KR102321780B1 - 결정 방법, 광학 장치, 투영 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

결정 방법, 광학 장치, 투영 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 결정 방법이며, 상기 복수의 액추에이터 중 하나의 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값과, 상기 복수의 액추에이터 중 적어도 하나의 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 취득하는 제1 공정과, 상기 제1 공정에서 취득된 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값 및 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 매트릭스를 결정하는 제2 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 결정 방법을 제공한다.

Description

결정 방법, 광학 장치, 투영 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법{DETERMINATION METHOD, OPTICAL APPARATUS, PROJECTION OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은, 결정 방법, 광학 장치, 투영 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
지상 망원경 등의 천문 설비에 의한 천체 관측에서는, 공기의 요동에 의한 성상(星象)의 흐려짐이 문제가 된다. 그래서, 이러한 망원경에서는, 파면 보상 광학계라 불리는 표면(반사면)의 형상이 가변인 가변 미러를 사용함으로써, 파면 센서에 의해 측정한 공기의 요동을 보정하여, 성상의 흐려짐을 저감시키고 있다.
또한, 반도체 디바이스를 제조할 때, 마스크(레티클)의 패턴을 기판에 전사하는 포토리소그래피 공정에서는, 매우 미세한 패턴의 상을 기판에 결상시키기 때문에, 광학계의 수차 등의 영향이 문제가 된다. 이러한 경우에도, 상술한 파면 보상 광학계와 동일하게, 노광 장치의 광학계 렌즈나 미러를 변형시키는 가변 광학 소자를 사용함으로써, 결상 특성을 개선할 수 있다.
대표적인 가변 광학 소자인 가변 미러에서는, 미러에 배치된 다수의 액추에이터를 구동함으로써, 미러 자체를 변형시켜 형상을 제어하고 있다. 액추에이터에는, 피에조 액추에이터, 보이스 코일 모터(VCM), 리니어 모터, 솔레노이드 등이 사용되고 있다.
VCM이나 리니어 모터 등의 전자기력을 이용하는 액추에이터는, 고정자와 가동자가 비접촉이기(즉, 비접촉형 액추에이터임) 때문에, 미러의 구동 시에 고정자측의 구조의 변형이나 진동 등의 영향을 받기 어렵다는 특징을 갖는다. 이 때문에, VCM 등의 액추에이터는, 미러의 형상을 고정밀도로 제어할 때, 주변 부품의 열변형이나 진동의 회피의 관점에서 유리하다. 또한, 전자기력을 이용하는 액추에이터는, 힘에 의해 미러를 구동하기 때문에, 액추에이터의 변위의 계측이 필수적이지는 않다. 따라서, 변위의 계측이 필수가 되는 피에조 액추에이터나 볼 나사 등과는 대조적으로, 전자기력을 이용하는 액추에이터에서는, 변위 센서를 생략하는 것이 가능하여, 비용 저하에 기여한다. 가변 미러에 있어서, 고정밀도의 형상 제어와 비용을 양립시키기 위해서는, 변위 센서를 생략하는 오픈 제어 구동이 유효하다.
비접촉형 액추에이터를 사용하는 가변 미러에서는, 각 액추에이터의 구동과 미러의 변형의 관계의 선형합으로부터, 목표 형상을 얻기 위한 각 액추에이터의 추력을 구할 수 있다. 이러한 관계는, 컴플라이언스 매트릭스를 사용하여, 이하의 식 (1) 내지 식 (4)로 나타낼 수 있다.
Figure 112017120111570-pat00001
또한, 식 (1) 내지 식 (4)에 있어서, C는, 컴플라이언스 매트릭스를 나타내고, X는, 미러의 변위(목표 형상)를 나타내고, F는, 각 액추에이터의 추력을 나타내고, n≥m이다.
컴플라이언스 매트릭스에 대해서는, 유한 요소 해석에 의해, 그 이상값을 구하는 것이 가능하다. 단, 실제로는, 각 부재의 물성값의 오차나 불균일성, 액추에이터의 추력 변동이나 설치 오차 등에 의해, 가변 미러 전체의 강성이 이상적인 상태가 아니기 때문에, 컴플라이언스 매트릭스는, 이상(理想)값과는 상이한 값이 된다. 따라서, 실제의 가변 미러를 사용하여, 이러한 가변 미러에 고유한 컴플라이언스 매트릭스를 동정할 필요가 있다.
