KR102331289B1

KR102331289B1 - 액처리 장치 및 배관의 감시 방법

Info

Publication number: KR102331289B1
Application number: KR1020170102348A
Authority: KR
Inventors: 다다시 이이노; 다카시 우노; 요시히로 가이
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2016-08-18
Filing date: 2017-08-11
Publication date: 2021-11-24
Also published as: JP6702082B2; JP2018029135A; KR20180020897A

Abstract

본 발명은 도전성이 있는 배관의 상태를 감시하는 것이 가능한 배관의 감시 장치 등을 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 처리 장치는, 기판 유지부(30)에 유지된 기판(W)에 대하여, 노즐부(411)로부터 처리액을 토출하여 액처리를 행하고, 저항 측정부(64)는, 처리액의 공급에 이용되는 도전성의 배관(46)에 설정된 상류측 위치와 하류측 위치에 각각 접속된 제1 전극부(61) 및 제2 전극부(62)의 사이의 배관(46)의 저항치를 측정하고, 대전 억제 작용의 발휘 상황을 감시한다.

Description

액처리 장치 및 배관의 감시 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS AND PIPE MONITORING METHOD}

본 발명은, 기판에 처리액을 공급하는 배관의 상태를 감시하는 기술에 관한 것이다.

기판인 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 집적 회로의 적층 구조를 형성하는 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 회전하는 웨이퍼의 표면에 복수 종류의 처리액을 전환하여 공급하여, 웨이퍼를 처리하는 액처리 장치가 알려져 있다.

이러한 액처리 장치에 있어서, 웨이퍼에 공급되는 처리액이 배관 내를 통류할 때에, 배관을 구성하는 부재와의 마찰에 의해 배관이 대전되는 경우가 있다.

이 점에 관해 인용문헌 1에는, 도전성의 배관(튜브)을 이용하여 처리액을 공급함과 함께, 이 배관을 접지함으로써 배관의 대전을 억제하는 기술이 기재되어 있다.

여기서 인용문헌 1에 기재된 바와 같이, 액처리 장치에 있어서는, 웨이퍼에 대하여 처리액을 공급하는 노즐부의 이동 등에 따라서 변형 가능한, 가요성이 있는 배관이 이용되는 경우가 있다.

그러나, 도전성의 배관 중에는, 굴곡 등의 변형에 대한 내구성이 낮은 것도 있다. 이러한 도전성의 배관을 장기간 계속 사용하면, 도전성이 저하되어 처리액의 대전 억제 작용을 충분하게 얻을 수 없게 된다.

따라서 도전성의 배관을 이용하는 경우에는, 도전성의 배관의 변형 횟수 등을 사전에 예상하여, 대전 억제 작용의 저하가 발생하기 전에 도전성의 배관을 교환하는 처치가 강구되고 있다. 그러나, 배관의 변형 횟수는, 액처리 장치에서 실시되는 액처리의 내용에 따라서도 변화하기 때문에, 교환 시기에 도달하기 전에 도전성이 저하될 우려가 있다.

일본 특허 공개 제2014-78630호 공보 : 단락 0021, 도 3

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 도전성이 있는 배관의 상태를 감시하는 것이 가능한 액처리 장치 및 배관의 감시 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 액처리 장치는, 액처리가 행해지는 기판을 유지하는 기판 유지부와,

상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 토출하는 노즐부와,

상기 노즐부에 접속되며, 상기 처리액이 흐르는 도전성의 배관과,

상기 배관의 미리 정해진 위치에 설정된 상류측 위치와, 이 상류측 위치보다 상기 처리액의 흐름 방향 하류측에 설정된 하류측 위치에 각각 접속된 제1 전극부 및 제2 전극부와,

상기 제1 전극부와 제2 전극부 사이의 배관의 저항치를 측정하기 위한 저항 측정부를 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명은, 도전성의 배관에 저항 측정부를 접속하여 저항치를 측정함으로써, 그 배관에서의 대전 억제 작용의 발휘 상황을 감시할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 처리 유닛을 구비한 기판 처리 시스템의 개요를 나타내는 평면도이다.
도 2는 상기 처리 유닛의 개요를 나타내는 종단 측면도이다.
도 3은 상기 처리 유닛에 설치된 처리 유체 공급부 및 노즐부의 이동 기구의 사시도이다.
도 4는 상기 처리 유체 공급부에 처리액을 공급하는 도전성 배관의 일부 파단 사시도이다.
도 5는 상기 도전성 배관의 감시 장치의 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 6은 상기 도전성 배관에 대한 전극부의 접속 위치의 예를 나타내는 설명도이다.
도 7은 상기 도전성 배관에 대한 전극부의 접속 위치의 다른 예를 나타내는 설명도이다.
도 8은 사용 시간의 경과에 따르는 상기 도전성 배관의 저항치의 변화를 나타내는 모식도이다.
도 9는 기판 유지핀을 통해 웨이퍼의 대전 억제를 행하는 것이 가능한 기판 유지 기구의 제1 설명도이다.
도 10은 상기 기판 유지 기구의 제2 설명도이다.
도 11은 상기 감시 장치를 이용하여 웨이퍼의 대전 억제에 관한 기판 접지 도전로측의 회로의 저항을 측정하는 수법에 관한 설명도이다.

도 1은, 본 실시형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.

반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.

처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 기판 처리를 행한다.

또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.

또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷옵티컬디스크(MO), 메모리카드 등이 있다.

상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어 처리 유닛(16)에 반입된다.

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는 FFU(Fan Filter Unit)(21)이 설치된다. FFU(21)은 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는 수직 방향으로 연장된 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 수직축 둘레에 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

처리 유체 공급부(40)는 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되어, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)에서 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)으로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.

