(100')는 또한 메모리(130')를 포함할 것이다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리(130')는 온-보드 메모리 소켓에 삽입되는 메모리 모듈과는 다른 메모리 타입일 것이다. 예를 들어, 온-보드 메모리 소켓(110')이 DRAM DIMM 모듈을 위한 것일 경우에, 메모리(130')는 플래시 메모리일 것이다. 예를 들어, 플래시 메모리는 NAND 메모리, NOR 메모리, MRAM(magnetic random access memory), STT-MRAM(spin-transfer torque MRAM) 또는 다른 메모리일 것이다. 반대로, 만약 온-보드 메모리 소켓(130)이 플래시 메모리 모듈을 위한 것일 경우에,메모리(130')는 DRAM 메모리일 것이다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리(130')는 온-보드 메모리이다. 다른 실시 예들에 있어서, 메모리(130')는, 예를 들어 추가 소켓을 경유하여 소켓 인터포저(100')에 연결될 것이다.
소켓 인터포저(100')는 또한 메모리 컨트롤러(140')를 포함한다. 메모리 컨트롤러(140')는 온-보드 메모리 소켓(110') 뿐만 아니라 메모리(130')에 연결된다. 비록 메모리 컨트롤러(140')가 소자들(110' ,130')에 직접적으로 연결되는 것으로 도시되어 있지만, 다른 실시 예들에 있어서, 소자들(110' ,130')은 다른 소자들을 경유하여 연결될 수 있다. 메모리(130) 및 메모리 모듈(190)의 컨텐츠들(contents)이 따라서 처리될 것이다. 다시 말하면, 데이터가 메모리 모듈(190) 및/또는 메모리(130')에 쓰여지거나 이로부터 검색될 것이다.
소켓 인터포저(100')는 다양한 타입들의 추가적인 메모리를 제공함으로써 컴퓨터 시스템(150')의 기능성을 강화할 것이다. 예를 들어, 불휘발성 스토리지 및 휘발성 스토리지 모두를 포함하는 혼합 메모리(hybrid memory)가 제공될 것이다. 예를 들어, DRAM 모듈이 온-보드 메모리 소켓(110')에 삽입될 것이다. 이는 그렇지 않은 경우에 소켓(164)에 삽입되었던 메모리 모듈일 것이다. DRAM 모듈은 여전히 소켓 인터포저(110')를 통하여 프로세서(180)에 의하여 사용 가능할 것이다. 더욱이, 메모리(130')는 프로세서(180)에 의하여 사용 가능한 추가적인 메모리 리소스들을 제공할 것이다. 적어도 몇몇의 이러한 메모리 리소스들은 플래시 메모리 또는 다른 타입의 불휘발성 스토리지일 것이다. DRAM 및 플래시의 조합은 불휘발성 메모리를 제공하는 것에 반하여, 프로세서(180) 및/또는 컴퓨터 시스템(150')의 레이턴시 및 다른 성능 특성들을 개선시킬 것이다. 더욱이, 메모리(130')에 제공된 플래시의 양이 DRAM 대 플래시의 원하는 비율을 얻기 위하여 조정될 수 있을 것이다. 이는 다양한 크기들의 온-보드 메모리들을 제공하는 것에 의하여 또는 다양한 사이즈들을 갖는 메모리(130')를 위한 소켓 및 플러그-인 메모리(plug-in memory)의 조합을 사용하는 것에 의하여 수행될 것이다. 그렇지 않으면, 플래시 메모리는 메모리(130')를 통하여 제공되는 메모리 모듈(190) 및 DRAM을 경유하여 제공될 것이다. 따라서, 원하는 메모리 비율을 갖는 혼합 메모리가 제공될 것이다. 컴퓨터 시스템(150)의 성능은 더욱 향상될 것이다.