컴플라이언스 매트릭스의 동정에서는, 예를 들어 어느 1개의 액추에이터를 단위 추력으로 구동하고, 그 때의 미러 변위를 계측함으로써, 1열의 컴플라이언스 매트릭스를 얻는다. 이러한 액추에이터의 구동 및 미러의 변위의 계측을, 모든 액추에이터에 대하여 실시함으로써, 식 (2)에 나타내는 컴플라이언스 매트릭스를 구할 수 있다.
미러의 변위는, 예를 들어 간섭계나 다점 변위계 등의 계측기를 사용하여 계측된다. 일본 특허 공개 제2007-25503호 공보에는, 미러의 변위를 계측하는 파면 계측계를 구성하고, 장치마다의 오프셋인 전압 템플릿(컴플라이언스 매트릭스)을 제작하는 기술이 개시되어 있다.
그러나, 가변 미러에 있어서는, 장치 가동의 열 등에서 기인하는 액추에이터의 추력 변동, 각 부재의 물성의 경시 변화, 각 부재의 조립의 숙련도 등에 따라, 컴플라이언스 매트릭스가 변화된다. 컴플라이언스 매트릭스가 변화되면, 그것을 사용한 미러의 구동에 오차가 발생하기 때문에, 컴플라이언스 매트릭스를 다시 동정하는 캘리브레이션이 필요해진다.
컴플라이언스 매트릭스의 캘리브레이션은, 상술한 바와 같이, 간섭계나 다점 변위계 등의 계측기를 설치함으로써 실시할 수 있다. 단, 모든 액추에이터의 추력을 구하기 위해서는, 액추에이터의 구동에 의한 미러의 변위를 계측하는 계측기가 적어도 액추에이터와 동일한 수만큼 필요해진다. 따라서, 종래의 가변 미러에서는, 계측기의 탑재에 의한 비용 상승, 계측기의 배치의 문제, 미러의 변위의 계측에 의한 가동률의 저하 등의 과제가 있다. 또한, 모든 컴플라이언스 매트릭스에 대하여 캘리브레이션을 실시하는 것이 아니라, 변화된 컴플라이언스 매트릭스만을 추출하여 캘리브레이션을 실시하는 것도 어렵다.
한편, 외부의 계측기를 사용하여 컴플라이언스 매트릭스의 캘리브레이션을 실시하는 것도 생각할 수 있다. 이 경우, 계측기가 불필요해져, 비용의 삭감이 가능하지만, 캘리브레이션을 실시할 때마다 가변 미러를 외부의 계측기에 설치해야 하기 때문에, 가동률이 대폭 저하되어버린다.
일본 특허 공개 제2007-25503호 공보
본 발명은, 액추에이터의 추력과 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 데 유리한 결정 방법을 제공한다.
본 발명의 제1 측면으로서의 결정 방법은, 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 결정 방법이며, 상기 복수의 액추에이터 중 하나의 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값과, 상기 복수의 액추에이터 중 하나 이상의 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 취득하는 제1 공정과, 상기 제1 공정에서 취득된 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값 및 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 매트릭스를 결정하는 제2 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 측면으로서의 광학 장치는, 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 액추에이터와, 상기 복수의 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와, 상기 복수의 액추에이터 중 하나 이상의 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와, 상기 복수의 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고, 상기 처리부는, 상기 복수의 액추에이터 중 하나의 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 매트릭스를 구하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 측면으로서의 투영 광학계는, 물체를 상면에 투영하는 투영 광학계이며, 광학 소자와, 상기 광학 소자를 변형시키는 광학 장치를 갖고, 상기 광학 장치는, 상기 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 액추에이터와, 상기 복수의 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와, 상기 복수의 액추에이터 중 하나 이상의 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와, 상기 복수의 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고, 상기 처리부는, 상기 복수의 액추에이터 중 하나의 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 매트릭스를 구하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제4 측면으로서의 노광 장치는, 기판을 노광하는 노광 장치이며, 마스크를 조명하는 조명 광학계와, 상기 조명 광학계에 의해 조명된 마스크의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖고, 상기 투영 광학계는, 광학 소자와, 상기 광학 소자를 변형시키는 광학 장치를 갖고, 상기 광학 장치는, 상기 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 액추에이터와, 상기 복수의 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와, 상기 복수의 액추에이터 중 하나 이상의 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와, 상기 복수의 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고, 상기 처리부는, 상기 복수의 액추에이터 중 하나의 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 매트릭스를 구하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제5 측면으로서의 물품의 제조 방법은, 노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 공정과, 노광한 상기 기판을 현상하는 공정을 갖고, 상기 노광 장치는, 마스크를 조명하는 조명 광학계와, 상기 조명 광학계에 의해 조명된 마스크의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖고, 상기 투영 광학계는, 광학 소자와, 상기 광학 소자를 변형시키는 광학 장치를 갖고, 상기 광학 장치는, 상기 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 액추에이터와, 상기 복수의 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와, 상기 복수의 액추에이터 중 하나 이상의 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와, 상기 복수의 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고, 상기 처리부는, 상기 복수의 액추에이터 중 하나의 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 액추에이터 각각에 발생하는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 매트릭스를 구하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또다른 목적 또는 그 밖의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 밝혀질 것이다.