전술한 기판 처리 시스템에 설치되어 있는 처리 유닛(16)(본 예의 액처리 장치에 해당)은, 도전성의 배관(도전성 배관(46))을 이용하여 처리 유체 공급부(40)에 대하여 처리액(처리 유체)을 공급한다.

이하, 도 3, 도 4를 참조하면서 도전성 배관(46)을 구비한 처리 유체 공급부(40)의 구성예에 관해 설명한다.

본 예의 처리 유체 공급부(40)는, 도 3에 나타낸 바와 같이 노즐 블록(41)에 설치된 예컨대 3개의 노즐부(411)를 이용하여 복수 종류의 처리액을 전환하여 공급할 수 있다. 각 노즐부(411)로부터 공급되는 처리액으로는, 알칼리성이나 산성의 약액, 린스 세정용의 DIW(Deionized Water : 순수)나 웨이퍼(W)를 스핀 건조할 때에 공급되는 유기 용제인 IPA(Isopropyl Alcohol) 등을 예시할 수 있다. 노즐 블록(41)에 설치되는 노즐부(411)의 수는, 처리액의 종류 등에 따라서 증감해도 좋다.

노즐 블록(41)은 노즐 아암(42)의 선단부에 지지되어 있다. 노즐 아암(42)의 기단부는 상하 방향으로 신장된 구동축(43)에 부착되어 있다. 구동축(43)의 기단부에는 구동부(44)가 설치되어 있고, 이 구동부(44)에서 구동축(43)을 수직축 둘레에 회전시킴으로써, 노즐 블록(41)을 가로 방향으로 이동시킬 수 있다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 노즐 블록(41)에 유지된 각 노즐부(411)에는, 가요성이 있는 도전성의 도전성 배관(46)이 접속되어 있다. 이들 도전성 배관(46)은, 노즐 아암(42) 상을 통과하여 구동축(43)측으로 배회된 후, 구동축(43)의 측면에 설치된 홀더(451)에 의해 복수의 도전성 배관(46)이 묶여 있다. 홀더(451)에 유지된 각 도전성 배관(46)의 상류측은, 챔버(20)의 벽면에 설치된 절연 이음새(47)에 접속되어 있다.

챔버(20)의 외부에는, 각 처리액의 처리 유체 공급원(70)(도 2 참조)에 접속된 도시하지 않은 도전성 배관(가요성이 있어도 좋고 없어도 좋음)이 설치되고, 그 도전성 배관의 하류측의 단부는, 전술한 절연 이음새(47)에 접속되어 있다.

처리 유체 공급원(70)에는, 각종 처리액을 저류하는 탱크나 처리액의 공급량을 조절하는 유량 조절 기구 등이 설치되어 있다(도시하지 않음).

여기서 도 3에 있어서는, 각 도전성 배관(46)이 노즐 아암(42)에 지지되어 있는 모습을 나타내기 위해, 이들을 도중에 절단한 상태로 도시하였다. 또한 도 3에서는, 도시의 편의상, 그 일부를 생략하고 기재했지만, 실제로는 각 도전성 배관(46)은, 구동축(43)의 회전 동작의 장애가 되지 않을 정도의 충분한 길이를 갖추고 있다.

전술한 구성을 구비한 처리 유체 공급부(40)는, 유지부(기판 유지부)(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방측의 처리 위치(도 2 참조)와, 이 처리 위치로부터 후퇴한, 예컨대 회수컵(50)의 외방측의 후퇴 위치의 사이에서 노즐 블록(41)(노즐부(411))을 이동시킬 수 있다.

본 예에 있어서, 노즐 블록(41), 노즐 아암(42), 구동축(43) 및 구동부(44)는, 처리 위치와 후퇴 위치의 사이에서 노즐부(411)를 이동시키는 노즐 이동 기구를 구성하고 있다.

도 4는 도전성 배관(46)의 구성예를 나타내고 있다. 도 4에 나타내는 도전성 배관(46)은, 불소 수지 등의 수지제의 배관의 외주면측에, 도전성 부재(461)를 설치한 구성으로 되어 있다. 도전성 부재(461)는, 불소 수지 등의 수지에 카본 블랙 등의 도전성 물질을 혼합하여 이루어진 가늘고 긴 띠모양의 부재로서 구성되어 있다. 도전성 배관(46)의 외주면측에는, 그 도전성 배관(46)의 길이 방향을 따라서 복수의 도전성 부재(461)가 매립되고, 그 외주면에는 띠모양으로 구성된 각 도전성 부재(461)의 일면이 노출된 상태로 되어 있다. 도전성 배관(46)의 단면을 봤을 때, 복수의 도전성 부재(461)는, 도전성 배관(46)의 둘레 방향을 따라서 서로 간격을 두고 등간격으로 배치되어 있다.

여기서, 본 예의 처리 유체 공급부(40)에 채용 가능한 도전성 배관(46)은, 도 4에 나타내는 예에 한정되지 않는다. 예컨대 도전성 배관(46)의 내주면측에도 노출되도록 도전성 부재(461)를 설치해도 좋고, 수지에 도전성 물질을 혼합하여 이루어진 도전성의 재료에 의해 도전성 배관(46)의 본체를 구성해도 좋다. 도전성 배관(46)의 내주면측에 도전성 부재(461)를 노출시킴으로써, 도전성 배관(46)의 본체뿐만 아니라, 도전성 배관(46) 내를 흐르는 처리액의 대전을 억제할 수도 있다.

전술한 처리 유체 공급부(40)를 구비하는 처리 유닛(16)에 있어서, 복수매의 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 실행하면, 처리 위치와 후퇴 위치 사이에서의 노즐부(411)의 이동이 반복된다. 노즐부(411)의 이동시에는, 구동축(43)이 회전함으로써 홀더(451)와 각 절연 이음새(47)의 위치관계가 변화한다. 그 결과, 홀더(451)와 절연 이음새(47) 사이에 유지된 각 도전성 배관(46)의 변형이 반복된다.

