KR102308720B1 - 자외선 발광소자 및 조명시스템 - Google Patents
자외선 발광소자 및 조명시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102308720B1 KR102308720B1 KR1020150035761A KR20150035761A KR102308720B1 KR 102308720 B1 KR102308720 B1 KR 102308720B1 KR 1020150035761 A KR1020150035761 A KR 1020150035761A KR 20150035761 A KR20150035761 A KR 20150035761A KR 102308720 B1 KR102308720 B1 KR 102308720B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- algan
- semiconductor layer
- layer
- light emitting
- emitting device
- Prior art date
Links
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 196
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 151
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 18
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 AlInGaAs Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
실시예는 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 자외선 발광소자는 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 상에 배치되는 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 자외선 발광소자는 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 상에 배치되는 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)을 포함할 수 있다.
Description
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소가 화합되어 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자(UV LED)의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광소자로서, 상기 파장대 에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
예를 들어, 근자외선 발광소자(Near UV LED)는 위폐감식, 수지 경화, 또는 자외선 치료 등에 사용되고 있고, 형광체와 조합되어 다양한 색상의 가시광선을 구현하는 조명 장치에서도 사용되고 있다.
한편, 자외선 발광소자는 청색 발광소자에 비해, 광 취득 효율 및 광 출력이 떨어진다는 문제가 있다. 이는 자외선 발광소자의 실용화에 장벽으로 작용하고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자에 사용되는 Ⅲ족 질화물은 가시광선에서 자외선까지 광범위하게 활용될 수 있으나, 가시광선 대비 자외선의 효율이 떨어지는 문제가 있다. 그 이유는 자외선의 파장으로 갈수록 Ⅲ족 질화물이 자외선을 흡수한다는 것과, 낮은 결정성에 의한 내부 양자효율의 저하가 원인이다.
이에 따라, 종래기술에 의하면 Ⅲ족 질화물에서의 자외선 흡수를 방지하기 위해, 성장기판, GaN층, AlGaN층, 활성층 등을 순차적으로 성장한 후에, 자외선 흡수 가능성이 있는 GaN층을 제거하고 AlGaN층을 노출시키고 있으나, AlGaN층의 낮은 결정성에 의해 내부 양자효율 저하의 문제는 해결하기 어려운 실정이다.
예를 들어, 종래기술에 의하면 GaN층에 AlGaN층 성장시 상호 격자상수 차이 등에 의해 AlGaN층에 인장응력(Tensile Stress)이 발생하여 크랙(Crack)이 발생함에 따라 결정품질이 저하되어 광도가 저하되는 문제가 있다.
종래기술의 경우, n-clad에 의한 광흡수를 줄이기 위해 n-AlGaN을 채용하는데, 이러한 n-AlGaN은 n-GaN에 비해 Al을 포함함으로써 격자 상수 차이 등에 의해 점결함(Point defect), 전위(Dislocation) 등이 많고, 이러한 디펙트 영역에서 Yellow Luminescence가 발생되어 감성 불량이 발생한다.
한편, UV LED는 본래 가시광선 영역이 아니므로 UV는 눈에 보이지 않지만, 주피크(Main peak)이 아닌 파장, 즉 장파장에 해당하는 테일(Tail)에 의해 보라 빛이 나오게 된다.
Tail에서의 보라 빛이 위에서 언급한 점결함(Point defect)들에 의하여 발생하는 550nm~560nm 영역의 Yellow Luminescence와 혼합되어 1개의 기판(Wafer) 안에서 보라-White-Yellow 등의 색 감차가 발생할 수 있고, 이러한 색감차는 감성불량을 야기 시킬 수 있다.
또한 종래기술에 의하면, UV LED는 In 조성이 낮으므로 양자우물(Quantum Well)에서 Blue LED 대비 In 국부 효과(Localization effect)를 보기 어렵다. 따라서 종래기술에서는 하부층에서 올라오는 확산전위(Threading dislocation)의 제어 및 결정성이 칩의 광도에 영향을 미친다.