도 1은, 본 발명의 일 측면으로서의 광학 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는, 본 실시 형태에 있어서의 컴플라이언스 매트릭스를 결정하는 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, 본 발명의 일 측면으로서의 노광 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다.
본 실시 형태에서는, 광학 소자로서 미러를 예로 들어 설명하지만, 미러를 다른 광학 소자, 예를 들어 렌즈, 평행 평판 유리, 프리즘, 프레넬 존 플레이트, 키노폼, 바이너리 옵틱스, 홀로그램 등으로 치환하는 것도 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는, 미러에 힘을 가하여 변형시키는 액추에이터로서 보이스 코일 모터(VCM)를 예로 들어 설명하지만, VCM을 리니어 모터나 솔레노이드 등의 전자기력을 이용하는 액추에이터로 치환하는 것도 가능하다. 이러한 액추에이터는, 어느 한쪽이 광학 소자에 설치되고, 다른 쪽이 베이스 플레이트에 배치되는 자석 및 코일을 포함하며, 코일에 전류를 흘림으로써 광학 소자를 구동하여 변형시킨다.
도 1은, 본 발명의 일 측면으로서의 광학 장치(1)의 구성을 나타내는 개략도이다. 광학 장치(1)는, 미러(2)를 변형시키는, 구체적으로는, 미러(2)의 반사면(2a)을 목표 형상으로 변형시키는 가변 미러 장치이다. 광학 장치(1)는, 미러(2)와, 베이스 플레이트(3)와, 복수의 액추에이터(4)와, 계측부(5)와, 검출부(7)와, 주 제어부(10)와, 지지부(21)를 갖는다.
미러(2)는, 예를 들어 원 형상의 미러이다. 지지부(21)는 베이스 플레이트(3)에 설치되고, 미러(2)를 미러(2)의 이면(2b)의 중심부에서 지지한다. 베이스 플레이트(3)는 광학 장치(1)의 하우징(도시하지 않음)에 설치된다. 광학 장치(1)는, 예를 들어 수광 소자나 다른 광학계 등과 조합하여 사용된다.
액추에이터(4)는, 미러(2)에 설치되고, 미러(2)에 힘을 가하여 변형시킨다. 액추에이터(4)는 미러(2)의 이면(2b)에 설치된 가동자(401)와, 가동자(401)에 대향하도록 베이스 플레이트(3)에 설치된 고정자(402)를 포함하는 VCM으로 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 가동측인 미러(2)에 배선 등의 부가물을 배치하는 것에 의한 진동이나 중량 증가를 회피하기 위해, 가동자(401)를 자석으로 하고, 고정자(402)를 코일로 한다. 또한, 미러(2)의 진동 고유값의 향상을 위한 중량 저감으로서 가동자(401)를 코일로 하는 것도 유효하지만, 배선이나 코일의 냉각 등의 처리 설계가 복잡해진다. 또한, 액추에이터(4)의 수는 한정되는 것은 아니며, 미러(2)에 요구되는 형상 정밀도 등에 따라서 임의로 설정하면 된다.
계측부(5)는, 복수의 액추에이터(4) 중 적어도 하나의 액추에이터가 설치된 개소(제1 개소)에 있어서의 미러(2)의 변위를 계측한다. 계측부(5)는 적어도 하나의 액추에이터 변위를 검출하고, 이러한 변위에 기초하여 미러(2)의 변위를 구한다. 계측부(5)는, 본 실시 형태에서는, 복수의 액추에이터(4) 중 하나의 액추에이터에 설치된 변위 센서를 포함한다.
검출부(7)는, 복수의 액추에이터(4) 각각에 흐르는 전류, 구체적으로는, 액추에이터(4)를 구동하기 위한 전류, 및 액추에이터(4)에 발생하는 유도기전류를 검출한다. 검출부(7)는, 본 실시 형태에서는, 복수의 액추에이터(4) 각각에 대하여 설치된 복수의 전류계를 포함한다.