한편, 도전성 배관(46)은, 굴곡 등의 변형에 대한 내구성이 낮은 것도 있다. 이 때문에, 도전성 배관(46)의 변형이 반복되는 것에 의해, 도전성이 저하되어 처리액의 대전 억제 작용을 충분히 얻을 수 없을 우려도 있다. 따라서 본 예의 처리 유닛(16)은, 대전 억제 작용의 저하의 원인이 되는 도전성 배관(46)의 저항치를 감시하는 감시 장치를 구비하고 있다.

이하, 전술한 도 3, 도 4에 더하여 도 5∼도 7을 참조하면서 본 예의 감시 장치의 구성예에 관해 설명한다.

도 3, 도 5에 나타낸 바와 같이, 감시 대상이 되는 도전성 배관(46)에는, 그 도전성 배관(46) 내를 흐르는 처리액의 흐름 방향을 따라서 봤을 때, 도전성 배관(46)의 미리 정해진 위치에 설정된 상류측 위치와, 이 상류측 위치보다 하류측에 설정된 하류측 위치에 전극부(6)(제1 전극부(61), 제2 전극부(62))가 접속되어 있다.

전극부(6)는 도전성 배관(46)의 외주면의 둘레 방향을 따라서 서로 간격을 두고 설치된 복수의 도전성 부재(461)와 접촉하도록, 도전성 배관(46)의 외주면을 덮는 고리형으로 구성되어 있다(도 4).

전극부(6)의 구체적인 구성예로는, 도전성 타이랩(결속 밴드)을 이용해도 좋고, 도전성 수지로 이루어진 시트를 감아도 좋다. 또한, 도전성 고무로 이루어진 링의 내측에 도전성 배관(46)을 삽입해도 좋다. 그 밖에, 금속제 시트로 도전성 배관(46)을 덮고, 또한 금속제 시트의 외주면을 열수축성의 보호 튜브로 덮는 것에 의해, 챔버(20) 내에 형성되는 부식 환경 등으로부터 금속제 시트를 보호해도 좋다.

도 4에 나타낸 바와 같이, 각 전극부(6)(제1 전극부(61), 제2 전극부(62))로부터는 도전선(63)이 인출되고, 이들 도전선(63)은 저항 측정부(64)에 접속되어 있다(도 5). 금속제 시트의 외주면을 열수축성의 보호 튜브로 덮은 경우는, 도전선(63)의 일단은 금속성 시트에 접속되고, 타단은 보호 튜브를 통과하여 저항 측정부(64)에 접속되어 있다.

저항 측정부(64)는, 도전성 배관(46)에 저항 측정용의 직류 전력을 인가하는 직류 전원(641)과, 직류 전원(641)으로부터 도전성 배관(46)으로 전력을 공급, 정지하는 저항 측정 스위치부(제1 전환 스위치부)(644)와, 저항 측정부(64)와 도전성 배관(46)을 포함하는 회로를 흐르는 전류치를 측정하는 전류계(642)와, 전류계(642)에서 측정된 전류치로부터 도전성 배관(46)의 저항치를 산출하는 저항 산출부(643)를 구비하고 있다.

직류 전원(641)은 예컨대 정극이 전류계(642)측에 접속되고, 부극이 제1 전극부(61)측에 접속되고, 미리 설정된 전압을 도전성 배관(46)에 인가한다. 전류계(642)는 직류 전원(641)의 정극과 제2 전극부(62) 사이에 설치되며, 도전성 배관(46)을 포함하는 회로를 흐르는 전류치를 측정하여, 그 전류치에 대응하는 전기 신호를 저항 산출부(643)에 출력한다.

저항 산출부(643)는, 전류계(642)로부터 취득한 전류치와, 직류 전원(641)으로부터 인가되는 전압치에 기초하여, 도전성 배관(46)의 저항치를 산출하고, 그 저항치에 대응하는 신호를 기판 처리 시스템(1)의 제어 장치(4)를 향해 출력한다.

제어 장치(4)의 기억부(19)에는, 저항 측정부(64)에서 측정된 도전성 배관(46)의 저항치에 기초하여, 도전성 배관(46)에서의 대전 억제 작용의 발휘 상황을 판단하기 위한 임계치나, 도전성 배관(46)의 저항치가 상기 임계치를 초과한 경우에, 기판 처리 시스템(1)에 병설된 도시하지 않은 LCD(Liquid Crystal Display) 등의 표시 장치에 표시하는 알람에 관한 정보 등이 기억되어 있다.

제1 전극부(61) 및 제2 전극부(62)는, 홀더(451)와 절연 이음새(47) 사이에서 형상 변화하는 도전성 배관(46)의 전체의 저항치를 측정할 수 있도록, 이들 홀더(451) 및 절연 이음새(47)의 근방에 배치해도 좋다(도 3, 도 6). 이 예에서는, 변형에 따라서 대전 억제 작용이 저하될 우려가 있는 도전성 배관(46) 전체를 감시할 수 있다.

또 도 6에 있어서는, 홀더(451)를 간략화하여 나타냈다. 또한, 도 6에서의 실선 및 파선으로 나타낸 변형 전후의 도전성 배관(46)의 형상은, 설명의 편의상 간략화하여 나타낸 것이며, 도 3에 나타낸 각 도전성 배관(46)의 형상과 대응하는 것은 아니다.

