KR102325630B1 - 화학 기계적 연마 공정이 완료된 웨이퍼의 세정 장치 - Google Patents

화학 기계적 연마 공정이 완료된 웨이퍼의 세정 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 파지부에서 보유하고, 정해진 이송 경로를 따라 구동부에 의해 이동 구동되는 이송 아암과; 상기 이송 아암에 의하여 이송되는 상기 웨이퍼를 세정하는 세정 모듈을; 포함하여 구성되고, 상기 세정모듈은, 전면(前面)과 후면(後面)에는 각각 상기 이송 아암이 통과하는 입구와 출구가 각각 관통 형성되고, 상기 파지부와 상기 구동부를 연결하는 연결부가 상기 지나는 것을 허용하도록 이동 방향을 따라 측면(側面)을 관통하는 안내공이 형성된 케이싱과; 상기 케이싱의 내부에 설치된 세정 기구를; 포함하여 구성되어, 이송 아암으로 웨이퍼를 이송하면서 다수의 세정 챔버에서 세정함에 있어서, 이송 아암이 통과할 때마다 세정 챔버를 개폐하지 않으므로, 이송 아암의 이동중에 셔터와 충돌하지 않으면서, 세정 모듈 내부의 세정 액적이 외부로 유출되는 것을 차단하여, 세정 액적이 다른 세정 모듈로 유입되어 세정 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼의 세정 장치를 제공한다.

Description

화학 기계적 연마 공정이 완료된 웨이퍼의 세정 장치 {WAFER CLEANING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼의 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이송 아암으로 웨이퍼를 이송하면서 다수의 세정 모듈에서 세정함에 있어서, 이송 아암이 통과할 때마다 세정 모듈을 개폐하지 않더라도 내부의 세정 액적이 외부로 누출되는 것을 최소화하는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.
도1에 도시된 바와 같이 화학 기계적 연마 장치(X1)는 공급 아암(H)으로 원형 기판(W)을 캐리어 헤드(CH)에 공급하면, 캐리어 헤드(CH)에 탑재된 웨이퍼가 연마 정반(P) 상에서 가압되면서 마찰에 의한 기계적 연마 공정이 행해지고, 이와 동시에 연마 정반(P)에 공급되는 슬러리에 의하여 화학적 연마 공정이 행해진다.
화학 기계적 연마 공정은 웨이퍼(W)의 연마면에 많은 이물질이 부착된 상태로 종료되므로, 웨이퍼(W)의 연마면을 깨끗하게 세정하는 세정 공정이 다단계에 걸쳐 이루어진다. 이를 위하여, CMP 공정이 종료된 웨이퍼(W)는 표면에 묻은 이물질을 제거하기 위하여, 핸들러(H)에 의하여 이송 아암(30)에 위치한 상태가 되고, 이송 아암(30)이 정해진 경로(Rx)를 따라 이동(99d)하면서, 웨이퍼 세정 장치(1)의 각 세정 모듈(C1, C2, C3)에서의 세정 공정이 이루어진다.
여기서, 각각의 세정 모듈(C1, C2, C3)의 세정 기구는 도2a 및 도2b에 도시된 바와 같이 케이싱(10) 내에 수용 설치되어, 웨이퍼(W)가 세정 모듈의 케이싱(10) 내의 세정 공간(E1, E2, E3)에 유입되면, 세정 기구(16, 18)에 의한 세정 공정이 행해진다. 도면에는 세정액, 헹굼수 등을 분사하는 노즐에 예시되어 있지만, 브러쉬에 의한 세정이나 IPA에 의한 헹굼 세정 등 다양한 세정 기구가 케이싱(10) 내에 수용될 수 있다.
그리고 세정 공정 중에는 상측으로부터 하방 유동(20v)이 상측 개구(11)를 통해 유입되면서, 세정 공정 중에 세정액이 주변으로 비산되는 것을 방지한다.