주 제어부(10)는 광학 장치(1)의 전체(각 부)를 통괄적으로 제어한다. 주 제어부(10)는, 본 실시 형태에서는, 액추에이터 제어부(6)와, 처리부(8)를 포함한다. 액추에이터 제어부(6)는, 복수의 액추에이터(4) 각각을 제어한다. 액추에이터 제어부(6)는, 예를 들어 검출부(7)에서 검출된 전류의 값을 피드백하여, 액추에이터(4)에 부여하는 구동 전류를 정밀하게 제어(조정)한다. 처리부(8)는, 복수의 액추에이터(4) 각각의 추력과 복수의 액추에이터(4) 각각이 설치된 개소에 있어서의 미러(2)의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스, 소위, 컴플라이언스 매트릭스를 결정(동정)한다. 또한, 처리부(8)는, 컴플라이언스 매트릭스에 기초하여, 미러(2)를 목표 형상으로 변형시키기 위해 복수의 액추에이터(4) 각각에 부여하는 전류의 값을 결정한다.
도 2를 참조하여, 처리부(8)에 의해 행해지는, 본 실시 형태에 있어서의 컴플라이언스 매트릭스를 결정하는 처리에 대하여 설명한다. 여기에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 액추에이터(4)로서, VCM1, VCM2, VCM3, VCM4, ···, VCMn의 n개의 VCM을 생각한다. 또한, Ｉ'1, Ｉ'2, Ｉ'3, Ｉ'4, ···, Ｉ'n은, VCM1 내지 VCMn 각각에 발생하는 유도기전류의 값을 나타낸다.
컴플라이언스 매트릭스의 결정에는, 식 (1)에 도시한 바와 같이, 각 액추에이터의 추력과, 미러의 변위가 필요해진다. 단, 본 실시 형태에서는, 각 액추에이터의 추력을 구할 필요는 없고, 각 액추에이터에 발생하는 유도기전류의 값과, 각 액추에이터가 설치된 개소에 있어서의 미러(2)의 변위에 기초하여, 컴플라이언스 매트릭스를 결정한다.
후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 복수의 액추에이터(4) 중 하나의 액추에이터를 단위 전류로 구동한다. 그 때, 복수의 액추에이터(4) 각각에 발생하는 전류의 값과, 복수의 액추에이터(4) 중 적어도 하나의 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 미러(2)의 변위를 취득한다(제1 공정). 그리고, 취득된 복수의 액추에이터(4) 각각에 발생하는 전류의 값 및 제1 개소에 있어서의 미러(2)의 변위에 기초하여, 매트릭스를 결정한다(제2 공정). 이 때, 취득된 복수의 액추에이터(4) 각각에 발생하는 전류의 값의 비에 기초하여, 제1 개소 중 하나의 개소에 있어서의 미러(2)의 변위를 기준으로 하여, 제2 개소에 있어서의 미러(2)의 변위를 구한다. 그리고, 제1 개소에 있어서의 미러(2)의 변위 및 제2 개소에 있어서의 미러(2)의 변위에 기초하여, 컴플라이언스 매트릭스를 결정한다. 또한, 제2 개소란, 복수의 액추에이터(4) 중 적어도 하나의 액추에이터(즉, 제1 개소에 설치된 액추에이터)를 제외한 액추에이터가 설치된 개소이다.
컴플라이언스 매트릭스를 결정하는 처리에 대하여 구체적으로 설명한다. VCM1을 구동함으로써, 이하의 식 (5)에 나타내는 1열만의 열 컴플라이언스 매트릭스가 얻어진다. 이것을, 모든 VCM에 대하여 실시함으로써 얻어지는 열 컴플라이언스 매트릭스를 선형 가산함으로써, VCM의 수에 대응한 n행 n열의 완전한 컴플라이언스 매트릭스가 구해진다.
Figure 112017120111570-pat00002
본 실시 형태에서는, 먼저, VCM1을 단위 전류 I1로 구동하여 미러(2)를 변형시키고 나서, VCM1로의 단위 전류 I1의 공급을 멈춘다. VCM1의 구동에 의해 변형된 미러(2)가 원래 형상으로 복귀될 때, VCM1 내지 VCMn의 각각에 유도기전류 Ｉ'1 내지 Ｉ'n이 발생한다.
VCM1을 구동하는 단위 전류 I1, 유도기전류 Ｉ'1 내지 Ｉ'n 및 계측부(5)에서 계측되는 미러(2)의 변위로부터, 이하의 식 (6)에 나타내는 열 컴플라이언스 매트릭스를 취득하는 방법을 설명한다.