또한 도 7에 나타낸 바와 같이, 도전성 배관(46)이 변형되었을 때에 가장 굴곡이 커지는(굴곡 반경이 작아지는) 영역을 사이에 끼우도록 제1 전극부(61), 제2 전극부(62)를 설치함으로써, 대전 억제 작용이 저하되기 쉬운 영역에서의 배관의 감시 감도를 향상시켜도 좋다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 처리 유체 공급부(40)에 설치된 복수의 도전성 배관(46)의 각각을 감시하는 경우에는, 도 5에 나타내는 저항 측정부(64)에 대하여 이들 복수의 도전성 배관(46)을 병렬로 접속하고, 도시하지 않은 선택 스위치에 의해 저항 측정부(64)의 접속선을 선택함으로써, 저항치의 측정 대상이 되는 도전성 배관(46)을 전환해도 좋다. 또, 복수의 저항 측정부(64)를 설치하는 것이 가능한 경우에는, 각 도전성 배관(46)에 전용의 저항 측정부(64)를 설치해도 되는 것은 물론이다.

또한, 도 5에 나타내는 감시 장치에 있어서는, 제1 전극부(61)와 직류 전원(641)의 부극 사이에 설치된 접지점(65)에서, 도전성 배관(46)과 저항 측정부(64)를 포함하는 회로가 접지되어 있다.

또, 본 예의 감시 장치가 설치된 처리 유닛(액처리 장치)(16)에 있어서, 지주부(32)나 구동부(33)는 회전 구동부에 해당하고, 기판 유지 기구(30)는 기판 유지부에 해당한다.

이상에 설명한 구성을 구비하는 도전성 배관(46)의 감시 장치의 작용에 관해 설명한다.

우선 통상의 운전 상태에 있어서는, 각 처리 유닛(16)에 처리 대상의 웨이퍼(W)가 반입되어 오면, 후퇴 위치로 후퇴시킨 노즐부(411)(노즐 블록(41))를 기판 유지 기구(30)에 유지된 웨이퍼(W)의 상측의 처리 위치로 이동시키고, 도 2를 이용하여 설명한 요령으로 웨이퍼(W)의 액처리를 실시한다. 노즐 블록(41)에 복수의 노즐부(411)가 설치되어 있는 경우에는, 미리 설정된 순서로 각 노즐부(411)로부터 순차적으로 상이한 처리액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)에 대하여 원하는 액처리를 실행한다.

이들, 노즐부(411)를 후퇴 위치로 후퇴시키고 있는 기간, 및 노즐부(411)를 처리 위치로 이동시켜 액처리를 실행하고 있는 기간 동안은, 통상 도 5에 나타내는 저항 측정 스위치부(644)를 「오프」로 해 놓는다(도전성 배관(46)의 저항치를 측정하지 않는 상태). 그 결과, 도전성 배관(46)으로부터 직류 전원(641)이 분리된 상태가 되어, 도전성 배관(46)의 본체나 처리액에 발생한 전하는, 도전성 부재(461) 및 제2 전극부(62)를 통해 접지점(65)으로부터 외부를 향해서 방전되어, 도전성 배관(46)의 본체나 처리액의 대전을 억제할 수 있다.

또, 도 3에 나타내는 홀더(451)보다 하류측의 도전성 배관(46)이나, 절연 이음새(47)보다 상류측의 도전성 배관(46)은, 도 5에 나타내는 도전성 배관(46)과는 별도로 각각 접지되고, 이들 영역에서의 도전성 배관(46) 본체나 그 내부의 처리액에 관해서도 대전을 억제하는 조치가 채용되어 있다.

후퇴 위치와 처리 위치 사이에서 노즐부(411)를 반복 이동시켜, 도전성 배관(46)이 반복 변형되면, 대전 억제 작용이 저하된다.

따라서 예컨대 노즐부(411)가 후퇴 위치에 위치하고 있는 기간 동안의 미리 정해진 타이밍에 저항 측정 스위치부(644)를 「온」으로 하여, 직류 전원(641)으로부터 직류 전력을 공급한다(도전성 배관(46)의 저항치를 측정하는 상태). 그 결과, 도 5 중에 긴 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 도전성 배관(46)을 포함하는 회로 내를 직류 전원(641)으로부터 접지점을 향해 전류가 흘러, 도전성 배관(46)의 저항치를 측정할 수 있다.

또한 여기서, 도 4에 예시한 바와 같이, 도전성 부재(461)가 내주면측에 노출되지 않은 도전성 배관(46)은, 도전성 배관(46) 내를 흐르는 처리액에 대하여 도전성 부재(461)가 접액하지 않기 때문에, 노즐부(411)가 후퇴 위치에 위치하고 있는지, 처리 위치에 위치하지 않는지에 상관없이, 항상 도전성 배관(46)에 전압을 인가할 수도 있다. 이 경우는, 도전성 배관(46)의 저항치를 항상 측정하는 것이 가능해지고, 급격히 저항치가 상승하는 등의 이상이 발생한 경우는, 그 이상의 발생을 실시간으로 파악하는 것이 가능해진다. 이 경우는, 도전성 부재(461)의 저항 측정과, 대전 억제를 위한 접지점(65)을 통한 도전성 부재(461)의 제전이 병행하여 행해지고 있다고 할 수 있다.

도전성 배관(46)에서의 변형의 반복은, 도전성 부재(461)에 혼입된 도전성 물질의 입자 사이를 전하가 이동하는 도전 패스의 분단을 야기하여, 도전성 배관(46)의 저항치를 증대시키는(대전 억제 작용을 저하시키는) 요인이 된다. 따라서, 예컨대 미리 설정된 타이밍에 시간의 경과에 따라 도전성 배관(46)의 저항치를 측정함으로써, 저항치의 변화에 기초하여 도전성 배관(46)을 감시할 수 있다.

도 8은, 처리 유체 공급부(40)에 새로운 도전성 배관(46)을 부착한 후, 복수매의 웨이퍼(W)에 대한 액처리를 순차적으로 실시한 경우의, 도전성 배관(46)의 사용 시간과 그 저항치의 관계를 모식적으로 나타내고 있다.