이 때, 각각의 세정 모듈(C1, C2, C3)에서 행해지는 세정 공정 중에 사용되는 세정액이 다른 세정 모듈(C1, C2, C3)로 옮겨가는 것을 방지하기 위하여, 세정 모듈(C1, C2, C3)의 각 케이싱(10)에는 상하 방향(12d)의 미닫이 형태로 'ㄷ'자 단면으로 형성된 개폐 셔터(12)가 마련된다. 이에 따라, 이송 아암(30)이 세정 모듈(C1, C2, C3)의 내부로 진입하거나 진출할 때에는 셔터(12)가 상방 이동하여 입구와 출구가 개방되고, 세정 공정 중에는 셔터(12)가 하방 이동하여 입구와 출구를 닫는다.
그러나, 상기와 같이 구성된 종래의 구성은 이송 아암(30)이 세정 모듈(C1, C2, C3)의 케이싱(10)에 유입되거나 유출되는 동안에는 셔터(12)가 전부 개방된 상태이어야 하므로, 그 동안에 케이싱(10) 내에서 부유하던 액적이 다른 세정 모듈로 이동하여, 서로 다른 세정액이 혼합되는 것을 야기하는 문제가 발생된다.
무엇보다도, 셔터(12)의 단면이 'ㄷ'자 형태로 형성되어, 상하 방향으로 셔터(12)를 이동하는 과정에서 작동 오류가 발생되어, 오작동에 의한 세정 공정을 중단해야 하는 문제가 있었다. 더욱이, 이송 아암의 위치와 셔터(12)의 개폐를 위한 상하 이동을 연동하여 제어하는 것이 까다롭고, 이 과정에서 웨이퍼와 셔터(12)의 충돌로 인하여 웨이퍼(W)의 손상이 야기되는 문제도 있었다.
본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 이송 아암으로 웨이퍼를 이송하면서 다수의 세정 모듈에서 세정함에 있어서, 이송 아암이 통과할 때마다 세정 모듈을 개폐하지 않더라도 내부의 세정 액적이 외부로 누출되는 것을 최소화하는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼를 파지부에서 보유하고, 정해진 이송 경로를 따라 구동부에 의해 이동 구동되는 이송 아암과; 상기 이송 아암에 의하여 이송되는 상기 웨이퍼를 세정하는 세정 모듈을; 포함하여 구성되고, 상기 세정모듈은, 전면(前面)과 후면(後面)에는 각각 상기 이송 아암이 통과하는 입구와 출구가 각각 관통 형성되고, 상기 파지부와 상기 구동부를 연결하는 연결부가 상기 지나는 것을 허용하도록 이동 방향을 따라 측면(側面)을 관통하는 안내공이 형성된 케이싱과; 상기 케이싱의 내부에 설치된 세정 기구를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치를 제공한다.
이는, 세정 기구가 수용된 세정 모듈의 케이싱에 전면과 후면과 측면에 각각 입구와 출구와 안내공이 형성되고 셔터를 배제함으로써, 웨이퍼를 이송하는 이송 아암이 세정 모듈로 진입하거나 진출할 때에 셔터와 이송 아암의 충돌 가능성을 배제할 수 있도록 하기 위함이다.
이 때, 상기 입출구는 장방형으로 형성되되, 높이와 폭의 비율이 1:4 내지 1:20로 형성된 슬릿 형태이어서, 세정 공정 중에 입구와 출구와 안내공을 통해 외부로 액적이 배출되는 것을 방지한다.
더욱이, 상기 세정 모듈은 종방향으로 다수로 형성되고, 상기 세정 모듈을 이루는 케이싱은 서로 이격 배치됨에 따라, 어느 하나의 세정 모듈의 입구와 출구에서 세정액 입자가 케이싱의 바깥으로 배출되더라도, 다른 세정 모듈의 케이싱 입구로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 이송 아암은 상기 웨이퍼의 가장자리를 접촉 지지한 상태로 보유하고 이송하도록 구성된다.