Figure 112017120111570-pat00003
식 (6)의 우변의 추력 F는, VCM에 공급하는 전류(구동 전류)로부터, 이하의 식 (7)에서 얻어진다. 식 (7)에 있어서, F는, VCM의 추력을 나타내고, Kf는, VCM의 추력 상수를 나타내고, I는, VCM에 공급하는 구동 전류를 나타내고 있다.
Figure 112017120111570-pat00004
이어서, 식 (6)의 좌변의 미러(2)의 변위 X를, VCM1을 구동하는 단위 전류 I1, 유도기전류 Ｉ'1 내지 Ｉ'n 및 계측부(5)에서 계측되는 미러(2)의 변위로부터 얻는 방법을 설명한다. VCM1을 단위 전류 I1로 구동시키면, VCM1의 구동에 의해, VCM1이 설치된 개소(구동점)를 기점으로 하여 미러(2)가 변형된다. 이러한 VCM1의 구동에 의해, 다른 VCMi(i=2, 3, 4, ···, n)이 변위되고, VCMi 각각에, 이하의 식 (8)로 나타내는 유도기전류 Ｉ'i1(i=2, 3, 4, ···, n)이 발생한다. 식 (8)에 있어서, i는, 변위점 번호를 나타내고, dX는, 미러(2)에 설치된 가동자(401)의 변위의 속도를 나타내고, R은, VCM의 저항값을 나타내고 있다.
Figure 112017120111570-pat00005
식 (8)을 참조할 때, 유도기전류 Ｉ'i1로부터 VCMi(i=2, 3, 4, ···, n)는, 이하의 식 (9)로 나타내는 속도 dXi1로 변위된 것을 알 수 있다.
Figure 112017120111570-pat00006
단, VCM1을 구동하는 단위 전류 I1은, 미러(2)의 재료의 탄성 감쇠에 의한 각 부의 변위 지연이 문제없을 정도의 속도로 구동하도록 조정할 필요가 있다. 이것은, 각 VCM이 설치된 개소(제2 개소)에서의 미러(2)의 변위 Xi1과 미러(2)의 변위의 속도 dXi1을 비례 관계로 하기 위함이다. 또한, 문제없을 정도란, 광학 장치(1)의 설계 시에 구해지는 컴플라이언스 매트릭스의 정밀도에 대하여 허용되는 변위 Xi1과 속도 dXi1의 비례 관계로부터의 오차 범위이다.
VCM1을 단위 전류 I1로 구동함과 함께, 계측부(5)에 의해, VCMn이 설치된 개소에 있어서의 미러(2)의 변위 Xref -1이 계측된다. 상술한 바와 같이, 미러(2)의 변위 Xi1과 미러(2)의 변위의 속도 dXi1은 비례 관계이다. 따라서, 각 VCM이 설치되는 개소에 있어서의 미러(2)의 변위는, 계측부(5)에서 계측된 변위 Xref -1과 속도 dXi1로부터, 이하의 식 (10)에서 구해진다.
Figure 112017120111570-pat00007
또한, 식 (10)에 식 (9)를 적용하면, 이하의 식 (11)이 얻어진다.
Figure 112017120111570-pat00008
여기서, VCM의 저항값 및 추력 상수는 계에 고유한 값이기 때문에, 이하의 식 (12)를 정의하면, 미러(2)의 변위 Xi1은, 이하의 식 (13)에서 얻어진다.
Figure 112017120111570-pat00009
미러(2)의 변위를 계측하는 계측부(5)가 복수인 경우에는, VCM4와, VCM4의 변위 Xref를 포함하는 관계를 적용하면 된다. 이 경우, 유도기전류의 비가 작아지도록, 미러(2)의 각 변위점과 계측부(5)가 설치된 개소를 조합함으로써, 미러(2)의 변위 비례 계산의 오차를 저감시킬 수 있다.
단, VCM4가 설치된 개소에 있어서의 미러(2)의 변위는, Xref이다. 또한, VCM1에는 단위 전류 I1이 흐르고 있기 때문에, 전류값의 부호를 반대로 할 필요가 있다. 따라서, VCM1의 변위 X11은, 이하의 식 (14)에서 얻어진다.
Figure 112017120111570-pat00010
또한, VCM2의 변위 X21은, 이하의 식 (15)에서 얻어진다.
Figure 112017120111570-pat00011
식 (7)과 식 (11)로부터, 식 (5)는 이하의 식 (16)으로 나타낼 수 있다.
Figure 112017120111570-pat00012
따라서, Ci1은, 이하의 식 (17)로 표시된다.