변형의 반복에 의해, 도전성 배관(46)에 있어서는 도전 패스의 분단의 정도가 증대되는 방향으로 진행한다. 그 결과, 도전성 배관(46)의 저항치는, 도 8에 나타낸 바와 같이 사용 시간의 경과와 함께 증대되는 경향이 관찰된다.

따라서 예비 실험 등에 의해, 도전성 배관(46)에서의 저항치와, 대전 억제 작용의 저하의 대응 관계를 미리 파악해 두는 것에 의해, 사용중인 도전성 배관(46)의 수명을 예측하는 것이 가능해진다. 도 8에는, 도전성 배관(46)이 수명에 도달한다고 예측되는 상한의 저항치(수명 예측치)를 나타냈다.

예컨대 전술한 제어 장치(4)의 기억부(19)에는, 도 8에 나타내는 대응 관계에 기초하여 미리 설치된 도전성 배관(46)의 저항치의 임계치가 기억되어 있다. 이 임계치는, 전술한 수명 예측치에 이르기 전의 저항치(예컨대 수명 예측치의 60∼80% 정도의 저항치)로 설정되어 있다.

또한 상기 임계치는, 보다 저항치가 작은 값으로부터 복수 단계로 나눠 설정해도 좋다(도 8의 「교환 권장 레벨」, 「교환 레벨」). 제어 장치(4)의 제어부(18)는, 저항 측정부(64)를 이용하여 측정한 도전성 배관(46)의 저항치와, 기억부(19)에 기억되어 있는 각 임계치를 비교하여, 실제의 저항치가 임계치 이상인 경우에, 각 임계치에 대응된 알람을 발보한다.

예컨대 실제의 저항치가 「교환 권장 레벨」 이상이 된 경우에는, 저항치를 측정한 도전성 배관(46)의 교환을 권장한다는 취지의 알람이 전술한 표시 장치에 표시된다. 또한, 저항치가 「교환 레벨」 이상이 된 경우에는, 그 도전성 배관(46)의 교환이 필요하다는 취지의 알람이 표시된다. 또한 도전성 배관(46)의 저항치가 「교환 레벨」 이상이 된 경우에는, 대상의 도전성 배관(46)을 교환하지 않는 한, 그 도전성 배관(46)을 사용하고 있는 처리 유닛(16)에 있어서는 웨이퍼(W)의 액처리를 정지하는 인터록 기능을 설치해도 좋다.

전술한 동작에 있어서 제어부(18)는, 저항 측정부(64)에서 측정된 도전성 배관(46)의 저항치와 미리 설정된 임계치를 비교하는 감시 장치의 비교부에 해당한다. 또한, 도전성 배관(46)의 교환을 재촉하는 취지의 알람 정보가 표시되는 표시 장치는, 감시 장치의 알람 발보부에 해당한다.

또, 알람의 발보의 수법은, 문자나 그림 등에 의해 알람 정보를 표시하는 표시 장치를 이용하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 알람 정보를 음성이나 버저 등에 의해 통지하는 스피커 장치를 설치해도 좋고, 표시 장치와 스피커 장치를 조합해도 좋다.

또한 도 8에는, 사용 시간의 경과와 함께 도전성 배관(46)의 저항치가 직선적으로 증대되는 예를 기재했다. 이에 비해, 실제로 측정되는 저항치는 측정할 때마다 상하로 변동하는 경우도 예상된다. 이러한 경우라 하더라도, 도전성 배관(46)의 변형이 반복되는 것에 의해 도전성 배관(46)의 저항치가 점차 커진다고 하는 열화의 메커니즘에 변화는 없다. 따라서, 저항치의 상하 변동이 큰 경우에는, 과거 여러점의 측정 결과를 평균한 이동 평균치와, 임계치의 비교 결과에 기초하여 알람 발보의 필요 여부 등을 판단해도 좋다.

이상에 설명한 도전성 배관(46)의 감시 장치를 구비하는 처리 유닛(16)에 의하면 이하의 효과가 있다. 도전성 배관(46)에 저항 측정부(64)를 접속하여 저항치를 측정함으로써, 그 도전성 배관(46)을 감시할 수 있다.

특히, 도전성 배관(46)의 수명 도달이 예측되는 수명 예측치에 이르기 전의 저항치를 임계치로서 미리 설정하고, 도전성 배관(46)의 실제의 저항치가 임계치 이상인 경우에는 그 임계치에 대응된 알람을 발보함으로써, 수명 도달에 따르는 문제가 발생하기 전에 도전성 배관(46)을 교환할 수 있다. 또한, 도전성 배관(46)에서의 대전 억제 작용의 저하 상황을 실제로 파악할 수 있기 때문에, 변형 횟수 등을 사전에 예상하여 도전성 배관(46)의 교환의 판단 기준으로 하는 경우 등과 비교해서 도전성 배관(46)의 수명 예측의 오차가 적다. 그 결과, 과도하게 긴 수명이 남은 상태에서 도전성 배관(46)을 교환해 버리는 비효율적인 교환 작업의 발생을 예방할 수 있다.

이어서, 도 9∼도 10을 참조하면서, 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지 기구(기판 유지부)(30)에 유지된 웨이퍼(W)의 대전을 억제하는 도전로(후술하는 「기판 접지 도전로(300)」)의 도통 상태를, 전술한 저항 측정부(64)를 이용하여 측정하는 실시형태에 관해 설명한다.

도 9∼도 10에 있어서, 도 1∼도 7을 이용하여 설명한 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1), 처리 유닛(16), 도전성 배관(46)의 감시 장치와 공통의 기능을 가진 구성 요소에는, 이들 도면에 나타낸 것과 동일한 부호를 붙였다.