또한 종래기술에 의하면, 텍스처링에 의한 광추출 구조를 형성하게 되는데, GaN층에 AlGaN층 성장시 격자상수 차이 등에 의해 AlGaN층을 두껍게 형성하기 어려우며, 이에 따라 GaN층 제거 후 노출되는 AlGaN층에 텍스처링에 의한 광추출 구조를 형성이 어려워 광추출 효율이 저하되는 문제가 있다.
실시예는 색감차를 개선할 수 있는 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예는 광도가 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
또한 실시예는 광추출 효율이 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 자외선 발광소자는 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 상에 배치되는 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)을 포함할 수 있다.
또한 실시예에 따른 자외선 발광소자는 기판(105); 상기 기판(105) 상에 복수의 언도프트 GaN층(106); 상기 복수의 언도프트 GaN층(106) 사이에 개재된 질화물층(108); 상기 복수의 언도프트 GaN층(106) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113); 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 배치된 활성층(114); 및 상기 활성층(114) 상에 배치된 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116);을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 조명시스템은 상기 발광소자를 구비하는 조명유닛을 포함할 수 있다.
실시예는 색감차가 개선된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
실시예는 결정품질 향상에 따라 광도가 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
또한 실시예는 광추출 효율이 현저히 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자의 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 비교예와 실험예에서 Wx(색좌표) 산포 데이터.
도 3 내지 도 11은 실시예에 따른 발광소자의 제조방법 공정 단면도.
도 12는 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 단면도.
도 13a와 도 13b는 비교예와 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 사진.
도 14는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 15는 실시예에 따른 조명 장치의 사시도.
도 2a 내지 도 2c는 비교예와 실험예에서 Wx(색좌표) 산포 데이터.
도 3 내지 도 11은 실시예에 따른 발광소자의 제조방법 공정 단면도.
도 12는 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 단면도.
도 13a와 도 13b는 비교예와 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 사진.
도 14는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 15는 실시예에 따른 조명 장치의 사시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
(실시예)
도 1은 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자(100)의 단면도이다.
실시예에 따른 자외선 발광소자(100)는 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 상에 배치되는 활성층(114) 및 상기 활성층(114) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)을 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)과, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)을 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116), 상기 활성층(114) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 발광구조물(110)을 구성할 수 있다.
실시예는 수직형 자외선 발광소자에 적용될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광구조물(110)은 제2 전극층(120) 상에 배치되고, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 소정의 투광성 전극층(미도시)을 개재하여 제1 전극(131)이 배치될 수 있다.
상기 투광성 전극층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
실시예는 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)과 상기 활성층(114) 사이에 배치되는 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)계열 반도체층(115)을 포함할 수 있다. 상기 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)계열 반도체층(115)은 전자차단층으로 기능할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 전극층(120)은 컨택층(122), 반사층(124) 및 전도성 지지부재(126)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 실시예에 따른 자외선 발광소자는 수평형 자외선 발광소자에도 적용될 수 있다.
실시예는 색감차가 개선된 자외선 발광소자를 제공하고자 한다.
실시예에 의하면 AlGaN 계열 반도체층의 두께가 증가함에 따라 Yellow Luminescence가 증가 하지만 직선비례(Linear)로 증가하지 않고 그 기울기가 점점 줄어들어 포화(saturation)될 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성과 다를 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성보다 클 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성은 약 1% 내지 4%일 수 있고, 그 두께는 약 5nm 내지 약 15nm일 수 있다.
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성이 1% 미만이면 광 흡수가 발생될 수 있고, 4% 초과되면 색 감차 개선에 기여하지 못할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 두께가 5nm 미만의 경우 색감차 개선 효과가 없을 수 있고, 15nm 초과의 경우 광 흡수에 의한 광 손실 발생할 수 있다.