Figure 112020106023288-pat00019
이와 같이, VCM1을 단위 전류 I1로 구동함으로써 열 컴플라이언스 매트릭스를 얻을 수 있다. 이것을, n개의 VCM에 대하여 실시함으로써 얻어지는 열 컴플라이언스 매트릭스를 선형 가산함으로써, 이하의 식 (18)에 나타내는 컴플라이언스 매트릭스 Cij를 얻을 수 있다. 식 (18)에 있어서, j는, VCM의 번호를 나타내고 있다.
Figure 112020106023288-pat00020
이어서, 광학 장치(1)의 실제의 동작, 즉, 미러(2)(반사면(2a))를 목표 형상으로 변형시키는 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 식 (18)에 나타내는 컴플라이언스 매트릭스 Cij에 기초하여, 미러(2)를 목표 형상 Xobj로 변형시키기 위해 VCM에 부여하는 전류의 값 Idrv를 구한다(결정한다). 전류의 값 Idrv를 구하는 미러의 변위점 Xobj-1에 관한 방정식은, 이하의 식 (19)로 표시된다. 미러(2)의 모든 변위점에 관한 연립 방정식을 풂으로써, VCM 각각에 부여하는 전류의 값을 구할 수 있다.
Figure 112017120111570-pat00015
식 (19)에 대해서, 식 (16)을 참조하면, a1항이 소거되는 것을 알 수 있다. 이것은, VCM의 저항값 및 추력 상수가 컴플라이언스 매트릭스에 포함되어 있고, 광학 장치(1)의 실제의 동작에 있어서는, VCM에 부여하는 전류(의 값)만으로 미러(2)를 목표 형상으로 변형시키는 것이 가능함을 나타내고 있다.
본 실시 형태에서는, 컴플라이언스 매트릭스의 결정에 있어서, VCM의 구동에 의해 VCM에 발생하는 유도기전력을 전류의 값으로서 계측하고 있지만, 이러한 유도기전력을 전압의 값으로서 계측해도 동일하게 실시 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 컴플라이언스 매트릭스를 결정하는 처리는, 초기의 컴플라이언스 매트릭스를 결정하는 경우, 및 컴플라이언스 매트릭스를 캘리브레이션하는 경우 중 어디에도 적용 가능하다. 컴플라이언스 매트릭스를 캘리브레이션하는 경우에는, 광학 장치(1)의 동작을 일단 정지하고, 상술한 컴플라이언스 매트릭스를 결정하는 처리를 실시한다. 이 때, 광학 장치(1)가 진동하면, 컴플라이언스 매트릭스에 오차가 포함되기 때문에, 진동이 충분히 수렴될 때까지 시간을 두거나, 광학 장치(1)에 입력되는 진동을 제진(차단)하는 기능을 유효하게 해두면 된다. 또한, 컴플라이언스 매트릭스의 캘리브레이션은, 정기적으로 행해도 되고, 미러(2)가 목표 형상으로 변형되었는지 여부를 확인하고 나서 행해도 된다. 미러(2)가 목표 형상으로 변형되었는지 여부의 확인은, 예를 들어 계측부(5)가 설치된 개소에 있어서의 미러(2)의 변위가 목표 변위로 되었는지 여부를 기준으로 하면 된다.
도 3을 참조하여, 노광 장치(EX)에 대하여 설명한다. 노광 장치(EX)는, 기판(S)을 노광하는 리소그래피 장치이다. 노광 장치(EX)는, 조명 광학계(IL)와, 투영 광학계(PO)와, 마스크(M)를 유지하여 이동하는 마스크 스테이지(MS)와, 기판(S)을 유지하여 이동하는 기판 스테이지(SS)를 갖는다. 또한, 노광 장치(EX)는, CPU나 메모리 등을 포함하고, 노광 장치(EX)의 전체를 제어하는 제어부(CN)를 갖는다.
광원(도시하지 않음)으로부터의 광은, 조명 광학계(IL)에 포함되는 슬릿(도시하지 않음)을 통해, 예를 들어 Y축 방향으로 긴 원호 형상의 조명 영역을 마스크 상에 형성한다. 조명 광학계(IL)는, 마스크(M)를 조명한다. 마스크(M)는, 마스크 스테이지(MS)에 유지되고, 기판(S)은, 기판 스테이지(SS)에 유지되어 있다. 마스크(M)와 기판(S)은, 투영 광학계(PO)를 통해, 광학적으로 거의 공액인 위치(투영 광학계(PO)의 물체면 및 상면의 위치)에 배치되어 있다. 투영 광학계(PO)는, 물체를 상면에 투영한다. 투영 광학계(PO)는, 본 실시 형태에서는, 소정의 투영 배율(예를 들어, 1/2배)을 가지고, 마스크(M)에 형성된 패턴을 기판(S)에 투영한다. 그리고, 마스크 스테이지(MS) 및 기판 스테이지(SS)를, 투영 광학계(PO)의 물체면과 평행한 방향(예를 들어, 도 3의 X 방향)으로, 투영 광학계(PO)의 투영 배율에 따른 속도비로 주사한다. 이에 의해, 마스크(M)에 형성된 패턴을 기판(S)에 전사할 수 있다.