도 9, 도 10에 나타낸 바와 같이, 본 예의 기판 유지 기구(30)에 있어서는, 미케니컬척을 구성하는 복수의 유지핀(34)을 이용하여 유지부(회전판)(31)의 상방측에 웨이퍼(W)를 유지한다.

본 예의 유지부(31)는, 이면측 중앙부에 지주부(회전축)(32)가 접속된 회전판 본체(312)와, 이 회전판 본체(312)의 상면에 배치되는 승강 회전판(311)으로 분할되어 있다(도 9).

회전판 본체(312)의 둘레 가장자리부에는, 복수개, 예컨대 3개의 유지핀(34)이 회전판 본체(312)의 둘레 방향을 따라서 간격을 두고 배치되어 있다. 유지핀(34)은, 회전판 본체(312)의 둘레 가장자리부에 고정하여 설치된 2개의 고정 유지핀(344)과, 수평 방향으로 신장된 회동축을 포함하는 지지 기구(343)를 통해 회전판 본체(312)에 유지되고, 상기 회동축 둘레에 회동 가능하게 구성된 1개의 가동 유지핀(341)을 포함한다. 가동 유지핀(341)의 하단부에는, 회전판 본체(312)의 중앙부측을 향해 레버부(342)가 신장되어 나와 있다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 가동 유지핀(341)은, 웨이퍼(W)에 접촉하는 상단부가, 회전판 본체(312)의 직경 방향 외측을 향해 쓰러지는 방향으로 압박된 상태로 상기 지지 기구(343)에 지지되어 있다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 유지부(31)의 회전을 정지한 상태에서는, 도시하지 않은 밀어 올림핀에 의해 밀어 올려짐으로써, 승강 회전판(311)은 회전판 본체(312)의 상방측으로 이동할 수 있다.

또한 승강 회전판(311)의 상면에는, 기판 반송 장치(17)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 복수의 지지핀(351)이 설치되어 있다.

또한 회전판 본체(312)의 이면에 접속된 지주부(32)는, 예컨대 챔버(20)의 바닥면을 관통하는 위치에서 베어링부(321)에 유지되어 있다. 베어링부(321)는, 지주부(32)를 회전 가능하게 유지한다.

베어링부(321)는 예컨대 볼베어링에 의해 구성되며, 지주부(32)와 볼베어링의 하우징은, 볼을 통해 물리적, 전기적으로 접촉하고 있다(볼 및 하우징은 모두 도시하지 않음).

전술한 구성을 구비하는 기판 유지 기구(30)는, 승강 회전판(311)을 상승시켜 외부의 기판 반송 장치(17)로부터 지지핀(351) 상에 웨이퍼(W)를 수취하고, 승강 회전판(311)을 강하시키면, 승강 회전판(311)의 이면에 의해 레버부(342)가 밀려 내려가 가동 유지핀(341)을 회동시킨다. 그 결과, 가동 유지핀(341)의 상단부가 회전판 본체(312)의 직경 방향 내측을 향해 이동하여 웨이퍼(W)의 측면에 접촉한다. 또한, 가동 유지핀(341)이 고정 유지핀(344)측의 접촉면을 향해 웨이퍼(W)를 대고 누름으로써, 이들 가동 유지핀(341), 고정 유지핀(344)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된다.

전술한 기판 유지 기구(30)에 있어서, 예컨대 고정 유지핀(344), 회전판 본체(312), 지주부(32) 및 베어링부(321)는, 웨이퍼(W)의 대전을 억제하기 위한 기판 접지 도전로(300)를 구성하고 있다. 베어링부(321)에는 접지점(322)이 설치되고, 기판 유지 기구(30)에 유지된 웨이퍼(W)는 상기 기판 접지 도전로(300)를 통해 접지점(322)에서 접지되어 있다(도 11).

본 예의 기판 유지 기구(30)에 있어서, 웨이퍼(W)와 고정 유지핀(344) 사이의 도통 상태나 기판 접지 도전로(300) 자체의 도통 상태가 저하되어 버리면, 웨이퍼(W)의 대전 억제 작용이 저하되어 버린다. 따라서, 그 기판 유지 기구(30)를 구비하는 처리 유닛(16)은, 도전성 배관(46)의 감시 장치를 활용하여, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)로부터 접지점(322)에 이르는 회로의 저항치를 측정함으로써, 그 회로의 도통 상태를 확인할 수 있다.

예컨대 도 11에 나타낸 바와 같이, 전술한 저항 측정부(64)를 구비하는 감시 장치에는, 도전성 배관(46)의 제1 전극부(61)와 저항 측정부(64)측의 접지점(65) 사이에 전환 스위치부(제2 전환 스위치부)(645)가 설치되어 있다. 제어 장치(4)에 의해 전환 스위치부(645)를 「오프」로 하면, 도전성 배관(46)으로부터 저항 측정부(64)의 일단이 분리된다.

이 상태에서 저항 측정 스위치부(644)를 「온」으로 하고, 노즐부(411)로부터 웨이퍼(W)를 향해 전해질 등을 포함하는 도전성의 처리액(예컨대 희불산 등)을 공급한다. 그 결과, 도 11 중에 긴 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 저항 측정부(64)→제1 전극부(61)의 하류측의 도전성 배관(46)→노즐부(411)로부터 토출된 처리액(L)→웨이퍼(W)→기판 접지 도전로(300)→접지점(322)으로 전류가 흐르는 회로(기판 접지 도전로(300)측의 회로)가 형성된다.

이와 같이, 직류 전원(641)을 이용하여, 처리액(L)을 통해 기판 접지 도전로(300)측의 회로의 저항을 측정하는 경우에는, 도전성 배관(46)에 설치된 도전성 부재(461)는, 도전성 배관(46)의 내주면측에 노출되어 처리액(L)에 접액하는 구성을 채용하는 경우가 고려된다.