또한 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성보다 클 수 있으며, 약 10% 이하일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성이 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성보다 낮으면 광 흡수에 의한 광 손실 발생할 수 있고, 10% 초과이면 품질(Quality)이 저하될 수 있다.
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 두께는 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 두께보다 두꺼울 수 있고, 약 30nm 이하일 수 있다.
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 두께가 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 두께보다 얇을 경우, 색감 차 개선 효과가 저하될 수 있고, 그 두께가 약 30nm 이상일 경우 크랙(Crack) 발생 및 품질(Quality) 저하를 발생시킬 수 있다.
실시예에서 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 전체 두께는 약 2.5㎛를 넘지 않을 수 있으며, 2.5㎛를 초과하는 경우 크랙(Crack)이 발생할 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 비교예와 실험예에서 Wx(색좌표) 산포 데이터이다.
도 2a는 비교예의 Wx(색좌표) 산포 분표도이며, 도 2b는 실험예의 Wx(색좌표) 산포 분포도이며, 도 2c는 비교예와 실험예에서 Wx(색좌표) 산포 데이터이다.
실시예의 경우 비교예에 비해 Wx(색좌표) 산포 데이터가 약 0.16에서 0.08로 현저히 개선되었다.
실시예는 에피층의 결정품질 향상에 따라 광도가 향상된 자외선 발광소자를 제공하고자 한다.
종래기술에 의하면 GaN층에 AlGaN층 성장시 격자상수 차이 등에 의해 AlGaN층에 인장응력이 발생하여 크랙이 발생함에 따라 결정품질이 저하되어 광도가 저하되는 문제가 있고, 이러한 크랙은 수율 및 광특성 저하를 가져오고 있다.
또한 종래기술에 의하면, AlGaN층을 성장함에 따라 격가상수 차이의 누적에 의해 인장응력은 더욱 강해진다. 예를 들어, AlGa층에서 Al%가 약 5%인경우, AlGaN층이 약 2.5㎛ 이상으로 성장되면 크랙이 기하 급수적으로 늘어나기 때문에 2.5㎛ 이상으로 AlGaN층을 성장하기 어려움이 있고, 이러한 크랙 발생으로 인해 수율 및 광특성 저하가 발생되고 있다.
또한 실시예는 광추출 효율이 현저히 향상된 자외선 발광소자를 제공하고자 한다.
종래 발광소자에서는 칩(Chip) 제작시 에칭(etching)공정을 통해 텍스쳐링(Texturing)을 형성하여 광추출 구조를 형성하게 되는데, 종래기술의 경우 AlGaN층을 두껍게 형성할 수 없기 때문에, 광추출 구조 형성을 위한 에칭 공정시 활성층이 손상되는 문제가 있어서 광추출 구조를 형성하지 못하거나, 형성하더라도 활성층의 손상에 따라 발광소자 칩의 전기적인 신뢰성을 저하시키는 문제가 있었다.
도 1과 같이, 실시예에 따른 발광소자(100)는 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 상에 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 수평폭이 감소하는 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)을 포함할 수 있다.
실시에에서 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)과 같은 물질로 형성될 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께(D1)는 약 2.5㎛ 이상 확보됨으로써 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)을 안정적으로 구비함으로써 광추출 효율을 높일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께(D1)는 약 2.5㎛ 내지 5.0 ㎛로 크랙(Crack) 없이 높은 품질(High quality)로 확보됨으로써 발광효율을 향상, 신뢰성의 향상과 더불어 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)을 전기적인 숏트 없이 구비할 수 있어 광추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.
또한 실시예는 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 상측 표면에 AlGaN 계열 제2 광추출 패턴(P2)을 더 포함하여 광추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.
실시예에 의하면, 도 4와 같이 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 크랙(Crack) 발생을 억제하기 위하여, 높은 조성(High Composition) AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입하여 스트레스(Stress)를 제거하고, AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입에 따라 발생된 크랙(Crack)은 GaN 계열 패턴(119)에 의해 메워짐으로써, 이후 두껍게 성장되는 저농도(Low Composition)의 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 인장응력(Tensilie Stress)이 아닌 오히려 압축응력(Compressive Stress)를 받기 때문에 크랙(Crack) 발생을 현저히 억제 할 수 있다.