투영 광학계(PO)는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이, 평면 미러(PM)와, 오목면 미러(CM)와, 볼록면 미러(VM)를 포함한다. 조명 광학계(IL)로부터 사출되어, 마스크(M)를 통과한 광은, 평면 미러(PM)의 제1면(PMa)에서 반사되고, 오목면 미러(CM)의 제1면(CMa)에 입사된다. 오목면 미러(CM)의 제1면(CMa)에서 반사된 광은, 볼록면 미러(VM)에서 반사되고, 오목면 미러(CM)의 제2면(CMb)에 입사된다. 오목면 미러(CM)의 제2면(CMb)에서 반사된 광은, 평면 미러(PM)의 제2면(PMb)에서 반사되고, 기판 상에 결상한다. 투영 광학계(PO)에서는, 볼록면 미러(VM)가 광학적인 퓨필이 된다.
노광 장치(EX)에 있어서, 상술한 광학 장치(1)는, 예를 들어 오목면 미러(CM)의 반사면을 임의인 형상으로 변형시키는(즉, 오목면 미러(CM)를 미러(2)로 하는) 가변 미러 장치로서 사용된다. 광학 장치(1)는, 상술한 바와 같이, 초기의 컴플라이언스 매트릭스를 결정하거나, 컴플라이언스 매트릭스를 캘리브레이션하거나 하는 데 유리하기 때문에, 경시 변화 등에 관계없이, 오목면 미러(CM)를 목표 형상으로 변형시킬 수 있다. 여기서, 노광 장치(EX)에 있어서의 제어부(CN)는, 상술한 광학 장치(1)에 있어서의 주 제어부(10)를 포함하도록 구성되어도 된다.
본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판에 공급된 감광제(레지스트)에 노광 장치(EX)를 사용하여 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 추가로, 이러한 제조 방법은, 다른 주지된 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
본 발명은, 상술한 실시 형태의 1 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통해 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리에서도 실현 가능하다. 또한, 1 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (10)

  1. 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 전자(電磁) 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 전자 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 결정 방법이며,
    상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나의 전자 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류의 값과, 상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나 이상의 전자 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 취득하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정에서 취득된 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류의 값 및 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 열 매트릭스를 결정하는 제2 공정을 갖고,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 대해 상기 제1 공정 및 상기 제2 공정을 실시함으로써 얻어지는 복수의 상기 열 매트릭스를 선형 가산하여 상기 매트릭스를 결정하는 제3 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 결정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공정에서는,
    상기 제1 공정에서 취득된 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류의 값의 비에 기초하여, 상기 제1 개소 중 하나의 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 기준으로 하여, 상기 복수의 전자 액추에이터 중 상기 하나 이상의 전자 액추에이터 이외의 전자 액추에이터가 설치된 제2 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 구하고,
    상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위 및 상기 제2 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 열 매트릭스를 결정하는 것을 특징으로 하는, 결정 방법.
  3. 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 전자(電磁) 액추에이터와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나 이상의 전자 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 전자 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고,
    상기 처리부는, 상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나의 전자 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 열 매트릭스를 구하고, 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 대해 얻어지는 복수의 상기 열 매트릭스를 선형 가산하여 상기 매트릭스를 결정하는 것을 특징으로 하는, 광학 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 처리부는,
    상기 제1 개소 중 하나의 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 기준으로 하여, 상기 복수의 전자 액추에이터 중 상기 하나 이상의 전자 액추에이터 이외의 전자 액추에이터가 설치된 제2 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 구하고,
    상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위 및 상기 제2 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 상기 열 매트릭스를 결정하는 것을 특징으로 하는, 광학 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 처리부는, 상기 매트릭스에 기초하여, 상기 광학 소자를 목표 형상으로 변형시키기 위해 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 부여하는 구동 전류의 값을 결정하는 것을 특징으로 하는, 광학 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 설치된 복수의 전류계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 계측부는, 상기 하나 이상의 전자 액추에이터의 변위를 검출하고, 당해 변위에 기초하여 상기 제1 개소 중 하나의 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 구하는 것을 특징으로 하는, 광학 장치.