그리고, 상기 기판 접지 도전로(300)측의 회로를 흐르는 전류치와, 직류 전원(641)으로부터 인가되는 전압치에 기초하여, 그 회로의 저항치를 구하면, 이 저항치에 기초하여 웨이퍼(W)로부터 접지점(322)에 이르는 회로의 도통 상태를 확인할 수 있다. 도통 상태의 악화를 파악할 수 있다면, 고정 유지핀(344)과 웨이퍼(W) 사이나 지주부(32)와 베어링부(321) 사이 등의 전기적인 접촉 상태를 개선하는 기기 메인터넌스 등을 행하여, 기판 접지 도전로(300)측의 회로의 도통 상태의 회복을 도모할 수 있다.

도 9∼도 11을 이용하여 설명한 실시형태에 있어서, 기판 접지 도전로(300)의 구성예는 도 9∼도 11을 이용한 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 가동 유지핀(341)을 이용하여 기판 접지 도전로(300)를 구성해도 좋고, 카본 브러시 등의 브러시 접점을 통해 지주부(32)를 접지해도 좋다.

또한, 도전성 배관(46)의 감시 장치를 이용하여 기판 접지 도전로(300)측의 회로의 저항치를 측정하는 수법 대신에, 그 회로의 저항치를 측정하기 위한 전용의 저항 측정부를 구비한 도통 상태 감시 장치를 설치해도 좋다.

이상, 도 3∼도 11을 이용하여 설명한 각 실시형태에 관한 처리 유닛(16), 감시 장치에 있어서, 저항 측정부(64)는 도전성 배관(46)이나 기판 접지 도전로(300)측의 회로의 저항치를 산출한 후, 그 저항치에 대응하는 전기 신호를 제어 장치(4)에 출력하는 구성예를 설명했다. 이에 비해, 예컨대 전류계(642)로부터 제어 장치(4)에 대하여 전류치의 측정 결과를 직접 출력하여, 제어 장치(4) 내의 제어부(18)에서 상기 전류치의 측정 결과와, 직류 전원(641)으로부터 인가되는 전압치에 기초하여, 각 회로의 저항치를 산출해도 좋다. 이 경우에는, 제어 장치(4) 내의 제어부(18)도 저항 측정부의 일부를 구성하고 있는 것이 된다.

또한, 저항 측정부(64)에 관해서는, 도 5, 도 11에 나타낸 구성예에 한정되지 않는다. 예컨대, 직류 전원(641)의 정극과 부극의 방향을 반전시켜, 제1 전극부(61)측을 향해 전류를 공급해도 좋다. 이 경우에는, 접지점(65)은 예컨대 저항 측정 스위치부(644)와 직류 전원(641)의 부극 사이의 위치에 설치된다.

또한 도전성 배관(46)의 저항을 측정하는 수법은 직류 전력을 이용하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 직류 전원(641) 대신에 교류 전원을 설치하고, 도전성 배관(46)이나 기판 접지 도전로(300)측의 회로의 임피던스를 측정한 결과로부터 도전성 배관(46)에서의 대전 억제 작용이나 기판 접지 도전로(300)측의 회로의 도통 상태를 감시해도 좋다.

그 밖에, 노즐부(411)를 이동시키는 노즐 이동 기구의 구성예는 도 11에 나타낸 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 처리 위치의 상방측으로부터, 후퇴 위치의 상방측에 이르는 영역에 주행 레일을 설치하고, 그 주행 레일을 따라서 이동하는 노즐 블록(41)에 노즐부(411)를 설치해도 좋다. 이 경우에 있어서도, 노즐부(411)의 이동에 따라서 변형을 반복하는 도전성 배관(46)에 감시 장치를 설치함으로써, 도전성 배관(46)의 교환 시기 등을 파악할 수 있다.

그리고, 감시 장치에 의해 감시되는 도전성 배관(46)은, 반복의 변형이 발생하는 영역에 설치되어 있는 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 변형이 발생하지 않는 영역에 설치되어 있는 도전성 배관(46)이라 하더라도, 처리액의 화학 작용 등에 따르는 열화에 기인하여 대전 억제 작용의 저하가 발생하는 경우도 있다. 이러한 영역에 설치되어 있는 도전성 배관(46)(예컨대 도 3의 홀더(451)보다 하류측에 설치되어 있는 도전성 배관(46))에 관해서도, 저항 측정부(64)를 이용하여 저항치를 측정함으로써, 그 영역의 도전성 배관(46)에서의 대전 억제 작용을 파악하여, 교환 시기를 예측할 수 있다.

W : 웨이퍼
300 : 기판 접지 도전로
31 : 유지부
32 : 지주부
34 : 유지핀
351 : 지지핀
411 : 노즐부
46 : 도전성 배관
61 : 제1 전극부
62 : 제2 전극부
64 : 저항 측정부