도 4는 컴퓨터 시스템(150'')에서 사용되는 소켓 인터포저(100'')의 일 예를 설명하는 도면이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100'')와 컴퓨터 시스템(150'')의 일 부분만이 도시되어 있다. 컴퓨터 시스템(150'')은 데이터 센터 또는 다른 서버 어플리케이션의 일부인 서버 보드일 것이다. 따라서, 도 4의 설명에서, 컴퓨터 시스템(150'')은 서버 보드(150'')로 설명된다. 그러나, 다른 실시 예들에 있어서, 서버 보드(150'')는 다른 환경 내에 놓여질 수 있으며, 또는 다른 기능들을 수행할 수 있을 것이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100'')와 메모리 모듈(190')만이 도시되어 있다. 메모리 모듈(190')은 메모리(163)이거나 또는 다른 모듈일 것이다. 예를 들어, DRAM DIMM 모듈이 메모리 모듈(190')을 위하여 사용될 것이다.
소켓 인터포저(100'')는 온-보드 메모리 소켓(110/110'), 커넥터들(120), 메모리(130/130') 그리고 소자들(140)/컨트롤러(140')과 유사한 온-보드 메모리 소켓(110''), 커넥터들(120), 온-보드 플래시 메모리(130'') 그리고 컨트롤러(140')를 각각 포함한다. 온-보드 메모리 소켓(110'')은 커넥터들(112)과 유사한 커넥터들(112')을 포함한다. 커넥터들(112')은 컴퓨터 시스템(150'')을 위한 DRAM DIMM(190')에 맞추어진 특성 또는 폼 팩터를 갖는 복수의 핀들을 포함한다. 따라서, 커넥터들(112')의 숫자 및 특성뿐만 아니라 온-보드 메모리 소켓(110'')의 풋프린트(footprint) 및 폼 팩터는 DRAM DIMM(190')을 위한 것일 것이다.
커넥터들(120)은 상술한 바와 같은 특성이 있다. 따라서, 소켓 인터포저(100'')는 컴퓨터 시스템(150) 상의 메모리 소켓(164)에 삽입될 것이다. 소켓 인터포저(100'')는 또한 온-보드 플래시 메모리(130'')를 포함할 것이다. 이러한 실시 예에 있어서, 온-보드 플래시 메모리(130'')는 온-보드 메모리 소켓(110'')에 삽입되는 DRAM DIMM 모듈(190')과는 다른 메모리 타입일 것이다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 온-보드 플래시 메모리는 NAND 메모리, NOR 메모리, MRAM(magnetic random access memory), STT-MRAM(spin-transfer torque MRAM) 또는 다른 메모리일 것이다.
소켓 인터포저(100'')는 또한 메모리 컨트롤러(140')를 포함한다. 메모리 컨트롤러(140')는 온-보드 메모리 소켓(110'') 뿐만 아니라 온-보드 플래시 메모리(130'')에 연결된다. 비록 메모리 컨트롤러(140')가 소자들(110'' ,130'')에 직접적으로 연결되는 것으로 도시되어 있지만, 다른 실시 예들에 있어서, 소자들(110'' ,130'')은 다른 소자들을 경유하여 연결될 수 있다. 메모리(130'') 및 메모리 모듈(190')의 컨텐츠들(contents)이 따라서 처리될 것이다. 다시 말하면, 데이터가 메모리 모듈(190') 및/또는 메모리(130'')에 쓰여지거나 이로부터 검색될 것이다.
소켓 인터포저(100'')는 플래시 메모리와 DRAM의 조합을 제공함으로써 컴퓨터 시스템(150'')의 기능성을 강화할 것이다. 메모리(130'')에 제공된 플래시의 양은 DRAM 대 플래시의 원하는 비율을 얻기 위하여 조정될 수 있을 것이다. 컴퓨터 시스템(150'')의 성능은 더욱 향상될 것이다.