무엇보다도, 본 발명은, 상기 안내공의 벽면으로부터 상기 연결부를 향하여 연장 형성되어 상기 안내공의 개방 단면을 줄여주는 제1막음 부재를; 더 포함하여 구성된다. 이에 의하여, 안내공을 통해 외부로 배출되는 액적의 유동을 제1막음부재로 차단함으로써, 셔터가 없더라도 액적이 외부로 유출되어 인접한 세정 모듈의 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 연결부로부터 상하 방향으로 연장 형성되어 상기 안내공의 개방 단면을 줄여주는 제2막음 부재를; 더 포함하여 구성되어, 안내공을 통해 외부로 배출되는 액적의 유동을 제1막음부재와 제2막음부재로 함께 차단함으로써, 셔터가 없더라도 액적이 외부로 유출되는 경로를 S자 형태로 꺾음으로써 완전히 차단하는 것이 가능해진다.
본 발명에 따르면, 본 발명은 이송 아암으로 웨이퍼를 이송하면서 다수의 세정 챔버에서 세정함에 있어서, 이송 아암이 통과할 때마다 세정 챔버를 개폐하지 않으므로, 이송 아암의 이동중에 셔터와 충돌하는 문제를 해결하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은, 케이싱으로부터 연결부를 향하여 연장 형성된 제1막음부재와 연결부로부터 상하 방향으로 연장된 제2막음부재 중 어느 하나 이상을 구비하여, 세정 모듈 내부의 세정 액적이 외부로 유출되는 것을 차단하여, 세정 액적이 다른 세정 모듈로 유입되어 세정 효율이 저하되는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
도1은 화학 기계적 연마 장치와 인접한 종래의 웨이퍼 세정 장치의 챔버 배열 구조를 도시한 평면도,
도2a는 도1의 세정 모듈의 사시도,
도2b은 도2a의 단면도,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구성을 도시한 평면도,
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구성을 도시한 사시도,
도5는 도4의 세정 모듈의 케이싱을 도시한 사시도,
도6은 도4의 웨이퍼 이송기구를 도시한 사시도,
도7은 도4의 'A'부분의 확대도,
도8은 도4의 절단선 Ⅷ-Ⅷ에 따른 단면도,
도9는 도8의 'B'부분의 확대도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)는, 세정 기구가 내부에 설치되고 종방향으로 이격 배치된 다수의 세정 모듈(C1, C2, C3)과, 세정 모듈(C1, C2, C3)의 케이싱(110) 내부에 설치된 세정 기구(130)와, 화학 기계적 연마 장비(X1)로부터 웨이퍼(W)를 전달받아 다수의 세정 모듈(C1, C2, C3)로 이송하는 이송 아암(120)으로 구성된다.
상기 세정 모듈(C1, C2, C3)은 케이싱(110)으로 구분되며, 종방향으로 정해진 거리(d)만큼 이격 배치된다. 여기서, 이격 거리(d)는 20mm 이상으로 정해지는 것이 좋다. 이를 통해, 세정 모듈(C1, C2, C3) 중 어느 하나에서 배출된 액적이 다른 세정 모듈로 유입되는 것이 보다 어려워진다.
케이싱(110)에는 전면(前面, 112s)과 후면(後面, 114s)에는 각각 이송 아암(120)이 통과하는 입구(112)와 출구(114)가 각각 관통 형성된다. 여기서, 입구(112)와 출구(114)의 폭(wL)은 높이(h)에 비하여 4배 내지 20배로 길게 형성된다. 즉, 폭(wL)은 웨이퍼의 직경에 대응하는 길이로 정해지므로, 입구(112)와 출구(114)의 높이(h)를 작게 형성함으로써, 입구(112)와 출구(114)는 슬릿 형태로 형성되어, 세정 모듈 내에서 세정 공정이 진행되는 동안에 세정액 액적이 외부로 배출되는 것이 억제된다.