제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 크랙(Crack)이 발생하지 않으면 2.5㎛ 이상으로 두껍게 성장이 가능하여 광추출 패턴 형성공정이 가능하여 광추출 효율을 향상시키면서 신뢰성을 높일 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 11을 참조하여 실시예에 따른 자외선 발광소자의 제조방법을 설명하기로 한다. 이하에서, 제1 실시예를 기준으로 설명하나 실시예의 제조방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
우선, 도 3과 같이 기판(105)을 준비한다. 상기 기판(105)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일수 있다. 예를 들어, 상기 기판(105)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(105) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(105) 위에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 이후 형성되는 발광구조물(110)의 재료와 기판(105)의 격자 부정합을 완화시켜 줄 수 있으며, 상기 버퍼층의 재료는 3족-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 기판(105) 상에 제1 도전형 반도체층(112)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 제1 AlGaN 계열 응력완화층(118a)을 형성할 수 있다. 이후, 제1 AlGaN 계열 응력완화층(118a) 상에 제2 AlGaN 계열 응력완화층(118b)을 형성하여 AlGaN 계열 응력완화층(118)을 형성할 수 있다.
실시예에 의하면, 이후 형성되는 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 크랙(Crack) 발생을 억제하기 위하여, 높은 조성(High Composition) AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입하여 스트레스(Stress)를 제거하고, AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입에 따라 발생된 크랙(Crack)은 GaN 계열 패턴(119)에 의해 메워짐으로써, 이후 두껍게 성장되는 저농도(Low Composition)의 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 인장응력(Tensilie Stress)이 아닌 오히려 압축응력(Compressive Stress)를 받기 때문에 크랙(Crack) 발생을 현저히 억제 할 수 있다.
이를 통해, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 크랙(Crack)이 발생하지 않으면 2.5㎛ 이상으로 두껍게 성장이 가능하여 광추출 패턴 형성공정이 가능하여 광추출 효율을 향상시키면서 신뢰성을 높일 수 있다.
다음으로, 도 4와 같이 AlGaN 계열 응력완화층(118) 상에 GaN 계열 패턴(119)을 형성하고, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)을 형성할 수 있다.
이하, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 크랙(Crack)이 발생하지 않는 메커니즘을 좀 더 상술하기로 한다.
실시예에 의하면 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 보다 Al 조성이 더 높은 AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입하여 일부러 11-20 방향의 미스핏 전위(Misfit dislocation)을 생성하여 기존 응력(Stress)을 완화(relief)하고, 3D mode로 성장되는 GaN 계열 패턴(119)에 의해 AlGaN 계열 응력완화층(118) 삽입으로 유발된 크랙을 메워 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 성장시 크랙 발생을 억제함과 동시에 결정 품질(Quality)를 향상시킬 수 있다.
Al 조성이 더 높은 AlGaN 계열 응력완화층(118)에 의해서 발생된 크랙은 GaN 계열 패턴(119), 예를 들어 GaN Island 패턴 들에 의해 부분부분 메워지며, 크랙이 발생하지 않은 부분은 Al 조성이 높은 AlGaN 계열 응력완화층(118) 영역이기 때문에 격자상수가 작아 그 이후에 두껍게 성장되는 Al 농도가 낮은 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 인장응력(Tensile Stress)이 아닌 오히려 압축응력(Compressive Stress)를 받기 때문에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 크랙(Crack) 발생을 억제 할 수 있다.
실시예에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)은 하나층이거나 복수의 층으로 구비될 수 있다. 한편, 실시예에서 최상측에 배치되는 AlGaN 계열 응력완화층(118) 이후의 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 적어도 1.5㎛ 이상일 수 있다. 이를 통해 전체 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께는 2.5 ㎛ 이상으로 확보될 수 있다.