도 5는 컴퓨터 시스템(150''')에서 사용되는 소켓 인터포저(100''')의 일 예를 설명하는 도면이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100'')와 컴퓨터 시스템(150'')의 일 부분만이 도시되어 있다. 컴퓨터 시스템(150'')은 데이터 센터 또는 다른 서버 어플리케이션의 일부인 서버 보드일 것이다. 따라서, 도 5의 설명에서, 컴퓨터 시스템(150'')은 서버 보드(150'')로 설명된다. 그러나, 다른 실시 예들에 있어서, 서버 보드(150'')는 다른 환경 내에 놓여질 수 있으며, 또는 다른 기능들을 수행할 수 있을 것이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100'')와 메모리 모듈(190')만이 도시되어 있다. 메모리 모듈(190')은 메모리(163)이거나 또는 다른 모듈일 것이다. 이러한 실시 예에 있어서, DRAM DIMM 모듈이 메모리 모듈(190')을 위하여 사용될 것이다.
소켓 인터포저(100'')는 온-보드 메모리 소켓(110/110'/110''), 커넥터들(120), 메모리(130/130') 그리고 소자들(140)/컨트롤러(140')와 유사한 온-보드 메모리 소켓(110'''), 커넥터들(120), 메모리(130''') 그리고 컨트롤러(140')를 각각 포함한다. 온-보드 메모리 소켓(110'')은 도 4에 도시된 온-보드 메모리 소켓(110'')과 유사하다. 소켓(110'')은 따라서 커넥터들(112/112')과 유사한 커넥터들(112')을 포함한다. 커넥터들(112')은 DRAM DIMM(190')에 맞추어진 특성 또는 폼 팩터를 갖는 복수의 핀들을 포함한다. 따라서, 커넥터들(112')의 숫자 및 특성 뿐만 아니라 온-보드 메모리 소켓(110'')의 풋프린트(footprint) 및 폼 팩터는 DRAM DIMM(190')을 위한 것일 것이다.
커넥터들(120)은 상술한 바와 같은 특성이 있다. 따라서, 소켓 인터포저(100'')는 컴퓨터 시스템(150) 상의 메모리 소켓(164)에 삽입될 것이다. 소켓 인터포저(100'')는 또한 메모리(130'')를 포함할 것이다. 메모리(130'')는 플래시 메모리이다. 이러한 실시 예에 있어서, 플래시 메모리(130'')는 온-보드 메모리 소켓(110'')에 삽입되는 DRAM DIMM 모듈(190')과는 다른 메모리 타입일 것이다. 더욱이 메모리(130''')는 소켓(132)에 삽입되는 플래시 메모리 소켓(또는 플래시 소켓 라이저(riser))(132) 및 메모리 모듈(134)을 포함한다. 메모리 모듈(134)은 플래시 모듈일 것이다. 예를 들어, 플래시 메모리는 NAND 메모리, NOR 메모리, MRAM(magnetic random access memory), STT-MRAM(spin-transfer torque MRAM) 또는 다른 메모리일 것이다.
소켓 인터포저(100''')는 또한 메모리 컨트롤러(140')를 포함한다. 메모리 컨트롤러(140')는 온-보드 메모리 소켓(110'') 뿐만 아니라 메모리(130''')에 연결된다. 비록 메모리 컨트롤러(140')가 소자들(110'' ,130''')에 직접적으로 연결되는 것으로 도시되어 있지만, 다른 실시 예들에 있어서, 소자들(110'' ,130''')은 다른 소자들을 경유하여 연결될 수 있다. 메모리(130''') 및 메모리 모듈(190')의 컨텐츠들(contents)이 따라서 처리될 것이다. 다시 말하면, 데이터가 메모리 모듈(190') 및/또는 메모리(130''')에 쓰여지거나 이로부터 검색될 것이다.
소켓 인터포저(100''')는 플래시 메모리 및 DRAM의 조합(혼합)을 제공함으로써 컴퓨터 시스템(150''')의 기능성을 강화할 것이다. 메모리(134)에 제공된 플래시의 양이 DRAM 대 플래시의 원하는 비율을 얻기 위하여 조정될 수 있을 것이다. 이는 다양한 플래시 메모리 모듈들(134)이 소켓에 삽입될 것이기 때문에 보다 쉽게 수행될 수 있을 것이다. 컴퓨터 시스템(150''')의 성능은 더욱 향상될 것이다.