그리고, 이송 아암(120)의 파지부(122)와 구동부(125)를 연결하는 연결부(124)가 지나는 것을 허용하도록, 이송 아암(120)의 이동 방향을 따라 측면(側面, 116s)을 관통하는 안내공(116)이 형성된다.
그리고, 세정 모듈(C1, C2, C3)의 경계를 형성하는 케이싱(110)의 상측에는 관통부(111)가 형성되어, 상측에서의 하방 유동장(20v)이 케이싱(110)의 내부로 유입되어, 세정 공정 중에 주변으로 비산하는 세정액 액적이 입구(112)와 출구(114)를 통해 케이싱(110)의 바깥으로 배출되는 것을 억제한다.
상기 이송 아암(120)은 도6에 도시된 바와 같이 프레임(FR)에 형성된 정해진 경로(P12)를 따라 구동부(125)에 의하여 다수의 파지부(122)가 왕복 이동(120d) 가능하게 형성된다. 이 때, 파지부(122)는 리드스크류 방식에 의하여 동시에 왕복 이동될 수도 있고, 리니어 모터 방식에 의하여 코일에 인가하는 전류 제어에 의하여 개별적으로 왕복 이동될 수도 있다.
이송 아암(120)의 파지부(122)는 웨이퍼의 가장자리가 놓여지는 지지면(120a)이 곡면으로 형성되어, 웨이퍼를 안정적으로 접촉 거치시킨 상태로 이동할 수 있다. 도면에는 파지부(122)가 웨이퍼를 수평 상태로 이송하는 구성을 예시하였지만, 파지부(122)는 웨이퍼를 수직인 상태로 이송하고, 입구(112)와 출구(114)도 세워진 슬릿 형태로 형성될 수 있다.
이송 아암(120)의 파지부(122)는 구동부(125)와 연결부(124)에 의하여 안내되며, 연결부(124)는 구동부(125)에 의하여 정해진 경로(P12) 상을 따라 이동하도록 제어된다. 이송 아암(120)의 연결부(124)는 세정 모듈(C1, C2, C3)의 케이싱(110)의 안내공(116)을 따라 이송된다.
이 때, 안내공(116)의 상하측 케이싱(110)의 외벽에는 안내공(116)을 향하여 상하측으로 연장된 제1막음부재(118)가 연장된다. 이에 따라, 안내공(116)의 개방 단면(116x)은 제1막음부재(118)에 의하여 더 좁아져, 케이싱(110)의 내부로부터 외부로 배출되는 액적을 보다 줄일 수 있다.
이와 별개로, 이송 아암(120)의 연결부(124)에서도 상하측 방향으로 연장 형성된 제2막음부재(128)가 돌출 형성된다. 제2막음부재(128)에 의해서도 안내공(116)의 개방 단면(116x)은 제1막음부재(118)에 의하여 더 좁아져, 케이싱(110)의 내부로부터 외부로 배출되는 액적을 보다 줄일 수 있다.
따라서, 이송 아암(120)의 연결부(124)에 연장 형성된 제2막음부재(128)와 케이싱(110)에 형성된 제1막음부재(118)가 동시에 형성되는 경우에는, 도9에 도시된 바와 같이, 케이싱(110) 내부의 액적이 외부로 배출되기 위해서는 도면부호 77로 표시된 S자형 경로를 통해야 비로소 가능하므로, 케이싱(110) 내부의 액적이 외부로 배출되는 것을 거의 완전히 차단할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)는, 이송 아암(120)으로 웨이퍼를 다수의 세정 모듈(C1, C2, C3)로 이송하는 동안에, 셔터에 의한 개폐 공정을 배제시킬 수 있으므로, 세정 장치(100)의 제어 공정이 보다 단순해지는 잇점이 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼(W)를 보유한 상태의 이송 아암(120)이 세정 모듈(C1, C2, C3)로 진입되거나 진출하는 과정에서 셔터와 충돌하는 문제도 해결할 수 있다.