실시예에서 자외선 발광소자가 약 365nm UVLED인 경우, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 Al 조성(x)은 약 2% 내지 8%일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)은 제1 AlGaN 계열 응력완화층(118a)과 제2 AlGaN 계열 응력완화층(118b)을 포함할 수 있다.
AlGaN 계열 응력완화층(118)은 nAlyGaN(x<y<0.5)의 Al 조성(y)를 구비할 수 있다. 또한 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)은 약 0.25 내지 0.35 일 때 더욱 효과적일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)이 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 Al의 조성(x)보다 작을 경우, 크랙(Crack)이 대량으로 생성되지 않아서 스트레스 완화(Stress relief)에 효과적이지 못하고, 그 이후에 성장되는 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 계속해서 인장응력(Tensile Stress)이 작용되어 크랙이 발생할 가능성이 있다.
AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)이 0.50 이상인 경우 격자상수 차이에 의해 필요이상의 대량의 크랙 및 미스핏 전위(Misfit dislocation)이 발생하여 품질(Quality)에 안 좋을 수 있다.
실시예에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 두께는 50nm 내지 200nm일 수 있으며, 그 두께가 80nm 내지 120nm 일 때 더욱 효과적일 수 있다.
상기 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 두께가 50nm 미만인 경우, 인장응력(Tensile Stress)이 충분히 발생하지 않아 크랙, 미스핏 전위 들이 발생하지 않을 가능성이 있고, 그 두께가 200nm 보다 두꺼울 경우 필요이상의 대량의 크랙 및 미스핏 전위가 발생하여 품질이 저하될 수 있다.
도 4를 참조하여 GaN 계열 패턴(119)을 좀더 설명하기로 한다.
상기 GaN 계열 패턴(119)은 언도프트 GaN 계열 패턴 또는 제1 도전형 GaN 계열 패턴을 포함할 수 있다.
상기 GaN 계열 패턴(119)은 3D mode로 성장될 수 있다. 예를 들어, 제2 AlGaN 계열 응력완화층(118b)의 Facet 면에서 성장하기 때문에 크랙을 메울 수 있다.
상기 GaN 계열 패턴(119)이 Facet 면으로 성장, 즉 3D Mode 성장하기 위해서 약 700℃ 내지 1100℃의 온도에서 성장될 수 있다.
한편, 약 700℃ 내지 800℃의 저온에서 성장하게 되면 품질(Quality)이 안 좋아질 수 있으므로 약 900℃ 내지 1100℃의 온도, 약 400mbar~500mbar 정도의 높은 압력에서 성장을 하면 3D 성장이 품질을 유지하면서 가능할 수 있다.
한편, Ⅴ/Ⅲ 가 높으면 2D mode 가 강화되고, 낮을 경우 3D mode 가 강화되는데 Ⅴ/Ⅲ Reactor 종류에 따라 다르므로 각 장비에 따른 최적 조건을 찾아야 한다.
예를 들어, 온도는 약 900℃ 내지 1100℃가 적정하며, 압력은 400mbar~500mbar 사이에서 Ⅴ/Ⅲ 최적조건을 찾아서 성장하면 3D-mode로 성장이 가능하다.
상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께는 약 10nm 내지 50nm일 수 있으며, 약 20nm 내지 30nm 일 때, 더 효과적일 수 있다.
상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께가 10nm 보다 얇을 경우, 크랙을 효과적으로 메우기 어려우며, 그 두께가 50nm 초과인 경우 GaN 계열 패턴(119)에서의 광 흡수에 의한 광 손실이 일어날 수 있다.
상기 GaN 계열 패턴(119)이 언도프트 GaN 계열 패턴인 경우 전류 확산(Current Spreading) 효과를 볼 수 있다. 상기 GaN 계열 패턴(119)이 잔존하는 경우 이후 형성되는 제1 전극과 상하간에 오버랩되어 전류확산효과를 더욱 증대시킬 수 있다.