도 6은 컴퓨터 시스템(150'''')에서 사용되는 소켓 인터포저(100'''')의 일 예를 설명하는 도면이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100'''')와 컴퓨터 시스템(150'''')의 일 부분만이 도시되어 있다. 컴퓨터 시스템(150'''')은 데이터 센터 또는 다른 서버 어플리케이션의 일부인 서버 보드일 것이다. 따라서, 도 6의 설명에서, 컴퓨터 시스템(150'''')은 서버 보드(150'''')로 설명된다. 그러나, 다른 실시 예들에 있어서, 서버 보드(150'''')는 다른 환경 내에 놓여질 수 있으며, 또는 다른 기능들을 수행할 수 있을 것이다. 명확한 설명을 위하여, 단지 소켓 인터포저(100''')와 메모리 모듈(190'')만이 도시되어 있다. 메모리 모듈(190'')은 메모리(163)이거나 또는 다른 모듈일 것이다. 이러한 실시 예에 있어서, 플래시 메모리 모듈(190'')이 사용된다. 플래시 모듈(190'')은 DRMM 또는 다른 특성을 가질 것이다.
소켓 인터포저(100'''')는 온-보드 메모리 소켓(110/110'/110''), 커넥터들(120), 메모리(130/130') 그리고 소자들(140)/컨트롤러(140')와 유사한 온-보드 메모리 소켓(110'''), 커넥터들(120), 메모리(130'''') 그리고 컨트롤러(140')를 각각 포함한다. 온-보드 메모리 소켓(110''')은 온-보드 메모리 소켓(110/110'/110'')과 유사하다. 소켓(110''')은 따라서 커넥터들(112/112')과 유사한 커넥터들(112'')을 포함한다. 커넥터들(112'')은 플래시 메모리 모듈(190'')에 맞추어진 특성 또는 폼 팩터를 갖는 복수의 핀들을 포함한다. 따라서, 커넥터들(112'')의 숫자 및 특성 뿐만 아니라 온-보드 메모리 소켓(110''')의 풋프린트(footprint) 및 폼 팩터는 플래시 메모리 모듈(190'')을 위한 것일 것이다.
커넥터들(120)은 상술한 바와 같은 특성이 있다. 따라서, 소켓 인터포저(100'''')는 컴퓨터 시스템(150) 상의 메모리 소켓(164)에 삽입될 것이다. 소켓 인터포저(100'''')는 또한 메모리(130'''')를 포함할 것이다. 메모리(130'')는 DRAM 메모리이다. 이러한 실시 예에 있어서, DRAM 메모리(130'''')는 온-보드 메모리 소켓(110'''')에 삽입되는 플래시 메모리 모듈(190'')과는 다른 메모리 타입일 것이다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, DRAM(130'''')은 온-보드 메모리이다. 다른 실시 예들에 있어서, DRAM(130'''')은 메모리(130'''), 소켓(132) 그리고 메모리 모듈(134)과 유사한, DRAM DIMM과 같은 소켓 및 메모리 모듈을 포함할 것이다.
소켓 인터포저(100'''')는 또한 메모리 컨트롤러(140')를 포함한다. 메모리 컨트롤러(140')는 온-보드 메모리 소켓(110''') 뿐만 아니라 메모리(130'''')에 연결된다. 비록 메모리 컨트롤러(140')가 소자들(110''' ,130'''')에 직접적으로 연결되는 것으로 도시되어 있지만, 다른 실시 예들에 있어서, 소자들(110''' ,130'''')은 다른 소자들을 경유하여 연결될 수 있다. 메모리(130'''') 및 메모리 모듈(190'')의 컨텐츠들(contents)이 따라서 처리될 것이다. 다시 말하면, 데이터가 메모리 모듈(190'') 및/또는 메모리(130'''')에 쓰여지거나 이로부터 검색될 것이다.