더욱이, 본 발명은, 항상 개방 상태인 안내공(116)에 케이싱(110)의 벽면으로부터 연장되어 안내공(116)의 개방 단면(116x)을 보다 줄이는 제1막음부재(118)와, 동시에 이송 아암(120)의 연결부(124)로부터 상하측으로 연장되어 안내공(116)의 개방 단면(116x)을 보다 줄이는 제2막음부재(128)를 동시에 구비함으로써, 직선 경로에 의해서는 세정 모듈(C1, C2, C3) 내부의 액적이 빠져나올 수 없게 되므로, 어느 하나의 세정 모듈의 액적이 다른 세정 모듈로 유입되어 세정 효율을 저하시키는 것을 확실하게 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
W: 웨이퍼 100: 웨이퍼 세정 장치
110: 케이싱 112: 입구
114: 출구 116: 안내공
118: 제1막음부재 120: 이송 기구
122: 파지부 124: 연결부
128: 제2막음부재 P12: 정해진 이동 경로

Claims (8)

  1. 웨이퍼를 파지부에서 보유하고, 정해진 이송 경로를 따라 구동부에 의해 이동 구동되는 이송 아암과;
    상기 이송 아암에 의하여 이송되는 상기 웨이퍼를 세정하는 세정 모듈을;
    포함하여 구성되고, 상기 세정모듈은,
    전면(前面)과 후면(後面)에는 각각 상기 이송 아암이 통과하는 입구와 출구가 각각 관통 형성되고, 상기 파지부와 상기 구동부를 연결하는 연결부가 상기 지나는 것을 허용하도록 이동 방향을 따라 측면(側面)을 관통하는 안내공이 형성된 케이싱과;
    상기 케이싱의 내부에 설치된 세정 기구와;
    상기 안내공의 벽면으로부터 상기 연결부를 향하여 연장 형성되어 상기 안내공의 개방 단면을 줄여주는 제1막음 부재를;
    포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 연결부로부터 상하 방향으로 연장 형성되어 상기 안내공의 개방 단면을 줄여주는 제2막음 부재를;
    더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.
  3. 웨이퍼를 파지부에서 보유하고, 정해진 이송 경로를 따라 구동부에 의해 이동 구동되는 이송 아암과;
    상기 이송 아암에 의하여 이송되는 상기 웨이퍼를 세정하는 세정 모듈을;
    포함하여 구성되고, 상기 세정모듈은,
    전면(前面)과 후면(後面)에는 각각 상기 이송 아암이 통과하는 입구와 출구가 각각 관통 형성되고, 상기 파지부와 상기 구동부를 연결하는 연결부가 상기 지나는 것을 허용하도록 이동 방향을 따라 측면(側面)을 관통하는 안내공이 형성된 케이싱과;
    상기 케이싱의 내부에 설치된 세정 기구를;
    포함하고, 상기 연결부로부터 상하 방향으로 연장 형성되어 상기 안내공의 개방 단면을 줄여주는 제2막음 부재를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020140182184A 2014-12-17 2014-12-17 화학 기계적 연마 공정이 완료된 웨이퍼의 세정 장치 KR102325630B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007511721A (ja) 2004-05-25 2007-05-10 アプライド マテリアルズ ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー 特にバンド処理設備に用いるエアロックバルブ
JP2012530363A (ja) 2009-06-19 2012-11-29 レナ ゲーエムベーハー 基板の直列式処理のためのプロセスモジュール
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245285A (ja) * 1994-03-03 1995-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4030654B2 (ja) * 1998-06-02 2008-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置
US6354922B1 (en) * 1999-08-20 2002-03-12 Ebara Corporation Polishing apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007511721A (ja) 2004-05-25 2007-05-10 アプライド マテリアルズ ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー 特にバンド処理設備に用いるエアロックバルブ
JP2012530363A (ja) 2009-06-19 2012-11-29 レナ ゲーエムベーハー 基板の直列式処理のためのプロセスモジュール
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