  8. 물체를 상면에 투영하는 투영 광학계이며,
    광학 소자와,
    상기 광학 소자를 변형시키는 광학 장치를 갖고,
    상기 광학 장치는,
    상기 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 전자(電磁) 액추에이터와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나 이상의 전자 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 전자 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고,
    상기 처리부는, 상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나의 전자 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 열 매트릭스를 구하고, 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 대해 얻어지는 복수의 상기 열 매트릭스를 선형 가산하여 상기 매트릭스를 결정하는 것을 특징으로 하는, 투영 광학계.
  9. 기판을 노광하는 노광 장치이며,
    마스크를 조명하는 조명 광학계와,
    상기 조명 광학계에 의해 조명된 마스크의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖고,
    상기 투영 광학계는,
    광학 소자와,
    상기 광학 소자를 변형시키는 광학 장치를 갖고,
    상기 광학 장치는,
    상기 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 전자(電磁) 액추에이터와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나 이상의 전자 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 전자 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고,
    상기 처리부는, 상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나의 전자 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 열 매트릭스를 구하고, 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 대해 얻어지는 복수의 상기 열 매트릭스를 선형 가산하여 상기 매트릭스를 결정하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  10. 노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 공정과,
    노광한 상기 기판을 현상하는 공정을 갖고,
    상기 노광 장치는,
    마스크를 조명하는 조명 광학계와,
    상기 조명 광학계에 의해 조명된 마스크의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계를 갖고,
    상기 투영 광학계는,
    광학 소자와,
    상기 광학 소자를 변형시키는 광학 장치를 갖고,
    상기 광학 장치는,
    상기 광학 소자에 힘을 가하여 변형시키는 복수의 전자(電磁) 액추에이터와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류를 검출하는 검출부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나 이상의 전자 액추에이터가 설치된 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위를 계측하는 계측부와,
    상기 복수의 전자 액추에이터 각각의 추력과 상기 복수의 전자 액추에이터 각각이 설치된 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위의 관계를 나타내는 매트릭스를 결정하는 처리부를 갖고,
    상기 처리부는, 상기 복수의 전자 액추에이터 중 하나의 전자 액추에이터를 단위 전류로 구동했을 때, 상기 검출부에 의해 검출되는 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 흐르는 전류의 값과, 상기 계측부에 의해 계측되는 상기 제1 개소에 있어서의 상기 광학 소자의 변위에 기초하여, 열 매트릭스를 구하고, 상기 복수의 전자 액추에이터 각각에 대해 얻어지는 복수의 상기 열 매트릭스를 선형 가산하여 상기 매트릭스를 결정하는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.
KR1020170163922A 2016-12-09 2017-12-01 결정 방법, 광학 장치, 투영 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 KR102321780B1 (ko)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004505420A (ja) 2000-07-21 2004-02-19 トミオン、マーク、アール． 電気力学的な場の発生装置
US20100027143A1 (en) 2006-05-11 2010-02-04 Massachusetts Institute Of Technology Magnetic membrane mirror

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2698242B2 (ja) * 1991-07-11 1998-01-19 三菱電機株式会社 反射鏡の形状矯正方法
US7281808B2 (en) * 2003-06-21 2007-10-16 Qortek, Inc. Thin, nearly wireless adaptive optical device
US7125128B2 (en) * 2004-01-26 2006-10-24 Nikon Corporation Adaptive-optics actuator arrays and methods for using such arrays
JP2007025503A (ja) 2005-07-20 2007-02-01 Topcon Corp 可変形状ミラーの変形方法、その方法を用いた光学装置、及び眼底観察装置
JP2007317713A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 光学素子駆動装置
JP2009194204A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Nikon Corp 露光装置、露光システムおよびデバイス製造方法
JP2015065246A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 キヤノン株式会社 光学装置、光学系、露光装置及び物品の製造方法
JP6168957B2 (ja) * 2013-09-30 2017-07-26 キヤノン株式会社 光学装置、投影光学系、露光装置および物品の製造方法
JP6336274B2 (ja) * 2013-12-25 2018-06-06 キヤノン株式会社 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP6371576B2 (ja) * 2014-05-02 2018-08-08 キヤノン株式会社 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP2016092366A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 キヤノン株式会社 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004505420A (ja) 2000-07-21 2004-02-19 トミオン、マーク、アール． 電気力学的な場の発生装置
US20100027143A1 (en) 2006-05-11 2010-02-04 Massachusetts Institute Of Technology Magnetic membrane mirror

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