소켓 인터포저(100'''')는 플래시 메모리 및 DRAM의 조합(혼합)을 제공함으로써 컴퓨터 시스템(150''')의 기능성을 강화할 것이다. 메모리(134)에 제공된 플래시의 양이 DRAM 대 플래시의 원하는 비율을 얻기 위하여 조정될 수 있을 것이다. 컴퓨터 시스템(150''')의 성능은 더욱 향상될 것이다.
도 7은 컴퓨터 시스템(250)에서 사용되는 소켓 인터포저(200)의 일 예의 측면을 보여주는 도면이다. 명확한 설명을 위하여, 두 개의 소켓 인터포저(200)와 컴퓨터 시스템(250)의 일 부분가 도시되어 있다. 소켓 인터포저(200)와 컴퓨터 시스템(250)은 각각 소켓 인터포저들(100, 100', 100'', 100''' 및/또는 100'''')와 컴퓨터 시스템들(150, 150', 150'', 150''' 및/또는 150'''')와 유사할 것이다. 따라서 소켓 인터포저(200)는 메모리 소켓들(110, 110', 110'' 및/또는 110''')과 메모리 모듈들(190, 190' 및/또는 190'')과 각각 유사한 온-보드 메모리 소켓(210) 및 이에 연결된 메모리 모듈(290)을 포함하는 것으로 도시되어 있다. 이와 유사하게, 컴퓨터 시스템(250)은 회로 보드(160) 및 메모리 소켓(164)과 각각 유사한 회로 보드(260) 및 소켓들(264)을 포함한다. 간략한 설명을 위하여, 소켓 인터포저(200) 및 컴퓨터 시스템(250)의 모든 부분들이 도시되어 있지는 않다. 메모리 모듈(190'')은 메모리(163)이거나 또는 다른 모듈일 것이다. 실시 예에 도시된 바와 같이,플래시 메모리 모듈(190'')이 사용된다. 플래시 모듈(190'')은 DIMM 또는 다른 특성을 가질 것이다.
실시 예에 도시된 바와 같이, 메모리 소켓들(264)은 DIMM 소켓들일 것이다. 소켓 인터포저(200)는 앞서 설명된 플래시 메모리, DRAM 또는 다른 메모리와 같은 메모리를 포함할 것이다. 메모리는 메모리 모듈(290)의 폼 팩터 및 풋프린트에 맞추어지는 커넥터들을 포함하는 온-보드 메모리 소켓(210)을 포함한다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 메모리 모듈(들)(290)은 DIMM DRAM 또는 다른 메모리일 것이다. 따라서, 온-보드 메모리 소켓(210)은 DIMM 소켓일 것이다. 소켓 인터포저(200) 및 컴퓨터 시스템(250)의 소자들은 앞서 설명된 특성을 가질 것이다.
이에 더하여, 도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 온-보드 메모리 소켓들(290)은 거꾸로(upside down) 놓여있을 것이다. 결과적으로, DIMM 모듈(290)은 거꾸로 놓여 있으며 소켓 인터포저(200)와 평행할 것이다.
소켓 인터포저(200)는 추가적인 메모리를 제공함으로써 컴퓨터 시스템(250)의 기능성을 강화할 것이다. 예를 들어, 보드(board) 상의 메모리(미도시)를 통하여 소켓 인터포저(200)와 DIMM 모듈(290)에 플래시 메모리 및 DRAM의 조합이 제공될 것이다. 컴퓨터 시스템(250)의 성능이 더욱 강화될 것이다. 더욱이, DIMM 모듈들(290)의 방향 때문에, 공간이 절약될 것이며 컴퓨터 시스템(250)을 위하여 요구되는 높이(height)가 적당하게 맞추어질 것이다. 그러나, 모듈들(290) 근처의 개선된 열방출(thermal dissipation)이 요구될 것이다.