상기 GaN 계열 패턴(119)이 제1 도전형 GaN 계열 패턴을 포함하는 경우, n형 도펀트의 농도는 0 초과 내지 1.0x1020일 수 있으며, n형 도펀트 도핑에 의해 전류주입효율이 증대될 수 있다.
이하, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)을 상술하기로 한다.
실시예에서 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)과 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 AlGaN 계열 반도체층의 두께가 증가함에 따라 Yellow Luminescence가 증가 하지만 직선비례(Linear)하게 증가하지 않고 그 기울기가 점점 줄어들어 포화(saturation)될 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성과 다를 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성보다 클 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성은 약 1% 내지 4%일 수 있고, 그 두께는 약 5nm 내지 약 15nm일 수 있다.
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성이 1% 미만이면 광 흡수가 발생될 수 있고, 4% 초과되면 색 감차 개선에 기여하지 못할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 두께가 5nm 미만의 경우 생감 차 개선 효과가 없을 수 있고, 15nm 초과의 경우 광 흡수에 의한 광 손실 발생할 수 있다.
또한 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성보다 클 수 있으며, 약 10% 이하일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 Al 조성이 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 Al 조성보다 낮으면 광 흡수에 의한 광 손실 발생할 수 있고, 10% 초과이면 품질(Quality)이 저하될 수 있다.
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 두께는 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 두께보다 두꺼울 수 있고, 약 30nm 이하일 수 있다.
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)의 두께가 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b)의 두께보다 얇을 경우, 색감 차 개선 효과가 저하될 수 있고, 그 두께가 약 30nm 이상일 경우 크랙(Crack) 발생 및 품질(Quality) 저하를 발생시킬 수 있다.
실시예에서 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 전체 두께는 약 2.5㎛를 넘지 않을 수 있으며, 2.5㎛를 초과하는 경우 크랙(Crack)이 발생할 수 있다.
실시예의 경우 비교예에 비해 Wx(색좌표) 산포 데이터가 약 0.16에서 0.08로 현저히 개선되었다.
다음으로 도 5와 같이, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 활성층(114)이 형성될 수 있다.
상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 활성층(114)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(114)은 양자우물과 양자벽을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(114)은 AlGaN/GaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaP/AlGaP, InGaP AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
다음으로, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)은 반도체 화합물, 예를 들어 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) AlqGa1-qN (0≤q≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또한 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(110)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
다음으로 도 6과 같이, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 상에 제2 전극층(120)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극층(120)은 컨택층(122), 반사층(124) 및 전도성 지지부재(126)가 형성될 수 있다.
상기 컨택층(122)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 컨택층(122)은 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 컨택층(122)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
상기 컨택층(122) 상에는 반사층(124)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(124)은 반사성이 우수하고, 전기적인 접촉이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층(124)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 반사층(124)은 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다.
다음으로, 상기 반사층(124) 상에 전도성 지지부재(126)가 형성될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(126)는 효율적으로 캐리어 주입할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속, 금속합금, 혹은 전도성 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 지지부재(126)는 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
상기 전도성 지지부재(126)를 형성시키는 방법은 전기화학적인 금속증착방법이나 유테틱 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이 상기 기판(105)이 발광구조물(110)로부터 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(105)을 제거하는 방법은 고출력의 레이저를 이용하여 기판을 분리하거나 화학적 식각 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(105)은 물리적으로 갈아냄으로써 제거할 수도 있다.
예를 들어, 레이저 리프트 오프 방법은 상온에서 소정의 에너지를 가해주게 되면 상기 기판(105)과 발광구조물의 계면에서 에너지가 흡수되어 발광구조물의 접합표면이 열분해 되어 기판(105)과 발광구조물을 분리할 수 있다.
다음으로 도 8과 같이, 제1 도전형 반도체층(112)을 습식 또는 건식 에칭 등으로 제거하여 AlGaN 계열 응력완화층(118)이 노출되도록 할 수 있다.