Claims

액처리 장치에 있어서,
액처리가 행해지는 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 토출하는 노즐부와,
상기 노즐부에 접속되며, 상기 처리액이 흐르는 도전성의 배관과,
상기 배관의 미리 정해진 위치에 설정된 상류측 위치와, 이 상류측 위치보다 상기 처리액의 흐름 방향 하류측에 설정된 하류측 위치에 각각 접속된 제1 전극부 및 제2 전극부와,
상기 제1 전극부와 제2 전극부 사이의 배관의 저항치를 측정하기 위한 저항 측정부
를 포함한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 저항 측정부에서 측정된 배관의 저항치와, 미리 설정된 임계치를 비교하는 비교부와,
상기 비교부에서 비교된 배관의 저항치가 임계치 이상인 경우에, 알람을 발보(發報)하는 알람 발보부
를 포함한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 알람은, 상기 임계치 이상의 저항치가 측정된 배관의 교환을 재촉하는 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배관에는, 그 배관의 길이 방향을 따라서 도전성 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극부와 제2 전극부 사이의 배관과 저항 측정부를 포함하는 회로에는, 상기 배관을 접지하는 접지점이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 유지부에 유지된 기판의 상측의 처리 위치와, 상기 기판의 상측으로부터 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 상기 노즐부를 이동시키는 노즐 이동 기구를 포함하고,
도전성의 상기 배관은 가요성이 있고, 상기 상류측 위치와 하류측 위치는, 상기 노즐부의 이동에 따라서 변형되는 상기 배관의 굴곡부를 사이에 두고 설치되고,
상기 저항 측정부는, 상기 굴곡부를 포함하는 배관의 저항치를 측정하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 저항 측정부는,
상기 제1 전극부와 제2 전극부 사이의 도전성의 배관에 전압을 인가하는 전원부와,
상기 전원부로부터 전압을 인가하여 상기 배관의 저항치를 측정하는 상태와, 상기 전원부로부터 배관을 분리하여 저항치를 측정하지 않는 상태를 전환하는 제1 전환 스위치부
를 포함한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제7항에 있어서,
상기 기판 유지부에 유지된 기판의 상측의 처리 위치와, 상기 기판의 상측으로부터 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 상기 노즐부를 이동시키는 노즐 이동 기구를 포함하고,
상기 제1 전환 스위치부는, 상기 노즐부가 후퇴 위치로 이동한 기간 동안에 상기 배관의 저항치를 측정하는 상태로 전환되고, 상기 처리 위치로 이동한 기간 동안은 상기 저항치를 측정하지 않는 상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 유지부는, 회전 구동부에 의해 회전하는 회전판과, 이 회전판에 설치되며, 액처리가 행해지는 기판을 유지하는 복수의 기판 유지핀을 포함하고,
상기 회전 구동부는, 상기 회전판에 접속된 회전축과, 이 회전축을 회전 가능하게 유지하는 베어링부를 포함하고,
상기 복수의 기판 유지핀에 유지된 기판은, 적어도 하나의 기판 유지핀과 회전판과 회전축을 포함하는 기판 접지 도전로를 통해 접지되고,
상기 제1 전극부와 제2 전극부 사이의 배관의 저항치를 측정하는 상태와, 도전성의 처리액을 상기 노즐부에 토출하는 상기 배관으로부터, 그 도전성의 처리액을 통해, 상기 기판 접지 도전로에 이르는 회로의 저항치를 측정하는 상태를 전환하는 제2 전환 스위치부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
배관의 감시 방법에 있어서,
기판 유지부에 유지된 기판에 대하여, 도전성의 배관에 접속된 노즐부로부터 처리액을 토출하여 액처리를 행하는 공정과,
상기 배관의 미리 정해진 위치에 설정된 상류측 위치와, 이 상류측 위치보다 상기 처리액의 흐름 방향 하류측에 설정된 하류측 위치 사이의 상기 배관의 저항치를 측정하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.
제10항에 있어서,
상기 저항치를 측정하는 공정에서 측정된 배관의 저항치와, 미리 설정된 임계치를 비교하는 공정과,
상기 임계치와 비교된 배관의 저항치가 임계치 이상인 경우에, 알람을 발보하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.
제11항에 있어서,
상기 알람은, 상기 임계치 이상의 저항치가 측정된 배관의 교환을 재촉하는 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배관은, 그 배관의 길이 방향을 따라서 도전성 부재가 설치된 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 유지부에 유지된 기판의 상측의 처리 위치와, 상기 기판의 상측으로부터 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 상기 노즐부를 이동시키는 공정을 포함하고,
도전성의 상기 배관은 가요성이 있고, 상기 상류측 위치와 하류측 위치는, 상기 노즐부의 이동에 따라서 변형되는 상기 배관의 굴곡부를 사이에 두고 설치되고,
상기 배관의 저항치를 측정하는 공정에서는, 상기 굴곡부를 포함하는 배관의 저항치를 측정하는 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배관의 저항치를 측정하는 공정은, 상기 상류측 위치와 하류측 위치 사이의 도전성의 배관에, 전원부로부터 전압을 인가하여 행해지고,
상기 저항치의 측정을 행하지 않을 때, 상기 전원부로부터 배관을 분리하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.
제15항에 있어서,
상기 기판 유지부에 유지된 기판의 상측의 처리 위치와, 상기 기판의 상측으로부터 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 상기 노즐부를 이동시키는 공정을 포함하고,
상기 배관의 저항치를 측정하는 공정은, 상기 노즐부가 후퇴 위치로 이동한 기간 동안에 실시되고, 상기 전원부로부터 배관을 분리하는 공정은, 상기 노즐부가 처리 위치로 이동한 기간 동안에 실시되는 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 유지부는, 회전 구동부에 의해 회전하는 회전판과, 이 회전판에 설치되며, 액처리가 행해지는 기판을 유지하는 복수의 기판 유지핀을 포함하고,
상기 회전 구동부는, 상기 회전판에 접속된 회전축과, 이 회전축을 회전 가능하게 유지하는 베어링부를 포함하고,
상기 복수의 기판 유지핀에 유지된 기판은, 적어도 하나의 기판 유지핀과 회전판과 회전축을 포함하는 기판 접지 도전로를 통해 접지되고,
도전성의 처리액을 상기 노즐부에 토출하는 상기 배관으로부터, 그 도전성의 처리액을 통해, 상기 기판 접지 도전로에 이르는 회로의 저항치를 측정하는 공정을 포함하고,
상기 배관의 저항치를 측정하는 공정과, 상기 배관으로부터 기판 접지 도전로에 이르는 회로의 저항치를 측정하는 공정이 전환되어 실시되는 것을 특징으로 하는 배관의 감시 방법.