도 8은 소켓 인터포저(100, 100', 100'', 100''', 100'''' 및/또는 200)과 같은 소켓 인터포저를 제작하기 위한 방법(300)의 일 예를 보여주는 순서도이다. 간략한 설명을 위하여, 몇몇의 단계들은 생략되거나 서로 병합되어 있다. 방법(300)은 소켓 인터포저(100)를 이용하여 설명된다. 그러나, 방법(300)은 다른 소켓 인터포저들을 위하여 사용될 수 있을 것이다.
단계(302)에서, 커넥터들(120)이 제공된다. 단계(302)는 원하는 폼 팩터를 갖는 커넥터들을 설정하는 것을 포함할 것이다. 예를 들어, 커넥터들(120)은 DIMM 소켓과 같은 메모리 소켓을 위한 것일 것이다. 단계(304)에서, 온-보드 메모리 소켓(110)이 제공된다. 단계(304)는 DRAM DIMM 모듈과 같이, 영역(area)을 할당하거나 원하는 메모리 모듈의 풋프린트를 위하여 충분한 라이저(riser)를 제공하는 것을 포함할 것이다. 커넥터들(112/112'/112'')과 같은 커넥터들은 또한 원하는 폼 팩터를 가질 것이다. 예를 들어, 커넥터들(112/112'/112'')의 숫자와 위치는 DIMM 소켓을 위한 것일 것이다. 단계(306)에서 메모리(130)가 제공된다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 단계(306)는 온-보드 메모리를 제공하는 것을 포함한다. 다른 실시 예들에 있어서, 단계(306)는 메모리가 삽입될 수 있는 다른 소켓을 제공하는 것을 포함할 것이다. 단계(308)에서, 메모리 컨트롤러(140') 및/또는 다른 추가적인 소자들이 제공될 것이다. 따라서, 원하는 소켓 인터포저가 제작될 수 있을 것이다.
방법(300)을 사용하여, 소켓 인터포저(100, 100', 100'', 100''', 100'''') 및/또는 유사한 소켓 인터포저가 제공될 것이다. 따라서, 앞서 설명된 하나 또는 그 이상의 효과가 얻어질 수 있을 것이다.
도 9는 소켓 인터포저(100, 100', 100'', 100''', 100'''' 및/또는 200)과 같은 소켓 인터포저를 사용하기 위한 방법(350)의 일 예를 보여주는 순서도이다. 간략한 설명을 위하여, 몇몇의 단계들은 생략되거나 서로 병합되어 있다. 방법(350)은 소켓 인터포저(100) 및 컴퓨터 시스템(150)을 이용하여 설명된다. 그러나, 방법(350)은 다른 소켓 인터포저들 및 다른 컴퓨터 시스템들을 위하여 사용될 수 있을 것이다.
단계(352)에서, 소켓 인터포저(100)가 컴퓨터 시스템(150)의 적당한 기존의 소켓(164)에 삽입된다. 소켓 인터포저(100)는 따라서 메모리 소자를 위하여 설계되고 제작된 소켓에 삽입될 것이다. 몇몇의 실시 예들에 있어서, 소켓 인터포저는 메모리(163)를 위한 소켓에 삽입될 것이다. 단계(354)에서, 원하는 메모리 모듈이 소켓 인터포저 내의 온-보드 소켓(110)에 삽입된다. 컴퓨터 시스템(150) 또는 서버 보드는 이후 해당 소켓 인터포저(100)를 사용할 것이다.
방법(350)을 사용하여, 소켓 인터포저(100, 100', 100'', 100''', 100'''') 및/또는 유사한 소켓 인터포저가 원하는 컴퓨터 시스템(150, 150', 150'', 150''', 150'''', 250) 및/또는 유사한 컴퓨터 시스템에 연결될 것이다. 따라서, 컴퓨터 시스템은 보다 나은 기능 및/또는 성능을 가지게 될 것이다. 예를 들어, 통신의 레이턴시가 감소되거나 또는 사용 가능한 메모리 리소스들이 강화될 것이다. 결과적으로, 컴퓨터 시스템의 성능이 개선될 것이다.