다음으로 도 9와 같이, AlGaN 계열 응력완화층(118)과 GaN 계열 패턴(119)을 순차적 또는 동시에 습식 또는 건식 에칭 등으로 제거하여 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)이 노출되도록 할 수 있다.
이를 통해, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)이 형성될 수 있으며, 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)은 규칙적인 패턴이거나 불규칙적인 패턴 또는 이들의 혼합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
실시예에서 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 소정의 수평폭을 구비하며, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)과 같은 물질로 형성될 수 있다.
실시예에 의하면, 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(121)의 수평폭이 점차 감소함에 따라 광추출 표면적을 넓힐 수 있고, 외부로 광추출 될 수 있는 가능성을 높여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
실시예에서 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)의 높이를 제외한 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께가 1.5 ㎛ 이상, 예를 들어 2.5 ㎛ 내지 5.0 ㎛로 구비됨으로써 광추출 패턴으로서의 기능을 충실히 수행하면서 발광소자 칩에 전기적인 신뢰성에 영향을 미치지 않을 수 있다.
다음으로 도 10과 같이, 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1) 사이에 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴(P2)을 형성할 수 있다.
상기 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴(P2)은 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)의 측면과 상면에도 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이를 통해, 사이즈가 큰 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1) 및 이보다 사이즈가 작은 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴(P2)를 통해 복합적인 광추출 메커니즘의 작동에 의해 광추출 효율이 더욱 향상될 수 있다.
다음으로, 도 11과 같이, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 제1 전극(131)을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극(131)은 Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
이를 통해 실시예에 따른 자외선 발광소자를 제조할 수 있다.
도 12는 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자(102)의 단면도이다.
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
제2 실시예는 수형형 발광소자에 대한 예시이나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 실시예에 따른 자외선 발광소자(102)는 기판(105)과, 상기 기판(105) 상에 복수의 언도프트 GaN층(106)과, 상기 복수의 언도프트 GaN층(106) 사이에 개재된 질화물층(108)과, 상기 복수의 언도프트 GaN층(106) 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)과, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 배치된 활성층(114) 및 상기 활성층(114) 상에 배치된 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)을 포함할 수 있다.
상기 언도프트 GaN층(106)은 제1 언도프트 GaN층(106a), 제2 언도프트 GaN층(106b) 및 제3 언도프트 GaN층(106c)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 2개의 층을 포함할 수도 있다.
상기 질화물층(108)은 제1 질화물층(108a)과 제2 질화물층(108b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
| XRD 결정성 | TDD | Chip Po | ||
| 002 | 102 | |||
| Ref | 253 | 265 | 3.3X108 | 540 |
| 실험예 | 156 | 162 | 1.5X108 | 640 |
표1은 비교예(Ref)와 실험예의 결정성, TDD(Threading dislocation Density), 칩 광도(chip Po) 데이터이다.
도 13a와 도 13b는 각각 비교예와 실험예의 TD Density 비교 사진이다.
UV LED에서는 Blue chip에 비해, In의 조성이 낮으므로 양자우물에서의 In 구속(Localization) 효과를 보기 어렵다.
이에 따라 하부층에서 올라오는 TD(Threading dislocation) 제어 및 결정성이 Chip 광도에 큰 영향을 미친다.
실시예에서는 언도프트 GaN층(106) 사이에 질화물층(108)을 개재하여 TD(Threading Dislocation) 및 결정성을 대폭 개선하였고, Chip Po를 Ref 대비 약 10%~15%향상 시켰다.
실시예에서 질화물층(108)은 SiNx층을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 제1 질화물층(108a)은 약 600nm 내지 1200nm의 제1 언도프트 GaN층(106a)이 성장 이후 증착될 수 있다.
제2 질화물층(108b)은 제1 질화물층(108a) 성장 이후 적어도 600nm~1200nm의 제2 언도프트 GaN층(106b) 성장 이후 증착될 수 있다.