상술한 바와 같이, 소켓 인터포저를 위한 방법 및 시스템이 설명되었다. 다만, 이는 앞서 설명된 구체적인 실시 예들은 예시적인 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않음이 이해될 것이다. 본 발명의 기술적 사상은 다양하게 적용 및 응용 될 수 있으며, 이러한 다양한 적용 예들 및 응용 예들은 모두 본 출원의 기술적 사상의 범주 내에 속함이 이해될 것이다.
110: 온-보드 메모리 소켓
120: 커넥터들
130: 메모리
140: 선택적 추가 소자(들)
160: 회로 보드
162: 프로세서 소켓
163: 메모리
164: 메모리 소켓
166: 소켓
168: 선택적 소켓 리소스들
170: 입출력 인터페이스
172: 입출력 컨트롤러
174: 입출력 포트
180: 프로세서
182: 선택적 사우스브리지

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 컴퓨터 시스템에 있어서,
    상기 컴퓨터 시스템은
    프로세서 폼 팩터를 가지는 적어도 하나의 프로세서 소켓 및 제 1 메모리 타입을 가지는 제 1 메모리 모듈의 제 1 폼 팩터를 가지는 적어도 하나의 메모리 소켓을 포함하는 회로 보드;
    상기 프로세서 폼 팩터를 가지며 상기 적어도 하나의 프로세서 소켓에 연결된 적어도 하나의 프로세서; 그리고
    적어도 하나의 소켓 인터포저를 포함하며,
    상기 적어도 하나의 소켓 인터포저 각각은 제 1 복수의 커넥터들, 적어도 하나의 온-보드 메모리 소켓 그리고 적어도 하나의 메모리를 포함하며, 상기 제 1 복수의 커넥터들은 서버 보드 상의 상기 적어도 하나의 메모리 소켓의 상기 제 1 폼 팩터에 맞도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 온-보드 메모리 소켓은 제 2 메모리 타입을 갖는 제 2 메모리 모듈의 제 2 폼 팩터에 맞도록 구성된 제 2 복수의 커넥터들을 포함하고, 상기 적어도 하나의 메모리는 상기 제 2 메모리 타입과 다른 제 3 메모리 타입을 갖는, 컴퓨터 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 메모리 타입은 DRAM이며, 제 2 메모리 타입은 상기 DRAM이고 그리고 상기 적어도 하나의 메모리는 플래시 메모리인, 컴퓨터 시스템.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 메모리 타입은 상기 제 2 메모리 타입과 동일한, 컴퓨터 시스템.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 메모리 모듈은 복수의 DRAM 소자들을 포함하는 듀얼 인 라인 메모리 모듈(DIMM)인, 컴퓨터 시스템.
  10. 컴퓨터 시스템을 제공하기 위한 방법에 있어서,
    상기 컴퓨터 시스템의 회로 보드의 메모리 소켓에 소켓 인터포저를 삽입하는 단계; 및
    적어도 하나의 온-보드 소켓에 메모리 모듈을 삽입하는 단계를 포함하되
    상기 소켓 인터포저는 제 1 복수의 커넥터들, 적어도 하나의 온-보드 소켓 및 적어도 하나의 메모리를 포함하며, 상기 제 1 복수의 커넥터들은 서버 보드 상의 메모리 소켓의 제 1 폼 펙터에 맞도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 온-보드 소켓은 제 1 메모리 타입을 갖는 상기 메모리 모듈의 제 2 폼 펙터에 맞도록 구성되는 제 2 복수의 커넥터들을 포함하고, 상기 적어도 하나의 메모리는 상기 제 1 메모리 타입과 다른 제 2 메모리 타입을 갖는 방법.
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