상기 제2 질화물층(108b) 성장 후 적어도 1um 이상의 제3 언도프트 GaN(106c)을 성장하고 그 이후에 제1 도전형 AlGa 계열 반도체층(112)이 성장될 수 있다.
자외선 발광소자는 파장이 긴 순서대로 UV-A((315~400nm)), UV-B(280~315nm), UV-C(200~280nm) 세 가지고 나뉜다.
실시예에 따른 자와선 발광소자(UV LED)는 파장에 따라, UV-A(315~400nm) 영역은 산업용 UV경화, 인쇄 잉크경화, 노광기, 위폐감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양하게 적용될 수 있고, UV-B (280~315nm) 영역은 의료용으로 사용될 수 있고, UV-C(200~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자는 패키지 형태로 복수개가 기판 상에 어레이될 수 있으며, 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자는 백라이트 유닛, 조명 유닛, 디스플레이 장치, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 도 14는 실시예들에 따른 발광소자가 설치된 발광소자 패키지(200)를 설명하는 도면이다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(230)가 포함된다.
상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 발광소자(100)는 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자일 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 제2 실시예에 따른 발광소자(102), 제3 실시예에 따른 발광소자(103) 등을 포함할 수 있다.
상기 몰딩부재(230)에는 형광체(232)가 포함되어 백색광의 발광소자 패키지가 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 15는 실시예에 따른 조명시스템의 분해 사시도이다.
실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다. 상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다. 상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116), 활성층(114),
제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113),
제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b),
제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)
제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113),
제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층(113b),
제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층(113a)
Claims (15)
- 제2 전극 상에 배치되는 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층;
상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층 상에 배치되는 활성층;
상기 활성층 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층;
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층 상에 배치된 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층; 및
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층 상에 배치되는 제1 전극을 포함하고,
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층의 Al 조성은 10% 이하이며, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층의 Al 조성보다 크고,
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층의 두께는 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층의 두께보다 두껍고,
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층 상에는,
수평폭이 감소하며 서로 이격되는 복수의 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴; 및
서로 이격된 복수의 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴 사이에 배치되는 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴이 배치되고,
상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제1 반도체층과 같은 물질로 형성되고,
수직 방향을 기준으로, 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴의 높이는 상기 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴의 높이보다 크고,
상기 제1 전극은 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴과 중첩되는 영역에 배치되는 자외선 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 제2 반도체층의 Al 조성은 1% 내지 4%인 자외선 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴은 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴의 측면 및 상면 상에 더 배치되는 자외선 발광소자. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150035761A KR102308720B1 (ko) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 자외선 발광소자 및 조명시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150035761A KR102308720B1 (ko) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 자외선 발광소자 및 조명시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160111084A KR20160111084A (ko) | 2016-09-26 |
| KR102308720B1 true KR102308720B1 (ko) | 2021-10-05 |
Family
ID=57068393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150035761A KR102308720B1 (ko) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 자외선 발광소자 및 조명시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102308720B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120133836A (ko) * | 2011-06-01 | 2012-12-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
-
2015
- 2015-03-16 KR KR1020150035761A patent/KR102308720B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160111084A (ko) | 2016-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180158981A1 (en) | Ultraviolet light emitting diode, light emitting diode package, and lighting device | |
| KR102376468B1 (ko) | 적색 발광소자 및 조명장치 | |
| KR102317872B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102238195B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102461317B1 (ko) | 자외선 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명장치 | |
| KR102308701B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| US10816143B2 (en) | Ultraviolet light-emitting device and lighting system | |
| KR102473393B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102515587B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102397266B1 (ko) | 발광소자 및 조명장치 | |
| KR102308720B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102261957B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102317473B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102315594B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102237120B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR101983292B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102200075B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR20180018095A (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102249647B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102251238B1 (ko) | 자외선 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102352770B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102302855B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102261958B1 (ko) | 발광소자 및 조명장치 | |
| KR102249633B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
| KR102057719B1 (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |